KR102009922B1 - 다이 이젝팅 장치 - Google Patents

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KR102009922B1
KR102009922B1 KR1020180031373A KR20180031373A KR102009922B1 KR 102009922 B1 KR102009922 B1 KR 102009922B1 KR 1020180031373 A KR1020180031373 A KR 1020180031373A KR 20180031373 A KR20180031373 A KR 20180031373A KR 102009922 B1 KR102009922 B1 KR 102009922B1
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elastic
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KR1020180031373A
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이희철
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세메스 주식회사
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Abstract

대형 다이의 분리 효율을 높일 수 있는 다이 이젝팅 장치를 제공된다. 상기 다이 이젝팅 장치는 제1 관통홀이 형성된 제1 서포트 부재와, 상기 제1 서포트 부재로부터 돌출되도록 형성되어 제1 챔버를 형성하는 제1 푸싱 부재를 포함하는 제1 푸셔; 제1 결합홀이 형성된 제2 서포트 부재와, 상기 제2 서포트 부재로부터 돌출되도록 형성되어 제2 챔버를 형성하고 상기 제1 챔버 내에 위치하는 제2 푸싱 부재를 포함하는 제2 푸셔; 상기 제1 서포트 부재와 상기 제2 서포트 부재 사이에 배치되어, 상기 제1 서포트 부재와 상기 제2 서포트 부재 사이의 제1 간격을 형성하는 제1 탄성 부재; 및 상기 제1 푸셔의 상방향에서부터 상기 제1 관통홀을 관통하여 상기 제1 결합홀에 결합된 제1 한정 부재를 포함하여, 상기 제1 서포트 부재 또는 제2 서포트 부재에 가해지는 힘에 의해 상기 제1 탄성 부재가 수축되어 상기 제1 간격은 조절되고, 상기 제1 한정 부재에 의해서 상기 제1 간격의 최대값이 결정된다.

Description

다이 이젝팅 장치{Apparatus for ejecting a die}
본 발명은 다이 이젝팅 장치에 관한 것이다.
반도체 패키지를 제조하기 위해, 웨이퍼에 소정의 박막을 증착하고, 증착된 박막에 포토리소그래피 및 식각 공정을 통해 소정의 회로패턴을 형성하여야 한다. 또한, 회로패턴이 형성된 웨이퍼에 대하여 소정의 테스트를 수행하고, 하나의 웨이퍼를 개별 다이(또는 칩)로 분할하는 쏘잉(sawing) 공정을 수행한다. 분할된 다이를 인쇄회로기판에 본딩하는 다이 본딩 공정과, 몰딩하여 제품화하는 패키징 공정을 거쳐서 반도체 패키지가 완성된다.
그런데, 다이 본딩 공정에서는 쏘잉 공정에서 절단된 다이가 개별적으로 다이 본딩 장치로 이송되는 것이 아니라, 다이싱 테이프(즉, 접착시트)에 부착된 상태로 다이 본딩 장치로 이송된다. 여기서, 다이 이젝팅 장치는 다이싱 테이프로부터 개별 다이를 분리한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 대형 다이의 분리 효율을 높일 수 있는 다이 이젝팅 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다이 이젝팅 장치의 일 면(aspect)은, 제1 관통홀이 형성된 제1 서포트 부재와, 상기 제1 서포트 부재로부터 돌출되도록 형성되어 제1 챔버를 형성하는 제1 푸싱 부재를 포함하는 제1 푸셔; 제1 결합홀이 형성된 제2 서포트 부재와, 상기 제2 서포트 부재로부터 돌출되도록 형성되어 제2 챔버를 형성하고 상기 제1 챔버 내에 위치하는 제2 푸싱 부재를 포함하는 제2 푸셔; 상기 제1 서포트 부재와 상기 제2 서포트 부재 사이에 배치되어, 상기 제1 서포트 부재와 상기 제2 서포트 부재 사이의 제1 간격을 형성하는 제1 탄성 부재; 및 상기 제1 푸셔의 상방향에서부터 상기 제1 관통홀을 관통하여 상기 제1 결합홀에 결합된 제1 한정 부재를 포함하여, 상기 제1 서포트 부재 또는 제2 서포트 부재에 가해지는 힘에 의해 상기 제1 탄성 부재가 수축되어 상기 제1 간격은 조절되고, 상기 제1 한정 부재에 의해서 상기 제1 간격의 최대값이 결정된다.
여기서, 상기 제1 한정 부재는 볼트이고, 상기 제1 한정 부재는 헤드부, 상기 헤드부와 연결되고 나사산이 미형성된 축부, 상기 축부와 연결되고 나사산이 형성된 나사부를 포함하고, 상기 축부는 상기 제1 관통홀을 관통하고, 상기 나사부는 상기 제1 결합홀과 결합될 수 있다.
또한, 상기 제2 푸싱 부재의 측벽에는 제1 압력조절 홀이 형성되어, 상기 제2 챔버에서 전달되는 양압 또는 음압이 제1 챔버로 전달될 수 있다.
또한, 상기 제2 푸셔의 상기 제2 서포트 부재에는 제2 관통홀이 더 형성되고, 제2 결합홀이 형성된 제3 서포트 부재와, 상기 제3 서포트 부재로부터 돌출되도록 형성되어 제3 챔버를 형성하고 상기 제2 챔버 내에 위치하는 제3 푸싱 부재를 포함하는 제3 푸셔와, 상기 제2 서포트 부재와 상기 제3 서포트 부재 사이에 배치되어, 상기 제2 서포트 부재와 상기 제3 서포트 부재 사이의 제2 간격을 형성하는 제2 탄성 부재를 더 포함하고, 상기 제2 푸셔의 상방향에서부터 상기 제2 관통홀을 관통하여 상기 제2 결합홀에 볼팅된 제2 한정 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 탄성 부재의 탄성력이 상기 제1 탄성 부재의 탄성력보다 클 수 있다.
상기 제1 서포트 부재에서, 상기 제2 한정 부재에 대응되는 위치에 제1 도피홀이 형성되어, 상기 제1 도피홀 및 상기 제1 관통홀을 통해서, 상기 제2 한정 부재에 대한 작업이 가능할 수 있다.
상기 제2 푸싱 부재의 측벽에는 제1 압력조절 홀이 형성되고, 상기 제3 푸싱 부재의 측벽에는 제2 압력조절 홀이 형성되어, 상기 제3 챔버에서 전달되는 양압 또는 음압이 제1 챔버 및 제2 챔버로 전달될 수 있다.
또한, 상기 제3 푸셔의 상기 제3 서포트 부재에는 제3 관통홀이 더 형성되고, 제3 결합홀이 형성된 제4 서포트 부재와, 상기 제4 서포트 부재로부터 돌출되도록 형성되어 제4 챔버를 형성하고 상기 제3 챔버 내에 위치하는 제4 푸싱 부재를 포함하는 제4 푸셔와, 상기 제3 서포트 부재와 상기 제4 서포트 부재 사이에 배치되어, 상기 제3 서포트 부재와 상기 제4 서포트 부재 사이의 제3 간격을 형성하는 제3 탄성 부재를 더 포함하고, 상기 제3 푸셔의 상방향에서부터 상기 제3 관통홀을 관통하여 상기 제3 결합홀에 볼팅된 제3 한정 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 제3 탄성 부재는 상기 제1 탄성 부재와 오버랩되는 위치에 설치될 수 있다.
상기 제3 탄성 부재의 탄성력이 상기 제2 탄성 부재의 탄성력보다 크고, 상기 제2 탄성 부재의 탄성력이 상기 제1 탄성 부재의 탄성력보다 클 수 있다.
상기 제1 서포트 부재에, 상기 제3 한정 부재에 대응되는 위치에 제2 도피홀이 형성되고, 상기 제2 서포트 부재에, 상기 제3 한정 부재에 대응되는 위치에 제3 도피홀이 형성되고, 상기 제2 도피홀, 제3 도피홀 및 상기 제3 관통홀을 통해서, 상기 제3 한정 부재에 대한 작업이 가능할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다이 이젝팅 장치의 다른 면(aspect)은, 제1 푸셔, 제2 푸셔, 제1 탄성 부재 및 제1 한정 부재를 포함하여, 다이싱 테이프에 부착된 다이를 분리하기 위한 이젝팅 유닛; 상기 이젝팅 유닛이 삽입되는 개구와, 상기 개구 주위에 구비되며 상기 다이싱 테이프를 흡착하기 위한 다수의 진공홀을 포함하는 후드; 상기 후드 및 상기 이젝팅 유닛과 결합되며, 상기 제1 푸셔와 상기 제2 푸셔를 구동하는 구동부를 포함하는 본체; 및 상기 제2 챔버와 상기 진공홀 중 적어도 하나에, 양압 또는 음압을 제공하는 압력 조절부를 포함하고, 상기 제1 푸셔는 제1 관통홀이 형성된 제1 서포트 부재와, 상기 제1 서포트 부재로부터 돌출되도록 형성되어 제1 챔버를 형성하는 제1 푸싱 부재를 포함하고, 상기 제2 푸셔는 제1 결합홀이 형성된 제2 서포트 부재와, 상기 제2 서포트 부재로부터 돌출되도록 형성되어 제2 챔버를 형성하고 상기 제1 챔버 내에 위치하는 제2 푸싱 부재를 포함하고, 상기 제1 탄성 부재는 상기 제1 서포트 부재와 상기 제2 서포트 부재 사이에 배치되어, 상기 제1 서포트 부재와 상기 제2 서포트 부재 사이의 제1 간격을 형성하고, 상기 제1 한정 부재는 상기 제1 푸셔의 상방향에서부터 상기 제1 관통홀을 관통하여 상기 제1 결합홀에 볼팅되고, 상기 제1 서포트 부재 또는 제2 서포트 부재에 가해지는 힘에 의해 상기 제1 탄성 부재가 수축되어 상기 제1 간격은 조절되고, 상기 제1 한정 부재에 의해서 상기 제1 간격의 최대값이 결정될 수 있다.
또한, 상기 제1 한정 부재는 볼트이고, 상기 제1 한정 부재는 헤드부, 상기 헤드부와 연결되고 나사산이 미형성된 축부, 상기 축부와 연결되고 나사산이 형성된 나사부를 포함하고, 상기 축부는 상기 관통홀을 관통하고, 상기 나사부는 상기 제1 결합홀과 결합될 수 있다.
또한, 상기 제2 푸셔의 상기 제2 서포트 부재에는 제2 관통홀이 더 형성되고, 제2 결합홀이 형성된 제3 서포트 부재와, 상기 제3 서포트 부재로부터 돌출되도록 형성되어 제3 챔버를 형성하고 상기 제2 챔버 내에 위치하는 제3 푸싱 부재를 포함하는 제3 푸셔와, 상기 제2 서포트 부재와 상기 제3 서포트 부재 사이에 배치되어, 상기 제2 서포트 부재와 상기 제3 서포트 부재 사이의 제2 간격을 형성하는 제2 탄성 부재를 더 포함하고, 상기 제2 푸셔의 상방향에서부터 상기 제2 관통홀을 관통하여 상기 제2 결합홀에 볼팅된 제2 한정 부재를 더 포함하고, 상기 제2 탄성 부재의 탄성력이 상기 제1 탄성 부재의 탄성력보다 클 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 선박 내에 설치된 전력 시스템을 나타낸 개념도이다.
도 2는 도 1에 도시된 다이 이젝팅 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 후드를 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 이젝팅 유닛을 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 5는 도 4에 도시된 제2 푸셔와 제3 푸셔의 결합 상태를 설명하기 위한 사시도이다.
도 6은 도 4에 도시된 제1 푸셔 내지 제3 푸셔의 결합 상태를 설명하기 위한 사시도이다.
도 7은 도 2에 도시된 이젝팅 유닛의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 도 4에 도시된 제1 한정 부재를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 도 2에 도시된 이젝팅 유닛의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 도 2에 도시된 이젝팅 유닛의 다른 예시를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 11은 도 2에 도시된 이젝팅 유닛을 설명하기 위한 사시도이다.
도 12는 도 2에 도시된 이젝팅 유닛의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 13 내지 도 15는, 도 2에 도시된 다이 이젝팅 장치의 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 다이 이젝팅 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 이젝팅 장치(100)는 다수의 다이(20)로 이루어진 웨이퍼(10)로부터 다이(20)을 분리하여 리드 프레임 또는 인쇄회로기판 등과 같은 기판 상에 본딩하기 위한 다이 본딩 공정에서 사용될 수 있다. 웨이퍼(10)는 다이싱 공정을 통하여 다수의 다이(20)로 분할되고, 다이싱 테이프(32)에 부착된 상태로 제공될 수 있다. 여기서, 다이싱 테이프(32)는 웨이퍼(10)보다 큰 직경을 갖는 마운트 프레임(30)에 장착될 수 있다.
마운트 프레임(30)은 스테이지(40) 상에 배치된 클램프(42)에 의해 파지될 수 있고, 다이싱 테이프(32)의 가장자리 부위는 스테이지(40) 상에 배치된 확장 링(44)에 의해 지지될 수 있다. 클램프(42)는 다이싱 테이프(32)를 확장시키기 위하여 수직 하방으로 마운트 프레임(30)을 이동시킬 수 있다. 이에 의해 다이싱 테이프(32)는 확장 링(44)에 의해 확장될 수 있다. 결과적으로 다이싱 테이프(32)에 부착된 다이(20) 사이의 간격이 확장될 수 있다.
스테이지(40)에는 다이(20)을 다이싱 테이프(32)로부터 분리시키기 위하여 다이(20)을 선택적으로 상승시키기 위한 다이 이젝팅 장치(100)가 구비된다. 스테이지(40)의 상부에는 다이 이젝팅 장치(100)에 의해 상승된 다이(20)를 픽업하기 위한 픽업 장치(50)가 구비될 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 다이 이젝팅 장치를 설명하기 위한 단면도이다. 도 3은 도 2에 도시된 후드를 설명하기 위한 평면도이다. 도 4는 도 2에 도시된 이젝팅 유닛을 설명하기 위한 분해 사시도이다. 도 5는 도 4에 도시된 제2 푸셔와 제3 푸셔의 결합 상태를 설명하기 위한 사시도이다. 도 6은 도 4에 도시된 제1 푸셔 내지 제3 푸셔의 결합 상태를 설명하기 위한 사시도이다. 도 7 은 도 2에 도시된 이젝팅 유닛의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 도 8은 도 4에 도시된 제1 한정 부재를 설명하기 위한 도면이다. 도 9는 도 2에 도시된 이젝팅 유닛의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
우선, 도 2 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 이젝팅 장치(100)는 다이(20)을 상방으로 밀어올리기 위한 이젝팅 유닛(110)과, 이젝팅 유닛(110)을 수용하는 후드(120)와, 이젝팅 유닛(110)을 수직 방향으로 이동시키기 위한 제1 구동부(130)를 포함하는 본체(140)를 포함할 수 있다.
도 3에 도시된 것과 같이, 후드(120)는 이젝팅 유닛(110)이 예를 들어, 수직 방향으로 삽입되는 개구(126)와 개구(126) 주위에 형성된 다수의 진공홀(128)을 포함한다. 후드(120)는 개구(126)와 진공홀(128)이 구비된 상부 패널(122)과 상부 패널(122)의 가장자리로부터 하방으로 연장하며 본체(140)와 결합되는 하우징(124)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상부 패널(122)은 원형 디스크 형태를 가질 수 있으며, 하우징(124)은 하부가 개방된 원형 튜브 형태를 가질 수 있다. 즉, 후드(120)는 상부 패널(122)과 하우징(124)에 의해 한정되는 챔버(121)를 구비할 수 있다.
이젝팅 유닛(110)은 제1 구동부(130)에 의해 예를 들어, 수직 방향으로 이동 가능하다. 이를 위하여 제1 구동부(130)는 본체(140) 내부에 배치되어 이젝팅 유닛(110)과 결합되며 구동력을 전달하기 위한 구동축(134)을 포함할 수 있다. 이때, 구동축(134)의 상부에는 헤드(132)가 구비될 수 있다.
도시되지는 않았으나, 제1 구동부(130)는 구동력을 제공하기 위한 동력 제공부(미도시)를 포함할 수 있으며, 동력 제공부는 모터, 실린더, 동력 전달 요소들, 등을 이용하여 다양한 방법으로 구성될 수 있다. 일 예로서, 동력 제공부는 회전력을 제공하는 모터와 모터의 회전축에 장착된 캠 플레이트 및 캠 플레이트에 밀착되도록 구동축의 하부에 결합된 롤러 등을 이용하여 구성될 수 있다.
이젝팅 유닛(110)은 제1 푸셔(pusher)(1110), 제2 푸셔(1120), 제3 푸셔(1130), 제1 탄성 부재(1210), 제2 탄성 부재(1220), 제1 한정 부재(1310), 제2 한정 부재(1320) 등을 포함할 수 있다.
제1 푸셔(1110) 아래에 제2 푸셔(1120)가 배치되고, 제2 푸셔(1120) 아래에 제3 푸셔(1130)가 배치된다. 제1 푸셔(1110)와 제2 푸셔(1120) 사이에 제1 탄성 부재(1210)가 설치되고, 제2 푸셔(1120)와 제3 푸셔(1130) 사이에 제2 탄성 부재(1220)가 설치된다. 제1 푸셔(1110)와 제2 푸셔(1120) 사이의 스트로크(stroke) 규제는 제1 한정 부재(1310)에 의해서 이루어지고, 제2 푸셔(1120)와 제3 푸셔(1130) 사이의 스트로크 규제는 제2 한정 부재(1320)에 의해서 이루어진다. 한정 부재(1310, 1320)는 예를 들어, 볼트로 구현될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
구체적으로, 제1 푸셔(1110)는 제1 관통홀(1118)이 형성된 제1 서포트 부재(1112)와, 제1 서포트 부재(1112)로부터 돌출되도록 형성되어 제1 챔버(1111)를 형성하는 제1 푸싱 부재(1114)를 포함한다.
제2 푸셔(1120)는 제1 결합홀(1126)이 형성된 제2 서포트 부재(1122)와, 제2 서포트 부재(1122)로부터 돌출되도록 형성되어 제2 챔버(1121)를 형성하고 제1 챔버(1111) 내에 위치하는 제2 푸싱 부재(1124)를 포함한다. 또한, 제2 푸셔(1120)의 제2 서포트 부재(1122)에는 제2 관통홀(1128)이 더 형성된다.
제3 푸셔(1130)는 제2 결합홀(1136)이 형성된 제3 서포트 부재(1132)와, 제3 서포트 부재(1132)로부터 돌출되도록 형성된 제3 챔버(1131)를 형성하고 제2 챔버(1121) 내에 위치하는 제3 푸싱 부재(1134)를 포함한다.
여기에서, 제1 탄성 부재(1210)는 제1 서포트 부재(1112)와 제2 서포트 부재(1122) 사이에 배치되어, 제1 서포트 부재(1112)와 제2 서포트 부재(1122) 사이의 제1 간격을 형성한다. 또한, 제1 한정 부재(1310)는 제1 푸셔(1110)의 상방향에서부터 제1 관통홀(1118)을 관통하여 제1 결합홀(1126)에 볼팅된다.
제1 간격은 제1 서포트 부재(1112) 또는 제2 서포트 부재(1122)에 가해지는 힘(예를 들어, 제2 서포트 부재(1122)의 하방향에서부터 가해지는 힘)에 의해 조절될 수 있다. 즉, 가해지는 힘에 커지면 제1 간격은 좁아지고, 가해지는 힘이 작아지면 제1 간격은 넓어질 수 있다.
제2 탄성 부재(1220)는 제2 서포트 부재(1122)와 제3 서포트 부재(1132) 사이에 배치되어, 제2 서포트 부재(1122)와 제3 서포트 부재(1132) 사이의 제2 간격을 형성한다. 또한, 제2 한정 부재(1320)는 제2 푸셔(1120)의 상방향에서부터 제2 관통홀(1128)을 관통하여 제2 결합홀(1136)에 볼팅된다.
제2 간격은 제2 서포트 부재(1122) 또는 제3 서포트 부재(1132)에 가해지는 힘(예를 들어, 제3 서포트 부재(1132)의 하방향에서부터 가해지는 힘)에 의해 조절될 수 있다. 즉, 가해지는 힘에 커지면 제2 간격은 좁아지고, 가해지는 힘이 작아지면 제2 간격은 넓어질 수 있다.
다만, 제1 한정 부재(1310)에 의해서 제1 서포트 부재(1112)와 제2 서포트 부재(1122)가 연결되어 있기 때문에, 제1 한정 부재(1310)에 의해서 제1 간격의 최대값이 결정될 수 있다. 제2 한정 부재(1320)에 의해서 제2 서포트 부재(1122)와 제3 서포트 부재(1132)가 연결되어 있기 때문에, 제2 한정 부재(1320)에 의해서 제2 간격의 최대값이 결정될 수 있다. 이에 대해서는 도 7을 참고하여 후술하도록 한다.
또한, 제1 서포트 부재(1112)에서, 제2 한정 부재(1320)에 대응되는 위치에 제1 도피홀(1119)이 형성될 수 있다. 따라서, 작업자는 제1 도피홀(1119) 및 제2 관통홀(1128)을 통해서, 제2 한정 부재(1320)를 확인할 수 있다. 따라서, 작업자는 제2 한정 부재(1320)에 대한 작업(즉, 볼팅 작업)을 손쉽게 할 수 있다. 예를 들어, 제1 푸셔(1110), 제2 푸셔(1120) 및 제3 푸셔(1130)가 순차적으로 서로 결합되어 있다고 하더라도, 제1 한정 부재(1310)를 풀지 않더라도(즉, 제1 푸셔(1110)와 제2 푸셔(1120)를 분리하지 않더라도) 제2 한정 부재(1320)를 풀 수 있다(즉, 제3 푸셔(1130)를 분리해 낼 수 있다).
또한, 제2 서포트 부재(1122) 상에는 제1 오링(1410)이 형성되어, 제1 서포트 부재(1112)와 제2 서포트 부재(1122) 사이의 밀폐력을 높일 수 있다. 마찬가지로, 제3 서포트 부재(1132) 상에는 제2 오링(1420)이 형성되어, 제2 서포트 부재(1122)와 제3 서포트 부재(1132) 사이의 밀폐력을 높일 수 있다.
여기서, 도 7를 참조하여, 제1 푸셔(1110)와 제2 푸셔(1120) 사이의 스트로크 규제를 설명하도록 한다. 아래의 설명은 제2 푸셔(1120)와 제3 푸셔(1130) 사이의 스트로크 규제에도 동일하게 적용될 수 있다.
전술한 것과 같이, 제1 한정 부재(1310)는 제1 푸셔(1110)의 상방향에서부터 제1 관통홀(1118)을 관통하여 제1 결합홀(1126)에 볼팅된다
여기서, 제1 한정 부재(1310)는 볼트일 수 있고, 도 8에 도시된 것과 같이, 헤드부(1311), 헤드부(1311)와 연결되고 나사산이 미형성된 축부(1312), 축부(1312)와 연결되고 나사산이 형성된 나사부(1313)를 포함할 수 있다. 도 8에 도시된 제1 한정 부재(1310)의 형상은 예시적인 것에 불과하다. 축부(1312)는 제1 관통홀(1118)을 관통하고, 나사부(1313)는 제1 결합홀(1126)과 결합된다.
도 7에 도시된 것과 같이, 축부(1312)에는 나사산이 형성되어 있지 않기 때문에, 제1 탄성 부재(1210)의 상태에 따라서, 제1 푸셔(1110)와 제2 푸셔(1120) 사이의 간격(G1)은 조절될 수 있다.
예를 들어, 제2 서포트 부재(1122)의 하방향에서부터 가해지는 힘(F1)이 없거나 미약한 경우에, 제1 간격(G1)은 최대값을 가질 수 있다. 즉, 제1 탄성 부재(1210)에 의해서 제1 서포트 부재(1112)와 제2 서포트 부재(1122) 사이를 최대로 넓힌 상태일 수 있다.
그런데, 제2 서포트 부재(1122)의 하방향에서부터 가해지는 힘(F2)이 커지면, 제1 간격(G11)은 줄어들 수 있다. 다만, 축부(1312)에는 나사산이 형성되어 있지 않기 때문에, 제1 서포트 부재(1112)는 축부(1312)를 따라 이동할 수 있다.
한편, 제2 탄성 부재(1220)의 탄성력이 제1 탄성 부재(1210)의 탄성력보다 클 수 있다. 그 이유에 대해서 도 9를 참조하여 구체적으로 설명한다.
도 9를 참조하면, 제1 탄성 부재(1210)는 제1 서포트 부재(1112)(즉, 제1 푸셔(1110))와 제2 서포트 부재(즉, 제2 푸셔(1120)) 사이의 제1 간격(G1)을 형성하고, 제2 탄성 부재(1220)는 제2 서포트 부재(1122)(즉, 제2 푸셔(1120))와 제3 서포트 부재(즉, 제3 푸셔(1130)) 사이의 제2 간격(G2)을 형성한다.
제2 탄성 부재(1220)의 탄성력이 제1 탄성 부재(1210)의 탄성력보다 크면, 제1 서포트 부재(1112)와 제2 서포트 부재(1122) 사이의 제1 간격(G1)보다, 제2 서포트 부재(1122)와 제3 서포트 부재(1132) 사이의 제2 간격(G2)이 더 클 수 있다.
여기서, 제3 서포트 부재(1132)의 하방향에서 힘을 가하지 않거나 아주 작은 힘(F3)을 가한 상태에서, 제1 푸싱 부재(1114), 제2 푸싱 부재(1124), 제3 푸싱 부재(1134)의 최상단 높이는 동일할 수 있다. 즉, 제1 푸싱 부재(1114)의 길이보다 제2 푸싱 부재(1124)의 길이가 길고, 제2 푸싱 부재(1124)의 길이보다 제3 푸싱 부재(1134)의 길이가 길 수 있다.
힘(F4)을 제3 서포트 부재(1132)의 하방향에서부터 가하면, 제1 탄성 부재(1210)가 제2 탄성 부재(1220)보다 더 많이 수축되게 된다. 제2 탄성 부재(1220)의 탄성력에 따라서, 제2 탄성 부재(1220)는 거의 수축하지 않을 수도 있다. 따라서, 제2 푸셔(1120)가 제3 푸셔(1130)보다 돌출된다.
힘(F4)보다 더 큰 힘(F5)을 제3 서포트 부재(1132)의 하방향에서부터 가하면, 제2 탄성 부재(1220)도 수축을 시작하여 최대로 수축될 수 있다. 이러한 경우, 제3 푸셔(1130)가 제2 푸셔(1120)보다 더 돌출된다.
이와 같이 제3 서포트 부재(1132)의 하방향에서 가해지는 힘의 크기에 따라서, 제1 푸싱 부재(1114) 내지 제3 푸싱 부재(1134)(즉, 제1 푸셔(1110) 내지 제3 푸셔(1130))가 돌출되는 정도를 조절할 수 있다. 특히, 제1 푸싱 부재(1114) 내지 제3 푸싱 부재(1134)를 계단식으로 돌출되도록 함으로써, 대형 다이의 분리 효율을 높일 수 있다.
한편, 제1 탄성 부재(1210)와 제2 탄성 부재(1220)는 스프링일 수 있다. 예를 들어, 스프링의 탄성력을 조절하기 위해서, 코일의 직경, 길이, 재료, 코일이 감긴 회수 등을 조절할 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 전술한 제1 푸싱 부재(1114) 내지 제3 푸싱 부재(1134)는 개구(126) 내에 배치될 수 있으며, 제1 서포트 부재(1112) 내지 제3 서포트 부재(1132)는 챔버(121) 내에 배치될 수 있다. 또한, 하우징(124)의 개방된 하부는 본체(140)와 결합될 수 있으며, 제1 구동부(130)의 헤드(132)와 구동축(134)은 본체(140) 내부에서 수직 방향으로 이동될 수 있다. 특히, 본체(140)는 원형 튜브 형태를 가질 수 있으며, 본체(140)의 상부가 하우징(124)의 하부에 삽입될 수 있다.
별도로 도시하지 않았으나, 다이 이젝팅 장치(100)는 후드(120)와 이젝팅 유닛(110)을 다이싱 테이프(32)의 하부면에 밀착시키기 위한 제2 구동부(미도시)를 포함할 수 있다. 제2 구동부는 대략 직교 좌표 로봇 형태를 가질 수 있으며, 다이(20) 중 하나를 선택하기 위하여 이젝팅 유닛(110)과 후드(120) 및 본체(140)를 수평 방향으로 이동시킬 수 있으며, 또한 선택된 다이(20)를 이젝팅하기 위하여 이젝팅 유닛(110)과 후드(120) 및 본체(140)를 상승시켜 후드(120)의 상부면을 다이싱 테이프(32)의 하부면에 밀착시킬 수 있다.
또한, 다이 이젝팅 장치(100)는 제3 챔버(1131)와 진공홀(128)을 통하여 다이싱 테이프(32)의 하부면에 음압을 제공하고, 이어서 제3 챔버(1131) 내부에 양압을 제공하기 위한 압력 조절부(150)를 포함할 수 있다.
특히, 제2 푸싱 부재(1124)의 측벽에는 제1 압력조절 홀(1124a)이 형성되고, 제3 푸싱 부재(1134)의 측벽에는 제2 압력조절 홀(1134a)이 형성된다. 따라서, 압력 조절부(150)가 제3 챔버(1131)에 양압 또는 음압을 형성시키면, 양압 또는 음압이 제1 압력조절 홀(1124a) 및 제2 압력조절 홀(1134a)을 통해서 제1 챔버(1111) 및 제2 챔버(1121)로 전달될 수 있다. 이에 따라서, 제1 푸셔(1110)와 제2 푸셔(1120) 사이의 갭(예를 들어, 푸싱 부재 사이의 갭), 제2 푸셔(1120)와 제3 푸셔(1130) 사이의 갭(예를 들어, 푸싱 부재 사이의 갭)에도 양압 또는 음압이 전달될 수 있다. 이에 따라, 다이싱 테이프(32)의 하부면에 양압 또는 음압이 제공될 수 있다.
압력 조절부(150)는 진공 펌프 등과 같은 진공 소스(164)와 연결되며 제3 챔버(1131) 내부에 음압을 제공하기 위한 제1 배관(152), 제1 배관(152)에 구비된 제1 밸브(154), 진공 소스(164)와 연결되며 챔버(121)와 진공홀(128)을 통하여 다이싱 테이프(32)의 하부면에 음압을 인가하기 위한 제2 배관(156), 제2 배관(156)에 구비된 제2 밸브(158), 압축 공기 소스(166)와 연결되어 제3 챔버(1131) 내부에 양압을 제공하기 위하여 제1 배관(152)과 연결된 제3 배관(160) 및 제3 배관(160)에 구비된 제3 밸브(162)를 포함할 수 있다.
상세히 도시되지는 않았으나, 제1 배관(152)은 구동축(134)과 연결될 수 있으며, 제2 배관(156)은 본체(140)와 연결될 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나, 제1, 제2 및 제3 밸브들(154, 158, 162)은 제어부(미도시)에 의해 동작이 제어될 수 있으며, 압축 공기 소스(166)는 공기 펌프, 압축 공기 탱크 등으로 구성될 수 있다.
도 10은 도 2에 도시된 이젝팅 유닛의 다른 예시를 설명하기 위한 분해 사시도이다. 도 11은 도 2에 도시된 이젝팅 유닛을 설명하기 위한 사시도이다. 도 12는 도 2에 도시된 이젝팅 유닛의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 설명의 편의를 위해서, 도 4 내지 도 9를 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 이젝팅 유닛(110)은 5개의 푸셔(1110, 1120, 1130, 1140, 1150)이 순차적으로 배치/결합되고, 인접한 푸셔(1110, 1120, 1130, 1140, 1150) 사이 각각에 탄성 부재(1210, 1220, 1230, 1240)가 설치되고, 인접한 푸셔(1110, 1120, 1130, 1140, 1150) 사이의 스트로크 규제를 위해서 한정 부재(1310, 1320, 1330, 1340)이 설치될 수 있다.
구체적으로, 제1 푸셔(1110)는 제1 관통홀(1118)이 형성된 제1 서포트 부재(1112)와, 제1 서포트 부재(1112)로부터 돌출되도록 형성되어 제1 챔버(1111)를 형성하는 제1 푸싱 부재(1114)를 포함한다.
제2 푸셔(1120)는 제1 결합홀(1126)이 형성된 제2 서포트 부재(1122)와, 제2 서포트 부재(1122)로부터 돌출되도록 형성되어 제2 챔버(1121)를 형성하고 제1 챔버(1111) 내에 위치하는 제2 푸싱 부재(1124)를 포함한다.
제3 푸셔(1130)는 제2 결합홀(1136)이 형성된 제3 서포트 부재(1132)와, 제3 서포트 부재(1132)로부터 돌출되도록 형성되어 제3 챔버(1131)를 형성하고 제2 챔버(1121) 내에 위치하는 제3 푸싱 부재(1134)를 포함한다.
제4 푸셔(1140)는 제3 결합홀(1146)이 형성된 제4 서포트 부재(1142)와, 제4 서포트 부재(1142)로부터 돌출되도록 형성되어 제4 챔버(1141)를 형성하고 제3 챔버(1131) 내에 위치하는 제4 푸싱 부재(1144)를 포함한다.
제5 푸셔(1150)는 제4 결합홀(1156)이 형성된 제5 서포트 부재(1152)와, 제5 서포트 부재(1152)로부터 돌출되도록 형성되어 제5 챔버(1141)를 형성하고 제4 챔버(1141) 내에 위치하는 제5 푸싱 부재(1154)를 포함한다.
여기에서, 제1 탄성 부재(1210)는 제1 서포트 부재(1112)와 제2 서포트 부재(1122) 사이에 배치되어, 제1 서포트 부재(1112)와 제2 서포트 부재(1122) 사이의 제1 간격을 형성한다. 또한, 제1 한정 부재(1310)는 제1 푸셔(1110)의 상방향에서부터 제1 관통홀(1118)을 관통하여 제1 결합홀(1126)에 볼팅된다.
제2 탄성 부재(1220)는 제2 서포트 부재(1122)와 제3 서포트 부재(1132) 사이에 배치되어, 제2 서포트 부재(1122)와 제3 서포트 부재(1132) 사이의 제2 간격을 형성한다. 또한, 제2 한정 부재(1320)는 제2 푸셔(1120)의 상방향에서부터 제2 관통홀(1128)을 관통하여 제2 결합홀(1136)에 볼팅된다.
제3 탄성 부재(1230)는 제3 서포트 부재(1132)와 제4 서포트 부재(1142) 사이에 배치되어, 제3 서포트 부재(1132)와 제4 서포트 부재(1142) 사이의 제3 간격을 형성한다. 또한, 제3 한정 부재(1330)는 제3 푸셔(1130)의 상방향에서부터 제3 관통홀(1138)을 관통하여 제3 결합홀(1146)에 볼팅된다.
제4 탄성 부재(1240)는 제4 서포트 부재(1142)와 제5 서포트 부재(1152) 사이에 배치되어, 제4 서포트 부재(1142)와 제5 서포트 부재(1152) 사이의 제4 간격을 형성한다. 또한, 제4 한정 부재(1340)는 제4 푸셔(1140)의 상방향에서부터 제4 관통홀(1148)을 관통하여 제4 결합홀(1156)에 볼팅된다.
제4 탄성 부재(1240)의 탄성력이 다른 탄성 부재(1230, 1220, 1210)의 탄성력보다 가장 클 수 있다. 예를 들어, 제4 탄성 부재(1240), 제3 탄성 부재(1230), 제2 탄성 부재(1220), 제1 탄성 부재(1210) 순서로 탄성력이 작아질 수 있다. 전술한 것과 같이, 가장 아래의 서포트 부재(즉, 제5 서포트 부재(1152))에 힘이 가해졌을 때, 제1 푸싱 부재(1114) 내지 제5 푸싱 부재(1154)가 돌출되는 정보를 조절하기 위함이다. 제4 탄성 부재(1240), 제3 탄성 부재(1230), 제2 탄성 부재(1220), 제1 탄성 부재(1210) 순서로 탄성력이 작아지는 경우, 도 12에 도시된 것과 같이, 제5 푸싱 부재(1154)가 가장 돌출되고, 제1 푸싱 부재(1114)가 가장 조금 돌출될 수 있다.
또한, 제1 서포트 부재(1112)에, 제2 한정 부재(1320), 제3 한정 부재(1330), 제4 한정 부재(1340)에 대응되는 위치에 다수의 제1 도피홀(1119)이 형성될 수 있다. 제2 서포트 부재(1122)에, 제3 한정 부재(1330), 제4 한정 부재(1340)에 대응되는 위치에 다수의 제2 도피홀(1129)이 형성될 수 있다. 제3 서포트 부재(1132)에, 제4 한정 부재(1340)에 대응되는 위치에 다수의 제3 도피홀(1139)이 형성될 수 있다. 이와 같은 도피홀(1119, 1129, 1139)을 이용하여 작업자는 한정 부재(1320, 1330, 1340)에 대한 작업을 손쉽게 할 수 있다.
또한, 도 10에 도시된 것과 같이, 제1 탄성 부재(1210)와 제3 탄성 부재(1230)는 서로 오버랩되도록 배치되고, 제2 탄성 부재(1220)와 제4 탄성 부재(1240)는 서로 오버랩되도록 배치될 수 있다. 이와 같이 하는 이유는, 서포트 부재(1112, 1122, 1132, 1142, 1152)에 다수의 관통홀(1118, 1128, 1138, 1148), 다수의 도피홀(1119, 1129, 1139) 및 다수의 결합홀(1126, 1136, 1146, 1156) 중 적어도 하나가 형성되기 때문에, 컴팩트하게 이젝팅 유닛(110)을 구현하기 위함이다.
한편, 도 4 내지 도 12를 이용하여, 이젝팅 유닛(110)에 3개, 5개의 푸셔를 이용한 경우를 예시적으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 2개, 4개의 푸셔를 이용할 수도 있고, 6개 이상의 푸셔를 이용할 수도 있다.
예를 들어, 2개의 푸셔를 사용하는 경우에, 이젝팅 유닛은, 제1 관통홀이 형성된 제1 서포트 부재와, 제1 서포트 부재로부터 돌출되도록 형성되어 제1 챔버를 형성하는 제1 푸싱 부재를 포함하는 제1 푸셔와, 제1 결합홀이 형성된 제2 서포트 부재와, 제2 서포트 부재로부터 돌출되도록 형성되어 제2 챔버를 형성하고 제1 챔버 내에 위치하는 제2 푸싱 부재를 포함하는 제2 푸셔와, 제1 서포트 부재와 제2 서포트 부재 사이에 배치되어, 제1 서포트 부재와 제2 서포트 부재 사이의 제1 간격을 형성하는 제1 탄성 부재; 및 제1 푸셔의 상방향에서부터 제1 관통홀을 관통하여 제1 결합홀에 결합된 제1 한정 부재를 포함하여, 제1 서포트 부재 또는 제2 서포트 부재에 가해지는 힘에 의해 제1 탄성 부재가 수축되어 제1 간격은 조절되고, 제1 한정 부재에 의해서 제1 간격의 최대값이 결정될 수 있다.
도 13 내지 도 15를 참조하여, 도 2에 도시된 다이 이젝팅 장치의 동작을 설명한다.
도 2 및 도 13을 참조하면, 후드(120)의 상부면과 이젝팅 유닛(110)의 상부면을 다이싱 테이프(32)의 하부면에 밀착시킨다. 이때, 후드(120)의 상부면은 제2 구동부에 의해 다이싱 테이프(32)의 하부면에 밀착될 수 있으며 이젝팅 유닛(110)의 상부면은 제1 구동부(130)에 의해 다이싱 테이프(32)의 하부면에 밀착될 수 있다. 그러나, 후드(120)의 상부면과 이젝팅 유닛(110)의 상부면 모두가 제2 구동부에 의해 다이싱 테이프(32)의 하부면에 밀착되도록 이젝팅 유닛(110)의 높이가 미리 조절될 수도 있다.
도 2 및 도 14를 참조하면, 제1 챔버(1111), 제2 챔버(1121), 제3 챔버(1131) 및 챔버(121) 내부에 음압이 제공될 수 있다. 구체적으로, 챔버(121)와 연통된 진공홀(128)을 통하여 후드(120)의 상부에 위치된 다이싱 테이프(32)가 후드(120)와 진공 흡착될 수 있다. 또한, 제3 챔버(1131)에 음압을 형성시키면, 음압이 제1 압력조절 홀(1124a) 및 제2 압력조절 홀(1134a)을 통해서 제1 챔버(1111) 및 제2 챔버(1121)로 전달될 수 있다. 이에 따라, 이젝팅 유닛(110) 상부에 위치된 다이싱 테이프(32)의 하부면에 음압이 인가될 수 있다.
이어서, 이젝팅 유닛(110)이 제1 구동부(130)에 의해 상승될 수 있으며, 이에 의해 제1 푸싱 부재(1114) 내지 제3 푸싱 부재(1134)가 후드(120)로부터 소정 높이로, 계단식으로 돌출될 수 있다.
이에 따라, 다이(20)의 가장자리 부위에 대응하는 영역, 즉 제1 푸싱 부재(1114)의 외측면들에 인접하는 다이싱 테이프(32)가 다이(20)로부터 분리될 수 있다.
도 2 및 도 15를 참조하면, 제3 챔버(1131) 내부에 양압을 제공하여 다이싱 테이프(32)의 일부가 상방으로 부풀어오르게 하여 다이(20)를 다이싱 테이프(32)로부터 충분히 분리시킬 수 있다. 이때, 제어부는 제1 밸브(154)를 닫고 제3 밸브(162)를 개방하여 제3 챔버(1131) 내부로 압축 공기를 제공할 수 있다.
다이(20)가 다이싱 테이프(32)로부터 충분히 분리된 후 픽업 장치(50)는 진공 흡착 방식으로 다이(20)를 용이하게 픽업할 수 있다. 즉, 제3 챔버(1131)와 챔버(121)를 통한 음압의 제공 단계와, 이젝팅 유닛(110)의 상승 단계 및 제3 챔버(1131)를 통한 양압의 제공 단계를 통하여, 다이(20)의 중앙 부위만 다이싱 테이프(32)에 부분적으로 접착된 상태이므로, 픽업 장치(50)에 의한 다이(20)의 픽업이 더욱 안정적으로 이루어질 수 있다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
110: 이젝팅 유닛 1110: 제1 푸셔
1120: 제2 푸셔 1130: 제3 푸셔
1140: 제4 푸셔 1150: 제5 푸셔
1210: 제1 탄성 부재 1220: 제2 탄성 부재
1230: 제3 탄성 부재 1240: 제4 탄성 부재
1310: 제1 한정 부재 1320: 제2 한정 부재
1330: 제3 한정 부재 1340: 제4 한정 부재

Claims (14)

  1. 제1 관통홀이 형성된 제1 서포트 부재와, 상기 제1 서포트 부재로부터 돌출되도록 형성되어 제1 챔버를 형성하는 제1 푸싱 부재를 포함하는 제1 푸셔;
    제1 결합홀이 형성된 제2 서포트 부재와, 상기 제2 서포트 부재로부터 돌출되도록 형성되어 제2 챔버를 형성하고 상기 제1 챔버 내에 위치하는 제2 푸싱 부재를 포함하는 제2 푸셔;
    상기 제1 서포트 부재와 상기 제2 서포트 부재 사이에 배치되어, 상기 제1 서포트 부재와 상기 제2 서포트 부재 사이의 제1 간격을 형성하는 제1 탄성 부재; 및
    상기 제1 푸셔의 상방향에서부터 상기 제1 관통홀을 관통하여 상기 제1 결합홀에 결합된 제1 한정 부재를 포함하여,
    상기 제1 서포트 부재 또는 제2 서포트 부재에 가해지는 힘에 의해 상기 제1 탄성 부재가 수축되어 상기 제1 간격은 조절되고,
    상기 제1 한정 부재는 볼트이고,
    상기 제1 한정 부재는 헤드부, 상기 헤드부와 연결되고 나사산이 미형성된 축부, 상기 축부와 연결되고 나사산이 형성된 나사부를 포함하고,
    상기 축부는 상기 제1 관통홀을 관통하여 상기 제1 관통홀을 관통하는 방향으로 슬라이드 이동 가능하고, 상기 나사부는 상기 제1 결합홀과 결합되고, 상기 축부에 비하여 큰 직경을 갖는 상기 헤드부가 상기 제1 관통홀에 형성된 걸림 수단에 걸림으로써 상기 제1 간격의 최대값이 결정되는, 다이 이젝팅 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 푸싱 부재의 측벽에는 제1 압력조절 홀이 형성되어,
    상기 제2 챔버에서 전달되는 양압 또는 음압이 제1 챔버로 전달되는, 다이 이젝팅 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 푸셔의 상기 제2 서포트 부재에는 제2 관통홀이 더 형성되고,
    제2 결합홀이 형성된 제3 서포트 부재와, 상기 제3 서포트 부재로부터 돌출되도록 형성되어 제3 챔버를 형성하고 상기 제2 챔버 내에 위치하는 제3 푸싱 부재를 포함하는 제3 푸셔와,
    상기 제2 서포트 부재와 상기 제3 서포트 부재 사이에 배치되어, 상기 제2 서포트 부재와 상기 제3 서포트 부재 사이의 제2 간격을 형성하는 제2 탄성 부재를 더 포함하고,
    상기 제2 푸셔의 상방향에서부터 상기 제2 관통홀을 관통하여 상기 제2 결합홀에 나사 결합된 제2 한정 부재를 더 포함하는, 다이 이젝팅 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제2 탄성 부재의 탄성력이 상기 제1 탄성 부재의 탄성력보다 큰, 다이 이젝팅 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 제1 서포트 부재에서, 상기 제2 한정 부재에 대응되는 위치에 제1 도피홀이 형성되어, 상기 제1 도피홀 및 상기 제2 관통홀을 통해서, 상기 제2 한정 부재에 대한 작업이 가능한, 다이 이젝팅 장치.
  7. 제 4항에 있어서,
    상기 제2 푸싱 부재의 측벽에는 제1 압력조절 홀이 형성되고,
    상기 제3 푸싱 부재의 측벽에는 제2 압력조절 홀이 형성되어,
    상기 제3 챔버에서 전달되는 양압 또는 음압이 제1 챔버 및 제2 챔버로 전달되는, 다이 이젝팅 장치.
  8. 제 4항에 있어서,
    상기 제3 푸셔의 상기 제3 서포트 부재에는 제3 관통홀이 더 형성되고,
    제3 결합홀이 형성된 제4 서포트 부재와, 상기 제4 서포트 부재로부터 돌출되도록 형성되어 제4 챔버를 형성하고 상기 제3 챔버 내에 위치하는 제4 푸싱 부재를 포함하는 제4 푸셔와,
    상기 제3 서포트 부재와 상기 제4 서포트 부재 사이에 배치되어, 상기 제3 서포트 부재와 상기 제4 서포트 부재 사이의 제3 간격을 형성하는 제3 탄성 부재를 더 포함하고,
    상기 제3 푸셔의 상방향에서부터 상기 제3 관통홀을 관통하여 상기 제3 결합홀에 나사 결합된 제3 한정 부재를 더 포함하는, 다이 이젝팅 장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 제3 탄성 부재는 상기 제1 탄성 부재와 오버랩되는 위치에 설치되는, 다이 이젝팅 장치.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 제3 탄성 부재의 탄성력이 상기 제2 탄성 부재의 탄성력보다 크고, 상기 제2 탄성 부재의 탄성력이 상기 제1 탄성 부재의 탄성력보다 큰, 다이 이젝팅 장치.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 제1 서포트 부재에, 상기 제3 한정 부재에 대응되는 위치에 제2 도피홀이 형성되고,
    상기 제2 서포트 부재에, 상기 제3 한정 부재에 대응되는 위치에 제3 도피홀이 형성되고,
    상기 제2 도피홀, 제3 도피홀 및 상기 제3 관통홀을 통해서, 상기 제3 한정 부재에 대한 작업이 가능한, 다이 이젝팅 장치.
  12. 제1 푸셔, 제2 푸셔, 제1 탄성 부재 및 제1 한정 부재를 포함하여, 다이싱 테이프에 부착된 다이를 분리하기 위한 이젝팅 유닛;
    상기 이젝팅 유닛이 삽입되는 개구와, 상기 개구 주위에 구비되며 상기 다이싱 테이프를 흡착하기 위한 다수의 진공홀을 포함하는 후드;
    상기 후드 및 상기 이젝팅 유닛과 결합되며, 상기 제1 푸셔와 상기 제2 푸셔를 구동하는 구동부를 포함하는 본체; 및
    상기 제2 푸셔에 형성된 제2 챔버와 상기 진공홀 중 적어도 하나에, 양압 또는 음압을 제공하는 압력 조절부를 포함하고,
    상기 제1 푸셔는 제1 관통홀이 형성된 제1 서포트 부재와, 상기 제1 서포트 부재로부터 돌출되도록 형성되어 제1 챔버를 형성하는 제1 푸싱 부재를 포함하고,
    상기 제2 푸셔는 제1 결합홀이 형성된 제2 서포트 부재와, 상기 제2 서포트 부재로부터 돌출되도록 형성되어 상기 제2 챔버를 형성하고 상기 제1 챔버 내에 위치하는 제2 푸싱 부재를 포함하고,
    상기 제1 탄성 부재는 상기 제1 서포트 부재와 상기 제2 서포트 부재 사이에 배치되어, 상기 제1 서포트 부재와 상기 제2 서포트 부재 사이의 제1 간격을 형성하고,
    상기 제1 한정 부재는 상기 제1 푸셔의 상방향에서부터 상기 제1 관통홀을 관통하여 상기 제1 결합홀에 나사 결합되고,
    상기 제1 서포트 부재 또는 제2 서포트 부재에 가해지는 힘에 의해 상기 제1 탄성 부재가 수축되어 상기 제1 간격은 조절되고,
    상기 제1 한정 부재는 볼트이고,
    상기 제1 한정 부재는 헤드부, 상기 헤드부와 연결되고 나사산이 미형성된 축부, 상기 축부와 연결되고 나사산이 형성된 나사부를 포함하고,
    상기 축부는 상기 제1 관통홀을 관통하여 상기 제1 관통홀을 관통하는 방향으로 슬라이드 이동 가능하고, 상기 나사부는 상기 제1 결합홀과 결합되고, 상기 축부에 비하여 큰 직경을 갖는 상기 헤드부가 상기 제1 관통홀에 형성된 걸림 수단에 걸림으로써 상기 제1 간격의 최대값이 결정되는, 다이 이젝팅 장치.
  13. 삭제
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 제2 푸셔의 상기 제2 서포트 부재에는 제2 관통홀이 더 형성되고,
    제2 결합홀이 형성된 제3 서포트 부재와, 상기 제3 서포트 부재로부터 돌출되도록 형성되어 제3 챔버를 형성하고 상기 제2 챔버 내에 위치하는 제3 푸싱 부재를 포함하는 제3 푸셔와,
    상기 제2 서포트 부재와 상기 제3 서포트 부재 사이에 배치되어, 상기 제2 서포트 부재와 상기 제3 서포트 부재 사이의 제2 간격을 형성하는 제2 탄성 부재를 더 포함하고,
    상기 제2 푸셔의 상방향에서부터 상기 제2 관통홀을 관통하여 상기 제2 결합홀에 나사 결합된 제2 한정 부재를 더 포함하고,
    상기 제2 탄성 부재의 탄성력이 상기 제1 탄성 부재의 탄성력보다 큰, 다이 이젝팅 장치.
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