KR101869947B1 - 폴리실록산의 제조방법 및 액상 실리콘 고무의 제조방법 - Google Patents

폴리실록산의 제조방법 및 액상 실리콘 고무의 제조방법 Download PDF

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Abstract

폴리실록산의 제조방법 및 액상 실리콘 고무의 제조방법이 개시된다. 개시된 폴리실록산의 제조방법은 하기 화학식 1로 표시되는 개시제 화합물을 개시제로 사용하여 하기 화학식 2로 표시되는 사이클로실록산을 개환중합시켜 구심 폴리실록산을 합성하는 단계를 포함한다:
[화학식 1]
Figure 112017030115439-pat00018

[화학식 2]
Figure 112017030115439-pat00019

상기 화학식 1 및 2에서, R은 메틸기 또는 페닐기이고, R1은 수소, 메틸기, 비닐기 또는 페닐기이다.

Description

폴리실록산의 제조방법 및 액상 실리콘 고무의 제조방법{Method of preparing polysiloxane, and method of preparing liquid silicone rubber}
폴리실록산의 제조방법 및 액상 실리콘 고무의 제조방법이 개시된다. 보다 상세하게는, 특정 개시제 화합물을 개시제로 사용하여 사이클로실록산을 개환중합시키는 단계를 포함하는 폴리실록산의 제조방법 및 액상 실리콘 고무의 제조방법이 개시된다.
현재 반도체 및 소자의 제조 공정에서 사용되는 패턴롤은 약 25±10㎚의 기술이 적용되고 있다. 이러한 기술은 각종 디스플레이 패널, 이동 전화기, 메모리 반도체, 로직 반도체 등의 제조 공정에도 사용되고 있다. 이러한 패턴롤 기술이 적용될 경우, 반도체 및 소자를 비롯한 각종 패널 등이 초소형화 및 초박막화, 초슬림화되어 시장에 공급될 수 있다.
이러한 상황에서는 극소량의 불순물이나 수분을 함유한 미세한 먼지 등이 전극 부위나 접지 부위에 접촉하게 되더라도, 결국 전체 전자 제품이나 소자에 전기적 불량을 유발하게 된다. 따라서, 반도체의 칩의 테스트 단계에서도 과거의 탐침(probe)에 의한 시험 장치는 소자 표면을 손상시킬 수 있으며, 피치에 의해 불필요한 부분이 접지됨에 따라 전기적 충격이 가해질 수 있으므로, 소자의 물성 측정이 어려워지고 있다. 이에 따라, 반도체 칩의 전기적 특성이나 열적 특성을 측정하는 것이 매우 중요한 이슈가 되었다.
전자 제품이나 소자 등의 전기적 특성이나 열적 특성을 측정하기 위해서는 절연성, 내후성, 내열성, 내한성, 난연성 및 유연성 등이 보장되는 측정 소켓이 적용되어야 하는데, 내열성과 내한성을 동시에 만족하며, 열에 의한 수축 및 팽창이 요구 범위를 만족하는 특성 등을 두루 갖추고도 유연성이 확보되는 재질로는 폴리실록산이 있다. 폴리실록산으로 제조된 소켓용 액상 실리콘 고무(LSR: liquid silicone rubber)는 이런 특성들을 만족시켜 주기 때문에 유용하게 사용되고 있다.
현재까지 사용되고 있는 액상 실리콘 고무는 비닐 말단기를 갖는 폴리디메틸실록산과 수소 말단기 갖는 폴리디메틸실록산을 부가 반응시켜 제조된다. 이때, 열에 의해 액상 실리콘 고무가 팽창하여 피착체와 액상 실리콘 고무와의 접착이 정밀하게 형성되지 않아 접착 불량으로 인한 부작용이 유발되기도 한다.
종래의 액상 실리콘 고무는, 임의의 폴리디메틸실록산의 비닐 말단기에, 다른 폴리디메틸실록산의 수소 말단기를 부가 반응으로 결합시켜 제조된 것이기 때문에, 그 경화물은 인장강도와 신율이 우수하기는 하지만 헤리칼 구조의 폴리디메틸실록산이 말단기를 통해 결합되었기 때문에 헤리칼 구조가 지속적으로 연장되는 선형(linear) 구조를 갖게 되어 열에 의한 열에 의한 수축률과 팽창률이 비교적 커서, 전자 소자의 미세 피치에 적용될 경우 온도 변화에 영향을 받아 접점의 연결(matching) 불량이 발생하게 되므로, 효율적인 전자 소자의 물성 측정을 방해하는 제약사항이 되고 있다.
일부 액상 실리콘 고무 제조 업체에서는 비닐기를 갖는 환형의 분자를 일부 투입하여 이를 극복하려고 하는 시도가 있으나, 환형은 구심(core) 역할을 하기만 할 뿐이고, 실제로 선형(linear) 폴리실록산의 수축률과 팽창률을 줄이는 것에는 한계가 있었다.
본 발명의 일 구현예는 특정 개시제 화합물을 개시제로 사용하여 사이클로실록산을 개환중합시키는 단계를 포함하는 폴리실록산의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 다른 구현예는 특정 개시제 화합물을 개시제로 사용하여 사이클로실록산을 개환중합시키는 단계를 포함하는 액상 실리콘 고무의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 측면은,
특정 구조의 개시제 화합물을 개시제로 사용하여 사이클로실록산을 개환중합시켜 구심 폴리실록산을 합성하는 단계를 포함하는 폴리실록산의 제조방법을 제공한다.
상기 폴리실록산의 제조방법은, 상기 구심 폴리실록산 합성단계 이전에, 상기 사이클로실록산과 테트라알킬암모늄 히드록사이드를 반응시켜 상기 개시제 화합물을 생성하는 개시제 생성 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 테트라알킬암모늄 히드록사이드는 테트라메틸암모늄 히드록사이드, 테트라에틸암모늄 히드록사이드, 테트라프로필암모늄 히드록사이드, 테트라부틸암모늄 히드록사이드, 테트라헥실암모늄 히드록사이드 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 폴리실록산의 제조방법은, 비닐기 함유 개시제 화합물 및 페닐기 함유 개시제 화합물을 개시제로 사용하여 상기 사이클로실록산을 개환중합시켜 반응성 중간체를 합성하는 단계, 및 상기 반응성 중간체와 중합 종결제를 반응시켜 구심 폴리실록산을 합성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 중합 종결제는 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 비닐 말단 폴리디메틸실록산, 비닐 말단 폴리디페닐실록산, 폴리디메틸실록산, 폴리디페닐실록산, 수소 말단 폴리디메틸실록산 및 1,1,3,3-테트라메틸디실록산 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 구심 폴리실록산은 분자 1개당 2~100개의 규소-비닐메틸기(-Si-(CH=CH2)(CH3)-), 및 2~100개의 규소-페닐메틸기(-Si-(C6H5)(CH3)-) 또는 2~100개의 규소-디페닐기(-Si(C6H5)2-)를 포함할 수 있다.
상기 구심 폴리실록산은, 규소에 결합된 모든 관능기를 100몰%라고 했을 때(즉, -O-Si(R)2-O-에서 R의 총 개수를 100몰%로 가정했을 때), 0.01~10몰%의 규소-페닐메틸기 및 규소-디페닐기를 포함할 수 있다.
상기 구심 폴리실록산은 0.1~2,000,000cSt의 점도를 가질 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면,
상기 폴리실록산의 제조방법에 따라 2종 이상의 구심 폴리실록산을 합성하는 단계;
상기 합성된 2종 이상의 구심 폴리실록산을 제1 폴리실록산, 실리카 및 촉매와 혼합하여 주제 부분을 제조하는 단계; 및
상기 합성된 2종 이상의 구심 폴리실록산을 제2 폴리실록산 및 실리카와 혼합하여 경화제 부분을 제조하는 단계를 포함하는 액상 실리콘 고무의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 또 다른 측면은,
상기 폴리실록산의 제조방법에 따라 2종 이상의 구심 폴리실록산을 합성하는 단계;
상기 합성된 2종 이상의 구심 폴리실록산을 촉매와 혼합하여 제1 개질제를 제조하는 단계;
상기 합성된 2종 이상의 구심 폴리실록산을 제3 폴리실록산과 혼합하여 제2 개질제를 제조하는 단계;
상기 제1 개질제를 예비 주제에 첨가하여 주제 부분을 제조하는 단계; 및
상기 제2 개질제를 예비 경화제에 첨가하여 경화제 부분을 제조하는 단계를 포함하는 액상 실리콘 고무의 제조방법을 제공한다.
상기 제1 개질제의 첨가량은 상기 주제 부분의 총중량 100중량부에 대하여 0.1~50중량부이고, 상기 제2 개질제의 첨가량은 상기 경화제 부분의 총중량 100중량부에 대하여 0.1~50중량부일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 폴리실록산의 제조방법에 따르면, 다중 결합이 가능한 구심(core) 폴리실록산을 얻을 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 액상 실리콘 고무의 제조방법에 따르면, 상용화된 액상 실리콘 고무의 기본적인 특성인 우수한 내열성, 내한성, 내후성, 유연성 및 난연성을 그대로 유지하면서도, 높은 가교 밀도, 낮은 수축율, 저온 및 고온에서의 낮은 선 수축률을 갖는 액상 실리콘 고무를 얻을 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 액상 실리콘 고무의 제조방법에 의해 제조된 액상 실리콘 고무는, 전자 소자에 적용될 경우, 전자 소자와 액상 실리콘 고무 간의 열에 의한 접점의 매칭 현상이 향상되어 온도 차이에서 발생하는 열 충격에 대한 안정성을 향상시킴으로써, 액상 디스플레이, 반도체 소자, 발광 다이오드, 메모리 칩 등의 패키지(package) 테스트 소켓용으로 적합하게 사용될 수 있다.
또한 본 발명의 일 구현예에 따른 액상 실리콘 고무는 점도가 낮아 성형하기가 용이하며, 그 경화물은 -60℃ 내지 180℃의 온도 범위에서 유용하게 사용될 수 있다.
본 명세서에서, "촉매"란 수소화규소첨가반응(hydrosilylation)을 촉진시키는 촉매를 의미한다.
또한 본 명세서에서, "수축률"이란 액상 실리콘 고무가 열에 의해 경화될 때의 수축률을 의미한다.
이하, 본 발명의 일 구현예에 따른 폴리실록산의 제조방법을 상세히 설명한다.
본 발명의 일 구현예에 따른 폴리실록산의 제조방법은 하기 화학식 1로 표시되는 개시제 화합물을 개시제로 사용하여 하기 화학식 2로 표시되는 사이클로실록산을 개환중합(ring opening polymerization)시켜 구심(core) 폴리실록산을 합성하는 단계를 포함한다:
[화학식 1]
Figure 112017030115439-pat00001
상기 화학식 1에서, R은 메틸기 또는 페닐기이고, R1은 수소, 메틸기, 비닐기 또는 페닐기이다.
[화학식 2]
Figure 112017030115439-pat00002
상기 화학식 2에서, R은 메틸기 또는 페닐기이고, R1은 수소, 메틸기, 비닐기 또는 페닐기이다.
상기 개시제 화합물은 1종, 2종 또는 3종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 개시제 화합물의 함량에 대한 사이클로실록산의 함량비가 증가할수록, 상기 구심 폴리실록산의 점도가 증가할 수 있다.
상기 구심 폴리실록산은 다관능성 화합물일 수 있다. 따라서, 상기 구심 폴리실록산은 기타 폴리실록산(즉, 상기 구심 폴리실록산이 아닌 다른 반응성 폴리실록산)과의 후속 중합시 구심 역할을 수행함으로써, 가죽 그물망(leather net) 형태의 입체 구조를 갖는 물질(즉, 액상 실리콘 고무의 경화물)를 형성할 수 있다.
상기 액상 실리콘 고무의 경화물은 가죽 그물망(leather net) 형태의 입체 구조를 갖기 때문에, 가교 밀도가 높고, 온도 변화에 따른 수축률 및 팽창률이 낮은 이점이 있다.
상기 폴리실록산의 제조방법은, 상기 구심 폴리실록산 합성단계 이전에, 하기 화학식 2로 표시되는 사이클로실록산과 테트라알킬암모늄 히드록사이드를 반응시켜 개시제 화합물을 생성하는 개시제 생성 단계를 더 포함할 수 있다. 따라서, 상기 개시제 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 사이클로실록산과 테트라알킬암모늄 히드록사이드의 반응 생성물일 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112017030115439-pat00003
상기 화학식 2에서, R은 메틸기 또는 페닐기이고, R1은 수소, 메틸기, 비닐기 또는 페닐기이다.
상기 개시제 화합물은 하기 화학식 1로 표시될 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112017030115439-pat00004
상기 화학식 1에서, R은 메틸기 또는 페닐기이고, R1은 수소, 메틸기, 비닐기 또는 페닐기이다.
상기 테트라알킬암모늄 히드록사이드는 테트라메틸암모늄 히드록사이드, 테트라에틸암모늄 히드록사이드, 테트라프로필암모늄 히드록사이드, 테트라부틸암모늄 히드록사이드, 테트라헥실암모늄 히드록사이드 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 폴리실록산의 제조방법은, 비닐기 함유 개시제 화합물(즉, 상기 화학식 1로 표시되되, R 및 R1 중 적어도 하나가 비닐기인 개시제 화합물) n몰 및 페닐기 함유 개시제 화합물(즉, 상기 화학식 1로 표시되되, R 및 R1 중 적어도 하나가 페닐기인 개시제 화합물) o몰을 개시제로 사용하여 상기 화학식 2로 표시되는 사이클로실록산 m몰을 개환중합시켜 반응성 중간체를 합성하는 단계, 및 상기 반응성 중간체와 중합 종결제 p몰을 반응시켜 하기 화학식 3으로 표시되는 구심 폴리실록산을 합성하는 단계를 포함할 수 있다:
[화학식 3]
CH2=CH-Si(R,R1)-{[(O-Si(R,R1))4x-O-Si(R,R2)]m-[(O-Si(R,R1)4y-O-Si(R3,R4)〕n-[(O-Si(R,R1)〕4z}o-O-Si(R,R1)-CH=CH2
상기 화학식 3에서, m은 0초과~10의 실수이고, n은 0초과~100의 실수이고, o는 0초과~10,000의 실수이고, x, y 및 z는 각각 0~100,000의 실수이고, R 및 R1은 각각 메틸기이고, R2는 비닐기이고, R3는 메틸기 또는 페닐기이고, R4는 페닐기이다.
상기 중합 종결제는 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 비닐 말단 폴리디메틸실록산, 비닐 말단 폴리디페닐실록산, 폴리디메틸실록산, 폴리디페닐실록산, 수소 말단 폴리디메틸실록산 및 1,1,3,3-테트라메틸디실록산 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 구심 폴리실록산은 하기 화학식 3-1 또는 하기 화학식 3-2로 표시될 수 있다:
[화학식 3-1]
Figure 112017030115439-pat00005
[화학식 3-2]
Figure 112017030115439-pat00006
.
상기 구심 폴리실록산은 분자 1개당 2~100개(예를 들어, 3~10개 또는 3~7개)의 규소-비닐메틸기(-Si-(CH=CH2)(CH3)-)를 포함할 수 있다.
상기 구심 폴리실록산은 분자 1개당 2~100개의 규소-비닐메틸기 외에 분자 1개당 2~100개의 규소-페닐메틸기(-Si-(C6H5)(CH3)-) 또는 2~100개의 규소-디페닐기(-Si(C6H5)2-)를 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 구심 폴리실록산 중의 규소-페닐메틸기 및 규소-디페닐기의 총함량은, 규소에 결합된 모든 관능기를 100몰%라고 했을 때(즉, -O-Si(R)2-O-에서 R의 총 개수를 100몰%로 가정했을 때), 0.01~10몰%(예를 들어, 0.01~1.0몰% 또는 0.1~0.7몰%)일 수 있다.
상기 규소-비닐메틸기는 상기 구심 폴리실록산의 가교밀도를 높여서 수축률을 감소시키는 역할을 수행한다.
상기 규소-페닐메틸기 및 상기 규소-디페닐기는 상기 구심 폴리실록산의 저온 안정성을 향상시키는 역할을 수행한다.
상기 규소-비닐메틸기, 상기 규소-페닐메틸기 및 상기 규소-디페닐기는 상기 구심 폴리실록산의 분자내에 랜덤하게 분포될 수 있다. 따라서, 상기 구심 폴리실록산을 포함하는 반응원료를 사용하여 제조된 액상 실리콘 고무는 낮은 점도를 가질 수 있다.
상기 구심 폴리실록산은 0.1~2,000,000cSt(예를 들어, 1.0~500,000cSt 또는 100~100,000cSt)의 점도를 가질 수 있다.
이하, 본 발명의 구현예들에 따른 액상 실리콘 고무의 제조방법을 상세히 설명한다.
본 발명의 일 구현예에 따른 액상 실리콘 고무의 제조방법은, 상술한 폴리실록산의 제조방법에 따라 2종 이상의 구심 폴리실록산을 합성하는 단계, 상기 합성된 2종 이상의 구심 폴리실록산을 제1 폴리실록산, 실리카 및 촉매와 혼합하여 주제 부분을 제조하는 단계, 및 상기 합성된 2종 이상의 구심 폴리실록산을 제2 폴리실록산 및 실리카를 혼합하여 경화제 부분을 제조하는 단계를 포함한다.
상기 주제 부분 제조 단계에서는, 상기 합성된 2종 이상의 구심 폴리실록산 및 상기 제1 폴리실록산 중 2종 이상의 폴리실록산이 서로 반응할 수도 있고, 반응하지 않을 수도 있다.
또한, 상기 경화제 부분 제조 단계에서는, 상기 합성된 2종 이상의 구심 폴리실록산 및 상기 제2 폴리실록산 중 2종 이상의 폴리실록산이 서로 반응할 수도 있고, 반응하지 않을 수도 있다.
상기 제1 폴리실록산 및 상기 제2 폴리실록산은 상기 구심 폴리실록산이 아닌 다른 폴리실록산일 수 있다.
상기 제1 폴리실록산은 폴리디메틸실록산을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 폴리실록산은 2종 이상의 폴리디메틸실록산을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 폴리실록산은 말단기 및/또는 점도가 서로 다른 2종 이상의 폴리디메틸실록산을 포함할 수 있다.
상기 제2 폴리실록산은 폴리디메틸실록산, 폴리(디메틸실록산-코-메틸하이드로실록산) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 폴리실록산은 2종 이상의 폴리디메틸실록산을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 폴리실록산은 말단기 및/또는 점도가 서로 다른 2종 이상의 폴리디메틸실록산을 포함할 수 있다.
상기 촉매는 유기백금 화합물일 수 있다. 예를 들어, 상기 촉매는 디비닐 함유 디실록산에서 유도된 카츠타트 촉매(Karstedt's catalyst)일 수 있다.
본 발명의 다른 구현예에 따른 액상 실리콘 고무의 제조방법은, 상술한 폴리실록산의 제조방법에 따라 2종 이상의 구심 폴리실록산을 합성하는 단계, 상기 합성된 2종 이상의 구심 폴리실록산을 촉매와 혼합하여 제1 개질제를 제조하는 단계, 상기 합성된 2종 이상의 구심 폴리실록산을 제3 폴리실록산과 혼합하여 제2 개질제를 제조하는 단계, 상기 제1 개질제를 예비 주제에 첨가하여 주제 부분을 제조하는 단계, 및 상기 제2 개질제를 예비 경화제에 첨가하여 경화제 부분을 제조하는 단계를 포함한다.
상기 제1 개질제 제조 단계에서는, 상기 합성된 2종 이상의 구심 폴리실록산 중 2종 이상의 폴리실록산이 서로 반응할 수도 있고, 반응하지 않을 수도 있다.
또한, 상기 제2 개질제 제조 단계에서는, 상기 합성된 2종 이상의 구심 폴리실록산 및 상기 제3 폴리실록산 중 2종 이상의 폴리실록산이 서로 반응할 수도 있고, 반응하지 않을 수도 있다.
상기 제3 폴리실록산은 상기 구심 폴리실록산이 아닌 다른 폴리실록산일 수 있다.
상기 제3 폴리실록산은 폴리디메틸실록산, 폴리메틸하이드로실록산 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 폴리실록산은 2종 이상의 폴리디메틸실록산을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 폴리실록산은 말단기 및/또는 점도가 서로 다른 2종 이상의 폴리디메틸실록산을 포함할 수 있다.
상기 예비 주제 및 상기 예비 경화제는 각각 상기 구심 폴리실록산이 아닌 다른 1종 이상의 폴리실록산을 포함할 수 있다.
상기 예비 주제 및 상기 예비 경화제는 각각 상업적으로 입수 가능한 액상 실리콘 고무의 주제 및 경화제일 수 있다. 예를 들어, 상기 예비 주제 및 상기 예비 경화제는 각각 Shin-Etsu사의 LSR KE-1950-30 주제 및 경화제일 수 있다.
상기 제1 개질제 및 상기 제2 개질제는 최종적으로 생성되는 액상 실리콘 고무의 가교 밀도를 향상시켜, 상기 액상 실리콘 고무가 경화될 때 수축률을 감소시켜주는 역할을 수행한다.
상기 제1 개질제의 첨가량은 상기 주제 부분의 총중량 100중량부에 대하여 0.1~50중량부이고, 상기 제2 개질제의 첨가량은 상기 경화제 부분의 총중량 100중량부에 대하여 0.1~50중량부일 수 있다.
상술한 본 발명의 구현예들에 따른 액상 실리콘 고무의 제조방법에 있어서 상기 2종 이상의 구심 폴리실록산은 각각의 점도가 서로 상이할 수 있다.
이후, 상기 각 주제 부분과 상기 각 경화제 부분을 혼합한 후 경화시켜 물품을 제조한다.
상술한 액상 실리콘 고무의 제조방법에 따라 제조된 액상 실리콘 고무의 경화물은 온도 변화에 따른 수축 및 팽창이 감소되어 열에 의한 치수 안정성이 향상됨으로써, 온도 차이에서 발생하는 상기 액상 실리콘 고무의 경화물과 피착체의 특정 소재간의 열 팽창 수축에 의한 미정렬 현상이 방지되고, 저온(영하 60℃)에서부터 고온(180℃)의 범위에 걸쳐서 피착체 상에서 마이크론(micron) 단위의 미세 정렬이 가능한 이점을 갖는다.
상기 경화물은 하기 화학식 4로 표시되는 가죽 그물망 형태 또는 사다리 형태의 기본 구조를 가질 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112017030115439-pat00007
상기 물품은 반도체 소자 또는 전자 소자의 밀봉재일 수 있다. 상기 밀봉재는 수분, 먼지, 기타 오염 물질 등의 불순물, 및 공기 중의 수분으로 인해 발생할 수 있는 전기적 단락으로부터 반도체 소자 또는 전자 소자를 보호하는 역할을 수행한다.
이하, 본 발명을 하기 실시예를 들어 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예로만 한정되는 것은 아니다.
실험예 1: 비닐기 함유 개시제 화합물의 제조
2,4,6,8-테트라메틸테트라비닐시클로테트라실록산 1몰부에 테트라메틸암모늄 히드록사이드(TMAH) 4몰부를 혼합한 후, 80℃에서 4시간 동안 반응시켜 하기 화학식 1-1로 표시되는 비닐기 함유 개시제 화합물을 합성하였다.
[화학식 1-1]
Figure 112017030115439-pat00008
실험예 2: 페닐기 함유 개시제 화합물의 제조
옥타페닐시클로테트라실록산을 톨루엔에 20중량%의 농도로 첨가한 다음 80℃로 가열하여 용해시킨 후, 그 결과물에 테트라메틸암모늄 히드록사이드(TMAH)를 첨가하고 80℃에서 4시간 동안 반응시켜 하기 화학식 1-2로 표시되는 페닐기 함유 개시제 화합물을 합성하였다. 이때, 옥타페닐시클로테트라실록산 0.1몰부에 대하여 0.4몰부의 테트라메틸암모늄 히드록사이드(TMAH)를 사용하였다.
[화학식 1-2]
Figure 112017030115439-pat00009
실험예 3: 2개의 메틸기 함유 개시제 화합물의 제조
1,1,3,3,5,5,7,7-옥타메틸시클로테트라실록산 1 몰부에 테트라메틸암모늄 히드록사이드(TMAH) 4몰부를 첨가하고 80℃에서 4시간 동안 반응시켜 하기 화학식 1-3으로 표시되는 2개의 메틸기 함유 개시제 화합물을 합성하였다. 이때, 옥타메틸시클로테트라실록산 0.1몰부에 대하여 0.4몰부의 테트라메틸암모늄 히드록사이드(TMAH)를 사용하였다.
[화학식 1-3]
Figure 112017030115439-pat00010
실시예 1-1: 구심 폴리실록산(BP-10)의 제조
1,1,3,3,5,5,7,7-옥타메틸시클로테트라실록산 0.2몰을 반응기에 투입하였다. 이후, 상기 화학식 1-1로 표시되는 비닐기 함유 개시제 화합물 0.02몰 및 상기 화학식 1-2로 표시되는 페닐기 함유 개시제 화합물 0.02몰을 투입하여 80℃에서 2시간 동안 반응시켰다. 이후, 상기 반응기에 중합 종결제로서 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 0.02몰을 더 투입하고 90℃에서 1시간 동안 반응을 진행시켰다. 이후, 상기 반응기에 진공을 걸어 주면서 질소 기체를 주입하여 잔류 TMAH를 완전히 제거하였다. 결과물로서 점도가 10,000cSt인 끈적한 액상의 구심 폴리실록산(Base Polymer, BP-10)를 수득하였다. 상기 구심 폴리실록산(BP-10)은 하기 화학식 3-1로 표시된다.
[화학식 3-1]
Figure 112017030115439-pat00011
상기 화학식 3-1에서, m은 0.2이고, n 및 o는 각각 0.02이고, X 및 Y는 각각 5이고, Z는 0이다.
실시예 1-2: 구심 폴리실록산(BP-30)의 제조
1,1,3,3,5,5,7,7-옥타메틸시클로테트라실록산 0.4몰을 반응기에 투입하였다. 이후, 상기 화학식 1-1로 표시되는 비닐기 함유 개시제 화합물 0.02몰 및 상기 화학식 1-2로 표시되는 페닐기 함유 개시제 화합물 0.02몰을 투입하여 80℃에서 2시간 동안 반응시켰다. 이후, 상기 반응기에 중합 종결제로서 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 0.02몰을 더 투입하고 90℃에서 1시간 동안 반응을 진행시켰다. 이후, 상기 반응기에 진공을 걸어 주면서 질소 기체를 주입하여 잔류 TMAH를 완전히 제거하였다. 결과물로서 점도가 30,000cSt인 끈적한 액상의 구심 폴리실록산(Base Polymer, BP-30)를 수득하였다. 상기 구심 폴리실록산(BP-30)은 상기 화학식 3-1로 표시되되, m은 0.4이고, n 및 o는 각각 0.02이고, X 및 Y는 각각 10이고, Z는 0이다.
실시예 1-3: 구심 폴리실록산(BP-50)의 제조
1,1,3,3,5,5,7,7-옥타메틸시클로테트라실록산 0.6몰을 반응기에 투입하였다. 이후, 상기 화학식 1-1로 표시되는 비닐기 함유 개시제 화합물 0.02몰 및 상기 화학식 1-2로 표시되는 페닐기 함유 개시제 화합물 0.02몰을 투입하여 80℃에서 2시간 동안 반응시켰다. 이후, 상기 반응기에 중합 종결제로서 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 0.02몰을 더 투입하고 90℃에서 1시간 동안 반응을 진행시켰다. 이후, 상기 반응기에 진공을 걸어 주면서 질소 기체를 주입하여 부산물인 잔류 TMAH를 완전히 제거하였다. 결과물로서 점도가 50,000cSt인 끈적한 액상의 구심 폴리실록산(Base Polymer, BP-50)를 수득하였다. 상기 구심 폴리실록산(BP-50)은 상기 화학식 3-1로 표시되되, m은 0.6이고, n 및 o는 각각 0.02이고, X 및 Y는 각각 15이고, Z는 0이다.
실시예 2-1: 액상 실리콘 고무의 제조 및 수축률 시험
다음과 같은 방법으로 주제 부분과 경화제 부분으로 나누어 2액형의 액상 실리콘 고무를 제조하였다.
(주제 부분)
1,000cSt의 점도를 갖는 α,ω-디비닐-말단 폴리디메틸실록산 20중량부, 5,000cSt의 점도를 갖는 α,ω-디비닐-말단 폴리디메틸실록산 10중량부, 10,000cSt의 점도를 갖는 α,ω-디비닐-말단 폴리디메틸실록산 30중량부, 실시예 1-1에서 제조된 구심 폴리실록산(BP-10) 10중량부, 실시예 1-2에서 제조된 구심 폴리실록산(BP-30) 15중량부, 실시예 1-3에서 제조된 구심 폴리실록산(BP-50) 15중량부, 실리카 13중량부 및 카츠타드 촉매(Karstedt's catalyst) 0.01중량부를 용기에 투입한 후 상온(25℃)에서 3시간 동안 교반하였다. 결과로서, 주제 부분을 얻었다.
(경화제 부분)
1,000cSt의 점도를 갖는 α,ω-디비닐-말단 폴리디메틸실록산 25중량부, 5,000cSt의 점도를 갖는 α,ω-디비닐-말단 폴리디메틸실록산 15중량부, 실시예 1-1에서 제조된 구심 폴리실록산(BP-10) 30중량부, 실시예 1-2에서 제조된 구심 폴리실록산(BP-30) 10중량부, 30cSt의 점도를 갖는 수소 말단 폴리디메틸실록산 15중량부, 40cSt의 점도를 갖는 수소 말단 폴리(디메틸실록산-코-메틸하이드로실록산) 5중량부 및 실리카 13중량부를 다른 용기에 투입한 후 상온(25℃)에서 3시간 동안 교반하였다. 결과로서, 경화제 부분을 얻었다.
(수축률 시험)
위에서 제조된 주제 부분과 경화제 부분을 각각 1:1의 중량비로 혼합한 후, 기포를 제거하여 혼합물을 얻었다. 이후, 상기 혼합물을 깨끗이 세척 및 건조되고 이형처리된 선 수축율 측정용 금형(150mm×20mm×20mm)에 채워 150℃에서 1시간 동안 경화시켰다. 이후, 결과물을 상온(25℃)으로 냉각하였다. 결과로서, 시편을 얻었다. 이후, 상기 금형으로부터 시편을 꺼내서, 상기 금형에 표시된 눈금에 대한 시편의 길이를 측정하여 하기 수학식 1에 의해 수축률을 계산하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[수학식 1]
수축률(%) = (경화전 금형 눈금 - 시편의 길이)/경화전 금형 눈금 × 100
실시예 2-2: 액상 실리콘 고무의 제조 및 수축률 시험
다음과 같은 방법으로 주제 부분과 경화제 부분으로 나누어 2액형의 액상 실리콘 고무를 제조하였다.
(주제 부분)
1,000cSt의 점도를 갖는 α,ω-디비닐-말단 폴리디메틸실록산 25중량부, 5,000cSt의 점도를 갖는 α,ω-디비닐-말단 폴리디메틸실록산 15중량부, 10,000cSt의 점도를 갖는 α,ω-디비닐-말단 폴리디메틸실록산 40중량부, 실시예 1-1에서 제조된 구심 폴리실록산(BP-10) 10중량부, 실시예 1-2에서 제조된 구심 폴리실록산(BP-30) 5중량부, 실시예 1-3에서 제조된 구심 폴리실록산(BP-50) 5중량부, 실리카 13중량부 및 카츠타드 촉매(Karstedt's catalyst) 0.01중량부를 용기에 투입한 후 상온(25℃)에서 3시간 동안 교반하였다. 결과로서, 주제 부분을 얻었다.
(경화제 부분)
1,000cSt의 점도를 갖는 α,ω-디비닐-말단 폴리디메틸실록산 30중량부, 5,000cSt의 점도를 갖는 α,ω-디비닐-말단 폴리디메틸실록산 20중량부, 실시예 1-1에서 제조된 구심 폴리실록산(BP-10) 20중량부, 실시예 1-2에서 제조된 구심 폴리실록산(BP-30) 10중량부, 30cSt의 점도를 갖는 수소 말단 폴리디메틸실록산 15중량부, 40cSt의 점도를 갖는 수소 말단 폴리(디메틸실록산-코-메틸하이드로실록산) 5중량부 및 실리카 13중량부를 다른 용기에 투입한 후 상온(25℃)에서 3시간 동안 교반하였다. 결과로서, 경화제 부분을 얻었다.
(수축률 시험)
위에서 제조된 주제 부분과 경화제 부분을 각각 1:1의 중량비로 혼합한 후, 기포를 제거하여 혼합물을 얻었다. 이후, 상기 혼합물을 깨끗이 세척 및 건조되고 이형처리된 선 수축율 측정용 금형(150mm×20mm×20mm)에 채워 150℃에서 1시간 동안 경화시켰다. 이후, 결과물을 상온(25℃)으로 냉각하였다. 결과로서, 시편을 얻었다. 이후, 상기 금형으로부터 시편을 꺼내서, 상기 금형에 표시된 눈금에 대한 시편의 길이를 측정하여 상기 수학식 1에 의해 수축률을 계산하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
비교예 2-1: 액상 실리콘 고무의 제조 및 수축률 시험
다음과 같은 방법으로 주제 부분과 경화제 부분으로 나누어 2액형의 액상 실리콘 고무를 제조하였다.
(주제 부분)
1,000cSt의 점도를 갖는 α,ω-디비닐-말단 폴리디메틸실록산 25중량부, 5,000cSt의 점도를 갖는 α,ω-디비닐-말단 폴리디메틸실록산 15중량부, 10,000cSt의 점도를 갖는 α,ω-디비닐-말단 폴리디메틸실록산 40중량부, 20,000cSt의 점도를 갖는 α,ω-디비닐-말단 폴리디메틸실록산 10중량부, 30,000cSt의 점도를 갖는 α,ω-디비닐-말단 폴리디메틸실록산 5중량부, 50,000cSt의 점도를 갖는 α,ω-디비닐-말단 폴리디메틸실록산 5중량부, 실리카 13중량부 및 카츠타드 촉매(Karstedt's catalyst) 0.01중량부를 용기에 투입한 후 상온(25℃)에서 3시간 동안 교반하였다. 결과로서, 주제 부분을 얻었다.
(경화제 부분)
1,000cSt의 점도를 갖는 α,ω-디비닐-말단 폴리디메틸실록산 30중량부, 5,000cSt의 점도를 갖는 α,ω-디비닐-말단 폴리디메틸실록산 20중량부, 10,000cSt의 점도를 갖는 α,ω-디비닐-말단 폴리디메틸실록산 20중량부, 30,000cSt의 점도를 갖는 α,ω-디비닐-말단 폴리디메틸실록산 10중량부, 30cSt의 점도를 갖는 수소 말단 폴리디메틸실록산 15중량부, 40cSt의 점도를 갖는 수소 말단 폴리(디메틸실록산-코-메틸하이드로실록산) 5중량부 및 실리카 13중량부를 다른 용기에 투입한 후 상온(25℃)에서 3시간 동안 교반하였다. 결과로서, 경화제 부분을 얻었다.
(수축률 시험)
위에서 제조된 주제 부분과 경화제 부분을 각각 1:1의 중량비로 혼합한 후, 기포를 제거하여 혼합물을 얻었다. 이후, 상기 혼합물을 깨끗이 세척 및 건조되고 이형처리된 선 수축율 측정용 금형(150mm×20mm×20mm)에 채워 150℃에서 1시간 동안 경화시켰다. 이후, 결과물을 상온(25℃)으로 냉각하였다. 결과로서, 시편을 얻었다. 이후, 상기 금형으로부터 시편을 꺼내서, 상기 금형에 표시된 눈금에 대한 시편의 길이를 측정하여 상기 수학식 1에 의해 수축률을 계산하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
실시예 2-3: 액상 실리콘 고무의 제조 및 수축률 시험
다음과 같은 방법으로 주제 부분과 경화제 부분으로 나누어 2액형의 액상 실리콘 고무를 제조하였다.
(제1 개질제)
실시예 1-1에서 제조된 구심 폴리실록산(BP-10) 30중량부, 실시예 1-2에서 제조된 구심 폴리실록산(BP-30) 40중량부, 실시예 1-3에서 제조된 구심 폴리실록산(BP-50) 30중량부 및 카츠타드 촉매(Karstedt's catalyst) 0.01중량부를 용기에 투입한 후 상온(25℃)에서 3시간 동안 교반하였다. 결과로서, 제1 개질제를 얻었다.
(제2 개질제)
실시예 1-1에서 제조된 구심 폴리실록산(BP-10) 25중량부, 실시예 1-2에서 제조된 구심 폴리실록산(BP-30) 20중량부, 실시예 1-3에서 제조된 구심 폴리실록산(BP-50) 10중량부, 100cSt의 점도를 갖는 수소 말단 폴리디메틸실록산 40중량부 및 30cSt의 점도를 갖는 수소 말단 폴리메틸하이드로실록산 5중량부를 용기에 투입한 후 상온(25℃)에서 3시간 동안 교반하였다. 결과로서, 제2 개질제를 얻었다.
(주제 부분)
Shin-Etsu사의 LSR KE-1950-30 주제(이를 '예비 주제'라고 함) 75중량부에 상기 제1 개질제 25중량부를 첨가하여 상온(25℃)에서 3시간 동안 교반하였다. 결과로서, 주제 부분을 얻었다.
(경화제 부분)
Shin-Etsu사의 LSR KE-1950-30 경화제(이를 '예비 경화제'라고 함) 75중량부에 상기 제2 개질제 25중량부를 첨가하여 상온(25℃)에서 3시간 동안 교반하였다. 결과로서, 경화제 부분을 얻었다.
(수축률 시험)
위에서 제조된 주제 부분과 경화제 부분을 각각 1:1의 중량비로 혼합한 후, 기포를 제거하여 혼합물을 얻었다. 이후, 상기 혼합물을 깨끗이 세척 및 건조되고 이형처리된 선 수축율 측정용 금형(150mm×20mm×20mm)에 채워 150℃에서 1시간 동안 경화시켰다. 이후, 결과물을 상온(25℃)으로 냉각하였다. 결과로서, 시편을 얻었다. 이후, 상기 금형으로부터 시편을 꺼내서, 상기 금형에 표시된 눈금에 대한 시편의 길이를 측정하여 상기 수학식 1에 의해 수축률을 계산하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
실시예 2-4: 액상 실리콘 고무의 제조 및 수축률 시험
다음과 같은 방법으로 주제 부분과 경화제 부분으로 나누어 2액형의 액상 실리콘 고무를 제조하였다.
(주제 부분)
Shin-Etsu사의 LSR KE-1950-30 주제(이를 '예비 주제'라고 함) 90중량부에 상기 실시예 2-3에서 제조된 제1 개질제 10중량부를 첨가하여 상온(25℃)에서 3시간 동안 교반하였다. 결과로서, 주제 부분을 얻었다.
(경화제 부분)
Shin-Etsu사의 LSR KE-1950-30 경화제(이를 '예비 경화제'라고 함) 90중량부에 상기 실시예 2-3에서 제조된 제2 개질제 10중량부를 첨가하여 상온(25℃)에서 3시간 동안 교반하였다. 결과로서, 경화제 부분을 얻었다.
(수축률 시험)
위에서 제조된 주제 부분과 경화제 부분을 각각 1:1의 중량비로 혼합한 후, 기포를 제거하여 혼합물을 얻었다. 이후, 상기 혼합물을 깨끗이 세척 및 건조되고 이형처리된 선 수축율 측정용 금형(150mm×20mm×20mm)에 채워 150℃에서 1시간 동안 경화시켰다. 이후, 결과물을 상온(25℃)으로 냉각하였다. 결과로서, 시편을 얻었다. 이후, 상기 금형으로부터 시편을 꺼내서, 상기 금형에 표시된 눈금에 대한 시편의 길이를 측정하여 상기 수학식 1에 의해 수축률을 계산하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
비교예 2-2: 액상 실리콘 고무의 제조 및 수축률 시험
다음과 같은 방법으로 주제 부분과 경화제 부분으로 나누어 2액형의 액상 실리콘 고무를 마련하였다.
(주제 부분)
Shin-Etsu사의 LSR KE-1950-30 주제 100중량부만으로 이루어진 주제 부분을 마련하였다.
(경화제 부분)
Shin-Etsu사의 LSR KE-1950-30 경화제 100중량부만으로 이루어진 경화제 부분을 마련하였다.
(수축률 시험)
위에서 마련된 주제 부분과 경화제 부분을 각각 1:1의 중량비로 혼합한 후, 기포를 제거하여 혼합물을 얻었다. 이후, 상기 혼합물을 깨끗이 세척 및 건조되고 이형처리된 선 수축율 측정용 금형(150mm×20mm×20mm)에 채워 150℃에서 1시간 동안 경화시켰다. 이후, 결과물을 상온(25℃)으로 냉각하였다. 결과로서, 시편을 얻었다. 이후, 상기 금형으로부터 시편을 꺼내서, 상기 금형에 표시된 눈금에 대한 시편의 길이를 측정하여 상기 수학식 1에 의해 수축률을 계산하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
비교예 2-3: 액상 실리콘 고무의 제조 및 수축률 시험
다음과 같은 방법으로 주제 부분, 경화제 부분 및 첨가제로 나누어 3액형의 액상 실리콘 고무를 마련하였다.
(주제 부분)
Shin-Etsu사의 LSR KE-1950-30 주제 100중량부만으로 이루어진 주제 부분을 마련하였다.
(경화제 부분)
Shin-Etsu사의 LSR KE-1950-30 경화제 100중량부만으로 이루어진 경화제 부분을 마련하였다.
(첨가제)
Dow Corning사의 Sylgard 182만으로 이루어진 첨가제를 마련하였다.
(수축률 시험)
위에서 마련된 주제 부분, 경화제 부분 및 첨가제를 각각 35:35:30의 중량비로 혼합한 후, 기포를 제거하여 혼합물을 얻었다. 이후, 상기 혼합물을 깨끗이 세척 및 건조되고 이형처리된 선 수축율 측정용 금형(150mm×20mm×20mm)에 채워 150℃에서 1시간 동안 경화시켰다. 이후, 결과물을 상온(25℃)으로 냉각하였다. 결과로서, 시편을 얻었다. 이후, 상기 금형으로부터 시편을 꺼내서, 상기 금형에 표시된 눈금에 대한 시편의 길이를 측정하여 상기 수학식 1에 의해 수축률을 계산하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
비교예 2-4: 액상 실리콘 고무의 제조 및 수축률 시험
다음과 같은 방법으로 주제 부분, 경화제 부분 및 첨가제로 나누어 3액형의 액상 실리콘 고무를 마련하였다.
(주제 부분)
Shin-Etsu사의 LSR KE-1950-30 주제 100중량부만으로 이루어진 주제 부분을 마련하였다.
(경화제 부분)
Shin-Etsu사의 LSR KE-1950-30 경화제 100중량부만으로 이루어진 경화제 부분을 마련하였다.
(첨가제)
Dow Corning사의 Sylgard 182만으로 이루어진 첨가제를 마련하였다.
(수축률 시험)
위에서 마련된 주제 부분, 경화제 부분 및 첨가제를 각각 45:45:10의 중량비로 혼합한 후, 기포를 제거하여 혼합물을 얻었다. 이후, 상기 혼합물을 깨끗이 세척 및 건조되고 이형처리된 선 수축율 측정용 금형(150mm×20mm×20mm)에 채워 150℃에서 1시간 동안 경화시켰다. 이후, 결과물을 상온(25℃)으로 냉각하였다. 결과로서, 시편을 얻었다. 이후, 상기 금형으로부터 시편을 꺼내서, 상기 금형에 표시된 눈금에 대한 시편의 길이를 측정하여 상기 수학식 1에 의해 수축률을 계산하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
실시예 금형 눈금 평균치(mm) 시편 길이 평균치(mm) 수축률(%)
실시예 2-1 151.0204 147.9745 2.0169
실시예 2-2 151.0712 147.3567 2.4588
비교예 2-1 150.9987 146.8977 2.7159
실시예 2-3 150.8996 147.3225 2.3705
실시예 2-4 151.0204 147.2100 2.5231
비교예 2-2 151.0712 147.0121 2.6869
비교예 2-3 150.9987 146.8026 2.7789
비교예 2-4 150.8996 146.7446 2.7535
* 각 실시예 및 비교예에서, 동일 실험을 3회 반복하여 평균값을 취하였다.
상기 표 1를 참조하면, 실시예 2-1~2-4에서 제조된 액상 실리콘 고무는 비교예 2-1~2-4에서 제조된 액상 실리콘 고무에 비해 경화시 수축률이 작은 것으로 나타났다.
이상에서 실시예를 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 구현예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 구현예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.

Claims (12)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 개시제 화합물을 개시제로 사용하여 하기 화학식 2로 표시되는 사이클로실록산을 개환중합시켜 구심 폴리실록산을 합성하는 단계를 포함하는 폴리실록산의 제조방법:
    [화학식 1]
    Figure 112017030115439-pat00012

    [화학식 2]
    Figure 112017030115439-pat00013

    상기 화학식 1 및 2에서, R은 메틸기 또는 페닐기이고, R1은 수소, 메틸기, 비닐기 또는 페닐기이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 구심 폴리실록산 합성단계 이전에, 하기 화학식 2로 표시되는 사이클로실록산과 테트라알킬암모늄 히드록사이드를 반응시켜 하기 화학식 1로 표시되는 개시제 화합물을 생성하는 개시제 생성 단계를 더 포함하는 폴리실록산의 제조방법:
    [화학식 1]
    Figure 112017030115439-pat00014

    [화학식 2]
    Figure 112017030115439-pat00015

    상기 화학식 1 및 2에서, R은 메틸기 또는 페닐기이고, R1은 수소, 메틸기, 비닐기 또는 페닐기이다.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 테트라알킬암모늄 히드록사이드는 테트라메틸암모늄 히드록사이드, 테트라에틸암모늄 히드록사이드, 테트라프로필암모늄 히드록사이드, 테트라부틸암모늄 히드록사이드, 테트라헥실암모늄 히드록사이드 또는 이들의 조합을 포함하는 폴리실록산의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    비닐기 함유 개시제 화합물(상기 화학식 1로 표시되되, R 및 R1 중 적어도 하나가 비닐기인 개시제 화합물) n몰 및 페닐기 함유 개시제 화합물 o몰((상기 화학식 1로 표시되되, R 및 R1 중 적어도 하나가 페닐기인 개시제 화합물)을 개시제로 사용하여 상기 화학식 2로 표시되는 사이클로실록산 m몰을 개환중합시켜 반응성 중간체를 합성하는 단계; 및
    상기 반응성 중간체와 중합 종결제 p몰을 반응시켜 하기 화학식 3으로 표시되는 구심 폴리실록산을 합성하는 단계를 포함하는 폴리실록산의 제조방법:
    [화학식 3]
    CH2=CH-Si(R,R1)-{[(O-Si(R,R1))4x-O-Si(R,R2)]m-[(O-Si(R,R1)4y-O-Si(R3,R4)〕n-[(O-Si(R,R1)〕4z}o-O-Si(R,R1)-CH=CH2
    상기 화학식 3에서, m은 0초과~10의 실수이고, n은 0초과~100의 실수이고, o는 0초과~10,000의 실수이고, x, y 및 z는 각각 0~100,000의 실수이고, R 및 R1은 각각 메틸기이고, R2는 비닐기이고, R3는 메틸기 또는 페닐기이고, R4는 페닐기이다.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 중합 종결제는 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 비닐 말단 폴리디메틸실록산, 비닐 말단 폴리디페닐실록산, 폴리디메틸실록산, 폴리디페닐실록산, 수소 말단 폴리디메틸실록산 및 1,1,3,3-테트라메틸디실록산 또는 이들의 조합을 포함하는 폴리실록산의 제조방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 구심 폴리실록산은 하기 화학식 3-1 또는 하기 화학식 3-2로 표시되는 폴리실록산의 제조방법:
    [화학식 3-1]
    Figure 112017030115439-pat00016

    [화학식 3-2]
    Figure 112017030115439-pat00017
    .
  7. 제1항에 있어서,
    상기 구심 폴리실록산은 분자 1개당 2~100개의 규소-비닐메틸기(-Si-(CH=CH2)(CH3)-), 및 2~100개의 규소-페닐메틸기(-Si-(C6H5)(CH3)-) 또는 2~100개의 규소-디페닐기(-Si(C6H5)2-)를 포함하는 폴리실록산의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 구심 폴리실록산은, 규소에 결합된 모든 관능기를 100몰%라고 했을 때(즉, -O-Si(R)2-O-에서 R의 총 개수를 100몰%로 가정했을 때), 0.01~10몰%의 규소-페닐메틸기 및 규소-디페닐기를 포함하는 폴리실록산의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 구심 폴리실록산은 0.1~2,000,000cSt의 점도를 갖는 폴리실록산의 제조방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 폴리실록산의 제조방법에 따라 2종 이상의 구심 폴리실록산을 합성하는 단계;
    상기 합성된 2종 이상의 구심 폴리실록산을 제1 폴리실록산, 실리카 및 촉매와 혼합하여 주제 부분을 제조하는 단계; 및
    상기 합성된 2종 이상의 구심 폴리실록산을 제2 폴리실록산 및 실리카와 혼합하여 경화제 부분을 제조하는 단계를 포함하는 액상 실리콘 고무의 제조방법.
  11. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 폴리실록산의 제조방법에 따라 2종 이상의 구심 폴리실록산을 합성하는 단계;
    상기 합성된 2종 이상의 구심 폴리실록산을 촉매와 혼합하여 제1 개질제를 제조하는 단계;
    상기 합성된 2종 이상의 구심 폴리실록산을 제3 폴리실록산과 혼합하여 제2 개질제를 제조하는 단계;
    상기 제1 개질제를 예비 주제에 첨가하여 주제 부분을 제조하는 단계; 및
    상기 제2 개질제를 예비 경화제에 첨가하여 경화제 부분을 제조하는 단계를 포함하는 액상 실리콘 고무의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 개질제의 첨가량은 상기 주제 부분의 총중량 100중량부에 대하여 0.1~50중량부이고, 상기 제2 개질제의 첨가량은 상기 경화제 부분의 총중량 100중량부에 대하여 0.1~50중량부인 액상 실리콘 고무의 제조방법.
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