KR101965907B1 - 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 - Google Patents

레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101965907B1
KR101965907B1 KR1020120078193A KR20120078193A KR101965907B1 KR 101965907 B1 KR101965907 B1 KR 101965907B1 KR 1020120078193 A KR1020120078193 A KR 1020120078193A KR 20120078193 A KR20120078193 A KR 20120078193A KR 101965907 B1 KR101965907 B1 KR 101965907B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
formula
hydrocarbon group
resin
monomer
Prior art date
Application number
KR1020120078193A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130010854A (ko
Inventor
고지 이찌까와
다까시 히라오까
히로무 사까모또
Original Assignee
스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 filed Critical 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
Publication of KR20130010854A publication Critical patent/KR20130010854A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101965907B1 publication Critical patent/KR101965907B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Hydrogenated Pyridines (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

화학식 (I)로 표시되는 구조 단위를 갖는 수지, 알칼리 수용액에 불용성 또는 난용성이지만 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 가용성이 되며, 화학식 (I)로 표시되는 구조 단위를 포함하지 않는 수지, 및 산발생제를 포함하는 레지스트 조성물을 제공한다.
Figure 112012057374777-pat00117

(식 중, R1, A1, A13, A14, X12, Rb1, Rb2, Lb1, 환 Wb1, Rb3, Rb4, m 및 Z1+은 본 명세서에 정의되어 있음)

Description

레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 {RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING RESIST PATTERN}
<관련 출원의 상호 참조>
본 출원은 2011년 7월 19일에 출원된 일본 출원 제2011-157522호의 우선권을 청구한다. 일본 출원 제2011-157522호의 전문은 본원에 참고로 포함된다.
본 발명은 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법에 관한 것이다.
화학식 (u-A) 및 화학식 (u-B)로 표시되는 구조 단위를 함유하는 중합체, 및 화학식 (u-B), 화학식 (u-C) 및 화학식 (u-D)로 표시되는 구조 단위를 함유하는 중합체를 포함하는 수지, 및 또한 산발생제를 함유하는 레지스트 조성물이, 특허문헌 JP-2010-197413A에 기재되어 있다.
Figure 112012057374777-pat00001
JP-2010-197413A
그러나, 통상의 레지스트 조성물로는, 레지스트 패턴 제조시의 노광 마진 (EL)이 항상 만족할만한 것은 아닐 수 있다.
본 발명은 하기 <1> 내지 <9>의 발명을 제공한다.
<1> 화학식 (I)로 표시되는 구조 단위를 갖는 수지,
알칼리 수용액에 불용성 또는 난용성이지만 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 가용성이 되며, 화학식 (I)로 표시되는 구조 단위를 포함하지 않는 수지, 및
화학식 (II)로 표시되는 산발생제
를 포함하는 레지스트 조성물.
Figure 112012057374777-pat00002
(식 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고;
A1은 C1 내지 C6의 알칸디일기를 나타내고;
A13은 하나 이상의 할로겐 원자를 가질 수도 있는 C1 내지 C18의 2가의 지방족 탄화수소기를 나타내고;
X12는 *-CO-O- 또는 *-O-CO-를 나타내고;
*는 A13에 대한 결합을 나타내고;
A14는 하나 이상의 할로겐 원자를 가질 수도 있는 C1 내지 C17의 지방족 탄화수소기를 나타냄)
Figure 112012057374777-pat00003
(식 중, Rb1 및 Rb2는 독립적으로 불소 원자 또는 C1 내지 C6의 퍼플루오로알킬기를 나타내고;
Lb1은 C1 내지 C17의 2가의 포화 탄화수소기를 나타내며, 상기 포화 탄화수소기 중 함유된 하나 이상의 -CH2-는 -O- 또는 -CO-로 치환될 수 있고;
환 Wb1은 C2 내지 C36의 헤테로사이클을 나타내고;
Rb3은 수소 원자 또는 C1 내지 C12의 탄화수소기를 나타내며, 상기 탄화수소기 중 함유된 하나 이상의 -CH2-는 -O- 또는 -CO-로 치환될 수 있고;
Rb4는 각 경우 독립적으로 C1 내지 C6의 탄화수소기를 나타내며, 상기 탄화수소기 중 함유된 하나 이상의 -CH2-는 -O- 또는 -CO-로 치환될 수 있고;
m은 0 내지 6의 정수를 나타내고;
Z1 +은 유기 양이온을 나타냄)
<2> 상기 <1>에 있어서, 화학식 (I) 중 A1이 에틸렌기인 레지스트 조성물.
<3> 상기 <1> 또는 <2>에 있어서, 화학식 (I) 중 A13이 C1 내지 C6의 퍼플루오로알칸디일기인 레지스트 조성물.
<4> 상기 <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 있어서, 화학식 (I) 중 X12가 *-CO-O-이고, *는 A13에 대한 결합을 나타내는 레지스트 조성물.
<5> 상기 <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 있어서, 화학식 (I) 중 A14가 시클로프로필메틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 노르보르닐 또는 아다만틸기인 레지스트 조성물.
<6> 상기 <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 있어서, 화학식 (II) 중 Lb1이 화학식 (L1-1)로 표시되는 기인 레지스트 조성물.
Figure 112012057374777-pat00004
(식 중, Lb2는 단일 결합 또는 C1 내지 C15의 2가의 포화 탄화수소기를 나타내고;
*는 -C(Rb1)(Rb2)-의 탄소 원자에 대한 결합을 나타냄)
<7> 상기 <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 있어서, 화학식 (II) 중 Z1 +이 트리아릴술포늄 양이온인 레지스트 조성물.
<8> 상기 <1> 내지 <7> 중 어느 하나에 있어서, 용제를 더 포함하는 레지스트 조성물.
<9> (1) 상기 <1> 내지 <8> 중 어느 하나에 기재된 레지스트 조성물을 기판 상에 도포하는 단계;
(2) 도포된 조성물을 건조하여 조성물층을 형성하는 단계;
(3) 조성물층을 노광하는 단계;
(4) 노광된 조성물층을 가열하는 단계; 및
(5) 가열된 조성물층을 현상하는 단계
를 포함하는 레지스트 패턴의 제조 방법.
본 명세서의 화학 구조식에서, 다르게 기재하지 않는 한, 예시된 치환기로 만들어진 탄소수의 적합한 선택은 그들 동일한 치환기를 갖는 모든 화학 구조식에 적용가능하다. 다르게 기재하지 않는 한, 이들은 직쇄, 분지쇄, 환식 구조 및 그의 조합 중 임의의 것을 포함할 수 있다. 입체이성체 형태가 존재하는 경우, 모든 입체이성체 형태가 포함된다.
"(메트)아크릴 단량체"는 "CH2=CH-CO-" 또는 "CH2=C(CH3)-CO-"의 구조를 갖는 적어도 하나의 단량체를 의미하며, 또한 "(메트)아크릴레이트" 및 "(메트)아크릴산"은 각각 "적어도 하나의 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트" 및 "적어도 하나의 아크릴산 또는 메타크릴산"을 의미한다.
<레지스트 조성물>
본 발명의 레지스트 조성물은
수지 (이하, 때때로 "수지 (A)"로 칭함), 및
화학식 (II)로 표시되는 산발생제 (이하, 때때로 "산발생제 (II)"로 칭함)를 함유한다.
또한, 본 발명의 레지스트 조성물은 바람직하게는 용제 (이하, 때때로 "용제 (E)"로 칭함) 및/또는 이 기술 분야에서 켄처로서 공지되어 있는 염기성 화합물 (이하, 때때로 "염기성 화합물 (C)"로 칭함)과 같은 첨가제를 필요에 따라 함유한다.
<수지 (A)>
수지 (A)는
화학식 (I)로 표시되는 구조 단위를 갖는 수지 (이하, 때때로 "수지 (A1)"로 칭함), 및
알칼리 수용액에 불용성 또는 난용성이지만 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 가용성이 되며, 화학식 (I)로 표시되는 구조 단위를 포함하지 않는 수지 (이하, 때때로 "수지 (A2)"로 칭함)를 포함한다.
또한, 수지 (A)는 수지 (A1) 및 수지 (A2) 이외의 구조 단위를 함유할 수 있다.
<수지 (A1)>
수지 (A1)은 화학식 (I)로 표시되는 구조 단위 (이하, 때때로 "구조 단위 (I)"로 칭함)를 갖는다.
Figure 112012057374777-pat00005
식 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고;
A1은 C1 내지 C6의 알칸디일기를 나타내고;
A13은 하나 이상의 할로겐 원자를 가질 수도 있는 C1 내지 C18의 2가의 지방족 탄화수소기를 나타내고;
X12는 *-CO-O- 또는 *-O-CO-를 나타내고;
*는 A13에 대한 결합을 나타내고;
A14는 하나 이상의 할로겐 원자를 가질 수도 있는 C1 내지 C17의 지방족 탄화수소기를 나타낸다.
화학식 (I) 중, A1의 알칸디일기의 예로는 메틸렌, 에틸렌, 프로판-1,3-디일, 프로판-1,2-디일, 부탄-1,4-디일, 펜탄-1,5-디일, 헥산-1,6-디일과 같은 쇄상 알칸디일기; 1-메틸프로판-1,3-디일, 2-메틸프로판-1,3-디일, 2-메틸프로판-1,2-디일, 1-메틸부탄-1,4-디일, 2-메틸부탄-1,4-디일기와 같은 분지쇄 알칸디일기를 들 수 있다.
A13의 할로겐 원자의 예로는 불소, 염소, 브롬 및 요오드 원자를 들 수 있다. 불소 원자가 바람직하다.
A13의 2가의 지방족 탄화수소기는 쇄상 및 환식 지방족 탄화수소기, 및 2개 이상의 이들 기의 조합 중 임의의 것일 수 있다. 지방족 탄화수소기는 탄소-탄소 이중 결합을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 포화 지방족 탄화수소기, 더 바람직하게는 알칸디일기 및 2가의 지환식 탄화수소기이다.
A13의 하나 이상의 할로겐 원자를 가질 수도 있는 지방족 탄화수소기는 바람직하게는 하나 이상의 불소 원자를 가질 수도 있는 포화 지방족 탄화수소기이다.
하나 이상의 할로겐 (바람직하게는 불소) 원자를 가질 수도 있는 2가의 쇄상 지방족 탄화수소기의 예로는 메틸렌, 디플루오로메틸렌, 에틸렌, 퍼플루오로에틸렌, 프로판디일, 퍼플루오로프로판디일, 부탄디일, 퍼플루오로부탄디일, 펜탄디일, 퍼플루오로펜탄디일, 디클로로메틸렌 및 디브로모메틸렌기를 들 수 있다.
하나 이상의 할로겐 (바람직하게는 불소) 원자를 가질 수도 있는 2가의 환식 지방족 탄화수소기는 단환식 또는 다환식 탄화수소기 중 어느 것일 수 있다. 이의 예로는 시클로헥산디일, 퍼플루오로시클로헥산디일 및 퍼클로로시클로헥산디일과 같은 단환식 지방족 탄화수소기; 아다만탄디일, 노르보르난디일 및 퍼플루오로아다만탄디일기와 같은 다환식 지방족 탄화수소기를 들 수 있다.
A14의 지방족 탄화수소기는 쇄상 및 환식 지방족 탄화수소기, 및 2개 이상의 이들 기의 조합 중 임의의 것일 수 있다. 지방족 탄화수소기는 탄소-탄소 이중 결합을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 포화 지방족 탄화수소기, 더 바람직하게는 알킬기 및 지환식 탄화수소기이다.
A14의 하나 이상의 할로겐 원자를 가질 수도 있는 지방족 탄화수소기는 바람직하게는 하나 이상의 불소 원자를 가질 수도 있는 포화 지방족 탄화수소기이다.
하나 이상의 할로겐 (바람직하게는 불소) 원자를 가질 수도 있는 쇄상 지방족 탄화수소기의 예로는 트리플루오로메틸, 디플루오로메틸, 메틸, 1,1,1-트리플루오로에틸, 1,1,2,2-테트라플루오로에틸, 에틸, 퍼플루오로에틸, 퍼플루오로프로필, 1,1,1,2,2-펜타플루오로프로필, 프로필, 퍼플루오로부틸, 1,1,2,2,3,3,4,4-옥타플루오로부틸, 부틸, 퍼플루오로펜틸, 1,1,1,2,2,3,3,4,4-노나플루오로펜틸, 펜틸, 헥실, 퍼플루오로헥실, 헵틸, 퍼플루오로헵틸, 옥틸, 퍼플루오로옥틸, 트리클로로메틸 및 트리브로모메틸기를 들 수 있다.
하나 이상의 할로겐 (바람직하게는 불소) 원자를 가질 수도 있는 환식 지방족 탄화수소기는 단환식 또는 다환식 탄화수소기 중 어느 것일 수 있다. 이의 예로는 시클로펜틸, 시클로헥실, 퍼플루오로시클로헥실 및 퍼클로로시클로헥실과 같은 단환식 지방족 탄화수소기; 아다만틸, 노르보르닐 및 퍼플루오로아다만틸기와 같은 다환식 지방족 탄화수소기를 들 수 있다.
쇄상 및 환식 지방족 탄화수소기의 조합의 예로는 시클로프로필메틸, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 아다만틸메틸 및 퍼플루오로아다만틸메틸기를 들 수 있다.
화학식 (I) 중 A1은 바람직하게는 C2 내지 C4의 알칸디일기, 더 바람직하게는 에틸렌기이다.
A13의 지방족 탄화수소기는 바람직하게는 C1 내지 C6의 지방족 탄화수소기, 더 바람직하게는 C2 내지 C3의 지방족 탄화수소기이다.
A14의 지방족 탄화수소기는 바람직하게는 C3 내지 C12의 지방족 탄화수소기, 더 바람직하게는 C3 내지 C10의 지방족 탄화수소기이다. 이들 중, A14는 바람직하게는 지환식 탄화수소기를 포함하는 C3 내지 C12의 지방족 탄화수소기, 더욱 바람직하게는 시클로프로필메틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 노르보르닐 및 아다만틸기이다.
구조 단위 (I)의 구체예로는 하기를 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00006
Figure 112012057374777-pat00007
또한, 구조 단위 (I)의 예로는 상기로 표시되는 구조 단위 중 R1에 해당하는 메틸기가 수소 원자로 치환된 구조 단위를 들 수 있다.
구조 단위 (I)는 화학식 (I')로 표시되는 화합물 (이하, 때때로 "화합물 (I')"로 칭함)로부터 유도된다.
Figure 112012057374777-pat00008
식 중, R1, A1, A13, X12 및 A14는 상기 정의와 동일하다.
화합물 (I')은 하기 방법으로 제조할 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00009
식 중, R1, A1, A13, X12 및 A14는 상기 정의와 동일하다.
화합물 (I')은 화학식 (Is-1)로 표시되는 화합물과 화학식 (Is-2)로 표시되는 카르복실산을 반응시킴으로써 얻을 수 있다. 상기 반응은 통상 용매의 존재하에 수행된다. 용매의 바람직한 예로는 테트라히드로푸란 및 톨루엔을 들 수 있다. 상기 반응은 공지된 에스테르화 촉매, 예를 들면 산 촉매, 카르보디이미드 촉매와 공존할 수 있다.
화학식 (Is-1)로 표시되는 화합물로서, 시판되는 제품 또는 공지된 방법으로 제조된 화합물을 사용할 수 있다. 공지된 방법은 (메트)아크릴산 또는 그의 유도체, 예를 들면 (메트)아크릴 클로라이드와, 적합한 디올 (HO-A1-OH)을 축합하는 방법을 포함한다. 히드록시에틸 메타크릴레이트는 시판되는 제품으로 사용할 수 있다.
화학식 (Is-2)로 표시되는 카르복실산은 공지된 방법으로 제조할 수 있다. 화학식 (Is-2)로 표시되는 카르복실산의 예로는 하기 화합물을 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00010
Figure 112012057374777-pat00011
수지 (A1)은 구조 단위 (I) 이외의 구조 단위를 포함할 수 있다.
구조 단위 (I) 이외의 구조 단위의 예로는 하기 기재된 산불안정기를 갖는 단량체 (이하, 때때로 "산불안정 단량체 (a1)"로 칭함)로부터 유도되는 구조 단위, 하기 기재된 산불안정기를 갖지 않는 단량체 (이하, 때때로 "산안정 단량체"로 칭함)로부터 유도되는 구조 단위, 하기 기재된 화학식 (III-1)로 표시되는 구조 단위 (이하, 때때로 "구조 단위 (III-1)"로 칭함), 하기 기재된 화학식 (III-2)로 표시되는 구조 단위 (이하, 때때로 "구조 단위 (III-2)"로 칭함), 이 기술 분야에서 공지된 단량체로부터 유도되는 구조 단위를 들 수 있다. 이들 중, 구조 단위 (III-1) 및 구조 단위 (III-2)가 바람직하다.
Figure 112012057374777-pat00012
식 중, R11은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고;
A11은 C1 내지 C6의 알칸디일기를 나타내고;
R12는 불소 원자를 갖는 C1 내지 C10의 탄화수소기를 나타낸다.
Figure 112012057374777-pat00013
식 중, R21은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고;
환 W2는 C6 내지 C10의 탄화수소환을 나타내고;
A22는 -O-, *-CO-O- 또는 *-O-CO-를 나타내며, *는 환 W2에 대한 결합을 나타내고;
R22는 불소 원자를 갖는 C1 내지 C6의 알킬기를 나타낸다.
화학식 (III-1) 중, A11의 알칸디일기의 예로는 메틸렌, 에틸렌, 프로판-1,3-디일, 프로판-1,2-디일, 부탄-1,4-디일, 펜탄-1,5-디일, 헥산-1,6-디일과 같은 쇄상 알칸디일기; 1-메틸프로판-1,3-디일, 2-메틸프로판-1,3-디일, 2-메틸프로판-1,2-디일, 1-메틸부탄-1,4-디일 및 2-메틸부탄-1,4-디일기와 같은 분지쇄 알칸디일기를 들 수 있다.
R12의 불소 원자를 갖는 탄화수소기는 불소 원자를 갖는 알킬기 및 불소 원자를 갖는 지환식 탄화수소기일 수 있다.
알킬기의 예로는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, sec-부틸, tert-부틸, 이소부틸, n-펜틸, 이소펜틸, tert-펜틸, 네오펜틸 및 헥실기를 들 수 있다.
불소 원자를 갖는 알킬기의 예로는 하기 기재된 기, 디플루오로메틸, 트리플루오로메틸, 1,1-디플루오로에틸, 2,2-디플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 퍼플루오로에틸, 1,1,2,2-테트라플루오로프로필, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로프로필, 퍼플루오로에틸메틸, 1-(트리플루오로메틸)-1,2,2,2-테트라플루오로에틸, 퍼플루오로프로필, 1,1,2,2-테트라플루오로부틸, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로부틸, 1,1,2,2,3,3,4,4-옥타플루오로부틸, 퍼플루오로부틸, 1,1-비스(트리플루오로)메틸-2,2,2-트리플루오로에틸, 2-(퍼플루오로프로필)에틸, 1,1,2,2,3,3,4,4-옥타플루오로펜틸, 퍼플루오로펜틸, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-데카플루오로펜틸, 1,1-비스(트리플루오로메틸)-2,2,3,3,3-펜타플루오로프로필, 퍼플루오로펜틸, 2-(퍼플루오로부틸)에틸, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-데카플루오로헥실, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-도데카플루오로헥실, 퍼플루오로펜틸메틸 및 퍼플루오로헥실기와 같은 불화 알킬기를 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00014
지환식 탄화수소기는 바람직하게는 하나의 수소 원자가 제거된 지방족 탄화수소기의 포화 환이다. 지방족 탄화수소기의 포화 환의 예로는 하기의 기를 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00015
불소 원자를 갖는 지환식 탄화수소기의 예로는 퍼플루오로시클로헥실 및 퍼플루오로아다만틸기와 같은 불화 시클로알킬기를 들 수 있다.
환 W2의 탄화수소환은 지환식 탄화수소환, 바람직하게는 포화 지환식 탄화수소환이다. 포화 지환식 탄화수소환의 예로는 아다만탄 및 시클로헥산환을 들 수 있으며, 아다만탄환이 바람직하다.
구조 단위 (III-1)의 예로는 하기의 구조 단위를 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00016
Figure 112012057374777-pat00017
또한, 구조 단위 (III-1)의 예로는 상기로 표시되는 구조 단위 중 R11에 해당하는 메틸기가 수소 원자로 치환된 구조 단위를 들 수 있다.
구조 단위 (III-2)의 예로는 하기의 구조 단위를 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00018
또한, 구조 단위 (III-2)의 예로는 상기로 표시되는 구조 단위 중 R21에 해당하는 메틸기가 수소 원자로 치환된 구조 단위를 들 수 있다.
수지 (A1) 중 구조 단위 (I)의 분율은 수지 (A1)을 구성하는 총 구조 단위 (100 몰％)에 대하여 일반적으로 5 내지 100 몰％, 바람직하게는 10 내지 100 몰％이다.
수지 (A1)이 구조 단위 (III-1) 및/또는 구조 단위 (III-2)를 함유하는 경우, 수지 (A1) 중 그의 총 분율은 수지 (A1)을 구성하는 총 구조 단위 (100 몰％)에 대하여 일반적으로 1 내지 95 몰％, 바람직하게는 2 내지 80 몰％, 더 바람직하게는 5 내지 70 몰％, 더욱 바람직하게는 5 내지 50 몰％, 특히 바람직하게는 5 내지 30 몰％이다.
구조 단위 (III-1):구조 단위 (III-2)의 중량비는 바람직하게는 예를 들어 0:100 내지 100:0, 더 바람직하게는 3:97 내지 97:3, 더욱 바람직하게는 50:50 내지 95:5이다.
수지 (A1) 중 구조 단위 (I), 구조 단위 (III-1) 및/또는 구조 단위 (III-2)의 분율을 상기 범위 내로 달성하기 위해, 사용되는 화합물 (I'), 구조 단위 (III-1)을 제공하는 단량체 및/또는 구조 단위 (III-2)를 제공하는 단량체의 양을 수지 (A1) 제조시에 사용되는 단량체의 총량에 대하여 조정할 수 있다 (이하 상응하는 분율 조정에 대해서도 동일하게 적용됨).
수지 (A1)은 하나 이상의 화합물 (I'), 구조 단위 (III-1)을 제공하는 하나 이상의 단량체 및/또는 구조 단위 (III-2)를 제공하는 하나 이상의 단량체, 및 또한 임의로는 하기 기재된 하나 이상의 산불안정 단량체 (a1), 하나 이상의 산안정 단량체 및/또는 하나 이상의 공지된 화합물을 사용하여 공지된 중합 방법, 예를 들면 라디칼 중합 방법으로 제조할 수 있다.
수지 (A1)의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 5,000 이상 (더 바람직하게는 7,000 이상, 더욱 바람직하게는 10,000 이상), 및 80,000 이하 (더 바람직하게는 50,000 이하, 더욱 바람직하게는 30,000 이하)이다.
중량 평균 분자량은 표준 물질로서 폴리스티렌을 이용하여 겔 투과 크로마토그래피에 의해 측정되는 값이다. 이 분석법의 상세한 조건은 실시예에 기재한다.
<수지 (A2)>
수지 (A2)는 알칼리 수용액에 불용성 또는 난용성이지만 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 가용성이 되는 특성을 갖는 수지이다. 여기서 "산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 가용성이 되는 수지"는, 산불안정기를 가지며, 산과의 접촉 전에는 알칼리 수용액에 불용성 또는 난용성이지만 산과의 접촉 후에는 알칼리 수용액에 가용성이 되는 수지를 의미한다.
따라서, 수지 (A2)는 바람직하게는 산불안정 단량체 (a1)로부터 유도되는 하나 이상의 구조 단위를 갖는 수지이다.
또한, 수지 (A2)가 상기한 특성을 가지며 구조 단위 (I)을 갖지 않는 한, 수지 (A2)는 산불안정기를 갖는 구조 단위 이외의 구조 단위를 포함할 수 있다.
산불안정기를 갖는 구조 단위 이외의 구조 단위의 예로는 산안정 단량체로부터 유도되는 구조 단위, 이 기술 분야에서 공지된 단량체로부터 유도되는 구조 단위, 상기 기재된 구조 단위 (III-1) 및/또는 구조 단위 (III-2)를 들 수 있다.
<산불안정 단량체 (a1)>
"산불안정기"는 제거기를 가지며, 상기 제거기가 산과의 접촉에 의해 탈리되어 히드록시 또는 카르복시기와 같은 친수성기를 형성하는 기를 의미한다. 산불안정기의 예로는 화학식 (1)로 표시되는 기 및 화학식 (2)로 표시되는 기를 들 수 있다. 이하, 화학식 (1)로 표시되는 기를 때때로 "산불안정기 (1)"로 칭하고, 화학식 (2)로 표시되는 기를 때때로 "산불안정기 (2)"로 칭한다.
Figure 112012057374777-pat00019
식 중, Ra1 내지 Ra3은 독립적으로 C1 내지 C8의 알킬기 또는 C3 내지 C20의 지환식 탄화수소기를 나타내거나, Ra1 및 Ra2는 함께 결합하여 C2 내지 C20의 2가의 탄화수소기를 형성할 수 있고, *는 결합을 나타낸다. 특히, 여기서 결합은 결합 부위를 나타낸다 (이하 "결합"에 대해서도 마찬가지로 적용됨).
Figure 112012057374777-pat00020
식 중, Ra1' 및 Ra2'는 독립적으로 수소 원자 또는 C1 내지 C12의 탄화수소기를 나타내고, Ra3'은 C1 내지 C20의 탄화수소기를 나타내거나, Ra2' 및 Ra3'은 함께 결합하여 C2 내지 C20의 2가의 탄화수소기를 형성할 수 있으며, 상기 탄화수소기 또는 2가의 탄화수소기 중 함유된 하나 이상의 -CH2-는 -O- 또는 -S-로 치환될 수 있고, *는 결합을 나타낸다.
Ra1 내지 Ra3의 알킬기의 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸 및 헥실기를 들 수 있다.
Ra1 내지 Ra3의 지환식 탄화수소기의 예로는 시클로알킬기, 즉 시클로펜틸, 시클로헥실, 메틸시클로헥실, 디메틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸기와 같은 단환식 탄화수소기; 및 데카히드로나프틸, 아다만틸, 노르보르닐 (즉, 비시클로[2.2.1]헵틸) 및 메틸노르보르닐기 및 또한 하기의 기와 같은 다환식 탄화수소기를 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00021
Ra1 내지 Ra3의 지환식 탄화수소기 중 함유된 수소 원자는 알킬기로 치환될 수 있다. 이 경우, 지환식 탄화수소기의 탄소수는 알킬기 및 지환식 탄화수소기의 총 탄소수에 필적한다.
Ra1 내지 Ra3의 지환식 탄화수소기는 바람직하게는 탄소 원자수가 3 내지 16이고, 더 바람직하게는 탄소 원자수가 4 내지 16이다.
Ra1 및 Ra2가 함께 결합하여 C2 내지 C20의 2가의 탄화수소기를 형성하는 경우, 기 -C(Ra1)(Ra2)(Ra3)의 예로는 하기의 기를 들 수 있다. 2가의 탄화수소기는 바람직하게는 탄소 원자수가 3 내지 12이다. *는 -O-에 대한 결합을 나타낸다.
Figure 112012057374777-pat00022
산불안정기 (1)의 구체예로는, 예를 들면
1,1-디알킬알콕시카르보닐기 (화학식 (1) 중 Ra1 내지 Ra3이 알킬기인 기, 바람직하게는 tert-부톡시카르보닐기),
2-알킬아다만탄-2-일옥시카르보닐기 (화학식 (1) 중 Ra1, Ra2 및 탄소 원자가 아다만틸기를 형성하고, Ra3이 알킬기인 기), 및
1-(아다만탄-1-일)-1-알킬알콕시카르보닐기 (화학식 (1) 중 Ra1 및 Ra2가 알킬기이고, Ra3이 아다만틸기인 기)를 들 수 있다.
Ra1' 내지 Ra3'의 탄화수소기는 알킬기, 지환식 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기 중 임의의 것일 수 있다.
방향족 탄화수소기의 예로는 페닐, 나프틸, 안트릴, p-메틸페닐, p-tert-부틸페닐, p-아다만틸페닐, 톨릴, 크실릴, 쿠메닐, 메시틸, 비페닐, 페난트릴, 2,6-디에틸페닐 및 2-메틸-6-에틸페닐기와 같은 아릴기를 들 수 있다.
Ra2' 및 Ra3'이 결합하여 형성하는 2가의 탄화수소기의 예로는 2가의 지방족 탄화수소기를 들 수 있다.
Ra1' 및 Ra2' 중 적어도 하나는 바람직하게는 수소 원자이다.
산불안정기 (2)의 구체예로는 하기의 기를 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00023
산불안정 단량체 (a1)은 바람직하게는 산불안정기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 단량체, 더 바람직하게는 산불안정기를 갖는 (메트)아크릴 단량체이다.
산불안정기를 갖는 (메트)아크릴 단량체 중에서, C5 내지 C20의 지환식 탄화수소기를 갖는 단량체가 바람직하다. 지환식 탄화수소기와 같은 부피가 큰 구조를 갖는 단량체를 중합하여 얻을 수 있는 수지를 사용하는 경우, 레지스트 패턴 제조시에 해상도가 우수한 레지스트 조성물이 얻어지는 경향이 있다.
산불안정기 (1) 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 (메트)아크릴 단량체의 예로는 바람직하게는 하기 화학식 (a1-1)로 표시되는 단량체 및 화학식 (a1-2)로 표시되는 단량체 (이하, 때때로 "단량체 (a1-1)" 및 "단량체 (a1-2)"로 칭함)를 들 수 있다. 이들은 단일 단량체 또는 2종 이상의 단량체의 조합일 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00024
식 중, La1 및 La2는 독립적으로 *-O- 또는 *-O-(CH2)k1-CO-O-를 나타내며, k1은 1 내지 7의 정수를 나타내고, *는 카르보닐기에 대한 결합을 나타내고;
Ra4 및 Ra5는 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고;
Ra6 및 Ra7은 독립적으로 C1 내지 C8의 알킬기 또는 C3 내지 C10의 지환식 탄화수소기를 나타내고;
m1은 0 내지 14의 정수를 나타내고;
n1은 0 내지 10의 정수를 나타내고;
n1'은 0 내지 3의 정수를 나타낸다.
화학식 (a1-1) 및 화학식 (a1-2) 중, La1 및 La2는 바람직하게는 *-O- 또는 *-O-(CH2)k1'-CO-O-이며, 여기서 k1'은 1 내지 4의 정수, 더 바람직하게는 1을 나타내고, 더 바람직하게는 *-O이다.
Ra4 및 Ra5는 바람직하게는 메틸기이다.
Ra6 및 Ra7의 알킬기의 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실 및 옥틸기를 들 수 있다. 이들 중, Ra6 및 Ra7의 알킬기는 바람직하게는 C1 내지 C6의 알킬기이다.
Ra6 및 Ra7의 지환식 탄화수소기의 예로는 시클로펜틸, 시클로헥실, 메틸시클로헥실, 디메틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸기와 같은 단환식 탄화수소기; 및 데카히드로나프틸, 아다만틸, 노르보르닐 (즉, 비시클로[2.2.1]헵틸) 및 메틸노르보르닐기, 및 또한 상기 기와 같은 다환식 탄화수소기를 들 수 있다. 이들 중, Ra6 및 Ra7의 지환식 탄화수소기는 바람직하게는 C3 내지 C8의 지환식 탄화수소기, 더 바람직하게는 C3 내지 C6의 지환식 탄화수소기이다.
m1은 바람직하게는 0 내지 3의 정수, 더 바람직하게는 0 또는 1이다.
n1은 바람직하게는 0 내지 3의 정수, 더 바람직하게는 0 또는 1이다.
n1'은 바람직하게는 0 또는 1, 더 바람직하게는 1이다.
단량체 (a1-1)의 예로는 JP 2010-204646A에 기재되어 있는 단량체를 들 수 있다. 이들 중, 단량체는 바람직하게는 하기 화학식 (a1-1-1) 내지 화학식 (a1-1-8)로 표시되는 단량체, 더 바람직하게는 화학식 (a1-1-1) 내지 화학식 (a1-1-4)로 표시되는 단량체이다.
Figure 112012057374777-pat00025
단량체 (a1-2)의 예로는 1-에틸-1-시클로펜탄-1-일 (메트)아크릴레이트, 1-에틸-1-시클로헥산-1-일 (메트)아크릴레이트, 1-에틸-1-시클로헵탄-1-일 (메트)아크릴레이트, 1-메틸-1-시클로펜탄-1-일 (메트)아크릴레이트 및 1-이소프로필-1-시클로펜탄-1-일 (메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 이들 중, 단량체는 바람직하게는 하기 화학식 (a1-2-1) 내지 화학식 (a1-2-12)로 표시되는 단량체, 더 바람직하게는 화학식 (a1-2-3), 화학식 (a1-2-4), 화학식 (a1-2-9) 및 화학식 (a1-2-10)으로 표시되는 단량체, 더욱 바람직하게는 화학식 (a1-2-3) 및 화학식 (a1-2-9)로 표시되는 단량체이다.
Figure 112012057374777-pat00026
수지 (A2)가 구조 단위 (a1-1) 및/또는 구조 단위 (a1-2)를 함유하는 경우, 그의 총 분율은 수지 (A2)의 총 구조 단위 (100 몰％)에 대하여 일반적으로 10 내지 95 몰％, 바람직하게는 15 내지 90 몰％, 더 바람직하게는 20 내지 85 몰％이다.
산불안정기 (2) 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 단량체의 예로는 화학식 (a1-5)로 표시되는 단량체를 들 수 있다. 이하, 이러한 단량체를 때때로 "단량체 (a1-5)"로 칭한다. 수지 (A2)가 단량체 (a1-5)로부터 유도되는 구조 단위를 갖는 경우, 결함이 거의 없는 레지스트 패턴이 얻어지는 경향이 있다.
Figure 112012057374777-pat00027
식 중, R31은 수소 원자, 할로겐 원자 또는 할로겐 원자를 가질 수도 있는 C1 내지 C6의 알킬기를 나타내고;
Z1은 단일 결합 또는 *-O-(CH2)k4-CO-L4-를 나타내며, k4는 1 내지 4의 정수를 나타내고, *는 L1에 대한 결합을 나타내고;
L1, L2, L3 및 L4는 독립적으로 *-O- 또는 *-S-를 나타내고;
s1은 1 내지 3의 정수를 나타내고;
s1'은 0 내지 3의 정수를 나타낸다.
화학식 (a1-5) 중, R31은 바람직하게는 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기이고;
L1은 바람직하게는 -O-이고;
L2 및 L3는 독립적으로 바람직하게는 *-O- 또는 *-S-, 더 바람직하게는 하나는 -O-이며 다른 하나는 -S-이고;
s1은 바람직하게는 1이고;
s1'은 바람직하게는 0 내지 2의 정수이고;
Z1은 바람직하게는 단일 결합 또는 -CH2-CO-O-이다.
단량체 (a1-5)의 예로는 하기의 단량체를 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00028
Figure 112012057374777-pat00029
Figure 112012057374777-pat00030
Figure 112012057374777-pat00031
Figure 112012057374777-pat00032
Figure 112012057374777-pat00033
수지 (A2)가 단량체 (a1-5)로부터 유도되는 구조 단위를 함유하는 경우, 그의 분율은 수지 (A2)를 구성하는 총 구조 단위 (100 몰％)에 대하여 일반적으로 1 내지 50 몰％, 바람직하게는 3 내지 45 몰％, 더 바람직하게는 5 내지 40 몰％이다.
<산안정 단량체>
산안정 단량체로서, 히드록시기 또는 락톤환을 갖는 단량체가 바람직하다. 히드록시기를 갖는 단량체 (이하, 이러한 산안정 단량체를 때때로 "산안정 단량체 (a2)"로 칭함) 또는 락톤환을 갖는 산안정 단량체 (이하, 이러한 산안정 단량체를 때때로 "산안정 단량체 (a3)"으로 칭함)로부터 유도되는 구조 단위를 함유하는 수지를 사용하는 경우, 기판에 대한 레지스트 패턴의 접착성 및 레지스트 패턴의 해상성이 향상되는 경향이 있다.
<산안정 단량체 (a2)>
히드록시기를 갖는 산안정 단량체 (a2)는, 바람직하게는 레지스트 패턴 제조시의 노출 광원의 종류에 따라 선택된다.
레지스트 조성물에 대해 KrF 엑시머 레이저 리소그래피 (248 nm), 또는 전자 빔 또는 EUV광과 같은 고에너지 조사를 사용하는 경우, 산안정 단량체 (a2)로서 히드록시스티렌과 같이 페놀성 히드록시기를 갖는 산안정 단량체를 사용하는 것이 바람직하다.
ArF 엑시머 레이저 리소그래피 (193 nm), 즉 단파장 엑시머 레이저 리소그래피를 사용하는 경우, 산안정 단량체 (a2)로서 화학식 (a2-1)로 표시되는 히드록시아다만틸기를 갖는 산안정 단량체를 사용하는 것이 바람직하다.
히드록시기를 갖는 산안정 단량체 (a2)는 단일 단량체 또는 2종 이상의 단량체의 조합으로 사용할 수 있다.
히드록시아다만틸을 갖는 산안정 단량체의 예로는 화학식 (a2-1)로 표시되는 단량체를 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00034
식 중, La3은 -O- 또는 *-O-(CH2)k2-CO-O-를 나타내고;
k2는 1 내지 7의 정수를 나타내고;
*는 -CO-에 대한 결합을 나타내고;
Ra14는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고;
Ra15 및 Ra16은 독립적으로 수소 원자, 메틸기 또는 히드록시기를 나타내고;
o1은 0 내지 10의 정수를 나타낸다.
화학식 (a2-1) 중, La3은 바람직하게는 -O-, -O-(CH2)f1-CO-O-이며, 여기서 f1은 1 내지 4의 정수를 나타내고, 더 바람직하게는 -O-이다.
Ra14는 바람직하게는 메틸기이다.
Ra15는 바람직하게는 수소 원자이다.
Ra16은 바람직하게는 수소 원자 또는 히드록시기이다.
o1은 바람직하게는 0 내지 3의 정수, 더 바람직하게는 0 또는 1의 정수이다.
산안정 단량체 (a2-1)의 예로는 JP 2010-204646A에 기재되어 있는 단량체를 들 수 있다. 이들 중, 단량체는 바람직하게는 하기 화학식 (a2-1-1) 내지 화학식 (a2-1-6)으로 표시되는 단량체, 더 바람직하게는 화학식 (a2-1-1) 내지 화학식 (a2-1-4)로 표시되는 단량체, 더욱 바람직하게는 화학식 (a2-1-1) 및 화학식 (a2-1-3)으로 표시되는 단량체이다.
Figure 112012057374777-pat00035
수지 (A2)가 화학식 (a2-1)로 표시되는 단량체로부터 유도되는 산안정 구조 단위를 함유하는 경우, 그의 분율은 수지 (A2)를 구성하는 총 구조 단위 (100 몰％)에 대하여 일반적으로 3 내지 45 몰％, 바람직하게는 5 내지 40 몰％, 더 바람직하게는 5 내지 35 몰％, 더욱 바람직하게는 5 내지 30 몰％이다.
<산안정 단량체 (a3)>
산안정 단량체 (a3) 중 포함된 락톤환은 β-프로피오락톤환, γ-부티로락톤, δ-발레로락톤과 같은 단환식 화합물, 또는 단환식 락톤환과 다른 환의 축합환일 수 있다. 이들 중, γ-부티로락톤 및 γ-부티로락톤과 다른 환의 축합환이 바람직하다.
락톤환을 갖는 산안정 단량체 (a3)의 예로는 화학식 (a3-1), 화학식 (a3-2) 및 화학식 (a3-3)으로 표시되는 단량체를 들 수 있다. 이들 단량체는 단일 단량체 또는 2종 이상의 단량체의 조합으로 사용할 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00036
식 중, La4 내지 La6은 독립적으로 -O- 또는 *-O-(CH2)k3-CO-O-를 나타내고;
k3은 1 내지 7의 정수를 나타내고, *는 -CO-에 대한 결합을 나타내고;
Ra18 내지 Ra20은 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고;
Ra21은 각 경우 C1 내지 C4의 알킬기를 나타내고;
p1은 0 내지 5의 정수를 나타내고;
Ra22 내지 Ra23은 각 경우 독립적으로 카르복시기, 시아노기 및 C1 내지 C4의 알킬기를 나타내고;
q1 및 r1은 독립적으로 0 내지 3의 정수를 나타낸다.
화학식 (a3-1) 내지 (a3-3) 중, La4 내지 La6은 상기 La3에 기재된 기와 동일한 것을 들 수 있고, 독립적으로 바람직하게는 -O-, *-O-(CH2)k3'-CO-O-이며, 여기서 k3'은 1 내지 4의 정수 (바람직하게는 1)를 나타내고, 더 바람직하게는 -O-이고;
Ra18 내지 Ra21은 독립적으로 바람직하게는 메틸기이다.
Ra22 및 Ra23은 독립적으로 바람직하게는 카르복시기, 시아노기 또는 메틸기이고;
p1 내지 r1은 독립적으로 바람직하게는 0 내지 2의 정수, 더 바람직하게는 0 또는 1의 정수이다.
단량체 (a3)의 예로는 JP 2010-204646A에 기재되어 있는 단량체를 들 수 있다. 이들 중, 단량체는 바람직하게는 하기 화학식 (a3-1-1) 내지 화학식 (a3-1-4), 화학식 (a3-2-1) 내지 화학식 (a3-2-4), 화학식 (a3-3-1) 내지 화학식 (a3-3-4)로 표시되는 단량체, 더 바람직하게는 화학식 (a3-1-1) 내지 화학식 (a3-1-2), 화학식 (a3-2-3) 내지 화학식 (a3-2-4)로 표시되는 단량체, 더욱 바람직하게는 화학식 (a3-1-1) 및 화학식 (a3-2-3)으로 표시되는 단량체이다.
Figure 112012057374777-pat00037
Figure 112012057374777-pat00038
수지 (A2)가 락톤환을 갖는 산안정 단량체 (a3)으로부터 유도되는 구조 단위를 함유하는 경우, 그의 총 분율은 수지 (A2)를 구성하는 총 구조 단위 (100 몰％)에 대하여 바람직하게는 5 내지 70 몰％, 더 바람직하게는 10 내지 65 몰％, 더욱 바람직하게는 15 내지 60 몰％이다.
수지 (A2)가 산불안정 단량체 (a1) 및 산안정 단량체의 공중합체인 경우, 산불안정 단량체 (a1)로부터 유도되는 구조 단위의 분율은 수지 (A2)를 구성하는 총 구조 단위 (100 몰％)에 대하여 바람직하게는 10 내지 80 몰％, 더 바람직하게는 20 내지 60 몰％이다.
수지 (A2)는 바람직하게는 아다만틸기를 갖는 단량체 (특히, 산불안정기를 갖는 단량체 (a1-1))로부터 유도되는 구조 단위를 산불안정 단량체 (a1)로부터 유도되는 구조 단위에 대하여 15 몰％ 이상 함유한다. 아다만틸기를 갖는 단량체로부터 유도되는 구조 단위의 몰 비율이 상기 범위 내에서 증가함에 따라, 생성된 레지스트의 드라이 에칭 내성이 향상된다.
수지 (A2)는 바람직하게는 산불안정 단량체 (a1) 및 산안정 단량체의 공중합체이다. 상기 공중합체 중, 산불안정 단량체 (a1)은 바람직하게는 아다만틸기를 갖는 산불안정 단량체 (a1-1) 및 시클로헥실기를 갖는 산불안정 단량체 (a1-2) 중 적어도 하나이며, 더 바람직하게는 산불안정 단량체 (a1-1)이다.
산안정 단량체는 바람직하게는 히드록시기를 갖는 산안정 단량체 (a2) 및/또는 락톤환을 갖는 산안정 단량체 (a3)이다. 산안정 단량체 (a2)는 바람직하게는 히드록시아다만틸기를 갖는 단량체 (a2-1)이다.
산안정 단량체 (a3)은 바람직하게는 γ-부티로락톤환을 갖는 단량체 (a3-1) 및 γ-부티로락톤환과 노르보르넨환의 축합환을 갖는 단량체 (a3-2) 중 적어도 하나이다.
수지 (A2)는 하나 이상의 산불안정 단량체 (a1) 및/또는 하나 이상의 히드록시기를 갖는 산안정 단량체 (a2) 및/또는 하나 이상의 락톤환을 갖는 산안정 단량체 (a3) 및/또는 하나 이상의 공지된 화합물을 사용하여 공지된 중합 방법, 예를 들면 라디칼 중합 방법으로 제조할 수 있다.
수지 (A2)의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 2,500 이상 (더 바람직하게는 3,000 이상, 더욱 바람직하게는 4,000 이상), 및 50,000 이하 (더 바람직하게는 30,000 이하, 더욱 바람직하게는 10,000 이하)이다.
본 발명의 레지스트 조성물 중, 수지 (A1)/(A2)의 중량비는 바람직하게는 예를 들어 0.01/10 내지 5/10, 더 바람직하게는 0.05/10 내지 3/10, 더욱 바람직하게는 0.1/10 내지 2/10, 특히 바람직하게는 0.2/10 내지 1/10이다.
<수지 (A1) 및 수지 (A2) 이외의 수지>
본 발명의 레지스트 조성물은 상기 기재된 수지 (A1) 및 수지 (A2) 이외의 수지를 포함할 수 있다. 이러한 수지는 상기 기재된 하나 이상의 산불안정 단량체 (a1)로부터 유도되는 구조 단위, 하나 이상의 산안정 단량체로부터 유도되는 구조 단위 및/또는 하나 이상의 이 기술 분야에서 공지된 단량체로부터 유도되는 구조 단위를 갖는 수지이다.
수지 (A)의 분율은 레지스트 조성물의 총 고체 분율에 대하여 조정할 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 레지스트 조성물은 레지스트 조성물의 총 고체 분율에 대하여 바람직하게는 80 중량％ 이상 및 99 중량％ 이하의 수지 (A)를 함유한다.
본 명세서에서, 용어 "레지스트 조성물의 고체 분율"은 용제 (E) 이외의 모든 성분의 전체 분율을 의미한다.
수지 (A)의 분율 및 레지스트 조성물의 고체 분율은, 예를 들면 액체 크로마토그래피 및 기체 크로마토그래피와 같은 공지된 분석 방법으로 측정할 수 있다.
<산발생제 (II)>
본 발명의 레지스트 조성물에 포함되는 산발생제는 화학식 (II)로 표시된다.
Figure 112012057374777-pat00039
식 중, Rb1 및 Rb2는 독립적으로 불소 원자 또는 C1 내지 C6의 퍼플루오로알킬기를 나타내고;
Lb1은 C1 내지 C17의 2가의 포화 탄화수소기를 나타내며, 상기 포화 탄화수소기 중 함유된 하나 이상의 -CH2-는 -O- 또는 -CO-로 치환될 수 있고;
환 Wb1은 C2 내지 C36의 헤테로사이클을 나타내고;
Rb3은 수소 원자 또는 C1 내지 C12의 탄화수소기를 나타내며, 상기 탄화수소기 중 함유된 하나 이상의 -CH2-는 -O- 또는 -CO-로 치환될 수 있고;
Rb4는 각 경우 독립적으로 C1 내지 C6의 탄화수소기를 나타내며, 상기 탄화수소기 중 함유된 하나 이상의 -CH2-는 -O- 또는 -CO-로 치환될 수 있고;
m은 0 내지 6의 정수를 나타내고;
Z1 +은 유기 양이온을 나타낸다.
화학식 (II) 중, 양전하를 갖는 유기 양이온 Z1 +이 제거된 음전하를 갖는 잔기를 때때로 술포네이트 음이온으로 칭한다.
Rb1 및 Rb2의 퍼플루오로알킬기의 예로는 트리플루오로메틸, 퍼플루오로에틸, 퍼플루오로프로필, 퍼플루오로이소프로필, 퍼플루오로부틸, 퍼플루오로-sec-부틸, 퍼플루오로-tert-부틸, 퍼플루오로펜틸 및 퍼플루오로헥실기를 들 수 있다.
Lb1의 2가의 포화 탄화수소기는 직쇄 알칸디일기, 분지쇄 알칸디일기, 단환식 또는 다환식 2가의 포화 지환식 탄화수소기일 수 있으며, 이들의 2종 이상을 조합할 수 있다.
직쇄 알칸디일기의 구체예로는 메틸렌, 에틸렌, 프로판-1,3-디일, 프로판-1,2-디일, 부탄-1,4-디일, 펜탄-1,5-디일, 헥산-1,6-디일, 헵탄-1,7-디일, 옥탄-1,8-디일, 노난-1,9-디일, 데칸-1,10-디일, 운데칸-1,11-디일, 도데칸-1,12-디일, 트리데칸-1,13-디일, 테트라데칸-1,14-디일, 펜타데칸-1,15-디일, 헥사데칸-1,16-디일, 헵타데칸-1,17-디일, 에탄-1,1-디일, 프로판-1,1-디일 및 프로판-2,2-디일기를 들 수 있다.
분지쇄 알칸디일기의 구체예로는 직쇄 알칸디일기에 알킬기 (특히 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, sec-부틸, tert-부틸기와 같은 C1 내지 C4의 알킬기)의 측쇄가 있는 기, 예를 들면 부탄-1,3-디일, 2-메틸프로판-1,3-디일, 2-메틸프로판-1,2-디일, 펜탄-1,4-디일 및 2-메틸부탄-1,4-디일기를 들 수 있다.
단환식 포화 지환식 탄화수소기의 구체예로는 시클로부탄-1,3-디일, 시클로펜탄-1,3-디일, 시클로헥산-1,2-디일, 1-메틸시클로헥산-1,2-디일, 시클로헥산-1,4-디일, 시클로옥탄-1,2-디일 및 시클로옥탄-1,5-디일기와 같은 시클로알칸디일기를 들 수 있다.
다환식 포화 지환식 탄화수소기의 구체예로는 노르보르난-2,3-디일, 노르보르난-1,4-디일, 노르보르난-2,5-디일, 아다만탄-1,5-디일 및 아다만탄-2,6-디일기를 들 수 있다.
2가의 포화 지환식 탄화수소기의 예로는 또한 하기 기재된 1가의 포화 환식 탄화수소기 상의 수소 원자 중 임의의 하나가 제거된 기를 들 수 있다.
2가의 포화 탄화수소기 중 함유된 하나 이상의 -CH2-가 -O- 또는 -CO-로 치환된 Lb1의 예로는, 예를 들면 화학식 (L1-1) 내지 화학식 (L1-6)으로 표시되는 기를 들 수 있다. 화학식 (L1-1) 내지 화학식 (L1-6) 중, 기는 화학식 (II)의 2개의 측기와 부합하도록 나타내는데, 즉 기의 왼쪽은 C(Rb1)(Rb2)-의 탄소 원자에 결합하고, 기의 오른쪽은 환 Wb1에 결합한다. 화학식 (L1-1) 내지 화학식 (L1-6)의 예는 상기와 동일하다.
Figure 112012057374777-pat00040
식 중, Lb2는 단일 결합 또는 C1 내지 C15의 2가의 포화 탄화수소기를 나타내고;
Lb3은 단일 결합 또는 C1 내지 C12의 2가의 포화 탄화수소기를 나타내고;
Lb4는 C1 내지 C13의 2가의 포화 탄화수소기를 나타내고;
Lb5는 C1 내지 C15의 2가의 포화 탄화수소기를 나타내고;
Lb6 및 Lb7은 독립적으로 C1 내지 C15의 2가의 포화 탄화수소기를 나타내고;
Lb8은 C1 내지 C14의 2가의 포화 탄화수소기를 나타내고;
Lb9는 C1 내지 C11의 2가의 포화 탄화수소기를 나타내고;
Lb10은 C1 내지 C11의 2가의 포화 탄화수소기를 나타낸다.
화학식 (L1-1)로 표시되는 2가의 기의 구체예로는 하기의 기를 들 수 있다. 하기 화학식 중, *는 결합을 나타낸다.
Figure 112012057374777-pat00041
화학식 (L1-2)로 표시되는 2가의 기의 구체예로는 하기의 기를 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00042
화학식 (L1-3)으로 표시되는 2가의 기의 구체예로는 하기의 기를 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00043
화학식 (L1-4)로 표시되는 2가의 기의 구체예로는 하기의 기를 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00044
화학식 (L1-5)로 표시되는 2가의 기의 구체예로는 하기의 기를 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00045
화학식 (L1-6)으로 표시되는 2가의 기의 구체예로는 하기의 기를 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00046
환 Wb1의 헤테로사이클은 하나 이상의 질소 원자를 갖는 환일 수 있으며, 이는 하나 이상의 질소 원자, 하나 이상의 산소 원자 또는 하나 이상의 황 원자를 더 가질 수 있다. 헤테로사이클은 방향족성 또는 비방향족성 중 임의의 것, 및 단환식 또는 다환식 화합물, 또는 축합 또는 가교 환 중 임의의 것일 수 있다.
헤테로사이클의 구체예로는 하기의 환을 들 수 있다. 헤테로사이클 중 함유된 하나 이상의 -CH2-는 -O- 또는 -CO-로 치환될 수 있다. 이들 중, 화학식 (W1)로 표시되는 환, 화학식 (W2)로 표시되는 환 및 화학식 (W3)으로 표시되는 환이 바람직하다. *는 Lb1에 대한 결합을 나타낸다.
Figure 112012057374777-pat00047
Rb3 및 Rb4의 탄화수소기는 지방족 탄화수소기, 지환식 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기를 포함한다.
지방족 탄화수소기의 예로는 메틸, 에틸, n-프로필, 1-메틸에틸 (이소프로필), n-부틸, 1,1-디메틸에틸 (tert-부틸), 2,2-디메틸에틸, 1-메틸프로필, 2-메틸프로필, 1,2-디메틸프로필, 2,2-디메틸프로필, 1-에틸프로필, n-펜틸, 1-메틸부틸, 2-메틸부틸, 3-메틸부틸, n-헥실, 1-프로필부틸, 펜틸, 1-메틸펜틸, 1,4-디메틸헥실, 헵틸, 1-메틸헵틸, 옥틸, 메틸옥틸, 메틸노닐, 2-에틸헥실, 노닐, 데실, 운데실 및 도데실기와 같은 알킬기를 들 수 있다.
지환식 탄화수소기는 단환식 또는 다환식 탄화수소기 중 임의의 것일 수 있다. 단환식 탄화수소기의 예로는 시클로펜틸, 시클로헥실, 메틸시클로헥실, 디메틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸과 같은 시클로알킬기를 들 수 있다. 다환식 탄화수소기의 예로는 히드로나프틸과 같은 축합 방향족 탄화수소기를 수소화함으로써 얻어지는 기, 및 아다만틸, 노르보르닐 및 메틸노르보르닐기와 같은 가교된 환식 탄화수소기를 들 수 있다. 지환식 탄화수소기의 예로는 또한 하기와 같은 가교환 (예를 들면, 노르보르난환)이 단환 (예를 들면, 시클로헵탄환, 시클로헥산환) 또는 다환 (예를 들면, 데카히드로나프탈렌환)과 축합된 기, 2개 이상의 가교환이 축합된 기, 및 그들의 조합 (예를 들면, 메틸시클로헥실, 디메틸시클로헥실 및 메틸노르보르닐기)을 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00048
방향족 탄화수소기의 예로는 페닐, 나프틸, p-메틸페닐, p-에틸페닐, p-tert-부틸페닐, p-시클로헥실페닐, p-메톡시페닐, p-아다만틸페닐, 톨릴, 크실릴, 쿠메닐, 메시틸, 비페닐, 안트릴, 페난트릴, 2,6-디에틸페닐 및 2-메틸-6-에틸페닐기와 같은 아릴기를 들 수 있다.
산발생제 (II) 중, Rb1 및 Rb2는 독립적으로 바람직하게는 트리플루오로메틸 또는 불소 원자, 더 바람직하게는 불소 원자이다.
Lb1의 경우, 화학식 (L1-1) 내지 화학식 (L1-4)로 표시되는 기 중 임의의 것이 바람직하고, 화학식 (L1-1) 또는 화학식 (L1-2)로 표시되는 기 중 임의의 것이 더 바람직하고, 화학식 (L1-1)로 표시되는 기가 더욱 바람직하며, 이들 중, Lb2가 단일 결합 또는 C1 내지 C6의 포화 탄화수소기를 나타내는 화학식 (L1-1)로 표시되는 2가의 기, 즉 *-CO-O-(CH2)t- (식 중, t는 0 내지 6의 정수를 나타내고, *는 -C(Rb1)(Rb2)-에 대한 결합을 나타냄)가 바람직하고, Lb2가 단일 결합 또는 메틸렌기를 나타내는 화학식 (L1-1)로 표시되는 2가의 기가 더 바람직하고, Lb2가 단일 결합을 나타내는 화학식 (L1-1)로 표시되는 2가의 기, 즉 *-CO-O-가 더욱 바람직하다.
Rb3의 경우, 수소 원자, 메틸기, 에틸기 및 tert-부톡시카르보닐기가 바람직하고, 수소 원자, 메틸기 및 tert-부톡시카르보닐기가 더 바람직하다.
m은 바람직하게는 0이지만, m이 0 내지 6의 정수를 나타내는 경우, Rb4는 바람직하게는 메틸, 에틸, 메틸카르보닐옥시 (아세틸옥시) 및 에틸카르보닐옥시기이다.
산발생제 (II)의 예로는 하기 화합물을 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00049
Figure 112012057374777-pat00050
Figure 112012057374777-pat00051
양이온 Z1 +의 예로는 유기 술포늄 양이온, 유기 요오도늄 양이온, 유기 암모늄 양이온, 벤조티아졸륨 양이온 및 유기 포스포늄 양이온과 같은 유기 오늄 양이온을 들 수 있다. 이들 중, 유기 술포늄 양이온 및 유기 요오도늄 양이온이 바람직하고, 아릴술포늄 양이온이 더 바람직하다.
Z1 +의 구체예로는 화학식 (Z1) 내지 화학식 (Z4) 중 임의의 것으로 표시되는 양이온을 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00052
식 중, Pa, Pb 및 Pc는 독립적으로 C1 내지 C30의 지방족 탄화수소기, C3 내지 C36의 지환식 탄화수소기 또는 C6 내지 C36의 방향족 탄화수소기를 나타내거나, Pa 및 Pb는 함께 결합하여 하나 이상의 황 원자를 함유하는 환을 형성할 수 있으며, 상기 지방족 탄화수소기 중 함유된 하나 이상의 수소 원자는 히드록시기, C3 내지 C18의 지환식 탄화수소기, C1 내지 C12의 알콕시기 또는 C6 내지 C18의 방향족 탄화수소기로 치환될 수 있고, 상기 지환식 탄화수소기 중 함유된 하나 이상의 수소 원자는 할로겐 원자, C1 내지 C18의 알킬기, C2 내지 C4의 아실기 또는 글리시딜옥시기로 치환될 수 있고, 상기 방향족 탄화수소기 중 함유된 하나 이상의 수소 원자는 할로겐 원자, 히드록시기 또는 C1 내지 C12의 알콕시기로 치환될 수 있고;
P4 및 P5는 각 경우 독립적으로 히드록시기, C1 내지 C12의 지방족 탄화수소 또는 C1 내지 C12의 알콕시기를 나타내고;
P6 및 P7은 독립적으로 C1 내지 C36의 지방족 탄화수소 또는 C3 내지 C36의 지환식 탄화수소기를 나타내거나, P6 및 P7은 이들에 결합된 황 원자와 함께 결합하여 3원 내지 12원의 환 (바람직하게는 3원 내지 7원의 환)을 형성할 수 있으며, 상기 환 중 함유된 하나 이상의 -CH2-는 -O-, -S- 또는 -CO-로 치환될 수 있고;
P8은 수소 원자, C1 내지 C36의 지방족 탄화수소기, C3 내지 C36의 지환식 탄화수소기 또는 C6 내지 C18의 방향족 탄화수소기를 나타내고;
P9는 C1 내지 C12의 지방족 탄화수소기, C3 내지 C18의 지환식 탄화수소기 또는 C6 내지 C18의 방향족 탄화수소기를 나타내며, 상기 지방족 탄화수소기 중 함유된 하나 이상의 수소 원자는 C6 내지 C18의 방향족 탄화수소기로 치환될 수 있고, 상기 방향족 탄화수소기 중 함유된 하나 이상의 수소 원자는 C1 내지 C12의 알콕시기 또는 알킬카르보닐옥시기로 치환될 수 있고;
P8 및 P9는 이들에 결합된 -CH-CO-와 함께 결합하여 3원 내지 12원의 환 (바람직하게는 3원 내지 7원의 환)을 형성할 수 있으며, 상기 환 중 함유된 하나 이상의 -CH2-는 -O-, -S- 또는 -CO-로 치환될 수 있고;
P10 내지 P15는 각 경우 독립적으로 히드록시기, C1 내지 C12의 지방족 탄화수소 또는 C1 내지 C12의 알콕시기를 나타내고;
E는 -S- 또는 -O-를 나타내고;
i, j, p, r, x 및 y는 독립적으로 0 내지 5의 정수를 나타내고;
q는 0 또는 1의 정수를 나타내고;
v 및 w는 독립적으로 0 내지 4의 정수를 나타낸다.
지방족 탄화수소기의 예로는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, sec-부틸, tert-부틸, 펜틸, 헥실, 옥틸 및 2-에틸헥실기와 같은 알킬기를 들 수 있다. P6 내지 P8의 지방족 탄화수소기는 바람직하게는 탄소 원자수 1 내지 12의 기이다.
하나 이상의 수소 원자가 지환식 탄화수소기로 치환된 지방족 탄화수소기의 예로는 1-(1-아다만탄-1-일)-알칸-1-일기를 들 수 있다.
지환식 탄화수소기의 예로는 시클로알킬기, 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸, 시클로데실과 같은 단환식 탄화수소기; 데카히드로나프틸, 아다만틸 및 노르보르닐기 및 또한 하기의 기와 같은 다환식 탄화수소기를 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00053
특히, P6 내지 P8의 지환식 탄화수소기는 바람직하게는 C3 내지 C18의 지환식 탄화수소기, 더 바람직하게는 C4 내지 C12의 지환식 탄화수소기이다.
하나 이상의 수소 원자가 알킬기로 치환된 지환식 탄화수소기의 예로는 메틸시클로헥실, 디메틸시클로헥실, 2-알킬아다만탄-2-일, 메틸노르보르닐 및 이소보르닐기를 들 수 있다.
방향족 탄화수소기의 예로는 페닐, 나프틸, 안트릴, p-메틸페닐, p-에틸페닐, p-tert-부틸페닐, p-시클로헥실페닐, p-메톡시페닐, p-아다만틸페닐, 톨릴, 크실릴, 쿠메닐, 메시틸, 비페닐, 페난트릴, 2,6-디에틸페닐 및 2-메틸-6-에틸페닐기를 들 수 있다.
방향족 탄화수소가 지방족 탄화수소기 또는 지환식 탄화수소기를 포함하는 경우, C1 내지 C36의 지방족 탄화수소기 또는 C3 내지 C36의 지환식 탄화수소기가 바람직하다.
하나 이상의 수소 원자가 방향족 탄화수소기로 치환된 알킬기, 즉 아랄킬기의 예로는 벤질, 페네틸, 페닐프로필, 트리틸, 나프틸메틸 및 나프틸에틸기를 들 수 있다.
알콕시기의 예로는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, n-부톡시, sec-부톡시, tert-부톡시, n-펜톡시, n-헥실옥시, 헵틸옥시, 옥틸옥시, 2-에틸헥속시, 노닐옥시, 데실옥시, 운데실옥시 및 도데실옥시기를 들 수 있다.
할로겐 원자의 예로는 불소, 염소, 브롬 및 요오드 원자를 들 수 있다.
아실기의 예로는 아세틸, 프로피오닐 및 부티릴기를 들 수 있다.
알킬카르보닐옥시기의 예로는 메틸카르보닐옥시, 에틸카르보닐옥시, n-프로필카르보닐옥시, 이소프로필카르보닐옥시, n-부틸카르보닐옥시, sec-부틸카르보닐옥시, tert-부틸카르보닐옥시, 펜틸카르보닐옥시, 헥실카르보닐옥시, 옥틸카르보닐옥시 및 2-에틸헥실카르보닐옥시기를 들 수 있다.
Pa 및 Pb에 의해 형성되는 황 함유 환은 단환식 또는 다환식, 방향족 또는 비방향족, 또는 포화 또는 불포화 환 중 어느 것일 수 있으며, 환이 하나의 황 원자를 갖는 한, 하나 이상의 황 원자 및/또는 하나 이상의 산소 원자를 더 가질 수 있다. 환은 바람직하게는 탄소 원자수 3 내지 18의 환, 더 바람직하게는 탄소 원자수 4 내지 12의 환이다.
황 원자와 함께 결합된 P6 및 P7에 의해 형성되는 환의 예로는, 예를 들면 티올란-1-윰환 (테트라히드로티오페늄환), 티안-1-윰환 및 1,4-옥사티안-4-윰환을 들 수 있다.
-CH-CO-와 함께 결합된 P8 및 P9에 의해 형성되는 환의 예로는 옥소시클로헵탄환, 옥소시클로헥산환, 옥소노르보르난환 및 옥소아다만탄환을 들 수 있다.
화학식 (Z1) 내지 화학식 (Z4)로 표시되는 양이온 중, 화학식 (Z1)로 표시되는 양이온이 바람직하고, 화학식 (Z5)로 표시되는 양이온이 더 바람직하고, 트리페닐술포늄 양이온 (화학식 (Z5) 중, z1=z2=z3=0), 디페닐술포늄 양이온 (화학식 (Z5) 중, z1=z2=0, z3=1이고, R3이 메틸기임), 및 트리톨릴술포늄 양이온 (화학식 (Z5) 중, z1=z2=z3=1이고, P1, P2 및 P3이 메틸기임)이 더 바람직하다.
Figure 112012057374777-pat00054
식 중, P1 내지 P3은 각 경우 독립적으로 할로겐 원자, 히드록시기, C1 내지 C36의 지방족 탄화수소기, C3 내지 C36의 지환식 탄화수소기 또는 C1 내지 C12의 알콕시기를 나타내거나, P1 내지 P3 중 2개는 함께 결합하여 황 원자를 함유하는 환을 형성할 수 있고;
z1, z2 및 z3은 독립적으로 0 내지 5의 정수를 나타낸다.
P1 내지 P3 중 2개에 의해 형성되는 황 함유 환은 단환식 또는 다환식, 방향족 또는 비방향족, 또는 포화 또는 불포화 환 중 어느 것일 수 있으며, 환이 하나의 황 원자를 갖는 한, 하나 이상의 황 원자 및/또는 하나 이상의 산소 원자를 더 가질 수 있다.
지방족 탄화수소기는 바람직하게는 탄소 원자수가 1 내지 12이고, 지환식 탄화수소기는 바람직하게는 탄소 원자수가 4 내지 36이다.
이들 중, P1 내지 P3은 각 경우 독립적으로 바람직하게는 할로겐 원자 (더 바람직하게는 불소 원자), 히드록시기, C1 내지 C12의 알킬기 또는 C1 내지 C12의 알콕시기이거나, P1 내지 P3 중 2개는 바람직하게는 함께 결합하여 황 원자 및 산소 원자를 함유하는 환을 형성한다.
z1, z2 및 z3은 독립적으로 바람직하게는 0 또는 1이다.
화학식 (Z1) 또는 화학식 (Z5)의 양이온의 구체예로는 하기의 양이온을 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00055
Figure 112012057374777-pat00056
황 원자 함유 환에 의해 형성되는 화학식 (Z5)의 양이온의 구체예로는 하기의 양이온을 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00057
화학식 (Z1)의 양이온의 구체예로는 하기의 양이온을 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00058
화학식 (Z2)의 양이온의 구체예로는 하기의 양이온을 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00059
화학식 (Z3)의 양이온의 구체예로는 하기의 양이온을 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00060
Figure 112012057374777-pat00061
화학식 (Z4)의 양이온의 구체예로는 하기의 양이온을 들 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00062
Figure 112012057374777-pat00063
Figure 112012057374777-pat00064
Figure 112012057374777-pat00065
산발생제 (II)는 상기 음이온과 유기 양이온이 조합된 화합물이다. 상기 음이온 및 유기 양이온은 임의로 조합될 수 있지만, 하기에 나타내는 염이 바람직하다. 하기 화학식 중, 치환기의 정의는 상기 기재된 의미와 동일한 것을 나타낸다.
Figure 112012057374777-pat00066
Figure 112012057374777-pat00067
또한, 하기의 염이 더 바람직하다.
Figure 112012057374777-pat00068
Figure 112012057374777-pat00069
Figure 112012057374777-pat00070
Figure 112012057374777-pat00071
Figure 112012057374777-pat00072
Figure 112012057374777-pat00073
Figure 112012057374777-pat00074
Figure 112012057374777-pat00075
Figure 112012057374777-pat00076
Figure 112012057374777-pat00077
Figure 112012057374777-pat00078
산발생제 (II)는 이 기술 분야에 공지된 방법으로 제조할 수 있다.
예를 들면, 산발생제 (II) 중 Lb1이 -CO-O-인 화학식 (IIa)로 표시되는 염은 용매 중에서 화학식 (IIa-1)로 표시되는 염과 화학식 (IIa-2)로 표시되는 화합물을 반응시킴으로써 얻을 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00079
식 중, Rb1 내지 Rb3, Z1+ 및 환 Wb1은 상기 기재된 의미와 동일한 것을 나타낸다.
용매의 예로는 클로로포름을 들 수 있다.
화학식 (IIa-2)로 표시되는 화합물의 예로는 4-히드록시-1-메틸피페리딘, 4-히드록시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 및 트로핀을 들 수 있다.
화학식 (IIa-1)로 표시되는 화합물은 화학식 (IIa-3)으로 표시되는 염과 화학식 (IIa-4)로 표시되는 화합물을 반응시킴으로써 얻을 수 있다.
화학식 (IIa-3)으로 표시되는 화합물은 JP-2008-13551A에 기재되어 있는 방법에 따라 합성할 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00080
식 중, Rb1 내지 Rb2 및 Z1+은 상기 기재된 의미와 동일한 것을 나타낸다.
본 발명의 레지스트 조성물 중, 산발생제 (II)는 단일 화합물 또는 2종 이상의 화합물의 조합으로 사용할 수 있다.
<기타 산발생제>
본 발명의 레지스트 조성물은 1종 이상의 산발생제 (II)를 함유하며, 산발생제 (II) 이외의 공지된 산발생제 (이하, 때때로 "산발생제 (B)"로 칭함)를 더 포함할 수 있다.
산발생제 (B)는 비이온계 및 이온계 산발생제 중 임의의 것일 수 있으며, 이온계 산발생제가 바람직하다. 산발생제 (B)의 예로는, 산발생제 (II)의 것과는 상이한 양이온 및 음이온을 갖는 산발생제, 산발생제 (II)의 것과 동일한 양이온 및 산발생제 (II)의 것과는 상이한 공지된 음이온 중의 음이온을 갖는 산발생제, 및 산발생제 (II)의 것과 동일한 음이온 및 산발생제 (II)의 것과는 상이한 공지된 양이온 중의 양이온을 갖는 산발생제를 들 수 있다.
바람직한 산발생제 (B)는 화학식 (B1-1) 내지 화학식 (B1-20)으로 표시된다. 이들 중, 트리페닐술포늄 양이온을 함유하는 화학식 (B1-1), (B1-2), (B1-6), (B1-11), (B1-12), (B1-13) 및 (B1-14), 및 트리톨릴술포늄 양이온을 함유하는 화학식 (B1-3) 및 (B1-7)이 바람직하다.
Figure 112012057374777-pat00081
Figure 112012057374777-pat00082
Figure 112012057374777-pat00083
Figure 112012057374777-pat00084
본 발명의 레지스트 조성물 중, 산발생제 (B)는 단일 화합물 또는 2종 이상의 화합물의 조합으로 사용할 수 있다.
본 발명의 레지스트 조성물 중, 산발생제 (II)의 분율은 수지 (A)에 대하여 바람직하게는 1 중량％ 이상 (더 바람직하게는 3 중량％ 이상), 및 30 중량％ 이하 (더 바람직하게는 25 중량％ 이하)이다.
본 발명의 레지스트 조성물이 산발생제 (II) 및 산발생제 (B)를 함유하는 경우, 산발생제 (II) 및 산발생제 (B)의 총 분율은 수지 (A)에 대하여 바람직하게는 1 중량％ 이상 (더 바람직하게는 3 중량％ 이상), 및 40 중량％ 이하 (더 바람직하게는 35 중량％ 이하)이다. 이 경우, 예를 들면, 산발생제 (II) 및 산발생제 (B)의 중량비는 바람직하게는 5:95 내지 95:5, 더 바람직하게는 10:90 내지 90:10, 더욱 바람직하게는 15:85 내지 85:15이다.
<용제 (E)>
본 발명의 레지스트 조성물은 바람직하게는 용제 (E)를 포함한다. 용제 (E)의 분율은 90 중량％ 이상, 바람직하게는 92 중량％ 이상, 더 바람직하게는 94 중량％ 이상, 및 또한 바람직하게는 99.9 중량％ 이하, 더 바람직하게는 99 중량％ 이하이다. 용제 (E)의 분율은, 예를 들면 액체 크로마토그래피 및 기체 크로마토그래피와 같은 공지된 분석 방법으로 측정할 수 있다.
용제 (E)의 예로는 에틸셀로솔브 아세테이트, 메틸셀로솔브 아세테이트 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트와 같은 글리콜 에테르 에스테르; 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르와 같은 글리콜 에테르; 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르와 같은 에테르; 에틸 락테이트, 부틸아세테이트, 아밀 아세테이트 및 에틸 피루베이트와 같은 에스테르; 아세톤, 메틸 이소부틸 케톤, 2-헵타논 및 시클로헥사논과 같은 케톤; 및 γ-부티로락톤과 같은 환식 에스테르를 들 수 있다. 이들 용제는 단일 용제 또는 2종 이상의 용제의 혼합물로 사용할 수 있다.
<염기성 화합물 (C)>
본 발명의 레지스트 조성물은 염기성 화합물 (C)를 함유할 수 있다. 염기성 화합물 (C)는 특히 산발생제 (B)로부터 생성되는 산을 켄칭하는 특성을 갖는 화합물이며, "켄처"로 칭한다.
염기성 화합물 (C)로서, 질소 함유 염기성 화합물 (예를 들면, 아민 및 염기성 암모늄 염)이 바람직하다. 아민은 지방족 아민 또는 방향족 아민일 수 있다. 지방족 아민으로는 1차 아민, 2차 아민 및 3차 아민 중 임의의 것을 들 수 있다. 방향족 아민으로는 아닐린과 같은 아미노기가 방향족 환에 결합된 아민, 및 피리딘과 같은 헤테로-방향족 아민을 들 수 있다.
바람직한 염기성 화합물 (C)로는 하기 기재된 화학식 (C1) 내지 화학식 (C8) 및 화학식 (C1-1)로 표시되는 화합물을 들 수 있다. 이들 중, 화학식 (C1-1)로 표시되는 염기성 화합물이 더 바람직하다.
Figure 112012057374777-pat00085
식 중, Rc1, Rc2 및 Rc3은 독립적으로 수소 원자, C1 내지 C6의 알킬기, C5 내지 C10의 지환식 탄화수소기 또는 C6 내지 C10의 방향족 탄화수소기를 나타내며, 상기 알킬기 및 지환식 탄화수소기 중 함유된 하나 이상의 수소 원자는 히드록시기, 아미노기 또는 C1 내지 C6의 알콕시기로 치환될 수 있고, 상기 방향족 탄화수소기 중 함유된 하나 이상의 수소 원자는 C1 내지 C6의 알킬기, C1 내지 C6의 알콕시기, C5 내지 C10의 지환식 탄화수소기 또는 C6 내지 C10의 방향족 탄화수소기로 치환될 수 있다.
Figure 112012057374777-pat00086
식 중, Rc2 및 Rc3은 상기 정의와 동일하고;
Rc4는 각 경우 C1 내지 C6의 알킬기, C1 내지 C6의 알콕시기, C5 내지 C10의 지환식 탄화수소기 또는 C6 내지 C10의 방향족 탄화수소기를 나타내고;
m3은 0 내지 3의 정수를 나타낸다.
Figure 112012057374777-pat00087
식 중, Rc5, Rc6, Rc7 및 Rc8은 독립적으로 상기 Rc1에 기재된 기 중 임의의 것을 나타내고;
Rc9는 각 경우 독립적으로 C1 내지 C6의 알킬기, C3 내지 C6의 지환식 탄화수소기 또는 C2 내지 C6의 알카노일기를 나타내고;
n3은 0 내지 8의 정수를 나타낸다.
Figure 112012057374777-pat00088
식 중, Rc10, Rc11, Rc12, Rc13 및 Rc16은 독립적으로 Rc1에 기재된 기 중 임의의 것을 나타내고;
Rc14, Rc15 및 Rc17은 각 경우 독립적으로 Rc4에 기재된 기 중 임의의 것을 나타내고;
o3 및 p3은 0 내지 3의 정수를 나타내고;
Lc1은 C1 내지 C6의 2가의 알칸디일기, -CO-, -C(=NH)-, -S- 또는 이들의 조합을 나타낸다.
Figure 112012057374777-pat00089
식 중, Rc18, Rc19 및 Rc20은 각 경우 독립적으로 Rc4에 기재된 기 중 임의의 것을 나타내고;
q3, r3 및 s3은 0 내지 3의 정수를 나타내고;
Lc2는 단일 결합, C1 내지 C6의 알칸디일기, -CO-, -C(=NH)-, -S- 또는 이들의 조합을 나타낸다.
화학식 (C1) 내지 화학식 (C8) 및 화학식 (C1-1) 중, 알킬, 지환식 탄화수소, 방향족, 알콕시 및 알칸디일기로는 상기 예와 동일한 것을 들 수 있다.
알카노일기의 예로는 아세틸, 2-메틸아세틸, 2,2-디메틸아세틸, 프로피오닐, 부티릴, 이소부티릴, 펜타노일 및 2,2-디메틸프로피오닐기를 들 수 있다.
화학식 (C1)로 표시되는 아민의 구체예로는 1-나프틸아민, 2-나프틸아민, 아닐린, 디이소프로필아닐린, 2-, 3- 또는 4-메틸아닐린, 4-니트로아닐린, N-메틸아닐린, N,N-디메틸아닐린, 디페닐아민, 헥실아민, 헵틸아민, 옥틸아민, 노닐아민, 데실아민, 디부틸아민, 디펜틸아민, 디헥실아민, 디헵틸아민, 디옥틸아민, 디노닐아민, 디데실아민, 트리에틸아민, 트리메틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 트리펜틸아민, 트리헥실아민, 트리헵틸아민, 트리옥틸아민, 트리노닐아민, 트리데실아민, 메틸디부틸아민, 메틸디펜틸아민, 메틸디헥실아민, 메틸디시클로헥실아민, 메틸디헵틸아민, 메틸디옥틸아민, 메틸디노닐아민, 메틸디데실아민, 에틸디부틸아민, 에틸디펜틸아민, 에틸디헥실아민, 에틸디헵틸아민, 에틸디옥틸아민, 에틸디노닐아민, 에틸디데실아민, 디시클로헥실메틸아민, 트리스[2-(2-메톡시에톡시)에틸]아민, 트리이소프로판올아민, 에틸렌 디아민, 테트라메틸렌 디아민, 헥사메틸렌 디아민, 4,4'-디아미노-1,2-디페닐에탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디페닐메탄 및 4,4'-디아미노-3,3'-디에틸디페닐메탄을 들 수 있다.
이들 중, 본 발명의 레지스트 조성물 중 함유되는 염기성 화합물 (C)로서 디이소프로필아닐린이 바람직하고, 특히 2,6-디이소프로필아닐린이 더 바람직하다.
화학식 (C2)로 표시되는 화합물의 구체예로는, 예를 들면 피페라진을 들 수 있다.
화학식 (C3)으로 표시되는 화합물의 구체예로는, 예를 들면 모르폴린을 들 수 있다.
화학식 (C4)로 표시되는 화합물의 구체예로는, 예를 들면 피페리딘, 일본 특허 (평)11-52575A에 기재되어 있는 피페리딘 골격을 갖는 힌더드 아민 화합물을 들 수 있다.
화학식 (C5)로 표시되는 화합물의 구체예로는, 예를 들면 2,2'-메틸렌비스아닐린을 들 수 있다.
화학식 (C6)으로 표시되는 화합물의 구체예로는, 예를 들면 이미다졸 및 4-메틸이미다졸을 들 수 있다.
화학식 (C7)로 표시되는 화합물의 구체예로는, 예를 들면 피리딘 및 4-메틸피리딘을 들 수 있다.
화학식 (C8)로 표시되는 화합물의 구체예로는, 예를 들면 1,2-디(2-피리딜)에탄, 1,2-디(4-피리딜)에탄, 1,2-디(2-피리딜)에텐, 1,2-디(4-피리딜)에텐, 1,3-디(4-피리딜)프로판, 1,2-디(4-피리딜옥시)에탄, 디(2-피리딜)케톤, 4,4'-디피리딜 술피드, 4,4'-디피리딜 디술피드, 2,2'-디피리딜아민, 2,2'-디피콜릴아민 및 비피리딘을 들 수 있다.
암모늄 염의 예로는 테트라메틸암모늄 히드록시드, 테트라이소프로필암모늄 히드록시드, 테트라부틸암모늄 히드록시드, 테트라헥실암모늄 히드록시드, 테트라옥틸암모늄 히드록시드, 페닐트리메틸암모늄 히드록시드, 3-(트리플루오로메틸)페닐트리메틸암모늄 히드록시드, 테트라-n-부틸암모늄 살리실레이트 및 콜린을 들 수 있다.
염기성 화합물 (C)의 분율은 레지스트 조성물의 총 고체 분율에 대하여 바람직하게는 0.01 내지 5 중량％, 더 바람직하게는 0.01 내지 3 중량％, 더욱 바람직하게는 0.01 내지 1 중량％이다.
<기타 성분 (이하, 때때로 "기타 성분 (F)"로 칭함>
레지스트 조성물은 필요에 따라 소량의 각종 공지된 첨가제, 예를 들면 증감제, 용해 억제제, 계면활성제, 안정화제 및 염료를 또한 포함할 수 있다.
<레지스트 조성물의 제조>
본 발명의 레지스트 조성물은 수지 (A1), 수지 (A2) 및 산발생제 (II), 및 염기성 화합물 (C), 용제 (E), 산발생제 (B) 및 기타 성분 (F)를 필요에 따라 혼합함으로써 제조할 수 있다. 혼합의 순서에 특별한 제한은 없다. 혼합은 임의의 순서로 행할 수 있다. 혼합 온도는 수지의 종류 및 수지의 용제 (E)에 대한 용해도에 따라 10 내지 40℃의 범위 내에서 적절한 온도로 조정할 수 있다. 혼합 시간은 혼합 온도에 따라서 0.5 내지 24시간의 범위 내에서 적절한 시간으로 조정할 수 있다. 혼합 도구에 특별한 제한은 없다. 교반 혼합을 이용할 수 있다.
상기 성분들을 혼합한 후, 혼합물을 구멍 직경이 약 0.003 내지 0.2 μm인 필터를 통해 여과하여 본 발명의 레지스트 조성물을 제조할 수 있다.
<레지스트 패턴의 제조 방법>
본 발명의 레지스트 패턴의 제조 방법은
(1) 본 발명의 레지스트 조성물을 기판 상에 도포하는 단계,
(2) 도포된 조성물을 건조하여 조성물층을 형성하는 단계;
(3) 조성물층을 노광하는 단계;
(4) 노광된 조성물층을 가열하는 단계; 및
(5) 가열된 조성물층을 현상하는 단계
를 포함한다.
기판 상의 레지스트 조성물의 도포는 일반적으로 반도체 미세가공 기술 분야에서 공지되어 있는 스핀 코터와 같은 레지스트 도포 장치를 이용하여 수행할 수 있다.
예를 들면, 도포된 조성물층의 건조는 핫 플레이트(소위 "예비 소성")와 같은 가열 장치, 감압 장치 또는 이들의 조합을 이용하여 행할 수 있다. 따라서, 용제를 레지스트 조성물로부터 증발시켜, 용제가 제거된 조성물층을 형성한다. 가열 장치 또는 감압 장치의 조건은 사용된 용제의 종류에 따라서 조정할 수 있다. 이 경우의 온도는 일반적으로 50 내지 200℃의 범위 내에 있다. 또한, 압력은 일반적으로 1 내지 1.0×105 Pa의 범위 내에 있다.
이렇게 얻어진 조성물층은 일반적으로 노광 장치 또는 액침 노광 장치를 이용하여 노광된다. 노광은 일반적으로 요구되는 패턴에 상응하는 마스크를 통해 수행한다. KrF 엑시머 레이저 (파장: 248 nm), ArF 엑시머 레이저 (파장: 193 nm), F2 엑시머 레이저 (파장: 157 nm)와 같은 자외선 레이저에 의한 조사, 또는 고체-상태 레이저원 (YAG 또는 반도체 레이저 등)으로부터의 원자외선 파장-변환 레이저광 또는 진공 자외선 고조파 레이저광 등에 의한 조사와 같은 다양한 종류의 노광 광원을 사용할 수 있다. 또한, 노광 장치는 전자빔 또는 극자외선광(EUV)을 조사하는 것일 수 있다.
노광 후, 조성물층을 가열 처리 (소위 "노광 후 소성")하여 탈보호 반응을 촉진한다. 가열 처리는 핫 플레이트와 같은 가열 장치를 사용하여 수행할 수 있다. 가열 온도는 일반적으로 50 내지 200℃, 바람직하게는 70 내지 150℃의 범위이다.
조성물층을 가열 처리한 후 일반적으로 알칼리 현상 용액을 사용하고 현상 장치를 이용하여 현상한다. 여기서 현상은 가열 처리 후 조성물층을 알칼리 용액과 접촉시키는 것을 의미한다. 이에 따라, 조성물층의 노광부는 알칼리 용액에 의해 용해되어 제거되고, 조성물층의 비노광부는 기판 상에 남게 되어, 레지스트 패턴이 생성된다. 여기서, 알칼리 현상 용액으로서, 이 기술 분야에서 사용되는 각종 알칼리 수용액을 사용할 수 있다. 예로서는 테트라메틸암모늄 히드록시드 및 (2-히드록시에틸)트리메틸암모늄 히드록시드 (관용명: 콜린)의 수용액을 들 수 있다.
현상 후, 초순수로 기판 및 패턴을 세정하고 그 위의 임의의 남아있는 물을 제거하는 것이 바람직하다.
<용도>
본 발명의 레지스트 조성물은 ArF, KrF 등과 같은 엑시머 레이저 리소그래피를 위한 레지스트 조성물 및 전자빔 (EB) 노광 리소그래피 및 극자외선 (EUV) 노광 리소그래피, 또한 액침 노광 리소그래피를 위한 레지스트 조성물로서 유용하다.
본 발명의 레지스트 조성물은 반도체 미세가공 및 액정, 회로 기판의 열감응 인쇄 헤드 등의 제조, 및 또한 다른 포토패브리케이션 공정에 이용가능하며, 이들은 광범위한 이용 분야에 적절하게 사용할 수 있다.
<실시예>
본 발명은 실시예에 의해 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다.
실시예 및 비교예에서 사용되는 함량 또는 양을 표현하는 모든 백분율 및 부는 다르게 기재되지 않는 한 중량을 기초로 한다.
화합물의 구조는 매스(MASS) (LC: 애질런트(Agilent) 제조, 1100 타입, MASS: 애질런트 제조, LC/MSD 타입 또는 LC/MSD TOF 타입)로 측정하였다.
중량 평균 분자량은 표준 물질로서 폴리스티렌을 이용하여 겔 투과 크로마토그래피에 의해 측정되는 값이다.
장치: HLC-8120GPC 타입 (도소사(Tosoh Co. Ltd.) 제조)
컬럼: TSK 겔 멀티포어(TSK gel Multipore) HXL-M×3 ＋ 가드 컬럼 (도소사 제조)
용리액: 테트라히드로푸란
유속: 1.0mL/min
검출 장치: RI 검출기
컬럼 온도: 40℃
주입량: 100 μL
분자량 측정을 위한 표준 물질: 표준 폴리스티렌 (도소사 제조)
합성예 1: 화학식 (A)로 표시되는 화합물의 합성
Figure 112012057374777-pat00090
화합물 (A-2) 9.60 부, 테트라히드로푸란 38.40 부 및 피리딘 5.99 부를 혼합하고, 23℃에서 30분 동안 교반하였다. 얻어진 혼합물을 0℃로 냉각시켰다. 동일한 온도를 유지하면서 상기 혼합물에 화합물 (A-1) 14.00 부를 1시간에 걸쳐 첨가하였다. 이어서, 혼합물의 온도를 약 10℃로 승온시키고, 혼합물을 동일한 온도에서 1시간 동안 교반하였다. 화합물 (A-3)을 포함하는 얻어진 반응물에, 화합물 (A-4), 1-(3-디메틸아미노프로필)-3-에틸카르보디이미드 히드로클로라이드 14.51 부 및 화합물 (A-5) 8.20 부를 첨가하고, 23℃에서 3시간 동안 교반하였다. 얻어진 혼합물에 에틸아세테이트 271.95 부 및 5％ 염산 용액 16.57 부를 첨가하고, 혼합물을 23℃에서 30분 동안 교반하였다. 얻어진 용액을 정치시키고, 이어서 분리하여, 유기층을 회수하였다. 회수된 유기층에 포화 탄산수소나트륨 63.64 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 23℃에서 30분 동안 교반하고, 정치시키고, 이어서 분리하여, 유기층을 세척하였다. 상기 세척 작업을 2회 반복하였다. 세척된 유기층에 이온교환수 67.99 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 23℃에서 30분 동안 교반하고, 정치시키고, 이어서 분리하여, 유기층을 물로 세척하였다. 상기 세척 작업을 5회 반복하였다. 얻어진 유기층을 농축시키고, 얻어진 농축액에 에틸아세테이트 107.71 부를 첨가하고, 교반하여 농축액을 완전히 용해시키고, 상기에 n-헵탄 64.26 부를 적하의 형태로 첨가하였다. 첨가 후, 얻어진 혼합물을 23℃에서 30분 동안 교반하고, 여과하여, 화합물 (A) 15.11 부를 얻었다.
MS (질량 분석): 486.2 (분자 이온 피크)
합성예 2: 화학식 (B)로 표시되는 화합물의 합성
Figure 112012057374777-pat00091
화합물 (B-2) 6.32 부, 테트라히드로푸란 30.00 부 및 피리딘 5.99 부를 혼합하고, 23℃에서 30분 동안 교반하였다. 얻어진 혼합물을 0℃로 냉각시켰다. 동일한 온도를 유지하면서 상기 혼합물에 화합물 (B-1) 14.00 부를 1시간에 걸쳐 첨가하였다. 이어서, 혼합물의 온도를 약 10℃로 승온시키고, 혼합물을 동일한 온도에서 1시간 동안 교반하였다. 화합물 (B-3)을 포함하는 얻어진 반응물에, 화합물 (B-4), 1-(3-디메틸아미노프로필)-3-에틸카르보디이미드 히드로클로라이드 14.51 부 및 화합물 (B-5) 8.20 부를 첨가하고, 23℃에서 3시간 동안 교반하였다. 얻어진 혼합물에 에틸아세테이트 270.00 부 및 5％ 염산 용액 16.57 부를 첨가하고, 혼합물을 23℃에서 30분 동안 교반하였다. 얻어진 용액을 정치시키고, 이어서 분리하여, 유기층을 회수하였다. 회수된 유기층에 포화 탄산수소나트륨 65.00 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 23℃에서 30분 동안 교반하고, 정치시키고, 이어서 분리하여, 유기층을 세척하였다. 상기 세척 작업을 2회 반복하였다. 세척된 유기층에 이온교환수 65.00 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 23℃에서 30분 동안 교반하고, 정치시키고, 이어서 분리하여, 유기층을 물로 세척하였다. 상기 세척 작업을 5회 반복하였다. 얻어진 유기층을 농축시켜 농축액을 얻고, 컬럼으로 분리하여 (조건; 정지상: 실리카 겔 60 내지 200 메시, 머크(Merk) 제조, 전개 용매: n-헵탄/에틸아세테이트), 화합물 (B) 9.90 부를 얻었다.
MS (질량 분석): 434.1 (분자 이온 피크)
합성예 3: 화학식 (C)로 표시되는 화합물의 합성
Figure 112012057374777-pat00092
화합물 (C-2) 7.08 부, 테트라히드로푸란 30.00 부 및 피리딘 5.99 부를 혼합하고, 23℃에서 30분 동안 교반하였다. 얻어진 혼합물을 0℃로 냉각시켰다. 동일한 온도를 유지하면서 상기 혼합물에 화합물 (C-1) 14.00 부를 1시간에 걸쳐 첨가하였다. 이어서, 혼합물의 온도를 약 10℃로 승온시키고, 혼합물을 동일한 온도에서 1시간 동안 교반하였다. 화합물 (C-3)을 포함하는 얻어진 반응물에, 화합물 (C-4), 1-(3-디메틸아미노프로필)-3-에틸카르보디이미드 히드로클로라이드 14.51 부 및 화합물 (C-5) 8.20 부를 첨가하고, 23℃에서 3시간 동안 교반하였다. 얻어진 혼합물에 에틸아세테이트 270.00 부 및 5％ 염산 용액 16.57 부를 첨가하고, 혼합물을 23℃에서 30분 동안 교반하였다. 얻어진 용액을 정치시키고, 이어서 분리하여, 유기층을 회수하였다. 회수된 유기층에 포화 탄산수소나트륨 65.00 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 23℃에서 30분 동안 교반하고, 정치시키고, 이어서 분리하여, 유기층을 세척하였다. 상기 세척 작업을 2회 반복하였다. 세척된 유기층에 이온교환수 65.00 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 23℃에서 30분 동안 교반하고, 정치시키고, 이어서 분리하여, 유기층을 물로 세척하였다. 상기 세척 작업을 5회 반복하였다. 얻어진 유기층을 농축시켜 농축액을 얻고, 컬럼으로 분리하여 (조건; 정지상: 실리카 겔 60 내지 200 메시, 머크 제조, 전개 용매: n-헵탄/에틸아세테이트), 화합물 (C) 10.24 부를 얻었다.
MS (질량 분석): 446.1 (분자 이온 피크)
합성예 4: 화학식 (E)로 표시되는 화합물의 합성
Figure 112012057374777-pat00093
화합물 (E-1) 25 부 및 테트라히드로푸란 25 부를 혼합하고, 23℃에서 30분 동안 교반하였다. 얻어진 혼합물을 0℃로 냉각시켰다. 동일한 온도를 유지하면서 상기 혼합물에 화합물 (E-2) 10.2 부, 피리딘 11.2 부 및 테트라히드로푸란 30 부를 1시간에 걸쳐 첨가하였다. 이어서, 혼합물의 온도를 약 25℃로 승온시키고, 혼합물을 동일한 온도에서 1시간 동안 교반하였다. 얻어진 반응물에, 에틸아세테이트 200 부 및 이온교환수 50 부를 첨가하고, 교반하고, 이어서 분리하여, 유기층을 회수하였다. 얻어진 유기층을 농축시키고, 상기 농축액에 n-헵탄 500 부를 첨가하여 용액을 얻고, 용액을 교반하고, 여과하여, 화합물 (E-3) 40.18 부를 얻었다. 화합물 (E-3) 35.21 부, 테트라히드로푸란 160 부, 화합물 (E-5) 22.8 부 및 피리딘 8.3 부를 충전하고, 23℃에서 30분 동안 교반하였다. 얻어진 혼합물을 0℃로 냉각시켰다. 얻어진 혼합물에 화합물 (E-4), 1-(3-디메틸아미노프로필)-3-에틸카르보디이미드 히드로클로라이드 33.6 부 및 클로로포름 140 부를 첨가하고, 23℃에서 18시간 동안 교반하였다. 상기 반응 용액에 n-헵탄 850 부 및 5％ 염산 용액 77 부를 첨가하고, 혼합물을 23℃에서 30분 동안 교반하였다. 얻어진 용액을 정치시키고, 이어서 분리하여, 유기층을 회수하였다. 회수된 유기층에 10％ 탄산칼륨 61 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 23℃에서 30분 동안 교반하고, 정치시키고, 이어서 분리하여, 유기층을 세척하였다. 상기 세척 작업을 2회 반복하였다. 세척된 유기층에 이온교환수 230 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 23℃에서 30분 동안 교반하고, 정치시키고, 이어서 분리하여, 유기층을 물로 세척하였다. 상기 세척 작업을 5회 반복하였다. 얻어진 유기층을 농축시켜, 화합물 (E) 31.5 부를 얻었다.
MS (질량 분석): 420.1 (분자 이온 피크)
합성예 5: 화학식 (F)로 표시되는 화합물의 합성
Figure 112012057374777-pat00094
화합물 (F-1) 25.00 부 및 테트라히드로푸란 25.00 부를 혼합하고, 23℃에서 30분 동안 교반하였다. 얻어진 혼합물을 0℃로 냉각시켰다. 동일한 온도를 유지하면서 상기 혼합물에 화합물 (F-2) 8.50 부, 테트라히드로푸란 25.00 부 및 피리딘 11.2 부의 혼합물을 1시간에 걸쳐 첨가하였다. 이어서, 혼합물의 온도를 약 25℃로 승온시키고, 혼합물을 동일한 온도에서 1시간 동안 교반하였다. 얻어진 반응물에 에틸아세테이트 190 부 및 이온교환수 50 부를 첨가하고, 이어서 분리하여, 유기층을 회수하였다. 얻어진 유기층을 농축시켰다. 얻어진 농축액에 n-헵탄 150.0 부를 첨가하고, 얻어진 혼합물을 교반하고, 상청액을 제거하였다. 얻어진 혼합물을 농축시켜, 화합물 (F-3) 28.7 부를 얻었다.
화합물 (F-3) 19.80 부, 테트라히드로푸란 90.0 부, 화합물 (F-5) 10.3 부 및 피리딘 5.0 부를 혼합하고, 23℃에서 30분 동안 교반하였다. 얻어진 혼합물을 0℃로 냉각시켰다. 상기 혼합물에 화합물 (F-4), 1-(3-디메틸아미노프로필)-3-에틸카르보디이미드 히드로클로라이드 15.2 부를 첨가하고, 23℃에서 18시간 동안 교반하였다. 얻어진 혼합물에 n-헵탄 450.0 부 및 5％ 염산 용액 47.0 부를 첨가하고, 혼합물을 23℃에서 30분 동안 교반하였다. 얻어진 용액을 정치시키고, 이어서 분리하여, 유기층을 회수하였다. 회수된 유기층에 10％ 탄산칼륨 37.0 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 23℃에서 30분 동안 교반하고, 정치시키고, 이어서 분리하여, 유기층을 세척하였다. 상기 세척 작업을 2회 반복하였다. 세척된 유기층에 이온교환수 120.0 부를 첨가하고, 얻어진 용액을 23℃에서 30분 동안 교반하고, 정치시키고, 이어서 분리하여, 유기층을 물로 세척하였다. 상기 세척 작업을 5회 반복하였다. 얻어진 유기층을 농축액이 얻어지도록 농축시켜, 화합물 (F) 20.1 부를 얻었다.
MS (질량 분석): 406.1 (분자 이온 피크)
예 6: 화학식 (II-1)로 표시되는 염의 합성
Figure 112012057374777-pat00095
화학식 (II-1-1)로 표시되는 염을 JP 2008-127367A에 기재되어 있는 방법에 따라 합성하였다.
화학식 (II-1-1)로 표시되는 염 10.0 부 및 아세토니트릴 60.00 부를 충전하고, 40℃에서 30분 동안 교반하고, 여기에 화학식 (II-1-2)로 표시되는 화합물 4.44 부를 첨가하였다. 생성물을 50℃에서 1시간 동안 교반하여, 화학식 (II-1-3)으로 표시되는 화합물을 함유하는 용액을 얻었다. 얻어진 용액에 화학식 (II-1-4)로 표시되는 화합물 2.63 부를 첨가하고, 23℃에서 1시간 동안 교반하였다. 얻어진 반응물에 클로로포름 80 부 및 이온 교환수 30 부를 첨가하고, 교반하고, 분리하여, 유기층을 얻었다. 얻어진 유기층을 물로 5회 세척하였다. 얻어진 유기층에 활성탄 1 부를 첨가하고, 혼합물을 23℃에서 30분 동안 교반하고, 여과하였다. 여액을 농축시켜 농축액을 얻고, 상기 농축액에 아세토니트릴 25 부를 첨가하여 용해시키고, 얻어진 혼합물을 농축시켰다. 얻어진 잔류물에 tert-부틸 메틸 에테르 30 부를 첨가하고, 30분 동안 교반하고, 여과하여, 화학식 (II-1)로 표시되는 염 4.48 부를 얻었다.
화학식 (II-1)로 표시되는 염의 동정:
MS(ESI (+) 스펙트럼): M+ 263.1
MS(ESI (-) 스펙트럼): M- 272.0
수지의 합성예
수지의 합성에 사용된 단량체를 하기에 나타낸다.
Figure 112012057374777-pat00096
이들 단량체는 "단량체 (a1-1-1)" 내지 "단량체 (F)"로 칭한다.
합성예 7: 수지 A1-1의 합성
단량체 (a4-1-7) 및 단량체 (A)를 몰비 단량체 (a4-1-7):단량체 (A) = 90:10으로 함께 혼합하고, 여기에 디옥산을 단량체의 총량과 같은 양 내지 1.5 중량배의 양으로 첨가하여 용액을 얻었다. 아조비스이소부티로니트릴 및 아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)을 개시제로서 단량체 전량에 대하여 각각 0.7 몰％ 및 2.1 몰％의 양으로 첨가하여 용액을 얻고, 생성된 혼합물을 75℃에서 약 5시간 동안 가열하였다. 그 후, 얻어진 반응 혼합물을 대량의 메탄올/물 혼합 용매에 부어 수지를 침전시켰다. 얻어진 수지를 여과하였다. 이렇게 얻어진 수지를 또다른 디옥산에 용해시켜 용액을 얻고, 용액을 메탄올/물 혼합 용매의 혼합물에 부어 수지를 침전시켰다. 얻어진 수지를 여과하였다. 상기 작업을 2회 반복하여, 중량 평균 분자량이 약 17000인 공중합체를 82％ 수율로 얻었다. 하기 화학식의 단량체로부터 유도되는 구조 단위를 갖는 이 공중합체를 수지 A1-1로 하였다.
Figure 112012057374777-pat00097
합성예 8: 수지 A1-2의 합성
단량체 (B)를 사용하고, 여기에 디옥산을 단량체의 총량과 같은 양 내지 1.5 중량배의 양으로 첨가하여 용액을 얻었다. 아조비스이소부티로니트릴 및 아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)을 개시제로서 단량체 전량에 대하여 각각 0.7 몰％ 및 2.1 몰％의 양으로 첨가하여 용액을 얻고, 생성된 혼합물을 75℃에서 약 5시간 동안 가열하였다. 그 후, 얻어진 반응 혼합물을 대량의 메탄올/물 혼합 용매에 부어 수지를 침전시켰다. 이렇게 얻어진 수지를 또다른 디옥산에 용해시켜 용액을 얻고, 용액을 메탄올/물 혼합 용매의 혼합물에 부어 수지를 침전시켰다. 얻어진 수지를 여과하였다. 상기 작업을 2회 반복하여, 중량 평균 분자량이 약 20000인 중합체를 85％ 수율로 얻었다. 하기 화학식의 단량체로부터 유도되는 구조 단위를 갖는 이 중합체를 수지 A1-2로 하였다.
Figure 112012057374777-pat00098
합성예 9: 수지 A1-3의 합성
단량체 (C)를 사용하고, 여기에 디옥산을 단량체의 총량과 같은 양 내지 1.5 중량배의 양으로 첨가하여 용액을 얻었다. 아조비스이소부티로니트릴 및 아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)을 개시제로서 단량체 전량에 대하여 각각 0.7 몰％ 및 2.1 몰％의 양으로 첨가하여 용액을 얻고, 생성된 혼합물을 75℃에서 약 5시간 동안 가열하였다. 그 후, 얻어진 반응 혼합물을 대량의 메탄올/물 혼합 용매에 부어 수지를 침전시켰다. 이렇게 얻어진 수지를 또다른 디옥산에 용해시켜 용액을 얻고, 용액을 메탄올/물 혼합 용매의 혼합물에 부어 수지를 침전시켰다. 얻어진 수지를 여과하였다. 상기 작업을 2회 반복하여, 중량 평균 분자량이 약 19000인 중합체를 83％ 수율로 얻었다. 하기 화학식의 단량체로부터 유도되는 구조 단위를 갖는 이 중합체를 수지 A1-3으로 하였다.
Figure 112012057374777-pat00099
합성예 10: 수지 A1-4의 합성
단량체 (E)를 사용하고, 여기에 디옥산을 단량체의 총량과 같은 양 내지 1.2 중량배의 양으로 첨가하여 용액을 얻었다. 아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)을 개시제로서 단량체 전량에 대하여 4.5 몰％의 양으로 첨가하여 용액을 얻고, 생성된 혼합물을 60℃에서 약 5시간 동안 가열하였다. 그 후, 얻어진 반응 혼합물을 대량의 n-헵탄에 부어 수지를 침전시켰다. 얻어진 수지를 여과하여, 중량 평균 분자량이 약 26000인 중합체를 89％ 수율로 얻었다. 하기 화학식의 단량체로부터 유도되는 구조 단위를 갖는 이 중합체를 수지 A1-4로 하였다.
Figure 112012057374777-pat00100
합성예 11: 수지 A1-5의 합성
단량체 (F)를 사용하고, 여기에 디옥산을 단량체의 총량과 같은 양 내지 1.2 중량배의 양으로 첨가하여 용액을 얻었다. 아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)을 개시제로서 단량체 전량에 대하여 4.5 몰％의 양으로 첨가하여 용액을 얻고, 생성된 혼합물을 60℃에서 약 5시간 동안 가열하였다. 그 후, 얻어진 반응 혼합물을 대량의 n-헵탄에 부어 수지를 침전시켰다. 얻어진 수지를 여과하여, 중량 평균 분자량이 약 39000인 중합체를 90％ 수율로 얻었다. 하기 화학식의 단량체로부터 유도되는 구조 단위를 갖는 이 중합체를 수지 A1-5로 하였다.
Figure 112012057374777-pat00101
합성예 12: 수지 A2-1의 합성
단량체 (a1-1-3), 단량체 (a1-2-3), 단량체 (a2-1-1), 단량체 (a3-1-1) 및 단량체 (a3-2-3)을 몰비 30:14:6:20:30으로 충전하고, 여기에 디옥산을 단량체의 총량과 같은 양 내지 1.5 중량배의 양으로 첨가하여 용액을 얻었다. 여기에 아조비스이소부티로니트릴 및 아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)을 개시제로서 단량체 전량에 대하여 각각 1 몰％ 및 3 몰％의 양으로 첨가하고, 생성된 혼합물을 73℃에서 약 5시간 동안 가열하였다. 그 후, 반응 용액을 대량의 메탄올 및 이온교환수 (4:1)의 혼합물에 부어 수지를 침전시켰다. 얻어진 수지를 여과하였다. 이렇게 얻어진 수지를 또다른 디옥산에 용해시켜 용액을 얻고, 용액을 대량의 메탄올 및 물의 혼합물에 부어 수지를 침전시켰다. 얻어진 수지를 여과하였다. 정제를 위해 상기 작업을 2회 반복하여, 중량 평균 분자량이 약 8100인 공중합체를 65％ 수율로 얻었다. 하기 화학식의 단량체로부터 유도되는 구조 단위를 갖는 이 공중합체를 수지 A2-1로 하였다.
Figure 112012057374777-pat00102
합성예 13: 수지 A2-2의 합성
단량체 (a1-1-2), 단량체 (a1-2-3), 단량체 (a2-1-1), 단량체 (a3-1-1) 및 단량체 (a3-2-3)을 몰비 30:14:6:20:30으로 충전하고, 여기에 디옥산을 단량체의 총량과 같은 양 내지 1.5 중량배의 양으로 첨가하여 용액을 얻었다. 여기에 아조비스이소부티로니트릴 및 아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)을 개시제로서 단량체 전량에 대하여 각각 1 몰％ 및 3 몰％의 양으로 첨가하고, 생성된 혼합물을 73℃에서 약 5시간 동안 가열하였다. 그 후, 반응 용액을 대량의 메탄올 및 이온교환수 (4:1)의 혼합물에 부어 수지를 침전시켰다. 얻어진 수지를 여과하였다. 이렇게 얻어진 수지를 또다른 디옥산에 용해시켜 용액을 얻고, 용액을 대량의 메탄올 및 물의 혼합물에 부어 수지를 침전시켰다. 얻어진 수지를 여과하였다. 정제를 위해 상기 작업을 2회 반복하여, 중량 평균 분자량이 약 7800인 공중합체를 68％ 수율로 얻었다. 하기 화학식의 단량체로부터 유도되는 구조 단위를 갖는 이 공중합체를 수지 A2-2로 하였다.
Figure 112012057374777-pat00103
합성예 14: 수지 A2-3의 합성
단량체 (a1-1-2), 단량체 (a2-1-1) 및 단량체 (a3-1-1)을 몰비 50:25:25로 혼합하고, 여기에 디옥산을 단량체의 총량과 같은 양 내지 1.5 중량배의 양으로 첨가하였다. 여기에 아조비스이소부티로니트릴 및 아조비스(2,4-디메틸 발레로니트릴)을 개시제로서 단량체 전량에 대하여 각각 1 몰％ 및 3 몰％의 양으로 첨가하고, 생성된 혼합물을 80℃에서 약 8시간 동안 가열하였다. 그 후, 반응 용액을 대량의 메탄올 및 이온교환수 (4:1)의 혼합물에 부어 수지를 침전시켰다. 얻어진 수지를 여과하였다. 이렇게 얻어진 수지를 또다른 디옥산에 용해시켜 용액을 얻고, 용액을 대량의 메탄올 및 물의 혼합물에 부어 수지를 침전시켰다. 얻어진 수지를 여과하였다. 정제를 위해 상기 작업을 3회 반복하여, 중량 평균 분자량이 약 9200인 공중합체를 60％ 수율로 얻었다. 하기 화학식의 단량체로부터 유도되는 구조 단위를 갖는 이 공중합체를 수지 A2-3으로 하였다.
Figure 112012057374777-pat00104
합성예 15: 수지 A2-4의 합성
단량체 (a1-1-2), 단량체 (a1-2-3), 단량체 (a2-1-1), 단량체 (a3-2-3) 및 단량체 (a3-1-1) 몰비 30:14:6:20:30으로 충전하고, 여기에 디옥산을 단량체의 총량과 같은 양 내지 1.5 중량배의 양으로 첨가하여 용액을 얻었다. 여기에 아조비스이소부티로니트릴 및 아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)을 개시제로서 단량체 전량에 대하여 각각 1 몰％ 및 3 몰％의 양으로 첨가하고, 생성된 혼합물을 75℃에서 약 5시간 동안 가열하였다. 그 후, 반응 용액을 대량의 메탄올 및 이온교환수 (4:1)의 혼합물에 부어 수지를 침전시켰다. 얻어진 수지를 여과하였다. 이렇게 얻어진 수지를 또다른 디옥산에 용해시켜 용액을 얻고, 용액을 대량의 메탄올 및 물의 혼합물에 부어 수지를 침전시켰다. 얻어진 수지를 여과하였다. 정제를 위해 상기 작업을 2회 반복하여, 중량 평균 분자량이 약 7200인 공중합체를 78％ 수율로 얻었다. 하기 화학식의 단량체로부터 유도되는 구조 단위를 갖는 이 공중합체를 수지 A2-4로 하였다.
Figure 112012057374777-pat00105
합성예 16: 수지 A2-5의 합성
단량체 (a1-1-2), 단량체 (a1-5-1), 단량체 (a2-1-1), 단량체 (a3-2-3) 및 단량체 (a3-1-1)을 몰비 30:14:6:20:30으로 충전하고, 여기에 디옥산을 단량체의 총량과 같은 양 내지 1.5 중량배의 양으로 첨가하여 용액을 얻었다. 여기에 아조비스이소부티로니트릴 및 아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)을 개시제로서 단량체 전량에 대하여 각각 1 몰％ 및 3 몰％의 양으로 첨가하고, 생성된 혼합물을 75℃에서 약 5시간 동안 가열하였다. 그 후, 반응 용액을 대량의 메탄올 및 이온교환수의 혼합물에 부어 수지를 침전시켰다. 얻어진 수지를 여과하였다. 이렇게 얻어진 수지를 또다른 디옥산에 용해시켜 용액을 얻고, 용액을 대량의 메탄올 및 물의 혼합물에 부어 수지를 침전시켰다. 얻어진 수지를 여과하였다. 정제를 위해 상기 작업을 2회 반복하여, 중량 평균 분자량이 약 7200인 공중합체를 78％ 수율로 얻었다. 하기 화학식의 단량체로부터 유도되는 구조 단위를 갖는 이 공중합체를 수지 A2-5로 하였다.
Figure 112012057374777-pat00106
합성예 17: 수지 X1의 합성
단량체 (a1-1-1), 단량체 (a3-1-1) 및 단량체 (a2-1-1)을 몰비 35:45:20으로 혼합하고, 여기에 디옥산을 단량체의 총량과 같은 양 내지 1.5 중량배의 양으로 첨가하여 용액을 얻었다. 아조비스이소부티로니트릴 및 아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)을 개시제로서 단량체 전량에 대하여 각각 1.0 몰％ 및 3.0 몰％의 양으로 첨가하여 용액을 얻고, 생성된 혼합물을 75℃에서 약 5시간 동안 가열하였다. 그 후, 얻어진 반응 혼합물을 대량의 메탄올 및 물의 혼합물에 부어 수지를 침전시켰다. 얻어진 수지를 여과하였다. 이렇게 얻어진 수지를 또다른 디옥산에 용해시켜 용액을 얻고, 용액을 메탄올 및 물의 혼합물에 부어 수지를 침전시켰다. 얻어진 수지를 여과하였다. 정제를 위해 상기 작업을 2회 반복하여, 중량 평균 분자량이 약 7000인 공중합체를 75％ 수율로 얻었다. 하기 화학식의 단량체로부터 유도되는 구조 단위를 갖는 이 공중합체를 수지 X1로 하였다.
Figure 112012057374777-pat00107
합성예 18: 수지 X2의 합성
단량체 (D) 및 단량체 (a1-1-1)을 몰비 80:20으로 혼합하고, 여기에 디옥산을 단량체의 총량과 같은 양 내지 1.5 중량배의 양으로 첨가하여 용액을 얻었다. 아조비스이소부티로니트릴 및 아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)을 개시제로서 단량체 전량에 대하여 각각 0.5 몰％ 및 1.5 몰％의 양으로 첨가하여 용액을 얻고, 생성된 혼합물을 70℃에서 약 5시간 동안 가열하였다. 그 후, 얻어진 반응 혼합물을 대량의 메탄올 및 물의 혼합물에 부어 수지를 침전시켰다. 얻어진 수지를 여과하였다. 이렇게 얻어진 수지를 또다른 디옥산에 용해시켜 용액을 얻고, 용액을 메탄올 및 이온교환수의 혼합물에 부어 수지를 침전시켰다. 얻어진 수지를 여과하였다. 상기 작업을 2회 반복하여, 중량 평균 분자량이 약 28000인 공중합체를 70％ 수율로 얻었다. 하기 화학식의 단량체로부터 유도되는 구조 단위를 갖는 이 공중합체를 수지 X2로 하였다.
Figure 112012057374777-pat00108
(레지스트 조성물의 제조)
레지스트 조성물을, 표 1에 기재된 각 성분을 혼합 및 용해하고, 이어서 0.2 μm 구멍 직경의 플루오로레진 필터를 통해 여과하여 제조하였다.
Figure 112012057374777-pat00109
<수지>
합성예로 제조된 수지
<산발생제>
B1: 이는 JP2010-152341A의 실시예에 기재된 방법에 따른 방법으로 제조하였다.
Figure 112012057374777-pat00110
B2: 이는 WO2008/99869 및 JP2010-26478A의 실시예에 기재된 방법에 따른 방법으로 제조하였다.
Figure 112012057374777-pat00111
B3: 이는 JP2005-221721A의 실시예에 기재된 방법에 따른 방법으로 제조하였다.
Figure 112012057374777-pat00112
<염기성 화합물: 켄처>
C1: 2,6-디이소프로필아닐린 (도꾜 가세이 고교사(Tokyo Chemical Industry Co., LTD) 제조)
<레지스트 조성물의 용제>
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 265 부
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 20 부
2-헵타논 20 부
γ-부티로락톤 3.5 부
(레지스트 패턴의 제조)
12인치 실리콘 웨이퍼 상에 유기 반사방지 필름용 조성물 ("ARC-29", 닛산 가가꾸사(Nissan Chemical Co. Ltd.) 제조)을 도포하고, 205℃에서 60초 동안 소성하여, 78 nm 두께의 유기 반사방지 필름을 형성하였다.
이어서, 그 위에 상기 레지스트 조성물을 스핀 코팅으로 도포하여, 건조 후 생성된 필름의 두께가 110 nm가 되었다.
이어서, 얻어진 웨이퍼를 다이렉트 핫 플레이트에서 표 1의 "PB" 컬럼에 나타낸 온도로 60초 동안 예비 소성하여, 조성물층을 얻었다.
이어서, 이렇게 하여 조성물층이 형성되어 있는 웨이퍼 상에, 액침 리소그래피용 ArF 엑시머 스테퍼 ("XT:1900Gi", 에이에스엠엘사(ASML Ltd.): NA=1.35, 3/4 애뉼라(Annular), X-Y 편극)를 사용하여 노광량을 단계적으로 변화시키며 라인 앤드 스페이스 패턴을 노광하였다. 액침 매질로는 초순수를 사용하였다.
노광 후, 표 1의 "PEB" 컬럼에 나타낸 온도로 60초 동안 노광 후 소성을 행하였다.
이어서, 2.38 wt％ 테트라메틸암모늄 히드록시드 수용액을 사용하여 60초 동안 퍼들 현상을 행하여, 레지스트 패턴을 얻었다.
각 레지스트 필름에서 50 nm 라인 앤드 스페이스 패턴이 1:1로 해상될 때의 노광량을 유효 감도로 하였다.
(노광 마진 평가 (EL))
수평축이 유효 감도±10％의 범위 내의 노광량에 상응하며, 수직축이 그 노광량에서 형성된 라인 패턴의 50 nm 폭의 선폭에 상응하는 그래프로부터, 노광 마진을 평가하였다. 상기 평가에서,
상기 플롯으로부터 얻어진 회귀선의 기울기의 절대값이 1.1 nm/(mJ/cm2) 이하인 경우를 이중원으로 하고;
그 기울기의 절대값이 1.5 nm/(mJ/cm2) 이하 및 1.1 nm/(mJ/cm2) 이상인 경우를 원으로 하고;
그 기울기의 절대값이 1.5 nm/(mJ/cm2)를 초과하는 경우를 십자로 하였다.
표 2에 그 결과를 나타낸다. 표 2에서, 괄호 내의 값은 회귀선의 기울기의 절대값을 나타낸다.
(결함의 평가)
상기 레지스트 조성물을 각 12인치 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅으로 도포하여, 건조 후 얻어진 필름의 두께가 150 nm가 되었다.
이어서, 얻어진 웨이퍼를 표 1의 "PB" 컬럼에 나타낸 온도로 다이렉트 핫 플레이트 상에서 60초간 예비 소성하여 조성물층을 얻었다.
조성물층이 생성된 이와 같이 하여 얻어진 웨이퍼를 현상 장치 (ACT-12, 도쿄 일렉트론사(Tokyo electron Co. Ltd.) 제조)를 이용하여 60초간 물로 세정하였다.
이후, 결함 조사 장치 (KLA-2360, KLA-텐코사(KLA-Tencor Co. Ltd.) 제조)를 이용하여 결함 수를 세었다.
표 2에 그 결과를 나타낸다.
Figure 112012057374777-pat00113
본 발명의 레지스트 조성물에 따르면, 레지스트 패턴 제조시에 우수한 EL을 달성할 수 있다. 따라서, 본 발명의 레지스트 조성물은 반도체 미세가공에 사용할 수 있다.

Claims (9)

  1. 화학식 (I)로 표시되는 구조 단위로 이루어지는 수지, 또는 화학식 (I)로 표시되는 구조 단위와, 화학식 (III-1)로 표시되는 구조 단위 및 화학식 (III-2)로 표시되는 구조 단위 중 한쪽 또는 양쪽으로 이루어지는 수지,
    알칼리 수용액에 불용성 또는 난용성이지만 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 가용성이 되며, 화학식 (I)로 표시되는 구조 단위를 포함하지 않는 수지, 및
    화학식 (II)로 표시되는 산발생제
    를 포함하는 레지스트 조성물.
    Figure 112018093498949-pat00118

    (식 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고;
    A1은 C1 내지 C6의 알칸디일기를 나타내고;
    A13은 하나 이상의 할로겐 원자를 갖는 C1 내지 C18의 2가의 지방족 탄화수소기를 나타내고;
    X12는 *-CO-O- 또는 *-O-CO-를 나타내고, *는 A13에 대한 결합을 나타내고;
    A14는 하나 이상의 할로겐 원자를 가질 수도 있는 C1 내지 C17의 지방족 탄화수소기를 나타냄)
    Figure 112018093498949-pat00119

    (식 중, R11은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고;
    A11은 C1 내지 C6의 알칸디일기를 나타내고;
    R12는 불소 원자를 갖는 C1 내지 C10의 탄화수소기를 나타냄)
    Figure 112018093498949-pat00120

    (식 중, R21은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고;
    환 W2는 C6 내지 C10의 탄화수소환을 나타내고;
    A22는 -O-, *-CO-O- 또는 *-O-CO-를 나타내며, *는 환 W2에 대한 결합을 나타내고;
    R22는 불소 원자를 갖는 C1 내지 C6의 알킬기를 나타냄)
    Figure 112018093498949-pat00121

    (식 중, Rb1 및 Rb2는 독립적으로 불소 원자 또는 C1 내지 C6의 퍼플루오로알킬기를 나타내고;
    Lb1은 C1 내지 C17의 2가의 포화 탄화수소기를 나타내며, 상기 포화 탄화수소기 중 함유된 하나 이상의 -CH2-는 -O- 또는 -CO-로 치환될 수 있고;
    환 Wb1은 C2 내지 C36의 헤테로사이클을 나타내고;
    Rb3은 수소 원자 또는 C1 내지 C12의 탄화수소기를 나타내며, 상기 탄화수소기 중 함유된 하나 이상의 -CH2-는 -O- 또는 -CO-로 치환될 수 있고;
    Rb4는 각 경우 독립적으로 C1 내지 C6의 탄화수소기를 나타내며, 상기 탄화수소기 중 함유된 하나 이상의 -CH2-는 -O- 또는 -CO-로 치환될 수 있고;
    m은 0 내지 6의 정수를 나타내고;
    Z1+은 유기 양이온을 나타냄)
  2. 제1항에 있어서, 화학식 (I) 중 A1이 에틸렌기인 레지스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 화학식 (I) 중 A13이 C1 내지 C6의 퍼플루오로알칸디일기인 레지스트 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 화학식 (I) 중 X12가 *-CO-O-이고, *는 A13에 대한 결합을 나타내는 레지스트 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 화학식 (I) 중 A14가 시클로프로필메틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 노르보르닐 또는 아다만틸기인 레지스트 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 화학식 (II) 중 Lb1이 화학식 (L1-1)로 표시되는 기인 레지스트 조성물.
    Figure 112012057374777-pat00116

    (식 중, Lb2는 단일 결합 또는 C1 내지 C15의 2가의 포화 탄화수소기를 나타내고;
    *는 -C(Rb1)(Rb2)-의 탄소 원자에 대한 결합을 나타냄)
  7. 제1항에 있어서, 화학식 (II) 중 Z1 +이 트리아릴술포늄 양이온인 레지스트 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 용제를 더 포함하는 레지스트 조성물.
  9. (1) 제1항에 기재된 레지스트 조성물을 기판 상에 도포하는 단계;
    (2) 도포된 조성물을 건조하여 조성물층을 형성하는 단계;
    (3) 조성물층을 노광하는 단계;
    (4) 노광된 조성물층을 가열하는 단계; 및
    (5) 가열된 조성물층을 현상하는 단계
    를 포함하는 레지스트 패턴의 제조 방법.
KR1020120078193A 2011-07-19 2012-07-18 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 KR101965907B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2011-157522 2011-07-19
JP2011157522 2011-07-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130010854A KR20130010854A (ko) 2013-01-29
KR101965907B1 true KR101965907B1 (ko) 2019-04-04

Family

ID=47533954

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120078193A KR101965907B1 (ko) 2011-07-19 2012-07-18 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9429841B2 (ko)
JP (1) JP5990041B2 (ko)
KR (1) KR101965907B1 (ko)
CN (1) CN102890412A (ko)
TW (1) TWI545397B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI513678B (zh) * 2010-06-29 2015-12-21 Sumitomo Chemical Co 鹽、酸產生劑及光阻組成物
JP5886696B2 (ja) 2011-07-19 2016-03-16 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6123385B2 (ja) * 2012-04-04 2017-05-10 住友化学株式会社 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6159555B2 (ja) * 2012-04-10 2017-07-05 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002220416A (ja) 2000-11-21 2002-08-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP2004004697A (ja) 2002-04-05 2004-01-08 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料及びパターン形成方法
WO2011034176A1 (ja) * 2009-09-18 2011-03-24 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び重合性化合物

Family Cites Families (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2150691C2 (de) 1971-10-12 1982-09-09 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Lichtempfindliches Gemisch und Verwendung eines lichtempfindlichen Gemisches zur Herstellung einer Flachdruckplatte
US3779778A (en) 1972-02-09 1973-12-18 Minnesota Mining & Mfg Photosolubilizable compositions and elements
DE2922746A1 (de) 1979-06-05 1980-12-11 Basf Ag Positiv arbeitendes schichtuebertragungsmaterial
US5073476A (en) 1983-05-18 1991-12-17 Ciba-Geigy Corporation Curable composition and the use thereof
JPS62153853A (ja) 1985-12-27 1987-07-08 Toshiba Corp 感光性組成物
JPS6269263A (ja) 1985-09-24 1987-03-30 Toshiba Corp 感光性組成物
US4822716A (en) 1985-12-27 1989-04-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Polysilanes, Polysiloxanes and silicone resist materials containing these compounds
US5198520A (en) 1985-12-27 1993-03-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Polysilanes, polysiloxanes and silicone resist materials containing these compounds
JPS6326653A (ja) 1986-07-21 1988-02-04 Tosoh Corp フオトレジスト材
JPS63146029A (ja) 1986-12-10 1988-06-18 Toshiba Corp 感光性組成物
JPS63146038A (ja) 1986-12-10 1988-06-18 Toshiba Corp 感光性組成物
GB8630129D0 (en) 1986-12-17 1987-01-28 Ciba Geigy Ag Formation of image
US4857437A (en) 1986-12-17 1989-08-15 Ciba-Geigy Corporation Process for the formation of an image
DE3914407A1 (de) 1989-04-29 1990-10-31 Basf Ag Strahlungsempfindliche polymere und positiv arbeitendes aufzeichnungsmaterial
US5453341A (en) 1989-04-29 1995-09-26 Schwalm; Reinhold Radiation-sensitive polymers and positive-working recording materials
US5260410A (en) 1989-04-29 1993-11-09 Reinhold Schwalm Radiation-sensitive polymer having acid labile groups and onium salt groups
US5663035A (en) 1994-04-13 1997-09-02 Hoechst Japan Limited Radiation-sensitive mixture comprising a basic iodonium compound
JP3577743B2 (ja) 1994-06-08 2004-10-13 Ｊｓｒ株式会社 ポジ型感放射線性樹脂組成物
JPH1152575A (ja) 1997-08-04 1999-02-26 Sumitomo Chem Co Ltd 化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物
US6200728B1 (en) 1999-02-20 2001-03-13 Shipley Company, L.L.C. Photoresist compositions comprising blends of photoacid generators
PL1656372T3 (pl) 2003-07-30 2013-08-30 Rigel Pharmaceuticals Inc Związki 2,4-pirymidynodiaminy do stosowania w leczeniu lub zapobieganiu chorobom autoimmunologicznym
WO2005063722A1 (en) 2003-12-19 2005-07-14 Rigel Pharmaceuticals, Inc. Stereoisomers and stereoisomeric mixtures of 1-(2,4-pyrimidinediamino)-2-cyclopentanecarboxamide synthetic intermediates
JP4448705B2 (ja) 2004-02-05 2010-04-14 富士フイルム株式会社 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
US7304175B2 (en) 2005-02-16 2007-12-04 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt suitable for an acid generator and a chemically amplified resist composition containing the same
TWI394004B (zh) 2005-03-30 2013-04-21 Sumitomo Chemical Co 適合作為酸產生劑之鹽及含有該鹽之化學放大型光阻組成物
JP5194375B2 (ja) 2005-03-30 2013-05-08 住友化学株式会社 化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤用の塩
TWI421635B (zh) 2006-06-09 2014-01-01 Sumitomo Chemical Co 適合作為酸產生劑之鹽及含該鹽之化學放大正型光阻組成物
JP5374836B2 (ja) 2006-06-09 2013-12-25 住友化学株式会社 化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤用の塩
WO2008015876A1 (fr) * 2006-08-04 2008-02-07 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Composé polymérisable ayant une structure d'adamantane, son procédé de production et composition de résine
JP5266688B2 (ja) 2006-08-18 2013-08-21 住友化学株式会社 化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤用の塩
JP5103878B2 (ja) 2006-11-24 2012-12-19 住友化学株式会社 化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤製造用スルホニウム化合物
TWI412888B (zh) 2006-08-18 2013-10-21 Sumitomo Chemical Co 適合作為酸產生劑之鹽及含有該鹽之化學放大型正光阻組成物
GB2441032B (en) 2006-08-18 2008-11-12 Sumitomo Chemical Co Salts of perfluorinated sulfoacetic acids
CN101236357B (zh) 2007-01-30 2012-07-04 住友化学株式会社 化学放大型抗蚀剂组合物
KR101277395B1 (ko) 2007-02-15 2013-06-20 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 광산발생제용 화합물 및 이를 사용한 레지스트 조성물, 패턴 형성방법
KR100960252B1 (ko) 2007-09-12 2010-06-01 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 신규 화합물 및 그 제조 방법, 그리고 산발생제
JP5285897B2 (ja) 2007-12-11 2013-09-11 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5398248B2 (ja) 2008-02-06 2014-01-29 東京応化工業株式会社 液浸露光用レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
JP5389411B2 (ja) * 2008-02-08 2014-01-15 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物およびその製造方法、ならびに酸発生剤
JP5162292B2 (ja) 2008-03-19 2013-03-13 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト材料およびレジストパターン形成方法
JP5049935B2 (ja) 2008-06-20 2012-10-17 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5559501B2 (ja) * 2008-09-30 2014-07-23 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
TWI465844B (zh) 2008-10-08 2014-12-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 光阻組成物，光阻圖型之形成方法，化合物，及酸產生劑
JP5460230B2 (ja) * 2008-10-31 2014-04-02 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
KR101547356B1 (ko) * 2008-11-13 2015-08-25 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 신규 화합물 및 산발생제
JP2010152341A (ja) 2008-11-27 2010-07-08 Sumitomo Chemical Co Ltd 液浸露光用化学増幅型フォトレジスト組成物
JP5292078B2 (ja) * 2008-12-05 2013-09-18 富士フイルム株式会社 感活性光線または感放射線性樹脂組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法
JP5398246B2 (ja) * 2008-12-10 2014-01-29 東京応化工業株式会社 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5523854B2 (ja) 2009-02-06 2014-06-18 住友化学株式会社 化学増幅型フォトレジスト組成物及びパターン形成方法
JP5412134B2 (ja) 2009-02-20 2014-02-12 東京応化工業株式会社 液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
JP5783687B2 (ja) * 2009-06-23 2015-09-24 住友化学株式会社 樹脂及びレジスト組成物
KR101699082B1 (ko) 2009-07-27 2017-01-23 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 화학 증폭형 레지스트 조성물 및 그것에 사용되는 염
EP2470958B1 (en) 2009-08-28 2019-05-01 FUJIFILM Corporation Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition and method of forming pattern using the composition
CN102002121A (zh) 2009-08-31 2011-04-06 住友化学株式会社 树脂，抗蚀剂组合物和用于制造抗蚀剂图案的方法
JP5724265B2 (ja) * 2009-09-18 2015-05-27 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法及び重合体
JP5740883B2 (ja) * 2009-09-18 2015-07-01 Jsr株式会社 アルカリ解離性基を有する重合性の化合物
WO2011072307A2 (en) * 2009-12-11 2011-06-16 Rohm And Haas Electronic Materials, L.L.C. Compositions comprising base-reactive component and processes for photolithography
JP5439154B2 (ja) 2009-12-15 2014-03-12 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
US8460851B2 (en) 2010-01-14 2013-06-11 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt and photoresist composition containing the same
JP5691585B2 (ja) 2010-02-16 2015-04-01 住友化学株式会社 レジスト組成物
JP5807334B2 (ja) * 2010-02-16 2015-11-10 住友化学株式会社 塩及び酸発生剤の製造方法
TWI499581B (zh) 2010-07-28 2015-09-11 Sumitomo Chemical Co 光阻組成物
TWI521302B (zh) * 2010-08-30 2016-02-11 住友化學股份有限公司 阻劑組成物及阻劑圖案的產生方法
JP5750346B2 (ja) 2010-10-06 2015-07-22 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5824320B2 (ja) * 2010-10-26 2015-11-25 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5454458B2 (ja) 2010-11-25 2014-03-26 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP5781755B2 (ja) * 2010-12-08 2015-09-24 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法
JP6088133B2 (ja) * 2010-12-15 2017-03-01 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002220416A (ja) 2000-11-21 2002-08-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP2004004697A (ja) 2002-04-05 2004-01-08 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料及びパターン形成方法
WO2011034176A1 (ja) * 2009-09-18 2011-03-24 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び重合性化合物

Also Published As

Publication number Publication date
TW201319728A (zh) 2013-05-16
JP2013041244A (ja) 2013-02-28
US20130022925A1 (en) 2013-01-24
KR20130010854A (ko) 2013-01-29
CN102890412A (zh) 2013-01-23
US9429841B2 (en) 2016-08-30
TWI545397B (zh) 2016-08-11
JP5990041B2 (ja) 2016-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101776320B1 (ko) 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법
KR101897291B1 (ko) 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법
KR101758383B1 (ko) 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법
KR101965908B1 (ko) 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법
TWI521303B (zh) 阻劑組成物及阻劑圖案之製造方法
KR101865952B1 (ko) 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법
KR101899598B1 (ko) 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법
KR101897289B1 (ko) 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법
KR101844070B1 (ko) 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법
KR101865951B1 (ko) 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법
KR101995069B1 (ko) 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법
KR101965907B1 (ko) 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법
KR101897834B1 (ko) 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법
KR101973815B1 (ko) 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법
KR101995072B1 (ko) 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법
KR101927535B1 (ko) 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법
KR101995070B1 (ko) 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법
KR101897833B1 (ko) 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법
KR101995071B1 (ko) 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법
JP2013007034A (ja) 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right