KR101864577B1 - 센서 모듈 및 센서 모듈의 제조 방법 - Google Patents

센서 모듈 및 센서 모듈의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101864577B1
KR101864577B1 KR1020110066837A KR20110066837A KR101864577B1 KR 101864577 B1 KR101864577 B1 KR 101864577B1 KR 1020110066837 A KR1020110066837 A KR 1020110066837A KR 20110066837 A KR20110066837 A KR 20110066837A KR 101864577 B1 KR101864577 B1 KR 101864577B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
micro
integrated circuit
sensor module
electromechanical member
contact surface
Prior art date
Application number
KR1020110066837A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120004936A (ko
Inventor
울리히 샤프
안드레아스 쿠글러
마티아스 브륀델
프리더 준더마이어
Original Assignee
로베르트 보쉬 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 로베르트 보쉬 게엠베하 filed Critical 로베르트 보쉬 게엠베하
Publication of KR20120004936A publication Critical patent/KR20120004936A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101864577B1 publication Critical patent/KR101864577B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/0052Manufacturing aspects; Manufacturing of single devices, i.e. of semiconductor magnetic sensor chips
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00023Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261Processes for packaging MEMS devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00333Aspects relating to packaging of MEMS devices, not covered by groups B81C1/00269 - B81C1/00325
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01DMEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D21/00Measuring or testing not otherwise provided for
    • G01D21/02Measuring two or more variables by means not covered by a single other subclass
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0802Details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02Sensors
    • B81B2201/0228Inertial sensors
    • B81B2201/0235Accelerometers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02Sensors
    • B81B2201/0264Pressure sensors
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02Sensors
    • B81B2201/0292Sensors not provided for in B81B2201/0207 - B81B2201/0285
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/01Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS
    • B81B2207/012Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS the micromechanical device and the control or processing electronics being separate parts in the same package
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00Forming microstructural systems
    • B81C2203/01Packaging MEMS
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00Forming microstructural systems
    • B81C2203/01Packaging MEMS
    • B81C2203/0154Moulding a cap over the MEMS device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

본 발명은 가속, 압력 또는 자기장 및 그와 같은 것을 측정하기 위한 센서 모듈(M)의 제조 방법에 관한 것으로,
- 제 1 집적 회로 상에 적어도 하나의 마이크로-전기 기계 부재를 배치하는 단계,
- 특히 와이어 본딩을 이용하여 금속 캐리어의 접촉면과 적어도 상기 마이크로-전기 기계 부재를 접촉하는 단계,
- 적어도 집적 회로 및 특히 와이어 본딩을 인케이싱하는 단계, 및
- 적어도 하나의 리와이어링 층을 이용하여 적어도 집적 회로와 특히 적어도 하나의 접촉면을 접촉하는 단계를 포함한다.

Description

센서 모듈 및 센서 모듈의 제조 방법{Sensor module and method for producing a sensor module}
본 발명은 가속, 압력 또는 자기장 및 그와 같은 것을 측정하기 위한 센서 모듈의 제조 방법 및 해당 센서 모듈에 관한 것이다.
가속, 압력 또는 자기장을 측정하기 위한 센서 모듈은 특히 자동차 분야에서 사용된다. 가속 센서로서 상기 센서는 예컨대 차량에서 액티브 서스펜션 시스템과 상호 작용한다. 가속 센서들의 다른 사용 분야는 충돌 테스트이고, 상기 테스트에서 가속 센서들은 모형으로 사용된다.
EP 1 923 627 A1호에는 LED 모듈의 제조 방법이 공지되어 있다. LED-칩을 가진 다수의 LED 모듈이 부착되는 금속 리드 프레임이 사용된다. 리드 프레임은 평행한 다수의 조립 웨브들을 포함하고, 상기 조립 웨브들 내에 각각 조립 개구가 형성된다. 조립 개구에 의해 리드 프레임이 하우징 내에 장착될 수 있다. 또한, 2개의 웨브들 사이에서 얇은 지지 암에 의해 캐리어 부재들이 지지된다. 캐리어 부재들의 표면에 LED 모듈이 예컨대 납땜에 의해 장착된다. LED 모듈은 또한 접속 보드를 포함하고, 상기 접속 보드는 LED 모듈의 제어를 위한 제어 유닛에 연결된다.
본 발명의 과제는 가속, 압력 또는 자기장 및 그와 같은 것을 측정하기 위한 센서 모듈의 제조 방법 및 센서 모듈을 제공하는 것이다.
상기 과제는 청구범위 제 1 항에 따른 센서 모듈의 제조 방법 및 청구범위 제 9 항에 따른 센서 모듈에 의해 해결된다.
가속, 압력 또는 자기장 및 그와 같은 것을 측정하기 위한 센서 모듈의 제조 방법은
- 임시 캐리어에 금속 캐리어를 제공하는 단계,
- 상기 임시 캐리어 상에 적어도 간접적으로, 특히 직접 적어도 하나의 집적 회로를 배치하는 단계,
- 임시 캐리어 상에 적어도 간접적으로 적어도 하나의 마이크로-전기 기계 부재를 배치하는 단계,
- 적어도 마이크로-전기 기계 부재가 바람직하게 와이어 본딩을 이용하여 금속 캐리어의 접촉면과 접촉하는 단계,
- 적어도 집적 회로 및/또는 마이크로-전기 기계 부재 및/또는 특히 와이어 본딩을 인케이싱하는 단계, 및
- 적어도 제 1 집적 회로가 적어도 하나의 리와이어링 층을 이용하여 특히 접촉면과 접촉하는 단계를 포함한다.
특히 청구범위 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되는 센서 모듈은,
- 특히 금속 캐리어의 적어도 하나의 접촉면,
- 적어도 하나의 집적 회로,
- 적어도 하나의 마이크로-전기 기계 부재,
- 마이크로-전기 기계 부재와 적어도 하나의 접촉면의 전기 접촉을 위한 특히 와이어 본딩 형태의 접촉부,
- 집적 회로와 적어도 하나의 접촉면의 접촉을 위한 리와이어링 층을 포함하고, 특히 마이크로-전기 기계 부재는 집적 회로 상에 배치된다.
청구범위 제 1 항에 규정된, 가속, 압력 또는 자기장 및 그와 같은 것을 측정하기 위한 센서 모듈의 제조 방법 및 청구범위 제 9 항에 따른 해당 센서 모듈은, 센서 모듈의 제조 시, 특히 다양한 집적 회로와 마이크로-전기 기계 부재들의 배치 시 현저히 높아진 융통성을 가능하게 하는 장점을 갖는다. 따라서 예컨대 소위 칩-스태킹(chip stacking)도 간단하게 가능한데, 그 이유는 이를 위해 관통 접속 또는 이와 유사한 것이 필요하지 않기 때문이다. 접촉면, 소위 랜드, 즉 리드 프레임이라고도 하는 금속 캐리어를 사용함으로써 예컨대 집적 회로 또는 마이크로-전기 기계 부재의 납땜을 위한 두꺼운 구리면도 가능하다. 이것은 각각의 땜납 연결부와 전체적인 센서 모듈의 신뢰성을 현저히 높인다.
예컨대 다음 프린트 회로기판에 대한 접촉면의 접촉은 공지된 표준화된 납땜 방법 또는 접착 방법에 의해 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 바람직한 개선예에 따라, 마이크로-전기 기계 부재는 집적 회로 상에 배치된다. 이 경우 바람직하게, 마이크로-전기 기계 부재의 간단하고 저렴한 고정이 가능해진다. 동시에 집적 회로 및/또는 마이크로-전기 기계 부재를 임시 캐리어에 배치하기 위한 필요 공간이 감소한다.
본 발명의 다른 바람직한 개선예에 따라, 분사, 갈바니 전기 또는 플라즈마 지지식 파우더 쉘링(shelling)에 의한 리와이어링 층이 제조된다. 이 경우 바람직하게, 간단하고 저렴한 방법이 이용될 수 있으므로, 리와이어링 층에 의한 접촉의 신뢰성이 증가된다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따라, 사출 성형, 바람직하게 트랜스퍼 성형 또는 쉬트 성형에 의한 인케이싱이 이루어진다. 이 경우 바람직하게, 간단하고 저렴하며 입증된 인케이싱 방법, 즉 하우징 또는 캡슐화 방법이 이용될 수 있으므로, 센서 모듈은 간단하고 안전하게 제조될 수 있다.
본 발명의 다른 바람직한 개선예에 따라, 금속 캐리어는 한 측면만 접착되는 적어도 하나의 포일에 임시로 장착된다. 이 경우 바람직하게, 추가의 영구 캐리어 베이스가 사용되지 않아도 되며, 따라서 재료 및 비용이 절약될 수 있다. 또한, 포일은 다시 간단하고 잔류물 없이 제거될 수 있으므로, 금속 캐리어를 복잡하게 재가공하기 위한 단계들이 생략된다. 또한, 잔류물이 남는 경우에는 정화 단계를 실시할 수 있다.
본 발명의 다른 바람직한 개선예에 따라, 금속 리드 프레임에 다수의 센서 모듈들이 배치된다. 이 경우 바람직하게, 연속적으로 신속하게 다수의 센서 모듈들이 제조될 수 있으며, 이는 개별 센서 모듈의 제조 비용을 현저히 감소시킨다.
본 발명의 다른 바람직한 개선예에 따라, 센서 모듈은 특히 소잉(sawing)에 의해 분리된다. 이 경우 바람직하게, 상기 센서 모듈들은 간단하고 신속하게 분리될 수 있으며, 후속 가공을 위해 직접 그리고 차량 내에 장착하기 위해 더 신속하게 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예들이 도면에 도시되고 하기에 설명된다.
도 1 내지 도 7은 본 발명의 제 1 실시예(도 5a) 및 제 2 실시예(도 5b)에 따른 센서 모듈의 제조 단계를 도시한 도면.
도 8은 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 센서 모듈의 상이한 실시예를 가진 금속 캐리어를 도시한 도면.
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 센서 모듈을 도시한 도면.
도면에서 동일한 또는 동일한 기능을 하는 부재들은 달리 설명되지 않는 한 동일한 도면 부호를 갖는다.
도 1 내지 도 7은 본 발명의 제 1 실시예(도 5a) 및 제 2 실시예(도 5b)에 따른 센서 모듈의 제조 단계들을 도시한다.
도 1에는 금속 캐리어 리드 프레임 또는 소위 리드 프레임(2)이 도시되고, 상기 리드 프레임은 접촉면, 소위 랜드(1)와 함께 예비 구조화된다. 좌측에서 우측으로 나란히 배치된 소위 4개의 반복 영역들(N)이 도시되고, 상기 반복 영역들은 각각 다수의 랜드(1)를 포함한다. 각각의 반복 영역(N)에 의해 하나 또는 다수의 센서 모듈(M)이 형성될 수 있다. 도 8에 따른 분리 후에 랜드(1)를 가진 다수의 금속 캐리어 프레임(2)과 해당하는 집적 회로(3a) 및 마이크로-전기 기계 부재들(3b) 등을 가진 센서 모듈(M;도 8 및 도 9 참조)이 제공된다.
하기에서 도 2 내지 도 7 및 도 9에 따른 개별 센서 모듈(M)의 제조가 설명된다.
도 2에는 접착 포일(K)이 도시되고, 상기 포일은 리드 프레임(2)을 접착하기 위해 한 면만 접착층을 갖거나 또는 추가로 캐리어 베이스(T)에 연결될 수 있도록 두 개의 면이 접착식으로 형성될 수 있다. 분리 가능한 이러한 접착 포일(K)은 자체가 임시 캐리어로서 사용되고, 캐리어 베이스(T)가 배치되지 않는다. 캐리어 베이스(T)가 사용되면, 접착 포일(K)은 캐리어 베이스(T)에도 분리 가능하게 배치된다. 센서 모듈(M)의 제조를 위해 예비 구조화된, 랜드(1)를 가진 금속 캐리어 프레임(2)은 접착 포일(K)의 접착층 상에 장착된다(도 3). 이 경우 접착 포일(K)도 집적 금속 캐리어 프레임(2) 상에 적층될 수 있다.
도 4 내지 도 9에는 더 이상 도시되지 않은 캐리어(T) 또는 캐리어 베이스(T)를 포함하지 않는 센서 모듈(M)의 제조가 도시된다. 접착 포일(K)의 접착면에 배치된 랜드들(1) 사이에 액티브 면(A1)을 포함하는 집적 회로(3a)가 배치된다. 상기 집적 회로(3a)의 상측면에 특히 접착 필름 형태, 페이스트 형태 또는 그와 같은 형태의 접착 연결부(5)에 의해 액티브 면(A2)을 포함하는 마이크로-전기 기계 부재(3b)가 배치된다. 2개의 액티브 면(A1,A2)은 각각의 집적 회로(3a) 또는 마이크로-전기 기계 부재(3b)의 (도시되지 않은) 접촉을 위한 적절한 접속부를 포함한다. 후속해서 접착 연결부(5)는 적절하게 경화된다.
물론, 마이크로-전기 기계식 부재(3b) 대신에 다른 집적 회로가 배치될 수도 있다.
도 5a에는 도 4와 달리, 마이크로-전기 기계 부재(3b)가 접착 연결부(5)에 의해 집적 회로(3a)에 간접 배치되는 것이 아니라, 2개의 랜드(1) 사이의 접착 포일(K) 상에 별도로 배치된다. 마이크로-전기 기계 부재(3b)의 액티브 면(A2)은 와이어 본딩(6)에 의해 랜드(1)에 전기 접속된다. 집적 회로(3a)의 액티브 면(A1)은 접착 포일(K) 상에 배치된다. 도 5b는 집적 회로(3a) 및 마이크로-전기 기계 부재(3b)가 도 4에 따라 상하로 구성된 것을 도시하고, 이 경우 추가로 액티브 면(A2), 정확히는 마이크로-전기 기계 부재(3b)의 액티브 면의 접속부는 와이어 본딩(6)에 의해 전기 접촉을 위해 랜드(1)에 접속된다.
도 6은 인케이싱 후에 도 5b에 따른 유사한 구성을 도시하고, 즉 적어도 하나의 랜드(1), 집적 회로(3a), 마이크로-전기 기계 부재(3b) 및 와이어 본딩(6)이 하우징(7) 내에 배치된다. 접착 포일(K)의 상측면은, 즉 랜드(1), 집적 회로(3a) 등이 배치된 측면에서 하우징(7)에 분리 가능하게 연결된다.
도 7에는 도 6에 따른 배치에서 접착 포일(K)의 제거를 도시한다. 랜드(1) 또는 하우징(7)의 하측면에 배치된 접착 포일(K)은 이를 위해 방향(R)으로 간단하게 제거된다. 접착 포일(K)의 제거를 용이하게 하기 위해, 접착 포일(K)의 제거는 경우에 따라서 높은 온도에서 이루어질 수 있다. 하우징(7) 또는 랜드(1)의 하측면에서 이렇게 분리된 면은 필요한 경우에 세척될 수 있고, 경우에 따라서 플라즈마에 의해 액티브화될 수 있다. 마지막 단계에서, 액티브 면(A1), 더 정확히는 상기 액티브 면의 접속부들이 랜드(1)에 적절하게 전기 접속하기 위해, 리와이어링 층(8;도 9 참조)이 랜드(1)의 하측면 또는 집적 회로(3a)의 액티브 면(A1)에 제공될 수 있다. 또한, 특히 QFN(Quad-Flat No Leads)와 함께 사용하기 위해 랜드(1)에는 다른 콘택, 예컨대 프린트 회로기판과 랜드(1)의 접촉을 위한 땜납 볼 또는 접착점(9)이 구현될 수 있다.
도 8에는 장착된 집적 회로 및 마이크로-전기 기계 부재들(3a1-3a6)을 가진, 도 1에 따른 금속 캐리어 리드 프레임(2)을 도시한다. 반복 영역(N)에 상이한 집적 회로들이 배치될 수 있고, 따라서 랜드(1)와 리와이어링 층(8)이 다양하게 접촉할 수 있다. 즉, 2개의 외부 반복 영역들에, 즉 도 8에 따라 좌측과 우측 외부에 2개의 상이한 집적 회로들(3a1, 3a2)이 배치되고, 상기 회로들은 리와이어링 층(8)에 의해 상이한 랜드(1)에 전기 접속된다. 도 8에 따라 좌측에 도시된 제 3 반복 영역에는 하나의 집적 회로(3a4)만 도시되고, 상기 회로는 리와이어링 층(8)에 의해 다양한 랜드(1)에 접속된다.
또한, 2개의 수평 방향으로 인접한 도 8의 반복 영역들(N) 사이에 파선으로 도시된, 수직 라인(L1)이 도시된다. 상기 라인(L1)을 따라 반복 영역들(N)이 서로 분리된다. 후속해서 다시 반복 영역들(N)이 소잉됨으로써, 개별 센서 모듈(M)이 서로 분리되므로, 집적 회로(3a1-3a6)와 여기에 접속된 랜드(1)는 하나 또는 다수의 센서 모듈(M)을 형성한다. 즉 도 8에 따른 좌측의 제 2 반복 영역(N)은 예컨대 수직 라인(L2)을 따라 소잉될 수 있으므로, 실질적으로 각각 집적 회로(3a3)을 가진 2개의 동일한 센서 모듈들(M1, M2)이 형성된다.
종합하면, 다수의 집적 회로를 하나의 반복 영역에 배치하는 것이 가능하고, 상기 반복 영역은 캐리어 리드 프레임으로부터 각각의 반복 영역을 분리한 후에, 다시 한 번 하나 또는 다수의 센서 모듈(M)로 분리될 수 있다. 물론, 하나의 반복 영역은 수평 또는 각각의 적합한 다른 방향으로 소잉에 의해 분리될 수 있다.
후속해서 각각의 센서 모듈(M)은 적절한 기능과 관련해서 테스트될 수 있다.
본 발명이 앞에서 바람직한 실시예들을 참고로 기술되지만, 상기 실시예들에 제한되는 것이 아니라 다양하게 변형될 수 있다.
M 센서 모듈
K 임시 캐리어
1 접촉면
2 캐리어
3a 회로
6 와이어 본딩
7 인케이싱

Claims (9)

  1. 가속, 압력 또는 자기장 및 그와 같은 것을 측정하기 위한 센서 모듈(M)의 제조 방법으로,
    - 임시 캐리어(K)에 금속 캐리어(2)를 제공하는 단계,
    - 상기 임시 캐리어(K) 상에 적어도 간접적으로 적어도 하나의 집적 회로(3a)를 배치하는 단계,
    - 상기 임시 캐리어(K) 상에 적어도 간접적으로 적어도 하나의 마이크로-전기 기계 부재(3b)를 배치하는 단계,
    - 적어도 하나의 마이크로-전기 기계 부재(3b)를 상기 금속 캐리어(2)의 접촉면(1)과 접촉하는 단계,
    - 적어도 하나의 집적 회로(3a) 및 상기 마이크로-전기 기계 부재(3b) 중 적어도 하나를 인케이싱(7)하는 단계, 및
    - 적어도 상기 집적 회로(3a)를 적어도 하나의 리와이어링 층(8)을 이용하여 접촉면(1)과 접촉하는 단계,를 포함하는 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 마이크로-전기 기계 부재(3b)는 상기 집적 회로(3a) 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 리와이어링 층(8)은 분사에 의해, 갈바니 전기 지지식 또는 플라즈마 지지식 파우더 쉘링(shelling)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 인케이싱(7)은 사출 성형에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 임시 캐리어(K)는 적어도 한 측면이 접착성이며 분리 가능한 포일(K)인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 다수의 센서 모듈(M)이 하나의 금속 캐리어-리드 프레임(2) 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 센서 모듈들(M)은 소잉에 의해 분리되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 마이크로-전기 기계 부재(3b)를 상기 금속 캐리어(2)의 접촉면(1)과 접촉하는 단계는 와이어 본딩(6)에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되는 센서 모듈(M)로서,
    - 금속 캐리어(2)의 적어도 하나의 접촉면(1),
    - 적어도 하나의 집적 회로(3a),
    - 적어도 하나의 마이크로-전기 기계 부재(3b),
    - 상기 마이크로-전기 기계 부재(3b)와 적어도 하나의 접촉면(1)의 전기 접촉을 위한 와이어 본딩(6) 형태의 접촉부, 및
    - 상기 집적 회로(3a)와 적어도 하나의 접촉면(1)의 접촉을 위한 리와이어링 층(8)을 포함하고, 상기 마이크로-전기 기계 부재(3b)는 상기 집적 회로(3a) 상에 배치되는 센서 모듈.
KR1020110066837A 2010-07-07 2011-07-06 센서 모듈 및 센서 모듈의 제조 방법 KR101864577B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010031055.7A DE102010031055B4 (de) 2010-07-07 2010-07-07 Sensormodul und Verfahren zum Herstellen eines Sensormoduls
DE102010031055.7 2010-07-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120004936A KR20120004936A (ko) 2012-01-13
KR101864577B1 true KR101864577B1 (ko) 2018-07-13

Family

ID=45372589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110066837A KR101864577B1 (ko) 2010-07-07 2011-07-06 센서 모듈 및 센서 모듈의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101864577B1 (ko)
DE (1) DE102010031055B4 (ko)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1222252A (zh) * 1996-04-18 1999-07-07 德塞拉股份有限公司 制造半导体封装的方法
WO2001036320A2 (en) * 1999-11-15 2001-05-25 Amkor Technology, Inc. Micromachine package
US20010005044A1 (en) * 1996-04-18 2001-06-28 Joseph Fjelstad Microelectronic assemblies having exposed conductive terminals and methods therefor
KR20050085817A (ko) * 2002-12-19 2005-08-29 지멘스 악티엔게젤샤프트 특히 자동차의 루프 영역 또는 외부 리어뷰 미러에장착되는 이미지생성장치
WO2007012992A1 (en) * 2005-07-28 2007-02-01 Nxp B.V. A package and manufacturing method for a microelectronic component
JP2007142372A (ja) * 2005-10-17 2007-06-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 微小電気機械式装置及び半導体装置、並びにそれらの作製方法
JP2007260866A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
WO2009073290A2 (en) * 2007-11-28 2009-06-11 Analog Devices, Inc. Molded sensor package and assembly method

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3481444B2 (ja) 1998-01-14 2003-12-22 シャープ株式会社 半導体装置及びその製造方法
DE10162676B4 (de) 2001-12-19 2005-06-02 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip und einer Umverdrahtungsplatte und Systemträger für mehrere elektronische Bauteile sowie Verfahren zur Herstellung derselben
DE102007024390A1 (de) 2006-11-16 2008-05-21 Robert Bosch Gmbh LED-Modul mit integrierter Ansteuerung
US8183677B2 (en) 2008-11-26 2012-05-22 Infineon Technologies Ag Device including a semiconductor chip

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1222252A (zh) * 1996-04-18 1999-07-07 德塞拉股份有限公司 制造半导体封装的方法
US20010005044A1 (en) * 1996-04-18 2001-06-28 Joseph Fjelstad Microelectronic assemblies having exposed conductive terminals and methods therefor
WO2001036320A2 (en) * 1999-11-15 2001-05-25 Amkor Technology, Inc. Micromachine package
KR20050085817A (ko) * 2002-12-19 2005-08-29 지멘스 악티엔게젤샤프트 특히 자동차의 루프 영역 또는 외부 리어뷰 미러에장착되는 이미지생성장치
WO2007012992A1 (en) * 2005-07-28 2007-02-01 Nxp B.V. A package and manufacturing method for a microelectronic component
JP2007142372A (ja) * 2005-10-17 2007-06-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 微小電気機械式装置及び半導体装置、並びにそれらの作製方法
JP2007260866A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
WO2009073290A2 (en) * 2007-11-28 2009-06-11 Analog Devices, Inc. Molded sensor package and assembly method

Also Published As

Publication number Publication date
CN102372248A (zh) 2012-03-14
KR20120004936A (ko) 2012-01-13
DE102010031055A1 (de) 2012-01-12
DE102010031055B4 (de) 2023-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10867979B2 (en) Circuit mounting structure and lead frame for system in package (SIP) devices
JP5524322B2 (ja) 高密度コンタクトを有するリードレス集積回路パッケージ及びその製造方法
US20150340305A1 (en) Stacked die package with redistribution layer
EP2733727B1 (en) Packaging method of quad flat non-leaded package
US9472528B2 (en) Integrated electronic package and method of fabrication
US9698083B2 (en) Three-dimensional stack of leaded package and electronic member
KR20180002812A (ko) 리드 캐리어 구조, 그리고 이로부터 다이 부착 패드들 없이 형성되는 패키지들
US9645163B2 (en) Sensor with a single electrical carrier means
US8759988B2 (en) Method for producing semiconductor components, and corresponding semiconductor component
EP1636840B1 (en) Micro lead frame substrate and method for its manufacture
US20170221849A1 (en) Encapsulated electronic device mounted on a redistribution layer
KR101864577B1 (ko) 센서 모듈 및 센서 모듈의 제조 방법
KR101300572B1 (ko) 마이크로-전자 기계적 시스템을 갖는 반도체 패키지
JP2007227596A (ja) 半導体モジュール及びその製造方法
CN103208467B (zh) 内嵌封装体的封装模块及其制造方法
CN116097400A (zh) 具有堆叠无源部件的多层半导体封装件
US20150028463A1 (en) Integrated Passives Package, Semiconductor Module and Method of Manufacturing
US11710684B2 (en) Package with separate substrate sections
US11502042B2 (en) Processing of one or more carrier bodies and electronic components by multiple alignment
CN112789238A (zh) 用于制造mems传感器的方法
JP2010238994A (ja) 半導体モジュールおよびその製造方法
US11257803B2 (en) System in a package connectors
CN103208476B (zh) 内嵌封装体的封装模块及其制造方法
KR20020028473A (ko) 적층 패키지
KR20050059791A (ko) 적층패키지의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal