KR102035721B1 - 3-구역 캐리어 헤드 및 가요성 멤브레인 - Google Patents

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Abstract

화학적 기계적 폴리셔의 캐리어 헤드를 위한 가요성 멤브레인은, 주 부분, 환형 외측 부분, 및, 3개의 환형 플랩들을 포함한다. 주 부분은 반경(R)을 갖는 기판 장착 표면을 갖는다. 환형 외측 부분은, 주 부분의 외측 엣지로부터 상향으로 연장되고, 상부 엣지 및 주 부분에 연결되는 하부 엣지를 갖는다. 3개의 환형 플랩들은, R의 75% 내지 95%의 방사상 포지션에서 주 부분의 내측 표면에 결합된 제 1 환형 플랩, 하부 엣지와 상부 엣지 사이의 포지션에서 환형 외측 부분에 결합된 제 2 내측으로-연장되는 환형 플랩, 및 환형 외측 부분의 상부 엣지에 결합된 제 3 내측으로-연장되는 환형 플랩을 포함한다.

Description

3-구역 캐리어 헤드 및 가요성 멤브레인{THREE-ZONE CARRIER HEAD AND FLEXIBLE MEMBRANE}
관련 출원들에 대한 상호-참조
본 출원은, 인용에 의해 본원에 포함되는, 2012년 11월 30일자로 출원된 미국 가출원 일련번호 제61/731,758호에 대한 우선권을 주장한다.
본 개시물은 화학적 기계적 폴리싱을 위한 캐리어 헤드에 관한 것이다.
전형적으로, 전도 층, 반도체 층 또는 절연 층의 순차적인 증착에 의해, 기판들, 특히 실리콘 웨이퍼들 상에 집적 회로들이 형성된다. 하나의 제조 단계는 비-평면 표면 위에 충전재(filler) 층을 증착하고 그 충전재 층을 평탄화하는 단계를 수반한다. 어떤 응용예들의 경우, 충전재 층은 패터닝된 층의 최상부 표면이 노출될 때까지 평탄화된다. 절연 층의 트렌치들 또는 홀들을 채우기 위해, 패터닝된 절연 층 상에 예컨대, 도전성 충전재 층이 증착될 수 있다. 평탄화 후, 절연 층의 융기된 패턴 사이에 남아 있는 도전층의 부분들은 비아들, 플러그들 및 기판 상의 박막 회로들 사이에 전도성 경로들을 제공하는 라인들을 형성한다. 산화물 폴리싱과 같은 다른 응용예들의 경우, 비-평면 표면 위에 미리결정된 두께가 남을 때까지, 충전재 층이 평탄화된다. 또한, 일반적으로 포토리소그래피를 위해 기판 표면의 평탄화가 요구된다.
화학적 기계적 폴리싱(CMP)은 용인된 한가지 평탄화 방법이다. 이 평탄화 방법은 전형적으로, 기판이 캐리어 헤드 상에 장착되는 것을 필요로 한다. 기판의 노출된 표면은 전형적으로, 회전하는 폴리싱 패드에 대향하도록(against) 배치된다. 캐리어 헤드는 폴리싱 패드에 대해 기판을 가압하기 위해 기판에 제어가능한 부하를 제공한다. 전형적으로, 폴리싱 액체, 예컨대, 연마 입자들을 구비한 슬러리가 폴리싱 패드의 표면에 공급된다. 기판 상의 금속층, 예컨대, 구리층을 폴리싱하기 위해서는, 슬러리가 산성일 수 있다.
150mm(또한, "6인치"로 지칭됨) 직경의 기판들에 대한 기술 노드(technology node)은 계속해서 개선된다. 이는, 웨이퍼 내에서의 및 웨이퍼-대-웨이퍼의 균일성에 대한 더욱 더 엄격해지는 요건들을 준수하기 위해서 CMP 프로세스 능력을 개선시키는 것을 필요하게 한다. 더 큰 기판들, 예를 들어, 200mm 및 300mm 직경의 기판들을 위해서 다중-구역 캐리어 헤드들이 사용되어 왔지만, 150mm 직경의 기판을 위한 더 작은 크기의 캐리어 헤드는 폼 팩터(form factor) 난제들(difficulties)을 일으킬 수 있다.
일 양태에서, 화학적 기계적 폴리셔의 캐리어 헤드를 위한 가요성 멤브레인은, 주 부분, 환형 외측 부분, 및, 가요성 멤브레인이 캐리어 헤드에 고정될 때 주 부분 위의 용적을 복수의 챔버들로 분할하기 위한, 정확히 3개의 환형 플랩들(flaps)을 포함한다. 주 부분은 기판-장착 표면을 제공하기 위한 하부 표면을 갖고, 기판 장착 표면은 반경(R)을 갖는다. 환형 외측 부분은, 주 부분의 외측 엣지로부터 상향으로 연장되고, 상부 엣지 및 주 부분에 연결되는 하부 엣지를 갖는다. 3개의 환형 플랩들은, R의 75% 내지 95%의 방사상 포지션에서 주 부분의 내측 표면에 결합된(jointed) 제 1 환형 플랩, 하부 엣지와 상부 엣지 사이의 포지션에서 환형 외측 부분에 결합된 제 2 환형 플랩, 및 환형 외측 부분의 상부 엣지에 결합된 제 3 환형 플랩을 포함하고, 제 2 환형 플랩은 환형 외측 부분으로부터 내측으로 연장되며, 제 3 환형 플랩은 환형 외측 부분으로부터 내측으로 연장된다.
다른 양태에서, 화학적 기계적 폴리싱 헤드는, 베이스 조립체, 베이스 조립체에 고정된 유지 링, 및 베이스 조립체에 고정된, 상기 설명된 바와 같은 가요성 멤브레인을 포함한다.
양태들 중 임의의 양태의 구현예들은, 이하의 피쳐들(features) 중 하나 또는 그 초과의 피쳐들을 포함할 수 있다. 기판 장착 표면은 약 75mm의 반경을 가질 수 있다. 제 1 환형 플랩은, 주 부분의 외측 엣지로부터 약 10mm에서 주 부분에 결합될 수 있다. 제 1 환형 플랩은, R의 85% 내지 90%의 방사상 포지션에서 주 부분에 결합될 수 있다. 제 1 환형 플랩은, 수평으로 연장되는 섹션 및 수평으로 연장되는 섹션을 주 부분에 연결시키는 수직으로 연장되는 섹션을 포함할 수 있다. 노치(notch)는, 수직으로 연장되는 섹션과 수평으로 연장되는 섹션 사이의 결합부(junction)에서 형성될 수 있다. 수평으로 연장되는 섹션은 수직으로 연장되는 섹션보다 더 작은 두께를 가질 수 있다. 플랩들 중 각각의 플랩은 주 부분의 두께보다 더 작은 두께를 가질 수 있다. 환형 외측 부분은, 주 부분의 두께보다 더 큰 두께를 갖는 본체를 포함할 수 있다. 노치는, 주 부분과 본체의 결합부에서 환형 외측 부분의 본체의 내부 표면에 형성될 수 있다. 본체의 외측 표면은 본체의 상부 엣지와 하부 엣지 사이에 리세스를 가질 수 있다. 하부 엣지와 리세스 사이의 본체의 외측 표면은 단일 수직 표면(single vertical surface)일 수 있다. 상부 엣지와 리세스 사이의 본체의 외측 표면은 단일 수직 표면일 수 있다. 하부 엣지와 리세스 사이의 본체의 외측 표면은, 상부 엣지와 리세스 사이의 본체의 외측 표면과 측방향(laterally)으로 정렬될 수 있다.
구현예들은, 이하의 장점들 중 하나 또는 그 초과의 장점들을 포함할 수 있다. 웨이퍼 내에서의 및 웨이퍼-대-웨이퍼의 균일성이 개선될 수 있고, 그러한 개선은 150mm 직경 기판들에까지 확대될 수 있다.
하나 또는 그 초과의 구현예들에 대한 세부 사항들이 첨부 도면들과 이하의 상세한 설명에서 설명된다. 다른 양태들, 특징들 및 이점들은 상세한 설명과 도면들로부터, 그리고 청구항들로부터 명백해질 것이다.
도 1은 화학적 기계적 폴리싱 장치를 위한 캐리어 헤드의 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 캐리어 헤드의 우측 확대도이다.
도 3은 도 1의 캐리어 헤드로부터의 멤브레인의 개략적인 단면도이다.
폴리싱 작업 중에, 캐리어 헤드(100)를 포함하는 화학적 기계적 폴리싱(CMP) 장치에 의해 하나 또는 그 초과의 기판들이 폴리싱될 수 있다. CMP 장치에 대한 설명은 미국 특허 번호 제 5,738,574 호에서 찾을 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 예시적인 캐리어 헤드(100)는, 하우징(102), 하우징(102)에 대해 수직으로 이동 가능한 베이스 조립체(130), 하우징(102)과 베이스 조립체(130) 사이에 배치되어 베이스 조립체(130)에 대한 하향 압력 또는 그 수직 위치를 제어하는 가압 가능한(pressurizable) 챔버(104), 베이스 조립체(130)에 고정되며 기판(10)을 위한 장착 표면을 제공하는 바닥 표면을 가진 가요성 멤브레인(120), 멤브레인(120)과 베이스 조립체(130) 사이에 배치된 복수의 가압 가능한 챔버(122)들, 및 멤브레인(120) 아래에 기판(10)을 유지하기 위해 베이스 조립체(130)의 엣지 부근에 고정된 유지 링(110)을 포함한다. 하우징(102)은 구동 샤프트에 고정될 수 있으며, 구동 샤프트는 폴리싱 패드를 가로질러 캐리어 헤드를 회전 및/또는 병진(translate)시킬 수 있다.
유지 링(110)은, 예컨대, 베이스 조립체(130) 내에 정렬된 통로들을 통해 유지 링(110)의 상부 표면 속으로 연장하는 스크류들 또는 볼트들에 의해, 베이스 조립체(130)의 외측 엣지에 고정되는 대체로 환형인 링일 수 있다. 유지 링(110)의 내부 표면은, 가요성 멤브레인(120)의 하부 표면과 함께 기판 수용 리세스를 정의한다. 유지 링(110)은 기판이 기판 수용 리세스에서 빠져나오는 것을 방지한다. 유지 링(110)은 하부 부분(112)과, 하부 부분(112)보다 더 강성인(rigid) 상부 부분(114)을 포함할 수 있다. 하부 부분(112)은 폴리페닐렌 설파이드(PPS) 또는 폴리에테르에테르케톤(PEEK)과 같은 플라스틱일 수 있다. 하부 부분(112)은, 예컨대, 비-소성(non-plastic) 충전재들이 없는, 실질적으로 순수한 플라스틱일 수 있다(플라스틱으로 구성될 수 있다). 상부 부분(114)은 금속, 예컨대, 스테인리스 스틸일 수 있다.
챔버(104) 내의 압력 및 그에 따라서 베이스 조립체(130), 및 그에 따른 유지 링(110)의 위치 및/또는 하향 압력을 제어하기 위해, 하우징(102) 및/또는 베이스 조립체(130) 내의 통로를 통해 챔버(104)에 압력 제어기가 유체 연결될 수 있다(fluidly connected). 유사하게, 챔버(122)들 내부의 압력들 및 그에 따라 기판에 대한 가요성 멤브레인(120)의 하향 압력들을 제어하기 위해, 하우징(102) 및/또는 베이스 조립체(130) 내의 통로(108)들을 통해 챔버(122)들에 압력 제어기들이 유체 연결될 수 있다.
대안적으로, 베이스 조립체(130) 및 하우징(102)은 (챔버(122)가 없으며 하우징(102)에 대해 베이스 조립체(130)가 수직으로 이동가능하지 않은 상태로) 단일의 부분으로 결합될 수 있다. 이러한 구현예들 중 일부에서, 폴리싱 패드에 대한 유지 링(110)의 압력을 제어하기 위해 구동 샤프트가 상승되고 하강될 수 있다. 다른 대안예에서, 예컨대, 인용에 의해 포함된 미국 특허 번호 제 7,699,688 호에 기술된 바와 같이, 유지 링에 대한 하향 압력을 제어하기 위해, 유지 링(110)은 베이스 조립체(130)에 대해 상대적으로 이동가능할 수 있고, 캐리어 헤드(100)는, 가압될 수 있는 내부 챔버를 포함할 수 있다.
가요성 멤브레인(120)은 실리콘 멤브레인일 수 있다. 가요성 멤브레인은, 가요성 멤브레인(120)과 베이스 조립체(130) 사이의 체적을 개별적으로 제어가능한 챔버들로 분할하는 다수의 플랩(124)들을 포함할 수 있다. 플랩(124)들의 단부들은 베이스 조립체(130)에 부착될 수 있으며, 예컨대, 베이스 조립체(130)에 클램핑될 수 있다.
환형 외부 링(126)은, 가요성 멤브레인(120)의 외주부(outer perimeter portion)의 외면에 있는 리세스 속에 삽입될 수 있다. 환형 내부 링(128)은 가요성 멤브레인(120)의 외주부의 내면에 인접할 수 있다. 외부 링(126)과 내부 링(128)은 가요성 멤브레인(120)의 주연부(perimeter portion)의 강성(rigidity)을 증대시킨다. 이는, 다수의 챔버들 중 상부 챔버 내의 압력이, 주연부를 통해 기판으로 전달될 수 있도록 허용할 수 있다.
각각의 플랩의 단부는 클램프들(132) 사이에 클램핑될 수 있다. 여러 클램프들은, 실질적으로 순수한 플라스틱, 예를 들어, 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 또는 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 합성 플라스틱, 예를 들어, 유리 충전(glass filled) PPS 또는 유리-충전 PEEK, 또는 금속, 예를 들어, 스테인리스 스틸 또는 알루미늄일 수 있다.
(베이스 조립체(130)의 일부로 여겨질 수 있는) 짐벌(gimbal) 메커니즘(136)은, 베이스 조립체(130)의 측방향 운동을 방해하면서, 베이스 조립체(130)가, 하우징(102)에 대해 수직으로 슬라이딩하는 것을 허용한다. 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET-P)에 기초한 반-결정질 열가소성 폴리에스테르로 형성된 커버(138), 예를 들어, Ertalyte™는, 슬러리로부터의 오염이 캐리어 헤드(100)의 내부에 도달하는 것을 방지하기 위해, 베이스 조립체(130)의 외측면(outer side) 위에 놓일 수 있다(draped).
전체적으로, 짐벌 메커니즘(136), 여러 클램프들(132), 및 커버(138)는, 베이스 조립체(130)를 제공하는 것으로 여겨질 수 있다.
도 2 및 3을 참조하면, 일부 구현예들에서, 멤브레인은 정확하게 3개의 플랩들을 포함하는데, 3개의 챔버들(122a, 122b, 및 122c)을 정의하는 내측 플랩(124a), 중간 플랩(124b), 및 외측 플랩(124c)을 포함한다. 제 1 챔버(122a)는, 최내측 플랩(124a) 내에 로케이팅되는 대체로 원형의 챔버이다. 제 2 챔버(122b)는 제 1 챔버(122a)를 둘러싸는 환형 챔버이고, 최내측 플랩(124a)과 중간 플랩(124b) 사이의 용적에 의해서 정의된다. 제 3 챔버(122c)는 제 2 챔버(122b) 위에 포지셔닝될 수 있고, 중간 플랩(124b)과 외측 플랩(124c) 사이의 용적에 의해서 정의된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 가요성 멤브레인(120)은, 대체로 편평한 주 부분(140) 및 환형 외측 부분(150)을 가질 수 있다. 주 부분(140)의 하부 표면은 기판-장착 표면(142)을 제공한다. 외측 부분(150)의 하부 엣지는 주 부분(140)의 외측 엣지에 결합된다.
내측 환형 플랩(124a)은 가요성 멤브레인(120)의 주 부분(140)의 상부 표면에 결합된다. 따라서, 내측 환형 플랩(124a)이 주 부분(140)에 연결되는 영역 내에 로케이팅되는, 기판 장착 표면(142)의 내측 원형 부분(144) 상의 하향 압력은, 제 1 챔버(122a)(도 2 참고) 내의 압력에 의해서 주로 제어된다. 반면에, 내측 환형 플랩(124a)이 주 부분(140)에 연결되는 곳과 환형 외측 부분(150) 사이에 로케이팅되는, 기판 장착 표면(142)의 외측 환형 부분(146) 상의 하향 압력은, 제 2 챔버(122b)(도 2 참고) 내의 압력에 의해서 주로 제어된다.
내측 플랩(124a)은, 기판 장착 표면(142)의 반경의 75% 내지 95%, 예를 들어, 80% 내지 85%의 방사상 포지션에서, 주 부분(140)의 내측 표면에 결합될 수 있다. 150mm 직경 기판의 폴리싱을 위해서, 기판 장착 표면(142)(및 주 부분(140))은 약 75mm의 반경을 가질 수 있다. 내측 플랩(124a)은, 기판 장착 표면의 엣지로부터 약 10mm에서, 주 부분(140)에 연결될 수 있다. 따라서, 내측 원형 부분(144)은 약 65mm의 반경을 가질 수 있고, 외측 환형 부분(146)은 약 10mm의 폭을 가질 수 있다.
내측 환형 플랩(124a)은 주 부분(140)으로부터 상향으로 연장되는 수직 부분(160), 및 수직 부분(160)의 상부 엣지로부터 수평으로 연장되는 수평 부분(162)을 포함할 수 있다. 수평 부분(162)은 수직 부분(160)으로부터 내측으로(캐리어 헤드의 중앙을 향하여) 연장될 수 있다. 수평 부분(162)의 단부는, 베이스 조립체(130)에 고정될 때, 챔버들(122a, 122b)을 유체적으로 분리시키도록(fluidly separate) 구성될 수 있는 두꺼운 림(rim) 부분(164)을 가질 수 있다. 예를 들어, 수평 부분(162)이 수직 부분(160)으로부터 내측으로 연장된다는 것을 가정하면, 두꺼운 림 부분(164)은 수평 부분(162)의 내측 엣지에 로케이팅될 수 있다.
일부 구현예들에서, 내측 환형 플랩(124a)의 수평 부분(162)은 수직 부분(160)보다 더 작은 두께를 가질 수 있다. 일부 구현예들에서, 수평 부분(162)의 길이 대 수직 부분(160)의 길이의 비율은 약 1.5 내지 2.0, 예컨대 약 1.66이다. 일부 구현예들에서, 내측 환형 플랩(124a)의 수직 부분(160)은 가요성 멤브레인의 주 부분(140)보다 더 작은 두께를 가질 수 있다.
일부 구현예들에서, 압입부(indentation) 또는 노치(166)가 내측 환형 플랩(124a)의 수직 부분(160)에 형성될 수 있다. 노치(166)는 수평 부분(162)과 수직 부분(160) 사이의 접합부(juncture)의 내부 코너에 포지셔닝될 수 있다. 노치(166)는 동심(concentric) 환형 플랩(124a)의 수평 부분이 수직으로 굽혀지는(flex) 것을 허용한다. 그러나, 다른 포지션들, 예를 들어, 수직 부분(160)의 중간 또는 주 부분(140)에 대한 수직 부분(160)의 결합부에서 가능하다.
가요성 멤브레인(120)의 외측 부분(150)은, 주 부분(140)의 외측 엣지로부터 상향으로 연장되는 본체(152)를 포함한다. 본체(152)는 가요성 멤브레인(120)의 주 부분(140)보다 더 두꺼울 수 있다. 리세스(154)는, 주 부분(140)과 본체(152) 사이의 접합부에서, 본체(152)의 내측 표면에 형성될 수 있다. 이러한 리세스(154)는, 본체(152)가, 주 부분(140)에 대해 더 자유롭게(freely) 피벗팅(pivot)하도록 허용할 수 있다.
환형 외측 부분(150)은, 환형 외측 부분의 외측 벽을 따라서 환형 리세스(156)를 가질 수 있다. 환형 외부 링(126)(도 2 참고)은 리세스(156) 내에 삽입될 수 있다. 리세스(156)와 하부 엣지 사이의, 본체의 외측 표면의 부분(172)은, 리세스(156)와 상부 엣지 사이의, 본체의 외측 표면의 부분(174)과 측방향으로 정렬될 수 있다.
중간 환형 플랩(124b)은 환형 외측 부분(150), 예를 들어, 본체(152)의 내측 표면으로부터 내측으로 수평으로 연장될 수 있다. 중간 플랩(124b)의 두께는 내측 플랩(124a)의 수평 부분(162)과 동일할 수 있다. 중간 플랩(124b)은, 본체(152)의 가장 넓은 지점에서, 본체(152)에 연결될 수 있다. 중간 플랩(124b)의 내측 엣지는, 베이스 조립체(130)에 고정될 때, 챔버들(122b, 122c)을 유체적으로 분리시키도록 구성될 수 있는 두꺼운 림 부분(164)을 가질 수 있다.
일부 구현예들에서, 리세스(158)는, 본체(152)와 중간 플랩(124b) 사이의 접합부에서, 본체(152)의 내측 표면에 형성된다. 내부 링(128)(도 2 참고)은, 리세스(158) 및 리세스(154) 내로 연장되는 플랜지들과 함께, 환형 외측 부분(150)에 인접할 수 있다.
외측 플랩(124c)은 환형 외측 부분(150)의 상부 엣지로부터 내측으로 연장될 수 있다. 외측 플랩(124c)의 두께는 내측 플랩(124a)의 수평 부분(162)과 동일할 수 있다. 외측 플랩(124c)의 내측 엣지는, 베이스 조립체(130)에 고정될 때, 제 3 챔버(122c)를 캐리어 헤드 외부의 환경으로부터 유체적으로 분리시키도록 구성될 수 있는 두꺼운 림 부분(164)을 가질 수 있다.
일부 구현예들에서, 외측 플랩(124c)과 중간 플랩(124b) 사이에서 연장되는 외측 부분(150)의 표면(170)은 경사진다(slanted). 이러한 경사진 표면(170)은, 외측 부분(150)의 정상부에서 삼각형의 단면을 제공할 수 있다.
제 3 챔버(122c)(도 2 참고)가 가압되면, 표면(170) 상의 압력은, 기판 장착 표면(142)의 엣지 부분(148) 상에 압력을 가하도록, 본체(152)를 통해 전달된다.
다수의 실시예들과 관련하여 본 발명을 설명하였다. 그러나, 본 발명은 도시되고 설명된 실시예들에 한정되지 않는다. 오히려, 본 발명의 범위는 첨부된 청구항들에 의해 정의된다.

Claims (15)

  1. 화학적 기계적 폴리셔의 캐리어 헤드(100)를 위한 가요성 멤브레인(120)으로서, 상기 가요성 멤브레인은,
    기판-장착 표면을 제공하기 위한 하부 표면(510)을 갖는 주 부분(140) ― 상기 기판 장착 표면(142)은 반경 R을 가짐 ―; 및
    상기 주 부분(140)의 외측 엣지로부터 상향으로 연장되고, 상기 주 부분(140) 및 상부 엣지에 연결되는 하부 엣지를 갖는 환형 외측 부분(150);을 포함하고,
    상기 가요성 멤브레인이,
    상기 가요성 멤브레인(120)이 캐리어 헤드(100)에 고정될 때 상기 주 부분 위의 용적을 복수의 챔버들로 분할하기 위한, 정확히 3개의 환형 플랩들(flaps)을 포함하고,
    상기 3개의 환형 플랩들은,
    R의 75% 내지 95%의 방사상 포지션에서 상기 주 부분(140)의 내측 표면에 결합된(joined) 제 1 환형 플랩(124a),
    상기 하부 엣지와 상기 상부 엣지 사이의 포지션에서 상기 환형 외측 부분에 결합된 제 2 환형 플랩(124b) ― 상기 제 2 환형 플랩(124b)은 상기 환형 외측 부분으로부터 내측으로 연장됨 ―, 및
    상기 환형 외측 부분의 상기 상부 엣지에 결합된 제 3 환형 플랩(124c) ― 상기 제 3 환형 플랩(124c)은 상기 환형 외측 부분으로부터 내측으로 연장됨 ― 을 포함하는 것을 특징으로 하는,
    화학적 기계적 폴리셔의 캐리어 헤드를 위한 가요성 멤브레인.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 장착 표면(142)은 150mm의 직경을 갖는,
    화학적 기계적 폴리셔의 캐리어 헤드를 위한 가요성 멤브레인.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 환형 플랩(124a)은, 상기 주 부분의 상기 외측 엣지로부터 10mm에서, 상기 주 부분에 결합되는,
    화학적 기계적 폴리셔의 캐리어 헤드를 위한 가요성 멤브레인.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 환형 플랩(124a)은, R의 85% 내지 90%의 방사상 포지션에서, 상기 주 부분(140)에 결합되는,
    화학적 기계적 폴리셔의 캐리어 헤드를 위한 가요성 멤브레인.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 환형 플랩(124a)은, 수평으로 연장되는 섹션, 및 상기 수평으로 연장되는 섹션을 상기 주 부분(140)에 연결시키는 수직으로 연장되는 섹션을 포함하는,
    화학적 기계적 폴리셔의 캐리어 헤드를 위한 가요성 멤브레인.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 수평으로 연장되는 섹션과 상기 수직으로 연장되는 섹션 사이의 결합부(junction)에서 노치(notch)(166)를 포함하는,
    화학적 기계적 폴리셔의 캐리어 헤드를 위한 가요성 멤브레인.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 수평으로 연장되는 섹션은 상기 수직으로 연장되는 섹션보다 더 작은 두께를 갖는,
    화학적 기계적 폴리셔의 캐리어 헤드를 위한 가요성 멤브레인.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 플랩들 중 각각의 플랩은 상기 주 부분의 두께보다 더 작은 두께를 갖는,
    화학적 기계적 폴리셔의 캐리어 헤드를 위한 가요성 멤브레인.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 환형 외측 부분은, 상기 주 부분의 두께보다 더 큰 두께를 갖는 본체를 포함하는,
    화학적 기계적 폴리셔의 캐리어 헤드를 위한 가요성 멤브레인.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 주 부분 및 본체의 결합부에서, 상기 환형 외측 부분의 본체의 내부 표면에 노치(154)를 포함하는,
    화학적 기계적 폴리셔의 캐리어 헤드를 위한 가요성 멤브레인.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 본체의 상부 엣지와 하부 엣지 사이에서, 상기 본체의 외측 표면에 환형 리세스(156)를 포함하는,
    화학적 기계적 폴리셔의 캐리어 헤드를 위한 가요성 멤브레인.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 리세스(156)와 상기 하부 엣지 사이의, 상기 본체의 외측 표면은 단일 수직 표면인,
    화학적 기계적 폴리셔의 캐리어 헤드를 위한 가요성 멤브레인.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 리세스(156)와 상기 상부 엣지 사이의, 상기 본체의 외측 표면은 단일 수직 표면인,
    화학적 기계적 폴리셔의 캐리어 헤드를 위한 가요성 멤브레인.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 리세스(156)와 상기 하부 엣지 사이의, 상기 본체의 외측 표면은, 상기 리세스(156)와 상기 상부 엣지 사이의, 상기 본체의 외측 표면과 측방향으로 정렬되는,
    화학적 기계적 폴리셔의 캐리어 헤드를 위한 가요성 멤브레인.
  15. 화학적 기계적 폴리싱 헤드로서,
    베이스 조립체(130);
    상기 베이스 조립체(130)에 고정된 유지 링; 및
    상기 베이스 조립체에 고정된 가요성 멤브레인(120)을 포함하고,
    상기 가요성 멤브레인은,
    기판-장착 표면(142)을 제공하기 위한 하부 표면을 갖는 주 부분(140) ― 상기 기판 장착 표면은 반경 R을 가짐 ―; 및
    상기 주 부분(140)의 외측 엣지로부터 상향으로 연장되고, 상부 엣지 및 상기 주 부분에 연결되는 하부 엣지를 갖는 환형 외측 부분(150);을 포함하고,
    상기 가요성 멤브레인이,
    상기 가요성 멤브레인(120)이 캐리어 헤드(100)에 고정될 때 상기 주 부분(140) 위의 용적을 복수의 챔버들로 분할하기 위한, 정확히 3개의 환형 플랩들을 포함하고,
    상기 3개의 환형 플랩들은,
    R의 75% 내지 95%의 방사상 포지션에서 상기 주 부분의 내측 표면에 결합된(joined) 제 1 환형 플랩(124a),
    상기 하부 엣지와 상기 상부 엣지 사이의 포지션에서 상기 환형 외측 부분에 결합된 제 2 환형 플랩(124b) ― 상기 제 2 환형 플랩(124b)은 상기 환형 외측 부분으로부터 내측으로 연장됨 ―, 및
    상기 환형 외측 부분의 상기 상부 엣지에 결합된 제 3 환형 플랩(124c) ― 상기 제 3 환형 플랩(124c)은 상기 환형 외측 부분으로부터 내측으로 연장됨 ― 을 포함하는 것을 특징으로 하는,
    화학적 기계적 폴리싱 헤드.
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10532441B2 (en) * 2012-11-30 2020-01-14 Applied Materials, Inc. Three-zone carrier head and flexible membrane
US9381613B2 (en) * 2013-03-13 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Reinforcement ring for carrier head
CN108044484B (zh) * 2017-08-11 2024-02-13 清华大学 具有自适应性的抛光头
JP7003838B2 (ja) 2018-05-17 2022-01-21 株式会社Sumco 研磨ヘッド及びこれを用いたウェーハ研磨装置及び研磨方法
CN108838868A (zh) * 2018-05-23 2018-11-20 长江存储科技有限责任公司 晶圆研磨设备及其操作方法
KR102637832B1 (ko) * 2018-11-09 2024-02-19 주식회사 케이씨텍 연마 장치용 캐리어 헤드 및 이에 사용되는 멤브레인
KR102637833B1 (ko) * 2018-11-09 2024-02-19 주식회사 케이씨텍 연마 장치용 캐리어 헤드 및 이에 사용되는 멤브레인
CN112108990A (zh) * 2019-06-21 2020-12-22 清华大学 用于化学机械抛光头的气膜、化学机械抛光头及抛光设备
CN112108993A (zh) * 2019-06-21 2020-12-22 清华大学 一种用于化学机械抛光的承载头及化学机械抛光设备
US11945073B2 (en) 2019-08-22 2024-04-02 Applied Materials, Inc. Dual membrane carrier head for chemical mechanical polishing
CN112548848B (zh) * 2019-09-26 2022-09-23 清华大学 一种承载头和化学机械抛光设备
CN113118966B (zh) * 2019-12-31 2022-08-16 清华大学 一种用于化学机械抛光的承载头及其使用方法
CN111251177B (zh) * 2020-03-10 2021-11-16 北京烁科精微电子装备有限公司 承载头及具有其的抛光装置
CN111805418B (zh) * 2020-07-17 2021-09-21 中国科学院微电子研究所 研磨头气动装置及研磨头
WO2022103583A1 (en) * 2020-11-10 2022-05-19 Applied Materials, Inc. Polishing head with local wafer pressure
CN112792725B (zh) * 2021-02-03 2022-09-30 华海清科股份有限公司 一种用于化学机械抛光的柔性膜、承载头及抛光设备
CN112775825B (zh) * 2021-02-03 2022-11-04 华海清科股份有限公司 一种用于化学机械抛光的柔性膜、承载头及抛光设备
JP2024509549A (ja) * 2021-03-04 2024-03-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 変動的なエッジ制御を含む研磨キャリアヘッド
CN113910102A (zh) * 2021-11-02 2022-01-11 华海清科股份有限公司 一种用于化学机械抛光的承载头

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010041526A1 (en) * 1997-07-11 2001-11-15 Applied Materials, Inc. A Delaware Corporation Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system
US20070202785A1 (en) * 2005-12-29 2007-08-30 Applied Materials, Inc. Multi-chamber carrier head with a textured membrane
US20100240287A1 (en) * 2006-11-22 2010-09-23 Applied Materials, Inc. Flexible Membrane for Carrier Head

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5738574A (en) 1995-10-27 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Continuous processing system for chemical mechanical polishing
US6241593B1 (en) * 1999-07-09 2001-06-05 Applied Materials, Inc. Carrier head with pressurizable bladder
US6450868B1 (en) * 2000-03-27 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Carrier head with multi-part flexible membrane
US6666756B1 (en) * 2000-03-31 2003-12-23 Lam Research Corporation Wafer carrier head assembly
US6857945B1 (en) 2000-07-25 2005-02-22 Applied Materials, Inc. Multi-chamber carrier head with a flexible membrane
US7198561B2 (en) 2000-07-25 2007-04-03 Applied Materials, Inc. Flexible membrane for multi-chamber carrier head
KR100470227B1 (ko) * 2001-06-07 2005-02-05 두산디앤디 주식회사 화학기계적 연마장치의 캐리어 헤드
JP4583729B2 (ja) 2003-02-10 2010-11-17 株式会社荏原製作所 基板保持装置、研磨装置、及び該基板保持装置に用いられる弾性部材
KR100586018B1 (ko) 2004-02-09 2006-06-01 삼성전자주식회사 연마 헤드용 플렉서블 멤브레인 및 이를 포함하는 연마 장치
US7255771B2 (en) 2004-03-26 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Multiple zone carrier head with flexible membrane
KR100621629B1 (ko) 2004-06-04 2006-09-19 삼성전자주식회사 화학적 기계적 연마 장치에 사용되는 연마 헤드 및 연마방법
JP4822744B2 (ja) * 2004-06-04 2011-11-24 三星電子株式会社 化学機械的研磨装置、キャリアヘッド及び区画リング
JP2006004993A (ja) 2004-06-15 2006-01-05 Seiko Epson Corp Ｃｍｐ装置、ｃｍｐ研磨方法、半導体装置及びその製造方法
JP5112614B2 (ja) 2004-12-10 2013-01-09 株式会社荏原製作所 基板保持装置および研磨装置
US7575504B2 (en) 2006-11-22 2009-08-18 Applied Materials, Inc. Retaining ring, flexible membrane for applying load to a retaining ring, and retaining ring assembly
US7699688B2 (en) 2006-11-22 2010-04-20 Applied Materials, Inc. Carrier ring for carrier head
US7654888B2 (en) 2006-11-22 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Carrier head with retaining ring and carrier ring
KR101617716B1 (ko) 2008-03-25 2016-05-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 개량된 캐리어 헤드 멤브레인
US8475231B2 (en) * 2008-12-12 2013-07-02 Applied Materials, Inc. Carrier head membrane
US8460067B2 (en) 2009-05-14 2013-06-11 Applied Materials, Inc. Polishing head zone boundary smoothing
US20110189856A1 (en) * 2010-01-29 2011-08-04 Kun Xu High Sensitivity Real Time Profile Control Eddy Current Monitoring System
SG187782A1 (en) * 2010-08-06 2013-03-28 Applied Materials Inc Substrate edge tuning with retaining ring
JP5648954B2 (ja) 2010-08-31 2015-01-07 不二越機械工業株式会社 研磨装置
CN102172888B (zh) 2011-02-16 2013-01-30 清华大学 一种抛光头
US10052739B2 (en) 2011-09-12 2018-08-21 Applied Materials, Inc. Carrier head with composite plastic portions
KR20130131120A (ko) * 2012-05-23 2013-12-03 삼성전자주식회사 연마 헤드용 가요성 멤브레인
US10532441B2 (en) * 2012-11-30 2020-01-14 Applied Materials, Inc. Three-zone carrier head and flexible membrane
US9381613B2 (en) * 2013-03-13 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Reinforcement ring for carrier head

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010041526A1 (en) * 1997-07-11 2001-11-15 Applied Materials, Inc. A Delaware Corporation Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system
US20070202785A1 (en) * 2005-12-29 2007-08-30 Applied Materials, Inc. Multi-chamber carrier head with a textured membrane
US20100240287A1 (en) * 2006-11-22 2010-09-23 Applied Materials, Inc. Flexible Membrane for Carrier Head

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