WO2023085661A1 - 반도체 소자 테스트용 러버 소켓 - Google Patents

반도체 소자 테스트용 러버 소켓 Download PDF

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WO2023085661A1
WO2023085661A1 PCT/KR2022/016605 KR2022016605W WO2023085661A1 WO 2023085661 A1 WO2023085661 A1 WO 2023085661A1 KR 2022016605 W KR2022016605 W KR 2022016605W WO 2023085661 A1 WO2023085661 A1 WO 2023085661A1
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semiconductor device
testing
rubber socket
conductive
rubber
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PCT/KR2022/016605
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Inventor
문성주
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주식회사 티에프이
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    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2863—Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
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Definitions

  • the present invention relates to a rubber socket used to test a semiconductor device produced through a manufacturing process.
  • a semiconductor device undergoes a manufacturing process and then undergoes an inspection to determine whether electrical performance is defective.
  • the quality test of a semiconductor device is performed in a state in which a test socket formed to electrically contact a terminal of the semiconductor device is disposed between the semiconductor device and the inspection circuit board.
  • the test socket is also used in a burn-in test process during the manufacturing process of semiconductor devices.
  • test socket for testing an integrated semiconductor device with a conventional pogo-pin type test socket.
  • PCR Pressure Conductive Rubber
  • a conductive rod by forming a perforated pattern in the height direction on a body made of elastic silicone rubber material and then filling the perforated pattern with conductive powder.
  • socket or rubber socket
  • the rubber socket When the rubber socket is used for a test in an extremely high or low temperature environment, it expands or contracts due to thermal effects and may fail to maintain its shape. In this case, the shape of the main body and/or the conductive rod is damaged, resulting in poor electrical connection between the semiconductor device and the circuit board through the rubber socket, and a reduction in lifespan.
  • One object of the present invention is to provide a rubber socket for testing a semiconductor device, which can secure the accuracy of an electrical connection between a semiconductor device and a circuit board by maintaining its original shape even in the case of a large temperature change.
  • Another object of the present invention is to provide a rubber socket for testing a semiconductor device, which can structurally prevent a decrease in lifespan caused by a large temperature change.
  • a rubber socket for testing a semiconductor device for realizing the above object includes a main body having a plurality of conductive holes formed therethrough in a height direction and formed of an insulating first material; a plurality of conductive rods filled with conductive powder in the plurality of conductive holes and arranged in the height direction; and a holding unit embedded in the main body of a second material having at least one superior in heat resistance and cold resistance to that of the first material so that shapes of the main body and the conductive rod are maintained despite variations in temperature conditions.
  • the first material may include low-hardness silicone rubber
  • the second material may include at least one of epoxy, polyimide, glass fiber, and high-hardness silicone rubber.
  • the shore hardness of the low-hardness silicone rubber may be 30 to 40A, and the shore hardness of the high-hardness silicone rubber may be 60 to 90A.
  • the main body may further include an accommodating hole extending in the height direction, and the holding unit may be inserted into the accommodating hole to buffer the accommodating hole.
  • the accommodating hole may start from one of the upper and lower ends of the main body and extend to less than the opposite end.
  • the section in which the accommodating hole is extended may correspond to 50 to 70% of the height of the main body along the height direction.
  • the holding unit may be molded by curing the second material after filling the accommodation hole by squeezing.
  • the frame coupled to the lower portion of the main body and formed of a metal material; and a lower insulating layer attached to a lower portion of the frame and exposing the conductive rod.
  • an upper insulating layer attached to the upper portion of the frame and exposing the conductive rod but covering the holding unit may be further provided.
  • the main body accommodating the conductive rod is formed of the first material
  • the holding unit also built into the main body has at least one of heat resistance and cold resistance better than the first material. Since it is formed of a superior second material and maintains the shape of the main body and the conductive rod even when the temperature condition changes, accuracy of the electrical connection between the semiconductor element and the circuit board can be secured even when the temperature change is large.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a rubber socket 100 for testing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a conceptual diagram showing a manufacturing process of the rubber socket 100 of FIG. 1 .
  • FIG 3 is a cross-sectional view of a rubber socket 100' according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a rubber socket 100" according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a rubber socket 100 for testing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
  • the rubber socket 100 may include a frame 110, a body 130, a conductive rod 150, and a holding unit 170.
  • the frame 110 serves as a base on which the main body 130 and the like are mounted.
  • the frame 110 may have a substantially rectangular shape corresponding to the shape of the body 130 .
  • An opening is formed in the center of the frame 110, through which the main body 130 may be exposed.
  • the frame 110 may be disposed to be coupled to the lower portion of the body 130 .
  • the frame 110 may be formed of a metal material in order to secure strength.
  • a lower insulating layer 121 may be attached to a lower portion of the frame 110 .
  • the lower insulating layer 121 serves to insulate the rubber socket 100 from a circuit board (not shown) to face.
  • the lower insulating layer 121 may be made of, for example, a polyimide film.
  • the main body 130 may have a body 131 having a substantially rectangular parallelepiped block shape.
  • Body 131 is to be mounted on the frame (110).
  • the body 131 has an insulating material and is formed of a first material.
  • the first material may be, for example, low hardness silicone rubber.
  • the low hardness may be 30 to 40A in Shore hardness.
  • a conductive hole 133 may be formed through the body 131 along the height direction H.
  • a plurality of conductive holes 133 may be formed, and may be arranged to have a predetermined interval therebetween.
  • an accommodation hole 135 may also be formed in the body 131.
  • the receiving hole 135 may also be formed to extend along the height direction H like the conductive hole 133 .
  • An upper insulating layer 125 may be attached to the top of the body 131 .
  • the upper insulating layer 125 serves to insulate the rubber socket 100 from a semiconductor device (not shown) facing each other. Furthermore, it also protects the body 131 against the load applied through the semiconductor element.
  • the conductive rod 150 is arranged in the conductive hole 133 to form an electrical passage. Through the conductive rod 150, the electrode of the semiconductor element is electrically connected to the electrode pad of the circuit board. Specifically, the conductive rod 150 is molded by buffering a filler containing the conductive powder 151 in the conductive hole 133 . The conductive powders 151 contact each other along the height direction H to form an electrical path along the height direction H.
  • a portion of the conductive powder 151 forms a lower bump 155 protruding beyond the lower end of the body 130 .
  • another portion of the conductive powder 151 forms an upper bump 157 that protrudes beyond the upper end of the body 130 .
  • the upper bump 157 may have the same height as the upper insulating layer 125 .
  • the holding unit 170 is configured to maintain the shapes of the main body 130 and the conductive rod 150 even when temperature conditions change. This improves the reliability and lifespan of the rubber socket 100 when the rubber socket 100 is used in an extremely high temperature or extremely low temperature environment.
  • the holding unit 170 may be formed of a second material having at least one better in heat resistance and cold resistance than the first material.
  • the second material may be at least one of epoxy, polyimide, glass fiber, and high-hardness silicone rubber.
  • the high-hardness silicone rubber may have a shore hardness of 60 to 90A.
  • the holding unit 170 is formed by completely filling the receiving hole 135 with the second material. Accordingly, the holding unit 170 may have a shape such as a pillar extending in the height direction H, corresponding to the shape of the receiving hole 135 .
  • the holding unit 170 holds the body 131 so that the body 131 (and further, the conductive rod 150) does not shrink or expand while enduring in an extremely high or low temperature environment.
  • the holding unit 170 may be disposed to be covered by the lower insulating layer 121 and the upper insulating layer 125 . Thereby, unlike the conductive rod 150, it may be protected by them 121 and 125.
  • FIG. 2 is a conceptual diagram showing a manufacturing process of the rubber socket 100 of FIG. 1 .
  • the body 131 of the main body 130 may be first mounted on the frame 110.
  • the lower insulating layer 121 may be attached to both the frame 110 and the body 131 exposed to the lower portion of the frame 110 .
  • an accommodation hole 135 may be formed in the body 131.
  • a CO 2 laser may be used. As the CO 2 laser is irradiated downward along the height direction H, a region corresponding to the accommodating hole 135 may be removed from the body 131 . Accordingly, the accommodating hole 135 may extend along the height direction H from the upper end to the lower end of the body 131 .
  • the second material 171 is poured into the upper portion of the body 131 .
  • the second material 171 completely fills the accommodating hole 135 in a squeezing manner by the squeegee S.
  • the holding unit 170 is formed in a columnar shape along the height direction H.
  • a conductive hole 133 is now also formed between the accommodating holes 135.
  • the conductive hole 133 may also be formed using a CO 2 laser.
  • the CO 2 laser penetrates not only the body 131 but also the lower insulating layer 121 to form a hole.
  • the conductive powder 151 constituting the conductive rod 150 is filled into the conductive hole 133 by the squeegee S. As the conductive powder 151 is cured, the main portion 153 of the conductive rod 150 embedded in the body 131 is formed.
  • the conductive powder 151 is squeezed as in this figure, so that the insulating second material 171 is formed into the conductive powder 151. It can be prevented from deteriorating the conduction performance of the conductive rod 150 by being mixed with.
  • an upper insulating layer 125 may be attached to an upper end of the body 131.
  • upper bumps 157 may be formed in holes of the upper insulating layer 125 by a squeezing method.
  • a film having a hole corresponding to the conductive hole 133 may be attached to the lower insulating layer 121, a squeezing process may be performed, and the film may be removed.
  • FIG 3 is a cross-sectional view of a rubber socket 100' according to another embodiment of the present invention.
  • the rubber socket 100' is substantially the same as the rubber socket 100 of the previous embodiment, but the shape of the holding unit 170' is different from the previous one.
  • the holding unit 170' may not extend from the upper end to the lower end of the body 131, but may start from the upper end and extend only to a point less than the lower end. To this end, the accommodating hole 135' also needs to be processed to such an extent.
  • the section in which the accommodating hole 135' and the holding unit 170' are extended may correspond to 50 to 70% of the height of the main body 130 along the height direction H.
  • the holding unit 170' prevents the body 131 from expanding at a high temperature or contracting at a low temperature. Furthermore, the lower region of the body 131 where the holding unit 170 ′ is not formed serves to contract in response to the force of the semiconductor device or the like pressing the body 131 . Accordingly, since the reaction force applied to the semiconductor element is reduced, the possibility of damaging the semiconductor element during the test process can be further reduced.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a rubber socket 100" according to another embodiment of the present invention.
  • the rubber socket 100" has a shape opposite to that of the rubber socket 100' of the previous embodiment.
  • the holding unit 170" may start from the lower end of the body 131 and extend only to a point less than the upper end. To this end, the receiving hole 135" penetrates the lower insulating layer 121 and It extends only to a point short of the upper end of the body 131.
  • the section where the accommodating hole 135" and the holding unit 170" are extended may correspond to 50 to 70% of the height of the main body 130 along the height direction H, as in the previous embodiment.
  • the holding unit 170" prevents the body 131 from expanding at a high temperature and contracting at a low temperature. Further, the upper region of the body 131 where the holding unit 170" is not formed is a semiconductor device. The back plays a role of contracting in response to the force pressing the body 131 . Accordingly, since the reaction force applied to the semiconductor element is also reduced, the possibility of damaging the semiconductor element during the test process can be further reduced.
  • the rubber socket for testing a semiconductor device as described above is not limited to the configuration and operation method of the embodiments described above.
  • the above embodiments may be configured so that various modifications can be made by selectively combining all or part of each embodiment.
  • the present invention has industrial applicability in the field of manufacturing a rubber socket for testing semiconductor devices.

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Abstract

본 발명은, 높이 방향으로 관통 형성된 복수의 도전홀을 구비하고, 절연성의 제1 재료로 형성된 본체; 상기 복수의 도전홀에 도전성 파우더가 충전되어, 상기 높이 방향으로 배열되는 복수의 도전 로드; 및 상기 제1 재료보다 내열성 및 내한성 중 적어도 하나가 더 우수한 제2 재료로 상기 본체에 내장되어, 온도 조건의 변동에도 상기 본체 및 상기 도전 로드의 형상이 유지되게 하는 홀딩 유닛을 포함하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓을 제공한다.

Description

반도체 소자 테스트용 러버 소켓
본 발명은 제조 공정을 거쳐 생산된 반도체 소자를 테스트하는데 사용되는 러버 소켓에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 제조 과정을 거친 후 전기적 성능의 불량 여부를 판단하기 위한 검사를 받는다. 반도체 소자의 양불 검사는 반도체 소자의 단자와 전기적으로 접촉될 수 있도록 형성된 테스트 소켓을 반도체 소자와 검사회로기판 사이에 배치한 상태에서 수행된다. 테스트 소켓은 반도체 소자의 최종 양불 검사 외에도 반도체 소자의 제조 과정 중 번-인(Burn-In) 테스트 과정에서도 사용되고 있다.
반도체 소자의 집적화 기술의 발달과 소형화 추세에 따라 반도체 소자의 단자 즉, 리드의 크기 및 피치도 미세화되는 추세여서, 테스트 소켓의 도전 패턴 상호간의 간격도 미세하게 형성하는 방법이 요구되고 있다. 따라서, 기존의 포고-핀(Pogo-pin) 타입의 테스트 소켓으로는 집적화되는 반도체 소자를 테스트하기 위한 테스트 소켓을 제작하는데 한계가 있었다.
반도체 소자의 집적화에 부합하도록, 탄성 재료의 실리콘 러버 소재로 제작되는 본체 상에 높이 방향으로 타공 패턴을 형성한 후, 타공된 패턴 내부에 도전성 분말을 충진하여 도전 로드를 형성하는 PCR(Pressurized Conductive Rubber) 소켓 (또는 러버 소켓)이 널리 사용되고 있다.
러버 소켓은 극고온 또는 극저온 환경에서의 테스트에 사용되는 경우에, 열적 영향에 의해 팽창 또는 수축하여 그의 형태를 유지하지 못하는 경우가 있다. 그 경우, 본체 및/또는 도전 로드의 형상 훼손되어, 러버 소켓을 통한 반도체 소자와 회로 기판 간의 전기적 연결이 불량해지고, 수명이 저감되는 등의 문제에 노출되곤 한다.
본 발명의 일 목적은, 온도 변화가 큰 경우에도 원래의 형상을 유지하여 반도체 소자와 회로기판 간의 전기적 연결의 정확성을 담보할 수 있는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 일 목적은, 온도 변화가 큰 경우에 발생하는 수명의 저하를 구조적으로 방지할 수 있는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓을 제공하는 것이다.
상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓은, 높이 방향으로 관통 형성된 복수의 도전홀을 구비하고, 절연성의 제1 재료로 형성된 본체; 상기 복수의 도전홀에 도전성 파우더가 충전되어, 상기 높이 방향으로 배열되는 복수의 도전 로드; 및 상기 제1 재료보다 내열성 및 내한성 중 적어도 하나가 더 우수한 제2 재료로 상기 본체에 내장되어, 온도 조건의 변동에도 상기 본체 및 상기 도전 로드의 형상이 유지되게 하는 홀딩 유닛을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제1 재료는, 저경도 실리콘 러버를 포함하고, 상기 제2 재료는, 에폭시, 폴리이미드, 유리섬유, 및 고경도 실리콘 러버 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 저경도 실리콘 러버의 쇼어 경도는 30 ~ 40A이고, 상기 고경도 실리콘 러버의 쇼어 경도는 60 ~ 90A일 수 있다.
여기서, 상기 본체는, 상기 높이 방향으로 연장 형성되는 수용홀을 더 포함하고, 상기 홀딩 유닛은, 상기 수용홀을 완충하도록 상기 수용홀에 삽입되는 것일 수 있다.
여기서, 상기 수용홀은, 상기 본체의 상단 및 하단 중 어느 하나에서 시작되어 반대 단부에 못 미치도록 연장 형성되는 것일 수 있다.
여기서, 상기 수용홀이 연장 형성되는 구간은, 상기 높이 방향을 따른 상기 본체의 높이의 50 ~ 70%에 대응할 수 있다.
여기서, 상기 홀딩 유닛은, 상기 제2 재료가 스퀴징에 의해 상기 수용홀에 채워진 후에 경화되어 성형된 것일 수 있다.
여기서, 상기 본체의 하부에 결합되고, 금속 재질로 형성되는 프레임; 및 상기 프레임의 하부에 부착되며, 상기 도전 로드를 노출하는 하부 절연층이 더 구비될 수 있다.
여기서, 상기 프레임의 상부에 부착되며, 상기 도전 로드를 노출하나 상기 홀딩 유닛은 덮는 상부 절연층이 더 구비될 수 있다.
상기와 같이 구성되는 본 발명에 관련된 반도체 소자 테스트용 러버 소켓에 의하면, 도전 로드를 수용하는 본체는 제1 재료로 형성되고 역시 본체에 내장되는 홀딩 유닛은 제1 재료보다 내열성 및 내한성 중 적어도 하나가 더 우수한 제2 재료로 형성되어 온도 조건의 변동에도 본체 및 도전 로드의 형상을 유지하기에, 온도 변화가 큰 경우에도 반도체 소자와 회로기판 간의 전기적 연결의 정확성을 담보할 수 있게 된다.
나아가, 본체 및 도전 로드의 형상이 안정적으로 유지됨에 의해, 온도 변화가 큰 경우에 발생하는 러버 소켓의 수명의 저하가 구조적으로 방지될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓(100)에 대한 단면도이다.
도 2는 도 1의 러버 소켓(100)의 제작 공정을 보인 개념도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 러버 소켓(100')에 대한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 러버 소켓(100")에 대한 단면도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 명세서에서는 서로 다른 실시예라도 동일·유사한 구성에 대해서는 동일·유사한 참조번호를 부여하고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓(100)에 대한 단면도이다.
본 도면을 참조하면, 러버 소켓(100)은, 프레임(110), 본체(130), 도전 로드(150), 그리고 홀딩 유닛(170)을 포함할 수 있다.
프레임(110)은 본체(130) 등이 장착되는 베이스가 되는 구성이다. 프레임(110)은 본체(130)의 형상에 대응해서 대체로 사각 형상을 가질 수 있다. 프레임(110)의 중앙에는 개방구가 형성되고, 그를 통해서는 본체(130)가 노출될 수 있다. 프레임(110)은 본체(130)의 하부에 결합되도록 배치될 수 있다. 프레임(110)은, 강도 확보를 위해, 금속 재질로 형성될 수 있다.
프레임(110)의 하부에는 하부 절연층(121)이 부착될 수 있다. 하부 절연층(121)은 러버 소켓(100)이 대면하게 될 회로기판(미도시)과의 절연을 담당하게 된다. 하부 절연층(121)은, 예를 들어, 폴리이미디 필름으로 제작될 수 있다.
본체(130)는 대체로 직육면체 블럭 형상인 몸체(131)를 가질 수 있다. 몸체(131)는 프레임(110)에 장착되는 것이다. 몸체(131)는 절연성 재질을 갖는 것으로서, 제1 재료로 형성된다. 제1 재료는, 예를 들어, 저경도 실리콘 러버일 수 있다. 여기서, 저경도는 쇼어 경도로 30 ~ 40A인 것일 수 있다.
몸체(131)에는 높이 방향(H)을 따라 도전홀(133)이 관통 형성될 수 있다. 도전홀(133)은 복수 개로 형성되며, 서로 간에 일정 간격을 갖도록 배열될 수 있다. 도전홀(133)과 더불어, 몸체(131)에는 수용홀(135) 또한 형성될 수 있다. 수용홀(135) 역시 도전홀(133)과 같이, 높이 방향(H)을 따라 연장 형성될 수 있다.
몸체(131)의 상부에는 상부 절연층(125)이 부착될 수 있다. 상부 절연층(125)은 러버 소켓(100)이 대면하게 될 반도체 소자(미도시)와의 절연을 담당하게 된다. 나아가, 반도체 소자를 통해 가해지는 하중에 대해 몸체(131)를 보호하기도 한다.
도전 로드(150)는 도전홀(133)에 배열되어, 전기적 통로를 형성하는 것이다. 도전 로드(150)를 통해서는, 반도체 소자의 전극이 회로기판의 전극 패드와 전기적으로 연결되게 된다. 도전 로드(150)는, 구체적으로, 도전홀(133)에 도전성 파우더(151)를 함유하는 충전재가 완충되어 성형되는 것이다. 도전성 파우더(151)는 높이 방향(H)을 따라 서로 간에 접촉되어, 높이 방향(H)을 따는 전기적 경로를 형성한다.
도전성 파우더(151) 중 일부는 본체(130)의 하단을 넘어서 돌출 형성되는 하부 범프(155)를 형성한다. 또한, 도전성 파우더(151) 중 다른 일부는 본체(130)의 상단을 넘어서 돌출 형성되는 상부 범프(157)를 형성한다. 하부 범프(155)가 하부 절연층(121) 보다 돌출하여 회로기판의 전극 패드와 접촉되는 것임에 반하여, 상부 범프(157)는 상부 절연층(125)과 같은 수준의 높이를 갖는 것일 수 있다.
홀딩 유닛(170)은 온도 조건의 변동에도 본체(130) 및 도전 로드(150)의 형상이 유지되게 하는 구성이다. 이는 러버 소켓(100)이 극고온이나 극저온 환경에서 사용되는 경우에 러버 소켓(100)의 신뢰성과 수명을 향상시키게 된다.
홀딩 유닛(170)은 구체적으로, 제1 재료보다 내열성 및 내한성 중 적어도 하나가 더 우수한 제2 재료로 형성될 수 있다. 제2 재료는, 에폭시, 폴리이미드, 유리섬유, 및 고경도 실리콘 러버 중 적어도 하나일 수 있다. 여기서, 고경도 실리콘 러버는 쇼어 경도가 60 ~ 90A인 것일 수 있다.
홀딩 유닛(170)은 제2 재료가 수용홀(135)에 완전히 충전되어 형성되는 것이다. 그에 따라, 홀딩 유닛(170)은 수용홀(135)의 형태에 대응하여, 높이 방향(H)으로 연장하는 기둥과 같은 형태를 가질 수 있다. 홀딩 유닛(170)은 극고온이나 극저온 환경에서 견디면서, 몸체(131)[나아가, 도전 로드(150)]가 수축되거나 팽창하지 않도록 몸체(131)를 붙들게 된다.
홀딩 유닛(170)은 하부 절연층(121) 및 상부 절연층(125)에 의해 덮혀지도록 배치될 수 있다. 그에 의해, 도전 로드(150)와 달리, 그들(121 및 125)에 의해 보호될 수도 있다.
이상의 러버 소켓(100)의 제작 방식은 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 도 1의 러버 소켓(100)의 제작 공정을 보인 개념도이다.
도 2(a)를 참조하면, 러버 소켓(100)의 제작을 위해서는, 먼저 프레임(110)에 대해 본체(130)의 몸체(131)가 장착될 수 있다. 하부 절연층(121)은 프레임(110)에 대해 하부로 노출된 몸체(131)와 프레임(110) 모두에 부착될 수 있다.
도 2(b)를 참조하면, 다음 단계로서, 몸체(131)에는 수용홀(135)이 형성될 수 있다. 이를 위해서는, CO2 레이저가 사용될 수 있다. CO2 레이저가 높이 방향(H)을 따라 하방으로 조사됨에 의해, 몸체(131)에서는 수용홀(135)에 대응하는 영역이 제거될 수 있다. 그에 의해, 수용홀(135)은 몸체(131)의 상단에서 하단에 이르도록 높이 방향(H)을 따라 연장 형성될 수 있다.
도 2(c)를 참조하면, 수용홀(135)이 형성된 상태에서, 몸체(131)의 상부에는 제2 재료(171)가 부어진다. 제2 재료(171)는 스퀴지(S)에 의해 스퀴징 방식으로 수용홀(135)을 완전하게 채우게 된다. 제2 재료(171)가 경화됨에 의해, 홀딩 유닛(170)이 높이 방향(H)을 따르는 기둥 형태로서 형성된다.
도 2(d)를 참조하면, 이제는 수용홀(135) 사이에 도전홀(133)이 또한 형성된다. 도전홀(133) 역시 CO2 레이저를 이용하여 형성될 수 있다. CO2 레이저는 몸체(131) 뿐 아니라, 하부 절연층(121)까지 관통하며 홀을 형성한다.
도 2(e)를 참조하면, 도전 로드(150)를 이루는 도전성 파우더(151)가 스퀴지(S)에 의해 도전홀(133)에 충전된다. 도전성 파우더(151)가 경화됨에 의해, 몸체(131)에 내장되는 도전 로드(150)의 메인부(153)가 형성된다.
나아가, 도 2(c)에서 제2 재료(171)가 스퀴징된 후에, 본 도면에서와 같이 도전성 파우더(151)가 스퀴징됨에 의해, 절연성인 제2 재료(171)가 도전성 파우더(151)와 섞여서 도전 로드(150)의 통전 성능이 저하되는 일이 방지될 수 있다.
도 2(f)를 참조하면, 몸체(131)의 상단에는 상부 절연층(125)이 부착될 수 있다. 또한, 상부 절연층(125)의 홀에는 역시 스퀴징 방식에 의해 상부 범프(157)가 형성될 수 있다. 하부 범프(155)를 형성하기 위해서는, 도전홀(133)에 대응하는 홀을 가지는 필름을 하부 절연층(121)에 부착한 후 스퀴징 공정을 수행하고, 해당 필름을 제거하면 된다.
이제, 앞서와 다른 형태의 러버 소켓에 대해 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 러버 소켓(100')에 대한 단면도이다.
본 도면을 참조하면, 러버 소켓(100')은 앞선 실시예의 러버 소켓(100)과 대체로 동일하나, 홀딩 유닛(170')의 형태가 앞서와는 상이하다.
구체적으로, 홀딩 유닛(170')은 몸체(131)의 상단에서 하단까지 연장하지 않고, 상단에서 시작하여 하단에 못 미치는 지점까지만 연장 형성될 수 있다. 이를 위해서는, 수용홀(135') 역시 그러한 정도로만 가공되어야 한다.
수용홀(135') 및 홀딩 유닛(170')이 연장 형성되는 구간은, 높이 방향(H)을 따른 본체(130)의 높이의 50 ~ 70%에 대응할 수 있다.
이러한 경우에, 홀딩 유닛(170')은 몸체(131) 등이 고온 팽창, 저온 수축하려는 것을 방지하게 된다. 나아가, 몸체(131) 중 홀딩 유닛(170')이 형성되지 않은 하부 영역은 반도체 소자 등이 몸체(131)를 누르는 힘에 대응하여 수축하는 역할을 하게 된다. 그에 의해, 반도체 소자에 가해지는 반력이 줄어들게 되므로, 테스트 과정에서 반도체 소자가 손상될 가능성을 보다 줄일 수 있게 된다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 러버 소켓(100")에 대한 단면도이다.
본 도면을 참조하면, 러버 소켓(100")은 앞선 실시예의 러버 소켓(100')과 반대되는 형태를 갖는다.
구체적으로, 홀딩 유닛(170")은 몸체(131)의 하단에서 시작하여 상단에 못 미치는 지점까지만 연장 형성될 수 있다. 이를 위해서는, 수용홀(135")은 하부 절연층(121)을 관통하여 몸체(131)의 상단에 못 미치는 지점까지만 연장 형성된다.
수용홀(135") 및 홀딩 유닛(170")이 연장 형성되는 구간은, 앞선 실시예와 동일하게, 높이 방향(H)을 따른 본체(130)의 높이의 50 ~ 70%에 대응할 수 있다.
이 경우도, 홀딩 유닛(170")은 몸체(131) 등이 고온 팽창, 저온 수축하려는 것을 방지하게 된다. 나아가, 몸체(131) 중 홀딩 유닛(170")이 형성되지 않은 상부 영역은 반도체 소자 등이 몸체(131)를 누르는 힘에 대응하여 수축하는 역할을 하게 된다. 그에 의해, 반도체 소자에 가해지는 반력이 역시 줄어들게 되므로, 테스트 과정에서 반도체 소자가 손상될 가능성을 보다 줄일 수 있게 된다.
상기와 같은 반도체 소자 테스트용 러버 소켓은 위에서 설명된 실시예들의 구성과 작동 방식에 한정되는 것이 아니다. 상기 실시예들은 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 구성될 수도 있다.
본 발명은 반도체 소자 테스트용 러버 소켓 제조 분야에 산업상 이용 가능성이 있다.

Claims (9)

  1. 높이 방향으로 관통 형성된 복수의 도전홀을 구비하고, 절연성의 제1 재료로 형성된 본체;
    상기 복수의 도전홀에 도전성 파우더가 충전되어, 상기 높이 방향으로 배열되는 복수의 도전 로드; 및
    상기 제1 재료보다 내열성 및 내한성 중 적어도 하나가 더 우수한 제2 재료로 상기 본체에 내장되어, 온도 조건의 변동에도 상기 본체 및 상기 도전 로드의 형상이 유지되게 하는 홀딩 유닛을 포함하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 재료는, 저경도 실리콘 러버를 포함하고,
    상기 제2 재료는, 에폭시, 폴리이미드, 유리섬유, 및 고경도 실리콘 러버 중 적어도 하나를 포함하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 저경도 실리콘 러버의 쇼어 경도는 30 ~ 40A이고,
    상기 고경도 실리콘 러버의 쇼어 경도는 60 ~ 90A인, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 본체는,
    상기 높이 방향으로 연장 형성되는 수용홀을 더 포함하고,
    상기 홀딩 유닛은,
    상기 수용홀을 완충하도록 상기 수용홀에 삽입되는 것인, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 수용홀은,
    상기 본체의 상단 및 하단 중 어느 하나에서 시작되어 반대 단부에 못 미치도록 연장 형성되는 것인, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 수용홀이 연장 형성되는 구간은,
    상기 높이 방향을 따른 상기 본체의 높이의 50 ~ 70%에 대응하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 홀딩 유닛은,
    상기 제2 재료가 스퀴징에 의해 상기 수용홀에 채워진 후에 경화되어 성형된 것인, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 본체의 하부에 결합되고, 금속 재질로 형성되는 프레임; 및
    상기 프레임의 하부에 부착되며, 상기 도전 로드를 노출하는 하부 절연층을 더 포함하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 프레임의 상부에 부착되며, 상기 도전 로드를 노출하나 상기 홀딩 유닛은 덮는 상부 절연층을 더 포함하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101936781B1 (ko) * 2017-11-20 2019-04-03 (주)티에스이 비주얼 검사가 가능한 테스트용 러버 소켓 및 그의 제작 방법
KR101967401B1 (ko) * 2017-12-29 2019-04-10 에스케이하이닉스 주식회사 테스트 소켓
KR102090961B1 (ko) * 2018-10-25 2020-03-19 주식회사 오킨스전자 다수의 러버 소켓이 수직으로 적층되는 테스트 소켓
KR102103747B1 (ko) * 2018-10-25 2020-04-23 주식회사 오킨스전자 메탈-ｃｎｔ 복합체 및/또는 폴리머-ｃｎｔ 복합체를 포함하는 테스트 소켓
KR102270278B1 (ko) * 2020-04-10 2021-06-28 주식회사 오킨스전자 테스트 러버 소켓의 제조 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5075309B2 (ja) 2001-03-16 2012-11-21 日本発條株式会社 導電性接触子用支持体
KR101284212B1 (ko) 2012-04-27 2013-07-09 주식회사 아이에스시 위치정렬이 용이한 테스트용 소켓
KR20180049424A (ko) * 2016-11-01 2018-05-11 솔브레인멤시스(주) 테스트 하중을 수평방향으로 분산시키는 기능을 구비하는 이방 도전성 시트
KR101936783B1 (ko) 2017-10-10 2019-01-09 (주)티에스이 테스트용 러버 소켓 및 그의 제작 방법
KR102114110B1 (ko) * 2018-08-28 2020-05-25 주식회사 이노글로벌 양방향 도전성 모듈 및 이의 제조방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101936781B1 (ko) * 2017-11-20 2019-04-03 (주)티에스이 비주얼 검사가 가능한 테스트용 러버 소켓 및 그의 제작 방법
KR101967401B1 (ko) * 2017-12-29 2019-04-10 에스케이하이닉스 주식회사 테스트 소켓
KR102090961B1 (ko) * 2018-10-25 2020-03-19 주식회사 오킨스전자 다수의 러버 소켓이 수직으로 적층되는 테스트 소켓
KR102103747B1 (ko) * 2018-10-25 2020-04-23 주식회사 오킨스전자 메탈-ｃｎｔ 복합체 및/또는 폴리머-ｃｎｔ 복합체를 포함하는 테스트 소켓
KR102270278B1 (ko) * 2020-04-10 2021-06-28 주식회사 오킨스전자 테스트 러버 소켓의 제조 방법

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