KR101920461B1 - 반도체 칩 분리 장치 - Google Patents

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김동희
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Abstract

반도체 칩 분리 장치가 개시된다. 본 발명의 반도체 칩 분리 장치는, 반도체 칩이 필름에 부착되어 지지되는 웨이퍼를 안착시킬 수 있도록 상부에 웨이퍼 안착부가 마련되는 본체와, 상기 본체에 결합되고, 사용자의 회전 조작에 따라 상승되어 상기 반도체 칩이 부착된 상기 필름을 평평한 상태로 조절하도록 마련되는 제1 승강 조작부와, 그리고 상기 본체에 결합되고, 사용자의 회전 조작에 따라 상기 제1 승강 조작부보다 더 높이 상승되어 상기 반도체 칩과 상기 필름의 접촉면적을 최소화시키도록 마련되는 제2 승강 조작부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 본체의 웨이퍼 안착부에 웨이퍼를 고정시킨 상태에서 제1 승강 조작부에 의해 반도체 칩의 하부영역에 대해서만 부착상태를 유지하도록 필름을 평평한 상태로 조절하고, 제2 승강 조작부에 의해 필름과 반도체 칩의 접촉면적을 최소화함으로써, 픽업 유닛의 진공 흡착시 웨이퍼의 필름으로부터 반도체 칩을 용이하게 분리할 수 있으면서도 반도체 칩의 손상을 방지할 수 있다.

Description

반도체 칩 분리 장치{APPARATUS FOR SEPARATING SEMICONDUCTOR CHIP}
본 발명은 반도체 칩 분리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 필름에 부착되어 지지되는 반도체 칩을 웨이퍼로부터 분리할 수 있는 반도체 칩 분리 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 공정에서 웨이퍼 상에 일체로 붙어있는 여러 반도체 칩을 칩 레벨로 절단하는 공정을 쏘잉(Sawing) 공정이라 하며, 상기 쏘잉 공정을 위하여 웨이퍼의 하면에는 절단되는 반도체 칩들을 고정시키는 마운트테이프가 부착된다.
상기 쏘잉 공정을 통해 칩 레벨로 분리된 각 반도체 칩은 반도체 칩 어태치(Die attah) 공정으로 투입되며, 상기 반도체 칩 어태치 공정에서는 이젝트 핀과 같은 이젝션 수단을 이용하는 장치 등을 이용하여 각 반도체 칩들을 마운트테이프로부터 분리시킨다. 그리고, 상기 분리된 반도체 칩들을 진공흡착방식을 사용하는 픽업수단을 사용하여 기판 및 리드프레임과 같은 전기적 연결 수단으로 이송하게 된다.
도 1 내지 도 2는 종래 반도체 칩 픽업 장치를 설명하기 위하여 도시한 단면도이다.
도시된 바와 같이, 종래 니들(Needle) 타입의 반도체 칩 분리 장치는 돔(Dome : 20), 홀더(Holder : 30), 이젝트 핀(Eject pin : 32)을 포함하여 구성된다.
상기 돔(20)은 반도체 칩 픽업 장치의 외형을 이루는 부분으로서 상부에 배치되는 반도체 칩(10)들 하부의 마운트테이프(12) 및 베이스 필름(14)을 진공으로 흡착하고, 이젝트 핀(32)이 통과하는 진공 홀(22)을 포함한다. 상기 홀더(30)는 이젝트 핀(32)을 지지하는 부분으로서 이젝트 핀(32)을 상승시켜 마운트테이프(12)로부터 상기 반도체 칩(10)을 분리시키는 역할을 한다.
한편, 종래 상기 반도체 칩 픽업 장치는, 우선, 쏘잉 공정이 완료된 웨이퍼의 분리 대상 반도체 칩의 상하면에 반도체 칩 분리 장치를 배치시킨 후, 상기 돔의 내부에 진공을 형성하여 대상 반도체 칩의 하부 마운트테이프를 흡착하고, 돔 내부에 배치된 홀더를 상승시켜 이젝트 핀을 상기 진공 홀을 통과되도록 하여 상기 이젝트 핀을 밀어올림으로써 상기 반도체 칩을 마운트테이프로부터 분리시킨다.
그러나, 반도체 칩을 고정시키기 위해 웨이퍼의 하면에 부착하는 대부분의 마운트테이프는 그 특성상 강력한 접착력을 가진 것이 사용되고, 개별 반도체 칩으로 절단하는 과정에서 열에 의해 반도체 칩의 가장자리 부분이 마운트테이프에 강하게 접착된다.
이로 인해, 상기 니들 타입의 이젝션 수단을 이용하여 반도체 칩 분리 시, 반도체 칩에 크랙 등의 손상이 발생될 수 있는 가능성이 있다.
이를 해결하기 위하여, 반도체 칩의 용이한 분리를 위해 접착력이 약한 마운트테이프를 사용하게 되면, 쏘잉 공정 등에서 많은 문제가 발생하게 된다.
또한, 최근에는 박형 반도체 칩(Thin Die)에 대한 필요성이 대두되고 있고, 이로 인해, 웨이퍼는 100um 이하의 두께로 박형화되는 추세로 진행되고 있음으로써, 얇은 두께를 갖는 반도체 칩의 분리가 쉽지 않으며, 반도체 칩이 이젝트 핀에 의한 응력 집중을 이기기 못해 반도체 칩과 마운트테이프가 분리되기 전에 반도체 칩에 구멍 또는 크랙이 발생되거나 반도체 칩의 깨짐과 같은 손상이 발생한다.
이에 따라, 박형의 반도체 칩이라 할지라도 손상 없이 안정적으로 마운트테이프로부터 분리하기 위한 장치가 요구되고 있다.
대한민국 공개특허공보 제10-2009-0012808호(2009년02월04일) 대한민국 등록특허공보 제10-0931297호(2009년12월03일) 대한민국 공개특허공보 제10-2017-0037289호(2017년04월04일)
본 발명의 기술적 과제는, 웨이퍼 상에서 반도체 칩을 픽업 유닛에 의해 진공 흡착 방식으로 분리할 때 반도체 칩과 필름의 접촉면적을 최소화할 수 있는 반도체 칩 분리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제는, 반도체 칩이 필름에 부착되어 지지되는 웨이퍼를 안착시킬 수 있도록 상부에 웨이퍼 안착부가 마련되는 본체와, 상기 본체에 결합되고, 사용자의 회전 조작에 따라 상승되어 상기 반도체 칩이 부착된 상기 필름을 평평한 상태로 조절하도록 마련되는 제1 승강 조작부와, 그리고 상기 본체에 결합되고, 사용자의 회전 조작에 따라 상기 제1 승강 조작부보다 더 높이 상승되어 상기 반도체 칩과 상기 필름의 접촉면적을 최소화시키도록 마련되는 제2 승강 조작부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 분리 장치에 의해 달성된다.
제1 승강 조작부는, 상기 본체의 내부에 회전 가능하게 결합되고, 상면에 둘레를 따라 승강 제공면이 형성되는 링 형상의 회전부재와, 상기 회전부재의 상부에 배치되도록 상기 본체의 내부에 승강 가능하게 결합되고, 하면에 둘레를 따라 상기 승강 제공면과 대응되는 승강 상승면이 형성되며, 상기 회전부재의 회전시 상기 승강 제공면과 승강 상승면에 의해 승강 동작되는 링 형상의 승강부재와, 상기 승강부재의 상부에 둘레를 따라 결합되고, 상기 승강부재의 상승시 상기 필름을 평평한 상태로 조절하도록 슬라이딩 접촉되는 다수의 볼부재와, 그리고 상기 회전부재에 결합되고, 상기 승강부재의 승강 동작을 조작할 수 있도록 형성되는 제1 승강 조작부 핸들을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 본체는, 상기 제1 승강 조작부 핸들을 안내할 수 있도록 측면 둘레에 장공 형상의 안내공이 형성되는 안내부재가 결합되고, 상기 제1 승강 조작부 핸들은, 상기 승강 부재와 연결축을 매개로 연결되고 상기 연결축은 승강 동작을 위해 상기 안내부재의 안내공을 따라 안내되는 것을 특징으로 한다.
상기 제2 승강 조작부는, 상기 본체의 내부에 결합되고 상하 방향으로 접힘과 펼침에 의해 승강 동작되는 승강부재와, 상기 승강부재의 상부에 결합되고, 상기 승강부재의 상승 동작에 따라 상기 반도체 칩을 밀어올려 상기 필름과의 접촉면적을 최소화시키도록 다수의 리프트 핀이 형성되는 홀더부재와, 그리고 상기 승강부재와 나사축을 매개로 연결되도록 상기 본체에 결합되고, 상기 승강부재의 승강 동작을 조작할 수 있도록 형성되는 제2 승강 조작부 핸들을 포함하는 것을 특징으로 하는 한다.
상기 다수의 리프트 핀은, 상기 반도체 칩과 상기 필름의 접촉면적을 최소화시키도록 상기 홀더부재의 상면에 상호 일정간격을 두고 배치되는 것을 특징으로 한다.
상기 본체는, 상기 웨이퍼 안착부에 안착된 상기 웨이퍼를 고정할 수 있도록 다수의 고정부재가 결합되는 것을 특징으로 한다.
상기 다수의 고정부재는, 상기 안착부의 표면에 상호 일정간격을 두고 배치되는 다수의 자석으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 본체의 웨이퍼 안착부에 웨이퍼를 고정시킨 상태에서 제1 승강 조작부에 의해 반도체 칩의 하부영역에 대해서만 부착상태를 유지하도록 필름을 평평한 상태로 조절하고, 제2 승강 조작부에 의해 필름과 반도체 칩의 접촉면적을 최소화함으로써, 픽업 유닛의 진공 흡착시 웨이퍼의 필름으로부터 반도체 칩을 용이하게 분리할 수 있으면서도 반도체 칩의 손상을 방지할 수 있는 유용한 효과를 갖는다.
도 1 및 도 2는 종래기술에 따른 반도체 칩 분리 장치를 보인 개략도이다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 칩 분리 장치를 보인 사시도이다.
도 4는 본 발명에 따른 반도체 칩 분리 장치를 도 3의‘A’방향에서 바라본 측면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 반도체 칩 분리 장치를 도 3의‘B’방향에서 바라본 측면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 반도체 칩 분리 장치를 보인 평면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 반도체 칩 분리 장치의 제1 승강 조작부를 보인 사시도이다.
도 8은 본 발명에 따른 반도체 칩 분리 장치의 제2 승강 조작부를 보인 단면도이다.
도 9 및 도 10은 본 발명에 따른 반도체 칩 분리 장치의 동작 상태를 설명하기 위한 개략도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세하게 설명하면 다음과 같다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 이미 공지된 기능 혹은 구성에 대한 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.
본 발명에 따른 반도체 칩 분리 장치는, 도 3 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 본체(10)와, 제1 승강 조작부(20)와, 그리고 제2 승강 조작부(30)를 포함한다.
본 발명에 따른 반도체 칩 분리 장치의 구조적인 특징은, 웨이퍼(1) 상에서 반도체 칩(3)을 픽업 유닛(도면에 미도시)에 의해 진공 흡착 방식으로 분리할 때 반도체 칩(3)과 필름(2)의 접촉면적을 최소화시켜 픽업 유닛의 용이한 진공 흡착구조를 확보하고, 픽업 유닛의 흡착 과정에서 반도체 칩(3)의 손상을 방지할 수 있는 구조로 된 것이다.
본체(10)는 본 발명에 따른 반도체 칩 분리 장치의 메인프레임을 형성하도록 마련된다. 이러한 본체(10)에는 웨이퍼(1)의 필름(2)에 부착된 반도체 칩(3)의 분리를 위해 제1 승강 조작부(20)와, 그리고 제2 승강 조작부(30)가 결합된다.
또한, 본체(10)는 상부에 반도체 칩(3)이 필름(2)에 부착되어 지지되는 웨이퍼(1)를 안착시킬 수 있는 웨이퍼 안착부(12)가 형성된다.
웨이퍼 안착부(12)는 안착된 웨이퍼(1)를 고정할 수 있도록 다수의 고정부재(14)가 결합된다. 이때, 다수의 고정부재(14)는 웨이퍼 안착부(12)의 표면에 상호 일정간격을 두고 배치되는 자석으로 형성된다.
즉, 고정부재(14)는 웨이퍼 안착부(12)에 안착된 웨이퍼(1)를 자력에 의해 고정하게 되며, 이에 따라 반도체 칩(3)의 분리 과정에서 웨이퍼 안착부(12)에 안착된 웨이퍼(1)의 움직임을 방지할 수 있게 된다.
제1 승강 조작부(20)는 웨이퍼(1)의 필름(2)을 평평한 상태로 조절하도록 마련되며, 회전부재(22)와, 승강부재(24)와, 볼부재(26)와, 그리고 제1 승강 조작부 핸들(28)을 포함한다.
회전부재(22)는 링 형상으로 형성되어 본체(10)의 내부에 회전 가능하게 결합된다. 회전부재(22)의 상면에는 둘레를 따라 승강 제공면(23)이 형성된다. 즉, 승강 제공면(23)은 승강부재(24)의 승강 동작을 위해 회전부재(22)의 상면 둘레를 따라 수평면(23A)과 경사면(23B)이 연속 반복적으로 조합되어 배치되는 구조를 갖는다.
승강부재(24)는 링 형상으로 형성되고 회전부재(22)의 상부에 배치되도록 본체(10)의 내부에 승강 가능하게 결합된다. 승강부재(24)의 하면에는 둘레를 따라 승강 제공면(23)과 접촉되는 승강 상승면(25)이 형성된다. 이때, 승강 상승면(25)은 승강부재(24)의 승강 동작을 위해 승강 제공면(23)과 대응되도록 형성된다. 즉, 승강 상승면(25)은 승강 제공면(23)과 마찬가지로 수평면(25A)과 경사면(25B)이 연속 반복적으로 조합되어 배치되는 구조를 갖는다.
이러한 승강부재(24)는 회전부재(22)의 반시계방향 회전시 승강 제공면(23)과 승강 상승면(25)에 의해 상승 동작되고, 회전부재(22)의 시계방향 회전시 승강 제공면(23)과 승강 상승면(25)에 의해 하강 동작되어 복원되는 구조로 된 것이다.
볼부재(26)는 승강부재(24)의 상부에 둘레를 따라 회전 가능하게 결합된다. 이러한 볼부재(26)는 승강부재(24)의 상승 동작시 웨이퍼(1)의 필름(2)을 평평한 상태로 조절하는 역할을 담당한다. 즉, 볼부재(26)는 승강부재(24)의 상승 동작시 웨이퍼(1)의 필름(2)을 슬라이딩 접촉에 의해 상부 방향으로 밀어올리게 되고, 이에 따라 필름(2)은 반도체 칩(3)의 하부영역에 대해서만 부착상태를 유지하도록 평평한 상태로 조절되게 된다.
제1 승강 조작부 핸들(28)은 회전부재(22)를 본체(10)에 대해 회전 동작시킬 수 있도록 결합된다. 즉, 제1 승강 조작부 핸들(28)은 사용자가 본체(10)의 외부에서 회전부재(22)의 회전 동작을 조작할 수 있도록 형성되는 것이며, 회전부재(22)와 연결축(29)을 매개로 연결된다.
여기서 본체(10)는 측면 둘레에 장공 형상의 안내공(18)이 형성되는 안내부재(16)가 결합되고, 제1 승강 조작부 핸들(28)의 연결축(29)은 안내공(18)을 통해 회전부재(22)와 연결된다. 이에 따라 제1 승강 조작부 핸들(28)은 안내공(18)을 따라 안내되는 연결축(29)에 의해 안정적인 회전 조작이 가능할 수 있게 된다.
제2 승강 조작부(30)는 웨이퍼(1)의 필름(2)과 반도체 칩(3)의 접촉면적을 최소화하도록 마련되며, 승강부재(32)와, 홀더부재(34)와, 그리고 제2 승강 조작부 핸들(38)을 포함한다.
승강부재(32)는 본체(10)의 내부에 상하 방향으로 접힘과 펼침에 의해 승강 동작되도록 결합된다. 이러한 승강부재(32)는 제2 승강 조작부 핸들(38)에 의해 승강 동작되는 구조를 갖는다.
홀더부재(34)는 승강부재(32)의 상부에 결합된다. 이러한 홀더부재(34)는 승강부재(32)의 상승 동작과 연동되어 필름(2)에 부착된 반도체 칩(3)을 밀어올리는 역할을 담당한다.
이를 위해서, 홀더부재(34)는 상면에 반도체 칩(3)을 밀어올려 필름(2)과의 접촉면적을 최소화시킬 수 있는 다수의 리프트 핀(36)이 형성된다. 이때, 다수의 리프트 핀(36)은 반도체 칩(3)과 필름(2)의 접촉면적을 최소화시키도록 홀더부재(34)의 상면에 상호 일정간격을 두고 배치되는 구조를 갖는다.
즉, 리프트 핀(36)은 승강부재(32)와 홀더부재(34)에 의해 제1 승강 조작부(20)에 마련된 볼부재(26)보다 더 높이 상승되어 반도체 칩(3)을 상부로 밀어올리게 되며, 이에 따라 필름(2)은 리프트 핀(36)의 상승력에 의해 반도체 칩(3)의 하부영역에서 일부 분리되어 리프트 핀(36) 사이로 처지게 됨으로써 필름(2)과 반도체 칩(3)의 접촉면적을 최소화시킬 수 있게 된다.
제2 승강 조작부 핸들(38)은 승강부재(32)와 나사축(39)을 매개로 연결되도록 본체(10)에 결합된다. 이러한 제2 승강 조작부 핸들(38)은 나사축(39)의 회전에 따라 승강부재(32)의 승강 동작을 조작할 수 있는 구조를 갖는다.
이하, 도 9 및 도 10을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 칩 분리 장치의 작용을 설명한다.
먼저, 본 발명에 따른 반도체 칩 분리 장치는 필름(2)에 부착된 반도체 칩(3)의 분리를 위해 웨이퍼(1)를 본체(10)의 웨이퍼 안착부(12)에 안착시키는 과정이 선행된다. 이때, 웨이퍼(1)는 웨이퍼 안착부(12)에 결합된 고정부재(14)의 자력에 의해 본체(10)에 견고하게 고정될 수 있게 된다.
도 9에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)가 본체(10)의 웨이퍼 안착부(12)에 안착되면, 제1 승강 조작부(20)에 마련된 제1 조작부 핸들(28)을 반시계방향으로 회전시킨다. 그러면, 제1 승강 조작부 핸들(28)과 연결축(29)을 매개로 연결된 회전부재(22)가 반시계 방향으로 회전하게 되고, 승강부재(24)는 회전부재(22)의 회전에 따라 상승하게 되며, 볼부재(26)는 승강부재(24)의 상승에 따라 필름(2)과 슬라이딩 접촉되게 된다.
즉, 회전부재(22)는 제1 승강 조작부 핸들(28)의 회전 조작시 승강 제공면(23)에 의해 승강 상승면(25)을 상부 방향으로 밀어올려 승강부재(24)를 상승시키게 되고, 볼부재(26)는 승강부재(24)의 상승 동작시 웨이퍼(1)의 필름(2)과 슬라이딩 접촉되어 상부 방향으로 밀어올리게 된다. 이에 따라 필름(2)은 반도체 칩(3)의 하부영역에 대해서만 부착상태를 유지하도록 평평한 상태로 조절될 수 있게 되는 것이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 제1 승강 조작부(20)의 조작에 따라 웨이퍼(1)의 필름(2)이 반도체 칩(3)의 하부영역에 대해서만 부착상태를 유지하도록 평평한 상태로 조절되면, 제2 승강 조작부(30)에 마련된 제2 승강 조작부 핸들(38)을 회전시킨다. 그러면, 제2 승강 조작부 핸들(38)과 나사축(39)을 매개로 연결된 승강부재(32)가 나사축(39)의 회전에 의해 상승하게 되고, 홀더부재(34)는 승강부재(32)에 의해 상승되어 리프트 핀(36)으로 반도체 칩(3)을 상부로 밀어올리게 된다.
즉, 홀더부재(34)는 승강부재(32)의 동작과 연동되어 상승되게 되고, 리프트 핀(36)은 홀더부재(34)에 의해 제1 승강 조작부(20)에 마련된 볼부재(26)보다 더 높게 상승되어 반도체 칩(3)을 상부로 밀어올리게 된다. 이에 따라 필름(2)은 리프트 핀(36)의 상승력에 의해 반도체 칩(3)의 하부영역에서 일부 분리되어 리프트 핀(36) 사이로 처지게 됨으로써 필름(2)과 반도체 칩(3)의 접촉면적을 최소화시킬 수 있게 되는 것이다.
한편, 웨이퍼(1)의 필름(2)과 반도체 칩(3)의 접촉면적이 최소화되면, 픽업 유닛의 진공 흡착시 반도체 칩(3)이 웨이퍼(1)의 필름(2)으로부터 원활하게 분리될 수 있게 됨으로써 반도체 칩(3)의 용이한 분리 구조를 확보할 수 있고, 픽업 유닛에 의한 분리 과정에서 반도체 칩(3)의 손상을 방지할 수 있게 되는 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 칩 분리 장치는, 본체(10)의 웨이퍼 안착부(12)에 웨이퍼(1)를 고정시킨 상태에서 제1 승강 조작부(20)에 의해 반도체 칩(3)의 하부영역에 대해서만 부착상태를 유지하도록 필름(2)을 평평한 상태로 조절하고, 제2 승강 조작부(30)에 의해 필름(2)과 반도체 칩(3)의 접촉면적을 최소화함으로써, 픽업 유닛의 진공 흡착시 웨이퍼(1)의 필름(2)으로부터 반도체 칩(3)을 용이하게 분리할 수 있으면서도 반도체 칩(3)의 손상을 방지할 수 있다.
앞에서, 본 발명의 특정한 실시예가 설명되고 도시되었지만 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 일이다. 따라서, 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 기술적 사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 되며, 변형된 실시예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.
10: 본체
12: 웨이퍼 안착부 14: 고정부재
16: 안내부재 18: 안내공
20: 제1 승강 조작부
22: 회전부재 23: 승강 제공면
24: 승강부재 25: 승강 상승면
26: 볼부재 28: 제1 승강 조작부 핸들
30: 제2 승강 조작부
32: 승강부재 34: 홀더부재
36: 리프트 핀 38: 제2 승강 조작부 핸들

Claims (7)

  1. 반도체 칩(3)이 필름(2)에 부착되어 지지되는 웨이퍼(1)를 안착시킬 수 있도록 상부에 웨이퍼 안착부(12)가 마련되는 본체(10);
    사용자의 회전 조작에 따라 상승되어 상기 반도체 칩(3)이 부착된 상기 필름(2)을 평평한 상태로 조절하도록 상기 본체(10)의 내부에 회전 가능하게 결합되고, 상면에 둘레를 따라 승강 제공면(23)이 형성되는 링 형상의 회전부재(22)와, 상기 회전부재(22)의 상부에 배치되도록 상기 본체(10)의 내부에 승강 가능하게 결합되고, 하면에 둘레를 따라 상기 승강 제공면(23)과 대응되는 승강 상승면(25)이 형성되며, 상기 회전부재(22)의 회전시 상기 승강 제공면(23)과 승강 상승면(25)에 의해 승강 동작되는 링 형상의 승강부재(24)와, 상기 승강부재(24)의 상부에 둘레를 따라 결합되고, 상기 승강부재(24)의 상승시 상기 필름(2)을 평평한 상태로 조절하도록 슬라이딩 접촉되는 다수의 볼부재(26)와, 그리고 상기 회전부재(22)에 결합되고, 상기 승강부재(24)의 승강 동작을 조작할 수 있도록 형성되는 제1 승강 조작부 핸들(28)이 마련되는 제1 승강 조작부(20); 및
    사용자의 회전 조작에 따라 상기 제1 승강 조작부(20)보다 더 높이 상승되어 상기 반도체 칩(3)과 상기 필름(2)의 접촉면적을 최소화시키도록 상기 본체(10)의 내부에 결합되고 상하 방향으로 접힘과 펼침에 의해 승강 동작되는 승강부재(32)와, 상기 승강부재(32)의 상부에 결합되고, 상기 승강부재(32)의 상승 동작에 따라 상기 반도체 칩(3)을 밀어올려 상기 필름(2)과의 접촉면적을 최소화시키도록 다수의 리프트 핀(36)이 형성되는 홀더부재(34)와, 그리고 상기 승강부재(32)와 나사축(39)을 매개로 연결되도록 상기 본체(10)에 결합되고, 상기 승강부재(32)의 승강 동작을 조작할 수 있도록 형성되는 제2 승강 조작부 핸들(38)이 마련되는 제2 승강 조작부(30);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 분리 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 본체(10)는,
    상기 제1 승강 조작부 핸들(28)을 안내할 수 있도록 측면 둘레에 장공 형상의 안내공(18)이 형성되는 안내부재(16)가 결합되고,
    상기 제1 승강 조작부 핸들(28)은,
    상기 회전 부재(22)와 연결축(29)을 매개로 연결되고 상기 연결축(29)은 승강 동작을 위해 상기 안내부재(16)의 안내공(18)을 따라 안내되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 분리 장치.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀(36)은,
    상기 반도체 칩(3)과 상기 필름(2)의 접촉면적을 최소화시키도록 상기 홀더부재(34)의 상면에 상호 일정간격을 두고 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 분리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 본체(10)는,
    상기 웨이퍼 안착부(12)에 안착된 상기 웨이퍼(1)를 고정할 수 있도록 다수의 고정부재(14)가 결합되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 분리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 다수의 고정부재(14)는,
    상기 웨이퍼 안착부(12)의 표면에 상호 일정간격을 두고 배치되는 자석으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 분리 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116613099A (zh) * 2023-06-25 2023-08-18 浙江华企正邦自动化科技有限公司 一种蓝膜晶圆盘固定装置
KR20230153003A (ko) * 2022-04-28 2023-11-06 인세미텍 주식회사 그라인딩용 척 테이블 구조체 및 이를 포함하는 웨이퍼 그라인딩 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002184836A (ja) 2000-12-11 2002-06-28 Toshiba Corp 半導体素子のピックアップ用治具、半導体素子のピックアップ装置、半導体素子のピックアップ方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002184836A (ja) 2000-12-11 2002-06-28 Toshiba Corp 半導体素子のピックアップ用治具、半導体素子のピックアップ装置、半導体素子のピックアップ方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230153003A (ko) * 2022-04-28 2023-11-06 인세미텍 주식회사 그라인딩용 척 테이블 구조체 및 이를 포함하는 웨이퍼 그라인딩 장치
KR102643674B1 (ko) 2022-04-28 2024-03-05 인세미텍 주식회사 그라인딩용 척 테이블 구조체 및 이를 포함하는 웨이퍼 그라인딩 장치
CN116613099A (zh) * 2023-06-25 2023-08-18 浙江华企正邦自动化科技有限公司 一种蓝膜晶圆盘固定装置

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