KR101922140B1 - 금속 세정제 및 금속의 세정방법 - Google Patents

금속 세정제 및 금속의 세정방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 금속 대상물을 세정하기 위한 디메틸카보네이트(Dimethylcarbonate), 상기 디메틸카보네이트에 난연성을 부여하기 위한 디브로모메탄(Dibromomethane) 및 상기 금속 대상물의 산화를 방지하기 위한 아졸 화합물을 포함하는 금속 세정용 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 금속 세정용 조성물은 세정력이 우수하면서도 작업 안전성을 확보할 수 있으면서 인체에 무해하고 친환경적인 효과가 있다.

Description

금속 세정제 및 금속의 세정방법{METAL CLEANER AND METHOD FOR CLEANING METAL}
본 발명은 디메틸카보네이트(Dimethylcarbonate), 디브로모메탄 (Dibromomethane) 및 아졸 화합물을 포함하는 금속 세정제 및 금속의 세정방법에 관한 것이다.
현대 산업사회에서 금속류는 인류가 사용하고 있는 재료의 큰 부분을 차지하고 있으며, 우리 주변을 보더라도 강(鋼)이나 알루미늄 합금, 니켈, 크롬 합금강 등 여러 금속재료가 가정, 산업체, 기계, 철도, 선박, 자동차, 항공기, 우주선 등 인간 생활 전 분야에 다량으로 사용되고 있다.
한편, 이러한 금속의 가공에 사용되는 각종 기름 성분의 제거, 전자기판에서의 후락스(flux) 제거, 정밀 가공물에서의 오염물 제거를 위하여 다양한 금속세정제가 개발되어 왔다.
현재 유통중인 세정제로는 일반적으로 유기 약품계인 TCE(트리클로로에칠렌)나 유기 탄화수소계 유제 또는 수계 탈지액을 사용하고 있는데, 대부분 사용하는 TCE의 경우에는 무색으로서 클로로포름과 유사한 냄새를 갖는 액체인데, 기체 상태로 되면 독성을 나타내고 피부나 눈에 접촉하면 위험하고 증기를 흡입 시에는 두통, 현기증, 의식 불명 등을 초래하는 유독성 물질이며, 동시에　오존층 파괴 물질로 알려져 국제적으로 사용을 금지하는 물질로 알려져 있다.
또한, TCE를 대체할 수 있는 유기 탄화수소계 유제의 경우에는 일반적으로 인화점이 낮아서 작업 중에 화재 위험에 항상 노출될 수 있으며, 냄새로 인해 작업자들의 직업병을 유발시키며, 환경안전 및 방재 시설의 투자가 추가로 소요되는 단점이 있다.
따라서, 세정력이 우수하면서도 작업 안전성을 확보할 수 있으면서 인체에 무해하고 친 환경적인 금속 세정제의 개발이 요구되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 세정력이 우수하면서도 작업 안전성을 확보할 수 있으면서 인체에 무해하고 친환경적인 금속 세정제 및 금속의 세정방법을 제공하는 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 하나의 양상은, 디메틸카보네이트(Dimethylcarbonate); 디브로모메탄 (Dibromomethane); 및 아졸 화합물;을 포함하는 금속 세정제에 관한 것이다.
상기 금속 세정제가 디메틸카보네이트(Dimethylcarbonate) 100중량부; 디브로모메탄 (Dibromomethane) 30 내지 80중량부; 및 아졸 화합물 0.05 내지 5중량부;를 포함할 수 있다.
상기 아졸 화합물이 아래 구조식 1로 표시되는 화합물일 수 있다.
[구조식 1]
Figure 112018082052820-pat00001
구조식 1에서 R1은 수소원자 또는 C1 내지 C6의 알킬기이다.
상기 구조식 1로 표시되는 화합물이 1H-벤조트리아졸(1H-Benzotriazole)일 수 있다.
상기 아졸 화합물이 아래 구조식 2로 표시되는 화합물일 수 있다.
[구조식 2]
Figure 112018082052820-pat00002
구조식 2에서 R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소원자 또는 C1 내지 C6의 알킬기이다.
상기 구조식 2로 표시되는 화합물이 3-아미노-1,2,4-트리아졸(3-amino-1,2,4-triazole)일 수 있다.
상기 아졸 화합물이 아래 구조식 3으로 표시되는 화합물일 수 있다.
[구조식 3]
Figure 112018082052820-pat00003
구조식 3에서 R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소원자 또는 C1 내지 C6의 알킬기이다.
상기 구조식 3으로 표시되는 화합물이 5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole)일 수 있다.
상기 금속 세정제가 아래 구조식 4로 표시되는 화합물을 추가로 포함할 수 있다.
[구조식 4]
Figure 112018082052820-pat00004
구조식 4에서 R6은 C1-C6의 알킬기이다.
상기 금속 세정제가 디메틸카보네이트(Dimethylcarbonate) 100중량부를 기준으로 상기 구조식 4로 표시되는 화합물 1 내지 20 중량부를 추가로 포함할 수 있다.
상기 구조식 4로 표시되는 화합물이 메틸시클로펜탄(Methylcyclopentane)일 수 있다.
상기 금속 세정제가 1-니트로프로판(1-Nitropropane)을 추가로 포함할 수 있다.
상기 금속 세정제가 디메틸카보네이트(Dimethylcarbonate) 100중량부를 기준으로 1-니트로프로판(1-Nitropropane) 1 내지 20 중량부를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명의 또 하나의 양상은, 불순물을 포함하는 금속을 디메틸카보네이트(Dimethylcarbonate), 디브로모메탄 (Dibromomethane) 및 아졸 화합물을 포함하는 금속 세정제를 사용하여 세정하는 단계를 포함하는 금속의 세정방법에 관한 것이다.
상기 금속의 세정방법이 금속가공에 사용되는 기름, 전자기판의 후락스(flux) 및 금속 가공물의 오염물질을 제거하기 위한 것일 수 있다.
본 발명에 따른 금속 세정제 및 금속의 세정방법은 세정력이 우수하면서도 작업 안전성을 확보할 수 있으면서 인체에 무해하고 친환경적인 효과가 있다.
도 1a는 세정 전 PCB기판/파워모듈의 광학 현미경 사진이고, 도 1b는 실시예 1의 세정제를 사용하여 세정한 PCB기판/파워모듈의 광학 현미경 사진이다.
도 2a는 세정 전 광학 현미경 사진이고, 도 2b는 실시예 1의 세정제를 사용하여 세정한 PCB기판/파워모듈의 전자현미경(SEM) 사진이다
도 3a는 실시예 2의 세정제를 사용하여 세정한 PCB기판/파워모듈의 광학 현미경 사진이고, 도 3b는 실시예 2의 세정제를 사용하여 세정한 PCB기판/파워모듈의 전자현미경 사진이다.
도 4a는 실시예 3의 세정제를 사용하여 세정한 PCB기판/파워모듈의 광학 현미경 사진이고, 도 4b는 실시예 3의 세정제를 사용하여 세정한 PCB기판/파워모듈의 전자현미경 사진이다.
도 5a는 실시예 4의 세정제를 사용하여 세정한 PCB기판/파워모듈의 광학 현미경 사진이고, 도 5b는 실시예 4의 세정제를 사용하여 세정한 PCB기판/파워모듈의 전자현미경 사진이다.
도 6a는 실시예 5의 세정제를 사용하여 세정한 PCB기판/파워모듈의 광학 현미경 사진이고, 도 6b는 실시예 5의 세정제를 사용하여 세정한 PCB기판/파워모듈의 전자현미경 사진이다.
도 7a는 실시예 6의 세정제를 사용하여 세정한 PCB기판/파워모듈의 광학 현미경 사진이고, 도 7b는 실시예 6의 세정제를 사용하여 세정한 PCB기판/파워모듈의 전자현미경 사진이다.
도 8a는 실시예 7의 세정제를 사용하여 세정한 PCB기판/파워모듈의 광학 현미경 사진이고, 도 8b는 실시예 7의 세정제를 사용하여 세정한 PCB기판/파워모듈의 전자현미경 사진이다.
도 9a는 비교예 1의 세정제를 사용하여 세정한 PCB기판/파워모듈의 광학 현미경 사진이고, 도 9b는 비교예 1의 세정제를 사용하여 세정한 PCB기판/파워모듈의 전자현미경 사진이다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하도록 한다.
그러나, 이하의 설명은 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 이하에서 사용될 제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다
또한, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 "형성되어" 있다거나 "적층되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소의 표면 상의 전면 또는 일면에 직접 부착되어 형성되어 있거나 적층되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 더 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명은 디메틸카보네이트(Dimethylcarbonate); 디브로모메탄 (Dibromomethane); 및 아졸 화합물;을 포함하는 금속 세정제를 제공한다.
상기 금속 세정제가 디메틸카보네이트(Dimethylcarbonate) 100중량부; 디브로모메탄 (Dibromomethane) 30 내지 80중량부; 및 아졸 화합물 0.05 내지 5중량부;를 포함할 수 있다.
상기 아졸 화합물이 아래 구조식 1로 표시되는 화합물일 수 있다.
[구조식 1]
Figure 112018082052820-pat00005
구조식 1에서 R1은 수소원자 또는 C1 내지 C6의 알킬기이다.
상기 구조식 1로 표시되는 화합물이 1H-벤조트리아졸(1H-Benzotriazole)일 수 있다.
상기 아졸 화합물이 아래 구조식 2로 표시되는 화합물일 수 있다.
[구조식 2]
Figure 112018082052820-pat00006
구조식 2에서 R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소원자 또는 C1 내지 C6의 알킬기이다.
상기 구조식 2로 표시되는 화합물이 3-아미노-1,2,4-트리아졸(3-amino-1,2,4-triazole)일 수 있다.
상기 아졸 화합물이 아래 구조식 3으로 표시되는 화합물일 수 있다.
[구조식 3]
Figure 112018082052820-pat00007
구조식 3에서 R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소원자 또는 C1 내지 C6의 알킬기이다.
상기 구조식 3으로 표시되는 화합물이 5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole)일 수 있다.
상기 금속 세정제가 아래 구조식 4로 표시되는 화합물을 추가로 포함할 수 있다.
[구조식 4]
Figure 112018082052820-pat00008
구조식 4에서 R6은 C1-C6의 알킬기이다.
상기 금속 세정제가 디메틸카보네이트(Dimethylcarbonate) 100중량부를 기준으로 상기 구조식 4로 표시되는 화합물 1 내지 20 중량부를 추가로 포함할 수 있다.
상기 구조식 4로 표시되는 화합물이 메틸시클로펜탄(Methylcyclopentane)일 수 있다.
상기 금속 세정제가 1-니트로프로판(1-Nitropropane)을 추가로 포함할 수 있다.
상기 금속 세정제가 디메틸카보네이트(Dimethylcarbonate) 100중량부를 기준으로 1-니트로프로판(1-Nitropropane) 1 내지 20 중량부를 추가로 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 불순물을 포함하는 금속을 디메틸카보네이트(Dimethylcarbonate), 디브로모메탄 (Dibromomethane) 및 아졸 화합물을 포함하는 금속 세정제를 사용하여 세정하는 단계를 포함하는 금속의 세정방법을 제공한다.
상기 금속의 세정방법이 금속가공에 사용되는 기름, 전자기판의 후락스(flux) 및 금속 가공물의 오염물질을 제거하기 위한 것일 수 있다.
본 발명에 따른 상기 금속 세정제 및 금속 세정방법은, 세정력이 우수하면서도 난연성을 가지며 끓는점이 낮아 작업 안전성을 확보할 수 있는 장점이 있다. 또한 비발암 물질이며, 친환경적인 물질인 디메틸카보네이트를 주성분으로 사용함으로써 인체에 무해하고 친환경적인 효과가 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 금속 세정제의 각 구성 성분에 대하여 설명한다.
[디메틸카보네이트]
디메틸카보네이트는 종래의 1,2-디클로로프로판과 유사한 용해력을 가지고 있어서 금속 세정제의 세정력을 결정하는 요소이다. 이때, 디메틸카보네이트의 함량이 적정 농도 미만이 되면 세정력이 떨어질 수 있고 또한 적정 농도를 초과하면 후술하는 난연성 첨가제 및 세정력 보강제의 농도가 낮아서 인화성이 발생하고 세정력이 저하될 수 있다.
또한 디메틸카보네이트의 비등점이 90℃로 난연성 첨가제인 후술하는 디브로모메탄과 유사한 비등점을 가지고 있어서 두가지 혼합물은 93℃에서 공비형성을 하므로 가열을 하거나 증류재생을 할 경우 두 성분이 분리가 되지 않아 일정한 난연성을 유지할 수 있게 된다.
[디브로모메탄]
디브로모메탄은 세정제의 난연성을 부여하고 디메틸카보네이트를 보조하여 추가적으로 세정력을 올릴 수 있는 성분이다. 이때 본 발명에 따르면, 디브로모메탄의 함량이 디메틸카보네이트 100중량부에 대하여 5중량부 미만인 경우에는 디메틸카보네이트의 인화성을 제어할 수 없으며 세정력이 저하되어 본래의 성능을 발휘할 수 없다. 또한 디브로모메탄의 함량이 디메틸카보네이트 100중량부에 대하여 600중량부를 초과하는 경우 물질자체가 고가이므로 제품자체의 원가가 상승하고 물질자체의 비중이 2.5이므로 세정제 자체의 비중도 올라가서 제품의 품질대비 과도한 원가가 반영이 되므로 바람직하지 않다.
[산화 방지제]
본 발명에 따른 금속 세정제에 있어서, 산화 방지제로서 아졸 화합물, 바람직하게는 1H-벤조트리아졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸, 5-아미노테트라졸이 첨가된다. 디메틸카보네이트 100중량부에 대하여 아졸 화합물 0.05 내지 5중량부를 포함할 수 있다. 본 발명에 따르면 이러한 아졸 화합물을 포함함으로써, 산화를 방지하여, 금속 대상물의 오염을 막고, 자외선 노출시 디메틸카보네이트의 분해를 억제하여 잔류 염소 이온의 발생을 최소화하여 용기내 저장상태의 안정성을 극대화할 수 있다.
[1-니트로프로판]
본 발명에 따른 금속 세정제에 있어서, 디브로모메탄의 금속 반응성을 낮추기 위해 부식 억제제로 1-니트로프로판을 추가로 포함할 수 있다. 부식 억제제는 가격이 고가이므로, 사용을 많이 하면 할수록 금속에 대한 반응 안정성이 좋아져서 상기 디브로모메탄에 함유되어 있는 안정성을 보강할 수 있지만, 그 양에 상대적으로 많아짐에 따라 인화성이 높아지고, 제조 원가가 높아지기 때문에 디메틸카보네이트 100중량부에 대하여 1 내지 20중량부 범위에서 적절한 비율로 배합하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 1-니트로 프로판은 132℃의 비등점을 갖고 있어서 고비점 안정제(2차 안정제)로 기능하게 되므로, 이를 포함한 금속 세정제는 고비점 금속 세정제로서 이용될 수 있다.
[끓는점 강하 첨가제]
본 발명에 있어서, 끓는점을 낮추기 위한 첨가제를 추가로 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 금속 세정용 조성물은, 끓는점을 낮추는 기능을 갖는 첨가제를 더 포함함으로써 증기탈지공정에 매우 효과적인 장점이 있다.
본 발명에 따르면, 상기 끓는점을 낮추기 위한 첨가제는, 메틸시클로펜탄, SK-330 및 HV250으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 이때 상기 첨가제는 바람직하게는 디메틸카보네이트 100중량부에 대하여 1 내지 20중량부의 비율로 혼합하는 것이 좋다.
이하에서는 본 발명을 실시예를 들어 더욱 상세하게 설명하도록 한다. 그러나 이는 예시를 위한 것으로서 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
실시예 1: 금속 세정제의 제조
디메틸카보네이트(DMC) 80.3 부피비%, 디브로모메탄(DBM) 19.5 부피비% 및 1H-벤조트리아졸(1H-BT) 0.2 부피비%를 혼합하여 금속 세정제를 제조하였다.
실시예 2: 금속 세정제의 제조
디메틸카보네이트(DMC) 77.0 부피비%, 디브로모메탄(DBM) 19.5 부피비%, 1H-벤조트리아졸(1H-BT) 0.2 부피비% 및 메틸시클로펜탄(MCP) 3.3 부피비%를 혼합하여 금속 세정제를 제조하였다.
실시예 3: 금속 세정제의 제조
디메틸카보네이트(DMC) 74.5 부피비%, 디브로모메탄(DBM) 19.5 부피비%, 1H-벤조트리아졸(1H-BT) 0.2 부피비%, 메틸시클로펜탄(MCP) 3.3 부피비% 및 1-니트로프로판(1-NP) 2.5 부피비%를 혼합하여 금속 세정제를 제조하였다.
실시예 4: 금속 세정제의 제조
디메틸카보네이트(DMC) 80.3 부피비%, 디브로모메탄(DBM) 19.5 부피비% 및 3-아미노-1,2,4-트리아졸(3-amino-1,2,4-triazole) 0.2 부피비%를 혼합하여 금속 세정제를 제조하였다.
실시예 5: 금속 세정제의 제조
디메틸카보네이트(DMC) 77.0 부피비%, 디브로모메탄(DBM) 19.5 부피비%, 3-아미노-1,2,4-트리아졸(3-amino-1,2,4-triazole) 0.2 부피비% 및 메틸시클로펜탄(MCP) 3.3 부피비% 를 혼합하여 금속 세정제를 제조하였다.
실시예 6: 금속 세정제의 제조
디메틸카보네이트(DMC) 80.3 부피비%, 디브로모메탄(DBM) 19.5 부피비% 및 5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole) 0.2 부피비%를 혼합하여 금속 세정제를 제조하였다.
실시예 7: 금속 세정제의 제조
디메틸카보네이트(DMC) 77.0 부피비%, 디브로모메탄(DBM) 19.5 부피비% 및 5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole) 0.2 부피비% 및 메틸시클로펜탄(MCP) 3.3 부피비% 를 혼합하여 금속 세정제를 제조하였다.
비교예 1: 금속 세정제의 제조
디메틸카보네이트(DMC) 80.5 부피비% 및 디브로모메탄(DBM) 19.5 부피비%를 혼합하여 금속 세정제를 제조하였다.
실시예 1 내지 7 및 비교예 1의 금속 세정제의 조성 성분을 정리하여 아래 부피비로 표기한 [표 1] 및 중량부로 표기한 [표 2]를 기재하였습니다.
또한, 아래에 금속 세정제에 포함된 성분의 밀도를 기재하였습니다.
°디메틸카보네이트(Dimethylcarbonate): 1.069 g/mL
°디브로모메탄 (Dibromomethane): 2.477 g/mL
°1H-벤조트리아졸(1H-Benzotriazole): 1.36 g/mL
°3-아미노-1,2,4-트리아졸(3-amino-1,2,4-triazole): 1.138 g/cm3
°5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole): 1.502 g/cm3
°메틸시클로펜탄(Methylcyclopentane): 0.749 g/cm3
°1-니트로프로판(1-Nitropropane): 0.998 g/cm3
Dimethylcarbonate
(부피비%)		 Dibromomethane
(부피비%)		 1H-Benzotriazole
(부피비%)		 3-amino-1,2,4-triazole
(부피비%)		 5-aminotetrazole
(부피비%)		 Methylcyclopentane
(부피비%)		 1-Nitropropane
(부피비%)
실시예 1 80.3 19.5 0.2 - - - -
실시예 2 77.0 19.5 0.2 - - 3.3 -
실시예 3 74.5 19.5 0.2 - - 3.3 2.5
실시예 4 80.3 19.5 - 0.2 - - -
실시예 5 77.0 19.5 - 0.2 - 3.3 -
실시예 6 80.3 19.5 - - 0.2 - -
실시예 7 77.0 19.5 - - 0.2 3.3 -
비교예 1 80.5 19.5 - - - - -
Dimethylcarbonate
(중량부)		 Dibromomethane
(중량부)		 1H-Benzotriazole
(중량부)		 3-amino-1,2,4-triazole
(중량부)		 5-aminotetrazole
(중량부)		 Methylcyclopentane
(중량부)		 1-Nitropropane
(중량부)
실시예 1 100 56.27 0.32 - - - -
실시예 2 100 58.68 0.33 - - 3.00 -
실시예 3 100 60.65 0.34 - - 3.10 3.13
실시예 4 100 56.27 - 0.27 - - -
실시예 5 100 58.68 - 0.28 - 3.00 -
실시예 6 100 56.27 - - 0.35 - -
실시예 7 100 58.68 - - 0.36 3.00 -
비교예 1 100 56.13 - - - -
시험예 1: Flux 제거 성능 분석
(1) PCB 기판 모듈 세정
200ml 비커에 실시예 1 내지 7 및 비교예 1의 금속 세정제를 준비하였다.
Flux 잔사가 있는 PCB 기판 및 파워모듈(PCB 기판 모듈)을 위의 실시예 1 내지 7 및 비교예 1에서 제조한 금속 세정제를 이용하여 95~99℃ 온도에서 5분간 침적방식으로 세정하였다.
(2) 현미경 및 주사전자현미경(SEM) 분석
실시예 1 내지 7 및 비교예 1에서 제조한 금속 세정제를 이용하여 세정된 PCB 기판 모듈의 flux 잔사 여부를 확인하기 위하여 광학 현미경 및 주사전자현미경(SEM) 분석하였다. 실시예 1 내지 7 및 비교예 1에서 제조한 금속 세정제를 이용하여 세정된 PCB 기판 모듈을 각각 도 1a, 1b 내지 도 9a, 9b 에 도시하였다.
도 1a, 1b 내지 도 9a, 9b 에서 알 수 있는 바와 같이 본 발명에 따른 금속 세정제의 경우 비교예 1에 비하여 flux 잔사가 깨끗하게 제거되는 것을 확인할 수 있었다.
시험예 2: 금속 부식방지 성능 분석
200ml 비커에 실시예 1 내지 7 및 비교예 1의 금속 세정제를 제조하였다. 이어서, 알루미늄 및 SUS금속 제품을 5분동안 세정 후 자연건조, 3시간, 6시간 및 12시간 방치하였다. 그 후, 알루미늄 및 SUS제품 외관을 육안으로 부식되었는지 확인하여 분석하였다.
실시예 1, 2, 4 내지 7의 금속 세정제로 알루미늄 및 SUS금속 제품을 세정한 경우, 6시간 시간 동안 금속 부식이 없었고, 실시예 3의 금속 세정제로 알루미늄 및 SUS금속 제품을 세정한 경우는 12시간 이후에도 부식되지 않음을 확인할 수 있었다.
또한 아래 표 3에서 알 수 있는 바와 같이 본 발명에 따른 금속 세정제의 경우 비교예 1에 비하여 금속 부식방지 성능이 우수함을 확인할 수 있었다.
시험예 3: 난연 성능 분석
한국소방산업기술원과 인터텍을 통하여 연소지속성 TEST분석(UN TEST L.2)와 인화점 분석(ASTM D 56-16a)을 통하여 난연성능을 분석하였다.
아래 표 3에서 알 수 있는 바와 같이 실시예 1 내지 7 및 비교예 1에 따른 세정제의 난연 성능이 우수함을 확인할 수 있었다.
실시예 1 내지 7 및 비교예 1의 금속 세정제에 대한 시험 결과를 표 3에 각각 도시하였다.
구분 Flux 제거 금속부식방지 난연성
실시예 1 ○ ○ ○
실시예 2 ○ ○ ○
실시예 3 ○ ◎ ○
실시예 4 ○ ○ ○
실시예 5 ○ ○ ○
실시예 6 ○ ○ ○
실시예 7 ○ ○ ○
비교예 1 Ｘ Ｘ ○
◎: 매우 좋음, ○: 좋음, △: 보통, Ｘ: 나쁨
이상에서 본 발명의 바람직한 구현예들에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (15)

  1. 디메틸카보네이트(Dimethylcarbonate) 100 중량부;
    디브로모메탄 (Dibromomethane) 30 내지 80 중량부;
    1H-벤조트리아졸(1H-Benzotriazole), 3-아미노-1,2,4-트리아졸(3-amino-1,2,4-triazole) 및 5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 아졸 화합물 0.05 내지 5 중량부;
    메틸시클로펜탄(Methylcyclopentane) 1 내지 20 중량부; 및
    1-니트로프로판(1-Nitropropane) 1 내지 20 중량부;를
    포함하는 금속 세정제.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속 세정제가
    디메틸카보네이트(Dimethylcarbonate) 100 중량부;
    디브로모메탄 (Dibromomethane) 56.27 내지 60.65 중량부;
    1H-벤조트리아졸(1H-Benzotriazole), 3-아미노-1,2,4-트리아졸(3-amino-1,2,4-triazole) 및 5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 아졸 화합물 0.27 내지 0.36 중량부;
    메틸시클로펜탄(Methylcyclopentane) 3.0 내지 3.1 중량부; 및
    1-니트로프로판(1-Nitropropane) 3.13 중량부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 세정제.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 불순물을 포함하는 금속을 디메틸카보네이트(Dimethylcarbonate) 100 중량부; 디브로모메탄 (Dibromomethane) 30 내지 80 중량부; 1H-벤조트리아졸(1H-Benzotriazole), 3-아미노-1,2,4-트리아졸(3-amino-1,2,4-triazole) 및 5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 아졸 화합물 0.05 내지 5 중량부; 메틸시클로펜탄(Methylcyclopentane) 1 내지 20 중량부; 및 1-니트로프로판(1-Nitropropane) 1 내지 20 중량부;를 포함하는 금속 세정제를 사용하여 세정하는 단계를 포함하는 금속의 세정방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 금속의 세정방법이 금속가공에 사용되는 기름, 전자기판의 후락스(flux) 및 금속 가공물의 오염물질을 제거하기 위한 것을 특징으로 하는 금속의 세정방법.
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