KR101997708B1 - 단결정 성장용 종자정 부착 방법 - Google Patents

단결정 성장용 종자정 부착 방법 Download PDF

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Abstract

실시예는 단결정 성장용 종자정 부착 방법에 관한 것으로, 실시예에 따른 단결정 성장용 종자정 부착 방법은 종자정을 종자정 홀더에 부착할 때 접착제를 사용함으로써 생기는 기포를 제거하기 위해 진공하(일정한 진공도 유지)에서 필름을 사용하여 종자정 및 종자정 홀더의 얼라인을 둘러싸서 패키징함으로써 종자정이 종자정 홀더로부터 미끄러지거나 이탈되는 것을 방지할 수 있다. 나아가, 미세한 크기의 기포를 제거 및 크랙 발생을 방지할 수 있다. 또한, 진공하에서 열처리하여 건조 및 경화 단계를 수행함으로써 기화되는 용매까지도 제거할 수 있으므로, 종자정의 이탈 방지 및 잉곳의 품질을 향상시킬 수 있다.

Description

단결정 성장용 종자정 부착 방법{METHOD FOR ATTACHING SEED FOR GROWING SINGLE CRYSTAL}
실시예는 단결정 성장용 종자정을 종자정 홀더에 부착하는 방법에 관한 것이다.
전기, 전자 산업분야 및 기계부품 분야에서는 원료가 되는 소재에 따라 최종 부품의 특성, 성능지수 등이 달라지기 때문에 소재의 중요도가 매우 높다. 이러한 관점에서 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN), 산화아연(ZnO) 등의 단결정(single crystal) 소재들은 상기 다양한 분야에서 각광받고 있다.
특히, 단결정의 탄화규소는 에너지 밴드갭(energy band gap)이 크고, 최대 절연파괴전계(break field voltage) 및 열전도율(thermal conductivity)이 실리콘(Si)보다 우수하다. 또한, 단결정 탄화규소의 캐리어 이동도는 실리콘에 비견되며, 전자의 포화 드리프트 속도 및 내압도 크다. 이러한 특성으로 인해, 단결정 탄화규소는 고효율화, 고내압화 및 대용량화가 요구되는 반도체 디바이스에 유용하게 적용할 수 있을 것으로 기대된다.
단결정의 탄화규소를 용액으로부터 성장시키기 위해서는 100,000기압 이상의 압력과 3,200℃ 이상의 온도가 필요하다. 따라서, 종자정 성장 승화법(seeded growth sublimation) 등의 승화 방식을 이용한 PVT(Physical Vapor Transport)법을 많이 이용하여 단결정 잉곳을 제조하고 있다.
이러한 성장 방법은 종자정을 종자정 홀더에 부착하는 공정이 선행되어야 한다. 상기 단결정은 종자정으로부터 성장되는 것이므로, 종자정의 부착 상태에 따라 품질이 달라질 수 있다. 만일, 종자정과 종자정 홀더 사이(계면)의 접착이 견고하지 못하면, 양질의 단결정으로의 성장이 어렵다.
구체적으로, 종자정 홀더에 부착된 종자정은 일반적으로 중력 방향을 향하도록 고정되므로, 종자정의 결합력이 낮으면 종자정의 하중에 의해 낙하하여 이탈하는 현상이 발생할 수 있다. 나아가, 접착제를 사용하여 종자정을 종자정 홀더에 부착할 때, 사람이 직접 유리봉과 같은 기구를 사용하여 압력을 가함으로써 종자정을 종자정 홀더에 부착시키는데, 이러한 방법은 기구가 닿는 부분에만 하중이 더 부가되어 국부적인 응력이 발생할 수 있고, 이로 인한 크랙의 발생으로 단결정 성장시 불량을 야기할 수 있다. 또한, 종자정과 종자정 홀더가 수평적으로 균일하게 압착되지 못하기 때문에 그 사이에 기포가 발생하는 문제점이 있다. 나아가, 발생된 기포로 인하여 종자정과 종자정 홀더와의 부착력은 약화되며 종자정이 낙하할 위험이 있다.
최근에는 종자정과 종자정 홀더를 안정적으로 견고하게 부착하기 위해, 다양한 방법이 연구되고 있다.
일례로, 대한민국 등록특허 제10-1101983호는 종자정 어셈블리에 관한 것으로서, 흑연 박판의 양면에 종자정 및 종자정 홀더를 접착제로 부착하여 형성된 종자정 성장 장치를 사용하나, 눈에 보이는 거시적인 채널 또는 기공 등의 결함만을 방지하고 있을 뿐이다.
한편, 대한민국 등록특허 제10-0675912호는 종자정 부착 장치에 관한 것으로서, 종자정과 종자정 홀더 부착시 진공을 걸어 부착시키고 있으나, 진공을 걸어주었을 때 종자정이 종자정 홀더로부터 미끄러지나 이탈할 수 있다는 단점이 있다.
대한민국 등록특허 제10-1101983호 대한민국 등록특허 제10-0675912호
따라서, 실시예는 종자정을 종자정 홀더에 견고하게 부착시키는 동시에 부착하고자 하는 위치로부터 이탈하거나 미끄러짐없이 부착시키는 방법을 제공하고자 한다.
실시예는 (1) 접착제를 이용하여 종자정(seed)과 종자정 홀더를 부착하는 단계, (2) 상기 부착된 종자정 및 종자정 홀더를 필름으로 진공 패키징(packaging)하는 단계, (3) 건조 및 경화하는 단계 및 (4) 상기 필름을 제거하고 가압 및 탄화 단계를 포함하는, 단결정 성장용 종자정 및 종자정 홀더의 결합 방법을 제공한다.
실시예에 따른 단결정 성장용 종자정 부착 방법은 종자정을 종자정 홀더에 부착할 때 접착제를 사용함으로써 생기는 기포를 제거하기 위해, 진공하(일정한 진공도 유지)에서 필름을 사용하여 종자정 및 종자정 홀더의 얼라인을 둘러싸서 패키징함으로써 종자정이 종자정 홀더로부터 미끄러지거나 이탈되는 것을 방지할 수 있다. 나아가, 미세한 크기의 기포 제거 및 크랙 발생을 방지할 수 있다. 또한, 진공하에서 열처리하여 건조 및 경화 단계를 수행함으로써 기화되는 용매까지도 제거할 수 있으므로, 종자정의 이탈 방지 및 잉곳의 품질을 향상시킬 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 단결정 성장용 종자정 부착 방법을 순차적으로 도시한 것이다.
도 2는 일 실시예에 따른 단결정 성장용 종자정 부착 방법으로 부착된 종자정의 오염 여부를 나타낸 사진이다.
도 3은 일 실시예에 따른 단결정 성장용 종자정 부착 방법으로 부착된 종자정의 진공 패키징 얼라인 효과를 나타낸 사진이다.
도 4는 일 실시예에 따른 단결정 성장용 종자정 부착 방법으로 부착된 종자정의 기포 발생 여부를 나타낸 사진이다.
이하 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.
실시예는 (1) 접착제를 이용하여 종자정(seed)과 종자정 홀더를 부착하는 단계, (2) 상기 부착된 종자정 및 종자정 홀더를 필름으로 진공 패키징(packaging)하는 단계, (3) 건조 및 경화하는 단계 및 (4) 상기 필름을 제거하고 가압 및 탄화 단계를 포함하는 단결정 성장용 종자정 및 종자정 홀더의 결합 방법을 제공한다.
상기 단계 (1)에서는 접착제를 이용하여 종자정과 종자정 홀더를 부착한다.
상기 접착제는 바인더 수지 및 필러를 포함할 수 있다.
상기 바인더 수지는 종자정을 종자정 홀더에 부착시키기 위한 것으로, 예를 들어, 페놀 수지, 폴리아크릴로니트릴 수지, 피치 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리아크릴산 수지, 푸란계 수지, 에폭시계 수지, 또는 이들의 혼합 수지일 수 있다. 상기 바인더 수지는 잔탄율(actual carbon ratio)이 높은 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 바인더 수지는 불활성 분위기에서 잔탄율이 5 내지 50%, 또는 10 내지 30%일 수 있다. 또한, 상기 바인더 수지는 경화성 수지인 것이 바람직하며, 예를 들어 열경화성 수지일 수 있다.
상기 필러는 접착제의 도포 후 열처리 시에 탄화를 촉진시키고 과도한 수축을 막아 크랙이 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다. 상기 필러는 예를 들어, 탄소질 필러, 금속계 필러, 또는 이들의 복합 필러일 수 있다. 구체적으로, 상기 필러는 인상흑연, 토상흑연, 팽창흑연, 카본블랙, 탄소나노튜브, 그래핀, 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 몰리브덴(Mo), 하프늄(Hf), 탄화탄탈륨(TaC), 탄화텅스텐(WC) 등의 성분을 함유할 수 있다.
상기 접착제는 예를 들면, 바인더 수지로서 페놀 수지, 필러로서 흑연을 포함할 수 있고, 구체적으로, 바인더 수지로서 페놀 수지, 필러로서 인상흑연을 포함할 수 있다.
상기 필러는 상기 바인더 수지 100 중량부 대비 10 내지 300 중량부, 10 내지 200 중량부, 20 내지 300 중량부, 또는 20 내지 200 중량부일 수 있다. 상기 범위 내일 때, 접착제가 용이하게 도포될 수 있으며, 열처리 시에 표면 수축이나 크랙 등을 방지할 수 있다.
상기 접착제는 5 내지 1,000㎛, 또는 50 내지 500㎛의 두께로 도포하여 상기 종자정과 종자정 홀더를 부착할 수 있다. 접착제가 상기 범위보다 얇게 도포되는 경우 기포가 발생할 수 있고, 상기 범위보다 두껍게 도포되는 경우에는 접착제의 양이 많아져 종자정 및/또는 종자정 홀더 부분으로까지 넘치는 등의 문제가 발생하므로, 상기 범위에 유의하여 도포하여야 한다.
상기 접착제는 스핀 코팅법, 바 코팅법, 나이프 코팅법, 브러쉬 코팅법 등의 방법으로 도포할 수 있으며, 구체적으로, 바 코팅법으로 도포할 수 있다.
상기 단계 (2)에서는 상기 부착된 종자정 및 종자정 홀더를 필름으로 진공 패키징하여 종자정과 종자정 홀더에 균일한 압력을 가할 수 있다.
구체적으로, 상기 필름으로 종자정과 종자정 홀더를 전 방향에서 둘러싼 다음, 0.001 내지 700torr, 10 내지 600torr, 20 내지 700torr, 또는 20 내지 500torr의 진공도를 걸어줌으로써, 상기 종자정과 종자정 홀더의 얼라인을 따라 진공 패키징을 수행할 수 있고, 예를 들면, 필름으로 둘러싸인 종자정 및 종자정 홀더를 컨벡션 오븐에 넣은 후, 진공 펌프가 연결된 노즐을 부착하여 진공도를 걸어줌으로써 진공 패키징을 수행할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 종자정 및 종자정 홀더의 최외곽면에는 필름이 둘러싸여 있고, 상기 필름이 균일한 압력으로 최외곽면에 밀착됨으로써 접착제에 의해 종자정 홀더 상에 위치한 종자정이 일방향으로 밀리거나 이탈하지 않을 수 있고, 균일한 압력으로 종자정 홀더에 보다 더 견고하게 부착될 수 있다.
이때, 균일한 압력이 가해짐으로써 국부적인 응력 발생이 되지 않아 종자정 면에 크랙이나 깨짐 등의 불량 발생을 방지할 수 있다. 나아가, 필름에 의해 진공 패키징됨으로써 종자정과 종자정 홀더 사이의 접착제가 빠져나와도 종자정 면은 오염되지 않아 보호가 가능하다.
상기 필름은 진공 효율을 높이기 위해 투습도 및/또는 산소투과도가 낮은 소재를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 필름은 서로 붙거나 접히면서 주름이 발생하지 않아야 하고, 최대 100℃, 또는 실온 내지 100℃의 온도에서 변형이 일어나지 않는 소재를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 필름으로 사용 가능한 소재로는, 예를 들면, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate:PET), 폴리아미드(polyamide:PA), 폴리염화비닐리덴(polyvinylidene chloride:PVDC), 에틸렌초산비닐(ethylene-vinylacetate:EVA), 에틸렌비닐알코올(ethylenevinylalcohol:EVOH), 폴리에스터(Polyester), 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN) 및 셀로판(cellophane)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있고, 구체적으로 PVDC, PET 등일 수 있다. 보다 구체적으로, PVDC가 코팅된 PET 필름일 수 있다.
상기 필름은 50 내지 120㎛, 50 내지 110㎛, 또는 55 내지 110㎛의 두께일 수 있다. 상기 범위 내일 때, 필름이 주름지는 것을 방지하고 상기 접착제가 누출되는 것을 막을 수 있다.
상기 단계 (3)에서는 상기 진공 패키징에 의해 부착된 종자정 및 종자정 홀더를 건조 및 경화시킬 수 있다. 상기 건조 및 경화는 진공 하에서 수행, 예컨대, 상기 단계 (2)의 진공도를 유지하면서 수행할 수 있고, 40 내지 100℃, 또는 60 내지 80℃의 온도에서 1 내지 48시간, 5 내지 30시간, 5 내지 20시간, 10 내지 30시간 또는 5 내지 15시간 동안 수행할 수 있다. 상기 범위 내일 때, 접착제 내의 용매 기화가 효과적으로 이루어질 수 있고, 접착제 내 기포 발생 및 크랙, 깨짐 등의 불량을 최소화할 수 있다. 또한, 건조 및 경화 공정 시 발생하는 아웃가스, 기포 등을 보다 효율적으로 제거할 수 있다.
상기 단계 (4)에서는 상기 필름을 제거하고 가압 및 탄화 공정을 수행할 수 있다.
구체적으로, 상기 단계 (4)에서 상기 가압 및 탄화를 0.1kgf/인치 내지 100kgf/인치, 또는 1kgf/인치 내지 10kgf/인치의 압력, 및 300 내지 2,500℃, 또는 600 내지 2,500℃의 온도에서 1 내지 24시간, 1 내지 20시간, 1 내지 12시간, 또는 1 내지 5시간 동안 수행할 수 있다.
압력은 상기 범위 내일 때, 기포 발생으로 인한 들뜸 현상을 억제할 수 있다. 구체적으로, 압력은 상기 범위를 초과하는 경우 종자정 및 종자정 홀더가 파손되기 쉽고, 낮으면 아웃 가스로 인해 기포 발생 및 종자정이 들뜨거나 이탈하는 등의 문제가 있으므로, 상기 범위에 유의하여야 한다.
나아가, 온도 및 시간은 상기 범위 내일 때, 아웃가스(out-gas) 발생으로 인한 종자정 이탈을 방지할 수 있다, 구체적으로, 온도 및 시간이 상기 범위보다 낮거나 적은 경우 탄화가 충분히 이루어지지 않아 종자정 성장시 아웃가스(out-gas)가 발생하여 종자정이 들뜨거나 이탈하는 등의 문제가 생길 수 있다.
상술한 바와 같이, 실시예에 따른 단결정 성장용 종자정 부착 방법은 종자정을 종자정 홀더에 부착할 때 접착제를 사용함으로써 생기는 기포를 제거하기 위해, 진공하(일정한 진공도 유지)에서 필름을 사용하여 종자정 및 종자정 홀더의 얼라인을 둘러싸서 패키징함으로써 종자정이 종자정 홀더로부터 미끄러지거나 이탈되는 것을 방지할 수 있다. 나아가, 미세한 크기의 기포 제거 및 크랙 발생을 방지할 수 있다. 또한, 진공하에서 열처리하여 건조 및 경화 단계를 수행함으로써 기화되는 용매까지도 제거할 수 있으므로, 종자정의 이탈 방지 및 잉곳의 품질을 향상시킬 수 있다.
이하, 하기 실시예에 의하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하고자 한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐 본 발명의 범위가 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
[ 실시예 ]
실시예 1 : 페놀 수지(KC-5536, 강남화성)를 에탄올(OCI사)로 희석하여 고형분 농도 10 중량%로 조절한 후, 상기 페놀 수지 100 중량부 대비 110 중량부의 필러(인상흑연, 순도 80 내지 99%, D50 2.5㎛)를 혼합하여 접착제를 제조하였다. 상기 접착제를 바 코팅법으로 200㎛ 두께로 도포하였다. 그 다음, 종자정을 위치시킨 후, PVDC로 코팅된 PET 필름(두께 100㎛, SKC 제품)으로 둘러싼 후, 노즐형 패키징 장치를 이용하여 300 torr의 진공도를 걸어 패키징하였다. 그 다음, 60℃의 온도에서 10시간 동안 건조시킨 후, 80℃의 온도에서 8시간 동안 경화시켰다. 그 후, 5kgf/인치의 압력으로 가압한 후, 1,200℃의 온도에서 2시간동안 탄화하여 종자정을 종자정 홀더에 부착시켰다.
비교예 1 : PVDC로 코팅된 PET 필름을 사용하지 않는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하였다.
시험예 1. 종자정 오염 여부
실시예 1 및 비교예 1에서 제조된 종자정의 일면을 육안 및 현미경으로 확인하여 종자정 표면의 오염 여부를 확인하였다. 그 결과를 도 2에 현미경 촬영 사진으로 나타내었다.
시험예 2. 진공 패키징 얼라인 효과
실시예 1 및 비교예 1에서 종자정 홀더에 부착된 종자정에 대하여 육안 및 현미경으로 확인하여, 진공 패키징 시의 얼라인 효과를 확인하였다. 그 결과를 도 3에 사진으로 나타내었다.
시험예 3. 기포 제거 효과
실시예 1 및 비교예 1에서 제조된 종자정의 일면을 육안 및 현미경으로 확인하여 종자정 표면의 기포 발생 여부를 확인하였다. 그 결과를 도 4에 현미경 촬영 사진으로 나타내었다.
상기 시험예 1 내지 3의 결과로부터, 실시예에 따라 종자정 홀더에 부착된 종자정(실시예 1)은 일면이 오염없이 보호된 것을 확인할 수 있었고, 접착제에 의해 초기 부착된 위치에서 미끄러지거나 이탈되지 않고 부착되어 있으며, 기포 발생없이 매끈한 면을 갖는 것을 확인할 수 있었다.
반면, 종래 방법으로 종자정 홀더에 부착된 종자정(비교예 1)은 표면에 얼룩과 같은 오염 및 기포가 발생하였을 뿐만 아니라, 얼라인에서 미끄러져 틀어져있는 것을 확인할 수 있었다.
10 : 종자정
20 : 접착제
30 : 종자정 홀더
40 : 필름

Claims (7)

  1. (1) 접착제를 이용하여 종자정(seed)과 종자정 홀더를 부착하는 단계;
    (2) 상기 부착된 종자정 및 종자정 홀더를 필름으로 진공 패키징(pakaging)하는 단계;
    (3) 건조 및 경화하는 단계; 및
    (4) 상기 필름을 제거하고 가압 및 탄화 단계를 포함하는, 단결정 성장용 종자정 및 종자정 홀더의 결합 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 필름이 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리아미드(PA), 폴리염화비닐리덴(PVDC), 에틸렌초산비닐(EVA), 에틸렌비닐알코올(EVOH), 폴리에스터(Polyester), 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN) 및 셀로판(cellophane)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인, 단결정 성장용 종자정 및 종자정 홀더의 결합 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    단계 (1)에서 상기 접착제를 5 내지 1,000㎛의 두께로 도포하여 상기 종자정과 종자정 홀더를 부착하는, 단결정 성장용 종자정 및 종자정 홀더의 결합 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 단계 (3)에서 상기 건조 및 경화를 40 내지 100℃의 온도에서 1 내지 48시간동안 수행하는, 단결정 성장용 종자정 및 종자정 홀더의 결합 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 건조 및 경화가 진공 하에서 수행되는, 단결정 성장용 종자정 및 종자정 홀더의 결합 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 단계 (4)에서 상기 가압 및 탄화를 0.1kgf/인치 내지 100kgf/인치의 압력 및 300 내지 2,500℃의 온도에서 1 내지 24시간동안 수행하는, 단결정 성장용 종자정 및 종자정 홀더의 결합 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 접착제가 페놀 수지, 폴리아크릴로니트릴 수지, 피치 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리아크릴산 수지, 푸란계 수지, 에폭시계 수지, 또는 이들의 혼합 수지; 및 탄소질 필러, 금속계 필러 또는 이들의 복합 필러를 포함하는, 단결정 성장용 종자정 및 종자정 홀더의 결합 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US11447889B2 (en) 2019-10-22 2022-09-20 Senic Inc. Adhesive layer of seed crystal, method for preparing a laminate using the same, and method for preparing a wafer

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113223928B (zh) * 2021-04-16 2024-01-12 西安电子科技大学 一种基于转移键合的氧化镓外延生长方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008110913A (ja) * 2007-10-26 2008-05-15 Denso Corp 種結晶の固定状態の評価方法
KR101553387B1 (ko) * 2013-12-24 2015-09-17 재단법인 포항산업과학연구원 단결정 탄화 규소의 성장 방법
JP2015182948A (ja) * 2014-03-26 2015-10-22 三菱電機株式会社 炭化ケイ素単結晶の製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000013413A (ko) * 1998-08-07 2000-03-06 윤종용 반도체 패키지 포장 설비 및 포장 방법
KR100675912B1 (ko) 2006-01-02 2007-02-01 학교법인 동의학원 종자정 부착 장치 및 종자정 부착 방법
KR101101983B1 (ko) 2008-12-17 2012-01-02 에스케이씨 주식회사 종자정 어셈블리 및 그 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008110913A (ja) * 2007-10-26 2008-05-15 Denso Corp 種結晶の固定状態の評価方法
KR101553387B1 (ko) * 2013-12-24 2015-09-17 재단법인 포항산업과학연구원 단결정 탄화 규소의 성장 방법
JP2015182948A (ja) * 2014-03-26 2015-10-22 三菱電機株式会社 炭化ケイ素単結晶の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11447889B2 (en) 2019-10-22 2022-09-20 Senic Inc. Adhesive layer of seed crystal, method for preparing a laminate using the same, and method for preparing a wafer

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