KR101901522B1 - 높은 유리전이온도를 가지고 고불소계 용제에 용해되는 고불소화 고분자 화합물 - Google Patents

높은 유리전이온도를 가지고 고불소계 용제에 용해되는 고불소화 고분자 화합물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 높은 유리전이온도를 가지고 고불소계 용제에 용해되는 고불소화 고분자 화합물에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 높은 유리전이온도(이하 'Tg')를 가지고 고불소계 용제에 용해되는 고불소화 고분자 화합물은 105℃에 이르는 높은 Tg를 가지며 고불소계 용제인 1,1,1,2,3,3-hexafluoro-4-(1,1,2,3,3,3-hexafluoropropoxy)pentane (HFE-7600) 에 용해되어 박막을 형성할 수 있고, 또한 본 발명의 고분자 화합물은 전자선 조사 시 용해도가 변화되어 네거티브 전자선 레지스트로 적용될 수 있는 효과가 있다.

Description

높은 유리전이온도를 가지고 고불소계 용제에 용해되는 고불소화 고분자 화합물{High fluorinated polymer compound with high glass transition temperature and solubility in fluorous solvents}
본 발명은 고불소화 고분자 중에서도 높은 유리전이온도(Glass transition temperature; 이하 'Tg') 특성을 나타내며, 고불소계 용제에 용해가 가능하여 기판 상에 용액상으로 도포될 수 있는 고불소화 고분자 화합물에 관한 것이다.
과학 기술이 발전함에 따라, 그리고 사회의 구조가 복잡해질수록 더욱 더 뛰어난 성능의 휴대성이 편리한 과학 기기의 필요성이 대두된다. 대부분의 최첨단 과학 기기는 제조과정에 많은 화학 물질이 들어감에 따라 기기의 유해성에 대한 관심, 즉 녹색기술(Green Technology)에 대한 관심이 높아지고 있다.
전자 기기를 제조하는데 있어 가장 많은 양이 사용되는 화학물질은 여러 종류의 유기 용제가 될 것이다. 화학 반응뿐만 아니라, 물질의 도포 및 세척공정 등 많은 부분에 사용되고 있고, 인체에 대한 유해성과 직접적인 관련이 있다.
이와 같은 유기 용제가 가지는 부정적인 영향을 해소하기 위해 환경친화적, 생체친화적인 용제에 대한 많은 연구가 이루어지고 있고, 그 중 특히 물, 초임계 이산화탄소, 고불소계 용제 등 재활용이 가능하며 독성이 작은 용제에 대한 연구가 활발히 이루어져 왔다.
고불소계 용제는 독성이 매우 작고 화학적으로 안정해서 인체에 무해한 것으로 널리 알려져 있다. 이러한 특성으로 인해 바이오 연구와 관련된 분야에서 적용되고 있고, 또한 소수성(hydrophobicity) 및 소유성(lipophobicity)을 함께 지녀 일반적인 유기 전자재료와는 제한된 상호작용을 보이는 특징을 가지고 있다.
이러한 성질을 이용하여 고불소계 용제 및 이에 용해되어 가공될 수 있는 고불소화 기능재료를 유기 전자재료로 구성되는 다층 전자소자의 패터닝 등에 적용하는 연구들이 진행되고 있다.
그러한 이유는 미세 소자의 패터닝시 일반적인 유기용제 그리고 유기물 기반의 포토레지스트를 사용하게 되면 패턴의 대상이 되는 유기전자 재료 박막의 물리적 화학적 손상이 발생하기 때문이다.
따라서, 고불소계 용제에 용해가 가능하여 고불소계 용액으로 도포가 가능하고, 실온보다 상당히 높은 유리 전이 온도를 가져 우수한 박막 형성 특성을 가지는 고불소화 고분자 재료에 대한 연구 개발이 시급한 실정이다.
한국등록특허 제1266054호
본 발명의 목적은 높은 유리전이온도를 지니는 동시에 고불소계 용제에 용해되어 도포가 가능한 고분자 화합물의 구조를 설계하여 합성하고, 본 발명에 따른 고분자 화합물의 응용분야를 제공하는 데에 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 스타이렌-고불소화 알킬 사슬이 치환된 말레이미드 교대 공중합체를 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112017064453677-pat00001
상기 n은 15 내지 150의 정수이고,
p는 1 내지 11의 정수이고,
q는 3 내지 11의 정수임.
또한 본 발명은 상기 교대 공중합체를 포함하는, 전자선 레지스트 재료를 제공한다.
또한 본 발명은 상기 전자선 레지스트 재료를 고불소계 용제에 용해시켜 레지스트 용액을 준비하는 단계; 상기 레지스트 용액을 기판 상에 도포하는 단계; 상기 레지스트 용액이 도포된 기판을 가열하여 레지스트 박막을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 레지스트 박막에 전자선을 조사한 후 고불소계 용제로 형성된 레지스트 박막을 현상하여 나노 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는, 전자선 레지스트 재료를 이용한 나노 패턴 형성방법을 제공한다.
본 발명에 따른 높은 유리전이온도(이하 'Tg')를 가지고 고불소계 용제에 용해되는 고불소화 고분자 화합물은 105℃에 이르는 높은 Tg를 가지며 고불소계 용제인 1,1,1,2,3,3-hexafluoro-4-(1,1,2,3,3,3-hexafluoropropoxy)pentane (HFE-7600) 에 용해되어 박막을 형성할 수 있고, 또한 본 발명의 고분자 화합물은 전자선 조사 시 용해도가 변화되어 네거티브 전자선 레지스트로 적용될 수 있는 효과가 있다.
도 1은 실시예 1에 따라 합성된 스타이렌-고불소화 알킬 사슬이 치환된 말레이미드 교대 공중합체의 1H-NMR 분석결과를 나타낸 도면;
도 2는 시차주사열량측정법에 따라 실시예 1에 따라 합성된 스타이렌-고불소화 알킬 사슬이 치환된 말레이미드 교대 공중합체의 Tg를 나타낸 도면; 및
도 3은 실시예 2에 따라 전자선 리소그라피를 진행하여, 주사전자현미경(SEM) 분석을 통해 네거티브 톤 패턴을 확인한 도면이다.
이하, 본 발명인 높은 유리전이온도(이하 'Tg')를 가지고 고불소계 용제에 용해되는 고불소화 고분자 화합물을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명의 발명자들은 고분자 사슬의 강직도가 높아 내열 및 기타 열특성 면에서 유리하여 Tg가 높을 뿐만 아니라 고불소계 용제에 용해가 가능한 고불소화 고분자의 개발을 진행하였고, 이를 전자선 리소그라피에 적용하여 네거티브 톤 패턴을 형성할 수 있음을 밝혀내어 본 발명을 완성하였다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 스타이렌-고불소화 알킬 사슬이 치환된 말레이미드 교대 공중합체를 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112017064453677-pat00002
상기 n은 15 내지 150의 정수이고,
p는 1 내지 11의 정수이고,
q는 3 내지 11의 정수임.
상기 교대 공중합체는 하기 화학식 2로 표시되는 공중합체일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
[화학식 2]
Figure 112017064453677-pat00003
상기 m은 25 내지 45의 정수이고,
s는 3 내지 5의 정수이고,
t는 6 내지 8의 정수임.
상기 교대 공중합체는 하기 화학식 3으로 표시되는 스타이렌 단량체와, 하기 화학식 4로 표시되는 고불소화 알킬 사슬이 치환된 말레이미드 단량체가 1 : (0.5 ~ 1.5)의 몰비로 교대 공중합된 것일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
[화학식 3]
Figure 112017064453677-pat00004
[화학식 4]
Figure 112017064453677-pat00005
상기 화학식 4에서,
p는 1 내지 11의 정수이고,
q는 3 내지 11의 정수임.
구체적으로, 상기 화학식 4로 표시되는 고불소화 알킬 사슬이 치환된 말레이미드 단량체는 고불소계 용제에 대한 용해성을 부여하기 위해 말레이미드에 고불소화 알킬 사슬을 부가한 것으로서, 보다 상세하게는 5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-헵타데카플루오로데칸-1-아민(5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-heptadecafluorodecane-1-amine)일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 교대 공중합체는 유리전이온도가 100 내지 110℃인 것일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 교대 공중합체는 수평균 분자량(Mn)이 22000 내지 32000인 것일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
또한 본 발명은 상기 교대 공중합체를 포함하는, 전자선 레지스트 재료를 제공한다.
또한 본 발명은 상기 전자선 레지스트 재료를 고불소계 용제에 용해시켜 레지스트 용액을 준비하는 단계; 상기 레지스트 용액을 기판 상에 도포하는 단계; 상기 레지스트 용액이 도포된 기판을 가열하여 레지스트 박막을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 레지스트 박막에 전자선을 조사한 후 고불소계 용제로 형성된 레지스트 박막을 현상하여 나노 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는, 전자선 레지스트 재료를 이용한 나노 패턴 형성방법을 제공한다.
구체적으로, 전자선 레지스트 재료를 이용한 나노 패턴 형성방법의 경우 고불소계 용제에 용해가 가능한 고불소화 알킬 사슬을 포함한 기능성 재료를 이용하기 때문에, 하부 유기 박막에 대한 손상을 최소한으로 줄여 우수한 성능의 유기전자 소자를 제작할 수 있다.
이렇듯 장점이 많은 고불소계 용제를 이용하여 기능성 재료 박막을 형성하기 위해서는 두 가지 조건이 필요하다.
첫째, 사용하고자 하는 유기 단분자 또는 고분자가 고불소계 용제에 용해 되어야 한다. 이는 기능성 유기 분자 내에 다수의 불소 원자를 도입하여, 즉 고불소화 사슬을 덧붙이게 되면 확보할 수 있는 특성이다.
둘째, 대부분의 경우 기능성 박막을 형성하기 위해서는 고분자 형태의 재료를 사용하게 되는데, 고분자 물질의 경우 충분히 높은 분자량과 높은 Tg의 확보가 필요하다. 유리 전이 온도가 상온과 비슷하거나 낮게 되면 고무와 같은 말랑말랑한 성질을 보여 균일한 박막의 확보가 매우 어려워진다.
따라서, 높은 Tg를 가지며, 고불소계 용제에 쉽게 용해 가능한 본 발명에 따른 스타이렌-고불소화 알킬 사슬이 치환된 말레이미드 교대 공중합체 포함한 전자선 레지스트 재료를 이용하는 것이 바람직하다.
상기 레지스트 용액은 1.5 내지 3.5 중량%의 전자선 레지스트 재료와 잔량의 고불소계 용제로 이루어진 것일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 레지스트 용액을 기판 상에 도포하는 단계는 레지스트 용액을 2500 내지 3500 rpm으로 30 내지 90초 동안 스핀코팅하여 기판 상에 도포하는 것일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 레지스트 박막을 형성하는 단계는 레지스트 용액이 도포된 기판을 80 내지 120℃에서 30 내지 90초 동안 가열하여 레지스트 박막을 형성하는 것일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 레지스트 박막은 평균 두께가 80 내지 100 nm일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 레지스트 박막을 현상하는 단계는 70 내지 90 keV 가속전압 하에서 6.5 내지 8.5 C/m2의 전자선을 조사한 후 고불소계 용제로 1 내지 3분 동안 현상하여 나노패턴을 형성하는 것일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
이하, 하기 실시예 및 실험예에 의하여 본 발명인 높은 유리전이온도를 가지고 고불소계 용제에 용해되는 고불소화 고분자 화합물을 상세히 설명한다. 단, 하기 실시예 및 실험예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 발명의 범위가 실시예 및 실험예에 의해 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1> 스타이렌-고불소화 알킬 사슬이 치환된 말레이미드 교대 공중합체(이하 'PSTFM') 합성
<반응식 1>
Figure 112017064453677-pat00006
<반응식 2>
Figure 112017064453677-pat00007
1. 1-(5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12- 헵타데카플루오로도데실)-1 H -피롤-2,5-디온[1-(5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12- heptadecafluorododecyl)-1 H -pyrrole-2,5-dione, 이하 'R F -maleimide'] 단량체의 합성
5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-헵타데카플루오로데칸-1-아민(5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-heptadecafluorodecane-1-amine; 이하 'RF-amine', 8.2 g, 16.7 mmol)과 말레인산 무수물(maleic anhydride (1.63 g, 16.7 mmol)을 디클로로메탄(CH2Cl2, 50cm3)과 아세톤(5 cm3)의 혼합용제에 녹여 상온에서 2시간 동안 교반시켰다.
이후, 진공 중에서 혼합용제를 제거하였다. 특별한 정제 과정 없이, 생성된 아믹산(amic acid) 화합물에 아세트산 나트륨(sodium acetate, 2.27 g, 16.7 mmol), 및 아세트산 무수물(acetic anhydride, 40 cm3)을 투입하고 100℃에서 4시간 동안 교반시켰다.
반응이 완료된 후, 디에틸에터(Et2O, 120cm3)를 투입하여 반응을 종료한 후 추출하고, 물(100 cm3)과 염화나트륨 수용액(100 cm3)으로 세척하였다. 분리된 생성물에 무수 황산마그네슘(MgSO4)을 투입한 후 교반하여 생성물 내의 수분을 제거하였다.
수분이 제거된 농축된 생성물을 컬럼 크로마토그라피(silica gel, ethyl acetate : hexane = 1 : 4)를 통해 정제를 한 뒤, 메탄올을 이용하여 한 차례 재결정을 진행함으로써 순수한 RF-maleimide(1.8 g)를 합성하였고, 1H-NMR 데이터는 하기와 같다.
1H-NMR (400 MHz, CDCl3):δ= 1.55-1.73 (m, 6H), 2.00-2.15 (m, 2 H), 3.54 (t, J = 6 Hz, 2 H), 6.69 (s, 2 H)
2. 스타이렌-고불소화 알킬 사슬이 치환된 말레이미드 교대 공중합체(이하 'PSTFM')의 합성
쉬링크 튜브(Schlenk tube) 내에 스타이렌(Styrene, 0.0364 g, 0.35 mmol), RF-maleimide(0.2g, 0.35 mmol), 및 개시제로 아조비스이소부티로니트릴 (azobisisobutyronitrile, 이하 'AIBN' 0.0028 g, 0.017 mmol)을 투입하고, 튜브 내의 공기를 질소(N2) 기류로 치환하였다.
N2 가스로 버블링(bubbling) 처리한 벤조트리플루오라이드(benzotrifluoride, 2 cm3)를 튜브 내에 N2 기류 조건 하에서 투입하였다.
80℃의 온도에서 12시간 교반시켰다. 이 후, 튜브 내의 고분자를 헥산(100 cm3)에 침전시키고 고분자 침전물을 여과하여 회수였고, 이를 건조시켜 하기 화학식 5로 표시되는 스타이렌-고불소화 알킬 사슬이 치환된 말레이미드 교대 공중합체(0.21 g)를 얻었다.
[화학식 5]
Figure 112017064453677-pat00008
상기 화학식 5에 따른 타이렌-고불소화 알킬 사슬이 치환된 말레이미드 교대 공중합체는 단량체인 스타이렌과 RF-maleimide가 1 : 1의 몰비로 교대공중합된 것이고, 상기 m'은 대략 30이고, 1H-NMR 데이터는 하기와 같다(도 1 참조).
1H-NMR (400 MHz, CDCl3): 7.43-6.79 (5H) 3.63-3.08 (2H), 2.97-0.75 (11H)
<실험예 1> 스타이렌-고불소화 알킬 사슬이 치환된 말레이미드 교대 공중합체의 수평균 분자량 측정
실시예 1에 따라 합성된 스타이렌-고불소화 알킬 사슬이 치환된 말레이미드 교대 공중합체의 수평균 분자량을 분석하기 위해, 겔투과크로마토그래피(gel permeation chromatography; 이하 'GPC')를 수행하였다.
구체적으로, 실시예 1에 따라 합성된 스타이렌-고불소화 알킬 사슬이 치환된 말레이미드 교대 공중합체를 Asahiklin AK-225G에 용해시킨 후 영린기기 YL9100를 이용하여 분자량을 측정하였고, 그 결과 수평균 분자량은 22,000 (Mw/Mn = 2.1)으로 확인되었다.
<실험예 2> 스타이렌-고불소화 알킬 사슬이 치환된 말레이미드 교대 공중합체의 T g 측정
실시예 1에 따라 합성된 스타이렌-고불소화 알킬 사슬이 치환된 말레이미드 교대 공중합체의 열적 특성을 알아보기 위해 TA DSC200F3 장치를 이용하여, 질소 분위기 하에서, 10 ℃/min의 승온속도(40 내지 200℃)로 시차주사열량계(differential scanning calorimetry; 이하 'DSC') 분석을 수행하였고, 그 결과를 도 2에 나타내었다.
도 2를 참조하면, Tg는 DSC 측정에서 105℃ 부근에서 높은 Tg 값을 관찰하였다.
이는 실온보다 상당히 높은 유리 전이온도를 가져 우수한 박막 형성 특성을 가지는 스타이렌-고불소화 알킬 사슬이 치환된 말레이미드 교대 공중합체임을 알 수 있다.
<실시예 2> 전자선 레지스트 재료를 이용한 나노패턴 형성
상기 실시예 1에 따라 합성된 스타이렌-고불소화 알킬 사슬이 치환된 말레이미드 교대 공중합체를 이용하여 전자선 리소그라피를 실시하였다.
구체적으로, 실리콘(Si) 기판 위에 1,1,1,2,3,3-헥사플루오로-4-(1,1,2,3,3,3,-헥사플루오로프로폭시)-펜탄(이하 'HFE-7600', Novec™ 7600)에 용해시킨 스타이렌-고불소화 알킬 사슬이 치환된 말레이미드 교대 공중합체 용액 (2.5 중량%)을 3000 rpm 에서 60초 동안 스핀코팅(ACE-200)을 진행한 뒤 100℃ 에서 1분 동안 가열하여 박막(두께: 90 nm)을 형성하였다.
이 후 80 keV 가속전압 하에서 7.5 C/m2의 전자선을 조사한 후 HFE-7600을 이용하여 2분 동안 현상과정을 진행하여 네거티브 나노패턴을 형성하였다.
전자선 조사 조건 하에서 현상 후 형성된 네거티브 나노패턴은 100 nm 선폭을 지니는 나노패턴을 제조할 수 있음을 확인하였다.
<실험예 3> 전자선 리소그라피
상기 실시예 2에 따른 네거티브 나노패턴을 분석하였다.
도 3을 참조하면, 실시예 1에 따라 합성된 스타이렌-고불소화 알킬 사슬이 치환된 말레이미드 교대 공중합체는 고불소계 용제인 HFE-7600을 이용한 박막 성형과정을 거쳐 전자선 리소그라피 패터닝에 적용되었다.
동일한 용제(HFE-7600)를 이용한 현상 공정을 진행 후 주사전자현미경(scanning electron microscope, 이하 'SEM', SU8010, Hitachi)을 이용하여 고분자 박막 패턴을 확인한 결과 100 nm 선폭 패턴도 붕괴되지 않고 우수한 네거티브 패턴 이미지를 형성하는 것이 관찰되었다.
이러한 성능은 본 발명인 스타이렌-고불소화 알킬 사슬이 치환된 말레이미드 교대 공중합체의 높은 Tg에 기인하는 결과(실험예 2 참조)이며, HFE-7600에 용해되어 박막을 형성할 수 있고, 실시예 1에 따라 합성된 스타이렌-고불소화 알킬 사슬이 치환된 말레이미드 교대 공중합체는 전자선 조사 시 용해도가 변화되어 네거티브 전자선 레지스트로 적용될 수 있음을 확인하였다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 청구범위의 균등 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.

Claims (12)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 스타이렌-고불소화 알킬 사슬이 치환된 말레이미드 교대 공중합체를 포함하는, 전자선 레지스트 재료:
    [화학식 1]
    Figure 112018050583587-pat00009

    상기 n은 15 내지 150의 정수이고,
    p는 1 내지 11의 정수이고,
    q는 3 내지 11의 정수임.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 교대 공중합체는,
    하기 화학식 2로 표시되는 공중합체인 것을 특징으로 하는, 전자선 레지스트 재료:
    [화학식 2]
    Figure 112018050583587-pat00010

    상기 m은 25 내지 45의 정수이고,
    s는 3 내지 5의 정수이고,
    t는 6 내지 8의 정수임.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 교대 공중합체는,
    하기 화학식 3으로 표시되는 스타이렌 단량체와, 하기 화학식 4로 표시되는 고불소화 알킬 사슬이 치환된 말레이미드 단량체가 1 : (0.5 ~ 1.5)의 몰비로 교대 공중합된 것을 특징으로 하는, 전자선 레지스트 재료:
    [화학식 3]
    Figure 112018050583587-pat00011

    [화학식 4]
    Figure 112018050583587-pat00016

    상기 화학식 4에서,
    p는 1 내지 11의 정수이고,
    q는 3 내지 11의 정수임.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 교대 공중합체는,
    유리전이온도가 100 내지 110℃인 것을 특징으로 하는, 전자선 레지스트 재료.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 교대 공중합체는,
    수평균 분자량(Mn)이 22000 내지 32000인 것을 특징으로 하는, 전자선 레지스트 재료.
  6. 삭제
  7. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 따른 전자선 레지스트 재료를 고불소계 용제에 용해시켜 레지스트 용액을 준비하는 단계;
    상기 레지스트 용액을 기판 상에 도포하는 단계;
    상기 레지스트 용액이 도포된 기판을 가열하여 레지스트 박막을 형성하는 단계; 및
    상기 형성된 레지스트 박막에 전자선을 조사한 후 고불소계 용제로 형성된 레지스트 박막을 현상하여 나노패턴을 형성하는 단계;
    를 포함하는, 전자선 레지스트 재료를 이용한 나노패턴 형성방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 레지스트 용액은,
    1.5 내지 3.5 중량%의 전자선 레지스트 재료와 잔량의 고불소계 용제로 이루어진 것을 특징으로 하는, 전자선 레지스트 재료를 이용한 나노패턴 형성방법.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 레지스트 용액을 기판 상에 도포하는 단계는,
    레지스트 용액을 2500 내지 3500 rpm으로 30 내지 90초 동안 스핀코팅하여 기판 상에 도포하는 것을 특징으로 하는, 전자선 레지스트 재료를 이용한 나노패턴 형성방법.
  10. 청구항 7에 있어서,
    상기 레지스트 박막을 형성하는 단계는,
    레지스트 용액이 도포된 기판을 80 내지 120℃에서 30 내지 90초 동안 가열하여 레지스트 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는, 전자선 레지스트 재료를 이용한 나노패턴 형성방법.
  11. 청구항 7에 있어서,
    상기 레지스트 박막은,
    평균 두께가 80 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는, 전자선 레지스트 재료를 이용한 나노패턴 형성방법.
  12. 청구항 7에 있어서,
    상기 레지스트 박막을 현상하는 단계는,
    70 내지 90 keV 가속전압 하에서 6.5 내지 8.5 C/m2의 전자선을 조사한 후 고불소계 용제로 1 내지 3분 동안 현상하여 나노패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는, 전자선 레지스트 재료를 이용한 나노패턴 형성방법.
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