JPH0888555A - 近接センサ - Google Patents

近接センサ

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JPH0888555A
JPH0888555A JP24697894A JP24697894A JPH0888555A JP H0888555 A JPH0888555 A JP H0888555A JP 24697894 A JP24697894 A JP 24697894A JP 24697894 A JP24697894 A JP 24697894A JP H0888555 A JPH0888555 A JP H0888555A
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temperature
circuit
sensor
sensitivity
oscillation
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JP24697894A
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Inventor
Tomoshi Motouji
知史 元氏
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Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Omron Tateisi Electronics Co
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 2芯のケーブルを用いてセンサ部の温度に基
づいて温度補償できるようにすること。 【構成】 センサ部31にLC共振回路とこれに直列に
温度検出素子であるダイオードD3を設ける。アンプ部
32はこのセンサ部に直流電流を供給すると、ダイオー
ドD3のアノード電圧が温度情報を示すものとなる。従
ってバッファ36,平滑回路37によりアノード電圧を
検出し、これをA/D変換して検出部38bによって温
度情報とする。そしてこの温度情報に基づいて発振回路
の感度を調整するようにしたものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はセンサ部と信号処理部と
を分離した高周波発振型の近接センサに関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来のセンサ部と信号処理部(以下、ア
ンプ部という)とを分離した分離型の近接センサは、図
10に示すようにセンサ部に検出コイル又は検出コイル
とコンデンサ等の共振回路又は共振回路を含む発振回路
の一部を設け、その他の発振回路及び信号処理部をケー
ブルで接続して構成される。こうすればセンサ部を小型
化することができるため、センサ部分の小型化を要求さ
れる用途で使用される。
【0003】しかしながらこのような従来の分離型近接
センサにおいては、センサ部とアンプ部とが取付けられ
る場所が異なるため周囲温度が異なることが多い。図1
0はセンサ部1とアンプ部2とを分離している従来のア
ンプ分離型近接センサの一例を示す回路図である。セン
サ部1は検出コイルLとコンデンサC1により共振回路
が構成される。アンプ部2はこの共振回路2に抵抗R
1、ダイオードD1,D2を介してトランジスタQ1の
ベース及び定電流源I1 が接続されている。トランジス
タQ1のエミッタ側には抵抗R2,R3,R4が接地端
との間に直列接続される。そして抵抗R2,R3の中点
がトランジスタQ2のベースに接続され、そのエミッタ
には感度調整抵抗Reが接続される。トランジスタQ2
のコレクタ側にはトランジスタQ3,Q4から成るカレ
ントミラー回路が接続されており、トランジスタQ2に
流れる電流と同じ電流値の電流がトランジスタQ4を介
してセンサ部1の並列共振回路に帰還され、正帰還ルー
プが構成されて発振している。トランジスタQ3,Q4
のコレクタには同一の抵抗値を持つ抵抗R5,R6が接
続され、抵抗R5に並列に温度補償抵抗R7が接続され
る。この抵抗R7は負の温度係数を有するサーミスタで
あって、温度の上昇によって抵抗値が減少し、帰還電流
を増加するようにしたものである。そしてこのトランジ
スタQ1のエミッタ側には発振状態検出回路4が設けら
れ、その発振振幅の低下等の発振状態の変化が検出され
る。この発振状態の変化によって出力回路5より物体検
知信号が出力される。
【0004】図11はセンサ部11内に共振回路と温度
を検知するための感温抵抗12及び発振回路13,波形
整形回路14を組み込んだ場合のアンプ分離型近接セン
サを示すブロック図である。本図に示す従来の近接セン
サにおいては、アンプ部15よりセンサ部11に電源が
供給される。センサ部11では発振回路13によって一
定の周波数で発振し、波形整形回路14によって波形整
形される。この信号はアンプ部15に伝送され、分周回
路16,カウンタ17によって計数される。一方センサ
部11内には感温抵抗12が設けられており、アンプ部
15内にこの抵抗値によって発振周波数が異なるCR発
振回路18が設けられる。CR発振回路18の発振信号
は分周回路19及びカウンタ20によって計数され、マ
イクロコンピュータ21に与えられる。基準クロック発
振器22はカウンタ17,20に基準クロックを出力す
るものである。マイクロコンピュータ21には温度補償
用のテーブルメモリ23が接続されている。マイクロコ
ンピュータ21はカウンタ17の計数値、即ち発振周波
数をカウンタ20の計数値、即ち温度情報に基づいて温
度補償し、又発振周波数の変化によって物体検知信号を
出力するものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかるに図10に示す
アンプ分離型近接センサにおいては、センサ部に感温素
子が設けられていない。そのためセンサ部とアンプ部と
の温度変化が大きいような環境下、例えば恒温槽や金型
の内部で用いられる場合においては、正確に物体検知信
号を得ることができないという欠点があった。又図11
に示す近接センサにおいては、センサ部の温度に応じた
温度補償が行えるが、センサ部とアンプ部とを分離する
ケーブルの本数が増加し、取付けが複雑になるという欠
点があった。
【0006】本発明はこのような従来の問題点に鑑みて
なされたものであって、センサ部とアンプ部との間のケ
ーブルの本数を増やすことなく、センサ部の周囲温度情
報に基づいて温度補償を行える近接センサを提供するこ
とを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本願の請求項1の発明
は、センサ部と、センサ部に2芯のケーブルで接続され
る信号処理部と、を有する近接センサであって、センサ
部は検出コイル及び該検出コイルに直列に接続される温
度検出素子を含むものであり、信号処理部は、外部から
の信号に基づいてその発振強度を変化させる感度調整回
路を有し、センサ部の検出コイルに接続されて発振する
発振回路と、センサ部より得られる発振信号に重畳され
る直流電圧に基づいてセンサ部の温度情報を算出する温
度検出手段と、温度検出手段より得られる温度情報によ
りセンサ部の検出コイルに近接する物体検知感度を一定
とするよう発振回路の感度調整回路により発振強度を切
換える感度切換手段と、を有することを特徴とするもの
である。
【0008】本願の請求項2の発明は、センサ部と、セ
ンサ部に2芯のケーブルで接続される信号処理部と、を
有する近接センサであって、センサ部は検出コイルに直
列接続される温度検出素子を含むものであり、信号処理
部は、外部からの入力信号に基づいてその発振強度を変
化させる感度調整回路を有し、センサ部の検出コイルに
接続されて発振する発振回路と、センサ部より得られる
発振信号に重畳される直流電圧に基づいてセンサ部の温
度情報を検出する第1の温度検出手段と、信号処理部の
温度情報を検出する第2の温度検出手段と、第1,第2
の温度検出部より得られる温度情報に基づいて発振強度
を一定とすべく発振回路の感度調整回路により発振強度
を切換える感度切換手段と、を有することを特徴とする
ものである。
【0009】本願の請求項3の発明は、第1,第2の温
度検出手段から得られる温度情報の温度差を検出する差
分手段を有し、感度切換手段は差分手段の差分値に基づ
いてその検出感度を一定とすべく発振回路の感度調整回
路により発振強度を切換えることを特徴とするものであ
る。
【0010】本願の請求項4の発明では、感度切換手段
は、物体までの検出距離に基づいてその感度を設定する
と共に、設定された振幅となるように温度情報に基づい
て感度を調整することを特徴とするものである。
【0011】
【作用】このような特徴を有する本願の請求項1の発明
によれば、センサ部には検出コイルと温度検知素子が直
列に接続されており、信号処理部から直流電流が接続さ
れる。従ってセンサ部の温度に基づいてその発振信号が
重畳される直流電圧の値が変化する。アンプ部ではこの
直流電圧に基づいてセンサ部の温度情報を検出するよう
にしている。こうすれば2芯のケーブルを用いてセンサ
部の温度情報を算出し、それに基づいて感度を一定とな
るように温度補償できることとなる。又請求項2の発明
では、センサ部と信号処理部の温度を同時に検出し、こ
れらの温度に基づいて温度補償を行うようにしたもので
ある。更に請求項3は2つの温度差に基づいて感度を一
定とするようにしており、請求項4では感度調整手段を
物体までの検出距離を規定する距離調整手段としても用
いるようにしたものである。
【0012】
【実施例】図1は本発明の一実施例による近接センサの
全体構成を示すブロック図、図2はその発振回路の構成
を示す回路図である。本図においてセンサ部31は検出
コイルL及びコンデンサC1から成る並列共振回路を有
しており、この並列共振回路と接地端間にダイオードD
3及びコンデンサC2が並列に接続されている。ここで
ダイオードD3は電流を通電したときに周囲温度によっ
てその順方向降下電圧が変化するため、温度検出素子と
して用いられている。又コンデンサC2は交流成分をバ
イパスするためのバイパスコンデンサである。そしてこ
の回路の両端がアンプ部32に接続される。アンプ部3
2はセンサ部の検出コイルL側に接続される定電流源I
2 ,カップリングコンデンサC3を有しており、このコ
ンデンサC3には発振回路33が接続される。本実施例
による発振回路33は温度補償素子を有しておらず、感
度を外部からの制御信号に基づいて変化できるように構
成されたものである。そしてその出力は発振状態検出回
路34に入力される。発振状態検出回路34は発振の振
幅低下や発振周波数の変化に基づいて物体検知信号を出
力回路35に出力するものである。
【0013】さてセンサ部31の検出コイルLのホット
エンド側の端子(以下、A点という)は更にアンプ部3
2内のバッファ回路36に接続される。バッファ回路3
6は高入力インピーダンスを有するバッファ回路であっ
て、その出力を平滑回路37に与える。平滑回路37は
A点の電圧出力を直流電圧に変換する平滑回路であっ
て、その出力はマイクロコンピュータ38に入力され
る。マイクロコンピュータ38内にはこのアナログ信号
をデジタル信号に変換するA/D変換部38a,演算部
38b及び感度切換手段38cを有している。又このマ
イクロコンピュータ38には温度補償テーブルメモリ3
9が接続されている。マイクロコンピュータ38はA/
D変換部38aによって入力信号をデジタル値に変換
し、演算部38bによってその値から温度データを算出
する。そして感度切換手段38cによって発振回路の感
度調整回路の抵抗値を更新するものである。ここでバッ
ファ回路36,平滑回路37,A/D変換部38a及び
演算部38bは発振信号に重畳される直流電圧に基づい
てセンサ部の温度情報を算出する温度検出手段を構成し
ている。
【0014】次に発振回路33の構成について図2を参
照しつつ説明する。本図において電源端子には従来例と
同様に定電流源を介してダイオードD1,D2及び抵抗
R1が接続されている。この定電流源I1 とダイオード
D1間にはカップリングコンデンサC3からの信号が入
力され、更に発振用トランジスタQ1のベース端が接続
されている。トランジスタQ1のコレクタは電源端に、
エミッタは抵抗R2〜R4の直列接続体に接続される。
そして抵抗R2,R3の共通接続点にはトランジスタQ
2のベースが接続される。トランジスタQ2のコレクタ
はトランジスタQ3,Q4から成るカレントミラー回路
に接続され、その帰還電流がセンサ部の検出コイル側に
帰還されることは前述した従来例の発振回路3と同様で
ある。さて本実施例による発振回路33は、トランジス
タQ2のエミッタ側に感度調整回路40が接続される。
感度調整回路40はエミッタ抵抗Re0を有しており、こ
れと並列に抵抗Re1,トランジスタQe1の直列接続体、
抵抗Re2,トランジスタQe2の直列接続体、・・・抵抗
en,トランジスタQenの直列接続体が接続されてい
る。トランジスタQe1〜Qenはマイクロコンピュータ3
8からのスイッチ信号に基づいて開閉されるスイッチン
グトランジスタであって、抵抗Re0〜Renのうち選択さ
れた抵抗の並列合成抵抗が従来例による発振回路のエミ
ッタ抵抗Reに代えて用いられる。このためマイクロコ
ンピュータ38からの制御によって発振回路の感度が調
整できるように構成されている。ここで抵抗値Rei(i
=1〜n)は Rei=Ro・2i となる抵抗値とすれば、2n 通りの合成抵抗値Reが設
定できることとなる。
【0015】さてセンサ部31を所定の物体を検出する
位置に設置して、アンプ部32より定電流源I2 を介し
て通電する。ダイオードD3はその順方向降下電圧が約
−2mV/℃の温度特性を有しているため、ダイオード
D3のアノード電圧は周囲温度によって変化する。その
ため図1に示すA点の電位もダイオードのアノード電圧
に発振振幅が重畳されたものとなる。従ってカップリン
グコンデンサC3で交流成分のみを発振回路33に取込
み、発振を行わせるようにしている。そして直流成分は
バッファ回路36によりインピーダンス変換され、平滑
回路37でその直流成分のみが取出される。そしてA/
D変換部38aでA/D変換され、演算部38bにより
温度情報に変換される。変換方法はダイオードの電圧値
に対応した演算式を用いて演算処理によって求める。又
これに代えて各温度と得られる電圧値とをあらかじめテ
ーブルメモリに記憶させておき、このテーブルメモリを
読出すことにより温度情報を得るようにしてもよい。
【0016】さて温度が上昇すれば図3(a)に示すよ
うに並列共振回路のコンダクタンスが上昇して損失も大
きくなる。そのため規定の位置より遠いところに物体が
近づいても発振状態が維持できず、発振の振幅が低下又
は停止して物体を検出してしまう。従って発振回路側の
損失も大きくなるようにそのコンダクタンスを上昇さ
せ、発振の振幅が一定となるように調整する。このよう
な温度に対応した感度調整抵抗Reの値をあらかじめ温
度補償テーブルメモリ39に保持しておき、これに基づ
いて感度調整抵抗Reの値を選択し、この値となるよう
にトランジスタQe1〜Qenのいずれかを適宜オンオフす
る。こうして発振の振幅が一定となるように感度調整抵
抗に選択するため抵抗値更新手段38cによって切換え
る。こうすれば感度調整回路40のトランジスタQe1
enを適宜切換えることによってその感度を調整するこ
とができ、温度補償を行うことができる。
【0017】尚本実施例はセンサ部31の温度を検出す
る素子としてダイオードを用いているが、温度によって
その両端に発生する電圧が変化する素子であれば足り
る。例えば図4(a)に示すように、センサ部31Aと
してLC共振回路に直列にサーミスタR8を用いてもよ
い。又図4(b)に示すように、センサ部31Bとして
LC共振回路とサーミスタR8とダイオードD3とを直
列に接続してもよい。
【0018】次に本発明の第2実施例について説明す
る。本実施例は第1実施例の発振回路33にアンプ部3
2の温度に基づいた温度補償を同時に行うようにしたも
のである。即ち図5においてカレントミラー回路を構成
するトランジスタQ3のコレクタ抵抗R5に並列に温度
補償素子であるサーミスタR9を接続する。サーミスタ
R9は負の温度係数を有するものであって、温度の上昇
によってその抵抗値が減少する。その他の構成は第1実
施例と同様である。こうすればセンサ部31及びアンプ
部32の温度上昇に伴って帰還電流を上昇させることが
できる。このようにアンプ部32の周囲温度も加味した
温度補償を行うことにより、正確な温度補償が行える。
【0019】図6は本発明の第3実施例による近接セン
サの全体構成を示すブロック図である。本図において第
1実施例と同一部分は同一符号を付して詳細な説明を省
略する。本実施例においてもセンサ部1に接続されるA
点及びカップリングコンデンサC3を介して発振回路3
3に入力されるB点を夫々バッファ回路36及び41に
入力する。バッファ回路36の出力は平滑回路37に接
続されており、センサ部31のダイオードD3のアノー
ド電位を平滑することによって検出することは第1実施
例と同様である。一方バッファ回路41の出力は平滑回
路42に与えられる。平滑回路42は発振回路33の入
力端子、即ちダイオードD1のアノード端の電圧レベル
を検出することによってアンプ部32Aの温度に対応し
た直流電圧を検出するものである。これらの平滑回路3
7,42の出力は夫々A/D変換器43,44を介して
デジタル信号に変換され、マイクロコンピュータ45に
入力される。マイクロコンピュータ45には温度補償テ
ーブルメモリ46が接続されている。マイクロコンピュ
ータ45の演算部45aはA/D変換器43,44の出
力であるセンサ部31及びアンプ部32Aの電圧信号
を、アンプ部周囲温度(Taa,Tab・・・Tan)及びセ
ンサ部周囲温度(Tsa,Tsb・・・Tsn)に変換するも
のである。そして感度切換手段45bはこれらの温度に
かかわらず発振回路33の振幅値が一定となるように、
感度調整抵抗Reの値を選択する。図7はこの夫々の温
度に対する感度調整抵抗Reの値を示す温度補償テーブ
ルである。そして感度切換手段45bはこのテーブルに
よって選択された抵抗値となるように、スイッチングト
ランジスタQe1〜Qenを制御するものである。こうすれ
ば第2実施例と同じくセンサ部とアンプ部との周囲温度
に基づいて温度補償を行うことができる。本実施例では
第2実施例と異なり、アンプ部32の温度をダイオード
D1,D2の電圧変化に基づいて検出し、これによって
温度補償を行うようにしているため、サーミスタによる
温度補償に比べてより高精度で温度補償を行うことがで
きる。ここで本実施例において、バッファ回路36,平
滑回路37,A/D変換器44,演算部45aはセンサ
部より得られる発振信号に重畳される直流電圧に基づい
てセンサ部の温度情報を検出する第1の温度検出手段を
構成しており、ダイオードD1,D2とバッファ回路4
1,平滑回路42,A/D変換器44及び演算部45a
はアンプ部の温度情報を検出する第2の温度検出手段を
構成している。
【0020】図8は本発明の第4実施例による近接セン
サの全体構成を示すブロック図であり、前述した第1,
3実施例と同一部分は同一符号を付して詳細な説明を省
略する。本実施例においてはセンサ部31CはLC共振
回路に2つのダイオードD3,D4が直列に接続され、
これと並列にバイパス用のコンデンサC2が接続され
る。このセンサ部31Cに接続されるA点及びコンデン
サC3の他端側の発振回路33の入力端(B点)の出力
は夫々バッファ回路36,41に入力される。バッファ
回路36,41はこれらの高い入力インピーダンスを有
するバッファ回路であって、それらの出力は抵抗R1
0,R12を介して差分増幅器51に与えられる。差分
増幅器51はバッファ回路36の出力からバッファ回路
41の出力を減算する差分手段であって、その差分信号
はマイクロコンピュータ52に入力される。マイクロコ
ンピュータ52は第1実施例と同様に、A/D変換部5
2a,演算部52bを有しており、A/D変換値の差か
ら差の温度信号を検出するものである。そして感度調整
手段52cは差分温度に基づいて発振振幅が一定となる
ように発振回路33の感度調整抵抗Reを切換えるよう
に制御する。こうすればセンサ部31Cとアンプ部32
Bとの温度の差分値に基づいて感度を調整して温度補償
を行うことができる。
【0021】尚発振回路33には第1実施例と同様に抵
抗R5に並列に感度調整抵抗を接続しないものであって
もよく、又これを接続して調整したものであってもよ
い。本実施例ではカップリングコンデンサC3の容量が
十分大きければA点とB点の交流の位相は同相となるた
め、平滑回路を用いることなく差分増幅器51によって
交流成分を除去することができる。このため回路構成が
簡略化されることとなる。又本実施例はセンサ部31C
に2つのダイオードD3,D4を用いているが、これは
ダイオードD1,D2を有する発振回路側の温度変化と
合わせるためのものである。
【0022】次に本発明の第5実施例について図9を参
照しつつ説明する。本実施例では、アンプ部32Cには
発振状態検出回路34の出力側に出力信号モニタ回路6
1が設けられ、この出力がマイクロコンピュータ62に
入力される。又設定部63もマイクロコンピュータ62
に接続されている。設定部63はセンサ部31に物体が
接近するときに物体検知信号を出力するための検出距離
を設定するものであって、所定の設定距離で物体検知で
きるように発振回路33の感度を調整するものである。
そして本実施例では第3実施例と同様にバッファ回路3
6,41、平滑回路37,42とこれらの電圧信号をデ
ジタル値に変換するA/D変換器43,44を有してお
り、その出力がマイクロコンピュータ62に入力され
る。マイクロコンピュータ62の演算部62aは、これ
らのA/D変換値から温度情報を演算するものであっ
て、その出力が抵抗値を更新ための感度切換手段62b
に入力される。又マイクロコンピュータ62はこうして
設定部63によって設定された感度調整抵抗の抵抗値を
温度補償テーブルメモリ64によって更に補正するもの
である。感度切換手段62bでは設定された温度での抵
抗値に対し現在のセンサ部の温度及びアンプ部の温度を
オフセットとして温度補正テーブルメモリ64の出力に
基づいて更に抵抗値を変化させる。こうすれば感度調整
回路40を物体までの距離の設定と同時に、温度補償に
用いることができる。
【0023】尚前述した各実施例においては、発振回路
33にはトランジスタQ2のエミッタ抵抗Reを切換え
て発振の感度を調整しているが、トランジスタQ3又は
Q4のエミッタ抵抗の抵抗値を切換えることによって感
度を調整するようにしてもよく、又カレントミラー回路
のトランジスタ数を変化させて感度を調整するようにし
てもよい。
【0024】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本願の請求項
1の発明によれば、センサ部に検出コイルと温度検出素
子を設けており、その直流電圧に基づいてセンサ部の温
度を検出して温度補償を行っている。従ってケーブル数
を4芯とすることなく、2芯のケーブルを用いてセンサ
部の温度変化に応じた温度補償を行うことができるとい
う効果が得られる。又請求項2〜4の発明では、この効
果に加えてセンサ部と信号処理部の双方の温度を検出
し、これに基づいて温度補償を行うようにしているた
め、更に正確に温度補償が行えるという効果が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例による近接センサの全体構
成を示すブロック図である。
【図2】本発明の第1実施例による発振回路の構成を示
す回路図である。
【図3】並列共振回路と発振回路の温度に対するコンダ
クタンスの変化を示すグラフである。
【図4】本実施例のセンサ回路の他の構成例を示す回路
図である。
【図5】本発明の第2実施例による発振回路の構成を示
す回路図である。
【図6】本発明の第3実施例による近接センサの全体構
成を示すブロック図である。
【図7】本発明の第3実施例による温度補償テーブルメ
モリの一例を示す図である。
【図8】本発明の第4実施例による近接センサの全体構
成を示すブロック図である。
【図9】本発明の第5実施例による近接センサの全体構
成を示すブロック図である。
【図10】従来の近接センサの一例を示す回路図であ
る。
【図11】従来の近接センサの他の例を示すブロック図
である。
【符号の説明】
31,31A,31B,31C センサ部 32,32A,32B,32C アンプ部 33,33A 発振回路 34 発振状態検出回路 35 出力回路 36,41 バッファ回路 37,42 平滑回路 38,45,52,62 マイクロコンピュータ 39,46,53,64 温度補償テーブルメモリ 38a,52a A/D変換部 38b,45a,52b,62a 演算部 38c,45b,52c,62b 感度切換手段 40 感度調整回路 43,44 A/D変換器 51 差分増幅器 61 出力信号モニタ回路 63 設定部

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 センサ部と、前記センサ部に2芯のケー
    ブルで接続される信号処理部と、を有する近接センサで
    あって、 前記センサ部は検出コイル及び該検出コイルに直列に接
    続される温度検出素子を含むものであり、 前記信号処理部は、 外部からの信号に基づいてその発振強度を変化させる感
    度調整回路を有し、前記センサ部の検出コイルに接続さ
    れて発振する発振回路と、 前記センサ部より得られる発振信号に重畳される直流電
    圧に基づいて前記センサ部の温度情報を算出する温度検
    出手段と、 前記温度検出手段より得られる温度情報によりセンサ部
    の検出コイルに近接する物体検知感度を一定とするよう
    前記発振回路の感度調整回路により発振強度を切換える
    感度切換手段と、を有するものであることを特徴とする
    近接センサ。
  2. 【請求項2】 センサ部と、前記センサ部に2芯のケー
    ブルで接続される信号処理部と、を有する近接センサで
    あって、 前記センサ部は検出コイルに直列接続される温度検出素
    子を含むものであり、 前記信号処理部は、 外部からの入力信号に基づいてその発振強度を変化させ
    る感度調整回路を有し、前記センサ部の検出コイルに接
    続されて発振する発振回路と、 前記センサ部より得られる発振信号に重畳される直流電
    圧に基づいて前記センサ部の温度情報を検出する第1の
    温度検出手段と、 信号処理部の温度情報を検出する第2の温度検出手段
    と、 前記第1,第2の温度検出部より得られる温度情報に基
    づいて発振強度を一定とすべく前記発振回路の感度調整
    回路により発振強度を切換える感度切換手段と、を有す
    ることを特徴とする近接センサ。
  3. 【請求項3】 前記第1,第2の温度検出手段から得ら
    れる温度情報の温度差を検出する差分手段を有し、前記
    感度切換手段は前記差分手段の差分値に基づいてその検
    出感度を一定とすべく前記発振回路の感度調整回路によ
    り発振強度を切換えるものであることを特徴とする請求
    項2記載の近接センサ。
  4. 【請求項4】 前記感度切換手段は、物体までの検出距
    離に基づいてその感度を設定すると共に、設定された振
    幅となるように温度情報に基づいて感度を調整するもの
    であることを特徴とする請求項2又は3記載の近接セン
    サ。
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