KR101857148B1 - 신규한 가교제를 포함하는 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 유기막 - Google Patents

신규한 가교제를 포함하는 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 유기막 Download PDF

Info

Publication number
KR101857148B1
KR101857148B1 KR1020150159097A KR20150159097A KR101857148B1 KR 101857148 B1 KR101857148 B1 KR 101857148B1 KR 1020150159097 A KR1020150159097 A KR 1020150159097A KR 20150159097 A KR20150159097 A KR 20150159097A KR 101857148 B1 KR101857148 B1 KR 101857148B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
formula
resin composition
photosensitive resin
group
unsubstituted
Prior art date
Application number
KR1020150159097A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170055826A (ko
Inventor
김상수
강진희
강희경
김찬우
이범진
조성서
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020150159097A priority Critical patent/KR101857148B1/ko
Publication of KR20170055826A publication Critical patent/KR20170055826A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101857148B1 publication Critical patent/KR101857148B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/085—Photosensitive compositions characterised by adhesion-promoting non-macromolecular additives

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

알칼리 가용성 수지, 하기 화학식 1로 표시되는 가교제, 광중합 개시제 및 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물 및 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조되는 유기막을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112015110446758-pat00072

(상기 화학식 1에서, 각 치환기는 명세서에 정의된 바와 같다.)

Description

신규한 가교제를 포함하는 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 유기막 {THE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION INCLUDED NOVEL CROSS-LINKING AGENT, AND ORGANIC FILM USING THE SAME}
본 기재는 신규한 가교제를 포함하는 감광성 수지 조성물 및 상기 조성물을 이용하여 제조한 유기막에 관한 것이다.
반도체 소자의 보호막, 층간 절연막 또는 디스플레이 절연층 등으로 사용되는 유기막은 패턴 형성성을 가지게 하여 공정 수를 줄일 수 있다. 그리고, 상기 유기막을 구성하는 포지티브형 또는 네거티브형 재료의 경우, UV 노광을 통해 빛을 받은 부분에서 화학변화를 하여 알칼리 용액의 현상성의 변화를 주어, 포지티브형은 노광부가 현상이 되며 네거티브형은 비노광부가 현상이 된다. 그 후 막을 견고하게 위해 경화를 한다.
상기 유기막을 구성하는 포지티브형 또는 네거티브형 재료는 아크릴 관능기를 갖는 가교제를 사용하여 패터닝을 하는 경우가 많으나, 이 경우 내열성 및 접착력이 떨어지는 문제가 있었다.
이에, 내열성 및 접착력 등이 우수한 가교제 및 이를 포함하는 감광성 수지 조성물을 개발하려는 노력이 계속되고 있다.
일 구현예는 신규한 가교제를 포함하여, 감도, 접착력, 열적 특성 등이 우수한 감광성 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.
다른 일 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조되는 유기막을 제공하기 위한 것이다.
일 구현예는 알칼리 가용성 수지, 하기 화학식 1로 표시되는 가교제, 광중합 개시제 및 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112015110446758-pat00001
상기 화학식 1에서,
L1은 2가 내지 4가의 치환 또는 비치환된 사슬형 유기기이고,
L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기를 포함하고,
n은 2 내지 4의 정수이다.
상기 L1은 질소 원자, 산소 원자 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 L1은 2가의 치환 또는 비치환된 사슬형 유기기이고, 하기 화학식 1-1로 표시되는 연결기, 화학식 1-2로 표시되는 연결기 또는 이들의 조합을 포함하고, n은 2의 정수일 수 있다.
[화학식 1-1]
Figure 112015110446758-pat00002
[화학식 1-2]
Figure 112015110446758-pat00003
상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서,
L2 내지 L5는 각각 독립적으로 단일결합 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이다.
상기 L1은 3가의 치환 또는 비치환된 사슬형 유기기이고, 하기 화학식 1-3으로 표시되는 연결기, 화학식 1-4로 표시되는 연결기 또는 이들의 조합을 포함하고, n은 3의 정수일 수 있다.
[화학식 1-3]
Figure 112015110446758-pat00004
[화학식 1-4]
Figure 112015110446758-pat00005
상기 화학식 1-3 및 화학식 1-4에서,
L6 내지 L11은 각각 독립적으로 단일결합 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이고,
m은 1 내지 10의 정수이다.
상기 L1이 3가의 치환 또는 비치환된 사슬형 유기기인 경우, 상기 L1은 상기 화학식 1-1로 표시되는 연결기, 하기 화학식 1-5로 표시되는 연결기 또는 이들의 조합을 더 포함할 수 있다.
[화학식 1-5]
Figure 112015110446758-pat00006
상기 화학식 1-5에서,
p는 1 내지 30의 정수이다.
상기 L1은 4가의 치환 또는 비치환된 사슬형 유기기이고, 하기 화학식 1-6으로 표시되는 연결기, 화학식 1-7로 표시되는 연결기 또는 이들의 조합을 포함하고, n은 4의 정수일 수 있다.
[화학식 1-6]
Figure 112015110446758-pat00007
[화학식 1-7]
Figure 112015110446758-pat00008
상기 화학식 1-6 및 화학식 1-7에서,
L12 내지 L20은 각각 독립적으로 단일결합 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이다.
상기 L1이 4가의 치환 또는 비치환된 사슬형 유기기인 경우, 상기 L1은 상기 화학식 1-1로 표시되는 연결기, 상기 화학식 1-5로 표시되는 연결기 또는 이들의 조합을 더 포함할 수 있다.
상기 L1은 하기 화학식 2 내지 화학식 7로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112015110446758-pat00009
[화학식 3]
Figure 112015110446758-pat00010
[화학식 4]
Figure 112015110446758-pat00011
[화학식 5]
Figure 112015110446758-pat00012
[화학식 6]
Figure 112015110446758-pat00013
[화학식 7]
Figure 112015110446758-pat00014
상기 화학식 2 내지 화학식 7에서,
La 내지 Lx 및 L21 내지 L37은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5 알킬렌기이고,
m은 1 내지 10의 정수이고,
q1 내지 q12는 각각 독립적으로 1 내지 30의 정수이다.
상기 감광성 수지 조성물은, 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대해, 상기 가교제 20 중량부 내지 70 중량부, 상기 광중합 개시제 1 중량부 내지 40 중량부 및 상기 용매 130 중량부 내지 2,000 중량부를 포함할 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물은 120℃ 내지 250℃에서 분해되는 열산발생제를 더 포함할 수 있다.
상기 열산발생제는 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대해 1 중량부 내지 40 중량부로 포함될 수 있다.
상기 알칼리 가용성 수지는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리벤조옥사졸/폴리벤조옥사졸 전구체 하이브리드, 폴리이미드 전구체, 폴리이미드/폴리이미드 전구체 하이브리드, 노볼락 수지, 비스페놀 A 수지, 비스페놀 F 수지, 아크릴계 수지, 실록산계 수지 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물은 아닐린 블랙, 페릴렌 블랙, 티타늄 블랙, 시아닌 블랙, 리그닌 블랙, 락탐계 유기 블랙, RGB 블랙, 카본블랙 또는 이들의 조합인 흑색안료를 포함할 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물은 말론산, 3-아미노-1,2-프로판디올, 레벨링제, 계면활성제, 라디칼 중합개시제 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물은 포지티브형 또는 네거티브형 감광성 수지 조성물일 수 있다.
다른 일 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조되는 유기막을 제공한다.
기타 본 발명의 측면들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 열적 특성이 우수한 가교제를 포함한다. 따라서, 상기 감광성 수지 조성물을 이용하면 감도, 접착력 및 열적 특성이 우수한 유기막을 제공할 수 있다.
도 1은 실시예 1에 따른 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조한 유기막의 필-오프 테스트 사진이다.
도 2 및 3은 각각 독립적으로 비교예 1 및 비교예 2에 따른 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조한 유기막의 필-오프 테스트 사진이다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 　다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.　
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "알킬기"란 C1 내지 C20 알킬기를 의미하고, "알케닐기"란 C2 내지 C20 알케닐기를　의미하고, "사이클로알케닐기"란 C3 내지 C20 사이클로알케닐기를　의미하고, "헤테로사이클로알케닐기"란 C3 내지 C20 헤테로사이클로알케닐기를 의미하고, "아릴기"란 C6 내지 C20 아릴기를 의미하고, "아릴알킬기"란 C6 내지 C20 아릴알킬기를 의미하며, "알킬렌기"란 C1 내지 C20 알킬렌기를　의미하고, "아릴렌기"란 C6 내지 C20 아릴렌기를 의미하고,　"알킬아릴렌기"란 C6 내지 C20 알킬아릴렌기를 의미하고, "헤테로아릴렌기"란 C3 내지 C20 헤테로아릴렌기를 의미하고, "알콕실렌기"란 C1 내지 C20 알콕실렌기를 의미한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "치환"이란 적어도 하나의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Cl, Br, I), 히드록시기, C1 내지 C20 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아민기, 이미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기(예컨대, *-O(C=O)CH3 등), 에테르기, 카르복실기 또는 그것의 염, 술폰산기 또는 그것의 염, 인산이나 그것의 염, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C20 아릴기, C3 내지 C20 사이클로알킬기, C3 내지 C20 사이클로알케닐기, C3 내지 C20 사이클로알키닐기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알케닐기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알키닐기, C2 내지 C20 헤테로아릴기 또는 이들의 조합의 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "헤테로"란, 화학식 내에 N, O, S 및 P 중 적어도 하나의 헤테로 원자가 적어도 하나 포함된 것을 의미한다.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "(메타)아크릴레이트"는 "아크릴레이트"와 "메타크릴레이트" 둘 다 가능함을 의미하며, "(메타)아크릴산"은 "아크릴산"과 "메타크릴산" 둘 다 가능함을 의미한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "조합"이란 혼합 또는 공중합을 의미한다.
본 명세서 내 화학식에서 별도의 정의가 없는 한, 화학 결합이 그려져야 하는 위치에 화학결합이 그려져 있지 않은 경우는 상기 위치에 수소 원자가 결합되어 있음을 의미한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, 사슬형 유기기란, 벤젠 고리같은 고리 화합물을 포함하지 않는 유기기를 의미한다.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "*"는 동일하거나 상이한 원자 또는 화학식과 연결되는 부분을 의미한다.
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 알칼리 가용성 수지, 하기 화학식 1로 표시되는 가교제, 광중합 개시제 및 용매를 포함한다.
이하, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물의 각 구성 성분에 대해 자세히 설명한다.
알칼리 가용성 수지
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 알칼리 가용성 수지를 포함한다. 상기 알칼리 가용성 수지는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리벤조옥사졸/폴리벤조옥사졸 전구체 하이브리드, 폴리이미드 전구체, 폴리이미드/폴리이미드 전구체 하이브리드, 노볼락 수지, 비스페놀 A 수지, 비스페놀 F 수지, 아크릴계 수지, 실록산계 수지 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 하기 화학식 8로 표시되는 구조 단위를 포함할 수 있고, 상기 폴리이미드 전구체는 하기 화학식 9로 표시되는 구조 단위를 포함할 수 있다.
[화학식 8]
Figure 112015110446758-pat00015
상기 화학식 8에서,
X1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기일 수 있고,
Y1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기 또는 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기일 수 있다.
[화학식 9]
Figure 112015110446758-pat00016
상기 화학식 9에서,
X2는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기 또는 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기일 수 있고,
Y2는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 4가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기 또는 치환 또는 비치환된 4가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기일 수 있다.
상기 화학식 8에서, 상기 X1은 방향족 유기기로서 방향족 디아민으로부터 유도되는 잔기일 수 있다.
상기 방향족 디아민의 예로는 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시비페닐, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)프로판, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)술폰, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)술폰, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판 및 2-(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판으로부터 선택되는 적어도 하나를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 X1의 예로는 하기 화학식 10 또는 하기 화학식 11로 표시되는 작용기를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 10]
Figure 112015110446758-pat00017
[화학식 11]
Figure 112015110446758-pat00018
상기 화학식 10 및 화학식 11에서,
A1은 단일결합, O, CO, CR47R48, SO2 또는 S 일 수 있고, 상기 R47 및 R48은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이고, 구체적으로는 C1 내지 C30 플루오로알킬기일 수 있고,
R50 내지 R52는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르복실기, 히드록시기 또는 티올기일 수 있고,
n10은 0 내지 2의 정수일 수 있고, n11 및 n12는 각각 0 내지 3의 정수일 수 있다.
상기 화학식 8에서, Y1은 방향족 유기기, 2가 내지 6가의 지방족 유기기 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기로서, 디카르복시산의 잔기 또는 디카르복시산 유도체의 잔기일 수 있다. 구체적으로는 Y1은 방향족 유기기 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기일 수 있다.
상기 디카르복시산 유도체의 구체적인 예로는 4,4'-옥시디벤조일클로라이드, 디페닐옥시디카르보닐디클로라이드, 비스(페닐카르보닐클로라이드)술폰, 비스(페닐카르보닐클로라이드)에테르, 비스(페닐카르보닐클로라이드)페논, 프탈로일디클로라이드, 테레프탈로일디클로라이드, 이소프탈로일디클로라이드, 디카르보닐디클로라이드, 디페닐옥시디카르복실레이트디벤조트리아졸 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 Y1의 예로는 하기 화학식 12 내지 하기 화학식 14로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 표시되는 작용기를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 12]
Figure 112015110446758-pat00019
[화학식 13]
Figure 112015110446758-pat00020
[화학식 14]
Figure 112015110446758-pat00021
상기 화학식 12 내지 화학식 14에서,
R53 내지 R56은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기일 수 있고,
n13 및 n14는 각각 0 내지 4의 정수일 수 있고, n15 및 n16은 각각 0 내지 3의 정수일 수 있고,
A2는 단일결합, O, CR47R48, CO, CONH, S 또는 SO2일 수 있고, 상기 R47　및 R48은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기일 수 있고, 구체적으로는 C1 내지 C30 플루오로알킬기일 수 있다.
상기 화학식 9에서, X2는 방향족 유기기, 2가 내지 6가의 지방족 유기기 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기이다. 구체적으로는 X2는 방향족 유기기 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기일 수 있다.
구체적으로는 상기 X2는 방향족 디아민, 지환족 디아민 또는 실리콘 디아민으로부터 유도되는 잔기일 수 있다. 　이때, 상기 방향족 디아민, 지환족 디아민 및 실리콘 디아민은 단독으로 또는 이들을 1종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 방향족 디아민의 예로는 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 벤지딘, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 1,5-나프탈렌디아민, 2,6-나프탈렌디아민, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스(3-아미노페녹시페닐)술폰, 비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 이들의 방향족 고리에 알킬기나 할로겐 원자가 치환된 화합물 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 지환족 디아민의 예로는 1,2-시클로헥실 디아민, 1,3-시클로헥실 디아민 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 실리콘 디아민의 예로는 비스(4-아미노페닐)디메틸실란, 비스(4-아미노페닐)테트라메틸실록산, 비스(p-아미노페닐)테트라메틸디실록산, 비스(γ-아미노프로필)테트라메틸디실록산, 1,4-비스(γ-아미노프로필디메틸실릴)벤젠, 비스(4-아미노부틸)테트라메틸디실록산, 비스(γ-아미노프로필)테트라페닐디실록산, 1,3-비스(아미노프로필)테트라메틸디실록산 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 9에서, Y2는 방향족 유기기, 4가 내지 6가의 지방족 유기기 또는 4가 내지 6가의 지환족 유기기이다. 구체적으로는 Y2는 방향족 유기기 또는 4가 내지 6가의 지환족 유기기일 수 있다.
상기 Y2는 방향족 산이무수물 또는 지환족 산이무수물로부터 유도된 잔기일 수 있다. 이때, 상기 방향족 산이무수물 및 상기 지환족 산이무수물은 단독으로 또는 이들을 1종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 방향족 산이무수물의 예로는 피로멜리트산 이무수물(pyromellitic dianhydride); 벤조페논-3,3',4,4'-테트라카르복실산 이무수물(benzophenone-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride)과 같은 벤조페논 테트라카르복실산 이무수물(benzophenone tetracarboxylic dianhydride); 4,4'-옥시디프탈산 이무수물(4,4'-oxydiphthalic dianhydride)과 같은 옥시디프탈산 이무수물(oxydiphthalic dianhydride); 3,3',4,4'-비프탈산 이무수물(3,3',4,4'-biphthalic dianhydride)과 같은 비프탈산 이무수물(biphthalic dianhydride); 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 이무수물(4,4'-(hexafluoroisopropyledene)diphthalic dianhydride)과 같은 (헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 이무수물((hexafluoroisopropyledene)diphthalic dianhydride); 나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 이무수물(naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride); 3,4,9,10-퍼릴렌테트라카르복실산 이무수물(3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 지환족 산이무수물의 예로는 1,2,3,4-사이클로부탄테트라카르복실산 이무수물(1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride), 1,2,3,4-사이클로펜탄테트라카르복실산 이무수물(1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride), 5-(2,5-디옥소테트라하이드로퓨릴)-3-메틸-사이클로헥산-1,2-디카르복실산 이무수물(5-(2,5-dioxotetrahydrofuryl)-3-methyl-cyclohexane-1,2-dicarboxylic anhydride), 4-(2,5-디옥소테트라하이드로퓨란-3-일)-테트랄린-1,2-디카르복실산 이무수물(4-(2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl)-tetralin-1,2-dicarboxylic anhydride), 　바이사이클로옥텐-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물(bicyclooctene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride), 바이사이클로옥텐-1,2,4,5-테트라카르복실산 이무수물(bicyclooctene-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride)를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 알칼리 가용성 수지는 3,000 g/mol 내지 300,000 g/mol, 예컨대 3,000 g/mol 내지 100,000 g/mol, 예컨대 3,000 g/mol 내지 30,000 g/mol, 예컨대 3,000 g/mol 내지 20,000 g/mol의 중량평균 분자량을 가질 수 있다. 상기 알칼리 가용성 수지가 상기 범위의 중량평균분자량(Mw)을 가질 경우, 용매에 대한 용해도가 우수하고, 경화 (curing) 후에 충분한 내화학성을 얻을 수 있으며, 효율적으로 패터닝을 할 수 있다.
가교제
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 가교제를 포함한다. 상기 가교제는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 가교제는 하기 화학식 1로 표시될 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112015110446758-pat00022
상기 화학식 1에서,
L1은 2가 내지 4가의 치환 또는 비치환된 사슬형 유기기이고,
L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기를 포함하고,
n은 2 내지 4의 정수이다.
상기 화학식 1로 표시되는 가교제는 헤테로 원자를 가지는 다관능 말레이미드 구조를 가지므로 접착력이 우수하며, 따라서 우수한 패터닝 재료로 사용할 수 있다. 특히, 일관능 말레이미드 구조가 아닌 다관능 말레이미드 구조를 가짐으로 인해, 패턴 특성 및 내열성을 크게 향상시킬 수 있다.
예컨대, 상기 L1은 질소 원자, 산소 원자 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 L1은 질소 원자 및 산소 원자를 포함할 수 있다.
상기 L1이 질소 원자 및/또는 산소 원자를 포함함으로써, 접착력이 보다 우수한 장점이 있다.
상기 L1이 2가의 치환 또는 비치환된 사슬형 유기기인 경우, 상기 L1은 하기 화학식 1-1로 표시되는 연결기, 하기 화학식 1-2로 표시되는 연결기 또는 이들의 조합을 포함하고, n은 2의 정수일 수 있다.
[화학식 1-1]
Figure 112015110446758-pat00023
[화학식 1-2]
Figure 112015110446758-pat00024
상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서,
L2 내지 L5는 각각 독립적으로 단일결합 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이다.
예컨대, 상기 L1이 2가의 치환 또는 비치환된 사슬형 유기기인 경우, 상기 L1은 하기 화학식 2로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 2]
Figure 112015110446758-pat00025
상기 화학식 2에서,
La 내지 Lk는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5 알킬렌기이고,
q1 내지 q5는 각각 독립적으로 1 내지 30의 정수이다.
상기 L1이 3가의 치환 또는 비치환된 사슬형 유기기인 경우, 상기 L1은 하기 화학식 1-3으로 표시되는 연결기, 하기 화학식 1-4로 표시되는 연결기 또는 이들의 조합을 포함하고, n은 3의 정수일 수 있다.
[화학식 1-3]
Figure 112015110446758-pat00026
[화학식 1-4]
Figure 112015110446758-pat00027
상기 화학식 1-3 및 화학식 1-4에서,
L6 내지 L11은 각각 독립적으로 단일결합 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이고,
m은 1 내지 10의 정수이다.
예컨대, 상기 L1이 3가의 치환 또는 비치환된 사슬형 유기기인 경우, 상기 L1은 상기 화학식 1-1로 표시되는 연결기, 하기 화학식 1-5로 표시되는 연결기 또는 이들의 조합을 더 포함할 수 있다.
[화학식 1-5]
Figure 112015110446758-pat00028
상기 화학식 1-1 및 화학식 1-5에서,
L2 및 L3은 각각 독립적으로 단일결합 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이고,
p는 1 내지 30의 정수이다.
예컨대, 상기 L1이 3가의 치환 또는 비치환된 사슬형 유기기인 경우, 상기 L1은 하기 화학식 3 또는 하기 화학식 4로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 3]
Figure 112015110446758-pat00029
[화학식 4]
Figure 112015110446758-pat00030
상기 화학식 3 및 화학식 4에서,
Ll 내지 Lt는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5 알킬렌기이고,
m은 1 내지 10의 정수이고,
q6 내지 q8은 각각 독립적으로 1 내지 30의 정수이다.
상기 L1이 4가의 치환 또는 비치환된 사슬형 유기기인 경우, 상기 L1은 하기 화학식 1-6으로 표시되는 연결기, 하기 화학식 1-7로 표시되는 연결기 또는 이들의 조합을 포함하고, n은 4의 정수일 수 있다.
[화학식 1-6]
Figure 112015110446758-pat00031
[화학식 1-7]
Figure 112015110446758-pat00032
상기 화학식 1-6 및 화학식 1-7에서,
L12 내지 L20은 각각 독립적으로 단일결합 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이다.
예컨대, 상기 L1이 4가의 치환 또는 비치환된 사슬형 유기기인 경우, 상기 L1은 상기 화학식 1-1로 표시되는 연결기, 상기 화학식 1-5로 표시되는 연결기 또는 이들의 조합을 더 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 L1이 4가의 치환 또는 비치환된 사슬형 유기기인 경우, 상기 L1은 하기 화학식 5, 하기 화학식 6 또는 하기 화학식 7로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 5]
Figure 112015110446758-pat00033
[화학식 6]
Figure 112015110446758-pat00034
[화학식 7]
Figure 112015110446758-pat00035
상기 화학식 5 내지 화학식 7에서,
Lu 내지 Lx 및 L21 내지 L37은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5 알킬렌기이고,
q9 내지 q12는 각각 독립적으로 1 내지 30의 정수이다.
예컨대, 상기 L1은 상기 화학식 2 내지 화학식 7로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 표시될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 가교제는 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대해 20 중량부 내지 70 중량부로 포함될 수 있다. 이 경우, 우수한 패터닝 특성, 내열성 및 접착력을 가질 수 있다.
광중합 개시제
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 광중합 개시제를 포함한다. 상기 광중합 개시제는 아세토페논계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 벤조인계 화합물, 트리아진계 화합물, 옥심계 화합물 등을 사용할 수 있다.
상기 아세토페논계 화합물의 예로는, 2,2'-디에톡시아세토페논, 2,2'-디부톡시아세토페논, 2-히드록시-2-메틸프로피오페논, p-t-부틸트리클로로아세토페논, p-t-부틸디클로로아세토페논, 4-클로로아세토페논, 2,2'-디클로로-4-페녹시아세토페논, 2-메틸-1-(4-(메틸티오)페닐)-2-모폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모폴리노페닐)-부탄-1-온 등을 들 수 있다.
상기 벤조페논계 화합물의 예로는, 벤조페논, 벤조일안식향산, 벤조일안식향산메틸, 4-페닐벤조페논, 히드록시벤조페논, 아크릴화벤조페논, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4'-디메틸아미노벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논, 3,3'-디메틸-2-메톡시벤조페논 등을 들 수 있다.
상기 티오크산톤계 화합물의 예로는, 티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤, 2-클로로티오크산톤 등을 들 수 있다.
상기 벤조인계 화합물의 예로는, 벤조인, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 이소프로필 에테르, 벤조인 이소부틸 에테르, 벤질디메틸케탈 등을 들 수 있다.
상기 트리아진계 화합물의 예로는, 2,4,6-트리클로로-s-트리아진, 2-페닐-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(3',4'-디메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4'-메톡시나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(p-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(p-톨릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-비페닐-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 비스(트리클로로메틸)-6-스티릴-s-트리아진, 2-(나프토-1-일)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시나프토-1-일)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-4-비스(트리클로로메틸)-6-피페로닐-s-트리아진, 2-4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시스티릴)-s-트리아진 등을 들 수 있다.
상기 옥심계 화합물의 예로는 O-아실옥심계 화합물, 2-(O-벤조일옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온, 1-(O-아세틸옥심)-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]에탄온, O-에톡시카르보닐-α-옥시아미노-1-페닐프로판-1-온 등을 사용할 수 있다. 　상기 O-아실옥심계 화합물의 구체적인 예로는, 1,2-옥탄디온, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 1-(4-페닐술파닐페닐)-부탄-1,2-디온-2-옥심-O-벤조에이트, 1-(4-페닐술파닐페닐)-옥탄-1,2-디온-2-옥심-O-벤조에이트, 1-(4-페닐술파닐페닐)-옥탄-1-온옥심-O-아세테이트, 1-(4-페닐술파닐페닐)-부탄-1-온옥심-O-아세테이트　등을 사용할 수 있다.
상기 광중합 개시제는 상기 화합물 이외에도 카바졸계 화합물, 디케톤류 화합물, 술포늄보레이트계 화합물, 디아조계 화합물, 이미다졸계 화합물, 비이미다졸계 화합물 등을 사용할 수 있다.
상기 광중합 개시제는 빛을 흡수하여 들뜬 상태가 된 후 그 에너지를 전달함으로써 화학반응을 일으키는 광증감제와 함께 사용될 수도 있다.
상기 광증감제의 예로는, 테트라에틸렌글리콜비스-3-머캡토프로피오네이트, 펜타에리트리톨테트라키스-3-머캡토프로피오네이트, 디펜타에리트리톨테트라키스-3-머캡토프로피오네이트 등을 들 수 있다.
상기 광중합 개시제는 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 1 중량부 내지 40 중량부, 예컨대 2 중량부 내지 25 중량부로 포함될 수 있다. 　상기 광중합 개시제가 상기 범위 내로 포함될 경우, 패턴 형성 공정에서 노광 시 광중합이 충분히 일어나고, 미반응 개시제로 인한 투과율의 저하를 막을 수 있다.
용매
상기 감광성 수지 조성물은 전술한 알칼리 가용성 수지, 가교제, 광중합 개시제 및 후술하는 각종 첨가제 등의 각 성분을 용이하게 용해시킬 수 있는 용매를 포함할 수 있다.
상기 용매는 유기 용매를 사용하며, 구체적으로는 N-메틸-2-피롤리돈, 감마-부티로락톤, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 락트산메틸(메틸락테이트), 락트산에틸(에틸락테이트), 락트산부틸(부틸락테이트), 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 피루브산메틸(메틸피루베이트), 피루브산에틸(에틸피루베이트), 메틸-3-메톡시 프로피오네이트, 벤질알코올 또는 이들의 조합 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 용매는 스핀 코팅, 슬릿 다이 코팅 등 감광성 수지막을 형성하는 공정에 따라 적절하게 선택하여 사용할 수 있다.
상기 용매는 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 130 중량부 내지 2,000 중량부, 예컨대 150 중량부 내지 1,900 중량부, 예컨대 150 중량부 내지 1,800 중량부로 사용되는 것이 좋다. 용매의 함량이 상기 범위일 때는 충분한 두께의 막을 코팅할 수 있으며, 용해도 및 코팅성이 우수해지게 된다.
열산발생제
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 열산발생제를 더 포함할 수 있다.
상기 열산발생제는 열에 의해 분해되어 산을 발생하는 물질로서, 통상의 열산발생제를 사용할 수 있으며, 열에 의해 분해되는 온도(열분해 온도)는 120℃ 내지 250℃의 범위를 갖는 것을 사용할 수 있다.
열산발생제의 열분해 온도가 상기 범위 내일 경우, 스컴(scum)이 발생하지 않고, 열 경화 시 패턴 형상이 흘러내리지 않으며, 아웃가스 발생량을 줄일 수 있다. 또한, 중합체의 폐환반응이 원활하게 일어나도록 함으로써, 내열성, 절연성 등 신뢰성을 향상시킬 수도 있다.
상기 열산발생제는 후술하는 가교제와 중합체 간의 가교 반응의 촉매 역할을 할 뿐만 아니라, 저온에서도 중합체의 폐환 반응이 원활하게 일어나도록 하는 역할을 한다. 이에 따라, 저온 소성에 의하더라도 아웃 가스 발생량이 적고, 내열성 및 내화학성이 우수한 유기막을 얻을 수 있다.
상기 열산발생제는, 예컨대, 하기 화학식 15, 하기 화학식 16 또는 이들의 조합으로 표시될 수 있다.
[화학식 15]
Figure 112015110446758-pat00036
[화학식 16]
Figure 112015110446758-pat00037
상기 화학식 15 및 화학식 16에서,
R51은 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 이들의 조합이고,
R52는 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐기 또는 이들의 조합이고,
R53은 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기 또는 이들의 조합이고,
R54는 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기 또는 이들의 조합이고,
R55는 수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기 또는 이들의 조합이다.
상기 화학식 15는 하기 화학식 15a 내지 화학식 15c로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 15a]
Figure 112015110446758-pat00038
[화학식 15b]
Figure 112015110446758-pat00039
[화학식 15c]
Figure 112015110446758-pat00040
상기 화학식 15a 내지 화학식 15c에서,
m1 내지 m4는 각각 독립적으로 0 내지 10, 예컨대 0 내지 6의 정수이고,
Z1 내지 Z4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 이들의 조합이다.
상기 화학식 15 및 화학식 16은 하기 화학식 17 내지 화학식 23으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 17]
Figure 112015110446758-pat00041
[화학식 18]
Figure 112015110446758-pat00042
[화학식 19]
Figure 112015110446758-pat00043
[화학식 20]
Figure 112015110446758-pat00044
[화학식 21]
Figure 112015110446758-pat00045
[화학식 22]
Figure 112015110446758-pat00046
[화학식 23]
Figure 112015110446758-pat00047
또한, 하기 화학식 24 내지 하기 화학식 27로 표시되는 화합물도 열산발생제로 사용될 수 있다.
[화학식 24]
Figure 112015110446758-pat00048
[화학식 25]
Figure 112015110446758-pat00049
[화학식 26]
Figure 112015110446758-pat00050
[화학식 27]
Figure 112015110446758-pat00051
상기 열산발생제는, 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 1 중량부 내지 40 중량부, 예컨대 5 중량부 내지 35 중량부, 예컨대 5 중량부 내지 30 중량부의 함량으로 사용될 수 있다. 열산발생제의 함량이 상기 범위 내인 경우, 알칼리 가용성 수지의 폐환이 충분히 일어나, 알칼리 가용성 수지의 열적, 기계적 특성이 우수해지며, 보관안정성과 감도 또한 우수해진다.
상기 열산발생제는 경화 온도 조건에 따라 선택될 수 있으며, 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 열산발생제 이외에도 p-톨루엔 술폰산, 벤젠술폰산과 같은 알릴술폰산, 트리플루오르메탄술폰산, 플루오르부탄술폰산과 같은 퍼플루오르알킬 술폰산, 메탄 술폰산, 에탄 술폰산, 부탄 술폰산과 같은 알킬 술폰산 등을 사용할 수도 있다.
흑색안료
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 흑색 안료를 더 포함할 수 있다.
일 구현예에 따른 수지 조성물이 흑색 안료를 포함할 경우, 상기 수지 조성물을 이용하여 차광막을 제조할 수 있다.
상기 흑색 안료는 무기 흑색 안료, 유기 흑색 안료 또는 이들의 조합, 예컨대, 아닐린 블랙, 페릴렌 블랙, 티타늄 블랙, 시아닌 블랙, 리그닌 블랙, 락탐계 유기 블랙, RGB 블랙, 카본블랙 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 구체적으로 상기 흑색 안료는 무기 흑색 안료 및/또는 유기 흑색 안료를 포함할 수 있고, 상기 무기 흑색 안료는 카본 블랙일 수 있고, 상기 유기 흑색 안료는 락탐계 유기블랙일 수 있다.
상기 RGB 블랙은 적색 안료, 녹색 안료, 청색 안료, 바이올렛 안료, 황색 안료, 자색 안료 등의 유색 안료 중 적어도 2종 이상의 유색 안료가 혼합되어 흑색을 나타내는 안료를 의미한다.
기타 첨가제
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 기타 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물은 코팅 시 얼룩이나 반점 방지, 레벨링 특성, 또는 미현상에 의한 잔사의 생성을 방지하기 위하여, 말론산이나 3-아미노-1,2-프로판디올, 레벨링제, 계면활성제, 라디칼 중합개시제 또는 이들의 조합의 첨가제 등을 포함할 수 있다. 　이들 첨가제의 사용량은 원하는 물성에 따라 용이하게 조절될 수 있다.
또한 상기 감광성 수지 조성물은 밀착력 등의 향상을 위해 첨가제로서 에폭시 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 에폭시 화합물로는 에폭시 노볼락 아크릴 카르복실레이트 수지, 오르토 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 테트라메틸 비페닐 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 지환족 에폭시 수지 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다.
상기 에폭시 화합물을 더 포함하는 경우 과산화물 개시제 또는 아조비스계 개시제와 같은 라디칼 중합 개시제를 더 포함할 수도 있다.
상기 에폭시 화합물은 상기 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 내지 5 중량부로 사용될 수 있다. 　상기 에폭시 화합물이 상기 범위 내로 포함되는 경우 저장성 및 경제적으로 밀착력 및 기타 특성을 향상시킬 수 있다.
또한 상기 감광성 수지 조성물은 막두께의 얼룩을 막거나, 현상성을 향상시키기 위해 적당한 불소계 계면활성제 또는 레벨링제를 첨가제로 더욱 사용할 수도 있다.
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 포지티브형 또는 네거티브형 감광성 수지 조성물일 수 있다.
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물을 사용하여 패턴을 형성하는 공정은 상기 감광성 수지 조성물을 지지 기판(기재) 상에 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 프린팅 등으로 도포하는 공정; 상기 도포된 수지 조성물을 건조하여 수지 조성물 막을 형성하는 공정; 상기 수지 조성물 막을 노광하는 공정; 상기 노광된 수지 조성물 막을 알칼리 수용액으로 현상하여 유기막을 제조하는 공정; 및 상기 유기막을 가열처리하는 공정을 포함한다. 패턴을 형성하는 공정상의 조건 등에 대하여는 당해 분야에서 널리 알려진 사항이므로 본 명세서에서 자세한 설명은 생략하기로 한다.
다른 일 구현예에 따르면 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 유기막을 제공한다.
상기 유기막은 감광성 수지막일 수 있다. 예컨대, 상기 감광성 수지막은 OLED 등의 유기발광장치용 절연막일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 감광성 수지 조성물은 표시 소자에서 절연막, 패시베이션층 또는 버퍼 코팅층을 형성하는 데 유용하게 사용될 수 있다. 즉, 상기 감광성 수지 조성물은 열적 특성이 우수하고 굴절률이 높아, 표시 장치의 표면 보호막 및 층간 절연막을 형성하는 데 유용하게 사용될 수 있다.
이하, 실시예를 들어 본 발명에 대해서 더욱 상세하게 설명할 것이나, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
( 실시예 )
(알칼리 가용성 수지 제조)
합성예 1
교반기, 온도조절 장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서, N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 86.6 g을 넣고, 4,4'(헥사플루오르아이소프로필리덴)다이프탈릭언하이드라이드(6-FDA) 12.3 g을 넣어 용해시켰다. 고체가 완전히 용해되며 3-아미노페닐술폰(3-DAS) 3.25 g을 투입하여 상온에서 2시간 교반시켰다. 이 후 온도를 90 ℃까지 승온한 뒤 피리딘 5.6 g, 아세틱언하이드라이드(Ac2O) 2.05 g을 투입하여 3시간 동안 교반 시켰다. 반응기 내 온도를 상온으로 냉각한 후, 2-하이드로에틸메타크릴레이트(HEMA) 1.6 g을 투입하고 6시간 교반하였다. 이 후 3-아미노페닐술폰(3-DAS) 3.25 g을 넣고 6시간 반응시켜 반응을 종료하였다. 반응 혼합물을 물에 투입하여 침전물을 생성하고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 온도 50 ℃ 진공 하에서 건조를 24시간 이상 진행하여 폴리이미드/폴리아미드산(폴리이미드 전구체) 하이브리드 공중합체를 제조하였다.
합성예 2
교반기, 온도조절 장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서, 4-아미노페닐 에테르 10.0 g 및 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 125 g을 넣어 용해시켰다.
고체가 완전 용해되면 촉매로서 피리딘을 4.2 g 추가 투입하고 온도를 0℃ 내지 5℃로 유지하면서, 4,4'-(헥사플루오로아이소프로필리덴)다이프탈릭 언하이드라이드 21.1 g을 NMP 100g에 넣어 용해시킨 용액을 상기 4구 플라스크에 30분간 천천히 적하시켰다. 적하가 완료 된 후 1시간 동안 0℃ 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 1시간 동안 반응을 더 시켰다.
여기에 5-노보렌-2,3-디카르복시언하이드라이드를 0.8 g 투입하고 70℃에서 24시간 동안 교반한 후, 반응을 종료하였다. 반응 혼합물은 물/메탄올 = 10/1(용적비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성시키고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 80℃ 온도의 진공 하에서 24 시간 이상 건조하여 폴리이미드 전구체를 얻었다.
(감광성 수지 조성물 제조)
실시예 1
합성예 1에 따른 알칼리 가용성 수지 8 g을 프로필렌글리콜모노메틸에테르/ 에틸렌글리콜디메틸에테르 혼합용액 (부피비: 6/4) 90 g에 혼합하여 용해시킨 후, 여기에 광중합 개시제(Irgacure® Oxe02) 1.0 g 및 하기 화학식 3-1로 표시되는 가교제 5 g을 더 추가하고 용해시켰다. 이 후, 0.45 ㎛의 플루오르수지제 필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 얻었다.
[화학식 3-1]
Figure 112015110446758-pat00052
실시예 2
상기 화학식 3-1로 표시되는 가교제 대신 하기 화학식 5-1로 표시되는 가교제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 얻었다.
[화학식 5-1]
Figure 112015110446758-pat00053
실시예 3
상기 화학식 3-1로 표시되는 가교제 대신 하기 화학식 2-1로 표시되는 가교제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 얻었다.
[화학식 2-1]
Figure 112015110446758-pat00054
(상기 화학식 2-1에서,
La 및 Lc 내지 Lk는 각각 독립적으로 에틸렌기이고,
Lb는 n-부틸렌기이고,
q1은 4의 정수이고, q2는 12의 정수이고, q3 내지 q5는 각각 독립적으로 24의 정수이다.)
실시예 4
상기 화학식 3-1로 표시되는 가교제 대신 하기 화학식 6-1로 표시되는 가교제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 얻었다.
[화학식 6-1]
Figure 112015110446758-pat00055
(상기 화학식 6-1에서, L25, L27, L29 및 L31은 각각 독립적으로 에틸렌기이고, q9 내지 q12는 각각 독립적으로 1 내지 30의 정수이며, 상기 화학식 6-1로 표시되는 가교제의 중량평균분자량(Mw)은 20,000 g/mol 이다.)
실시예 5
상기 화학식 3-1로 표시되는 가교제 대신 하기 화학식 7-1로 표시되는 가교제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 얻었다.
[화학식 7-1]
Figure 112015110446758-pat00056
실시예 6
상기 화학식 3-1로 표시되는 가교제 대신 하기 화학식 4-1로 표시되는 가교제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 얻었다.
[화학식 4-1]
Figure 112015110446758-pat00057
(상기 화학식 4-1에서, Lo, Lq 및 Ls는 각각 독립적으로 에틸렌기이고, q6 내지 q8은 각각 독립적으로 1 내지 30의 정수이며, 상기 화학식 4-1로 표시되는 가교제의 중량평균분자량(Mw)은 10,000 g/mol 이다.)
실시예 7
합성예 1에 따른 알칼리 가용성 수지 대신 합성예 2에 따른 알칼리 가용성 수지를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 얻었다.
실시예 8
합성예 1에 따른 알칼리 가용성 수지 대신 합성예 2에 따른 알칼리 가용성 수지를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 2와 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 얻었다.
실시예 9
합성예 1에 따른 알칼리 가용성 수지 대신 합성예 2에 따른 알칼리 가용성 수지를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 3과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 얻었다.
실시예 10
합성예 1에 따른 알칼리 가용성 수지 대신 합성예 2에 따른 알칼리 가용성 수지를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 4와 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 얻었다.
실시예 11
합성예 1에 따른 알칼리 가용성 수지 대신 합성예 2에 따른 알칼리 가용성 수지를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 얻었다.
실시예 12
합성예 1에 따른 알칼리 가용성 수지 대신 합성예 2에 따른 알칼리 가용성 수지를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 6과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 얻었다.
비교예 1
상기 화학식 3-1로 표시되는 가교제 대신 하기 화학식 X로 표시되는 가교제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 얻었다.
[화학식 X]
Figure 112015110446758-pat00058
비교예 2
상기 화학식 3-1로 표시되는 가교제 대신 상기 화학식 X로 표시되는 가교제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 7과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 얻었다.
(평가)
평가 1: 1 wt% loss temperature 측정
실시예 1 내지 실시예 12, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 감광성 수지 조성물을 8 인치 웨이퍼 상에 SEMES社의 스핀 코터인 K-SPINNER를 이용해 코팅한 후, 100℃의 핫플레이트에서, 1분간 가열하여 2.5 um 막을 형성하였다. 그리고 상기 막이 형성된 웨이퍼를 320°C로 질소 분위기 하에서 30분 동안 경화하였다. 상기 경화가 끝난 막을 양면 면도날로 긁은 후, 팰렛을 만들어 TA instrument社의 discovery 설비로 분당 10°C로 승온하며 600°C까지의 wt% loss를 측정하였다. 샘플 로딩 무게를 5 mg 내지 10 mg으로 하였으며, 초기 무게를 100 wt%로 하여 온도에 따른 무게 감소량을 측정하였다. 그리고 1 wt% 감소량이 발생하는 온도를 확인하여, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
평가 2: 감도 측정
실시예 1 내지 실시예 12, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 감광성 수지 조성물을 8 인치 웨이퍼에　SEMES社의 스핀 코터인 K-SPINNER를 이용해 코팅한 후, 100℃의 핫플레이트에서, 1 분간 가열하여 2.5 ㎛ 두께의 막을 형성하였다. 그리고 상기 막이 형성된 웨이퍼를 i-line stepper i10C로 7 ㎛ line 및 space 패턴이 구현되게 에너지양을 변화시키며 노광한다. 노광된 막은 SEMES社의 K-SPINNER에서 KOH 0.043 wt% 용액으로 80초간 현상한다. 현상된 막을 Hitachi社 S-9260 CD-SEM 장비를 사용하여 7 ㎛ line 및 space 패턴이 구현되는 에너지를 확인하여, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
평가 3: 접착력 측정
실시예 1 내지 실시예 12, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 감광성 수지 조성물을 8 인치 웨이퍼에 SEMES社의 스핀 코터인 K-SPINNER를 이용해 코팅한 후, 100℃의 핫플레이트에서, 1 분간 가열하여 2.5 ㎛ 두께의 막을 형성하였다. 그리고 상기 막이 형성된 웨이퍼를 320℃로 질소 분위기 하에서 30분 동안 경화하였다. 경화가 끝난 막을 cross cut하고, 85℃의 온도 및 85%의 상대습도 조건에서 1주일 동안 aging한 후, 테이프를 이용하여 필오프 테스트(ASTM test method D-3359)를 하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. 접착력 측정 방법은 하기 수학식 1과 같다.
[수학식 1]
접착력(%) = “필-오프 데트스 후 남아있는 셀의 갯수 / 초기 셀의 갯수” x 100
구분 감도 (mJ/cm2) 1 wt% loss temp. (℃) 접착력 (%)
실시예 1 95 400 100
실시예 2 90 395 100
실시예 3 100 400 100
실시예 4 95 395 100
실시예 5 96 400 100
실시예 6 97 405 100
실시예 7 89 395 100
실시예 8 90 390 100
실시예 9 95 400 100
실시예 10 92 405 100
실시예 11 94 390 100
실시예 12 95 400 100
비교예 1 110 350 80
비교예 2 115 330 60
상기 표 1 및 도 1 내지 도 3에서 보는 바와 같이, 일 구현예에 따른 가교제를 포함하는 감광성 수지 조성물은 상기 가교제를 포함하지 않는 감광성 수지 조성물에 비해, 감도, 열적 특성 및 접착력이 모두 우수함을 확인할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.　　그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (12)

  1. 알칼리 가용성 수지, 하기 화학식 1로 표시되는 가교제, 광중합 개시제 및 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물:
    [화학식 1]
    Figure 112018011667745-pat00059

    상기 화학식 1에서,
    L1은 2가의 치환 또는 비치환된 사슬형 유기기이면서, 하기 화학식 1-1로 표시되는 연결기, 화학식 1-2로 표시되는 연결기 또는 이들의 조합을 포함하거나,
    L1은 3가의 치환 또는 비치환된 사슬형 유기기이면서, 하기 화학식 1-4로 표시되는 연결기를 포함하거나,
    L1은 4가의 치환 또는 비치환된 사슬형 유기기이면서, 하기 화학식 1-6으로 표시되는 연결기, 화학식 1-7로 표시되는 연결기 또는 이들의 조합을 포함하고,
    [화학식 1-1]
    Figure 112018011667745-pat00076

    [화학식 1-2]
    Figure 112018011667745-pat00077

    상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서,
    L2 내지 L5는 각각 독립적으로 단일결합 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이고,
    [화학식 1-4]
    Figure 112018011667745-pat00078

    상기 화학식 1-4에서,
    L9 내지 L11은 각각 독립적으로 단일결합 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이고,
    m은 1 내지 10의 정수이고,
    [화학식 1-6]
    Figure 112018011667745-pat00079

    [화학식 1-7]
    Figure 112018011667745-pat00080

    상기 화학식 1-6 및 화학식 1-7에서,
    L12 내지 L20은 각각 독립적으로 단일결합 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이고,
    n은 2 내지 4의 정수이다.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 L1은 하기 화학식 2 및 화학식 4 내지 화학식 7로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 표시되는 감광성 수지 조성물:
    [화학식 2]
    Figure 112018011667745-pat00066

    [화학식 4]
    Figure 112018011667745-pat00068

    [화학식 5]
    Figure 112018011667745-pat00069

    [화학식 6]
    Figure 112018011667745-pat00070

    [화학식 7]
    Figure 112018011667745-pat00071

    상기 화학식 2 및 화학식 4 내지 화학식 7에서,
    La 내지 Lk, Lo 내지 Lx 및 L21 내지 L37은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5 알킬렌기이고,
    m은 1 내지 10의 정수이고,
    q1 내지 q12는 각각 독립적으로 1 내지 30의 정수이다.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물은, 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대해,
    상기 가교제 20 중량부 내지 70 중량부,
    상기 광중합 개시제 1 중량부 내지 40 중량부 및
    상기 용매 130 중량부 내지 2,000 중량부
    를 포함하는 감광성 수지 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물은 120℃ 내지 250℃에서 분해되는 열산발생제를 더 포함하는 감광성 수지 조성물.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 열산발생제는 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대해 1 중량부 내지 40 중량부로 포함되는 감광성 수지 조성물.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 알칼리 가용성 수지는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리벤조옥사졸/폴리벤조옥사졸 전구체 하이브리드, 폴리이미드 전구체, 폴리이미드/폴리이미드 전구체 하이브리드, 노볼락 수지, 비스페놀 A 수지, 비스페놀 F 수지, 아크릴계 수지, 실록산계 수지 또는 이들의 조합을 포함하는 감광성 수지 조성물.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물은 아닐린 블랙, 페릴렌 블랙, 티타늄 블랙, 시아닌 블랙, 리그닌 블랙, 락탐계 유기 블랙, RGB 블랙, 카본블랙 또는 이들의 조합인 흑색안료를 더 포함하는 감광성 수지 조성물.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물은 말론산, 3-아미노-1,2-프로판디올, 레벨링제, 계면활성제, 라디칼 중합개시제 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함하는 감광성 수지 조성물.
  12. 제1항 및 제5항 내지 제11항 중 어느 한 항의 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조되는 유기막.
KR1020150159097A 2015-11-12 2015-11-12 신규한 가교제를 포함하는 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 유기막 KR101857148B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150159097A KR101857148B1 (ko) 2015-11-12 2015-11-12 신규한 가교제를 포함하는 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 유기막

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150159097A KR101857148B1 (ko) 2015-11-12 2015-11-12 신규한 가교제를 포함하는 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 유기막

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170055826A KR20170055826A (ko) 2017-05-22
KR101857148B1 true KR101857148B1 (ko) 2018-05-11

Family

ID=59050205

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150159097A KR101857148B1 (ko) 2015-11-12 2015-11-12 신규한 가교제를 포함하는 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 유기막

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101857148B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102223837B1 (ko) * 2018-06-21 2021-03-04 주식회사 엘지화학 가지형 공중합체, 이를 이용한 감광성 수지 조성물, 감광성 수지 필름 및 광학 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015141618A1 (ja) * 2014-03-17 2015-09-24 旭化成イーマテリアルズ株式会社 感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法、並びに半導体装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015141618A1 (ja) * 2014-03-17 2015-09-24 旭化成イーマテリアルズ株式会社 感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法、並びに半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170055826A (ko) 2017-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI491987B (zh) A negative photosensitive resin composition, a hardened embossed pattern, and a semiconductor device
KR101837970B1 (ko) 흑색 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 이를 이용한 디스플레이 장치
TWI606303B (zh) 正型感光性樹脂組成物、使用其製造的感光性樹脂膜及顯示元件
CN110431484B (zh) 感光性聚酰亚胺树脂组合物及其聚酰亚胺膜
KR20150117567A (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 이를 이용한 표시 소자
KR20180003564A (ko) 영구적인 유전체로서 말레이미드 및 시클로올레핀 단량체의 중합체
WO2020181020A1 (en) Reactive end group containing polyimides and polyamic acids and photosensitive compositions thereof
JP6917675B2 (ja) 遮光膜を含むデバイスおよび前記遮光膜パターニング方法
TWI537322B (zh) 正型感光性樹脂組成物、使用其製造的感光性樹脂膜及顯示元件
KR101857148B1 (ko) 신규한 가교제를 포함하는 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 유기막
KR101838923B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막 및 이를 이용한 표시 소자
TW202107202A (zh) 含有醯胺酸作為潛含性鹼觸媒之正色調感光性組成物
KR101752269B1 (ko) 착색 수지 조성물 및 이것을 이용한 경화막, 컬러 필터 및 그 제조 방법, 고체 촬상 소자 및 화상 표시 장치
US20210088903A1 (en) Photosensitive polyimide resin composition and polyimide film thereof
KR20160104380A (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막 및 이를 이용한 표시 소자
KR102044944B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 디스플레이 장치
KR101916782B1 (ko) 차광막을 포함하는 디바이스 및 상기 차광막 패터닝 방법
KR101881943B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막 및 이를 이용한 표시 소자
KR20190133398A (ko) 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 블랙 화소 격벽층 및 디스플레이 장치
KR101812578B1 (ko) 신규한 중합체를 포함하는 수지 조성물 및 이를 이용한 유기막
KR101423172B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자
KR101720717B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 이를 이용한 표시 소자
KR20230174962A (ko) 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막, 마이크로 렌즈, cmos 이미지 센서 및 이를 포함하는 장치
TW202039633A (zh) 不飽和環酐末端包覆的聚醯亞胺及聚醯胺酸及其感光組成物
KR20190115326A (ko) 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant