KR101985988B1 - 이온 교환된 유리 기판을 사용한 유기 박막 트랜지스터 - Google Patents

이온 교환된 유리 기판을 사용한 유기 박막 트랜지스터 Download PDF

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Abstract

유기 분자 또는 고분자와 결합한, 강화 유리 기판, 예를 들면, 이온-교환된 유리 기판을 이용한 제품이 그 제품의 제조 방법과 함께 기재된다. 상기 제품은 유기 박막 트랜지스터를 이용하는 전자-기반 장치에서 유용하다.

Description

이온 교환된 유리 기판을 사용한 유기 박막 트랜지스터 {ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR WITH ION EXCHANGED GLASS SUBSTRATE}
본 출원은 35 USC § 119 하에서 2011년 12월 6일에 출원된 미국 가출원 번호 제61/567,342호를 우선권 주장하고 있으며, 참조를 위해 그 모든 내용이 본 명세서에 혼입된다.
구체 예는 일반적으로 기판으로서 강화 유리 (strengthened glass) 를 사용한 제품, 더 구체적으로는 박막 트랜지스터 (thin film transistor)와 같은, 전자 장치에 대한 기판으로서 유기 분자 또는 고분자와 결합한 강화 유리를 사용한 제품 및 그 제품의 제조 방법에 관한 것이다.
e-리더, 비디오 디스플레이, 및 다른 기기 (gadgetry)와 같은 휴대용 전자 장치는 계속하여 전 세계적인 승인을 얻고 있기 때문에, 이러한 장치에서 향상된 기계적 내구성에 대한 요구는 증가한다. 이러한 장치들 중 다수는 가장 흔하게 유리 지지 기판을 포함하는, 박막 트랜지스터를 함유한다. 후면 기판 (backplane substrate)으로서 유리를 사용하는 그러한 생산물에 대해, 바닥 충격, 가혹한 환경 조건, 또는 이와 유사한 경우에는 장치 고장을 야기할 수 있다. 예를 들면, 유리 후면 기판의 파손이 현재 e-리더에서 지배적인 고장 유형이다.
유리는 장치 제조업자에게 장치의 내구성에 한계를 주는 것으로 여겨지고 있고, 유리를 금속 시트 (예를 들면, 알루미늄 또는 스테인레스 강) 및 고분자 필름 (폴리에틸렌 테레프탈레이트 (polyethylene terephthalate) 또는 폴리에틸렌 나프탈레이트 (polyethylene naphthalate))와 같은 다른 물질로 대체하기 위한 시도를 해왔다. 비록 금속 및 고분자 필름은 잘 부러지지는 않지만, 이러한 물질들 또한 한계를 가지고 있다. 금속 필름은 종종 너무 거칠고, 평판화 층 (planarization layer)을 요구하며, 고분자 필름은 용매 불친화성을 가지기 쉽고, 열적-차원 한계 (thermal-dimensional)를 가진다. 추가적으로, 금속 및 고분자 기판은 지지 기판으로서 사용될 때, 유리에는 존재하지 않는 추가적인 호환성 문제를 제공할 수 있다.
이상적인 기판은 증가된 온도를 견딜 수 있고, 낮은 거칠기를 가진 표면을 제공하고, 용매를 처리함에 있어 영향을 받지 않고, 그리고 언제나 최종 생산물-타입의 오용 (abuse)을 견딜 수 있다. 현재 기판은 이러한 중요한 요소 중 하나 이상을 만족시키는 것에 실패했고, 향상된 성능을 가지는 새로운 기판을 찾기 위한 불만 사항 (unmet need)을 이끌어 냈다.
이온-교환된 유리 (ion-exchanged glass)에 활성 전자 구조물 (active electronic structure)의 제조는 강하고 거의 깨지지 않는 유리를 액체 크리스탈 디스플레이 (liquid crystal displays)와 같은 전자 장치에서 전자 후면 (electronic backplane)으로 사용하는 것을 가능하게 할 것이다. 전자 후면이 이온-교환된 유리로 구성되었다면, 다수의 여분 하드웨어는 제거될 수 있고, 훨씬 향상된 미(aesthetics), 더 가벼운 무게, 더 낮은 제조 비용, 및/또는 향상된 내구성에 대한 가능성을 가지는, 그리고 새롭고 틀이 없는 장치가 개발될 수 있다. 이온-교환된 유리에 활성 전자기기 (electronics)가 또한 시각적으로 투명한 물질로 이루어진다면, 이 후에 이것은 투명한, 모든-유리 전자 장치를 가능하게 할 것이다.
하나의 가능성은 후면 기판으로서 (Corning Incorporated의 Trademark로 등록된) Gorilla®과 같은 강화 유리를 사용하는 것이다. 그러나, 이온-교환된 Gorilla®유리는 표면 상에 나트륨 (sodium) 및 칼륨 (potassium)이 풍부하게 존재하고, 알카리 금속은 반도체 장치의 작동과 예를 들면, TFT 제작과 같은 제조에서 단점이 있다. 자유 알카리 금속 이온 (free alkali metal ion)은 실리콘 (Si) TFTs와 같은 전형적인 TFT 장치를 오염시킬 수 있고, 알카리를 함유하는 유리는 성능에 해로운, 무기 TFTs가 활성 반도체 속으로 알카리 금속 이온의 이동을 허락할 수 있도록 만드는 데 사용되는, 전형적인 높은 온도 진공 처리 단계를 피해야 한다. 전통적으로 알카리를 함유하지 않는 유리는 실리콘을 오염시키지 않을 것이기 때문에 TFTs에서 사용되어왔지만, 알카리를 함유하지 않은 유리는 이온-교환된 유리의 기계 신뢰성 (mechanical reliability)은 가지지 않는다.
다른 가능성은 템퍼링된 소다-라임 유리 (soda-lime glass)와 같은 열적으로 또는 화학적으로 강화된 더 전통적인 유리의 사용이다. 그러나 소다-라임 유리도 높은 레벨의 알카리 금속을 가지고, 그러므로 이러한 금속의 사용은 또한 TFT 장치의 오염을 야기할 수 있다.
예를 들면, 유기 TFTs와 같은 반도체 장치는 예를 들면, 이온-교환된 기판과 같은 현재 장벽 층 (barrier layer)을 가지지 않은 기계적으로 내구성이 있는 강화 유리로 직접적으로 제조될 수 있다는 것이 지금 예상치 못하게 발견되었다. 여기에 기재된 구체 예는 다음의 하나 이상의 이점을 제공할 수 있다: 이온-교환된 및 템퍼링된 유리 기판을 포함하는 강화 유리상에 유기 TFTs 및 서킷을 제조하기 위한 현실적인 방법을 제공함; 디스플레이 후면에 대한 적절한 기판으로서 예를 들면, 이온-교환된 및 템퍼링된 유리 기판과 같은 강화 유리를 사용하는 것에 대한 수단을 제공함; 유리의 우수한 압축 강도 (compression strength)의 변화 없이, 예를 들면, 이온-교환된 또는 템퍼링된 유리와 같은 강화 유리 상에 전자 장치의 제작을 허용함; 및/또는 장벽 층 제거는 적은 생산 단계를 가진 더 얇은 장치를 감안한 것이기 때문에 비용이 감소된 향상된 방법을 제공한다.
제1 구체 예는 제1 표면 및 제2 표면을 가지고, 7 kgf 이상의 비커스 균열 개시점 (Vickers crack initiation threshold)을 가지는 강화 유리 기판; 제1 표면 및 제2 표면을 가지는 유기 반도체 층; 제1 표면 및 제2 표면을 가지는 절연 층 (dielectic layer); 및 하나 이상의 전극;을 포함하는 제품을 포함하며, 여기서 상기 제품은 장벽 층을 함유하지 않는다. 일부 구체 예에서, 상기 하나 이상의 전극은 게이트 전극 (gate electrode), 드레인 전극 (drain electrode), 및 소스 전극 (source electrode)을 포함한다. 일부 구체 예에서, 상기 하나 이상의 전극은 금속, 전도성 금속 산화물 필름 (conducting metal oxide film), 전도성 금속 나노입자 잉크 (conducting metal nanoparticulate ink), 또는 전도성 고분자 (conductive polymer)를 포함한다. 일부 구체 예에서, 상기 유기 반도체 층은 반도체성 소분자 (semiconducting small molecule), 반도체성 올리고머 (semiconducting oligomer), 또는 반도체성 고분자 (semiconducting polymer)를 포함한다. 일부 구체 예에서, 상기 절연 층은 약 250℃ 미만의 온도에서 필름으로 적용될 수 있는 유기 또는 무기 물질을 포함한다. 일부 구체 예에서, 상기 강화 유리는 이온-교환된 유리를 포함한다. 일부 구체 예에서, 상기 강화 유리는 템퍼링된 유리를 포함한다. 일부 구체 예에서, 상기 유리는 알루미노보로실리케이트 (aluminoborosilicate), 알카리알루미노보로실리케이트 (alkalialuminoborosilicate), 알루미노실리케이트(aluminosilicate), 알카리알루미노실리케이트 (alkalialuminosilicate), 또는 소다 라임 유리이다. 일부 구체 예에서, 상기 제품은 박막 트랜지스터, 광전지 장치 (photovolataic device), 다이오드 (diode), 또는 디스플레이 장치를 포함한다.
일부 구체 예에서, 상기 제품은 강화 유리 기판의 유기 반도체 층 및 절연 층의 반대 표면상에 기능 층 (functional layer)을 더 포함하고, 여기서 상기 기능 층은 안티-글래어 층 (anti-glare layer), 안티-스머지 층 (anti-smudge layer), 셀프-클리닝 층 (self- cleaning layer), 반사방지 층 (anti-reflection layer), 지문방지 층 (anti-fingerprint layer), 시각적 산란층 (optically scattering layer), 비산 방지 층 (anti-splintering layer), 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
다른 구체 예는 제1 표면 및 제2 표면을 가지고, 7 kgf 이상의 비커스 균열 개시점을 가지는 강화 유리 기판; 제1 표면 및 제2 표면을 가지는 유기 반도체 층; 제1 표면 및 제2 표면을 가지는 절연 층; 및 하나 이상의 전극;을 포함하는 박막 트랜지스터를 포함하고, 여기서 상기 제품은 장벽 층을 함유하지 않는다. 일부 구체 예에서, 상기 하나 이상의 전극은 게이트 전극, 드레인 전극, 및 소스 전극을 포함한다. 일부 구체 예에서, 상기 하나 이상의 전극은 금속, 전도성 금속 산화물 필름, 전도성 금속 나노입자 잉크, 또는 전도성 고분자를 포함한다. 일부 구체 예에서, 상기 유기 반도체 층은 반도체성 소분자, 반도체성 올리고머, 또는 반도체성 고분자를 포함한다. 일부 구체 예에서, 상기 절연 층은 약 250℃ 미만의 온도에서 필름으로 적용될 수 있는 유기 또는 무기 물질을 포함한다. 일부 구체 예에서, 상기 강화 유리는 이온-교환된 유리를 포함한다.
일부 구체 예에서, 상기 박막 트랜지스터는 강화 유리 기판의 유기 반도체 층 및 절연 층의 반대 표면상에 기능 층을 더 포함하고, 여기서 상기 기능 층은 안티-글래어 층, 안티-스머지 층, 셀프-클리닝 층, 반사방지 층, 지문방지 층, 시각적 산란층, 비산 방지 층, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 구체 예에서, 상기 박막 트랜지스터는 바텀-게이트 탑-컨택트 디자인 (bottom-gate top-contact design)을 포함한다. 일부 구체 예에서, 상기 박막 트랜지스터는 바텀-게이트 바텀-컨택트 디자인을 포함한다. 일부 구체 예에서, 상기 박막 트랜지스터는 탑-게이트 탑-컨택트 디자인을 포함한다. 일부 구체 예에서, 상기 박막 트랜지스터는 탑-게이트 바텀-컨택트 디자인을 포함한다.
다른 구체 예에서 제1 표면 및 제2 표면을 가지고, 7 kgf 이상의 비커스 균열 개시점을 가지는 강화 유리 기판을 제공하는 단계; 유기 반도체 층을 제공하는 단계; 절연 층을 제공하는 단계; 및 하나 이상의 전극을 제공하는 단계; 를 포함하는 제품의 제조 방법을 포함하고, 여기서 상기 제품은 장벽 층을 함유하지 않는다. 일부 구체 예에서, 상기 유기 반도체 층을 제공하는 단계는 강화 유리 기판을 유기 반도체 층으로 코팅하는 단계 및 유기 반도체 층을 절연 층으로 코팅하는 단계를 포함한다. 일부 구체 예에서, 상기 절연 층을 제공하는 단계는 강화 유리 기판을 절연 층으로 코팅하는 단계 및 절연 층을 유기 반도체 층으로 코팅하는 단계를 포함한다.
일부 구체 예에서, 코팅은 스핀 캐스팅 (spin casting), 닥터 블레이딩 (doctor blading), 딥-코팅 (dip-coating), 드랍 캐스팅 (drop casting) 또는 잉크 젯 프린팅 (ink jet printing), 슬롯 다이 프린팅 (slot die printing) 및 그라비어 프린팅 (gravure printing)와 같은 다양한 프린팅 (printing) 방법을 포함한다.
도 1은 바텀-게이트 탑-컨택트 (BG-TC) 트랜지스터 기반 장치의 측면도 (side view illustration) 이고, 여기서 (38)은 드레인 전극이고, (40)은 소스 전극이고, (32)는 게이트 전극이고, (34)는 절연 층이고, (10)은 이온-교환된 유리 기판이고, 그리고 (36)은 유기 반도체 층이다.
도 2는 바텀-게이트 바텀-컨택트 (BG-BC) 트랜지스터 기반 장치의 측면도이고, 여기서 (38)은 드레인 전극이고, (40)은 소스 전극이고, (32)는 게이트 전극이고, (34)는 절연 층이고, (10)은 이온-교환된 유리 기판이고, 그리고 (36)은 유기 반도체 층이다.
도 3은 탑-게이트 바텀-컨택트 (TG-BC) 트랜지스터 기반 장치의 측면도이고, 여기서 (38)은 드레인 전극이고, (40)은 소스 전극이고, (32)는 게이트 전극이고, (34)는 절연 층이고, (10)은 이온-교환된 유리 기판이고, 그리고 (36)은 유기 반도체 층이다.
도 4는 탑-게이트 탑-컨택트 (TG-TC) 트랜지스터 기반 장치의 측면도이고, 여기서 (38)은 드레인 전극이고, (40)은 소스 전극이고, (32)는 게이트 전극이고, (34)는 절연 층이고, (10)은 이온-교환된 유리 기판이고, 그리고 (36)은 유기 반도체 층이다.
도 5는 고분자 절연 층 상에서 티오펜 공중합체 폴리[(3,7-디헵타데실티에노[3,2-b]티에노[2’,3’:4,5]티에노[2,3-d]티오펜-2,6-다이일)(2,2’-바이티오펜-5,5’-다이일)] (poly[(3,7-diheptadecylthieno[3,2-b]thieno[2’,3’:4,5]thieno[2,3-d]thiophene-2,6-diyl)(2,2’-bithiophene-5,5’-diyl)]) (P2TDC17FT4)를 포함하는 제조된 BG-TC 유기 TFT의 전달 곡선 (transfer curve)이다. 상기 곡선에 기초하여, 장치의 전계-효과 정공 이동도 (field-effect hole mobility)은 0.03㎠/V·s 였고, 온/오프 량 (on/off ration)은 5×103 - 1×104이 였고, 임계 전압 (threshold voltage)는 -2.5V 였다는 것이 측정되었다.
도 6은 이온 교환된 유리 기판과 접촉하는 폴리[(3,7-디헵타데실티에노[3,2-b]티에노[2’,3’:4,5]티에노[2,3-d]티오펜-2,6-다이일)(2,2’-바이티오펜-5,5’-다이일)] (P2TDC17FT4) 유기 반도체를 포함하는 TG-TC 유기 TFT의 전달곡선이다. 절연 층은 PVP-co-PMMA 고분자이다. 장치의 측정된 전달 곡선은 0.02㎠/V·s 의 전계-효과 정공 이동도, 700의 온/오프 비, 및 5V의 임계 전압을 나타낸다.
도 7은 구체 예에서 사용될 수 있는 두가지 가능한 유기 반도체 고분자 합성을 나타낸다. 도 7a는 융합 티오펜-아이오신디고 고분자 (fused thiophene-iosindigo polymer)의 합성을 기재하고, 도 7b는 스틸벤-융합 티오펜 고분자 (stilbene-fused thiophene polymer)의 합성을 기재한다.
도 8은 구체 예에서 사용될 수 있는 두가지 가능한 유기 반도체 고분자의 합성을 나타낸다. 도 8a는 융합 티오펜-디케토피롤로피롤 고분자 (thiophene-diketopyrrolopyrrole polymer)의 합성을 기재하고 도 8b는 바이티오펜-융합 티오펜 고분자 (bithiophene-fused thiophene polymer)의 합성을 기재한다. 여기서 R= n-헵타데실 (n-heptadecyl)일 때, 도 8b는 P2TDC17FT4의 합성을 나타낸다.
본 구체 예는 아래 상세한 설명, 도면, 실시 예, 및 청구항, 그리고 그것의 상기 및 하기 설명을 참조함으로써 더 손쉽게 이해할 수 있다. 그러나 본 조성물, 제품, 장치 및 방법이 개시되고 기재되기 전에, 달리 특정되지 않는다면 이러한 설명은 개시된 특정 조성물, 제품, 장치 및 방법으로 한정되지 않으며, 그것은 물론 다양하게 변할 수 있는 것으로 이해될 것이다. 또한 본 명세서에 사용된 용어는 특정 측면을 기술하려는 목적으로서, 한정하는 것으로 의도된 것은 아니다.
다음의 설명은 본 발명의 이해를 돕기 위해 제공된다. 이를 위하여, 당업자는 본 명세서에 기재된 다양한 구체 예에 대한 많은 변경을 할 수 있고, 여전히 유리한 결과를 얻을 수 있다는 것을 인식하고 할 수 있을 것이다. 요구되는 이익의 일부는 다른 특징을 이용하지 않고도 특징의 일부를 선택함으로써 얻어질 수 있다는 것 또한 분명할 것이다. 그러한 이유로, 당업자는 본 구체 예에 많은 변경과 적용이 가능하고 특정 환경에서 바람직할 수 있으며, 본 명세서의 일부일 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그러므로, 다음의 설명은 실례로 제공되는 것이지 한정을 위한 것이 아니다.
개시된 방법 및 구성의 구체 예에 사용될 수 있거나, 조합해서 사용될 수 있거나, 제조에 사용되거나, 있는 물질, 조성물, 구성성분이 개시되어 있다. 이들 및 다른 물질이 본 명세서에 개시되어 있고, 이들 화합물의 각각의 다양한 개별적 그리고 집합적 조합 및 교환 (permutation)이 특정 참조로써 분명하게 개시되지 않을지라도, 이들 물질의 조합, 서브셋 (subset), 상호작용, 그룹이 개시될 때, 각각은 특징적으로 본 명세서에 고려되고, 설명된 것으로 이해된다. 따라서, 만약 치환기 A, B 및 C의 분류 뿐만 아니라 치환기 D, E, 및 F의 분류가 개시되었다면, 그리고 조합 구체 예의 한 실시 예, A-D가 개시되었다면, 이 후 이득 각각은 개별적으로 그리고 집합적으로 고려된다. 따라서 이러한 예에서, 각각의 A-E, A-F, B-D, B-E, B-F, C-D, C-E, 및 C-F 조합은 특별하게 고려되고, A, B 및 C; D, E 및 F; 그리고 구체 예의 조합 A-D의 공개로부터 개시된 것으로 간주되어야 한다. 마찬가지로, 임의의 서브셋 또는 이들의 조합은 또한 특별하게 고려되고 개시된다. 따라서, 예를 들면, A-E, B-F, 및 C-E의 서브그룹이 특별하게 고려되고, A, B 및 C; D, E 및 F; 및 조합 예 A-D로부터 개시된 것으로 간주되어야 한다. 이러한 컨셉은 개시된 조성물의 사용 및 제조 방법에서 단계 및 조성물의 임의의 구성성분을 포함한 발명의 모든 측면에 적용되지만, 이로써 한정되는 것은 아니다. 따라서, 수행될 수 있는 다양한 추가적인 단계가 있다면, 이러한 추가적 단계 각각은 개시된 방법의 임의의 특정 구체 예 또는 구체 예의 조합으로써 수행될 수 있고, 이러한 조합 각각이 특별하게 고려되고 개시된 것으로 간주되었음이 이해된다.
후술할 명세서 및 청구 범위에서, 참조는 본 명세서에서 상세화된 의미를 가지는 것으로 한정되는 다수의 용어들로 만들어질 것이다.
"포함한다" 또는 이와 같은 용어들은 한정되지 않고 포함하는 의미로, 즉 배타적이기 보다는 포괄적인 의미이다.
"약" 이라는 용어는 별도로 언급하지 않는다면, 범위에서의 모든 용어에 참조 표시를 한다. 예를 들면, 약 1, 2, 또는 3은 약 1, 약 2, 또는 약 3과 동일하며, 추가적으로 약 1-3, 약 1-2, 또는 약 2-3을 포함한다. 조성물, 구성성분, 구성요소, 첨가물, 및 이들의 특성에 대해 개시된 특정 바람직한 값 및 그 범위는 단지 설명을 위한 것이다; 그들은 다른 정의된 값 또는 정의된 범위 내의 다른값을 제외하지 않는다. 본 개시의 조성물 및 방법은 본 명세서에 기재된 임의의 값 또는 그 값의 임의의 조합, 특정한 값, 더 특정한 값, 및 바람직한 값을 가지는 것들을 포함한다.
달리 특정되지 않았다면, 본 명세서에서 사용된 단수 표현은 적어도 하나 또는 하나 또는 그 이상을 의미한다.
본 명세서에서 사용되듯이, "기판 (substrate)"이라는 용어는 장치의 배치에 따라 기판 또는 슈퍼스트레이트 (superstrate)를 기술하는 것으로 사용될 수 있다. 예를 들면, 기판이 광전지 (photovoltaic cell) 속으로 조립될 때, 기판은 광전지의 빛 투사 면 (light incident side)상에 있다면, 상기 기판은 슈퍼스트레이트이다. 상기 슈퍼스트레이트는 태양 스팩트럼 (solar spectrum)의 적절한 파장 전달을 허용하는 동안, 광전지 물질에 대해 충격 및 환경적 분해로부터의 보호를 제공할 수 있다. 추가적으로, 다수 광전지는 광전지 모듈 속으로 정렬될 수 있다. 광전지 장치 (photovoltaic device)는 전지, 모듈, 또는 그 둘 모두를 기술할 수 있다.
본 명세서에서 사용되듯이, "인접 (adjacent)"이라는 용어 가깝게 근접한 상태로 존재하는 것으로 정의될 수 있다. 인접 구조는 서로 물리적으로 접촉할 수도 있거나 접촉하지 않을 수도 있다. 인접 구조는 다른 층 및/또는 그들 사이에 배치된 구조를 가질 수 있다.
제1 측면에서, 구체 예는 제1 표면 및 제2 표면을 가지고, 7 kgf 이상의 비커스 균열 개시점을 가지는 강화 유리 기판; 제1 표면 및 제2 표면을 가지는 유기 반도체 층; 제1 표면 및 제2 표면을 가지는 절연 층; 및 하나 이상의 전극;을 포함하는 제품을 포함하고, 여기서 상기 제품은 장벽 층을 함유하지 않는다.
일부 구체 예에서, 상기 강화 유리 기판은 유리의 강도를 증가시키기 위해 기계적, 열적, 또는 화학적으로 변형된 유리 기판을 포함한다.
한가지 구체 예에서, 상기 강화 유리 기판은 이온-교환된 유리 기판이다. 이온-교환은 그러한 적용을 위한 화학적으로 강화 유리 제품에 넓게 사용된다. 이 공정에서, 제1 금속이온을 함유하는 유리 제품 (예를 들면, Li2O, Na2O 등에서 알카리 양이온)은 상기 유리에 존재하는 제1 금속 이온보다 더 크거나 더 작은 제2 금속 이온을 함유하는 이온-교환 배스 (bath) 또는 매체 (medium)에 적어도 부분적으로 담궈지거나 또는 이와 달리 그것과 접촉한다. 이온-교환 배스/매체로부터의 제2 금속 이온이 유리 표면 아래 층의 깊이에서 상기 유리에 제1 금속 이온으로 대체되는 동안, 제1 금속 이온은 유리 표면으로부터 이온-교환 배스 속으로 확산된다. 유리에서 더 작은 이온에 대한 더 큰 이온의 치환은 유리 표면에 압축 응력 (Compressive Stress)을 만들고, 반면에 유리에서 더 큰 이온에 대한 더 작은 이온의 치환은 전형적으로 유리 표면에 인장 응력을 만든다. 일부 구체 예에서, 제 1 금속 이온 및 제2 금속 이온은 1가의 (monovalent) 알카리 금속 이온이다. 그러나, Ag+, Ti+, Cu+ 및 이와 유사한 이온과 같은 다른 1가의 금속 이온은 또한 이온-교환 공정에서 사용될 수 있다.
한가지 구체 예에서, 강화 유리 기판은 강화 유리를 포함하고, 상기 유리는 유리 표면으로부터 20μm이상의 층 깊이에서 이온-교환된다. 또 다른 구체 예에서, 본 명세서에 기재된 강화된 유리 기판은 이온-교환에 의해 화학적으로 강화될 때, 약 5kgf (kilogram force) 이상의 비커스 균열 개시점을 나타내고, 일부 구체 예에서는, 적어도 약 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 또는 20 kgf을 나타낸다. 일부 구체 예에서, 본 명세서에 기재된 강화 유리 기판은 이온-교환에 의해 화학적으로 강화될 때, 약 5kgf 내지 약 50kgf, 약 5 kgf 내지 약 40 kgf, 약 5 kgf 내지 약 30 kgf, 약 5 kgf 내지 약 20 kgf, 약 7 kgf 내지 약 50 kgf, 약 7 kgf 내지 약 40 kgf, 약 7 kgf 내지 약 30 kgf, 약 7 kgf 내지 약 20 kgf, 약 10 kgf 내지 약 50 kgf, 약 10 kgf 내지 약 40 kgf, 또는 약 10 kgf 내지 약 30 kgf의 비커스 균열 개시점을 나타낸다.
일부 구체 예에서, 강화 유리 기판은 알카리를 함유하는 유리를 포함한다. 일부 구체 예에서, 상기 강화 유리 기판은 알루미노보로실리케이트, 알카리알루미노보로실리케이트, 알루미노실리케이트, 알카리알루미노실리케이트, 또는 소다 라임 유리를 포함한다. 일부 구체 예에서, 상기 유리는 그 전체 내용이 참조로서 여기에 혼입된, U.S. 가출원번호 제61/560,434호, 제61/653,489호, 및 제61/653,485호, 및 U.S. 출원번호 제12/858,490호, 제12/277,573호, 제13/588,581호, 제 11/888,213호, 제13/403,756호, 제12/392,577호, 제13/346,235호, 제13/495,355호, 제12/858,490호, 제13/533,298호, 제13/291,533호, 및 제13/305,271호에서 기재된 것으로서, 이온-교환된 유리를 포함한다.
일부 구체 예에 따르면, 상기 강화 유리 기판은 4.0 mm 이하, 예를 들면, 3.5 mm 이하, 예를 들면, 3.2 mm 이하, 예를 들면, 3.0 mm 이하, 예를 들면, 2.5 mm 이하, 예를 들면, 2.0 mm 이하, 예를 들면, 1.9 mm 이하, 예를 들면, 1.8 mm 이하, 예를 들면, 1.5 mm 이하, 예를 들면, 1.1 mm 이하, 예를 들면, 약 0.05 mm 내지 약 2.0 mm, 예를 들면, 약 0.05 mm 내지 약 1.1 mm, 예를 들면, 약 0.1 mm 내지 약 1.1 mm 두께를 가진다. 비록 예시적인 두께이지만, 상기 강화 유리 기판은 약 0.040mm 로부터 4.0mm를 포함하는 4.0mm 까지의 범위에서 소수 자리 (decimal place)를 포함하는 임의의 수치 값의 두께를 가질 수 있다.
일부 구체 예에서, 상기 유기 반도체 층은 반도체성 소분자, 올리고머 및/또는 고분자를 포함한다. 반도체성 소분자는 펜타센 (pentacene), 안트라센 (anthracene), 및 루브렌 (rubrene) 및 다른 결합된 방향족 탄화수소 (conjugated aromatic hydrocarbon)와 같은 다환성 방향족 화합물 (polycyclic aromatic compound)을 포함한다. 고분자 유기 반도체는 예를 들면, 폴리(3-헥실티오펜) (poly(3-hexylthiophene)), 폴리(p-페닐렌 비닐렌) (poly(p-phenylene vinylene)), 뿐만 아니라 폴리아세틸렌 (polyacetylene), 및 그것의 유도체를 포함한다. 일반적으로 말하면, 두가지 주된 중복 분류 (overlapping class)의 유기 반도체 - 유기 전하-전달 복합체 그리고 폴리아세틸렌 (polyacetylene) 및 폴리피롤 (polypyrrole), 및 폴리아닐린 (polyaniline)과 같은 유사화합물로부터 유도된 다양한 선형-근간 (linear-backbone) 전도성 고분자 - 두가지 주된 중복 분류 (overlapping class)가 있다. 그러나 구체 예는 단지 이러한 타입의 유기 반도체 범위에 한정되지 않고, 실시 예에서 보여지듯이, 유기 반도체의 넓은 범위로 작용할 수 있다.
일부 구체 예에서, 유기 반도체 층은 융합 티오펜 화합물을 포함한다. 일부 구체 예에서, 융합 티오펜은 폴리머 속으로 혼입된다. 융합 티오펜 및 융합 티오펜 고분자는 그 전체 내용이 참조로서 여기에 혼입된, U.S. 특허 번호 제7,705,108호, 제7,838,623호, 제7,893,191호, 제7,919,634호, 제8,217,183호, 제8,278,346호, U.S. 가출원 번호 제12/905,667호, 제12/907,453호, 제12/935,426호, 제13/093,279호, 제13/036,269호, 제13/660,637호, 제13/660,529호, 및 U.S. 가출원 번호 제61/617,202호, 및 제61/693,448호에서 기재된 것으로서, 화합물을 포함할 수 있다.
사용될 수 있는 융합 티오펜 화합물의 특정 실시 예는 폴리[(3,7-디헵타데실티에노[3,2-b]티에노[2’,3’:4,5]티에노[2,3-d]티오펜-2,6-다이일)(2,2’-바이티오펜)-5,5’-다이일] (poly[(3,7-diheptadecylthieno[3,2-b]thieno[2’,3’:4,5]thieno[2,3-d]thiophene-2,6-diyl)(2,2’-bithiophene)-5,5’-diyl]), 폴리[(3,7-디헵타데실티에노[3,2-b]티에노[2’,3’:4,5]티에노[2,3-d]티오펜-2,6-다이일)(2,5-디헥사데실-3,6-디(티오펜-2-일)피롤로[3,4-c]피롤-1,4(2H,5H)-다이온)-5,5’-다이일] (poly[(3,7-diheptadecylthieno[3,2-b]thieno[2’,3’:4,5]thieno[2,3-d]thiophene-2,6-diyl)(2,5-dihexadecyl-3,6-di(thiophen-2-yl)pyrrolo[3,4-c]pyrrole-1,4(2H,5H)-dione)-5,5’-diyl]), 폴리-3, 6-디헥실-티에노[3,2-b]티오펜 (poly-3, 6-dihexyl-thieno[3,2-b]thiophene (PDC6FT2)), 폴리-3, 6-디데카닐-티에노[3,2-b]티오펜 (poly-3, 6-didecanyl-thieno[3,2-b]thiophene), 폴리[(3,7-디헵타데실티에노[3,2-b]티에노[2’,3’:4,5]티에노[2,3-d]티오펜-2,6-다이일)(1-헥사데실-3-(1-헥사데실-2-옥소인돌-3-일리덴)인돌-2-원-6,6’-다이일)] (poly[(3,7-diheptadecylthieno[3,2-b]thieno[2’,3’:4,5]thieno[2,3-d]thiophene-2,6-diyl)(1-hexadecyl-3-(1-hexadecyl-2-oxoindol-3-ylidene)indol-2-one-6,6’-diyl)]), 및 폴리[(3,7-디헵타데실티에노[3.2-b]티에노[2’,3’:4,5]티에노[2,3-d]티오펜-2,6-다이일)(스틸벤-1,4’-다이일)] (poly[(3,7-diheptadecylthieno[3.2-b]thieno[2’,3’:4,5]thieno[2,3-d]thiophene-2,6-diyl)(stilbene-1,4’-diyl)])을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 융합 티오펜-계 폴리머의 추가 실시 예는 도 7 및 도 8에서 기재되고, 여기서 도 7a는 융합 티오펜-아이오신디고 고분자를 나타내고, 도 7b는 스틸벤-융합 티오펜 고분자를 기재한다. 유사하게, 도 8a는 융합 티오펜-디케토피롤로피롤 고분자를 기재하고 도 8b는 바이티오펜-융합 티오펜 고분자를 기재한다.
일부 구체 예에서, 유기 반도체 층은 하나 이상의 방전광 (electroluminescent) 유기 화합물을 포함할 수 있다. 일부 구체 예에서, 반도체 층의 반도체성 소분자, 올리고머, 및/또는 폴리머는 방전광 유기 화합물을 포함할 수 있다.
일부 구체 예에서, 유기 반도체 층은 딥 코팅, 스핀 코팅 (spin coating), 랭뮤어-블로드젯 증착 (Langmuir-Blodgett deposition), 전기스프레이 이온화 (electrospray ionization), 직접 나노입자 증착 (direct nanoparticle deposition), 기상 증착 (vapor deposition), 화학 증착 (chemical deposition), 스프레이 증착 (spray deposition), 스크린 프린팅 (screen printing), 나노-임프린트 리소그래피 (nano-imprint lithography), 그라비어 프린팅, 닥터 블레이딩, 스프레이-코팅 (spray-coating), 슬롯 다이 코팅 (slot die coating), 잉크 젯 프린팅, 레이져 증착 (laser deposition), 드롭 캐스팅 (drop casting) 또는 화학적 에칭 (chemical etching)과 같은 공정에 의해 형성된다.
일부 구체 예에서, 절연 층은 200℃ 이하에서 필름으로서 적용될 수 있는 임의의 유기 또는 무기 물질을 포함한다. 구체 예에서 사용될 수 있는 절연체 (dielectric)의 실시 예는 고분자, 유리, 및 무기 또는 유기 물질을 포함한다. 상기 절연 층은 예를 들면, 스퍼터 코팅 (sputter coating), 원자 층 증착 (atomic layer deposition), 딥 코팅, 스핀 코팅, 랭뮤어-블로드젯 증착, 전기스프레이 이온화, 직접 나노입자 증착, 기상 증착, 화학 증착, 진공 여과 (vaccum filtration), 플레임 스프레이 (flame spray), 전기스프레이 (electrospray), 스프레이 증착, 전기증착 (electrodeposition), 스크린 프린팅, 근접승화법 (close space sublimation), 나노 임프린트 리소그래피, 인시츄 그로스 (insitu growth), 마이크로파를 이용한 화학 기상 증착, 레이저 어블레이션 (laser ablation), 아크 방전 (arc discharge), 그라비어 프린팅, 닥터 블레이딩, 스프레이-코팅, 슬롯 다이 코팅, 또는 화학적 에칭과 같은 공정에 의해 형성된다.
일부 구체 예에서, 전극은 게이트, 드레인, 및 소스 전극을 포함한다. 전극은 예를 들면, 금속, 전도성 반-금속 (semi-metal), 또는 전도성 비-금속 (non-metal)을 포함하는 - 임의의 전도성 물질을 포함할 수 있다. 일부 구체 예에서, 예를 들면, 전극은 금속 또는 코팅, 와이어, 시트, 리본, 마이크로- 또는 나노입자, 또는 메시 형태의 금속의 조합을 포함할 수 있다. 전극은 스퍼터 코팅, 원자 층 증착, 딥 코팅, 스핀 코팅, 랭뮤어-블로드젯 증착, 전기스프레이 이온화, 직접 나노입자 증착, 기상 증착, 화학 증착, 진공 여과, 프레임 스프레이, 전기스프레이, 스프레이 증착, 전기증착, 스크린 프린팅, 근접승화법, 나노 임프린트 리소그래피, 인시츄 그로스, 마이크로파를 이용한 화학 기상 증착, 레이저 어블레이션, 아크 방전, 그라비어 프린팅, 닥터 블레이딩, 스프레이-코팅, 슬롯 다이 코팅, 또는 화학적 에칭과 같은 공정에 관해 형성될 수 있다.
구체 예는 장벽 층을 포함하지 않는다. 본 명세서에서 사용되듯이, 장벽 층은 이온의 이동 (migration)을 막는, 강화 유리와 유기 반도체 층 또는 소스 전극 사이에 위치한 물질로 구성된다. 일부 구체 예에서, 예를 들어 BG-TC 및 BG-BC 타입 트랜지스터는, 유기 반도체 층과 이온-교환된 유리 기판 사이에 절연 층이 존재할 수 있지만, 게이트 전극과 이온-교환된 유리 기판 사이에는 장벽 층이 존재하지 않는다. 일부 구체 예에서, 예를 들어 TG-TC 및 TG-BC 타입 트랜지스터는, 유기 반도체 층 및 이온 교환된 유리 기판 사이에 장벽 층 또는 절연 층이 없다. 전통적으로, 알루미늄 산화물 (aluminum oxide) 및 질화 규소 (silicon nitride)는 박막 트랜지스터 및 다른 전자 장치에서 장벽층으로 사용되어왔다.
일부 구체 예에서, 제품은 안티-글래어 층, 안티-스머지 층, 셀프-클리닝 층, 반사방지 층, 지문방지 층, 시각적 산란층, 비산 방지 층, 및 이들의 조합을 더 포함한다. 이러한 층은 참조로서 여기에 혼입된, U.S. 특허 공개 번호 제2011/0129665호, 제2009/0197048호, 제2009/0002821호, 제2011/0267697호, 제 2011/0017287호, 또는 제2011/0240064호에서 개시된 것과 같은 임의의 수의 알려진 공정을 통해 혼입될 수 있다.
또 다른 측면에서, 제품의 구체 예는 유기 박막 트랜지스터이다. 유기 TFT 장치는 장벽 층을 포함하는 이온-교환된 유리 기판을 포함할 수 있다. 장벽 층 상에 게이트 전극, 절연 층, 드레인 전극, 소스 전극, 및 유기 반도체 채널 층이 형성될 수 있다. 이러한 층은 비스듬하게 또는 수직적으로 배열된 트랜지스터 장치를 형성하기 위해 다른 순서로 쌓일 수 있다. 상기 유기 반도체 채널 층은 반도체 소분자, 올리고머 및/또는 고분자를 포함한다. 절연 층은 200℃ 이하에서 필름으로서 적용될 수 있는 임의의 유기 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 그러한 방법에서, 기계적 내구성이 있는 후면이 생산된다.
도 1-4는 TFT 장치를 포함하는 제품의 구체 예를 도식한다. 본 명세서에 사용되듯이, "바텀-게이트 탑-컨택트 트랜지스터"라는 용어는 도 1에서 나타나듯이 예시적인 구조를 포함하는 TFT 장치를 말한다. (임의의 이전에 기재된 구체 예에 따라) 게이트 전극 (32)는 강화 유리 기판, 또는 이온-교환된 유리 기판 (10) 상에 증착되고, 이어서 절연 층 (34) 및 그 다음 반도체 층 (36)이 뒤를 잇는다. 드레인 전극 (38) 및 소스 전극 (40)은 개별적으로 반도체 층 (36) 상부에 추가적으로 증착된다.
"바텀-게이트 바텀-컨택트 트랜지스터" 라는 용어는 도 2에서 나타나듯이 예시적인 구조를 포함하는 TFT 장치를 말한다. 게이트 전극 (32)는 강화 유리 기판, 또는 이온-교환된 유리 기판 (10) 상에 증착되고, 이어서 절연 층 (34) 그 후 드레인 전극 (38) 및 소스 전극 (40)이 각각 뒤를 잇는다. 반도체 층 (36)은 이러한 밑에 있는 층의 상부에 추가적으로 증착된다.
"탑-게이트 바텀-컨택트 트랜지스터" 라는 용어는 도 3에서 나타나듯이 예시적인 구조를 포함하는 TFT 장치를 말한다. 드레인 전극 (38) 및 소스 전극 (40)은 (임의의 이전에 기재된 구체 예에 따른) 개별적으로 강화 유리 또는 이온-교환된 유리 기판 (10) 상에 증착된다. 그러고 나서 반도체 층 (36)은 상부에 증착되고, 절연 층 (34), 및 그 다음 게이트 전극 (32)가 뒤를 잇는다.
"탑-게이트 탑-컨택트 트랜지스터" 라는 용어는 도 6에서 나타나듯이 예시적인 구조를 포함하는 TFT 장치를 말한다. 반도체 층 (36)은 강화 유리 기판, 또는 이온-교환된 유리 기판 (10) 상에 증착되고, 이어서 드레인 전극 (38) 및 소스 전극 (40)이 각각 뒤를 잇는다. 절연 층 (34)는 추가적으로 상부에 증착되고, 이어서 게이트 전극 (32)가 뒤를 잇는다.
다른 측면은 다음을 구비하는, 구체 예를 형성하는 방법을 포함한다: 제1 표면 및 제2 표면을 가지고, 20 kgf 이상의 비커스 균열 개시점을 가지는 강화 유리 기판을 제공하는 단계; 유기 반도체 층을 제공하는 단계; 절연 층을 제공하는 단계; 및 하나 이상의 추가 전극을 제공하는 단계; 를 포함하는 구체 예를 형성하는 방법을 포함하고, 여기서 상기 제품은 장벽 층을 함유하지 않는다. 위에서 언급했듯이, 모두 여기에 혼입된 다수의 공정에 관해 기재된 다양한 구성요소를 제공하는 것이 가능하다. 일부 구체 예에서, 유기 반도체 층을 제공하는 단계는 유기 반도체 층으로 강화 유리 기판을 코팅하는 단계 및 절연 층으로 유기 반도체 층을 코팅하는 단계를 포함한다. 일부 구체 예에서, 절연 층을 제공하는 단계는 절연 층으로 강화 유리 기판을 코팅하는 단계 및 유기 반도체 층으로 절연 층을 코팅하는 단계를 포함한다.
실시 예
실시 예 1: 이온-교환된 유리 상에 유기 바텀 -게이트, 탑- 컨택트 박막 트랜지스터
이온-교환된 유리 기판은 아세톤 (aceton) 및 그 후 아이소프로판올 (isopropanol)에서 초음파 처리 (sonication)를 사용하여 세척되었다. 30nm 두께의 Au 게이트 전극은 2 Å/s에서 Au의 열 증착법 (thermal evaporation)에 의해 기판 상에 증착되었다. 절연체는 PGMEA 및 멜라민에서 (melamine) (대략 800nm - 1μm의 필름 두께) 11 중량% PVP 용액의 혼합물을 포함했고, 이는 30초 동안 1000rpm에서 상기 기판 위에 스핀-캐스트 (spin-cast) 되었다. 이러한 절연체는 대략 3분 동안 UV 조사 (irradiation)에 의해 경화 (cure)되었다. 그러고 나서, 1,2-디클로로벤젠에 용해된 3mg/mL의 반도체성 고분자 폴리[(3,7-디헵타데실티에노[3,2-b]티에노[2’,3’:4,5]티에노[2,3-d]티오펜-2,6-다이일)(2,2’-바이티오펜-5,5’-다이일)] (P2TDC17FT4)는 기판 위에 스핀-코팅되었다. 장치는 열판 상에서 30분동안 100℃에서 어닐링(anneal) 되었다. 최종적으로, 30nm 두께의 Au 소스 및 드레인 전극이 2 Å/s에서 Au의 열 증착법에 의해 증착되었다. 제조된 유기 TFT 장치의 전달 곡선 (도 5)는 0.03㎠/V·s의 전계-효과 정공 이동도, 5×103 - 1×104의 온/오프 비, -2.5V의 임계 전압을 나타낸다.
실시 예 2: 이온-교환된 유리 상에 유기 탑-게이트, 탑- 컨택트 박막 트랜지스터
이온-교환된 유리는 탈이온수 (deionized water)로 세척한 다음 톨루엔 (toluene), 및 그후 아세톤, 및 2-프로판올에서 초음파 처리되었다. 그 후 유리 기판은 10분 동안 UV-오존 클리너에 위치시켰고, 그 뒤에 30분 동안 옥틸트리클로로실란 (octyltrichlorosilane) 증기의 표면 처리에 노출되었다. 유기 반도체 폴리[(3,7-디헵타데실티에노[3,2-b]티에노[2’,3’:4,5]티에노[2,3-d]티오펜-2,6-다이일)(2,5-디헥사데실-3,6-di(티오펜-2-일)피롤로[3,4-c]피롤-1,4(2H,5H)-다이온)-5,5’-다이일] (PTDC16DPPTDC17FT4)은 60초 동안 100rpm에서 세척된 기판 위에 스핀-코팅된 후, 열판 상에서 약 30분 동안 130℃에서 어닐링 되었다. 어닐링 후에, 30nm 두께의 Au 소스 및 드레인 전극이 2.5 Å/s의 속도에서 Au의 열 증착법에 의해 증착되었다. 그 다음, PGMEA 용매에서 멜라민을 사용한 2ml의 5wt% PVP-co-PMMA 용액 (PVP-co-PMMA: 멜라민의 중량비 = 10:1)은 약 60초 동안 1000rpm에서 기판 위에 스핀 캐스트되었고, 용매를 제거하기 위해 2분 동안 120℃로 열판 상에 위치시켰고, 그리고 절연 필름을 가교시키기 (cross-link) 위해 UV-광선 하에서 경화되었다. 그 후 50nm Au 게이트 전극은 2.5 Å/s에서 열적으로 증착되었다. 상기 장치의 측정된 전달 곡선 (도 6)은 0.02㎠/V·s의 전계-효과 정공 이동도, 700의 온/오프 비, -5V의 임계 전압을 나타냈다.

Claims (28)

  1. a. 제1 표면 및 제2 표면을 가지고, 7 kgf 이상의 비커스 균열 개시점을 가지는 강화 유리 기판;
    b. 제1 표면 및 제2 표면을 가지는 유기 반도체 층;
    c. 제1 표면 및 제2 표면을 가지는 절연 층; 및
    d. 하나 이상의 추가 전극을 포함하고, 상기 유기 반도체 층과 강화 유리 기판 사이에 장벽 층을 함유하지 않는 제품.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기 반도체 층은 반도체성 소분자, 반도체성 올리고머, 또는 반도체성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 제품.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 반도체성 소분자, 반도체성 올리고머, 또는 반도체성 고분자는 융합 티오펜 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 제품.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제품은 탑-게이트 박막 트랜지스터, 광전지 장치, 다이오드, 또는 디스플레이 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 제품.
  5. a. 제1 표면 및 제2 표면을 가지고, 10 kgf 이상의 비커스 균열 개시점을 가지는 강화 유리 기판;
    b. 제1 표면 및 제2 표면을 가지는 유기 반도체 층;
    c. 제1 표면 및 제2 표면을 가지는 절연 층;
    d. 강화 유리 기판 및 절연 층과 접촉하는 게이트 전극; 및
    e. 하나 이상의 추가 전극을 포함하고, 상기 게이트 전극과 강화 유리 기판 사이에 장벽 층을 함유하지 않는 제품.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 유기 반도체 층은 반도체성 소분자, 반도체성 올리고머, 또는 반도체성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 제품.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 반도체성 소분자, 반도체성 올리고머, 또는 반도체성 고분자는 융합 티오펜 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 제품.
  8. 청구항 5에 있어서,
    상기 제품은 바텀-게이트 박막 트랜지스터, 광전지 장치, 다이오드, 또는 디스플레이 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 제품.
  9. a. 제1 표면 및 제2 표면을 가지고, 7 kgf 이상의 비커스 균열 개시점을 가지는 강화 유리 기판을 제공하는 단계;
    b. 유기 반도체 층을 제공하는 단계;
    c. 절연 층을 제공하는 단계; 및
    d. 하나 이상의 전극을 제공하는 단계를 포함하고, 장벽 층을 함유하지 않는 청구항 1에 따른 제품의 제조 방법.
  10. a. 제1 표면 및 제2 표면을 가지고, 10 kgf 이상의 비커스 균열 개시점을 가지는 강화 유리 기판을 제공하는 단계;
    b. 유기 반도체 층을 제공하는 단계;
    c. 절연 층을 제공하는 단계;
    d. 강화 유리 기판 및 절연 층과 접촉하는 게이트 전극을 제공하는 단계; 및
    e. 하나 이상의 추가 전극을 제공하는 단계를 포함하고, 게이트 전극과 강화 유리 기판 사이에 장벽 층을 함유하지 않는 청구항 5에 따른 제품의 제조 방법.
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