KR102455150B1 - Test socket for use in testing device under test - Google Patents
Test socket for use in testing device under test Download PDFInfo
- Publication number
- KR102455150B1 KR102455150B1 KR1020200178539A KR20200178539A KR102455150B1 KR 102455150 B1 KR102455150 B1 KR 102455150B1 KR 1020200178539 A KR1020200178539 A KR 1020200178539A KR 20200178539 A KR20200178539 A KR 20200178539A KR 102455150 B1 KR102455150 B1 KR 102455150B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- hole
- probe
- test socket
- insulating member
- test
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
- G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
- G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
- G01R1/0441—Details
- G01R1/045—Sockets or component fixtures for RF or HF testing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06716—Elastic
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/0735—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card arranged on a flexible frame or film
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
검사 장치와 피검사 디바이스를 전기적으로 접속시키는 테스트 소켓이 제공된다. 테스트 소켓은, 하우징과, 프로브와, 절연 부재를 포함한다. 하우징에는 상하 방향으로 관통공이 형성되어 있다. 프로브는 관통공에 상하 방향으로 배치된다. 프로브는, 상하 방향으로 수축 및 신장되고 상하 방향으로 신호 전달을 실행하도록 구성된다. 절연 부재는 관통공의 내주면과 프로브의 외주면의 사이에 배치되며, 프로브를 관통공에 위치시키도록 구성된다. 절연 부재는 다수의 미세 공극을 함유한다.A test socket for electrically connecting an inspection apparatus and a device to be inspected is provided. The test socket includes a housing, a probe, and an insulating member. A through hole is formed in the housing in the vertical direction. The probe is disposed in the vertical direction in the through hole. The probe is configured to contract and extend in an up-down direction and effect signal transmission in an up-down direction. The insulating member is disposed between the inner peripheral surface of the through hole and the outer peripheral surface of the probe, and is configured to position the probe in the through hole. The insulating member contains a large number of micropores.
Description
본 개시는 검사 장치와 피검사 디바이스를 전기적으로 접속시키며 피검사 디바이스의 전기적 검사에 사용되는 테스트 소켓에 관한 것이다.The present disclosure relates to a test socket that electrically connects an inspection apparatus and a device under test and is used for electrical inspection of the device under test.
피검사 디바이스의 동작 특성을 검사하기 위해, 검사 장치와 피검사 디바이스의 사이에 배치되고 검사 장치와 피검사 디바이스를 전기적으로 접속시키는 테스트 소켓이 당해 분야에서 사용되고 있다. 이러한 테스트 소켓으로써, 피검사 디바이스가 가하는 가압력에 의해 수축 가능한 프로브를 갖는 테스트 소켓이 알려져 있다.In order to inspect the operational characteristics of the device under test, a test socket disposed between the test apparatus and the device under test and electrically connecting the test apparatus and the device under test is used in the art. As such a test socket, a test socket having a probe that can be contracted by a pressing force applied by a device under test is known.
모바일 통신 기기에 사용되는 반도체 디바이스는 고주파수 대역에서의 동작 특성에 대해 검사되어야 한다. 고주파 검사를 위한 테스트 소켓에서는, 신호 손실의 저감을 위해 프로브가 테스트 소켓의 하우징에 형성된 홀에 동축 배치로 위치된다. 일 예로, 대한민국 특허공보 제10-1534778호는, 프로브가 동축으로 배치되는 테스트 소켓을 제안한다.A semiconductor device used in a mobile communication device must be inspected for operation characteristics in a high frequency band. In a test socket for high-frequency testing, a probe is coaxially positioned in a hole formed in a housing of the test socket to reduce signal loss. As an example, Korean Patent Publication No. 10-1534778 proposes a test socket in which a probe is disposed coaxially.
피검사 디바이스의 단자들의 미세 피치(fine pitch)에 대응하도록, 하우징의 홀들이 미세 피치로 형성되는 것이 중요하다. 미세 피치로 하우징의 홀들을 형성하는 경우, 프로브의 동축 배치를 위한 유전체의 사이즈가 감소되어야만 한다. 그러나, 유전체가 감소된 사이즈를 가질뿐만 아니라 낮은 유전율을 갖도록, 유전체를 개선하는 것은 당해 분야에서 연구되지 못하고 있다.It is important that the holes of the housing are formed with a fine pitch so as to correspond to the fine pitch of the terminals of the device under test. In the case of forming the holes of the housing with a fine pitch, the size of the dielectric for coaxial arrangement of the probe must be reduced. However, improving the dielectric so that the dielectric has a reduced size as well as a low dielectric constant has not been studied in the art.
하우징의 홀에 대한 프로브의 동축 배치를 실현하기 위해, 프로브의 동축 배치를 위한 유전체가 하우징의 홀과 프로브의 사이에 설치된다. 신호 손실을 저감하기 위해, 동축 배치를 유지하는 유전체는 낮은 유전율을 갖는 것이 유리하다. 그러나, 종래의 테스트 소켓은 높은 유전율을 갖는 유전체를 사용하여 동축 배치의 실현에만 초점을 두고 있으므로, 신호 손실율을 최소화시키지 못한다. 또한, 종래의 테스트 소켓에서의 유전체는 미세 피치화의 경향에 대응하는 것에 한계가 있다.In order to realize coaxial arrangement of the probe with respect to the hole of the housing, a dielectric for coaxial arrangement of the probe is provided between the hole of the housing and the probe. In order to reduce signal loss, it is advantageous for the dielectric to maintain the coaxial arrangement to have a low permittivity. However, since the conventional test socket focuses only on realization of coaxial arrangement by using a dielectric having a high permittivity, the signal loss rate cannot be minimized. In addition, the dielectric in the conventional test socket has a limit in responding to the tendency of fine pitch.
본 개시의 일 실시예는, 고주파 검사에 효과적으로 적용될 수 있고 신호 손실을 최소화시킨 테스트 소켓을 제공한다. 본 개시의 일 실시예는, 프로브의 동축 배치를 유지하기 위한 유전체가 감소된 유전율을 갖는 테스트 소켓을 제공한다.An embodiment of the present disclosure provides a test socket that can be effectively applied to a high-frequency test and minimizes signal loss. One embodiment of the present disclosure provides a test socket in which a dielectric has a reduced permittivity for maintaining a coaxial arrangement of a probe.
본 개시의 실시예들은, 검사 장치와 피검사 디바이스의 사이에 배치되어 검사 장치와 피검사 디바이스를 전기적으로 접속시키는 테스트 소켓에 관련된다. 일 실시예에 따른 테스트 소켓은, 하우징과, 프로브와, 절연 부재를 포함한다. 하우징에는 상하 방향으로 관통공이 형성되어 있다. 프로브는 하우징의 관통공에 상하 방향으로 배치된다. 프로브는, 상하 방향으로 수축 및 신장되고 상하 방향으로 신호 전달을 실행하도록 구성된다. 절연 부재는 관통공의 내주면과 프로브의 외주면의 사이에 배치되며, 프로브를 관통공에 위치시키도록 구성된다. 절연 부재는 다수의 미세 공극을 함유한다.Embodiments of the present disclosure relate to a test socket disposed between an inspection apparatus and a device to be inspected to electrically connect the inspection apparatus and the device to be inspected. A test socket according to an embodiment includes a housing, a probe, and an insulating member. A through hole is formed in the housing in the vertical direction. The probe is disposed in the vertical direction in the through hole of the housing. The probe is configured to contract and extend in an up-down direction and effect signal transmission in an up-down direction. The insulating member is disposed between the inner peripheral surface of the through hole and the outer peripheral surface of the probe, and is configured to position the probe in the through hole. The insulating member contains a large number of micropores.
일 실시예에 있어서, 상기 다수의 미세 공극은 기공이다. 절연 부재는 상기 다수의 미세 공극을 함유하는 수지로 이루어질 수 있고, 기공은 액상의 상기 수지와 발포제의 화학 반응에 의해 형성될 수 있다.In one embodiment, the plurality of micropores are pores. The insulating member may be made of a resin containing the plurality of micropores, and the pores may be formed by a chemical reaction between the liquid resin and a foaming agent.
일 실시예에 있어서, 상기 다수의 미세 공극은 중공 입자이다. 중공 입자는, 유리, 실리카, 지르코니아, 세라믹, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리에틸렌 고무, 아크릴 수지 중 어느 하나로 이루어지는 막을 포함할 수 있다. 중공 입자는 막 내에 내포된 공기를 포함할 수 있다.In one embodiment, the plurality of micropores are hollow particles. The hollow particles may include a film made of any one of glass, silica, zirconia, ceramic, polymethyl methacrylate, polyethylene rubber, and acrylic resin. The hollow particles may include air entrapped within the membrane.
일 실시예에 있어서, 절연 부재는 1vol% 내지 50vol%의 다수의 미세 공극을 함유할 수 있다.In one embodiment, the insulating member may contain a plurality of micropores of 1 vol% to 50 vol%.
일 실시예에 있어서, 절연 부재는, 상기 다수의 미세 공극을 함유하면서, 수지, 유리, 실리카, 지르코니아 및 세라믹 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 수지는, 고무, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리에틸렌, 페놀, 에폭시, 노볼락 중 어느 하나일 수 있다.In an embodiment, the insulating member may be made of any one of resin, glass, silica, zirconia, and ceramic while containing the plurality of micropores. The resin may be any one of rubber, polymethyl methacrylate, polyethylene, phenol, epoxy, and novolak.
일 실시예에 있어서, 절연 부재는 프로브를 상하 방향에서 관통공과 동축으로 위치시키도록 구성된다.In one embodiment, the insulating member is configured to position the probe coaxially with the through hole in the vertical direction.
일 실시예에 있어서, 절연 부재는, 관통공의 중심축과 동축으로 관통된 상측 끼워맞춤구멍을 갖고 관통공에 끼워맞춤되는 상측 절연 부재와, 관통공의 중심축과 동축으로 관통된 하측 끼워맞춤구멍을 갖고 관통공에 끼워맞춤되는 하측 절연 부재를 포함할 수 있다. 프로브는 상측 및 하측 끼워맞춤구멍에 끼워맞춤되어 관통공과 동축으로 위치될 수 있다.In one embodiment, the insulating member includes an upper insulating member having an upper fitting hole penetrating coaxially with the central axis of the through hole and fitted to the through hole, and a lower fitting penetrating coaxially with the central axis of the through hole. and a lower insulating member having a hole and fitted into the through hole. The probe may be fitted into the upper and lower fitting holes and positioned coaxially with the through hole.
일 실시예에 있어서, 프로브는, 피검사 디바이스와 접촉되고 상측 끼워맞춤구멍을 통해 이동하는 상측 플런저와, 검사 장치와 접촉되고 하측 끼워맞춤구멍을 통해 이동하는 하측 플런저와, 상측 및 하측 플런저를 상하 방향으로 이동 가능하게 지지하고 상측 끼워맞춤구멍과 하측 끼워맞춤구멍에 끼워맞춤되는 배럴과, 배럴 내에서 상측 플런저와 하측 플런저의 사이에 배치되는 탄성 부재를 포함할 수 있다. 탄성 부재는, 상하 방향으로 도전 가능하게 접촉된 다수의 도전성 입자와 상기 다수의 도전성 입자를 상하 방향으로 유지하는 탄성 물질로 이루어질 수 있다.In one embodiment, the probe includes an upper plunger in contact with the device under test and moving through the upper fitting hole, a lower plunger in contact with the test apparatus and moving through the lower fitting hole, and the upper and lower plungers up and down. It may include a barrel that is movably supported in the direction and fitted to the upper fitting hole and the lower fitting hole, and an elastic member disposed between the upper plunger and the lower plunger in the barrel. The elastic member may be formed of a plurality of conductive particles that are electrically conductively contacted in the vertical direction and an elastic material that maintains the plurality of conductive particles in the vertical direction.
본 개시의 일 실시예에 의하면, 절연 부재가 프로브를 하우징의 관통공에 관통공의 중심축과 동축으로 위치시키며, 절연 부재는 다수의 미세 공극을 함유하는 절연성 재료로 이루어진다. 미세 공극을 함유하는 절연 부재는, 이와 동일한 사이즈를 가지면서 절연성의 수지 재료만으로 이루어지는 절연 부재의 유전율보다 낮은 유전율을 갖는다. 그러므로, 일 실시예에 따른 테스트 소켓은, 신호 손실을 감소시킬 수 있고, 임피던스 매칭을 달성할 수 있으며, 피검사 디바이스의 고주파 검사를 위해 효과적으로 사용될 수 있다.According to an embodiment of the present disclosure, the insulating member positions the probe in the through hole of the housing coaxially with the central axis of the through hole, and the insulating member is made of an insulating material containing a plurality of micropores. The insulating member containing the micropores has the same size and has a dielectric constant lower than that of the insulating member made of only an insulating resin material. Therefore, the test socket according to an embodiment can reduce signal loss, achieve impedance matching, and can be effectively used for high-frequency testing of a device under test.
또한, 미세 공극을 함유하고 낮은 유전율을 갖는 절연 부재로 인해, 절연 부재의 재료 또는 치수를 변경함이 없이 절연 부재의 강도와 가공성을 유지하면서 테스트 소켓의 특성을 향상시킬 수 있다.Further, due to the insulating member containing micropores and having a low dielectric constant, it is possible to improve the properties of the test socket while maintaining the strength and workability of the insulating member without changing the material or dimensions of the insulating member.
또한, 미세 공극을 함유하고 낮은 유전율을 갖는 절연 부재는, 절연성의 수지 재료만으로 이루어지는 절연 부재보다 더욱 작은 치수를 갖도록 형성될 수 있다. 그러므로, 일 실시예에 따른 테스트 소켓은, 프로브 간의 미세 피치를 달성할 수 있다.Further, an insulating member containing micropores and having a low dielectric constant can be formed to have a smaller dimension than an insulating member made of only an insulating resin material. Therefore, the test socket according to an embodiment may achieve a fine pitch between probes.
도 1은 일 실시예에 따른 테스트 소켓이 적용되는 예를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 테스트 소켓의 일부를 도시하는 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시하는 테스트 소켓의 일부를 도시하는 사시도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 프로브의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이며, 미세 공극의 일 예를 도시한다.
도 5는 일 실시예에 따른 프로브의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이며, 미세 공극의 또 하나의 예를 도시한다.
도 6은 일 실시예에 따른 테스트 소켓의 일부를 도시하는 단면도이며, 프로브의 또 하나의 예를 도시한다.
도 7은 일 실시예에 따른 테스트 소켓의 삽입 손실에 관해 시뮬레이션한 결과를 도시하는 그래프이다.
도 8은 비교예에 따른 테스트 소켓의 삽입 손실에 관해 시뮬레이션한 결과를 도시하는 그래프이다.
도 9는 일 실시예에 따른 테스트 소켓의 반사 손실에 관해 시뮬레이션한 결과를 도시하는 그래프이다.
도 10은 비교예에 따른 테스트 소켓의 반사 손실에 관해 시뮬레이션한 결과를 도시하는 그래프이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating an example to which a test socket according to an embodiment is applied.
2 is a cross-sectional view illustrating a portion of a test socket according to an embodiment.
Fig. 3 is a perspective view showing a part of the test socket shown in Fig. 2;
4 is a cross-sectional view schematically illustrating a part of a probe according to an embodiment, and shows an example of a micropore.
5 is a cross-sectional view schematically illustrating a part of a probe according to an embodiment, and shows another example of a micropore.
6 is a cross-sectional view illustrating a part of a test socket according to an embodiment, and shows another example of a probe.
7 is a graph illustrating simulation results regarding insertion loss of a test socket according to an exemplary embodiment.
8 is a graph illustrating simulation results regarding insertion loss of a test socket according to a comparative example.
9 is a graph illustrating a simulation result regarding a return loss of a test socket according to an exemplary embodiment.
FIG. 10 is a graph illustrating simulation results regarding return loss of a test socket according to a comparative example.
본 개시의 실시예들은 본 개시의 기술적 사상을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것이다. 본 개시에 따른 권리범위가 이하에 제시되는 실시예들이나 이들 실시예들에 대한 구체적 설명으로 한정되는 것은 아니다.Embodiments of the present disclosure are exemplified for the purpose of explaining the technical spirit of the present disclosure. The scope of the rights according to the present disclosure is not limited to the embodiments presented below or specific descriptions of these embodiments.
본 개시에 사용되는 모든 기술적 용어들 및 과학적 용어들은, 달리 정의되지 않는 한, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 의미를 갖는다. 본 개시에 사용되는 모든 용어들은 본 개시를 더욱 명확히 설명하기 위한 목적으로 선택된 것이며 본 개시에 따른 권리범위를 제한하기 위해 선택된 것이 아니다.All technical and scientific terms used in this disclosure, unless otherwise defined, have the meanings commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this disclosure belongs. All terms used in the present disclosure are selected for the purpose of more clearly describing the present disclosure and not to limit the scope of the present disclosure.
본 개시에서 사용되는 '포함하는', '구비하는', '갖는' 등과 같은 표현은, 해당 표현이 포함되는 어구 또는 문장에서 달리 언급되지 않는 한, 다른 실시예를 포함할 가능성을 내포하는 개방형 용어(open-ended terms)로 이해되어야 한다.As used in this disclosure, expressions such as 'comprising', 'having', 'having', etc. are open-ended terms connoting the possibility of including other embodiments, unless otherwise stated in the phrase or sentence in which the expression is included. (open-ended terms).
본 개시에서 기술된 단수형의 표현은 달리 언급하지 않는 한 복수형의 의미를 포함할 수 있으며, 이는 청구범위에 기재된 단수형의 표현에도 마찬가지로 적용된다.Expressions in the singular described in this disclosure may include the meaning of the plural unless otherwise stated, and the same applies to expressions in the singular in the claims.
본 개시에서 사용되는 '제1', '제2' 등의 표현들은 복수의 구성요소들을 상호 구분하기 위해 사용되며, 해당 구성요소들의 순서 또는 중요도를 한정하는 것은 아니다.Expressions such as 'first' and 'second' used in the present disclosure are used to distinguish a plurality of components from each other, and do not limit the order or importance of the corresponding components.
본 개시에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 '연결되어' 있다거나 '결합되어' 있다고 언급된 경우, 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로 연결될 수 있거나 결합될 수 있는 것으로, 또는 새로운 다른 구성요소를 매개로 하여 연결될 수 있거나 결합될 수 있는 것으로 이해되어야 한다.In the present disclosure, when it is stated that a certain element is 'connected' or 'coupled' to another element, it means that the certain element can be directly connected or coupled to the other element, or a new element. It should be understood that other elements may be connected or combined via other components.
본 개시에서 사용되는 '상방'의 방향지시어는 테스트 소켓이 검사 장치에 대해 위치하는 방향에 근거하고, '하방'의 방향지시어는 상방의 반대 방향을 의미한다. 본 개시에서 사용되는 '상하 방향'의 방향지시어는 상방 방향과 하방 방향을 포함하지만, 상방 방향과 하방 방향 중 특정한 하나의 방향을 의미하지는 않는 것으로 이해되어야 한다.As used in the present disclosure, an 'upward' direction indicator is based on a direction in which the test socket is positioned with respect to the test device, and a 'downward' direction indicator indicates a direction opposite to the upward direction. The direction indicator of 'up-down direction' used in the present disclosure includes an upward direction and a downward direction, but it should be understood that it does not mean a specific one of the upward direction and the downward direction.
첨부한 도면에 도시하는 예들을 참조하여, 실시예들이 설명된다. 첨부된 도면에서, 동일하거나 대응하는 구성요소에는 동일한 참조부호가 부여되어 있다. 또한, 이하의 실시예들의 설명에 있어서, 동일하거나 대응하는 구성요소를 중복하여 기술하는 것이 생략될 수 있다. 그러나, 구성요소에 관한 기술이 생략되어도, 그러한 구성요소가 어떤 실시예에 포함되지 않는 것으로 의도되지는 않는다.Embodiments are described with reference to examples shown in the accompanying drawings. In the accompanying drawings, identical or corresponding components are assigned the same reference numerals. In addition, in the description of the embodiments below, overlapping description of the same or corresponding components may be omitted. However, even if description regarding components is omitted, it is not intended that such components are not included in any embodiment.
이하에 설명되는 실시예들과 첨부된 도면에 도시하는 예들은, 피검사 디바이스를 검사할 때 사용될 수 있는 테스트 소켓에 관련된다. 실시예들의 테스트 소켓은, 검사 장치와 피검사 디바이스의 사이에 배치되며 검사 장치와 피검사 디바이스의 전기적 접속 및 검사를 위해 사용될 수 있다. 일 예로, 실시예들의 테스트 소켓은, 반도체 디바이스의 제조 공정 중 후공정에서, 반도체 디바이스의 최종적인 전기적 검사를 위해 사용될 수 있지만, 실시예들의 테스트 소켓이 적용되는 예가 이에 한정되지는 않는다.The embodiments described below and examples shown in the accompanying drawings relate to a test socket that can be used when testing a device under test. The test socket of the embodiments is disposed between the test apparatus and the device under test and may be used for electrical connection and inspection between the test apparatus and the device under test. For example, the test sockets of the embodiments may be used for a final electrical inspection of the semiconductor device in a post-process during the manufacturing process of the semiconductor device, but examples to which the test sockets of the embodiments are applied are not limited thereto.
도 1은 일 실시예에 따른 테스트 소켓이 적용되는 예를 도시한다. 도 1은, 테스트 소켓, 테스트 소켓의 구성요소, 검사 장치 및 피검사 디바이스를 개략적으로 도시하며, 도 1에 도시하는 형상은 실시예의 이해를 위해 선택된 예에 불과하다.1 illustrates an example to which a test socket according to an embodiment is applied. Fig. 1 schematically shows a test socket, components of the test socket, an inspection apparatus, and a device to be inspected, and the shape shown in Fig. 1 is merely an example selected for understanding of the embodiment.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 테스트 소켓(10)은 시트(sheet) 형상을 갖는 조립체일 수 있다. 피검사 디바이스(30)의 전기적 검사 시에, 테스트 소켓(10)은 검사 장치(20)와 피검사 디바이스(30)의 사이에 배치된다. 일 예로, 테스트 소켓(10)은 피검사 디바이스(30)의 고주파의 검사를 위해 피검사 디바이스(30)와 검사 장치(20)의 사이에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 1 , a
피검사 디바이스(30)는, 반도체 IC 칩과 다수의 단자를 수지 재료를 사용하여 육면체 형태로 패키징한 반도체 디바이스일 수 있다. 일 예로, 피검사 디바이스(30)는 모바일 통신 기기에 사용되는 반도체 디바이스일 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 피검사 디바이스(30)는 그 하측에 다수의 단자(31)를 갖는다.The device under
검사 장치(20)는 피검사 디바이스(30)의 각종 동작 특성을 검사할 수 있다. 검사 장치(20)는 검사가 수행되는 보드를 가질 수 있고, 상기 보드에는 피검사 디바이스의 검사를 위한 검사 회로(21)가 구비될 수 있다. 검사 회로(21)는 테스트 소켓(10)을 통해 피검사 디바이스의 단자(31)와 전기적으로 접속되는 다수의 단자(22)를 갖는다. 검사 장치(20)의 단자(22)는, 전기적 테스트 신호를 송신할 수 있고 응답 신호를 수신할 수 있다.The
테스트 소켓(10)은 소켓 가이드(40)에 의해 검사 장치(20)의 단자(22)와 접촉되도록 배치될 수 있다. 피검사 디바이스(30)의 검사 시에, 테스트 소켓(10)이 피검사 디바이스의 단자(31)와 이것에 대응하는 검사 장치의 단자(22)를 상하 방향(VD)으로 전기적으로 접속시키며, 테스트 소켓(10)을 통해 검사 장치(20)에 의해 피검사 디바이스(30)의 검사가 수행된다. 소켓 가이드(40)는 검사 장치(20)에 제거 가능하게 장착될 수 있다. 소켓 가이드(40)는, 수작업으로 또는 운반 장치에 의해 검사 장치(20)로 운반된 피검사 디바이스(30)를 그 안에 수용하고, 피검사 디바이스(30)를 테스트 소켓(10)에 대해 정렬시킨다.The
도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 테스트 소켓(10)은, 하우징(110)과, 적어도 하나의 프로브(120)와, 적어도 하나의 절연 부재(130)를 포함한다. 하우징(110)은, 프로브(120)가 상하 방향(VD)으로 배치되는, 테스트 소켓의 본체를 구성한다. 하우징(110)은 소켓 가이드(40)에 부착될 수 있다. 프로브(120)는, 상하 방향(VD)으로 신호 전달을 실행하도록 구성된다. 프로브(120)는, 그 상단에서 피검사 디바이스(30)의 단자(31)와 접촉될 수 있고, 그 하단에서 검사 장치(20)의 단자(22)와 접촉될 수 있다. 프로브(120)는 상하 방향(VD)으로 수축 및 신장되도록 구성된다. 절연 부재(130)는 프로브(120)를 하우징(110)에 상하 방향(VD)으로 위치시킨다.Referring to FIG. 1 , a
피검사 디바이스(30)의 검사를 위해, 가압력(P)이 기계 장치에 의해 또는 수동으로 피검사 디바이스(30)를 통해 테스트 소켓(10)에 가해질 수 있다. 가압력(P)에 의해 피검사 디바이스의 단자(31)가 프로브(120)의 상단부를 하방으로 누름에 따라, 프로브(120)는 상하 방향에서의 길이가 축소되도록 수축된다. 가압력(P)이 테스트 소켓(10)에 가해짐에 따라, 프로브(120)가 상하 방향으로 눌리고, 프로브(120)는 피검사 디바이스의 단자(31)와 검사 장치의 단자(22)에 접촉된다. 가압력(P)이 테스트 소켓(10)으로부터 제거되면, 프로브(120)는 상하 방향에서 그 원래의 길이로 신장된다.For the inspection of the device under
테스트 소켓(10)은 복수개의 프로브(120)를 구비할 수 있다. 복수개의 프로브(120)들은, 하우징(110)에 행렬의 형태로 배치될 수 있으며, 하우징(110)에 의해 수평 방향(HD)으로 이격된다.The
실시예에 따른 테스트 소켓의 설명을 위해 도 2 내지 도 6이 참조된다. 도 2 내지 도 6은 테스트 소켓의 구성 요소의 형상을 개략적으로 도시한다. 도 2 내지 도 6에 도시하는 형상은 실시예의 이해를 위해 선택된 예에 불과하다. 도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른 테스트 소켓의 일부를 도시하는 단면도이고, 도 3은 도 2에 도시하는 테스트 소켓의 일부를 도시하는 사시도이다. 도 4와 도 5는 일 실시예에 따른 테스트 소켓에서의 프로브의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 6은, 일 실시예에 따른 테스트 소켓의 프로브의 또 하나의 예를 개략적으로 도시하는 단면도이다.Reference is made to FIGS. 2 to 6 for a description of a test socket according to an embodiment. 2 to 6 schematically show the shape of the components of the test socket. The shapes shown in FIGS. 2 to 6 are merely examples selected for understanding of the embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a part of a test socket according to an embodiment of the present disclosure, and FIG. 3 is a perspective view illustrating a part of the test socket shown in FIG. 2 . 4 and 5 are cross-sectional views schematically illustrating a portion of a probe in a test socket according to an embodiment. 6 is a cross-sectional view schematically illustrating another example of a probe of a test socket according to an embodiment.
도 2 및 도 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 테스트 소켓(10)은, 하우징(110)과, 하우징(110)에 배치되고 상하 방향(VD)으로 신호 전달을 실행하도록 구성된 프로브(120)와, 프로브(120)를 하우징(110)에 위치시키는 절연 부재(130)를 포함한다.2 and 3 , a
하우징(110)은 테스트 소켓의 본체를 구성하며, 육면체의 형상을 가질 수 있다. 하우징(110)은 알루미늄과 같은 금속 재료로 이루어질 수 있지만, 하우징을 구성하는 재료가 이에 한정되지는 않는다. 프로브(120)는 하우징(110)에 배치되며, 하우징(110)에 의해 상하 방향(VD)으로 유지된다. 프로브(120)를 하우징(110)에 배치하기 위해, 관통공(111)이 상하 방향으로 하우징(110)에 형성된다. 관통공(111)은 하우징(110)을 상하 방향(VD)으로 관통한다. 즉, 관통공(111)은 하우징(110)의 하면으로부터 하우징(111)의 상면까지 상하 방향(VD)으로 하우징(110)에 뚫려 있다.The
일 실시예에 있어서, 하우징(110)은 상하 방향(VD)으로 결합되는 상측 하우징(112)과 하측 하우징(113)을 포함한다. 상측 하우징(112)에는 상하 방향(VD)으로 상측 관통공(114)이 뚫려 있고, 하측 하우징(113)에는 상하 방향(VD)으로 하측 관통공(115)이 뚫려 있다. 상측 하우징(112)과 하측 하우징(113)이 결합되면, 상측 관통공(114)과 하측 관통공(115)은 하우징(110)을 상하 방향(VD)으로 관통하는 하나의 관통공(111)을 형성한다.In one embodiment, the
프로브(120)는 하우징의 관통공(111)에 상하 방향(VD)으로 배치된다. 프로브(120)는 상하 방향(VD)으로 수축 및 신장 가능하도록 구성된다. 하우징(110)에 의해 유지되는 프로브(120)가 검사 장치와 피검사 디바이스를 전기적으로 접속시키며, 이들 사이에 신호 전달을 실행한다.The
프로브(120)는 상측에 배치되는 상측 플런저(plunger)(121)와, 하측에 배치되는 하측 플런저(122)와, 상측 및 하측 플런저(121, 122)를 상하 방향(VD)으로 이동 가능하게 지지하고 유지하는 배럴(barrel)(123)과, 배럴(123) 내에서 상측 플런저(121)와 하측 플런저(122)의 사이에 배치되는 탄성 부재(124)를 포함한다. 상측 플런저(121)는 피검사 디바이스와 접촉된다. 하측 플런저(122)는 검사 장치와 접촉된다. 배럴(123)은 원통 형상으로 형성될 수 있으며, 상측 플런저(121)와 하측 플런저(122)는 배럴(123)의 원통형 공간 내에 부분적으로 삽입되어 있다. 탄성 부재(124)가 배럴(123)의 내부 공간에 배치된다. 탄성 부재(124)는 상측 및 하측 플런저(121, 122)의 사이에 위치하며, 상측 및 하측 플런저(121, 122)에 상하 방향(VD)으로 탄성력을 인가한다. 일 예로서, 도 2에 도시하는 탄성 부재(124)는 압축 코일 스프링일 수 있다. 상측 및 하측 플런저(121, 122)와 배럴(123)은 도전 가능한 금속 재료로 이루어진다. 프로브(120)는, 상측 및 하측 플런저(121, 122)와 배럴(123)과 탄성 부재(124)가 조립되어 있는 조립체이다. 이러한 프로브(120)는 당해 분야에서 컨택트 프로브 또는 포고 핀(pogo pin)으로 참조될 수 있다.The
피검사 디바이스를 통해 하방으로 가해지는 가압력(도 1에 도시하는 가압력(P) 참조)에 의해, 상측 및 하측 플런저(121, 122)는 탄성 부재(124)의 탄성력 하에서 배럴(123)의 내부로 밀려진다. 따라서, 프로브(120)는 상하 방향(VD)으로 수축될 수 있다. 상기 가압력이 제거되면, 상측 및 하측 플런저(121, 122)는 탄성 부재(124)의 탄성력에 의해 원위치로 복귀된다. 따라서, 프로브(120)는 상하 방향(VD)으로 신장될 수 있다. 이와 같이, 피검사 디바이스에 가해지는 상기 가압력에 의해, 프로브(120)는 상하 방향으로 수축 가능하다. 또한, 상기 가압력이 제거되면, 프로브(120)는 원상태로 신장될 수 있다.By the pressing force applied downward through the device to be inspected (refer to the pressing force P shown in FIG. 1 ), the upper and
상측 플런저(121)는 그 상단에서 피검사 디바이스의 단자(도 1에 도시하는 단자(31) 참조)와 접촉된다. 하측 플런저(122)는 그 하단에서 검사 장치의 단자(도 1에 도시하는 단자(22) 참조)와 접촉된다. 배럴(123)은 상측 플런저(121) 및 하측 플런저(122)와 도전 가능하게 접촉되어 있다. 이에 따라, 하나의 프로브(120)에 대응하는 검사 장치의 단자(22)와 피검사 디바이스의 단자(31)의 사이에서, 프로브(120)를 매개로 하여 상하 방향으로 신호 전달이 행해질 수 있다. 따라서, 검사 장치의 테스트 신호는 검사 장치의 단자(22)로부터 프로브(120)를 통해 피검사 디바이스의 단자(31)에 전달될 수 있고, 피검사 디바이스의 응답 신호는 피검사 디바이스의 단자(31)로부터 프로브(120)를 통해 검사 장치의 단자(22)에 전달될 수 있다.The
프로브(120)는 절연 부재(130)에 의해 상하 방향(VD)으로 관통공(111)에 배치된다. 절연 부재(130)는 프로브(120)를 관통공(111)에 위치시키도록 구성된다. 절연 부재(130)는 관통공(111)의 내주면과 프로브(120)의 외주면의 사이에 배치된다. 절연 부재(130)는, 프로브(120)를 하우징(110)에 대하여 절연시키며, 절연성을 갖는 재료로 이루어진다.The
프로브(120)는 관통공(111)의 상하 방향(VD)에서의 중심축(CA)과 동축으로 위치되도록 하우징(110)에 배치된다. 절연 부재(130)가 프로브(120)의 동축 배치를 실현한다. 관통공(111)의 중심축(CA)과 프로브(120)의 중심축이 일치되도록, 절연 부재(130)가 프로브(120)를 관통공(111)에 위치시킨다. 절연 부재(130)는 프로브(120)를 상하 방향(VD)에서 관통공(111)과 동축으로 위치시키도록 구성된다. 절연 부재(130)는 링 형상으로 형성된다. 따라서, 절연 부재(130)는, 관통공(111)의 내주면과 프로브(120)의 외주면의 사이에 배치되며, 프로브(120)의 일부가 절연 부재(130)를 상하 방향(VD)으로 관통한다.The
일 실시예에 있어서, 절연 부재(130)는, 하우징의 관통공(111)에 끼워맞춤되는 상측 절연 부재(131)와 하측 절연 부재(132)를 포함할 수 있다.In one embodiment, the insulating
상측 절연 부재(131)는 상측 하우징(112)에 배치되며, 상측 관통공(114)의 상단 부근에서 상측 관통공(114)에 끼워맞춤된다. 상측 절연 부재(131)는, 관통공(111)의 중심축(CA)과 동축으로 상측 절연 부재에 관통되어 있는 상측 끼워맞춤구멍(133)을 갖는다. 배럴(123)의 상단부가 상측 끼워맞춤구멍(133)에 상하 방향(VD)으로 끼워맞춤되고, 상측 플런저(121)가 상측 끼워맞춤구멍(133)을 관통하고 상측 플런저(121)의 상단이 상방으로 돌출한 상태로, 프로브(120)의 상측 부분이 상측 절연 부재(131)에 결합된다. 피검사 디바이스의 단자와 프로브가 접촉될 때, 상측 플런저(121)는 상측 끼워맞춤구멍(133)을 통해 배럴(123)의 내부로 이동될 수 있다. 상측 절연 부재(131)의 상단면은 상측 하우징(111)의 상면과 동일한 높이로 위치될 수도 있고, 상측 절연 부재(131)의 상단면과 상측 하우징(111)의 상면은 상하 방향으로 높이차를 갖도록 위치될 수도 있다.The upper insulating
하측 절연 부재(132)는 하측 하우징(113)에 배치되며, 하측 관통공(115)의 하단 부근에서 하측 관통공(115)에 끼워맞춤된다. 하측 절연 부재(132)는, 관통공(111)의 중심축(CA)과 동축으로 하측 절연 부재에 관통되어 있는 하측 끼워맞춤구멍(134)을 갖는다. 배럴(123)의 하단부가 하측 끼워맞춤구멍(134)에 상하 방향(VD)으로 끼워맞춤되고, 하측 플런저(122)가 하측 끼워맞춤구멍(134)을 관통하고 하측 플런저(122)의 하단이 하방으로 돌출한 상태로, 프로브(120)의 하측 부분이 하측 절연 부재(132)에 결합된다. 검사 장치의 단자와 프로브가 접촉될 때, 하측 플런저(122)는 하측 끼워맞춤구멍(134)을 통해 배럴(123)의 내부로 이동될 수 있다.The lower insulating
상측 끼워맞춤구멍(133)의 중심축과 하측 끼워맞춤구멍(134)의 중심축은 하우징(110)의 관통공(111)의 중심축(CA)과 동축을 이룬다. 프로브(120)는 상측 및 하측 끼워맞춤구멍(133, 134)에 상하 방향(VD)으로 끼워맞춤된다. 프로브(120)는, 상측 절연 부재(131)와 하측 절연 부재(132)에 의해 지지된 상태로 관통공(111)에 배치되며, 관통공(111)의 중심축(CA)과 동축으로 위치된다.The central axis of the upper
상측 끼워맞춤구멍(133)은, 배럴(123)의 상단부가 상측 끼워맞춤구멍에 끼워맞춤되고 상측 플런저(121)가 상측 끼워맞춤구멍에 간극을 가지고 삽입되도록 형성되어 있다. 하측 끼워맞춤구멍(134)은, 배럴(123)의 하단부가 하측 끼워맞춤구멍에 끼워맞춤되고 하측 플런저(122)가 하측 끼워맞춤구멍에 간극을 가지고 삽입되도록 형성되어 있다. 상측 절연 부재(131)는 상측 관통공(114)에 아래에서 위로 끼워맞춤될 수 있고, 하측 절연 부재(132)는 하측 관통공(115)에 위에서 아래로 끼워맞춤될 수 있다. 상측 절연 부재(131)의 하단부는 플랜지부(135)를 갖고, 하측 절연 부재(132)는 상단부는 플랜지부(135)를 갖는다. 상측 관통공(114)과 하측 관통공(115)은 플랜지부(135)에 대응하는 단차부(116)를 가지며, 플랜지부(135)는 단차부(116)에 끼워맞춤될 수 있다.The upper
일 예로, 테스트 소켓(10)은 상측 하우징(112)과 하측 하우징(113)을 결합하여 조립 및 제조될 수 있다. 상측 하우징(112)의 상측 관통공(114)에 상측 절연 부재(131)가 설치되고, 상측 절연 부재(131)의 상측 끼워맞춤구멍(133)에 프로브(120)의 상단부가 삽입될 수 있다. 이에 따라, 프로브(120)의 상단부가 상측 하우징(112)에 가조립될 수 있다. 다음으로, 하측 하우징(113)의 하측 관통공(115)에 하측 절연 부재(132)가 설치될 수 있다. 그 후, 프로브(120)의 하단부가 하측 절연 부재(132)의 하측 끼워맞춤구멍(134)에 삽입되도록, 상측 하우징(112)과 하측 하우징(113)이 상하 방향(VD)으로 결합될 수 있다. 이에 따라, 프로브(120)가 하우징(110)의 관통공(111)의 중심축(CA)과 동축으로 배치되면서, 테스트 소켓(10)이 조립 및 제조될 수 있다.For example, the
절연 부재(130)는, 프로브(120)를 관통공(111)에 관통공의 중심축과 동축으로 위치시키며, 프로브(120)의 신호 전달에 관련하여 유전체로서 기능한다. 실시예에 따른 테스트 소켓에 있어서, 절연 부재(130)는 절연성 재료로 이루어질뿐만 아니라, 낮은 유전율을 갖도록 구성된다. 절연 부재인 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)를 구성하는 절연성 재료는, 수지, 유리, 실리카, 지르코니아 및 세라믹 중 어느 하나일 수 있다. 또한, 절연 부재를 구성하는 수지는, 고무, 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate), 폴리에틸렌, 페놀, 에폭시, 노볼락(novolac) 중 어느 하나일 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.The insulating
하우징(110)의 관통공(111)에는, 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)와 프로브(120)가 관통공(111)의 중심축(CA)과 동축으로 배치된다. 이러한 동축 배치로 인해, 피검사 디바이스에 대한 고주파 검사 시에, 프로브(120)를 통과하는 신호에 대한 손실이 저감될 수 있다. 또한, 하우징(110)은 프로브(120)의 신호 전달 시에 발생하는 누설 전류를 소실시킬 수 있다.In the through
프로브(120)의 신호 전달에 관련하여, 상측 및 하측 절연 부재의 유전율이 신호 손실을 저감시키는데에 영향을 줄 수 있다. 상측 및 하측 절연 부재의 유전율이 낮을 수록, 신호 손실이 크게 저감될 수 있다. 또한, 상측 및 하측 절연 부재의 유전율이 낮을 수록, 프로브(120)의 임피던스가 피검사 디바이스의 임피던스와 검사 장치의 검사 회로의 임피던스와 더욱 양호하게 매칭될 수 있다. 상측 및 하측 절연 부재는, 프로브(120)를 동축 배치로 위치시키기 위해 특정한 형상 및 치수를 갖도록 가공된다. 따라서, 상측 및 하측 절연 부재의 가공성이 유지되면서, 상측 및 하측 절연 부재가 더욱 낮은 유전율을 갖는 것이 신호 손실의 저감과 임피던스 매칭에 유리하다.In relation to signal transmission of the
일 실시예에 의하면, 테스트 소켓(10)의 절연 부재(130)는 전술한 절연성 재료로 이루어질 수 있으며, 낮은 유전율을 갖도록 다공성 구조를 갖는다. 즉, 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)는 다공성 구조로 된 절연성 재료로 이루어진다. 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)는, 프로브의 동축 배치를 위한 형상 및 치수를 갖도록 형성되면서, 유전율을 저감시키기 위한 다수의 미세 공극(micropore)을 함유한다. 이와 같이, 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)는, 다수의 미세 공극을 함유하면서, 전술한 절연성 재료로 이루어진다. 미세 공극을 함유하는 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)는, 미세 공극을 갖지 않는 절연 부재보다 더욱 낮은 유전율을 가지므로, 프로브(120)의 신호 전달에서의 신호 손실을 더욱 감소시킬 수 있다. 이러한 미세 공극은, 상측 및 하측 절연 부재(131, 132) 내에 기공(gas pore) 또는 중공 입자(hollow particle)의 형태로 함유될 수 있지만, 미세 공극의 형태가 기공 또는 중공 입자에 한정되지는 않는다.According to an embodiment, the insulating
도 4 및 도 5는 미세 공극의 예를 각각 도시한다. 도 4 및 도 5에 도시하는 미세 공극의 형상은 실시예의 이해를 위해 선택된 예에 불과하다.4 and 5 show examples of micropores, respectively. The shape of the micropores shown in FIGS. 4 and 5 is only an example selected for understanding of the embodiment.
일 실시예의 테스트 소켓에 있어서, 프로브를 관통공에 관통공의 중심축과 동축으로 위치시키는 절연 부재는 다수의 미세 공극을 함유하는 절연성 재료로 이루어질 수 있다. 상기 절연성 재료는, 전술한 수지일 수 있으며, 다수의 미세 공극은 기공일 수 있다. 도 4를 참조하면, 상측 절연 부재(131)와 하측 절연 부재(132)는, 상기한 미세 공극으로써 다수의 기공(136)을 함유한다. 기공(136)은 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)를 구성하는 절연성의 수지의 전체에 걸쳐 불규칙적으로 분포되어 있다.In the test socket of one embodiment, the insulating member for positioning the probe in the through hole coaxially with the central axis of the through hole may be made of an insulating material containing a plurality of micropores. The insulating material may be the aforementioned resin, and the plurality of micropores may be pores. Referring to FIG. 4 , the upper insulating
기공(136)은, 절연 부재를 구성하는 액상의 수지와 발포제의 화학 반응에 의해 형성될 수 있다. 상기 발포제는 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)를 성형할 때에, 상측 및 하측 절연 부재(132)를 성형하기 위한 액상의 수지에 추가될 수 있다. 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)는 전술한 액상의 수지를 성형 금형에 주입하여 성형될 수 있고, 이 액상의 수지에 상기 발포제가 추가될 수 있다. 상기 발포제는, 상측 및 하측 절연 부재의 성형 도중, 액상의 수지와 화학 반응하여 가스를 발생시킨다. 발생된 가스는, 액상의 수지 내에서, 액상의 수지를 밀어낸다. 이에 따라, 발생된 가스가 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)의 성형 도중 액상의 수지를 부분적으로 결핍시킴으로써, 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)의 전체에 걸쳐 다양한 크기를 갖는 다수의 기공(136)이 형성될 수 있다. 다른 예로서, 기공을 함유하는 수지제의 소재(workpiece)가 준비될 수 있고, 이러한 소재가 절연 부재로 가공될 수 있다.The
다수의 기공(136)은 가스로 채워 질 수 있다. 일 예로, 다수의 기공(136)은, 기공(136)의 형성 과정에서 발생한 가스로 채워질 수 있다. 또는, 기공(136)은 공기로 채워질 수도 있고, 진공일 수도 있다.The plurality of
일 실시예의 테스트 소켓에 있어서, 절연 부재는 다수의 미세 공극을 함유하면서 전술한 절연성 재료로 이루어질 수 있으며, 다수의 미세 공극은 중공 입자일 수 있다. 도 5를 참조하면, 상측 절연 부재(131)와 하측 절연 부재(132)는, 상기한 미세 공극으로써, 다수의 중공 입자(137)를 함유한다. 중공 입자(137)는 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)를 구성하는 절연성 재료의 전체의 걸쳐 불규칙적으로 분포되어 있다. 일 예로, 중공 입자(137)의 사이즈는 약 10㎛ 내지 약 30㎛일 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 중공 입자(137)는 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)를 성형할 때에 상측 및 하측 절연 부재(132)를 성형하기 위한 액상의 절연성 재료에 추가될 수 있다. 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)는 전술한 액상 재료를 성형 금형에 주입하여 성형될 수 있고, 이 액상의 재료에 중공 입자(137)가 추가될 수 있다. 다른 예로서, 중공 입자를 함유하는 전술한 절연성 재료의 소재가 준비될 수 있고, 이러한 소재가 절연 부재로 가공될 수도 있다.In the test socket of an embodiment, the insulating member may be made of the above-described insulating material while containing a plurality of micropores, and the plurality of micropores may be hollow particles. Referring to FIG. 5 , the upper insulating
중공 입자(137)는, 가스(138)와 가스를 내포하는 막(shell)(139)을 포함할 수 있다. 막(139)은 그 내부에 가스(138)를 내포할 수 있는 임의의 형상을 가질 수 있다. 일 예로, 막(139)은 구(sphere)의 형상을 가질 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 막(139)은, 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)를 구성하는 절연성 재료와 동일한 물질 또는 다른 물질로 이루어질 수 있다. 일 예로, 막(139)은, 유리, 실리카, 지르코니아, 세라믹, 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate), 폴리에틸렌 고무, 아크릴 수지 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 막(139) 내에 내포되는 가스(138)는 공기일 수 있다. 일 예로, 상측 및 하측 절연 부재가 에폭시 수지로 이루어지는 경우, 에폭시 수지의 유전율은 약 3.6일 수 있다. 중공 입자에 내포되는 공기의 유전율은 약 1일 수 있다. 따라서, 중공 입자를 함유하는 수지 재료로 이루어지는 상측 및 하측 절연 부재는 낮은 유전율을 나타낼 수 있다. 막(139) 내에 내포되는 가스(138)는 특별히 한정되지 않는다. 다른 예로서, 막(139) 내부는 진공일 수도 있다.The
절연 부재는, 절연 부재의 부피를 100%로 하는 경우, 1vol% 내지 50vol%의 다수의 미세 공극(기공(136) 또는 중공 입자(137))을 함유할 수 있다. 즉, 다수의 미세 공극(기공(136) 또는 중공 입자(137))은, 상측 및 하측 절연 부재의 부피를 100%로 할 경우 1vol% 내지 50vol%의 비율로 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)에 함유될 수 있다. 미세 공극(기공 또는 중공 입자)의 함유율을 적절히 선택함으로써, 절연 부재의 유전율이 조정될 수 있다. 기공 또는 중공 입자의 함유율이 너무 작은 경우, 절연 부재의 유전율 저감 효과가 작아질 수 있다. 기공 또는 중공 입자의 함유율이 50vol%를 초과하는 경우, 절연 부재의 성형에 관련되는 가공성이 저하될 수 있고 절연 부재의 내구성이 악화될 수 있다.The insulating member may contain a plurality of micropores (
도 4는 상측 및 하측 절연 부재가 기공을 함유하는 것을 도시하고, 도 5는 상측 및 하측 절연 부재가 중공 입자를 함유하는 것을 도시한다. 다른 예로서, 상측 및 하측 절연 부재 중 하나가 기공을 함유할 수도 있고, 상측 및 하측 절연 부재 중 나머지 하나가 중공 입자를 함유할 수도 있다.Fig. 4 shows that the upper and lower insulating members contain pores, and Fig. 5 shows that the upper and lower insulating members contain hollow particles. As another example, one of the upper and lower insulating members may contain pores, and the other of the upper and lower insulating members may contain hollow particles.
일 실시예의 테스트 소켓에 의하면, 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)가 다수의 미세 공극(기공(136) 또는 중공 입자(137))을 함유한다. 따라서, 상기 미세 공극을 갖지 않고 절연성의 수지 재료만으로 이루어지며 상측 및 하측 절연 부재의 외경과 동일한 외경을 갖는 절연 부재와 비교하여, 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)는 더욱 낮은 유전율을 가질 수 있고 프로브(120)의 신호 전달에 대한 신호 손실을 더욱 감소시킬수 있다. 또한, 프로브(120)의 임피던스가 피검사 디바이스 및 검사 회로의 임피던스와 매칭되어, 임피던스 비매칭으로 인한 신호 손실이 발생하지 않으며, 이에 따라 일 실시예의 테스트 소켓은 피검사 디바이스의 고주파의 검사를 위해 효과적으로 사용될 수 있다.According to the test socket of one embodiment, the upper and lower insulating
미세 공극은, 상측 및 하측 절연 부재의 성형을 위한 재료에 상기 발포제 또는 상기 중공 입자를 추가함으로써, 상측 및 하측 절연 부재 내에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상측 및 하측 절연 부재의 가공성을 유지하면서 상측 및 하측 절연 부재를 구성하는 재료나 치수를 변경함이 없이, 상측 및 하측 절연 부재의 유전율을 저감시킬 수 있다. 또한, 상측 및 하측 절연 부재에 포함되는 기공 또는 중공 입자의 부피비율 또는 사이즈를 조정함으로써, 일 실시예의 테스트 소켓의 특성값을 제어할 수 있다. 또한, 미세 공극으로 인해 더욱 낮은 유전율을 가지는 상측 및 하측 절연 부재는, 그 외경 치수가 더욱 작아지도록 형성될 수 있으며, 이는 프로브(120)들 간의 이격거리(즉, 프로브 간의 피치)를 더욱 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 일 실시예의 테스트 소켓은, 프로브(120) 간의 피치가 더욱 작아지도록 구성될 수 있다. 또한, 상기한 미세 공극을 갖지 않는 절연 부재를 대체하여, 일 실시예에 따른 상측 및 하측 절연 부재가 테스트 소켓에 용이하게 적용될 수 있으므로, 절연 부재의 강도와 가공성을 유지하면서 테스트 소켓에 우수한 신호 전달 능력을 용이하게 부여할 수 있다.Micropores may be formed in the upper and lower insulating members by adding the blowing agent or the hollow particles to a material for molding the upper and lower insulating members. Accordingly, it is possible to reduce the dielectric constant of the upper and lower insulating members while maintaining the workability of the upper and lower insulating members without changing materials or dimensions constituting the upper and lower insulating members. In addition, by adjusting the volume ratio or size of pores or hollow particles included in the upper and lower insulating members, the characteristic value of the test socket according to an exemplary embodiment may be controlled. In addition, the upper and lower insulating members having a lower dielectric constant due to the micropores may be formed to have smaller outer diameters, which will further reduce the spacing between the probes 120 (that is, the pitch between the probes). can Accordingly, the test socket according to an exemplary embodiment may be configured such that the pitch between the
상하 방향으로 도전 가능할뿐만 아니라 상하 방향으로 수축 및 팽창 가능한, 기둥 형상의 구조물이 프로브의 탄성 부재로써 채용될 수 있다. 도 6을 참조하면, 프로브(120)는, 배럴(123) 내에 배치되고 상측 및 하측 플런저(121, 122)에 탄성력을 인가하는 탄성 부재(125)를 갖는다. 도 6에 예시하는 탄성 부재(125)는, 기둥 형상을 가지며, 상측 및 하측 플런저(121, 122)의 사이에 배치된다. 탄성 부재(126)는, 그 상단에서 상측 플런저(121)의 하단과 접촉되고, 그 하단에서 하측 플런저(122)의 상단과 접촉된다. 탄성 부재(125)는, 상하 방향(VD)으로 도전 가능하게 접촉된 다수의 도전성 입자(126)와 다수의 도전성 입자(126)를 상하 방향(VD)으로 유지하는 탄성 물질(127)로 이루어진다.A column-shaped structure that is electrically conductive in the vertical direction as well as contractable and expandable in the vertical direction may be employed as the elastic member of the probe. Referring to FIG. 6 , the
다수의 도전성 입자(126)는 도전 가능한 금속 재료로 이루어진다. 도전성 입자(126)들은, 탄성 부재(125)의 상단으로부터 하단까지 불규칙적으로 분포되어 있다. 도전성 입자(126)들은, 상하 방향(VD)으로 도전 가능하게 접촉되어 있으며, 상하 방향(VD)을 따라, 예컨대 기둥 형상으로 집합되어 있다. 상하 방향(VD)으로 도전 가능하게 접촉된 도전성 입자(126)들이, 상측 플런저(121)와 하측 플런저(122)의 사이에서 신호 전달을 실행하는 도전체로써 기능한다. 탄성 물질(127)은 도전성 입자(111)들이 기둥 형상으로 집합되도록, 도전성 입자(126)들을 상하 방향(VD)으로 유지한다. 도전성 입자(126)들의 사이는 탄성 물질(127)로 채워질 수 있다. 탄성 물질(127)이 도전성 입자(126)들과 일체로 형성되어, 탄성 부재(125)를 구성한다. 탄성 물질(127)은 실리콘 러버를 포함할 수 있다.The plurality of
탄성 물질(127)의 탄성 복원력에 의해, 탄성 부재(125)는, 상하 방향(VD)으로 수축될 수 있고, 수축 전의 원 상태로 팽창될 수 있다. 예컨대, 피검사 디바이스의 검사 시에, 상측 플런저(121)를 통해 가해지는 가압력에 의해 탄성 부재(125)는 상하 방향(VD)으로 수축될 수 있다. 상기 가압력이 제거되면, 탄성 부재(125)는, 탄성 물질(127)의 탄성 복원력에 의해 원 상태로 팽창될 수 있다.Due to the elastic restoring force of the
일 실시예의 테스트 소켓의 향상된 성능은, 고주파의 전자기장을 시뮬레이션하기 위한 소프트웨어를 사용하여 확인될 수 있다. 도 7 내지 도 10은, 고주파의 전자기장을 시뮬레이션하기 위한 소프트웨어를 사용하여 행해진 시뮬레이션의 결과를 나타내는 그래프이다. 상기 시뮬레이션은 일 실시예에 따른 테스트 소켓과 비교예에 따른 테스트 소켓에 대해 행해졌다. 도 7 내지 도 10에 도시하는 그래프에서, 수평 축은 주파수의 수치를 나타내며 주파수의 단위는 GHz이고, 수직 축은 데시벨(dB)의 단위를 갖는다. 상기 시뮬레이션에 관련하여, 일 실시예의 테스트 소켓의 상측 및 하측 절연 부재는, 유전율이 3.6인 에폭시 수지로 구성되며, 전술한 중공 입자를 함유한다. 비교예의 테스트 소켓의 상측 및 하측 절연 부재는 유전율이 3.6인 에폭시 수지로 구성되지만, 전술한 중공 입자 또는 전술한 기공을 전혀 함유하지 않는다.The improved performance of the test socket of one embodiment may be verified using software for simulating a high frequency electromagnetic field. 7 to 10 are graphs showing results of simulations performed using software for simulating a high-frequency electromagnetic field. The simulation was performed on the test socket according to the embodiment and the test socket according to the comparative example. In the graphs shown in FIGS. 7 to 10 , the horizontal axis represents the numerical value of the frequency, the unit of the frequency is GHz, and the vertical axis has the unit of decibel (dB). In relation to the above simulation, the upper and lower insulating members of the test socket of one embodiment are made of an epoxy resin having a dielectric constant of 3.6, and contain the aforementioned hollow particles. The upper and lower insulating members of the test socket of the comparative example are made of an epoxy resin having a dielectric constant of 3.6, but do not contain the aforementioned hollow particles or the aforementioned pores at all.
도 7 및 도 8은, 신호 전달 시에 신호 손실의 정도를 의미하는 삽입 손실(insertion loss)에 관한 시뮬레이션 결과를 도시한다. 도 7은 일 실시예의 테스트 소켓에 대응하는 곡선을 도시하고, 도 8은 비교예의 테스트 소켓에 대응하는 곡선을 도시한다. 도 7과 도 8에 도시하는 그래프에 있어서, 0db에 가까운 곡선은 적은 신호 손실을 의미한다. 도 7과 도 8의 비교로부터, 일 실시예의 테스트 소켓은 비교예의 테스트 소켓에 비해 0GHz 내지 50GHZ의 고주파수 범위에서 더욱 작은 신호 손실을 가짐을 확인할 수 있다.7 and 8 show simulation results regarding insertion loss, which means the degree of signal loss during signal transmission. 7 shows a curve corresponding to the test socket of one embodiment, and FIG. 8 shows a curve corresponding to the test socket of the comparative example. In the graphs shown in Figs. 7 and 8, a curve close to 0 db means a small signal loss. From the comparison of FIGS. 7 and 8 , it can be seen that the test socket of one embodiment has a smaller signal loss in the high frequency range of 0 GHz to 50 GHz compared to the test socket of the comparative example.
도 9 및 도 10은, 신호 전달 시에 신호 반사의 정도를 의미하는 반사 손실(return loss)에 관한 시뮬레이션 결과를 도시한다. 도 9는 일 실시예의 테스트 소켓에 대응하는 곡선을 도시하고, 도 10은 비교예의 테스트 소켓에 대응하는 곡선을 도시한다. 도 9 및 도 10에 도시하는 그래프에 있어서, 0dB에 가까운 곡선은 큰 신호 반사를 의미한다. 도 9 및 도 10의 비교로부터, 일 실시예의 테스트 소켓은 비교예의 테스트 소켓에 비해, 20GHz 내지 40GHz의 고주파수 범위에서 적은 신호 반사를 가짐을 확인할 수 있다. 따라서, 상측 및 하측 절연 부재가 다수의 기공 또는 다수의 중공 입자를 함유하는, 일 실시예의 테스트 소켓은, 감소된 반사 손실을 가지며, 특히 고주파수의 검사가 행해지는 20GHz 내지 40GHz의 고주파수 범위에서 적은 신호 손실을 나타낸다.9 and 10 show simulation results regarding return loss, which means the degree of signal reflection during signal transmission. 9 shows a curve corresponding to the test socket of one embodiment, and FIG. 10 shows a curve corresponding to the test socket of the comparative example. In the graphs shown in Figs. 9 and 10, a curve close to 0 dB means a large signal reflection. From the comparison of FIGS. 9 and 10 , it can be confirmed that the test socket of an embodiment has less signal reflection in the high frequency range of 20 GHz to 40 GHz, compared to the test socket of the comparative example. Thus, the test socket of one embodiment, in which the upper and lower insulating members contain a large number of pores or a large number of hollow particles, has reduced return loss, particularly in the high frequency range of 20 GHz to 40 GHz, where high frequency inspection is performed, low signal represents a loss.
또한, 도 7 내지 도 10에 도시하는 시뮬레이션 결과의 그래프로부터, 일 실시예의 테스트 소켓에서의 상측 및 하측 절연 부재는, 약 10% 감소된 유전율을 갖는 것이 확인될 수 있다.In addition, from the graphs of the simulation results shown in FIGS. 7 to 10 , it can be confirmed that the upper and lower insulating members in the test socket according to the embodiment have a dielectric constant reduced by about 10%.
이상 일부 실시예들과 첨부된 도면에 도시하는 예에 의해 본 개시의 기술적 사상이 설명되었지만, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 이해할 수 있는 본 개시의 기술적 사상 및 범위를 벗어나지 않는 범위에서 다양한 치환, 변형 및 변경이 이루어질 수 있다는 점을 알아야 할 것이다. 또한, 그러한 치환, 변형 및 변경은 첨부된 청구범위 내에 속하는 것으로 생각되어야 한다.Although the technical spirit of the present disclosure has been described above by way of some embodiments and examples shown in the accompanying drawings, it does not depart from the technical spirit and scope of the present disclosure that can be understood by those of ordinary skill in the art to which the present disclosure belongs. It should be understood that various substitutions, modifications, and alterations within the scope may be made. Further, such substitutions, modifications, and alterations are intended to fall within the scope of the appended claims.
10: 테스트 소켓, 20: 검사 장치, 30: 피검사 디바이스, 110: 하우징, 111: 관통공, 120: 프로브, 121: 상측 플런저, 122: 하측 플런저, 123: 배럴, 124: 탄성 부재, 125: 탄성 부재, 126: 도전성 입자, 127: 탄성 물질, 130: 절연 부재, 131: 상측 절연 부재, 132: 하측 절연 부재, 133: 상측 끼워맞춤구멍, 134: 하측 끼워맞춤구멍, 136: 기공, 137: 중공 입자, 138: 중공 입자의 공기, 139: 중공 입자의 막, CA: 관통공의 중심축, VD: 상하 방향10 test socket, 20 inspection device, 30 device to be inspected, 110 housing, 111 through hole, 120 probe, 121 upper plunger, 122 lower plunger, 123 barrel, 124 elastic member, 125: DESCRIPTION OF SYMBOLS Elastic member, 126: conductive particle, 127: elastic material, 130: insulating member, 131: upper insulating member, 132: lower insulating member, 133: upper fitting hole, 134: lower fitting hole, 136: pores, 137: Hollow particle, 138: air of hollow particle, 139: hollow particle membrane, CA: central axis of through hole, VD: vertical direction
Claims (13)
상하 방향으로 관통공이 형성된 하우징과,
상기 관통공에 상기 상하 방향으로 배치되고, 상기 상하 방향으로 수축 및 신장되고 상기 상하 방향으로 신호 전달을 실행하도록 구성된 프로브와,
상기 관통공의 내주면과 상기 프로브의 외주면의 사이에 배치되고 상기 프로브를 상기 상하 방향에서 상기 관통공과 동축으로 위치시키도록 구성되며 다수의 미세 공극을 함유하는 절연 부재를 포함하고,
상기 프로브는, 상기 피검사 디바이스와 접촉되고 도전 가능한 상측 플런저와, 상기 검사 장치와 접촉되고 도전 가능한 하측 플런저와, 상기 상측 플런저 및 상기 하측 플런저와 도전 가능하게 접촉되고 상기 상측 플런저 및 상기 하측 플런저를 상기 상하 방향으로 이동 가능하게 지지하며 상기 절연 부재에 끼워맞춤되는 배럴과, 상기 배럴 내에서 상기 상측 플런저와 상기 하측 플런저의 사이에 배치되는 탄성 부재를 포함하고,
상기 절연 부재는 1vol% 내지 50vol%의 상기 다수의 미세 공극을 함유하는,
테스트 소켓.It is a test socket for electrical connection between the test device and the device under test,
A housing having through-holes formed in the vertical direction;
a probe disposed in the vertical direction in the through hole, contracted and extended in the vertical direction, and configured to transmit a signal in the vertical direction;
an insulating member disposed between the inner circumferential surface of the through hole and the outer circumferential surface of the probe and configured to position the probe coaxially with the through hole in the vertical direction and containing a plurality of micropores;
The probe includes an upper plunger contactable and conductive with the device under test, a lower plunger contacting and conductive with the test apparatus, and a conductive contact with the upper plunger and the lower plunger, the upper plunger and the lower plunger a barrel that is movably supported in the vertical direction and is fitted to the insulating member, and an elastic member disposed between the upper plunger and the lower plunger in the barrel;
The insulating member contains 1 vol% to 50 vol% of the plurality of micropores,
test socket.
상기 다수의 미세 공극은 기공인,
테스트 소켓.According to claim 1,
The plurality of micropores are pores,
test socket.
상기 절연 부재는 상기 다수의 미세 공극을 함유하는 수지로 이루어지고,
상기 기공은 액상의 상기 수지와 발포제의 화학 반응에 의해 형성되는,
테스트 소켓.3. The method of claim 2,
The insulating member is made of a resin containing the plurality of micropores,
The pores are formed by a chemical reaction of the liquid resin and the blowing agent,
test socket.
상기 다수의 미세 공극은 중공 입자인,
테스트 소켓.According to claim 1,
The plurality of micropores are hollow particles,
test socket.
상기 중공 입자는, 유리, 실리카, 지르코니아, 세라믹, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리에틸렌 고무, 아크릴 수지 중 어느 하나로 이루어지는 막을 포함하는,
테스트 소켓.5. The method of claim 4,
The hollow particles include a film made of any one of glass, silica, zirconia, ceramic, polymethyl methacrylate, polyethylene rubber, and acrylic resin,
test socket.
상기 중공 입자는 상기 막 내에 내포된 공기를 포함하는,
테스트 소켓.6. The method of claim 5,
The hollow particles comprising air entrapped in the membrane,
test socket.
상기 절연 부재는, 상기 다수의 미세 공극을 함유하면서, 수지, 유리, 실리카, 지르코니아 및 세라믹 중 어느 하나로 이루어지는,
테스트 소켓.According to claim 1,
The insulating member is made of any one of resin, glass, silica, zirconia and ceramic while containing the plurality of micropores,
test socket.
상기 수지는, 고무, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리에틸렌, 페놀, 에폭시, 노볼락 중 어느 하나인,
테스트 소켓.9. The method of claim 8,
The resin is any one of rubber, polymethyl methacrylate, polyethylene, phenol, epoxy, and novolak,
test socket.
상기 절연 부재는, 상기 관통공의 중심축과 동축으로 관통된 상측 끼워맞춤구멍을 갖고 상기 관통공에 끼워맞춤되는 상측 절연 부재와, 상기 관통공의 중심축과 동축으로 관통된 하측 끼워맞춤구멍을 갖고 상기 관통공에 끼워맞춤되는 하측 절연 부재를 포함하고,
상기 프로브는 상기 상측 및 하측 끼워맞춤구멍에 끼워맞춤되어 상기 관통공과 동축으로 위치되는,
테스트 소켓.According to claim 1,
The insulating member includes an upper insulating member having an upper fitting hole penetrating coaxially with a central axis of the through hole and fitted into the through hole, and a lower fitting hole penetrating coaxially with the central axis of the through hole. and a lower insulating member fitted to the through hole,
The probe is fitted into the upper and lower fitting holes and positioned coaxially with the through hole,
test socket.
상기 상측 플런저는 상기 상측 끼워맞춤구멍을 통해 이동하고, 상기 하측 플런저는 상기 하측 끼워맞춤구멍을 통해 이동하며, 상기 배럴은 상기 상측 끼워맞춤구멍과 상기 하측 끼워맞춤구멍에 끼워맞춤되는,
테스트 소켓.12. The method of claim 11,
the upper plunger moves through the upper fitting hole, the lower plunger moves through the lower fitting hole, and the barrel is fitted into the upper fitting hole and the lower fitting hole;
test socket.
상기 탄성 부재는, 상기 상하 방향으로 도전 가능하게 접촉된 다수의 도전성 입자와 상기 다수의 도전성 입자를 상기 상하 방향으로 유지하는 탄성 물질로 이루어지는,
테스트 소켓.According to claim 1,
The elastic member is made of a plurality of conductive particles conductively contacted in the vertical direction and an elastic material for maintaining the plurality of conductive particles in the vertical direction,
test socket.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/KR2021/001333 WO2021162314A1 (en) | 2020-02-10 | 2021-02-02 | Test socket for testing device under test |
CN202180013460.6A CN115053139A (en) | 2020-02-10 | 2021-02-02 | Test socket for detecting tested device |
TW110104569A TWI737567B (en) | 2020-02-10 | 2021-02-05 | Test socket |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200015516 | 2020-02-10 | ||
KR20200015516 | 2020-02-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210102052A KR20210102052A (en) | 2021-08-19 |
KR102455150B1 true KR102455150B1 (en) | 2022-10-18 |
Family
ID=77492746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200178539A KR102455150B1 (en) | 2020-02-10 | 2020-12-18 | Test socket for use in testing device under test |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102455150B1 (en) |
TW (1) | TWI737567B (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102713367B1 (en) * | 2021-10-01 | 2024-10-07 | (주)마이크로컨텍솔루션 | Contact and seperator module |
CN116990666A (en) * | 2023-07-14 | 2023-11-03 | 苏州晶晟微纳半导体科技有限公司 | Ultra-high-speed coaxial test socket aiming at 224Gbps |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010127879A (en) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Probe pin and its support structure |
KR101526536B1 (en) * | 2013-12-27 | 2015-06-10 | 주식회사 아이에스시 | Conductive elastic member, fabrication method thereof and electrical test socket |
JP2017076587A (en) | 2015-10-16 | 2017-04-20 | 山一電機株式会社 | IC socket |
KR101954086B1 (en) | 2017-11-07 | 2019-03-06 | 리노공업주식회사 | A test probe assembly and test socket |
WO2019049482A1 (en) | 2017-09-08 | 2019-03-14 | 株式会社エンプラス | Electric connection socket |
WO2019106871A1 (en) | 2017-11-30 | 2019-06-06 | 株式会社エンプラス | Electrical connection socket |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004325306A (en) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Yokowo Co Ltd | Coaxial probe for inspection, and inspection unit using the same |
US8808010B2 (en) * | 2011-06-06 | 2014-08-19 | Interconnect Devices, Inc. | Insulated metal socket |
KR102069145B1 (en) * | 2012-06-20 | 2020-02-11 | 존스테크 인터내셔널 코포레이션 | Wafer level integrated circuit contactor and method of construction |
KR101534778B1 (en) | 2014-01-24 | 2015-07-09 | 리노공업주식회사 | A test device |
TWI651539B (en) * | 2014-03-10 | 2019-02-21 | 美商瓊斯科技國際公司 | Wafer-level integrated circuit probe array and construction method |
CN106680540B (en) * | 2015-11-05 | 2020-08-21 | 电连技术股份有限公司 | Coaxial connector for probing |
JP2020521986A (en) * | 2017-05-26 | 2020-07-27 | スミスズ インターコネクト アメリカズ インコーポレイテッドSmiths Interconnect Americas, Inc. | Impedance control test socket |
KR102073689B1 (en) * | 2019-06-10 | 2020-03-02 | 리노공업주식회사 | A test probe assembly and test socket |
TWM589794U (en) * | 2019-10-01 | 2020-01-21 | 洪敬文 | An integrated circuit chip test signal isolation probe holder |
-
2020
- 2020-12-18 KR KR1020200178539A patent/KR102455150B1/en active IP Right Grant
-
2021
- 2021-02-05 TW TW110104569A patent/TWI737567B/en active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010127879A (en) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Probe pin and its support structure |
KR101526536B1 (en) * | 2013-12-27 | 2015-06-10 | 주식회사 아이에스시 | Conductive elastic member, fabrication method thereof and electrical test socket |
JP2017076587A (en) | 2015-10-16 | 2017-04-20 | 山一電機株式会社 | IC socket |
WO2019049482A1 (en) | 2017-09-08 | 2019-03-14 | 株式会社エンプラス | Electric connection socket |
KR101954086B1 (en) | 2017-11-07 | 2019-03-06 | 리노공업주식회사 | A test probe assembly and test socket |
WO2019106871A1 (en) | 2017-11-30 | 2019-06-06 | 株式会社エンプラス | Electrical connection socket |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI737567B (en) | 2021-08-21 |
TW202131001A (en) | 2021-08-16 |
KR20210102052A (en) | 2021-08-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102455150B1 (en) | Test socket for use in testing device under test | |
JP5960383B2 (en) | Contact holder | |
US20160216294A1 (en) | Electrical Spring Probe with Stabilization | |
JP4921344B2 (en) | Inspection socket | |
JP4405358B2 (en) | Inspection unit | |
WO2021162314A1 (en) | Test socket for testing device under test | |
KR102063761B1 (en) | Data signal transmission connector and manufacturing method for the same | |
KR102103746B1 (en) | Device for RF semiconductor test socket | |
KR102211358B1 (en) | Test socket and test apparatus having the same, manufacturing method for the test socket | |
KR101748184B1 (en) | Test socket and fabrication method of conductive powder for test socket | |
KR20190052726A (en) | By-directional electrically conductive module | |
KR101506131B1 (en) | Fabrication method of test sheet and test sheet | |
US11506705B2 (en) | Test socket and test apparatus having the same | |
KR102345804B1 (en) | Connector for electrical connection | |
KR102373067B1 (en) | Test socket and method for fabricating the same | |
KR102696538B1 (en) | Connector for test | |
WO2011088310A1 (en) | Contact pin holder | |
KR102110150B1 (en) | Protective member for conduction part of data signal transmission connector, manufacturing method for the same, data signal transmission connector having the protective member and manufacturing method for the data signal transmission connector | |
KR102661984B1 (en) | Data signal transmission connector | |
CN102608365A (en) | Elastic probe | |
KR102722465B1 (en) | Connector for test | |
KR20240015324A (en) | Connector for test | |
CN110165450B (en) | Board-to-board coaxial connection device with large tolerance for conducting millimeter-scale signal waves | |
JP2023182281A (en) | Inspection connector | |
KR20230163660A (en) | Connector for test |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |