KR101553387B1 - 단결정 탄화 규소의 성장 방법 - Google Patents

단결정 탄화 규소의 성장 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101553387B1
KR101553387B1 KR1020130163031A KR20130163031A KR101553387B1 KR 101553387 B1 KR101553387 B1 KR 101553387B1 KR 1020130163031 A KR1020130163031 A KR 1020130163031A KR 20130163031 A KR20130163031 A KR 20130163031A KR 101553387 B1 KR101553387 B1 KR 101553387B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
seed
heat treatment
adhesive layer
protective film
silicon carbide
Prior art date
Application number
KR1020130163031A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150075220A (ko
Inventor
여임규
김흥락
이승석
은태희
김장열
서한석
Original Assignee
재단법인 포항산업과학연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 재단법인 포항산업과학연구원 filed Critical 재단법인 포항산업과학연구원
Priority to KR1020130163031A priority Critical patent/KR101553387B1/ko
Publication of KR20150075220A publication Critical patent/KR20150075220A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101553387B1 publication Critical patent/KR101553387B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/16—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 단결정 탄화 규소 성장 방법은 종자정의 일면에 보호막을 형성하는 단계, 보호막 위에 접착층을 형성하는 단계, 접착층을 이용하여 잉곳 성장 장치의 종자정 홀더에 종자정을 고정시키는 단계, 종자정 위에 단결정 탄화 규소를 성장시키는 단계를 포함한다.

Description

단결정 탄화 규소의 성장 방법{METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE}
본 발명은 탄화 규소의 성장 방법에 관한 것으로, 특히 종자정을 이용한 단결정 탄화 규소의 성장 방법에 관한 것이다.
탄화 규소(SiC)는 내열성 및 기계적 강도가 우수하고, 물리적, 화학적으로 안정적이기 때문에 내환경성 반도체 재료로서 주목 받고 있다. 또한, 최근 고주파, 고내압 전자 장치 등의 기판으로서 SiC 단결정 기판의 수요가 높아지고 있다.
SiC 단결정 기판은 PVT법(physical vapor transport)이 높은 수율과 고품질화된 실리콘 가바이드를 제작할 수 있는 장점이 있어, 현재 널리 통용되고 있다. PVT법은 종자정을 종자정 받침대에 접착 재료를 이용하여 부착하고 종자정으로부터 잉곳 형태의 실리콘 카바이드를 성장시키는 방법이다.
무결함 종자정을 제외한 통상적인 종자정 내부에는 다양한 결함이 존재하고, 표면에는 가공 시 생긴 기계적 충격이 존재한다. 또한 종자정과 종자정 받침대의 접착 계면의 불균일로 공동(void)이 존재한다.
이후, 단결 성장 공정을 위해 단결정 원료가 장입된 도가니를 성장 온도로 가열시키면, 약 1600℃ 이상에서부터 원료가 승화되고, 종자정 표면에 재결정화된다.
이때, 종자정 내, 외부의 불안정한 부분부터 불균일한 성장이 진행되기 시작하고, 이런 초기 공정에서 미세 채널 및 기공 등의 불연속적인 결함을 발생시키게 된다. 이때 발생되는 결함은 성장 방향으로 계속 전파되어 공동 결함, 즉 마이크로 파이프(micro pipe)를 유발할 수 있다.
따라서 고품질의 실리콘 카바이드 단결정을 생산하는 것이 어려운 문제점이 있다.
따라서 본 발명은 종자정과 종자정 받침대의 계면에서 발생하는 미세 채널 및 기공 등의 결함을 최소화한 탄화규소 성장 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 단결정 탄화 규소 성장 방법은 종자정의 일면에 보호막을 형성하는 단계, 보호막 위에 접착층을 형성하는 단계, 접착층을 이용하여 잉곳 성장 장치의 종자정 홀더에 종자정을 고정시키는 단계, 종자정 위에 단결정 탄화 규소를 성장시키는 단계를 포함한다.
상기 보호막과 상기 접착층은 동일한 액상 유기물로 형성할 수 있다.
상기 액상 유기물은 폐놀 계열 또는 포토 레지스트일 수 있다.
상기 보호막을 형성하는 단계 전에, 종자정을 세정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 종자정을 세정하는 단계는 울트라 소닉(ultrasonic) 또는 메가소닉(mega sonic)으로 세정하는 1차 세정, 증류수와 불산(HF)을 20:1로 희석 시킨 용액에 10분 정도 담금질하는 2차 세정으로 이루어질 수 있다.
상기 보호막과 접착층은 각각 5um 내지 20um의 두께로 형성할 수 있다.
상기 보호막을 형성하는 단계는 고진공(<3 x 10-7 torr)분위기를 유지하면서 100℃ 내지 120℃에서 5분 동안 진행하는 1차 열처리, 1,100℃ 내지 1,200℃에서 1시간 동안 진행하는 2차 열처리를 포함할 수 있다.
상기 종자정을 고정시키는 단계는 종자정 홀더에 상기 종자정의 접착층이 접촉하도록 배치하는 단계, 고진공(<3 x 10-7 torr)분위기를 유지하면서 100℃ 내지 120℃에서 5분 동안 진행하는 3차 열처리하는 단계, 1,100℃ 내지 1,200℃에서 1시간 동안 진행하는 4차 열처리하는 단계를 포함하고, 3차 열처리 및 상기 4차 열처리는 종자정을 가압하면서 진행할 수 있다.
본 발명에서와 같이 보호층 및 접착층을 형성하면, 미세 채널 및 기공 등으로 인한 결함을 최소화하여 고품질의 결정을 가지는 단결정 탄화 규소를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 단결정 탄화 규소 성장 방법을 도시한 순서도이다.
도 2는 본 발명에 따른 잉곳 성장 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 종래 기술에 다른 단결정 탄화 규소의 단면도 사진이다.
도 4는 본 발명에 따른 단결정 탄화 규소의 단면도 사진이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 탄화 규소 성장 방법에 대해서 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 단결정 탄화 규소 성장 방법을 도시한 순서도이고, 도 2는 본 발명에 따른 잉곳 성장 장치의 개략적인 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 종자정을 준비하고 세정하는 단계(S100), 종자정 위에 액상 유기물을 1차 도포하는 단계(S102), 보호막을 형성하는 단계(S104), 액상 유기물을 2차 도포하는 단계(S106), 성장층을 형성하는 단계(S108)를 포함한다.
먼저, 종자정을 준비한 다음 종자정을 세정한다. 종자정의 표면에는 실리콘이 산소와 반응하여 형성된 이산화 실리콘 산화막이 형성될 수 있으므로 세정(S100)으로 제거한다. 산화막은 후속 공정에서 결정이 성장하여 단결정이 형성될 때 결함을 발생시킬 수 있으므로 세정으로 제거한다.
세정은 1차 세정과 2차 세정으로 실시될 수 있다. 1차 세정은 울트라 소닉(ultrasonic) 또는 메가소닉(mega sonic)으로 세정할 수 있으며, 아세톤, 알코올, 증류수 순으로 각 10분씩 세정한다.
그리고 2차 세정은 증류수와 불산(HF)을 20:1로 희석 시킨 용액에 10분 정도 담금질을 하여 세정한다.
이후, 종자정의 일면 위에 액상 유기물을 도포(S102)한 후 열처리하여 보호막을 형성(S104)한다.
액상 유기물은 높은 탄소 함유량을 가지는 물질로, 예를 들어 페놀 계열 혹은 포토레지스트 등의 액상 유기물을 사용할 수 있다. 액상 유기물은 5um 내지 20um의 두께로 도포될 수 있으며, 종자정 일면을 평탄화할 수 있다.
5um 미만이면 보호막에 의해서 종자정 표면을 보호하고 평탄화되는 효과가 미비해지고, 20um 초과면 후속 공정에서 액상 수축(shrink)이 일어나 보호막에 균열이 발생한다.
열처리는 진공 튜브로(tube furnace)에서 진행될 수 있으며, 1차 열처리와 2차 열처리로 나누어서 진행할 수 있다.
구체적으로, 종자정에 도포된 액상 유기물은 일정시간 건조된 다음 진공 튜브로에 장입되고, 진공 튜브로는 퍼지(purging) 공정을 통해 아르곤(Ar)과 같은 불활성 분위기를 조성한다. 이때 진공 튜브로내의 산소는 반드시 제거 되어야만 열처리 공정에서 보호층이 산화되는 것을 방지 할 수 있다.
이후, 종자정을 고진공(<3 x 10-7 torr)분위기를 유지하면서 100℃ 내지 120℃에서 5분 내지 10 분 동안 1차 열처리하고, 1,100℃ 내지 1,200℃에서 30분 내지 1시간 동안 2차 열처리를 진행한다. 이때, 종자정 위에 형성된 액상 유기물 내에 포함된 다양한 용매들이 휘발되고, 최종적으로 탄소 성분의 보호막이 형성된다.
보호층을 형성할 때 고온에서 단시간에 열처리를 실시하면, 휘발 성분이 배출되면서 기포가 형성되면서 배출되므로 보호막에 기공이 형성될 수 있다. 따라서 본 발명에서와 같이 기포가 형성되지 않는 저온에서 1차 열처리를 실시하여, 내부의 휘발 성분을 일부 배출시킨 후 고온의 2차 열처리를 실시하여, 탄화시에 기포로 인한 결함이 발생되지 않도록 하는 것이 바람직하다.
다음, 보호막 위에 보호막과 동일한 액상 유기물을 도포한 후 건조하여 접착층을 형성한다.
접착층은 5um 내지 20um의 두께로 도포될 수 있다. 접착제를 2차 도포하는 단계는 접착제를 1차 도포하는 단계에서와 같은 방법으로 보호층 위에 액상 접착제를 도포한다.
이후, 예비 접착층이 형성된 종자정 위에 단결정을 형성하기 위한 잉곳 성장 장치(1000)에 고정시킨다.
도 2를 참조하여 잉곳 성장 장치에 대해서 설명하면, 잉곳 성장 장치는 단결정 탄화규소를 성장시키기 위한 원료가 장입되는 도가니(210), 종자정 홀더(220), 도가니(210)를 둘러싸는 단열재(230) 및 석영관(240), 석영관(240) 외부에 마련되어 도가니를 가열하기 위한 가열 수단(250)을 포함한다.
도가니(210)는 탄화 규소의 성화 온도 이상의 융점을 가지는 물질일 수 있으며, 예를 들어 흑연이거나, 흑연 재질 상에 실리콘 카바이드의 승화 온도 이상의 융점을 가지는 물질이 도포될 수 있다. 흑연 재질 상에 도포되는 물질은 실리콘 카바이드 잉곳이 성장되는 온도에서 실리콘 및 수소에 대해서 화학적으로 불활성인 물질을 사용하는 것이 바람직하다.
예를 들어, 금속 탄화물로는 금속 질화물을 사용할 수 있으며, Ta, Hf, Nb, Zr, W, V과 이들 중 적어도 둘 이상의 혼합물과 탄소가 이루는 탄화물과, Ta, Hf, Nb, Zr, W, V과 이들 중 적어도 둘 이상의 혼합물과 질소가 이루는 질화물을 이용할 수 있다.
그리고 단결정 원료는 탄화 규소 분말일 수 있다.
종자정 홀더(220)는 고밀도의 흑연일 수 있으며, 기 설명한 종자정(100)이 종자정 홀더에 부착되어 고정될 수 있다.
단열재(230) 및 석영관(240)은 도가니(210) 외부에 마련되며 도가니(210)의 온도를 결정 성장 온도로 유지하도록 한다. 단열재(230)는 실리콘 카바이드 결정 성장 온도가 매우 높기 때문에 흑연 섬유를 압착시켜 일정 두께의 관상 원통형으로 제작된 흑연 펠트를 사용할 수 있다. 또한, 단열재(230)는 복수의 층으로 형성되어 도가니(210)를 둘러쌀 수도 있다.
가열 수단(250)은 석영관(240) 외부에 마련된다. 가열 수단(250)으로는 예를 들어 고주파 유도 코일이 이용될 수 있다.
다시 도 1을 참조하여 잉곳 성장 장치(1000)에 종자정(100)을 고정하기 위해서는 먼저, 잉곳 성장 장치의 종자정 홀더(220)에 종자정의 접착층이 접촉하도록 위치시킨다.
그런 다음, 보호층과 동일한 공정으로 접착층을 열처리하여 종자정이 종자정 홀더에 완전히 고정되도록 한다.
열처리는 보호층을 형성하는 방법과 동일하다. 즉, 퍼지 공정으로 불활성 기체 분위기 상태를 유지한 후, 고진공(<3 x 10-7 torr) 상태를 유지한다. 그리고 100℃ 내지 120℃에서 5분 동안 1차 열처리하고, 1,100℃ 내지 1,200℃에서 1시간 동안 2차 열처리를 진행한다.
이때, 0.05kg/mm 내지 0.1kg/mm의 압력으로 접착층을 가압하면서 열처리한다. 이는 열처리시에 예비 접착층 내의 유기물이 배출되면서 접착층이 부풀어 올라 접착 계면이 들뜰 수 있다. 따라서 가압으로 접착층을 눌러주어 열처리로 인해서 접착층이 들뜨지 않도록 한다. 또한, 배출되는 용매가 접착층에 재 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이후, 종자정 위에 단결정 탄화 규소를 성장시킨다.
단결정 탄화 규소를 성장시키기 위해서는 먼저, 불활성 가스, 예를 들어 아르곤(Ar) 가스를 주입하여 도가니 내부 및 도가니와 단열재 사이에 남아있는 공기를 제거한다. 그리고, 압력을 대기압으로 높인 후, 가열수단을 이용하여 도가니를 2,000℃ 내지 2,300℃의 온도로 가열한다. 여기서, 대기압을 유지하는 이유는 결정 성장 초기에 원하지 않는 결정의 발생을 방지하기 위함이다.
그런 다음, 대기압을 유지하며 단결정 원료를 성장 온도까지 승온시킨다.
이후, 성장장치 내부를 20mbar 내지 60mbar으로 감압하여 성장 압력으로 유지시키면서, 단결정 원료를 승화시켜 단결정을 성장시킨다. 이때, 미처 배기되지 못하고 잔류하는 산소가 있더라도 종자정 홀더와 결합되는 종자정의 일면에는 탄화물로 이루어지는 접착층 및 보호막이 형성되어 종자정의 일면을 보호하므로, 종자정의 일면이 산화되어 산화막이 형성되는 것을 방지한다.
또한, 보호막 및 접착층에 의해서 종자정 홀더와 종자정의 계면에 산화막의 열분해에 의한 산소가 발생되지 않는다.
이처럼 본 발명에서와 같이 보호막을 형성하여 평탄면을 형성한 후, 접착층을 형성하면 종자정 홀더와 종자정의 계면에 미세 채널 및 기공이 발생되지 않아 결합이 없는 고품질의 단결정 탄화 규소를 제공할 수 있다.
도 3은 종래 기술에 다른 단결정 탄화 규소의 단면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 단결정 탄화 규소의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 접착계면과 종자정의 경계가 모호한 것을 확인 할 수 있는데, 이는 접착계면의 공극(void) 때문에 성장 시 역승화 현상이 발생하여 종자정이 식각되기 때문이다. 또한 계면에서 발생된 결함이 식각된 종자정을 관통하여 성장면까지 영향을 미치는 것을 확인할 수 있다.
그리고 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 단결정 탄화 규소, 종자정, 탄화규소와 종자정사이의 경계가 뚜렷하게 구분이 되는 것을 확인 할 수 있는데, 이는 접착제와 종자정 사이의 계면에 공극이 존재하기 않기 때문에 종자정으로부터 역승화가 진행되지 않았음을 알 수 있다. 따라서 접착계면이 균일하고 공극이 없어 결정 품질이 향상된 것을 알 수 있다.
이상 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변경된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (8)

  1. 종자정의 일면에 보호막을 형성하는 단계,
    상기 보호막 위에 접착층을 형성하는 단계,
    상기 접착층을 이용하여 잉곳 성장 장치의 종자정 홀더에 상기 종자정을 고정시키는 단계,
    상기 종자정 위에 단결정 탄화 규소를 성장시키는 단계
    를 포함하고,
    상기 종자정을 고정시키는 단계는
    상기 종자정 홀더에 상기 종자정의 접착층이 접촉하도록 배치하는 단계,
    고진공(<3 x 10-7 torr)분위기를 유지하면서 100℃ 내지 120℃에서 5분 동안 진행하는 3차 열처리하는 단계,
    1,100℃ 내지 1,200℃에서 1시간 동안 진행하는 4차 열처리하는 단계
    를 포함하며,
    상기 3차 열처리 및 상기 4차 열처리는 상기 종자정을 가압하면서 진행하는 단결정 탄화 규소의 성장 방법.
  2. 제1항에서,
    상기 보호막과 상기 접착층은 동일한 액상 유기물로 형성하는 단결정 탄화 규소의 성장 방법.
  3. 제2항에서,
    상기 액상 유기물은 폐놀 계열 또는 포토 레지스트인 단결정 탄화 규소의 성장 방법.
  4. 제1항에서,
    상기 보호막을 형성하는 단계 전에,
    상기 종자정을 세정하는 단계를 더 포함하는 단결정 탄화 규소의 성장 방법.
  5. 제4항에서,
    상기 종자정을 세정하는 단계는
    울트라 소닉(ultrasonic) 또는 메가소닉(mega sonic)으로 세정하는 1차 세정,
    증류수와 불산(HF)을 20:1로 희석 시킨 용액에 10분 정도 담금질하는 2차 세정으로 이루어지는 단결정 탄화 규소 성장방법.
  6. 제1항에서,
    상기 보호막과 접착층은 각각 5um 내지 20um의 두께로 형성하는 단결정 탄화 규소 성장 방법.
  7. 제1항에서,
    상기 보호막을 형성하는 단계는
    고진공(<3 x 10-7 torr)분위기를 유지하면서 100℃ 내지 120℃에서 5분 동안 진행하는 1차 열처리,
    1,100℃ 내지 1,200℃에서 1시간 동안 진행하는 2차 열처리
    를 포함하는 단결정 탄화 규소 성장 방법.
  8. 삭제
KR1020130163031A 2013-12-24 2013-12-24 단결정 탄화 규소의 성장 방법 KR101553387B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130163031A KR101553387B1 (ko) 2013-12-24 2013-12-24 단결정 탄화 규소의 성장 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130163031A KR101553387B1 (ko) 2013-12-24 2013-12-24 단결정 탄화 규소의 성장 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150075220A KR20150075220A (ko) 2015-07-03
KR101553387B1 true KR101553387B1 (ko) 2015-09-17

Family

ID=53788269

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130163031A KR101553387B1 (ko) 2013-12-24 2013-12-24 단결정 탄화 규소의 성장 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101553387B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190063677A (ko) * 2017-11-30 2019-06-10 에스케이씨 주식회사 단결정 성장용 종자정 부착 방법
US11268209B2 (en) 2018-10-22 2022-03-08 Senic Inc. Seed crystal including protective film including a first layer with first filler and second layer with second filler

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102058873B1 (ko) * 2017-11-29 2019-12-24 에스케이씨 주식회사 대구경 탄화규소 단결정 잉곳의 성장방법
US11339498B2 (en) 2016-12-20 2022-05-24 Senic Inc. Method for growing single crystal silicon carbide ingot having large diameter
KR102058870B1 (ko) * 2017-11-29 2019-12-24 에스케이씨 주식회사 대구경 탄화규소 단결정 잉곳의 성장방법
KR102177759B1 (ko) * 2018-12-13 2020-11-11 에스케이씨 주식회사 종자정 부착 방법
KR102214314B1 (ko) * 2019-08-22 2021-02-09 에스케이씨 주식회사 대구경 탄화규소 단결정 잉곳의 성장방법
KR102268424B1 (ko) 2019-10-22 2021-06-22 에스케이씨 주식회사 종자정 접착층, 이를 적용한 적층체의 제조방법 및 웨이퍼의 제조방법
CN113026105B (zh) * 2021-02-26 2022-07-05 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 一种使用预处理粉料制备碳化硅晶体的生长方法
CN113005519B (zh) * 2021-02-26 2022-07-01 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 一种采用预处理籽晶生长碳化硅晶体的方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100739631B1 (ko) 2006-01-16 2007-07-16 삼성전자주식회사 단결정 구조를 갖는 박막의 형성 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100739631B1 (ko) 2006-01-16 2007-07-16 삼성전자주식회사 단결정 구조를 갖는 박막의 형성 방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190063677A (ko) * 2017-11-30 2019-06-10 에스케이씨 주식회사 단결정 성장용 종자정 부착 방법
KR101997708B1 (ko) * 2017-11-30 2019-07-09 에스케이씨 주식회사 단결정 성장용 종자정 부착 방법
US11268209B2 (en) 2018-10-22 2022-03-08 Senic Inc. Seed crystal including protective film including a first layer with first filler and second layer with second filler

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150075220A (ko) 2015-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101553387B1 (ko) 단결정 탄화 규소의 성장 방법
JP5250321B2 (ja) 炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法並びに炭化珪素単結晶の製造方法
KR102115631B1 (ko) 나노카본막의 제작 방법 및 나노카본막
CN110140192B (zh) 复合基板和复合基板的制造方法
WO2018117645A2 (ko) 대구경 탄화규소 단결정 잉곳의 성장 방법
JP2011184224A (ja) 炭化珪素種結晶の固定方法及び炭化珪素単結晶の製造方法
WO2019171901A1 (ja) 炭化珪素単結晶の製造方法
JP2015182948A (ja) 炭化ケイ素単結晶の製造方法
JP6450086B2 (ja) 化合物半導体基板の製造方法
JP2006143511A (ja) 種結晶固定部及び種結晶固定方法
JP5110464B2 (ja) ＣＶＤ−ＳｉＣ単体膜の製造方法
KR101669444B1 (ko) 액상 기법을 이용한 ＳｉＣ 단결정 성장 방법
WO2016006641A1 (ja) ＳｉＣウェハの製造方法、ＳｉＣ半導体の製造方法及び黒鉛炭化珪素複合基板
KR101419472B1 (ko) 단결정 성장용 종자정의 제조 방법, 상기 종자정을 이용한 단결정 성장 방법
WO2016006640A1 (ja) ＳｉＣウェハの製造方法、ＳｉＣ半導体の製造方法及び炭化珪素複合基板
KR101897078B1 (ko) 잉곳 제조 장치 및 잉곳 제조 방법
KR102242438B1 (ko) 종자정 부착 방법
KR101081598B1 (ko) 종자정 처리 방법 및 단결정 성장 방법
KR101538556B1 (ko) 물리적 체결을 이용한 대구경 단결정 성장장치 및 방법
JP4501657B2 (ja) 炭化珪素単結晶成長用の種結晶固定方法
KR101419471B1 (ko) 종자정 받침대 부착 방법 및 종자정 받침대를 이용한 단결정 성장 방법
CN110735183A (zh) 基座、SiC单晶的制造装置和制造方法
CN117133637B (zh) 提升碳化硅复合衬底有效面积的方法及碳化硅复合衬底
KR102058873B1 (ko) 대구경 탄화규소 단결정 잉곳의 성장방법
KR100951617B1 (ko) 실리콘카바이드 기판의 표면 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180906

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190904

Year of fee payment: 5