KR102025520B1 - Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자, 수지 조성물 및 수지 성형체 - Google Patents

Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자, 수지 조성물 및 수지 성형체 Download PDF

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Abstract

포화 자화 및 전기 저항이 높으며, 수지, 용매 또는 수지 조성물에 대한 분산성이 우수한 페라이트 입자, 그 페라이트 입자를 함유하는 수지 조성물 및 그 수지 조성물로 이루어지는 수지 성형체를 제공하는 것을 목적으로 한다. Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자는 평균 입경이 1~2000nm의 단결정체이며 다면체 형상의 입자 형상을 구비하고, Ni를 5~10중량% 함유하고 Zn를 15~30 중량% 함유하며, Cu를 1~5중량% 함유하고 Fe를 25~50 중량% 함유하는 것을 특징으로 한다.

Description

Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자, 수지 조성물 및 수지 성형체
본 발명은 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자, 그 페라이트 입자를 함유하는 수지 조성물 및 그 수지 조성물로 이루어지는 수지 성형체에 관한 것이다.
종래, 전자 기기에 대한 배선, 케이블 등에 이용되는 플렉서블 프린트 배선 재료로서 평균 입경이 1~10μm인 산화규소, 산화티탄, 산화알루미늄 등의 필러를 함유하는 수지 필름이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
이러한 수지 필름은, 예를 들면, 수지와 수계 또는 용제계의 용매를 포함하는 수지 조성물에 필러를 분산시킨 후, 필러를 함유하는 상기 수지 조성물을 기재상에 도포하고, 용매를 휘발시켜 수지를 경화시킴으로써 형성된다. 그리고, 수지 필름 상에 구리층 등의 금속층을 적층함으로써 금속 배선이 형성된다. 이때, 금속층을 적층하려면 토대로서 작용하는 수지 필름이 필요한 한편, 금속층을 적층한 후에는 금속 배선의 형상에 따라 불필요해진 수지 필름을 제거할 필요가 있다.
따라서, 수지 필름의 제거를 간편하고 효율적으로 행하기 위해, 필러로서 산화규소 등을 대신하여 페라이트 입자를 이용해 수지 필름에 대하여 자장을 인가함으로써 수지 필름을 흡착하여 제거하는 것을 생각할 수 있다.
상기 페라이트 입자로서, 예를 들면 특허문헌 2에 개시된 평균 입경이 20~50μm이며 자화(磁化)(포화 자화)가 약 60Am2/kg인 Mn-Mg계 페라이트 입자를 이용하는 것을 생각할 수 있다. 또한, 상기 페라이트 입자로서, 예를 들면 특허 문헌 3에 개시된 평균 입경이 1~2000nm이며 진구상(眞球狀)의 입자 형상을 구비하는 Mn-Mg계 페라이트를 이용하는 것을 생각할 수 있다.
또한, 페라이트 입자를 함유하는 수지 필름을 플렉서블 프린트 배선 재료로서 이용했을 때 전류 리크의 발생을 억제하여 내구성을 확보하기 위해서는, 페라이트 입자가 고저항인 것이 바람직하다.
일본 특허 출원 공개 제2014-074133호 공보 일본 특허 출원 공개 제2008-216339호 공보 일본 특허 출원 국제 공개 제2016/043051호
그러나, 특허문헌 2, 3에 개시된 페라이트 입자를 수지 필름 등의 수지 성형체에 이용한 경우에는, 페라이트 입자의 수지, 용매 또는 수지 조성물에 대해서 충분한 분산성을 얻을 수 없거나, 페라이트 입자에 의해 수지 성형체의 표면에 요철이 생기는 문제가 있다. 또한, 특허문헌 2, 3에 개시된 페라이트 입자는 고인가 전압시에 고저항을 얻을 수 없는 문제가 있다.
본 발명의 과제는, 포화 자화 및 전기 저항이 높고, 수지, 용매 또는 수지 조성물에 대한 분산성이 우수한 페라이트 입자, 그 페라이트 입자를 함유하는 수지 조성물 및 그 수지 조성물로 이루어지는 수지 성형체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자는, 평균 입경이 1~2000nm의 단결정체이며 다면체 형상의 입자 형상을 구비하고, Ni를 5~10중량% 함유하고 Zn를 15~30중량% 함유하며, Cu를 1~5중량% 함유하고 Fe를 25~50중량% 함유하는 것을 특징으로 한다.
상기 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자는 그 표면에 상기 Zn이 편석되어 있는 것이 바람직하다.
상기 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자는 그 표면에 상기 Cu가 편석되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 수지 조성물은 상기 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자를 필러로서 함유하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 수지 성형체는 상기 수지 조성물로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자는 Ni를 5~10중량% 함유하고 Zn을 15~30중량% 함유하며, Cu를 1~5중량% 함유하며 Fe를 25~50중량% 함유함으로써, 적절한 포화 자화와 높은 전기 저항을 양립하여 얻을 수 있어, 더욱 낮은 잔류 자화를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자는 평균 입경이 1~2000nm로 작고 잔류 자화가 낮음에 따라 입자끼리의 응집을 저감시킬 수 있으므로, 수지, 용매 또는 수지 조성물에 대한 우수한 분산성을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자는, Zn를 함유함으로써 다면체의 입자 형상으로 만들 수 있다. 또한, 본 발명과 관련되는 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자는 투자율의 절대값이 낮기는 하지만 입경이 매우 작고 단결정체이기 때문에, 주파수 특성이 우수할 뿐만 아니라 저주파측으로부터 고주파측까지의 폭넓은 대역에서 거의 일정한 투자율을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자는 상기 페라이트 입자를 필러로서 함유하는 수지 성형체에 매우 바람직하게 이용했을 때, 상기 페라이트 입자의 응집을 방지하여 평활한 표면을 얻을 수 있다.
도 1은 실시예 1의 페라이트 입자의 STEM 관찰에 의한 2차 전자상(배율 20만배)의 화상이다.
도 2는 실시예 1의 페라이트 입자의 TEM상(배율 20만배)의 화상이다.
도 3은 실시예 1의 페라이트 입자의 EDX 분석 결과를 나타내는 그래프이다.
도 4는 실시예 1 및 비교예 1의 페라이트 입자에서 복소 투자율의 실수부 μ′의 주파수 의존성을 나타내는 그래프이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 설명한다.
＜본 발명에 따른 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자＞
본 발명에 따른 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자(이하, 「페라이트 입자」라고 기재함.)는, 하기에 나타낸 바와 같이 특정의 페라이트 조성을 가짐으로써, 적절한 포화 자화와 높은 전기 저항을 양립하여 얻을 수 있으며, 잔류 자화를 낮게 할 수 있다. 그리고, 본 발명에 따른 페라이트 입자는 특정 범위의 평균 입경을 가지며 잔류 자화가 낮음에 따라, 수지, 용매 또는 수지 조성물에 대한 우수한 분산성을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자는 Zn를 함유함으로써 다면체의 입자 형상으로 만들 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 페라이트 입자는 투자율의 절대값은 낮지만 단결정체임에 따라, 교류 자장에 의해 생성된 자벽이 입계면을 통과하지 않기 때문에, 주파수 특성이 우수할 뿐만 아니라 자벽의 공명에 의한 투자율의 극대화는 보여지지만 저주파측으로부터 고주파측까지의 폭넓은 대역 에서 거의 일정한 투자율을 얻을 수 있다.
(평균 입경)
본 발명에 따른 페라이트 입자는 평균 입경이 1~2000nm이다. 평균 입경이 1nm 미만이면 표면 처리를 하였다고 해도 입자가 응집하여, 수지, 용매 또는 수지 조성물에 대한 우수한 분산성을 얻을 수 없다. 한편, 평균 입경이 2000nm를 넘으면, 상기 분산성을 확보할 수 있지만 페라이트 입자를 함유하는 성형체를 구성했을 때, 페라이트 입자의 존재에 의해 성형체의 표면에 요철이 생길 수 있다. 성형체가 전자 기기에 대한 배선, 케이블 등에 이용되는 플렉서블 프린트 배선 재료인 경우에는, 그 표면에 형성되는 금속 배선이 상기 요철에 의해 손상될 우려가 있다. 페라이트 입자의 평균 입경은 바람직하게는 1~800nm이며, 더욱 바람직하게는 1~300 nm이다.
(결정 형태)
본 발명에 따른 페라이트 입자는 그 형태가 단결정체이다. 다결정체인 페라이트 입자의 경우에는 소성에 의한 결정 성장 과정에서 1 입자내의 미세 구조에서 결정입계가 생긴다. 그 결과, 교류 자장에 의해 생성된 자벽이 입계면을 통과하는 경우, 결정입계에서 자벽이 붙잡히기 때문에 주파수 특성이 떨어질 수 있다. 이에 대해, 단결정체인 페라이트 입자의 경우에는 교류 자장에 의해 생성된 자벽이 입계면을 통과하지 않기 때문에 주파수 특성이 우수할 뿐만 아니라, 자벽의 공명에 의한 투자율의 극대화는 보여지지만 저주파측으로부터 고주파측까지의 폭넓은 대역 에서 거의 일정한 투자율을 얻을 수 있다.
(입자 형상)
본 발명에 따른 페라이트 입자는 Zn를 함유함으로써 다면체 형상으로 만들 수 있다. 이는, Zn의 포화 증기압이 높기 때문에 페라이트 입자의 성장시 Zn가 입자 내부에서 외부로 방출되고, 그때 Zn이 플럭스로서 기능하기 때문에 단결정이 되어, 생성된 입자는 결정 구조를 반영하여 다면체 형상이 된 것으로 생각된다.
(조성)
본 발명에 따른 페라이트 입자는 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자이며, 상기 페라이트 입자는 Ni를 5~10중량% 함유하고 Zn을 15~30중량% 함유하며, Cu를 1~5중량% 함유하고 Fe를 25~50중량% 함유한다. 본 발명에 따른 페라이트 입자는 상기 조성을 가지는 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자인 것으로부터, 후술하는 바와 같이 높은 포화 자화와 낮은 잔류 자화를 양립하여 얻을 수 있으며, 저인가 전압에서부터 고인가 전압의 범위에 걸쳐 높은 전기 저항을 안정적으로 얻을 수 있다.
Ni의 함유량이 5중량% 미만인 경우에는 전기 저항이 낮아지기 때문에 바람직하지 않다. 한편, Ni의 함유량이 10중량% 초과인 경우에는 상대적으로 Zn의 함유량이 너무 적어지기 때문에, 포화 자화를 높게 할 수 없다.
Zn의 함유량이 15중량% 미만인 경우에는 페라이트 입자의 표면에 Zn을 충분히 편석시킬 수 없어, 저인가 전압시의 저항이 낮아진다. 또한, 다면체 형상이 되기 어려울 수 있다. 한편, Zn의 함유량이 30중량% 초과인 경우에는 상대적으로 Ni의 함유량이 적어지기 때문에, 포화 자화를 높게 할 수 없다.
Cu의 함유량이 1중량% 미만인 경우에는 페라이트 입자의 표면에 Cu를 충분히 편석시킬 수 없어, 저인가 전압시의 저항이 낮아진다. 한편, Cu의 함유량이 5중량% 초과인 경우에는 상대적으로 Ni의 함유량이 적어지기 때문에, 포화 자화를 높게 할 수 없다.
Fe의 함유량이 25중량% 미만인 경우에는 Fe의 절대량이 적기 때문에 페라이트 성분이 생성되지 않아, 포화 자화를 높게 할 수 없다. 한편, Fe의 함유량이 45중량% 초과인 경우에는 페라이트 입자의 잔류 자화가 높아져 페라이트 입자끼리 쉽게 응집하여, 수지, 용매 또는 수지 조성물에 상기 페라이트 입자를 균일하게 분산시키기 곤란할 수 있다.
본 발명에 따른 페라이트 입자는, 그 표면에 Zn가 편석되어 있는 것이 바람직하다. 페라이트 입자의 내부에도 Zn는 존재하지만, 표면에 Zn가 편석되어 있음으로써, 후술하는 전기 저항을 보다 높게 할 수 있다.
본 발명에 따른 페라이트 입자는, 그 표면에 Cu가 편석되어 있는 것이 바람직하다. 페라이트 입자의 내부에도 Cu는 존재하지만, 표면에 Cu가 편석되어 있음으로써, 전기 저항을 보다 높게 할 수 있다. Cu의 표면 편석은 Zn가 표면 편석되어 있는 영역에서 일어나고 있을 수 있으며, Zn가 표면 편석되어 있지 않는 영역에서 일어나고 있을 수도 있다.
(포화 자화)
본 발명에 따른 페라이트 입자는 상기 조성의 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자인 것으로부터, 적절한 포화 자화를 얻을 수 있다. 이 때문에, 상기 페라이트 입자를 이용하여 수지 성형체를 구성했을 때, 자장의 인가에 의해 상기 수지 성형체를 흡착할 수 있다. 상기 페라이트 입자는 포화 자화가 20~60Am2/kg의 범위인 것이 바람직하다. 포화 자화가 20Am2/kg 미만이면, 자장의 인가에 의한 상기 수지 성형체의 흡착이 곤란할 수 있다. 한편, 상기 서술한 평균 입경을 가지는 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자에서는 60Am2/kg를 초과하는 포화 자화를 실현하는 것은 곤란하다.
(잔류 자화)
본 발명에 따른 페라이트 입자는 상기 조성의 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자인 것으로부터, 낮은 잔류 자화를 얻을 수 있다. 이 때문에 상기 페라이트 입자는, 수지, 용매 또는 수지 조성물에 대한 우수한 분산성을 얻을 수 있다. 상기 페라이트 입자는 잔류 자화가 5Am2/kg 이하인 것이 바람직하다. 잔류 자화가 5Am2/kg을 상회하면 페라이트 입자끼리 쉽게 응집하여, 수지, 용매 또는 수지 조성물에 상기 페라이트 입자를 균일하게 분산시키는 것이 곤란해질 수 있다.
(분체 저항)
본 발명에 따른 페라이트 입자는 상기 조성의 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자인 것으로터, 분체 저항(전기 저항)을 얻을 수 있다. 이 때문에, 상기 페라이트 입자를 포함하는 수지 성형체를 이용하여 프린트 배선 재료를 구성했을 때, 전류 리크의 발생을 방지함과 함께 내구성을 확보할 수 있다. 분체 저항은 체적 저항율이 1×107Ω·cm 이상인 것이 바람직하다.
저인가 전압시에 저저항이면, 페라이트 입자의 입자 표면에 전류가 쉽게 흐르기 때문에, 상기 페라이트 입자를 필러로서 함유하는 수지 성형체에서는 국소적인 핀 홀이나 막두께가 얇은 영역에서 전류가 흐르기 쉬워진다. 그 결과, 상기 페라이트 입자를 포함하는 수지 필름을 플렉서블 프린트 배선 재료로서 이용했을 때, 프린트 배선 재료 주변의 부품에 대한 전류 리크가 생기기 쉬운 문제가 있다. 또한, 고인가 전압시에 고저항이면, 페라이트 입자의 1 입자 전체에 흐르는 전류의 영향을 받기 쉽기 때문에, 상기 페라이트 입자를 함유하는 수지 성형체 전체가 과전류가 되어, 상기 수지 성형체가 변형되기 쉬운 문제가 있다. 이상으로부터, 페라이트 입자의 분체 저항은 인가 전압이 200~1000V인 범위에 걸쳐, 체적 저항율이 1×107Ω·cm 이상인 것이 더욱 바람직하다.
(BET 비표면적)
본 발명에 따른 페라이트 입자는 BET 비표면적이 1~30m2/g인 것이 바람직하다. BET 비표면적이 1m2/g미만이면 페라이트 입자를 함유하는 수지 조성물을 구성했을 때, 입자 표면과 수지 조성물 친화성이 불충분해져 입자 표면에 존재하는 수지 조성물이 국소적으로 부풀어 오를 수 있어, 이 수지 조성물을 이용하여 성형체를 구성했을 때, 성형체의 표면에 요철이 생길 수 있다.
＜페라이트 입자의 제조 방법＞
다음으로, 상기 페라이트 입자의 제조 방법에 대해 설명한다.
상기 페라이트 입자는, Fe, Ni, Zn 및 Cu를 포함하는 페라이트 원료를 대기중에서 용사하여 페라이트화하고, 이어서 급냉 응고한 후, 입경이 소정 범위 내인 입자만을 회수함으로써 제조할 수 있다.
상기 페라이트 원료를 조제하는 방법은 특별히 제한이 없으며, 종래 공지의 방법을 채용할 수 있으며, 건식에 의한 방법을 이용할 수 있고 습식에 의한 방법을 이용할 수도 있다.
페라이트 원료(조립물(造粒物))의 조제 방법의 일례를 들면, Fe 원료, Ni원료, Zn원료 및 Cu원료를 원하는 페라이트 조성이 되도록 적당량 칭량한 후, 물을 첨가하고 분쇄하여 슬러리를 제작한다. 제작한 분쇄 슬러리를 스프레이 드라이어로 조립하고, 분급하여 소정 입경의 조립물을 조제한다. 조립물의 입경은 얻어지는 페라이트 입자의 입경을 고려하면, 0.5~10μm 정도가 바람직하다. 또한, 다른 예로서는, 조성이 조제된 페라이트 원료를 혼합하고, 건식 분쇄를 행하여 각 원재료를 분쇄 분산시키고, 그 혼합물을 그라뉼레이터로 조립하고 분급하여 소정 입경의 조립물을 조제한다.
이와 같이 하여 조제된 조립물을 대기중에서 용사하여 페라이트화 한다. 용사에는, 가연성 가스 연소염으로서 연소 가스와 산소의 혼합 기체를 이용할 수 있으며, 연소 가스와 산소의 용량비는 1：3.5~6.0이다. 가연성 가스 연소염에서의 산소의 비율이 연소 가스에 대해서 3.5 미만이면 용융이 불충분해질 수 있고, 산소의 비율이 연소 가스에 대해서 6.0을 넘으면 페라이트화가 곤란해진다. 예를 들면, 연소 가스 10Nm3/hr에 대해서 산소 35~60Nm3/hr의 비율로 이용할 수 있다.
상기 용사에 이용되는 연소 가스로서는, 프로판 가스, 프로필렌 가스, 아세틸렌 가스 등을 이용할 수 있으며, 특히 프로판 가스를 매우 바람직하게 이용할 수가 있다. 또한, 조립물을 가연성 가스 연소중에 반송하기 위해, 조립물 반송 가스로서 질소, 산소 또는 공기를 이용할 수 있다. 반송되는 조립물의 유속은 20~60m/sec가 바람직하다. 또한, 상기 용사는 온도 1000~3500℃에서 행하는 것이 바람직하고, 2000~3500℃에서 행하는 것이 보다 바람직하다.
계속해서, 용사에 의해 페라이트화된 페라이트 입자를 대기중에서 공기 급기에 의한 기류에 실어 반송함으로써 급냉 응고한 후에, 평균 입경이 1~2000nm인 페라이트 입자를 포집하여 회수한다. 상기 포집은, 예를 들면, 급냉 응고한 페라이트 입자를 공기 급기에 의한 기류에 실어 반송하고, 입경이 상기 범위를 넘는 페라이트 입자에 대해서는 기류의 도중에 낙하시켜, 상기 범위의 입경을 구비하는 페라이트 입자를 기류의 하류측에 마련한 필터에 의해 포집하는 방법에 의해 행할 수 있다.
그 후, 회수한 페라이트 입자에 대해 필요에 따라서 분급을 행하여, 원하는 입경으로 입도 조정한다. 분급 방법으로서는, 기존의 풍력 분급, 메쉬 여과법, 침강법 등을 이용할 수 있다. 한편, 사이클론 등으로 입경이 큰 입자를 제거하는 것도 가능하다.
또한, 얻어진 페라이트 입자에 대해서 커플링제로 표면 처리를 가하는 것이 바람직하다. 커플링제로 표면 처리함으로써, 페라이트 입자의 수지, 용매 또는 수지 조성물에 대한 분산성을 보다 향상시킬 수 있다. 커플링제로서는, 각종 실란 커플링제, 티타네이트계 커플링제, 알루미네이트계 커플링제를 이용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 데실트리메톡시실란, n-옥틸트리에톡시실란을 이용할 수 있다. 표면 처리량은 페라이트 입자의 BET 비표면적에도 의존하지만, 실란 커플링제 환산으로 페라이트 입자에 대해 0.05~8중량%인 것이 바람직하다.
＜본 발명에 따른 페라이트 입자의 용도＞
본 발명에 따른 페라이트 입자는, 예를 들면, 플렉서블 프린트 배선 재료용의 수지 성형체에 이용할 수 있다. 우선, 페라이트 입자를 수지와 수계 또는 용제계의 용매를 포함하는 수지 조성물에 첨가하고, 교반, 혼합함으로써, 수지 조성물중에 페라이트 입자를 분산시킨다. 계속해서, 얻어진 필러를 함유하는 수지 조성물을 기재 상에 도포하고 용매를 휘발시켜 수지를 경화시킴으로써, 수지 성형체를 제작할 수 있다.
상기 페라이트 입자는, 상기 수지 성형체에서 자성(磁性) 필러(filler)로서 작용한다. 페라이트 입자는 포화 자화가 높고 잔류 자화가 낮기 때문에, 수지 성형체 상에 금속층을 적층하여 금속 배선을 형성할 때 자장을 인가함으로써, 불필요해진 수지 성형체를 흡착하여 제거할 수 있다.
상기 페라이트 입자는 저인가 전압에서부터 고인가 전압의 범위에 걸쳐 높은 전기 저항을 안정적으로 얻을 수 있으므로, 상기 페라이트 입자를 함유하는 수지 성형체를 플렉서블 프린트 배선 재료로서 이용했을 때, 전류 리크의 발생을 억제하여 내구성을 확보할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 페라이트 입자는 플렉서블 프린트 배선 재료용 수지 성형체에 한정되는 것은 아니며, 여러 가지 용도로 이용할 수 있다. 페라이트 입자를 필러, 특히 자성 필러로 이용할 수 있으며, 성형체용 원료로서 이용할 수도 있다. 페라이트 입자를 성형용 원료로서 이용하는 경우에는, 성형, 조립, 도공 등을 행할 수 있으며, 소성을 행할 수도 있다. 또한, 상기 서술한 바와 같이, 상기 페라이트 입자는 주파수 특성이 우수하고, 1MHz~2GHz의 주파수 대역에서 거의 일정한 투자율을 얻을 수 있으므로, 전자파 쉴드 재료로서도 사용 가능하다.
이하, 실시예 등에 기초하여 본 발명을 구체적으로 설명한다.
실시예
1. 페라이트 입자의 제작
〔실시예 1〕
산화철(Fe2O3), 산화니켈(NiO), 산화아연(ZnO) 및 산화구리(CuO)을 몰비로 44.9：16.7：33.4：5.1의 비율로 계량하고 혼합하였다. 물을 첨가하하고 분쇄하여 고형분 50중량%의 슬러리를 제작하였다. 제작된 슬러리를 스프레이 드라이어로 조립하고 분급하여 평균 입경 5μm의 조립물을 제작하였다.
다음으로, 얻어진 조립물을 프로판：산소=10Nm3/hr：35Nm3/hr의 가연성 가스 염소염중에 유속 약 40m/sec의 조건으로 용사를 행함으로써 페라이트화하고, 이어서 공기 급기에 의한 기류에 실어 반송함으로써 대기중에서 급냉하였다. 이때, 조립물을 연속적으로 유동시키면서 용사하였기 때문에, 용사·급냉 후의 입자는 서로 결착되지 않고 독립적이었다. 계속해서, 냉각된 입자를 기류의 하류측에 마련한 필터에 의해 포집하였다. 이때, 입경이 큰 입자는 기류의 도중에 낙하했기 때문에 필터에 의해 포집되지 않았다. 다음으로, 포집된 입자에 대해, 분급에 의해 입경이 2000nm를 넘는 거친 분말을 제거하고 페라이트 입자를 얻었다. 즉, 얻어진 페라이트 입자는 최대 입경이 2000nm 이하였다. 표 1에 제조 조건을 나타낸다.
〔실시예 2〕
본 실시예에서는, 산화철, 산화니켈, 산화아연 및 산화구리를 몰비로 45.6：12.3：35.4：6.8로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 페라이트 입자를 제작하였다.
〔비교예 1〕
본 비교예에서는, 산화철, 산화니켈, 산화아연 및 산화구리를 몰비로 43.22：6.17：43.69：6.64로 혼합한 것 이외에는, 실시예 1과 완전히 동일하게 하여 조립물을 얻었다. 계속해서, 본 비교예에서 얻어진 조립물을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 완전히 동일하게 하여 페라이트 입자를 제작하였다.
〔비교예 2〕
본 비교예에서는, 우선, 산화철, 산화니켈, 산화아연 및 산화구리를 몰비로 70.0：12.0：15.0：3.0로 혼합한 것 이외에는, 실시예 1과 완전히 동일하게 하여 조립물을 얻었다. 계속해서, 얻어진 조립물을 갑발(匣鉢)에 수용하고 전기로에서 1200℃, 4시간, 산소 농도 0체적%의 질소 분위기하에서 소성하여 페라이트화함으로써, 갑발의 형상에 맞은 덩어리가 된 소성물을 얻었다. 얻어진 소성물을 대기중에서 급냉하고, 냉각된 소성물을 유발로 마찰 분쇄함으로써 분쇄하여 페라이트 입자를 제작하였다.
〔비교예 3〕
본 비교예에서는, 산화철, 산화니켈, 산화아연 및 산화구리를 몰비로 44.9：16.7：38.0：5.1로 혼합한 것 이외에는, 실시예 1과 완전히 동일하게 하여 조립물을 얻었다. 계속해서, 본 비교예에서 얻어진 조립물을 이용하여 실시예 1과 완전히 동일하게 하여 용사한 후, 냉각된 입자를 기류에 싣지 않고 직접 포집한(모두 포집한) 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 페라이트 입자를 제작하였다.
〔비교예 4〕
본 비교예에서는, 산화철 및 이산화망간(MnO2)을 몰비로 80：20로 혼합한 것 이외에는 실시예 1과 완전히 동일하게 하여 조립물을 얻었다. 계속해서, 본 비교예에서 얻어진 조립물을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 완전히 동일하게 하여 페라이트 입자를 제작하였다.
〔비교예 5〕
본 비교예에서는, 산화철, 이산화망간, 산화마그네슘(MgO) 및 산화스트론튬(SrO)를 몰비로 50：40：10：1.25로 혼합한 것 이외에는 실시예 1과 완전히 동일하게 하여 조립물을 얻었다. 계속해서, 본 비교예에서 얻어진 조립물을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 완전히 동일하게 하여 페라이트 입자를 제작하였다.
Figure 112019039059594-pct00008
2. 도막 제작용 잉크의 조제 및 수지 성형체의 제작
실시예 1~2 및 비교예 1~5에서 얻어진 페라이트 입자를 필러로서 함유하는 수지 성형체를 제작하기 위해, 우선 다음과 같이 하여 상기 페라이트 입자를 함유 하는 수지 조성물로서의 도막 제작용 잉크를 조제하였다.
실시예 1~2 및 비교예 1~5의 페라이트 입자를 에폭시계 수지와 혼합하여, 도막 제작용 잉크를 조제하였다. 도막 제작용 잉크의 조제는 페라이트 입자 65중량부, 에폭시계 수지를 수지 고형분 환산으로 12중량부 및 톨루엔 48중량부를 혼합하여, 호모게나이저를 이용하여 분산시킴으로써 행하였다.
다음으로, 얻어진 도막 제작용 잉크를 이용하여 베이커식 아플리케이터(SA-201, 테스터 산업 주식회사)에 의해 기재로서의 PET 필름 또는 유리판 상에 도막을 형성하였다. 도막 두께는 4mil(101.6μm)로 하고 도막폭은 10cm로 하였다. 그 후, 용매를 건조시키고 수지를 경화시킴으로써 수지 성형체로서의 수지 필름을 얻었다.
3. 페라이트 입자의 평가 방법
얻어진 실시예 1~2 및 비교예 1~5의 페라이트 입자에 대해 화학 분석을 행함과 함께, 분체 특성(결정 형태, 입자 형상, 평균 입경, BET 비표면적, 표면 편석 원소), 자기 특성(포화 자화, 잔류 자화) 및 전기 특성(체적 저항율)을 평가하였다. 각 측정 방법은 이하와 같다. 결과를 표 2에 나타낸다. 체적 저항율은 인가 전압 200V 및 1000V 에서의 값을 나타낸다.
(화학 분석)
페라이트 입자에서의 금속 성분의 함유량은 다음과 같이 하여 측정하였다. 우선, 페라이트 입자 0.2g을 칭량하고, 순수 60mL에 1N의 염산 20mL 및 1N의 질산 20mL를 첨가한 것을 가열하여 페라이트 입자를 완전 용해시킨 수용액을 조제하였다. 얻어진 수용액을 ICP 분석 장치(ICPS-1000 IV, 주식회사 시마즈 제작소사제)에 세팅하고, 페라이트 입자에서의 금속 성분의 함유량을 측정하였다. 한편, 표 2 중의 「＜0.01」의 기재는, 측정 오차이거나, 또는 원료나 제조 공정 등에 유래하는 불가피적 불순물로서 존재하는 것을 의미하고 있다.
(결정 형태)
페라이트 입자의 결정 형태는 주사 투과 전자 현미경 HD-2700　Cs-corrected STEM(주식회사 히타치 하이테크놀로지제)를 이용하여 관찰하였다. 가속 전압은 200kV로 하였다. 도 1에, 실시예 1의 페라이트 입자의 STEM 관찰에 의한 2차 전자상(배율 20만배)의 화상을 나타낸다.
(입자 형상)
페라이트 입자의 형상은 투과형 전자 현미경 HF-2100　Cold-FE-TEM(주식회사 히타치 하이테크놀로지제)를 이용하여 관찰하였다. 가속 전압은 200kV로 하였다. 도 2에, 실시예 1의 페라이트 입자의 TEM상(배율 20만배)의 화상을 나타낸다.
(평균 입경)
실시예 1~2 및 비교예 2~3의 페라이트 입자에 대해서는, 수평 페레 지름름((Feret's diameter)을 평균 입경으로 하였다. 비교예 1, 4~5의 페라이트 입자에 대해서는 체적 평균 입경을 평균 입경으로 하였다.
(수평 페레 지름)
얻어진 페라이트 입자에 대해, 주사형 전자 현미경 FE-SEM(SU-8020, 주식회사 히타치 하이테크놀로지)를 이용하여 배율 20만배로 촬영하였다. 이때, 페라이트 입자를 100입자 이상 카운트 가능한 시야에서 촬영하였다. 촬영한 SEM 화상에 대해서 화상 해석 소프트웨어(Image-Pro　PLUS, 미디어 사이버네틱스(MEDIA　CYBERNETICS)사제)를 이용하여 화상 해석을 행하였다. 얻어진 각 입자의 화상에 대해 메뉴얼 측정에 의해 각 입자의 수평 페레 지름을 측정하고, 평균 입경으로 하였다.
(체적 평균 입경)
얻어진 페라이트 입자 10g을, 분산매로서의 물 80mL와 함께 비커에 넣고 분산제로서 헥사메타인산 나트륨 수용액을 2~3방울 첨가하였다. 이어서, 얻어진 용액에 대해 초음파 호모게나이저(UH-150, 주식회사 SMT제)에 의해, 출력 레벨 4로 20초간 발진시킴으로써, 용액중에 페라이트 입자를 분산시켰다. 다음으로, 비커 표면에 생긴 거품을 제거한 후 고액분리하여 페라이트 입자를 회수하였다. 회수한 페라이트 입자에 대해, 마이크로트랙 입도 분석계(Model 9320-X100, 닛키소 주식회사제)를 이용하여 체적 평균 입경을 측정하였다.
(BET 비표면적)
BET 비표면적의 측정은, 비표면적 측정 장치(Macsorb　HM　model-1208, 주식회사 마운텍크사제)를 이용하여 행하였다. 우선, 얻어진 페라이트 입자 약 10g을 약포지에 놓고 진공 건조기로 탈기하여 진공도가 -0.1MPa 이하인 것을 확인한 후, 200℃로 2시간 가열함으로써, 페라이트 입자의 표면에 부착되어 있는 수분을 제거하였다. 계속해서, 수분이 제거된 페라이트 입자를 상기 장치 전용의 표준 샘플 셀에 약 0.5~4g 넣고 정밀 천칭으로 정확하게 칭량하였다. 계속해서, 칭량한 페라이트 입자를 상기 장치의 측정 포트에 세팅하고 측정하였다. 측정은 1점법으로 행하였다. 측정 분위기는, 온도 10~30℃, 상대 습도 20~80%(결로 없음)였다.
(표면 편석 원소)
페라이트 입자를 상기 서술한 주사 투과 전자 현미경에 의해 관찰한 상(STEM상)에 대해, 에너지 분산형 X선 분석(EDX)을 행하였다. 분석에는 EDAX　Octane　T　Ultra　W(AMETEK사제)를 이용하였다. 도 3에, 실시예 1의 페라이트 입자의 EDX 분석 결과를 나타낸다.
(자기 특성)
자기 특성의 측정은 진동 시료형 자기 측정 장치(VSM-C7-10A, 도에이 공업 주식회사제)를 이용하여 행하였다. 우선, 얻어진 페라이트 입자를 내경 5mm, 높이 2mm의 셀에 충진하고 상기 장치에 세팅하였다. 상기 장치에서, 자장을 인가하여, 5K·1000/4π·A/m까지 소인(sweep)하였다. 계속해서, 인가 자장을 감소시켜 기록지 상에 히스테리시스 커브를 작성하였다. 이 커브에서, 인가 자장이 5K·1000/4π·A/m일 때의 자화를 포화 자화로 하고, 인가 자장이 0K·1000/4π·A/m일 때의 자화를 잔류 자화로 하였다.
(분체 저항)
분체 저항의 측정은 다음과 같이 행하였다. 우선, 단면적이 4cm2인 불소 수지제의 실린더에 높이 4mm가 되도록 시료(페라이트 입자)를 충전한 후, 양단에 전극을 장착하고 그 위로부터 1kg의 분동을 실은 상태로 만들었다. 계속해서, 키슬리사제 6517A형 절연 저항 측정기를 이용하여 상기 전극에 측정 전압(200V 및 1000V)을 인가하고 60초 후의 전기 저항을 측정하여, 체적 저항율을 산출하였다.
(투자율)
투자율의 측정은, 애질런트 테크놀로지사제 E4991A형 RF 임피던스/메터리얼·애널라이저　16454A 자성 재료 측정 전극을 이용하여 행하였다. 우선, 페라이트 입자 9g과 바인더 수지(Kynar301F： 폴리불화비닐리덴) 1g을 100cc의 폴리에틸렌제 용기에 수용하고, 100rpm의 볼 밀로 30분간 교반하여 혼합하였다. 교반 종료 후, 얻어진 혼합물 0.6g 정도를 내경 4.5mm, 외경 13mm의 다이스에 충전하고 프레스기로 40MPa의 압력으로 1분간 가압하였다. 얻어진 성형체를 열풍 건조기에 의해 온도 140℃로 2시간 가열 경화시킴으로써 측정용 샘플을 얻었다. 그리고, 측정용 샘플을 측정 장치에 세팅함과 함께, 사전에 측정해 둔 측정용 샘플의 외경, 내경, 높이를 측정 장치에 입력하였다. 측정은 진폭 100mV로 하여 주파수 1MHz~3GHz의 범위를 대수 스케일로 소인하고(logarithmic sweep), 복소 투자율의 실수부 μ＇를 측정하였다. 단, 주파수 2GHz를 넘는 주파수 대역에서는 측정 지그의 영향이 커 측정이 불가하였다. 얻어진 그래프를 도 4에 나타낸다.
Figure 112019032044052-pct00002
4. 도막 제작용 잉크 및 수지 성형체의 평가 방법
실시예 1~2 및 비교예 1~5에서 얻어진 페라이트 입자를 이용한 도막 제작용 잉크 및 그 도막 제작용 잉크를 이용하여 형성된 수지 성형체에 대해, 다음과 같이 평가하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.
(분산성)
실시예 1~2 및 비교예 1~5에서 얻어진 페라이트 입자를 이용한 도막 제작용 잉크에 대해, 교반시에 균일하게 분산되기까지 필요로한 시간으로부터 페라이트 입자의 수지 조성물에 대한 분산성을 평가하였다. 표 3 중의 각 기호의 의미는 이하와 같다. 한편, 균일하게 분산되었는지 아닌지의 판정은 육안으로 행하였다.
　　○： 균일하게 분산될 때까지의 교반 시간이 5분 미만.
　　△： 균일하게 분산될 때까지의 교반 시간이 5분 이상 30분 미만.
　　×： 균일하게 분산될 때까지의 교반 시간이 30분 이상.
(표면 평활성)
상기 도막 제작용 잉크를 이용하여 형성된 수지 성형체에 대해, 마이크로미터를 사용하여 막두께를 측정하였다. 측정은 위치를 바꾸어 9회 행하였다. 그리고, 최대 막두께를 최소 막두께와의 차이(최대 막두께-최소 막두께)를 산출하여 그 차이로부터 수지 성형체의 표면 평활성을 평가하였다. 표 3 중의 각 기호의 의미는 이하와 같다.
　　○： 최대 막두께-최소 막두께=10μm 이하.
　　△： 최대 막두께-최소 막두께=10μm보다 크고 20μm 미만.
　　×： 최대 막두께-최소 막두께=20μm 이상.
Figure 112019032044052-pct00003
5. 페라이트 입자의 평가 결과
도 1에 나타낸 바와 같이, 실시예 1의 페라이트 입자는 다면체 형상의 입자 형상을 구비하는 것이 분명하다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 실시예 1의 페라이트 입자의 내부에 결정입계가 관찰되지 않은 것으로부터, 실시예 1의 페라이트 입자는 단결정체임이 분명하다. 표 1에 나타낸 바와 같이, 실시예 1의 페라이트 입자는 평균 입경이 1~2000nm의 범위내였다. 또한, 실시예 2의 페라이트 입자에 대해서도 실시예 1의 페라이트 입자와 동일한 결과를 얻을 수 있었다.
표 2에 나타낸 바와 같이, 실시예 1, 2의 페라이트 입자는 금속 성분이 Fe, Ni, Zn 및 Cu로 이루어지며 Ni의 함유량이 5~10중량%의 범위내이고, Zn의 함유량이 15~30중량%의 범위내이고 Cu의 함유량이 1~5중량%의 범위내이며, Fe의 함유량이 25~45중량%의 범위내였다. 실시예 1 및 실시예 2의 페라이트 입자에 포함되는 Mn 및 Sr은 원료나 제조 공정 등에 유래하는 불가피적 불순물인 것으로 생각된다. 또한, 실시예 1, 2의 페라이트 입자는 상기 서술한 금속 이외의 금속 성분에 대해서는 검출 한계 이하였다.
또한, 실시예 1, 2의 페라이트 입자는 포화 자화가 20Am2/kg 이상, 잔류 자화가 5Am2/kg 이하이며, 인가 전압 200V 및 1000V에서의 체적 저항율이 1×107Ω·cm 이상이었다. 따라서, 실시예 1, 2의 페라이트 입자는 포화 자화가 높으며 저인가 전압에서부터 고인가 전압의 범위에 걸쳐 높은 전기 저항을 안정적으로 얻을 수 있으며, 잔류 자화가 낮음이 분명하다.
도 3은, 실시예 1의 페라이트 입자의 EDX 분석 결과를 나타내는 그래프이다. 가로축은 입자 외표면으로부터 내부를 향해 소인된 전자선의 이동 거리(단위：μm)를 나타내고, 세로축은 산소, 철, 니켈, 구리 및 아연의 강도를 나타내고 있다. 도 3의 가로축 0.004μm 부근에서 각 선이 상승하고 있는 것으로부터, 가로축 0.004μm 부근이 페라이트 입자의 표면에 상당한다고 생각된다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 아연을 나타내는 선은 가로축이 0.004~0.006μm의 범위에서 강도가 극대값을 나타내고, 0.006μm 이상에서는 강도가 저하되고 있다. 이 결과로부터, 페라이트 입자의 외표면의 아연 함유량은 내부보다 많고, 페라이트 입자의 외표면으로부터 깊이 0.002μm까지의 영역에 아연이 편석되어 있는 것이 분명하다. 또한, 구리를 나타내는 선은 가로축이 0.004~0.006μm의 범위에서 강도가 극대값을 나타내고, 0.006μm 이상에서는 강도가 저하하고 있다. 이 결과로부터, 페라이트 입자의 외표면의 구리 함유량은 내부보다 많고, 페라이트 입자의 외표면으로부터 깊이 0.002μm까지의 영역에 구리가 편석되어 있는 것이 분명하다. 실시예 2의 페라이트 입자에 대해서도, 도 3과 동일한 결과를 얻을 수 있었다.
한편, 비교예 1의 페라이트 입자는 실시예 1~2의 페라이트 입자와 마찬가지로, 평균 입경이 1~2000nm의 단결정체이며 다면체 형상의 입자 형상을 구비함이 확인되었다. 또한, 비교예 1의 페라이트 입자는, 실시예 1, 2의 페라이트 입자와 비교하여 포화 자화가 낮고, 인가 전압 200V에서의 체적 저항율이 낮았다. 이는, 비교예 1에서는 실시예 1, 2와 비교하여 철의 함유량이 작고 아연의 함유량이 큰 것이 원인으로 생각된다.
비교예 2의 페라이트 입자는 다면체의 입자 형상을 구비하지만, 실시예 1, 2의 페라이트 입자와는 달리 평균 입경이 0.24μm로 큰 다결정체임이 확인되었다. 이는, 비교예 2에서는 전기로에 의한 소성을 행하였기 때문으로 생각된다.
비교예 3의 페라이트 입자는 단결정체로 이루어지는 입자와 다결정체로 이루어지는 입자가 혼재하고 있으며, 실시예 1, 2의 페라이트 입자와 비교하여 평균 입경이 컸다. 이는, 비교예 3에서는 용사·냉각된 페라이트 입자를 모두 포집했기 때문에 입경이 큰 입자까지 포함되게 되어, 평균 입경이 커진 것으로 생각된다.
Mn계 페라이트 입자인 비교예 4의 페라이트 입자는 실시예 1, 2의 페라이트 입자와 마찬가지로, 평균 입경이 1~2000nm의 단결정체였지만, 입자 형상이 진구상이었다. 또한, 비교예 4의 페라이트 입자는 실시예 1, 2의 페라이트 입자와 비교하여 잔류 자화가 높고, 인가 전압 200V 및 1000V에서의 체적 저항율이 낮았다.
Mn-Mg계 페라이트 입자인 비교예 5의 페라이트 입자는, 실시예 1, 2의 페라이트 입자와 마찬가지로 평균 입경이 1~2000nm인 단결정체였지만, 입자 형상이 진구상이었다. 또한, 비교예 5의 페라이트 입자는, 실시예 1~2의 페라이트 입자와 비교하여 잔류 자화가 높고, 인가 전압 1000V에서의 체적 저항율이 낮았다.
도 4에, 실시예 1 및 비교예 1의 복소 투자율의 실수부 μ＇의 주파수 의존성을 나타내는 그래프를 나타낸다. 도 4로부터, 실시예 1의 페라이트 입자는 복소 투자율의 실수부 μ＇의 값 자체는 낮기는 하지만, 주파수 변동이 작고 1MHz~2GHz의 주파수 대역에서 거의 일정한 값을 나타내는 것이 분명하다. 한편, 비교예 1의 페라이트 입자는 실시예 1의 페라이트 입자와 마찬가지로 주파수 변동이 작기는 하지만, 복소 투자율의 실수부 μ＇의 값이 실시예 1보다 낮은 것이 분명하다.
6. 도막 제작용 잉크 및 수지 성형체의 평가 결과
표 3에 나타낸 바와 같이, 실시예 1, 2의 페라이트 입자는 수지 조성물에 대한 분산성이 우수하였다. 따라서, 실시예 1, 2의 페라이트 입자는 수지 성형체를 제조할 때 우수한 생산성을 확보할 수 있다고 생각된다. 실시예 1, 2의 페라이트 입자가 분산성이 우수한 것은, 평균 입경이 작으며 잔류 자화가 낮기 때문으로 생각된다. 또한, 실시예 1, 2의 페라이트 입자를 포함하는 도막 제작용 잉크는 표면의 요철이 작고 표면 평활성이 우수한 수지 성형체를 형성할 수 있었다.
한편, 비교예 2, 3의 페라이트 입자는 평균 입경이 크기 때문에, 수지 조성물에 대한 분산성이 낮고 분산되기까지 장시간을 필요로 하였다. 또한, 비교예 2의 페라이트 입자를 포함하는 도막 제작용 잉크는 도막화되지 못하여 수지 성형체를 형성할 수 없었다. 비교예 3의 페라이트 입자를 포함하는 도막 제작용 잉크는 표면의 요철이 크고 찌그러진 수지 성형체가 되었다.
비교예 4, 5의 페라이트 입자는 잔류 자화가 높기 때문에, 입자끼리 쉽게 응집하여, 분산되기까지 장시간을 필요로 하였다. 비교예 4, 5의 페라이트 입자를 포함하는 도막 제작용 잉크는 표면의 요철이 작고 표면 평활성이 우수한 수지 성형체를 형성할 수 있었다. 그러나, 비교예 4, 5의 페라이트 입자는 도막 제작용 잉크를 조제할 때 장시간을 필요로 한 것으로부터, 수지 성형체를 제조할 때의 생산성이 낮은 것으로 생각된다.
이상의 결과로부터, 실시예 1, 2의 페라이트 입자는 높은 포화 자화와 높은 전기 저항을 양립하여 구비함과 함께, 수지 조성물에 대한 분산성이 높은 것이 분명하다. 그리고, 실시예 1, 2의 페라이트 입자는 수지 성형체를 구성했을 때 우수한 표면 평활성을 구비하는 수지 성형체를 구성할 수 있음이 분명하다.
본 발명에 따른 페라이트 입자는, 높은 포화 자화와 높은 전기 저항을 양립하여 구비함으로써, 자기 필러나 성형체 원료로서 매우 바람직하다. 또한, 상기 페라이트 입자는 평균 입경이 작고 잔류 자화가 낮기 때문에, 수지, 용매 또는 수지 조성물에 대한 우수한 분산성을 얻을 수 있다. 이 때문에, 상기 페라이트 입자는 상기 페라이트 입자를 필러로서 함유하는 수지 조성물을 조제하고, 상기 수지 조성물로 이루어지는 수지 필름 등의 성형체를 구성했을 때, 성형체의 표면에서 페라이트 입자의 응집을 방지하여 평활한 표면을 얻을 수 있어, 그 생산성이 더욱 우수하다.
또한, 상기 페라이트 입자를 필러로서 함유하는 수지 조성물 또는 상기 수지 조성물로 이루어지는 상기 수지 성형체를 전자 기기에 대한 배선, 케이블 등에 이용되는 플렉서블 프린트 배선 재료로서 이용함으로써, 금속 배선을 형성하는 공정중에, 불필요해진 상기 수지 성형체를 자장에 의해 흡착하여 제거할 수 있기 때문에, 간편하고 효율적으로 금속 배선을 형성할 수 있다. 또한, 얻어진 플렉서블 배선 재료는 저인가 전압에서부터 고인가 전압의 범위에 걸친 높은 전기 저항을 안정적으로 얻을 수 있는 상기 페라이트 입자를 포함하므로, 전류 리크의 발생을 억제하여 내구성을 확보할 수 있다.

Claims (5)

  1. 평균 입경이 1~2000nm의 단결정체이며 다면체 형상의 입자 형상을 구비하고,
    Ni를 5~10중량% 함유하고 Zn를 15~30중량% 함유하며, Cu를 1~5중량% 함유하고 Fe를 25~50중량% 함유하는 것을 특징으로 하는 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자의 표면에 상기 Zn이 편석되어 있는 것을 특징으로 하는 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자의 표면에 상기 Cu가 편석되어 있는 것을 특징으로 하는 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 Ni-Zn-Cu계 페라이트 입자를 필러로서 함유하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  5. 제4항에 기재된 수지 조성물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수지 성형체.
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