KR102051787B1 - Copper foil with carrier - Google Patents
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Abstract
파인 피치 형성에 바람직한 캐리어 부착 동박을 제공한다. 캐리어와, 박리층과, 극박 구리층과, 수의적인 수지층을 이 순서로 구비한 캐리어 부착 동박으로서, 극박 구리층 표면의 Rz 의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 1.5 ㎛ 이하이고, 또한 Rz 의 표준 편차가 0.1 ㎛ 이하인 캐리어 부착 동박.The copper foil with a carrier suitable for fine pitch formation is provided. Copper foil with a carrier provided with a carrier, a peeling layer, an ultrathin copper layer, and a voluntary resin layer in this order, wherein the average value of Rz on the surface of the ultrathin copper layer was measured in accordance with JIS B0601-1982 with a contact roughness meter, and was determined to be 1.5. Copper foil with a carrier which is micrometer or less and whose standard deviation of Rz is 0.1 micrometer or less.
Description
본 발명은, 캐리어 부착 동박에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 프린트 배선판의 재료로서 사용되는 캐리어 부착 동박에 관한 것이다.This invention relates to the copper foil with a carrier. More specifically, this invention relates to the copper foil with a carrier used as a material of a printed wiring board.
프린트 배선판은 동박에 절연 기판을 접착시켜 구리 피복 적층판으로 한 후에, 에칭에 의해 동박면에 도체 패턴을 형성한다는 공정을 거쳐 제조되는 것이 일반적이다. 최근 전자 기기의 소형화, 고성능화 요구의 증대에 수반하여 탑재 부품의 고밀도 실장화나 신호의 고주파화가 진전되어, 프린트 배선판에 대해 도체 패턴의 미세화 (파인 피치화) 나 고주파 대응 등이 요구되고 있다.A printed wiring board is generally manufactured by adhering an insulated substrate to copper foil, making it a copper clad laminated board, and forming a conductor pattern on the copper foil surface by etching. In recent years, with the increase in the demand for miniaturization and high performance of electronic devices, high-density mounting of high-frequency components and high frequency of signals have been advanced, and the printed circuit board has been required to have finer conductor patterns (fine pitch) and higher frequency.
파인 피치화에 대응하여, 최근에는 두께 9 ㎛ 이하, 나아가서는 두께 5 ㎛ 이하의 동박이 요구되고 있지만, 이와 같은 극박의 동박은 기계적 강도가 낮아 프린트 배선판의 제조시에 깨지거나, 주름이 발생하거나 하기 쉽기 때문에, 두께가 있는 금속박을 캐리어로서 이용하고, 이것에 박리층을 개재하여 극박 구리층을 전착시킨 캐리어 부착 동박이 등장하고 있다. 극박 구리층의 표면을 절연 기판에 첩합 (貼合) 하여 열 압착 후, 캐리어는 박리층을 개재하여 박리 제거된다. 노출한 극박 구리층 상에 레지스트로 회로 패턴을 형성한 후에, 극박 구리층을 황산-과산화수소계의 에천트로 에칭 제거하는 수법 (MSAP : Modified-Semi-Additive-Process) 에 의해 미세 회로가 형성된다.In response to fine pitching, copper foils having a thickness of 9 μm or less, and even 5 μm or less in recent years have been required. However, such ultra-thin copper foils have low mechanical strength and are cracked or wrinkled during manufacture of printed wiring boards. Since it is easy to carry out, the copper foil with a carrier which electrodeposited the ultra-thin copper layer through the peeling layer using the metal foil with a thickness as a carrier has emerged. After bonding the surface of an ultra-thin copper layer to an insulated substrate, and carrying out thermocompression bonding, the carrier is peeled off through a peeling layer. After forming a circuit pattern with a resist on the exposed ultrathin copper layer, a microcircuit is formed by the method (MSAP: Modified-Semi-Additive-Process) which etches away an ultrathin copper layer with the etchant of sulfuric acid-hydrogen peroxide system.
여기서, 수지와의 접착면이 되는 캐리어 부착 동박의 극박 구리층의 표면에 대해서는, 주로, 극박 구리층과 수지 기재의 박리 강도가 충분한 것, 그리고 그 박리 강도가 고온 가열, 습식 처리, 납땜, 약품 처리 등의 후에도 충분히 유지되고 있는 것이 요구된다. 극박 구리층과 수지 기재 사이의 박리 강도를 높이는 방법으로는, 일반적으로, 표면의 프로파일 (요철, 거칠기) 을 크게 한 극박 구리층 상에 다량의 조화 (粗化) 입자를 부착시키는 방법이 대표적이다.Here, about the surface of the ultra-thin copper layer of the copper foil with a carrier used as the adhesive surface with resin, the thing with sufficient peeling strength of an ultrathin copper layer and a resin base material, and the peeling strength are high temperature heating, a wet process, soldering, chemicals It is desired to be sufficiently maintained even after the treatment or the like. As a method of increasing the peeling strength between an ultra-thin copper layer and a resin base material, generally, the method of attaching a large amount of roughening particle | grains on the ultra-thin copper layer which enlarged the surface profile (unevenness | corrugation, roughness) is typical. .
그러나, 프린트 배선판 중에서도 특히 미세한 회로 패턴을 형성할 필요가 있는 반도체 패키지 기판에, 이와 같은 프로파일 (요철, 거칠기) 이 큰 극박 구리층을 사용하면, 회로 에칭시에 불필요한 구리 입자가 남아 버려, 회로 패턴 사이의 절연 불량 등의 문제가 발생한다.However, when the ultra-thin copper layer with such a large profile (concave-convex, roughness) is used for the semiconductor package substrate which needs to form especially a fine circuit pattern among printed wiring boards, an unnecessary copper particle remains at the time of circuit etching, and a circuit pattern Problems such as poor insulation between them occur.
이 때문에, WO2004/005588호 (특허문헌 1) 에서는, 반도체 패키지 기판을 비롯한 미세 회로 용도의 캐리어 부착 동박으로서, 극박 구리층의 표면에 조화 처리를 실시하지 않은 캐리어 부착 동박을 사용하는 것이 시도되고 있다. 이와 같은 조화 처리를 실시하지 않은 극박 구리층과 수지의 밀착성 (박리 강도) 은, 그 낮은 프로파일 (요철, 조도, 거칠기) 의 영향으로 일반적인 프린트 배선판용 동박과 비교하면 저하되는 경향이 있다. 그 때문에, 캐리어 부착 동박에 대해 추가적인 개선이 요구되고 있다.For this reason, in WO2004 / 005588 (Patent Document 1), as a copper foil with a carrier for fine circuit applications including a semiconductor package substrate, it has been attempted to use a copper foil with a carrier which has not been subjected to a roughening treatment on the surface of an ultrathin copper layer. . The adhesiveness (peel strength) of the ultrathin copper layer and the resin which has not been subjected to such a roughening treatment tends to be lowered compared to a general copper foil for a printed wiring board under the influence of its low profile (unevenness, roughness, roughness). Therefore, further improvement is calculated | required about the copper foil with a carrier.
그래서, 일본 공개특허공보 2007-007937호 (특허문헌 2) 및 일본 공개특허공Thus, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-007937 (Patent Document 2) and Japanese Unexamined Patent Publication
보 2010-006071호 (특허문헌 3) 에서는, 캐리어가 부착된 극박 동박의 폴리이미드계 수지 기판과 접촉 (접착) 하는 면에, Ni 층 또는/및 Ni 합금층을 형성하는 것, 크로메이트층을 형성하는 것, Cr 층 또는/및 Cr 합금층을 형성하는 것, Ni 층과 크로메이트층을 형성하는 것, Ni 층과 Cr 층을 형성하는 것이 기재되어 있다. 이들 표면 처리층을 형성함으로써, 폴리이미드계 수지 기판과 캐리어가 부착된 극박 동박의 밀착 강도를 조화 처리없이, 또는 조화 처리의 정도를 저감 (미세화) 하면서 원하는 접착 강도를 얻고 있다. 또한, 실란 커플링제로 표면 처리하거나, 방청 처리를 실시하거나 하는 것도 기재되어 있다.In 2010-1006071 (Patent Document 3), forming a Ni layer or a Ni alloy layer and a chromate layer on a surface in contact with (polyadhesive) of a polyimide resin substrate of an ultrathin copper foil with a carrier. To form a Cr layer or / and Cr alloy layer, to form a Ni layer and a chromate layer, and to form a Ni layer and a Cr layer are described. By providing these surface treatment layers, the desired adhesive strength is obtained, without adjusting the adhesion strength of a polyimide-type resin substrate and the ultra-thin copper foil with a carrier, without reducing roughening process (fineness). Moreover, it also describes surface-treating with a silane coupling agent, or performing antirust process.
캐리어 부착 동박의 개발에 있어서는, 지금까지 극박 구리층과 수지 기재의 박리 강도를 확보하는 것에 중점이 놓여 있었다. 그 때문에, 파인 피치화에 관해서는 아직 충분한 검토가 이루어져 있지 않아, 여전히 개선의 여지가 남아 있다. 그래서, 본 발명은 파인 피치 형성에 적합한 캐리어 부착 동박을 제공하는 것을 과제로 한다. 구체적으로는, 지금까지의 MSAP 로 형성할 수 있는 한계라고 생각되고 있던 L/S = 20 ㎛/20 ㎛ 보다 미세한 배선을 형성 가능한 캐리어 부착 동박을 제공하는 것을 과제로 한다.In the development of the copper foil with a carrier, the emphasis has been placed on securing the peel strength of the ultra-thin copper layer and the resin substrate until now. For this reason, the fine pitch has not been sufficiently studied yet, and there is still room for improvement. Then, this invention makes it a subject to provide the copper foil with a carrier suitable for fine pitch formation. Specifically, the object of the present invention is to provide a copper foil with a carrier capable of forming a finer wiring than L / S = 20 μm / 20 μm, which is considered to be a limit that can be formed by conventional MSAP.
상기 목적을 달성하기 위해서 본 발명자들은 예의 연구를 거듭한 결과, 극박 구리층의 표면을 저조도화하는 것, 극박 구리층에 미세 조화 입자를 면내에 균일하게 형성함으로써, 균일하고 또한 저조도의 조화 처리면을 형성하는 것이 가능해지는 것을 알아내었다. 그리고, 당해 캐리어 부착 동박은 파인 피치 형성에 매우 효과적인 것을 알아내었다.In order to achieve the above object, the present inventors earnestly studied, and as a result, the surface of the ultrathin copper layer was reduced, and the finely roughened particles were formed uniformly in the surface of the ultrathin copper layer, thereby achieving a uniform and low roughness roughening surface. Found out that it becomes possible to form And it discovered that the said copper foil with a carrier was very effective for fine pitch formation.
본 발명은 상기 지견을 기초로 하여 완성한 것으로, 일측면에 있어서, 캐리어와, 박리층과, 극박 구리층과, 수의적 (隨意的) 인 수지층을 이 순서로 구비한 캐리어 부착 동박으로서, 극박 구리층 표면의 Rz 의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 1.5 ㎛ 이하이고, 또한 Rz 의 표준 편차가 0.1 ㎛ 이하인 캐리어 부착 동박이다.This invention was completed based on the said knowledge, In one side, it is an ultra-thin copper foil with a carrier provided with a carrier, a peeling layer, an ultra-thin copper layer, and a voluntary resin layer in this order. The average value of Rz of the surface of a copper layer is copper foil with a carrier which is 1.5 micrometers or less measured by the contact roughness meter based on JISB0601-1982, and the standard deviation of Rz is 0.1 micrometer or less.
본 발명은 다른 일측면에 있어서, 캐리어와, 박리층과, 극박 구리층과, 수의적인 수지층을 이 순서로 구비한 캐리어 부착 동박으로서, 극박 구리층 표면의 Rt 의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 2.0 ㎛ 이하이고, 또한 Rt 의 표준 편차가 0.1 ㎛ 이하인 캐리어 부착 동박이다.In another aspect, the present invention is a copper foil with a carrier provided with a carrier, a peeling layer, an ultrathin copper layer, and a voluntary resin layer in this order, wherein the average value of Rt on the surface of the ultrathin copper layer is JIS based on a contact roughness meter. It is copper foil with a carrier measured in accordance with B0601-2001 and is 2.0 micrometers or less, and the standard deviation of Rt is 0.1 micrometer or less.
본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 캐리어와, 박리층과, 극박 구리층과, 수의적인 수지층을 이 순서로 구비한 캐리어 부착 동박으로서, 극박 구리층 표면의 Ra 의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.2 ㎛ 이하이고, 또한 Ra 의 표준 편차가 0.03 ㎛ 이하인 캐리어 부착 동박이다.In yet another aspect, the present invention is a copper foil with a carrier provided with a carrier, a peeling layer, an ultrathin copper layer, and a voluntary resin layer in this order, wherein the average value of Ra on the ultrathin copper layer surface is a contact roughness meter. It is the copper foil with a carrier measured in accordance with JIS B0601-1982 and is 0.2 micrometer or less, and the standard deviation of Ra is 0.03 micrometer or less.
본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박의 일 실시형태에 있어서는, 극박 구리층은 조화 처리되어 있다.In one embodiment of the copper foil with a carrier according to the present invention, the ultrathin copper layer is roughened.
본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박을 사용하여 제조한 프린트 배선판이다.This invention is another one side. WHEREIN: It is the printed wiring board manufactured using the copper foil with a carrier which concerns on this invention.
본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박을 사용하여 제조한 프린트 회로판이다.This invention is another one side. WHEREIN: It is the printed circuit board manufactured using the copper foil with a carrier which concerns on this invention.
본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박을 사용하여 제조한 구리 피복 적층판이다.This invention is another one side. WHEREIN: It is the copper clad laminated board manufactured using the copper foil with a carrier which concerns on this invention.
본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박은 파인 피치 형성에 바람직하고, 예를 들어, MSAP 공정으로 형성할 수 있는 한계라고 생각되고 있던 L/S = 20 ㎛/20 ㎛ 보다 미세한 배선, 예를 들어 L/S = 15 ㎛/15 ㎛ 의 미세한 배선을 형성하는 것이 가능해진다. 특히, 본 발명에 있어서는, 극박 구리층에 있어서의 표면 조도의 면내 균일성이 높음으로써, MSAP 법으로 회로 형성할 때의 플래시 에칭에 있어서 면내 균일성이 양호해지기 때문에 수율 향상이 기대된다.The copper foil with a carrier which concerns on this invention is suitable for fine pitch formation, For example, wiring finer than L / S = 20 micrometer / 20 micrometer which was considered the limit which can be formed by MSAP process, for example, L / S It is possible to form a fine wiring of = 15 µm / 15 µm. In particular, in the present invention, since the in-plane uniformity of the surface roughness in the ultrathin copper layer is high, the in-plane uniformity in the flash etching at the time of forming the circuit by the MSAP method becomes good, so that a yield improvement is expected.
도 1 은 드럼을 사용한 운박 (運箔) 방식을 나타내는 모식도이다.
도 2 는 구절양장에 의한 운박 방식을 나타내는 모식도이다.
도 3 은 본 발명의 캐리어 부착 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예에 대해 스텝 A 에서부터 C 까지를 나타낸다.
도 4 는 본 발명의 캐리어 부착 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예에 대해 스텝 D 에서부터 F 까지를 나타낸다.
도 5 는 본 발명의 캐리어 부착 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예에 대해 스텝 G 에서부터 I 까지를 나타낸다.
도 6 은 본 발명의 캐리어 부착 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예에 대해 스텝 J 에서부터 K 까지를 나타낸다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram which shows the crumb system using a drum.
Figure 2 is a schematic diagram showing the rhythm system by the gujeoljang.
FIG. 3: shows from step A to C about the specific example of the manufacturing method of the printed wiring board using the copper foil with a carrier of this invention.
It shows from step D to F about the specific example of the manufacturing method of the printed wiring board using the copper foil with a carrier of this invention.
It shows from step G to I about the specific example of the manufacturing method of the printed wiring board using the copper foil with a carrier of this invention.
FIG. 6: shows from step J to K about the specific example of the manufacturing method of the printed wiring board using the copper foil with a carrier of this invention.
[1] 본 발명은 캐리어와, 박리층과, 극박 구리층과, 수의적인 수지층을 이 순서로 구비한 캐리어 부착 동박으로서, 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 1.4 ㎛ 이하이고, 또한 100 지점에서 측정한 Rz 의 표준 편차가 0.1 ㎛ 이하인, 캐리어 부착 동박이다.[1] The present invention is a copper foil with a carrier provided with a carrier, a peeling layer, an ultrathin copper layer, and a voluntary resin layer in this order, wherein an average value of 100 points of Rz on the surface of the ultrathin copper layer is JIS based on a contact roughness meter. It is copper foil with a carrier which is 1.4 micrometers or less measured based on B0601-1982, and the standard deviation of Rz measured at 100 points is 0.1 micrometer or less.
[2] 본 발명은 상기 [1] 에 있어서, 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 2.0 ㎛ 이하이고, 또한 100 지점에서 측정한 Rt 의 표준 편차가 0.1 ㎛ 이하인, 캐리어 부착 동박이다.[2] The present invention provides the above-mentioned [1], wherein the average value of 100 points of Rt on the surface of the ultrathin copper layer is 2.0 µm or less measured in accordance with JIS B0601-2001 with a contact roughness meter and measured at 100 points. It is the copper foil with a carrier whose standard deviation of is 0.1 micrometer or less.
[3] 본 발명은 상기 [1] 에 있어서, 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.2 ㎛ 이하이고, 또한 100 지점에서 측정한 Ra 의 표준 편차가 0.03 ㎛ 이하인, 캐리어 부착 동박이다.[3] The present invention is the above-mentioned [1], in which the average value of 100 points of Ra on the surface of the ultrathin copper layer is 0.2 µm or less measured in accordance with JIS B0601-1982 with a contact roughness meter and measured at 100 points. It is a copper foil with a carrier whose standard deviation is 0.03 µm or less.
[4] 본 발명은 상기 [2] 에 있어서, 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.2 ㎛ 이하이고, 또한 100 지점에서 측정한 Ra 의 표준 편차가 0.03 ㎛ 이하인, 캐리어 부착 동박이다.[4] The present invention is the above-mentioned [2], wherein the average value of 100 points of Ra on the surface of the ultrathin copper layer is 0.2 µm or less measured in accordance with JIS B0601-1982 with a contact roughness meter and measured at 100 points. It is a copper foil with a carrier whose standard deviation is 0.03 µm or less.
[5] 본 발명은 상기 [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 있어서, 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값이 1.3 ㎛ 이하인, 캐리어 부착 동박이다.[5] The present invention is the copper foil with a carrier according to any one of the above [1] to [4], wherein an average value of 100 points of Rz on the surface of the ultrathin copper layer is 1.3 µm or less.
[6] 본 발명은 상기 [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 있어서, 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값이 1.0 ㎛ 이하인, 캐리어 부착 동박이다.[6] The present invention is the copper foil with a carrier according to any one of the above [1] to [4], wherein an average value of 100 points of Rz on the surface of the ultrathin copper layer is 1.0 µm or less.
[7] 본 발명은 상기 [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 있어서, 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값이 0.5 ㎛ 이하인, 캐리어 부착 동박이다.[7] The present invention is the copper foil with a carrier according to any one of the above [1] to [4], wherein an average value of 100 points of Rz on the surface of the ultrathin copper layer is 0.5 µm or less.
[8] 본 발명은 캐리어와, 박리층과, 극박 구리층과, 수의적인 수지층을 이 순서로 구비한 캐리어 부착 동박으로서, 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 1.4 ㎛ 이하이고, 또한 100 지점에서 측정한 Rz 의 표준 편차가 0.1 ㎛ 이하인 캐리어 부착 동박으로서, 이하의 항목을 어느 하나 또는 복수 만족하는, 캐리어 부착 동박이다.[8] The present invention is a copper foil with a carrier provided with a carrier, a peeling layer, an ultrathin copper layer, and a voluntary resin layer in this order, wherein an average value of 100 points of Rz on the surface of the ultrathin copper layer is JIS based on a contact roughness meter. Copper foil with a carrier which measures 1.4 micrometers or less based on B0601-1982, and the standard deviation of Rz measured at 100 points is 0.1 micrometer or less, and satisfy | fills one or more of the following items.
1 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 1.3 ㎛ 이하이다1: The average value of 100 points of Rz of the surface of an ultra-thin copper layer is 1.3 micrometers or less measured in accordance with JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
2 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 1.2 ㎛ 이하이다2: The average value of 100 points of Rz on the surface of an ultra-thin copper layer is 1.2 micrometers or less measured according to JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
3 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 1.0 ㎛ 이하이다3: The average value of 100 points of Rz of the ultra-thin copper layer surface is 1.0 micrometer or less by measuring based on JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
4 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.8 ㎛ 이하이다4: The average value of 100 points of Rz on the surface of an ultra-thin copper layer is 0.8 micrometer or less measured by the contact roughness meter based on JISB0601-1982.
5 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.5 ㎛ 이하이다5: The average value of 100 points of Rz on the surface of an ultra-thin copper layer is 0.5 micrometer or less measured by the contact roughness meter based on JISB0601-1982.
6 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.01 ㎛ 이상이다6: The average value of 100 points of Rz on the surface of an ultra-thin copper layer is 0.01 micrometer or more as measured based on JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
7 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.1 ㎛ 이상이다7: The average value of 100 points of Rz on the surface of an ultra-thin copper layer is 0.1 micrometer or more as measured based on JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
8 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.3 ㎛ 이상이다8: The average value of 100 points of Rz on the surface of an ultra-thin copper layer is 0.3 micrometer or more as measured based on JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
9 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Rz 의 표준 편차는 0.068 ㎛ 이하이다9: Standard deviation of Rz measured at 100 points on the ultrathin copper layer surface is 0.068 µm or less
10 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Rz 의 표준 편차는 0.05 ㎛ 이하이다10: The standard deviation of Rz measured at 100 points on the surface of the ultrathin copper layer is 0.05 µm or less.
11 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Rz 의 표준 편차는 0.01 ㎛ 이상이다11: The standard deviation of Rz measured at 100 points on the surface of the ultrathin copper layer is 0.01 μm or more.
12 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 2.0 ㎛ 이하이다12: The average value of 100 points | pieces of Rt on the surface of an ultra-thin copper layer is 2.0 micrometers or less measured in accordance with JIS B0601-2001 by a contact roughness meter.
13 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 1.8 ㎛ 이하이다13: The average value of 100 points of Rt on the surface of an ultra-thin copper layer is 1.8 micrometers or less measured according to JIS B0601-2001 by a contact roughness meter.
14 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 1.5 ㎛ 이하이다14: The average value of 100 points of Rt on the surface of an ultra-thin copper layer is 1.5 micrometers or less measured according to JIS B0601-2001 with a contact roughness meter.
15 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 1.3 ㎛ 이하이다15: The average value of 100 points of Rt on the surface of an ultrathin copper layer is 1.3 micrometers or less measured according to JIS B0601-2001 with a contact roughness meter.
16 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 1.1 ㎛ 이하이다16: The average value of 100 points | pieces of Rt on the surface of an ultra-thin copper layer is 1.1 micrometers or less measured in accordance with JIS B0601-2001 by a contact roughness meter.
17 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 1.0 ㎛ 이하이다17: The average value of 100 points | pieces of Rt on the surface of an ultra-thin copper layer is 1.0 micrometer or less as measured based on JIS B0601-2001 with a contact roughness meter.
18 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 0.5 ㎛ 이상이다18: The average value of 100 points of Rt on the surface of an ultra-thin copper layer is 0.5 micrometer or more as measured based on JIS B0601-2001 with a contact roughness meter.
19 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 0.6 ㎛ 이상이다19: The average value of 100 points of Rt on the surface of an ultra-thin copper layer is 0.6 micrometer or more as measured based on JIS B0601-2001 with a contact roughness meter.
20 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 0.8 ㎛ 이상이다20: The average value of 100 points of Rt on the surface of an ultra-thin copper layer is 0.8 micrometer or more as measured based on JIS B0601-2001 with a contact roughness meter.
21 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Rt 의 표준 편차가 0.1 ㎛ 이하이다21: The standard deviation of Rt measured at 100 points on the surface of the ultrathin copper layer is 0.1 μm or less.
22 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Rt 의 표준 편차가 0.060 ㎛ 이하이다22: The standard deviation of Rt measured at 100 points on the surface of the ultrathin copper layer is 0.060 µm or less.
23 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Rt 의 표준 편차가 0.05 ㎛ 이하이다23: The standard deviation of Rt measured at 100 points on the surface of the ultrathin copper layer is 0.05 µm or less.
24 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Rt 의 표준 편차가 0.01 ㎛ 이상이다24: The standard deviation of Rt measured at 100 points on the surface of the ultrathin copper layer is 0.01 µm or more.
25 : 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.2 ㎛ 이하이다25: The average value of 100 points | pieces of Ra of the ultra-thin copper layer surface is 0.2 micrometer or less as measured based on JISB0601-1982 by a contact roughness meter.
26 : 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.18 ㎛ 이하이다26: The average value of 100 points | pieces of Ra of the ultra-thin copper layer surface is 0.18 micrometer or less measured in accordance with JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
27 : 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.15 ㎛ 이하이다27: The average value of 100 points | pieces of Ra of the ultra-thin copper layer surface is 0.15 micrometer or less measured in accordance with JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
28 : 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.01 ㎛ 이상이다28: The average value of 100 points | pieces of Ra of the ultra-thin copper layer surface is 0.01 micrometer or more as measured based on JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
29 : 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.05 ㎛ 이상이다29: The average value of 100 points | pieces of Ra of the ultra-thin copper layer surface is 0.05 micrometer or more as measured based on JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
30 : 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.12 ㎛ 이상이다30: The average value of 100 points | pieces of Ra of the ultra-thin copper layer surface is 0.12 micrometer or more as measured based on JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
31 : 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.13 ㎛ 이상이다31: The average value of 100 points | pieces of Ra of the ultra-thin copper layer surface is 0.13 micrometer or more by measuring in accordance with JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
32 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Ra 의 표준 편차는 0.03 ㎛ 이하이다32: The standard deviation of Ra measured at 100 points on the ultrathin copper layer surface is 0.03 µm or less.
33 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Ra 의 표준 편차는 0.026 ㎛ 이하이다33: The standard deviation of Ra measured at 100 points on the surface of the ultrathin copper layer is 0.026 µm or less.
34 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Ra 의 표준 편차는 0.02 ㎛ 이하이다34: The standard deviation of Ra measured at 100 points on the ultrathin copper layer surface is 0.02 µm or less.
35 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Ra 의 표준 편차는 0.001 ㎛ 이상이다. 35: The standard deviation of Ra measured at 100 points on the ultrathin copper layer surface is 0.001 µm or more .
[9] 본 발명은 캐리어와, 박리층과, 극박 구리층과, 수의적인 수지층을 이 순서로 구비한 캐리어 부착 동박으로서, 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 1.8 ㎛ 이하이고, 또한 100 지점에서 측정한 Rt 의 표준 편차가 0.1 ㎛ 이하인, 캐리어 부착 동박이다.[9] The present invention is a copper foil with a carrier provided with a carrier, a peeling layer, an ultrathin copper layer, and a voluntary resin layer in this order, wherein an average value of 100 points of Rt on the surface of the ultrathin copper layer is JIS based on a contact roughness meter. It is copper foil with a carrier which is 1.8 micrometers or less measured based on B0601-2001, and the standard deviation of Rt measured at 100 points is 0.1 micrometer or less.
[10] 본 발명은 상기 [9] 에 있어서, 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 1.5 ㎛ 이하이고, 또한 100 지점에서 측정한 Rz 의 표준 편차가 0.1 ㎛ 이하인, 캐리어 부착 동박이다[10] The present invention is the aforementioned [9], wherein the average value of 100 points of Rz on the surface of the ultrathin copper layer is 1.5 µm or less measured in accordance with JIS B0601-1982 with a contact roughness meter, and Rz measured at 100 points. Is a copper foil with a carrier having a standard deviation of 0.1 μm or less.
[11] 본 발명은 상기 [9] 에 있어서, 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.2 ㎛ 이하이고, 또한 100 지점에서 측정한 Ra 의 표준 편차가 0.03 ㎛ 이하인, 캐리어 부착 동박이다.[11] The present invention is the above-mentioned [9], wherein the average value of 100 points of Ra on the surface of the ultrathin copper layer is 0.2 µm or less measured in accordance with JIS B0601-1982 with a contact roughness meter and measured at 100 points. It is a copper foil with a carrier whose standard deviation is 0.03 µm or less.
[12] 본 발명은 상기 [10] 에 있어서, 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.2 ㎛ 이하이고, 또한 100 지점에서 측정한 Ra 의 표준 편차가 0.03 ㎛ 이하인, 캐리어 부착 동박이다.[12] The present invention is the above-mentioned [10], wherein the average value of 100 points of Ra on the surface of the ultrathin copper layer is 0.2 µm or less measured in accordance with JIS B0601-1982 using a contact roughness meter, and Ra measured at 100 points. It is a copper foil with a carrier whose standard deviation is 0.03 µm or less.
[13] 본 발명은 상기 [9] 내지 [12] 중 어느 하나에 있어서, 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값이 1.0 ㎛ 이하인, 캐리어 부착 동박이다.[13] The present invention is the copper foil with a carrier according to any one of the above [9] to [12], wherein the average value of 100 points of Rt on the ultrathin copper layer surface is 1.0 µm or less.
[14] 본 발명은 캐리어와, 박리층과, 극박 구리층과, 수의적인 수지층을 이 순서로 구비한 캐리어 부착 동박으로서, 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 1.8 ㎛ 이하이고, 또한 100 지점에서 측정한 Rt 의 표준 편차가 0.1 ㎛ 이하인 캐리어 부착 동박으로서, 이하의 항목을 어느 하나 또는 복수 만족하는, 캐리어 부착 동박이다.[14] The present invention is a copper foil with a carrier provided with a carrier, a peeling layer, an ultrathin copper layer, and a voluntary resin layer in this order, wherein an average value of 100 points of Rt on the surface of the ultrathin copper layer is JIS based on a contact roughness meter. Copper foil with a carrier which measures 1.8 m or less based on B0601-2001, and the standard deviation of Rt measured at 100 points is 0.1 micrometer or less, and satisfy | fills one or more of the following items.
1 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 1.5 ㎛ 이하이다1: The average value of 100 points of Rz on the surface of an ultra-thin copper layer is 1.5 micrometers or less measured according to JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
2 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 1.4 ㎛ 이하이다2: The average value of 100 points of Rz on the surface of an ultra-thin copper layer is 1.4 micrometers or less measured in accordance with JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
3 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 1.3 ㎛ 이하이다3: The average value of 100 points of Rz on the surface of an ultra-thin copper layer is 1.3 micrometers or less measured according to JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
4 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 1.2 ㎛ 이하이다4: The average value of 100 points of Rz on the surface of an ultra-thin copper layer is 1.2 micrometers or less measured by the contact roughness meter based on JIS B0601-1982.
5 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 1.0 ㎛ 이하이다5: The average value of 100 points of Rz of the ultra-thin copper layer surface is 1.0 micrometer or less by measuring based on JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
6 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.8 ㎛ 이하이다6: The average value of 100 points of Rz on the surface of an ultra-thin copper layer is 0.8 micrometer or less measured by the contact roughness meter based on JIS B0601-1982.
7 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.5 ㎛ 이하이다7: The average value of 100 points of Rz on the surface of an ultra-thin copper layer is 0.5 micrometer or less measured by the contact roughness meter based on JISB0601-1982.
8 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.01 ㎛ 이상이다8: The average value of 100 points of Rz of the ultra-thin copper layer surface is 0.01 micrometer or more as measured based on JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
9 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.1 ㎛ 이상이다9: Average value of 100 points of Rz on the surface of ultra-thin copper layer is 0.1 micrometer or more as measured based on JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
10 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.3 ㎛ 이상이다10: The average value of 100 points of Rz on the surface of an ultra-thin copper layer is 0.3 micrometer or more as measured based on JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
11 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Rz 의 표준 편차는 0.1 m 이하이다11: Standard deviation of Rz measured at 100 points on the ultrathin copper layer surface is 0.1 m or less.
12 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Rz 의 표준 편차는 0.068 ㎛ 이하이다12: The standard deviation of Rz measured at 100 points on the surface of the ultrathin copper layer is 0.068 µm or less.
13 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Rz 의 표준 편차는 0.05 ㎛ 이하이다13: The standard deviation of Rz measured at 100 points on the surface of the ultrathin copper layer is 0.05 µm or less.
14 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Rz 의 표준 편차는 0.01 ㎛ 이상이다14: The standard deviation of Rz measured at 100 points on the surface of the ultrathin copper layer is 0.01 µm or more.
15 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 1.5 ㎛ 이하이다15: The average value of 100 points | pieces of Rt on the surface of an ultra-thin copper layer is 1.5 micrometers or less measured according to JIS B0601-2001 with a contact roughness meter.
16 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 1.3 ㎛ 이하이다16: The average value of 100 points | pieces of Rt on the surface of an ultra-thin copper layer is 1.3 micrometers or less measured according to JIS B0601-2001 with a contact roughness meter.
17 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 1.1 ㎛ 이하이다17: The average value of 100 points of Rt on the surface of an ultra-thin copper layer is 1.1 micrometers or less measured according to JIS B0601-2001 with a contact roughness meter.
18 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 1.0 ㎛ 이하이다18: The average value of 100 points | pieces of Rt on the surface of an ultra-thin copper layer is 1.0 micrometer or less as measured based on JIS B0601-2001 with a contact roughness meter.
19 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 0.5 ㎛ 이상이다19: The average value of 100 points | pieces of Rt on the surface of an ultra-thin copper layer is 0.5 micrometer or more as measured based on JIS B0601-2001 with a contact roughness meter.
20 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 0.6 ㎛ 이상이다20: The average value of 100 points | pieces of Rt on the surface of an ultra-thin copper layer is 0.6 micrometer or more as measured based on JIS B0601-2001 with a contact roughness meter.
21 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 0.8 ㎛ 이상이다21: The average value of 100 points | pieces of Rt on the surface of an ultra-thin copper layer is 0.8 micrometer or more as measured based on JIS B0601-2001 with a contact roughness meter.
22 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Rt 의 표준 편차가 0.060 ㎛ 이하이다22: The standard deviation of Rt measured at 100 points on the surface of the ultrathin copper layer is 0.060 µm or less.
23 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Rt 의 표준 편차가 0.05 ㎛ 이하이다23: The standard deviation of Rt measured at 100 points on the surface of the ultrathin copper layer is 0.05 µm or less.
24 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Rt 의 표준 편차가 0.01 ㎛ 이상이다24: The standard deviation of Rt measured at 100 points on the surface of the ultrathin copper layer is 0.01 µm or more.
25 : 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.2 ㎛ 이하이다25: The average value of 100 points | pieces of Ra of the ultra-thin copper layer surface is 0.2 micrometer or less as measured based on JISB0601-1982 by a contact roughness meter.
26 : 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.18 ㎛ 이하이다26: The average value of 100 points | pieces of Ra of the ultra-thin copper layer surface is 0.18 micrometer or less measured in accordance with JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
27 : 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.15 ㎛ 이하이다27: The average value of 100 points | pieces of Ra of the ultra-thin copper layer surface is 0.15 micrometer or less measured in accordance with JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
28 : 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.01 ㎛ 이상이다28: The average value of 100 points | pieces of Ra of the ultra-thin copper layer surface is 0.01 micrometer or more as measured based on JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
29 : 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.05 ㎛ 이상이다29: The average value of 100 points | pieces of Ra of the ultra-thin copper layer surface is 0.05 micrometer or more as measured based on JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
30 : 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.12 ㎛ 이상이다30: The average value of 100 points | pieces of Ra of the ultra-thin copper layer surface is 0.12 micrometer or more as measured based on JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
31 : 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.13 ㎛ 이상이다31: The average value of 100 points | pieces of Ra of the ultra-thin copper layer surface is 0.13 micrometer or more by measuring in accordance with JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
32 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Ra 의 표준 편차는 0.03 ㎛ 이하이다32: The standard deviation of Ra measured at 100 points on the ultrathin copper layer surface is 0.03 µm or less.
33 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Ra 의 표준 편차는 0.026 ㎛ 이하이다33: The standard deviation of Ra measured at 100 points on the surface of the ultrathin copper layer is 0.026 µm or less.
34 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Ra 의 표준 편차는 0.02 ㎛ 이하이다34: The standard deviation of Ra measured at 100 points on the ultrathin copper layer surface is 0.02 µm or less.
35 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Ra 의 표준 편차는 0.001 ㎛ 이상이다35: The standard deviation of Ra measured at 100 points on the ultrathin copper layer surface is 0.001 µm or more.
[15] 본 발명은 캐리어와, 박리층과, 극박 구리층과, 수의적인 수지층을 이 순서로 구비한 캐리어 부착 동박으로서, 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.2 ㎛ 이하이고, 또한 100 지점에서 측정한 Ra 의 표준 편차가 0.03 ㎛ 이하인, 캐리어 부착 동박이다.[15] The present invention is a copper foil with a carrier provided with a carrier, a peeling layer, an ultrathin copper layer, and a voluntary resin layer in this order, wherein an average value of 100 points of Ra on the surface of the ultrathin copper layer is JIS based on a contact roughness meter. It is copper foil with a carrier which is 0.2 micrometers or less measured based on B0601-1982, and the standard deviation of Ra measured at 100 points is 0.03 micrometer or less.
[16] 본 발명은 상기 [15] 에 있어서, 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 1.5 ㎛ 이하이고, 또한 100 지점에서 측정한 Rz 의 표준 편차가 0.1 ㎛ 이하인, 캐리어 부착 동박이다.[16] The present invention provides the above-mentioned [15], wherein the average value of 100 points of Rz on the surface of the ultrathin copper layer is 1.5 µm or less measured according to JIS B0601-1982 using a contact roughness meter, and Rz measured at 100 points. It is the copper foil with a carrier whose standard deviation of is 0.1 micrometer or less.
[17] 본 발명은 상기 [15] 에 있어서, 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 2.0 ㎛ 이하이고, 또한 100 지점에서 측정한 Rt 의 표준 편차가 0.1 ㎛ 이하인, 캐리어 부착 동박이다.[17] The present invention provides the above-mentioned [15], wherein the average value of 100 points of Rt on the surface of the ultrathin copper layer is 2.0 µm or less measured in accordance with JIS B0601-2001 with a contact roughness meter and measured at 100 points. It is the copper foil with a carrier whose standard deviation of is 0.1 micrometer or less.
[18] 본 발명은 상기 [16] 에 있어서, 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 2.0 ㎛ 이하이고, 또한 100 지점에서 측정한 Rt 의 표준 편차가 0.1 ㎛ 이하인, 캐리어 부착 동박이다.[18] The present invention provides the above-mentioned [16], wherein the average value of 100 points of Rt on the surface of the ultrathin copper layer is 2.0 µm or less measured in accordance with JIS B0601-2001 with a contact roughness meter and measured at 100 points. It is the copper foil with a carrier whose standard deviation of is 0.1 micrometer or less.
[19] 본 발명은 상기 [15] 내지 [18] 중 어느 하나에 있어서, 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값이 0.15 ㎛ 이하인, 캐리어 부착 동박이다.[19] The present invention is the copper foil with a carrier according to any one of the above [15] to [18], wherein the average value of 100 points of Ra on the ultrathin copper layer surface is 0.15 µm or less.
[20] 본 발명은 캐리어와, 박리층과, 극박 구리층과, 수의적인 수지층을 이 순서로 구비한 캐리어 부착 동박으로서, 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.2 ㎛ 이하이고, 또한 100 지점에서 측정한 Ra 의 표준 편차가 0.03 ㎛ 이하인 캐리어 부착 동박으로서, 이하의 항목을 어느 하나 또는 복수 만족하는, 캐리어 부착 동박이다.[20] The present invention is a copper foil with a carrier provided with a carrier, a peeling layer, an ultrathin copper layer, and a voluntary resin layer in this order, wherein an average value of 100 points of Ra on the surface of the ultrathin copper layer is JIS based on a contact roughness meter. Copper foil with a carrier measured according to B0601-1982 and 0.2 micrometer or less and the standard deviation of Ra measured at 100 points | pieces is 0.03 micrometer or less, and satisfy | fills one or more of the following items.
1 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 1.5 ㎛ 이하이다1: The average value of 100 points of Rz on the surface of an ultra-thin copper layer is 1.5 micrometers or less measured according to JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
2 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 1.4 ㎛ 이하이다2: The average value of 100 points of Rz on the surface of an ultra-thin copper layer is 1.4 micrometers or less measured in accordance with JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
3 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 1.3 ㎛ 이하이다3: The average value of 100 points of Rz on the surface of an ultra-thin copper layer is 1.3 micrometers or less measured according to JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
4 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 1.2 ㎛ 이하이다4: The average value of 100 points of Rz on the surface of an ultra-thin copper layer is 1.2 micrometers or less measured by the contact roughness meter based on JIS B0601-1982.
5 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 1.0 ㎛ 이하이다5: The average value of 100 points of Rz of the surface of an ultra-thin copper layer is 1.0 micrometer or less by measuring in accordance with JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
6 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.8 ㎛ 이하이다6: The average value of 100 points of Rz on the surface of an ultra-thin copper layer is 0.8 micrometer or less measured by the contact roughness meter based on JIS B0601-1982.
7 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.5 ㎛ 이하이다7: The average value of 100 points of Rz on the surface of an ultra-thin copper layer is 0.5 micrometer or less measured by the contact roughness meter based on JISB0601-1982.
8 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.01 ㎛ 이상이다8: The average value of 100 points of Rz of the ultra-thin copper layer surface is 0.01 micrometer or more as measured based on JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
9 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.1 ㎛ 이상이다9: Average value of 100 points of Rz on the surface of ultra-thin copper layer is 0.1 micrometer or more as measured based on JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
10 : 극박 구리층 표면의 Rz 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.3 ㎛ 이상이다10: The average value of 100 points of Rz on the surface of an ultra-thin copper layer is 0.3 micrometer or more as measured based on JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
11 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Rz 의 표준 편차는 0.1 m 이하이다11: Standard deviation of Rz measured at 100 points on the ultrathin copper layer surface is 0.1 m or less.
12 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Rz 의 표준 편차는 0.068 ㎛ 이하이다12: The standard deviation of Rz measured at 100 points on the surface of the ultrathin copper layer is 0.068 µm or less.
13 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Rz 의 표준 편차는 0.05 ㎛ 이하이다13: The standard deviation of Rz measured at 100 points on the surface of the ultrathin copper layer is 0.05 µm or less.
14 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Rz 의 표준 편차는 0.01 ㎛ 이상이다14: The standard deviation of Rz measured at 100 points on the surface of the ultrathin copper layer is 0.01 µm or more.
15 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 2.0 ㎛ 이하이다15: The average value of 100 points | pieces of Rt on the surface of an ultra-thin copper layer is 2.0 micrometers or less as measured based on JISB0601-2001 by a contact roughness meter.
16 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 1.8 ㎛ 이하이다16: The average value of 100 points of Rt on the surface of an ultra-thin copper layer is 1.8 micrometers or less measured according to JIS B0601-2001 by a contact roughness meter.
17 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 1.5 ㎛ 이하이다17: The average value of 100 points of Rt on the surface of an ultra-thin copper layer is 1.5 micrometers or less measured according to JIS B0601-2001 with a contact roughness meter.
18 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 1.3 ㎛ 이하이다18: The average value of 100 points of Rt on the surface of an ultra-thin copper layer is 1.3 micrometers or less measured according to JIS B0601-2001 with a contact roughness meter.
19 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 1.1 ㎛ 이하이다19: The average value of 100 points of Rt on the surface of an ultra-thin copper layer is 1.1 micrometers or less measured according to JIS B0601-2001 with a contact roughness meter.
20 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 1.0 ㎛ 이하이다20: The average value of 100 points | pieces of Rt on the surface of an ultra-thin copper layer is 1.0 micrometer or less by measuring based on JIS B0601-2001 with a contact roughness meter.
21 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 0.5 ㎛ 이상이다21: The average value of 100 points of Rt on the surface of an ultra-thin copper layer is 0.5 micrometer or more as measured based on JIS B0601-2001 with a contact roughness meter.
22 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 0.6 ㎛ 이상이다22: The average value of 100 points | pieces of Rt on the surface of an ultra-thin copper layer is 0.6 micrometer or more as measured based on JIS B0601-2001 with a contact roughness meter.
23 : 극박 구리층 표면의 Rt 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정하여 0.8 ㎛ 이상이다23: The average value of 100 points | pieces of Rt on the surface of an ultra-thin copper layer is 0.8 micrometer or more as measured based on JIS B0601-2001 with a contact roughness meter.
24 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Rt 의 표준 편차가 0.1 ㎛ 이하이다24: The standard deviation of Rt measured at 100 points on the surface of the ultrathin copper layer is 0.1 μm or less.
25 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Rt 의 표준 편차가 0.060 ㎛ 이하이다25: The standard deviation of Rt measured at 100 points on the ultrathin copper layer surface is 0.060 µm or less.
26 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Rt 의 표준 편차가 0.05 ㎛ 이하이다26: The standard deviation of Rt measured at 100 points on the surface of the ultrathin copper layer is 0.05 µm or less.
27 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Rt 의 표준 편차가 0.01 ㎛ 이상이다27: The standard deviation of Rt measured at 100 points on the surface of the ultrathin copper layer is 0.01 µm or more.
28 : 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.18 ㎛ 이하이다28: The average value of 100 points | pieces of Ra of the ultra-thin copper layer surface is 0.18 micrometer or less measured in accordance with JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
29 : 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.15 ㎛ 이하이다29: The average value of 100 points | pieces of Ra of the ultra-thin copper layer surface is 0.15 micrometer or less by measuring in accordance with JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
30 : 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.01 ㎛ 이상이다30: The average value of 100 points | pieces of Ra of the ultra-thin copper layer surface is 0.01 micrometer or more as measured based on JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
31 : 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.05 ㎛ 이상이다31: The average value of 100 points | pieces of Ra of the ultra-thin copper layer surface is 0.05 micrometer or more as measured based on JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
32 : 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.12 ㎛ 이상이다32: The average value of 100 points | pieces of Ra of the ultra-thin copper layer surface is 0.12 micrometer or more as measured based on JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
33 : 극박 구리층 표면의 Ra 의 100 지점의 평균값은 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정하여 0.13 ㎛ 이상이다33: The average value of 100 points | pieces of Ra of the ultra-thin copper layer surface is 0.13 micrometer or more as measured based on JIS B0601-1982 with a contact roughness meter.
34 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Ra 의 표준 편차는 0.026 ㎛ 이하이다34: The standard deviation of Ra measured at 100 points on the surface of the ultrathin copper layer is 0.026 µm or less.
35 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Ra 의 표준 편차는 0.02 ㎛ 이하이다35: The standard deviation of Ra measured at 100 points on the ultrathin copper layer surface is 0.02 µm or less.
36 : 극박 구리층 표면의 100 지점에서 측정한 Ra 의 표준 편차는 0.001 ㎛ 이상이다36: The standard deviation of Ra measured at 100 points on the surface of the ultrathin copper layer is at least 0.001 µm.
[21] 본 발명은 상기 [1] 내지 [4], [8] 내지 [12], [14] 내지 [18], 및 [20] 중 어느 하나에 있어서, 극박 구리층은 조화 처리되어 있는, 캐리어 부착 동박이다.[21] The present invention is any one of the above [1] to [4], [8] to [12], [14] to [18], and [20], wherein the ultrathin copper layer is roughened. Copper foil with a carrier.
[22] 본 발명은 상기 [1] 내지 [4], [8] 내지 [12], [14] 내지 [18], 및 [20] 중 어느 하나에 기재된 캐리어 부착 동박을 사용하여 제조한, 프린트 배선판이다.[22] The present invention is a print produced by using the copper foil with a carrier according to any one of the above [1] to [4], [8] to [12], [14] to [18], and [20]. It is a wiring board.
[23] 본 발명은 상기 [1] 내지 [4], [8] 내지 [12], [14] 내지 [18], 및 [20] 중 어느 하나에 기재된 캐리어 부착 동박을 사용하여 제조한, 프린트 회로판이다.[23] The present invention is a print produced by using the copper foil with a carrier according to any one of the above [1] to [4], [8] to [12], [14] to [18], and [20]. It is a circuit board.
[24] 본 발명은 상기 [22] 에 있어서, 절연 기판과,[24] The invention as described in [22], wherein the insulating substrate,
상기 절연 기판 상에 형성된 구리 회로를 갖고,Having a copper circuit formed on the insulating substrate,
상기 구리 회로의 회로폭이 20 ㎛ 미만이고, 인접하는 구리 회로간의 스페이스의 폭이 20 ㎛ 미만인, 프린트 배선판이다.It is a printed wiring board whose circuit width of the said copper circuit is less than 20 micrometers, and the width | variety of the space between adjacent copper circuits is less than 20 micrometers.
[25] 본 발명은 상기 [22] 에 있어서, 절연 기판과,[25] The present invention provides the above-mentioned [22], wherein the insulating substrate and
상기 절연 기판 상에 형성된 구리 회로를 갖고,Having a copper circuit formed on the insulating substrate,
상기 구리 회로의 회로폭이 17 ㎛ 이하이고, 인접하는 구리 회로간의 스페이스의 폭이 17 ㎛ 이하인, 프린트 배선판이다.It is a printed wiring board whose circuit width of the said copper circuit is 17 micrometers or less, and the width | variety of the space between adjacent copper circuits is 17 micrometers or less.
[26] 본 발명은 상기 [23] 에 있어서, 절연 기판과,[26] The invention as described in [23], wherein the insulating substrate,
상기 절연 기판 상에 형성된 구리 회로를 갖고,Having a copper circuit formed on the insulating substrate,
상기 구리 회로의 회로폭이 20 ㎛ 미만이고, 인접하는 구리 회로간의 스페이스의 폭이 20 ㎛ 미만인, 프린트 회로판이다.It is a printed circuit board whose circuit width of the said copper circuit is less than 20 micrometers, and the width | variety of the space between adjacent copper circuits is less than 20 micrometers.
[27] 본 발명은 상기 [23] 에 있어서, 절연 기판과,[27] The present invention provides the above-mentioned [23], wherein the insulating substrate and
상기 절연 기판 상에 형성된 구리 회로를 갖고,Having a copper circuit formed on the insulating substrate,
상기 구리 회로의 회로폭이 17 ㎛ 이하이고, 인접하는 구리 회로간의 스페이스의 폭이 17 ㎛ 이하인, 프린트 회로판이다.It is a printed circuit board whose circuit width of the said copper circuit is 17 micrometers or less, and the width | variety of the space between adjacent copper circuits is 17 micrometers or less.
[28] 본 발명은 상기 [22] 에 있어서, 라인 앤드 스페이스의 피치가 40 ㎛ 미만인, 프린트 배선판이다.[28] The present invention is a printed wiring board according to the above [22], wherein the pitch of the line and space is less than 40 µm.
[29] 본 발명은 상기 [22] 에 있어서, 라인 앤드 스페이스의 피치가 34 ㎛ 미만인, 프린트 배선판이다.[29] The present invention is a printed wiring board according to the above [22], wherein the pitch of the line and space is less than 34 m.
[30] 본 발명은 상기 [23] 에 있어서, 라인 앤드 스페이스의 피치가 40 ㎛ 미만인, 프린트 배선판이다.[30] The present invention is a printed wiring board according to the above [23], wherein the pitch of the line and space is less than 40 µm.
[31] 본 발명은 상기 [23] 에 있어서, 라인 앤드 스페이스의 피치가 34 ㎛ 미만인, 프린트 배선판이다.[31] The present invention is a printed wiring board according to the above [23], wherein the pitch of the line and space is less than 34 m.
[32] 본 발명은 상기 [1] 내지 [4], [8] 내지 [12], [14] 내지 [18], 및 [20] 중 어느 하나에 기재된 캐리어 부착 동판을 사용하여 제조한, 구리 피복 적층판이다.[32] The present invention is a copper sheet produced by using the copper plate with a carrier according to any one of the above [1] to [4], [8] to [12], [14] to [18], and [20]. Coated laminate.
[33] 본 발명은 [1] 내지 [4], [8] 내지 [12], [14] 내지 [18], 및 [20] 중 어느 하나에 기재된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정,[33] The present invention provides a process for preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to any one of [1] to [4], [8] to [12], [14] to [18], and [20],
상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,Laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate;
상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 박리하는 공정을 거쳐 구리 피복 적층판을 형성하고,After laminating | stacking the said copper foil with a carrier and an insulated substrate, a copper clad laminated board is formed through the process of peeling the carrier of the said copper foil with a carrier,
그 후, 세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파틀리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해, 회로를 형성하는 공정을 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법이다.Then, it is a manufacturing method of the printed wiring board containing the process of forming a circuit by any method of the semiadditive method, the subtractive method, the partly additive method, or the modified semiadditive method.
[34] 본 발명은 [1] 내지 [4], [8] 내지 [12], [14] 내지 [18], 및 [20] 중 어느 하나에 기재된 캐리어 부착 동박의 상기 극박 구리층측 표면에 회로를 형성하는 공정,[34] The present invention provides a circuit on the ultrathin copper layer side surface of the copper foil with a carrier according to any one of [1] to [4], [8] to [12], [14] to [18], and [20]. Forming process,
상기 회로가 매몰되도록 상기 캐리어 부착 동박의 상기 극박 구리층측 표면에 수지층을 형성하는 공정,Forming a resin layer on the ultrathin copper layer side surface of the copper foil with a carrier such that the circuit is buried;
상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정,Forming a circuit on the resin layer,
상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 캐리어를 박리시키는 공정, 및After forming a circuit on the resin layer, the step of peeling the carrier, and
상기 캐리어를 박리시킨 후에, 상기 극박 구리층을 제거함으로써, 상기 극박 구리층측 표면에 형성한, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정을 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법이다.It is a manufacturing method of the printed wiring board including the process of exposing the circuit embedded in the said resin layer formed in the said ultra-thin copper layer side surface by removing the said ultra-thin copper layer after peeling the said carrier.
[35] 본 발명은 [34] 에 있어서,[35] The invention of [34],
상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정이, 상기 수지층 상에 다른 캐리어 부착 동박을 극박 구리층측으로부터 첩합하고, 상기 수지층에 첩합한 캐리어 부착 동박을 사용하여 상기 회로를 형성하는 공정인, 프린트 배선판의 제조 방법이다.The process of forming a circuit on the said resin layer is a process of bonding the other copper foil with a carrier on the said resin layer from the ultra-thin copper layer side, and forming the said circuit using the copper foil with a carrier bonded to the said resin layer. It is a manufacturing method of a wiring board.
[36] 본 발명은 본 발명은 [1] 내지 [4], [8] 내지 [12], [14] 내지 [18], 및 [20] 중 어느 하나에 기재된 캐리어 부착 동박의 상기 극박 구리층측 표면에 회로를 형성하는 공정,[36] The present invention is the ultra-thin copper layer side of the copper foil with a carrier according to any one of [1] to [4], [8] to [12], [14] to [18], and [20]. Forming circuits on the surface,
상기 회로가 매몰되도록 상기 캐리어 부착 동박의 상기 극박 구리층측 표면에 수지층을 형성하는 공정,Forming a resin layer on the ultrathin copper layer side surface of the copper foil with a carrier such that the circuit is buried;
상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정,Forming a circuit on the resin layer,
상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 캐리어를 박리시키는 공정, 및After forming a circuit on the resin layer, the step of peeling the carrier, and
상기 캐리어를 박리시킨 후에, 상기 극박 구리층을 제거함으로써, 상기 극박 구리층측 표면에 형성한, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정을 포함하며,After exfoliating the carrier, by removing the ultrathin copper layer, exposing a circuit buried in the resin layer formed on the ultrathin copper layer side surface;
상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정이, 상기 수지층 상에 다른 캐리어 부착 동박을 극박 구리층측으로부터 첩합하고, 상기 수지층에 첩합한 캐리어 부착 동박을 사용하여 상기 회로를 형성하는 공정이며,The process of forming a circuit on the said resin layer is a process of bonding the other copper foil with a carrier on the said resin layer from the ultra-thin copper layer side, and forming the said circuit using the copper foil with a carrier bonded to the said resin layer,
상기 수지층 상에 첩합하는 다른 캐리어 부착 동박이, [1] 내지 [4], [8] 내지 [12], [14] 내지 [18], 및 [20] 중 어느 하나에 기재된 캐리어 부착 동박인, 프린트 배선판의 제조 방법이다.The other copper foil with a carrier bonded together on the said resin layer is copper foil with a carrier in any one of [1]-[4], [8]-[12], [14]-[18], and [20]. , A method for producing a printed wiring board.
[37] 본 발명은 상기 [34] 에 있어서,[37] The present invention is the above-mentioned [34].
상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정이, 세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파틀리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해 실시되는, 프린트 배선판의 제조 방법이다.The process of forming a circuit on the said resin layer is a manufacturing method of the printed wiring board performed by any method of the semiadditive method, the subtractive method, the partly additive method, or the modified semiadditive method.
[38] 본 발명은 상기 [34] 에 있어서, [38] The invention as in [34],
캐리어를 박리하기 전에, 캐리어 부착 동박의 캐리어측 표면에 기판을 형성하는 공정을 추가로 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법이다.It is a manufacturing method of the printed wiring board which further includes the process of forming a board | substrate in the carrier side surface of the copper foil with a carrier before peeling a carrier.
<1. 캐리어><1. Carrier>
본 발명에 사용할 수 있는 캐리어는 전형적으로는 금속박 또는 수지 필름이고, 예를 들어 동박, 구리 합금박, 니켈박, 니켈 합금박, 철박, 철 합금박, 스테인리스박, 알루미늄박, 알루미늄 합금박, 절연 수지 필름 (예를 들어 폴리이미드 필름, 액정 폴리머 (LCP) 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름, 폴리아미드 필름, 폴리에스테르 필름, 불소 수지 필름 등) 의 형태로 제공된다.The carrier which can be used for the present invention is typically a metal foil or a resin film, for example, copper foil, copper alloy foil, nickel foil, nickel alloy foil, iron foil, iron alloy foil, stainless steel foil, aluminum foil, aluminum alloy foil, insulation It is provided in the form of a resin film (for example, a polyimide film, a liquid crystal polymer (LCP) film, a polyethylene terephthalate (PET) film, a polyamide film, a polyester film, a fluororesin film, etc.).
본 발명에 사용할 수 있는 캐리어로는 동박을 사용하는 것이 바람직하다. 캐리어는 전형적으로는 압연 동박이나 전해 동박의 형태로 제공된다. 일반적으로는, 전해 동박은 황산구리 도금욕으로부터 티탄이나 스테인리스의 드럼 상에 구리를 전해 석출하여 제조되고, 압연 동박은 압연 롤에 의한 소성 가공과 열처리를 반복하여 제조된다. 동박의 재료로는 터프 피치 구리나 무산소 구리와 같은 고순도의 구리 외에, 예를 들어 Sn 함유 구리, Ag 함유 구리, Cr, Zr 또는 Mg 등을 첨가한 구리 합금, Ni 및 Si 등을 첨가한 콜슨계 구리 합금과 같은 구리 합금도 사용 가능하다. 또한, 본 명세서에 있어서 용어 「동박」 을 단독으로 사용했을 때에는 구리 합금박도 포함하는 것으로 한다.It is preferable to use copper foil as a carrier which can be used for this invention. The carrier is typically provided in the form of a rolled copper foil or an electrolytic copper foil. Generally, an electrolytic copper foil is manufactured by electrolytically depositing copper on a titanium or stainless steel drum from a copper sulfate plating bath, and a rolled copper foil is manufactured by repeating plastic working and heat processing by a rolling roll. As the material of the copper foil, in addition to high-purity copper such as tough pitch copper or oxygen-free copper, for example, a copper alloy containing Sn-containing copper, Ag-containing copper, Cr, Zr, or Mg, or a Coulson-based copper containing Ni and Si, etc. Copper alloys such as copper alloys may also be used. In addition, when using the term "copper foil" independently in this specification, copper alloy foil shall also be included.
본 발명에 사용할 수 있는 캐리어의 두께에 대해서도 특별히 제한은 없지만, 캐리어로서의 책임을 완수하는 데에 있어서 적합한 두께로 적절히 조절하면 되고, 예를 들어 12 ㎛ 이상으로 할 수 있다. 단, 지나치게 두꺼우면 생산 코스트가 높아지기 때문에 일반적으로는 70 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다. 따라서, 캐리어의 두께는 전형적으로는 12 ∼ 70 ㎛ 이고, 보다 전형적으로는 18 ∼ 35 ㎛ 이다.Although there is no restriction | limiting in particular also about the thickness of the carrier which can be used for this invention, What is necessary is just to adjust suitably to a suitable thickness in fulfilling responsibility as a carrier, for example, it can be 12 micrometers or more. However, when it is too thick, since production cost will become high, it is generally preferable to set it as 70 micrometers or less. Therefore, the thickness of a carrier is typically 12-70 micrometers, More typically, it is 18-35 micrometers.
<2. 박리층><2. Peeling Layer>
캐리어 상에는 박리층을 형성한다. 동박 캐리어와 박리층의 사이에 다른 층을 형성해도 된다. 박리층으로는, 캐리어 부착 동박에 있어서 당업자에게 알려진 임의의 박리층으로 할 수 있다. 예를 들어, 박리층은 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 또는 이들의 합금, 또는 이들의 수화물, 또는 이들의 산화물, 혹은 유기물 중 어느 1 종 이상을 함유하거나 혹은 그러한 어느 1 종 이상으로 이루어지는 층으로 형성하는 것이 바람직하다. 박리층은 복수의 층으로 구성되어도 된다. 또한, 박리층은 확산 방지 기능을 가질 수 있다. 여기서 확산 방지 기능이란 모재로부터의 원소를 극박 구리층측으로의 확산을 방지하는 기능을 갖는다.The release layer is formed on the carrier. You may form another layer between a copper foil carrier and a peeling layer. As a peeling layer, it can be set as the arbitrary peeling layer known to a person skilled in the art in copper foil with a carrier. For example, the release layer may be any one or more of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, alloys thereof, hydrates thereof, oxides thereof, or organic matters. It is preferable to form in the layer which contains or consists of any 1 or more types of such. The release layer may be composed of a plurality of layers. In addition, the release layer may have a diffusion preventing function. The diffusion preventing function has a function of preventing diffusion of an element from the base material to the ultrathin copper layer side.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 박리층은 캐리어측으로부터 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 의 원소군 중 어느 1 종의 원소로 이루어지는 단일 금속층, 또는 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 의 원소군에서 선택된 1 종 이상의 원소를 함유하거나 혹은 그러한 선택된 1 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층 (이들은 확산 방지 기능을 갖는다) 과, 그 위에 적층된 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 의 원소군에서 선택된 1 종 이상의 원소의 수화물 혹은 산화물 또는 유기물을 함유하거나 혹은 그러한 수화물 혹은 산화물 또는 유기물로 이루어지는 층으로 구성된다.In one embodiment of this invention, a peeling layer is a single metal layer which consists of any 1 type of elements from the element group of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn from a carrier side, Or an alloy layer containing one or more elements selected from the group of elements of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn or consisting of one or more selected elements (these are diffusion preventing functions Or a hydrate or oxide or organic substance of one or more elements selected from the group of elements of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, and Zn stacked thereon; It consists of a layer consisting of a hydrate or an oxide or an organic substance.
또, 예를 들어 박리층은, 캐리어측으로부터 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 의 원소군 중 어느 1 종의 원소로 이루어지는 단일 금속층, 혹은 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 의 원소군에서 선택된 1 종 이상의 원소를 함유하거나 혹은 그러한 선택된 1 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층, 그 다음에 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 의 원소군 중 어느 1 종의 원소로 이루어지는 단일 금속층, 혹은 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 의 원소군에서 선택된 1 종 이상의 원소를 함유하거나 혹은 그러한 선택된 1 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층으로 구성할 수 있다. 또한, 각 원소의 합계 부착량은 예를 들어 1 ∼ 6000 ㎍/d㎡ 로 할 수 있다. 또, 다른 층에는 박리층으로서 사용할 수 있는 층 구성을 사용해도 된다.For example, a peeling layer is a single metal layer which consists of any 1 type of elements from the element group of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn from a carrier side, or Cr, An alloy layer containing one or more elements selected from the group of elements Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn or consisting of one or more selected elements, followed by Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn a single metal layer composed of any one element of the group, or Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, The alloy layer may contain one or more elements selected from the group of elements Al and Zn, or may be composed of one or more selected elements. In addition, the total adhesion amount of each element can be 1-6000 microgram / dm <2>, for example. Moreover, you may use the laminated constitution which can be used as a peeling layer for another layer.
박리층은 Ni 및 Cr 의 2 층으로 구성되는 것이 바람직하다. 이 경우, Ni 층은 동박 캐리어와의 계면에, Cr 층은 극박 구리층과의 계면에 각각 접하도록 하여 적층한다.It is preferable that a peeling layer consists of two layers, Ni and Cr. In this case, the Ni layer is laminated so as to be in contact with the interface with the copper foil carrier and the Cr layer is in contact with the interface with the ultrathin copper layer, respectively.
박리층은, 예를 들어 전기 도금, 무전해 도금 및 침지 도금과 같은 습식 도금, 혹은 스퍼터링, CVD 및 PDV 와 같은 건식 도금에 의해 얻을 수 있다. 코스트의 관점에서 전기 도금이 바람직하다.The release layer can be obtained, for example, by wet plating such as electroplating, electroless plating and immersion plating, or by dry plating such as sputtering, CVD and PDV. Electroplating is preferable from the viewpoint of cost.
또, 예를 들어, 박리층은, 캐리어 상에, 니켈, 니켈-인 합금 또는 니켈-코발트 합금과, 크롬이 이 순서로 적층되어 구성할 수 있다. 니켈과 구리의 접착력은 크롬과 구리의 접착력보다 높기 때문에, 극박 구리층을 박리할 때, 극박 구리층과 크롬의 계면에서 박리되게 된다. 또, 박리층의 니켈에는 캐리어로부터 구리 성분이 극박 구리층으로 확산되어 가는 것을 방지하는 배리어 효과가 기대된다. 박리층에 있어서의 니켈의 부착량은 바람직하게는 100 ㎍/d㎡ 이상 40000 ㎍/d㎡ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎍/d㎡ 이상 4000 ㎍/d㎡ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎍/d㎡ 이상 2500 ㎍/d㎡ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎍/d㎡ 이상 1000 ㎍/d㎡ 미만이고, 박리층에 있어서의 크롬의 부착량은 5 ㎍/d㎡ 이상 100 ㎍/d㎡ 이하인 것이 바람직하다. 박리층을 편면에만 형성하는 경우, 캐리어의 반대면에는 Ni 도금층 등의 방청층을 형성하는 것이 바람직하다.For example, a peeling layer can be comprised by carrying out nickel, nickel-phosphorus alloy, or nickel-cobalt alloy, and chromium in this order on a carrier. Since the adhesive force of nickel and copper is higher than the adhesive force of chromium and copper, when peeling an ultrathin copper layer, it will peel at the interface of an ultrathin copper layer and chromium. Moreover, the nickel effect of the peeling layer is expected to have a barrier effect of preventing the copper component from diffusing into the ultrathin copper layer from the carrier. The adhesion amount of nickel in the release layer is preferably 100 µg / dm 2 or more and 40000 µg / dm 2 or less, more preferably 100 µg / dm 2 or more and 4000 µg / dm 2 or less, and more preferably 100 µg / d It is preferable that it is 2 m <2> or more and 2500 microgram / dm <2>, More preferably, it is 100 microgram / dm <2> or more and less than 1000 microgram / dm <2>, and the adhesion amount of chromium in a peeling layer is 5 microgram / dm <2> or more and 100 microgram / dm <2> or less. Do. In the case where the release layer is formed only on one side, it is preferable to form a rustproof layer such as a Ni plating layer on the opposite side of the carrier.
또한, 박리층은 캐리어의 양면에 형성해도 된다.In addition, you may form a peeling layer on both surfaces of a carrier.
<3. 극박 구리층><3. Ultrathin Copper Layer>
박리층 상에는 극박 구리층을 형성한다. 박리층과 극박 구리층의 사이에는 다른 층을 형성해도 된다. 극박 구리층은, 황산구리, 피롤린산구리, 술파민산구리, 시안화구리 등의 전해욕을 이용한 전기 도금에 의해 형성할 수 있고, 일반적인 전해 동박에서 사용되고, 고전류 밀도에서의 동박 형성이 가능한 점에서 황산구리욕이 바람직하다. 극박 구리층의 두께는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로는 캐리어보다 얇고, 예를 들어 12 ㎛ 이하이다. 전형적으로는 0.5 ∼ 12 ㎛ 이고, 보다 전형적으로는 2 ∼ 5 ㎛ 이다. 또한, 극박 구리층은 캐리어의 양면에 형성해도 된다. 또, 다른 층에는 박리층으로서 사용할 수 있는 층 구성을 사용해도 된다.An ultrathin copper layer is formed on the release layer. You may form another layer between a peeling layer and an ultra-thin copper layer. The ultra-thin copper layer can be formed by electroplating using an electrolytic bath such as copper sulfate, copper pyrolate, copper sulfamate, copper cyanide, etc., and is used in general electrolytic copper foil, and copper sulfate bath can be formed at high current density. This is preferred. Although the thickness of an ultra-thin copper layer does not have a restriction | limiting in particular, Usually, it is thinner than a carrier and is 12 micrometers or less, for example. Typically, it is 0.5-12 micrometers, More typically, it is 2-5 micrometers. In addition, you may form an ultra-thin copper layer on both surfaces of a carrier. Moreover, you may use the laminated constitution which can be used as a peeling layer for another layer.
<4. 조화 처리><4. Coordination treatment>
극박 구리층의 표면에는, 예를 들어 절연 기판과의 밀착성을 양호하게 하는 것 등을 위해서 조화 처리를 실시함으로써 조화 처리층을 형성해도 된다. 조화 처리는, 예를 들어, 구리 또는 구리 합금으로 조화 입자를 형성함으로써 실시할 수 있다. 조화 처리층은, 파인 피치 형성의 관점에서 미세한 입자로 구성되는 것이 바람직하다. 조화 입자를 형성할 때의 전기 도금 조건에 대해, 전류 밀도를 높게, 도금액 중의 구리 농도를 낮게, 또는 쿨롬량을 크게 하면 입자가 미세화되는 경향이 있다.You may form a roughening process layer on the surface of an ultra-thin copper layer, for example, by performing a roughening process, for example, to improve adhesiveness with an insulated substrate. A roughening process can be performed by forming roughening particle | grains with copper or a copper alloy, for example. It is preferable that a roughening process layer is comprised from fine particle from a viewpoint of fine pitch formation. Regarding the electroplating conditions when forming the roughened particles, when the current density is high, the copper concentration in the plating liquid is low, or the amount of coulomb is increased, the particles tend to be fine.
조화 처리층은, 구리, 니켈, 인, 텅스텐, 비소, 몰리브덴, 크롬, 코발트 및 아연으로 이루어지는 군에서 선택된 어느 단체 (單體) 또는 어느 1 종 이상을 함유하는 합금으로 이루어지는 전착립으로 구성할 수 있다.The roughened layer can be composed of electrodeposited grains composed of any one selected from the group consisting of copper, nickel, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium, cobalt and zinc or an alloy containing any one or more of them. have.
표면 처리면에 있어서의 표면 조도의 면내 균일성을 높이는 데에 있어서는, 조화 처리층 형성시의 애노드-캐소드간 거리를 일정하게 유지하는 것이 유효하다. 한정적인 것은 아니지만, 드럼 등을 지지 매체로 한 운박 방식에 의해, 일정한 극간 거리를 확보하는 방법이 공업 생산의 관점에서 유효하다. 도 1 은 당해 운박 방식을 나타내는 모식도이다. 반송 롤로 반송되는 캐리어 동박을 드럼으로 지지하면서, 전해 도금에 의해 극박 구리층 표면에 조화 입자층이 형성된다. 드럼으로 지지되어 있는 캐리어 동박의 처리면이 캐소드를 겸하고 있고, 이 드럼과, 드럼에 대향하도록 형성된 애노드의 사이의 도금액 중에서 각 전해 도금이 실시된다. 한편, 도 2 에는 종래형의 구절양장에 의한 운박 방식을 나타내는 모식도를 기재하고 있다. 당해 방식에서는, 전해액 그리고 운박 텐션 등의 영향에 의해, 애노드와 캐소드의 거리를 일정하게 하는 것이 어렵다는 문제가 있다. 또한, 구절양장에 의한 운박 방식에 의해 조화 처리층 형성시의 애노드-캐소드간 거리를 일정하게 유지하기 위해서는, 종래보다 운박하기 위한 장력을 높게 하고, 반송 롤간의 거리를 짧게 하는 것이 유효하다.In order to improve the in-plane uniformity of surface roughness on the surface-treated surface, it is effective to maintain the anode-cathode distance at the time of forming the roughened layer. Although not limiting, a method of securing a constant gap distance is effective from the viewpoint of industrial production by means of a transportation system using a drum or the like as a support medium. 1 is a schematic diagram showing the hail system. The roughening particle layer is formed in the ultrathin copper layer surface by electrolytic plating, supporting the carrier copper foil conveyed by a conveyance roll with a drum. The process surface of the carrier copper foil supported by the drum doubles as a cathode, and each electroplating is performed in the plating liquid between the drum and the anode formed to face the drum. In addition, FIG. 2 has shown the schematic diagram which shows the crumb system by the conventional type | mold guanjiang. In this system, there is a problem that it is difficult to keep the distance between the anode and the cathode constant under the influence of the electrolyte solution and the pulsation tension. In addition, in order to keep the anode-cathode distance at the time of formation of a roughening process layer by the crumb system by a sectional dressing, it is effective to make the tension for cruising high and to shorten the distance between conveyance rolls conventionally.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 드럼에 의한 운박 방식은, 조화 처리뿐만 아니라 박리층의 형성 및 극박 구리층의 형성에도 이용 가능하다. 드럼에 의한 운박 방식을 채용함으로써, 박리층이나 극박 구리층의 두께 정밀도를 향상시키는 것이 가능하기 때문이다. 또한, 구절양장에 의한 운박 방식에 의해 박리층이나 극박 구리층 형성시의 애노드-캐소드간 거리를 일정하게 유지하기 위해서는, 종래보다 운박하기 위한 장력을 높게 하고, 반송 롤간의 거리를 짧게 하는 것이 유효하다.As shown in FIG. 1, the crumb system with a drum can be utilized not only for a roughening process but also for formation of a peeling layer and formation of an ultra-thin copper layer. It is because it is possible to improve the thickness precision of a peeling layer or an ultra-thin copper layer by employ | adopting the crumb system by a drum. Moreover, in order to keep the anode-cathode distance at the time of forming a peeling layer or an ultra-thin copper layer by the pulsation system by a sectional dressing, it is effective to make tension more crumb than before, and to shorten the distance between conveyance rolls. Do.
극간 거리는 한정적인 것은 아니지만, 지나치게 길면 생산 코스트가 높아지고, 한편 지나치게 짧으면 면내 편차가 커지기 쉽기 때문에, 일반적으로는 3 ∼ 100 ㎜ 가 바람직하고, 5 ∼ 80 ㎜ 가 보다 바람직하다.The distance between the poles is not limited, but if it is too long, the production cost increases, while if it is too short, the in-plane variation tends to be large, so that generally 3 to 100 mm is preferable, and 5 to 80 mm is more preferable.
또, 조화 처리를 한 후, 니켈, 코발트, 구리, 아연의 단체 또는 합금 등으로 2 차 입자나 3 차 입자 및/또는 방청층을 형성하고, 추가로 그 표면에 크로메이트 처리, 실란 커플링 처리 등의 처리를 실시해도 된다. 즉, 조화 처리층의 표면에, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층을 형성해도 되고, 극박 구리층의 표면에 조화 처리를 실시하지 않고, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층을 형성해도 된다. 또한, 이들의 표면 처리는 극박 구리층의 표면 조도에 거의 영향을 미치지 않는다.After the roughening treatment, secondary particles, tertiary particles and / or rust-preventing layers are formed of a single element or an alloy of nickel, cobalt, copper, zinc, or the like, and further, chromate treatment, silane coupling treatment, or the like on the surface thereof. May be processed. That is, at least 1 type of layer chosen from the group which consists of a rustproof layer, a chromate treated layer, and a silane coupling process layer may be formed on the surface of a roughening process layer, and a rustproof layer is not given to the surface of an ultra-thin copper layer, Or at least one layer selected from the group consisting of chromate treated layers and silane coupling treated layers. In addition, these surface treatments hardly affect the surface roughness of the ultrathin copper layer.
극박 구리층 표면 (조화 처리 등의 각종 표면 처리를 실시하고 있는 경우에는, 표면 처리 후의 극박 구리층의 표면 (「표면 처리면」 이라고도 한다) 을 가리킨다) 은, 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정했을 때에 Rz (10 점 평균 조도) 의 평균값을 1.5 ㎛ 이하로 하는 것이 파인 피치 형성의 관점에서 매우 유리해진다. Rz 의 평균값은 바람직하게는 1.4 ㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 1.3 ㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 1.2 ㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 1.0 ㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.8 ㎛ 이하이다. 단, Rz 의 평균값은, 지나치게 작아지면 수지와의 밀착력이 저하되는 점에서, 0.01 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.1 ㎛ 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.3 ㎛ 이상이 더욱 보다 바람직하고, 0.5 ㎛ 이상이 가장 바람직하다. 본 발명에 있어서는, Rz 의 평균값은 이하에 서술하는 방법에 의해 Rz 의 표준 편차를 구할 때에 얻어진 각 Rz 의 평균값을 채용한다.The ultrathin copper layer surface (when various surface treatments, such as a roughening process, is indicated, the surface of the ultrathin copper layer after surface treatment (also called a "surface treatment surface")) is a contact roughness meter to JIS B0601-1982. Based on the measurement, the average value of Rz (10 point average roughness) of 1.5 µm or less is very advantageous from the viewpoint of fine pitch formation. The average value of Rz becomes like this. Preferably it is 1.4 micrometers or less, More preferably, it is 1.3 micrometers or less, More preferably, it is 1.2 micrometers or less, More preferably, it is 1.0 micrometers or less, More preferably, it is 0.8 micrometers or less. However, when the average value of Rz becomes too small, the adhesive force with resin falls, it is preferable that it is 0.01 micrometer or more, It is more preferable that it is 0.1 micrometer or more, More preferably, 0.3 micrometer or more, Most preferably 0.5 micrometer or more Do. In this invention, the average value of Rz employ | adopts the average value of each Rz obtained when obtaining the standard deviation of Rz by the method described below.
본 발명에서는 또한, 극박 구리층 표면에 있어서의 Rz 의 표준 편차를 0.1 ㎛ 이하로 할 수 있고, 바람직하게는 0.05 ㎛ 이하로 할 수 있고, 예를 들어 0.01 ∼ 0.7 ㎛ 로 할 수 있다. 극박 구리층 표면에 있어서의 Rz 의 표준 편차는 면내 100 점 측정 데이터로부터 구한다. 또한, 면내 100 점의 측정 데이터는 가로세로 550 ㎜ 시트를 세로 방향, 가로 방향으로 각각 10 분할하여, 100 개의 분할 영역의 각 중앙부를 측정함으로써 얻어진다. 본건은, 면내 균일성을 유지하기 위해서 이 방법을 사용했지만, 검증 방법은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 일반적으로 사용되는 550 ㎜ × 440 ㎜ ∼ 400 ㎜ × 200 ㎜ 등의 크기의 샘플을 면내 100 분할 (가로세로 10 분할) 해도 동일한 데이터가 채취 가능하다.In the present invention, the standard deviation of Rz on the surface of the ultrathin copper layer can also be 0.1 µm or less, preferably 0.05 µm or less, for example, 0.01 to 0.7 µm. The standard deviation of Rz on the surface of the ultrathin copper layer is obtained from in-plane 100 point measurement data. In addition, the measurement data of 100 in-plane points is obtained by dividing 10 sheets of 550 mm in length and length in the vertical direction and the horizontal direction, respectively, and measuring each center part of 100 division areas. Although this method used this method in order to maintain in-plane uniformity, a verification method is not limited to this. For example, the same data can be collected even if a sample having a size of 550 mm × 440 mm to 400 mm × 200 mm, which is generally used, is divided into 100 planes (10 divisions vertically).
또, 극박 구리층 표면은, 접촉식 조도계로 JIS B0601-2001 에 준거하여 측정했을 때 Rt (최대 단면 높이) 의 평균값을 2.0 ㎛ 이하, 바람직하게는 1.8 ㎛ 이하, 바람직하게는 1.5 ㎛ 이하, 바람직하게는 1.3 ㎛ 이하, 바람직하게는 1.1 ㎛ 이하로 하는 것이 파인 피치 형성의 관점에서 바람직하다. 단, Rt 의 평균값은 지나치게 작아지면 수지와의 밀착력이 저하되는 점에서, 바람직하게는 0.5 ㎛ 이상이고, 보다 바람직하게는 0.6 ㎛ 이상이고, 더욱 보다 바람직하게는 0.8 ㎛ 이상이다. 본 발명에 있어서는, Rt 의 평균값은 이하에 서술하는 방법에 의해 Rt 의 표준 편차를 구할 때에 얻어진 각 Rt 의 평균값을 채용한다.The ultra-thin copper layer surface has a mean value of Rt (maximum cross-sectional height) of 2.0 μm or less, preferably 1.8 μm or less, preferably 1.5 μm or less, as measured in accordance with JIS B0601-2001 with a contact roughness meter. Preferably it is 1.3 micrometers or less, Preferably it is 1.1 micrometers or less from a viewpoint of fine pitch formation. However, when the average value of Rt becomes too small, the adhesive force with resin falls, Preferably it is 0.5 micrometer or more, More preferably, it is 0.6 micrometer or more, More preferably, it is 0.8 micrometer or more. In this invention, the average value of Rt employ | adopts the average value of each Rt obtained when the standard deviation of Rt is calculated | required by the method described below.
본 발명에서는 또한, 극박 구리층 표면에 있어서의 Rt 의 표준 편차를 0.1 ㎛ 이하로 할 수 있고, 바람직하게는 0.05 ㎛ 이하로 할 수 있고, 예를 들어 0.01 ∼ 0.6 ㎛ 로 할 수 있다. 극박 구리층 표면에 있어서의 Rt 의 표준 편차는 Rz 와 동일하게 면내 100 점의 측정 데이터로부터 구한다.In this invention, the standard deviation of Rt in the ultra-thin copper layer surface can also be 0.1 micrometer or less, Preferably it can be 0.05 micrometer or less, For example, it can be 0.01-0.6 micrometer. The standard deviation of Rt on the surface of the ultrathin copper layer is obtained from the measurement data of 100 in-plane points in the same manner as Rz.
또, 극박 구리층 표면은, 접촉식 조도계로 JIS B0601-1982 에 준거하여 측정했을 때 Ra (산술 평균 조도) 의 평균값을 0.2 ㎛ 이하로 하는 것이 파인 피치 형성의 관점에서 바람직하고, 0.18 ㎛ 이하로 하는 것이 보다 바람직하고, 0.15 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다. 단, Ra 의 평균값은 지나치게 작아지면 수지와의 밀착력이 저하되는 점에서, 바람직하게는 0.01 ㎛ 이상이고, 보다 바람직하게는 0.05 ㎛ 이상이고, 더욱 보다 바람직하게는 0.12 ㎛ 이상이고, 가장 바람직하게는 0.13 ㎛ 이상이다. 본 발명에 있어서는, Ra 의 평균값은 이하에 서술하는 방법에 의해 Ra 의 표준 편차를 구할 때에 얻어진 각 Ra 의 평균값을 채용한다.In addition, it is preferable from the viewpoint of fine pitch formation that the surface of the ultra-thin copper layer has a mean value of Ra (arithmetic mean roughness) of 0.2 μm or less when measured according to JIS B0601-1982 with a contact roughness meter, and is 0.18 μm or less. It is more preferable to set it as 0.15 micrometer or less. However, when the average value of Ra becomes small too much, adhesive force with resin falls, Preferably it is 0.01 micrometer or more, More preferably, it is 0.05 micrometer or more, More preferably, it is 0.12 micrometer or more, Most preferably, 0.13 micrometers or more. In the present invention, the average value of Ra adopts the average value of each Ra obtained when the standard deviation of Ra is obtained by the method described below.
본 발명에서는 또한, 극박 구리층 표면에 있어서의 Ra 의 표준 편차를 0.03 ㎛ 이하로 할 수 있고, 바람직하게는 0.02 ㎛ 이하로 할 수 있고, 예를 들어 0.001 ∼ 0.03 ㎛ 로 할 수 있다. 극박 구리층 표면에 있어서의 Ra 의 표준 편차는 Rz 와 동일하게 면내 100 점의 측정 데이터로부터 구한다.In the present invention, the standard deviation of Ra on the ultrathin copper layer surface can also be 0.03 µm or less, preferably 0.02 µm or less, for example, 0.001 to 0.03 µm. The standard deviation of Ra on the surface of the ultrathin copper layer is obtained from the measurement data of 100 in-plane points, similarly to Rz.
또한, 수지층이 부착된 캐리어 부착 동박, 프린트 배선판 또는 구리 피복 적층판 등, 극박 구리층 표면에 수지 등의 절연 기판이나 수지층이 접착되어 있는 경우에 있어서는, 절연 기판을 녹여 제거함으로써, 구리 회로 또는 동박 표면에 대해, 전술한 표면 조도 (Ra, Rt, Rz) 를 측정할 수 있다.In addition, in the case where an insulating substrate such as a resin or a resin layer is adhered to the surface of an ultrathin copper layer such as a copper foil with a carrier, a printed wiring board or a copper clad laminate plate with a resin layer, the insulating substrate is melted and removed to remove the copper circuit or the like. The surface roughness (Ra, Rt, Rz) mentioned above can be measured about the copper foil surface.
<5. 그 밖의 표면 처리><5. Other Surface Treatments>
조화 처리를 실시한 후에, 니켈, 코발트, 구리, 아연의 단체 또는 합금 등으로 내열층 또는 방청층을 형성해도 되고, 추가로 그 표면에 크로메이트 처리, 실란 커플링 처리 등의 처리를 실시해도 된다. 또는 조화 처리를 실시하지 않고, 니켈, 코발트, 구리, 아연의 단체 또는 합금 등으로 내열층 또는 방청층을 형성하고, 추가로 그 표면에 크로메이트 처리, 실란 커플링 처리 등의 처리를 실시해도 된다. 즉, 조화 처리층의 표면에, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층을 형성해도 되고, 극박 구리층의 표면에, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층을 형성해도 된다. 또한, 상기 서술한 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층, 실란 커플링 처리층은 각각 예를 들어 2 층 이상, 3 층 이상 등의 복수의 층으로 형성되어도 된다.After the roughening treatment, a heat-resistant layer or a rust-preventing layer may be formed of a single substance, an alloy, or the like of nickel, cobalt, copper, or zinc, or may be further subjected to treatment such as chromate treatment, silane coupling treatment, or the like. Alternatively, the heat-resistant layer or the rust-preventing layer may be formed of a single element, an alloy, or the like of nickel, cobalt, copper, or zinc, and the surface may be subjected to a chromate treatment or a silane coupling treatment. That is, one or more layers selected from the group consisting of a heat resistant layer, an rustproof layer, a chromate treated layer and a silane coupling treatment layer may be formed on the surface of the roughened layer, and the heat resistant layer and the rustproof layer are formed on the surface of the ultrathin copper layer. Or at least one layer selected from the group consisting of chromate treated layers and silane coupling treated layers. In addition, the heat-resistant layer, the rust-preventing layer, the chromate treatment layer, and the silane coupling treatment layer described above may be each formed of a plurality of layers such as two or more layers or three or more layers, respectively.
내열층, 방청층으로는 공지된 내열층, 방청층을 사용할 수 있다. 예를 들어, 내열층 및/또는 방청층은 니켈, 아연, 주석, 코발트, 몰리브덴, 구리, 텅스텐, 인, 비소, 크롬, 바나듐, 티탄, 알루미늄, 금, 은, 백금족 원소, 철, 탄탈의 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 함유하는 층이어도 되고, 니켈, 아연, 주석, 코발트, 몰리브덴, 구리, 텅스텐, 인, 비소, 크롬, 바나듐, 티탄, 알루미늄, 금, 은, 백금족 원소, 철, 탄탈의 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소로 이루어지는 금속층 또는 합금층이어도 된다. 또, 내열층 및/또는 방청층은 니켈, 아연, 주석, 코발트, 몰리브덴, 구리, 텅스텐, 인, 비소, 크롬, 바나듐, 티탄, 알루미늄, 금, 은, 백금족 원소, 철, 탄탈의 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 함유하는 산화물, 질화물, 규화물을 함유해도 된다. 또, 내열층 및/또는 방청층은 니켈-아연 합금을 함유하는 층이어도 된다. 또, 내열층 및/또는 방청층은 니켈-아연 합금층이어도 된다. 상기 니켈-아연 합금층은, 불가피 불순물을 제외하고, 니켈을 50 wt% ∼ 99 wt%, 아연을 50 wt% ∼ 1 wt% 함유하는 것이어도 된다. 상기 니켈-아연 합금층의 아연 및 니켈의 합계 부착량이 5 ∼ 1000 ㎎/㎡, 바람직하게는 10 ∼ 500 ㎎/㎡, 바람직하게는 20 ∼ 100 ㎎/㎡ 여도 된다. 또, 상기 니켈-아연 합금을 함유하는 층 또는 상기 니켈-아연 합금층의 니켈의 부착량과 아연의 부착량의 비 (= 니켈의 부착량/아연의 부착량) 가 1.5 ∼ 10 인 것이 바람직하다. 또, 상기 니켈-아연 합금을 함유하는 층 또는 상기 니켈-아연 합금층의 니켈의 부착량은 0.5 ㎎/㎡ ∼ 500 ㎎/㎡ 인 것이 바람직하고, 1 ㎎/㎡ ∼ 50 ㎎/㎡ 인 것이 보다 바람직하다. 내열층 및/또는 방청층이 니켈-아연 합금을 함유하는 층인 경우, 스루홀이나 비어홀 등의 내벽부가 디스미어액과 접촉했을 때에 동박과 수지 기판의 계면이 디스미어액에 잘 침식되지 않아, 동박과 수지 기판의 밀착성이 향상된다.As a heat resistant layer and a rustproof layer, a well-known heat resistant layer and a rustproof layer can be used. For example, the heat resistant layer and / or rustproof layer may be nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, iron, tantalum The layer containing at least one element selected from may be nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, iron, tantalum The metal layer or the alloy layer which consists of 1 or more types of elements chosen from the group of may be sufficient. The heat-resistant layer and / or rust-proof layer may be selected from the group of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, iron and tantalum. You may contain the oxide, nitride, and silicide containing 1 or more types of elements which become. In addition, the heat resistant layer and / or rustproof layer may be a layer containing a nickel-zinc alloy. The heat-resistant layer and / or rustproof layer may be a nickel-zinc alloy layer. The nickel-zinc alloy layer may contain 50 wt% to 99 wt% of nickel and 50 wt% to 1 wt% of zinc except for unavoidable impurities. The total adhesion amount of zinc and nickel in the nickel-zinc alloy layer may be 5 to 1000 mg / m 2, preferably 10 to 500 mg / m 2, preferably 20 to 100 mg / m 2. Moreover, it is preferable that ratio (= adhesion amount of nickel / adhesion amount of zinc) of the adhesion amount of nickel and the adhesion amount of zinc of the layer containing the said nickel- zinc alloy or the said nickel- zinc alloy layer is 1.5-10. Moreover, it is preferable that it is 0.5 mg / m <2> -500 mg / m <2>, and, as for the adhesion amount of nickel of the layer containing the said nickel- zinc alloy or the said nickel-zinc alloy layer, it is more preferable that it is 1 mg / m <2> -50 mg / m <2>. Do. In the case where the heat-resistant layer and / or the rust-preventing layer is a layer containing a nickel-zinc alloy, the interface between the copper foil and the resin substrate is not easily eroded by the desmear liquid when inner wall portions such as through holes and via holes contact with the desmear liquid, And the adhesiveness of the resin substrate are improved.
예를 들어 내열층 및/또는 방청층은, 부착량이 1 ㎎/㎡ ∼ 100 ㎎/㎡, 바람직하게는 5 ㎎/㎡ ∼ 50 ㎎/㎡ 의 니켈 또는 니켈 합금층과, 부착량이 1 ㎎/㎡ ∼ 80 ㎎/㎡, 바람직하게는 5 ㎎/㎡ ∼ 40 ㎎/㎡ 의 주석층을 순차 적층한 것이어도 되고, 상기 니켈 합금층은 니켈-몰리브덴, 니켈-아연, 니켈-몰리브덴-코발트 중 어느 1 종에 의해 구성되어도 된다. 또, 내열층 및/또는 방청층은, 니켈 또는 니켈 합금과 주석의 합계 부착량이 2 ㎎/㎡ ∼ 150 ㎎/㎡ 인 것이 바람직하고, 10 ㎎/㎡ ∼ 70 ㎎/㎡ 인 것이 보다 바람직하다. 또, 내열층 및/또는 방청층은, [니켈 또는 니켈 합금 중의 니켈 부착량]/[주석 부착량] = 0.25 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 0.33 ∼ 3 인 것이 보다 바람직하다. 당해 내열층 및/또는 방청층을 사용하면 캐리어 부착 동박을 프린트 배선판에 가공한 이후의 회로의 박리 강도, 당해 박리 강도의 내약품성 열화율 등이 양호해진다.For example, the heat-resistant layer and / or the rust-preventing layer include a nickel or nickel alloy layer having an adhesion amount of 1 mg / m 2 to 100 mg / m 2, preferably 5 mg / m 2 to 50 mg / m 2, and an adhesion amount of 1 mg / m 2. It may be a laminate of tin layers of from 80 mg / m 2, preferably 5 mg / m 2 to 40 mg / m 2, and the nickel alloy layer may be any one of nickel-molybdenum, nickel-zinc and nickel-molybdenum-cobalt. You may be comprised by a bell. Moreover, it is preferable that the total adhesion amount of nickel or a nickel alloy and tin is 2 mg / m <2> -150 mg / m <2>, and, as for a heat resistant layer and / or a rustproof layer, it is more preferable that they are 10 mg / m <2> -70 mg / m <2>. Moreover, it is preferable that [the nickel adhesion amount in nickel or a nickel alloy] / [tin adhesion amount] = 0.25-10, and, as for a heat-resistant layer and / or an rustproof layer, it is more preferable that it is 0.33-3. When the said heat resistant layer and / or an rustproof layer are used, the peeling strength of the circuit after processing the copper foil with a carrier to a printed wiring board, the chemical-resistance deterioration rate of the said peeling strength, etc. will become favorable.
또한, 실란 커플링 처리에 사용되는 실란 커플링제에는 공지된 실란 커플링제를 사용해도 되고, 예를 들어 아미노계 실란 커플링제 또는 에폭시계 실란 커플링제, 메르캅토계 실란 커플링제를 사용해도 된다. 또, 실란 커플링제에는 비닐트리메톡시실란, 비닐페닐트리메톡실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, 4-글리시딜부틸트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-3-(4-(3-아미노프로폭시)프톡시)프로필-3-아미노프로필트리메톡시실란, 이미다졸실란, 트리아진실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란 등을 사용해도 된다.In addition, a well-known silane coupling agent may be used for the silane coupling agent used for a silane coupling process, for example, an amino silane coupling agent, an epoxy silane coupling agent, or a mercapto silane coupling agent may be used. In addition, the silane coupling agent includes vinyltrimethoxysilane, vinylphenyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and 4-glycidylbutyltrimethoxysilane. , γ-aminopropyltriethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-3- (4- (3-aminopropoxy) methoxy) propyl-3-aminopropyltri You may use a methoxysilane, imidazole silane, a triazine silane, (gamma)-mercaptopropyl trimethoxysilane.
상기 실란 커플링 처리층은, 에폭시계 실란, 아미노계 실란, 메타크릴옥시계 실란, 메르캅토계 실란 등의 실란 커플링제 등을 사용하여 형성해도 된다. 또한, 이와 같은 실란 커플링제는 2 종 이상 혼합하여 사용해도 된다. 그 중에서도, 아미노계 실란 커플링제 또는 에폭시계 실란 커플링제를 사용하여 형성한 것인 것이 바람직하다.The silane coupling treatment layer may be formed using a silane coupling agent such as epoxy silane, amino silane, methacryloxy silane, mercapto silane, or the like. In addition, you may mix and use 2 or more types of such silane coupling agents. Especially, it is preferable to form using an amino-type silane coupling agent or an epoxy-type silane coupling agent.
여기서 말하는 아미노계 실란 커플링제란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-(N-스티릴메틸-2-아미노에틸아미노)프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 비스(2-하이드록시에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 아미노프로필트리메톡시실란, N-메틸아미노프로필트리메톡시실란, N-페닐아미노프로필트리메톡시실란, N-(3-아크릴옥시-2-하이드록시프로필)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 4-아미노부틸트리에톡시실란, (아미노에틸아미노메틸)페네틸트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸-3-아미노프로필)트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸-3-아미노프로필)트리스(2-에틸헥속시)실란, 6-(아미노헥실아미노프로필)트리메톡시실란, 아미노페닐트리메톡시실란, 3-(1-아미노프로폭시)-3,3-디메틸-1-프로페닐트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리스(메톡시에톡시에톡시)실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, ω-아미노운데실트리메톡시실란, 3-(2-N-벤질아미노에틸아미노프로필)트리메톡시실란, 비스(2-하이드록시에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, (N,N-디에틸-3-아미노프로필)트리메톡시실란, (N,N-디메틸-3-아미노프로필)트리메톡시실란, N-메틸아미노프로필트리메톡시실란, N-페닐아미노프로필트리메톡시실란, 3-(N-스티릴메틸-2-아미노에틸아미노)프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-3-(4-(3-아미노프로폭시)프톡시)프로필-3-아미노프로필트리메톡시실란으로 이루어지는 군에서 선택되는 것이어도 된다.The amino silane coupling agent here is N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3- (N-styrylmethyl-2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane, 3- Aminopropyltriethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, aminopropyltrimethoxysilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxy Silane, N- (3-acryloxy-2-hydroxypropyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, 4-aminobutyltriethoxysilane, (aminoethylaminomethyl) phenethyltrimethoxysilane, N- ( 2-aminoethyl-3-aminopropyl) trimethoxysilane, N- (2-aminoethyl-3-aminopropyl) tris (2-ethylhexoxy) silane, 6- (aminohexylaminopropyl) trimethoxysilane , Aminophenyltrimethoxysilane, 3- (1-aminopropoxy) -3,3-dimethyl-1-propenyltrimethoxysilane, 3-aminopropyl S (methoxyethoxyethoxy) silane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, ω-aminoundecyltrimethoxysilane, 3- (2-N-benzylaminoethylamino Propyl) trimethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, (N, N-diethyl-3-aminopropyl) trimethoxysilane, (N, N-dimethyl- 3-aminopropyl) trimethoxysilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 3- (N-styrylmethyl-2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane , γ-aminopropyltriethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-3- (4- (3-aminopropoxy) methoxy) propyl-3-aminopropyltri It may be selected from the group consisting of methoxysilane.
실란 커플링 처리층은, 규소 원자 환산으로, 0.05 ㎎/㎡ ∼ 200 ㎎/㎡, 바람직하게는 0.15 ㎎/㎡ ∼ 20 ㎎/㎡, 바람직하게는 0.3 ㎎/㎡ ∼ 2.0 ㎎/㎡ 의 범위에서 형성되어 있는 것이 바람직하다. 전술한 범위의 경우, 기재 수지와 표면 처리 동박의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있다.The silane coupling treatment layer is in the range of 0.05 mg / m 2 to 200 mg / m 2, preferably 0.15 mg / m 2 to 20 mg / m 2, preferably 0.3 mg / m 2 to 2.0 mg / m 2 in terms of silicon atoms. It is preferable that it is formed. In the case of the above-mentioned range, the adhesiveness of base resin and surface treatment copper foil can be improved more.
또, 극박 구리층, 조화 처리층, 내열층, 방청층, 실란 커플링 처리층 또는 크로메이트 처리층의 표면에, 국제 공개번호 WO2008/053878, 일본 공개특허공보 2008-111169호, 일본 특허공보 제5024930호, 국제 공개번호 WO2006/028207, 일본 특허공보 제4828427호, 국제 공개번호 WO2006/134868, 일본 특허공보 제5046927호, 국제 공개번호 WO2007/105635, 일본 특허공보 제5180815호, 또는 일본 공개특허공보 2013-19056호에 기재된 표면 처리를 실시할 수 있다.Moreover, on the surface of an ultra-thin copper layer, a roughening process layer, a heat-resistant layer, a rustproof layer, a silane coupling process layer, or a chromate treatment layer, International Publication No. WO2008 / 053878, Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-111169, Japanese Patent No. 5014930. International Publication No. WO2006 / 028207, Japanese Patent Publication No. 4482827, International Publication No. WO2006 / 134868, Japanese Patent Publication No. 5046927, International Publication No. WO2007 / 105635, Japanese Patent Publication No. 5180815, or Japan Patent Publication 2013 The surface treatment of -19056 can be performed.
[극박 구리층 상의 수지층][Resin Layer on Ultra-thin Copper Layer]
본 발명의 캐리어 부착 동박의 극박 구리층 (극박 구리층이 표면 처리되어 있는 경우에는, 당해 표면 처리에 의해 극박 구리층 상에 형성된 표면 처리층을 가리킨다) 상에 수지층을 구비해도 된다. 상기 수지층은 절연 수지층이어도 된다.You may provide a resin layer on the ultra-thin copper layer (when an ultra-thin copper layer is surface-treated, the surface treatment layer formed on the ultra-thin copper layer by the said surface treatment) of the copper foil with a carrier of this invention. The resin layer may be an insulated resin layer.
상기 수지층은 접착용 수지, 즉 접착제여도 되고, 접착용의 반경화 상태 (B 스테이지 상태) 의 절연 수지층이어도 된다. 반경화 상태 (B 스테이지 상태)란, 그 표면에 손가락으로 접촉해도 점착감은 없고, 그 절연 수지층을 중첩하여 보관할 수 있으며, 또한 가열 처리를 받으면, 경화 반응이 일어나는 상태를 포함한다.The resin layer may be an adhesive resin, that is, an adhesive, or an insulating resin layer in a semi-cured state (B stage state) for adhesion. The semi-cured state (B stage state) does not have a tack even when the surface is touched by a finger, and the insulating resin layer can be superimposed and stored, and includes a state in which a curing reaction occurs when subjected to heat treatment.
또 상기 수지층은 열 경화성 수지를 포함해도 되고, 열가소성 수지여도 된다. 또, 상기 수지층은 열가소성 수지를 포함해도 된다. 상기 수지층은 공지된 수지, 수지 경화제, 화합물, 경화 촉진제, 유전체, 반응 촉매, 가교제, 폴리머, 프리프레그, 골격재 등을 포함해도 된다. 또, 상기 수지층은 예를 들어 국제 공개번호 WO2008/004399호, 국제 공개번호 WO2008/053878, 국제 공개번호 WO2009/084533, 일본 공개특허공보 평11-5828호, 일본 공개특허공보 평11-140281호, 일본 특허공보 제3184485호, 국제 공개번호 WO97/02728, 일본 특허공보 제3676375호, 일본 공개특허공보 2000-43188호, 일본 특허공보 제3612594호, 일본 공개특허공보 2002-179772호, 일본 공개특허공보 2002-359444호, 일본 공개특허공보 2003-304068호, 일본 특허공보 제3992225, 일본 공개특허공보 2003-249739호, 일본 특허공보 제4136509호, 일본 공개특허공보 2004-82687호, 일본 특허공보 제4025177호, 일본 공개특허공보 2004-349654호, 일본 특허공보 제4286060호, 일본 공개특허공보 2005-262506호, 일본 특허공보 제4570070호, 일본 공개특허공보 2005-53218호, 일본 특허공보 제3949676호, 일본 특허공보 제4178415호, 국제 공개번호 WO2004/005588, 일본 공개특허공보 2006-257153호, 일본 공개특허공보 2007-326923호, 일본 공개특허공보 2008-111169호, 일본 특허공보 제5024930호, 국제 공개번호 WO2006/028207, 일본 특허공보 제4828427호, 일본 공개특허공보 2009-67029호, 국제 공개번호 WO2006/134868, 일본 특허공보 제5046927호, 일본 공개특허공보 2009-173017호, 국제 공개번호 WO2007/105635, 일본 특허공보 제5180815호, 국제 공개번호 WO2008/114858, 국제 공개번호 WO2009/008471, 일본 공개특허공보 2011-14727호, 국제 공개번호 WO2009/001850, 국제 공개번호 WO2009/145179, 국제 공개번호 WO2011/068157, 일본 공개특허공보 2013-19056호에 기재되어 있는 물질 (수지, 수지 경화제, 화합물, 경화 촉진제, 유전체, 반응 촉매, 가교제, 폴리머, 프리프레그, 골격재 등) 및/또는 수지층의 형성 방법, 형성 장치를 이용하여 형성해도 된다.Moreover, the said resin layer may contain thermosetting resin, and a thermoplastic resin may be sufficient as it. Moreover, the said resin layer may contain a thermoplastic resin. The resin layer may contain a known resin, a resin curing agent, a compound, a curing accelerator, a dielectric, a reaction catalyst, a crosslinking agent, a polymer, a prepreg, a skeleton, and the like. The resin layer is, for example, International Publication No. WO2008 / 004399, International Publication No. WO2008 / 053878, International Publication No. WO2009 / 084533, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-5828, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-140281. , Japanese Patent Publication No. 3184485, International Publication No. WO97 / 02728, Japanese Patent Publication No. 376375, Japanese Patent Application Publication No. 2000-43188, Japanese Patent Publication No. 3612594, Japanese Patent Application Publication No. 2002-179772, Japanese Patent Application Publication Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-359444, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-304068, Japanese Patent No. 3992225, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-249739, Japanese Patent No. 4136509, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-82687 4025177, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-349654, Japanese Patent Publication No. 4286060, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-262506, Japanese Patent Publication No. 4570070, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-53218, Japanese Patent Publication No. 3949676 , Japanese Patent Publication No. 4178415, International Publication WO2004 / 005588, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-257153, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-326923, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2008-111169, Japanese Patent No. 5014930, International Publication No. WO2006 / 028207, Japanese Patent Publication No. 4828427, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-67029, International Publication No. WO2006 / 134868, Japanese Patent Publication No. 5046927, Japanese Patent Application Publication No. 2009-173017, International Publication No. WO2007 / 105635, Japanese Patent Publication No. 5180815, International Publication No. WO2008 / 114858, International Publication No. WO2009 / 008471, Japanese Laid-Open Patent Publication 2011-14727, International Publication No. WO2009 / 001850, International Publication No. WO2009 / 145179, International Publication No. WO2011 / 068157, Japanese Laid-Open Patent Publication 2013-19056 You may form using the material (resin, resin hardening | curing agent, compound, hardening accelerator, dielectric, reaction catalyst, crosslinking agent, a polymer, a prepreg, a framework | skeletal material, etc.) and / or the formation method of a resin layer, and the formation apparatus which are described in the heading. .
또, 상기 수지층은, 그 종류는 각별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 다관능성 시안산에스테르 화합물, 말레이미드 화합물, 폴리말레이미드 화합물, 말레이미드계 수지, 방향족 말레이미드 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 우레탄 수지, 폴리에테르술폰 (폴리에테르설폰, 폴리에테르설폰이라고도 한다), 폴리에테르술폰 (폴리에테르설폰, 폴리에테르설폰이라고도 한다) 수지, 방향족 폴리아미드 수지, 방향족 폴리아미드 수지 폴리머, 고무성 수지, 폴리아민, 방향족 폴리아민, 폴리아미드이미드 수지, 고무 변성 에폭시 수지, 페녹시 수지, 카르복실기 변성 아크릴로니트릴-부타디엔 수지, 폴리페닐렌옥사이드, 비스말레이미드트리아진 수지, 열 경화성 폴리페닐렌옥사이드 수지, 시아네이트에스테르계 수지, 카르복실산의 무수물, 다가 카르복실산의 무수물, 가교 가능한 관능기를 갖는 선상 폴리머, 폴리페닐렌에테르 수지, 2,2-비스(4-시아나토페닐)프로판, 인 함유 페놀 화합물, 나프텐산망간, 2,2-비스(4-글리시딜페닐)프로판, 폴리페닐렌에테르-시아네이트계 수지, 실록산 변성 폴리아미드이미드 수지, 시아노에스테르 수지, 포스파젠계 수지, 고무 변성 폴리아미드이미드 수지, 이소프렌, 수소 첨가형 폴리부타디엔, 폴리비닐부티랄, 페녹시, 고분자 에폭시, 방향족 폴리아미드, 불소 수지, 비스페놀, 블록 공중합 폴리이미드 수지 및 시아노에스테르 수지의 군에서 선택되는 1 종 이상을 포함하는 수지를 바람직한 것으로서 들 수 있다.Moreover, the kind of the said resin layer is not specifically limited, For example, an epoxy resin, a polyimide resin, a polyfunctional cyanate ester compound, a maleimide compound, a polymaleimide compound, a maleimide-type resin, aromatic maleim Mid resin, polyvinyl acetal resin, urethane resin, polyethersulfone (also called polyethersulfone, polyethersulfone), polyethersulfone (also called polyethersulfone, polyethersulfone) resin, aromatic polyamide resin, aromatic polyamide Resin polymer, rubbery resin, polyamine, aromatic polyamine, polyamideimide resin, rubber modified epoxy resin, phenoxy resin, carboxyl modified acrylonitrile-butadiene resin, polyphenylene oxide, bismaleimide triazine resin, thermosetting poly Phenylene oxide resin, cyanate ester resin, carboxylic acid Anhydrides, anhydrides of polyhydric carboxylic acids, linear polymers having crosslinkable functional groups, polyphenylene ether resins, 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane, phosphorus-containing phenolic compounds, manganese naphthenate, 2,2- Bis (4-glycidylphenyl) propane, polyphenylene ether-cyanate resin, siloxane modified polyamideimide resin, cyanoester resin, phosphazene resin, rubber modified polyamideimide resin, isoprene, hydrogenated poly Resin containing 1 or more types chosen from the group of butadiene, polyvinyl butyral, phenoxy, high molecular weight epoxy, aromatic polyamide, fluorine resin, bisphenol, a block copolymerization polyimide resin, and a cyano ester resin is mentioned as a preferable thing. .
또 상기 에폭시 수지는, 분자 내에 2 개 이상의 에폭시기를 갖는 것으로서, 전기·전자 재료 용도에 사용할 수 있는 것이면, 특별히 문제없이 사용할 수 있다. 또, 상기 에폭시 수지는 분자 내에 2 개 이상의 글리시딜기를 갖는 화합물을 사용하여 에폭시화한 에폭시 수지가 바람직하다. 또, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 비스페놀 S 형 에폭시 수지, 비스페놀 AD 형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 브롬화 (취소화) 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 오르토크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 고무 변성 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 트리글리시딜이소시아누레이트, N,N-디글리시딜아닐린 등의 글리시딜아민 화합물, 테트라하이드로프탈산디글리시딜에스테르 등의 글리시딜에스테르 화합물, 인 함유 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비페닐 노볼락형 에폭시 수지, 트리스하이드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지의 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있으며, 또는 상기 에폭시 수지의 수소 첨가체나 할로겐화체를 사용할 수 있다.Moreover, if the said epoxy resin has two or more epoxy groups in a molecule | numerator, and can be used for an electrical / electronic material use, it can use without a problem especially. Moreover, the epoxy resin which the said epoxy resin epoxidized using the compound which has 2 or more glycidyl group in a molecule | numerator is preferable. In addition, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AD type epoxy resin, novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, brominated (cancelled) epoxy Resin, phenol novolak type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, brominated bisphenol A type epoxy resin, orthocresol novolak type epoxy resin, rubber modified bisphenol A type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, triglycidyl isocyanate Glycidyl amine compounds, such as anurate and N, N- diglycidyl aniline, glycidyl ester compounds, such as tetrahydrophthalic acid diglycidyl ester, phosphorus containing epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, and biphenyl furnace 1 type selected from the group of a volac type epoxy resin, a tris hydroxyphenylmethane type epoxy resin, and a tetraphenyl ethane type epoxy resin It may may be used by mixing two or more kinds, or to use a halogenated material chena hydrogenation of the epoxy resin.
상기 인 함유 에폭시 수지로서, 공지된 인을 함유하는 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 또, 상기 인 함유 에폭시 수지는 예를 들어, 분자 내에 2 이상의 에폭시기를 구비하는 9,10-디하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드로부터의 유도체로서 얻어지는 에폭시 수지인 것이 바람직하다.As said phosphorus containing epoxy resin, the epoxy resin containing well-known phosphorus can be used. The phosphorus-containing epoxy resin is, for example, an epoxy resin obtained as a derivative from 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide having two or more epoxy groups in a molecule thereof. desirable.
이 9,10-디하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드로부터의 유도체로서 얻어지는 에폭시 수지는, 9,10-디하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드에 나프토퀴논이나 하이드로퀴논을 반응시켜, 이하의 화학식 1 (HCA-NQ) 또는 화학식 2 (HCA-HQ) 에 나타내는 화합물로 한 후에, 그 OH 기의 부분에 에폭시 수지를 반응시켜 인 함유 에폭시 수지로 한 것이다.The epoxy resin obtained as a derivative from this 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide is 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10. Naphthoquinone or hydroquinone was reacted with -oxide to form a compound represented by the following Chemical Formula 1 (HCA-NQ) or Chemical Formula 2 (HCA-HQ), and then an epoxy resin was reacted with a portion of the OH group to contain phosphorus. It was made with epoxy resin.
[화학식 1][Formula 1]
[화학식 2][Formula 2]
상기 서술한 화합물을 원료로서 얻어진 상기 E 성분인 인 함유 에폭시 수지는, 이하에 나타내는 화학식 3 ∼ 화학식 5 중 어느 것에 나타내는 구조식을 구비하는 화합물의 1 종 또는 2 종을 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다. 반경화 상태에서의 수지 품질의 안정성이 우수하고, 동시에 난연성 효과가 높기 때문이다.It is preferable that the phosphorus containing epoxy resin which is the said E component obtained using the above-mentioned compound as a raw material mixes 1 type or 2 types of the compound which has a structural formula shown in any of the following formula (3)-(5). This is because the stability of the resin quality in the semi-cured state is excellent, and at the same time, the flame retardant effect is high.
[화학식 3][Formula 3]
[화학식 4][Formula 4]
[화학식 5][Formula 5]
또, 상기 브롬화 (취소화) 에폭시 수지로서, 공지된 브롬화 (취소화) 되어 있는 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 브롬화 (취소화) 에폭시 수지는 분자 내에 2 이상의 에폭시기를 구비하는 테트라브로모비스페놀 A 로부터의 유도체로서 얻어지는 화학식 6 에 나타내는 구조식을 구비하는 브롬화 에폭시 수지, 이하에 나타내는 화학식 7 에 나타내는 구조식을 구비하는 브롬화 에폭시 수지의 1 종 또는 2 종을 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다.As the brominated (cancelled) epoxy resin, a known brominated (canceled) epoxy resin can be used. For example, the said brominated (cancelled) epoxy resin is a brominated epoxy resin provided with the structural formula shown in General formula (6) obtained as a derivative from tetrabromobisphenol A which has two or more epoxy groups in a molecule | numerator, and is shown by following General formula (7) It is preferable to use 1 type or 2 types of brominated epoxy resins with a structural formula.
[화학식 6][Formula 6]
[화학식 7][Formula 7]
상기 말레이미드계 수지 또는 방향족 말레이미드 수지 또는 말레이미드 화합물 또는 폴리말레이미드 화합물로는, 공지된 말레이미드계 수지 또는 방향족 말레이미드 수지 또는 말레이미드 화합물 또는 폴리말레이미드 화합물을 사용할 수 있다. 예를 들어 말레이미드계 수지 또는 방향족 말레이미드 수지 또는 말레이미드 화합물 또는 폴리말레이미드 화합물로는 4,4'-디페닐메탄비스말레이미드, 폴리페닐메탄말레이미드, m-페닐렌비스말레이미드, 비스페놀 A 디페닐에테르비스말레이미드, 3,3'-디메틸-5,5'-디에틸-4,4'-디페닐메탄비스말레이미드, 4-메틸-1,3-페닐렌비스말레이미드, 4,4'-디페닐에테르비스말레이미드, 4,4'-디페닐술폰비스말레이미드, 1,3-비스(3-말레이미드페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-말레이미드페녹시)벤젠 그리고 상기 화합물과, 상기 화합물 또는 그 밖의 화합물을 중합시킨 폴리머 등의 사용이 가능하다. 또, 상기 말레이미드계 수지는, 분자 내에 2 개 이상의 말레이미드기를 갖는 방향족 말레이미드 수지여도 되고, 분자 내에 2 개 이상의 말레이미드기를 갖는 방향족 말레이미드 수지와 폴리아민 또는 방향족 폴리아민을 중합시킨 중합 부가물이어도 된다.As said maleimide resin, aromatic maleimide resin, a maleimide compound, or a polymaleimide compound, well-known maleimide resin, aromatic maleimide resin, a maleimide compound, or a polymaleimide compound can be used. For example, as maleimide resin, aromatic maleimide resin, maleimide compound, or polymaleimide compound, 4,4'- diphenylmethane bismaleimide, polyphenylmethane maleimide, m-phenylene bismaleimide, bisphenol A diphenyletherbismaleimide, 3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethanebismaleimide, 4-methyl-1,3-phenylenebismaleimide, 4 , 4'-diphenyletherbismaleimide, 4,4'-diphenylsulfonbismaleimide, 1,3-bis (3-maleimidephenoxy) benzene, 1,3-bis (4-maleimidephenoxy ) Benzene and the compound and the polymer which polymerized the said compound or another compound, etc. can be used. The maleimide resin may be an aromatic maleimide resin having two or more maleimide groups in a molecule, or may be a polymerization adduct obtained by polymerizing an aromatic maleimide resin having two or more maleimide groups in a molecule, and a polyamine or an aromatic polyamine. do.
상기 폴리아민 또는 방향족 폴리아민으로는, 공지된 폴리아민 또는 방향족 폴리아민을 사용할 수 있다. 예를 들어, 폴리아민 또는 방향족 폴리아민으로서, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 4,4'-디아미노디시클로헥실메탄, 1,4-디아미노시클로헥산, 2,6-디아미노피리딘, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노-3-메틸디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐술파이드, 4,4'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 비스(4-아미노페닐)페닐아민, m-자일렌디아민, p-자일렌디아민, 1,3-비스[4-아미노페녹시]벤젠, 3-메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디에틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디클로로-4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2',5,5'-테트라클로로-4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2-비스(3-메틸-4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(3-에틸-4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(2,3-디클로로-4-아미노페닐)프로판, 비스(2,3-디메틸-4-아미노페닐)페닐에탄, 에틸렌디아민 및 헥사메틸렌디아민, 2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판 그리고 상기 화합물과, 상기 화합물 또는 그 밖의 화합물을 중합시킨 폴리머 등을 사용할 수 있다. 또, 공지된 폴리아민 및/또는 방향족 폴리아민 또는 전술한 폴리아민 또는 방향족 폴리아민을 1 종 또는 2 종 이상 사용할 수 있다.As said polyamine or aromatic polyamine, a well-known polyamine or aromatic polyamine can be used. For example, as a polyamine or an aromatic polyamine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 4,4'-diaminodicyclohexylmethane, 1,4-diaminocyclohexane, 2,6-diaminopyridine , 4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 4,4'-diaminodiphenylether, 4,4'-diamino-3-methyldiphenylether , 4,4'-diaminodiphenylsulphide, 4,4'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenylsulphone, bis (4-aminophenyl) phenylamine, m-xylenediamine, p-xylenediamine, 1,3-bis [4-aminophenoxy] benzene, 3-methyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diethyl-4,4'-diamino Diphenylmethane, 3,3'-dichloro-4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2 ', 5,5'-tetrachloro-4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2- Bis (3-methyl-4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (3-ethyl-4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (2,3-dichloro-4-aminophenyl) propane, bis (2,3-dimethyl-4-aminophenyl ) Phenyl ethane, ethylenediamine and hexamethylenediamine, 2,2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane, and a polymer obtained by polymerizing the compound with the compound or the like can be used. Moreover, 1 type, or 2 or more types of well-known polyamine and / or aromatic polyamine or the above-mentioned polyamine or aromatic polyamine can be used.
상기 페녹시 수지로는 공지된 페녹시 수지를 사용할 수 있다. 또, 상기 페녹시 수지로서, 비스페놀과 2 가의 에폭시 수지의 반응에 의해 합성되는 것을 사용할 수 있다. 에폭시 수지로는, 공지된 에폭시 수지 및/또는 전술한 에폭시 수지를 사용할 수 있다.A well-known phenoxy resin can be used as said phenoxy resin. Moreover, what is synthesize | combined by reaction of bisphenol and a bivalent epoxy resin can be used as said phenoxy resin. As an epoxy resin, a well-known epoxy resin and / or the above-mentioned epoxy resin can be used.
상기 비스페놀로는, 공지된 비스페놀을 사용할 수 있고, 또 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 테트라브로모비스페놀 A, 4,4'-디하이드록시비페닐, HCA(9,10-Dihydro-9-Oxa-10-Phosphaphenanthrene-10-Oxide) 와 하이드로퀴논, 나프토퀴논 등의 퀴논류의 부가물로서 얻어지는 비스페놀 등을 사용할 수 있다.As said bisphenol, well-known bisphenol can be used, and bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, tetrabromobisphenol A, 4,4'- dihydroxy biphenyl, HCA (9,10-Dihydro-9- Bisphenol etc. which are obtained as an adduct of quinones, such as Oxa-10-Phosphaphenanthrene-10-Oxide), hydroquinone and a naphthoquinone, can be used.
상기 가교 가능한 관능기를 갖는 선상 폴리머로는, 공지된 가교 가능한 관능기를 갖는 선상 폴리머를 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 가교 가능한 관능기를 갖는 선상 폴리머는 수산기, 카르복실기 등의 에폭시 수지의 경화 반응에 기여하는 관능기를 구비하는 것이 바람직하다. 그리고, 이 가교 가능한 관능기를 갖는 선상 폴리머는, 비점이 50 ℃ ∼ 200 ℃ 온도인 유기 용제에 가용인 것이 바람직하다. 여기서 말하는 관능기를 갖는 선상 폴리머를 구체적으로 예시하면, 폴리비닐아세탈 수지, 페녹시 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리아미드이미드 수지 등이다.As a linear polymer which has the said crosslinkable functional group, the linear polymer which has a well-known crosslinkable functional group can be used. For example, it is preferable that the linear polymer which has the said crosslinkable functional group is equipped with the functional group which contributes to hardening reaction of epoxy resins, such as a hydroxyl group and a carboxyl group. And it is preferable that the linear polymer which has this crosslinkable functional group is soluble in the organic solvent whose boiling point is 50 degreeC-200 degreeC temperature. Specific examples of the linear polymer having a functional group include polyvinyl acetal resin, phenoxy resin, polyether sulfone resin, polyamideimide resin and the like.
상기 수지층은 가교제를 포함해도 된다. 가교제로는, 공지된 가교제를 사용할 수 있다. 가교제로서, 예를 들어 우레탄계 수지를 사용할 수 있다.The said resin layer may also contain a crosslinking agent. As a crosslinking agent, a well-known crosslinking agent can be used. As a crosslinking agent, urethane type resin can be used, for example.
상기 고무성 수지는 공지된 고무성 수지를 사용할 수 있다. 예를 들어 상기 고무성 수지란, 천연 고무 및 합성 고무를 포함하는 개념으로서 기재하고 있으며, 후자의 합성 고무에는 스티렌-부타디엔 고무, 부타디엔 고무, 부틸 고무, 에틸렌-프로필렌 고무, 아크릴로니트릴부타디엔 고무, 아크릴 고무 (아크릴산에스테르 공중합체), 폴리부타디엔 고무, 이소프렌 고무 등이 있다. 또한, 형성하는 수지층의 내열성을 확보할 때에는, 니트릴 고무, 클로로프렌 고무, 실리콘 고무, 우레탄 고무 등의 내열성을 구비한 합성 고무를 선택 사용하는 것도 유용하다. 이들 고무성 수지에 관해서는, 방향족 폴리아미드 수지 또는 폴리아미드이미드 수지와 반응하여 공중합체를 제조하도록 하기 위해서, 양 말단에 각종 관능기를 구비하는 것인 것이 바람직하다. 특히, CTBN (카르복실기 말단 부타디엔니트릴) 을 사용하는 것이 유용하다. 또, 아크릴로니트릴부타디엔 고무 중에서도, 카르복실 변성체이면, 에폭시 수지와 가교 구조를 취하여, 경화 후의 수지층의 플렉서빌리티를 향상시킬 수 있다. 카르복실 변성체로는, 카르복실기 말단 니트릴부타디엔 고무 (CTBN), 카르복실기 말단 부타디엔 고무 (CTB), 카르복시 변성 니트릴부타디엔 고무 (C-NBR) 를 사용할 수 있다.The rubbery resin may be a known rubbery resin. For example, the rubbery resin is described as a concept including natural rubber and synthetic rubber, and the latter synthetic rubber includes styrene-butadiene rubber, butadiene rubber, butyl rubber, ethylene-propylene rubber, acrylonitrile butadiene rubber, Acrylic rubber (acrylic acid ester copolymer), polybutadiene rubber, isoprene rubber and the like. Moreover, when securing the heat resistance of the resin layer to form, it is also useful to select and use the synthetic rubber provided with heat resistance, such as a nitrile rubber, a chloroprene rubber, a silicone rubber, and a urethane rubber. About these rubbery resins, in order to produce a copolymer by reacting with an aromatic polyamide resin or a polyamideimide resin, it is preferable to provide various functional groups at both ends. In particular, it is useful to use CTBN (carboxyl terminal butadienenitrile). Moreover, in an acrylonitrile butadiene rubber, if it is a carboxyl modified body, it can take a crosslinked structure with an epoxy resin, and can improve the flexibility of the resin layer after hardening. As a carboxyl modified body, a carboxyl terminal nitrile butadiene rubber (CTBN), a carboxyl terminal butadiene rubber (CTB), and a carboxy modified nitrile butadiene rubber (C-NBR) can be used.
상기 폴리아미드이미드 수지로는 공지된 폴리이미드아미드 수지를 사용할 수 있다. 또, 상기 폴리이미드아미드 수지로는 예를 들어, 트리멜리트산 무수물, 벤조페논테트라카르복실산 무수물 및 비톨릴렌디이소시아네이트를 N-메틸-2-피롤리돈 또는/및 N,N-디메틸아세트아미드 등의 용제 중에서 가열함으로써 얻어지는 수지나, 트리멜리트산 무수물, 디페닐메탄디이소시아네이트 및 카르복실기 말단 아크릴로니트릴-부타디엔 고무를 N-메틸-2-피롤리돈 또는/및 N,N-디메틸아세트아미드 등의 용제 중에서 가열함으로써 얻어지는 것을 사용할 수 있다.As said polyamideimide resin, a well-known polyimideamide resin can be used. Moreover, as said polyimide amide resin, trimellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic anhydride, and bitolylene diisocyanate are N-methyl- 2-pyrrolidone or / and N, N- dimethylacetamide, for example. N-methyl-2-pyrrolidone or / and N, N-dimethylacetamide and the like obtained by heating in a solvent such as resin, trimellitic anhydride, diphenylmethane diisocyanate and carboxyl terminal acrylonitrile-butadiene rubber What is obtained by heating in the solvent of can be used.
상기 고무 변성 폴리아미드이미드 수지로서, 공지된 고무 변성 폴리아미드이미드 수지를 사용할 수 있다. 고무 변성 폴리아미드이미드 수지는, 폴리아미드이미드 수지와 고무성 수지를 반응시켜 얻어지는 것이다. 폴리아미드이미드 수지와 고무성 수지를 반응시켜 사용하는 것은, 폴리아미드이미드 수지 그 자체의 유연성을 향상시킬 목적으로 실시한다. 즉, 폴리아미드이미드 수지와 고무성 수지를 반응시켜, 폴리아미드이미드 수지의 산 성분 (시클로헥산디카르복실산 등) 의 일부를 고무 성분으로 치환하는 것이다. 폴리아미드이미드 수지에는 공지된 폴리아미드이미드 수지를 사용할 수 있다. 또, 고무성 수지에는 공지된 고무성 수지 또는 전술한 고무성 수지를 사용할 수 있다. 고무 변성 폴리아미드이미드 수지를 중합시킬 때에, 폴리아미드이미드 수지와 고무성 수지의 용해에 사용하는 용제에는, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸술폭시드, 니트로메탄, 니트로에탄, 테트라하이드로푸란, 시클로헥사논, 메틸에틸케톤, 아세토니트릴, γ-부티로락톤 등을, 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다.As the rubber-modified polyamideimide resin, a known rubber-modified polyamideimide resin can be used. Rubber modified polyamideimide resin is obtained by making polyamideimide resin and rubbery resin react. The reaction of the polyamideimide resin with the rubbery resin is carried out for the purpose of improving the flexibility of the polyamideimide resin itself. That is, a polyamideimide resin and a rubbery resin are made to react, and a part of acid components (cyclohexane dicarboxylic acid etc.) of a polyamideimide resin are substituted by a rubber component. As the polyamideimide resin, a known polyamideimide resin can be used. Moreover, well-known rubbery resin or the above-mentioned rubbery resin can be used for rubbery resin. When the rubber-modified polyamideimide resin is polymerized, solvents used for dissolving the polyamideimide resin and the rubbery resin include dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethyl sulfoxide and nitro. It is preferable to use 1 type, or 2 or more types of methane, nitroethane, tetrahydrofuran, cyclohexanone, methyl ethyl ketone, acetonitrile, (gamma) -butyrolactone, etc. used.
상기 포스파젠계 수지로서, 공지된 포스파젠계 수지를 사용할 수 있다. 포스파젠계 수지는, 인 및 질소를 구성 원소로 하는 이중 결합을 갖는 포스파젠을 포함하는 수지이다. 포스파젠계 수지는, 분자 중의 질소와 인의 상승 효과에 의해, 난연 성능을 비약적으로 향상시킬 수 있다. 또, 9,10-디하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드 유도체와 달리, 수지 중에서 안정적으로 존재하고, 마이그레이션의 발생을 방지하는 효과가 얻어진다.As the phosphazene-based resin, a known phosphazene-based resin can be used. The phosphazene-based resin is a resin containing phosphazene having a double bond containing phosphorus and nitrogen as constituent elements. The phosphazene-based resin can significantly improve the flame retardant performance by synergistic effects of nitrogen and phosphorus in the molecule. In addition, unlike the 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide derivative, the resin is stably present in the resin and an effect of preventing migration from occurring is obtained.
상기 불소 수지로서, 공지된 불소 수지를 사용할 수 있다. 또, 불소 수지로서, 예를 들어 PTFE (폴리테트라플루오로에틸렌 (4불화)), PFA (테트라플루오로에틸렌·퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체), FEP (테트라플루오로에틸렌·헥사플루오로프로필렌 공중합체 (4.6불화)), ETFE (테트라플루오로에틸렌·에틸렌 공중합체), PVDF (폴리비닐리덴플루오라이드 (2불화)), PCTFE (폴리클로로트리플루오로에틸렌 (3불화)), 폴리알릴술폰, 방향족 폴리술파이드 및 방향족 폴리에테르 중에서 선택되는 어느 적어도 1 종의 열가소성 수지와 불소 수지로 이루어지는 불소 수지 등을 사용해도 된다.As said fluororesin, a well-known fluororesin can be used. Moreover, as a fluororesin, PTFE (polytetrafluoroethylene (tetrafluoride)), PFA (tetrafluoroethylene perfluoroalkyl vinyl ether copolymer), FEP (tetrafluoroethylene hexafluoropropylene, for example) Copolymer (4.6 fluoride)), ETFE (tetrafluoroethylene-ethylene copolymer), PVDF (polyvinylidene fluoride (bifluoride)), PCTFE (polychlorotrifluoroethylene (trifluoride)), polyallyl sulfone Or a fluororesin comprising at least one thermoplastic resin and a fluororesin selected from aromatic polysulfides and aromatic polyethers.
또, 상기 수지층은 수지 경화제를 포함해도 된다. 수지 경화제로는 공지된 수지 경화제를 사용할 수 있다. 예를 들어 수지 경화제로는 디시안디아미드, 이미다졸류, 방향족 아민 등의 아민류, 비스페놀 A, 브롬화 비스페놀 A 등의 페놀류, 페놀 노볼락 수지 및 크레졸 노볼락 수지 등의 노볼락류, 무수 프탈산 등의 산 무수물, 비페닐형 페놀 수지, 페놀아르알킬형 페놀 수지 등을 사용할 수 있다. 또, 상기 수지층은 전술한 수지 경화제의 1 종 또는 2 종 이상을 포함해도 된다. 이들 경화제는 에폭시 수지에 특히 유효하다.Moreover, the said resin layer may also contain the resin hardening | curing agent. As a resin hardener, a well-known resin hardener can be used. For example, as a resin hardening | curing agent, amines, such as dicyandiamide, imidazole, aromatic amine, phenols, such as bisphenol A, brominated bisphenol A, novolaks, such as a phenol novolak resin and cresol novolak resin, phthalic anhydride, etc. Acid anhydride, biphenyl type phenol resin, phenol aralkyl type phenol resin, etc. can be used. Moreover, the said resin layer may also contain 1 type (s) or 2 or more types of the above-mentioned resin hardening | curing agent. These curing agents are particularly effective for epoxy resins.
상기 비페닐형 페놀 수지의 구체예를 화학식 8 에 나타낸다.The specific example of the said biphenyl type phenol resin is shown in General formula (8).
[화학식 8][Formula 8]
또, 상기 페놀아르알킬형 페놀 수지의 구체예를 화학식 9 에 나타낸다.Moreover, the specific example of the said phenol aralkyl type phenol resin is shown in General formula (9).
[화학식 9][Formula 9]
이미다졸류로는, 공지된 것을 사용할 수 있으며, 예를 들어, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸 등을 들 수 있고, 이들을 단독 혹은 혼합하여 사용할 수 있다.As imidazole, a well-known thing can be used, For example, 2-undecyl imidazole, 2-heptadecyl imidazole, 2-ethyl-4- methylimidazole, 2-phenyl-4- Methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 2 -Phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, etc. can be mentioned, These can be used individually or in mixture.
또, 그 중에서도, 이하의 화학식 10 에 나타내는 구조식을 구비하는 이미다졸류를 사용하는 것이 바람직하다. 이 화학식 10 에 나타내는 구조식의 이미다졸류를 사용함으로써, 반경화 상태의 수지층의 내흡습성을 현저하게 향상시킬 수 있으며, 장기 보존 안정성이 우수하다. 이미다졸류는, 에폭시 수지의 경화시에 촉매적인 작용을 실시하는 것이고, 경화 반응의 초기 단계에 있어서, 에폭시 수지의 자기 중합 반응을 일으키는 반응 개시제로서 기여하기 때문이다.Moreover, it is preferable to use the imidazole provided with the structural formula shown by following formula (10) especially. By using the imidazole of the structural formula shown in this formula (10), the hygroscopicity of the semi-cured resin layer can be remarkably improved, and the long-term storage stability is excellent. It is because imidazole performs a catalytic action at the time of hardening of an epoxy resin, and contributes as a reaction initiator which causes the self-polymerization reaction of an epoxy resin in the initial stage of a hardening reaction.
[화학식 10][Formula 10]
상기 아민류의 수지 경화제로는, 공지된 아민류를 사용할 수 있다. 또, 상기 아민류의 수지 경화제로는, 예를 들어 전술한 폴리아민이나 방향족 폴리아민을 사용할 수 있으며, 또, 방향족 폴리아민, 폴리아미드류 및 이들을 에폭시 수지나 다가 카르복실산과 중합 혹은 축합시켜 얻어지는 아민 어덕트체의 군에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상을 사용해도 된다. 또, 상기 아민류의 수지 경화제로는, 4,4'-디아미노디페닐렌술폰, 3,3'-디아미노디페닐렌술폰, 4,4-디아미노디페니렐, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 또는 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰 중 어느 1 종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.As the resin curing agent of the amines, known amines can be used. Moreover, as the resin curing agent of the said amines, the above-mentioned polyamine and aromatic polyamine can be used, for example, Moreover, aromatic polyamine, polyamide, and the amine adduct obtained by superposing | polymerizing or condensing these with an epoxy resin or polyhydric carboxylic acid, You may use 1 type, or 2 or more types chosen from the group of. Moreover, as a resin hardening | curing agent of the said amines, 4,4'- diamino diphenylene sulfone, 3,3'- diamino diphenylene sulfone, 4, 4- diamino diphenyrel, 2, 2-bis [ It is preferable to use any one or more of 4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane or bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone.
상기 수지층은 경화 촉진제를 포함해도 된다. 경화 촉진제로는 공지된 경화 촉진제를 사용할 수 있다. 예를 들어, 경화 촉진제로는, 3 급 아민, 이미다졸, 우레아계 경화 촉진제 등을 사용할 수 있다.The said resin layer may also contain a hardening accelerator. As a hardening accelerator, a well-known hardening accelerator can be used. For example, tertiary amine, imidazole, urea-type hardening accelerator, etc. can be used as a hardening accelerator.
상기 수지층은 반응 촉매를 포함해도 된다. 반응 촉매로는 공지된 반응 촉매를 사용할 수 있다. 예를 들어 반응 촉매로서 미분쇄 실리카, 3산화안티몬 등을 사용할 수 있다.The said resin layer may also contain a reaction catalyst. As a reaction catalyst, a well-known reaction catalyst can be used. For example, finely divided silica, antimony trioxide, or the like can be used as the reaction catalyst.
상기 다가 카르복실산의 무수물은 에폭시 수지의 경화제로서 기여하는 성분인 것이 바람직하다. 또, 상기 다가 카르복실산의 무수물은, 무수 프탈산, 무수 말레산, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 테트라하이드록시 무수 프탈산, 헥사하이드록시 무수 프탈산, 메틸헥사하이드록시 무수 프탈산, 나딘산, 메틸나딘산인 것이 바람직하다.It is preferable that the anhydride of the said polyhydric carboxylic acid is a component which contributes as a hardening | curing agent of an epoxy resin. Moreover, the anhydride of the said polyhydric carboxylic acid is phthalic anhydride, maleic anhydride, trimellitic anhydride, a pyromellitic dianhydride, tetrahydroxy phthalic anhydride, hexahydroxy phthalic anhydride, methyl hexahydroxy phthalic anhydride, nadine acid, It is preferable that it is methylnadic acid.
상기 열가소성 수지는 에폭시 수지와 중합 가능한 알코올성 수산기 이외의 관능기를 갖는 열가소성 수지여도 된다.The thermoplastic resin may be a thermoplastic resin having a functional group other than the epoxy resin and the alcoholic hydroxyl group polymerizable.
상기 폴리비닐아세탈 수지는 산기 및 수산기 이외의 에폭시 수지 또는 말레이미드 화합물과 중합 가능한 관능기를 가져도 된다. 또, 상기 폴리비닐아세탈 수지는 그 분자 내에 카르복실기, 아미노기 또는 불포화 이중 결합을 도입한 것이어도 된다.The polyvinyl acetal resin may have a functional group polymerizable with an epoxy resin or maleimide compound other than an acid group and a hydroxyl group. Moreover, the polyvinyl acetal resin may introduce | transduce a carboxyl group, an amino group, or an unsaturated double bond in the molecule | numerator.
상기 방향족 폴리아미드 수지 폴리머로는, 방향족 폴리아미드 수지와 고무성 수지를 반응시켜 얻어지는 것을 들 수 있다. 여기서, 방향족 폴리아미드 수지란, 방향족 디아민과 디카르복실산의 축중합에 의해 합성되는 것이다. 이 때의 방향족 디아민에는, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디아미노디페닐술폰, m-자일렌디아민, 3,3'-옥시디아닐린 등을 사용한다. 그리고, 디카르복실산에는, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 푸마르산 등을 사용한다.As said aromatic polyamide resin polymer, what is obtained by making an aromatic polyamide resin and rubbery resin react is mentioned. Here, an aromatic polyamide resin is synthesize | combined by polycondensation of aromatic diamine and dicarboxylic acid. 4,4'- diamino diphenylmethane, 3,3'- diamino diphenyl sulfone, m-xylenediamine, 3,3'- oxydianiline, etc. are used for aromatic diamine at this time. And phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, fumaric acid, etc. are used for dicarboxylic acid.
상기 방향족 폴리아미드 수지와 반응시키는 상기 고무성 수지란, 공지된 고무성 수지 또는 전술한 고무성 수지를 사용할 수 있다.As the rubbery resin to be reacted with the aromatic polyamide resin, a known rubbery resin or the above-mentioned rubbery resin can be used.
이 방향족 폴리아미드 수지 폴리머는, 구리 피복 적층판으로 가공한 후의 동박을 에칭 가공할 때에, 에칭액에 의해 언더 에칭에 의한 손상을 받지 않는 것을 목적으로 사용한 것이다.This aromatic polyamide resin polymer is used for the purpose of not being damaged by under etching by etching liquid, when etching the copper foil after processing with the copper clad laminated board.
또, 상기 수지층은 동박측 (즉 캐리어 부착 동박의 극박 구리층측) 으로부터 순서대로 경화 수지층 (「경화 수지층」 이란, 경화가 끝난 수지층을 의미하는 것으로 한다) 과 반경화 수지층을 순차 형성한 수지층이어도 된다. 상기 경화 수지층은, 열팽창 계수가 0 ppm/℃ ∼ 25 ppm/℃ 인 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 이들 복합 수지 중 어느 것의 수지 성분으로 구성되어도 된다.In addition, the said resin layer sequentially turns a cured resin layer (a "cured resin layer shall mean a hardened resin layer) and a semi-hardened resin layer in order from the copper foil side (namely, the ultra-thin copper layer side of the copper foil with a carrier). The formed resin layer may be sufficient. The cured resin layer may be composed of a polyimide resin having a thermal expansion coefficient of 0 ppm / ° C to 25 ppm / ° C, a polyamideimide resin, or a resin component of any of these composite resins.
또, 상기 경화 수지층 상에, 경화한 후의 열팽창 계수가 0 ppm/℃ ∼ 50 ppm/℃ 인 반경화 수지층을 형성해도 된다. 또, 상기 경화 수지층과 상기 반경화 수지층이 경화한 후의 수지층 전체의 열팽창 계수가 40 ppm/℃ 이하여도 된다. 상기 경화 수지층은, 유리 전이 온도가 300 ℃ 이상이어도 된다. 또, 상기 반경화 수지층은, 말레이미드계 수지 또는 방향족 말레이미드 수지를 사용하여 형성한 것이어도 된다. 상기 반경화 수지층을 형성하기 위한 수지 조성물은, 말레이미드계 수지, 에폭시 수지, 가교 가능한 관능기를 갖는 선상 폴리머를 포함하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지는 공지된 에폭시 수지 또는 본 명세서에 기재된 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 또, 말레이미드계 수지, 방향족 말레이미드 수지, 가교 가능한 관능기를 갖는 선상 폴리머로는 공지된 말레이미드계 수지, 방향족 말레이미드 수지, 가교 가능한 관능기를 갖는 선상 폴리머 또는 전술한 말레이미드계 수지, 방향족 말레이미드 수지, 가교 가능한 관능기를 갖는 선상 폴리머를 사용할 수 있다.Moreover, you may form the semi-hardened resin layer whose thermal expansion coefficient after hardening is 0 ppm / degreeC-50 ppm / degreeC on the said cured resin layer. Moreover, the thermal expansion coefficient of the whole resin layer after hardening of the said cured resin layer and the said semi-hardened resin layer may be 40 ppm / degrees C or less. 300 degreeC or more of glass transition temperature may be sufficient as the said cured resin layer. The semi-cured resin layer may be formed by using a maleimide resin or an aromatic maleimide resin. It is preferable that the resin composition for forming the said semi-hardened resin layer contains maleimide resin, an epoxy resin, and the linear polymer which has a crosslinkable functional group. The epoxy resin can use a well-known epoxy resin or the epoxy resin described in this specification. Moreover, as a linear polymer which has a maleimide resin, an aromatic maleimide resin, and a crosslinkable functional group, a well-known maleimide resin, aromatic maleimide resin, the linear polymer which has a crosslinkable functional group, or the above-mentioned maleimide type resin, aromatic maleim The linear resin which has a mid resin and a crosslinkable functional group can be used.
또, 입체 성형 프린트 배선판 제조 용도에 적합한, 수지층을 갖는 캐리어 부착 동박을 제공하는 경우, 상기 경화 수지층은 경화한 가요성을 갖는 고분자 폴리머층인 것이 바람직하다. 상기 고분자 폴리머층은, 땜납 실장 공정에 견딜 수 있도록, 150 ℃ 이상의 유리 전이 온도를 갖는 수지로 이루어지는 것이 적합하다. 상기 고분자 폴리머층은, 폴리아미드 수지, 폴리에테르술폰 수지, 아라미드 수지, 페녹시 수지, 폴리이미드 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리아미드이미드 수지 중 어느 1 종 또는 2 종 이상의 혼합 수지로 이루어지는 것이 바람직하다. 또, 상기 고분자 폴리머층의 두께는 3 ㎛ ∼ 10 ㎛ 인 것이 바람직하다.Moreover, when providing the copper foil with a carrier which has a resin layer suitable for the use for manufacture of a three-dimensionally molded printed wiring board, it is preferable that the said cured resin layer is a high polymer polymer layer which has hardened flexibility. It is preferable that the said high molecular polymer layer consists of resin which has a glass transition temperature of 150 degreeC or more so that a solder mounting process can be endured. It is preferable that the said high molecular polymer layer consists of any 1 type, or 2 or more types of mixed resin of a polyamide resin, a polyether sulfone resin, an aramid resin, a phenoxy resin, a polyimide resin, a polyvinyl acetal resin, and a polyamideimide resin. . Moreover, it is preferable that the thickness of the said high molecular polymer layer is 3 micrometers-10 micrometers.
또, 상기 고분자 폴리머층은, 에폭시 수지, 말레이미드계 수지, 페놀 수지, 우레탄 수지 중 어느 1 종 또는 2 종 이상을 포함하는 것이 바람직하다. 또, 상기 반경화 수지층은 두께가 10 ㎛ ∼ 50 ㎛ 인 에폭시 수지 조성물로 구성되어 있는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the said high molecular polymer layer contains any 1 type, or 2 or more types of an epoxy resin, a maleimide-type resin, a phenol resin, and a urethane resin. Moreover, it is preferable that the said semi-hardened resin layer is comprised from the epoxy resin composition whose thickness is 10 micrometers-50 micrometers.
또, 상기 에폭시 수지 조성물은 이하의 A 성분 ∼ E 성분의 각 성분을 포함하는 것인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the said epoxy resin composition contains each component of the following A component-E component.
A 성분 : 에폭시 당량이 200 이하이고, 실온에서 액상의 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 비스페놀 AD 형 에폭시 수지의 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 에폭시 수지.A component: The epoxy resin whose epoxy equivalent is 200 or less and consists of 1 type (s) or 2 or more types chosen from the group of liquid bisphenol-A epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, and bisphenol AD-type epoxy resin at room temperature.
B 성분 : 고내열성 에폭시 수지.B component: High heat resistant epoxy resin.
C 성분 : 인 함유 에폭시계 수지, 포스파젠계 수지 중 어느 1 종 또는 이들을 혼합한 수지인 인 함유 난연성 수지.C component: Phosphorus containing flame-retardant resin which is any 1 type of phosphorus containing epoxy resin and phosphazene resin, or resin which mixed these.
D 성분 : 비점이 50 ℃ ∼ 200 ℃ 의 범위에 있는 용제에 가용인 성질을 구비하는 액상 고무 성분으로 변성한 고무 변성 폴리아미드이미드 수지.D component: Rubber modified polyamideimide resin modified | denatured by the liquid rubber component which has a boiling point in the solvent in the range of 50 degreeC-200 degreeC.
E 성분 : 수지 경화제.E component: resin curing agent.
B 성분은, 소위 유리 전이점 Tg 가 높은 「고내열성 에폭시 수지」 이다. 여기서 말하는 「고내열성 에폭시 수지」 는, 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지 등의 다관능 에폭시 수지인 것이 바람직하다.B component is "high heat resistant epoxy resin" with high so-called glass transition point Tg. It is preferable that "high heat resistant epoxy resin" here is polyfunctional epoxy resins, such as a novolak-type epoxy resin, a cresol novolak-type epoxy resin, a phenol novolak-type epoxy resin, and a naphthalene type epoxy resin.
C 성분의 인 함유 에폭시 수지로서, 전술한 인 함유 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 또, C 성분의 포스파젠계 수지로서 전술한 포스파젠계 수지를 사용할 수 있다.As a phosphorus containing epoxy resin of C component, the above-mentioned phosphorus containing epoxy resin can be used. Moreover, the phosphazene-type resin mentioned above can be used as C component phosphazene-type resin.
D 성분의 고무 변성 폴리아미드이미드 수지로서, 전술한 고무 변성 폴리아미드이미드 수지를 사용할 수 있다. E 성분의 수지 경화제로서, 전술한 수지 경화제를 사용할 수 있다.As the rubber-modified polyamideimide resin of the D component, the rubber-modified polyamideimide resin described above can be used. As the resin curing agent of the E component, the above-mentioned resin curing agent can be used.
이상에 나타낸 수지 조성물에 용제를 첨가하여 수지 바니시로서 사용하고, 프린트 배선판의 접착층으로서 열 경화성 수지층을 형성한다. 당해 수지 바니시는, 상기 서술한 수지 조성물에 용제를 첨가하여, 수지 고형분량이 30 wt% ∼ 70 wt% 인 범위로 조제하고, MIL 규격에 있어서의 MIL-P-13949G 에 준거하여 측정했을 때의 레진 플로우가 5 % ∼ 35 % 범위에 있는 반경화 수지막의 형성이 가능하다. 용제에는, 공지된 용제 또는 전술한 용제를 사용할 수 있다.A solvent is added to the resin composition shown above and used as a resin varnish, and a thermosetting resin layer is formed as an adhesive layer of a printed wiring board. Resin when the said resin varnish adds a solvent to the resin composition mentioned above, it is prepared in the range whose resin solid content is 30 wt%-70 wt%, and measured based on MIL-P-13949G in MIL specification. Formation of the semi-hardened resin film in which a flow is 5 to 35% of range is possible. A well-known solvent or the solvent mentioned above can be used for a solvent.
상기 수지층은 동박측으로부터 순서대로 제 1 열 경화성 수지층과, 당해 제 1 열 경화성 수지층의 표면에 위치하는 제 2 열 경화성 수지층을 갖는 수지층으로서, 제 1 열 경화성 수지층은, 배선판 제조 프로세스에 있어서의 디스미어 처리시의 약품에 용해하지 않는 수지 성분으로 형성된 것이며, 제 2 열 경화성 수지층은, 배선판 제조 프로세스에 있어서의 디스미어 처리시의 약품에 용해하고 세정 제거 가능한 수지를 사용하여 형성한 것이어도 된다. 상기 제 1 열 경화성 수지층은, 폴리이미드 수지, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌옥사이드 중 어느 1 종 또는 2 종 이상을 혼합한 수지 성분을 사용하여 형성한 것이어도 된다. 상기 제 2 열 경화성 수지층은, 에폭시 수지 성분을 사용하여 형성한 것이어도 된다. 상기 제 1 열 경화성 수지층의 두께 t1 (㎛) 은, 캐리어 부착 동박의 조화면 조도를 Rz (㎛) 로하고, 제 2 열 경화성 수지층의 두께를 t2 (㎛) 로 했을 때, t1 은 Rz < t1 < t2 의 조건을 만족하는 두께인 것이 바람직하다.The said resin layer is a resin layer which has a 1st thermosetting resin layer and the 2nd thermosetting resin layer located in the surface of the said 1st thermosetting resin layer in order from a copper foil side, and a 1st thermosetting resin layer is a wiring board It is formed with the resin component which does not melt | dissolve in the chemical | medical agent at the time of the desmear process in a manufacturing process, The 2nd thermosetting resin layer uses resin which melt | dissolves and wash | cleans and removes the chemical | medical agent at the time of desmear process in a wiring board manufacturing process. And may be formed. The said 1st thermosetting resin layer may be formed using the resin component which mixed any 1 type or 2 or more types of polyimide resin, polyether sulfone, and polyphenylene oxide. The second thermosetting resin layer may be formed by using an epoxy resin component. When thickness t1 (micrometer) of a said 1st thermosetting resin layer makes rough surface roughness of copper foil with a carrier Rz (micrometer), and makes thickness of a 2nd thermosetting resin layer t2 (micrometer), t1 is Rz It is preferable that it is thickness which satisfy | fills the conditions of <t1 <t2.
상기 수지층은 골격재에 수지를 함침시킨 프리프레그여도 된다. 상기 골격재에 함침시킨 수지는 열 경화성 수지인 것이 바람직하다. 상기 프리프레그는 공지된 프리프레그 또는 프린트 배선판 제조에 사용하는 프리프레그여도 된다.The resin layer may be a prepreg in which the skeleton is impregnated with a resin. It is preferable that resin impregnated to the said skeleton material is a thermosetting resin. The prepreg may be a known prepreg or a prepreg used for manufacturing a printed wiring board.
상기 골격재는 아라미드 섬유 또는 유리 섬유 또는 전체 방향족 폴리에스테르 섬유를 포함해도 된다. 상기 골격재는 아라미드 섬유 또는 유리 섬유 또는 전체 방향족 폴리에스테르 섬유의 부직포 혹은 직포인 것이 바람직하다. 또, 상기 전체 방향족 폴리에스테르 섬유는 융점이 300 ℃ 이상인 전체 방향족 폴리에스테르 섬유인 것이 바람직하다. 상기 융점이 300 ℃ 이상인 전체 방향족 폴리에스테르 섬유란, 소위 액정 폴리머라고 칭해지는 수지를 사용하여 제조되는 섬유이며, 당해 액정 폴리머는 2-하이드록실-6-나프토산 및 p-하이드록시벤조산의 중합체를 주성분으로 하는 것이다. 이 전체 방향족 폴리에스테르 섬유는, 저유전율, 낮은 유전 정접을 갖기 때문에, 전기적 절연층의 구성재로서 우수한 성능을 가지며, 유리 섬유 및 아라미드 섬유와 마찬가지로 사용하는 것이 가능한 것이다.The framework may include aramid fibers or glass fibers or wholly aromatic polyester fibers. It is preferable that the said framework material is a nonwoven fabric or a woven fabric of aramid fiber or glass fiber, or a wholly aromatic polyester fiber. Moreover, it is preferable that the said total aromatic polyester fiber is a wholly aromatic polyester fiber whose melting | fusing point is 300 degreeC or more. The said all aromatic polyester fiber whose melting point is 300 degreeC or more is a fiber manufactured using resin called what is called a liquid crystal polymer, The said liquid crystal polymer is a polymer of 2-hydroxy-6-naphthoic acid and p-hydroxybenzoic acid. It is a main ingredient. Since this all aromatic polyester fiber has a low dielectric constant and low dielectric loss tangent, it has the outstanding performance as a component of an electrical insulation layer, and can use it like a glass fiber and an aramid fiber.
또한, 상기 부직포 및 직포를 구성하는 섬유는, 그 표면의 수지와의 젖음성을 향상시키기 위해서, 실란 커플링제 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 이때의 실란 커플링제는, 사용 목적에 따라 공지된 아미노계, 에폭시계 등의 실란 커플링제 또는 전술한 실란 커플링제를 사용할 수 있다.Moreover, in order to improve the wettability with resin of the surface, the fiber which comprises the said nonwoven fabric and a woven fabric is preferable to process a silane coupling agent. The silane coupling agent at this time can use a well-known silane coupling agent, such as an amino type and an epoxy type, or the silane coupling agent mentioned above according to a use purpose.
또, 상기 프리프레그는 공칭 두께가 70 ㎛ 이하인 아라미드 섬유 또는 유리 섬유를 사용한 부직포, 혹은 공칭 두께가 30 ㎛ 이하인 유리 크로스로 이루어지는 골격재에 열 경화성 수지를 함침시킨 프리프레그여도 된다.The prepreg may be a prepreg impregnated with a thermosetting resin in a nonwoven fabric using aramid fibers or glass fibers having a nominal thickness of 70 μm or less, or a skeleton made of glass cross having a nominal thickness of 30 μm or less.
(수지층이 유전체 (유전체 필러) 를 포함하는 경우)(When the resin layer contains a dielectric (dielectric filler))
상기 수지층은 유전체 (유전체 필러) 를 포함해도 된다.The resin layer may contain a dielectric (dielectric filler).
상기 어느 것의 수지층 또는 수지 조성물에 유전체 (유전체 필러) 를 포함시키는 경우에는, 캐패시터층을 형성하는 용도에 사용하여, 캐패시터 회로의 전기 용량을 증대시킬 수 있는 것이다. 이 유전체 (유전체 필러) 에는, BaTiO3, SrTiO3, Pb(Zr-Ti)O3 (통칭 PZT), PbLaTiO3·PbLaZrO (통칭 PLZT), SrBi2Ta2O9 (통칭 SBT) 등의 페브로스카이트 구조를 갖는 복합 산화물의 유전체 분말을 사용한다.In the case where the dielectric (dielectric filler) is included in any of the above resin layers or resin compositions, the capacitance of the capacitor circuit can be increased for use in forming a capacitor layer. This dielectric material (dielectric filler) includes a dielectric powder of a composite oxide having a pebrose structure such as BaTiO 3, SrTiO 3, Pb (Zr-Ti) O 3 (common name PZT), PbLaTiO 3 · PbLaZrO (common name PLZT), and SrBi2Ta2O9 (common name SBT). Use
유전체 (유전체 필러) 는 분상 (粉狀) 이어도 된다. 유전체 (유전체 필러) 가 분상인 경우, 이 유전체 (유전체 필러) 의 분체 특성은, 먼저 입경이 0.01 ㎛ ∼ 3.0 ㎛, 바람직하게는 0.02 ㎛ ∼ 2.0 ㎛ 의 범위인 것일 필요가 있다. 여기서 말하는 입경은, 분립끼리가 어느 일정한 2 차 응집 상태를 형성하고 있기 때문에, 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정법이나 BET 법 등의 측정값으로부터 평균 입경을 추측하는 간접 측정에서는 정밀도가 떨어지는 것이 되기 때문에 사용할 수 없고, 유전체 (유전체 필러) 를 주사형 전자 현미경 (SEM) 으로 직접 관찰하여, 그 SEM 이미지를 화상 해석하여 얻어지는 평균 입경을 말하는 것이다. 본건 명세서에서는 이 때의 입경을 DIA 로 표시하고 있다. 또한, 본건 명세서에 있어서의 주사형 전자 현미경 (SEM) 을 사용하여 관찰되는 유전체 (유전체 필러) 의 분체의 화상 해석은, 아사히 엔지니어링 주식회사 제조의 IP-1000PC 를 사용하여, 원도 (圓度) 임계값 10, 겹침도 20 으로 하여 원형 입자 해석을 실시하고, 평균 입경 DIA 를 구한 것이다.The dielectric (dielectric filler) may be powdery. In the case where the dielectric (dielectric filler) is powdery, the powder characteristics of the dielectric (dielectric filler) need to be in the range of 0.01 µm to 3.0 µm, preferably 0.02 µm to 2.0 µm, in particle size. The particle diameter used here is used because the granules form a certain secondary agglomerated state, and thus the precision is inferior in the indirect measurement of estimating the average particle diameter from measured values such as laser diffraction scattering particle size distribution measurement method or BET method. It refers to an average particle diameter obtained by directly observing a dielectric (dielectric filler) with a scanning electron microscope (SEM) and image analysis of the SEM image. In this specification, the particle diameter at this time is represented by DIA. In addition, the image analysis of the powder of the dielectric (dielectric filler) observed using the scanning electron microscope (SEM) in this specification uses the Asahi Engineering Co., Ltd. IP-1000PC, and is a roundness threshold. Circular particle analysis was performed with the value 10 and the overlap degree 20, and the average particle diameter DIA was calculated | required.
상기 서술한 실시형태에 의해, 당해 내층 코어재의 내층 회로 표면과 유전체를 포함하는 수지층의 밀착성을 향상시키고, 낮은 유전 정접을 구비하는 캐패시터 회로층을 형성하기 위한 유전체를 포함하는 수지층을 갖는 캐리어 부착 동박을 제공할 수 있다.By the above-mentioned embodiment, the carrier which has a resin layer containing the dielectric material for improving the adhesiveness of the inner-layer circuit surface of the said inner-layer core material, and the resin layer containing a dielectric material, and forming a capacitor circuit layer with low dielectric tangent. Attached copper foil can be provided.
전술한 수지층에 포함되는 수지 및/또는 수지 조성물 및/또는 화합물을 예를 들어 메틸에틸케톤 (MEK), 시클로펜타논, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 톨루엔, 메탄올, 에탄올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, 시클로헥사논, 에틸셀로솔브, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드 등의 용제에 용해하여 수지액 (수지 바니시) 으로 하고, 이것을 상기 극박 구리층 상, 혹은 상기 내열층, 방청층, 혹은 상기 크로메이트 처리층, 혹은 상기 실란 커플링제층 상에, 예를 들어 롤 코터법 등에 의해 도포하고, 이어서 필요에 따라 가열 건조시켜 용제를 제거하여 B 스테이지 상태로 한다. 건조에는 예를 들어 열풍 건조로를 사용하면 되고, 건조 온도는 100 ∼ 250 ℃, 바람직하게는 130 ∼ 200 ℃ 이면 된다. 상기 수지층의 조성물을, 용제를 사용하여 용해하고, 수지 고형분 3 wt% ∼ 70 wt%, 바람직하게는 3 wt% ∼ 60 wt%, 바람직하게는 10 wt% ∼ 40 wt%, 보다 바람직하게는 25 wt% ∼ 40 wt% 의 수지액으로 해도 된다. 또한, 메틸에틸케톤과 시클로펜타논의 혼합 용제를 사용하여 용해하는 것이, 환경적인 견지에서 현단계에서는 가장 바람직하다. 또한, 용제에는 비점이 50 ℃ ∼ 200 ℃ 의 범위인 용제를 사용하는 것이 바람직하다.Resin and / or resin composition and / or compound contained in the above-mentioned resin layer are, for example, methyl ethyl ketone (MEK), cyclopentanone, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, toluene, methanol , Ethanol, propylene glycol monomethyl ether, dimethylformamide, dimethylacetamide, cyclohexanone, ethyl cellosolve, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylform It melt | dissolves in solvents, such as an amide, and makes it resin resin (resin varnish), and rolls it on the said ultra-thin copper layer, or the said heat-resistant layer, a rustproof layer, or the said chromate treatment layer, or the said silane coupling agent layer, for example. Coating is carried out by a coater method or the like, followed by heating and drying as necessary to remove the solvent to obtain a B stage state. For drying, for example, a hot air drying furnace may be used, and the drying temperature may be 100 to 250 ° C, preferably 130 to 200 ° C. The composition of the said resin layer is melt | dissolved using a solvent, The resin solid content is 3 wt%-70 wt%, Preferably it is 3 wt%-60 wt%, Preferably it is 10 wt%-40 wt%, More preferably, It is good also as a resin liquid of 25 wt%-40 wt%. In addition, dissolution using a mixed solvent of methyl ethyl ketone and cyclopentanone is most preferable at this stage from an environmental point of view. Moreover, it is preferable to use the solvent whose boiling point is a range of 50 degreeC-200 degreeC for a solvent.
또, 상기 수지층은 MIL 규격에 있어서의 MIL-P-13949G 에 준거하여 측정했을 때의 레진 플로우가 5 % ∼ 35 % 범위에 있는 반경화 수지막인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the said resin layer is a semi-hardened resin film whose resin flow at the time of measuring based on MIL-P-13949G in MIL specification exists in 5 to 35% of range.
본건 명세서에 있어서, 레진 플로우란, MIL 규격에 있어서의 MIL-P-13949G 에 준거하여, 수지 두께를 55 ㎛ 로 한 수지가 부착된 동박으로부터 가로세로 10 ㎝ 시료를 4 매 샘플링하고, 이 4 매의 시료를 겹친 상태 (적층체) 로 프레스 온도 171 ℃, 프레스압 14 ㎏f/㎠, 프레스 시간 10 분의 조건으로 첩합하고, 그 때의 수지 유출 중량을 측정한 결과로부터 수학식 1 에 기초하여 산출한 값이다.In this specification, with resin resin, based on MIL-P-13949G in MIL specification, four samples of 10 cm in width and width were sampled from the copper foil with resin which made resin thickness 55 micrometers, and these four pieces The sample was laminated under the condition of a press temperature of 171 ° C, a press pressure of 14 kgf / cm 2, and a press time of 10 minutes in a stacked state (laminate), and the resin outflow weight at that time was measured based on Equation (1). It is the calculated value.
상기 수지층을 구비한 캐리어 부착 동박 (수지가 부착된 캐리어 부착 동박) 은, 그 수지층을 기재에 중첩한 후 전체를 열 압착하여 그 수지층을 열 경화시키고, 이어서 캐리어를 박리하여 극박 구리층을 표출시키고 (당연히 표출하는 것은 그 극박 구리층의 중간층측의 표면이다), 거기에 소정의 배선 패턴을 형성한다는 양태로 사용된다.The copper foil with a carrier (copper foil with a carrier with a resin) with the said resin layer superimposes the resin layer, and heat-presses the whole, thermosets the resin layer, and then peels a carrier and makes an ultra-thin copper layer It is used in the aspect which expresses (the natural thing is surface of the intermediate | middle layer side of the ultra-thin copper layer), and forms a predetermined wiring pattern there.
이 수지가 부착된 캐리어 부착 동박을 사용하면, 다층 프린트 배선 기판의 제조시에 있어서의 프리프레그재의 사용 매수를 줄일 수 있다. 게다가, 수지층의 두께를 층간 절연을 확보할 수 있는 두께로 하거나, 프리프레그재를 전혀 사용하지 않아도 구리 피복 적층판을 제조할 수 있다. 또 이 때, 기재의 표면에 절연 수지를 언더코트하여 표면의 평활성을 더욱 개선할 수도 있다.When the copper foil with a carrier with this resin is used, the number of sheets of prepreg material at the time of manufacture of a multilayer printed wiring board can be reduced. Moreover, the thickness of a resin layer can be made into the thickness which can ensure interlayer insulation, or a copper clad laminated board can be manufactured, without using a prepreg material at all. At this time, the surface of the substrate can be undercoated with an insulating resin to further improve the smoothness of the surface.
또한, 프리프레그재를 사용하지 않는 경우에는, 프리프레그재의 재료 코스트가 절약되고, 또 적층 공정도 간략해지므로 경제적으로 유리해지고, 또한, 프리프레그재의 두께분만큼 제조되는 다층 프린트 배선 기판의 두께는 얇아져, 1 층의 두께가 100 ㎛ 이하인 극박의 다층 프린트 배선 기판을 제조할 수 있다는 이점이 있다.In addition, when the prepreg material is not used, the material cost of the prepreg material is reduced, and the lamination process is simplified, which is economically advantageous, and the thickness of the multilayer printed wiring board manufactured by the thickness of the prepreg material is There is an advantage that it can be made thin and an ultra-thin multilayer printed wiring board having a thickness of one layer of 100 µm or less can be produced.
이 수지층의 두께는 0.1 ∼ 120 ㎛ 인 것이 바람직하다.It is preferable that the thickness of this resin layer is 0.1-120 micrometers.
수지층의 두께가 0.1 ㎛ 보다 얇아지면, 접착력이 저하되고, 프리프레그재를 개재시키는 일 없이 이 수지가 부착된 캐리어 부착 동박을 내층재를 구비한 기재에 적층했을 때에, 내층재의 회로 사이의 층간 절연을 확보하는 것이 곤란해지는 경우가 있다. 한편, 수지층의 두께를 120 ㎛ 보다 두껍게 하면, 1 회의 도포 공정으로 목적 두께의 수지층을 형성하는 것이 곤란해지고, 여분의 재료비와 공정수가 들기 때문에 경제적으로 불리해지는 경우가 있다.When the thickness of the resin layer becomes thinner than 0.1 µm, the adhesive force decreases, and when the copper foil with a carrier with this resin is laminated on a substrate having an inner layer material without interposing a prepreg material, the interlayer insulation between the circuits of the inner layer material It may be difficult to secure. On the other hand, when the thickness of a resin layer is thicker than 120 micrometers, it becomes difficult to form the resin layer of the target thickness in one application | coating process, and it may become disadvantageous economically because extra material cost and process number are needed.
또한, 수지층을 갖는 캐리어 부착 동박이 극박의 다층 프린트 배선판을 제조하는 것에 사용되는 경우에는, 상기 수지층의 두께를 0.1 ㎛ ∼ 5 ㎛, 보다 바람직하게는 0.5 ㎛ ∼ 5 ㎛, 보다 바람직하게는 1 ㎛ ∼ 5 ㎛ 로 하는 것이, 다층 프린트 배선판의 두께를 작게 하기 위해서 바람직하다.Moreover, when the copper foil with a carrier which has a resin layer is used for manufacturing an ultra-thin multilayer printed wiring board, the thickness of the said resin layer is 0.1 micrometer-5 micrometers, More preferably, 0.5 micrometer-5 micrometers, More preferably, It is preferable to set it as 1 micrometer-5 micrometers in order to make thickness of a multilayer printed wiring board small.
또, 수지층이 유전체를 포함하는 경우에는, 수지층의 두께는 0.1 ∼ 50 ㎛ 인 것이 바람직하고, 0.5 ㎛ ∼ 25 ㎛ 인 것이 바람직하며, 1.0 ㎛ ∼ 15 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다.Moreover, when a resin layer contains a dielectric material, it is preferable that the thickness of a resin layer is 0.1-50 micrometers, It is preferable that it is 0.5 micrometer-25 micrometers, It is more preferable that it is 1.0 micrometer-15 micrometers.
또, 상기 경화 수지층, 반경화 수지층과의 총 수지층 두께는 0.1 ㎛ ∼ 120 ㎛ 인 것이 바람직하고, 5 ㎛ ∼ 120 ㎛ 인 것이 바람직하고, 10 ㎛ ∼ 120 ㎛ 인 것이 바람직하며, 10 ㎛ ∼ 60 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다. 그리고, 경화 수지층의 두께는 2 ㎛ ∼ 30 ㎛ 인 것이 바람직하고, 3 ㎛ ∼ 30 ㎛ 인 것이 바람직하며, 5 ㎛ ∼ 20 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다. 또, 반경화 수지층의 두께는 3 ㎛ ∼ 55 ㎛ 인 것이 바람직하고, 7 ㎛ ∼ 55 ㎛ 인 것이 바람직하며, 15 ㎛ ∼ 115 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다. 총 수지층 두께가 120 ㎛ 를 초과하면, 얇은 두께의 다층 프린트 배선판을 제조하는 것이 어려워지는 경우가 있고, 5 ㎛ 미만에서는 얇은 두께의 다층 프린트 배선판을 형성하기 쉬워지기는 하지만, 내층의 회로간에 있어서의 절연층인 수지층이 지나치게 얇아져, 내층의 회로간의 절연성을 불안정하게 하는 경향이 발생하는 경우가 있기 때문이다. 또, 경화 수지층 두께가 2 ㎛ 미만이면, 동박 조화면의 표면 조도를 고려할 필요가 발생하는 경우가 있다. 반대로 경화 수지층 두께가 20 ㎛ 를 초과하면, 경화가 끝난 수지층에 의한 효과는 특별히 향상되는 일이 없어지는 경우가 있어, 총 절연층 두께는 두꺼워진다.The total resin layer thickness of the cured resin layer and the semi-cured resin layer is preferably 0.1 µm to 120 µm, preferably 5 µm to 120 µm, preferably 10 µm to 120 µm, and 10 µm. It is more preferable that it is-60 micrometers. The thickness of the cured resin layer is preferably 2 µm to 30 µm, preferably 3 µm to 30 µm, and more preferably 5 µm to 20 µm. Moreover, it is preferable that the thickness of a semi-hardened resin layer is 3 micrometers-55 micrometers, It is preferable that it is 7 micrometers-55 micrometers, It is more preferable that it is 15 micrometers-115 micrometers. When the total resin layer thickness exceeds 120 µm, it may be difficult to manufacture a thin multilayer printed wiring board, and when it is less than 5 µm, it becomes easy to form a thin multilayer printed wiring board, but between circuits of the inner layer This is because the resin layer, which is an insulating layer of, may become too thin and a tendency to destabilize the insulation between circuits of the inner layer may occur. Moreover, when the cured resin layer thickness is less than 2 micrometers, the surface roughness of a copper foil roughening surface may arise. On the contrary, when the thickness of cured resin layer exceeds 20 micrometers, the effect by the hardened resin layer may not improve especially, and the total insulation layer thickness will become thick.
또한, 상기 수지층의 두께를 0.1 ㎛ ∼ 5 ㎛ 로 하는 경우에는, 수지층과 캐리어 부착 동박의 밀착성을 향상시키기 위해서, 극박 구리층 상에 내열층 및/또는 방청층 및/또는 크로메이트 처리층 및/또는 실란 커플링 처리층을 형성한 후에, 당해 내열층 또는 방청층 또는 크로메이트 처리층 또는 실란 커플링 처리층 상에 수지층을 형성하는 것이 바람직하다.Moreover, when setting the thickness of the said resin layer to 0.1 micrometer-5 micrometers, in order to improve the adhesiveness of a resin layer and copper foil with a carrier, a heat-resistant layer and / or an rustproof layer, and / or a chromate treatment layer on an ultra-thin copper layer, and After forming a silane coupling process layer, it is preferable to form a resin layer on the said heat-resistant layer, a rustproof layer, a chromate treatment layer, or a silane coupling process layer.
또한, 전술한 수지층의 두께는, 임의의 10 점에 있어서 단면 관찰에 의해 측정한 두께의 평균값을 말한다.In addition, the thickness of the above-mentioned resin layer says the average value of the thickness measured by cross-sectional observation in arbitrary ten points.
또한, 이 수지가 부착된 캐리어 부착 동박의 또 하나의 제품 형태로는, 상기 극박 구리층 상, 혹은 상기 내열층, 방청층, 혹은 상기 크로메이트 처리층, 혹은 상기 실란 커플링 처리층 상에 수지층으로 피복하고, 반경화 상태로 한 후, 이어서 캐리어를 박리하여, 캐리어가 존재하지 않는, 수지가 부착된 동박의 형태로 제조하는 것도 가능하다.Moreover, as another product form of the copper foil with a carrier with this resin, a resin layer is on the said ultra-thin copper layer, or on the said heat-resistant layer, a rustproof layer, or the said chromate treatment layer, or the said silane coupling process layer. It is also possible to coat | cover with and to make it semi-hardened, and then peeling a carrier and manufacturing it in the form of the copper foil with resin which carrier does not exist.
<6. 프린트 배선판><6. Printed Wiring Boards>
이하에, 본 발명에 관련된 표면 처리 동박 혹은 캐리어 부착 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 공정의 예를 몇가지 나타낸다. 또, 프린트 배선판에 전자 부품류를 탑재함으로써, 프린트 회로판이 완성한다.Below, some examples of the manufacturing process of the printed wiring board using the surface-treated copper foil which concerns on this invention or the copper foil with a carrier are shown. Moreover, a printed circuit board is completed by mounting electronic components in a printed wiring board.
상기 서술한 프로세스를 거쳐, 동박 캐리어와, 박리층과, 극박 구리층을 이 순서로 구비한 캐리어 부착 동박이 제조된다. 캐리어 부착 동박 자체의 사용 방법은 당업자에게 주지이지만, 예를 들어 극박 구리층의 표면을 종이 기재 페놀 수지, 종이 기재 에폭시 수지, 합성 섬유포 기재 에폭시 수지, 유리포·종이 복합 기재 에폭시 수지, 유리포·유리 부직포 복합 기재 에폭시 수지 및 유리포 기재 에폭시 수지, 폴리에스테르 필름, 폴리이미드 필름 등의 절연 기판에 첩합하여 열 압착 후에 캐리어를 박리함으로써 구리 피복 적층판을 형성한 후, 절연 기판에 접착한 극박 구리층을 목적으로 하는 도체 패턴으로 에칭하고, 최종적으로 프린트 배선판을 제조할 수 있다.The copper foil with a carrier provided with the copper foil carrier, a peeling layer, and an ultra-thin copper layer in this order is manufactured through the process mentioned above. Although the usage method of the copper foil with a carrier itself is well-known to those skilled in the art, For example, the surface of an ultra-thin copper layer is made into a paper base phenol resin, a paper base epoxy resin, a synthetic fiber cloth base epoxy resin, a glass cloth, a paper composite base material epoxy resin, and a glass cloth. Ultra-thin copper layer bonded to an insulating substrate after forming a copper clad laminated board by bonding together to an insulating substrate, such as a glass nonwoven composite base material epoxy resin and a glass cloth base epoxy resin, a polyester film, a polyimide film, and peeling a carrier after thermocompression bonding. It can be etched by a conductor pattern for the purpose of manufacturing the printed wiring board finally.
본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박은, 파인 피치의 프린트 배선판의 형성에 적합하다. 예를 들어, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박을 사용함으로써, 절연 기판과, 상기 절연 기판 상에 형성된 구리 회로를 갖고, 상기 구리 회로의 회로폭이 20 ㎛ 미만이고, 인접하는 구리 회로간의 스페이스의 폭이 20 ㎛ 미만인 프린트 배선판을 제조할 수 있다. 나아가서는, 상기 구리 회로의 회로폭이 17 ㎛ 이하이고, 인접하는 구리 회로간의 스페이스의 폭이 17 ㎛ 이하인 프린트 배선판을 제조할 수도 있다. 나아가서는, 상기 구리 회로의 회로폭이 15 ㎛ 이하이고, 인접하는 구리 회로간의 스페이스의 폭이 15 ㎛ 이하인 프린트 배선판을 제조할 수도 있다. 나아가서는, 상기 구리 회로의 회로폭이 5 ∼ 10 ㎛ 이고, 인접하는 구리 회로간의 스페이스의 폭이 5 ∼ 10 ㎛ 인 프린트 배선판을 제조할 수도 있다.The copper foil with a carrier which concerns on this invention is suitable for formation of the printed wiring board of fine pitch. For example, by using the copper foil with a carrier which concerns on this invention, it has an insulated substrate and the copper circuit formed on the said insulated substrate, The circuit width of the said copper circuit is less than 20 micrometers, and the width of the space between adjacent copper circuits. The printed wiring board of less than 20 micrometers can be manufactured. Furthermore, the printed wiring board of which the circuit width of the said copper circuit is 17 micrometers or less, and the width of the space between adjacent copper circuits is 17 micrometers or less can also be manufactured. Furthermore, the printed wiring board of 15 micrometers or less in circuit width of the said copper circuit, and the width | variety of the space between adjacent copper circuits can also be manufactured. Furthermore, the printed wiring board of 5-10 micrometers in the circuit width of the said copper circuit, and the width of the space between adjacent copper circuits can also be manufactured.
또한, 프린트 배선판에 전자 부품류를 탑재함으로써, 프린트 회로판이 완성한다. 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박을 사용함으로써, 예를 들어, 절연 기판과, 상기 절연 기판 상에 형성된 구리 회로를 갖고, 상기 구리 회로의 회로폭이 20 ㎛ 미만이고, 인접하는 구리 회로간의 스페이스의 폭이 20 ㎛ 미만인 프린트 회로판을 제조할 수 있다. 나아가서는, 상기 구리 회로의 회로폭이 17 ㎛ 이하이고, 인접하는 구리 회로간의 스페이스의 폭이 17 ㎛ 이하인 프린트 회로판을 제조할 수도 있다. 나아가서는, 상기 구리 회로의 회로폭이 17 ㎛ 이하이고, 인접하는 구리 회로간의 스페이스의 폭이 17 ㎛ 이하인 프린트 배선판을 제조할 수도 있다. 나아가서는, 상기 구리 회로의 회로폭이 15 ㎛ 이하이고, 인접하는 구리 회로간의 스페이스의 폭이 15 ㎛ 이하인 프린트 회로판을 제조할 수도 있다. 나아가서는, 상기 구리 회로의 회로폭이 5 ∼ 10 ㎛, 바람직하게는 5 ∼ 9 ㎛, 보다 바람직하게는 5 ∼ 8 ㎛ 이고, 인접하는 구리 회로간의 스페이스의 폭이 5 ∼ 10 ㎛, 바람직하게는 5 ∼ 9 ㎛, 보다 바람직하게는 5 ∼ 8 ㎛ 인 프린트 회로판을 제조할 수도 있다. 또, 라인 앤드 스페이스의 피치는 바람직하게는 40 ㎛ 미만, 보다 바람직하게는 34 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 30 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 20 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 15 ㎛ 이하이다. 또한, 라인 앤드 스페이스의 하한은 특별히 규정할 필요는 없지만, 예를 들어 6 ㎛ 이상, 혹은 8 ㎛ 이상, 혹은 10 ㎛ 이상이다.Moreover, a printed circuit board is completed by mounting electronic components in a printed wiring board. By using the copper foil with a carrier which concerns on this invention, for example, it has an insulated substrate and the copper circuit formed on the said insulated substrate, The circuit width of the said copper circuit is less than 20 micrometers, and the width of the space between adjacent copper circuits. A printed circuit board of less than 20 μm can be produced. Furthermore, the printed circuit board of 17 micrometers or less in the circuit width of the said copper circuit, and the width | variety of the space between adjacent copper circuits can also be manufactured. Furthermore, the printed wiring board of which the circuit width of the said copper circuit is 17 micrometers or less, and the width of the space between adjacent copper circuits is 17 micrometers or less can also be manufactured. Furthermore, the printed circuit board of 15 micrometers or less in the circuit width of the said copper circuit, and the width | variety of the space between adjacent copper circuits can also be manufactured. Furthermore, the circuit width of the said copper circuit is 5-10 micrometers, Preferably it is 5-9 micrometers, More preferably, it is 5-8 micrometers, The width of the space between adjacent copper circuits is 5-10 micrometers, Preferably You may manufacture the printed circuit board of 5-9 micrometers, More preferably, it is 5-8 micrometers. Moreover, the pitch of line and space becomes like this. Preferably it is less than 40 micrometers, More preferably, it is 34 micrometers or less, More preferably, it is 30 micrometers or less, More preferably, it is 20 micrometers or less, More preferably, it is 15 micrometers or less. In addition, the lower limit of a line and space does not need to be specifically defined, For example, it is 6 micrometers or more, or 8 micrometers or more, or 10 micrometers or more.
또한, 라인 앤드 스페이스의 피치란, 구리 회로의 폭의 중앙으로부터 인접하는 구리 회로의 폭의 중앙까지의 거리이다.The pitch of the line and space is the distance from the center of the width of the copper circuit to the center of the width of the adjacent copper circuit.
이하에, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 공정의 예를 몇가지 나타낸다.Below, some examples of the manufacturing process of the printed wiring board using the copper foil with a carrier which concerns on this invention are shown.
본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 극박 구리층측이 절연 기판과 대향하도록 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 박리하는 공정을 거쳐 구리 피복 적층판을 형성하고, 그 후, 세미 애디티브법, 모디파이드 세미 애디티브법, 파틀리 애디티브법 및 서브트랙티브법 중 어느 방법에 의해 회로를 형성하는 공정을 포함한다. 절연 기판은 내층 회로가 삽입된 것으로 하는 것도 가능하다.In one Embodiment of the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this invention, the process of preparing the copper foil with a carrier and an insulated substrate concerning this invention, the process of laminating the said copper foil with a carrier, and an insulated substrate, the said copper foil with a carrier, and an insulated substrate After lamination | stacking so that an ultra-thin copper layer side may face an insulated substrate, a copper clad laminated board is formed through the process of peeling the carrier of the said copper foil with a carrier, and the semiadditive process, the modified semiadditive process, and a partly The process of forming a circuit by any of an additive method and a subtractive method is included. It is also possible for the insulating substrate to have an inner layer circuit inserted therein.
본 발명에 있어서, 세미 애디티브법이란, 절연 기판 또는 동박 시드층 상에 얇은 무전해 도금을 실시하고, 패턴을 형성 후, 전기 도금 및 에칭을 이용하여 도체 패턴을 형성하는 방법을 가리킨다.In the present invention, the semi-additive method refers to a method of forming a conductive pattern using electroplating and etching after forming a pattern on a thin electroless plating on an insulating substrate or a copper foil seed layer.
따라서, 세미 애디티브법을 이용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정,Therefore, in one Embodiment of the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this invention using the semiadditive process, the process of preparing the copper foil with a carrier which concerns on this invention, and an insulated substrate,
상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,Laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate;
상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 박리하는 공정,After laminating | stacking the said copper foil with a carrier and an insulated substrate, the process of peeling the carrier of the said copper foil with a carrier,
상기 캐리어를 박리하여 노출한 극박 구리층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 모두 제거하는 공정,Removing all of the ultra-thin copper layers exposed by peeling the carrier by a method such as etching or plasma using a corrosion solution such as an acid,
상기 극박 구리층을 에칭에 의해 제거함으로써 노출한 수지층 및 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정,Forming a through hole or / and a blind via in the exposed resin layer and the insulating substrate by removing the ultrathin copper layer by etching;
상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정,Performing a desmear treatment on the region including the through hole and / or the blind via,
상기 수지 및 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정,Forming an electroless plating layer on a region comprising said resin and said through hole or / and blind via,
상기 무전해 도금층 상에 도금 레지스트를 형성하는 공정,Forming a plating resist on the electroless plating layer,
상기 도금 레지스트에 대해 노광하고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정,Exposing to the plating resist and then removing the plating resist in the region where the circuit is formed;
상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에 전기 도금층을 형성하는 공정,Forming an electroplating layer in a region where the circuit from which the plating resist is removed is formed;
상기 도금 레지스트를 제거하는 공정,Removing the plating resist,
상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정,Removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like,
을 포함한다.It includes.
세미 애디티브법을 이용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정,In another embodiment of the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this invention using the semiadditive process, the process of preparing the copper foil with a carrier which concerns on this invention, and an insulated substrate,
상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,Laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate;
상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 박리하는 공정,After laminating | stacking the said copper foil with a carrier and an insulated substrate, the process of peeling the carrier of the said copper foil with a carrier,
상기 캐리어를 박리하여 노출한 극박 구리층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 모두 제거하는 공정,Removing all of the ultra-thin copper layers exposed by peeling the carrier by a method such as etching or plasma using a corrosion solution such as an acid,
상기 극박 구리층을 에칭에 의해 제거함으로써 노출한 수지층의 표면에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정,Forming an electroless plating layer on the surface of the exposed resin layer by removing the ultrathin copper layer by etching;
상기 무전해 도금층 상에 도금 레지스트를 형성하는 공정,Forming a plating resist on the electroless plating layer,
상기 도금 레지스트에 대해 노광하고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정,Exposing to the plating resist and then removing the plating resist in the region where the circuit is formed;
상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에 전기 도금층을 형성하는 공정,Forming an electroplating layer in a region where the circuit from which the plating resist is removed is formed;
상기 도금 레지스트를 제거하는 공정,Removing the plating resist,
상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정,Removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like,
을 포함한다.It includes.
본 발명에 있어서, 모디파이드 세미 애디티브법이란, 절연층 상에 금속박을 적층하고, 도금 레지스트에 의해 비회로 형성부를 보호하고, 전기 도금에 의해 회로 형성부의 구리 두께 형성을 실시한 후, 레지스트를 제거하고, 상기 회로 형성부 이외의 금속박을 (플래시) 에칭으로 제거함으로써, 절연층 상에 회로를 형성하는 방법을 가리킨다.In the present invention, the modified semi-additive method is to remove a resist after laminating a metal foil on an insulating layer, protecting the non-circuit forming portion by a plating resist, and forming the copper thickness of the circuit forming portion by electroplating. And the method of forming a circuit on an insulating layer by removing metal foils other than the said circuit formation part by (flash) etching is pointed out.
따라서, 모디파이드 세미 애디티브법을 이용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정,Therefore, in one Embodiment of the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this invention using the Modified semiadditive process, the process of preparing the copper foil with a carrier which concerns on this invention, and an insulated substrate,
상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,Laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate;
상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 박리하는 공정,After laminating | stacking the said copper foil with a carrier and an insulated substrate, the process of peeling the carrier of the said copper foil with a carrier,
상기 캐리어를 박리하여 노출한 극박 구리층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정,Forming a through hole or / and a blind via in the ultrathin copper layer and the insulating substrate exposed by peeling the carrier;
상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정,Performing a desmear treatment on the region including the through hole and / or the blind via,
상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정,Forming an electroless plating layer on the region including the through hole and / or the blind via,
상기 캐리어를 박리하여 노출한 극박 구리층 표면에 도금 레지스트를 형성하는 공정,Forming a plating resist on the surface of the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier;
상기 도금 레지스트를 형성한 후에, 전기 도금에 의해 회로를 형성하는 공정,After forming the plating resist, forming a circuit by electroplating,
상기 도금 레지스트를 제거하는 공정,Removing the plating resist,
상기 도금 레지스트를 제거함으로써 노출한 극박 구리층을 플래시 에칭에 의해 제거하는 공정,Removing the ultrathin copper layer exposed by removing the plating resist by flash etching;
을 포함한다.It includes.
모디파이드 세미 애디티브법을 이용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정,In another embodiment of the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this invention using the modified semiadditive process, the process of preparing the copper foil with a carrier which concerns on this invention, and an insulated substrate,
상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,Laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate;
상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 박리하는 공정,After laminating | stacking the said copper foil with a carrier and an insulated substrate, the process of peeling the carrier of the said copper foil with a carrier,
상기 캐리어를 박리하여 노출한 극박 구리층 상에 도금 레지스트를 형성하는 공정,Peeling the carrier to form a plating resist on the exposed ultrathin copper layer,
상기 도금 레지스트에 대해 노광하고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정,Exposing to the plating resist and then removing the plating resist in the region where the circuit is formed;
상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에 전기 도금층을 형성하는 공정,Forming an electroplating layer in a region where the circuit from which the plating resist is removed is formed;
상기 도금 레지스트를 제거하는 공정,Removing the plating resist,
상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 극박 구리층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정,Removing the ultrathin copper layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like,
을 포함한다.It includes.
본 발명에 있어서, 파틀리 애디티브법이란, 도체층을 형성하여 이루어지는 기판, 필요에 따라 스루홀이나 비어홀용의 구멍을 뚫어 이루어지는 기판 상에 촉매 핵을 부여하고, 에칭하여 도체 회로를 형성하고, 필요에 따라 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트를 형성한 후에, 상기 도체 회로 상, 스루홀이나 비어홀 등에 무전해 도금 처리에 의해 두께 형성을 실시함으로써, 프린트 배선판을 제조하는 방법을 가리킨다.In the present invention, the partly additive method is provided with a catalyst nucleus on a substrate formed by forming a conductor layer and a substrate formed through holes for through holes and via holes, if necessary, to form a conductor circuit, After forming a soldering resist or plating resist as needed, the method of manufacturing a printed wiring board is performed by forming thickness by electroless-plating process on the said conductor circuit, a through hole, a via hole, etc.
따라서, 파틀리 애디티브법을 이용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정,Therefore, in one Embodiment of the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this invention using a partly additive method, the process of preparing the copper foil with a carrier which concerns on this invention, and an insulated substrate,
상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,Laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate;
상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 박리하는 공정,After laminating | stacking the said copper foil with a carrier and an insulated substrate, the process of peeling the carrier of the said copper foil with a carrier,
상기 캐리어를 박리하여 노출한 극박 구리층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정,Forming a through hole or / and a blind via in the ultrathin copper layer and the insulating substrate exposed by peeling the carrier;
상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정,Performing a desmear treatment on the region including the through hole and / or the blind via,
상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 촉매 핵을 부여하는 공정,Applying a catalyst nucleus to a region comprising said through hole or / and blind via,
상기 캐리어를 박리하여 노출한 극박 구리층 표면에 에칭 레지스트를 형성하는 공정,Forming an etching resist on the surface of the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier;
상기 에칭 레지스트에 대해 노광하고, 회로 패턴을 형성하는 공정,Exposing the etching resist and forming a circuit pattern;
상기 극박 구리층 및 상기 촉매 핵을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거하여, 회로를 형성하는 공정,Removing the ultrathin copper layer and the catalyst nucleus by a method such as etching or plasma using a corrosion solution such as an acid to form a circuit,
상기 에칭 레지스트를 제거하는 공정,Removing the etching resist,
상기 극박 구리층 및 상기 촉매 핵을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거하여 노출한 상기 절연 기판 표면에 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트를 형성하는 공정,Removing the ultrathin copper layer and the catalyst nucleus by etching or plasma using a corrosion solution such as an acid to form a solder resist or a plating resist on the exposed surface of the insulating substrate,
상기 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트가 형성되어 있지 않은 영역에 무전해 도금층을 형성하는 공정,Forming an electroless plating layer in a region where the solder resist or the plating resist is not formed,
을 포함한다.It includes.
본 발명에 있어서, 서브트랙티브법이란, 구리 피복 적층판 상의 동박의 불필요한 부분을 에칭 등에 의해 선택적으로 제거하여, 도체 패턴을 형성하는 방법을 가리킨다.In the present invention, the subtractive method refers to a method of selectively removing unnecessary portions of copper foil on a copper clad laminate by etching or the like to form a conductor pattern.
따라서, 서브트랙티브법을 이용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정,Therefore, in one Embodiment of the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this invention using the subtractive method, the process of preparing the copper foil with a carrier which concerns on this invention, and an insulated substrate,
상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,Laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate;
상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 박리하는 공정,After laminating | stacking the said copper foil with a carrier and an insulated substrate, the process of peeling the carrier of the said copper foil with a carrier,
상기 캐리어를 박리하여 노출한 극박 구리층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정,Forming a through hole or / and a blind via in the ultrathin copper layer and the insulating substrate exposed by peeling the carrier;
상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정,Performing a desmear treatment on the region including the through hole and / or the blind via,
상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정,Forming an electroless plating layer on the region including the through hole and / or the blind via,
상기 무전해 도금층의 표면에 전기 도금층을 형성하는 공정,Forming an electroplating layer on the surface of the electroless plating layer,
상기 전기 도금층 또는/및 상기 극박 구리층의 표면에 에칭 레지스트를 형성하는 공정,Forming an etching resist on the surface of the electroplating layer and / or the ultrathin copper layer,
상기 에칭 레지스트에 대해 노광하고, 회로 패턴을 형성하는 공정,Exposing the etching resist and forming a circuit pattern;
상기 극박 구리층 및 상기 무전해 도금층 및 상기 전기 도금층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거하여, 회로를 형성하는 공정,Removing the ultrathin copper layer, the electroless plating layer, and the electroplating layer by a method such as etching or plasma using a corrosion solution such as an acid to form a circuit,
상기 에칭 레지스트를 제거하는 공정,Removing the etching resist,
을 포함한다.It includes.
서브트랙티브법을 이용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정,In another embodiment of the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this invention using the subtractive method, the process of preparing the copper foil with a carrier which concerns on this invention, and an insulated substrate,
상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,Laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate;
상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 박리하는 공정,After laminating | stacking the said copper foil with a carrier and an insulated substrate, the process of peeling the carrier of the said copper foil with a carrier,
상기 캐리어를 박리하여 노출한 극박 구리층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정,Forming a through hole or / and a blind via in the ultrathin copper layer and the insulating substrate exposed by peeling the carrier;
상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정,Performing a desmear treatment on the region including the through hole and / or the blind via,
상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정,Forming an electroless plating layer on the region including the through hole and / or the blind via,
상기 무전해 도금층의 표면에 마스크를 형성하는 공정,Forming a mask on the surface of the electroless plating layer,
마스크가 형성되어 있지 않은 상기 무전해 도금층의 표면에 전기 도금층을 형성하는 공정,Forming an electroplating layer on the surface of the electroless plating layer on which no mask is formed;
상기 전기 도금층 또는/및 상기 극박 구리층의 표면에 에칭 레지스트를 형성하는 공정,Forming an etching resist on the surface of the electroplating layer and / or the ultrathin copper layer,
상기 에칭 레지스트에 대해 노광하고, 회로 패턴을 형성하는 공정,Exposing the etching resist and forming a circuit pattern;
상기 극박 구리층 및 상기 무전해 도금층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거하여, 회로를 형성하는 공정,Removing the ultrathin copper layer and the electroless plating layer by a method such as etching or plasma using a corrosion solution such as an acid to form a circuit,
상기 에칭 레지스트를 제거하는 공정,Removing the etching resist,
을 포함한다.It includes.
스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정 및 그 후의 디스미어 공정은 실시하지 않아도 된다.The step of forming the through hole or / and the blind via and the subsequent desmear step need not be performed.
여기서, 본 발명의 캐리어 부착 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예를 도면을 이용하여 상세하게 설명한다. 또한, 여기서는 조화 처리층이 형성된 극박 구리층을 갖는 캐리어 부착 동박을 예로 설명하지만, 이것에 한정되지 않고, 조화 처리층이 형성되어 있지 않은 극박 구리층을 갖는 캐리어 부착 동박을 사용해도 마찬가지로 하기의 프린트 배선판의 제조 방법을 실시할 수 있다.Here, the specific example of the manufacturing method of the printed wiring board using the copper foil with a carrier of this invention is demonstrated in detail using drawing. In addition, although the copper foil with a carrier which has the ultra-thin copper layer in which the roughening process layer was formed here is demonstrated to an example, it is not limited to this, The same print is also performed using the copper foil with a carrier which has the ultra-thin copper layer in which the roughening process layer is not formed. The manufacturing method of a wiring board can be implemented.
먼저, 도 3-A 에 나타내는 바와 같이, 표면에 조화 처리층이 형성된 극박 구리층을 갖는 캐리어 부착 동박 (1 층째) 을 준비한다.First, as shown to FIG. 3-A, the copper foil with a carrier (1st layer) which has the ultra-thin copper layer in which the roughening process layer was formed in the surface is prepared.
다음으로, 도 3-B 에 나타내는 바와 같이, 극박 구리층의 조화 처리층 상에 레지스트를 도포하고, 노광·현상을 실시하고, 레지스트를 소정의 형상으로 에칭한다.Next, as shown to FIG. 3-B, a resist is apply | coated on the roughening process layer of an ultra-thin copper layer, exposure and development are performed, and a resist is etched to a predetermined shape.
다음으로, 도 3-C 에 나타내는 바와 같이, 회로용의 도금을 형성한 후, 레지스트를 제거함으로써, 소정 형상의 회로 도금을 형성한다.Next, as shown to FIG. 3-C, after forming metal plating for circuits, circuit plating of a predetermined shape is formed by removing a resist.
다음으로, 도 4-D 에 나타내는 바와 같이, 회로 도금을 덮도록 (회로 도금이 매몰되도록) 극박 구리층 상에 매립 수지를 형성하여 수지층을 적층하고, 계속해서 다른 캐리어 부착 동박 (2 층째) 을 극박 구리층측으로부터 접착시킨다.Next, as shown to FIG. 4-D, embedding resin is formed on an ultra-thin copper layer so that circuit plating may be covered (so that circuit plating may be buried), a resin layer is laminated | stacked, and copper foil with another carrier (2nd layer) is then continued. Is bonded from the ultrathin copper layer side.
다음으로, 도 4-E 에 나타내는 바와 같이, 2 층째의 캐리어 부착 동박으로부터 캐리어를 박리한다.Next, as shown to FIG. 4-E, a carrier is peeled off from the copper foil with a carrier of a 2nd layer.
다음으로, 도 4-F 에 나타내는 바와 같이, 수지층의 소정 위치에 레이저 구멍 형성을 실시하고, 회로 도금을 노출시켜 블라인드 비아를 형성한다.Next, as shown to FIG. 4-F, a laser hole is formed in the predetermined position of a resin layer, and circuit plating is exposed and a blind via is formed.
다음으로, 도 5-G 에 나타내는 바와 같이, 블라인드 비아에 구리를 매립하고 비아 필을 형성한다.Next, as shown to FIG. 5-G, copper is embedded in a blind via and a via fill is formed.
다음으로, 도 5-H 에 나타내는 바와 같이, 비아 필 상에, 상기 도 3-B 및 도 3-C 와 같이 하여 회로 도금을 형성한다.Next, as shown to FIG. 5-H, circuit plating is formed on a via fill like FIG. 3-B and FIG. 3-C.
다음으로, 도 5-I 에 나타내는 바와 같이, 1 층째의 캐리어 부착 동박으로부터 캐리어를 박리한다.Next, as shown to FIG. 5-I, a carrier is peeled off from the copper foil with a carrier of a 1st layer.
다음으로, 도 6-J 에 나타내는 바와 같이, 플래시 에칭에 의해 양 표면의 극박 구리층을 제거하고, 수지층 내의 회로 도금의 표면을 노출시킨다.Next, as shown to FIG. 6-J, the ultra-thin copper layer of both surfaces is removed by flash etching, and the surface of the circuit plating in a resin layer is exposed.
다음으로, 도 6-K 에 나타내는 바와 같이, 수지층 내의 회로 도금 상에 범프를 형성하고, 당해 땜납 상에 구리 필러를 형성한다. 이와 같이 하여 본 발명의 캐리어 부착 동박을 사용한 프린트 배선판을 제조한다.Next, as shown to FIG. 6-K, bump is formed on the circuit plating in a resin layer, and a copper filler is formed on the said solder. Thus, the printed wiring board using the copper foil with a carrier of this invention is manufactured.
상기 다른 캐리어 부착 동박 (2 층째) 은, 본 발명의 캐리어 부착 동박을 사용해도 되고, 종래의 캐리어 부착 동박을 사용해도 되며, 또한 통상적인 동박을 사용해도 된다. 또, 도 5-H 에 나타내는 2 층째의 회로 상에, 추가로 회로를 1 층 혹은 복수 층 형성해도 되고, 그들 회로 형성을 세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파틀리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해 실시해도 된다.The said other copper foil with a carrier (2nd layer) may use the copper foil with a carrier of this invention, you may use the conventional copper foil with a carrier, and may use a normal copper foil. In addition, one or more circuits may be formed on the circuit of the second layer shown in Fig. 5-H, and the circuit formation may be formed by a semiadditive method, a subtractive method, a partly additive method, or a modifier. You may implement by any method of the semiadditive process.
또, 상기 1 층째에 사용되는 캐리어 부착 동박은, 당해 캐리어 부착 동박의 캐리어측 표면에 기판을 가져도 된다. 당해 기판 또는 수지층을 가짐으로써 1 층째에 사용되는 캐리어 부착 동박은 지지되고, 주름이 들어가기 어려워지기 때문에, 생산성이 향상된다는 이점이 있다. 또한, 상기 기판에는, 상기 1 층째에 사용되는 캐리어 부착 동박을 지지하는 효과가 있는 것이면, 모든 기판을 사용할 수 있다. 예를 들어 상기 기판으로서 본원 명세서에 기재된 캐리어, 프리프레그, 수지층이나 공지된 캐리어, 프리프레그, 수지층, 금속판, 금속박, 무기 화합물의 판, 무기 화합물의 박, 유기 화합물의 판, 유기 화합물의 박을 사용할 수 있다.Moreover, the copper foil with a carrier used for the said 1st layer may have a board | substrate on the carrier side surface of the said copper foil with a carrier. By having the said board | substrate or the resin layer, the copper foil with a carrier used for 1st layer is supported, and since wrinkles become difficult to enter, there exists an advantage that productivity improves. Moreover, as long as there is an effect which supports the copper foil with a carrier used for the said 1st layer, all the board | substrates can be used for the said board | substrate. For example, as the substrate, the carrier, prepreg, resin layer or known carrier, prepreg, resin layer, metal plate, metal foil, plate of inorganic compound, foil of inorganic compound, plate of organic compound, organic compound Park can be used.
캐리어측 표면에 기판을 형성하는 타이밍에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 캐리어를 박리하기 전에 형성하는 것이 필요하다. 특히, 상기 캐리어 부착 동박의 상기 극박 구리층측 표면에 수지층을 형성하는 공정 전에 형성하는 것이 바람직하고, 캐리어 부착 동박의 상기 극박 구리층측 표면에 회로를 형성하는 공정 전에 형성하는 것이 보다 바람직하다.Although there is no restriction | limiting in particular about the timing which forms a board | substrate on a carrier side surface, It is necessary to form before peeling a carrier. It is preferable to form before a process of forming a resin layer in the said ultra-thin copper layer side surface of the said copper foil with a carrier especially, and to form before a process of forming a circuit in the said ultra-thin copper layer side surface of the copper foil with a carrier.
본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박은, 극박 구리층 표면의 색차가 이하 (1) 을 만족하도록 제어되어 있는 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서 「극박 구리층 표면의 색차」 란, 극박 구리층의 표면의 색차, 또는 조화 처리 등의 각종 표면 처리가 실시되어 있는 경우에는 그 표면 처리층 표면의 색차를 나타낸다. 즉, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박은, 극박 구리층 또는 조화 처리층 또는 내열층 또는 방청층 또는 크로메이트 처리층 또는 실란 커플링층의 표면의 색차가 이하 (1) 을 만족하도록 제어되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the copper foil with a carrier which concerns on this invention is controlled so that the color difference of the ultra-thin copper layer surface may satisfy the following (1). In this invention, when the color difference of the surface of an ultra-thin copper layer, or various surface treatments, such as a roughening process, is given, the color difference of the surface of the surface treatment layer shows. That is, it is preferable that the copper foil with a carrier which concerns on this invention is controlled so that the color difference of the surface of an ultra-thin copper layer or a roughening process layer, a heat resistant layer, or a rustproof layer, or a chromate treatment layer, or a silane coupling layer may satisfy the following (1). .
(1) 극박 구리층 또는 조화 처리층 또는 내열층 또는 방청층 또는 크로메이트 처리층 또는 실란 커플링 처리층의 표면의 JIS Z8730 에 기초하는 색차 ΔE*ab 가 45 이상이다.(1) Color difference (DELTA) E * ab based on JISZ8730 of the surface of an ultra-thin copper layer or a roughening process layer, a heat resistant layer, or a rustproof layer, or a chromate treatment layer, or a silane coupling process layer is 45 or more.
여기서, 색차 ΔL, Δa, Δb 는, 각각 색차계로 측정되고, 흑/백/적/녹/황/청을 가미하여, JIS Z8730 에 기초하는 L*a*b 표색계를 이용하여 나타내는 종합 지표이며, ΔL : 흑백, Δa : 적록, Δb : 황청으로서 나타낸다. 또, ΔE*ab 는 이들 색차를 이용하여 하기 식으로 나타낸다.Here, color difference (DELTA) L, (D) a, (DELTA) b is a comprehensive index measured with a color difference meter, respectively, and adds black / white / red / green / yellow / blue, and shows it using the L * a * b colorimeter based on JIS Z8730, ΔL: black and white, Δa: red green, Δb: cyan. Moreover, (DELTA) E * ab is represented by a following formula using these color differences.
상기 서술한 색차는, 극박 구리층 형성시의 전류 밀도를 높게 하고, 도금액 중의 구리 농도를 낮게 하고, 도금액의 선 유속을 높게 함으로써 조정할 수 있다.The color difference mentioned above can be adjusted by making the current density at the time of ultra-thin copper layer formation high, making copper concentration low in a plating liquid, and making high the line flow velocity of a plating liquid.
또 상기 서술한 색차는, 극박 구리층의 표면에 조화 처리를 실시하여 조화 처리층을 형성함으로써 조정할 수도 있다. 조화 처리층을 형성하는 경우에는 구리 및 니켈, 코발트, 텅스텐, 몰리브덴으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 포함하는 전계액을 사용하여, 종래보다 전류 밀도를 높게 (예를 들어 40 ∼ 60 A/d㎡) 하고, 처리 시간을 짧게 (예를 들어 0.1 ∼ 1.3 초) 함으로써 조정할 수 있다. 극박 구리층의 표면에 조화 처리층을 형성하지 않는 경우에는, Ni 의 농도를 기타 원소의 2 배 이상으로 한 도금욕을 사용하여, 극박 구리층 또는 내열층 또는 방청층 또는 크로메이트 처리층 또는 실란 커플링 처리층의 표면에 Ni 합금 도금 (예를 들어 Ni-W 합금 도금, Ni-Co-P 합금 도금, Ni-Zn 합금 도금) 을 종래보다 저전류 밀도 (0.1 ∼ 1.3 A/d㎡) 로 처리 시간을 길게 (20 초 ∼ 40 초) 설정하여 처리함으로써 달성할 수 있다.Moreover, the color difference mentioned above can also be adjusted by giving a roughening process to the surface of an ultra-thin copper layer, and forming a roughening process layer. In the case of forming the roughened layer, the current density is higher than the conventional one (for example, 40 to 60 A) by using an electric field solution containing at least one element selected from the group consisting of copper and nickel, cobalt, tungsten, and molybdenum. / dm 2) and can be adjusted by shortening the treatment time (for example, 0.1 to 1.3 seconds). When the roughening layer is not formed on the surface of the ultrathin copper layer, an ultrathin copper layer or a heat resistant layer or an rustproof layer or a chromate treated layer or a silane coupler is used by using a plating bath having a concentration of Ni 2 times or more of other elements. Ni alloy plating (for example, Ni-W alloy plating, Ni-Co-P alloy plating, and Ni-Zn alloy plating) is treated on the surface of the ring treatment layer at a lower current density (0.1 to 1.3 A / dm 2) than before. It can achieve by setting time (20 second-40 second) and processing.
극박 구리층 표면의 JIS Z8730 에 기초하는 색차 ΔE*ab 가 45 이상이면, 예를 들어, 캐리어 부착 동박의 극박 구리층 표면에 회로를 형성할 때에, 극박 구리층과 회로의 콘트라스트가 선명해지고, 그 결과, 시인성이 양호해져 회로의 위치 맞춤을 양호한 정밀도로 실시할 수 있다. 극박 구리층 표면의 JIS Z8730 에 기초하는 색차 ΔE*ab 는, 바람직하게는 50 이상이고, 보다 바람직하게는 55 이상이며, 더욱 보다 바람직하게는 60 이상이다.When the color difference ΔE * ab based on JIS Z8730 on the ultrathin copper layer surface is 45 or more, for example, when forming a circuit on the ultrathin copper layer surface of the copper foil with a carrier, the contrast between the ultrathin copper layer and the circuit becomes clear, and As a result, visibility is good and the circuit can be aligned with good precision. The color difference ΔE * ab based on JIS Z8730 on the surface of the ultrathin copper layer is preferably 50 or more, more preferably 55 or more, still more preferably 60 or more.
극박 구리층 또는 조화 처리층 또는 내열층 또는 방청층 또는 크로메이트 처리층 또는 실란 커플링층의 표면의 색차가 상기와 같이 제어되어 있는 경우에는, 회로 도금과의 콘트라스트가 선명해져, 시인성이 양호해진다. 따라서, 상기 서술한 바와 같은 프린트 배선판의 예를 들어 도 3-C 에 나타내는 바와 같은 제조 공정에 있어서, 회로 도금을 양호한 정밀도로 소정의 위치에 형성하는 것이 가능해진다. 또, 상기 서술한 바와 같은 프린트 배선판의 제조 방법에 의하면, 회로 도금이 수지층에 매립된 구성으로 되어 있기 때문에, 예를 들어 도 6-J 에 나타내는 바와 같은 플래시 에칭에 의한 극박 구리층의 제거시에, 회로 도금이 수지층에 의해 보호되어, 그 형상이 유지되고, 이에 따라 미세 회로의 형성이 용이해진다. 또, 회로 도금이 수지층에 의해 보호되기 때문에, 내 (耐) 마이그레이션성이 향상되고, 회로의 배선의 도통이 양호하게 억제된다. 이 때문에, 미세 회로의 형성이 용이해진다. 또, 도 6-J 및 도 6-K 에 나타내는 바와 같이 플래시 에칭에 의해 극박 구리층을 제거했을 때, 회로 도금의 노출면이 수지층으로부터 패인 형상이 되기 때문에, 당해 회로 도금 상에 범프가, 또한 그 위에 구리 필러가 각각 형성되기 쉬워져, 제조 효율이 향상된다.When the color difference of the surface of an ultra-thin copper layer or a roughening process layer, a heat resistant layer, or a rustproof layer, or a chromate treatment layer, or a silane coupling layer is controlled as mentioned above, contrast with circuit plating becomes clear and visibility is favorable. Therefore, in the manufacturing process as shown in FIG. 3-C, for example of the printed wiring board mentioned above, it becomes possible to form circuit plating in a predetermined position with favorable precision. Moreover, according to the manufacturing method of the printed wiring board mentioned above, since the circuit plating is a structure embedded in the resin layer, when removing the ultra-thin copper layer by flash etching as shown to FIG. 6-J, for example, In this way, the circuit plating is protected by the resin layer, and the shape thereof is maintained, thereby facilitating formation of a fine circuit. Moreover, since circuit plating is protected by a resin layer, migration resistance improves and the conduction of the wiring of a circuit is suppressed favorably. For this reason, formation of a fine circuit becomes easy. Moreover, when the ultra-thin copper layer is removed by flash etching as shown to FIG. 6-J and 6-K, since the exposed surface of circuit plating turns into a recessed shape from the resin layer, bumps are formed on the said circuit plating, Moreover, a copper filler becomes easy to form on it, respectively, and manufacturing efficiency improves.
또한, 매립 수지 (레진) 에는 공지된 수지, 프리프레그를 사용할 수 있다. 예를 들어, BT (비스말레이미드트리아진) 레진이나 BT 레진을 함침시킨 유리포인 프리프레그, 아지노모토 파인 테크노 주식회사 제조 ABF 필름이나 ABF 를 사용할 수 있다. 또, 상기 매립 수지 (레진) 에는 본 명세서에 기재된 수지층 및/또는 수지 및/또는 프리프레그를 사용할 수 있다.In addition, well-known resin and prepreg can be used for embedding resin (resin). For example, prepreg which is glass cloth impregnated with BT (bismaleimide triazine) resin or BT resin, ABF film and ABF made by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd. can be used. Moreover, the resin layer and / or resin and / or prepreg described in this specification can be used for the said embedded resin (resin).
실시예Example
이하에, 본 발명의 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 전혀 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although an Example of this invention demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited at all by these Examples.
1. 캐리어 부착 동박의 제조1. Manufacture of Copper Foil with Carrier
<실시예 1><Example 1>
동박 캐리어로서, 두께 35 ㎛ 의 장척의 전해 동박 (JX 닛코 닛세키 킨조쿠사 제조 JTC) 을 준비하였다. 이 동박의 샤이니면 (Rz : 1.2 ∼ 1.4 ㎛) 에 대해, 이하의 조건으로 롤·투·롤형의 연속 도금 라인 (도 2 에 나타내는 구절양장 방식을 채용) 으로 전기 도금함으로써 4000 ㎍/d㎡ 의 부착량의 Ni 층을 형성하였다.As the copper foil carrier, a long electrolytic copper foil (JTC manufactured by JX Nikko Niseki Kinzoku Co., Ltd.) having a thickness of 35 µm was prepared. 4000 g / dm 2 of electrolytic plating was performed on the shiny surface of the copper foil (Rz: 1.2 to 1.4 µm) with a roll-to-roll type continuous plating line (adopted the sectional dressing method shown in Fig. 2) under the following conditions. An adhesion layer of Ni layer was formed.
·Ni 층Ni layer
황산니켈 : 250 ∼ 300 g/ℓNickel sulfate: 250 to 300 g / l
염화니켈 : 35 ∼ 45 g/ℓNickel chloride: 35 to 45 g / l
아세트산니켈 : 10 ∼ 20 g/ℓNickel acetate: 10 to 20 g / l
시트르산3나트륨 : 15 ∼ 30 g/ℓTrisodium citrate: 15 to 30 g / l
광택제 : 사카린, 부틴디올 등Polishes: Saccharin, Butyndiol, etc.
도데실황산나트륨 : 30 ∼ 100 ppmSodium dodecyl sulfate: 30-100 ppm
pH : 4 ∼ 6pH: 4-6
욕온 : 50 ∼ 70 ℃Bath temperature: 50-70 ℃
전류 밀도 : 3 ∼ 15 A/d㎡Current density: 3 to 15 A / dm 2
수세 및 산세 후, 계속해서, 롤·투·롤형의 연속 도금 라인 (도 2 에 나타내는 구절양장 방식을 채용) 상에서, Ni 층 상에 11 ㎍/d㎡ 의 부착량의 Cr 층을 이하의 조건으로 전해 크로메이트 처리함으로써 부착시켰다.After washing and pickling, a Cr layer having an adhesion amount of 11 µg / dm 2 was deposited on the Ni layer on the following conditions on a roll-to-roll type continuous plating line (adopted the sectional dressing method shown in Fig. 2). It adhered by chromate treatment.
·전해 크로메이트 처리Electrolytic Chromate Treatment
액조성 : 중크롬산칼륨 1 ∼ 10 g/ℓ, 아연 0 ∼ 5 g/ℓLiquid composition: potassium dichromate 1-10 g / l, zinc 0-5 g / l
pH : 3 ∼ 4pH: 3-4
액온 : 50 ∼ 60 ℃Liquid temperature: 50 to 60 ℃
전류 밀도 : 0.1 ∼ 2.6 A/d㎡Current density: 0.1 to 2.6 A / dm 2
쿨롬량 : 0.5 ∼ 30 As/d㎡Coulomb amount: 0.5 to 30 As / dm 2
계속해서, 롤·투·롤형의 연속 도금 라인 상 (도 1 에 나타내는 드럼 방식을 채용) 에서, Cr 층 상에 두께 3 ㎛ 의 극박 구리층을 이하의 조건으로 전기 도금함으로써 형성하여, 캐리어 부착 동박을 제조하였다. 또한, 본 실시예에서는 극박 구리층의 두께를 1, 2, 5, 10 ㎛ 로 한 캐리어 부착 동박에 대해서도 제조하고, 극박 구리층의 두께가 3 ㎛ 인 실시예와 동일하게 평가하였다. 결과는 두께에 상관없이 동일해졌다.Subsequently, on the roll-to-roll type continuous plating line (the drum system shown in FIG. 1 is employed), an ultra-thin copper layer having a thickness of 3 µm is formed on the Cr layer by electroplating under the following conditions, thereby forming copper foil with a carrier. Was prepared. In addition, in the present Example, it manufactured also about the copper foil with a carrier whose thickness of the ultra-thin copper layer was 1, 2, 5, and 10 micrometers, and evaluated similarly to the Example whose thickness of an ultra-thin copper layer is 3 micrometers. The results were the same regardless of the thickness.
·극박 구리층Ultrathin copper layer
구리 농도 : 30 ∼ 120 g/ℓCopper concentration: 30 to 120 g / l
H2SO4 농도 : 20 ∼ 120 g/ℓH 2 SO 4 concentration: 20 ~ 120 g / ℓ
전해액 온도 : 20 ∼ 80 ℃Electrolytic solution temperature: 20 to 80 ℃
전류 밀도 : 10 ∼ 100 A/d㎡Current density: 10 to 100 A / dm 2
이어서, 극박 구리층 표면에 이하의 조화 처리 1, 조화 처리 2, 방청 처리, 크로메이트 처리, 및 실란 커플링 처리를 이 순서로 실시하였다. 조화 처리 1 및 조화 처리 2 에 대해서는, 도 1 에 나타내는 드럼을 사용한 운박 방식 (극간 거리는 50 ㎜) 을 채용하고, 방청 처리, 크로메이트 처리, 및 실란 커플링 처리에 대해서는 도 2 에 나타내는 구절양장 방식을 채용하였다.Subsequently, the following roughening treatment 1, roughening treatment 2, rust prevention treatment, chromate treatment, and silane coupling treatment were performed on the ultrathin copper layer surface in this order. The roughening process 1 and the roughening process 2 employ | adopt the crumb system (the inter-distance distance is 50 mm) using the drum shown in FIG. 1, and the verse-length dressing system shown in FIG. 2 about antirust process, chromate process, and silane coupling process. Adopted.
·조화 처리 1Harmonization processing 1
(액조성 1)(Solution composition 1)
Cu : 10 ∼ 30 g/ℓCu: 10 to 30 g / l
H2SO4 : 10 ∼ 150 g/ℓH 2 SO 4 : 10 to 150 g / l
W : 0 (0 을 제외한다)∼ 50 ㎎/ℓW: 0 (except 0) to 50 mg / l
도데실황산나트륨 : 0 (0 을 제외한다)∼ 50 ㎎/ℓSodium dodecyl sulfate: 0 (excluding 0) to 50 mg / l
As : 0 (0 을 제외한다)∼ 200 ㎎/ℓAs: 0 (except 0) to 200 mg / l
(전기 도금 조건 1)(Electroplating condition 1)
온도 : 30 ∼ 70 ℃Temperature: 30-70 ℃
전류 밀도 : 25 ∼ 110 A/d㎡Current density: 25 to 110 A / dm
조화 쿨롬량 : 50 ∼ 500 As/d㎡Harmonic coulomb amount: 50 to 500 As / dm
도금 시간 : 0.5 ∼ 20 초Plating time: 0.5-20 seconds
·조화 처리 2Harmony treatment 2
(액조성 2)(Liquid Composition 2)
Cu : 20 ∼ 80 g/ℓCu: 20 to 80 g / l
H2SO4 : 50 ∼ 200 g/ℓH 2 SO 4 : 50 to 200 g / l
(전기 도금 조건 2)(Electroplating condition 2)
온도 : 30 ∼ 70 ℃Temperature: 30-70 ℃
전류 밀도 : 5 ∼ 50 A/d㎡Current density: 5 to 50 A / dm 2
조화 쿨롬량 : 50 ∼ 300 As/d㎡Harmonic coulomb amount: 50 to 300 As / dm
도금 시간 : 1 ∼ 60 초Plating time: 1 to 60 seconds
·방청 처리Antirust treatment
(액조성)(Liquid composition)
NaOH : 40 ∼ 200 g/ℓNaOH: 40-200 g / l
NaCN : 70 ∼ 250 g/ℓNaCN: 70-250 g / l
CuCN : 50 ∼ 200 g/ℓCuCN: 50 to 200 g / l
Zn(CN)2 : 2 ∼ 100 g/ℓZn (CN) 2 : 2-100 g / l
As2O3 : 0.01 ∼ 1 g/ℓAs 2 O 3 : 0.01-1 g / l
(액온)(Solution temperature)
40 ∼ 90 ℃40-90 degreeC
(전류 조건)(Current condition)
전류 밀도 : 1 ∼ 50 A/d㎡Current density: 1 to 50 A / dm 2
도금 시간 : 1 ∼ 20 초Plating time: 1-20 seconds
·크로메이트 처리Chromate treatment
K2Cr2O7 (Na2Cr2O7 혹은 CrO3) : 2 ∼ 10 g/ℓK 2 Cr 2 O 7 (Na 2 Cr 2 O 7 or CrO 3 ): 2 to 10 g / ℓ
NaOH 또는 KOH : 10 ∼ 50 g/ℓNaOH or KOH: 10-50 g / l
ZnOH 또는 ZnSO4·7H2O : 0.05 ∼ 10 g/ℓZnOH or ZnSO 4 7H 2 O: 0.05 to 10 g / l
pH : 7 ∼ 13pH: 7-13
욕온 : 20 ∼ 80 ℃Bath temperature: 20 to 80 ℃
전류 밀도 : 0.05 ∼ 5 A/d㎡Current density: 0.05 to 5 A / dm 2
시간 : 5 ∼ 30 초Time: 5-30 seconds
·실란 커플링 처리Silane coupling treatment
0.1 vol% ∼ 0.3 vol% 의 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 수용액을 스프레이 도포한 후, 100 ∼ 200 ℃ 의 공기 중에서 0.1 ∼ 10 초간 건조·가열한다.After spray-coating 0.1 vol%-0.3 vol% of 3-glycidoxy propyl trimethoxysilane aqueous solution, it dries and heats for 0.1 to 10 second in 100-200 degreeC air.
상기 표면 처리 후, 극박 구리층측에 후술하는 「A」 의 수지층을 형성하였다.After the said surface treatment, the resin layer of "A" mentioned later was formed in the ultra-thin copper layer side.
<실시예 2><Example 2>
실시예 1 과 동일한 조건으로 동박 캐리어 상에 극박 구리층을 형성한 후, 이하의 조화 처리 1, 조화 처리 2, 방청 처리, 크로메이트 처리, 및 실란 커플링 처리를 이 순서로 실시하였다. 조화 처리 1 및 조화 처리 2 에 대해서는, 도 1 에 나타내는 드럼을 사용한 운박 방식 (극간 거리는 50 ㎜) 을 채용하고, 방청 처리, 크로메이트 처리, 및 실란 커플링 처리에 대해서는 도 2 에 나타내는 구절양장 방식을 채용하였다. 또한, 극박 동박의 두께는 3 ㎛ 로 하였다.After the ultrathin copper layer was formed on the copper foil carrier on the same conditions as in Example 1, the following roughening treatment 1, roughening treatment 2, rust preventing treatment, chromate treatment, and silane coupling treatment were performed in this order. The roughening process 1 and the roughening process 2 employ | adopt the crumb system (the inter-distance distance is 50 mm) using the drum shown in FIG. 1, and the verse dressing system shown in FIG. Adopted. In addition, the thickness of ultra-thin copper foil was 3 micrometers.
·조화 처리 1Harmonization processing 1
액조성 : 구리 10 ∼ 20 g/ℓ, 황산 50 ∼ 100 g/ℓLiquid composition: Copper 10-20 g / l, Sulfuric acid 50-100 g / l
액온 : 25 ∼ 50 ℃Liquid temperature: 25-50 ℃
전류 밀도 : 1 ∼ 58 A/d㎡Current density: 1 to 58 A / dm 2
쿨롬량 : 4 ∼ 81 As/d㎡Coulomb amount: 4 to 81 As / dm 2
·조화 처리 2Harmony treatment 2
액조성 : 구리 10 ∼ 20 g/ℓ, 니켈 5 ∼ 15 g/ℓ, 코발트 5 ∼ 15 g/ℓLiquid composition: copper 10-20 g / l, nickel 5-15 g / l, cobalt 5-15 g / l
pH : 2 ∼ 3pH: 2-3
액온 : 30 ∼ 50 ℃Liquid temperature: 30-50 ℃
전류 밀도 : 24 ∼ 50 A/d㎡Current density: 24 to 50 A / dm 2
쿨롬량 : 34 ∼ 48 As/d㎡Coulomb amount: 34 to 48 As / dm
·방청 처리Antirust treatment
액조성 : 니켈 5 ∼ 20 g/ℓ, 코발트 1 ∼ 8 g/ℓLiquid composition: nickel 5-20 g / l, cobalt 1-8 g / l
pH : 2 ∼ 3pH: 2-3
액온 : 40 ∼ 60 ℃Liquid temperature: 40 to 60 ℃
전류 밀도 : 5 ∼ 20 A/d㎡Current density: 5 to 20 A / dm 2
쿨롬량 : 10 ∼ 20 As/d㎡Coulomb amount: 10-20 As / d㎡
·크로메이트 처리Chromate treatment
액조성 : 중크롬산칼륨 1 ∼ 10 g/ℓ, 아연 0 ∼ 5 g/ℓLiquid composition: potassium dichromate 1-10 g / l, zinc 0-5 g / l
pH : 3 ∼ 4pH: 3-4
액온 : 50 ∼ 60 ℃Liquid temperature: 50 to 60 ℃
전류 밀도 : 0 ∼ 2 A/d㎡ (침지 크로메이트 처리를 위해 무전해에서의 실시도 가능)Current density: 0 to 2 A / dm 2 (Also available in electroless for immersion chromate treatment)
쿨롬량 : 0 ∼ 2 As/d㎡ (침지 크로메이트 처리를 위해 무전해에서의 실시도 가능)Coulomb amount: 0 to 2 As / dm 2 (Also available in electroless for immersion chromate treatment)
·실란 커플링 처리Silane coupling treatment
디아미노실란 수용액의 도포 (디아미노실란 농도 : 0.1 ∼ 0.5 wt%)Application of Diaminosilane Aqueous Solution (Diaminosilane Concentration: 0.1-0.5 wt%)
상기 표면 처리 후, 극박 구리층측에 후술하는 「B」 의 수지층을 형성하였다.After the said surface treatment, the resin layer of "B" mentioned later was formed in the ultra-thin copper layer side.
<실시예 3><Example 3>
동박 캐리어로서, 두께 35 ㎛ 의 장척의 전해 동박 (JX 닛코 닛세키 킨조쿠사 제조 HLP) 을 준비하고, 이 동박의 샤이니면 (Rz : 0.1 ∼ 0.3 ㎛) 에 대해 실시예 1 과 동일한 순서로 캐리어 부착 동박을 제조하였다. 단, 수지층은 후술하는 「C」 를 형성하였다.As the copper foil carrier, a long electrolytic copper foil (HLP manufactured by JX Nikko Niseki Kinzoku Co., Ltd.) having a thickness of 35 µm was prepared, and the carrier was attached in the same procedure as in Example 1 for the shiny surface (Rz: 0.1 to 0.3 µm) of the copper foil. Copper foil was manufactured. However, the resin layer formed "C" mentioned later.
<실시예 4><Example 4>
동박 캐리어로서, 두께 35 ㎛ 의 장척의 전해 동박 (JX 닛코 닛세키 킨조쿠사 제조 HLP) 을 준비하고, 이 동박의 샤이니면 (Rz : 0.1 ∼ 0.3 ㎛) 에 대해 실시예 2 와 동일한 순서로 캐리어 부착 동박을 제조하였다. 단, 수지층은 후술하는 「D」 를 형성하였다.As the copper foil carrier, a long electrolytic copper foil (HLP manufactured by JX Nikko Niseki Kinzoku Co., Ltd.) having a thickness of 35 µm was prepared, and the carrier was attached in the same procedure as in Example 2 to the shiny surface (Rz: 0.1 to 0.3 µm) of the copper foil. Copper foil was manufactured. However, the resin layer formed "D" mentioned later.
<실시예 5>Example 5
동박 캐리어로서, 두께 35 ㎛ 의 장척의 전해 동박 (JX 닛코 닛세키 킨조쿠사 제조 HLP) 을 준비하였다. 이 동박의 샤이니면 (Rz : 0.1 ∼ 0.3 ㎛) 에 대해, 실시예 1 과 동일한 조건으로 롤·투·롤형의 연속 도금 라인으로 전기 도금함으로써 4000 ㎍/d㎡ 의 부착량의 Ni 층을 형성하고, 이어서, 실시예 1 과 동일한 순서로 극박 구리층을 형성한 후, 조화 처리를 실시하지 않고 하기 방청 처리 (구절양장 방식을 채용) 를 실시하였다.As the copper foil carrier, a long electrolytic copper foil (HLP of JX Nikko Niseki Kinzoku Co., Ltd.) having a thickness of 35 µm was prepared. About the shiny surface (Rz: 0.1-0.3 micrometer) of this copper foil, the Ni layer of the adhesion amount of 4000 microgram / dm <2> is formed by electroplating with a roll-to-roll type continuous plating line on the conditions similar to Example 1, Subsequently, after forming an ultra-thin copper layer in the same procedure as Example 1, the following rust prevention process (adopted the gusset dressing method) was implemented, without performing a roughening process.
·방청 처리Antirust treatment
액조성 : 니켈 5 ∼ 20 g/ℓ, 코발트 1 ∼ 8 g/ℓLiquid composition: nickel 5-20 g / l, cobalt 1-8 g / l
pH : 2 ∼ 3pH: 2-3
액온 : 40 ∼ 60 ℃Liquid temperature: 40 to 60 ℃
전류 밀도 : 5 ∼ 20 A/d㎡Current density: 5 to 20 A / dm 2
쿨롬량 : 10 ∼ 20 As/d㎡Coulomb amount: 10-20 As / d㎡
상기 표면 처리 후, 극박 구리층측에 후술하는 「E」 의 수지층을 형성하였다.After the said surface treatment, the resin layer of "E" mentioned later was formed in the ultra-thin copper layer side.
<비교예 1>Comparative Example 1
실시예 1 과 동일한 조건으로 동박 캐리어 상에 극박 구리층을 형성한 후, 이어서, 극박 구리층 표면에 이하의 조화 처리 1, 조화 처리 2, 방청 처리, 크로메이트 처리, 및 실란 커플링 처리를 이 순서로 실시하였다. 조화 처리 1 및 조화 처리 2 에 대해서는, 도 1 에 나타내는 드럼을 사용한 운박 방식 (극간 거리는 50 ㎜) 을 채용하고, 방청 처리, 크로메이트 처리, 및 실란 커플링 처리에 대해서는 도 2 에 나타내는 구절양장 방식을 채용하였다. 또한, 극박 동박의 두께는 3 ㎛ 로 하였다.After the ultrathin copper layer was formed on the copper foil carrier under the same conditions as in Example 1, the following roughening treatment 1, roughening treatment 2, rust preventing treatment, chromate treatment, and silane coupling treatment were performed on the ultrathin copper layer surface in this order. Was carried out. The roughening process 1 and the roughening process 2 employ | adopt the crumb system (the inter-distance distance is 50 mm) using the drum shown in FIG. 1, and the verse-length dressing system shown in FIG. 2 about antirust process, chromate process, and silane coupling process. Adopted. In addition, the thickness of ultra-thin copper foil was 3 micrometers.
·조화 처리 1Harmonization processing 1
(액조성 1)(Solution composition 1)
Cu : 31 ∼ 45 g/ℓCu: 31-45 g / l
H2SO4 : 10 ∼ 150 g/ℓH 2 SO 4 : 10 to 150 g / l
As : 0.1 ∼ 200 ㎎/ℓAs: 0.1-200 mg / l
(전기 도금 조건 1)(Electroplating condition 1)
온도 : 30 ∼ 70 ℃Temperature: 30-70 ℃
전류 밀도 : 25 ∼ 110 A/d㎡Current density: 25 to 110 A / dm
조화 쿨롬량 : 50 ∼ 500 As/d㎡Harmonic coulomb amount: 50 to 500 As / dm
도금 시간 : 0.5 ∼ 20 초Plating time: 0.5-20 seconds
·조화 처리 2Harmony treatment 2
(액조성 2)(Liquid Composition 2)
Cu : 20 ∼ 80 g/ℓCu: 20 to 80 g / l
H2SO4 : 50 ∼ 200 g/ℓH 2 SO 4 : 50 to 200 g / l
(전기 도금 조건 2)(Electroplating condition 2)
온도 : 30 ∼ 70 ℃Temperature: 30-70 ℃
전류 밀도 : 5 ∼ 50 A/d㎡Current density: 5 to 50 A / dm 2
조화 쿨롬량 : 50 ∼ 300 As/d㎡Harmonic coulomb amount: 50 to 300 As / dm
도금 시간 : 1 ∼ 60 초Plating time: 1 to 60 seconds
·방청 처리Antirust treatment
(액조성)(Liquid composition)
NaOH : 40 ∼ 200 g/ℓNaOH: 40-200 g / l
NaCN : 70 ∼ 250 g/ℓNaCN: 70-250 g / l
CuCN : 50 ∼ 200 g/ℓCuCN: 50 to 200 g / l
Zn(CN)2 : 2 ∼ 100 g/ℓZn (CN) 2 : 2-100 g / l
As2O3 : 0.01 ∼ 1 g/ℓAs 2 O 3 : 0.01-1 g / l
(액온)(Solution temperature)
40 ∼ 90 ℃40-90 degreeC
(전류 조건)(Current condition)
전류 밀도 : 1 ∼ 50 A/d㎡Current density: 1 to 50 A / dm 2
도금 시간 : 1 ∼ 20 초Plating time: 1-20 seconds
·크로메이트 처리Chromate treatment
K2Cr2O7 (Na2Cr2O7 혹은 CrO3) : 2 ∼ 10 g/ℓK 2 Cr 2 O 7 (Na 2 Cr 2 O 7 or CrO 3 ): 2 to 10 g / ℓ
NaOH 또는 KOH : 10 ∼ 50 g/ℓNaOH or KOH: 10-50 g / l
ZnOH 또는 ZnSO4·7H2O : 0.05 ∼ 10 g/ℓZnOH or ZnSO 4 7H 2 O: 0.05 to 10 g / l
pH : 7 ∼ 13pH: 7-13
욕온 : 20 ∼ 80 ℃Bath temperature: 20 to 80 ℃
전류 밀도 : 0.05 ∼ 5 A/d㎡Current density: 0.05 to 5 A / dm 2
시간 : 5 ∼ 30 초Time: 5-30 seconds
·실란 커플링 처리Silane coupling treatment
0.1 vol% ∼ 0.3 vol% 의 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 수용액을 스프레이 도포한 후, 100 ∼ 200 ℃ 의 공기 중에서 0.1 ∼ 10 초간 건조·가열한다.After spray-coating 0.1 vol%-0.3 vol% of 3-glycidoxy propyl trimethoxysilane aqueous solution, it dries and heats for 0.1 to 10 second in 100-200 degreeC air.
상기 표면 처리 후, 수지층은 형성하지 않았다.After the said surface treatment, the resin layer was not formed.
<비교예 2>Comparative Example 2
조화 처리 1 및 조화 처리 2 에 대해, 도 2 에 나타내는 구절양장에 의한 운박 방식을 채용한 것 외에는, 실시예 1 과 동일한 순서로 캐리어 부착 동박을 제조하였다. 단, 수지층의 형성은 실시하지 않았다.About the roughening process 1 and the roughening process 2, the copper foil with a carrier was manufactured in the same procedure as Example 1 except having adopted the crumb system by the passage head shown in FIG. However, the resin layer was not formed.
<비교예 3>Comparative Example 3
조화 처리 1 및 조화 처리 2 에 대해, 도 2 에 나타내는 구절양장에 의한 운박 방식을 채용한 것 외에는, 실시예 2 와 동일한 순서로 캐리어 부착 동박을 제조하였다. 단, 수지층의 형성은 실시하지 않았다.About the roughening process 1 and the roughening process 2, the copper foil with a carrier was manufactured in the same procedure as Example 2 except having adopted the crumb system by the passage head shown in FIG. However, the resin layer was not formed.
<비교예 4><Comparative Example 4>
비교예 1 의 캐리어 부착 동박의 극박 구리층측에 후술하는 수지층 「A」 의 형성을 실시하였다.Resin layer "A" mentioned later was formed in the ultrathin copper layer side of the copper foil with a carrier of Comparative Example 1.
<비교예 5>Comparative Example 5
비교예 2 의 캐리어 부착 동박의 극박 구리층측에 후술하는 수지층 「B」 의 형성을 실시하였다.Resin layer "B" mentioned later was formed in the ultrathin copper layer side of the copper foil with a carrier of Comparative Example 2.
<비교예 6>Comparative Example 6
비교예 3 의 캐리어 부착 동박의 극박 구리층측에 후술하는 수지층 「C」 의 형성을 실시하였다.Resin layer "C" mentioned later was formed in the ultrathin copper layer side of the copper foil with a carrier of Comparative Example 3.
<실시예 6><Example 6>
수지층을 형성하지 않았던 것 외에는, 실시예 1 과 동일한 순서로 캐리어 부착 동박을 제조하였다.Copper foil with a carrier was manufactured in the same procedure as in Example 1, except that the resin layer was not formed.
<실시예 7><Example 7>
수지층을 형성하지 않았던 것 외에는, 실시예 2 와 동일한 순서로 캐리어 부착 동박을 제조하였다.Copper foil with a carrier was manufactured in the same procedure as in Example 2, except that the resin layer was not formed.
<실시예 8><Example 8>
수지층을 형성하지 않았던 것 외에는, 실시예 3 과 동일한 순서로 캐리어 부착 동박을 제조하였다.The copper foil with a carrier was manufactured in the same procedure as in Example 3, except that the resin layer was not formed.
<실시예 9>Example 9
수지층을 형성하지 않았던 것 외에는, 실시예 4 와 동일한 순서로 캐리어 부착 동박을 제조하였다.The copper foil with a carrier was manufactured in the same procedure as in Example 4 except that the resin layer was not formed.
<실시예 10><Example 10>
수지층을 형성하지 않았던 것 외에는, 실시예 5 와 동일한 순서로 캐리어 부착 동박을 제조하였다.A copper foil with a carrier was produced in the same manner as in Example 5 except that the resin layer was not formed.
<수지층의 형성><Formation of Resin Layer>
수지층의 형성은 이하와 같이 실시하였다.Formation of the resin layer was performed as follows.
·「A」`` A ''
(수지 합성예)(Resin synthesis example)
스테인리스제의 정형 교반봉, 질소 도입관과 스톱콕이 부착된 트랩 상에, 구슬이 부착된 냉각관을 장착한 환류 냉각기를 장착한 2 리터의 3 구 플라스크에, 3,4,3',4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물 117.68 g (400 m㏖), 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠 87.7 g (300 m㏖), γ-발레로락톤 4.0 g (40 m㏖), 피리딘 4.8 g (60 m㏖), N-메틸-2-피롤리돈 (이하 NMP 라고 기재한다) 300 g, 톨루엔 20 g 을 첨가하고, 180 ℃ 에서 1 시간 가열한 후 실온 부근까지 냉각시킨 후, 3,4,3',4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물 29.42 g (100 m㏖), 2,2-비스{4-(4-아미노페녹시)페닐}프로판 82.12 g (200 m㏖), NMP 200 g, 톨루엔 40 g 을 첨가하고, 실온에서 1 시간 혼합 후, 180 ℃ 에서 3 시간 가열하여, 고형분 38 % 의 블록 공중합 폴리이미드를 얻었다. 이 블록 공중합 폴리이미드는, 하기에 나타내는 일반식 (1) : 일반식 (2) = 3 : 2 이고, 수평균 분자량 : 70000, 중량 평균 분자량 : 150000 이었다.3,4,3 ', 4 in a 2-liter three-necked flask equipped with a reflux condenser equipped with a bead-attached cooling tube on a stainless stir bar, a nitrogen inlet tube and a stopcock attached trap. 117.68 g (400 mmol) of '-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 87.7 g (300 mmol) of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 4.0 g (40 mmol) of γ-valerolactone ), Pyridine 4.8 g (60 mmol), 300 g of N-methyl-2-pyrrolidone (hereinafter referred to as NMP) and 20 g of toluene were added, and the mixture was heated at 180 ° C for 1 hour and then cooled to room temperature. Then, 29.42 g (100 mmol) of 3,4,3 ', 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 82.12 g (2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} propane mmol), NMP 200g, and toluene 40g were added, and after mixing at room temperature for 1 hour, it heated at 180 degreeC for 3 hours, and obtained the block copolymerization polyimide of solid content 38%. This block copolymerized polyimide was General formula (1): General formula (2) = 3: 2 shown below, was number average molecular weight: 70000, and weight average molecular weight: 150000.
[화학식 11][Formula 11]
합성예로 얻어진 블록 공중합 폴리이미드 용액을 NMP 로 더욱 희석시켜, 고형분 10 % 의 블록 공중합 폴리이미드 용액으로 하였다. 이 블록 공중합 폴리이미드 용액에 비스(4-말레이미드페닐)메탄 (BMI-H, 케이·아이 화성) 을 고형분 중량 비율 35, 블록 공중합 폴리이미드의 고형분 중량 비율 65 로 하여 (즉, 수지 용액에 함유되는 비스(4-말레이미드페닐)메탄 고형분 중량 : 수지 용액에 함유되는 블록 공중합 폴리이미드 고형분 중량 = 35 : 65) 60 ℃, 20 분간 용해 혼합하여 수지 용액으로 하였다. 그 후, 수지층을 형성하기 전의 캐리어 부착 동박의 극박 구리층측 표면에 리버스 롤 도공기를 사용하여 상기 수지 용액을 도공하고, 질소 분위기하에서, 120 ℃ 에서 3 분간, 160 ℃ 에서 3 분간 건조 처리 후, 마지막에 300 ℃ 에서 2 분간 가열 처리를 실시하여, 캐리어 부착 동박을 제조하였다. 또한, 수지층의 두께는 2 ㎛ 로 하였다.The block copolymerized polyimide solution obtained by the synthesis example was further diluted with NMP, and it was set as the block copolymerized polyimide solution of 10% of solid content. In this block copolymerized polyimide solution, bis (4-maleimide phenyl) methane (BMI-H, K-Id) was made into solid content weight ratio 35 and solid content weight ratio 65 of block copolymerization polyimide (that is, it contains in resin solution). Bis (4-maleimidephenyl) methane solid content weight: Block copolymerized polyimide solid content weight in a resin solution = 35:65) It melt | dissolved and mixed for 60 minutes and 60 minutes to make a resin solution. Then, the said resin solution is coated on the ultra-thin copper layer side surface of the copper foil with a carrier before forming a resin layer using a reverse roll coating machine, and after drying process for 3 minutes at 120 degreeC, and 3 minutes at 160 degreeC in nitrogen atmosphere, Finally, heat processing was performed at 300 degreeC for 2 minutes, and the copper foil with a carrier was manufactured. In addition, the thickness of the resin layer was 2 micrometers.
·「B」`` B ''
B 에서는, 에폭시 수지 69 중량부, 경화제 11 중량부, 경화 촉진제 0.25 중량부, 폴리머 성분 15 중량부, 가교제 3 중량부, 고무성 수지 3 중량부의 수지 조성물을 조정하였다. 구체적으로는, 이하에 나타내고 있다.In B, the resin composition of 69 weight part of epoxy resins, 11 weight part of hardening agents, 0.25 weight part of hardening accelerators, 15 weight part of polymer components, 3 weight part of crosslinking agents, and 3 weight part of rubbery resins was adjusted. Specifically, it is shown below.
[수지 조성물의 조성][Composition of Resin Composition]
구성 성분/구체적 구성 성분/구체적 약품명 (제조 회사) /조성 (중량부) 에폭시 수지/비스페놀 A 형/YD-907 (토토 화성 제조) /15 에폭시 수지/비스페놀 A 형/YD-011 (토토 화성 제조) /54 경화제/방향족 아민/4,41-디아미노디페닐술폰 (와카야마 정화 제조)/12Component / specific component / specific chemical name (manufacturer) / composition (parts by weight) epoxy resin / bisphenol A type / YD-907 (manufactured by Toto Kasei) / 15 epoxy resin / bisphenol A type / YD-011 (manufactured by Toto Kasei ) / 54 curing agent / aromatic amine / 4,41-diaminodiphenyl sulfone (made by Wakayama purification) / 12
경화 촉진제/이미다졸/2E4MZ (시코쿠 화성 제조)/0.4Curing accelerator / imidazole / 2E4MZ (manufactured by Shikoku Chemical Co., Ltd.) / 0.4
폴리머 성분/폴리비닐아세탈 수지/5000A (덴키 화학 공업 제조)/15Polymer component / polyvinyl acetal resin / 5000A (Denki Chemical Industry Co., Ltd.) / 15
가교제/우레탄 수지/AP-Stable (닛폰 폴리우레탄 제조)/3Crosslinking agent / urethane resin / AP-Stable (Nippon polyurethane production) / 3
고무 성분/코어 쉘형 니트릴 고무/XER-91 (JSR 사 제조)/3Rubber component / core shell type nitrile rubber / XER-91 (manufactured by JSR) / 3
그리고, 상기에 나타내는 수지 조성물을, 메틸에틸케톤과 디메틸아세트아미드를 사용하여 수지 고형분을 30 중량% 로 조정함으로써 수지층 형성을 위한 수지 조성물 용액으로 하였다. 그리고, 이 수지층 형성을 위한 수지 조성물 용액을, 그라비아 코터를 사용하여, 수지층을 형성하기 전의 캐리어 부착 동박의 극박 구리층측의 면에 도포하였다. 그리고, 5 분간의 풍건을 실시하고, 그 후 140 ℃ 의 가열 분위기 중에서 3 분간의 건조 처리를 실시하여, 반경화 상태의 1.5 ㎛ 두께의 반경화 수지층 (접착층) 을 형성하여, 캐리어 부착 동박을 제조하였다. 이 때에 얻어진 반경화 수지층 (접착층) 의 레진 플로우의 측정은, 상기 수지층 형성을 위한 수지 조성물 용액으로 40 ㎛ 두께의 반경화 수지층을 18 ㎛ 두께의 동박의 편면에 형성한 것을 제조하고, 이것을 레진 플로우 측정용 시료로 하였다. 그리고, 이 레진 플로우 측정용 시료로부터 가로세로 10 ㎝ 시료를 4 매 채취하고, 상기 서술한 MIL-P-13949G 에 준거하여 레진 플로우의 측정을 실시하였다. 그 결과, 레진 플로우는 1.5 % 였다.And the resin composition shown above was made into the resin composition solution for resin layer formation by adjusting resin solid content to 30 weight% using methyl ethyl ketone and dimethylacetamide. And the resin composition solution for this resin layer formation was apply | coated to the surface of the ultra-thin copper layer side of the copper foil with a carrier before forming a resin layer using the gravure coater. And air drying for 5 minutes is performed, and drying processing is performed for 3 minutes in the heating atmosphere of 140 degreeC after that, the semi-hardened resin layer (adhesive layer) of 1.5 micrometer thickness of a semi-hardened state is formed, and copper foil with a carrier is Prepared. The measurement of the resin flow of the semi-hardened resin layer (adhesive layer) obtained at this time manufactures what formed the semi-hardened resin layer of 40 micrometers thickness on the single side | surface of copper foil of 18 micrometers thickness with the resin composition solution for the said resin layer formation, This was used as the sample for resin flow measurement. Then, four samples of 10 cm in length and width were collected from the sample for measuring the resin flow, and the resin flow was measured in accordance with MIL-P-13949G described above. As a result, the resin flow was 1.5%.
·「C」`` C ''
수지층을 구성하는 수지 용액을 제조하였다. 이 수지 용액을 제조함에 있어서, 에폭시 수지 (닛폰 화약 주식회사 제조 EPPN-502), 폴리에테르술폰 수지 (스미토모 화학 주식회사 제조 스미카엑셀 PES-5003P) 를 원료로서 사용하였다. 그리고, 이것에, 경화 촉진제로서 이미다졸계의 2E4MZ (시코쿠 화성 공업 주식회사 제조) 를 첨가하여 수지 조성물로 하였다.The resin solution which comprises a resin layer was manufactured. In preparing this resin solution, epoxy resin (EPPN-502 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) and polyether sulfone resin (Sumika Excel PES-5003P manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) were used as raw materials. And imidazole type 2E4MZ (made by Shikoku Chemical Co., Ltd.) was added to this as a hardening accelerator, and it was set as the resin composition.
수지 조성물 : 에폭시 수지 50 중량부Resin composition: 50 parts by weight of epoxy resin
폴리에테르술폰 수지 50 중량부50 parts by weight of polyether sulfone resin
경화 촉진제 1 중량부1 part by weight of a curing accelerator
이 수지 조성물을, 추가로 디메틸포름아미드를 사용하여 수지 고형분을 30 wt% 로 조정함으로써 수지 용액으로 하였다. 이상과 같이 하여 제조한 수지 용액을 그라비아 코터를 사용하여 수지층을 형성하기 전의 캐리어 부착 동박의 극박 구리층측의 면에 도포하였다. 그리고, 그 후 140 ℃ 의 가열 분위기 중에서 3 분간의 건조 처리를 실시하여, 반경화 상태의 1.5 ㎛ 두께의 수지층을 형성하고, 본건 발명에 관련된 캐리어 부착 동박을 얻었다. 또한, 한편으로, 레진 플로우의 측정을 위해서, 프라이머 수지층을 40 ㎛ 두께로 한 수지가 부착된 동박 (동박 두께 18 ㎛) (이하, 「레진 플로우 측정용 시료」 라고 칭한다) 을 제조하였다. 그리고, 이 레진 플로우 측정용 시료로부터 가로세로 10 ㎝ 시료를 4 매 채취하고, 상기 서술한 MIL-P-13949G 에 준거하여 레진 플로우의 측정을 실시하였다. 그 결과, 레진 플로우는 1.4 % 였다.This resin composition was further obtained as the resin solution by adjusting resin solid content to 30 wt% using dimethylformamide. The resin solution produced as mentioned above was apply | coated to the surface of the ultra-thin copper layer side of copper foil with a carrier before forming a resin layer using the gravure coater. Then, the drying process was performed for 3 minutes in the heating atmosphere of 140 degreeC after that, the resin layer of the 1.5 micrometer thickness of the semi-hardened state was formed, and the copper foil with a carrier which concerns on this invention was obtained. On the other hand, for the measurement of resin flow, copper foil (18 micrometers of copper foil thickness) with resin which made the primer resin layer 40 micrometers thick was manufactured (henceforth "a sample for resin flow measurement"). Then, four samples of 10 cm in length and width were collected from the sample for measuring the resin flow, and the resin flow was measured in accordance with MIL-P-13949G described above. As a result, the resin flow was 1.4%.
·「D」`` D ''
수지층을 형성하기 전의 캐리어 부착 동박의 극박 구리층측 표면에, 경화 수지층으로서 폴리이미드 수지층을 형성하고, 반경화 수지층의 형성에 말레이미드계 수지를 사용한 캐리어 부착 동박의 예이다.The polyimide resin layer is formed as a cured resin layer on the ultra-thin copper layer side surface of the copper foil with a carrier before forming a resin layer, and it is an example of the copper foil with a carrier which used maleimide-type resin for formation of a semi-hardened resin layer.
폴리아믹산 바니시의 조제 : 캐스팅법에 의해 경화 수지층을 형성하기 위한 폴리아믹산 바니시에 대해 설명한다. 피로멜리트산 2 무수물 1 ㏖ 과, 4,4'-디아미노디페닐에테르 1 ㏖ 을 용제로서의 N-메틸피롤리돈에 용해시켜 혼합하였다. 이 때의 반응 온도는 25 ℃ 이고, 10 시간 반응시켰다. 그리고, 수지 고형분량이 20 질량% 인 폴리아믹산 바니시를 얻었다.Preparation of polyamic acid varnish: The polyamic acid varnish for forming a cured resin layer by the casting method is demonstrated. 1 mol of pyromellitic dianhydride and 1 mol of 4,4'- diamino diphenyl ether were dissolved and mixed in N-methylpyrrolidone as a solvent. The reaction temperature at this time was 25 degreeC, and was made to react for 10 hours. And the polyamic-acid varnish whose resin solid content is 20 mass% was obtained.
경화 수지층의 형성 : 다음으로, 얻어진 폴리아믹산 바니시를 사용하여, 캐스팅법으로 경화 수지층을 형성하였다. 멀티 코터 (히라노 텍시드사 제조 : M-400) 에 의해, 폴리아믹산 바니시를 수지층을 형성하기 전의 캐리어 부착 동박의 극박 구리층측 표면에 도포하고, 열풍 건조기 내에서 110 ℃ × 6 분의 조건으로 건조시켰다. 건조 후의 경화 수지층의 수지 두께는 35 ㎛ 로 하고, 이 단계에서의 용제 잔존율은 수지층의 총량에 대해 32 wt% 였다. 이 폴리아믹산 바니시가 도포된 전해 동박의 복합체를 질소로 치환된 열풍 오븐에 넣고, 실온 ∼ 400 ℃ 까지 15 분에 걸쳐 승온시키고, 그 후, 400 ℃ 에서 8 분간 유지한 후에 냉각시켰다. 이로써, 폴리아믹산이 도포된 캐리어 부착 동박의 복합체로부터 잔존 용제를 제거하고, 폴리아믹산을 탈수 폐환하는 이미드 반응에 의해, 캐리어 부착 동박의 극박 구리층측 표면에 경화 수지층이 적층된 상태의 구리 피복 폴리이미드 수지 기재로 하였다. 이 최종적인 열처리에 의해 얻어진 구리 피복 폴리이미드 수지 기재의 용제 잔존율은, 캐리어 부착 동박에 부착한 수지 총량에 대해 0.5 wt% 였다.Formation of cured resin layer: Next, using the obtained polyamic acid varnish, the cured resin layer was formed by the casting method. The polyamic acid varnish is apply | coated to the ultra-thin copper layer side surface of the copper foil with a carrier before forming a resin layer by the multicoater (made by Hirano Texide Co., Ltd.), and it is the conditions of 110 degreeC x 6 minutes in hot-air dryer. Dried. The resin thickness of the cured resin layer after drying was 35 micrometers, and the solvent residual ratio in this step was 32 wt% with respect to the total amount of the resin layer. The composite of the electrolytic copper foil to which this polyamic-acid varnish was apply | coated was put into the hot air oven substituted with nitrogen, it heated up over 15 minutes to room temperature-400 degreeC, and after holding at 400 degreeC for 8 minutes, it cooled. Thereby, the copper coating of the state in which the cured resin layer was laminated | stacked on the ultra-thin copper layer side surface of the copper foil with a carrier by the imide reaction which removes a residual solvent from the composite of the copper foil with a carrier with which polyamic acid was apply | coated, and dehydrated and closed the polyamic acid. It was set as the polyimide resin base material. The solvent residual ratio of the copper clad polyimide resin base material obtained by this final heat processing was 0.5 wt% with respect to the resin total amount adhering to the copper foil with a carrier.
다음으로, 경화 수지층이 적층된 캐리어 부착 동박 (구리 피복 폴리이미드 수지 기재) 을 코로나 처리하여 당해 경화 수지층의 표면 개질을 실시하였다. 코로나 처리는, 대기 중에서, 전력 210 W, 속도 2 m/min, 방전량 300 W·min/㎡, 전극으로부터의 조사 거리 1.5 ㎜ 의 조건으로 실시하였다. 그리고, 경화 수지층의 열팽창 계수를 측정하기 위해서, 표면 개질 처리 후의 경화 수지층이 적층된 캐리어 부착 동박 (코로나 처리가 끝난 구리 피복 폴리이미드 수지 기재) 으로부터, 캐리어 부착 동박을 박리 그리고 에칭에 의해 제거하였다. 그 결과, 캐리어 부착 동박을 제거하여 얻어진 경화 수지층 (폴리이미드 필름) 의 수지 두께는 27 ㎛ 이고, 열팽창 계수는 25 ppm/℃ 였다.Next, the copper foil with a carrier (copper coating polyimide resin base material) in which the cured resin layer was laminated was subjected to corona treatment, and surface modification of the cured resin layer was performed. The corona treatment was performed under conditions of an electric power of 210 W, a speed of 2 m / min, a discharge amount of 300 W · min / m 2, and an irradiation distance of 1.5 mm from the electrode. And in order to measure the thermal expansion coefficient of a cured resin layer, the copper foil with a carrier is removed by peeling and etching from the copper foil with a carrier (corona-treated copper clad polyimide resin base material) in which the cured resin layer after surface modification treatment was laminated | stacked. It was. As a result, the resin thickness of the cured resin layer (polyimide film) obtained by removing the copper foil with a carrier was 27 µm, and the thermal expansion coefficient was 25 ppm / ° C.
반경화 수지층의 형성 : 여기서는 코로나 처리가 끝난 구리 피복 폴리이미드 수지 기재의 경화 수지층 상에 반경화 수지층을 형성한다. 먼저, 이하에 나타내는 수지 조성물을 N,N'-디메틸아세트아미드를 용매로서 사용하여 용해시키고, 수지 고형분이 30 wt% 의 수지 바니시가 되도록 조제하였다.Formation of semi-cured resin layer: Here, a semi-cured resin layer is formed on the cured resin layer of the corona-treated copper clad polyimide resin base material. First, the resin composition shown below was melt | dissolved using N, N'- dimethylacetamide as a solvent, and it prepared so that resin solid content might be 30 wt% of a resin varnish.
[반경화 수지층을 형성하는 수지 조성물][Resin Composition to Form Semi-Cured Resin Layer]
말레이미드 수지 : 4,4'-디페닐메탄비스말레이미드 (상품명 : BMI-1000, 다이와 화성 공업사 제조)/30 중량부Maleimide resin: 4,4'-diphenylmethane bismaleimide (trade name: BMI-1000, manufactured by Daiwa Chemical Industry Co., Ltd.) / 30 parts by weight
방향족 폴리아민 수지 : 1,3-비스[4-아미노페녹시]벤젠 (상품명 : TPE-R, 와카야마 정화 공업사 제조)/35 중량부Aromatic polyamine resin: 1,3-bis [4-aminophenoxy] benzene (trade name: TPE-R, manufactured by Wakayama Purification Industry Co., Ltd.) / 35 parts by weight
에폭시 수지 : 비스페놀 A 형 에폭시 수지 (상품명 : 에피크론 850S, 다이닛폰 잉크 화학 공업사 제조)/20 중량부Epoxy resin: Bisphenol A type epoxy resin (brand name: Epikron 850S, Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.) / 20 parts by weight
가교 가능한 관능기를 갖는 선상 폴리머 : 폴리비닐아세탈 수지 (상품명 : 덴카부티랄 5000A, 덴키 화학 공업사 제조)/15 중량부Linear polymer having a crosslinkable functional group: polyvinyl acetal resin (trade name: Denkabutyral 5000A, manufactured by Denki Chemical Industries, Ltd.) / 15 parts by weight
상기 서술한 수지 바니시를 코로나 처리가 끝난 구리 피복 폴리이미드 수지 기재의 폴리이미드 수지면에 도포하고, 실온에서 5 분간의 풍건을 실시하고, 160 ℃ × 5 분간의 조건으로 가열 건조시켜, 반경화 수지층을 적층 형성하였다. 이 때의 반경화 수지층의 수지 두께는 20 ㎛ 로 하였다.The resin varnish mentioned above is apply | coated to the polyimide resin surface of the corona-treated copper clad polyimide resin base material, air-dried for 5 minutes at room temperature, heat-dried on conditions for 160 degreeCx 5 minutes, and semi-hardened resin layer Was laminated. The resin thickness of the semi-hardened resin layer at this time was 20 micrometers.
그리고, 반경화 수지층의 경화 후의 열팽창 계수를 측정하기 위해서, 반경화 수지층의 형성에 사용한 상기 서술한 수지 바니시를, 상기 서술과 동일한 방법으로 불소계의 내열 필름에 도포하고, 실온에서 5 분간의 풍건을 실시하고, 160 ℃ × 5 분간의 조건으로 가열 건조시키고, 추가로 200 ℃ × 2 시간의 경화 가열을 실시하여 두께 20 ㎛ 의 시험용 경화 수지층으로 하였다. 즉, 이 시험용 경화 수지층은, 본건 발명에 관련된 캐리어 부착 동박의 반경화 수지층이 경화되었을 경우에 상당한다. 이 시험용 경화 수지층의 열팽창 계수는 45 ppm/℃ 였다.And in order to measure the thermal expansion coefficient after hardening of a semi-hardened resin layer, the above-mentioned resin varnish used for formation of a semi-hardened resin layer is apply | coated to the fluorine-type heat resistant film by the same method as the above-mentioned, and it is for 5 minutes at room temperature. It air-dried, it heat-dried on the conditions of 160 degreeCx 5 minutes, and further hardened heating of 200 degreeC * 2 hours, and set it as the cured resin layer for tests of thickness 20micrometer. That is, this cured resin layer for a test corresponds to the case where the semi-hardened resin layer of the copper foil with a carrier which concerns on this invention was hardened. The thermal expansion coefficient of this test cured resin layer was 45 ppm / degreeC.
이상과 같이 하여 얻어진 캐리어 부착 동박의 수지층 전체의 두께는 47 ㎛ 였다. 그리고, 후술하는 방법에 의해, 이 수지가 부착된 동박으로부터 동박을 에칭 제거하고, 경화 수지층과 반경화 수지층으로 이루어지는 수지층을 사용하고, 이것을 200 ℃ × 2 시간의 경화 가열을 실시하여, 당해 반경화 수지층을 경화시킨 후의 수지층 전체의 열팽창 계수를 측정하였다. 그 결과, 열팽창 계수는 35 ppm/℃ 였다. 또, 박리 강도는 1.0 ㎏f/㎝ 였다.The thickness of the whole resin layer of the copper foil with a carrier obtained as mentioned above was 47 micrometers. And by the method mentioned later, copper foil is etched away from this copper foil with resin, the resin layer which consists of a cured resin layer and a semi-hardened resin layer is used, this is hardened and heated at 200 degreeC x 2 hours, The thermal expansion coefficient of the whole resin layer after hardening the said semi-hardened resin layer was measured. As a result, the coefficient of thermal expansion was 35 ppm / 占 폚. Moreover, peeling strength was 1.0 kgf / cm.
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맨 처음에 수지층을 구성하는 제 1 수지 조성물을 제조하였다. 이 제 1 수지 조성물을 제조함에 있어서, o-크레졸 노볼락형 에폭시 수지 (토토 화성 주식회사 제조 YDCN-704), 용제에 가용인 방향족 폴리아미드 수지 폴리머, 용제로서의 시클로펜타논과의 혼합 바니시로서 시판되고 있는 닛폰 화약 주식회사 제조의 BP3225-50P 를 원료로서 사용하였다. 그리고, 이 혼합 바니시에, 경화제로서의 페놀 수지에 다이닛폰 잉크 주식회사 제조의 VH-4170 및 경화 촉진제로서 시코쿠 화성 주식회사 제조의 2E4MZ 를 첨가하여 이하에 나타내는 배합 비율을 갖는 제 1 수지 조성물로 하였다.First, the 1st resin composition which comprises a resin layer was manufactured. In manufacturing this 1st resin composition, it is marketed as a mixing varnish with o-cresol novolak-type epoxy resin (YDCN-704 by Toto Chemical Co., Ltd.), the aromatic polyamide resin polymer soluble in a solvent, and cyclopentanone as a solvent. Nippon Gunpowder Co., Ltd. product BP3225-50P was used as a raw material. And in this mixing varnish, 2E4MZ by Shikoku Chemical Co., Ltd. was added as VH-4170 by Dainippon Ink Corporation and a hardening accelerator to the phenol resin as a hardening | curing agent, and it was set as the 1st resin composition which has the compounding ratio shown below.
o-크레졸 노볼락형 에폭시 수지 38 중량부38 parts by weight of o-cresol novolac epoxy resin
방향족 폴리아미드 수지 폴리머 50 중량부50 parts by weight of aromatic polyamide resin polymer
페놀 수지 18 중량부Phenolic resin 18 parts by weight
경화 촉진제 0.1 중량부0.1 part by weight of a curing accelerator
이 제 1 수지 조성물을, 추가로 메틸에틸케톤을 사용하여 수지 고형분을 30 중량% 로 조정함으로써 수지 용액으로 하였다.This 1st resin composition was made into the resin solution by further adjusting resin solid content to 30 weight% using methyl ethyl ketone.
수지층 형성 전의 캐리어 부착 동박의 극박 구리층측 표면 (극박 구리층에 표면 처리가 실시되어 있는 경우에는 당해 표면 처리된 표면) 에, 이온 교환수에 5 g/ℓ 의 농도가 되도록 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란을 첨가한 용액 중에 침지시켜 흡착 처리하였다. 그리고, 전열기로 180 ℃ 분위기로 조정한 노 내에서 4 초에 걸쳐 수분을 날리고, 실란 커플링제의 축합 반응을 실시하여 실란 커플링제층을 형성하였다.Γ-glycidoxy at a concentration of 5 g / L in ion-exchanged water on the ultrathin copper layer side surface of the copper foil with a carrier before the resin layer formation (the surface treated if the ultrathin copper layer is subjected to surface treatment). It was immersed in the solution which added propyl trimethoxysilane, and it adsorbed. And moisture was blown over 4 second in the furnace adjusted to 180 degreeC atmosphere with the heater, the condensation reaction of the silane coupling agent was performed, and the silane coupling agent layer was formed.
이상과 같이 하여 제조한 수지 용액을 그라비아 코터를 사용하여 캐리어 부착 동박의 실란 커플링제층을 형성한 면에 도포하였다. 그리고, 5 분간의 풍건을 실시하고, 그 후 140 ℃ 의 가열 분위기 중에서 3 분간의 건조 처리를 실시하고, 반경화 상태의 1.5 ㎛ 두께의 수지층을 형성하여, 본건 발명에 관련된 캐리어 부착 동박을 얻은 것이다. 또한, 레진 플로우의 측정에, 프라이머 수지층을 40 ㎛ 두께로 한 수지가 부착된 동박 (이하, 「레진 플로우 측정용 시료」 라고 칭한다) 을 제조하였다.The resin solution produced as mentioned above was apply | coated to the surface in which the silane coupling agent layer of the copper foil with a carrier was formed using the gravure coater. Then, air drying was performed for 5 minutes, drying treatment was then performed for 3 minutes in a heating atmosphere at 140 ° C., a resin layer having a thickness of 1.5 μm in a semi-cured state was formed, and a copper foil with a carrier according to the present invention was obtained. will be. Moreover, the copper foil (henceforth "a sample for resin flow measurement") with resin which made the primer resin layer 40 micrometers thick was manufactured for the measurement of resin flow.
그리고, 이 레진 플로우 측정용 시료로부터 가로세로 10 ㎝ 시료를 4 매 채취하고, 상기 서술한 MIL-P-13949G 에 준거하여 레진 플로우의 측정을 실시하였다. 그 결과, 레진 플로우는 1.5 % 였다.Then, four samples of 10 cm in length and width were collected from the sample for measuring the resin flow, and the resin flow was measured in accordance with MIL-P-13949G described above. As a result, the resin flow was 1.5%.
2. 캐리어 부착 동박의 특성 평가2. Evaluation of characteristics of copper foil with carrier
상기와 같이 하여 얻어진 캐리어 부착 동박에 대해, 이하의 방법으로 특성 평가를 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다. 또한, 표 1 의 「표준 편차 (㎛) 란」 의 「Ra」 의 「3.91E-16」 은 3.91 × 10-16 (㎛) 을 의미하고, 「1.30E-02」 는 1.30 × 10-2 (㎛) 를 의미한다.About the copper foil with a carrier obtained by making it above, the characteristic evaluation was performed with the following method. The results are shown in Table 1. In addition, "3.91E-16" of "Ra" of the "standard deviation (micrometer) column" of Table 1 means 3.91 * 10 <-16> (micrometer), and "1.30E-02" means 1.30 * 10 <-2> ( Μm).
(표면 조도)(Surface roughness)
수지층을 형성하기 전의 각 캐리어 부착 동박 (550 ㎜ × 550 ㎜ 의 정방형) 으로부터, 55 ㎜ 피치로 가로세로로 직선을 그어, 1 개당 55 ㎜ × 55 ㎜ 의 정방형의 영역을 100 지점 할당하였다. 각 영역에 대해 접촉식 조도 측정기 (주식회사 코사카 연구소 제조 접촉 조도계 Surfcorder SE-3C) 를 사용하여, JIS B0601-1982 (Ra, Rz) 및 JIS B0601-2001 (Rt) 에 준거하여 이하의 측정 조건으로 극박 구리층의 표면 조도 (Ra, Rt, Rz) 를 측정하여, 그 평균값 및 표준 편차를 측정하였다.From each copper foil with a carrier (550 mm x 550 mm square) before forming a resin layer, a straight line was drawn vertically and horizontally by 55 mm pitch, and 100 points of the area | regions of 55 mm x 55 mm were allocated per piece. For each area, using a contact roughness measuring instrument (contact illuminometer Surfcorder SE-3C manufactured by Kosaka Research Institute, Inc.), ultra-thin under the following measurement conditions in accordance with JIS B0601-1982 (Ra, Rz) and JIS B0601-2001 (Rt). The surface roughness (Ra, Rt, Rz) of the copper layer was measured, and the average value and standard deviation were measured.
<측정 조건><Measurement conditions>
컷오프 : 0.25 ㎜Cutoff: 0.25 mm
기준 길이 : 0.8 ㎜Reference length: 0.8 mm
측정 환경 온도 : 23 ∼ 25 ℃Measurement environmental temperature: 23-25 ℃
(마이그레이션)(Migration)
수지층을 형성하기 전의 각 캐리어 부착 동박 (550 ㎜ × 550 ㎜ 의 정방형) 을 비스무트계 수지에 접착하고, 이어서 캐리어박을 박리 제거하였다. 노출된 극박 구리층의 두께를 소프트 에칭에 의해 1.5 ㎛ 로 하였다. 그 후, 세정, 건조를 실시한 후에, 극박 구리층 상에 DF (히타치 화성사 제조, 상품명 RY-3625) 를 라미네이트 도포하였다. 15 mJ/㎠ 의 조건으로 노광하고, 현상액 (탄산나트륨) 을 사용하여 38 ℃ 에서 1 분간 액분사 요동하여, 라인 앤드 스페이스 (L/S) = 15 ㎛/15 ㎛ 로 레지스트 패턴을 형성하였다. 이어서, 황산구리 도금 (에바라 유디라이트 제조 CUBRITE21) 을 사용하여 15 ㎛ 도금 UP 한 후, 박리액 (수산화나트륨) 으로 DF 를 박리하였다. 그 후, 극박 구리층을 황산-과산화수소계의 에천트로 에칭 제거하여 L/S = 15 ㎛/15 ㎛ 의 배선을 형성하였다. 얻어진 배선 기판으로부터, 상기 서술한 1 개당 55 ㎜ × 55 ㎜ 의 크기의 영역에 따라 배선 기판을 100 개 잘라내었다.Each copper foil with a carrier (550 mm x 550 mm square) before forming a resin layer was adhere | attached on bismuth type resin, and carrier foil was peeled off then ,. The thickness of the exposed ultrathin copper layer was 1.5 micrometers by soft etching. Then, after washing and drying, DF (Hitachi Chemical Co., Ltd. make, brand name RY-3625) was laminated | stacked on the ultra-thin copper layer. It exposed on the conditions of 15 mJ / cm <2>, liquid-liquid oscillation for 1 minute at 38 degreeC using the developing solution (sodium carbonate), and formed the resist pattern in line and space (L / S) = 15 micrometer / 15 micrometers. Subsequently, after 15 micrometers plating UP using copper sulfate plating (CUBRITE21 by Ebara Udylite), DF was peeled off with the peeling liquid (sodium hydroxide). Thereafter, the ultrathin copper layer was etched away with an sulfuric acid-hydrogen peroxide-based etchant to form a wiring of L / S = 15 μm / 15 μm. From the obtained wiring board, 100 wiring boards were cut out according to the area | region of the size of 55 mm x 55 mm per piece mentioned above.
얻어진 각 배선 기판에 대해, 마이그레이션 측정기 (IMV 제조 MIG-9000) 를 사용하여, 이하의 측정 조건으로, 배선 패턴 사이의 절연 열화의 유무를 평가하였다. 100 개의 배선 기판에 대해 마이그레이션이 발생한 기판의 수를 평가하였다.About each obtained wiring board, the presence or absence of insulation deterioration between wiring patterns was evaluated on the following measurement conditions using the migration measuring device (IMV MIG-9000). The number of board | substrates which the migration generate | occur | produced about 100 wiring board | substrates was evaluated.
또한, 실시예 2 에 대해서는 추가로, 라인 앤드 스페이스의 피치가 20 ㎛ (L/S = 8 ㎛/12 ㎛, L/S = 10 ㎛/10 ㎛, L/S = 12 ㎛/8 ㎛) 인 배선을 형성하여 상기 서술한 마이그레이션의 평가를 하였다. 또, 실시예 3 에 대해서는 추가로, 라인 앤드 스페이스의 피치가 20 ㎛ (L/S = 8 ㎛/12 ㎛, L/S = 10 ㎛/10 ㎛, L/S = 12 ㎛/8 ㎛), 라인 앤드 스페이스의 피치가 15 ㎛ (L/S = 5 ㎛/10 ㎛, L/S = 8 ㎛/7 ㎛) 인 배선을 형성하여 상기 서술한 마이그레이션의 평가를 하였다. 또한, 라인 앤드 스페이스의 피치가 15 ㎛ 인 경우, 도금 UP 의 두께를 10 ㎛ 로 하였다. 그 결과, 실시예 2 의 캐리어 부착 동박을 사용하여 L/S = 8 ㎛/12 ㎛, L/S = 10 ㎛/10 ㎛, L/S = 12 ㎛/8 ㎛ 의 배선을 형성했을 경우, 면내 마이그레이션 발생률은 각각 2/100, 2/100, 3/100 이었다. 또, 실시예 3 의 캐리어 부착 동박을 사용하여 L/S = 8 ㎛/12 ㎛, L/S = 10 ㎛/10 ㎛, L/S = 12 ㎛/8 ㎛, L/S = 5 ㎛/10 ㎛, L/S = 8 ㎛/7 ㎛ 의 배선을 형성했을 경우, 면내 마이그레이션 발생률은 각각 1/100, 1/100, 2/100, 1/100, 3/100 이었다.In addition, about Example 2, the pitch of a line and space is 20 micrometers (L / S = 8micrometer / 12micrometer, L / S = 10micrometer / 10micrometer, L / S = 12micrometer / 8micrometer) The wiring was formed and the migration mentioned above was evaluated. In addition, for Example 3, the pitch of the line and space was 20 µm (L / S = 8 µm / 12 µm, L / S = 10 µm / 10 µm, L / S = 12 µm / 8 µm), The wiring whose pitch of line and space was 15 micrometers (L / S = 5micrometer / 10micrometer, L / S = 8micrometer / 7micrometer) was formed, and the migration mentioned above was evaluated. In addition, when the pitch of the line and space was 15 µm, the thickness of the plating UP was 10 µm. As a result, when the wiring of L / S = 8micrometer / 12micrometer, L / S = 10micrometer / 10micrometer, L / S = 12micrometer / 8micrometer is formed using the copper foil with a carrier of Example 2, Migration rates were 2/100, 2/100, and 3/100, respectively. Moreover, L / S = 8micrometer / 12micrometer, L / S = 10micrometer / 10micrometer, L / S = 12micrometer / 8micrometer, L / S = 5micrometer / 10 using the copper foil with a carrier of Example 3 When the wirings having a thickness of µm and L / S = 8 µm / 7 µm were formed, the in-plane migration rate was 1/100, 1/100, 2/100, 1/100, and 3/100, respectively.
<측정 조건><Measurement conditions>
임계값 : 초기 저항 60 % 다운Threshold: 60% initial resistance down
측정 시간 : 1000 hMeasurement time: 1000 h
전압 : 60 VVoltage: 60 V
온도 : 85 ℃Temperature: 85 ℃
상대습도 : 85 %RHRelative Humidity: 85% RH
(박리 강도)(Peel strength)
제조한 수지층이 부착된 (단, 수지층을 형성하고 있지 않은 경우에는 수지층이 없는) 캐리어 부착 동박에 대해, 극박 구리층의 수지 기재로부터의 박리 강도에 대해 측정을 실시하였다. 수지 기재로서 BT 기재 (비스말레이미드·트리아진 수지, 미츠비시 가스 화학 (주) 제조 GHPL-830MBT) 를 사용하여, 이것을 캐리어 부착 동박의 수지층측에 적층하고, 미츠비시 가스 화학 (주) 이 추천하는 조건으로 가열 압착하여 구리 피복 적층판을 제조하였다. 그 후, 캐리어를 박리한 후, 폭 10 ㎜ 의 회로를 습식 에칭에 의해 제조하여, 실시예/비교예별로 10 개의 측정 샘플을 제조하였다. 그 후, 회로를 형성하고 있는 극박 구리층을 박리하고, 90 도 박리 강도를 10 개의 샘플에 대해 측정하여, 박리 강도의 평균값, 최대값, 최소값, 박리 강도의 편차 ((최대값 - 최소값)/평균값 × 100 (%)) 를 구하였다. BT 기재는 대표적인 반도체 패키지 기판용 기재이다. BT 기재를 적층했을 때의 BT 기재로부터의 극박 구리층의 박리 강도가 0.70 kN/m 이상인 것이 바람직하고, 0.85 kN/m 이상인 것이 보다 바람직하다.It measured about the peeling strength from the resin base material of the ultra-thin copper layer about the copper foil with a carrier with a manufactured resin layer (but without a resin layer, when not forming a resin layer). Using a BT base material (bismaleimide triazine resin, Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. product GHPL-830MBT) as a resin base material, this is laminated | stacked on the resin layer side of copper foil with a carrier, and Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. recommends It was heated and pressed under the conditions to produce a copper clad laminate. Then, after peeling a carrier, the circuit of width 10mm was manufactured by wet etching, and ten measurement samples were produced for every Example / comparative example. Thereafter, the ultrathin copper layer forming the circuit was peeled off, and the 90 degree peel strength was measured for 10 samples, and the average value, the maximum value, the minimum value, and the deviation of the peel strength ((maximum value-minimum value) / Average value x 100 (%)) was calculated | required. The BT substrate is a representative substrate for a semiconductor package substrate. It is preferable that the peeling strength of the ultra-thin copper layer from a BT base material at the time of laminating | stacking a BT base material is 0.70 kN / m or more, and it is more preferable that it is 0.85 kN / m or more.
Claims (2)
상기 극박 구리층은 조화 처리되어 있는 캐리어 부착 동박.
The method of claim 1,
The said ultra-thin copper layer is a roughening process copper foil with a carrier.
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