KR101899474B1 - 고효율 발광 다이오드 제조 방법 - Google Patents

고효율 발광 다이오드 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고효율 발광 다이오드 제조 방법을 제공한다. 이 발광 다이오드 제조 방법은, 질화갈륨 기판 상에 질화갈륨층 및 질화갈륨층에 비해 좁은 밴드갭을 갖는 희생층을 형성하고, 희생층 상에 질화갈륨 계열의 반도체층들을 성장시켜 반도체 적층 구조체를 형성하고, 반도체 적층 구조체 및 희생층을 관통하는 홈을 형성하고, 반도체 적층 구조체 상에 지지기판을 형성하고, 희생층을 식각하여 반도체 적층 구조체로부터 질화갈륨 기판을 분리하는 것을 포함한다. 홈을 이용하여 희생층을 식각하므로, 반도체 적층 구조체로부터 지지기판을 손상시키기 않고 분리할 수 있다.

Description

고효율 발광 다이오드 제조 방법{METHOD OF FABRICATING HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE}
본 발명은 발광 다이오드 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 질화갈륨 기판을 성장기판으로 사용한 고효율 발광 다이오드 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN) 등과 같은 Ⅲ족 원소의 질화물은 열적 안정성이 우수하고 직접 천이형의 에너지 밴드(band) 구조를 가지므로, 최근 가시광선 및 자외선 영역의 발광소자용 물질로 많은 각광을 받고 있다. 특히, 질화인듐갈륨(InGaN)을 이용한 청색 및 녹색 발광 소자는 대규모 천연색 평판 표시 장치, 신호등, 실내 조명, 고밀도광원, 고해상도 출력 시스템과 광통신 등 다양한 응용 분야에 활용되고 있다.
이러한 III족 원소의 질화물 반도체층은 그것을 성장시킬 수 있는 동종의 기판을 제작하는 것이 어려워, 유사한 결정 구조를 갖는 이종 기판에서 금속유기화학기상증착법(MOCVD) 또는 분자선 증착법(molecular beam epitaxy; MBE) 등의 공정을 통해 성장되어 왔다. 이종기판으로는 육방 정계의 구조를 갖는 사파이어(Sapphire) 기판이 주로 사용된다. 최근에는 사파이어와 같은 이종기판 상에 질화물 반도체층과 같은 에피층들을 성장시키고, 상기 에피층들에 지지기판을 본딩한 후, 레이저 리프트 오프 기술 등을 이용하여 이종기판을 분리하여 수직형 구조의 고효율 발광 다이오드를 제조하는 기술이 개발되고 있다. 사파이어와 같은 이종 기판과 그 위에 성장된 에피층은 서로 다른 물성을 갖기 때문에, 이들 사이의 계면을 이용하여 용이하게 성장 기판을 분리할 수 있다.
그러나, 이종 기판 상에 성장된 에피층은 성장 기판과의 격자 부정합 및 열팽창 계수 차이에 기인하여 전위 밀도가 상대적으로 높다. 사파이어 기판 상에 성장된 에피층은 일반적으로 1E8/㎠ 이상의 전위밀도를 갖는 것으로 알려져 있다. 이러한 높은 전위밀도를 갖는 에피층으로는 발광 다이오드의 발광 효율을 개선하는데 한계가 있다.
한편, 최근, 질화갈륨 기판을 성장기판으로 사용하여 에피층을 성장시켜 발광 다이오드를 제조하는 연구가 시도되고 있다. 그런데, 질화갈륨 기판은 그 위에 성장된 에피층과 동종이므로, 에피층으로부터 질화갈륨 기판을 분리하여 수직형 구조의 고효율 발광 다이오드를 제조하는 것이 곤란하다.
본 발명이 해결하려는 과제는, 질화갈륨 성장 기판을 제거한 수직형 구조의 고효율 발광 다이오드를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 다른 과제는, 광 추출 효율이 개선된 고효율 발광 다이오드를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예들에 따른 발광 다이오드 제조 방법은, 질화갈륨 기판 상에 질화갈륨층 및 희생층을 형성하는 것을 포함한다. 상기 희생층은 상기 질화갈륨층에 비해 좁은 밴드갭을 갖는 질화갈륨계 반도체로 형성된다. 또한, 상기 제조 방법은 상기 희생층 상에 질화갈륨 계열의 반도체층들을 성장시켜 반도체 적층 구조체를 형성하고, 상기 반도체 적층 구조체 및 상기 희생층을 관통하는 홈을 형성하고, 상기 반도체 적층 구조체 상에 지지기판을 형성하고, 상기 희생층을 식각하여 상기 반도체 적층 구조체로부터 상기 질화갈륨 기판을 분리하는 것을 포함한다.
상기 희생층은 InGaN으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 희생층을 식각하는 것은 광 강화 화학 식각 기술을 이용하여 수행될 수 있다. 예컨대, 상기 희생층을 식각하는 것은 KOH 또는 NaOH 용액 내에서 상기 질화갈륨 기판을 통해 상기 희생층에 광을 조사하여 수행될 수 있다.
한편, 상기 질화갈륨 기판이 제거된 후, 상기 반도체 적층 구조체 상에 요철패턴을 갖는 투명 산화물층이 형성될 수 있다.
상기 반도체 적층 구조체는 질화갈륨 계열의 n형 반도체층, 질화갈륨 계열의 활성층 및 질화갈륨 계열의 p형 반도체층을 포함한다. 상기 발광 다이오드 제조 방법은, 상기 지지기판을 형성하기 전에, 상기 반도체 적층 구조체의 p형 반도체층에 오믹 콘택하는 p형 전극층을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 발광 다이오드 제조 방법은, 상기 지지기판을 형성하기 전에, 상기 홈을 채우는 충진재를 형성하는 것을 더 포함할 수 있다. p 전극층은, 상기 충진재를 형성하기 전, 상기 반도체 적층 구조체 상에 한정되어 형성될 수 있으며, 또는, 상기 충진재를 형성한 후, 상기 반도체 적층 구조체 및 상기 충진재를 덮도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 발광 다이오드 제조 방법은, 상기 지지기판 하부에 본딩 패드를 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 질화갈륨 기판을 성장기판으로 사용하여 반도체층들을 성장시킴으로써 전위밀도가 낮은 반도체 적층 구조체를 형성할 수 있다. 나아가, 상기 반도체 적층 구조체로부터 질화갈륨 기판을 제거하여 수직형 구조의 발광 다이오드를 제조함으로써 고효율 발광 다이오드를 제공할 수 있다. 또한, 질화갈륨 기판 상에 성장된 반도체층들은 전위밀도가 매우 낮기 때문에 종래의 광전화학 식각으로는 거칠어진 표면을 제공하는데 한계가 있어 광 추출 효율을 개선하기 어려우나, 본 발명에 따르면, 요철 패턴을 갖는 투명산화물층을 이용하여 발광 다이오드의 광추출 효율을 개선할 수 있다.
나아가, 희생층을 식각하여 질화갈륨 기판을 반도체 적층 구조체로부터 분리하기 때문에, 질화갈륨 기판을 재사용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들 및 평면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화갈륨 기판 분리 공정을 설명하기 위한 개략도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타내며, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 발광 다이오드는 지지기판(31), 반도체 적층 구조체(30), p 전극층(27), 본딩 메탈(33), 투명 산화물층(35) 및 n-전극 패드(37)를 포함한다. 또한, 상기 발광 다이오드는 본딩 패드(39)를 포함할 수 있다.
지지기판(31)은 화합물 반도체층들을 성장시키기 위한 성장기판과 구분되며, 이미 성장된 화합물 반도체층들에 부착된 2차 기판이다. 상기 지지기판(31)은 도전성 기판, 예컨대 금속 기판 또는 반도체 기판일 수 있다.
반도체 적층 구조체(30)는 지지기판(31) 상에 위치하며, p형 화합물 반도체층(25), 활성층(23) 및 n형 화합물 반도체층(21)을 포함한다. 여기서, 상기 반도체 적층 구조체(30)는 p형 화합물 반도체층(25)이 n형 화합물 반도체층(21)에 비해 지지기판(31) 측에 가깝게 위치한다.
n형 화합물 반도체층(21), 활성층(23) 및 p형 화합물 반도체층(25)은 III-N 계열의 화합물 반도체, 예컨대 (Al, Ga, In)N 반도체로 형성될 수 있다. n형 화합물 반도체층(21) 및 p형 화합물 반도체층(25)은 각각 단일층 또는 다중층일 수 있다. 예를 들어, n형 화합물 반도체층(21) 및/또는 p형 화합물 반도체층(25)은 콘택층과 클래드층을 포함할 수 있으며, 또한 초격자층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 활성층(23)은 단일 양자우물 구조 또는 다중 양자우물 구조일 수 있다.
상기 반도체 적층 구조체(30)는 5×106/㎠ 이하의 전위 밀도를 갖도록 형성될 수 있다. 사파이어 기판 상에 성장되는 반도체층들은 일반적으로 1×108/㎠ 이상의 높은 전위밀도를 갖는다. 이에 반해, 본 발명에 따른 반도체 적층 구조체(30)는 질화갈륨 기판을 성장기판으로 사용하여 성장된 반도체층들(21, 23, 25)을 이용함으로써 5×106/㎠ 이하의 낮은 전위밀도를 갖도록 형성될 수 있다. 상기 전위 밀도의 하한은 특별히 한정되지 않으나 1×104/㎠ 이상 또는 1×106/㎠ 이상일 수 있다. 반도체 적층 구조체(30) 내의 전위 밀도를 낮춤으로써 전류 증가에 따라 발생되는 드룹을 완화할 수 있다.
p-전극층(27)은 p형 화합물 반도체층(25)과 지지기판(31) 사이에 위치한다. 상기 p-전극층(27)은 상기 p형 화합물 반도체층(25)에 오믹 콘택하며, 반사 금속층 및 장벽 금속층을 포함할 수 있다. 상기 반사 금속층 예컨대 Ag와 같은 반사층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 장벽 금속층은 반사 금속층을 덮어 반사 금속층의 금속 물질, 예컨대 Ag의 확산을 방지한다. 장벽 금속층은 예컨대, Ni층을 포함할 수 있다.
한편, 지지기판(31)은 상기 p-전극층(27) 상에 본딩 메탈(33)을 통해 본딩될 수 있다. 본딩 메탈(33)은 예컨대 Au-Sn으로 공융 본딩을 이용하여 형성될 수 있다. 이와 달리, 지지기판(31)은 예컨대 도금 기술을 사용하여 p-전극층(27) 상에 형성될 수도 있다.
상기 본딩 패드(39)는 상기 지지기판(31) 하부에 형성된다. 상기 본딩 패드(39)는 Au-Sn과 같은 공융 본딩에 적합한 금속 물질로 형성될 수 있다. 상기 본딩 패드(39)는 발광 다이오드를 인쇄회로기판이나 리드 프레임 등에 실장할 때 사용되며, 열 전도율이 높은 금속 물질로 형성되어 발광 다이오드의 방열 특성을 개선한다.
한편, 반도체 적층 구조체(30) 상에, 즉 n형 화합물 반도체층(21) 상에 투명 산화물층(35)이 위치할 수 있다. 상기 투명 산화물층(35)은 그 표면에 요철 패턴을 갖도록 패터닝될 수 있다. 상기 투명 산화물층(35)은 예컨대 ZnO나 ITO와 같은 도전성 산화물층 또는 SiO2와 같은 절연성 산화물층으로 형성될 수 있다. 상기 투명 산화물층(35)은 상기 요철패턴에 의해 반도체 적층 구조체(30)에서 생성된 광을 외부로 양호하게 방출할 수 있다.
한편, 상기 투명 산화물층(35) 상에 n-전극 패드(37)가 위치할 수 있다. 상기 n-전극 패드(37)은 투명 산화물층(35)을 통해 상기 n형 화합물 반도체층(21)에 전기적으로 접속할 수 있다. 이와 달리, 상기 n-전극 패드(37)는 직접 상기 n형 화합물 반도체층(21)에 접촉할 수 있으며, 이를 위해, 상기 투명 산화물층(35)에 n형 화합물 반도체층(21)을 노출시키는 개구부가 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서, n형 화합물 반도체층(21) 상에 요철패턴을 갖는 투명 산화물층(35)이 위치하는 것으로 설명하였지만, 상기 투명 산화물층(35) 대신에 또는 투명 산화물층(35)에 더하여 상기 n형 화합물 반도체층(21)의 표면에 거칠어진 표면 또는 광 추출을 위한 요철 패턴이 형성될 수도 있다.
도 2 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면들로 도 4는 평면도이고 나머지는 단면도들이다.
도 2를 참조하면, 질화갈륨 기판(11) 상에 질화갈륨층(13) 및 희생층(15)이 성장된다. 여기서, 상기 희생층(15)은 질화갈륨층(13)에 비해 밴드갭이 좁은 질화갈륨계 층, 예컨대 InGaN으로 형성될 수 있다. 상기 질화갈륨층(13)은 의도적인 불순물 도핑없이 언도프트-GaN으로 형성되며, 상기 희생층(15)은 Si와 같은 n형 불순물을 도핑하여 형성될 수 있다. 상기 질화갈륨층(13)은, 희생층(15)이 식각될 때, 질화갈륨 기판(11)이 손상되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다.
상기 희생층(15) 상에 질화갈륨 계열의 n형 반도체층(21), 질화갈륨 계열의 활성층(23) 및 질화갈륨 계열의 p형 반도체층(25)을 포함하는 반도체 적층 구조체(30)가 형성된다.
상기 n형 및 p형 반도체층들(21, 25)은 각각 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 활성층(23)은 단일 양자우물 구조 또는 다중 양자우물 구조로 형성될 수 있다. 상기 질화갈륨 기판(11) 상에서 성장됨으로써 상기 반도체층들(21, 23, 25)은 약 5×106/㎠ 이하의 전위 밀도를 갖도록 형성될 수 있다.
상기 질화갈륨층(13), 상기 희생층(15) 및 상기 화합물 반도체층들(21, 23, 25)은 금속유기화학기상증착법(MOCVD) 또는 분자선 증착법(molecular beam epitaxy; MBE) 등의 공정에 의해 성장될 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 반도체 적층 구조체(30) 및 희생층(15)을 패터닝하여 홈(30a)을 형성한다. 상기 홈(30a)은 질화갈륨층(13)을 관통할 수도 있다. 상기 홈(30a)은 건식 식각 기술 또는 레이저 스크라이빙 기술을 이용하여 형성될 수 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 상기 홈(30a)은 웨이퍼(10)에서 반도체 적층 구조체(30)를 4등분 하도록 형성될 수 있다. 그러나 상기 홈(30a)의 형상은 도 4의 형상에 한정되는 것은 아니며, 기판(11)의 크기에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 다만, 상기 홈(30a)에 의해 정의되는 영역들 또는 상기 홈(30a)과 웨이퍼(10)의 가장자리에 의해 정의되는 영역들은 발광 다이오드 칩 크기와 동일하거나 그보다는 상대적으로 크다.
도 5를 참조하면, 상기 반도체 적층 구조체(30) 상에 p 전극층(27)이 형성된다. p 전극층(27)은 p형 반도체층(25)에 오믹 콘택한다. 또한, 상기 p 전극층(27)은 반사 금속층 및 장벽금속층을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 p 전극층(27)을 형성하기 전에, 상기 홈(30a)을 채우는 충진재(29)가 형성될 수 있다. 상기 충진재(29)는 예컨대 포토레지스트 또는 SOG 등을 스핀 코팅하여 형성될 수 있다.
다른 실시예들에 있어서, 상기 p 전극층(27)이 상기 반도체 적층 구조체(30) 상에 한정되도록 형성되고, 그 후에 충진재(29)가 형성될 수도 있다. 즉, p 전극층(27)이 상기 홈(30a)을 노출시키도록 반도체 적층 구조체(30) 상에 형성되고, 충진재(29)가 상기 반도체 적층 구조체(30)와 상기 p 전극층(27)에 의해 형성된 홈을 채울 수 있다.
도 6을 참조하면, 이어서, 상기 p 전극층(27) 상에 지지기판(31)이 부착된다. 지지기판(31)은 반도체 적층 구조체(30)와 별도로 제작된 후, 본딩 메탈(33)을 통해 p 전극층(27) 상에 본딩될 수 있다. 상기 지지기판(31)은 상기 p 전극층(27)도금 공정에 의해 형성될 수도 있다. 상기 지지기판(31)은 도전성 기판, 예컨대 금속 또는 반도체 기판일 수 있다. 상기 지지기판(31)은 서로 분할된 반도체 적층 구조체(30) 상에 위치하여 이들을 결합시킨다.
도 7을 참조하면, 습식 식각 기술을 이용하여 충진재(29)를 제거한다. 충진재(29)는 그 물질에 따라, BOE나 HF 또는 아세톤과 같은 유기 용매를 적절히 선택하여 제거될 수 있다. 예컨대, 상기 충진재가 SOG로 형성된 경우, BOE나 HF가 사용될 수 있으며, 상기 충진재가 포토레지스트인 경우, 아세톤과 같은 유기 용매가 사용될 수 있다. 상기 충진재(29)를 제거함에 따라 질화갈륨 기판(11)과 지지기판(31) 사이에 홈(30a)에 의한 통로가 형성된다.
도 8을 참조하면, 그 후, 반도체 적층 구조체(30)로부터 상기 질화갈륨 기판(11)이 분리되고, n형 반도체층(21)의 표면이 노출된다. 상기 질화갈륨 기판(11)은 광 강화 화학 식각 기술을 이용하여 반도체 적층 구조체(30)로부터 분리될 수 있다. 도 9는 상기 질화갈륨 기판(11)의 분리 공정을 설명하기 위한 개략도이다.
도 9를 참조하면, 우선 도 7에서 설명한 바와 같이 홈(30a)에 의해 통로가 형성된 후, KOH 또는 NaOH의 용액(110)이 담긴 수조(100)에 질화갈륨 기판(11)을 포함하는 전체 대상물을 넣는다. 한편, UV 램프(40)를 이용하여 상기 질화갈륨 기판(11)을 통해 자외선을 조사한다. 이때, UV 램프(40)에서 발생되는 광(L1) 중 희생층(15)에 흡수될 파장의 광(L2)을 제외하고, 질화갈륨 기판(11)에 흡수될 파장의 광은 필터(45)를 이용하여 미리 필터링한다. 상기 필터(45)는 예컨대, 사파이어 기판(41) 상에 질화갈륨층(43)을 성장시켜 형성될 수 있다. 따라서, 상기 질화갈륨층(43)이 질화갈륨 기판(11)에 흡수되는 파장의 광을 미리 차단한다.
이에 따라, 질화갈륨 기판(11)을 투과하는 광(L2)이 수조(100) 내의 질화갈륨 기판(11)을 통해 희생층(15)에 조사된다. 희생층(15)은 홈(30a)의 내벽에 측면이 노출되어 있으며, 또한 상기 광(L2)을 흡수한다. 이에 따라, 홈(30a) 내에 침투한 KOH 또는 NaOH 용액(110)에 의해 희생층(15)이 식각된다.
상기 UV 램프(40) 대신 특정 파장의 광, 즉, 질화갈륨 기판(11)을 투과하고 희생층(15)에 흡수되는 파장의 광을 방출하는 레이저 또는 발광 다이오드를 이용하여 광을 조사할 수도 있다.
본 실시예에 따르면, 기판(11) 상에 홈(30a)이 형성되기 때문에 희생층(15)이 기판(11)의 가장자리 영역뿐만 아니라 내측 영역에서도 식각된다. 따라서, 기판(11)의 크기가 상대적으로 큰 경우에도, 질화갈륨 기판(11)을 반도체 적층 구조체(30)로부터 쉽게 분리할 수 있다.
상기 질화갈륨 기판(11)이 제거됨에 따라, n형 반도체층(21) 표면이 노출되며, 이 n형 반도체층(21)을 부분적으로 식각하여 거칠어진 표면 또는 요철 패턴을 형성할 수도 있다. 또한, 상기 n형 반도체층(21) 상에 투명 산화물층(도 1의 35)을 증착하고 이를 패터닝하여 요철패턴을 형성할 수도 있다. 그 후, n 전극패드(37) 및 본딩 패드(39)가 형성될 수 있으며, 개별 발광 다이오드로 분할함으로써 도 1의 발광 다이오드가 완성된다.
종래 사파이어 기판을 성장 기판으로 사용할 경우, 사파이어 기판은 그 위에 성장된 반도체층들과 물성이 다르기 때문에, 기판과 반도체층들 사이의 계면을 이용하여 사파이어 기판이 쉽게 분리될 수 있다. 그러나, 질화갈륨 기판(11)을 성장기판으로 사용한 경우, 질화갈륨 기판(11)과 그 위에 성장된 반도체층들(21, 23, 25)은 동종의 재료이므로, 기판(11)과 반도체층들(21, 23, 25) 사이의 계면을 이용하여 기판(11)을 분리하는 것이 곤란하다.
이에 따라, 본 발명에서는 희생층(15)을 이용하여 상기 질화갈륨 기판(11)을 분리한다. 따라서 상기 질화갈륨 기판(11)을 손상시키지 않고 반도체 적층 구조체(30)로부터 분리할 수 있다. 분리된 질화갈륨 기판(11)은 손상되지 않기 때문에 성장기판으로 재사용될 수 있다.
이상에서, 본 발명의 다양한 실시예들 및 특징들에 대해 설명하였지만, 본 발명은 위에서 설명한 실시예들 및 특징들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형될 수 있다.

Claims (10)

  1. 질화갈륨 기판 상에 질화갈륨층 및 희생층을 형성하되, 상기 희생층은 상기 질화갈륨층에 비해 좁은 밴드갭을 갖는 질화갈륨계 반도체로 형성되고,
    상기 희생층 상에 질화갈륨 계열의 반도체층들을 성장시켜 반도체 적층 구조체를 형성하고,
    상기 반도체 적층 구조체 및 상기 희생층을 관통하는 홈을 형성하고,
    상기 반도체 적층 구조체 상에 지지기판을 형성하고,
    상기 희생층을 식각하여 상기 반도체 적층 구조체로부터 상기 질화갈륨 기판을 분리하는 것을 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 희생층은 InGaN으로 형성된 발광 다이오드 제조 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 희생층을 식각하는 것은 광 강화 화학 식각 기술을 이용하여 수행되는 발광 다이오드 제조 방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 희생층을 식각하는 것은 KOH 또는 NaOH 용액 내에서 상기 질화갈륨 기판을 통해 상기 희생층에 광을 조사하여 수행되는 발광 다이오드 제조 방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 질화갈륨 기판이 제거된 후, 상기 반도체 적층 구조체 상에 요철패턴을 갖는 투명 산화물층을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 지지기판을 형성하기 전에, 상기 반도체 적층 구조체에 오믹 콘택하는 p형 전극층을 형성하는 것을 더 포함하되,
    상기 반도체 적층 구조체는 질화갈륨 계열의 n형 반도체층, 질화갈륨 계열의 활성층 및 질화갈륨 계열의 p형 반도체층을 포함하고,
    상기 p형 전극층은 상기 p형 반도체층에 오믹 콘택하는 발광 다이오드 제조 방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 지지기판을 형성하기 전에, 상기 홈을 채우는 충진재를 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 충진재를 형성하기 전, 상기 반도체 적층 구조체 상에 한정된 p 전극층을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 충진재를 형성한 후, 상기 반도체 적층 구조체 및 상기 충진재를 덮는 p 전극층을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 지지기판 하부에 본딩 패드를 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
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