JP4698441B2 - 発振型近接センサ、および電界効果トランジスタを用いた発振型近接センサにおけるゲート電流の制御方法 - Google Patents
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Description
発振型近接センサ1は、発振素子として接合型電界効果トランジスタ(以下「FET」と記す)Qを備えている。トランジスタQのゲート端子は、マイクロストリップ線路2とこれに高周波的に結合する誘電体共振器3からなる共振回路4に接続され、ドレイン端子には定電位の電源電圧Vddが印加され、ソース端子は、発振周波数に応じて長さが定められるスタブ5を有する整合回路に接続される。
ここで、高周波周波数がマイクロ波帯又はミリ波帯の場合には、ソース端子に現れる高周波信号の一部がトランジスタQ内部で反射してゲート端子への反射利得が生じるため、上記回路は、誘電体共振器3の共振周波数で発振する反射型発振回路となる。
このため、従来の発振型近接センサ1では、ソース端子に現れる高周波信号を高周波阻止部6によって阻止した後に、その直流成分を抵抗R2及び可変抵抗VRに分圧し、線路8を介してトランジスタQのゲート端子にバイアス電圧として印加する自己バイアス回路を構成している。
図3の(A)に示すとおりゲートソース間には逆方向バイアス電圧Vbが印加されるため、回路が発振状態にある場合には、ゲートソース間電圧Vgsの波形は、ゲート端子に印加される高周波信号に逆方向バイアス電圧Vbを加えた交流波形となる。
ここで、図においてハッチングで示す範囲では、ゲートソース間電圧Vgsがゲートソース間の順方向電圧Vfを超え、この間ゲートソース間にはゲート電流が流れる。このゲート電流は、ソース端子から流れ出して高周波阻止部6によって平滑化され、直流電流igとして上記の線路8を通ってゲート端子に帰還する。
すると外部変化に応じて発振回路の発振状態が変化し、この発振状態の変化によってゲートソース間電圧Vgsの振幅値が変化する。外部変化によってゲートソース間電圧Vgsの振幅が大きくなった場合を図3の(B)に示す。
図3の(B)から明らかなように、ゲートソース間電圧Vgsの振幅の増大によって、ゲートソース間電圧Vgsがゲートソース間の順方向電圧Vfを超える時間及び電圧値が増大し、これに伴っての線路8を流れるゲート電流igも増加する。
ここに、ゲート電流igを抵抗R1の端子間電圧として検出するゲート電流検出部10は、抵抗R1の両端の電位Vs及びVgの値を入力するバッファ11及び12と、所定の基準定電位VREFを基準として、抵抗R1の両端の電位差信号(Vg−Vs)+VREFを演算するオペアンプ13と、信号(Vg−Vs)+VREFの交流成分のみを取り出して電位差信号Vsig=Vg−Vsを得るキャパシタ14を備えて構成される。
図4の(A)はゲート電流igが過小な場合を示す。ゲート電流igが過小である場合とは、ゲートソース間電圧Vgsの振幅が過大であるか逆方向バイアスVbが低すぎる場合であり、ゲートソース間電圧Vgsがゲートソース間の順方向電圧Vfを殆ど超えることがない。このため外部変化によって発振回路の発振状態が変化してもその変化を検出できない状態である。
そこで本発明は、電界効果トランジスタQを発振素子として有する発振回路4を備え、ソース端子又はドレイン端子の一方とゲート端子との間を接続して、ゲート電流をゲート端子へと帰還させる帰還路8を流れる電流igの変化に応じて外部変化を検出する発振型近接センサ1において、温度変化や電源変動があってもゲート電流igの値を維持して安定性の高いセンサを実現する。
すなわち、上述の通り帰還路を流れるゲート電流igは、ゲートソース間に印加されたバイアス電圧とゲート端子に現れる発振信号の振幅値とによって定まる。ここで、電界効果トランジスタを発振素子とする発振回路では、この電界効果トランジスタにより増幅されて出力された発振信号が制御電極であるゲート端子に反射してくるため、ゲート端子に現れる発振信号の振幅値は、出力信号の振幅値すなわちソース端子とドレイン端子との間に印加される電圧に応じて変動する。そこで本発明では、ソース端子とドレイン端子との間に印加する電圧を変えることによってゲート電流の直流成分を所定値に維持する。
電圧制御部が速い応答速度でゲート電流を修正してしまうと、常にゲート電流が平定されてしまい外部変化を検出できなくなってしまう。電圧制御部の応答速度を遅らせることによってこのような不都合を回避する。
2つの出力端子間は、ゲート電流の直流成分を所定値に維持するように、ゲート電流の変化を打ち消すように制御されるため、この電位差の変化を使用しても外部変化を検出できる。この場合には、外部変化に起因する(温度変化等に起因するゲート電流の変化に比べて)比較的速いゲート電流の変化を、電圧制御部による2つの出力端子間の電圧の制御量から直接検出することができるため、上記のようなローパスフィルタを設ける必要はない。
そして、必要とする温度補償量に応じて直列接続するダイオードの段数をスイッチで変更することとしてよい。例えば電界効果トランジスタの2つの出力端子間に印加する電圧に応じて温度補償量を定めてもよい。
図5において、ゲート端子からトランジスタQへと流れ込んだゲート電流Igは、ソース端子から流れ出して高周波阻止部6では直流成分が通過するため直流電流igとして上記の線路8を通ってゲート端子に帰還する。ゲート電流検出部10は、線路8に設けられた抵抗R1に直流電流igが通ることによって生じた電位差を示す電位差信号(Vg−Vs)+VREFを生じる。
また上述の通り、線路8はトランジスタQの2つの出力端子の一方であるソース端子とゲート端子との間を接続してゲート電流をゲート端子へと帰還させる線路であるため、本発明の係る帰還路を成す。
電圧制御部20の構成例として、例えば図5に示すように、能動素子Tr1をエミッタフォロワ接続されたトランジスタとし、トランジスタTr1のコレクタ端子を定電位部(図5の例では接地)に接続して、エミッタ端子を抵抗R2を介してトランジスタQのソース端子に接続する。
このように構成することにより、電圧制御部20は、制御信号生成回路30にて生成する制御信号の電流値に応じてソース端子と接地部との間に接続された抵抗R2に流れる電流を制御し、これによってソース端子の電位を制御することが可能である。
例えば、図5の構成例では、電位差(Vg−Vs)−V1<0、すなわちゲート電流igが過大である場合には大きな値の制御信号を生成し、トランジスタTr1のエミッタコレクタ間電流を大きくしてソース端子の電位を上げ、ソースドレイン間電圧を低減する。この制御によってゲート電流igが低減する。
反対に、電位差(Vg−Vs)−V1>0、すなわちゲート電流igが過小である場合には、小さな値の制御信号を生成することによりエミッタコレクタ間電流を小さくしてソース端子の電位を下げ、ソースドレイン間電圧を増大する。この制御によってゲート電流igを増大させる。
制御信号生成回路30は、ゲート電流検出部10から入力した電位差信号(Vg−Vs)+VREFと、第2の基準電圧VREF2とに応じて制御信号を演算するオペアンプ41と、オペアンプ41の出力端と能動素子Tr1の入力端の間に介在するバッファ43とを備えて構成される。
本実施例においても、制御信号生成回路30は、オペアンプ41が演算した制御信号を低域濾過するローパスフィルタ42を備え、ソースドレイン間電圧を応答速度が速い場合に外部変化の検出ができなくなってしまうという不都合を回避する。
例えば図7に示す例では、使用開始時においてセンサ1の制御部(図示せず)により生成される測定開始信号が入力された場合に、ローパスフィルタ42の時定数を定める抵抗46を短絡するスイッチ53を備えてよい。
またローパスフィルタ42は、本センサ1の不使用時におけるキャパシタ45の放電を防止するために、使用停止時においてセンサ1の制御部(図示せず)により生成されるインターバル信号が入力された場合に、キャパシタ45を信号線から切断するスイッチ51及び52を備えてもよい。
ここで図10に示す例では、電圧制御部20において、能動素子Tr1として使用されるトランジスタのベース端子(制御端子)を、ダイオードD1〜D3を介して定電位部と接続する。この構成によって電圧制御部20は、ダイオードD1〜D3の順方向電圧に応じて制御信号を生成することにより、ダイオードD1〜D3の順方向電圧の温度特性を利用して、温度変化に起因するゲート電流の変化を打ち消すように温度補償する。
また同時にトランジスタTrのベースエミッタ間接合の順方向電圧の温度特性もまた、ゲート電流igの温度補償に供される。
このため、電圧制御部20は複数のダイオードD1〜D3と、当該センサ1において必要とされる温度補償量に応じて、トランジスタTr1のベース端子と定電位部との間に直列接続されるダイオードD1〜D3の段数を変えるためのスイッチ61及び62を備える。
またスイッチ62のみがONの場合には、ダイオードD2及びD3が短絡され、トランジスタTr1のベースエミッタ間接合とダイオードD1の順方向電圧の温度特性のみを利用した温度補償が行われる。
さらにスイッチ61のみがONの場合には、ダイオードD1が短絡され、トランジスタTr1のベースエミッタ間接合とダイオードD2及びD3の順方向電圧の温度特性のみを利用した温度補償が行われる。
最後にスイッチが全てOFFの場合には、トランジスタTr1のベースエミッタ間接合とダイオードD1〜D3の順方向電圧の温度特性を利用した温度補償が行われる。
また、ソースドレイン間に生じさせる発振信号の振幅、すなわちソースドレイン間に印加される電圧を検出して、その検出値に応じてスイッチ61及び62を切り替えて接続するダイオードの段数を切り替えるダイオード段数変更部63を設けることによって、ソースドレイン間に生じる発振信号の振幅に応じて、自動的に温度補償量を設定してもよい。
温度補償量決定部70は、図5に示した制御信号生成回路30と同様の構成を有しており、ゲート電流検出部10が生成した電位差信号(Vg−Vs)+VREFをディジタル信号に変換するアナログディジタル変換回路71と、基準電位VREFをディジタル信号に変換するアナログディジタル変換回路72と、これらディジタル信号に応じて能動素子Tr2への制御信号を演算するディジタル演算部73と、この制御信号をアナログ信号に変換して能動素子Tr2の制御端子に入力するディジタルアナログ変換回路74と、を備える。
ここで、ディジタル演算部73は温度試験期間中に温度センサ76によって検出された温度変化量と、この間に発生させた能動素子Tr2への制御信号の最大値及び最小値を記憶する。
ゲート端子と、ソース端子及びドレイン端子からなる2つの出力端子とを備え、発振素子として用いられる電界効果トランジスタと、
前記電界効果トランジスタを発振させる共振回路と、
前記共振回路に接続され、外部変化によって前記共振回路の発振状態を変化させるアンテナと、
前記2つの出力端子の一方と前記ゲート端子との間を接続して、ゲート電流を前記ゲート端子へと帰還させる帰還路と、
前記帰還路を流れる前記ゲート電流の変化を検出するゲート電流検出部と、を有し、
前記帰還路を流れる前記ゲート電流の直流成分の変化によって前記外部変化を検出する発振型近接センサにおいて、
前記2つの出力端子間に印加する電圧を変えることによって、前記帰還路を流れる前記ゲート電流の直流成分を所定値に維持する電圧制御部を備えることを特徴とする発振型近接センサ。(1)
前記電圧制御部は、
前記ゲート電流検出部により検出された前記ゲート電流の値に従って、前記2つの出力端子間への印加電圧を制御する制御信号を生成する制御信号生成回路と、
生成された前記制御信号を低域濾過するローパスフィルタと、
を備えることを特徴とする付記1に記載の発振型近接センサ。(2)
前記ローパスフィルタは、前記制御信号を伝搬する信号線と定電位箇所との間に設けるキャパシタを有し、
前記発振型近接センサは、不使用時に前記キャパシタを前記信号線から切断するスイッチを、さらに備えることを特徴とする付記2に記載の発振型近接センサ。
前記ローパスフィルタは、前記制御信号を伝搬する信号線の経路上に設けられる時定数回路を有し、
前記発振型近接センサは、使用開始時に、前記時定数回路の抵抗素子を短絡するスイッチを、さらに備えることを特徴とする付記2に記載の発振型近接センサ。
前記電圧制御部により制御される前記2つの出力端子間の電位差の変化によって、前記外部変化を検出することを特徴とする付記1に記載の発振型近接センサ。(3)
前記電圧制御部は、
順方向電圧の温度変化によって、前記2つの出力端子間への印加電圧の制御量を定めるダイオードと、
必要な温度補償量に応じて前記ダイオードの段数を変更するためのスイッチを備える、
ことを特徴とする付記1に記載の発振型近接センサ。(4)
前記電圧制御部は、前記2つの出力端子間への印加電圧に応じて前記ダイオードの段数を変更するダイオード段数変更部を備えることを特徴とする付記6に記載の発振型近接センサ。
前記温度補償量が、温度試験時に前記ゲート電流検出部により検出された前記ゲート電流の測定値の変化に従って定められることを特徴とする付記6に記載の発振型近接センサ。
(付記9)
ゲート端子と、ソース端子及びドレイン端子からなる2つの出力端子とを備え、発振素子として用いられる電界効果トランジスタと、
前記電界効果トランジスタを発振させる共振回路と、
前記共振回路に接続され、外部変化によって前記共振回路の発振状態を変化させるアンテナと、
前記ゲート端子からのゲート電流を再び前記ゲート端子へと帰還させるべく、前記2つの出力端子の一方と前記ゲート端子との間を接続する帰還路と、
前記帰還路を流れる前記ゲート電流の変化を検出するゲート電流検出部と、を有し、
前記帰還路を流れる前記ゲート電流の直流成分の変化によって前記外部変化を検出する、電界効果トランジスタを用いた発振型近接センサの前記ゲート電流の制御方法であって、
前記2つの出力端子間に印加する電圧を変えることによって、前記帰還路を流れる前記ゲート電流の直流成分を所定値に維持することを特徴とする、電界効果トランジスタを用いた発振型近接センサにおけるゲート電流の制御方法。(5)
2 マイクロストリップ線路
3 誘電体共振器
4 共振回路
5 スタブ
8 帰還路
9 アンテナ
10 ゲート電流検出部
20 電圧制御部
30 制御信号生成回路
Q 電界効果トランジスタ
Claims (5)
- ゲート端子と、ソース端子及びドレイン端子からなる2つの出力端子とを備え、発振素子として用いられる電界効果トランジスタと、
前記電界効果トランジスタを発振させる共振回路と、
前記共振回路に接続され、外部変化によって前記共振回路の発振状態を変化させるアンテナと、
前記2つの出力端子の一方と前記ゲート端子との間を接続して、ゲート電流を前記ゲート端子へと帰還させる帰還路と、
前記帰還路を流れる前記ゲート電流の変化を検出するゲート電流検出部と、を有し、
前記帰還路を流れる前記ゲート電流の直流成分の変化によって前記外部変化を検出する発振型近接センサにおいて、
前記2つの出力端子間に印加する電圧を変えることによって、前記帰還路を流れる前記ゲート電流の直流成分を所定値に維持する電圧制御部を備えることを特徴とする発振型近接センサ。 - 前記電圧制御部は、
前記ゲート電流検出部により検出された前記ゲート電流の値に従って、前記2つの出力端子間への印加電圧を制御する制御信号を生成する制御信号生成回路と、
生成された前記制御信号を低域濾過するローパスフィルタと、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の発振型近接センサ。 - 前記電圧制御部により制御される前記2つの出力端子間の電位差の変化によって、前記外部変化を検出することを特徴とする請求項1に記載の発振型近接センサ。
- 前記電圧制御部は、
順方向電圧の温度変化によって、前記2つの出力端子間への印加電圧の制御量を定めるダイオードと、
必要な温度補償量に応じて前記ダイオードの段数を変更するためのスイッチを備える、
ことを特徴とする請求項1に記載の発振型近接センサ。 - ゲート端子と、ソース端子及びドレイン端子からなる2つの出力端子とを備え、発振素子として用いられる電界効果トランジスタと、
前記電界効果トランジスタを発振させる共振回路と、
前記共振回路に接続され、外部変化によって前記共振回路の発振状態を変化させるアンテナと、
前記ゲート端子からのゲート電流を再び前記ゲート端子へと帰還させるべく、前記2つの出力端子の一方と前記ゲート端子との間を接続する帰還路と、
前記帰還路を流れる前記ゲート電流の変化を検出するゲート電流検出部と、を有し、
前記帰還路を流れる前記ゲート電流の直流成分の変化によって前記外部変化を検出する、電界効果トランジスタを用いた発振型近接センサの前記ゲート電流の制御方法であって、
前記2つの出力端子間に印加する電圧を変えることによって、前記帰還路を流れる前記ゲート電流の直流成分を所定値に維持することを特徴とする、電界効果トランジスタを用いた発振型近接センサにおけるゲート電流の制御方法。
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