JP6360491B2 - 3つのゾーンからなるキャリアヘッドおよびフレキシブル膜 - Google Patents
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- 239000012528 membrane Substances 0.000 title claims description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 6
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 5
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 5
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 5
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
化学機械研磨(CMP)は、1つの受け入れられている平坦化方法である。この平坦化方法では、典型的には、基板をキャリアヘッド上に取り付ける必要がある。基板の露出表面は、典型的には、回転式研磨パッドに接して配置される。キャリアヘッドは、基板上に制御可能な負荷を提供して、基板を研磨パッドに押し当てる。典型的には、研磨粒子を含むスラリなどの研磨液が、研磨パッドの表面に供給される。基板上の金属層、たとえば銅層を研磨する場合、スラリは酸性とすることができる。
別の態様では、化学機械研磨ヘッドは、基礎アセンブリと、基礎アセンブリに固定された保持リングと、基礎アセンブリに固定された上記のフレキシブル膜とを含む。
これらの態様のいずれかの実装形態は、以下の特徴の1つまたは複数を含むことができる。基板取り付け表面は、約75mmの半径を有することができる。第1の環状フラップは、主要部分の外縁部から約10mmのところで主要部分に接合することができる。第1の環状フラップは、Rの85%〜90%の径方向位置で主要部分に接合することができる。第1の環状フラップは、水平方向に延びる区間と、水平方向に延びる区間を主要部分に接続する垂直方向に延びる区間とを含むことができる。水平方向に延びる区間と垂直方向に延びる区間との間の接合部に、切欠きを形成することができる。水平方向に延びる区間は、垂直方向に延びる区間より小さい厚さを有することができる。フラップはそれぞれ、主要部分の厚さより小さい厚さを有することができる。環状外側部分は、主要部分の厚さより大きい厚さを有する本体を含むことができる。環状外側部分の本体の内面内で本体と主要部分と接合部に、切欠きを形成することができる。本体の外面は、本体の下縁部と上縁部との間に凹部を有することができる。凹部と下縁部との間の本体の外面は、単一の垂直表面とすることができる。凹部と上縁部との間の本体の外面は、単一の垂直表面とすることができる。凹部と下縁部との間の本体の外面は、凹部と上縁部との間の本体の外面と横方向に位置合わせすることができる。
1つまたは複数の実装形態の詳細については、添付の図面および以下の説明で述べる。他の態様、特徴、および利点は、説明および図面、ならびに特許請求の範囲から明らかになるであろう。
図1および図2を参照すると、例示的なキャリアヘッド100は、筐体102と、筐体102に対して垂直方向に可動の基礎アセンブリ130と、筐体102と基礎アセンブリ130との間に位置し、基礎アセンブリ130の垂直方向の位置またはそこにかかる下方圧力を制御する加圧可能チャンバ104と、基礎アセンブリ130に固定され、底面が基板10に対する取り付け表面を提供するフレキシブル膜120と、膜120と基礎アセンブリ130との間に位置する複数の加圧可能チャンバ122と、膜120の下で基板10を保持するように基礎アセンブリ130の縁部付近で固定された保持リング110とを含む。筐体102は、駆動シャフトに固定することができ、駆動シャフトは、研磨パッド全体にわたってキャリアヘッドを回転および/または平行移動させることができる。
保持リング110は、たとえば基礎アセンブリ130内で位置合わせされた通路を通って保持リング110の上面内へ延びるねじまたはボルトによって、基礎アセンブリ130の外縁部に固定された略環状のリングとすることができる。保持リング110の内面は、フレキシブル膜120の下面とともに、基板受け取り凹部を画定する。保持リング110は、基板が基板受け取り凹部から逃げるのを防止する。保持リング110は、下部部分112と、下部部分112より硬い上部部分114とを含むことができる。下部部分112は、ポリフェニレンスルフィド(PPS)またはポリエーテルエーテルケトン(PEEK)などのプラスチックとすることができる。下部部分112は、実質上純粋なプラスチック(プラスチックからなる)とすることができ、たとえば、プラスチック以外の充填剤を含まない。上部部分114は、金属、たとえばステンレス鋼とすることができる。
別法として、基礎アセンブリ130と筐体102を組み合わせて単一の部分とすることもできる(どのチャンバ122および基礎アセンブリ130も筐体102に対して垂直方向に可動ではない)。これらの実装形態のいくつかでは、駆動シャフトを上下させて、研磨パッドにかかる保持リング110の圧力を制御することができる。別の代替形態では、たとえば参照によって組み込まれている米国特許第7,699,688号に記載のように、保持リング110は、基礎アセンブリ130に対して可動とすることができ、キャリアヘッド100は内部チャンバを含むことができ、この内部チャンバを加圧して、保持リングにかかる下方圧力を制御することができる。
環状外部リング126は、フレキシブル膜120の外周部分の外面内の凹部内へ挿入することができる。環状内部リング128は、フレキシブル膜120の外周部分の内面に当接することができる。外部リング126および内部リング128により、フレキシブル膜120の周囲部分の剛性を増大させる。これにより、複数のチャンバのうちの上部チャンバ内の圧力を、周囲部分を通って基板へ伝送することを可能にすることができる。
各フラップの端部は、クランプ132間に締め付けることができる。様々なクランプは、実質上純粋なプラスチック、たとえばポリエーテルエーテルケトン(PEEK)もしくはポリフェニレンスルフィド(PPS)、複合プラスチック、たとえばガラス充填PPSもしくはガラス充填PEEK、または金属、たとえばステンレス鋼もしくはアルミニウムとすることができる。
ジンバル機構136、様々なクランプ132、およびカバー138がともに、基礎アセンブリ130を提供すると見なすことができる。
内側環状フラップ124aは、フレキシブル膜120の主要部分140の上面に接合される。したがって、基板取り付け表面142のうち、内側環状フラップ124aが主要部分140に接続された領域内に位置する内側円形部分144にかかる下方圧力は、主に第1のチャンバ122a内の圧力によって制御される(図2参照)。他方では、内側環状フラップ124aが主要部分140に接続された位置と環状外側部分150との間に位置する基板取り付け表面142の外側環状部分146にかかる下方圧力は、主に第2のチャンバ122b内の圧力によって制御される(図2参照)。
内側フラップ124aは、基板取り付け表面142の半径の75%〜95%、たとえば80%〜85%の径方向位置で、主要部分140の内面に接合することができる。直径150mmの基板を研磨する場合、基板取り付け表面142(および主要部分140)は、約75mmの半径を有することができる。内側フラップ124aは、基板取り付け表面の縁部から約10mmのところで主要部分140に接続することができる。したがって、内側円形部分144は約65mmの半径を有することができ、外側環状部分146は約10mmの幅を有することができる。
いくつかの実装形態では、内側環状フラップ124aの水平部分162は、垂直部分160より小さい厚さを有することができる。いくつかの実装形態では、水平部分162の長さと垂直部分160の長さとの比は、約1.66など、約1.5〜2.0である。いくつかの実装形態では、内側環状フラップ124aの垂直部分160は、フレキシブル膜の主要部分140より小さい厚さを有することができる。
いくつかの実装形態では、内側環状フラップ124aの垂直部分160内に窪みまたは切欠き166が形成される。切欠き166は、水平部分162とその垂直部分160との間の接合点の内側コーナに位置決めすることができる。切欠き166は、同心円状の環状フラップ124aの水平部分が垂直方向に曲がることを可能にすることができる。しかし、他の位置、たとえば垂直部分160の中間または垂直部分160と主要部分140との接合部も可能である。
環状外側部分150は、その外壁に沿って環状凹部156を有することができる。環状外部リング126(図2参照)は、凹部156内へ挿入することができる。本体の外面のうち、凹部156と下縁部との間の部分172は、本体の外面のうち、凹部156と上縁部との間の部分174と横方向に位置合わせすることができる。
いくつかの実装形態では、本体152の内面内で中間フラップ124bと本体152との間の接合点に、凹部158が形成される。内部リング128(図2参照)は外側部分150に当接することができ、フランジが凹部154および凹部158内へ延びる。
いくつかの実装形態では、中間フラップ124bと外側フラップ124cとの間に延びる外側部分150の表面170が傾斜している。この傾斜表面170は、外側部分150の頂部に三角形の横断面を提供することができる。
Claims (15)
- 化学機械研磨器のキャリアヘッド用のフレキシブル膜であって、
下面が基板取り付け表面を提供し、前記基板取り付け表面が半径Rを有する主要部分と、
前記主要部分の外縁部から上方へ延び、前記主要部分に接続された下縁部と上縁部とを有する環状外側部分と、
前記フレキシブル膜がキャリアヘッドに固定されたときに前記主要部分の上の容積を複数のチャンバに分割するちょうど3つの環状フラップとを備え、前記3つの環状フラップが、
Rの75%〜95%の径方向位置で前記主要部分の内面に接合された第1の環状フラップと、
前記下縁部と前記上縁部との間の位置で前記環状外側部分に接合され、前記環状外側部分から内方へ延びる第2の環状フラップと、
前記環状外側部分の前記上縁部に接合され、前記環状外側部分から内方へ延びる第3の環状フラップとを含む、フレキシブル膜。 - 前記基板取り付け表面が約150mmの直径を有する、請求項1に記載のフレキシブル膜。
- 前記第1の環状フラップが、前記主要部分の前記外縁部から約10mmのところで前記主要部分に接合される、請求項2に記載のフレキシブル膜。
- 前記第1の環状フラップが、Rの85%〜90%の径方向位置で前記主要部分に接合される、請求項2に記載のフレキシブル膜。
- 前記第1の環状フラップが、水平方向に延びる区間と、前記水平方向に延びる区間を前記主要部分に接続する垂直方向に延びる区間とを含む、請求項1に記載のフレキシブル膜。
- 前記水平方向に延びる区間と前記垂直方向に延びる区間との間の接合部に切欠きを備える、請求項5に記載のフレキシブル膜。
- 前記水平方向に延びる区間が、前記垂直方向に延びる区間より小さい厚さを有する、請求項5に記載のフレキシブル膜。
- 前記フラップがそれぞれ、前記主要部分の厚さより小さい厚さを有する、請求項1に記載のフレキシブル膜。
- 前記環状外側部分が、前記主要部分の厚さより大きい厚さを有する本体を備える、請求項8に記載のフレキシブル膜。
- 前記環状外側部分の前記本体の内面内で前記本体と前記主要部分との接合部に切欠きを備える、請求項9に記載のフレキシブル膜。
- 前記本体の外面内で前記本体の下縁部と上縁部との間に環状凹部を備える、請求項10に記載のフレキシブル膜。
- 前記凹部と前記下縁部との間の前記本体の前記外面が単一の垂直表面である、請求項11に記載のフレキシブル膜。
- 前記凹部と前記上縁部との間の前記本体の前記外面が単一の垂直表面である、請求項12に記載のフレキシブル膜。
- 前記凹部と前記下縁部との間の前記本体の前記外面が、前記凹部と前記上縁部との間の前記本体の前記外面と横方向に位置合わせされる、請求項13に記載のフレキシブル膜。
- 基礎アセンブリと、
前記基礎アセンブリに固定された保持リングと、
前記基礎アセンブリに固定されたフレキシブル膜とを備え、前記フレキシブル膜が、
下面が基板取り付け表面を提供し、前記基板取り付け表面が半径Rを有する主要部分と、
前記主要部分の外縁部から上方へ延び、前記主要部分に接続された下縁部と上縁部とを有する環状外側部分と、
前記フレキシブル膜がキャリアヘッドに固定されたときに前記主要部分の上の容積を複数のチャンバに分割するちょうど3つの環状フラップとを含み、前記3つの環状フラップが、
Rの75%〜95%の径方向位置で前記主要部分の内面に接合された第1の環状フラップと、
前記下縁部と前記上縁部との間の位置で前記環状外側部分に接合され、前記環状外側部分から内方へ延びる第2の環状フラップと、
前記環状外側部分の前記上縁部に接合され、前記環状外側部分から内方へ延びる第3の環状フラップとを含む、
化学機械研磨ヘッド。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261731758P | 2012-11-30 | 2012-11-30 | |
US61/731,758 | 2012-11-30 | ||
PCT/US2013/071334 WO2014085203A1 (en) | 2012-11-30 | 2013-11-21 | Three-zone carrier head and flexible membrane |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018118542A Division JP6574026B2 (ja) | 2012-11-30 | 2018-06-22 | 3つのゾーンからなるキャリアヘッドおよびフレキシブル膜 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015536575A JP2015536575A (ja) | 2015-12-21 |
JP2015536575A5 JP2015536575A5 (ja) | 2017-01-12 |
JP6360491B2 true JP6360491B2 (ja) | 2018-07-18 |
Family
ID=50824274
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015545110A Active JP6360491B2 (ja) | 2012-11-30 | 2013-11-21 | 3つのゾーンからなるキャリアヘッドおよびフレキシブル膜 |
JP2018118542A Active JP6574026B2 (ja) | 2012-11-30 | 2018-06-22 | 3つのゾーンからなるキャリアヘッドおよびフレキシブル膜 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018118542A Active JP6574026B2 (ja) | 2012-11-30 | 2018-06-22 | 3つのゾーンからなるキャリアヘッドおよびフレキシブル膜 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10532441B2 (ja) |
EP (1) | EP2926365B1 (ja) |
JP (2) | JP6360491B2 (ja) |
KR (2) | KR102035721B1 (ja) |
CN (1) | CN104854680B (ja) |
SG (1) | SG11201503627WA (ja) |
TW (2) | TWI613038B (ja) |
WO (1) | WO2014085203A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10532441B2 (en) * | 2012-11-30 | 2020-01-14 | Applied Materials, Inc. | Three-zone carrier head and flexible membrane |
US9381613B2 (en) * | 2013-03-13 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Reinforcement ring for carrier head |
CN207915211U (zh) * | 2017-08-11 | 2018-09-28 | 清华大学 | 具有自适应性的抛光头 |
JP7003838B2 (ja) * | 2018-05-17 | 2022-01-21 | 株式会社Sumco | 研磨ヘッド及びこれを用いたウェーハ研磨装置及び研磨方法 |
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---|---|---|---|---|
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-
2013
- 2013-11-12 US US14/078,019 patent/US10532441B2/en active Active
- 2013-11-21 KR KR1020157017039A patent/KR102035721B1/ko active IP Right Grant
- 2013-11-21 JP JP2015545110A patent/JP6360491B2/ja active Active
- 2013-11-21 SG SG11201503627WA patent/SG11201503627WA/en unknown
- 2013-11-21 WO PCT/US2013/071334 patent/WO2014085203A1/en active Application Filing
- 2013-11-21 CN CN201380061923.1A patent/CN104854680B/zh active Active
- 2013-11-21 KR KR1020197030599A patent/KR102256550B1/ko active IP Right Grant
- 2013-11-21 EP EP13858763.9A patent/EP2926365B1/en active Active
- 2013-11-26 TW TW102143105A patent/TWI613038B/zh active
- 2013-11-26 TW TW106144996A patent/TWI683724B/zh active
-
2018
- 2018-06-22 JP JP2018118542A patent/JP6574026B2/ja active Active
-
2019
- 2019-03-14 US US16/354,072 patent/US11370079B2/en active Active
-
2020
- 2020-01-13 US US16/741,570 patent/US11338409B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2014085203A1 (en) | 2014-06-05 |
US20190210181A1 (en) | 2019-07-11 |
EP2926365B1 (en) | 2017-05-03 |
TW201827161A (zh) | 2018-08-01 |
JP2018152607A (ja) | 2018-09-27 |
JP2015536575A (ja) | 2015-12-21 |
JP6574026B2 (ja) | 2019-09-11 |
US10532441B2 (en) | 2020-01-14 |
TWI613038B (zh) | 2018-02-01 |
US11338409B2 (en) | 2022-05-24 |
CN104854680A (zh) | 2015-08-19 |
KR102035721B1 (ko) | 2019-10-23 |
TWI683724B (zh) | 2020-02-01 |
TW201429624A (zh) | 2014-08-01 |
KR20190120448A (ko) | 2019-10-23 |
SG11201503627WA (en) | 2015-06-29 |
US11370079B2 (en) | 2022-06-28 |
KR102256550B1 (ko) | 2021-05-25 |
EP2926365A1 (en) | 2015-10-07 |
KR20150090199A (ko) | 2015-08-05 |
US20140150974A1 (en) | 2014-06-05 |
CN104854680B (zh) | 2018-02-02 |
US20200223028A1 (en) | 2020-07-16 |
EP2926365A4 (en) | 2015-12-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |