KR102024262B1 - 도전성 필름 - Google Patents

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KR102024262B1
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주식회사 엘지화학
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Abstract

본 출원은 도전성 필름 및 그 용도에 관한 것이다. 본 출원의 도전성 필름은, 휘발 물질이 최소화되고, 필름의 제조 공정에서 노출될 수 있는 플라즈마 처리, 결정화 공정 또는 패턴화 공정 등에 대하여 우수한 내성을 가지는 중간층을 포함한다. 따라서, 상기 도전성 필름은, 우수한 내구성을 가진다.

Description

도전성 필름{Conductive Film}
본 출원은 도전성 필름 및 그 용도에 관한 것이다.
도전성 필름은, PDP(Plasma Display Panel) 또는 LCD(Liquid Crystal Display) 등과 같은 디스플레이 장치나 OLED(Organic Light Emitting Diode) 등의 전극 또는 터치 패널용 전극 등 다양한 용도에 사용되고 있다.
도전성 필름의 제조 과정에서 도전층은 진공 플라즈마 조건에서 성막될 수 있고, 이에 따라 도전성 필름에는 휘발 물질이 적고, 플라즈마 등에 의한 손상이 적을 것이 요구된다.
또한, 도전성 필름의 제조 과정에서는 도전층의 결정화나 그 패턴화 등을 위하여 고온에서의 열처리 공정이 수행될 수 있다.
따라서, 도전성 필름은, 상기와 같이 제조 과정에서 노출될 수 있는 다양한 환경에 대하여 내성이 우수하게 될 것이 필요하며, 다층 구조의 형성 시에 각 층의 평탄도도 확보될 필요가 있다.
본 출원은 도전성 필름 및 그 용도를 제공한다.
본 출원의 도전성 필름은, 기재 필름과 상기 기재 필름상에 형성되어 있는 도전층을 포함하고, 상기 도전층과 기재 필름의 사이에 존재하는 중간층을 포함할 수 있다.
상기 중간층은, 경화성 조성물의 경화층일 수 있다. 상기 경화성 조성물은 일 성분으로 에폭시기를 가지는 규소 화합물을 포함할 수 있다. 일 예시에서 상기 규소 화합물은 실란 화합물일 수 있다. 또한, 상기 규소 화합물 또는 실란 화합물은 가수분해성 및/또는 축합성 화합물일 수 있다. 상기에서 가수분해성 및/또는 축합성 화합물은, 상기 언급된 에폭시기에 추가로 가수분해성이거나, 축합성 관능기 또는 가수 분해에 의해 축합성이 될 수 있는 관능기를 포함하는 화합물일 수 있다. 따라서, 상기 규소 화합물의 범주에는 상기 실란 화합물, 그의 가수 분해물 또는 그의 축합물이 포함된다. 상기에서 가수분해성이거나, 축합성 관능기 또는 가수 분해에 의해 축합성이 될 수 있는 관능기의 예로는 알콕시기 또는 할로겐 원자 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 경화성 조성물은, 추가 성분으로서 에폭시 화합물을 포함한다. 상기 에폭시 화합물은 역시 에폭시기를 가지는 화합물이고, 다만 규소 원자를 포함하지 않는다.
상기 경화성 조성물은 상기 성분에 추가로 상기 규소 화합물의 가수 분해를 유도하기 위한 성분, 예를 들면, 가수 분해 촉매 등이나, 상기 에폭시 화합물과 규소 화합물의 경화 반응을 유도할 수 있는 경화제, 예를 들면, 양이온 개시제나 기타 에폭시 경화제 등을 포함할 수 있다. 상기 촉매, 경화제, 개시제 등의 종류는 특별히 제한되지 않고, 공지의 성분을 사용할 수 있다.
본 명세서에서 용어 에폭시기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 3개의 고리 구성 원자를 가지는 고리형 에테르(cyclic ether) 또는 상기 고리형 에테르를 포함하는 화합물로부터 유도된 1가 잔기를 의미할 수 있다. 에폭시기로는 글리시딜기, 글리시딜알킬기, 에폭시알킬기, 글리시독시알킬기 또는 지환식 에폭시기 등이 예시될 수 있다. 상기에서 지환식 에폭시기는, 지방족 탄화수소 고리 구조를 포함하고, 상기 지방족 탄화수소 고리를 형성하고 있는 2개의 탄소 원자가 또한 에폭시기를 형성하고 있는 구조를 포함하는 화합물로부터 유래되는 1가 잔기를 의미할 수 있다. 지환식 에폭시기로는, 6개 내지 12개의 탄소를 가지는 지환식 에폭시기가 예시될 수 있고, 예를 들면, 에폭시시클로헥실기 또는 에폭시시클로헥실알킬기 등이 예시될 수 있다.
본 명세서에서 용어 알킬기 또는 알콕시기는 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 알콕시기일 수 있다. 이러한 알킬기 또는 알콕시기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형일 수 있다. 필요한 경우에 상기 알킬기 또는 알콕시기는 임의적으로 치환되어 있을 수 있다.
본 명세서에서 용어 알킬렌기는 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬렌기일 수 있다. 이러한 알킬렌기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형일 수 있다. 필요한 경우에 상기 알킬렌기는 임의적으로 치환되어 있을 수 있다.
경화성 조성물에 적용되는 에폭시 화합물로는, 염기 등의 화학 물질, 고온 조건 또는 플라즈마 조건 등에서 내성을 가지는 것을 선택할 수 있다.
예를 들면, 에폭시 화합물로는, 비스페놀 A형 에폭시 수지와 같은 비스페놀형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지 또는 수소화 비스페놀형 에폭시 수지와 같은 에폭시 수지가 적용될 수 있다.
다른 예시에서 에폭시 화합물로는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물이 적용될 수도 있다.
[화학식 2]
Figure 112016129070000-pat00001
화학식 2에서 R1 내지 R3는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기 또는 에폭시기이되, R1 내지 R3 중 2개 이상은 에폭시기이다.
하나의 예시에서 R1 내지 R3는 모두 에폭시기일 수 있다.
다른 예시에서 상기 에폭시 화합물은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112016129070000-pat00002
화학식 3에서 R은 m가의 탄화수소 코어이고, L1 내지 L3는 각각 독립적으로 단일 결합, 산소 원자 또는 알킬렌기이며, R1은 수소 원자, 알킬기 또는 알콕시기이고, R2는 에폭시기이며, n은 임의의 수, 예를 들면 1 내지 10의 범위 내의 수이고, m은 임의의 수, 예를 들면, 1 내지 5의 범위 내의 수이다.
상기에서 m가의 탄화수소 코어는, 탄화수소 화합물의 수소 원자 m개가 이탈하여, L1과 m개의 공유 결합을 형성하고 있는 상태를 의미한다. 예를 들어, m이 1이면, R이 L1과 형성하고 있는 공유 결합은 1개 이고, m이 2이면, 2개이며, m이 3이면 3개일 수 있다. 상기에서 탄화수소 화합물의 종류는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알칸일 수 있다.
상기와 같은 에폭시 화합물은, 경화성 조성물 내에서 상기 에폭시기를 가지는 규소 화합물 100 중량부 대비 10 내지 200 중량부의 비율로 포함될 수 있다. 본 명세서에서 단위 중량부는 성분간의 중량의 비율을 의미한다. 상기 에폭시 화합물의 비율은 다른 예시에서 약 15 중량부 이상, 약 20 중량부 이상, 약 25 중량부 이상, 약 30 중량부 이상, 약 35 중량부 이상, 약 40 중량부 이상, 약 45 중량부 이상, 약 50 중량부 이상, 약 55 중량부 이상 또는 약 60 중량부 이상일 수 있다. 상기 에폭시 화합물의 비율은 다른 예시에서 약 190 중량부 이하, 약 180 중량부 이하, 약 170 중량부 이하, 약 160 중량부 이하, 약 150 중량부 이하, 약 140 중량부 이하, 약 130 중량부 이하, 약 120 중량부 이하, 약 110 중량부 이하, 약 100 중량부 이하, 약 90 중량부 이하, 약 80 중량부 이하 또는 약 70 중량부 이하일 수 있다. 이러한 비율은, 목적하는 물성의 중간층의 형성에 유리할 수 있다.
본 출원에서 중간층에 상기와 같은 에폭시 화합물과 함께 포함되는 규소 화합물은, 전술한 바와 같이 에폭시기를 가지는 가수분해성 실란 화합물, 그 가수 분해물, 그 축합물 또는 그 가수 분해물의 축합물일 수 있다.
상기 규소 화합물은, 에폭시기를 포함하고, 이 에폭시기로는 지환식 에폭시기 또는 글리시독시알킬기 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
하나의 예시에서 경화성 조성물 내의 상기 규소 화합물은 지환식 에폭시기를 가지는 규소 화합물과 지환식 에폭시기가 아닌 에폭시기를 가지는 규소 화합물의 혼합물일 수 있다.
이러한 혼합물인 경우에 상기 혼합물은, 상기 지환식 에폭시기를 가지는 규소 화합물 100 중량부 대비 10 내지 300 중량부의 지환식 에폭시기가 아닌 에폭시기를 가지는 규소 화합물을 포함할 수 있다. 이러한 비율의 적용에 의해 목적하는 물성의 중간층을 형성하는 것에 유리할 수 있다. 상기 비율은 다른 예시에서 15 중량부 이상 또는 25 중량부 이상일 수 있다. 또한, 상기 비율은 다른 예시에서 약 290 중량부 이하, 약 280 중량부 이하, 약 270 중량부 이하, 약 260 중량부 이하, 약 250 중량부 이하 또는 약 240 중량부 이하일 수 있다.
예를 들면, 상기 규소 화합물은, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 그 가수 분해물, 그 축합물 또는 그 가수 분해물의 축합물일 수 있다.
[화학식 1]
SiR4
화학식 1에서 R은, 규소 원자(Si)에 결합되어 있는 관능기이고, 각각 동일하거나 상이할 수 있다. 상기 R은, 각각 독립적으로 수소 원자, 에폭시기, 알킬기, 알콕시기, 히드록시기 또는 할로겐 원자일 수 있다.
화학식 1에서 R 중 적어도 하나는 에폭시기일 수 있다.
화학식 1에서 R 중 적어도 하나는 알콕시기, 할로겐 원자 또는 히드록시기일 수 있다. 상기에서 할로겐 원자의 예로는 염소 원자를 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
하나의 예시에서 화학식 1의 화합물은, R 중 2개 또는 3개가 알콕시기, 히드록시기 또는 할로겐 원자이고, 적어도 하나가 에폭시기인 화합물일 수 있다.
중간층을 형성하는 상기 경화성 조성물 내에서 상기 에폭시 화합물과 규소 화합물은 주성분으로 포함되어 있을 수 있다. 본 명세서에서 용어 주성분은, 중량을 기준으로 해당 성분이 약 55% 이상, 60% 이상, 65% 이상, 70% 이상, 75% 이상, 80% 이상, 85% 이상 또는 90% 이상 포함되어 있는 경우를 의미할 수 있다. 상기 주성분의 중량의 비율의 상한은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 중량 기준으로 약 100% 이하, 약 100% 미만 또는 약 95% 이하 정도일 수 있다. 상기 주성분의 중량 비율은 경화성 조성물의 고형분을 기준으로 한다. 상기에서 고형분은 경화성 조성물이 실질적으로 용매를 포함하지 않는 상태로서, 예를 들면, 용매의 비율이 약 10중량% 이하, 약 8중량% 이하, 약 6중량% 이하, 약 4중량% 이하, 약 2중량% 이하, 약 1중량% 이하 또는 약 0.5중량% 이하인 경우이다.
전술한 바와 같이 경화성 조성물은 상기 성분과 함께 필요한 경우에 임의의 첨가제, 예를 들면, 경화제나 촉매 등을 추가로 포함할 수 있다.
중간층은, 예를 들면, 상기 경화성 조성물을 기재 필름상에 코팅하고 경화시켜 형성할 수 있다. 경화성 조성물을 경화시키는 방식과 그러한 경화 후의 경화층의 두께, 즉 중간층의 두께 등은 특별히 제한되지 않으며, 목적하는 도전성 필름의 물성 등을 고려하여 적절하게 선택할 수 있다.
도전성 필름에 포함되는 기재 필름의 종류는 특별히 제한되지 않고, 업계에서 공지되어 있는 필름이 적용될 수 있다. 예를 들면, 도전성 필름으로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름 또는 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르계 필름, 아세테이트계 필름, 폴리에테르 술폰계 필름, 폴리카보네이트계 필름, 폴리아미드계 필름, 폴리이미드계 필름, 폴리올레핀계 필름, (메타)아크릴레이트계 필름, 폴리염화비닐계 필름, 폴리스티렌계 필름, 폴리비닐 알코올계 필름, 폴리아릴레이트계 필름 또는 폴리페닐렌 황화물계 필름 등의 각종 플라스틱 필름 또는 유리판 등을 사용할 수 있다. 상기에서 플라스틱 필름은 무연신 필름이거나 혹은 일축 또는 이축 연신 필름과 같은 연신 필름일 수 있다. 기재 필름의 일면 또는 양면에는 코로나 방전, 자외선 조사, 플라즈마 또는 스퍼터 에칭 처리 등과 같은 표면 처리가 되어 있거나, 혹은 하드코팅층이나 블로킹 방지층과 같은 표면 처리층이 형성되어 있을 수 있다. 상기 각 표면 처리 또는 표면 처리층은, 공지의 방식 또는 소재를 사용하여 수행하거나 형성할 수 있으며, 구체적인 처리 방식이나 소재는 특별히 제한되지 않는다. 기재 필름의 두께도 특별히 제한되지 않으며, 목적하는 용도를 고려하여 적정한 두께로 형성할 수 있다. 통상적으로 상기 기재 필름은, 약 3 ㎛ 내지 300 ㎛, 약 5 ㎛ 내지 250 ㎛ 또는 10 ㎛ 내지 200 ㎛ 정도의 두께를 가질 수 있다.
도전층을 구성하는 소재로는, 특별한 제한 없이 공지의 소재를 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 도전층은, 금, 은, 백금, 팔라듐, 구리, 알루미늄, 니켈, 크롬, 티탄, 철, 코발트, 주석 및 상기 중 2종 이상의 합금 등과 같은 금속, 산화 인듐, 산화 주석, 산화 티탄, 산화 카드뮴 또는 상기 중 2종 이상의 혼합물로 구성되는 금속 산화물, 요오드화 구리 등으로 이루어지는 다른 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 상기 도전층은, 결정층 또는 비결정층일 수 있다. 통상적으로 도전층은, 인듐 주석 산화물(ITO; Indium Tin Oxide)을 사용하여 형성하지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 도전층의 두께는, 연속층의 형성 가능성, 도전성 및 투명성 등을 고려하여, 약 10 nm 내지 300 nm, 바람직하게는 약 10 nm 내지 200 nm로 조절할 수 있다.
도전층은, 예를 들면, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 스프레이 열분해법, 화학 도금법, 전기 도금법 또는 상기 중 2종 이상의 방법을 조합한 박막 형성법으로 형성할 수 있고, 통상적으로는 진공 증착법 또는 스퍼터링법으로 형성한다.
도전성 필름은, 상기 구성에 추가로 다른 공지의 요소를 포함할 수 있다. 이러한 공지의 요소로는, 앵커층, 유전체층, 점착제층 또는 접착제층이 포함될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
예를 들면, 상기 도전층은, 앵커층 또는 유전체층을 매개로 상기 기재 필름 또는 중간층상에 형성되어 있을 수도 있다. 이러한 앵커층 또는 유전체층은, 도전층과 기재층의 밀착성을 향상시키고, 내찰상성 또는 내굴곡성을 개선할 수 있다. 앵커층 또는 유전체층은, 예를 들면, SiO2, MgF2 또는 Al2O3 등과 같은 무기물; 아크릴 수지, 우레탄 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지 또는 실록산계 폴리머 등의 유기물 또는 상기 중 2종 이상의 혼합물을 사용하여 형성할 수 있고, 형성 방법으로는, 예를 들면, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 또는 도공법 등을 채용할 수 있다. 앵커층 또는 유전체층은 통상적으로 약 100 nm 이하, 15 nm 내지 100 nm 또는 20 nm 내지 60 nm의 두께로 형성할 수 있다.
본 출원은 또한 상기와 같은 도전성 필름의 용도에 대한 것이다. 도전성 필름은, 예를 들면, OLED(Organic Light Emitting Diode), PDP(Plasma Display Panel) 또는 LCD(Liquid Crystal Display) 등과 같은 디스플레이 장치나 터치 패널 등에 사용될 수 있는데, 본 출원의 상기 도전성 필름은 상기와 같은 공지의 도전성 필름의 용도에 모두 적용될 수 있다.
본 출원의 도전성 필름은, 휘발 물질이 적고, 필름의 제조 공정에서 노출될 수 있는 플라즈마 처리, 결정화 공정 또는 패턴화 공정 등에 대하여 우수한 내성을 가지는 중간층을 포함하고, 이에 따라 내구성이 우수하다.
이하 실시예 및 비교예를 통하여 본 출원의 도전성 필름의 제조 방법 등을 상세히 설명하지만, 본 출원의 범위가 하기 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
1. 투과율의 측정
ITO층의 일부가 식각된 도전성 필름의 초기 투과율, 산, 염기 또는 용매 처리 후의 상기 도전성 필름의 투과율은 가시광 범위의 파장(380 nm 내지 780 nm)의 광에 대하여 측정하였다.
2. 산 처리 후의 투과율 변화
ITO층의 일부가 식각된 도전성 필름의 산 처리 후의 투과율 변화는 상기 도전성 필름을 산성 용액으로서 염산 용액(HCl, 15 중량% 농도) 내에 1분 시간 동안 유지한 후 꺼낸 후, 증류수로 세척한 다음, 표면에 잔존하는 증류수 등을 질소 블로잉으로 제거하고, 실온에서 1 시간 동안 유지한 후에 측정하였다.
3. 염기 처리 후의 투과율 변화
ITO층의 일부가 식각된 도전성 필름의 염기 처리 후의 투과율 변화는 상기 도전성 필름을 염기성 용액으로서 50℃의 NaOH 용액(농도: 3 중량%) 용액 내에 2분 동안 유지하고, 꺼낸 후에 증류수로 세척한 다음, 표면에 잔존하는 증류수 등을 질소 블로잉으로 제거하고, 실온에서 1 시간 동안 유지한 후에 측정하였다.
4. 용매 처리 후의 투과율 변화
ITO층의 일부가 식각된 도전성 필름의 용매 처리 후의 투과율 변화는 상기 도전성 필름을 에탄올 또는 MEK(methyl ethyl ketone) 내에 실온에서 10분 동안 유지한 후 꺼낸 다음 표면에 잔존하는 용매를 질소 블로잉으로 제거하고, 실온에서 1 시간 동안 유지한 후에 측정하였다.
실시예 1.
TRIMO(3,4-epoxycyclohexylethyltrimethoxysilane)를 물과 에탄올의 혼합 용매에 투입하여 가수 분해시킨 후에 이를 에폭시 화합물로서, TEPIC(tris(2,3-epoxy propyl) isocyanurate)와 상기 TRIMO와 TEPIC의 중량 비율이 60:40 정도(TRIMO:TEPIC)가 되도록 혼합하고, 열경화 촉매(Sanaid SIB3)를 적정량 혼합하여 경화성 조성물을 제조하였다. 이어서 상기 조성물은 기재 필름상에 코팅하여 층을 형성하고, 140℃에서 5분 동안 유지하여 경화시켜 경화층을 형성하였다. 이어서 상기 경화층의 상부에 도전층으로서 ITO층을 공지의 방식으로 증착하고, 150℃에서 1 시간 동안 유지하여 상기 ITO층을 결정화시켰다. 이어서 상기 도전성 필름에서 ITO층의 일부를 식각한 후에 산, 염기 또는 용매 처리한 후의 투과율 변화를 측정하였다.
실시예 2.
TRIMO(3,4-epoxycyclohexylethyltrimethoxysilane) 대신 GPS((3-glycidyloxypropyl)trimethoxysilane)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 도전성 필름을 제조하고, 산, 염기 또는 용매 처리 후의 투과율 변화를 측정하였다.
실시예 3.
TRIMO(3,4-epoxycyclohexylethyltrimethoxysilane) 대신 GPMS(glycidoxypropyl monomethyldimethoxysilane)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 도전성 필름을 제조하고, 산, 염기 또는 용매 처리 후의 투과율 변화를 측정하였다.
실시예 4.
TRIMO(3,4-epoxycyclohexylethyltrimethoxysilane) 대신 TRIMO(3,4-epoxycyclohexylethyltrimethoxysilane)와 GPS((3-glycidyloxypropyl)trimethoxysilane)의 혼합물(중량비율: 1:1)을 실란 화합물로 사용하고, 에폭시 화합물로서, TEPIC(tris(2,3-epoxy propyl) isocyanurate) 대신 EHPE3150(Cas No.: 244772-00-7)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 도전성 필름을 제조하고, 산, 염기 또는 용매 처리 후의 투과율 변화를 측정하였다. 상기에서 각 화합물의 중량 비율(TRIMO:GPS:EHPE3150)은, 30:30:40로 조절하였다.
실시예 5.
TRIMO(3,4-epoxycyclohexylethyltrimethoxysilane) 대신 TRIMO(3,4-epoxycyclohexylethyltrimethoxysilane)와 GPS((3-glycidyloxypropyl)trimethoxysilane)의 혼합물(중량비율: 3:7(TRIMO:GPS))을 실란 화합물로 사용하고, 에폭시 화합물로서, 비스페놀A형 에폭시 수지(제조사: 국도 화학, 상품명: YD 134)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 도전성 필름을 제조하고, 산, 염기 또는 용매 처리 후의 투과율 변화를 측정하였다. 상기에서 각 화합물의 중량 비율(TRIMO:GPS:비스페놀A형 에폭시 수지)은, 18:42:40로 조절하였다.
실시예 6.
TRIMO(3,4-epoxycyclohexylethyltrimethoxysilane) 대신 TRIMO(3,4-epoxycyclohexylethyltrimethoxysilane)와 GPS((3-glycidyloxypropyl)trimethoxysilane)의 혼합물(중량비율: 7:3(TRIMO:GPS))을 실란 화합물로 사용하고, 에폭시 화합물로서, 노볼락형 에폭시 수지(제조사: 국도 화학, 상품명: YDCN-500-4P)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 도전성 필름을 제조하고, 산, 염기 또는 용매 처리 후의 투과율 변화를 측정하였다. 상기에서 각 화합물의 중량 비율(TRIMO:GPS:노볼락형 에폭시 수지)은, 42:18:40로 조절하였다.
실시예 7.
TRIMO(3,4-epoxycyclohexylethyltrimethoxysilane) 대신 TRIMO(3,4-epoxycyclohexylethyltrimethoxysilane)와 GPS((3-glycidyloxypropyl)trimethoxysilane)의 혼합물(중량비율: 8:2(TRIMO:GPS))을 실란 화합물로 사용하고, 에폭시 화합물로서, 수소화 비스페놀형 에폭시 수지(제조사: 국도 화학, 상품명: ST-3000)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 도전성 필름을 제조하고, 산, 염기 또는 용매 처리 후의 투과율 변화를 측정하였다. 상기에서 각 화합물의 중량 비율(TRIMO:GPS:수소화 비스페놀형 에폭시 수지)은, 48:12:40로 조절하였다.
비교예 1.
TRIMO 대신 프로필트리메톡시 실란을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 도전성 필름을 제조하였다.
비교예 2.
TRIMO만을 물과 에탄올의 혼합 용매에 투입하여 가수 분해 시킨 코팅액을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 도전성 필름을 제조하였다.
상기 실시예 및 비교예의 도전성 필름에 대해서 측정한 투과율 변화 결과를 하기 표 1에 정리하여 기재하였다.
산 처리 후 염기 처리 후 에탄올 처리 후 MEK 처리 후
실시예1 ○ ○ ○ ○
실시예2 ○ ○ ○ ○
실시예3 ○ ○ ○ ○
실시예4 ○ ○ ○ ○
실시예5 ○ ○ ○ ○
실시예6 ○ ○ ○ ○
실시예7 ○ ○ ○ ○
비교예1 ○ × ○ ×
비교예2 ○ × ○ ×
○: 산, 염기 또는 용매 처리 후에 투과율 변화가 0.2% 이하인 경우
×: 산, 염기 또는 용매 처리 후에 투과율 변화가 0.2% 초과인 경우
상기 표 1의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 본원 실시예에 따른 도전성 필름의 경우, 산, 염기 및 용매 처리 후에 투과율의 변화가 거의 없는 반면, 비교예의 경우, 특히 염기 및 MEK 처리 후에 투과율의 변화가 크게 발생하였다.

Claims (17)

  1. 기재 필름 및 상기 기재 필름상에 형성되어 있는 도전층을 포함하고, 상기 도전층과 기재 필름의 사이에 존재하며, 에폭시기를 가지는 규소 화합물 및 에폭시 화합물을 포함하는 조성물의 경화층인 중간층을 포함하고,
    상기 에폭시 화합물은 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 도전성 필름:
    [화학식 2]
    Figure 112019064401571-pat00005

    화학식 2에서 R1 내지 R3는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기 또는 에폭시기이되, R1 내지 R3 중 2개 이상은 에폭시기이다:
    [화학식 3]
    Figure 112019064401571-pat00006

    화학식 3에서 R은 m가의 탄화수소 코어이고, L1 내지 L3는 각각 독립적으로 단일 결합, 산소 원자 또는 알킬렌기이며, R1은 수소 원자, 알킬기 또는 알콕시기이고, R2는 에폭시기이며, n은 1 내지 10의 범위 내의 수이고, m은 1 내지 5의 범위 내의 수이다.
  2. 제 1 항에 있어서, 규소 화합물은 에폭시기를 가지는 가수 분해성 실란 화합물, 그 가수 분해물 또는 그 축합물인 도전성 필름.
  3. 제 1 항에 있어서, 규소 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 도전성 필름:
    [화학식 1]
    SiR4
    화학식 1에서 R은 수소 원자, 에폭시기, 알킬기, 알콕시기, 히드록시기 또는 할로겐 원자이되, R 중 적어도 하나는 에폭시기이고, R 중 적어도 하나는 알콕시기, 히드록시기 또는 할로겐 원자이다.
  4. 제 3 항에 있어서, 화학식 1의 화합물은, R 중 2개 또는 3개가 알콕시기이고, 적어도 하나가 에폭시기인 화합물인 도전성 필름.
  5. 제 3 항에 있어서, 에폭시기가 글리시독시알킬기 또는 지환식 에폭시기인 도전성 필름.
  6. 제 1 항에 있어서, 규소 화합물은 지환식 에폭시기를 가지는 규소 화합물과 지환식 에폭시기가 아닌 에폭시기를 가지는 규소 화합물의 혼합물인 도전성 필름.
  7. 제 6 항에 있어서, 혼합물은 지환식 에폭시기를 가지는 규소 화합물 100 중량부 대비 10 내지 300 중량부의 지환식 에폭시기가 아닌 에폭시기를 가지는 규소 화합물을 포함하는 도전성 필름.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제 1 항에 있어서, 화학식 2의 R1 내지 R3가 모두 에폭시기인 도전성 필름.
  11. 제 1 항에 있어서, 화학식 2의 에폭시기가 글리시독시알킬기 또는 지환식 에폭시기인 도전성 필름.
  12. 삭제
  13. 제 1 항에 있어서, 화학식 3의 에폭시기가 글리시독시알킬기 또는 지환식 에폭시기인 도전성 필름.
  14. 제 1 항에 있어서, 조성물은, 규소 화합물 100 중량부 대비 30 내지 100 중량부의 에폭시 화합물을 포함하는 도전성 필름.
  15. 제 1 항에 있어서, 조성물은, 에폭시기를 가지는 규소 화합물 및 에폭시 화합물을 55 중량% 이상 포함하는 도전성 필름.
  16. 제 1 항의 도전성 필름을 포함하는 터치 패널.
  17. 제 1 항의 도전성 필름을 포함하는 디스플레이 장치.
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