KR101877469B1 - 나노 입자 복합체 및 이의 제조방법 - Google Patents
나노 입자 복합체 및 이의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101877469B1 KR101877469B1 KR1020110057119A KR20110057119A KR101877469B1 KR 101877469 B1 KR101877469 B1 KR 101877469B1 KR 1020110057119 A KR1020110057119 A KR 1020110057119A KR 20110057119 A KR20110057119 A KR 20110057119A KR 101877469 B1 KR101877469 B1 KR 101877469B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- ligand
- nanoparticles
- inorganic particles
- nanoparticle
- group
- Prior art date
Links
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 81
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 46
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N thioglycolic acid Chemical compound OC(=O)CS CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 16
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 14
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 claims description 7
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 3-mercaptopropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCS DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 claims description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 claims description 3
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N sulfanyl Chemical class [SH] PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 claims description 3
- ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N methoxysilane Chemical compound CO[SiH3] ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MDDUHVRJJAFRAU-YZNNVMRBSA-N tert-butyl-[(1r,3s,5z)-3-[tert-butyl(dimethyl)silyl]oxy-5-(2-diphenylphosphorylethylidene)-4-methylidenecyclohexyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C1[C@@H](O[Si](C)(C)C(C)(C)C)C[C@H](O[Si](C)(C)C(C)(C)C)C(=C)\C1=C/CP(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MDDUHVRJJAFRAU-YZNNVMRBSA-N 0.000 claims 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- -1 zirconium alkoxide Chemical class 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 1-Hexadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 229910052956 cinnabar Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N oxophosphane Chemical compound P=O AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910016423 CuZnS Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- LHQLJMJLROMYRN-UHFFFAOYSA-L cadmium acetate Chemical compound [Cd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O LHQLJMJLROMYRN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCUOBSQYDGUHHT-UHFFFAOYSA-L cadmium sulfate Chemical compound [Cd+2].[O-]S([O-])(=O)=O QCUOBSQYDGUHHT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000331 cadmium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009388 chemical precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- VDQVEACBQKUUSU-UHFFFAOYSA-M disodium;sulfanide Chemical compound [Na+].[Na+].[SH-] VDQVEACBQKUUSU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- DNJIEGIFACGWOD-UHFFFAOYSA-N ethyl mercaptane Natural products CCS DNJIEGIFACGWOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical group [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N β‐Mercaptoethanol Chemical compound OCCS DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
나노 입자 복합체 및 이의 제조방법이 개시된다. 나노 입자 복합체는 나노 입자; 및 상기 나노 입자의 주위에 결합되는 다수 개의 무기 입자들을 포함한다.
Description
실시예는 나노 입자 복합체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
양자점은 나노 크기의 반도체 물질로서 양자 가둠(quantum confinement)효과를 나타내는 물질이다. 양자점이 여기원(excitation source)으로부터 빛을 받아 에너지 여기상태에 이르는 경우, 해당하는 밴드갭(band gap)에 따른 에너지를 방출하게 되는데, 이 때, 양자점의 크기를 조절함으로써 해당 밴드갭을 조절하여 다양한 파장대의 에너지를 얻을 수 있게 된다.
양자점 성장 제어 기술은 신개념 미래 반도체 소자의 개발 기술 가운데 가장 중요한 기술이다. 예를 들어, 유기금속 화학증착(MOCVD: Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) 또는 분자선 에피택시(MBE: Molecular Beam Epitaxy) 등의 기술은 반도체 박막을 단원자층 수준으로 제어 할 수 있어, 양자점을 성장 및 제어할 수 있는 좋은 성장 기술이라고 할 수 있다.
실시예는 향상된 신뢰성을 가지는 나노 입자 복합체 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 나노 입자 복합체는 나노 입자; 및 상기 나노 입자의 주위에 결합되는 다수 개의 무기 입자들을 포함한다.
일 실시예에서, 상기 무기 입자들은 투명할 수 있고, 상기 무기 입자들은 제올라이트를 포함할 수 있다.
또한, 일 실시예에서, 상기 나노 입자를 상기 무기 입자에 결합시키는 리간드를 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 리간드는 상기 나노 입자에 결합되는 제 1 리간드; 및 상기 제 1 리간드에 결합되고, 상기 무기 입자에 결합되는 제 2 리간드를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 나노 입자는 양자점일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 나노 입자는 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다.
실시예에 따른 나노 입자의 제조방법은 나노 입자를 형성하는 단계; 제올라이트 입자를 형성하는 단계; 및 상기 나노 입자 및 상기 제올라이트 입자를 서로 결합시키는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 나노 입자 복합체는 나노 입자의 주위에 결합되는 무기 입자들을 포함한다. 상기 무기 입자들은 제올라이트 입자들이고, 상기 나노 입자는 양자점일 수 있다.
상기 양자점은 상기 제올라이트 입자들에 의해서 둘러싸여, 보호될 수 있다. 특히, 상기 제올라이트 입자들은 상기 양자점의 열적 안정성을 향상시키고, 수분을 흡수할 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 나노 입자 복합체는 외부의 화학적인 충격으로부터 나노 입자를 효과적으로 보호할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 나노 입자 복합체는 향상된 신뢰성을 가질 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 나노 입자 복합체를 도시한 도면이다.
도 2 내지 도 5는 실시예에 따른 나노 입자 복합체를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.
도 2 내지 도 5는 실시예에 따른 나노 입자 복합체를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.
실시예에 따른 나노 입자 복합체는 나노 입자; 및 상기 나노 입자의 주위에 결합되는 다수 개의 무기 입자들을 포함한다.
또한, 상기 무기 입자들은 투명할 수 있고, 상기 무기 입자들은 제올라이트를 포함할 수 있다.
또한, 상기 나노 입자를 상기 무기 입자에 결합시키는 리간드를 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 리간드는 상기 나노 입자에 결합되는 제 1 리간드; 및 상기 제 1 리간드에 결합되고, 상기 무기 입자에 결합되는 제 2 리간드를 포함할 수 있다.
상기 나노 입자는 양자점일 수 있다.
상기 나노 입자는 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여, 실시예에 따른 나노 입자 복합체를 보다 자세하게 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 나노 입자 복합체를 도시한 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 나노 입자 복합체는 나노 입자(10), 다수 개의 무기 입자들(21), 제 1 리간드(13) 및 제 2 리간드(22)를 포함한다.
상기 나노 입자(10)는 다수 개의 양자점(QD, Quantum Dot)일 수 있다. 상기 양자점은 코어 나노 결정(11) 및 상기 코어 나노 결정(11)을 둘러싸는 껍질 나노 결정(12)을 포함할 수 있다.
상기 껍질 나노 결정(12)은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정(12)은 상기 코어 나노 결정(11)의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나노 결정(11)으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정(12)을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.
상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정(11)은 CdSe, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정(12)은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다.
상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 예를 들어, 상기 양자점의 크기에 따라 조절이 가능하다.
특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다.
이러한 상기 양자점은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100~1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.
상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.
상기 제 1 리간드(13)는 상기 나노 입자(10)에 결합된다. 또한, 상기 제 1 리간드(13)는 상기 나노 입자(10)의 주위를 둘러싼다. 더 자세하게, 상기 제 1 리간드(13)의 일 끝단이 상기 나노 입자(10)의 외부 표면에 결합되어, 상기 광 변환 입자들(431)의 주위를 둘러쌀 수 있다.
또한, 상기 제 1 리간드(13)는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 제 1 리간드(13)의 한 쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 제 1 리간드의 한 쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화 시킬 수 있다.
상기 나노 입자(10)는 입사되는 파장을 변환시키는 파장 변환 입자일 수 있다.
상기 나노 입자(10)는 입사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 입자는 상기 청색광을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광 또는 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
상기 나노 입자(10)의 직경은 약 1 nm 내지 10 nm일 수 있다. 즉, 나노 입자(10)의 직경에 따라서, 변환 시키는 파장이 달라질 수 있다.
상기 무기 입자들(21)은 상기 나노 입자(10) 주위에 배치된다. 상기 무기 입자들(21)은 제올라이트를 포함할 수 있다. 즉, 상기 무기 입자들(21)은 제올라이트 입자일 수 있다. 더 자세하게, 상기 무기 입자들(21)은 제올라이트 A, 제올라이트 X 또는 Y, ZSM-5 또는 제올라이트 L을 포함할 수 있다.
상기 무기 입자들(21)의 직경은 약 1㎚ 내지 약 100㎚일 수 있다. 상기 무기 입자들(21)은 상기 나노 입자(10)들보다 더 크거나, 더 작을 수 있다. 또한, 상기 무기 입자들(21)은 투명할 수 있다. 즉, 상기 무기 입자들(21)은 투명 입자일 수 있다.
상기 무기 입자들(21)은 졸-겔법 등에 의해서 제조될 수 있다. 상기 나노 입자(10) 및 상기 무기 입자들(21)의 질량비는 약 1:5 내지 약 1:50일 수 있다.
상기 제 1 리간드(13)는 상기 나노 입자(10)에 결합된다. 또한, 상기 제 1 리간드(13)는 상기 제 2 리간드(22)에 결합된다. 상기 제 1 리간드(13)의 일 끝단은 상기 나노 입자(10)에 연결되고, 상기 제 1 리간드(13)의 다른 끝단은 상기 제 2 리간드(22)에 연결될 수 있다.
상기 제 1 리간드(13)의 예로서는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 또는 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 들 수 있다. 또한, 상기 제 1 리간드(13)는 폴리에틸렌이민, 3-아미노 프로필트리메톡시 실란, 메르캅토아세틱산, 3-메르캅토프로필 트리메톡시 실란 또는 3-메르캅토프로피오닉산(3-mercaptopropionic acid) 등을 포함할 수 있다. 이외에도, 상기 제 1 리간드(13)로 다양한 친수성 유기 리간드가 사용될 수 있다.
상기 제 2 리간드(22)는 상기 무기 입자들(21)에 각각 결합된다. 또한, 상기 제 2 리간드(22)는 상기 제 1 리간드(13)에 결합된다. 상기 제 2 리간드(22)의 일 끝단은 상기 무기 입자에 연결되고, 상기 제 2 리간드(22)의 다른 끝단은 상기 제 1 리간드(13)에 연결될 수 있다.
상기 제 2 리간드(22)의 예로서는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 또는 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 들 수 있다. 또한, 상기 제 2 리간드(22)는 폴리에틸렌이민, 3-아미노 프로필트리메톡시 실란, 메르캅토아세틱산, 3-메르캅토프로필 트리메톡시 실란 또는 3-메르캅토프로피오닉산(3-mercaptopropionic acid) 등을 포함할 수 있다. 이외에도, 상기 제 2 리간드(22)로 다양한 친수성 유기 리간드가 사용될 수 있다.
상기 제 1 리간드(13) 및 상기 제 2 리간드(22)는 축합 결합 등에 의해서 서로 결합될 수 있다. 이에 따라서, 상기 제 1 리간드(13) 및 상기 제 2 리간드(22)는 하나의 리간드를 형성하여, 상기 무기 입자들(21)을 상기 나노 입자(10)에 결합시킬 수 있다.
상기 나노 입자(10), 예를 들어, 양자점은 상기 무기 입자들(21), 예를 들어, 제올라이트 입자들에 의해서 둘러싸여, 보호될 수 있다. 즉, 상기 무기 입자들(21)은 상기 나노 입자(10)를 보호하기 위한 보호 입자이다. 특히, 상기 제올라이트 입자들은 상기 양자점의 열적 안정성을 향상시키고, 수분을 흡수할 수 있다. 즉, 상기 무기 입자들(21)은 수분 흡수 입자일 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 나노 입자 복합체는 외부의 화학적인 충격으로부터 나노 입자(10)를 효과적으로 보호할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 나노 입자 복합체는 향상된 신뢰성을 가질 수 있다.
또한, 실시예에 따른 나노 입자 복합체는 입사되는 광의 파장을 변환시키는 파장 변환 복합체이며, 상기 무기 입자들(21)에 의해서, 향상된 내구성 및 신뢰성을 가질 수 있다.
도 2 내지 도 5는 실시예에 따른 나노 입자 복합체를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 실시예에 따른 나노 입자 복합체는 다음과 같은 과정에 의해서 형성될 수 있다.
먼저, 상기 나노 입자(10)가 형성되고, 상기 나노 입자(10)에 제 1 리간드(13)가 결합된다. 이후, 무기 입자들(21)이 형성되고, 상기 무기 입자들(21)에 제 2 리간드(22)가 결합된다. 이후, 상기 제 1 리간드(13) 및 제 2 리간드(22)가 서로 결합되어, 실시예에 따른 나노 입자 복합체가 형성될 수 있다.
더 자세하게, 상기 나노 입자(10), 더 자세하게, 양자점은 다음과 같이 제조될 수 있다.
먼저, 습식 방법으로 코어 나노 결정(11)이 형성될 수 있다. 즉, 전구체 물질들이 용매에서 반응하여, 결정이 성장되고, 상기 코어 나노 결정(11)이 형성될 수 있다.
예를 들어, CdS 코어 나노 결정을 형성하기 위해서, 트라이옥틸포스파인 옥사이드(Tri-n-octylphosphine oxide; TOPO), 트라이부틸포스파인(Tri-butylphosphine; TBP) 및 헥사데실아민(Hexadecylamine; HDA)을 계면활성제와 용매가 사용될 수 있다.
또한, 카드뮴 전구체 물질로는 카드뮴 옥사이드(CdO), 카드뮴 설페이트 또는 카드뮴 아세테이트 등이 사용될 수 있고, 황 전구체 물질로는 메르캅토 에탄올 또는 소듐 설파이드(sodium sulfide;Na2S) 등이 사용될 수 있다.
또한, 껍질 나노 결정(12)도 습식 방법으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 코어 나노 결정(11)을 포함하는 용액에 전구체 물질을 추가하여, 반응시키고, 결정이 성장되어, 상기 껍질 나노 결정(12)이 형성될 수 있다.
예를 들어, CdS/ZnS 구조의 양자점을 형성하기 위해서, 상기 CdS 코어 나노 결정(11)을 포함하는 용액에 아연 전구체 물질 및 상기 황 전구체 물질이 주입될 수 있다. 상기 아연 전구체 물질 및 상기 황 전구체 물질의 반응에 의해서, 껍질 나노 결정(12)이 형성되고, 상기 CdS/ZnS 구조의 양자점이 형성될 수 있다. 상기 아연 전구체 물질의 예로서는 징크 아세테이트(Zn(CH3COO)2) 등을 들 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 양자점에 제 1 리간드(13)가 결합된다. 예를 들어, 상기 제 1 리간드(13)는 폴리에틸렌이민, 3-아미노 프로필트리메톡시 실란, 메르캅토아세틱산, 3-메르캅토프로필 트리메톡시 실란 또는 3-메르캅토프로피오닉산(3-mercaptopropionic acid)일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 리간드(13)는 도 2에서처럼, 3-글리시딜옥시프로필 트리메톡시 실란(3-glycidyloxypropyl trimethoxy silane)일 수 있다. 이때, 상기 양자점 및 상기 제 1 리간드(13)는 톨루엔 등과 같은 유기 용매에서, 약 110℃ 이상의 온도에서, 약 1시간 동안, 서로 반응될 수 있다.
또한, 상기 CdS/ZnS 구조의 양자점을 포함하는 용액에, 메르캅토 아세닉산이 첨가되어, 메르캅토 아세닉산은 상기 양자점에 결합될 수 있다. ZnS 표면의 하이드록실 그룹(-OH)과 메르캅토 아세닉산의 카르복실 그룹(-COOH)이 탈수반응하여 결합될 수 있다. 또한, 아연(Zn) 원자와 메르캅토 아세닉산의 에시드(MAA)의 황(S)이 매우 친숙(affinity)하기 때문에, 메르캅토 아세닉산은 CdS/ZnS 구조의 양자점에 용이하게 결합될 수 있다.
이후, 상기 무기 입자들(21), 예를 들어, 제올라이트 입자들은 졸-겔 합성법, 기상 응축법, 화학 침전법 또는 수열 합성법 등에 의해서 형성될 수 있다.
예를 들어, 계면활성제 및 산을 포함하는 용액에, 지르코니움 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드, 실리콘 알콕사이드 또는 알루미늄 알콕사이드 등과 같은 전구체를 첨가하여 반응시켜서, 상기 제올라이트 입자들이 형성될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제올라이트 입자들에 제 2 리간드(22)가 결합된다. 예를 들어, 상기 제 2 리간드(22)는 폴리에틸렌이민, 3-아미노 프로필트리메톡시 실란, 메르캅토아세틱산, 3-메르캅토프로필 트리메톡시 실란 또는 3-메르캅토프로피오닉산(3-mercaptopropionic acid)일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 리간드(22)는 도 3에서처럼, 3-아미노 프로필트리메톡시 실란일 수 있다.
상기 제올라이트 입자들 및 상기 제 2 리간드(22)는 톨루엔 등과 같은 유기 용매에서, 약 110℃ 이상의 온도에서, 약 1시간 동안 서로 반응될 수 있다.
이후, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 리간드(13) 및 상기 제 2 리간드(22)가 서로 결합되어, 상기 양자점에 상기 제올라이트 입자들이 결합될 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 나노 입자 복합체가 형성될 수 있다.
상기 제 1 리간드(13) 및 상기 제 2 리간드(22)는 축합 중합에 의해서 서로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 리간드(13)의 말단기 및 상기 제 2 리간드(22)의 말단기가 서로 결합될 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 리간드(13)의 아미노기 및 상기 제 2 리간드(22)의 아미노기가 서로 반응하여, 상기 제 1 리간드(13) 및 상기 제 2 리간드(22)가 서로 화학적으로 결합될 수 있다.
이때, 상기 제 1 리간드(13)가 결합된 양자점 및 상기 제 2 리간드(22)가 결합된 제올라이트 입자들은 용매에 약 1:10 내지 약 1:100의 질량비로 첨가될 수 있다. 즉, 상기 제올라이트 입자들이 상기 양자점보다 더 많은 양으로 상기 용매에 첨가될 수 있다.
상기 용매로는 톨루엔이 사용될 수 있으며, 반응 온도는 약 110℃ 내지 약 150℃일 수 있다. 또한, 반응 시간은 약 1시간 내지 약 10시간 일 수 있다.
이와 같이, 실시예에 따라서, 향상된 내구성을 가지는 나노 입자 복합체가 제공될 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
실험예
CdSe/ZnS구조의 양자점에 3-글리시딜옥시프로필 트리메톡시 실란의 리간드가 결합된 양자점 용액이 제공되었다. 이후, 상기 양자점 용액에 3-아미노 프로필트리메톡시 실란이 결합된 제올라이트 입자를 포함하는 용액이 첨가되었다. 이때, 상기 양자점 및 상기 제올라이트 입자의 질량비는 약 1:50이었다. 이후, 약 110℃의 온도에서, 약 1시간 동안 반응이 진행되었다. 이에 따라서, 나노 입자 복합체가 형성되었다.
비교예
CdSe/ZnS구조의 양자점에 3-글리시딜옥시프로필 트리메톡시 실란의 리간드가 결합된 양자점 용액이 제공되었고, 제올라이트 입자들과 복합체를 형성하지 않았다.
결과
실험예의 나노 입자 복합체 용액 및 비교예의 양자점 용액에 각각 약 1wt%의 비율로, 물을 첨가하고, 격렬하게 혼합하였다. 이후, 약 400㎚의 파장을 사용하여, 파장 변환 효율을 측정한 결과, 실험예의 나노 입자 복합체의 효율은 초기와 비교하여, 약 80%이었으나, 비교예의 양자점은 초기와 비교하여, 약 60%의 변환 효율을 가졌다.
Claims (10)
- 나노 입자;
상기 나노 입자의 주위에 결합되는 다수 개의 무기 입자들; 및
상기 나노 입자를 상기 무기 입자에 결합시키는 리간드를 포함하고,
상기 나노 입자는 양자점을 포함하고,
상기 무기 입자들은 제올라이트를 포함하고,
상기 나노 입자 및 상기 무기 입자의 질량비는 1:5 내지 1:50이고,
상기 리간드는 제 1 리간드 및 제 2 리간드를 포함하고,
상기 제 1 리간드의 일 끝단은 상기 나노 입자와 연결되고, 상기 제 1 리간드의 다른 끝단은 상기 제 2 리간드와 연결되고,
상기 제 2 리간드의 일 끝단은 상기 무기 입자와 연결되고, 상기 제 2 리간드의 다른 끝단은 상기 제 1 리간드와 연결되는 나노 입자 복합체. - 제 1 항에 있어서, 상기 무기 입자들은 투명한 나노 입자 복합체.
- 제 1항에 있어서.
상기 제 1 리간드 및 상기 제 2 리간드는 친수성 유기 리간드를 포함하는 나노 입자 복합체. - 제 1항에 있어서,
상기 제 1 리간드 및 상기 제 2 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine), 포스핀 산화물(phosphine oxide), 폴리에틸렌이민, 3-아미노 프로필트리메톡시 실란, 메르캅토아세틱산, 3-메르캅토프로필 트리메톡시 실란 또는 3-메르캅토프로피오닉산(3-mercaptopropionic acid)을 포함하는 나노 입자 복합체. - 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 나노 입자는 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함하는 나노 입자 복합체.
- 제 1항에 있어서,
상기 나노 입자의 직경은 1 nm 내지 10 nm인 나노 입자 복합체. - 제 8항에 있어서,
상기 무기 입자들의 직경은 1㎚ 내지 100㎚ 인 나노 입자 복합체. - 제 9항에 있어서,
상기 무기 입자들은 상기 나노 입자들보다 크거나 또는 작은 나노 입자 복합체.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110057119A KR101877469B1 (ko) | 2011-06-13 | 2011-06-13 | 나노 입자 복합체 및 이의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110057119A KR101877469B1 (ko) | 2011-06-13 | 2011-06-13 | 나노 입자 복합체 및 이의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120137940A KR20120137940A (ko) | 2012-12-24 |
| KR101877469B1 true KR101877469B1 (ko) | 2018-07-13 |
Family
ID=47904841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110057119A KR101877469B1 (ko) | 2011-06-13 | 2011-06-13 | 나노 입자 복합체 및 이의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101877469B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11476433B2 (en) | 2019-08-29 | 2022-10-18 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Light emitting device including a quantum dot light emitting layer having a first and second ligand on a surface of a quantum dot |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101683343B1 (ko) * | 2013-08-29 | 2016-12-07 | 세종대학교산학협력단 | 양자점-무기입자 응집체 및 이를 포함하는 광학요소 |
| KR102231471B1 (ko) * | 2016-08-09 | 2021-03-25 | 한국전자통신연구원 | 메타 물질 구조체 및 그 제조 방법 |
| KR102272857B1 (ko) * | 2018-08-22 | 2021-07-05 | 고려대학교 세종산학협력단 | 양자점 나노캡슐 및 그 제조 방법 |
| CN113479901B (zh) * | 2021-07-06 | 2022-06-17 | 哈尔滨工业大学 | 一种硅量子点辅助合成特殊形貌13x分子筛的制备方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003528321A (ja) * | 2000-03-20 | 2003-09-24 | マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー | 無機粒子結合体 |
| JP2004299011A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Japan Science & Technology Agency | ナノ粒子複合体をコアとしたコア・シェル構造体及びそれを構成要素とする構造体並びにそれらとそれらから調製される構造体の調製方法 |
| KR100620959B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2006-09-08 | 서강대학교산학협력단 | 형광물질을 내포한 제올라이트를 포함하는 표지 및 이의용도 |
| JP2006316005A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Lion Corp | 複合粒子及びその製造方法 |
| JP2008518120A (ja) * | 2004-10-27 | 2008-05-29 | インダストリー−ユニバーシティ コオペレーション ファウンデーション ソギャン ユニバーシティ | ゼオライト−繊維基質複合体の製造方法 |
| KR20100046698A (ko) * | 2008-10-28 | 2010-05-07 | 삼성전자주식회사 | 양자점을 이용한 백색광 발광다이오드 구조 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리 |
| KR20100049277A (ko) * | 2008-11-03 | 2010-05-12 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 이의 제조 방법 |
| JP2010209314A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-24 | Korea Inst Of Science & Technology | ナノ粒子・多孔体複合ビーズ及びその製造方法 |
| JP2011517439A (ja) * | 2008-03-31 | 2011-06-09 | イエフペ エネルジ ヌヴェル | 特定のサイズの球状粒子から作られ、金属ナノ粒子をメソ構造化マトリクス中に捕捉されて有する無機材料 |
-
2011
- 2011-06-13 KR KR1020110057119A patent/KR101877469B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003528321A (ja) * | 2000-03-20 | 2003-09-24 | マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー | 無機粒子結合体 |
| JP2004299011A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Japan Science & Technology Agency | ナノ粒子複合体をコアとしたコア・シェル構造体及びそれを構成要素とする構造体並びにそれらとそれらから調製される構造体の調製方法 |
| JP2008518120A (ja) * | 2004-10-27 | 2008-05-29 | インダストリー−ユニバーシティ コオペレーション ファウンデーション ソギャン ユニバーシティ | ゼオライト−繊維基質複合体の製造方法 |
| JP2006316005A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Lion Corp | 複合粒子及びその製造方法 |
| KR100620959B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2006-09-08 | 서강대학교산학협력단 | 형광물질을 내포한 제올라이트를 포함하는 표지 및 이의용도 |
| JP2011517439A (ja) * | 2008-03-31 | 2011-06-09 | イエフペ エネルジ ヌヴェル | 特定のサイズの球状粒子から作られ、金属ナノ粒子をメソ構造化マトリクス中に捕捉されて有する無機材料 |
| KR20100046698A (ko) * | 2008-10-28 | 2010-05-07 | 삼성전자주식회사 | 양자점을 이용한 백색광 발광다이오드 구조 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리 |
| KR20100049277A (ko) * | 2008-11-03 | 2010-05-12 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 이의 제조 방법 |
| JP2010209314A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-24 | Korea Inst Of Science & Technology | ナノ粒子・多孔体複合ビーズ及びその製造方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 일본 공표특허공보 특표2008-518120호(2008.05.29.) 1부. * |
| 일본 공표특허공보 특표2011-517439호(2011.06.09.) 1부. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11476433B2 (en) | 2019-08-29 | 2022-10-18 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Light emitting device including a quantum dot light emitting layer having a first and second ligand on a surface of a quantum dot |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20120137940A (ko) | 2012-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101484462B1 (ko) | 양자 점들을 가진 광원 | |
| EP2794464B1 (en) | Surface modified nanoparticles | |
| US9508892B2 (en) | Group I-III-VI material nano-crystalline core and group I-III-VI material nano-crystalline shell pairing | |
| EP3623442B1 (en) | Nano-crystalline core and nano-crystalline shell pairing having group i-iii-vi material nano-crystalline core | |
| KR102377234B1 (ko) | 중합체 및 절연체 코팅을 갖는 반도체 구조체의 조성물 및 그의 형성 방법 | |
| CN110832052A (zh) | 用于滤色器应用的量子点构造 | |
| KR101877469B1 (ko) | 나노 입자 복합체 및 이의 제조방법 | |
| TW201530829A (zh) | 含有量子點磷光體的發光二極體蓋 | |
| WO2012135744A9 (en) | White light-emitting device | |
| WO2011002509A1 (en) | Semiconductor nanocrystals used with led sources | |
| JP2014519708A5 (ko) | ||
| EP2721633B1 (en) | Stabilized nanocrystals | |
| CN110938424A (zh) | 一种量子点与纳米片互联的组装复合材料及其制备方法 | |
| WO2022113984A1 (ja) | 色変換粒子 | |
| WO2022113967A1 (ja) | 色変換粒子 | |
| JP6173394B2 (ja) | ナノ粒子蛍光体及び発光素子 | |
| TWI462879B (zh) | 奈米粒子和具有其之奈米粒子複合物及其製造方法 | |
| KR20140070770A (ko) | 코어/쉘 구조의 양자막대 | |
| KR101227575B1 (ko) | 발광효율이 향상된 산화아연 나노로드 발광체 및 발광효율 향상방법 | |
| KR20120137941A (ko) | 나노 입자 복합체 및 이의 제조방법 | |
| JP2016102141A (ja) | 半導体ナノ粒子蛍光体および半導体ナノ粒子蛍光体を含む発光素子 | |
| KR20150070700A (ko) | 양자점 시트 및 이의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |