KR101979870B1 - 카메라 렌즈용 스페이서 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 중공부를 갖는 인청동 베이스; 상기 인청동 베이스 상부에 배치된 텅스텐(W), 코발트(Co) 및 몰리브덴(Mo) 합금을 함유하는 표면코팅층을 함유하는 카메라 렌즈용 스페이서 및 그 제조방법이 제시된다.

Description

카메라 렌즈용 스페이서 및 그 제조방법 {Spacer for camera lens and preparing method thereof}

본 발명은 카메라 렌즈용 스페이서에 관한 것이다.

카메라 렌즈용 스페이서는 렌즈와 렌즈 사이에 개재되어 렌즈 사이의 간격을 유지하는 역할을 하며, 구리 또는 구리 합금으로 이루어지며 그 표면에는 빛을 차단하기 위하여 불투명 재질로 코팅하여 형성한다.

그런데 지금까지 알려진 카메라 렌즈용 스페이서는 표면강도가 만족할만 한 수준에 이르지 못하며 내식성과 내산성이 충분치 않아 이에 대한 개선이 요구된다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상술한 문제점을 해결하여 표면강도가 개선될 뿐만 아니라 내식성 및 내산성이 개선된 카메라 렌즈용 스페이서와 그 제조방법을 제공하는 것이다.

상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은, 중공부를 갖는 인청동 베이스; 및 상기 인청동 베이스 상부에 배치된 텅스텐(W), 코발트(Co) 및 몰리브덴(Mo) 합금을 함유하는 표면코팅층을 함유하는 카메라 렌즈용 스페이서를 제공한다.

본 발명의 다른 기술적 과제를 이루기 위하여, 중공부를 갖는 인청동 베이스를 얻는 단계; 및

상기 인청동 베이스를 텅스텐, 코발트 및 몰리브덴 합금을 함유하는 표면코팅층 형성용 도금액에 침적하여 베이스 상부에 표면코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 상술한 카메라 렌즈용 스페이서의 제조방법이 제공된다.

본 발명에 따른 카메라 렌즈용 스페이서는 내식성과 내산성이 개선될 뿐만 아니라 표면강도가 우수하다. 그리고 스페이서 표면에서 광 반사가 효과적으로 제어된다.

도 1은 일구현예에 따른 카메라 렌즈용 스페이서의 적층 구조를 개략적으로 나타낸 정면도이다.
도 2는 일구현예에 따른 카메라 렌즈용 스페이서에 대한 전자주사현미경 사진이다.

이하, 일구현예에 따른 카메라 렌즈용 스페이서 및 그 제조방법에 대하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.

중공부를 갖는 인청동 베이스; 및 상기 인청동 베이스 상부에 배치된 텅스텐(W), 코발트(Co) 및 몰리브덴(Mo) 합금을 함유하는 표면코팅층을 함유하는 카메라 렌즈용 스페이서가 제공된다.

일반적인 카메라 렌즈용 스페이서는 폴리에틸렌(PE) 필름 또는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름과 같은 시트(sheet)에 의해서 형성되고 그 표면에는 블랙 카본 코팅 등과 같은 코팅층이 형성된다. 그리고 나서 천공 또는 타공 방식으로 제조하여 얻는다. 이와 같이 제조된 스페이서는 제조속도는 빠르지만 보풀이 생겨서 빛의 반사에 의한 플레어(flare) 현상이 쉽게 발생된다.

최근 고해상도 카메라 렌즈가 개발됨에 따라 광 반사가 저감된 카메라 렌즈용 스페이서가 요구된다. 지금까지 개발된 스페이서는 광반사 저감이 충분치 않아 고해상도 카메라 렌즈에 적합하도록 광반사를 더 줄이는 것이 필요하다. 이와 아울러 지금까지 개발된 스페이서는 표면강도, 내산성 및 내식성이 충분치 않아 이에 대한 개선이 요구된다.

본 발명에서는 이에 스페이서 베이스로서 표면강도가 우수한 인청동 베이스를 사용하고 인청동 베이스 표면에 텅스텐(W), 코발트(Co) 및 몰리브덴(Mo) 합금을 함유하는 표면코팅층을 형성한다.

상기 인청동 베이스와 표면코팅층 사이에는 구리층이 더 형성될 수 있다. 구리층의 두께는 0.5 내지 0.8㎛ 범위이다. 구리층의 두께가 상술한 범위일 때 광 입사시 플레어 현상을 억제하는 효과가 우수하고 내식성 및 내산성이 개선된다.

구리층은 인청동 베이스를 산 또는 알칼리로 에칭처리한 다음, 그 상부에 구리 도금층을 형성하여 제조될 수 있다.

인청동 베이스는 구리(Cu), 인 및 주석의 합금을 함유한다. 상기 구리, 인 및 주석의 합금은 예를 들어 구리 90 내지 97 중량%와, 인(P)과 주석(Sn)의 총중량 3 내지 10 중량%로 이루어진다. 인청동 베이스는 예를 들어 구리 95 중량%와, 인(P)과 주석(Sn)의 총중량 5 중량%로 이루어진다. 이러한 인청동 베이스를 이용하면 광 입사시 플레어 현상을 억제하는 효과가 우수하고 내식성 및 내산성이 개선된다.

도 1은 일구현예에 따른 카메라 렌즈용 스페이서의 구조를 나타낸 정면도이다.

스페이서 (10)은 인청동 베이스 (12)의 중앙에는 중공부 (11)가 형성되어 있고, 인청동 베이스 (12)의 표면에는 텅스텐, 코발트 및 몰리브덴을 함유한 합금(W-Co-Mo 합금)을 포함하는 표면코팅층 (13)이 형성된 구조를 갖는다. 상기 표면코팅층은 흑화처리된 것이다.

상기 표면코팅층에서 텅스텐, 코발트 및 몰리브덴 합금에서 텅스텐의 함량은 12 내지 15 원자%이고, 코발트의 함량은 35 내지 43 원자%이고, 몰리브덴의 함량은 42 내지 50 원자%이다. 텅스텐, 코발트 및 몰리브덴의 함량이 상기 범위일 때 비정질 도금층이 얻어지며 이러한 비정질 도금층을 가질 때 내식성, 내산성 및 표면강도가 우수한 스페이서를 제조할 수 있다.

상기 표면코팅층에서 텅스텐의 함량은 인청동 베이스에 인접된 영역(이하, 제1영역이라고 함)에서 표면영역(이하, 제2영역이라고 함)으로 갈수록 점진적으로 증가하며, 베이스에 인접된 제1영역에서 텅스텐의 함량은 12 내지 12.5원자%이고, 표면코팅층에서 표면의 제2영역에서 텅스텐의 함량은 13.5 내지 14 원자%이며, 이 때 표면코팅층에서 텅스텐의 총함량은 12 내지 15 원자% 범위를 유지한다.

일구현예에 따르면, 표면코팅층에서 표면의 제1영역은 W₁₂Co₄₃Mo₄₅, 또는 W₁₂Co₃₈Mo₅₀와 같은 텅스텐 코발트 몰리브덴 합금을 포함하고 제2영역은 W₁₄Co₄₁Mo₄₅, W₁₄Co₄₀Mo₄₆, W₁₄Co₃₆Mo₅₀ 등과 같은 텅스텐 코발트 몰리브덴 합금을 포함한다.

표면코팅층은 예를 들어 W₁₅Co₄₀Mo₄₅, W₁₅Co₃₅Mo₅₀, W₁₅Co₃₉Mo₄₆, W₁₂Co₄₃Mo₄₅, W₁₂Co₃₈Mo₅₀, W₁₃Co₄₂Mo₄₅, W₁₃Co₃₇Mo₅₀, W₁₃Co₄₀Mo₄₇, W₁₄Co₄₁Mo₄₅, W₁₄Co₄₀Mo₄₆, W₁₄Co₃₆Mo₅₀ 등과 같은 텅스텐 코발트 몰리브덴 합금으로 이루어진다.

상술한 바와 같이 표면코팅층에서 텅스텐의 함량이 제1영역에서 제2영역으로 갈수록 그 함량이 점진적으로 증가하는 농도 구배를 갖게 되면 표면 강도가 더 우수할 뿐만 아니라 내식성, 내산성 향상 효과가 크다.

상기 표면코팅층의 두께는 예를 들어 1.2㎛ 이하 범위, 예를 들어 0.7 내지 1.1㎛로 형성한다. 그리고 인청동 베이스의 두께는 0.01 내지 0.05mm이다.

이하, 일구현예에 따른 카메라 렌즈용 스페이서의 제조방법을 설명하기로 한다.

인청동 베이스를 프레스 가공 및 에칭처리를 실시하여 중앙에 중공부가 형성된 인청동 베이스를 형성한다. 에칭처리시 알칼리 산화제를 사용하거나 또는 질산, 황산과 같은 산을 이용하는 것이 가능하다. 이러한 에칭처리를 실시하면 인청동 베이스 표면에 요철 패턴이 형성될 수 있다. 이와 같이 요철 패턴이 형성된 인청동 베이스는 후속으로 형성된 표면코팅층과의 접착력이 우수하다.

상기 인청동 베이스는 표면처리를 실시할 수 있다. 예를 들어 인청동 베이스에 대한 탈지처리를 실시하고 그 표면을 무광처리를 실시할 수 있다.

인청동 베이스에 중공부를 형성할 때 상술한 방법 이외에 종래의 PCB 회로 형성 공정 기술인 액상 필름 또는 드라이 필름을 라미네이팅하고 이를 노광, 현상하고 이를 부식 및 박리하는 공정에 따라 제조하는 것도 가능하다.

이어서 상기 인청동 베이스를 텅스텐, 코발트 및 몰리브덴 합금을 함유하는 표면코팅층 형성용 도금액에 침적하여 베이스 상부에 표면코팅층을 형성하는 단계를 실시한다.

상기 텅스텐, 코발트 및 몰리브덴 합금을 함유하는 표면코팅층 형성용 도금액은 주성분으로 텅스텐 전구체, 코발트 전구체, 몰리브덴 전구체를 함유하며, 보조성분으로서 구연산, 롯셀염, 염화암모늄 및 구연산 3나트륨을 포함하여 pH 조정제로 암모니아수 및 아민 화합물을 사용한다.텅스텐 전구체는 텅스텐산 나트륨, 텅스텐산 암모늄 또는 카보닐 텅스텐 중에서 선택된 하나 이상을 사용한다. 텅스텐 전구체의 농도는 25~250g/L이다. 텅스텐 전구체의 함량이 상기 범위일 때 고전류 부위에서 핀 홀이나 크랙이 발생되는 일이 없이 균일한 밀착력을 갖는 도금층을 얻을 수 있다.

코발트 전구체는 염화코발트, 황산코발트, 탄산코발트 또는 텅스텐산 코발트 중에서 선택된 하나 이상을 사용하며, 코발트 전구체의 농도는 35~200g/L이며, 이 농도 범위에서 비정질 도금층을 형성하며 경도, 내식성, 내마모성, 내약품성이 우수하다.

몰리브덴 전구체는 이황화몰리브덴, 몰리브덴나트륨 또는 몰리브덴암모늄 중에서 선택된 하나 이상을 사용한다. 몰리브덴은 비정질구조를 가질 수 있는 물질 중 하나로서, 텅스텐과 코발트 두 금속이 강한 금속성이기 때문에 그 사이에서 완충 역할을 수행하게 된다. 몰리브덴은 비정질 구조를 가짐으로 크랙이 생기는 것을 방지할 수 있으며 레벨링 효과를 줌으로서 균일한 도금면을 얻을 수 있다. 몰리브덴 전구체의 농도는 10~120g/L이며 몰리브덴 전구체의 농도가 상기 범위일 때 도금액이 안정화되어 숙성이 잘 이루어져서 균일한 텅스텐, 코발트 및 몰리브덴 합금을 얻을 수 있다.

텅스텐 전구체, 코발트 전구체 및 몰리브덴 전구체의 함량은 목적하는 텅스텐, 코발트 및 몰리브덴 합금의 조성을 얻을 수 있도록 제어된다.

상기 구연산, 롯셀염, 염화암모늄, 구연산 3나트륨은 코발트, 텅스텐 및 몰리브덴 합금을 형성하기 위한 착화제로서 사용된다.

구연산의 농도는 35~250g/L이며, 수용액 상태에서 텅스텐과 3자리 리간드로서 착화제를 이룰 경우에 그 자리의 리간드로 작용할 때보다 리간드간의 크기가 강해지므로 OH 그룹도 리간드로서 참여함을 리간드장의 세기로 설명할 수 있다. 일반적으로 2가의 금속 양이온은 물분자와 암모니아가 치환이 일어나기 때문이다. 이 치환으로 인하여 텅스텐, 코발트, 몰리브덴 성분이 음극에 공석하며 착염을 형성한다.

상기 롯셀염(주석산 칼륨 나트륨)은 합금 도금입자의 미세화와 평활화 작용으로 전류의 효율이 증가되면서 광택효과가 좋아지게 된다. 합금에 따른 착염의 형성이 양로하게 되므로 석출시 효율이 개선된다. 또한 롯셀염의 농도는 30~150g/L이며, 롯셀염의 농도가 상기 범위일 때 양극 전류 밀도가 증가되거나 또는 양극 표면에 흑색 피막이 생성되어 전류의 흐름이 나빠지는 일을 막을 수 있다.

염화암모늄의 농도는 15~70g/L이며 첨가된 NH3의 경우 NH4+와 비슷하게 OH-로 존재하면서 메탈의 용해도를 증가시키고 메탈 텅스텐의 용해도를 증가시키는 협력효과가 생겨 침전을 막아주는 역할을 한다. 보조 착화제를 암모니아를 사용하는 이유는 용액의 pH를 일정하게 유지시키기 위하여 버퍼의 역할을 하며, 염기성용액에서 발생하는 Ni(OH)2의 침전을 막아주고 pH를 조절함으로서 용액내의 NH3/NH4의 농도비를 일정하게 유지시키는 역할을 한다.

구연산 3나트륨은 구연산과 더불어 전도성염, 완충제 및 착화제로서 작용을 하고, 구연산 3나트륨의 함량은 30~100g/L이며 구연산 3나트륨의 함량이 상기 범위일 때 인청동 베이스에 대한 밀착성이 우수하고, 전류 효율이 우수하다.

암모니아수 또는 아민 화합물은 pH조절제로서 도금액을 건욕 후 침전이나 층 분리 현상이 없는 안정된 상태에서 도금액의 음극에서의 치환작용으로 합금이 잘 이루어지도록 하는 첨가제이며 pH는 7.5~10 범위가 되도록 조절한다. pH가 상기 범위일 때 표면코팅층에서 핀홀 등이 발생됨이 없이 균일한 상태로 얻을 수 있다.

텅스텐, 코발트 및 몰리브덴 합금을 함유한 표면코팅층 형성을 위한 도금 작업시 65~75℃의 온도에서 실시한다. 도금작업시 온도가 상기 범위일 때 도금액 소모가 지나치게 빨라지고 결정의 성장속도가 커져서 결정립이 거칠어지는 현상을 막을 수 있고 도금액 자체가 결정화되어 응고되는 것을 미연에 예방할 수 있다.

도금 공정은 표면코팅층의 두께에 따라 달라지며, 예를 들어 7~10분 범위가 바람직하다. 상기 범위일 때 표면코팅층에서 결정이 지나치게 치밀하게 되어 일부 석출되거나 크랙 등이 발생되지 않고 양호한 상태로 형성될 수 있다.

음극 전류 밀도는 단위 면적당 작용하는 전류의 세기로서 음극에 장착되는 제품의 모양 또는 형상에 따라 정해진다. 음극의 전류밀도는 1~2A/d㎡에서 실시한다.

상술한 제조단계를 거친 스페이서는 필요에 따라 후처리를 실시하거나 또는 추가적인 표면코팅막을 더 형성하는 것이 가능하다. 후처리는 예를 들어 열처리를 실시하거나 또는 60 내지 95℃의 물에 담근 후 이를 건조하는 단계를 더 거칠 수 있다. 다른 일구현예에 따르면 상기 과정에 따라 얻은 스페이서를 80 내지 90℃의 물에 침적하여 꺼낸 후 이를 아세톤과 같은 용매에 침적하고 건조하는 과정을 거쳐 빠르게 건조할 수 있다.

본 발명에 따라 제조된 스페이서는 기존의 구리 또는 구리 합금 스페이서와 달리 표면강도가 우수하여 표면에서 이물질 등이 발생되지 않는다. 그리고 제조공정이 간단하고 쉽다. 따라서 이를 이용하면 대량생산이 가능하며 연속 생산이 가능해진다.

이하, 본 발명을 하기 실시예를 들어 보다 상세하게 설명하기로 하되, 본 발명이 하기 실시예로만 한정되는 것을 의미하는 것은 아니다.

<실시예 1>

두께가 0.03mm인 인청동 베이스(구리 95 중량%와, 인(P)과 주석(Sn)의 총중량 5 중량%, 인과 주석의 중량비는 1:1임)을 프레스 가공 및 질산으로 에칭 처리하여 중공부가 형성된 베이스를 제조하였다.

이어서 상기 인청동 베이스를 텅스텐(W), 코발트(Co) 및 몰리브덴(Mo)을 함유한 도금액을 이용하여 도금을 실시하여 베이스 상부에 텅스텐, 코발트 및 몰리브덴의 합금을 포함하는 표면코팅층을 갖는 카메라 렌즈용 스페이서를 제조하였다.

상기 도금액은 텅스텐산 나트륨 (Na₂WO₄·2H₂O), 염화코발트, 몰리브덴 나트륨, 구연산, 롯셀염(주석산 칼륨 나트륨), 염화암모늄 및 구연산 3나트륨을 후술하는 조성을 갖는 텅스텐, 코발트 및 몰리브덴의 합금을 얻을 수 있도록 각각의 함량을 제어하여 혼합하고 초음파 처리를 통하여 분산하여 혼합 도금액을 제조하였다. 상기 혼합 도금액의 pH는 약 8로 조절되며, 도금온도는 70℃에서 실시하고 도금은 약 8.5분동안 실시하였다. 그리고 음극의 전류밀도는 1.5A/d㎡이었다.

상기 텅스텐, 코발트 및 몰리브덴의 합금에서 텅스텐, 코발트 및 몰리브덴의 함량은 각각 15원자%, 40원자%, 및 45원자%이었다.

<실시예 2>

표면코팅층의 텅스텐, 코발트 및 몰리브덴의 합금에서 텅스텐, 코발트 및 몰리브덴의 함량은 각각 12원자%, 43원자%, 45원자%가 되도록 도금액에서 텅스텐산 나트륨, 염화코발트, 몰리브덴 나트륨의 함량이 각각 변화된 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 실시하여 카메라 렌즈용 스페이서를 제조하였다.

<실시예 3>

표면코팅층에서 텅스텐의 함량이 베이스에 인접된 방향에서 두께 방향으로 점진적으로 증가하도록 도금처리된 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 실시하여 카메라 렌즈용 스페이서를 제조하였다. 표면코팅층에서 인청동 베이스에 인접된 제1영역은 W₁₂Co₄₃Mo₄₅을 포함하고 제2영역은 W₁₄Co₄₁Mo₄₅을 포함하였다.

<비교예 1>

두께가 0.03mm인 동판을 에칭 처리하여 중앙에 중공부가 형성된 도넛 형상의 베이스를 제조하였다.

상기 베이스를 황산 용액으로 약 3분 동안 침적시켜 스페이서 표면 활성화 처리를 실시하였다. 이어서 수산화나트륨(NaOH) 95중량%에 아염소산소다(NaClO₂) 5중량%를 첨가한 처리액에 상기 결과물을 9분 동안 침적시켜 산화피막을 형성하고, 수세 처리를 실시하였다. 이 때 처리액의 온도는 80℃로 유지하였다. 이어서 상기 결과물을 온수로 세척하고 나서 이를 오븐에서 건조하여 카메라 렌즈용 스페이서를 제조하였다.

평가예 1: 내식성 및 내산성 평가

상기 실시예 1-3 및 비교예 1에 따라 제조된 카메라 렌즈용 스페이서의 내식성 및 내산성을 평가하였다.

내식성은 염수분무시험 분석은 표준화된 방법으로 KS D 9502에 의거하여 진행하였으며 이 규격은 5% NaCl 용액을 35℃로 분무, 챔버 내 온도는 35℃로 유지하여 내식성 실험을 진행한다. 염수분무시험 1,000시간 경과 후 적철발생면적의 비율로 내식성 성능을 평가하였다.

하기 표 1에서 ◎는 우수(오염물질 발생 면적 0.001% 이하)를 나타내며 ○는 양호(오염 물질 발생 면적 5% 이하), X는 불량(오염 물질 발생 면적 15% 이상)을 나타낸다.

내산성은 각 시료를 각각 30℃의 HCl 5.0 중량% 수용액 중에 30분간 담근 후 꺼내어 외관 변화를 관찰하여 내산성을 평가하였다. 이때 외관 변화가 없는 것을 우수(◎), 외관 변화가 거의 없는 것을 양호(O), 외관이 박리되거나 하얗게 변질된 것을 불량(X)으로 표시하여 이들의 결과를 하기 표 1에 나타내었다

구분	내식성	내산성
실시예 1	○	◎
실시예 2	○	○
실시예 3	◎	◎
비교예 1	X	X

표 1을 참조하여, 실시예 1-3에 따라 제조된 스페이서는 비교예 1의 경우와 비교하여 내식성이 개선된다는 것을 알 수 있었다.

평가예 2: 표면강도 테스트

상기 실시예 1-3 및 비교예 1에 따라 제조된 카메라 렌즈용 스페이서의 표면강도를 평가하였다.

평가 결과, 실시예 1-3에 따라 제조된 스페이서는 비교예 1의 경우와 비교하여 표면강도가 개선된다는 것을 알 수 있었다.

평가예 3: 전자주사현미경 분석

실시예 1에 따라 제조된 카메라 렌즈용 스페이서에 대하여 전자주사현미경 분석을 실시하였고 그 결과는 도 2에 나타내었다.

이를 참조하면, 스페이서 표면에 표면코팅층이 균일하게 형성되어 있다는 것을 알 수 있었다.

실시예 1-3 및 비교예 1에 따라 제조된 카메라 렌즈용 스페이서에 대한 전자현미경 분석을 실시하고 그 분석 결과를 비교하여 빛을 입사하고 이로부터 플레어 현상이 일어나는지에 대한 테스트를 실시하였다.

테스트 결과, 실시예 1-3에 따라 제조된 카메라 렌즈용 스페이서는 비교예 1의 경우와 비교하여 스페이서 표면에서 입자들의 응집체 등이 관찰되지 않아 빛엥 의한 반사가 효과적으로 억제되어 플레어 현상이 줄어든다는 것을 확인할 수 있었다. 이에 비하여 비교예 1의 스페이서는 표면에서 입자들이 응집된 형태가 관찰되었고 이로부터 플레어 현상이 일어나기 쉽다는 것을 알 수 있었다.

이상에서는 실시예를 참조하여 일구현예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 구현예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.

10: 스페이서 11: 중공부
12: 인청동 베이스 13: 표면코팅층

Claims (5)

1. 중공부를 갖는 인청동 베이스;
   상기 인청동 베이스 상부에 배치된 텅스텐(W), 코발트(Co) 및 몰리브덴(Mo) 합금을 함유하는 표면코팅층을 함유하며,
   상기 텅스텐, 코발트 및 몰리브덴 합금에서 텅스텐의 함량은 12 내지 15 원자%이고, 코발트의 함량은 35 내지 43원자%이고, 몰리브덴의 함량은 42 내지 50 원자%이고,
   상기 인청동 베이스는 구리 90 내지 97 중량%와, 인(P)과 주석(Sn)의 총중량 3 내지 10 중량%로 이루어지고,
   상기 표면코팅층의 두께는 0.7 내지 1.1㎛인 카메라 렌즈용 스페이서.
2. 제1항에 있어서, 상기 텅스텐, 코발트 및 몰리브덴 합금에서 텅스텐의 함량은 12 원자% 또는 15 원자%이고, 코발트의 함량은 40 원자% 또는 43 원자%이고, 몰리브덴의 함량은 45 원자%인 카메라 렌즈용 스페이서.
3. 제1항에 있어서, 상기 표면코팅층에서 텅스텐의 함량이 베이스에 인접된 영역에서 두께 방향으로 점진적으로 증가하며, 베이스에 인접된 제1영역에서 텅스텐의 함량은 베이스에 인접된 제1영역에서 텅스텐의 함량은 12 내지 12.5원자%이고, 표면코팅층에서 표면의 제2영역에서 텅스텐의 함량은 13.5 내지 14원자%인 카메라 렌즈용 스페이서.
4. 제1항에 있어서, 상기 인청동 베이스 표면에 요철 패턴이 형성되어 있고, 요철 패턴이 형성된 인청동 베이스와 표면코팅층 사이에 구리층이 0.5 내지 0.8㎛ 두께로 배치된 카메라 렌즈용 스페이서.
5. 중공부를 갖는 인청동 베이스를 얻는 단계; 및
   상기 인청동 베이스를 텅스텐, 코발트 및 몰리브덴 합금을 함유하는 표면코팅층 형성용 도금액에 침적하여 베이스 상부에 표면코팅층을 형성하는 단계를 포함하여 제1항 내지 제4항중 어느 한 항의 카메라 렌즈용 스페이서를 제조하며,
   상기 카메라렌즈용 스페이서는 중공부를 갖는 인청동 베이스; 상기 인청동 베이스 상부에 배치된 텅스텐(W), 코발트(Co) 및 몰리브덴(Mo) 합금을 함유하는 표면코팅층을 함유하며,
   상기 텅스텐, 코발트 및 몰리브덴 합금에서 텅스텐의 함량은 12 내지 15 원자%이고, 코발트의 함량은 35 내지 43 원자%이고, 몰리브덴의 함량은 42 내지 50 원자%이고,
   상기 인청동 베이스는 구리 90 내지 97 중량%와, 인(P)과 주석(Sn)의 총중량 3 내지 10 중량%로 이루어지고,
   상기 표면코팅층의 두께는 0.7 내지 1.1㎛이고,
   상기 표면코팅층 형성용 도금액은 텅스텐 전구체, 코발트 전구체 및 몰리브덴 전구체를 포함하며, 상기 도금액 침적시 65 내지 75℃에서 실시되는 카메라 렌즈용 스페이서의 제조방법.

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