KR102389136B1 - Signal Loss Prevented Test Socket - Google Patents

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KR102389136B1
KR102389136B1 KR1020210188477A KR20210188477A KR102389136B1 KR 102389136 B1 KR102389136 B1 KR 102389136B1 KR 1020210188477 A KR1020210188477 A KR 1020210188477A KR 20210188477 A KR20210188477 A KR 20210188477A KR 102389136 B1 KR102389136 B1 KR 102389136B1
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test socket
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KR1020210188477A
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이제형
김석민
박준철
주학재
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주식회사 새한마이크로텍
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Abstract

The present invention relates to a test socket used to measure an electric characteristic of an electric element. In accordance with the present invention, the test socket, which is placed between terminals facing each other to electrically connect the terminals, includes: a plurality of first conductive parts having both ends thereof in contact with opposed power or signal terminals, and including a first elastic matrix having a column shape, and a plurality of conductive particles arranged in the first elastic matrix in a longitudinal direction of the first elastic matrix; a plurality of insulative support parts formed to surround at least one of the plurality of first conductive parts; and a second conductive part having both side surfaces thereof in contact with a plurality of ground terminals, and formed to surround the plurality of insulative support parts. In accordance with the present invention, the test socket for preventing a signal loss can minimize a signal loss, and, therefore, speed and accuracy for a test can be improved.

Description

신호 손실 방지용 테스트 소켓{Signal Loss Prevented Test Socket}Signal Loss Prevented Test Socket

본 발명은 전기 소자의 전기적 특성 측정에 사용되는 테스트 소켓에 관한 것이다.The present invention relates to a test socket used for measuring electrical characteristics of an electrical device.

반도체 소자가 제조되면, 제조된 반도체 소자에 대한 성능 검사가 필요하다. 반도체 소자의 검사에는 검사 장치의 접촉 패드와 반도체 소자의 단자를 전기적으로 연결하는 테스트 소켓이 필요하다.When a semiconductor device is manufactured, it is necessary to perform a performance test on the manufactured semiconductor device. A test socket for electrically connecting a contact pad of the test device to a terminal of the semiconductor device is required for testing a semiconductor device.

테스트 소켓 중에서 전도성 입자들을 실리콘 고무의 두께 방향으로 배치한 접촉부와 인접한 접촉부들을 절연시키며 지지하는 절연부를 구비한 이방 전도성 시트를 구비한 테스트 소켓은 기계적인 충격이나 변형을 흡수하여 유연한 접속이 가능하며, 제조 비용이 저렴하다는 장점이 있다.Among the test sockets, the test socket with an anisotropic conductive sheet having an insulating part that insulates and supports the contact part where conductive particles are arranged in the thickness direction of the silicone rubber and the adjacent contact part is capable of flexible connection by absorbing mechanical shock or deformation. It has the advantage of low manufacturing cost.

도 1은 종래 기술의 테스트 소켓을 나타내는 도면이다. 종래 기술의 테스트 소켓의 이방 전도성 시트(5)는 반도체 소자(1)의 단자(2)와 접촉하는 접촉부(6)와 인접한 접촉부(6)들을 절연시키며 지지하는 절연부(8)로 구성된다. 접촉부(6)의 상단부와 하단부는 각각 반도체 소자(1)의 단자(2)와 반도체 검사 장치(3)의 접촉 패드(4)와 접촉하여, 단자(2)와 접촉 패드(4)를 전기적으로 연결한다. 접촉부(6)는 실리콘 수지에 크기가 작은 구형의 전도성 입자(7)들을 혼합하여 굳힌 것으로서 전기가 흐르는 도체로 작용한다.1 is a view showing a test socket of the prior art. The anisotropic conductive sheet 5 of the test socket of the prior art consists of a contact portion 6 in contact with the terminal 2 of the semiconductor element 1 and an insulating portion 8 that insulates and supports the adjacent contact portions 6 . The upper end and lower end of the contact portion 6 are in contact with the terminal 2 of the semiconductor element 1 and the contact pad 4 of the semiconductor inspection apparatus 3, respectively, to electrically connect the terminal 2 and the contact pad 4 connect The contact part 6 is made by mixing small-sized spherical conductive particles 7 in a silicone resin and hardened, and acts as a conductor through which electricity flows.

그런데 이러한 종래의 테스트 소켓은 절연부(8)가 절연성 소재만으로 이루어지므로, 고주파 신호 전달시 접촉부(6) 간 신호의 간섭을 피할 수 없어서, 고주파 신호 전송 특성이 저하된다는 문제가 있었다.However, in this conventional test socket, since the insulating part 8 is made of only an insulating material, interference of signals between the contact parts 6 cannot be avoided when transmitting high-frequency signals, and thus, there is a problem in that high-frequency signal transmission characteristics are deteriorated.

한국 공개실용신안 제2009-0006326호Korea Public Utility Model No. 2009-0006326 한국 공개특허 제10-2017-0066981호Korean Patent Publication No. 10-2017-0066981 한국 등록특허 제10-0375117호Korean Patent Registration No. 10-0375117 한국 등록특허 제10-2133675호Korean Patent Registration No. 10-2133675

본 발명은 상술한 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 고주파에서 신호 손실을 최소화하여 정확도가 향상된 새로운 구조의 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a test socket for preventing signal loss having a new structure with improved accuracy by minimizing signal loss at high frequencies to improve the above problems.

상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 마주보는 단자들 사이에 배치되어 단자들을 전기적으로 접속시키는 테스트 소켓으로서, 그 양단부가 마주보는 전원 또는 신호 단자들과 접촉하며, 기둥 형태의 제1 탄성 매트릭스와, 상기 제1 탄성 매트릭스의 내부에 상기 제1 탄성 매트릭스의 길이방향으로 배열되는 다수의 제1 전도성 입자들을 구비하는 복수의 제1 도전부들과; 상기 복수의 제1 도전부들 중에서 적어도 하나를 둘러싸도록 구성된 복수의 절연성 지지부들과; 그 양쪽 표면이 마주보는 복수의 접지 단자들과 접촉하며, 상기 복수의 절연성 지지부들을 둘러싸도록 구성된 제2 도전부를 구비하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is a test socket disposed between the opposite terminals to electrically connect the terminals, the both ends of which are in contact with the opposite power or signal terminals, and the first elastic in the form of a column a plurality of first conductive parts including a matrix and a plurality of first conductive particles arranged in the longitudinal direction of the first elastic matrix in the first elastic matrix; a plurality of insulating supports configured to surround at least one of the plurality of first conductive portions; Provided is a test socket for preventing signal loss, wherein both surfaces thereof are in contact with a plurality of ground terminals facing each other and include a second conductive portion configured to surround the plurality of insulating supports.

또한, 상기 제2 도전부는, 상기 복수의 절연성 지지부들을 둘러싸도록 구성된 제2 탄성 매트릭스와, 상기 제2 탄성 매트릭스의 내부에 상기 제2 탄성 매트릭스의 두께 방향으로 배열되는 다수의 제2 전도성 입자들을 구비하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.In addition, the second conductive part includes a second elastic matrix configured to surround the plurality of insulating supports, and a plurality of second conductive particles arranged in the thickness direction of the second elastic matrix inside the second elastic matrix It provides a test socket for preventing signal loss, characterized in that.

또한, 상기 복수의 제1 도전부들은 복수의 제1 도전부들을 포함하는 복수의 제1 도전부 그룹들을 포함하며, 상기 절연성 지지부 각각은 각각의 제1 도전부 그룹에 속하는 복수의 제1 도전부들을 둘러싸도록 구성된 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.In addition, the plurality of first conductive parts includes a plurality of first conductive part groups including a plurality of first conductive parts, and each of the insulating support parts includes a plurality of first conductive parts belonging to each first conductive part group. It provides a test socket for preventing signal loss, characterized in that configured to surround the.

또한, 상기 제2 도전부의 적어도 한쪽 표면에는 상기 복수의 접지 단자들과 접촉하도록 돌출된 돌출부가 형성된 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.In addition, there is provided a test socket for preventing signal loss, characterized in that at least one surface of the second conductive part is formed with a protrusion protruding to contact the plurality of ground terminals.

또한, 상기 제1 도전부의 적어도 일단부는, 상기 제1 도전부의 외측면으로부터 확대된 확대부를 구비하며, 상기 제2 도전부는 인접하는 상기 확대부로부터 멀어지는 방향으로 함몰된 오목부를 구비하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.In addition, at least one end of the first conductive portion has an enlarged portion enlarged from the outer surface of the first conductive portion, and the second conductive portion has a concave portion recessed in a direction away from the adjacent enlarged portion. Provides a test socket to prevent signal loss.

또한, 상기 제2 도전부는, 적어도 하나의 제1 관통 구멍과 적어도 하나의 제2 관통 구멍이 형성된 전도성 플레이트와; 상기 전도성 플레이트의 적어도 한쪽 표면을 덮으며, 상기 제2 관통 구멍을 채우는 제2 탄성 매트릭스와; 상기 제2 탄성 매트릭스의 내부에 상기 제2 탄성 매트릭스의 두께 방향으로 배열되는 다수의 제2 전도성 입자들을 구비하며, 상기 제1 도전부와 상기 절연성 지지부는 상기 제1 관통 구멍 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.The second conductive part may include: a conductive plate having at least one first through hole and at least one second through hole formed therein; a second elastic matrix covering at least one surface of the conductive plate and filling the second through hole; A plurality of second conductive particles are provided inside the second elastic matrix in a thickness direction of the second elastic matrix, and the first conductive part and the insulating support part are disposed in the first through hole. A test socket for preventing signal loss is provided.

또한, 상기 전도성 플레이트의 외곽에 형성된 제1 관통 구멍 또는 제2 관통 구멍의 외측에는 제3 관통 구멍이 형성되는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.In addition, there is provided a test socket for preventing signal loss, characterized in that a third through hole is formed outside the first through hole or the second through hole formed outside the conductive plate.

또한, 상기 제3 관통 구멍에는 제3 도전부가 배치되는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.In addition, there is provided a test socket for preventing signal loss, characterized in that a third conductive part is disposed in the third through hole.

또한, 상기 전도성 플레이트는 비자성인 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.In addition, the conductive plate provides a test socket for preventing signal loss, characterized in that the non-magnetic.

또한, 상기 전도성 플레이트는 구리 또는 구리 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.In addition, the conductive plate provides a test socket for preventing signal loss, characterized in that made of copper or a copper alloy.

또한, 상기 전도성 플레이트는 적층된 복수의 서브 플레이트들을 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.In addition, the conductive plate provides a test socket for preventing signal loss, characterized in that it includes a plurality of stacked sub-plates.

또한, 상기 절연 지지부, 상기 제1 탄성 매트릭스, 상기 제2 탄성 매트릭스는 동일한 소재로 이루어진 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.In addition, the insulating support, the first elastic matrix, and the second elastic matrix provides a test socket for preventing signal loss, characterized in that made of the same material.

또한, 상기 절연 지지부, 상기 제1 탄성 매트릭스, 상기 제2 탄성 매트릭스는 실리콘계 수지 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE)계 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.In addition, the insulating support, the first elastic matrix, and the second elastic matrix provides a test socket for preventing signal loss, characterized in that it includes a silicone-based resin or polytetrafluoroethylene (PTFE)-based resin.

본 발명에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓은 고주파에서 신호 손실이 최소화된다. 따라서 고주파 검사에서 정확도가 향상된다.The test socket for preventing signal loss according to the present invention minimizes signal loss at high frequencies. Therefore, the accuracy is improved in high-frequency inspection.

도 1은 종래기술에 따른 테스트 소켓을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 위에서 바라본 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 나타내는 도면이다.
도 6은 도 5에 도시된 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 위에서 바라본 도면이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 나타내는 도면이다.
도 8은 도 7에 도시된 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 아래에서 바라본 도면이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 나타내는 도면이다.1 is a view showing a test socket according to the prior art.
2 is a view showing a test socket for preventing signal loss according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a top view of the test socket for preventing signal loss shown in FIG. 2 .
4 is a view showing a test socket for preventing signal loss according to another embodiment of the present invention.
5 is a view showing a test socket for preventing signal loss according to another embodiment of the present invention.
6 is a view of the test socket for preventing signal loss shown in FIG. 5 as viewed from above.
7 is a view showing a test socket for preventing signal loss according to another embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a view of the test socket for preventing signal loss shown in FIG. 7 as viewed from below.
9 is a diagram illustrating a test socket for preventing signal loss according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들에 의거하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail based on the accompanying drawings. The embodiments introduced below are provided as examples so that the spirit of the present invention can be sufficiently conveyed to those skilled in the art. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. And in the drawings, the width, length, thickness, etc. of the components may be exaggerated for convenience. Like reference numerals refer to like elements throughout.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 나타내는 도면이며, 도 3은 도 2에 도시된 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 위에서 바라본 도면이다.FIG. 2 is a view showing a test socket for preventing signal loss according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a view of the test socket for preventing signal loss shown in FIG. 2 as viewed from above.

신호 손실 방지용 테스트 소켓(100)은 마주보는 단자들 사이에 배치되어 단자들을 전기적으로 접속시키는 역할을 한다. 예를 들어, 신호 손실 방지용 테스트 소켓(100)은 검사 장치(3)의 단자(4)와 반도체 소자(1)의 단자(2)를 전기적으로 연결하는 역할을 한다.The test socket 100 for preventing signal loss is disposed between the opposite terminals and serves to electrically connect the terminals. For example, the test socket 100 for preventing signal loss serves to electrically connect the terminal 4 of the test device 3 and the terminal 2 of the semiconductor device 1 .

도 2와 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓(100)은 복수의 제1 도전부(10)들과, 복수의 절연성 지지부(20)들과, 제2 도전부(30)를 포함한다. 도 3에는 네 개의 제1 도전부(10)들이 도시되어 있으나, 제1 도전부(10)의 개수는 수십 내지 수천 개일 수도 있다.2 and 3 , the test socket 100 for preventing signal loss according to an embodiment of the present invention includes a plurality of first conductive parts 10 , a plurality of insulating support parts 20 , and a second 2 conductive parts 30 are included. Although four first conductive parts 10 are illustrated in FIG. 3 , the number of the first conductive parts 10 may be several tens to several thousand.

각각의 제1 도전부(10)는 서로 마주보는 전원 단자 또는 신호 단자들(2b, 4b)을 전기적으로 접속시키는 역할을 한다.Each of the first conductive parts 10 serves to electrically connect the power terminals or signal terminals 2b and 4b facing each other.

제1 도전부(10)는 제1 탄성 매트릭스(12)와 다수의 제1 전도성 입자(14)들을 구비한다.The first conductive portion 10 includes a first elastic matrix 12 and a plurality of first conductive particles 14 .

제1 탄성 매트릭스(12)는 기둥 형태이다. 예를 들어, 원기둥이나 사각, 육각, 팔각 등의 다각 기둥 형태일 수 있다. 제1 탄성 매트릭스(12)는 제1 전도성 입자(14)들을 지지하는 역할을 한다. 또한, 측정시에 탄성 변형되면서 단자들(2b, 4b)에 가해지는 압력을 감소시키면서, 제1 도전부(10)를 단자들(2b, 4b)에 밀착시키는 역할을 한다.The first elastic matrix 12 is in the form of a column. For example, it may be in the form of a polygonal column such as a cylinder, a square, a hexagon, or an octagon. The first elastic matrix 12 serves to support the first conductive particles 14 . In addition, while being elastically deformed during measurement, the pressure applied to the terminals 2b and 4b is reduced, and the first conductive part 10 is brought into close contact with the terminals 2b and 4b.

제1 탄성 매트릭스(12)는 다양한 종류의 고분자 물질로 형성할 수 있다. 예를 들어, 실리콘, 폴리부타디엔, 폴리이소프렌, SBR, NBR 등 및 그들의 수소화합물과 같은 디엔형 고무로 구현될 수 있다. 또한, 스티렌부타디엔 블럭코폴리머, 스티렌이소프렌 블럭코폴리머 등 및 그들의 수소 화합물과 같은 블럭코폴리머로 구현될 수도 있다. 또한, 클로로프렌, 우레탄 고무, 폴리에틸렌형 고무, 에피클로로히드린 고무, 에틸렌-프로필렌 코폴리머, 에틸렌프로필렌디엔 코폴리머 등으로 구현될 수도 있다. 또한, 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE) 수지로 구현될 수도 있다. 제1 탄성 매트릭스(12)는 실리콘계 수지 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE) 수지로 구현되는 것이 바람직하다.The first elastic matrix 12 may be formed of various types of polymer materials. For example, it may be implemented with a diene rubber such as silicone, polybutadiene, polyisoprene, SBR, NBR, and the like and their hydrogen compounds. In addition, it may be implemented as a block copolymer such as a styrene-butadiene block copolymer, a styrene-isoprene block copolymer, and the like, and their hydrogen compounds. In addition, chloroprene, urethane rubber, polyethylene rubber, epichlorohydrin rubber, ethylene-propylene copolymer, ethylene propylene diene copolymer, etc. may be implemented. In addition, it may be implemented with a polytetrafluoroethylene (PTFE) resin. The first elastic matrix 12 is preferably implemented with a silicone-based resin or polytetrafluoroethylene (PTFE) resin.

제1 탄성 매트릭스(12)는 액상 수지를 경화하여 얻을 수 있다.The first elastic matrix 12 may be obtained by curing a liquid resin.

제1 전도성 입자(14)들은 제1 탄성 매트릭스(12)의 길이방향으로 배열된다. 제1 전도성 입자(14)들은 서로 접촉하여 제1 도전부(10)의 길이방향으로 전도성을 부여한다. 반도체 소자(1)의 검사를 위해서 제1 도전부(10)의 길이방향으로 압력이 가해지면, 제1 도전부(10)가 길이방향으로 압축된다. 그리고 제1 전도성 입자(24)들이 서로 더욱 가까워지면서 제1 도전부(10)의 길이방향 전기 전도도가 더욱 높아진다.The first conductive particles 14 are arranged in the longitudinal direction of the first elastic matrix 12 . The first conductive particles 14 are in contact with each other to impart conductivity in the longitudinal direction of the first conductive part 10 . When pressure is applied in the longitudinal direction of the first conductive part 10 for the inspection of the semiconductor device 1 , the first conductive part 10 is compressed in the longitudinal direction. And as the first conductive particles 24 become closer to each other, the longitudinal electrical conductivity of the first conductive part 10 is further increased.

제1 전도성 입자(14)들은 철, 구리, 아연, 크롬, 니켈, 은, 코발트, 알루미늄 등과 같은 단일 도전성 금속재 또는 이들 금속재료 둘 이상의 합금으로 구현될 수 있다. 또한, 제1 전도성 입자(14)들은 코어 금속의 표면을 전도성이 뛰어난 금, 은, 로듐, 팔라듐, 백금 또는 은과 금, 은과 로듐, 은과 팔라듐 등과 같은 금속으로 코팅하는 방법으로 구현할 수도 있다.The first conductive particles 14 may be implemented with a single conductive metal material, such as iron, copper, zinc, chromium, nickel, silver, cobalt, aluminum, or an alloy of two or more of these metal materials. In addition, the first conductive particles 14 may be implemented by coating the surface of the core metal with a metal having excellent conductivity, such as gold, silver, rhodium, palladium, platinum, or silver and gold, silver and rhodium, silver and palladium. .

제조방법을 단순화하기 위해서, 제1 전도성 입자(14)들은 자성을 가지는 입자들인 것이 바람직하다. 예를 들어, 자성을 가지는 금속으로 이루어진 코어의 표면을 전도성이 높은 금속으로 코팅하는 방법으로 구현할 수 있다.In order to simplify the manufacturing method, the first conductive particles 14 are preferably particles having magnetism. For example, it can be implemented by coating the surface of the core made of a metal having a magnetic property with a metal having high conductivity.

각각의 절연성 지지부(20)는 각각의 제1 도전부(10)를 둘러싼다.Each insulating support 20 surrounds a respective first conductive part 10 .

각각의 절연성 지지부(20)는 각각의 제1 도전부(10)를 지지하고, 제2 도전부(30)로부터 제1 도전부(10)를 절연시키는 역할을 한다.Each insulating support 20 supports each of the first conductive parts 10 and serves to insulate the first conductive part 10 from the second conductive part 30 .

절연성 지지부(20)는 제1 탄성 매트릭스(12)와 마찬가지로 다양한 종류의 고분자 물질로 형성할 수 있다. 예를 들어, 실리콘, 폴리부타디엔, 폴리이소프렌, SBR, NBR 등 및 그들의 수소화합물과 같은 디엔형 고무로 구현될 수 있다. 또한, 스티렌부타디엔 블럭코폴리머, 스티렌이소프렌 블럭코폴리머 등 및 그들의 수소 화합물과 같은 블럭코폴리머로 구현될 수도 있다. 또한, 클로로프렌, 우레탄 고무, 폴리에틸렌형 고무, 에피클로로히드린 고무, 에틸렌-프로필렌 코폴리머, 에틸렌프로필렌디엔 코폴리머 등으로 구현될 수도 있다. 또한, 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE) 수지로 구현될 수도 있다. 절연성 지지부(20)는 실리콘계 수지 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE) 수지로 구현되는 것이 바람직하다. 절연성 지지부(20)는 액상 수지를 경화하여 얻을 수 있다.Like the first elastic matrix 12 , the insulating support 20 may be formed of various types of polymer materials. For example, it may be implemented with a diene rubber such as silicone, polybutadiene, polyisoprene, SBR, NBR, and the like and their hydrogen compounds. In addition, it may be implemented as a block copolymer such as a styrene-butadiene block copolymer, a styrene-isoprene block copolymer, and the like, and their hydrogen compounds. In addition, chloroprene, urethane rubber, polyethylene rubber, epichlorohydrin rubber, ethylene-propylene copolymer, ethylene propylene diene copolymer, etc. may be implemented. In addition, it may be implemented with a polytetrafluoroethylene (PTFE) resin. The insulating support 20 is preferably implemented with a silicone-based resin or polytetrafluoroethylene (PTFE) resin. The insulating support 20 may be obtained by curing a liquid resin.

절연성 지지부(20)는 제1 탄성 매트릭스(12)와 동일한 재질로 형성될 수 있다.The insulating support 20 may be formed of the same material as the first elastic matrix 12 .

제2 도전부(30)는 복수의 절연성 지지부(20)들을 둘러싼다. 제2 도전부(30)는 대체로 일부 구역들이 제1 도전부(10)와 절연성 지지부(20)로 대체되어 있는 플레이트 형태이다.The second conductive part 30 surrounds the plurality of insulating supports 20 . The second conductive part 30 is generally in the form of a plate in which some regions are replaced by the first conductive part 10 and the insulating support part 20 .

제2 도전부(30)의 양쪽 표면은 마주보는 복수의 접지 단자들(2a, 4a)과 접촉한다. 제2 도전부(30)의 적어도 한쪽 표면(도 2에서는 검사 장치 측 표면)에는 복수의 접지 단자들(4a)과 접촉하도록 돌출된 돌출부(36)가 형성된다.Both surfaces of the second conductive part 30 are in contact with a plurality of facing ground terminals 2a and 4a. At least one surface of the second conductive part 30 (the surface on the side of the inspection device in FIG. 2 ) is formed with a protrusion 36 protruding to contact the plurality of ground terminals 4a.

제2 도전부(30)는 제1 도전부(10)와 함께 동축 케이블(coaxial cable)과 유사한 구조를 이루어, 고속 신호 전달 시에 제1 도전부(10)의 신호 손실을 최소화하는 역할을 한다. 제2 도전부(30)는 접지 단자들(2a, 4a)과 연결되므로 제2 도전부(30)도 접지된 상태가 된다.The second conductive part 30 together with the first conductive part 10 has a structure similar to a coaxial cable, and serves to minimize signal loss of the first conductive part 10 during high-speed signal transmission. . Since the second conductive part 30 is connected to the ground terminals 2a and 4a, the second conductive part 30 is also in a grounded state.

제2 도전부(30)는 제2 탄성 매트릭스(32)와, 다수의 제2 전도성 입자(34)들을 구비한다.The second conductive part 30 includes a second elastic matrix 32 and a plurality of second conductive particles 34 .

제2 탄성 매트릭스(32)는 제1 탄성 매트릭스(22)와 마찬가지로 다양한 종류의 고분자 물질로 형성할 수 있다. 예를 들어, 실리콘, 폴리부타디엔, 폴리이소프렌, SBR, NBR 등 및 그들의 수소화합물과 같은 디엔형 고무로 구현될 수 있다. 또한, 스티렌부타디엔 블럭코폴리머, 스티렌이소프렌 블럭코폴리머 등 및 그들의 수소 화합물과 같은 블럭코폴리머로 구현될 수도 있다. 또한, 클로로프렌, 우레탄 고무, 폴리에틸렌형 고무, 에피클로로히드린 고무, 에틸렌-프로필렌 코폴리머, 에틸렌프로필렌디엔 코폴리머 등으로 구현될 수도 있다. 또한, 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE) 수지로 구현될 수도 있다. 제2 탄성 매트릭스(32)도 실리콘계 수지 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE) 수지로 구현되는 것이 바람직하다. 제2 탄성 매트릭스(32)는 액상 수지를 경화하여 얻을 수 있다.Like the first elastic matrix 22 , the second elastic matrix 32 may be formed of various types of polymer materials. For example, it may be implemented with a diene rubber such as silicone, polybutadiene, polyisoprene, SBR, NBR, and the like and their hydrogen compounds. In addition, it may be implemented as a block copolymer such as a styrene-butadiene block copolymer, a styrene-isoprene block copolymer, and the like, and their hydrogen compounds. In addition, chloroprene, urethane rubber, polyethylene rubber, epichlorohydrin rubber, ethylene-propylene copolymer, ethylene propylene diene copolymer, etc. may be implemented. In addition, it may be implemented with a polytetrafluoroethylene (PTFE) resin. The second elastic matrix 32 is also preferably implemented with a silicone-based resin or polytetrafluoroethylene (PTFE) resin. The second elastic matrix 32 may be obtained by curing a liquid resin.

제2 탄성 매트릭스(32)는 제1 탄성 매트릭스(12)와 동일한 재질로 형성될 수 있다.The second elastic matrix 32 may be formed of the same material as the first elastic matrix 12 .

제2 전도성 입자(34)들은 제2 탄성 매트릭스(32)의 두께방향으로 배열된다. 제2 전도성 입자(34)들은 서로 접촉하여 제2 도전부(30)의 두께방향으로 전도성을 부여한다. 반도체 소자(1)의 검사를 위해서 제2 도전부(30)의 두께방향으로 압력이 가해지면, 제2 도전부(30)가 길이방향으로 압축된다. 그리고 제2 전도성 입자(34)들이 서로 더욱 가까워지면서 제2 도전부(30)의 길이방향 전기 전도도가 더욱 높아진다.The second conductive particles 34 are arranged in the thickness direction of the second elastic matrix 32 . The second conductive particles 34 are in contact with each other to impart conductivity in the thickness direction of the second conductive part 30 . When pressure is applied in the thickness direction of the second conductive part 30 for the inspection of the semiconductor device 1 , the second conductive part 30 is compressed in the longitudinal direction. And as the second conductive particles 34 become closer to each other, the longitudinal electrical conductivity of the second conductive part 30 is further increased.

제2 전도성 입자(34)들은 제1 전도성 입자(14)들과 마찬가지로, 철, 구리, 아연, 크롬, 니켈, 은, 코발트, 알루미늄 등과 같은 단일 도전성 금속재 또는 이들 금속재료 둘 이상의 합금으로 구현될 수 있다. 또한, 제2 전도성 입자(34)들도 코어 금속의 표면을 전도성이 뛰어난 금, 은, 로듐, 팔라듐, 백금 또는 은과 금, 은과 로듐, 은과 팔라듐 등과 같은 금속으로 코팅하는 방법으로 구현할 수도 있다.The second conductive particles 34, like the first conductive particles 14, may be implemented with a single conductive metal material such as iron, copper, zinc, chromium, nickel, silver, cobalt, aluminum, or an alloy of two or more of these metal materials. there is. In addition, the second conductive particles 34 may also be implemented by coating the surface of the core metal with a metal having excellent conductivity, such as gold, silver, rhodium, palladium, platinum, or silver and gold, silver and rhodium, silver and palladium. there is.

제조방법을 단순화하기 위해서, 제2 전도성 입자(34)들도 자성을 가지는 입자들인 것이 바람직하다. 예를 들어, 자성을 가지는 금속으로 이루어진 코어의 표면을 전도성이 높은 금속으로 코팅하는 방법으로 구현할 수 있다.In order to simplify the manufacturing method, it is preferable that the second conductive particles 34 are also particles having magnetism. For example, it can be implemented by coating the surface of the core made of a metal having a magnetic property with a metal having high conductivity.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 나타내는 도면이다. 4 is a view showing a test socket for preventing signal loss according to another embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 실시예는 제1 도전부(110)의 적어도 일단부(도 4에서는 반도체 소자(1) 측 단부)가 제1 도전부(110)의 외측면으로부터 확대된 확대부(116)를 구비한다는 점에서, 도 2와 3에 도시된 실시예와 차이가 있다. 반도체 소자(1)의 단자(2b)와의 접촉 면적을 넓이기 위함이다. In the embodiment shown in FIG. 4 , at least one end of the first conductive part 110 (the semiconductor device 1 side end in FIG. 4 ) is enlarged from the outer surface of the first conductive part 110 . It is different from the embodiment shown in FIGS. 2 and 3 in that it includes. This is to increase the contact area of the semiconductor element 1 with the terminal 2b.

또한, 제2 도전부(130)는 인접하는 확대부(116)로부터 멀어지는 방향으로 함몰된 오목부(138)를 구비한다는 점에서도, 도 2와 3에 도시된 실시예와 차이가 있다. 고주파 신호의 반사를 방지하기 위한 임피던스 매칭을 위해서 제1 도전부(110)와 제2 도전부(130) 사이의 간격을 유지할 필요가 있기 때문이다.In addition, the second conductive part 130 is different from the embodiment shown in FIGS. 2 and 3 in that it has a recessed part 138 recessed in a direction away from the adjacent enlarged part 116 . This is because it is necessary to maintain a distance between the first conductive part 110 and the second conductive part 130 for impedance matching to prevent reflection of a high frequency signal.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 나타내는 도면이며, 도 6은 도 5에 도시된 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 위에서 바라본 도면이다.5 is a view showing a test socket for preventing signal loss according to another embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a view of the test socket for preventing signal loss shown in FIG. 5 as viewed from above.

도 5와 6에 도시된 실시예는 각각의 절연 지지부(220)가 복수의 제1 도전부(210)들을 둘러싼다는 점에서, 도 2와 3에 도시된 실시예와 차이가 있다. 또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 절연 지지부(220)가 사각형이라는 점에서도 차이가 있다.The embodiment shown in FIGS. 5 and 6 is different from the embodiment shown in FIGS. 2 and 3 in that each insulating support 220 surrounds the plurality of first conductive parts 210 . Further, as shown in FIG. 6 , there is a difference in that the insulating support 220 has a rectangular shape.

본 실시예에서는 복수의 제1 도전부(210)들로 이루어진 제1 도전부 그룹에 속하는 제1 도전부(210)들이 하나의 반도체 소자의 단자(2b)와 접촉한다.In the present embodiment, the first conductive parts 210 belonging to the first conductive part group including the plurality of first conductive parts 210 are in contact with the terminal 2b of one semiconductor device.

본 실시예는 여러 개의 반도체 소자를 동시에 테스트할 경우 각 반도체 소자들 간의 신호 간섭을 최소화할 수 있다는 장점이 있다.The present embodiment has an advantage in that when multiple semiconductor devices are tested at the same time, signal interference between each semiconductor device can be minimized.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 나타내는 도면이며, 도 8은 도 7에 도시된 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 아래에서 바라본 도면이다.7 is a view showing a test socket for preventing signal loss according to another embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a view of the test socket for preventing signal loss shown in FIG. 7 as viewed from below.

본 실시예는 제2 도전부(330)가 전도성 플레이트(340)를 더 구비한다는 점에서, 도 2와 3에 도시된 실시예와 차이가 있다. 전도성 플레이트(340)에는 복수의 제1 관통 구멍(342)들과 복수의 제2 관통 구멍(344)들이 형성된다.This embodiment is different from the embodiment shown in FIGS. 2 and 3 in that the second conductive part 330 further includes a conductive plate 340 . A plurality of first through holes 342 and a plurality of second through holes 344 are formed in the conductive plate 340 .

본 실시예에서 제2 도전부(330)의 제2 탄성 매트릭스(332)는 전도성 플레이트(340)와, 전도성 플레이트(340)의 적어도 한쪽 표면(도 7에서는 반도체 소자(1) 측 표면)을 덮는다. 제2 탄성 매트릭스(332)의 내부에는 제2 탄성 매트릭스(332)의 두께 방향으로 다수의 제2 전도성 입자(334)들이 배열된다.In this embodiment, the second elastic matrix 332 of the second conductive part 330 covers the conductive plate 340 and at least one surface of the conductive plate 340 (the semiconductor element 1 side surface in FIG. 7 ). . A plurality of second conductive particles 334 are arranged inside the second elastic matrix 332 in the thickness direction of the second elastic matrix 332 .

전도성 플레이트(340)는 비자성체인 것이 바람직하다. 예를 들어, 전도성 플레이트(340)는 구리 또는 구리 합금으로 이루어질 수 있다.The conductive plate 340 is preferably a non-magnetic material. For example, the conductive plate 340 may be made of copper or a copper alloy.

전도성 플레이트(340)는 하나의 플레이트로 이루어질 수도 있으며, 복수의 서브 플레이트들을 적층하여 형성할 수도 있다. 제1 관통 구멍(342)들과 제2 관통 구멍(344)들은 레이저를 이용하여 형성하거나, 마이크로 드릴을 이용하여 형성할 수 있다.The conductive plate 340 may be formed of one plate or may be formed by stacking a plurality of sub-plates. The first through-holes 342 and the second through-holes 344 may be formed using a laser or a micro-drill.

제1 도전부(310)와 절연성 지지부(320)는 전도성 플레이트(340)의 제1 관통 구멍(342) 내에 배치된다. 제1 도전부(310)는 절연성 지지부(320)에 의해서 전도성 플레이트(340) 및 제2 전도성 입자(334)들이 배열된 제2 탄성 매트릭스(332)와 전기적으로 분리된다.The first conductive part 310 and the insulating support part 320 are disposed in the first through hole 342 of the conductive plate 340 . The first conductive part 310 is electrically separated from the second elastic matrix 332 in which the conductive plate 340 and the second conductive particles 334 are arranged by the insulating support part 320 .

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 나타내는 도면이다.9 is a diagram illustrating a test socket for preventing signal loss according to another embodiment of the present invention.

도 9에 도시된 신호 손실 방지용 테스트 소켓(500)은 전도성 플레이트(440)의 외곽에 제3 관통 구멍(445)이 형성된다는 점에서, 도 7과 8에 도시된 실시예와 차이가 있다.The test socket 500 for preventing signal loss shown in FIG. 9 is different from the embodiment shown in FIGS. 7 and 8 in that a third through hole 445 is formed outside the conductive plate 440 .

제3 관통 구멍(445)은 자력선을 형성하여 자성을 가지는 제1 전도성 입자(414)들과 제2 전도성 입자(434)들을 정렬하는 방법으로, 도 9에 도시된 신호 손실 방지용 테스트 소켓(500)을 제조하는 과정에서 위치별 불균일성을 최소화하기 위한 목적으로 형성된다.The third through hole 445 is a method of aligning the first conductive particles 414 and the second conductive particles 434 having magnetism by forming a magnetic force line, and the test socket 500 for preventing signal loss shown in FIG. 9 . It is formed for the purpose of minimizing non-uniformity by location in the manufacturing process.

제1 전도성 입자(414)들과 제2 전도성 입자(434)들을 정렬하는 과정에서, 전도성 플레이트(440)의 중심부를 통과하는 자력선과 최외곽부를 통과하는 자력선에 차이가 생길 수 있다.In the process of aligning the first conductive particles 414 and the second conductive particles 434 , a difference may occur between the magnetic force line passing through the central portion of the conductive plate 440 and the magnetic force line passing through the outermost portion.

이를 방지하기 위해서 최외곽부의 제1 관통 구멍(442) 또는 제2 관통 구멍(444)의 외곽에도 자력선을 형성하여 중심부와 유사한 환경을 만든다. 그런데 제3 관통 구멍(445)을 형성하지 않고, 자력선을 형성한다면, 자력선이 전도성 플레이트(440)를 통과하는 과정에서, 왜곡될 수 있다.In order to prevent this, magnetic force lines are also formed outside the outermost first through hole 442 or the second through hole 444 to create an environment similar to the central portion. However, if the magnetic force line is formed without forming the third through hole 445 , the magnetic force line may be distorted while passing through the conductive plate 440 .

제3 관통 구멍(445)은 자력선이 왜곡되지 않고 지나갈 수 있는 통로 역할을 하여 자력선이 왜곡되는 현상을 방지할 수 있다. The third through hole 445 may serve as a passage through which the magnetic force line can pass without being distorted, thereby preventing the magnetic force line from being distorted.

또한, 제3 관통 구멍(445)만을 형성할 수도 있으며, 도 9에 도시된 바와 같이, 제3 관통 구멍(445)에 제3 탄성 매트릭스(446)와 다수의 제3 전도성 입자(447)을 포함하는 제3 도전부(448)를 형성할 수도 있다.In addition, only the third through hole 445 may be formed, and as shown in FIG. 9 , a third elastic matrix 446 and a plurality of third conductive particles 447 are included in the third through hole 445 . A third conductive part 448 may be formed.

제3 도전부(448)는 전도성 플레이트(440)의 중심부의 제1 관통 구멍(442) 또는 제2 관통 구멍(444)을 통과하는 자력선과 최외곽부의 제1 관통 구멍(442) 또는 제2 관통 구멍(444)을 통과하는 자력선 사이의 불균일성을 추가적으로 감소시키는 역할을 한다.The third conductive portion 448 includes a magnetic force line passing through the first through hole 442 or the second through hole 444 of the central portion of the conductive plate 440 and the first through hole 442 or second through hole of the outermost portion of the conductive plate 440 . It serves to further reduce the non-uniformity between the lines of magnetic force passing through the hole 444 .

제3 탄성 매트릭스(446)는 제1 및 제2 탄성 매트릭스(412, 432)와 마찬가지로 다양한 종류의 고분자 물질로 형성할 수 있다. 제3 전도성 입자(447)들은 제3 탄성 매트릭스(446)의 길이방향으로 배열된다. 제3 전도성 입자(447)들은 제1 및 제2 전도성 입자(414, 434)들과 마찬가지로 자성을 갖는 다양한 종류의 전도성 입자들로 이루어질 수 있다.Like the first and second elastic matrices 412 and 432 , the third elastic matrix 446 may be formed of various types of polymer materials. The third conductive particles 447 are arranged in the longitudinal direction of the third elastic matrix 446 . Like the first and second conductive particles 414 and 434 , the third conductive particles 447 may be formed of various types of conductive particles having magnetism.

이상에서 설명된 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한 것에 불과하고, 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상과 특허청구범위 내에서 이 분야의 당업자에 의하여 다양한 변경, 변형 또는 치환이 가능할 것이며, 그와 같은 실시예들은 본 발명의 범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다.The embodiments described above are merely illustrative of preferred embodiments of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to the described embodiments, and those skilled in the art within the technical spirit and claims of the present invention Various changes, modifications, or substitutions will be possible by, and such embodiments should be understood to fall within the scope of the present invention.

100, 200, 300, 400, 500: 신호 손실 방지용 테스트 소켓
10, 110, 210, 310, 410: 제1 도전부
12, 112, 212, 312, 412: 제1 탄성 매트릭스
14, 114, 214, 314, 414: 제1 전도성 입자
20, 120, 220, 320, 420: 절연성 지지부
30, 130, 230, 330, 430: 제2 도전부
32, 132, 232, 332, 432: 제2 탄성 매트릭스
34, 134, 234, 334, 434: 제2 전도성 입자
340, 440: 전도성 플레이트
342, 442: 제1 관통 구멍
344, 444: 제2 관통 구멍
445: 제3 관통 구멍
446: 제3 탄성 매트릭스
447: 제3 전도성 입자
448: 제3 도전부100, 200, 300, 400, 500: test socket for signal loss prevention
10, 110, 210, 310, 410: first conductive part
12, 112, 212, 312, 412: first elastic matrix
14, 114, 214, 314, 414: first conductive particles
20, 120, 220, 320, 420: insulating support
30, 130, 230, 330, 430: second conductive part
32, 132, 232, 332, 432: second elastic matrix
34, 134, 234, 334, 434: second conductive particles
340, 440: conductive plate
342, 442: first through hole
344, 444: second through hole
445: third through hole
446: third elastic matrix
447: third conductive particle
448: third conductive part

Claims (13)

마주보는 단자들 사이에 배치되어 단자들을 전기적으로 접속시키는 테스트 소켓으로서,
그 양단부가 마주보는 전원 또는 신호 단자들과 접촉하며, 기둥 형태의 제1 탄성 매트릭스와, 상기 제1 탄성 매트릭스의 내부에 상기 제1 탄성 매트릭스의 길이방향으로 배열되는 다수의 제1 전도성 입자들을 구비하는 복수의 제1 도전부들과,
상기 복수의 제1 도전부들 중에서 적어도 하나를 둘러싸도록 구성된 복수의 절연성 지지부들과,
그 양쪽 표면이 마주보는 복수의 접지 단자들과 접촉하며, 상기 복수의 절연성 지지부들을 둘러싸도록 구성된 제2 도전부를 포함하며,
상기 제2 도전부는,
상기 복수의 절연성 지지부들을 둘러싸도록 구성된 제2 탄성 매트릭스와, 상기 제2 탄성 매트릭스의 내부에 상기 제2 탄성 매트릭스의 두께 방향으로 배열되는 다수의 제2 전도성 입자들을 구비하며,
상기 제1 전도성 입자들과 상기 제2 전도성 입자들은 자성을 가지는 동일한 조성의 전도성 입자들이며,
상기 절연성 지지부, 상기 제1 탄성 매트릭스, 상기 제2 탄성 매트릭스는 동일한 액상 수지를 경화하여 형성하며,
상기 절연성 지지부, 상기 제1 도전부 및 상기 제2 도전부는 상기 액상 수지에 포함된 상기 전도성 입자들을 자력을 이용하여 상기 제1 도전부 및 상기 제2 도전부에 대응하는 위치에 정렬함으로써 형성하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.A test socket disposed between opposite terminals to electrically connect the terminals, comprising:
A first elastic matrix having a columnar shape and a plurality of first conductive particles arranged in the longitudinal direction of the first elastic matrix are provided in the first elastic matrix, both ends of which are in contact with the opposite power supply or signal terminals A plurality of first conductive parts and
a plurality of insulating supports configured to surround at least one of the plurality of first conductive parts;
and a second conductive portion whose opposite surfaces are in contact with a plurality of ground terminals facing each other and configured to surround the plurality of insulative supports;
The second conductive part,
A second elastic matrix configured to surround the plurality of insulating supports, and a plurality of second conductive particles arranged in the thickness direction of the second elastic matrix inside the second elastic matrix,
The first conductive particles and the second conductive particles are conductive particles of the same composition having magnetism,
The insulating support, the first elastic matrix, and the second elastic matrix are formed by curing the same liquid resin,
Forming the insulating support part, the first conductive part, and the second conductive part by aligning the conductive particles included in the liquid resin in positions corresponding to the first conductive part and the second conductive part using magnetic force Features a test socket for signal loss prevention. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 복수의 제1 도전부들은 복수의 제1 도전부들을 포함하는 복수의 제1 도전부 그룹들을 포함하며,
상기 절연성 지지부 각각은 각각의 제1 도전부 그룹에 속하는 복수의 제1 도전부들을 둘러싸도록 구성된 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.According to claim 1,
The plurality of first conductive parts includes a plurality of first conductive part groups including a plurality of first conductive parts,
The test socket for preventing signal loss, wherein each of the insulating supports is configured to surround a plurality of first conductive parts belonging to each first conductive part group. 제1항에 있어서,
상기 제2 도전부의 적어도 한쪽 표면에는 상기 복수의 접지 단자들과 접촉하도록 돌출된 돌출부가 형성된 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.According to claim 1,
A test socket for preventing signal loss, characterized in that at least one surface of the second conductive part is formed with a protrusion protruding to contact the plurality of ground terminals. 마주보는 단자들 사이에 배치되어 단자들을 전기적으로 접속시키는 테스트 소켓으로서,
그 양단부가 마주보는 전원 또는 신호 단자들과 접촉하며, 기둥 형태의 제1 탄성 매트릭스와, 상기 제1 탄성 매트릭스의 내부에 상기 제1 탄성 매트릭스의 길이방향으로 배열되는 다수의 제1 전도성 입자들을 구비하는 복수의 제1 도전부들과,
상기 복수의 제1 도전부들 중에서 적어도 하나를 둘러싸도록 구성된 복수의 절연성 지지부들과,
그 양쪽 표면이 마주보는 복수의 접지 단자들과 접촉하며, 상기 복수의 절연성 지지부들을 둘러싸도록 구성된 제2 도전부를 구비하며,
상기 제1 도전부의 적어도 일단부는, 상기 제1 도전부의 외측면으로부터 확대된 확대부를 구비하며,
상기 제2 도전부는 인접하는 상기 확대부로부터 멀어지는 방향으로 함몰된 오목부를 구비하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.A test socket disposed between opposite terminals to electrically connect the terminals, comprising:
A first elastic matrix having a columnar shape and a plurality of first conductive particles arranged in the longitudinal direction of the first elastic matrix are provided in the first elastic matrix, both ends of which are in contact with the opposite power supply or signal terminals A plurality of first conductive parts and
a plurality of insulating supports configured to surround at least one of the plurality of first conductive parts;
and a second conductive portion whose opposite surfaces are in contact with a plurality of ground terminals facing each other and configured to surround the plurality of insulative support portions;
At least one end of the first conductive portion has an enlarged portion enlarged from the outer surface of the first conductive portion,
The test socket for preventing signal loss, characterized in that the second conductive portion includes a concave portion recessed in a direction away from the adjacent enlarged portion. 마주보는 단자들 사이에 배치되어 단자들을 전기적으로 접속시키는 테스트 소켓으로서,
그 양단부가 마주보는 전원 또는 신호 단자들과 접촉하며, 기둥 형태의 제1 탄성 매트릭스와, 상기 제1 탄성 매트릭스의 내부에 상기 제1 탄성 매트릭스의 길이방향으로 배열되는 다수의 제1 전도성 입자들을 구비하는 복수의 제1 도전부들과,
상기 복수의 제1 도전부들 중에서 적어도 하나를 둘러싸도록 구성된 복수의 절연성 지지부들과,
그 양쪽 표면이 마주보는 복수의 접지 단자들과 접촉하며, 상기 복수의 절연성 지지부들을 둘러싸도록 구성된 제2 도전부를 구비하며,
상기 제2 도전부는,
적어도 하나의 제1 관통 구멍과 적어도 하나의 제2 관통 구멍이 형성된 전도성 플레이트와,
상기 전도성 플레이트의 적어도 한쪽 표면을 덮으며, 상기 제2 관통 구멍을 채우는 제2 탄성 매트릭스와, 상기 제2 탄성 매트릭스의 내부에 상기 제2 탄성 매트릭스의 두께 방향으로 배열되는 다수의 제2 전도성 입자들을 구비하며,
상기 제1 도전부와 상기 절연성 지지부는 상기 제1 관통 구멍 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.A test socket disposed between opposite terminals to electrically connect the terminals, comprising:
A first elastic matrix having a columnar shape and a plurality of first conductive particles arranged in the longitudinal direction of the first elastic matrix are provided in the first elastic matrix, both ends of which are in contact with the opposite power supply or signal terminals A plurality of first conductive parts and
a plurality of insulating supports configured to surround at least one of the plurality of first conductive parts;
and a second conductive portion whose opposite surfaces are in contact with a plurality of ground terminals facing each other and configured to surround the plurality of insulative support portions;
The second conductive part,
a conductive plate having at least one first through hole and at least one second through hole formed therein;
A second elastic matrix covering at least one surface of the conductive plate and filling the second through hole, and a plurality of second conductive particles arranged inside the second elastic matrix in the thickness direction of the second elastic matrix provided,
The test socket for preventing signal loss, characterized in that the first conductive part and the insulating support part are disposed in the first through hole. 제6항에 있어서,
상기 전도성 플레이트의 외곽에 형성된 제1 관통 구멍 또는 제2 관통 구멍의 외측에는 제3 관통 구멍이 형성되는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.7. The method of claim 6,
A test socket for preventing signal loss, characterized in that a third through hole is formed outside the first through hole or the second through hole formed on the outside of the conductive plate. 제7항에 있어서,
상기 제3 관통 구멍에는 제3 도전부가 배치되는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.8. The method of claim 7,
A test socket for preventing signal loss, characterized in that a third conductive part is disposed in the third through hole. 제6항에 있어서,
상기 전도성 플레이트는 비자성인 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.7. The method of claim 6,
The conductive plate is a test socket for preventing signal loss, characterized in that the non-magnetic. 제9항에 있어서,
상기 전도성 플레이트는 구리 또는 구리 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.10. The method of claim 9,
The conductive plate is a test socket for preventing signal loss, characterized in that made of copper or a copper alloy. 제6항에 있어서,
상기 전도성 플레이트는 적층된 복수의 서브 플레이트들을 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.7. The method of claim 6,
The conductive plate is a test socket for preventing signal loss, characterized in that it includes a plurality of sub-plates stacked. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 절연성 지지부, 상기 제1 탄성 매트릭스, 상기 제2 탄성 매트릭스는 실리콘계 수지 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE)계 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.According to claim 1,
The insulating support, the first elastic matrix, and the second elastic matrix are a test socket for preventing signal loss, characterized in that it comprises a silicone-based resin or polytetrafluoroethylene (PTFE)-based resin.
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