JPH0563559A - 発振回路 - Google Patents
発振回路Info
- Publication number
- JPH0563559A JPH0563559A JP3287592A JP28759291A JPH0563559A JP H0563559 A JPH0563559 A JP H0563559A JP 3287592 A JP3287592 A JP 3287592A JP 28759291 A JP28759291 A JP 28759291A JP H0563559 A JPH0563559 A JP H0563559A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- temperature
- positive feedback
- transistor
- feedback amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electronic Switches (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 雰囲気温度の変化によりＬＣ回路ＡのＱ値が
変化したとしてもこれにより生じる不都合を一切排除す
ることを目的とする。 【構成】 定電流回路Ｂの電流をＬＣ回路Ａに供給し、
ＬＣ回路Ａの出力を正帰還増幅回路Ｄを用いて正帰還増
幅すると、ＬＣ回路Ａが安定して持続的に発振する。Ｌ
Ｃ回路ＡのＱ値が雰囲気温度により変化すると、この変
化に応じて、負の温度特性を有する温度補償回路Ｅによ
り正帰還増幅回路Ｄのループ利得が調節される。その結
果、全体としてのループ利得は雰囲気温度に対して安定
化する。温度補償回路Ｅは負の温度特性を有するのであ
るが、ＶDマルチプライヤ回路を用いているので、この
回路定数を変更するだけで、温度補償回路Ｅの有する温
度係数を簡単に変更することが可能となる。
変化したとしてもこれにより生じる不都合を一切排除す
ることを目的とする。 【構成】 定電流回路Ｂの電流をＬＣ回路Ａに供給し、
ＬＣ回路Ａの出力を正帰還増幅回路Ｄを用いて正帰還増
幅すると、ＬＣ回路Ａが安定して持続的に発振する。Ｌ
Ｃ回路ＡのＱ値が雰囲気温度により変化すると、この変
化に応じて、負の温度特性を有する温度補償回路Ｅによ
り正帰還増幅回路Ｄのループ利得が調節される。その結
果、全体としてのループ利得は雰囲気温度に対して安定
化する。温度補償回路Ｅは負の温度特性を有するのであ
るが、ＶDマルチプライヤ回路を用いているので、この
回路定数を変更するだけで、温度補償回路Ｅの有する温
度係数を簡単に変更することが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はトランジスタ素子を用い
た誘導型近接スイッチ回路としての利用が可能な発振回
路に関する。
た誘導型近接スイッチ回路としての利用が可能な発振回
路に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の発振回路の従来例として図３に
示すようなものがある。図示例の発振回路は、自動販売
機に装備された誘導型近接スイッチ回路の一部を構成す
るもので、自動販売機に挿入されるコインの有無を検出
するという機能を有する。
示すようなものがある。図示例の発振回路は、自動販売
機に装備された誘導型近接スイッチ回路の一部を構成す
るもので、自動販売機に挿入されるコインの有無を検出
するという機能を有する。
【０００３】ＬＣ回路Ａはコンデンサとコイル（センサ
ーコイルに相当する）とを並列に接続した共振回路であ
って、これには定電流回路Ｂからの電流が供給されてい
る。ＬＣ回路Ａの一端にはバイアス回路Ｃが接続されて
おり、この出力段には正帰還増幅回路Ｄが接続されてい
る。なお、出力端子Ｔはバイアス回路Ｃの出力側に設け
られている。
ーコイルに相当する）とを並列に接続した共振回路であ
って、これには定電流回路Ｂからの電流が供給されてい
る。ＬＣ回路Ａの一端にはバイアス回路Ｃが接続されて
おり、この出力段には正帰還増幅回路Ｄが接続されてい
る。なお、出力端子Ｔはバイアス回路Ｃの出力側に設け
られている。
【０００４】即ち、ＬＣ回路Ａの出力はバイアス回路Ｃ
によってバイアスされ、更に正帰還増幅回路Ｄによって
正帰還増幅され、これで出力端子Ｔから安定した振動電
圧が得られるようになっている。そしてこの状態でＬＣ
回路Ａに金属体であるコインが近接すれば、この発振条
件が崩れ回路の発振が停止することになる。言い換える
と、出力端子Ｔに現れる電圧に振動成分があるか否かに
よりコインの挿入の有無が検出できるようになってい
る。
によってバイアスされ、更に正帰還増幅回路Ｄによって
正帰還増幅され、これで出力端子Ｔから安定した振動電
圧が得られるようになっている。そしてこの状態でＬＣ
回路Ａに金属体であるコインが近接すれば、この発振条
件が崩れ回路の発振が停止することになる。言い換える
と、出力端子Ｔに現れる電圧に振動成分があるか否かに
よりコインの挿入の有無が検出できるようになってい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例による場合には、以下に述べるような欠点が指摘さ
れている。即ち、ＬＣ回路Ａにおけるコイルの材質によ
っては、雰囲気温度が上がると、その寄生直列抵抗値が
変化してＬＣ回路Ａの有するＱ値が下がって、全体のル
ープ利得が低下する。この結果、全体としてのループ利
得が低下し、コインの有無を検出することの可能な距離
が変化する。
来例による場合には、以下に述べるような欠点が指摘さ
れている。即ち、ＬＣ回路Ａにおけるコイルの材質によ
っては、雰囲気温度が上がると、その寄生直列抵抗値が
変化してＬＣ回路Ａの有するＱ値が下がって、全体のル
ープ利得が低下する。この結果、全体としてのループ利
得が低下し、コインの有無を検出することの可能な距離
が変化する。
【０００６】本発明は上記背景の下で創案されたもので
あり、その目的とするところは、雰囲気温度が変化して
も上記のような不都合が生じない発振回路を提供するこ
とにある。
あり、その目的とするところは、雰囲気温度が変化して
も上記のような不都合が生じない発振回路を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる発振回路
は、ＬＣ並列発振回路の出力を正帰還増幅回路を用いて
正帰還増幅し、当該ＬＣ並列発振回路を発振せしめる回
路であって、雰囲気温度に応じて正帰還増幅回路のルー
プ利得を調節する温度補償回路を備えており、かつ当該
温度補償回路はＶDマルチプライヤ回路を有することを
特徴としている。
は、ＬＣ並列発振回路の出力を正帰還増幅回路を用いて
正帰還増幅し、当該ＬＣ並列発振回路を発振せしめる回
路であって、雰囲気温度に応じて正帰還増幅回路のルー
プ利得を調節する温度補償回路を備えており、かつ当該
温度補償回路はＶDマルチプライヤ回路を有することを
特徴としている。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。図１は本発明の実施例回路である。ここに例を
あげて説明する発振回路は、従来の技術で述べたものと
同じく、自動販売機に装備された誘導型近接スイッチ回
路の一部を構成するものである。
明する。図１は本発明の実施例回路である。ここに例を
あげて説明する発振回路は、従来の技術で述べたものと
同じく、自動販売機に装備された誘導型近接スイッチ回
路の一部を構成するものである。
【０００９】ＬＣ回路ＡはＬＣ並列共振回路であって、
コンデンサ２２とコイル２３（センサーコイルに相当す
る）により構成されている。このＬＣ回路Ａには定電流
回路Ｂからの電流が後述するバイアス回路Ｃを通じて供
給されている。
コンデンサ２２とコイル２３（センサーコイルに相当す
る）により構成されている。このＬＣ回路Ａには定電流
回路Ｂからの電流が後述するバイアス回路Ｃを通じて供
給されている。
【００１０】定電流回路Ｂはトランジスタ５、６、７、
抵抗１、２からなるカレントミラー回路と、このカレン
トミラー回路の入力側に接続された定電流源２１から構
成されており、安定した電流をバイアス回路Ｃ等に出力
している。
抵抗１、２からなるカレントミラー回路と、このカレン
トミラー回路の入力側に接続された定電流源２１から構
成されており、安定した電流をバイアス回路Ｃ等に出力
している。
【００１１】バイアス回路Ｃはトランジスタ１２、抵抗
１３、１４、１５からなるマルチプライヤ回路であって
（これはＶDマルチプライヤ回路であるが、詳しいこと
は後述する）、ＬＣ回路Ａの発振電圧をレベルシフト
し、正帰還増幅回路Ｄのトランジスタ１１のベース電位
として出力する。このバイアス回路Ｃの出力には出力端
子Ｔが設けられている。
１３、１４、１５からなるマルチプライヤ回路であって
（これはＶDマルチプライヤ回路であるが、詳しいこと
は後述する）、ＬＣ回路Ａの発振電圧をレベルシフト
し、正帰還増幅回路Ｄのトランジスタ１１のベース電位
として出力する。このバイアス回路Ｃの出力には出力端
子Ｔが設けられている。
【００１２】なお、このバイアス回路Ｃが与えるバイア
スは、トランジスタ１２のベースエミッタ間電圧の負の
温度特性と、絶対温度に比例した電流を発生する定電流
回路Ｂによって温度に対して安定となっている。
スは、トランジスタ１２のベースエミッタ間電圧の負の
温度特性と、絶対温度に比例した電流を発生する定電流
回路Ｂによって温度に対して安定となっている。
【００１３】正帰還増幅回路Ｄは、トランジスタ８、
９、１１、抵抗３、１６からなる回路であって、ＬＣ回
路Ａの発振電圧を電流に変換してこれを増幅するととも
に、バイアス回路Ｃの入力に戻して正帰還をかけ、ＬＣ
回路Ａを安定して発振させるような基本構成となってい
る。
９、１１、抵抗３、１６からなる回路であって、ＬＣ回
路Ａの発振電圧を電流に変換してこれを増幅するととも
に、バイアス回路Ｃの入力に戻して正帰還をかけ、ＬＣ
回路Ａを安定して発振させるような基本構成となってい
る。
【００１４】なお、電圧電流変換用のトランジスタ１１
のエミッタ側には、ループ利得調整用の抵抗１６が接続
されている一方、トランジスタ８、９からなるカレント
ミラー回路の出力側には、温度補償回路Ｅが接続されて
いる。
のエミッタ側には、ループ利得調整用の抵抗１６が接続
されている一方、トランジスタ８、９からなるカレント
ミラー回路の出力側には、温度補償回路Ｅが接続されて
いる。
【００１５】温度補償回路Ｅについて説明すると、正帰
還増幅回路Ｄにおけるトランジスタ９のエミッタには、
トランジスタ１０のコレクタが接続されている一方、エ
ミッタには抵抗１７を介して接地されている。トランジ
スタ１０のベース側には、電源側に抵抗４が接続されて
いる一方、接地側には、ダイオード結線されたトランジ
スタ１８及びＶDマルチプライヤ回路１９が接続されて
いる。
還増幅回路Ｄにおけるトランジスタ９のエミッタには、
トランジスタ１０のコレクタが接続されている一方、エ
ミッタには抵抗１７を介して接地されている。トランジ
スタ１０のベース側には、電源側に抵抗４が接続されて
いる一方、接地側には、ダイオード結線されたトランジ
スタ１８及びＶDマルチプライヤ回路１９が接続されて
いる。
【００１６】ＶDマルチプライヤ回路１９は、正帰還増
幅回路Ｄのループ利得を調整するためのトランジスタ１
９１を主とする回路であって、トランジスタ１９１のベ
ースエミッタ間には抵抗１９３が接続されている一方、
ベースコレクタ間には抵抗１９２が接続された構成とな
っている。
幅回路Ｄのループ利得を調整するためのトランジスタ１
９１を主とする回路であって、トランジスタ１９１のベ
ースエミッタ間には抵抗１９３が接続されている一方、
ベースコレクタ間には抵抗１９２が接続された構成とな
っている。
【００１７】次に、温度補償回路Ｅの動作について説明
し、併せて発振回路の動作について説明する。
し、併せて発振回路の動作について説明する。
【００１８】トランジスタ１０のエミッタ電流は抵抗１
７に両端に印加される電圧に比例する。ここでトランジ
スタ１０、１８、１９１の各ベース・エミッタ間電圧を
ＶBEとすると、抵抗１７の両端にはトランジスタ１９１
のコレク・エミッタ間電圧が印加される。抵抗１９２、
１９３の抵抗値をそれぞれＲ192、Ｒ193とすると、トラ
ンジスタ１９１のコレクタ・エミッタ間電圧はＶBE×
（１＋Ｒ192／Ｒ193）であり、負の温度特性を有するこ
とになる。即ち、トランジスタ１０のエミッタ電流は負
の温度特性を有し、しかもＶBE×（１＋Ｒ192／Ｒ193）
に比例するので、雰囲気温度が低くなると、正帰還増幅
回路Ｄのループ利得が下がる。またその大きさは抵抗１
９２、１９３によって決定される。
７に両端に印加される電圧に比例する。ここでトランジ
スタ１０、１８、１９１の各ベース・エミッタ間電圧を
ＶBEとすると、抵抗１７の両端にはトランジスタ１９１
のコレク・エミッタ間電圧が印加される。抵抗１９２、
１９３の抵抗値をそれぞれＲ192、Ｒ193とすると、トラ
ンジスタ１９１のコレクタ・エミッタ間電圧はＶBE×
（１＋Ｒ192／Ｒ193）であり、負の温度特性を有するこ
とになる。即ち、トランジスタ１０のエミッタ電流は負
の温度特性を有し、しかもＶBE×（１＋Ｒ192／Ｒ193）
に比例するので、雰囲気温度が低くなると、正帰還増幅
回路Ｄのループ利得が下がる。またその大きさは抵抗１
９２、１９３によって決定される。
【００１９】よって、雰囲気温度が変換しても温度補償
回路Ｅが働くので、正帰還増幅回路Ｄのループ利得は安
定となる。言い換えると、雰囲気温度の上昇に伴ってＬ
Ｃ回路Ａの有するＱ値が低下しても、温度補償回路Ｅに
よって相殺され、全体のループ利得は変化がなくなり、
結果として、雰囲気温度の変化によりコインの有無を検
出できる距離が変化することがなくなる。しかもＶDマ
ルチプライヤ回路１９における抵抗１９２、１９３の定
数を変えるだけで、温度補償回路Ｅの有する温度係数を
変更することができるので、設計段階の回路調整が非常
に容易となる。よって、誘導型近接スイッチ回路の性能
を高める上でメリットがある。
回路Ｅが働くので、正帰還増幅回路Ｄのループ利得は安
定となる。言い換えると、雰囲気温度の上昇に伴ってＬ
Ｃ回路Ａの有するＱ値が低下しても、温度補償回路Ｅに
よって相殺され、全体のループ利得は変化がなくなり、
結果として、雰囲気温度の変化によりコインの有無を検
出できる距離が変化することがなくなる。しかもＶDマ
ルチプライヤ回路１９における抵抗１９２、１９３の定
数を変えるだけで、温度補償回路Ｅの有する温度係数を
変更することができるので、設計段階の回路調整が非常
に容易となる。よって、誘導型近接スイッチ回路の性能
を高める上でメリットがある。
【００２０】なお、本発明にかかる発振回路は誘導型近
接スイッチ回路だけの適用に限定されることはない。ま
た温度補償回路についても負の温度特性を作り出すのに
ＶDマルチプライヤ回路を用いる構成であれば如何なる
回路構成でも良い。
接スイッチ回路だけの適用に限定されることはない。ま
た温度補償回路についても負の温度特性を作り出すのに
ＶDマルチプライヤ回路を用いる構成であれば如何なる
回路構成でも良い。
【００２１】図２は本発明の他の実施例の回路図であ
る。温度補償回路Ｅの構成が異なる。温度補償回路Ｅに
ついて説明すると、正帰還増幅回路Ｄにおけるトランジ
スタ９のエミッタには、トランジスタ１０のコレクタが
接続されている一方、エミッタには抵抗１７を介して接
地されている。トランジスタ１０のベース側には、電源
側に抵抗４が接続されている一方、接地側には、ダイオ
ード結線されたＶDマルチプライヤ回路１９が接続され
ている。
る。温度補償回路Ｅの構成が異なる。温度補償回路Ｅに
ついて説明すると、正帰還増幅回路Ｄにおけるトランジ
スタ９のエミッタには、トランジスタ１０のコレクタが
接続されている一方、エミッタには抵抗１７を介して接
地されている。トランジスタ１０のベース側には、電源
側に抵抗４が接続されている一方、接地側には、ダイオ
ード結線されたＶDマルチプライヤ回路１９が接続され
ている。
【００２２】ＶDマルチプライヤ回路１９は、正帰還増
幅回路Ｄのループ利得を調整するためのトランジスタ１
９１を主とする回路であって、トランジスタ１９１のベ
ースエミッタ間には抵抗１９３が接続されている一方、
ベースコレクタ間には抵抗１９２が接続された構成とな
っている。
幅回路Ｄのループ利得を調整するためのトランジスタ１
９１を主とする回路であって、トランジスタ１９１のベ
ースエミッタ間には抵抗１９３が接続されている一方、
ベースコレクタ間には抵抗１９２が接続された構成とな
っている。
【００２３】次に、温度補償回路Ｅの動作について説明
し、併せて発振回路の動作について説明する。
し、併せて発振回路の動作について説明する。
【００２４】トランジスタ１０のエミッタ電流は抵抗１
７に両端に印加される電圧に比例する。ここで、トラン
ジスタ１０，１９１の各ベース・エミッタ間電圧をＶBE
とすると、抵抗１７の両端には、トランジスタ１９１の
コレクタ・エミッタ間電圧からトランジスタ１０のＶBE
を差し引いた電圧が印加される。抵抗１９２、１９３の
抵抗値をそれぞれＲ192，Ｒ193とすると、トランジスタ
１９１のコレクタ・エミッタ間電圧はＶBE×（１＋Ｒ
192／Ｒ193）なので、抵抗１７の両端に印加される電圧
はＶBE×（Ｒ192／Ｒ193）であり、負の温度特性をも
つ。即ち、トランジスタ１０のエミッタ電流は負の温度
特性を有し、しかもＶBE×（Ｒ192／Ｒ193）に比例する
ので、雰囲気温度が低くなると、正帰還増幅回路Ｄのル
ープ利得が下がる。またその大きさは抵抗１９２、１９
３によって決定される。
７に両端に印加される電圧に比例する。ここで、トラン
ジスタ１０，１９１の各ベース・エミッタ間電圧をＶBE
とすると、抵抗１７の両端には、トランジスタ１９１の
コレクタ・エミッタ間電圧からトランジスタ１０のＶBE
を差し引いた電圧が印加される。抵抗１９２、１９３の
抵抗値をそれぞれＲ192，Ｒ193とすると、トランジスタ
１９１のコレクタ・エミッタ間電圧はＶBE×（１＋Ｒ
192／Ｒ193）なので、抵抗１７の両端に印加される電圧
はＶBE×（Ｒ192／Ｒ193）であり、負の温度特性をも
つ。即ち、トランジスタ１０のエミッタ電流は負の温度
特性を有し、しかもＶBE×（Ｒ192／Ｒ193）に比例する
ので、雰囲気温度が低くなると、正帰還増幅回路Ｄのル
ープ利得が下がる。またその大きさは抵抗１９２、１９
３によって決定される。
【００２５】本実施例のように、ＶDマルチプライヤ回
路のみで温度係数を決定する場合、素子数の削減及び温
度特性のばらつき軽減といった効果がある。
路のみで温度係数を決定する場合、素子数の削減及び温
度特性のばらつき軽減といった効果がある。
【００２６】
【発明の効果】以上、本発明にかかる発振回路による場
合には、雰囲気温度が変化しても全体としてのループ利
得が変化しないような構成となっているので、ＬＣ並列
共振回路のＱ値が雰囲気温度が変化したとしても、これ
が変化することによって生じる不都合を一切排除するこ
とができる。しかもＶDマルチプライヤ回路の回路定数
を変更するだけで、温度補償回路の有する温度係数を簡
単に変更することができるので、回路調整が非常に容易
になるというメリットがある。
合には、雰囲気温度が変化しても全体としてのループ利
得が変化しないような構成となっているので、ＬＣ並列
共振回路のＱ値が雰囲気温度が変化したとしても、これ
が変化することによって生じる不都合を一切排除するこ
とができる。しかもＶDマルチプライヤ回路の回路定数
を変更するだけで、温度補償回路の有する温度係数を簡
単に変更することができるので、回路調整が非常に容易
になるというメリットがある。
【図１】本発明にかかる発振回路を説明するための実施
例回路図である。
例回路図である。
【図２】本発明にかかる発振回路を説明するための他の
実施例回路図である。
実施例回路図である。
【図３】従来の発振回路を説明するための図１，図２に
対応する図である。
対応する図である。
Ａ ＬＣ回路 Ｂ 定電流回路 Ｃ バイアス回路 Ｄ 正帰還増幅回路 Ｅ 温度補償回路 １９ ＶDマルチプライヤ回路
Claims (1)
- 【請求項１】 ＬＣ並列発振回路の出力を正帰還増幅回
路を用いて正帰還増幅し、当該ＬＣ並列発振回路を発振
せしめる発振回路において、雰囲気温度に応じて正帰還
増幅回路のループ利得を調節する温度補償回路を備えて
おり、かつ当該温度補償回路はＶDマルチプライヤ回路
を有していることを特徴とする発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3287592A JPH0563559A (ja) | 1991-06-26 | 1991-11-01 | 発振回路 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18308191 | 1991-06-26 | ||
| JP3-183081 | 1991-06-26 | ||
| JP3287592A JPH0563559A (ja) | 1991-06-26 | 1991-11-01 | 発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0563559A true JPH0563559A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=26501645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3287592A Pending JPH0563559A (ja) | 1991-06-26 | 1991-11-01 | 発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0563559A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0813306A1 (de) * | 1996-06-13 | 1997-12-17 | Optosys SA | Temperaturstabilisierter Oszillator und Verwendung desselben in einem Näherungsschalter |
| WO2002103905A1 (fr) * | 2001-06-18 | 2002-12-27 | Yamatake Corporation | Capteur de proximite du type a oscillations haute frequence |
| WO2008000100A1 (de) * | 2006-06-27 | 2008-01-03 | Baumer Electric Ag | Temperaturstabilisierter schwingkreis für induktive sensoren |
| US8432157B2 (en) | 2010-09-30 | 2013-04-30 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Inductive proximity sensor with active circuit to cancel stray fields |
-
1991
- 1991-11-01 JP JP3287592A patent/JPH0563559A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0813306A1 (de) * | 1996-06-13 | 1997-12-17 | Optosys SA | Temperaturstabilisierter Oszillator und Verwendung desselben in einem Näherungsschalter |
| CH690950A5 (de) * | 1996-06-13 | 2001-02-28 | Optosys Ag | Temperaturstabilisierter Oszillator und Verwendung desselben in einem Näherungsschalter. |
| WO2002103905A1 (fr) * | 2001-06-18 | 2002-12-27 | Yamatake Corporation | Capteur de proximite du type a oscillations haute frequence |
| US7030626B2 (en) | 2001-06-18 | 2006-04-18 | Yamatake Corporation | High-frequency oscillation type proximity sensor |
| WO2008000100A1 (de) * | 2006-06-27 | 2008-01-03 | Baumer Electric Ag | Temperaturstabilisierter schwingkreis für induktive sensoren |
| US8432157B2 (en) | 2010-09-30 | 2013-04-30 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Inductive proximity sensor with active circuit to cancel stray fields |
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