KR101951352B1 - 전극 공정 부산물로부터 은을 회수하는 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전극 공정 부산물로부터 은을 회수하는 방법에 관한 것으로, 상기 회수 방법에 의하면 전극 공정 부산물, 특히 저온 동시 소성 세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic; LTCC) 공정부산물로부터 상기 전극 공정 부산물에 함유된 저농도의 은을 고순도의 은 나노입자로 회수할 수 있다. 또한, 상기 회수방법은 종래기술에 비해 은 회수 공정이 단순하고 폐수 발생이 적어 간편하면서도 공정 비용을 절감할 수 있어 경제적이다.

Description

전극 공정 부산물로부터 은을 회수하는 방법{METHOD FOR RECOVERING SILVER FROM BY-PRODUCTS GENERATED IN AN ELECTRODE MANUFACTURING PROCESS}
본 발명은 전극 공정 부산물, 특히, 저온 동시 소성 세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic; LTCC) 제조 시 발생하는 부산물로부터 은을 회수하는 방법에 관한 것이다.
전자산업 폐기물에는 은(Ag), 크롬(Cr), 납(Pb), 구리(Cu), 철(Fe), 망간(Mn), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh) 등의 유가금속(有價金屬)이 함유되어 있다. 이러한 유가금속들은 스퍼터, 타겟, 디스플레이 소자, 각종 기판 등의 전자산업, 화학, 의학 등의 다양한 분야에서 광범위하게 사용된다. 그러나, 부존자원이 전무하고 귀금속 관련 산업원료를 전량 수입에 의존하는 국내 실정으로서는 전자산업 폐기물로부터 유가금속을 회수하여 재활용하는 기술이 꾸준히 요구되고 있다. 그러나, 국내에서는 전자산업 폐기물로부터 유가금속을 회수하는 기술이 아직 상용화되어 있지 않아, 국내 업체에서 발생하는 전자산업 폐기물의 대부분이 해외로 수출되고 있다. 고가의 유가금속의 재활용은 회수하고자 하는 대상 물질 및 회수 금속의 종류에 따라 달라지기 때문에 다양한 전자산업 폐기물로부터 유가금속을 회수하기 위한 체계적인 연구가 필요하다. 또한, 자원을 무기화하는 것에 대비하여 유가금속의 함유량이 높은 전자산업 폐기물로부터 유가금속을 회수하는 것은 자원의 안정적 확보 측면에서도 중요하다.
유가금속 중 은을 회수하기 위한 방법으로 알려진 종래기술에는 습식제련 또는 전기분해제련이 있다. 습식제련은 산, 알칼리, 산화제, 환원제 등을 사용하여 은을 침출, 환원, 석출시켜 정제하는 방법으로, 전기분해제련에 비해 경제성이 좋아 널리 사용되고 있다.
한국 등록특허 제10-1665426호는 습식제련을 이용하여 은을 회수하는 방법, 구체적으로, 질산은 용액에서의 은 성분을 수산화나트륨과 반응시켜 슬러리 상태의 수산화은 중간체를 형성한 다음, 분산제 첨가, 열분해 등의 공정을 수행하여 분말 형태의 은을 회수하는 방법을 개시하고 있다. 그러나, 상기 공정 중 수산화은을 형성하는 단계에서, 마그네슘과 철 등의 불순물이 효과적으로 제거되지 않아 고순도의 은을 확보하는데 한계가 있다.
또한, 한국 등록특허 제10-1578389호는 은을 포함하는 합금재로부터 은을 회수하기 위해 질산을 사용하여 은을 침출시킨 후 여기에 염화나트륨을 첨가하여 염화은을 침전시키고 분리하는 방법을 개시하고 있으나, 이 방법에 의하면, 염화나트륨 첨가에 의한 염화은 침전 시 부산물로서 질산나트륨이 생성된다는 단점이 있다.
한국 등록특허 제10-0713660호는 은 스크랩으로부터 은을 정제하여 회수하는 방법을 개시하고 있으나, 상기 특허 역시 은 침출시 질산을, 은 침전시 염화나트륨을 사용하고 있어 마찬가지로 공정 중 부산물로서 질산나트륨이 생성되는 문제가 있다.
또한, 종래 습식제련 공정을 이용한 은 환원 시에는 폴리올, 설탕, 시트르산염, 수소화붕소나트륨(NaBH4), 하이드라진(N2H4) 등이 사용되고, 안정성과 입자성장제어를 위해 폴리비닐피롤리돈(PVP)을 캐핑제로 이용하고 있다. 그러나, 하이드라진을 환원제로 사용하는 경우에는 자체적으로 발생하는 증기 외에 물과 만나서 독성물질로 알려진 암모니아(NH3)가 발생하여 인체에 해롭다는 단점이 있다.
또한, 종래 방법들은 온도 제어, 입자 형태로 은을 회수, 나아가, 은 입자의 크기를 제어하기 위한 공정들을 별도로 수행해야 하므로, 은 회수 공정이 복잡해진다는 단점이 있다.
한국 등록특허 제10-1665426호 한국 등록특허 제10-1578389호 한국 등록특허 제10-0713660호
따라서, 본 발명은 은을 함유하는 전자산업 폐기물, 구체적으로 저농도의 은을 포함하는 전극 공정 부산물로부터 나노입자의 은을 간편하고 효율적으로 회수하는 방법을 제공하고자 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 (1) 전극 공정 부산물에 질산을 첨가하여 은을 침출시키는 단계, (2) 상기 은을 포함하는 침출액을 여과하여 고상의 잔류물을 제거하는 단계, (3) 고상의 잔류물이 제거된 침출액에 염산을 첨가하여 염화은을 침전시키고 분리회수하는 단계, (4) 암모니아 수용액에 상기 염화은을 용해시켜 질산은 수용액을 제조하는 단계 및 (5) 상기 질산은 수용액에 환원제를 첨가한 후 원심분리하여 은 나노입자를 회수하는 단계를 포함하는 전극 공정 부산물로부터 은을 회수하는 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 전극 공정 부산물로부터 은을 회수하는 방법에 의하면, 전극 공정 부산물, 특히 저온 동시 소성 세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic; LTCC) 공정부산물로부터 상기 전극 공정 부산물에 함유된 저농도의 은을 고순도의 은 나노입자로 회수할 수 있다. 또한, 상기 회수방법은 종래기술에 비해 은 회수 공정이 단순하고 폐수 발생이 적어 간편하면서도 공정 비용을 절감할 수 있어 경제적이다.
도 1은 질산 농도 및 침출시간에 따른 LTCC 공정 부산물 내 금속들의 침출량을 나타낸 그래프이다(준비예 2 참조).
도 2는 도 1의 결과 중 은의 침출량만을 선택적으로 강조한 그래프이다(준비예 2 참조).
도 3은 온도 및 침출시간에 따른 LTCC 공정 부산물 내 금속들의 침출량을 나타낸 그래프이다(준비예 3 참조).
도 4는 도 3의 결과 중 은의 침출량만을 선택적으로 강조한 그래프이다(준비예 3 참조).
도 5는 염산의 당량비에 따른 LTCC 공정 부산물 내 금속들의 침전률을 나타낸 그래프이다(준비예 4 참조).
도 6은 염산의 당량비에 따른 침출된 은의 순도를 나타낸 그래프이다 (준비예 4 참조).
도 7은 LTCC 공정 부산물로부터 침전시켜 분리한 염화은의 X선 회절 분석 그래프이다(준비예 5 참조).
도 8은 실시예 4 및 6에서 얻은 은 나노입자의 X선 회절 분석 그래프이다(시험예 참조).
도 9는 실시예 4 및 6에서 얻은 은 나노입자의 전계방출형 주사전자현미경(FE-SEM) 사진이다(시험예 참조).
본 발명은 (1) 전극 공정 부산물에 질산을 첨가하여 은을 침출시키는 단계, (2) 상기 은을 포함하는 침출액을 여과하여 고상의 잔류물을 제거하는 단계, (3) 고상의 잔류물이 제거된 침출액에 염산을 첨가하여 염화은을 침전시키고 분리회수하는 단계, (4) 암모니아 수용액에 상기 염화은을 용해시켜 질산은 수용액을 제조하는 단계 및 (5) 상기 질산은 수용액에 환원제를 첨가한 후 원심분리하여 은 나노입자를 회수하는 단계를 포함하는 전극 공정 부산물로부터 은을 회수하는 방법을 제공한다.
구체적으로, 상기 전극 공정 부산물은 저온 동시 소성 세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic; LTCC) 제조 공정으로부터 발생한 부산물일 수 있다. LTCC란 여러 층의 세라믹 기판 안에, 전기 전도도가 우수한 은(Ag), 구리(Cu) 등의 전극 회로를 이용하여 다수의 수동 소자(L, R, C)와 배선 회로(interconnection circuit)를 3차원 형태로 배열하여 만든 적층 세라믹으로, 상술한 바와 같은 유가금속을 포함하면서도 저가로 제작이 가능하고 부품의 소형화 및 우수한 특성을 갖는 RF/Microwave 소자 및 패키지(Package) 제작이 가능하므로 최근 각광받는 물품 중 하나이다.
상기 전극 공정 부산물은 은을 저농도로 포함할 수 있고, 구체적으로 2중량% 이하, 보다 구체적으로 0.5 내지 2중량%의 양으로 포함할 수 있다.
본 발명의 제조방법은 (1) 전극 공정 부산물에 질산을 첨가하여 은을 침출시키는 단계를 포함한다. 필요에 따라, 전극 공정 부산물에 질산을 첨가하기에 앞서, X선 형광 분석(X-ray fluorescence;XRF)을 이용하여 전극 공정 부산물의 조성을 분석함으로써 은의 함량을 확인할 수 있다.
상기 단계 (1)에서, 전극 공정 부산물에 1 내지 7M, 또는 3 내지 7M의 몰 농도를 갖는 질산을 첨가할 수 있다. 이때, 질산은 5 내지 250g/L, 또는 10g/L 내지 50g/L의 광액 농도(pulp density)가 되도록 첨가할 수 있다. 본원에서, 광액 농도란 액체 1L에 대한 고체의 중량(g)(고액 농도)을 의미하며, 구체적으로 액체인 질산 1L에 대한 고체인 전극 공정 부산물의 중량(g)을 의미한다.
상기 침출은 전극 공정 부산물에 질산을 첨가한 후 25 내지 100℃, 또는 50 내지 90℃의 온도에서 5 내지 360분, 50 내지 180분, 또는 100 내지 180분 동안 수행할 수 있다.
바람직하게는, 상기 전극 공정 부산물에 3 내지 7M의 몰 농도를 갖는 질산을 10 내지 50g/L의 광액 농도가 되도록 첨가하고, 50 내지 90℃의 온도에서 100 내지 180분 동안 침출 공정을 수행함으로써, 전극 공정 부산물에 함유된 은을 높은 수율로 침출시킬 수 있다.
본 발명의 제조방법은 (2) 상기 은을 포함하는 침출액을 여과하여 고상의 잔류물을 제거하는 단계를 포함한다. 상기 여과 방법은 침출액의 고상 부분과 액상 부분을 분리할 수 있는 방법이면 제한하지 않으며, 당 업계에서 통상적으로 알려진 여과 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 상기 용액을 원심분리를 통해 침출액 중의 고상의 잔류물(잔사)을 침출액으로부터 제거할 수 있다.
본 발명의 제조방법은 (3) 고상의 잔류물이 제거된 침출액에 염산을 첨가하여 염화은을 침전시키고 분리회수하는 단계를 포함한다.
상기 염산은 은 1 당량을 기준으로 0.3 내지 2.5 당량, 1.3 내지 2.2 당량, 또는 1.5 내지 2.2 당량의 양으로 첨가할 수 있다. 염산이 상기 당량 범위로 첨가될 때, 염화은이 높은 수율로 침전될 수 있다.
상기 침전된 염화은은 원심분리, 진공분리, 가압 여과 및 중력 여과 중 적어도 하나의 방법으로 분리할 수 있다. X선 회절 분석을 이용하여, 분리된 염화은 분말의 결정상을 확인하고 암모니아수에 용해시켜 순도를 확인할 수 있다.
본 발명의 제조방법은 (4) 암모니아 수용액에 상기 염화은을 용해시켜 질산은 수용액을 제조하는 단계를 포함한다. 이때, 상기 암모니아 수용액의 농도는 10 내지 50%, 20 내지 50%, 또는 약 30%일 수 있다. 상기 질산은 수용액은 X선 회절 분석을 이용하면, 분리된 염화은 분말의 결정상을 확인하고 암모니아 수용액에 용해시켜 순도를 확인할 수 있다.
본 발명의 제조방법은 (5) 상기 질산은 수용액에 환원제를 첨가한 후 원심분리하여 은 나노입자를 회수하는 단계를 포함한다.
상기 환원제는 폴리에틸렌글리콜(PEG), 수소화붕소나트륨(NaBH4), 폴리아크릴산(PAA), 하이드라진(N2H4), 폴리프로필렌글리콜계 또는 이들의 혼합물일 수 있고, 구체적으로, PEG, NaBH4, 또는 이들의 혼합물일 수 있다. 상기 환원제는 상기 질산은 수용액 100 중량부를 기준으로 0 내지 5 중량부, 0.01 내지 3 중량부, 또는 0.01 내지 2.5 중량부로 첨가될 수 있다. 상기 함량 범위 내일 때, 질산은 수용액 내 은이 나노입자의 형태로 회수가능하다.
상기 단계 (5)에서는 상기 질산은 수용액에 계면활성제를 더 첨가할 수 있다. 상기 계면활성제는 폴리비닐피롤리돈(PVP), 폴리비닐알콜(PVA), 폴리아크릴아마이드(PA) 또는 이들의 혼합물일 수 있고, 구체적으로는 PVP일 수 있다. 상기 계면활성제는 상기 질산은 수용액 100 중량부를 기준으로 100 중량부를 기준으로 0 내지 5 중량부, 1 내지 5 중량부, 또는 1 내지 3 중량부로 첨가될 수 있다. 상기 함량 범위 내일 때, 입자 표면을 안정화시켜 입자끼리의 뭉침을 최소화시키고, 금속 특정 표면에 선택적인 결합함으로써 성장을 방해하여 입자 형태를 유도하여 표면 조절의 장점이 있다.
상기 원심분리는 5,000 내지 15,000rpm, 또는 8,000 내지 12,000rpm의 속도로 5 내지 30℃, 5 내지 25℃, 또는 10 내지 25℃의 온도에서 수행될 수 있다. 상기 범위 내일 때, 균일한 크기의 은 나노입자를 회수할 수 있다. 이때, 상기 회수된 은 나노입자의 입경은 80 내지 150nm, 90 내지 120nm, 또는 100nm 내지 110nm일 수 있다.
이와 같이, 상기 제조방법에 의하면, 전극 공정 부산물, 특히 저온 동시 소성 세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic; LTCC) 공정부산물로부터 상기 전극 공정 부산물에 함유된 저농도의 은을 고순도의 은 나노입자로 회수할 수 있다. 또한, 상기 회수방법은 전극 공정 부산물로부터 침출된 은에 환원제 및/또는 계면활성제, 분산제를 사용하여 은 나노입자 형태로 회수가 가능하므로 종래기술에 비해 은 회수 공정이 단순하고 폐수 발생이 적어 간편하면서도 공정 비용을 절감할 수 있어 경제적이다.
이하, 하기 실시예에 의하여 본 발명을 좀 더 상세하게 설명하고자 한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐 본 발명의 범위가 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
준비예 1 : 전극 공정 부산물의 구성물질 분석
LTCC 공정 부산물(원료)을 X선 형광 분석(XRF)을 이용해 비파괴 분석을 실시해 원료의 구성물질을 분석하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
구분 Ag SiO2 Al2O3 CaO SrO Fe2O3
중량% 1.03 48.1 43.3 5.1 2.41 0.06
상기 표 1을 살펴보면, LTCC 공정 부산물은 Ag, SiO2, Al2O3, CaO, SrO, 및 Fe2O3을 함유하고 있고, Ag는 1.03중량%로 함유하고 있는 것을 알 수 있다.
준비예 2 : 질산 농도에 따른 은 침출량 확인
질산(HNO3)의 농도(1M, 3M, 5M) 및 침출 시간(10 내지 180분)에 따른 은의 침출량을 알아보기 위하여, LTCC 공정 부산물과 농도가 다른 질산을 25g/L의 광액 농도가 되도록 첨가하고, 25℃에서 150분 동안 침출 공정을 수행하였다. 그 결과를 도 1 및 2에 나타내었다.
도 1은 질산 농도 및 침출시간에 따른 LTCC 공정 부산물 내 구성물질(금속들)의 침출량을 나타낸 그래프이고, 도 2는 상기 결과를 중 은의 침출량만을 선택적으로 강조한 그래프이다.
도 1 및 2를 살펴보면, 질산의 농도 및 침출 시간이 증가할수록 은의 침출량이 증가하는 것을 확인할 수 있고, 질산의 농도가 5M, 침출시간이 150분일 때 은의 침출량이 최대치를 보이고 있음을 알 수 있다.
준비예 3 : 온도 범위에 따른 은 침출량 확인
온도(25℃, 50℃, 75℃) 및 침출시간에 따른 은의 침출량을 알아보기 위하여, 각각의 온도에서 LTCC 공정 부산물과 5M 질산을 25g/L의 광액 농도가 되도록 첨가하고 150분 동안 침출 공정을 수행하였다. 그 결과를 도 3 및 4에 나타내었다.
도 3은 온도 및 침출시간에 따른 LTCC 공정 부산물 내 금속들의 침출량을 나타낸 그래프이고, 도 4는 상기 결과 중 은의 침출량만을 선택적으로 강조한 그래프이다.
도 3 및 도 4를 살펴보면, 온도 및 침출 시간이 증가할수록 은의 침출량이 증가하는 것을 확인할 수 있고, 특히, 75℃에서의 침출량이 상온(25℃)에서의 침출량보다 약 2.5배 높은 것을 알 수 있었다.
준비예 4: 염산 당량비에 따른 은 침출량 확인
염산의 당량비(0.5, 1.0, 1.5, 2.0)에 따른 LTCC 공정 부산물 내 금속들의 침전률 및 이로부터 얻어진 은의 순도를 알아보기 위해 다음과 같은 방법으로 은의 침출액을 얻었다.
구체적으로, 상기 준비예 2 및 3의 결과로부터 침출 공정의 최적 조건이 질산 농도 5M, 침출시간 150분, 광액 농도 25g/L, 및 침출온도 75℃임을 알 수 있었다. 준비예 4에서는 상기 조건에서 은을 침출한 후, 여과하여 고상의 잔류물(잔사)과 용액 부분을 얻었다. 그 다음, 상기 용액에 상기 각각의 당량비(0.5, 1.0, 1.5, 2.0)로 염산을 첨가하고, 침전 공정을 수행하였다. 그 결과를 하기 도 5 및 6에 나타내었다. 도 5는 당량비에 따른 LTCC 전극 공정 부산물 내 금속들의 침전률을 나타낸 그래프이고, 도 6은 염산의 당량비에 따른 침출된 은의 순도를 나타낸 그래프이다.
도 5를 살펴보면, LTCC 전극 공정 부산물 내 각 금속들의 침전률(함량)이 표 1의 XRF 결과에 비례한 것을 알 수 있다.
도 6을 살펴보면, 염산을 염산을 1.0 당량으로 첨가하였을 경우 약 66%의 침전률을 보였으며, 1.5 당량 첨가 시 은이 99% 이상 침전되어 잔류하는 은이 1% 미만임을 알 수 있다.
준비예 5 : 염화은 확인
준비예 4에서 얻은 침전물의 성분을 확인하기 위해 X선 회절 분석을 수행하고, 그 결과를 도 7에 나타내었다.
도 7을 살펴보면, 준비예 4에서 얻은 침전물의 피크 강도 및 위치가 JCPDS 카드 파일(JCPDS No. 31-1238)에 부합하므로, 상기 침전물이 염화은(AgCl)임을 확인할 수 있다.
실시예 1
상기 준비예 1의 LTCC 전극 공정 부산물 300g에 5M의 질산을 광액 농도 25g/L가 되도록 첨가하고, 75℃에서 150분동안 침출시켰다. 그 다음, 고상의 잔류물을 제거한 침출액을 얻은 다음, 1.5 당량비가 되도록 염산을 첨가하여 염화은을 침전시키고 이를 분리하였다.
이후, 상기 얻어진 염화은으로부터 고순도의 은을 회수하기 위해 은 나노입자 합성 공정을 진행하였다. 구체적으로, 상기 염화은 0.005M을 30%의 암모니아 수용액 50ml에 용해시켜 은 전구체를 제조하였다. 그 다음, 상기 은 전구체에 환원제로서 NaBH4 0.1M 및 계면활성제로서 PVP 1.0 중량%를 첨가하고, 이를 23℃에서 10,000rpm 속도로 원심분리하여 은 나노입자를 수득하였다.
실시예 2 내지 8
환원제 및 계면활성제의 종류 및/또는 함량을 달리한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 LTCC 전극 공정 부산물로부터 은 나노입자를 수득하였다.
실시예 염화은
(AgCl, M)		 30% 암모니아 수용액
(NH4OH, ml)		 NaBH4
(M)		 PVP
(중량%)		 PEG
(중량%)
1 0.005 50 0.1 1.0 0
2 0.005 50 0.1 0 1.0
3 0.005 50 0.1 1.0 1.0
4 0.005 50 0.1 2.0 2.0
5 0.005 50 0.01 1.0 0
6 0.005 50 0.01 0 1.0
7 0.005 50 0.01 1.0 1.0
8 0.005 50 0.01 2.0 2.0
시험예 . LTCC 전극 공정 부산물로부터 수득한 은 나노입자의 성분 및 크기 확인
상기 실시예 중 실시예 4 및 6에서 얻은 은 나노입자에 대해 X선 회절(XRD) 분석을 수행하여 성분을 확인하고 그 결과를 도 8에 나타내었다. 또한, 상기 실시예 4 및 6에서 얻은 은 나노입자를 전계방출형 주사전자현미경(FE-SEM)으로 입자의 크기를 확인하였다. 이때, 입자의 크기는 1㎛ 및 400nm 의 배율로 각각 측정하고, 그 결과를 도 9에 나타내었다.
도 8을 살펴보면, 실시예 4 및 6에서 합성된 나노입자의 성분은 JCPDS No. 04-0783의 결과에 부합하므로 은인 것을 알 수 있다.
도 9를 살펴보면, 실시예 4 및 6의 은 나노입자의 크기가 약 100nm인 것을 알 수 있고, 입자들의 크기가 균일하게 나타난 것을 확인할 수 있다.

Claims (15)

  1. (1) 전극 공정 부산물에 질산을 첨가하여 은을 침출시키는 단계;
    (2) 상기 은을 포함하는 침출액을 여과하여 고상의 잔류물을 제거하는 단계;
    (3) 고상의 잔류물이 제거된 침출액에 염산을 첨가하여 염화은을 침전시키고 분리회수하는 단계;
    (4) 30 내지 50 중량% 농도의 암모니아 수용액에 상기 염화은을 용해시켜 질산은 수용액을 제조하는 단계; 및
    (5) 상기 질산은 수용액에 폴리에틸렌글리콜(PEG), 수소화붕소나트륨(NaBH4), 폴리아크릴산(PAA), 폴리프로필렌글리콜계 또는 이들의 혼합물을 포함하는 환원제를 첨가한 후 원심분리하여 은 나노입자를 회수하는 단계를 포함하는, 전극 공정 부산물로부터 은을 회수하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전극 공정 부산물이 저온 동시 소성 세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic; LTCC) 제조 공정으로부터 발생한 부산물인, 전극 공정 부산물로부터 은을 회수하는 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전극 공정 부산물이 은을 0.5 내지 2 중량%의 양으로 포함하는, 전극 공정 부산물로부터 은을 회수하는 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 단계 (1)에서, 전극 공정 부산물에 3 내지 7M의 몰 농도를 갖는 질산을 10g/L 내지 50 g/L의 광액 농도가 되도록 첨가하는, 전극 공정 부산물로부터 은을 회수하는 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 단계 (1)의 침출을 50 내지 90℃의 온도에서 100 내지 180분 동안 수행하는, 전극 공정 부산물로부터 은을 회수하는 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 단계 (3)에서, 염산을 은 1 당량을 기준으로 1.3 내지 2.2 당량의 양으로 첨가하는, 전극 공정 부산물로부터 은을 회수하는 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 단계 (3)에서, 침전된 염화은을 원심분리, 진공분리, 가압 여과 및 중력 여과 중 적어도 하나의 방법으로 분리하는, 전극 공정 부산물로부터 은을 회수하는 방법.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제1항에 있어서,
    상기 환원제가 상기 질산은 수용액 100 중량부를 기준으로 0.01 내지 5 중량부로 첨가되는, 전극 공정 부산물로부터 은을 회수하는 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 단계 (5)에서, 상기 질산은 수용액에 계면활성제를 더 첨가하는, 전극 공정 부산물로부터 은을 회수하는 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 계면활성제가 폴리비닐피롤리돈(PVP), 폴리비닐알콜(PVA), 폴리아크릴아마이드(PA) 또는 이들의 혼합물인, 전극 공정 부산물로부터 은을 회수하는 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 계면활성제가 상기 질산은 수용액 100 중량부를 기준으로 1 내지 5 중량부로 첨가되는, 전극 공정 부산물로부터 은을 회수하는 방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 단계 (5)에서, 상기 원심분리가 5,000 내지 15,000rpm의 속도로 수행되는 것인, 전극 공정 부산물로부터 은을 회수하는 방법.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 단계 (5)에서, 상기 은 나노입자의 입경이 80 내지 150nm인, 전극 공정 부산물로부터 은을 회수하는 방법.
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