KR102007268B1 - By-directional electrically conductive module - Google Patents

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Abstract

본 발명은 상부 디바이스와 하부 디바이스를 전기적으로 연결하는 양방향 도전성 모듈에 관한 것으로, 절연성을 갖는 재질로 마련되고, 상하 방향으로 관통된 복수의 관통홀이 형성된 절연성 본체와, 각각의 상기 관통홀에 형성되어 상하 방향으로 신호 라인을 형성하여 상기 상부 디바이스와 상기 하부 디바이스를 전기적으로 연결하는 복수의 도전 패턴부와, 각각의 상기 관통홀의 주변을 감싸도록 상기 절연성 본체 내부에 형성되어 상하 방향으로 복원력을 제공하는 탄성 스프링을 포함하고; 각각의 상기 탄성 스프링의 하부는 상기 절연성 본체의 하부 방향으로 노출되어 상기 하부 디바이스에 마련된 그라운드 단자에 접촉되는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 포고-핀 타입의 반도체 테스트 소켓을 대체가 가능하면서도 안정적인 신호 전달과 함께 하이-스피드로의 테스트가 가능하고, 하이-스피드의 CPU와 보드 사이에서 CPU와 보드를 전기적으로 연결하는 인터포저(Interposer)에도 적용 가능하다.The present invention relates to a bidirectional conductive module that electrically connects an upper device and a lower device. The present invention is provided with an insulating material, and includes an insulating body having a plurality of through holes penetrated in a vertical direction, and formed in each of the through holes. And a plurality of conductive pattern portions for electrically connecting the upper device and the lower device by forming signal lines in the vertical direction, and formed in the insulating body to surround the periphery of each through hole, thereby providing a restoring force in the vertical direction. An elastic spring; A lower portion of each of the elastic springs is exposed in a lower direction of the insulating body and is in contact with the ground terminal provided in the lower device. As a result, it is possible to replace the pogo-pin type semiconductor test socket while providing stable signal transmission and high-speed test, and an interposer that electrically connects the CPU and the board between the high-speed CPU and the board. Also applicable to (Interposer).

Description

양방향 도전성 모듈{BY-DIRECTIONAL ELECTRICALLY CONDUCTIVE MODULE}Bi-directional conductive module {BY-DIRECTIONAL ELECTRICALLY CONDUCTIVE MODULE}

본 발명은 양방향 도전성 모듈에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 포고-핀 타입의 반도체 테스트 소켓을 대체가 가능하면서도 안정적인 신호 전달과 함께 하이-스피드로의 테스트가 가능하고, 하이-스피드의 CPU와 보드 사이에서 CPU와 보드를 전기적으로 연결하는 인터포저(Interposer)에도 적용 가능한 양방향 도전성 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a bi-directional conductive module, and more particularly, it is possible to replace the pogo-pin type semiconductor test socket and to test at high speed with stable signal transmission, and between the high-speed CPU and the board. The present invention relates to a bidirectional conductive module applicable to an interposer that electrically connects a CPU to a board.

반도체 소자는 제조 과정을 거친 후 전기적 성능의 양불을 판단하기 위한 검사를 수행하게 된다. 반도체 소자의 양불 검사는 반도체 소자의 단자와 전기적으로 접촉될 수 있도록 형성된 반도체 테스트 소켓(또는 콘텍터 또는 커넥터)을 반도체 소자와 검사회로기판 사이에 삽입한 상태에서 검사가 수행된다. 그리고, 반도체 테스트 소켓은 반도체 소자의 최종 양불 검사 외에도 반도체 소자의 제조 과정 중 번-인(Burn-In) 테스트 과정에서도 사용되고 있다.After the semiconductor device is manufactured, the semiconductor device performs a test to determine whether the electrical performance is poor. The positive test of the semiconductor device is performed by inserting a semiconductor test socket (or a contactor or a connector) formed between the semiconductor device and the test circuit board so as to be in electrical contact with a terminal of the semiconductor device. The semiconductor test socket is also used in a burn-in test process during the manufacturing process of the semiconductor device, in addition to the final positive inspection of the semiconductor device.

반도체 소자의 집적화 기술의 발달과 소형화 추세에 따라 반도체 소자의 단자 즉, 리드의 크기 및 간격도 미세화되는 추세이고, 그에 따라 테스트 소켓의 도전 패턴 상호간의 간격도 미세하게 형성하는 방법이 요구되고 있다.With the development and miniaturization of semiconductor device integration technology, the size and spacing of terminals of semiconductor devices, that is, leads, are also miniaturized. Accordingly, there is a demand for a method of forming minute spacing between conductive patterns of test sockets.

그런데, 기존의 포고-핀(Pogo-pin) 타입의 반도체 테스트 소켓으로는 집적화되는 반도체 소자를 테스트하기 위한 반도체 테스트 소켓을 제작하는데 한계가 있었다. 도 1 내지 도 3은 한국공개특허 제10-2011-0065047호에 개시된 종래의 포고-핀(Pogo-pin) 타입의 반도체 테스트 소켓의 예를 나타낸 도면이다.However, the conventional Pogo-pin type semiconductor test socket has a limitation in manufacturing a semiconductor test socket for testing a semiconductor device to be integrated. 1 to 3 are diagrams showing an example of a conventional Pogo-pin type semiconductor test socket disclosed in Korean Patent Laid-Open No. 10-2011-0065047.

도 1 내지 도 3을 참조하여 설명하면 기존이 반도체 테스트 소켓(1100)은 반도체 디바이스(1130)의 단자(1131)와 대응되는 위치에 상하방향으로 관통공(1111)이 형성된 하우징(1110)과, 하우징(1110)의 관통공(1111) 내에 장착되어 반도체 디바이스(1130)의 단자(1131) 및 테스트 장치(1140)의 패드(1141)를 전기적으로 연결시키는 포고-핀(Pogo-pin)(1120)으로 이루어진다.1 to 3, the conventional semiconductor test socket 1100 includes a housing 1110 having a through hole 1111 formed in a vertical direction at a position corresponding to the terminal 1131 of the semiconductor device 1130, and Pogo-pins 1120 mounted in the through holes 1111 of the housing 1110 to electrically connect the terminals 1131 of the semiconductor device 1130 and the pads 1141 of the test apparatus 1140. Is done.

포고-핀(Pogo-pin)(1120)의 구성은, 포고-핀(Pogo-pin) 본체로 사용되며 내부가 비어있는 원통형 형태를 가지는 배럴(1124)과, 배럴(1124)의 하측에 형성되는 접촉팁(1123)과, 배럴(1124) 내부에서 접촉팁(1123)과 연결되어 수축과 팽창 운동을 하는 스프링(1122) 및 접촉팁(1123)과 연결된 스프링(1122) 반대편에 연결되어 반도체 디바이스(1130)와의 접촉에 따라 상하운동을 수행하는 접촉핀(1121)으로 구성된다.The configuration of the pogo-pin 1120 is a barrel 1124, which is used as a pogo-pin body and has a hollow cylindrical shape, and is formed below the barrel 1124. A semiconductor device connected to a contact tip 1123, a spring 1122 connected to the contact tip 1123 inside the barrel 1124 and contracting and expanding, and opposite to a spring 1122 connected to the contact tip 1123. It is composed of a contact pin 1121 to perform the vertical movement according to the contact with 1130.

이 때, 스프링(1122)은 수축 및 팽창을 하면서 접촉핀(1121)과 접촉팁(1123)에 전달되는 기계적인 충격을 흡수하면서 반도체 디바이스(1130)의 단자(1131)와 테스트 장치(1140)의 패드(1141)를 전기적으로 접속시켜 전기적인 불량여부를 검사하게 한다.At this time, the spring 1122 contracts and expands, while absorbing the mechanical shock transmitted to the contact pins 1121 and the contact tips 1123, the springs 1122 of the terminals 1131 and the test apparatus 1140 of the semiconductor device 1130. The pad 1141 is electrically connected to check whether there is an electrical failure.

그런데, 상기와 같은 기존의 포고-핀(Pogo-pin) 타입의 반도체 테스트 소켓은 상하 방향으로의 탄성을 유지하기 위해 물리적인 스프링을 사용하게 되고, 배럴 내부에 스프링과 핀을 삽입하고, 배럴을 다시 하우징의 관통공 내부에 삽입하여야 하므로 그 공정이 복잡할 뿐만 아니라 공정의 복잡성으로 인해 제조 가격이 상승하는 문제가 있다.However, the conventional Pogo-pin type semiconductor test socket as described above uses a physical spring to maintain elasticity in the vertical direction, inserts the spring and the pin into the barrel, and Since the process has to be inserted into the through-hole of the housing again, the process is complicated and the manufacturing cost increases due to the complexity of the process.

뿐만 아니라, 상하 방향으로 탄성을 갖는 전기적 접촉 구조의 구현을 위한 물리적인 구성 자체가 미세 피치를 구현하는데 한계가 있으며, 근래에 집적화된 반도체 소자에는 적용하는데 이미 한계치까지 도달해 있는 실정이다.In addition, the physical configuration itself for the implementation of the electrical contact structure having elasticity in the vertical direction has a limit to implement the fine pitch, and the situation has already reached the limit to apply to the integrated semiconductor device in recent years.

또한, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 포고-핀(Pogo-pin) 타입의 반도체 테스트 소켓은 상부의 상하 방향으로 접속팁(1123), 스프링(1122) 및 접속핀(1121)으로 연결되는 구조를 가지고 있어, 상하 방향으로의 길이를 줄이는데 한계가 있는데, 이와 같은 길이의 한계는 하이-스피드의 디바이스를 테스트하는데 한계로 작용하게 된다.In addition, as shown in FIGS. 1 to 3, the pogo-pin type semiconductor test socket is connected to the connecting tip 1123, the spring 1122, and the connecting pin 1121 in the upper and lower directions. Because of this structure, there is a limit in reducing the length in the vertical direction, which is a limit in testing a high-speed device.

한편, 포고-핀(Pogo-pin)의 반도체 테스트 소켓은 반도체 디바이스의 테스트 외에 두 디바이스를 전기적으로 연결하는 구조에서도 사용된다. 대표적인 예로, 하이-스피드의 CPU, 예컨대 대용량의 서버에 사용되는 CPU와 보드 사이에서 CPU의 핀과 보드의 단자 간을 연결하는 인터포저(Interposer)로 적용되고 있다.Meanwhile, the pogo-pin semiconductor test socket is used in a structure for electrically connecting two devices in addition to the test of the semiconductor device. As a representative example, a high-speed CPU, for example, an interposer connecting a pin of a CPU and a terminal of a board between a CPU and a board used in a large-capacity server.

대용량 서버에 사용되는 CPU이 경우, 일반 PC의 CPU 보다 면적이 넓고 핀의 수가 1000여개가 넘는 경우가 많아, 보드의 단자와 직접 접촉시키는 경우 접촉 불량이 발생할 수 있어, CPU와 보드 사이에서 포고-핀(Pogo-pin) 타입의 인터포저(Interposer)가 상하 방향으로 탄성적으로 두 디바이스를 연결하게 된다.In the case of a CPU used in a large-capacity server, the area of the CPU is larger than that of a general PC, and the number of pins is more than 1000, and if a direct contact is made with a terminal of a board, contact failure may occur. A pin-type interposer elastically connects the two devices in the vertical direction.

그런데, 포고-핀(Pogo-pin) 타입의 인터포저(Interposer)의 경우, 상술한 바와 같이, 피치의 한계로 인해 피치 간격이 좁아지는 CPU에 적용하는데 한계가 있을 뿐만 아니라, 상하 방향으로의 길이 한계로 인해 하이-스피드로 동작하는 CPU의 속도를 따라가기 어려운 문제점이 제기되고 있다.However, in the case of the Pogo-pin type interposer, as described above, there is a limitation in applying to a CPU in which the pitch interval is narrowed due to the limitation of the pitch, as well as the length in the vertical direction. Limitations raise the difficulty of keeping up with the speed of high-speed CPUs.

이에, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로서, 포고-핀 타입의 반도체 테스트 소켓을 대체가 가능하면서도 안정적인 신호 전달과 함께 하이-스피드로의 테스트가 가능하고, 하이-스피드의 CPU와 보드 사이에서 CPU와 보드를 전기적으로 연결하는 인터포저(Interposer)에도 적용 가능한 양방향 도전성 모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, it is possible to replace the pogo-pin type semiconductor test socket, but also to test the high-speed with a stable signal transmission, high-speed CPU It is an object of the present invention to provide a bidirectional conductive module that can be applied to an interposer that electrically connects the CPU and the board between the board and the board.

상기 목적은 본 발명에 따라, 상부 디바이스와 하부 디바이스를 전기적으로 연결하는 양방향 도전성 모듈에 있어서, 절연성을 갖는 재질로 마련되고, 상하 방향으로 관통된 복수의 관통홀이 형성된 절연성 본체와, 각각의 상기 관통홀에 형성되어 상하 방향으로 신호 라인을 형성하여 상기 상부 디바이스와 상기 하부 디바이스를 전기적으로 연결하는 복수의 도전 패턴부와, 각각의 상기 관통홀의 주변을 감싸도록 상기 절연성 본체 내부에 형성되어 상하 방향으로 복원력을 제공하는 탄성 스프링을 포함하고; 각각의 상기 탄성 스프링의 하부는 상기 절연성 본체의 하부 방향으로 노출되어 상기 하부 디바이스에 마련된 그라운드 단자에 접촉되는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 모듈에 의해서 달성된다.According to the present invention, the bidirectional conductive module for electrically connecting the upper device and the lower device, provided with an insulating material, an insulating body formed with a plurality of through holes penetrated in the vertical direction, and each of the above A plurality of conductive pattern portions formed in the through-holes to form signal lines in the vertical direction to electrically connect the upper device and the lower device, and formed inside the insulating body to surround the periphery of each of the through-holes; An elastic spring to provide restoring force; A lower portion of each elastic spring is achieved by a bidirectional conductive module, characterized in that it is exposed in the lower direction of the insulating body and in contact with the ground terminal provided in the lower device.

여기서, 상기 탄성 스프링은 상하 방향으로 복원력을 갖는 베이스 스프링과; 상기 베이스 스프링의 표면에 도금되어 도전성을 제공하는 도금층을 포함할 수 있다.Here, the elastic spring and the base spring having a restoring force in the vertical direction; It may include a plating layer plated on the surface of the base spring to provide conductivity.

또한, 상기 탄성 스프링은 상기 관통홀 주변의 상기 절연성 본체 내부에서 상하 방향을 따라 감기는 형태의 코일 스프링을 포함할 수 있다.In addition, the elastic spring may include a coil spring of the form wound along the vertical direction in the insulating body around the through hole.

그리고, 각각의 상기 도전 패턴부는 도전성을 갖는 도전성 파티클을 포함하는 충진제가 각각의 상기 관통홀에 충진되어 형성될 수 있다.In addition, each of the conductive pattern parts may be formed by filling each through hole with a filler including conductive particles having conductivity.

또한, 각각의 상기 도전 패턴부는 각각의 상기 관통홀의 상부 영역에 충진되고, 도전성을 갖는 도전성 파티클을 포함하는 충진제가 충진되어 형성되는 도전성 충진부와, 각각의 상기 관통홀의 하부 영역에 수용되고, 상기 도전성 충진부와 전기적으로 접촉되는 도전핀을 포함하고; 각각의 상기 관통홀은 상부 방향으로 개방된 상부 관통홀과, 상기 상부 관통홀의 내경보다 작은 내경을 가져 상기 상부 관통홀과의 사이에 단턱을 형성하는 하부 관통홀을 포함하며; 각각의 상기 도전핀은 상기 하부 관통홀에 삽입되는 기둥부와, 상기 기둥부의 상부로부터 반경 방향 외측으로 연장되는 연장부를 포함할 수 있다.In addition, each of the conductive pattern parts may be filled in an upper region of each of the through holes, filled with a filler including conductive particles having conductivity, and filled in a lower region of each of the through holes. A conductive pin in electrical contact with the conductive filler; Each of the through holes includes an upper through hole opened in an upper direction and a lower through hole having an inner diameter smaller than an inner diameter of the upper through hole and forming a step between the upper through holes; Each of the conductive pins may include a pillar portion inserted into the lower through hole, and an extension portion extending radially outward from an upper portion of the pillar portion.

상기와 같은 구성에 따라 본 발명에 따르면, 포고-핀 타입의 반도체 테스트 소켓을 대체가 가능하면서도 안정적인 신호 전달과 함께 하이-스피드로의 테스트가 가능하고, 하이-스피드의 CPU와 보드 사이에서 CPU와 보드를 전기적으로 연결하는 인터포저(Interposer)에도 적용 가능한 양방향 도전성 모듈이 제공된다.According to the present invention, according to the present invention, it is possible to replace the pogo-pin type semiconductor test socket, but also to test at high speed with stable signal transmission, and between the CPU and the board of high-speed CPU and board A bidirectional conductive module is also provided that can be applied to an interposer that electrically connects the board.

도 1 내지 도 3은 종래의 포고-핀(Pogo-pin) 타입의 반도체 테스트 소켓을 설명하기 위한 도면이고,
도 4 및 도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 양방향 도전성 모듈을 설명하기 위한 도면이고,
도 6 및 도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 양방향 도전성 모듈의 제조방법을 설명하기 위한 도면이고,
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 양방향 도전성 모듈을 설명하기 위한 도면이고,
도 9 내지 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 양방향 도전성 모듈의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.1 to 3 are diagrams for explaining a conventional Pogo-pin type semiconductor test socket,
4 and 5 are views for explaining a bidirectional conductive module according to a first embodiment of the present invention,
6 and 7 are views for explaining a method of manufacturing a bidirectional conductive module according to a first embodiment of the present invention,
8 is a view for explaining a bidirectional conductive module according to a second embodiment of the present invention;
9 to 11 are views for explaining a method of manufacturing a bidirectional conductive module according to a second embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described embodiments of the present invention;

본 발명의 실시예들에 따른 양방향 도전성 모듈(100)은 상부 디바이스와 하부 디바이스를 전기적으로 연결하는데 적용된다. 예를 들어, 반도체 디바이스(20)의 양불 검사에 적용되는 경우, 상부 디바이스는 테스트 대상이 되는 반도체 디바이스(20)이고, 하부 디바이스는 검사 회로 기판(10)일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 양방향 도전성 모듈(100)이 인터포저(Interposer)에 적용되는 경우, 상부 디바이스는 CPU이고, 하부 디바이스는 보드일 수 있다. 이하에서는 본 발명에 따른 양방향 도전성 모듈(100)이 반도체 디바이스(20)의 양불 테스트에 적용되는 것을 예로 하여 설명한다.The bidirectional conductive module 100 according to the embodiments of the present invention is applied to electrically connect the upper device and the lower device. For example, when applied to the positive inspection of the semiconductor device 20, the upper device may be the semiconductor device 20 to be tested, and the lower device may be the test circuit board 10. In addition, when the bidirectional conductive module 100 according to the present invention is applied to an interposer, the upper device may be a CPU, and the lower device may be a board. Hereinafter, the bidirectional conductive module 100 according to the present invention will be described as an example that is applied to the positive test of the semiconductor device 20.

도 4 및 도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 양방향 도전성 모듈(100)을 설명하기 위한 도면이다. 도 4 및 도 5를 참조하여 설명하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 양방향 도전성 모듈(100)은 절연성 본체(110), 도전 패턴부(130) 및 탄성 스프링(120)을 포함한다.4 and 5 are diagrams for describing the bidirectional conductive module 100 according to the first embodiment of the present invention. 4 and 5, the bidirectional conductive module 100 according to the first embodiment of the present invention includes an insulating body 110, a conductive pattern unit 130, and an elastic spring 120.

절연성 본체(110)는 절연성 재질로 마련되는데, 실리콘과 같은 탄성을 갖는 재질로 마련되는 것을 예로 한다. 절연성 본체(110)에는 상하 방향으로 관통된 복수의 관통홀(111)(111, 도 7 참조)이 형성된다.The insulating body 110 is provided with an insulating material, for example, is provided with a material having elasticity such as silicon. Insulating body 110 is formed with a plurality of through holes 111 (111, see Fig. 7) penetrated in the vertical direction.

도전 패턴부(130)는 각각의 관통홀(111)에 형성되어 상하 방향으로 신호 라인을 형성한다. 본 발명의 제1 실시예에 따른 도전 패턴부(130)는 도전성을 갖는 도전성 파티클(131)을 포함하는 충진제가 각각의 관통홀(111)에 충진되어 형성되는 것을 예로 한다. 예를 들어, 액상의 실리콘(132)과 도전성 파티클(131)이 혼합된 충진제의 충진 및 경화에 의해 형성될 수 있다. 여기서, 도전성 파티클(131)은 도전성을 갖는 도전성 분말, 도전성 파이버 또는 도전성 와이어의 형태를 가질 수 있으며, 도전성의 향상을 위해 외부 표면에 도전성 재질의 도금이 형성될 수 있다.The conductive pattern portion 130 is formed in each through hole 111 to form a signal line in the vertical direction. The conductive pattern unit 130 according to the first embodiment of the present invention is an example in which a filler including conductive particles 131 having conductivity is filled in each through hole 111. For example, the liquid silicon 132 and the conductive particle 131 may be formed by filling and curing a filler mixed therein. Here, the conductive particle 131 may have the form of conductive powder, conductive fiber or conductive wire having conductivity, and plating of a conductive material may be formed on an outer surface to improve conductivity.

탄성 스프링(120)은 각각의 관통홀(111)의 주변을 감싸도록 절연성 본체(110) 내부에 형성되어 상하 방향으로 복원력을 제공한다. 본 발명에서는 탄성 스프링(120)이 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 관통홀(111)의 주변의 절연성 본체(110) 내부에서 상하 방향을 따라 감기는 형태의 코일 스프링 형태로 구성되는 것을 예로 한다.The elastic spring 120 is formed inside the insulating body 110 to surround the periphery of each through hole 111 to provide a restoring force in the vertical direction. In the present invention, as shown in Figures 4 and 5, the elastic spring 120 is configured in the form of a coil spring of the form wound around the inside of the insulating body 110 around the through-hole 111 in the vertical direction. Yes.

여기서, 탄성 스프링(120)은 도전성을 갖도록 마련되는데, 상하 방향으로 복원력을 갖는 베이스 스프링과, 베이스 스프링의 표면에 도금되어 도전성을 제공하는 도금층을 포함할 수 있다. 베이스 스프링은 탄소강 재질, 스테인리스강 재질, 텅스텐 재질, 플라스틱 재질 중 적어도 어느 하나로 마련될 수 있으며, 도금층은 표면에 은 또는 금 도금을 통해 형성될 수 있으며, 베이스 스프링의 재질에 따라 은 또는 금 도금 전에 니켈 도금과 같은 추가적인 도금을 통해 형성될 수 있다.Here, the elastic spring 120 is provided to have conductivity, and may include a base spring having a restoring force in the vertical direction and a plating layer plated on the surface of the base spring to provide conductivity. The base spring may be formed of at least one of carbon steel material, stainless steel material, tungsten material, and plastic material, and the plating layer may be formed on the surface by silver or gold plating, and before the silver or gold plating, depending on the material of the base spring. It may be formed through additional plating such as nickel plating.

또한, 본 발명에 따른 탄성 스프링(120)의 하부는 절연성 본체(110)의 하부 방향으로 노출된다. 그리고, 절연성 본체(110)의 하부 방향으로 노출된 탄성 스프링(120)의 하부 영역은 하부 디바이스, 예를 들어 검사 회로 기판(10)에 마련된 그라운드 단자(12)에 접촉된다.In addition, the lower portion of the elastic spring 120 according to the present invention is exposed in the lower direction of the insulating body (110). The lower region of the elastic spring 120 exposed in the lower direction of the insulating body 110 contacts the ground terminal 12 provided in the lower device, for example, the test circuit board 10.

도 5를 참조하여 보다 구체적으로 설명하면, 본 발명에 따른 양방향 도전성 모듈(100)이 반도체 디바이스(20)의 양불 검사에 적용되는 경우, 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 양방향 도전성 모듈(100)은 반도체 디바이스(20)와 검사 회로 기판(10) 사이에 배치된다.In more detail with reference to FIG. 5, when the bidirectional conductive module 100 according to the present invention is applied to the positive test of the semiconductor device 20, as shown in FIG. 100 is disposed between the semiconductor device 20 and the test circuit board 10.

이 때, 양방향 도전성 모듈(100)의 각각의 도전 패턴부(130)는 검사 회로 기판(10)의 신호 단자(11)와 접촉된다. 이 때, 검사 회로 기판(10)의 신호 단자(11) 주변에는, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 그라운드 단자(12)가 형성되는데, 탄성 스프링(120)의 하부 중 어느 부분이 노출되더라도 접촉이 가능하도록 신호 단자(11) 주변에 원형 트랙 형상을 갖도록 마련되는 것을 예로 한다.At this time, each conductive pattern portion 130 of the bidirectional conductive module 100 is in contact with the signal terminal 11 of the test circuit board 10. At this time, the ground terminal 12 is formed around the signal terminal 11 of the test circuit board 10 as shown in FIG. 5B, and any portion of the lower portion of the elastic spring 120 is formed. For example, it is provided to have a circular track shape around the signal terminal 11 to allow contact even when exposed.

상기와 같은 구성에 따라, 양방향 도전성 모듈(100)의 도전 패턴부(130) 및 탄성 스프링(120)이 각각 검사 회로 기판(10)의 신호 단자(11) 및 그라운드 단자(12)에 접촉된 상태에서, 양방향 도전성 모듈(100)의 상부에서 반도체 디바이스(20)의 볼(21)이 도전 패턴부(130)의 상부에 접촉하게 되면, 도전 패턴부(130)에 의해 상호 대응하는 반도체 디바이스(20)의 볼(21)과 검사 회로 기판(10)의 신호 단자(11)가 연결되어 반도체 디바이스(20)의 양불 검사가 가능하게 된다.According to the above configuration, the conductive pattern portion 130 and the elastic spring 120 of the bidirectional conductive module 100 are in contact with the signal terminal 11 and the ground terminal 12 of the test circuit board 10, respectively. In this case, when the ball 21 of the semiconductor device 20 contacts the upper portion of the conductive pattern portion 130 on the bidirectional conductive module 100, the semiconductor device 20 corresponding to each other by the conductive pattern portion 130 is formed. ) And the signal terminal 11 of the test circuit board 10 are connected to each other to enable a positive test of the semiconductor device 20.

이 때, 각각의 도전 패턴부(130)의 주변에 위치하는 탄성 스프링(120)이 검사 회로 기판(10)의 그라운드 단자(12)에 접촉되어 접지를 형성함으로써, 각각의 도전 패턴부(130)에서의 노이즈 및 상호 신호 간섭을 최소화하여 안정적인 신호의 전달이 가능하게 되고, 하이-스피드의 구현 또한 가능하게 된다.At this time, the elastic spring 120 positioned around each conductive pattern portion 130 contacts the ground terminal 12 of the test circuit board 10 to form ground, thereby forming each conductive pattern portion 130. By minimizing the noise and cross-signal interference in the system, stable signal transmission is possible, and high-speed implementation is also possible.

또한, 접지 기능을 수행하는 탄성 스프링(120)이 상하 방향으로 복원력을 제공하게 되어, 상부 방향에서 반도체 디바이스(20)의 볼(21)이 도전 패턴부(130)를 하부 방향으로 가압할 때 절연성 본체(110)와 함께 탄성 스프링(120)이 탄성적으로 이를 지지하여, 절연성 본체(110)의 변형을 방지하게 된다. 이를 통해, 변형에 따른 전기적 특성의 저하를 방지할 수 있을 뿐만 아니라 제품의 수명을 향상시킬 수 있게 된다.In addition, the elastic spring 120 that performs the grounding function provides a restoring force in the vertical direction, so that when the ball 21 of the semiconductor device 20 presses the conductive pattern portion 130 downward in the upper direction The elastic spring 120 together with the main body 110 elastically supports it, thereby preventing deformation of the insulating main body 110. Through this, it is possible to prevent the deterioration of the electrical characteristics due to deformation as well as to improve the life of the product.

이하에서는, 도 6 및 도 7을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 양방향 도전성 모듈(100)의 제조방법에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the bidirectional conductive module 100 according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 6 and 7.

먼저, 도 6의 (a)에 도시된 바와 같이, 복수의 금형 핀(3)이 상향 돌출된 베이스 금형(1)을 마련한다. 여기서, 베이스 금형(1)에 형성된 복수의 금형 핀(3)은 양방향 도전성 모듈(100)의 관통홀(111)에 대응하는 크기와 간격으로 마련된다. 그런 다음, 각각의 금형 핀(3)을 감싸도록 각각의 금형 핀(3)에 탄성 스프링(120)을 끼운다.First, as shown in FIG. 6A, a base mold 1 having a plurality of mold pins 3 protruding upward is provided. Here, the plurality of mold pins 3 formed in the base mold 1 are provided at sizes and intervals corresponding to the through holes 111 of the bidirectional conductive module 100. Then, an elastic spring 120 is fitted to each mold pin 3 so as to surround each mold pin 3.

각각의 금형 핀(3)에 탄성 스프링(120)이 끼워진 상태에서, 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, 절연성 재질의 액상, 예컨대, 액상의 실리콘(132)을 베이스 금형(1)에 주입한 후, 고온에서 경화시켜 절연성 본체(110)를 형성한다. 본 발명에서는 150℃의 온도에서 15분 이상 고온 경화시키는 것을 예로 한다. 이 때, 베이스 금형(1)에 액상의 실리콘(132)을 주입할 때, 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, 탄성 스프링(120)의 상부가 외부로 노출될 수 있는 정도의 양으로 절연성 본체(110)를 형성하게 되며, 이를 상하 방향으로 뒤집어 사용하게 되면, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 탄성 스프링(120)의 하부가 절연성 본체(110)의 하부 표면에 노출된 구조로 형성 가능하게 된다.With the elastic spring 120 fitted to each mold pin 3, as shown in FIG. 6B, a liquid, for example, liquid silicone 132, of an insulating material is applied to the base mold 1. After injection, the resin is cured at a high temperature to form an insulating body 110. In the present invention, for example, curing at high temperature for more than 15 minutes at a temperature of 150 ℃. At this time, when injecting the liquid silicon 132 into the base mold 1, as shown in Figure 6 (b), the amount of the upper portion of the elastic spring 120 can be exposed to the outside When the insulating body 110 is formed and used upside down, as shown in FIGS. 4 and 5, the lower portion of the elastic spring 120 is exposed to the lower surface of the insulating body 110. It becomes possible to form.

상기와 같이 절연성 본체(110)의 형성이 완료되면, 절연성 본체(110)를 베이스 금형(1)으로부터 이탈시키면, 도 7에 도시된 바와 같이, 복수의 관통홀(111)이 형성된 절연성 본체(110)의 제작이 완료된다. 도 7에서는 절연성 본체(110)의 상하가 역전되지 않은 상태를 도시하고 있다. 여기서, 각각의 금형 핀(3)에 의해 절연성 본체(110)에 상하 방향으로 관통된 복수의 관통공이 형성되고, 각각의 관통공의 주변을 탄성 스프링(120)이 감싸는 형태로 절연성 본체(110) 내부에 형성된다.When the insulating body 110 is formed as described above, when the insulating body 110 is separated from the base mold 1, as shown in FIG. 7, the insulating body 110 having the plurality of through holes 111 formed therein. ) Production is completed. In FIG. 7, the upper and lower portions of the insulating body 110 are not reversed. Here, the plurality of through holes penetrated in the vertical direction in the insulating main body 110 by the respective mold pins 3, the insulating main body 110 in a form in which the elastic spring 120 wraps around the respective through holes. It is formed inside.

그리고, 도전성 파티클(131)을 포함하는 충진제, 예컨대 상술한 바와 같이, 액상의 실리콘(132)과 도전성 파티클(131)이 혼합된 충진제를 각각의 관통홀(111)에 충진한 후 경화시키게 되면 도전 패턴부(130)가 형성되고, 이를 상하 방향으로 뒤집게 되면, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같은 양방향 도전성 모듈(100)의 제작이 완료된다. 여기서, 충진제는 고온, 예를 들어 160℃ 이상의 고온에서 경화시키는 것을 예로 한다.When the filler including the conductive particles 131, for example, the filler filled with the liquid silicon 132 and the conductive particles 131 are mixed in each through hole 111 and then cured, the conductive particles 131 may be electrically conductive. When the pattern portion 130 is formed and turned upside down, the fabrication of the bidirectional conductive module 100 as shown in FIGS. 4 and 5 is completed. Here, the filler is an example of curing at a high temperature, for example, 160 ℃ or higher.

이하에서는, 도 8을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 양방향 도전성 모듈(300)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the bidirectional conductive module 300 according to the second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 8.

본 발명의 제2 실시예에 따른 양방향 도전성 모듈(300)은, 도 8에 도시된 바와 같이, 양방향 도전성 모듈(300)은 절연성 본체(310), 도전 패턴부(330) 및 탄성 스프링(320)을 포함한다.In the bidirectional conductive module 300 according to the second embodiment of the present invention, as shown in FIG. 8, the bidirectional conductive module 300 includes an insulating body 310, a conductive pattern portion 330, and an elastic spring 320. It includes.

제1 실시예와 마찬가지로, 절연성 본체(310)는 절연성 재질로 마련되는데, 실리콘)과 같은 탄성을 갖는 재질로 마련되는 것을 예로 한다. 절연성 본체(310)에는 상하 방향으로 관통된 복수의 관통홀(311,312)가 형성된다.Like the first embodiment, the insulating body 310 is made of an insulating material, for example, is provided with a material having elasticity such as silicon. The insulating body 310 has a plurality of through holes 311 and 312 penetrating in the vertical direction.

여기서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 절연성 본체(310)의 각각의 관통홀(311,312)은, 도 8의 확대 영역 및 도 10에 도시된 바와 같이, 상부 관통홀(311) 및 하부 관통홀(312)를 포함한다.Here, each of the through holes 311 and 312 of the insulating body 310 according to the second embodiment of the present invention, as shown in the enlarged region of FIG. 8 and FIG. 10, has an upper through hole 311 and a lower through hole. 312.

상부 관통홀(311)은 상부 방향으로 개방되고, 하부 방향으로 하부 관통홀(312)와 연통된다. 하부 관통홀(312)는 하부 방향으로 개방되고, 상부 방향으로 상부 관통홀(311)과 연통된다. 여기서, 하부 관통홀(312)의 내경은 상부 관통홀(311)의 내경보다 작게 마련되어 상부 관통홀(311)과 하부 관통홀(312) 사이에는 단턱(313)이 형성된다.The upper through hole 311 is opened in the upper direction and communicates with the lower through hole 312 in the lower direction. The lower through hole 312 is opened in the lower direction and communicates with the upper through hole 311 in the upper direction. Here, the inner diameter of the lower through hole 312 is provided to be smaller than the inner diameter of the upper through hole 311, the step 313 is formed between the upper through hole 311 and the lower through hole 312.

제1 실시예와 마찬가지로, 도전 패턴부(330)는 각각의 관통홀(311,312)에 형성되어 상하 방향으로 신호 라인을 형성한다. 본 발명의 제2 실시예에 따른 각각의 도전 패턴부(330)는, 도 8에 도시된 바와 같이, 도전성 충진부(331) 및 도전핀(332,333)을 포함할 수 있다.Like the first embodiment, the conductive pattern portion 330 is formed in each of the through holes 311 and 312 to form signal lines in the vertical direction. Each conductive pattern part 330 according to the second exemplary embodiment of the present invention may include a conductive filling part 331 and conductive pins 332 and 333 as shown in FIG. 8.

도전성 충진부(331)는 각각의 관통홀(311,312)의 상부 영역, 즉 상부 관통홀(311)에 충진된다. 여기서, 도전성 충진부(331)는 제1 실시예에서 마찬가지로, 도전성을 갖는 도전성 파우더를 포함하는 충진제가 충진되어 형성된다.The conductive filler 331 is filled in the upper region of each of the through holes 311 and 312, that is, the upper through hole 311. Here, the conductive filler 331 is formed by filling a filler including conductive powder having conductivity as in the first embodiment.

도전핀(332,333)은 관통홀(311,312)의 하부 영역, 즉 하부 관통홀(312)에 수용되는데, 도전성 충진부(331)와 전기적으로 접촉된 상태를 유지한다. 이에 따라, 도전성 충진부(331)와 도전핀(332,333)이 상하 방향으로 하나의 도전 패턴을 형성하게 된다.The conductive pins 332 and 333 are accommodated in the lower regions of the through holes 311 and 312, that is, the lower through holes 312, and remain in electrical contact with the conductive filler 331. Accordingly, the conductive filler 331 and the conductive pins 332 and 333 form one conductive pattern in the vertical direction.

여기서, 도전핀(332,333)은 하부 관통홀(312)에 삽입되는 기둥부(332)와, 기둥부(332)의 상부로부터 반경 방향 외측으로 연장되는 연장부(333)를 포함한다. 이를 통해, 기둥부(332)가 하부 관통홀(312)에 삽입된 상태에서 연장부(333)의 상부에서 하부 방향으로 도전핀(332,333)이 이동하더라도 관통홀(311,312)의 단턱(313)에 걸리는 형태가 되어 하부 방향으로의 이탈이 방지된다.Here, the conductive pins 332 and 333 include a pillar portion 332 inserted into the lower through hole 312 and an extension portion 333 extending radially outward from the top of the pillar portion 332. As a result, even when the conductive pins 332 and 333 move from the upper portion of the extension portion 333 to the lower portion in the state where the pillar portion 332 is inserted into the lower through hole 312, the stepped portions 313 of the through holes 311 and 312 are moved. It becomes a catching form, and the departure to the downward direction is prevented.

본 발명에서는 도전핀(332,333)이 도전핀(332,333) 형태의 베이스 본체의 표면에 도전성 재질의 도금을 통해 형성되는 것을 예로 하며, 베이스 본체는 섬유 재질이나 BeCu 재질로 마련되고, 니켈 재질 및 금 재질의 순차적인 도금을 통해 형성되는 것을 예로 한다.In the present invention, for example, the conductive pins 332 and 333 are formed on the surface of the base body in the form of conductive pins 332 and 333 by plating with a conductive material. For example, it is formed through the sequential plating of.

상기와 같은 구성에 따라 하나의 도전 패턴을 형성하는데 있어, 도전성 충진부(331)와 도전핀(332,333)을 이용함으로써, 도전성 충진부(331)가 반도체 디바이스(20)의 볼(21, 도 5 참조)에 접촉하도록 하여 볼(21)에 발생할 수 있는 스크래치(Scratch) 발생을 해소하고, 도전 패턴의 상하 방향으로의 두께를 도전핀(332,333)의 상하 방향으로의 길이로 해결함으로써, 기존의 포고-핀 타입의 반도체 테스트 소켓이 갖는 문제점인 미세 피치 구현의 제약을 해소함과 동시에 PCR 타입의 반도체 테스트 소켓이 갖는 문제점인 상하 방향으로의 두께 제약의 문제점을 해소할 수 있게 된다.In the formation of one conductive pattern according to the above configuration, by using the conductive filling portion 331 and the conductive pins 332 and 333, the conductive filling portion 331 is a ball (21, 5) of the semiconductor device 20 By removing the scratches that may occur in the ball 21 and solving the thickness of the conductive pattern in the vertical direction by the length of the conductive pins 332 and 333 in the vertical direction. It is possible to solve the problem of fine pitch, which is a problem of the pin type semiconductor test socket, and at the same time, to solve the problem of thickness constraint in the vertical direction, which is the problem of the PCR test semiconductor test socket.

탄성 스프링(320)은 각각의 관통홀(311,312)의 주변을 감싸도록 절연성 본체(310) 내부에 형성되어 상하 방향으로 복원력을 제공한다. 여기서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 탄성 스프링(320)의 구성은 제1 실시예에 대응하는 바, 그 상세한 설명은 생략한다.The elastic spring 320 is formed inside the insulating body 310 to surround the periphery of each of the through holes 311 and 312 to provide a restoring force in the vertical direction. Here, the configuration of the elastic spring 320 according to the second embodiment of the present invention corresponds to the first embodiment, a detailed description thereof will be omitted.

상기와 같은 구성에 따라, 본 발명의 제2 실시예에서는 제1 실시예서와 동일하게, 양방향 도전성 모듈(300)의 도전 패턴부(330) 및 탄성 스프링(320)이 각각 검사 회로 기판(30)의 신호 단자(31) 및 그라운드 단자(32)에 접촉된 상태에서, 양방향 도전성 모듈(300)의 상부에서 반도체 디바이스(20)의 볼(21)이 도전 패턴부(330)의 상부에 접촉하게 되면, 도전 패턴부(330)에 의해 상호 대응하는 반도체 디바이스(20)의 볼(21)과 검사 회로 기판(30)의 신호 단자(31)가 연결되어 반도체 디바이스(20)의 양불 검사가 가능하게 된다.According to the above configuration, in the second embodiment of the present invention, as in the first embodiment, the conductive pattern portion 330 and the elastic spring 320 of the bidirectional conductive module 300 are respectively inspected circuit board 30. When the ball 21 of the semiconductor device 20 in contact with the upper portion of the conductive pattern portion 330 in the upper portion of the bidirectional conductive module 300 in the state in contact with the signal terminal 31 and the ground terminal 32 of the The ball pattern 21 of the semiconductor device 20 and the signal terminal 31 of the test circuit board 30 are connected to each other by the conductive pattern unit 330, thereby enabling the test of the semiconductor device 20 to be unsuccessful. .

이 때, 각각의 도전 패턴부(330)의 주변에 위치하는 탄성 스프링(320)이 검사 회로 기판(30)의 그라운드 단자(32)에 접촉되어 접지를 형성함으로써, 각각의 도전 패턴부(330)에서의 노이즈 및 상호 신호 간섭을 최소화하여 안정적인 신호의 전달이 가능하게 되고, 하이-스피드의 구현 또한 가능하게 된다.At this time, the elastic spring 320 positioned around each conductive pattern portion 330 contacts the ground terminal 32 of the test circuit board 30 to form ground, thereby forming each conductive pattern portion 330. By minimizing the noise and cross-signal interference in the system, stable signal transmission is possible, and high-speed implementation is also possible.

또한, 접지 기능을 수행하는 탄성 스프링(320)이 상하 방향으로 복원력을 제공하게 되어, 상부 방향에서 반도체 디바이스(20)의 볼(21)이 도전 패턴부(330)를 하부 방향으로 가압할 때 절연성 본체(310)와 함께 탄성 스프링(320)이 탄성적으로 이를 지지하여, 절연성 본체(310)의 변형을 방지하게 된다. 이를 통해, 변형에 따른 전기적 특성의 저하를 방지할 수 있을 뿐만 아니라 제품의 수명을 향상시킬 수 있게 된다.In addition, the elastic spring 320 that performs the grounding function provides a restoring force in the vertical direction, so that when the ball 21 of the semiconductor device 20 presses the conductive pattern portion 330 in the lower direction in the upper direction, it is insulative. The elastic spring 320 is elastically supported together with the main body 310 to prevent deformation of the insulating main body 310. Through this, it is possible to prevent the deterioration of the electrical characteristics due to deformation as well as to improve the life of the product.

이하에서는, 도 9 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 양방향 도전성 모듈(300)의 제조 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the bidirectional conductive module 300 according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 9 to 11.

먼저, 도 9의 (a)에 도시된 바와 같이, 먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 복수의 금형 핀(3)이 상향 돌출된 베이스 금형(3)을 마련한다. 여기서, 베이스 금형(3)에 형성된 복수의 금형 핀(3)은 양방향 도전성 모듈(300)의 관통홀(311,312)의 형상에 대응하도록 마련된다. 보다 구체적으로 설명하면, 각각의 금형 핀(3)은 베이스 금형(3)의 바닥면으로부터 돌출된 제1 핀부(512)와, 제1 핀부(512)로부터 연장되되 제1 핀부(512)보다 직경이 작은 제2 핀부(511)로 구성된다. 여기서, 제1 핀부(512)는 관통홀(311,312)의 상부 관통홀(311)에 대응하고, 제2 핀부(511)는 관통홀(311,312)의 하부 관통홀(312)에 대응하게 된다.First, as shown in FIG. 9A, first, as shown in FIG. 5A, a base mold 3 having a plurality of mold pins 3 protruding upward is provided. Here, the plurality of mold pins 3 formed in the base mold 3 are provided to correspond to the shape of the through holes 311 and 312 of the bidirectional conductive module 300. In more detail, each mold pin 3 has a first pin portion 512 protruding from the bottom surface of the base mold 3, and extends from the first pin portion 512 and has a diameter greater than that of the first pin portion 512. This small second pin part 511 is comprised. Here, the first fin part 512 corresponds to the upper through hole 311 of the through holes 311 and 312, and the second fin part 511 corresponds to the lower through hole 312 of the through holes 311 and 312.

그런 다음, 각각의 금형 핀(3)을 감싸도록 각각의 금형 핀(3)에 탄성 스프링(320)을 끼운다. 여기서 탄성 스프링(320)의 내경은 제1 핀의 직경보다 크게 형성된다. 그리고, 각각의 금형 핀(3)에 탄성 스프링(320)이 끼워진 상태에서, 도 9의 (b)에 도시된 바와 같이, 절연성 재질의 액상, 예컨대 액상의 실리콘(332)을 베이스 금형(3)에 주입한 후, 고온에서 경화시켜 절연성 본체(310)를 형성한다. 본 발명에서는 150℃의 온도에서 15분 이상 고온 경화시키는 것을 예로 한다. 이 때, 제1 실시예에서와 마찬가지로, 탄성 스프링(320)의 상부가 노출되는 상태가 될 정도의 액상 실리콘(332)을 주입하게 된다.Then, an elastic spring 320 is fitted to each mold pin 3 so as to surround each mold pin 3. Here, the inner diameter of the elastic spring 320 is formed larger than the diameter of the first pin. Then, in the state in which the elastic spring 320 is fitted to each mold pin 3, as shown in Fig. 9 (b), the base mold (3) is a liquid of an insulating material, for example, liquid silicone 332 After injecting into the resin, it is cured at a high temperature to form an insulating body 310. In the present invention, for example, curing at high temperature for more than 15 minutes at a temperature of 150 ℃. At this time, as in the first embodiment, the liquid silicon 332 is injected to the extent that the upper portion of the elastic spring 320 is exposed.

그런 다음, 액상의 실리콘(332)의 경화가 완료되면, 절연성 본체(310)를 베이스 금형(3)로부터 이탈시키면, 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이, 복수의 관통홀(311,312)가 형성된 절연성 본체(310)가 제작된다. 여기서, 각각의 관통홀(311,312)는 제2 핀부(511)에 의해 형성되는 하부 관통홀(312)과, 제1 핀부(512)에 의해 형성되는 상부 관통홀(311)을 포함하게 되며, 하부 관통홀(312)의 내경이 상부 관통홀(311)의 내경보다 작게 형성된다. 또한, 관통홀(311,312)의 주변을 탄성 스프링(320)이 감싸는 형태로 절연성 본체(310)의 내부에 형성된다. Then, when curing of the liquid silicone 332 is completed, when the insulating main body 310 is removed from the base mold 3, as shown in (a) of FIG. 10, a plurality of through holes (311, 312) The formed insulating body 310 is produced. Here, each of the through holes 311 and 312 includes a lower through hole 312 formed by the second pin part 511 and an upper through hole 311 formed by the first pin part 512. The inner diameter of the through hole 312 is formed smaller than the inner diameter of the upper through hole 311. In addition, the elastic spring 320 wraps around the through holes 311 and 312, and is formed in the insulating body 310.

그런 다음, 도 10의 (b)에 도시된 바와 같이, 도전핀(332,333)을 상부 관통홀(311)을 통해 삽입하여 기둥부(332)가 하부 관통홀(312)에 삽입되도록 한다. 이 때, 도전핀(332,333)의 연장부(333)가 관통홀(311,312)의 내부 단턱(313)에 걸리는 형태가 되어 제조 과정에서 관통홀(311,312) 하부로 이탈되는 것을 방지할 수 있게 된다.Then, as shown in (b) of FIG. 10, the conductive pins 332 and 333 are inserted through the upper through hole 311 so that the pillar part 332 is inserted into the lower through hole 312. In this case, the extension portions 333 of the conductive pins 332 and 333 may be caught by the internal step 313 of the through holes 311 and 312, thereby preventing them from being separated below the through holes 311 and 312 during the manufacturing process.

그리고, 도전핀(332,333)이 삽입된 후, 도 11의 (a)에 도시된 바와 같이, 도전성 파우더를 포함하는 충진제, 예를 들어 액상의 실리콘(332)과 도전성 파우더이 혼합된 충진제를 각각의 상부 관통홀(311)에 충진한 후 경화시키게 되면 도전성 충진부(331)가 형성 가능하게 된다. 여기서, 충진제는 고온, 예를 들어 160℃ 이상의 고온에서 경화시키는 것을 예로 한다.Then, after the conductive pins 332 and 333 are inserted, as shown in (a) of FIG. 11, the filler including the conductive powder, for example, the liquid silicone 332 and the filler mixed with the conductive powder, are respectively topped. When the filler is filled in the through hole 311 and cured, the conductive filler 331 can be formed. Here, the filler is an example of curing at a high temperature, for example, 160 ℃ or higher.

여기서, 본 발명에서는, 도 11의 (b)에 도시된 바와 같이, 충진제의 경화 과정에서, 충진제의 충진 후, 상부 평판 금형이 절연성 본체(310)의 상부 표면에 접촉하여 각각의 상부 관통홀(311)의 상부가 차단되도록 하고, 하부 평판 금형이 절연성 본체(310)의 하부 표면에 접촉하여 하부 관통홀(312)를 통해 하부로 돌출된 기둥부(332)가 상부 방향으로 이동한 상태로 충진제의 경화 과정을 진행할 수 있다.Here, in the present invention, as shown in Fig. 11 (b), in the curing process of the filler, after filling the filler, the upper plate mold is in contact with the upper surface of the insulating body 310, each upper through hole ( The filler of the pillar 332 protruding downward through the lower through hole 312 is moved to the upper plate 311 and the lower plate mold contacts the lower surface of the insulating main body 310. The curing process can be carried out.

따라서, 기둥부(332)가 하부 평판 금형에 의해 상부 방향으로 밀리게 되어, 연장부(333)와 단턱(313) 사이에는 이격 공간(S)이 형성되는 상태로 도전성 충진부(331)의 경화가 진행 가능하게 된다. 이에 따라, 도전핀(332,333)의 연장부(333)는, 도 8의 확대 영역에 도시된 바와 같이, 관통홀(311,312)의 내부 단턱(313)으로부터 상부 방향으로 소정 간격 이격되어 배치된다.Accordingly, the pillar portion 332 is pushed upward by the lower plate mold, and the conductive filling portion 331 is cured in a state where a space S is formed between the extension portion 333 and the step 313. Becomes possible. Accordingly, the extension portions 333 of the conductive pins 332 and 333 are spaced apart from each other in the upper direction from the inner step 313 of the through holes 311 and 312 as shown in the enlarged region of FIG. 8.

이를 통해, 도전핀(332,333)의 기둥부(332)의 하부 끝단은 검사 회로 기판(30)과의 접촉을 위해 하부 관통홀(312)의 외부로 돌출되는데, 제조 과정에서의 불량이나 오차, 설치나 이송 과정에서 일부가 하부 관통홀(312)의 내부에 위치하게 되면 접촉 불량이 발생하게 된다.Through this, the lower ends of the pillars 332 of the conductive pins 332 and 333 protrude to the outside of the lower through hole 312 for contact with the test circuit board 30. If a part is located inside the lower through hole 312 during the transfer process, a poor contact occurs.

그러나, 상부에서 반도체 디바이스(20)의 볼(21)이 가압에 의해 도전핀(332,333)의 연장부(333)와 관통홀(311,312)의 내부 단턱(313) 사이의 이격 공간(S)으로 도전핀(332,333)이 이동 가능하게 됨으로써, 도전핀(332,333)의 기둥부(332)의 하부가 안정적으로 검사 회로 기판(30)에 접촉 가능하게 된다.However, at the top, the balls 21 of the semiconductor device 20 conduct to the spaced space S between the extension portions 333 of the conductive pins 332 and 333 and the internal step 313 of the through holes 311 and 312 by pressing. As the pins 332 and 333 are movable, the lower portion of the pillar portion 332 of the conductive pins 332 and 333 can stably contact the test circuit board 30.

전술한 실시예에서는 탄성 스프링(320)의 절연성 본체(310)의 내부에서 상부 영역에서 하부 영역까지 상하로 전체적으로 형성되는 것을 예로 하고 있으나, 절연성 본체(310)의 하부 표면으로부터 노출된 상태로 하부의 일부 영역에만 형성될 수 있음은 물론이다.In the above-described embodiment, the upper and lower regions of the elastic spring 320 are formed entirely from the upper region to the lower region, but the lower portion of the elastic spring 320 is exposed from the lower surface of the insulating body 310. Of course, it can be formed only in some areas.

비록 본 발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.Although some embodiments of the invention have been shown and described, it will be apparent to those skilled in the art that modifications may be made to the embodiment without departing from the spirit or spirit of the invention. . It is intended that the scope of the invention be defined by the claims appended hereto and their equivalents.

100,300 : 양방향 도전성 모듈 110,310 : 절연성 본체
111 : 관통홀 311 : 상부 관통홀
312 : 하부 관통홀 313 : 단턱
120,320 : 탄성 스프링 130,330 : 도전 패턴부
131 : 도전성 파티클 132 : 실리콘
331 : 도전성 충진부 332 : 기둥부
333 : 연장부 1,500 : 베이스 금형
3 : 금형 핀 511 : 제2 핀부
512 : 제1 핀부 10 : 검사 회로 기판
11 : 신호 단자 12 : 그라운드 단자
20 : 반도체 디바이스 21 : 볼100,300: bidirectional conductive module 110,310: insulating body
111: through hole 311: upper through hole
312 lower through hole 313 step
120,320: elastic spring 130,330: conductive pattern portion
131: conductive particle 132: silicon
331: conductive filling portion 332: pillar portion
333: extension 1,500: base mold
3: mold pin 511: second pin part
512: first pin portion 10: inspection circuit board
11: signal terminal 12: ground terminal
20 semiconductor device 21 ball

Claims (5)

상부 디바이스와 하부 디바이스를 전기적으로 연결하는 양방향 도전성 모듈에 있어서,
절연성을 갖는 재질로 마련되고, 상하 방향으로 관통된 복수의 관통홀이 형성된 절연성 본체와,
각각의 상기 관통홀에 형성되어 상하 방향으로 신호 라인을 형성하여 상기 상부 디바이스와 상기 하부 디바이스를 전기적으로 연결하는 복수의 도전 패턴부와,
각각의 상기 관통홀의 주변을 감싸도록 상기 절연성 본체 내부에 형성되되, 상기 도전 패턴부와 물리적으로 분리되도록 상기 절연성 본체 내부에 형성되어 상하 방향으로 복원력을 제공하는 탄성 스프링을 포함하고;
각각의 상기 탄성 스프링의 하부는 상기 절연성 본체의 하부 방향으로 노출되어 상기 하부 디바이스에 마련된 그라운드 단자에 접촉되는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 모듈.In the bidirectional conductive module for electrically connecting the upper device and the lower device,
An insulating body provided with an insulating material and having a plurality of through holes penetrated in the vertical direction;
A plurality of conductive pattern portions formed in each of the through holes and electrically connecting the upper device and the lower device by forming signal lines in an up-down direction;
An elastic spring which is formed inside the insulating body to surround the periphery of each through hole, and is formed inside the insulating body so as to be physically separated from the conductive pattern part, and provides a restoring force in the vertical direction;
A lower portion of each of the elastic springs is exposed in a lower direction of the insulating body and is in contact with a ground terminal provided in the lower device. 제1항에 있어서,
상기 탄성 스프링은
상하 방향으로 복원력을 갖는 베이스 스프링과;
상기 베이스 스프링의 표면에 도금되어 도전성을 제공하는 도금층을 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 모듈.The method of claim 1,
The elastic spring is
A base spring having a restoring force in the vertical direction;
And a plated layer plated on a surface of the base spring to provide conductivity. 제1항에 있어서,
상기 탄성 스프링은 상기 관통홀 주변의 상기 절연성 본체 내부에서 상하 방향을 따라 감기는 형태의 코일 스프링을 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 모듈.The method of claim 1,
The elastic spring is a bi-directional conductive module, characterized in that it comprises a coil spring wound in the vertical direction in the insulating body around the through hole. 제1항에 있어서,
각각의 상기 도전 패턴부는
도전성을 갖는 도전성 파티클을 포함하는 충진제가 각각의 상기 관통홀에 충진되어 형성되는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 모듈.The method of claim 1,
Each conductive pattern portion
A bidirectional conductive module, characterized in that the filler comprising conductive particles having conductivity is filled in each of the through holes. 제1항에 있어서,
각각의 상기 도전 패턴부는
각각의 상기 관통홀의 상부 영역에 충진되고, 도전성을 갖는 도전성 파티클을 포함하는 충진제가 충진되어 형성되는 도전성 충진부와,
각각의 상기 관통홀의 하부 영역에 수용되고, 상기 도전성 충진부와 전기적으로 접촉되는 도전핀을 포함하고;
각각의 상기 관통홀은
상부 방향으로 개방된 상부 관통홀과,
상기 상부 관통홀의 내경보다 작은 내경을 가져 상기 상부 관통홀과의 사이에 단턱을 형성하는 하부 관통홀을 포함하며;
각각의 상기 도전핀은
상기 하부 관통홀에 삽입되는 기둥부와,
상기 기둥부의 상부로부터 반경 방향 외측으로 연장되는 연장부를 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 도전성 모듈.The method of claim 1,
Each conductive pattern portion
A conductive filler filled in an upper region of each of the through holes and filled with a filler including conductive particles having conductivity;
A conductive pin received in a lower region of each of the through holes, the conductive pin being in electrical contact with the conductive filling portion;
Each of the through holes
An upper through hole opened in an upward direction,
A lower through hole having an inner diameter smaller than an inner diameter of the upper through hole and forming a step between the upper through hole;
Each conductive pin is
A pillar portion inserted into the lower through hole;
And an extension extending radially outward from an upper portion of the pillar portion.
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