KR101967401B1 - 테스트 소켓 - Google Patents

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신동휘
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이승동
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박성규
박영식
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Abstract

테스트 소켓에 관한 기술이다. 본 실시예의 테스트 소켓은 반도체 장치와 테스트 장치를 연결하여 전기적 테스트를 수행하기 위한 것으로, 상기 반도체 기기와 상기 테스트 장치 사이에 위치하는 절연 바디층; 상기 절연 바디층 전체 영역에 걸쳐 분포된 폴리머 비드; 및 상기 절연 바디층 내부에 복수의 그룹을 이루도록 배치되는 도전 파우더를 포함한다.

Description

테스트 소켓{Test socket}
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 반도체 패키지와 테스트 장치간을 연결하는 테스트 소켓에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 패키지는 소비자에게 출하되기 전에 제품의 신뢰성을 확보하기 위하여, 정상 조건 또는 고온/고압 등의 스트레스 조건하에서 테스트가 진행될 수 있고, 그 테스트 결과에 따라 양품과 불량품으로 분류된다.
이와 같은 반도체 패키지는 테스트 소켓에 고정된 채로 테스트 장비내에 장입되어, 테스트 공정이 진행될 수 있다. 이와 같은 테스트 소켓은 잘 알려진 바와 같이 실리콘 수지 물질에 의해 지지되도록 구성될 수 있다.
그런데, 실리콘 수지 물질은 열 변형 온도가 낮고, 온도에 대해 부피가 쉽게 변화되는 특성을 갖기 때문에, 테스트 소켓의 형상 변화를 초래할 수 있다. 이로 인해 미세한 크기(피치)로 구성된 반도체 패키지 테스트를 진행하는 데 오류를 유발할 수 있다.
본 발명은 개선된 테스트 소켓을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 테스트 소켓은 반도체 장치와 테스트 장치를 연결하여 전기적 테스트를 수행하는 테스트 소켓으로서, 상기 반도체 기기와 상기 테스트 장치 사이에 위치하는 절연 바디층, 상기 절연 바디층 전체 영역에 걸쳐 분포된 폴리머 비드, 및 상기 절연 바디층 내부에 복수의 그룹을 이루도록 배치되는 도전 파우더를 포함한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 테스트 소켓은, 실리콘 고무 수지에 폴리머 합성 수지가 혼합되는 구성된 실리콘 폴리머 합성 러버(silicon polymer alloy rubber), 및 상기 실리콘 폴리머 합성 러버에 일정한 규칙을 가지고 자성 배열되는 도전 파우더들로 구성되는 도전 파우더 그룹을 포함한다.
본 발명에 따르면, 도전성 파우더를 포함하는 실리콘 바디층내에 폴리머 비드를 혼합하여, 수축 팽창력이 우수하면서도, 복원력이 우수한 테스트 소켓을 형성할 수 있다.
또한, 열 변형 온도가 상대적으로 낮은 실리콘에 대하여 열 변형 온도가 높은 폴리머를 혼합하여 사용함으로써 내열성이 강화되는 작용효과가 기대된다.
또한, 고온 환경하에서도, 도전 파우더의 자성 배열을 유지할 수 있고, 저온 환경에서도, 도전 파우더 그룹의 간격을 유지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 테스트 소켓의 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 폴리머 볼 비드의 평균 직경에 따른 테스트 소켓의 입자 배열을 나타내는 단면도이다
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 테스트 소켓의 복원력을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 실시예에 따른 고온 환경과 저온 환경 각각에 대한 도전 파우더의 그룹의 간격 변화를 보여주는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 폴리머의 내열성 한계 온도를 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 테스트 회수에 따른 전기 저항을 보여주는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 테스트 회수에 따른 접촉 힘의 변화를 보여주는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 고온 환경하에서의 전기 저항 분포를 나타내는 그래프이다.
도 9는 본 발명에 의한 저온 환경에서 전기 저항 분포를 나타내는 그래프이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 테스트 소켓의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 테스트 소켓(100)은 반도체 장치(102) 및 테스트 장치(104) 사이에 위치될 수 있다. 테스트 소켓(100)은 바디층(110)을 포함할 수 있다.
바디층(110)은 절연 실리콘 물질로 구성될 수 있으며, 그 내부에, 절연 폴리머 비드(120) 및 도전 파우더(130)가 포함될 수 있다.
상기 절연 폴리머 비드(120)는 바디층(110)의 전체 영역에 걸쳐 분포될 수 있다.
상기 도전 파우더(130)는 반도체 장치(120)의 외부 연결 단자(102a) 및 테스트 장치(104)의 외부 연결 단자(104a)에 대응되는 영역에 분포될 수 있다.
바디층(110)은 상술한 바와 같이, 절연 특성을 가짐에 따라, 도전 파우더(130)의 산화를 방지하고, 도전 파우더(130)간의 전기적 쇼트를 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 이물질의 유입을 차단할 수 있다. 이와 같은 절연 실리콘층(110)으로는 예를 들어, 실리콘 고무 수지(silicon rubber)가 사용될 수 있다. 하지만, 여기에 한정하지 않고, 바디층(110)은 소정의 탄성을 가지고 수축 팽창하는 물질이라면 모두 이용 가능하며, 예를 들어, 가교 구조를 갖는 내열성 고분자 물질로서 폴리부타디엔(polybutadiene) 고무, 우레탄(urethane) 고무, 천연 고무, 폴리이소플렌(polyisoprene) 고무와 같은 기타 탄성 고무 물질을 이용할 수 있다.
상기 바디층(110)의 상면은 콘(corn) 타입 혹은 아치(arch) 타입으로 돌출될 수 있어, 개별 콘택을 보장할 수 있다. 또한, 바디층(110)의 상면에는 FPCB(flexible printed circuit board) 필름이 더 구비될 수 있다. 개별 콘택을 강화하도록 콘택 홀을 구비하는 콘택 가이드 필름이 더 제공될 수 있다. 또한 바디층(110) 저면에도 이와 같은 구성을 포함할 수 있음은 물론이다. 바디층(110)의 둘레에는 전자파 차단에 효과적인 SUS(Steel use stainless) 재질의 프레임이 더 설치될 수 있다.
도전 파우더(130)는 자성 배열이 가능한 도전성 파티클을 포함할 수 있다. 특히, 자성 배열되는 도전성 파우더(130)는 도전성이 우수한 금(Au) 및/또는 니켈(Ni) 파우더를 포함할 수 있다. 또한, 도전성 파우더(130)는 금(Au), 은(Ag), 철(Fe), 니켈(Ni), 혹은 코발트(Co) 기타 자성을 띠는 단독 금속 혹은 둘 이상의 합금을 포함할 수 있다. 또한, 도전 파우더(130)는 그 표면에 이종 금속 물질로 도금 처리가 되어, 도전성을 개선할 수 있다.
도전 파우더(130)는 그룹의 형태로 밀집 배치되며, 상기 도전 파우더 그룹(130g)은 바디층(110)의 표면에 대해 수직인 방향으로 도전 경로를 형성할 수 있다. 이에 따라, 테스트 시, 바디층(110)의 수직 방향에서 최소한의 가압만으로 도전 특성을 나타낼 수 있어야 한다. 즉, 적은 압력으로도 통전되고, 수직 방향으로 도전 밀도가 강화되며, 전기적 특성이 강화되어야 테스트 신뢰성을 보장할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 폴리머 볼 비드의 평균 직경에 따른 테스트 소켓의 입자 배열을 나타내는 단면도이다. 도 2의 (a)는 폴리머 비드의 평균 직경이 기준 값을 넘은 경우의 테스트 소켓의 단면도이고, 도 2의 (b)는 폴리머 비드의 평균 직경이 기준 값을 넘지 않는 경우의 테스트 소켓의 단면도이다.
이를 위하여 도전 파우더(130)의 평균 직경은 20㎛ 내지 40㎛ 범위를 가질 수 있다. 더 구체적으로는 도전 파우더(130)는 특별한 정형성은 없지만, 평균 직경이 20㎛ 내지 40㎛ 정도에서 우수한 전기적 특성을 가질 수 있다. 가령, 도전 파우더(130)의 평균 직경이 20㎛ 미달이면, 파티클 사이의 결합력은 우수하나 전기 저항이 증가될 수 있고, 40㎛ 초과이면, 파티클 제조는 용이하나 파티클 사이의 간격이 길어지며 도전 밀도가 낮아져서 전기 전도성이 저하될 수 있다.
폴리머 비드(polymer bead)(120)는, 폴리메틸메타아크릴레이트(polymethyl methacrylate, PMMA) 합성 수지 혹은 합성 고무를 포함할 수 있다. 하지만, 상기 폴리머 비드(120)는 상기 PMMA에 제한되지 않고, 다양한 폴리머 물질이 이용될 수 있다.
전술하는 도전 파우더(130)는 형상이 따로 정해져 있지 않으나, 폴리머 비드(120)는 형상이 일정한 볼 비드(ball bead) 형태로 제공되고, 그 형상은 구체적으로 볼 타입으로 구형이나, 반드시 구형일 필요는 없다. 예를 들어, 도전 파우더(130)가 20㎛ 내지 40㎛의 볼 타입 구조일 때, 폴리머 비드(120)는 도전 파우더(130) 사이에 잘 분포될 수 있도록, 유사한 볼 타입을 가질 수 있다. 폴리머 비드(120)는 도전 파우더(130)의 입자 배열을 방해하지 않도록, 예를 들어, 5㎛ 내지 20㎛ 정도의 직경을 가지는 구형 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 도전성을 확보하기 위한 도전 파우더(130)의 평균 직경(가령, 30㎛)을 기준으로 볼 때, 폴리머 비드(120)의 사이즈가 5㎛ 미달하면 도전 파우더(130)의 결합력을 보완하는 기능을 수행하기 곤란하고(도 2의 ⒜ 참조), 20㎛ 초과하면 오히려 도전 파우더(130) 사이의 결합에 지장을 초래하여(도 2의 ⒝ 참조) 결과적으로 전기적 특성이 악화될 수 있다. 특히, 도전 파우더(130)에 전기 전도성을 개선하기 위하여, 도금 처리가 진행되는 경우, 폴리머 비드(120)의 사이즈를 과도하게 증대시키는 것은 도전 파우더(130)의 도금을 훼손할 수 있다.
이에 따라, 폴리머 비드(120)의 평균 직경은 도전 파우더(130) 평균 직경의 25% 내지 50%일 때, 바디층(110)을 보완하여 도전 파우더(130)를 지지하는 기계적 특성을 개선하면서, 도전 파우더(130) 상호간의 결합에 의한 전기적 특성을 모두 강화할 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 테스트 소켓의 복원력을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 3a는 바디층(110) 내부에 도전 메탈 파우더(130)가 포함된 예를 보여주며, 도 3b는 바디층(110) 내부에 절연 폴리머 비드(120) 및 도전 메탈 파우더(130)가 포함된 예를 보여준다.
도 3a를 참조하면, 테스트 공정시, 반도체 장치(102)의 도전 볼(혹은 도전 패드)과 테스트 소켓(100)과의 가압이 이루어질 수 있다. 반도체 장치(102)로부터 가해지는 압력에 의해, 바디층(110)이 그 충격을 일부 흡수하여 탄성 변형(수축 변형)되지만, 상기 도전 볼의 가압이 제거된 상태에서도 그대로 수축 변형이 유지될 수 있다. 도전 메탈 파우더(130)만이 바디층(110)에 포함된 경우, 바디층(110)의 압축율은 크지만, 복원력이 다소 떨어질 수 있다.
한편, 도 3b에 도시된 바와 같이, 바디층(110)에 도전 메탈 파우더(130)와 함께 폴리머 비드(120)가 주입되는 경우, 폴리머 비드(120)에 의해 탄성 변형이 보완되어, 도전 볼의 가압 후에도, 상기 바디층(110)의 형상이 보존될 수 있다.
예를 들어, 바디층(110), 즉, 실리콘 고무 수지의 중량이 100 wt%일 때, 폴리머 비드(120)를 구성하는 폴리머 합성 수지의 양은 20 내지 40wt%만큼이 포함될 수 있다. 가령, 바디층(110) 대 폴리머 비드(120)의 배합 비율은 1:0.2 내지 1:0.4 이고, 바람직하게는 1:0.25 이다.
실리콘 고무 수지에 대하여 폴리머 합성 수지가 20wt% 미만인 경우, 복원 효과가 미비하고, 40wt% 초과인 경우, 압축 효과가 상쇄되어 탄성 효과가 상실될 수 있다.
본 실시예에서 절연 바디층(110) 및 절연 폴리머 비드(120)가 구분되어 설명되고 있지만, 실제로는 절연 바디층(110)과 절연 폴리머 비드(120)가 일체로 구성된 실리콘-폴리머 합성 러버(silicon polymer alloy rubber)가 이용될 수 있다. 즉, 실리콘 폴리머 합성 러버는 베이스 실리콘에 기능성 폴리머 비드가 혼합되어 있는 물질층을 나타낼 수 있다.
이러한 실리콘 폴리머 합성 러버는 반복적인 테스트 과정에서, 상기 도전 볼(혹은 도전 패드)과의 접촉 시 충격 강도를 보완하는 1차적 역할을 수행할 수 있다. 알려진 바와 같이, 실리콘 고무 수지는 고온 환경 및 저온 환경에서 내열성 및 내한성의 취약한 특성을 갖는다. 반면, 폴리머 합성 수지는 온도에 따른 내구성 및 내열성이 우수하기 때문에, 폴리머 합성 수지가 상기 실리콘 고무 수지에 혼합되어, 상기한 내구성 및 내열성 특성을 보완할 수 있다. 이에 따라, 테스트 신뢰성이 개선될 수 있다.
보다 자세히 설명하면, 실리콘 고무 수지는 온도 상승에 따른 수축 팽창 정도가 커서 고온에서 열화되고 변형되는 성질이 있다. 하지만, 폴리머 합성 수지가 실리콘 고무 수지에 포함됨에 따라, 고온에서 내열성이 우수하여 이를 보완하는 성질이 있기 때문에, 그 변형 정도가 크게 완화될 수 있다. 이에 실리콘 고무 수지는 내열성이 비교적 열악해도, 여기에 폴리머 합성 수지를 보완하여 열 안정성이 더욱 강화될 수 있다.
또한, 실리콘 고무 수지는 온도에 따른 수축 팽창 정도(용적 변화)가 크며, 특히 130℃ 이상의 고온에서는 쉽게 변형되며, 크랙이 발생하는 등 불량이 초래된다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴리머의 내열성 한계 온도를 나타내는 그래프이다.
도 5에 따르면, 폴리머 합성 수지는 200℃의 고온에서도 중량 감소(weight loss)에 변화가 없다가 그 이후에 비로소 중량 감소가 있는 점에 비추어 상기 실리콘에 비해 비교적 내열성이 높다. 이에 따라, 폴리머 합성 수지의 온도 저항성이 매우 우수함을 알 수 있다.
1. 반복 검사에서 전기 저항 비교
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 테스트 회수에 따른 전기 저항을 보여주는 그래프이다. 도 6의 비교예는 바디층(110)내에 도전 파우더(130)가 포함된 경우를 나타내고, 도 6의 실시예는 바디층(110)내에 도전 파우더(130) 및 폴리머 비드(120)가 포함된 경우를 나타낸다.
반도체 장치(102)의 반복적인 테스트 공정을 통하여 테스트 소켓의 전기 저항이 증가하는 경향이 있다. 도전 파우더(130)가 수직 방향에서 일정한 규칙을 가지고 자성 배열되어 있기 때문에, 테스트 공정 초기에는 도전 볼의 가압에 따라 전하의 흐름이 일정하다. 그러나, 반복적인 테스트 공정을 진행하는 경우, 도전 파우더(130)만이 바디층(110)내에 포함되는 경우, 도전 파우더(130)의 입자 배열이 무질서 해지면서 전기 저항이 증가될 수 있다.
한편, 본 발명의 실시 예에 의하면, 도 6에 도시된 바와 같이, 도전 파우더(130) 사이에 폴리머 비드(120)가 위치하기 때문에, 다수 번의 도전 볼 가압을 진행하더라도, 도전 파우더(130)의 무질서화를 방지할 수 있다.
2. 테스트에 필요한 스트로크 비교
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 테스트 회수에 따른 접촉 힘의 변화를 보여주는 그래프로서, 도 7의 비교예는 바디층(110)내에 도전 파우더(130)가 포함된 경우를 나타내고, 도 7의 실시예는 바디층(110)내에 도전 파우더(130) 및 폴리머 비드(120)가 포함된 경우를 나타낸다.
반도체 장치(102)의 테스트를 수행하기 위하여, 테스트 소켓에 대하여 도전 볼이 가압된다. 도전 볼 가압시, 접촉 힘(contact force)이 요구될 수 있으며, 0.2㎜ 깊이의 변화에 필요한 최대 스트로크(stroke)는 30gf 보다 크지 않을 것이 요구된다.
도 7을 참조하면, 폴리머 비드(120)가 포함되지 않은 경우(비교예)의 스트로크에 비해, 폴리머 비드(120)를 포함하는 경우(실시예)의 스트로크가 동일한 테스트 회수에 대해 작은 것을 확인할 수 있다. 또한, 본 실시예의 경우, 스트로크가 30gf 이하의 낮은 값을 갖는 반면, 비교예의 경우, 30gf 이상의 스트로크를 갖는 것을 확인할 수 있다.
3. 고온 환경에서 전기 저항 비교
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 고온 환경하에서의 전기 저항 분포를 나타내는 그래프이다. 도 8의 비교예는 바디층(110)내에 도전 파우더(130)가 포함된 경우를 나타내고, 도 8의 실시예는 바디층(110)내에 도전 파우더(130) 및 폴리머 비드(120)가 포함된 경우를 나타낸다.
알려진 바와 같이, 전기 저항은 온도에 비례하여 상승된다. 특히, 실리콘 고무 수지를 포함하는 테스트 소켓(100)의 경우, 온도 상승에 따라 실리콘 고무 수지가 팽창하고, 도전 파우더(130)의 결합이 저하되기 때문에, 전기 저항이 증대될 수 있다.
본 발명의 실시예에서는 폴리머 비드(120)가 혼합되는 경우, 실리콘 고무 수지의 팽창이 억제되어, 도전 파우더(130)의 결합력이 유지되기 때문에, 온도 변화에 따른 저항 증가가 거의 존재하지 않는다. 또한, 상술한 바와 같이, 폴리머 비드(120)에 의해 도전성 파우더(130)의 결합력이 유지되기 때문에, 도전 파우더(130)의 오정렬이 방지되어, 저항 열화를 방지할 수 있다.
4. 저온 환경에서 전기 저항 비교
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 실시예에 따른 고온 환경과 저온 환경 각각에 대한 도전 파우더의 그룹의 간격 변화를 보여주는 단면도이다.
도 4a는 실온 환경에서 테스트 소켓의 단면도로서, P1은 자성 배열된 도전 파우더 그룹(130g)간의 간격을 나타낸다. 도 4b는 고온 환경(온도 범위)에서 테스트 소켓의 단면도로서, P2는 고온 환경에서의 도전 파우더 그룹(130g)간의 간격을 나타낸다. 도 4c는 저온 환경(온도 범위)에서 테스트 소켓의 단면도로서, P3는 저온 환경에서의 도전 파우더 그룹(130g)간의 간격을 나타낸다.
전기 저항은 고온 환경 뿐만 아니라, 저온 환경에서도 영향을 받는다.
저온 상태인 경우, 실리콘 고무 수지로 된 바디층(110)이 수축되기 때문에, 도전 파우더(120)의 결합력에 영향을 미치게 된다.
실온 환경(도 4a)과 비교하여 볼 때, 고온 환경의 경우, 도 4b에 도시된 바와 같이, 바디층(110)의 팽창에 의해 도전 파우더(130)간의 간격 역시 팽창되어, 도전 파우더 그룹(130g)간의 간격(P2)이 실온 환경의 간격(P1)보다 감소된다.
한편, 저온 환경의 경우, 도 4c에 도시된 바와 같이, 바디층(110)의 수축에 의해, 도전 파우더(130)간의 간격 역시 수축되어, 도전 파우더 그룹(130g)간의 간격(P3)이 실온 환경의 간격(P1)보다 증대된다.
온도 변화에 따라 도전 파우더 그룹(130g)간의 간격(P1,P2,P3)은 약 1㎜ 이상의 변화를 초래할 수 있어, 반도체 장치(102)와 콘택시, 콘택 불량이 야기될 수 있다.
하지만, 본 발명의 실시예와 같이, 폴리머 비드(120)가 바디층(110)내에 혼합되는 경우, 폴리머 비드(120)가 도전 파우더(130) 사이에서 결합력을 유지하고 있기 때문에, 온도의 변화가 발생되더라도, 수축 및 패창이 감소되고, 전기 저항의 변화 폭도 감소된다.
도 9는 본 발명에 의한 저온 환경에서 전기 저항 분포를 나타내는 그래프이다. 도 9의 비교예는 바디층(110)내에 도전 파우더(130)가 포함된 경우를 나타내고, 도 9의 실시예는 바디층(110)내에 도전 파우더(130) 및 폴리머 비드(120)가 포함된 경우를 나타낸다.
도 9를 참조하면, 폴리머 비드(120)를 포함하지 않은 비교예의 경우, 저항의 분포가 큰 반면, 본 발명의 실시예와 같이 폴리머 비드(120)를 포함하는 경우, 전기 저항의 분포가 집중됨을 확인할 수 있다.
이상에서 자세히 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면, 테스트 소켓의 바디층내에 일정 간격으로 자성 배열되어 있는 도전 파우더 및 상기 도전 파우더의 평균 직경보다 적어도 50% 작은 폴리머 비드를 혼합한다.
이에 따라, 도전 파우더를 지지하는 실리콘 바디층의 복원력을 강화하고, 수축 팽창에 의하여 변화되는 실리콘 바디층의 복원력을 보상하여, 테스트 소켓의 특성을 개선할 수 있다.
이와 같은 본 발명의 기본적인 기술적 사상의 범주 내에서, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서는 다른 많은 변형이 가능할 것이다.
100: 테스트 소켓 110 : 바디층
120 : 폴리머 비드 130 : 도전성 파우더

Claims (14)

  1. 반도체 장치와 테스트 장치를 연결하여 전기적 테스트를 수행하는 테스트 소켓으로서,
    상기 반도체 장치와 상기 테스트 장치 사이에 위치하는 절연 바디층;
    상기 절연 바디층 전체 영역에 걸쳐 분포된 폴리머 비드; 및
    상기 절연 바디층 내부에 복수의 그룹을 이루도록 배치되는 도전 파우더를 포함하며,
    상기 폴리머 비드는 상기 도전 파우더 사이에 위치되도록 배열되며,
    상기 폴리머 비드 및 상기 도전 파우더는 볼(ball) 형태로 구성되고, 상기 폴리머 비드는 상기 도전 파우더의 직경에 비해 25% 내지 50% 작은 형태로 구성되는 테스트 소켓.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전 파우더는 그룹지어 배열되고, 도전 파우더 그룹은 상기 절연 바디층의 표면에 대해 수직인 방향으로 분포되어, 상기 절연 바디층내에 도전 경로를 형성하는 테스트 소켓.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 도전 파우더 그룹은 상기 반도체 장치의 단자 및 상기 테스트 장치의 단자와 대응되는 위치에 형성되는 테스트 소켓.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연 바디층은 실리콘 고무 수지를 포함하는 테스트 소켓.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리머 비드는 폴리메틸메타아크릴레이트(polymethyl methacrylate, PMMA) 합성 수지 또는 합성 고무 중 선택되는 물질로 구성되는 테스트 소켓.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전 파우더는 금(Au) 및 니켈(Ni)중 적어도 하나를 포함하는 테스트 소켓.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연 바디층과 상기 폴리머 비드의 배합 비율은 1:0.2 내지 1:0.4인 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리머 비드는 절연성을 갖는 테스트 소켓.
  12. 실리콘 고무 수지에 폴리머 합성 수지가 혼합되어 구성된 실리콘 폴리머 합성 러버(silicon polymer alloy rubber); 및
    상기 실리콘 폴리머 합성 러버 내에 일정한 규칙을 가지고 자성 배열되고, 복수의 도전 파우더들로 구성되는 적어도 하나의 도전 파우더 그룹을 포함하고,
    상기 폴리머 합성 수지와 상기 도전 파우더는 각각 볼(ball) 형태로 구성되고, 상기 폴리머 합성 수지는 상기 도전 파우더의 직경에 비해 25% 내지 50% 작은 형태로 구성되는 테스트 소켓.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 폴리머 합성 수지는 200℃의 열 변성 온도를 갖는 물질인 테스트 소켓.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 실리콘 고무 수지와 상기 폴리머 합성 수지의 배합 비율은 100 wt%: 20~40wt%를 갖는 테스트 소켓.
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