KR102032292B1 - 근접 센서의 제조 방법 및 근접 센서의 제조 시스템 - Google Patents

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카즈아키 미야모토
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Abstract

검출 정밀도의 향상 또는 검출 가능 범위의 확대를 가능하게 한 근접 센서의 제조 방법 및 제조 시스템을 제공한다. 검출체의 유무 또는 위치를 검출 결과로서 출력하는 근접 센서의 제조 방법이 제공된다. 제조 방법은, 근접 센서를 온도 가변 환경에 배치하는 스텝; 근접 센서의 환경을 복수의 다른 온도에 각각 설정함과 동시에, 각 온도에 있어서, 근접 센서의 온도 검출부에 의해 검출되는 온도와, 제어 연산부에 의해 출력되는 검출 결과를 관련지어 격납하는 스텝; 격납된 온도 및 검출 결과에 기초하여 대상의 근접 센서에 고유한 특성 파라미터를 결정하는 스텝; 및 결정한 특성 파라미터를 대상의 근접 센서로 설정하는 스텝;을 포함한다.

Description

근접 센서의 제조 방법 및 근접 센서의 제조 시스템{Method of manufacturing proximity sensor and manufacturing system for proximity sensor}
본 발명은 근접 센서의 제조 방법 및 근접 센서의 제조 시스템에 관한 것이다.
FA(Factory Automation)의 기술 분야에 있어서는, 검출체의 유무 또는 검출체에 이르기까지의 거리를 검출 결과로서 출력하는 근접 센서가 이용된다. 근접 센서는 복수의 검출 방식이 제안되고 있는데, 예컨대, 고주파 발진형 근접 센서에서는, 1차 코일로부터 고주파를 방사함과 동시에, 2차 코일(1차 코일과 공통인 경우도 있음)에 발생하는 파형의 변화에 기초하여 검출을 수행한다.
이러한 근접 센서에 관해, 예컨대, 일본 공개특허 특개평05-218845호 공보(특허 문헌 1)는 바라는 작동 거리에 상응하여 근접 스위치를 조정하기 위해 프로그래밍 유닛을 탑재하는 구성을 개시한다.
또한, 근접 센서는 주위 온도의 변화에 따라 검출 특성에 영향을 받는 것이 알려져 있다. 예컨대, 일본 공개특허 특개평01-233913호 공보(특허 문헌 2)는 학습형 온도 보상 회로를 개시한다.
[특허문헌 1] 일본 공개특허 특개평05-218845호 공보 [특허문헌 2] 일본 공개특허 특개평01-233913호 공보
근접 센서의 검출 정밀도를 향상시키거나, 또는 근접 센서의 검출 가능 범위를 확대시키라는 요구가 존재한다. 일본 공개특허 특개평05-218845호 공보(특허 문헌 1)에 개시되어 있는 구성에 있어서는, 근접 스위치의 개개의 작동 거리를 설정할 수 있지만, 그러한 구성만으로는 상술한 바와 같은 요구를 충족할 수 없다.
일본 공개특허 특개평01-233913호 공보(특허 문헌 2)는, 온도 보상 회로에 의해 검출 정밀도를 높일 수 있지만, 제조 공정이나 부품 특성의 불균일한 영향을 저감시킬 수 없다.
본 발명의 하나의 목적은, 검출 정밀도의 향상 또는 검출 가능 범위의 확대를 가능하게 한 근접 센서의 제조 방법 및 제조 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시 형태에 의하면, 검출체의 유무 또는 위치를 검출 결과로서 출력하는 근접 센서의 제조 방법이 제공된다. 제조 방법은 근접 센서를 온도 가변 환경에 배치하는 스텝을 포함한다. 근접 센서는 검출 코일 및 커패시터를 포함하는 검출부와, 검출부를 여진(勵振)하는 발진 회로와, 근접 센서의 케이스 내의 온도를 검출하는 온도 검출부와, 검출부에 발생하는 신호 변화에 기초하여 검출체에 이르기까지의 거리를 나타내는 신호를 검출 결과로서 출력하는 제어 연산부를 포함한다. 또한, 제조 방법은 근접 센서의 환경을 복수의 다른 온도로 각각 설정함과 동시에, 각 온도에 있어서, 근접 센서의 온도 검출부에 의해 검출되는 온도와, 제어 연산부에 의해 출력되는 검출 결과를 관련지어 격납하는 스텝과, 격납된 온도 및 검출 결과에 기초하여 대상의 근접 센서에 고유한 특성 파라미터를 결정하는 스텝과, 결정한 특성 파라미터를 대상의 근접 센서로 설정하는 스텝을 포함한다.
본 발명의 다른 실시 형태에 의하면, 검출체의 유무 또는 위치를 검출 결과로서 출력하는 근접 센서의 제조 시스템이 제공된다. 제조 시스템은 하나 또는 복수의 근접 센서를 수용함과 동시에, 온도 환경을 변화시키는 항온조(恒溫槽)를 포함한다. 근접 센서는 검출 코일 및 커패시터를 포함하는 검출부와, 검출부를 여진하는 발진 회로와, 근접 센서의 케이스 내의 온도를 검출하는 온도 검출부와, 검출부에 발생하는 신호 변화에 기초하여 검출체에 이르기까지의 거리를 나타내는 신호를 검출 결과로서 출력하는 제어 연산부를 포함한다. 또한, 제조 시스템은 근접 센서의 환경을 복수의 다른 온도로 각각 설정함과 동시에, 각 온도에 있어서, 근접 센서의 온도 검출부에 의해 검출되는 온도와 제어 연산부에 의해 출력되는 검출 결과를 관련지어 격납하는 격납 수단과, 격납된 온도 및 검출 결과에 기초하여 대상의 근접 센서에 고유한 특성 파라미터를 결정하는 결정 수단과, 결정한 특성 파라미터를 대상의 근접 센서로 설정하는 설정 수단을 포함한다.
본 발명의 실시 형태에 의하면, 검출 정밀도의 향상 또는 검출 가능 범위의 확대를 가능하게 한 근접 센서의 제조 방법 및 제조 시스템을 제공할 수 있다.
도 1은　본 실시 형태에 따른 근접 센서의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시한 근접 센서의 A－A 선을 따라 절취된 단면도이다.
도 3은　본 실시 형태에 따른 근접 센서를 구성하는 처리 회로의 구성 예를 나타내는 블록도이다.
도 4는　본 실시 형태에 따른 근접 센서의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는　본 실시 형태에 따른 근접 센서의 주 회로의 기능 구성을 나타내는 모식도이다.
도 6은　검출 특성의 변화에 발생하는 검출 특성의 온도 변화 및 그에 대한 보상을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은　본 실시 형태에 따른 근접 센서의 특성 파라미터를 결정하는 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 8은　도 7에 도시한 설정 장치의 하드웨어 구성의 일 예를 나타내는 모식도이다.
도 9는　본 실시 형태에 따른 근접 센서의 특성 파라미터의 결정 및 설정을 포함하는 제조 방법의 처리 순서를 나타내는 흐름도이다.
도 10은　본 실시 형태에 따른 제조 시스템의 설정 장치에 격납되는 수집 데이터의 데이터 구조의 일 예를 나타내는 도면이다.
본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한, 도면 중의 동일 또는 상당 부분에 대해서는 동일 부호를 부여하고, 그 설명은 반복하지 않는다.
＜A. 근접 센서의 구성＞
우선, 본 실시 형태에 따른 근접 센서(1)의 구성에 대해 설명한다. 본 실시 형태에 따른 근접 센서(1)는 검출체(W)의 유무 또는 위치를 검출 결과로서 출력한다. 검출체(W)로서는 금속 등의 도전성 물체가 상정된다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 근접 센서(1)의 사시도이다. 도 2는 도 1에 도시한 근접 센서(1)의 A－A선을 따라 절취된 단면도이다.
도 1을 참조하면, 근접 센서(1)는 본체부(2)와, 본체부(2)에 접속된 리드선(4)을 갖는다. 근접 센서(1)에는 너트(12, 14), 및 너트(12)와 너트(14) 사이에 배치된 와셔(10)가 더 장착될 수 있다.
본체부(2)는 통 형상의 케이스(6)와, 케이스(6)의 일단에 배치된 원형의 검출면(8)을 갖는다. 검출면(8)은 케이스(6)에 감입(嵌入)되는 캡의 일부분으로서 구성될 수 있다. 케이스(6)의 표면에는 너트(12, 14)용 나사 홈이 형성되어 있다. 또한, 본체부(2)에는 동작 표시 등(미도시) 등이 배치될 수 있다.
너트(12, 14) 및 와셔(10)는 본체부(2)를 장치 등의 지지 부재에 장착하기 위해 이용된다. 예컨대, 너트(12)와 너트(14) 사이에 장착 브래킷(예컨대, L자형 브래킷)의 일부를 끼움으로써, 본체부(2)를 지지 부재에 고정할 수 있다.
도 2를 참조하면, 본체부(2)의 케이스(6) 내에는 검출 코일(16)과, 페라이트 코어(18)와, 기판상에 소자가 배치된 처리 회로(20)를 갖는다. 케이스(6) 내에는 수지가 충전되고, 외부로부터 봉지(sealing)된다.
검출 코일(16)은 환상 또는 대략 환상의 코일이 이용된다. 케이스(6)의 중심축(M) 상에 검출 코일(16)의 실질적인 중심이 위치하도록 구성된다. 검출 코일(16)은 처리 회로(20)와 전기적으로 접속되어 있다. 처리 회로(20)는 리드선(4)을 통해 전력 공급을 받음과 동시에 검출 결과 등을 외부 출력한다.
검출 코일(16)의 근방에는 외부 온도 센서(44)가 배치될 수 있다. 외부 온도 센서(44)에 의해 검출된 온도는 처리 회로(20)로 출력된다.
또한, 도 1에는, 리드선(4)이 본체부(2)에 직접 접속되어 있는 구성을 나타내지만, 양자 간을 착탈 가능한 커넥터 접속으로 할 수 있다. 또한, 본체부(2)를 소정 위치에 배치하기 위한 구성으로는, 도 1에 도시한 너트(12, 14) 및 와셔(10)를 이용한 구성뿐만 아니라, 임의의 지지 부재를 이용할 수 있다. 본 실시 형태에 따른 근접 센서(1)는 주로 본체부(2)에 종래 기술과는 다른 구성을 가지고 있고, 지지 부재로의 장착 형태 등은 임의의 구조를 채용할 수 있다.
＜B. 처리 회로의 구성＞
이어서, 근접 센서(1)를 구성하는 처리 회로(20)의 구성 예에 대해 설명한다. 도 3은 본 실시 형태에 따른 근접 센서(1)를 구성하는 처리 회로(20)의 구성 예를 나타내는 블록도이다.
도 3을 참조하면, 처리 회로(20)는 주 회로(30), 인터페이스 회로(62), 및 보호 회로(60)를 포함한다. 주 회로(30)는 검출 코일(16) 및 커패시터(17)를 포함하는 검출부(22)에 접속되어 있다.
주 회로(30)는 검출 코일(16)을 발진시킴과 동시에, 검출 코일(16)의 발진 상태를 감시한다. 보다 구체적으로, 주 회로(30)는 제어 연산 회로(32), 발진 회로(34), 아날로그/디지털 변환 회로(이하, "A/D(Analog to Digital) 변환 회로"라고도 함)(36), 내부 온도 센서(38), 기억부(40), 및 전원 회로(50)를 포함한다.
제어 연산 회로(32)는 처리 회로(20)에 대해 주요한 처리를 실행하는 회로이다. 보다 구체적으로, 제어 연산 회로(32)는 발진 회로(34)에 대해 발진 제어 신호를 출력함과 동시에, A/D 변환 회로(36)로부터의 검출 신호(디지털 신호)의 입력을 받아 검출체(W)의 유무를 검출하는 처리, 및/또는 검출체(W)에 이르기까지의 거리를 검출하는 처리를 실행한다. 이때, 제어 연산 회로(32)는 내부 온도 센서(38) 및/또는 외부 온도 센서(44)에 의해 검출된 온도, 및 기억부(40)에 격납되어 있는 특성 파라미터(42)를 참조하여 검출부(22)의 전기적 특성의 온도 의존성을 보상한다.
본 실시 형태에 있어서는, 특성 파라미터(42)로서 근접 센서(1)의 각각의 고유값이 격납된다. 즉, 기억부(40)에는 근접 센서(1)에 고유한 특성 파라미터(42)가 미리 격납된다. 이러한 특성 파라미터(42)의 결정 처리 및 특성 파라미터(42)를 이용한 보상 처리에 대해서는 후술한다.
이와 같이, 제어 연산 회로(32)는 A/D 변환 회로(36)로부터의 디지털 신호를 처리함으로써, 검출체(W)에 이르기까지의 거리를 나타내는 신호를 산출함과 동시에, 당해 산출한 신호를 기억부(40)에 격납되어 있는 특성 파라미터(42)를 이용하여 보상한 후 검출 결과로서 출력한다.
발진 회로(34)는 제어 연산 회로(32)로부터의 발진 제어 신호에 따라, 고주파 여진 전류를 생성하고, 검출부(22)를 여진한다. 발진 회로(34)로부터의 여진 전류의 주파수는 검출부(22)의 공진 주파수 등을 고려하여 결정된다.
검출부(22)는 검출 코일(16) 및 검출 코일(16)과 병렬 접속된 커패시터(17)를 포함한다. 검출 코일(16)의 L 성분 및 커패시터(17)의 C 성분에 의해 검출부(22)는 LC 병렬 공진 회로(LC 탱크 회로)를 구성한다. 발진 회로(34)가 여진함으로써, 검출체(W)가 존재하지 않으면, 검출부(22)의 LC 병렬 공진 회로는 공진 상태가 된다. 또한, 도 3에는 설명의 편의상, 검출 코일(16) 및 커패시터(17)의 병렬 회로를 나타내지만, 이에 한정되지 않으며, 검출 코일(16)을 포함하는 공진 회로라면 어떠한 회로를 채용해도 무방하다.
A/D 변환 회로(36)는 검출부(22) 양단에 발생하는 전압(아날로그 신호)에 대해 A/D 변환을 수행하여 디지털 신호를 출력한다. A/D 변환 회로(36)로부터 출력되는 디지털 신호는 제어 연산 회로(32)로 주어진다. 즉, A/D 변환 회로(36)는 검출부(22)에 발생하는 신호 변화를 검출하고, 검출한 신호 변화를 나타내는 디지털 신호를 출력한다.
기억부(40)는 재기입 가능한 비휘발성 기억 장치로서, 예컨대, EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) 등이 이용된다. 기억부(40)에는 특성 파라미터(42)에 더하여, 제어 연산 회로(32)에서 처리를 실행하는데 필요한 프로그램 및 데이터가 격납된다.
근접 센서(1)에는 근접 센서(1)의 케이스(6) 내의 온도를 검출하는 온도 검출부가 설치된다.
보다 구체적으로, 온도 검출부의 일 예인 내부 온도 센서(38)는 제어 연산 회로(32)와 동일 기판상에 배치된다(제1 온도 센서). 내부 온도 센서(38)를 제어 연산 회로(32)와 함께 주 회로(30)의 일부로서 실장함으로써, 온도 검출부의 배치에 따른 코스트를 저감할 수 있다.
또한, 온도 검출부의 다른 일 예인 외부 온도 센서(44)는 내부 온도 센서(38)에 비해 검출부(22)에 더 가까운 위치에 배치된다. 즉, 외부 온도 센서(44)는 근접 센서(1)의 케이스(6) 내로서, 처리 회로(20)와 다른 위치에 배치된다. 외부 온도 센서(44)는 전원 회로(50) 등의 발열원으로부터 떨어진 위치로서, 또한, 검출부(22) 근방에 배치되는 것이 바람직하다. 외부 온도 센서(44)는 처리 회로(20)에 포함되는 전원 회로(50) 등에 의한 발열의 영향을 저감하면서, 검출부(22)의 온도를 보다 높은 정밀도로 측정하기 위해 배치될 수 있다.
내부 온도 센서(38) 및/또는 외부 온도 센서(44)로는, 예컨대, 서미스터, 백금 등으로 이루어진 측온 저항체, 또는 열전쌍을 이용할 수 있다.
또한, 내부 온도 센서(38) 및 외부 온도 센서(44)를 모두 실장할 필요는 없고, 어느 일방의 온도 센서만을 실장하게 할 수 있다.
이하에서는, 온도 검출부(내부 온도 센서(38) 및/또는 외부 온도 센서(44))에 의해 검출되는 온도를 "케이스 내부 온도"라고 총칭한다.
전원 회로(50)는 외부 전원으로부터 전력 공급을 받아 주 회로(30) 및 주변 회로를 구동하기 위한 전력을 발생한다. 전원 회로(50)는, 예컨대, 스위칭 레귤레이터를 포함하는 회로가 채용된다.
인터페이스 회로(62)는 주 회로(30)와 외부 장치 간 데이터 통신을 중개하기 위한 회로이고, 예컨대, 제어 연산 회로(32)에서 산출된 검출 결과를 외부 장치로 출력함과 동시에, 외부 장치로부터의 제어 신호를 제어 연산 회로(32)로 제공한다.
또한, 인터페이스 회로(62)는 온도 검출부(내부 온도 센서(38) 및 외부 온도 센서(44))에 의해 검출된 온도를 나타내는 신호를 외부 출력한다. 또한, 인터페이스 회로(62)는 기억부(40)에 기입되는 특성 파라미터(42)를 접수한다. 즉, 기억부(40)에는 인터페이스 회로(62)에 의해 접수된 특성 파라미터가 기입된다. 이러한 온도를 나타내는 신호 및 특성 파라미터(42)의 통신에 대해서는 후술한다.
보호 회로(60)는 리드선(4)을 구성하는 각 신호선을 통해 전송되는 신호에 침입할 수 있는 서지나 노이즈 등을 억제한다.
또한, 도시하지 않은 표시 장치 등이 근접 센서(1)와 접속될 수 있다. 이 경우, 처리 회로(20)로부터 표시 장치에 대해 제어 신호가 주어질 수 있다.
예컨대, 주 회로(30)는 ASIC(Application Specific Integrated Circuit) 등을 이용하여 패키지화될 수 있다. 처리 회로(20)의 실장 형태는 특별히 한정되지 않고 임의의 실장 형태를 채용할 수 있다.
＜C. 동작 원리＞
이어서, 본 실시 형태에 따른 근접 센서(1)의 동작 원리에 대해 설명한다.
동작 상태에 있어서, 근접 센서(1)의 처리 회로(20)의 발진 회로에 의해 검출 코일(16)이 여진된다. 발진 회로의 여진에 의해 검출 코일(16)에 대해 고주파 여진 전류가 공급됨으로써, 검출 코일(16)로부터 고주파 자계가 발생한다. 한편, 검출 코일(16)이 발생하는 고주파 자계 중에 금속 물체인 검출체(W)가 접근하면, 전자 유도 현상에 의해 검출체(W) 중에 유도 전류가 흐르고, 검출체(W) 내에 열손실(저항 손실)이 발생한다.
검출체(W)에 발생하는 열손실이 커짐으로써, 발진 회로에 의한 검출 코일(16)의 발진 상태로의 영향이 커져 발진 진폭이 감쇠하거나, 또는 발진 자체를 유지할 수 없게 된다. 이러한 발진 상태의 변화에 기초하여 검출체(W)의 유무, 또는 검출체(W)에 이르기까지의 거리를 검출할 수 있다.
도 4는 본 실시 형태에 따른 근접 센서(1)의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다. 도 4(A)는 근접 센서(1)의 검출 가능 범위 내에 검출체(W)가 존재하지 않는 경우, 주 회로(30)의 A/D 변환 회로(36)에 의해 검출되는 검출 신호의 시간 파형의 일 예이다. 도 4(A)에 도시한 바와 같이, 근접 센서(1)의 검출 가능 범위 내에 검출체(W)가 존재하지 않는 경우, 검출부(22)는 발진 상태에 있다.
도 4(B) 및 도 4(C)는 근접 센서(1)의 검출 가능 범위 내에 검출체(W)가 존재하는 경우, 주 회로(30)의 A/D 변환 회로(36)에 의해 검출되는 검출 신호의 시간 파형의 일 예이다. 도 4(B)에 도시한 시간 파형은 발진 상태가 유지되어 있지만, 그 진폭은 도 4(A)에 도시한 발진 파형에 비하여 진폭이 작아짐을 알 수 있다. 도 4(C)에 도시한 시간 파형은 검출체(W)가 근접 센서(1)에 의해 가까워진 상태에 대응한다. 도 4(C)에 도시한 시간 파형은 발진 상태가 유지되지 않음을 나타낸다.
도 4(A) 내지 도 4(C)에 도시한 바와 같이, 근접 센서(1)에 대해 검출체(W)가 접근함으로써, 검출부(22)의 발진 상태가 변화한다. 즉, 검출부(22)의 발진 상태의 변화에 기초하여 검출체(W)의 유무 또는 검출체(W)에 이르기까지의 거리를 검출할 수 있다.
＜D. 검출 처리 및 온도 보상＞
이어서, 본 실시 형태에 따른 근접 센서(1)에 있어서의 검출 처리 및 온도 보상에 대해 설명한다.
도 5는 본 실시 형태에 따른 근접 센서(1)의 주 회로(30)의 기능 구성을 나타내는 모식도이다. 도 5를 참조하면, A/D 변환 회로(36)에 의해, 검출부(22)(검출 코일(16) 및 커패시터(17)를 포함함: 도 3 참조)의 양단에 발생하는 전압 값을 디지털 값으로 출력한다.
주 회로(30)는 수치 연산이 가능한 모듈로서 컨덕턴스(conductance) 연산 처리부(82), 보상부(84), 및 문턱값 처리부(86)를 포함한다.
컨덕턴스 연산 처리부(82)는 A/D 변환 회로(36)로부터 출력되는 전압 값의 시간 변화에 기초하여 검출 코일(16)의 컨덕턴스의 크기를 산출한다. 즉, 컨덕턴스 연산 처리부(82)는 검출 코일(16) 양단에 발생하는 전압 파형에 기초하여 검출 코일(16)의 컨덕턴스의 크기에 상응하는 값을 산출한다. 이 컨덕턴스의 크기는 검출 코일(16)에 대한 전류 흐름의 용이성을 나타낸다. 검출체(W)가 검출부(22)에 접근함으로써, 검출부(22)에 흐르는 유도 전류가 상대적으로 커지면, 검출 코일(16) 자체에는 전류가 흐르기 어려워지고, 그 결과, 검출 코일(16)의 컨덕턴스는 작아진다. 즉, 검출 코일(16)로의 전류 흐름의 곤란성을 나타내게 된다.
컨덕턴스의 산출 방법으로는, 예컨대, 검출부(22) 양단에 발생하는 진폭과 기준 진폭과의 비 등등을 이용하여 산출할 수 있다. 또는 검출부(22) 양단에 발생하는 전압의 시간 변화(진폭 및 위상)에 기초하여 산출할 수 있다.
컨덕턴스 연산 처리부(82)로부터 출력되는 컨덕턴스의 산출 결과를, 이하에서는 거리(distance)를 의미하는 "DIST"로 기재한다. 거리 출력 DIST의 크기는 컨덕턴스의 산출 결과와 비례한다. 즉, 거리 출력 DIST는 검출부(22)와 검출체(W)와의 거리의 크기를 나타낸다.
보상부(84)는 검출부(22)에 발생하는 온도에 의존한 검출 특성의 변화를 보상한다. 보다 구체적으로, 보상부(84)는 기억부(40)에 격납되어 있는 특성 파라미터(42)에 기초하여 거리 출력(DIST)을 보상한다. 보상부(84)로부터 출력되는 보상 거리를 "DISTcomp"라고도 기재한다.
예컨대, 특성 파라미터(42)를 1차 계수 k로 하고, α, β를 미리 정해진 정수로 하여 보상 거리 출력(DISTcomp)은 이하와 같은 (1)식에 따라 산출할 수 있다.
DISTcomp=k(DIST＋α)＋β　···(1)
또한, 온도 보상 처리는, 상술의 수식에 한정되지 않고, 임의의 수식을 채용할 수 있다. 또한, 특성 파라미터(42)에 대해서도, 1차원의 정수에 한정하지 않고, 복수 차원의 정수를 채용할 수도 있다. 또한, 내부 온도 센서(38)에 의해 검출된 온도를 반영하여 보상량을 산출할 수 있다.
본 실시 형태에 따른 근접 센서(1)에 있어서, 기억부(40)에는 특성 파라미터(42)로서 근접 센서(1) 각각의 고유값이 격납된다. 근접 센서(1) 각각에 고유한 특성 파라미터(42)를 채용함으로써, 검출부(22) 사이에서, 검출 특성 변화에 불균일이 있는 경우라도, 근접 센서(1) 각각에 적절한 보상을 실현할 수 있다.
보상 거리 출력(DISTcomp)은 그대로 검출체(W)에 이르기까지의 거리(위치)를 나타내는 검출 결과로서 출력될 수 있고, 문턱값 처리부(86)에 입력되어 2치화 처리된 결과가 검출체(W)의 유무를 나타내는 검출 결과로서 출력될 수 있다.
문턱값 처리부(86)는 보상부(84)로부터의 보상 거리 출력(DISTcomp)과, 미리 정해진 문턱값을 비교하여 보상 거리 출력(DISTcomp)이 문턱값을 밑돌면, 검출체(W)가 존재함을 나타내는 검출 결과를 출력한다.
도 6은 검출 특성의 변화에 발생하는 검출 특성의 온도 변화 및 그에 대한 보상을 설명하기 위한 도면이다. 도 6에는 온도에 대한 검출거리의 변화율의 일 예를 나타낸다. 검출거리의 변화율이 온도에 의하지 않고 제로인 것이 이상적이다.
도 6(a)에는, 예컨대, 어느 근접 센서(1)의 검출 코일(16)(코일 1)에 발생하는 검출 특성의 온도 변화, 및 다른 근접 센서(1)의 검출 코일(16)(코일 2)에 발생하는 검출 특성의 온도 변화의 일 예를 나타낸다. 도 6(a)에 도시한 바와 같이, 제조 조건 등을 동일하게 했다고 하더라도, 전자기적인 특성을 완전히 갖추는 것은 어렵다.
그 때문에, 동일한 보상 파라미터를 이용했다고 하더라도, 보상 후의 검출 특성을 갖출 수 없다. 그 때문에, 이러한 검출 특성의 불균일은 검출 정밀도의 향상이나 검출 가능 범위의 확대를 방해하는 요인으로 되고 있다. 즉, 검출 특성의 불균일이 존재하는 것을 전제로 검출 처리를 수행할 필요가 있고, 필연적으로, 정밀도를 낮춰야 했다.
이에 대해, 본 실시 형태에 따른 근접 센서(1)에 있어서는, 근접 센서(1) 각각에 고유한 특성 파라미터(42)를 이용하여 보상한다. 이러한 근접 센서(1) 각각에 고유한 특성 파라미터(42)를 이용함으로써, 도 6(b)에 도시한 바와 같이, 예컨대, 코일 1에 대해서는 코일 1에 고유한 특성 파라미터 1에 의해 보상이 행해지고, 코일 2에 대해서는 코일 2에 고유한 특성 파라미터 2에 의해 보상이 행해진다.
도 6(b)에 도시한 바와 같이, 근접 센서(1) 각각에 고유한 특성 파라미터(42)를 채용함으로써, 보상 후의 각각의 검출 특성은 대략 동일한 것으로 되어 있다. 그 결과, 온도 보상 후의 검출 특성을 갖출 수 있으므로, 검출 특성의 불균일에 의한 마진을 삭감하여, 검출 정밀도 및 검출 감도를 더 높일 수 있다. 그 결과, 검출 정밀도의 향상이나 검출 가능 범위의 확대를 실현할 수 있다.
＜E. 특성 파라미터의 결정(제조 방법)＞
이어서, 본 실시 형태에 따른 근접 센서(1)에 격납되는 특성 파라미터(42)를 결정하기 위한 시스템 구성 및 처리 순서 등에 대해 설명한다. 이러한 처리는 근접 센서(1)의 제조 공정의 일부로서 실시될 수 있다.
본 실시 형태에 있어서는, 근접 센서(1)의 주위 온도를 실제로 변화시킴과 동시에, 주위 온도의 변화에 의해 발생하는 근접 센서(1)의 거리 출력(DIST)을 측정하고, 그 측정값에 기초하여 특성 파라미터(42)의 값을 결정한다. 기본적으로, 근접 센서(1)는 공업 제품으로서, 동일 종류의 제품이 다수 제조된다. 그 때문에, 근접 센서(1)를 각각 측정하는 것은 현실적으로 무리이고, 복수의 근접 센서(1)에 대해 동시에 측정을 수행하여, 개개의 근접 센서(1)에 대한 특성 파라미터(42)의 값을 결정한다.
(e1: 특성 파라미터 결정 시스템)
도 7은 본 실시 형태에 따른 근접 센서(1)의 특성 파라미터를 결정하는 방법을 설명하기 위한 모식도이다. 도 7을 참조하면, 근접 센서(1)의 제조 시스템(100)은 하나 또는 복수의 근접 센서(1)의 특성 파라미터를 결정한다.
구체적으로, 제조 시스템(100)은 설정 장치(200), 항온조(300), 항온조 내부 온도 센서(302), 신호 변환 장치(304), 단자대(310), 집선(集線) 장치(312), 및 제어 장치(314)를 포함한다.
설정 장치(200)는 하나 또는 복수의 근접 센서(1)로부터의 측정 결과(케이스 내부 온도 및 검출 값)와, 항온조 내부 온도에 기초하여 근접 센서(1) 각각의 특성 파라미터를 산출함과 동시에, 산출한 특성 파라미터를 근접 센서(1) 각각에 설정한다.
도 8은 도 7에 도시한 설정 장치(200)의 하드웨어 구성의 일 예를 나타내는 모식도이다. 본 실시 형태에 따른 설정 장치(200)는 일 예로서 범용적인 아키텍처를 따르는 하드웨어(예컨대, 범용 PC)를 이용하여 프로그램을 실행함으로써 실현된다.
도 8을 참조하면, 설정 장치(200)는 CPU나 MPU 등의 프로세서(202), 광학 드라이브(204), 주기억 장치(206), 네트워크 컨트롤러(208), 통신 컨트롤러(212, 214), 입력부(216), 표시부(218), 및 2차 기억 장치(220)를 포함한다. 이러한 컴포넌트는 버스(210)를 통해 접속된다.
프로세서(202)는 2차 기억 장치(220)에 격납된 각종 프로그램을 독출하고, 주기억 장치(206)로 전개하여 실행함으로써, 후술하는 각종 처리를 실현한다.
2차 기억 장치(220)는, 예컨대, HDD(Hard Disk Drive)나 SSD(Solid State Drive) 등으로 구성된다. 2차 기억 장치(220)에는 하나 또는 복수의 근접 센서(1)로부터의 데이터 수집을 수행하기 위한 데이터 수집 프로그램(222)과, 수집한 데이터에 기초하여 근접 센서(1)에 대한 특성 파라미터를 결정하기 위한 특성 파라미터 결정 프로그램(224)과, 결정한 특성 파라미터를 근접 센서(1)로 설정하기 위한 특성 파라미터 설정 프로그램(226)이 격납되어 있다. 2차 기억 장치(220)에는 OS 및 다른 필요한 프로그램이 더 격납될 수 있다. 또한, 2차 기억 장치(220)에는 특성 파라미터(42)를 결정할 때, 수집 데이터(228)도 격납된다.
설정 장치(200)는 광학 드라이브(204)를 가지고 있고, 컴퓨터 독출 가능한 프로그램을 비-일과적으로 격납하는 기록 매체(205)(예컨대, DVD(Digital Versatile Disc) 등의 광학 기록 매체)로부터, 그 중에 격납된 프로그램이 독취되어 2차 기억 장치(220) 등에 인스톨된다.
설정 장치(200)에서 실행되는 각종 프로그램은, 컴퓨터 독출 가능한 기록 매체(205)를 통해 인스톨될 수도 있으나, 네트워크상의 서버 장치 등에서 다운로드하는 형태로 인스톨하게 할 수도 있다. 또한, 본 실시 형태에 따른 설정 장치(200)가 제공하는 기능은 OS가 제공하는 모듈의 일부를 이용하는 형태로 실현되는 경우도 있다.
입력부(216)는 키보드나 마우스 등으로 구성되고, 사용자 조작을 접수한다. 표시부(218)는 디스플레이, 각종 인디케이터(indicator), 프린터 등으로 구성되고, 프로세서(202)로부터의 처리 결과 등을 출력한다.
네트워크 컨트롤러(208)는 임의의 네트워크를 통한 다른 장치와의 데이터 통신을 제어한다.
통신 컨트롤러(212)는 제어 장치(314) 및 집선 장치(312)(도 7 참조)를 통해, 하나 또는 복수의 근접 센서(1)와 데이터를 통신한다. 통신 컨트롤러(214)는 신호 변환 장치(304)를 통해, 항온조 내부 온도 센서(302)에 의한 항온조 내부 온도를 취득한다.
도 8에는 프로세서(202)가 프로그램을 실행함으로써 필요한 기능이 제공되는 구성 예를 나타냈지만, 이들의 제공되는 기능의 일부 또는 전부를 전용 하드웨어 회로(예컨대, ASIC 또는 FPGA 등)를 이용하여 실장할 수 있다.
도 7을 다시 참조하면, 항온조(300)는 하나 또는 복수의 근접 센서(1)를 항온조 내에 수용함과 동시에, 항온조 내부 온도를 변화시킬 수 있다. 즉, 항온조(300)는 온도 가변 환경을 제공하는 장치의 일 예이다. 항온조(300)의 항온조 내부 온도는 미리 설정된 패턴에 따라 변화하도록 할 수도 있고, 설정 장치(200)로부터의 지령에 따라 변화시킬 수도 있다.
항온조 내부 온도 센서(302)는 항온조(300)의 항온조 내에 하나 또는 복수 개 배치되고, 항온조 내부 온도를 검출한다. 항온조 내부 온도 센서(302)에 의한 검출 결과는 신호 변환 장치(304)로 출력된다. 신호 변환 장치(304)는 항온조 내부 온도 센서(302)로부터의 검출 결과를 설정 장치(200)로 송신하기 위해 소정의 데이터 포맷으로 변환한다. 또한, 항온조 내부 온도 센서(302)가 통신 기능을 가지고 있는 경우에는, 신호 변환 장치(304)를 생략할 수도 있다.
항온조(300)의 항온조 내에서 하나 또는 복수의 근접 센서(1)는 도시하지 않은 랙 또는 고정 부재에 의해 지지된다. 또한, 주위 온도를 균일하게 변화시키기 위해, 근접 센서(1)는 미리 정해진 간격으로 균등하게 배치하는 것이 바람직하다.
하나 또는 복수의 근접 센서(1)로부터 연장되는 신호선은 단자대(310)에 접속되어 있다. 단자대(310)에는 집선 장치(312)도 접속되어 있고, 근접 센서(1)와 집선 장치(312) 간에는 전기적으로 접속된다. 집선 장치(312)는 복수의 근접 센서(1)와의 신호 통신을 집중적으로 수행하는 장치로서, 통신 모듈 및 멀티플렉서 등에 의해 구성된다.
제어 장치(314)는 집선 장치(312)와 설정 장치(200) 사이에 배치되고, 설정 장치(200)로부터의 요구에 따라, 집선 장치(312)를 통해 수집되는 신호를 설정 장치(200)로 출력함과 동시에, 설정 장치(200)로부터의 설정값 등을 집선 장치(312)를 통해 근접 센서(1) 등으로 제공한다.
또한, 집선 장치(312)가 설정 장치(200)와 직접 통신할 수 있는 경우, 제어 장치(314)를 반드시 배치할 필요는 없다.
도 7에 도시한 제조 시스템(100)에서는 일 예로서 범용적인 산업용 컨트롤러를 이용하고 있고, 예컨대, 제어 장치(314)로서는 PLC(Programmable Logic Controller)를 채용할 수 있다. 이 경우, PLC에 접속되는 필드 네트워크를 통해 집선 장치(312)를 접속할 수도 있다. 또한, 집선 장치(312)와 근접 센서(1) 각각의 사이에 대해서도, 필드 네트워크를 통해 접속할 수 있다.
이러한 필드 네트워크로서는, IO－Link, CC－Link, DeｖiceNet, EtherCAT(등록 상표), EtherNet/IP 등을 이용할 수 있다.
근접 센서(1)와 집선 장치(312) 간에는 아날로그 신호가 흐르는 신호선을 통한 접속도 가능하나, 필드 네트워크를 이용함으로써, 쌍방향 통신을 더욱 용이하게 할 수 있다.
(e2: 특성 파라미터 결정 및 설정 순서)
이어서, 본 실시 형태에 따른 근접 센서(1)에 격납되는 특성 파라미터(42)를 결정 및 설정하기 위한 처리 순서에 대해 설명한다.
도 9는 본 실시 형태에 따른 근접 센서(1)의 특성 파라미터의 결정 및 설정을 포함하는 제조 방법의 처리 순서를 나타내는 흐름도이다. 도 9에 도시한 스텝의 일부는 설정 장치(200)의 프로세서(202)가 프로그램을 실행함으로써 실현된다.
도 9를 참조하면, 항온조(300)의 항온조 내에 하나 또는 복수의 근접 센서(1)를 배치함과 동시에, 단자대(310)를 통해 집선 장치(312)와 전기적으로 접속한다(스텝 S100). 즉, 근접 센서(1)가 온도 가변 환경에 배치된다.
측정 개시 트리거를 받아(스텝 S102), 항온조(300) 내부를 미리 정해진 온도에 이르기까지 변화시킨다(스텝 S104). 항온조(300)의 항온조 내부 온도가 미리 정해진 온도로 안정되면(스텝 S106에서 YES), 설정 장치(200)는 항온조(300) 내에 배치된 하나 또는 복수의 근접 센서(1) 각각으로부터 케이스 내부 온도 및 검출 값을 취득하여 격납한다(스텝 S108).
미리 지정된 회수의 측정이 실시되었는지 여부가 판단되고(스텝 S110), 미리 지정된 회수의 측정이 실시되지 않았다면(스텝 S110에서 NO), 스텝 S104 이하의 처리가 반복된다.
이와 같이, 근접 센서(1)의 환경을 복수의 다른 온도로 각각 설정함과 동시에, 각 온도에 있어서, 근접 센서(1)의 온도 검출부(내부 온도 센서(38) 및/또는 외부 온도 센서(44))에 의해 검출되는 케이스 내부 온도와 제어 연산 회로(32)에 의해 출력되는 검출 결과가 관련지어져 격납된다.
한편, 미리 지정된 회수의 측정이 완료되면(스텝 S110에서 YES), 설정 장치(200)는 격납한 케이스 내부 온도 및 검출 값에 기초하여 하나 또는 복수의 근접 센서(1) 각각에 대한 특성 파라미터(42)를 결정한다(스텝 S112). 즉, 격납된 온도 및 검출 결과에 기초하여 대상의 근접 센서(1)에 고유한 특성 파라미터(42)가 결정된다.
최종적으로, 결정한 특성 파라미터(42)를 대응하는 근접 센서(1)로 설정한다(스텝 S114). 즉, 결정한 특성 파라미터(42)를 대상의 근접 센서(1)로 설정하는 처리가 실행된다.
이상과 같은 처리 순서에 의해, 특성 파라미터(42)의 결정 및 근접 센서(1)로의 설정이 완료된다.
근접 센서(1)로부터 취득하는 케이스 내부 온도 및 검출 값의 조합의 수는 후술하는 특성 파라미터의 근사식의 차수에 따라 결정된다.
(e3: 특성 파라미터 결정 처리)
이어서, 본 실시 형태에 따른 근접 센서(1)에 격납되는 특성 파라미터(42)를 결정하기 위한 처리에 대해 설명한다.
특성 파라미터(42)는 개개의 근접 센서(1)가 나타내는 검출 특성의 온도 의존성을 저감하기 위한 것이고, 상술한 도 6(b)에 도시한 바와 같이, 특성 파라미터(42)는 검출거리 변화율을 온도에 의존하지 않고 일정하게 유지하도록 결정된다.
보다 구체적으로, 층 내부 온도 Tn과, 기준 온도 T0와, 주위 온도와 내부 온도 센서(38)에 의해 검출되는 케이스 내부 온도와의 온도차를 ΔT로 하고, 이하와 같은 (2) 식이 성립되도록, 변수 A2, A1, A0가 피팅된다.
f(Tn)=A2(Tn－T0＋ΔT)2＋A1(Tn－T0＋ΔT)＋A0=k(일정)　···(2)
즉, 대상의 근접 센서(1)로부터 취득된 케이스 내부 온도와 검출 값(예컨대, 거리 출력(DIST) 그 자체, 또는 거리 출력(DIST)의 변동량)과의 복수의 조합을 이용하여, 상술한 (2) 식을 피팅함으로써, 변수 A2, A1, A0를 결정할 수 있고, 각각 결정된 변수 A2, A1, A0에 의해 산출되는 계수 k를 특성 파라미터(42)로서 결정할 수 있다.
또한, 온도차 ΔT에 이용되는 주위 온도는 항온조 내부 온도 센서(302)에 의해 검출되는 항온조 내부 온도를 이용할 수 있다. 또한, 항온조 내부 온도 센서(302)가 복수 개 배치되어 있는 경우, 주목 위치와 주위에 있는 복수의 항온조 내부 온도 센서(302) 각각에서 검출된 온도와, 주목 위치와 각각의 사이의 거리에 기초하여 주목 위치의 주위 온도를 추정하게 할 수도 있다.
또한, 상술한 (2) 식은 어디까지나 일 예로서, 검출부(22)(검출 코일(16))의 검출 특성의 온도 의존성을 어떠한 함수로 근사할 수도 있다. 또한, 근사 함수의 변수 값으로는, 적어도 근접 센서(1)의 내부 온도 센서(38) 및/또는 외부 온도 센서(44)에 의해 검출되는 케이스 내부 온도, 및 항온조 내부 온도 센서(302)에 의해 검출되는 항온조 내부 온도 중 어느 하나가 관여하는 것일 수 있다. 단, 근접 센서(1)의 내부 온도 센서(38)에 의해 검출되는 케이스 내부 온도 단독이 아닌, 항온조 내부 온도 센서(302)에 의해 검출되는 항온조 내부 온도, 또는 외부 온도 센서(44)에 의해 검출되는 케이스 내부 온도를 정보로서 제공하는 것이 정밀도를 더욱 높일 수 있다.
(e4: 수집 데이터)
이어서, 본 실시 형태에 따른 근접 센서(1)에 격납되는 특성 파라미터(42)를 결정하기 위해 수집되는 수집 데이터(228)의 일 예에 대해 설명한다.
도 10은 본 실시 형태에 따른 제조 시스템(100)의 설정 장치(200)에 격납되는 수집 데이터(228)의 데이터 구조의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 10을 참조하면, 예컨대, 수집 데이터(228)는 근접 센서(1) 각각으로부터 수집된 데이터를 각각의 시트(2280)의 형태로 격납할 수 있다. 시트(2280) 각각에는 대상의 근접 센서(1)가 집선 장치(312) 중 어떤 채널에 접속되어 있는지를 나타내는 채널 번호(2281)와, 대상의 근접 센서(1)로부터 수집된 식별 번호(2282)를 포함할 수 있다.
시트(2280)에는 항온조 내부 온도를 다르게 하여 각각 측정된 결과가 차례로 격납된다. 보다 구체적으로, 시트(2280)는 항온조 내부 온도(2283), 케이스 내부 온도(2284), 및 검출 값(2285)의 3개의 칼럼을 가지고 있다. 항온조(300)의 항온조 내부 온도가 미리 정해진 온도가 되고, 데이터 수집 조건이 성립하면, 그때의 항온조 내부 온도, 케이스 내부 온도, 검출 값이 하나의 레코드로 받아들여진다. 이러한 항온조 내부 온도, 케이스 내부 온도, 검출 값의 그룹(레코드)이 복수 개 수집되면, 데이터 수집의 처리는 완료한다. 시트(2280)는 대상의 근접 센서(1)의 수와 동수로 생성되게 된다.
이러한 수집 데이터(228)에 기초하여 근접 센서(1) 각각에 대한 특성 파라미터(42)가 결정된다. 결정된 특성 파라미터(42)의 값을 대응하는 시트(2280)에 격납할 수 있다.
시트(2280)의 내용은 도시하지 않은 제조 관리 시스템에 송신되고, 근접 센서(1) 각각의 제조 상황(트레이서빌리티(traceability))을 관리하기 위한 정보로서 이용될 수 있다.
＜F. 정리＞
본 실시 형태에 따른 근접 센서(1)는 각각에 고유한 특성 파라미터(42)를 이용하여 디지털 처리에 의해 온도 보정을 실시함으로써, 보다 안정화된 센싱 성능을 제공한다. 종래의 근접 센서에서는 고정 파라미터를 이용하여 일률적으로 온도 보정이 행해지고 있고, 제조 공정이나 부품 특성의 불균일(특히, 검출 특성의 온도 변화의 불균일)에 의해, 검출 코일(16)에 발생하는 컨덕턴스의 크기에 변화를 일으키고, 이에 따라, 제품 상태에 있어서 출력되는 검출거리에 변동을 일으키고 있었다. 이러한 검출거리의 변동은 검출 가능 범위의 장거리화를 방해하는 것으로 되고 있었다.
상술한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 근접 센서(1)는 고유한 특성 파라미터(42) 및 디지털 처리를 채용함으로써, 검출거리에 발생하는 변동 요인을 최소화할 수 있고, 검출 가능 범위의 장거리화를 더 용이하게 실현할 수 있다.
본 실시 형태에 따른 근접 센서(1)에서는 제조 공정 내에서, 각각에 온도 특성을 측정하고, 그 측정 결과에 기초하여 고유한 특성 파라미터(42)가 각각에 결정된다. 또한, 각각에 결정된 특성 파라미터(42)는 대응하는 근접 센서(1)에 기입된다.
본 실시 형태에 따른 근접 센서(1)에서는 본체부(2)의 일부로서 내부 온도 센서(38) 및/또는 외부 온도 센서(44)가 실장될 수 있다. 이러한 내부 온도 센서(38) 또는 외부 온도 센서(44)를 이용함으로써, 근접 센서(1)에 대한 특성 파라미터를 결정할 때, 온도 정보를 보다 용이하게 수집할 수 있다.
외부 온도 센서(44)를 이용하여 외부 온도를 측정함으로써, 본체부(2) 내의 열원(예컨대, 전원 회로(50) 등)으로부터의 열을 받아 온도 측정값이 변화하는 사태를 회피할 수 있다. 즉, 외부 온도 센서(44)를 이용함으로써, 열원으로부터의 영향을 저감하여 측정 대상물인 검출 코일(16)의 온도를 보다 정확하게 측정할 수 있다.
이와 같이, 본 실시 형태에 따른 근접 센서(1)는 외부 장치와의 사이에서 내부 온도 센서(38) 및/또는 외부 온도 센서(44)에 의해 검출된 온도 등의 정보를 통신할 수 있다.
본 실시 형태에 따른 근접 센서(1)에서는 EEPROM 등의 재기입 가능한 비휘발성 기억 장치에 특성 파라미터(42)를 유지하기 때문에, 특성 파라미터(42)의 재기입 등도 용이하게 수행할 수 있다.
본 실시 형태에 따른 근접 센서(1)를 제조하는 공정에서는 특성 파라미터(42)를 결정할 때, 결정에 이용한 측정값 등을 대상의 근접 센서(1)를 특정하는 정보와 관련지어 격납할 수 있으므로, 근접 센서(1)의 각각에 대해 트레이서빌리티를 확보할 수 있다.
본 명세서에 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시로서 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는 상기 설명이 아닌, 특허청구의 범위에 의해 나타나고, 특허청구의 범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.
1 　근접 센서
2 본체부
4 리드선
6 케이스
8 검출면
10 와셔
12, 14 너트
16 검출 코일
17 커패시터
18 페라이트 코어
20 처리 회로
22 검출부
30 주 회로
32 제어 연산 회로
34 발진 회로
36 A/D 변환 회로
38 내부 온도 센서
40 기억부
42 특성 파라미터
44 외부 온도 센서
50 전원 회로
60 보호 회로
62 인터페이스 회로
82 컨덕턴스 연산 처리부
84 보상부
86 문턱값 처리부
100 제조 시스템
200 설정 장치
202 프로세서
204 광학 드라이브
205 기록 매체
206 주기억 장치
208 네트워크 컨트롤러
210 버스
212, 214 통신 컨트롤러
216 입력부
218 표시부
220 2차 기억 장치
222 데이터 수집 프로그램
224 특성 파라미터 결정 프로그램
226 특성 파라미터 설정 프로그램
228 수집 데이터
300 항온조
302 항온조 내부 온도 센서
304 신호 변환 장치
310 단자대
312 집선 장치
314 제어 장치
2280 시트
2281 채널 번호
2282 식별 번호
2283 항온조 내부 온도
2284 케이스 내부 온도
2285 검출 값
M　 중심축
W　 검출체

Claims (2)

  1. 검출체의 유무 또는 위치를 검출 결과로서 출력하는 근접 센서의 제조 방법으로서,
    상기 근접 센서를 온도 가변 환경에 배치하는 스텝 - 상기 근접 센서는 검출 코일 및 커패시터를 포함하는 검출부와, 상기 검출부를 여진하는 발진 회로와, 상기 근접 센서의 케이스 내의 온도를 검출하는 온도 검출부와, 상기 검출부에 발생하는 신호 파형의 변화에 기초하여 상기 검출체에 이르기까지의 거리를 나타내는 신호를 상기 검출 결과로서 출력하는 제어 연산부를 포함함;
    상기 근접 센서의 환경을 복수의 다른 온도로 각각 설정함과 동시에, 각 온도에 있어서, 상기 근접 센서의 상기 온도 검출부에 의해 검출되는 온도와, 상기 제어 연산부에 의해 출력되는 검출 결과를 관련지어 격납하는 스텝;
    상기 격납된 온도 및 검출 결과에 기초하여 대상의 근접 센서에 고유한 특성 파라미터를 결정하는 스텝; 및
    상기 결정한 특성 파라미터를 상기 대상의 근접 센서로 설정하는 스텝;
    을 구비하는, 근접 센서의 제조 방법.
  2. 검출체의 유무 또는 위치를 검출 결과로서 출력하는 근접 센서의 제조 시스템으로서,
    하나 또는 복수의 상기 근접 센서를 수용함과 동시에, 온도 환경을 변화시키는 항온조 - 상기 근접 센서는 검출 코일 및 커패시터를 포함하는 검출부와, 상기 검출부를 여진하는 발진 회로와, 상기 근접 센서의 케이스 내의 온도를 검출하는 온도 검출부와, 상기 검출부에 발생하는 신호 파형의 변화에 기초하여 상기 검출체에 이르기까지의 거리를 나타내는 신호를 상기 검출 결과로서 출력하는 제어 연산부를 포함함;
    상기 근접 센서의 환경을 복수의 다른 온도로 각각 설정함과 동시에, 각 온도에 있어서, 상기 근접 센서의 상기 온도 검출부에 의해 검출되는 온도와, 상기 제어 연산부에 의해 출력되는 검출 결과를 관련지어 격납하는 격납 수단;
    상기 격납된 온도 및 검출 결과에 기초하여 대상의 근접 센서에 고유한 특성 파라미터를 결정하는 결정 수단; 및
    상기 결정한 특성 파라미터를 상기 대상의 근접 센서로 설정하는 설정 수단;
    을 구비하는, 근접 센서의 제조 시스템.
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