KR102034445B1 - 적층체 - Google Patents

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KR102034445B1
KR102034445B1 KR1020160015262A KR20160015262A KR102034445B1 KR 102034445 B1 KR102034445 B1 KR 102034445B1 KR 1020160015262 A KR1020160015262 A KR 1020160015262A KR 20160015262 A KR20160015262 A KR 20160015262A KR 102034445 B1 KR102034445 B1 KR 102034445B1
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권윤경
김현철
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주식회사 엘지화학
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Abstract

본 출원은 적층체 및 터치 패널에 대한 것이다. 본 출원에서는, 얇은 두께에서도 넓은 Hz 범위에서 낮은 비유전율을 나타내는 적층체를 제공할 수 있다. 이러한 적층체는, 터치 패널 등의 전자 기기에 적용되어 박막화에 따른 정전 용량 증가의 문제를 유발하지 않는다.

Description

적층체{LAMINATE}
본 출원은, 적층체에 대한 것이다.
터치 패널은 각종 정보 처리 또는 표시용 디바이스에 적용된다. 터치 패널 등의 제조에는 특허문헌 1에 개시된 바와 같이 도전성의 적층체가 사용되고 있다.
도전성 적층체 중에서 소위 점착형 적층체는 일면에 인듐 주석 산화물(ITO: Indium Tin Oxide)층으로 대표되는 투명한 도전성층이 형성된 기재 필름의 일면에 점착제층이 형성되어 있는 구조를 가지고 있다. 상기에서 점착제층으로는, 일반적으로 투명하고, 내후성 등이 좋은 아크릴계 점착제가 적용되고 있다.
그런데, 이러한 아크릴계 점착제는 도전성 적층체의 비유전율을 증가시키는 문제가 있으며, 특히 도전성 적층체에 대한 박막화 요구가 높아질수록 상기와 같은 문제점은 증가하고 있다.
특허 문헌 1: 대한민국 공개특허 제2002-0036837호
본 출원은 적층체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 출원은 적층체에 대한 것이다. 상기 적층체는 소위 점착형 도전성 적층체로서, 기재 필름과 그 기재 필름의 일면에 형성되어 있는 도전성층과 상기 기재 필름의 다른 면에 형성되어 있는 점착제층을 포함할 수 있다.
적층체에 사용되는 기재 필름의 종류는 특별히 제한되지 않고, 공지의 기재 필름이 적용될 수 있다. 예를 들면, 기재 필름으로는, 다양한 플라스틱 필름이 이용될 수 있다. 플라스틱 필름으로는 폴리에스테르 필름, 아세테이트 수지 필름, 폴리에테르설폰 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리아미드 필름, 폴리이미드 필름, 폴리올레핀 필름, 아크릴 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리염화비닐리덴 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리비닐알코올 필름, 폴리아릴레이트 필름 또는 폴리페닐렌설피드 필름 등이 사용될 수 있다. 기재 필름의 두께도 특별히 제한되지 않으며, 적층체의 용도를 고려하여 적정한 두께로 조절될 수 있다. 통상 기재 필름은 10㎛ 내지 110㎛, 10㎛ 내지 80㎛, 10㎛ 내지 60㎛ 또는 10㎛ 내지 30㎛ 정도의 두께를 가질 수 있다.
기재 필름의 일면 또는 양면에는 스퍼터링, 코로나 방전, 화염, 자외선 조사, 전자선 조사, 화성 처리 또는 프라이머 처리 등과 같은 공지의 표면 처리가 수행되어 있을 수도 있다.
본 출원에서 기재 필름의 일면에 형성되는 도전성층의 종류도 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 상기 도전성층은, 인듐, 주석, 아연, 갈륨, 안티몬, 티타늄, 규소, 지르코늄, 마그네슘, 알루미늄, 금, 은, 구리, 팔라듐 및 텅스텐으로부터 선택되는 하나 이상의 금속 또는 그 산화물을 포함할 수 있다. 통상적으로는 소위 ITO로 호칭되는 인듐 주석 산화물이 적용될 수 있다.
도전성층의 두께는 통상 10 nm 이상이며, 그 표면 저항과 투명성 등을 고려하여 약 15 내지 40 nm 또는 20 내지 30 nm의 범위 내로 형성될 수 있다. 이러한 도전성층은 결정화되어 있거나, 비결정화된 층일 수 있으며, 경우에 따라서는 패터닝되어 있을 수도 있다.
기재 필름의 도전성층이 형성되어 있지 않은 면에는 점착제층이 형성되어 있다.
적층체는 상기 점착제층으로서 실리콘 점착제층을 사용한다. 이에 따라 넓은 Hz 범위에서 낮은 비유전율을 달성할 수 있다.
상기 적층체는, 1kHz 내지 1MHz의 범위 내에서의 비유전율(Dk)이 4 이하이다. 상기에서 Hz의 범위는 1kHz 내지 1MHz의 범위 내의 어느 한 수치이거나, 혹은 상기 기재된 전체 범위일 수 있다. 바람직하게는 적층체는 1kHz 내지 1MHz의 모든 범위에서 4 이하의 비유전율을 나타낼 수 있다. 상기 비유전율은 다른 예시에서 약 3.9 이하, 약 3.7 이하, 약 3.5 이하 또는 약 3.3 이하일 수 있다. 또한, 상기 비유전율은 다른 예시에서 1.5 이상, 2 이상 또는 2.5 이상일 수 있다. 비유전율은 상기 기술한 상한치 중 어느 하나의 수치와 상기 기재한 하한치 중 어느 하나의 수치의 범위 내에 있을 수 있다.
이러한 비유전율은 JIS K6911의 규격에 따라 측정할 수 있다.
본 출원에서 물성을 언급할 때에 특별히 달리 규정하지 않는 한, 그 물성은 상온에서 측정한 물성을 의미한다. 용어 상온은 가온되거나, 감온되지 않는 자연 그대로의 온도로서, 예를 들면, 10℃ 내지 30℃의 범위 내의 어느 한 온도, 약 25℃ 또는 약 23℃ 정도의 온도를 의미할 수 있다.
본 출원에서 적용되는 실리콘 점착제의 종류는 특별히 제한되지 않고, 전술한 비유전율과 도전성 적층체에서 요구되는 점착 특성을 나타내는 점착제가 적용될 수 있다.
예를 들면, 상기 실리콘 점착제로는, 가열 경화형 실리콘 점착제 또는 자외선 경화형 실리콘 점착제가 사용될 수 있다. 가열 경화형 실리콘 점착제의 예에는, 부가(hydrosilylation) 반응, 실라놀(silanol) 축합 반응, 알코올 탈리형, 옥심(oxim) 탈리형 또는 초산 탈리형의 실리콘 점착제 등이 포함되나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 자외선 경화형 실리콘 점착제의 예에는, (메타)아크릴 관능성 실리콘(ex. 일본공개특허공보 평01-304108호에 개시된 실리콘 화합물), 비닐기와 머캅토기를 관능기로서 가지는 실리콘(ex. 일본공개특허공보 소53-37376호에 개시된 실리콘 화합물), 에폭시 관능성 실리콘(ex. 일본특허공개 소58-174418호에 개시된 실리콘 화합물), 비닐에테르 관능성 실리콘(ex. Crivello, J.V., Eckberg, R.P., 미국특허 제4,617,238호에 개시된 실리콘 화합물), 실라놀 관능성 실리콘(폴리(실세스퀴옥산) 또는 폴리(실세스퀴옥산)과 테트라페녹시실란을 포함하는 조성물을 경화시키는 경우(일본특허공개 평06-148887호) 및 실록산 폴리머와 염기발생물질을 포함하는 경화성 조성물의 예(일본특허공개공보 평06-273936호) 및 일본특허공개 평07-69610호에 개시된 실리콘 화합물) 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
하나의 예시에서 실리콘 점착제층은, 상기 비유전율과 점착 성능을 고려하여 부가 경화형 실리콘 점착제를 포함할 수 있다. 부가 경화형 실리콘 점착제는, 통상 알케닐기를 가지는 폴리오가노실록산을 주성분으로 포함하며, 필요한 경우에 가교제나 촉매 등을 추가로 포함할 수 있다.
하나의 예시에서 상기 실리콘 점착제층은, 상기 부가 경화형 실리콘 점착제를 형성하는 성분으로서 삼관능성 실록산 단위 또는 사관능성 실록산 단위를 포함하는 폴리오가노실록산을 포함할 수 있다. 상기에서 용어 삼관능성 실록산 단위는, 상기 폴리오가노실록산에 포함되는 규소 원자에 의한 단위로서, 3개의 산소 원자와 결합된 규소 원자를 포함하는 단위를 의미하고, 사관능성 실록산 단위는 4개의 산소 원자와 결합된 규소 원자를 포함하는 단위를 의미한다.
또한, 하나의 예시에서 상기 실리콘 점착제층은, 상기 부가 경화형 실리콘 점착제를 형성하는 성분으로서 규소 원자에 결합된 전체 유기기 중에서 80몰% 이상이 알킬기 또는 아릴기인 폴리오가노실록산을 포함할 수 있다. 상기 알킬기 또는 아릴기의 몰비율은 다른 예시에서 85몰% 이상, 90몰% 이상 또는 95몰% 이상일 수 있다. 이러한 몰비율의 상한은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 100몰% 미만, 99몰% 이하 또는 98몰% 이하일 수 있다.
이와 같은 폴리오가노실록산은 예를 들면, 하기 화학식 1의 평균 조성식으로 표시될 수 있다.
[화학식 1]
RaSiO(4-a)/2
화학식 1에서 R은 에폭시기 또는 1가 탄화수소기이고, a는 1.0 내지 3.0의 범위 내의 수이다.
본 출원에서 폴리오가노실록산이 어떤 특정한 평균 조성식을 가진다는 것은, 상기 폴리오가노실록산이 그 평균 조성식으로 표시되는 단일의 성분이거나, 2개 이상의 성분의 혼합물이면서 상기 혼합물의 성분의 조성의 평균이 그 평균 조성식으로 표시되는 경우도 포함될 수 있다.
본 출원에서 용어 에폭시기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 3개의 고리 구성 원자를 가지는 고리형 에테르(cyclic ether) 또는 상기 고리형 에테르를 포함하는 화합물로부터 유도된 1가 잔기를 의미할 수 있다. 에폭시기로는 글리시딜기, 에폭시알킬기, 글리시독시알킬기 또는 지환식 에폭시기 등이 예시될 수 있다. 상기에서 지환식 에폭시기는, 지방족 탄화수소 고리 구조를 포함하고, 상기 지방족 탄화수소 고리를 형성하고 있는 2개의 탄소 원자가 또한 에폭시기를 형성하고 있는 구조를 포함하는 화합물로부터 유래되는 1가 잔기를 의미할 수 있다. 지환식 에폭시기로는, 6개 내지 12개의 탄소 원자를 가지는 지환식 에폭시기가 예시될 수 있고, 예를 들면, 3,4-에폭시시클로헥실에틸기 등이 예시될 수 있다.
본 출원에서 용어 1가 탄화수소기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소와 수소로 이루어진 화합물 또는 그러한 화합물의 유도체로부터 유도되는 1가 잔기를 의미할 수 있다. 예를 들면, 1가 탄화수소기는, 1개 내지 25개, 1 내지 20개, 1 내지 16개 또는 1 내지 12개의 탄소 원자를 포함할 수 있다. 1가 탄화수소기로는, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기 또는 아릴기 등이 예시될 수 있다.
본 출원에서 용어 알킬기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 의미할 수 있다. 상기 알킬기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형일 수 있다. 또한, 상기 알킬기는 임의적으로 하나 이상의 치환기로 치환되어 있을 수 있다.
본 출원에서 용어 알케닐기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 2 내지 20, 탄소수 2 내지 16, 탄소수 2 내지 12, 탄소수 2 내지 8 또는 탄소수 2 내지 4의 알케닐기를 의미할 수 있다. 상기 알케닐기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형일 수 있고, 임의적으로 하나 이상의 치환기로 치환되어 있을 수 있다.
본 출원에서 용어 알키닐기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 2 내지 20, 탄소수 2 내지 16, 탄소수 2 내지 12, 탄소수 2 내지 8 또는 탄소수 2 내지 4의 알키닐기를 의미할 수 있다. 상기 알키닐기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형일 수 있고, 임의적으로 하나 이상의 치환기로 치환되어 있을 수 있다.
본 출원에서 용어 아릴기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 벤젠 고리 또는 2개 이상의 벤젠 고리가 연결되어 있거나, 또는 하나 또는 2개 이상의 탄소 원자를 공유하면서 축합 또는 결합된 구조를 포함하는 화합물 또는 그 유도체로부터 유래하는 1가 잔기를 의미할 수 있다. 본 출원에서 아릴기의 범위에는 통상적으로 아릴기로 호칭되는 관능기는 물론 소위 아르알킬기(aralkyl group) 또는 아릴알킬기 등도 포함될 수 있다. 아릴기는, 예를 들면, 탄소수 6 내지 25, 탄소수 6 내지 21, 탄소수 6 내지 18 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기일 수 있다. 아릴기로는, 페닐기, 디클로로페닐, 클로로페닐, 페닐에틸기, 페닐프로필기, 벤질기, 톨릴기, 크실릴기(xylyl group) 또는 나프틸기 등이 예시될 수 있다.
본 출원에서 에폭시기 또는 1가 탄화수소기에 임의적으로 치환되어 있을 수 있는 치환기로는, 염소 또는 불소 등의 할로겐, 글리시딜기, 에폭시알킬기, 글리시독시알킬기 또는 지환식 에폭시기 등의 에폭시기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 이소시아네이트기, 티올기 또는 1가 탄화수소기 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
화학식 1에서 R 중 적어도 2개 이상은 알케닐기일 수 있다. 하나의 예시에서 상기 알케닐기는, 화학식 1의 평균 조성식의 폴리오가노실록산에 포함되는 전체 규소 원자(Si) 대비 상기 알케닐기(Ak)의 몰비(Ak/Si)가 0.02 내지 2 정도가 되는 양으로 존재할 수 있다. 상기 몰비(Ak/Si)는 다른 예시에서 0.04 이상 또는 0.06 이상일 수 있다. 또한, 상기 몰비(Ak/Si)는 다른 예시에서 1.5 이하, 1 이하, 0.8 이하, 0.6 이하, 0.4 이하, 0.3 이하 또는 0.2 이하일 수 있다.
전술한 바와 같이, 상기 화학식 1의 폴리오가노실록산은, 삼관능성 실록산 단위 또는 사관능성 실록산 단위를 포함하는 폴리오가노실록산일 수 있다.
또한, 상기 화학식 1의 폴리오가노실록산은, 규소 원자에 결합된 전체 유기기(즉, 화학식 1에서 R) 중에서 80몰% 이상, 85몰% 이상, 90몰% 이상 또는 95몰% 이상이 알킬기 또는 아릴기인 폴리오가노실록산일 수 있다. 상기에서 알킬기 또는 아릴기의 몰비율의 상한은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 100몰% 미만, 99몰% 이하 또는 98몰% 이하일 수 있다.상기와 같은 폴리오가노실록산은, 실리콘 점착제 내에 주성분으로 포함될 수 있다. 본 출원에서 용어 주성분은, 중량 기준으로 그 성분을 55% 이상, 60% 이상, 65% 이상, 70% 이상, 75% 이상, 80% 이상, 85% 이상, 90% 이상 또는 95% 이상 포함하는 경우를 의미한다. 상기에서 주성분의 중량 비율의 상한은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 100% 미만일 수 있다.
상기 실리콘 점착제는 전술한 성분에 추가로 공지의 성분, 예를 들면, 부가 경화형 실리콘 조성물에서 사용되는 가교제나 촉매 등을 추가로 포함할 수 있다.
실리콘 점착제는 또한, 본 출원에서 목적하는 효과를 해하지 않는 한, 점착 부여제; 에폭시 수지; 자외선 안정제; 산화 방지제; 조색제; 보강제; 충진제; 소포제; 계면 활성제 또는 가소제 등과 같은 첨가제를 1종 또는 2종 이상의 추가로 포함할 수 있다.
점착제층의 두께는, 목적하는 물성, 예를 들면, 점착성 등을 고려하여 적정 범위로 설정할 수 있다. 예를 들면, 점착제층은, 5㎛ 내지 100㎛의 범위 내의 두께를 가질 수 있다. 특히 본 출원에서는 실리콘 점착제의 사용을 통해 상기 점착제층의 두께를 얇게 하는 경우에도 낮은 비유전율을 구현할 수 있다.
적층체는 상기 점착제층상에 부착되어 있는 이형 필름을 추가로 포함할 수 있다. 이형 필름으로는 특별한 제한 없이 공지의 이형 필름을 사용할 수 있다. 일반적으로 이형 필름은 기재 시트와 그 기재 시트의 일면에 형성된 이형층을 포함하는 구조이고, 상기 기재 시트와 이형층의 사이에 올리고머 이행 방지층을 추가로 포함하기도 한다. 본 출원에서는 상기와 같은 구조를 가지는 공지의 이형 필름을 사용할 수 있다. 하나의 예시에서 상기 이형 시트는, 이형층에 실리콘 이형제 또는 불소 이형제를 포함할 수 있다.
적층체는 전술한 구성에 추가로 도전성 적층체에서 일반적으로 적용되는 요소를 추가로 포함할 수 있다. 이러한 요소로는, 상기 적층체의 도전성층상에 부착되어 있는 공정 보호 필름, 상기 기재 필름과 상기 도전성층의 사이에 존재할 수 있는 언더코트층이나, 상기 기재 필름과 점착제층의 사이에 형성되어 있을 수 있는 하드코팅층 등을 예시할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 각 요소의 구체적인 종류는 특별히 제한되지 않으며, 공지의 요소가 적용될 수 있다.
본 출원은, 또한 상기 적층체를 포함하는 전자 장치에 대한 것이다. 상기 전자 장치는 예를 들면, 터치 패널일 수 있다. 터치 패널은 상기 적층체를 전극으로 포함할 수 있다.
터치 패널의 구체적인 구성은 상기 적층체를 포함하는 한 특별히 제한되지 않고, 공지의 정전용량 방식 또는 저항막 방식 등에 준한 구조를 가질 수 있으며, 이러한 구조 하에서 적층체가 포함되는 방식 내지 구조 역시 제한되지 않고, 공지의 방식을 따를 수 있다.
본 출원은, 얇은 두께에서도 넓은 Hz 범위에서 낮은 비유전율을 나타내는 적층체를 제공할 수 있다. 이러한 적층체는, 터치 패널 등의 전자 기기에 적용되어 박막화에 따른 정전 용량 증가의 문제를 유발하지 않는다.
도 1은 실시예에서 비유전율을 측정하는 과정을 보여주는 도면이다.
이하 실시예 및 비교예를 통하여 본 출원의 적층체를 구체적으로 설명하지만, 상기 수지 등의 범위가 하기 실시예에 제한되는 것은 아니다.
1. 비유전율의 측정
비유전율은 JIS K6911의 규격에 따라서 측정하였다. 도 1을 참조하여 해당 과정을 설명하면 하기와 같다. 우선 제조된 적층체를 150℃에서 60분동안 열처리한다. 그 후 이형 필름을 박리하고, 노출된 점착제면에 지름(도 1의 d2)이 3cm인 동박(주전극)을 부착한다. 이어서, ITO층상에 은 페이스트(Ag paste)를 도포하여 부전극을 형성한다. 상기 은 페이스트는 지름(도 1의 d1)이 약 4 cm인 원형으로 형성하고, 이 때 상기 주전극과 부전극의 중심은 일치하도록 형성한다. 그 후 적층체를 다시 150℃에서 30분동안 열처리한다. 열처리 후에 가로의 길이가 5 cm이고, 세로의 길이가 5cm가 되도록 적층체를 재단하여 시편을 형성한다. 이 때 도 1과 같이 재단된 적층체면의 중심부에 주전극과 부전극이 위치하도록 재단한다. 재단 후에 Impedance gain-phase analyzer(Agilent Technologies 4294A)를 사용하여 주파수별로 정전용량값(Cp)을 측정한 후에 하기 수식에 따라 유전율(Dk)을 구한다. 상기 측정은 약 23℃ 및 약 52%의 상대 습도에서 수행한다.
<유전율 수식>
Figure 112016012997234-pat00001
상기 수식에서 Cp는 정전용량값이고, A는 주전극의 면적이며, h는 적층체의 두께(도 1에서 t)이다.
실시예 1.
PET(poly(ethylene terephthalate)) 필름의 일면에 ITO(Indium Tin Oxide)층이 형성되어 있는 공지의 도전성 PET 필름의 ITO층이 형성되어 있지 않은 면에 실리콘계 점착제 조성물을 사용하여 두께가 약 50㎛ 정도인 실리콘 점착제층을 형성하였다. 점착제 조성물로는, 신에츠(Shinetsu)사에서 입수한 가열 경화형 실리콘 조성물(KR-3700)을 사용하였다. 이어서 형성된 점착제층상에 공지의 이형 필름을 부착하여 적층체를 제조하였다.
비교예 1.
점착제 조성물로서, 2-에틸헥실아크릴레이트(EHA), 메틸아크릴레이트(MA) 및 2-히드록시에틸아크릴레이트(HEA)를 5:4:1의 중량 비율(EHA:MA:HEA)로 중합시켜 제조한 아크릴 폴리머를 주성분으로 포함하는 점착제 조성물을 사용하여 아크릴 점착제층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 적층체를 제조하였다.
비교예 2.
점착제 조성물로서, 2-에틸헥실아크릴레이트(EHA), 이소보르닐아크릴레이트(IBOA) 및 2-히드록시에틸아크릴레이트(HEA)를 55:30:15의 중량 비율(EHA:IBOA:HEA)로 중합시켜 제조한 아크릴 폴리머를 주성분으로 포함하는 점착제 조성물을 사용하여 아크릴 점착제층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 적층체를 제조하였다.
상기 각 적층체에 대하여 Hz별로 비유전율을 측정한 결과를 하기 표 1에 기재하였다. 하기 표 1에서 Ref는 실시예 및 비교예에서 사용한 것과 동일한 것으로서 점착제층이 형성되어 있지 않은 도전성 PET 필름 자체에 대한 비유전율이다.

비유전율(Dk)
1kHz 5kHz 10kHz 50kHz 100kHz 500kHz 1MHz
Ref. 3.27 3.25 3.23 3.19 3.18 3.07 2.93
실시예1 3.22 3.21 3.20 3.18 3.17 3.14 3.13
비교예1 4.25 4.22 4.18 4.07 4.00 3.84 3.75
비교예2 4.13 4.01 3.92 3.73 3.66 3.51 3.45
상기 결과로부터 실리콘 점착제를 적용한 본 출원의 적층체는 넓은 Hz 범위에서 낮은 비유전율을 달성할 수 있는 것을 확인할 수 있다.

Claims (14)

  1. 기재 필름; 상기 기재 필름의 일면에 형성되어 있는 도전성층 및 상기 기재 필름의 도전성층이 형성되어 있지 않은 면에 형성되어 있는 실리콘 점착제층을 포함하고, 1kHz 내지 1MHz의 범위 내에서의 비유전율(Dk)이 4 이하인 적층체이고,
    상기 실리콘 점착제층은, 하기 화학식 1의 평균 조성식으로 표시되는 폴리오가노실록산 또는 그의 반응물을 포함하는 적층체:
    [화학식 1]
    RaSiO(4-a)/2
    화학식 1에서 R은 에폭시기 또는 1가 탄화수소기이고, a는 1.0 내지 3.0의 범위 내의 수이다.
  2. 제 1 항에 있어서, 실리콘 점착제층은, 부가 경화형 실리콘 점착제를 포함하는 적층체.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서, 화학식 1에서 R 중 적어도 2개는 알케닐기인 적층체.
  7. 제 1 항에 있어서, 화학식 1의 평균 조성식으로 표시되는 폴리오가노실록산은, 삼관능성 실록산 단위 또는 사관능성 실록산 단위를 포함하는 적층체.
  8. 제 1 항에 있어서, 화학식 1에서 R 중 80몰% 이상이 알킬기 또는 아릴기인 적층체.
  9. 제 1 항에 있어서, 점착제층에 부착되어 있는 이형 필름을 추가로 포함하는 적층체.
  10. 제 9 항에 있어서, 이형 필름은, 기재 시트와 그 기재 시트의 일면에 형성된 이형층을 포함하는 적층체.
  11. 제 10 항에 있어서, 이형층은, 불소 이형제를 포함하는 적층체.
  12. 제 1 항에 있어서, 도전성층에 부착되어 있는 보호 필름을 추가로 포함하는 적층체.
  13. 제 1 항에 있어서, 기재 필름과 점착제층의 사이에 형성된 하드코팅층을 추가로 포함하는 적층체.
  14. 제 1 항의 적층체를 포함하는 터치 패널.
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