KR102014483B1 - 미산성 차아염소산수 제조용 전해조 및 이를 구비하는 미산성 차아염소산수 제조 장치 - Google Patents

미산성 차아염소산수 제조용 전해조 및 이를 구비하는 미산성 차아염소산수 제조 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명에 의하면, 미산성 차아염소산수를 제조하기 위하여 희석 염산을 전기분해하여 염소가스를 발생시키는 전해조로서, 희석 염산이 전기분해되는 전해공간; 상기 전해공간과 연통되어서 상기 희석 염산가 상기 전해공간으로 유입되는 유입구; 상기 전해공간과 연통되어서 상기 염소가스가 배출되고 상기 유입구보다 위에 위치하는 배출구; 상기 전해공간에서 상기 희석 염산의 전기분해를 위해 설치되는 제1 전극과 제2 전극을 구비하는 전극 구조물; 및 상기 희석 염산의 상기 전해공간 내 유동 거리 증가를 위하여, 상기 유입구를 통해 유입된 상기 희석 염산이 수평방향을 따라 방향을 전환하여 유동하면서 상기 배출구를 향해 상승하도록 상기 전해공간에서 상기 유입구와 상기 배출구의 사이의 높이에 위치하는 배플판을 구비하는 배플 구조물을 포함하는 미산성 차아염소산수 제조용 전해조가 제공된다.

Description

미산성 차아염소산수 제조용 전해조 및 이를 구비하는 미산성 차아염소산수 제조 장치 {ELECTROLYZER FOR PRODUCING SLIGHT ACIDIC HYPOCHLOROUS ACID WATER APPARATUS FOR PRODUCING SLIGHT ACIDIC HYPOCHLOROUS ACID WATER WITH THE SAME}
본 발명은 미산성 차아염소산수 제조 기술에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 미산성 차아염소산수 제조용 전해조 및 이를 구비하는 미산성 차아염소산수 제조 장치에 관한 것이다.
차아염소산(HClO, Hypochloroua acid)을 함유하는 차아염소산수(Hypochlorous acid water)는 소취 및 살균소독의 기능을 갖는 수용액으로서, 2007년 11월 식약청 고시 제2007-74호에 의거 식품용 살균소독제로 인가되었다. 특히, pH 5~6.5 사이의 영역의 차아염소산수를 미산성 차아염소산수라 하며, 살균력이 우수하면서 유해성분도 발산하지 않기 때문에 가장 널리 사용되고 있다.
일반적으로 미산성 차아염소산수는 희석 염산을 무격막 전해조에서 전기분해하여 생성된 염소가스를 물과 혼합하여 생산되는데, 본 발명과 관련된 선행특허문헌인 등록특허 제10-1391193호에는 사각 프레임의 스페이서와, 스페이서의 양측에 배치되어 스페이서와 함께 전해공간을 구성하는 한 쌍의 전극을 구비하는 미산성 차아염소산수 제조용 전해조가 기재되어 있다. 상기 선행특허문헌에 기재된 바와 같은 종래의 미산성 차아염소산수 제조용 전해조는 희석염산이 전해조의 아래에서 공급되고 상부로 배출되는 구조인데, 이러한 종래의 구조에서 전기분해에 의해 발생되는 염소가스, 수소가스, 산소가스 등의 가스가 전해공간에서 상승하면서 전해공간 내부의 희석염산의 유속을 상승시키게 되고, 이는 전해질의 전기분해 효율을 떨어뜨리는 요인으로 작용하고 있어서 개선이 요구된다.
대한민국 등록특허공보 등록번호 제10-1391193호 (2014.05.20.)
본 발명의 목적은 미산성 차아염소산수 제조용 전해조 및 이를 구비하는 미산성 차아염소산수 제조 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 희석 염산의 전기분해 효율을 향상시키는 미산성 차아염소산수 제조용 전해조 및 이를 구비하는 미산성 차아염소산수 제조 장치를 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면, 미산성 차아염소산수를 제조하기 위하여 희석 염산을 전기분해하여 염소가스를 발생시키는 전해조로서, 희석 염산이 전기분해되는 전해공간; 상기 전해공간과 연통되어서 상기 희석 염산가 상기 전해공간으로 유입되는 유입구; 상기 전해공간과 연통되어서 상기 염소가스가 배출되고 상기 유입구보다 위에 위치하는 배출구; 상기 전해공간에서 상기 희석 염산의 전기분해를 위해 설치되는 제1 전극과 제2 전극을 구비하는 전극 구조물; 및 상기 희석 염산의 상기 전해공간 내 유동 거리 증가를 위하여, 상기 유입구를 통해 유입된 상기 희석 염산이 수평방향을 따라 방향을 전환하여 유동하면서 상기 배출구를 향해 상승하도록 상기 전해공간에서 상기 유입구와 상기 배출구의 사이의 높이에 위치하는 배플판을 구비하는 배플 구조물을 포함하는 미산성 차아염소산수 제조용 전해조가 제공된다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 희석 염산이 저장되는 염산 탱크; 상기 염산 탱크에 저장된 상기 희석 염산을 전기분해하여 염소가스를 발생시키는 전해조; 및 원수와 상기 염소가스를 혼합하여 미산성 차아염소산수를 생성하는 차아염소산 생성조를 포함하며, 상기 전해조는, 상기 희석 염산이 전기분해되는 전해공간과, 상기 전해공간과 연통되어서 상기 희석 염산이 유입되는 유입구와, 상기 전해공간과 연통되어서 상기 염소가스가 외부로 배출되고 상기 유입구보다 위에 위치하는 배출구와, 상기 전해 공간에서 상기 희석 염산를 전기분해하는 제1 전극 및 제2 전극과, 상기 희석 염산의 상기 전해공간 내 유동 거리 증가를 위하여, 상기 유입구를 통해 유입된 상기 희석 염산이 수평방향을 따라 방향을 전환하여 유동하면서 상기 배출구를 향해 상승하도록 상기 전해공간에서 상기 유입구와 상기 배출구의 사이의 높이에 위치하는 배플판을 구비하는 구비하는, 미산성 차아염소산수 제조 장치가 제공된다.
본 발명에 의하면 앞서서 기재한 본 발명의 목적을 모두 달성할 수 있다. 구체적으로는, 전해조의 전해공간에서 희석 염산이 지그재그 형태로 유동하면서 상승하도록 하여 전체 유동거리를 증가시키는 복수개의 배플판들이 구비되므로, 전해공간에서 희석 염산의 전기분해 효율이 향상된다.
또한, 복수개의 배플판들 사이의 높이가 위로 갈수록 증가하도록 형성되어서 하류 측에서 유로의 폭이 크므로, 전기분해에 의해 발생하는 가스에 의한 상승 유속의 증가가 상쇄되어서 희석 염산의 유동 속도가 일정하게 유지됨에 따라 전체적인 희석 염산의 전기분해 효율이 더욱 향상된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 미산성 차아염소산수 제조 장치의 구성을 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 미산성 차아염소산수 제조 장치에 구비되는 전해조의 일 실시예를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 전해조의 A-A'선에 대한 단면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 전해조의 B-B'선에 대한 단면도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.
도 1에는 본 발명의 일 실시예에 따른 미산성 차아염소산수 제조 장치가 블록도로서 개략적으로 도시되어 있다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 미산성 차아염소산수 제조 장치(100)는 미산성 차아염소산수의 원료인 염산이 저장되는 염산 탱크(110)와, 염산 탱크(110)로부터 공급되는 염산을 전기분해하여 염소가스를 발생시키는 전해조(120)와, 미산성 차아염소산수의 제조에 필요한 원수를 공급하는 원수 공급부(130)와, 전해조(120)로부터 공급되는 염소가스와 원수 공급부(130)로부터 공급되는 원수를 반응시켜서 미산성 차아염소산수를 생성하는 차아염소산 생성조(140)와, 차아염소산 생성조(140)에서 생성된 미산성 차아염소산수가 저장되는 저장탱크(150)를 포함한다.
염산 탱크(110)에는 미산성 차아염소산수의 원료인 염산이 저장된다. 염산 탱크(110)에 저장된 염산은 대체로 2 내지 6% 염산의 희석 염산이다. 염산 탱크(110)에 저장된 희석 염산은 펌프(미도시)에 의해 전해조(120)로 공급되어서 전기분해된다.
전해조(120)는 염산 탱크(110)에 저장된 희석 염산을 공급받아서 전기분해하여 염소가스를 발생시킨다. 도 2에는 전해조(120)가 사시도로서 도시되어 있고, 도 3에는 전해조(120)가 도 2의 A-A'선에 대한 단면도로서 도시되어 있으며, 도 4에는 전해조(120)가 도 2의 B-B'선에 대한 단면도로서 도시되어 있다. 도 2 내지 도 4를 참조하면, 전해조(120)는 케이스(121)와, 케이스(121)의 내부에 수용되는 전극 구조물(124)과, 케이스(121)의 내부에 수용되는 배플(baffle) 구조물(125)을 구비한다.
케이스(121)는 내부에 전극 구조물(124)과 배플 구조물(125)가 수용되는 수용 공간을 제공한다. 케이스(121)의 하부에는 유입관부(121a)가 형성되고, 케이스(121)의 상부에는 배출관부(121b)가 형성된다. 유입관부(121a)에는 염산 탱크(110)로부터 희석 염산이 유입되는 유입구(122a)가 형성되며, 배출관부(121b)에는 전해조(120)로부터 염소가스가 배출되는 배출구(122b)가 형성된다. 케이스(121)의 내부에는 희석 염산에 대한 전기분해가 일어나는 전해공간(120a)이 형성된다. 전해공간(120a)의 하단에는 유입구(122a)가 연통되고, 전해공간(120a)의 상단에는 배출구(122b)가 연통된다.
전극 구조물(124)은 케이스(121)의 내부에 형성된 수용 공간에 수용되어서 설치된다. 전극 구조물(124)은 벽 형태로 세워져서 서로 대향하며 일정 거리 이격 배치되는 제1 전극(124a)과 제2 전극(124b)을 구비한다. 도시되지는 않았으나, 제1 전극(124a)과 제2 전극(124b)으로 희석 염산의 전기분해를 위한 외부 전원이 인가된다. 제1 전극(124a)과 제2 전극(124b)의 사이의 공간이 전해공간(120a)을 형성하며, 전해공간(120a)에 배플 구조물(125)이 설치된다. 도시된 바와 같이 두 전극(124a, 124b)은 평행하게 배치되어서 두 전극(124a, 124b) 사이의 간격은 높이방향을 따라서 일정하게 유지된다. 제1 전극(124a)과 제2 전극(124b)에 의한 희석염산에 대한 전기분해에 의해 전해공간(120a)에서 염소가스가 발생하며, 이때 수소가스와 산소가스도 함께 발생한다. 전해공간(120a)에서 발생한 염소가스는 수소가스 및 산소가스와 함께 상승하여 배출구(122b)를 통해 배출된다.
배플 구조물(125)은 케이스(121)의 내부에 형성된 전해공간(120a)에 설치되어서, 유입구(122a)를 통해 유입된 희석 염산이 지그재그 형태로 유동하면서 상승하도록 한다. 배플 구조물(125)은 제1 전극(124a)과 제2 전극(124b)에 배치되어서 스페이서로서의 기능도 한다. 배플 구조물(125)은 개방된 내부 영역을 제공하는 테두리부(125a)와, 테부리부(125a)로부터 연장되어서 개방된 내부 영역에 위치하는 복수개의 배플판(126, 127, 128)들을 구비한다.
테두리부(125a)는 단일폐곡선으로 연장되는 형태로서, 테두리부(125a)의 내부 공간은 테두리부(125a)와 두 전극(124a, 124b)에 의해 밀폐되어서 전해공간(120a)을 형성한다. 본 실시예에서는 테두리부(125a)가 대체로 직사각형 형태인 것으로 설명하는데, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다. 테두리부(125a)의 하부에는 유입구(122a)와 통하는 하부 구멍(1251a)가 형성되고, 테두리부(125a)의 상부에는 배출구(122b)와 통하는 상부 구멍(1251b)이 형성된다. 테두리부(125a)의 상부의 내면(하면)은 상부 구멍(1251b) 쪽으로 갈수록 높아지도록 경사져서 염소가스 등의 배출이 용이하도록 한다.
복수개의 배플판(126, 127, 128)들 각각은 전해공간(120a)에 위치하도록 테두리부(125a)로부터 연장되어서 형성된 판상의 형태이다. 복수의 배플판(126, 127, 128)들 각각은 수평방향으로 연장되어서 전해공간(120a)에서 희석 염산이 곧바로 수직 상방으로 유동하는 것을 막는다. 복수개의 배플판(126, 127, 128)들은 연직방향(높이방향)을 따라서 차례대로 이격되어서 배치된다. 복수개의 배플판(126, 127, 128)들은 전해공간(120a)에서 테두리부(125a)의 제1 측부(1252a)로부터 반대측인 제2 측부(1252b)을 향해 수평으로 연장되는 두 제1 배플판(126, 128)들과, 전해공간(120a)에서 테두리부(125a)의 제2 측부(1252b)으로부터 반대측인 제1 측부(1252a)을 향해 수평으로 연장되는 하나의 제2 배플판(127)을 구비한다. 본 실시예에서는 두 제1 배플판(126, 128)들과 하나의 제2 배플판(127)이 연직방향을 따라서 교대로 배치되는 것으로 설명한다. 본 실시예에서는 배플판(126, 127, 128)이 3개인 것으로 설명하는데, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다.
복수개의 배플판(126, 127, 128)들 각각의 양측은 두 전극(124a, 124b)과 각각 밀착한다. 또한, 복수개의 배플판(126, 127, 128)들 각각의 연장방향 끝단은 테두리부(125a)의 대향하는 측부(1252a, 1252b)와 이격된다. 그에 따라, 전해공간(120a)에서 희석 염산은 복수개의 배플판(126, 127, 128)들 각각의 끝단부에 마련되는 통로부(126b, 127b, 128b)들을 통해서만 상부로 유동하게 된다. 배플판(126, 127, 128))은 다른 인접한 배플판(126, 127, 128)의 끝단보다 더 연장되도록 형성되어서, 제1 배플판(126, 127)과 제2 배플판(128)은 중앙부에 일부 겹치는 부분이 형성됨으로써, 전해공간(120a)에서 희석 염산은 지그재그 형태로 유동하며 상승하게 된다.
복수개의 배플판(126, 127, 128)들에 의해 전해공간(120a)에는 높이방향을 따라서 위치하는 복수개의 유로(126a, 127a, 128a, 129a)들이 형성된다. 복수개의 유로(126a, 127a, 128a, 129a)들은 높이방향을 따라서 아래로부터 위로 차례대로 위치하는 제1 유로(126a), 제2 유로(127a), 제3 유로(128a) 및 제4 유로(129a)를 구비한다, 복수개의 유로(126a, 127a,128a, 129a)들 각각은 수평방향을 따라서 연장된다.
제1 유로(126a)는 복수개의 배플판(126, 127, 128)들 중 가장 아래에 위치하는 배플판(126)과 전해공간(120a)의 하면 사이에 형성되어서 수평방향을 따라서 연장되는 유로이다. 제1 유로(126a)는 유입구(122a)와 연통된다. 제1 유로(126a)는 D1의 높이를 갖는다. 제1 유로(126a)는 배플판(126)의 끝단과 제2 측부(1252b) 사이에 형성된 제1 통로부(126b)에 의해 상부의 제2 유로(127a)와 연통된다. 즉, 유입구(122a)를 통해 유입된 희석 염산은 제1 유로(126a)를 통해 유동하고 제1 통로부(126b)를 통해 상승하여 제2 유로(127a)로 들어간다.
제2 유로(127a)는 복수개의 배플판(126, 127, 128)들 중 가장 아래에 위치하는 배플판(126)과 그 위에 위치하는 배플판(127)의 사이에 형성되어서 수평방향을 따라서 연장되는 유로이다. 제2 유로(127a)의 높이(D2)는 제1 유로(126a)의 높이(D1)보다 크다. 그에 따라, 제1 유로(126a)보다 하류에 위치하는 제2 유로(127a)는 제1 유로(126a)보다 큰 단면적을 갖게 되어서, 제2 유로(127a)에서의 유속이 제1 유로(126a)에서의 유속보다 감소되는 효과를 제공하게 된다. 제1 통로부(126b)의 폭(W1)(배플판(126)과 제2 측부(1252b) 사이의 거리)은 제1 유로(126a)의 높이(D1) 이상 제2 유로(127a)의 높이(D2) 이하인 것이 바람직하다. 제2 유로(127a)는 배플판(127a)의 끝단과 제1 측부(1252a) 사이에 형성된 제2 통로부(127b)에 의해 상부의 제3 유로(128a)와 연통된다. 즉, 제1 통로부(126b)를 통해 제2 유로(127a)로 들어온 희석 염산은 유동 방향을 바꿔서 제2 유로(127a)를 따라서 제2 통로부(127b) 쪽으로 유동하며, 제2 통로부(127b)를 통해 상승하여 제3 유로(128a)로 들어간다.
제3 유로(128a)는 복수개의 배플판(126, 127, 128)들 중 가장 위에 위치하는 배플판(128)과 그 아래에 위치하는 배플판(127)의 사이에 형성되어서 수평방향을 따라서 연장되는 유로이다. 제3 유로(128a)의 높이(D3)는 제2 유로(127a)의 높이(D2)보다 크다. 그에 따라, 제2 유로(127a)보다 하류에 위치하는 제3 유로(128a)는 제2 유로(127a)보다 큰 단면적을 갖게 되어서, 제3 유로(128a)에서의 유속이 제2 유로(127a)에서의 유속보다 감소되는 효과를 제공하게 된다. 제2 통로부(127b)의 폭(W2)(배플판(127)과 제1 측부(1252a) 사이의 거리)은 제2 유로(127a)의 높이(D2) 이상 제3 유로(128a)의 높이(D3) 이하인 것이 바람직하다. 제3 유로(128a)는 배플판(128a)의 끝단과 제2 측부(1252b) 사이에 형성된 제3 통로부(128b)에 의해 상부의 제4 유로(129a)와 연통된다. 즉, 제2 통로부(127b)를 통해 제3 유로(128a)로 들어온 희석 염산은 유동 방향을 바꿔서 제3 유로(128a)를 따라서 제3 통로부(128b) 쪽으로 유동하며, 제3 통로부(128b)를 통해 상승하여 제4 유로(129a)로 들어간다.
제4 유로(129a)는 복수개의 배플판(126, 127, 128)들 중 가장 위에 위치하는 배플판(128)과 그 아래에 위치하는 전해공간(120a)의 상면 사이에 형성되어서 수평방향을 따라서 연장되는 유로이다. 제4 유로(129)는 배출구(122b)와 연통된다. 제4 유로(129a)의 높이(D4)는 제3 유로(128a)의 높이(D3)보다 크다. 그에 따라, 제3 유로(128a)보다 하류에 위치하는 제4 유로(129a)는 제3 유로(128a)보다 큰 단면적을 갖게 되어서, 제4 유로(129a)에서의 유속이 제3 유로(128a)에서의 유속보다 감소되는 효과를 제공하게 된다. 제3 통로부(128b)의 폭(W3)(배플판(128)과 제2 측부(1252b) 사이의 거리)은 제3 유로(128a)의 높이(D3) 이상 제4 유로(129a)의 높이(D3) 이하인 것이 바람직하다. 제3 통로부(128b)를 통해 제4 유로(129a)로 들어온 희석 염산은 유동 방향을 바꿔서 제4 유로(129a)를 따라서 배출구(122b) 쪽으로 유동하여 전해공간(120a)에 발생한 염소가스와 함께 배출된다.
전해공간(120a)에서 일어나는 희석 염산에 대한 전기분해에 의해 염소가스, 수소가스, 산소가스를 포함하는 기체가 발생하게 되는데, 이러한 기체에 의해 전해공간(120a)에서 희석 염산의 유속도 상승하게 되며, 이는 희석 염산에 대한 전기분해의 효율을 저하시킨다. 본 발명에 의하면, 복수개의 배플판(126, 127, 128)들에 의해 희석 염산의 유동 경로가 증가하고 복수개의 배플판(126, 127, 128)들에 의해 형성되는 제1, 제2, 제3, 제4 유로(126a, 127a, 128a, 129a)가 하류 측에 위치하는 것일수록 큰 높이(D1, D2, D3, D4)를 갖게 되어서, 유속을 감소시키는 효과를 제공하므로 기체에 의한 유속 상승 현상을 상쇄시켜서 전기분해 효율을 향상시키게 된다.
도시되지는 않았으나, 복수개의 배플판(126, 127, 128)들 각각에는 복수개의 가스 통과 홀들이 전체에 걸쳐서 균일하게 분포되도록 형성될 수 있다. 이 경우 복수개의 배플판(126, 127, 128)들 각각에 형성되는 가스 통과 홀을 통해 전해공간(120a)에서 발생한 염소가스, 수소가스, 산소가스를 포함하는 가스가 통과하여 위로 이동하게 된다. 도시되지는 않았으나, 복수개의 배플판(126, 127, 128)들 각각에는 소수성 코팅층이 형성될 수 있다. 복수개의 배플판(126, 127, 128)들 각각에 형성된 소수성 코팅층에 의해 가스 통과 홀을 통해서는 액체가 통과하여 상승하지 못하게 된다. 이를 위하여, 가스 통과 홀은 액체가 통과하지 못할 정도의 크기를 갖는다. 즉, 전해공간(120a)에서 액체의 희석 염산은 복수개의 배플판(126, 127, 128)들에 의해 형성된 지그재그 형태의 유로를 통해서만 유동하여 전기분해되고, 전기분해를 통해 발생한 염소가스 등의 기체는 가스 통과 홀을 통해 상승하게 된다. 그에 따라, 전해공간(120a)에서 희석 염산과 두 전극(124a, 124b)의 접촉 효율이 극대화된다. 소수성 코팅층은 예를 들어서 소수성계면활성제의 도포에 의해 형성될 수 있는데, 소수성계면활성제로는 폴리옥시에틸렌 스테아릴 에테르 유도체(Polyoxyethylene Stearyl Ether Derivatives), 솔비탄 지방산 에스테르 유도체(Sorbitan Fatty Acid Ester Derivatives) 및 폴리옥시에틸렌 올레일 아민 유도체(Polyoxyethylene Oleylamine Derivatives) 중 선택된 1 또는 혼합물인 것이 사용될 수 있다. 본 실시예에서는 소수성 코팅층이 배플판(126, 127, 128)의 전체에 형성되는 것으로 설명하지만, 이와는 달리 아래면에만 형성되거나, 가스 통과 홀이 위치하는 부분에만 형성될 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 본 발명은 소수성 코팅층 대신에 배플판(126, 127, 128) 자체가 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리비닐리덴플루오라이드 및 테프론 등의 소수성 소재로 이루어지는 경우도 포함한다.
다시 도 1을 참조하면, 원수 공급부(130)는 미산성 차아염소산수의 제조에 필요한 원수를 차아염소산 생성조(140)로 공급한다. 본 실시예에서 원수 공급부(130)는 수돗물을 공급하는 것으로 설명한다.
차아염소산 생성조(140)는 전해조(120)로부터 공급되는 염소가스를 원수 공급부(130)로부터 공급되는 원수와 반응시키고 희석시켜서 미산성 차아염소산수를 생성한다.
저장탱크(150)에는 차아염소산 생성조(140)에서 생성된 미산성 차아염소산수를 공급받아서 저장한다.
이상 실시예를 통해 본 발명을 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 실시예는 본 발명의 취지 및 범위를 벗어나지 않고 수정되거나 변경될 수 있으며, 본 기술분야의 통상의 기술자는 이러한 수정과 변경도 본 발명에 속하는 것임을 알 수 있을 것이다.
100 : 미산성 차아염소산수 제조 장치
110 : 염산 탱크 120 : 전해조
121 : 케이스 124 : 전극 구조물
124a : 제1 전극 124b : 제2 전극
125 : 배플 구조물 125a : 테두리부
126, 127, 128 : 배플판 126a : 제1 유로
127a : 제2 유로 128a : 제3 유로
129a : 제4 유로 130 : 원수 공급부
140 : 차아염소산 생성조 150 : 저장탱크

Claims (8)

  1. 미산성 차아염소산수를 제조하기 위하여 희석 염산을 전기분해하여 염소가스를 발생시키는 전해조로서,
    희석 염산이 전기분해되는 전해공간;
    상기 전해공간과 연통되어서 상기 희석 염산가 상기 전해공간으로 유입되는 유입구;
    상기 전해공간과 연통되어서 상기 염소가스가 배출되고 상기 유입구보다 위에 위치하는 배출구;
    상기 전해공간에서 상기 희석 염산의 전기분해를 위해 설치되는 제1 전극과 제2 전극을 구비하는 전극 구조물; 및
    상기 희석 염산의 상기 전해공간 내 유동 거리 증가를 위하여, 상기 유입구를 통해 유입된 상기 희석 염산이 수평방향을 따라 방향을 전환하여 유동하면서 상기 배출구를 향해 상승하도록 상기 전해공간에서 상기 유입구와 상기 배출구의 사이의 높이에 위치하는 배플판을 구비하는 배플 구조물을 포함하며,
    상기 배플판은 수평방향으로 연장되어서 상기 배플판에 의해 상기 전해공간에는 수평방향으로 연장되고 상기 배플판을 사이에 두고 높이방향을 따라서 차례대로 위치하며 서로 연통되는 두 유로들이 형성되며,
    상기 두 유로들 중 위에 위치하는 유로의 높이가 아래에 위치하는 유로의 높이보다 크며,
    상기 두 유로들 사이를 연통시키는 통로부의 폭은 상기 두 유로들 중 아래에 위치하는 유로의 높이값보다 크고 위에 위치하는 유로의 높이값보다 작으며,
    상기 배플판에는 가스가 통과하는 복수개의 가스 통과 홀들과, 상기 가스 통과 홀을 통해 액체가 통과하지 못하도록 소수성 코팅층이 형성되며,
    상기 가스 통과 홀은 액체가 통과할 수 없는 크기로 형성되는, 미산성 차아염소산수 제조용 전해조.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 배플판은 복수개가 높이방향을 따라서 차례대로 이격되어서 배치되는 미산성 차아염소산수 제조용 전해조.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 복수개의 배플판들은 상기 전해공간의 제1 측부로부터 상기 제1 측부의 반대측인 제2 측부 쪽으로 연장되고 상기 제2 측부와는 이격되는 적어도 하나의 제1 배플판과, 상기 제2 측부로부터 상기 제1 측부 쪽으로 연장되고 상기 제1 측부와는 이격되는 적어도 하나의 제2 배플판을 구비하는 미산성 차아염소산수 제조용 전해조.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 배플판은 3개 이상이며, 상기 제1 배플판과 상기 제2 배플판이 높이방향을 따라서 교대로 배치되는 미산성 차아염소산수 제조용 전해조.
  6. 청구항 3에 있어서,
    상기 배플판은 인접한 다른 배플판의 끝단을 지나서 더 연장되는 형태를 갖는 미산성 차아염소산수 제조용 전해조.
  7. 희석 염산이 저장되는 염산 탱크;
    상기 염산 탱크에 저장된 상기 희석 염산을 전기분해하여 염소가스를 발생시키는 전해조; 및
    원수와 상기 염소가스를 혼합하여 미산성 차아염소산수를 생성하는 차아염소산 생성조를 포함하며,
    상기 전해조는, 상기 희석 염산이 전기분해되는 전해공간과, 상기 전해공간과 연통되어서 상기 희석 염산이 유입되는 유입구와, 상기 전해공간과 연통되어서 상기 염소가스가 외부로 배출되고 상기 유입구보다 위에 위치하는 배출구와, 상기 전해 공간에서 상기 희석 염산를 전기분해하는 제1 전극 및 제2 전극과, 상기 희석 염산의 상기 전해공간 내 유동 거리 증가를 위하여, 상기 유입구를 통해 유입된 상기 희석 염산이 수평방향을 따라 방향을 전환하여 유동하면서 상기 배출구를 향해 상승하도록 상기 전해공간에서 상기 유입구와 상기 배출구의 사이의 높이에 위치하는 배플판을 구비하는 구비하며,
    상기 배플판은 수평방향으로 연장되어서 상기 배플판에 의해 상기 전해공간에는 수평방향으로 연장되고 상기 배플판을 사이에 두고 높이방향을 따라서 차례대로 위치하며 서로 연통되는 두 유로들이 형성되며,
    상기 두 유로들 중 위에 위치하는 유로의 높이가 아래에 위치하는 유로의 높이보다 크며,
    상기 두 유로들 사이를 연통시키는 통로부의 폭은 상기 두 유로들 중 아래에 위치하는 유로의 높이값보다 크고 위에 위치하는 유로의 높이값보다 작으며,
    상기 배플판에는 가스가 통과하는 복수개의 가스 통과 홀들과, 상기 가스 통과 홀을 통해 액체가 통과하지 못하도록 소수성 코팅층이 형성되며,
    상기 가스 통과 홀은 액체가 통과할 수 없는 크기로 형성되는, 미산성 차아염소산수 제조 장치.
  8. 삭제
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