KR101848983B1 - Glass reprocessing method, remade glass substrate, and photo mask blank and photo mask employing same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 각종 플랫 패널의 생산에서 사용 완료로 된 포토마스크나 포토마스크 제조 공정에서 불량으로 된 포토마스크를 새로운 포토마스크용 유리 기판으로서 재이용하기 위하여 재생 처리하는 방법 및 이 재생 처리 방법으로 재생된 포토마스크용 유리 기판과 그것을 사용한 포토마스크용 블랭크 및 포토마스크에 관한 것이다. 재생 유리 기판의 표면을 종래의 물리적인 연마 처리를 행하지 않고, 호기상 검사에서 원래의 패턴 흔적이 나타나지 않도록 습윤성을 균일화하는 처리에 의해, 저비용으로, 결함이 적은 재생 유리 기판을 얻는 것을 가능하게 한다.The present invention relates to a method of reproducing a photomask which has been used in the production of various flat panels or a photomask defective in the process of manufacturing the photomask as a glass substrate for a new photomask, A glass substrate for a mask, and a blank and a photomask for a photomask using the same. It is possible to obtain a recycled glass substrate having few defects at low cost by a process of homogenizing the wettability of the surface of the recycled glass substrate without performing the conventional physical polishing process so that the original pattern trace does not appear in the aerodynamic test .
Description
본 발명은 금속 박막으로 패턴 형성되고, 각종 플랫 패널의 포토리소그래피(이하 포토리소라고도 말함) 공정에서, 생산에 사용된 포토마스크 또는 포토마스크 제조 공정에서 불량으로 된 포토마스크를 새로운 포토마스크용 유리 기판으로서 재이용하기 위하여 재생 처리하는 방법 및 이 재생 처리 방법으로 재생된 포토마스크용 유리 기판과 그것을 사용한 포토마스크용 블랭크 및 포토마스크에 관한 것이다.In the photolithography (hereinafter also referred to as " photolithography ") process of various flat panels, the photomask used for production or the photomask defective in the photomask manufacturing process is used as a new glass substrate for photomask And a photomask blank and photomask using the glass substrate for a photomask reproduced by the regeneration processing method.
일반적으로 플랫 패널 등의 제조에 사용되는 포토마스크는, 합성 석영 등의 저팽창 유리 기판에 크롬, 산화크롬, 질화크롬 등의 금속 박막을 적층하고 차광층을 형성한 포토마스크용 블랭크를 제작하고, 이 포토마스크용 블랭크에 포토리소그래피법을 사용하여, EB 묘화 또는 레이저 묘화로 패턴을 형성하여 제작된다.In general, a photomask used for manufacturing a flat panel or the like is produced by forming a photomask blank in which a light-shielding layer is formed by laminating a metal thin film such as chromium, chromium oxide, or chromium nitride on a low expansion glass substrate such as synthetic quartz, This photomask blank is formed by forming patterns by EB imaging or laser imaging using photolithography.
이러한 포토마스크는, 액정 표시 장치, 유기 EL 표시 장치, 고정밀도의 터치 패널 등의 화소 등을 형성하기 위하여 사용되는 각종 노광 장치 등에 내장되어 사용되었다. 이 제품에 사용되는 포토마스크는, 품질 성능 때문에 합성 석영이 사용되고, 최근 패널의 대형화에 수반하여, 포토마스크 사이즈도 대형화되었고, 포토마스크용 유리 기판도 더욱 고가로 되어, 사용 완료 또는 불량으로 된 포토마스크의 재이용은, 중요한 기술이 되었다.Such a photomask has been used in various types of exposure apparatus or the like used for forming pixels such as a liquid crystal display, an organic EL display, and a high-precision touch panel. Synthetic quartz is used for the quality of the photomask used in this product, and the size of the photomask has become larger as the panel has become larger in recent years, and the glass substrate for the photomask becomes more expensive, Reuse of the mask has become an important technique.
상기 포토마스크 기판은, 품질, 정밀도의 관점에서 포토마스크용 유리 기판의 재질은 합성 석영이 일반적으로 사용되고, 유리 기판 사이즈는, 액정 표시 장치의 플랫 패널 기판의 제1세대 기판 320㎜×300㎜에서는, 포토마스크용 유리 기판 사이즈는, 패널용 유리 기판보다 조금 큰 330㎜×450㎜로 일괄 노광이었지만, 플랫 패널 기판의 대형화에 수반하여, 노광 장치도 대형화되고, 또한 투영 노광이나 근접 노광 등 노광 방식이나 스텝 전송이나 스캔 방식 등 전송 방식도 다양화되고, 포토마스크 사이즈도 대형화, 다양화되었다.Synthetic quartz is generally used as the material of the photomask glass substrate from the viewpoints of quality and precision of the photomask substrate, and the size of the glass substrate is the same as that of the first generation substrate 320 mm x 300 mm of the flat panel substrate of the liquid crystal display , The size of the glass substrate for the photomask was a batch exposure of 330 mm x 450 mm which is slightly larger than the glass substrate for panel. However, with the enlargement of the flat panel substrate, the exposure apparatus is also increased in size, Transfer methods such as step transfer and scan method have been diversified, and photomask size has also been enlarged and diversified.
이러한 플랫 패널 중에서, 플랫 패널 기판의 제5세대는, 1000㎜×1200㎜이고, 이 포토마스크 기판 사이즈는 520㎜×800㎜ 또는 800㎜×920㎜가 일반적이다. 제8세대의 플랫 패널 기판은 2160㎜×2460㎜이고, 이것에 사용되는 포토마스크 기판 사이즈는 1220㎜×1400㎜ 등이 있다.Among these flat panels, the fifth generation of the flat panel substrate is 1000 mm x 1200 mm, and the photomask substrate size is generally 520 mm x 800 mm or 800 mm x 920 mm. The eighth-generation flat panel substrate is 2160 mm x 2460 mm, and the photomask substrate size used therefor is 1220 mm x 1400 mm.
한편, 합성 석영의 고품질 포토마스크용 유리 기판은, 패널의 저비용화가 가속되는 가운데, 비용 절감이 요구되고 있어, 사용 완료나 불량으로 된 포토마스크의 재생 처리가 행하여졌다.On the other hand, in the glass substrate for high-quality photomask of synthetic quartz, cost reduction is required while accelerating the cost reduction of the panel, and reproduction processing of the photomask which has been used or is defective has been carried out.
플랫 패널은, 일반적으로 일품일엽(一品一葉)으로 각각의 제품에서 포토마스크의 패턴이 상이한 것이 일반적이며, 제품의 생산이 종료된 시점에서, 이 포토마스크는, 불필요해진다.In general, a flat panel is generally one product (one product), and the pattern of the photomask differs in each product. When the production of the product is finished, this photomask becomes unnecessary.
또한 포토마스크 공정에 있어서도 제조 공정에서 발생한 불량품이나 검사 공정에서의 불량품이 발생한다.Also in the photomask process, defective products generated in the manufacturing process and defective products in the inspection process are generated.
상기 사용 완료나 불량으로 된 포토마스크 기판을 재이용하기 위해서는, 패턴 형성된 금속 박막을 에칭액으로 용해 제거하여 맨 유리의 상태로 한다.In order to reuse the photomask substrate that has been used or defective, the patterned metal thin film is dissolved and removed with an etching solution to form a glassy state.
그러나, 사용 완료 포토마스크 기판이나 포토마스크 공정에서 한번 금속 박막의 패턴이 형성된 기판은, 금속 박막 패턴을 에칭액으로 용해 제거하여 세정한 것만으로는, 재차 금속 박막을 성막하고, 이 기판을 포토리소 가공으로 패턴 형성하면 원래의 패턴 흔적이 있어, 패턴 결함도 발생하기 쉽다는 문제가 있었다.However, in the used photomask substrate or the substrate on which the pattern of the metal thin film is formed once in the photomask process, the metal thin film is formed again by simply dissolving and removing the metal thin film pattern with the etching solution, There is a problem that original pattern marks are formed and pattern defects are likely to occur.
이 때문에 상기 포토마스크를 재이용하기 위해서는, 패턴 형성된 금속 박막을 에칭액으로 용해 제거하여 맨(plain) 유리 상태로 한 후에, 유리 표면을 청정하고 균일화하기 위하여 다시 연마제를 사용하여 유리 표면에 물리적인 연마를 행하고, 또한 연마에 사용한 연마제를 제거하는 세정을 행하여 포토마스크용 유리 기판으로서 재이용하였다.Therefore, in order to reuse the photomask, the patterned metal thin film is dissolved and removed with an etchant to form a plain glass state. Thereafter, physical polishing is performed on the glass surface using an abrasive to clean and homogenize the glass surface And was then rinsed to remove the abrasive used for polishing, and reused as a glass substrate for a photomask.
특허문헌 1은, 포토마스크에 표면 흠집이 있는 기판의 재생 처리 방법으로서, 포토마스크 제조 공정에서 발생한 흠집을 포토마스크의 차광층을 에칭하여 용해 제거하고, 흠집의 깊이까지, 유리 기판을 연삭하여 유리 표면의 흠집을 제거하고, 표면의 연삭에 의한 미소한 요철이 있는 표면을 경면 마무리 연마 처리하여 맨 유리로 재생하는 것이다.
특허문헌 2는, 반도체 제조의 CVD 프로세스에서 사용되는 석영제 지그의 재생 처리 방법으로서, 석영제 지그의 표면이나 석영관의 내벽 등에 퇴적된 불필요한 퇴적층을 에칭 및 HF 수용액 세정에 의해 조면화한 석영제 지그에 진공 자외 영역의 파장 광을 조사하여 표면을 평활화하는 것이며, 동일한 석영 유리의 재생 처리 방법이다.
종래의 포토마스크용 유리 기판의 재생 처리 방법에 대하여 도 2를 참조하여 설명한다.A conventional method of regenerating a glass substrate for a photomask will be described with reference to Fig.
먼저 패턴 형성된 금속 박막을 에칭액으로 용해 제거하여 맨 유리 상태(K1)로 한 후에, 산화세륨 등의 연마제에 의한 물리적인 연마로 유리 표면을 균일화한다. 연마 장치로서 연마용 연마 장치와 마무리 표면 연마용 연마 장치를 사용하여 연마를 행한다(K2). 계속해서 연마제를 제거하기 위한 연마제 제거 세정 장치와 마무리 세정 장치를 사용하여 세정을 행하고(K3) 이어서 외관을 검사(K4)하고, 재생 기판을 제작한다.First, the patterned metal thin film is dissolved and removed by an etching solution to obtain a glassy state (K1), and then the glass surface is homogenized by physical polishing with an abrasive such as cerium oxide. As the polishing apparatus, polishing is carried out by using a polishing apparatus for polishing and a polishing apparatus for polishing a finished surface (K2). Subsequently, cleaning is performed using an abrasive removing and cleaning device to remove the abrasive (K3), followed by inspection of the appearance (K4), and a regenerated substrate is produced.
또한, 부대 장치로서 세정으로 제거한 연마제의 폐기물 처리 장치 등도 필요하고, 장치 가격이 높고, 장치의 설치 스페이스도 넓게 할 필요가 있고, 또한 처리 시간이 긴 것이나 연마 시에 이물 혼입에 의한 흠집의 발생이나 포토마스크의 표면 평탄성을 무너뜨리는 경우도 있어, 생산 비용 및 생산 효율의 문제가 있었다.In addition, it is also necessary to provide a waste disposal apparatus for an abrasive product, which is removed by cleaning as an auxiliary device, and it is required to have a high apparatus cost and a large installation space for the apparatus, and also requires a long processing time or scratches There is a case where the surface flatness of the photomask is destroyed, and there is a problem of production cost and production efficiency.
본 발명은 금속 박막을 용해 제거한 유리 기판을 물리적인 연마를 행하지 않고 습식 습윤성 균일화 처리를 실시함으로써, 저비용으로, 패턴 결함이 적은 재생 기판을 얻는 것이다.The present invention provides a low-cost, reproducible substrate with low pattern defects by performing a wet-wettability homogenization treatment without physically polishing a glass substrate on which a metal thin film is dissolved and removed.
상기 과제를 해결하는 본 발명의 요지의 제1은,A first aspect of the present invention, which solves the above problems,
적어도 한쪽 면에 금속 박막으로 패턴이 형성된 포토마스크용 유리 기판의 재생 처리 방법에 있어서,A method of regenerating a glass substrate for a photomask in which a pattern is formed on at least one surface of the substrate with a metal thin film,
상기 유리 기판에 형성된 금속 박막을 에칭액에 의해 용해 제거한 후에,After the metal thin film formed on the glass substrate is dissolved and removed by an etching solution,
호기상(呼氣像) 검사에서 상기 패턴이 나타나지 않게 될 때까지 습식 습윤성 균일화 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 포토마스크용 유리 기판의 재생 처리 방법에 있다.Wherein the wet-wettability homogenizing treatment is carried out until the pattern disappears in an aerial image inspection. The present invention also provides a method for regenerating a glass substrate for a photomask.
상기 과제를 해결하는 본 발명의 요지의 제2는,A second aspect of the present invention which solves the above-
상기 웨트 에칭습윤성 균일화 처리와 상기 호기상 검사를 반복해서 행하는 것을 특징으로 하는 청구범위 제1항에 기재된 포토마스크용 유리 기판의 재생 처리 방법에 있다.Wherein the wet etching wettability homogenization treatment and the above-mentioned aerobic phase inspection are repeatedly carried out on the glass substrate for a photomask.
상기 과제를 해결하는 본 발명의 요지의 제3은,A third aspect of the present invention to solve the above-
상기 습식 습윤성 균일화 처리는, 포토마스크용 유리 기판의 표면 습윤성을 균일화하는 처리인 것을 특징으로 하는 청구범위 제1항 또는 제2항에 기재된 포토마스크용 유리 기판의 재생 처리 방법에 있다.Wherein the wet-wettability homogenizing treatment is a treatment for homogenizing the surface wettability of the glass substrate for photomask according to any one of
상기 과제를 해결하는 본 발명의 요지의 제4는,A fourth aspect of the present invention to solve the above-
상기 습식 습윤성 균일화 처리는 알칼리성 수용액에 의한 처리인 것을 특징으로 하는 청구범위 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 포토마스크용 유리 기판의 재생 처리 방법에 있다.Wherein the wet-wettability homogenizing treatment is treatment with an alkaline aqueous solution. The method for regenerating a glass substrate for photomask according to any one of
상기 과제를 해결하는 본 발명의 요지의 제5는,A fifth aspect of the present invention to solve the above-
상기 알칼리성 수용액의 알칼리 성분이 수산화칼륨인 것을 특징으로 하는 청구범위 제4항에 기재된 포토마스크용 유리 기판의 재생 처리 방법에 있다.Wherein the alkaline component of the alkaline aqueous solution is potassium hydroxide. The method for regenerating a glass substrate for photomask according to
상기 과제를 해결하는 본 발명의 요지의 제6은,A sixth aspect of the present invention to solve the above-
유리 기판 중 적어도 한쪽 면에 금속 박막으로 패턴이 형성된 포토마스크를 재생 처리한 유리 기판에 있어서,A glass substrate on which a photomask having a pattern of a metal thin film formed on at least one surface of the glass substrate is regenerated,
상기 유리 기판은, 포토마스크로서 형성된 금속 박막이 에칭액에 의해 용해 제거되고,In the glass substrate, a metal thin film formed as a photomask is dissolved and removed by an etching solution,
호기상 검사에서 상기 패턴이 나타나지 않도록 습식 습윤성 균일화 처리가 되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크용 유리 기판에 있다.Characterized in that the wet-wettability homogenizing treatment is performed so that the pattern does not appear in an air-phase inspection.
상기 과제를 해결하는 본 발명의 요지의 제7은,A seventh aspect of the present invention to solve the above-
상기 습식 습윤성 균일화 처리와 상기 호기상 검사가 반복해서 행하여지고 있는 것을 특징으로 하는 청구범위 제6항에 기재된 포토마스크용 유리 기판에 있다.Wherein the wet-wettability homogenization treatment and the above-mentioned arc-phase inspection are repeatedly carried out in the glass substrate for photomask according to the sixth aspect of the present invention.
상기 과제를 해결하는 본 발명의 요지의 제8은,According to an eighth aspect of the present invention,
상기 습식 습윤성 균일화 처리에 의해 포토마스크용 유리 기판의 표면 습윤성이 균일화되어 있는 것을 특징으로 하는 청구범위 제6항 또는 제7항에 기재된 포토마스크용 유리 기판에 있다.Wherein the surface wettability of the glass substrate for photomask is made uniform by the wet-wettability homogenizing treatment described above. The glass substrate for photomask according to
상기 과제를 해결하는 본 발명의 요지의 제9는,According to a ninth aspect of the present invention,
상기 습식 습윤성 균일화 처리는, 알칼리성 수용액으로 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 청구범위 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 포토마스크용 유리 기판에 있다.The wet-wettability homogenizing treatment is the glass substrate for photomask according to any one of
상기 과제를 해결하는 본 발명의 요지의 제10은,A tenth aspect of the present invention to solve the above-
상기 알칼리성 수용액의 알칼리 성분이 수산화칼륨인 것을 특징으로 하는 청구범위 제9항에 기재된 포토마스크용 블랭크에 있다.Wherein the alkali component of the alkaline aqueous solution is potassium hydroxide. The photomask blank according to
상기 과제를 해결하는 본 발명의 요지의 제11은,According to an eleventh aspect of the present invention,
재생 처리를 행한 상기 포토마스크용 유리 기판의 표면에 있어서의 물의 접촉각의 차가 1도 이하인 것을 특징으로 하는 청구범위 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 포토마스크용 유리 기판이다.The glass substrate for photomask according to any one of
상기 과제를 해결하는 본 발명의 요지의 제12는,A twelfth aspect of the present invention, which solves the above problems,
청구범위 제6항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 포토마스크용 유리 기판을 사용한 것을 특징으로 하는 포토마스크용 블랭크에 있다.A blank for a photomask characterized by using the glass substrate for photomask according to any one of
상기 과제를 해결하는 본 발명의 요지의 제13은,According to a thirteenth aspect of the present invention,
청구범위 제12항의 포토마스크용 블랭크를 사용한 것을 특징으로 하는 포토마스크에 있다.A photomask according to claim 12, wherein the blank for photomask is used.
상기 과제를 해결하는 본 발명의 요지의 제14는,A fourteenth aspect of the present invention to solve the above-
유리 기판 및 상기 유리 기판의 한쪽 표면 상에 패턴 형상으로 형성된 금속 박막을 갖는 포토마스크로부터, 에칭액을 사용하여 상기 금속 박막을 용해 제거하는 용해 제거 공정과,A dissolution removing step of dissolving and removing the metal thin film from a photomask having a glass substrate and a metal thin film formed in a pattern on one surface of the glass substrate using an etching solution;
상기 용해 제거 공정 후의 상기 유리 기판의 표면에 알칼리성 수용액을 접촉시켜서 습식 습윤성 균일화 처리를 하는 습식 습윤성 균일화 처리 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 포토마스크용 재생 유리 기판의 제조 방법에 있고,And a wet-wettability homogenization treatment step of bringing the alkaline aqueous solution into contact with the surface of the glass substrate after the dissolution removal step to perform a wet-wettability homogenization treatment. The method of manufacturing a photomask-
상기 과제를 해결하는 본 발명의 요지의 제15는,A fifteenth aspect of the present invention which solves the above-
상기 발명에 있어서, 상기 알칼리성 수용액의 알칼리 성분이 수산화칼륨인 것에 있다.In the above invention, the alkaline component of the alkaline aqueous solution is potassium hydroxide.
상기 과제를 해결하는 본 발명의 요지의 제16은,In a sixteenth aspect of the present invention,
적어도 한쪽 면에 금속 박막으로 패턴이 형성된 포토마스크용 유리 기판의 상기 금속 박막을 에칭액에 의해 용해 제거한 후에, 호기상 검사에서 상기 패턴이 나타나지 않게 될 때까지 습식 습윤성 균일화 처리를 행하는 재생 처리 방법에 의해, 포토마스크용 재생 유리 기판을 형성하는 재생 처리 공정과,The wettability of the metal thin film of the glass substrate for photomask having a pattern formed on at least one side thereof with a metal thin film is dissolved and removed by an etching solution and then the wettability uniforming treatment is performed until the pattern disappears , A regeneration processing step of forming a regenerated glass substrate for a photomask,
상기 포토마스크용 재생 유리 기판 중 적어도 한쪽 면에 금속 박막을 형성하여 마스크 블랭크를 형성하는 마스크 블랭크 형성 공정과,A mask blank forming step of forming a mask blank by forming a metal thin film on at least one surface of the reclaimed glass substrate for photomask,
상기 금속 박막 상에 레지스트를 패턴 형상으로 형성하는 레지스트 형성 공정과,A resist forming step of forming a resist pattern on the metal thin film;
상기 레지스트가 형성된 상기 금속 박막의 노출 부분을 에칭하는 에칭 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조 방법에 있다.And an etching step of etching the exposed portion of the metal thin film on which the resist is formed.
상기 과제를 해결하는 본 발명의 요지의 제17은,A seventeenth aspect of the present invention for solving the above-
유리 기판 및 상기 유리 기판의 한쪽 표면 상에 패턴 형상으로 형성된 금속 박막을 갖는 포토마스크로부터, 에칭액을 사용하여 상기 금속 박막을 용해 제거하는 용해 제거 공정, 및 상기 용해 제거 공정 후의 상기 유리 기판의 표면에 알칼리성 수용액을 접촉시켜서 습식 습윤성 균일화 처리를 하는 습식 습윤성 균일화 처리 공정을 행함으로써, 포토마스크용 재생 유리 기판을 형성하는 재생 처리 공정과,A dissolution removing step of dissolving and removing the metal thin film from a photomask having a glass substrate and a metal thin film formed as a pattern on one surface of the glass substrate using an etching solution; A regeneration treatment step of forming a regenerated glass substrate for a photomask by carrying out a wet wettability homogenization treatment step of bringing the alkaline aqueous solution into contact with the wettability-
상기 포토마스크용 재생 유리 기판 중 적어도 한쪽 면에 금속 박막을 형성하여 마스크 블랭크를 형성하는 마스크 블랭크 형성 공정과,A mask blank forming step of forming a mask blank by forming a metal thin film on at least one surface of the reclaimed glass substrate for photomask,
상기 금속 박막 상에 레지스트를 패턴 형상으로 형성하는 레지스트 형성 공정과,A resist forming step of forming a resist pattern on the metal thin film;
상기 레지스트가 형성된 상기 금속 박막의 노출 부분을 에칭하는 에칭 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조 방법에 있다.And an etching step of etching the exposed portion of the metal thin film on which the resist is formed.
본 발명의 청구항 및 명세서에 기재된 습식 습윤성 균일화 처리는, 물리적 연마 공정이나 드라이 에칭 등에 의한 표면 처리 공정이 아니고, 유리 기판의 표면에 화학 약품의 수용액을 접촉시키는 처리이며, 바람직하게는 유리 기판의 표면을 화학 약품의 수용액에 침지하는 처리 공정으로 행하는 것이다.The wet-wettability homogenization treatment described in the claims and specification of the present invention is not a physical polishing step or a surface treatment step by dry etching, but is a treatment for bringing an aqueous solution of a chemical agent into contact with the surface of a glass substrate, Is immersed in an aqueous solution of a chemical.
본 발명의 청구항 및 명세서에 기재된 호기상 검사란, 수증기를 유리 기판의 표면에 부착시키고, 표면의 습윤성을 육안 검사 또는 자동 인식하는 검사 방법이다.The aerobic inspection described in the claims and specification of the present invention refers to an inspection method in which water vapor is attached to the surface of a glass substrate and the wettability of the surface is visually inspected or automatically recognized.
호기상 검사에 대해서는, 본 발명의 실시 형태를 설명할 때 상세하게 설명한다.The aerobic examination will be described in detail when the embodiment of the present invention is explained.
본 발명의 청구항 및 명세서에 기재된 금속 박막이란, 포토마스크에 있어서 차광막, 반투명막 등으로서 기능하는 것을 말하고, 금속 재료로서 금속 단체뿐만 아니라, 합금, 금속 원소의 질화물, 산화물, 질화산화물, 기타 금속 원소를 포함하는 화합물을 사용한 것을 포함하는 개념이다.The metal thin film described in the claims and specification of the present invention refers to a film which functions as a light-shielding film, a semitransparent film or the like in a photomask, and includes not only a metal group but also an alloy, a nitride of a metal element, an oxide, And the like.
사용 완료 또는 공정 불량으로 된 포토마스크의 재생 처리에 있어서, 물리적인 연마 공정을 사용할 필요가 없어지고, 포토마스크용 유리 기판의 재생 처리가 용이하게 되고, 재생 비용을 저감할 수 있고, 포토마스크용 블랭크 및 포토마스크에 있어서도 제조 비용의 저감을 할 수 있었다.It is not necessary to use a physical polishing process in the reproduction process of the photomask which is completed or the process is defective and the reproduction process of the glass substrate for the photomask is facilitated and the reproduction cost can be reduced, The manufacturing cost can be reduced even in the blank and the photomask.
도 1은 습식 습윤성 균일화 처리를 포함하는 포토마스크용 유리 기판 재생 공정도.
도 2는 연마 공정을 포함하는 포토마스크용 유리 기판 재생 처리 공정도.
도 3은 포토마스크 기판의 공정도.
도 4는 예비 실험(1)의 유리 에칭량의 그래프.
도 5는 재생 처리와 패턴의 호기상을 설명하는 모식도로서, a는 포토마스크 외관을 도시하는 도면, b는 패턴을 에칭한 기판의 호기상을 도시하는 도면, c는 습윤성 균일화 처리 후의 외관도.
도 6은 예비 실험 3을 설명하는 모식도로서, a는 패턴을 에칭한 기판의 반면을 습윤성 균일화 처리에 침지한 상태를 도시하는 도면, b는 a의 기판의 호기상을 도시하는 도면, c는 a의 기판에 크롬 성막한 크롬 블랭크 표면의 외관도, d는 c의 기판에 패턴 형성한 기판의 검사 결함을 설명하는 도면.
도 7은 본 발명에 사용되는 호기상 검사의 일례를 설명하는 설명도.
도 8은 본 발명에 사용되는 호기상 검사의 다른 예를 설명하는 설명도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a glass substrate recycling process for a photomask including a wet-wettability homogenizing process. FIG.
2 is a view showing a process of regenerating a glass substrate for a photomask including a polishing process.
3 is a process chart of a photomask substrate.
4 is a graph of the glass etching amount in the preliminary experiment (1).
Fig. 5 is a schematic view for explaining a reproduction process and an aerial image of a pattern, in which a is a view showing the appearance of a photomask, b is a view showing an aerial view of the substrate on which the pattern is etched, and c is an external view after the wettability equalization process.
6 is a schematic view for explaining the
Fig. 7 is an explanatory view for explaining an example of an aerobic phase test used in the present invention; Fig.
8 is an explanatory view for explaining another example of an aerobic test used in the present invention;
이하, 본 발명의 포토마스크용 유리 기판의 재생 방법, 포토마스크용 재생 유리 기판의 제조 방법 및 포토마스크의 제조 방법 등에 대하여 설명한다.Hereinafter, a reproduction method of a glass substrate for a photomask of the present invention, a method of manufacturing a reproduced glass substrate for a photomask, a method of manufacturing a photomask, and the like will be described.
A. 포토마스크용 유리 기판의 재생 방법A. Recycling method of glass substrate for photomask
본 발명에 있어서의 본 실시 형태를 설명하기 전에 플랫 디스플레이용 패널을 제조하는 공정에서 사용되는 포토마스크의 제조 공정에 대하여 도 3의 (P1) 내지 (P5)를 참조하여 설명한다.Before describing the present embodiment in the present invention, a manufacturing process of a photomask used in a process for manufacturing a panel for a flat display will be described with reference to FIG. 3 (P1) to (P5).
(P1) 합성 석영 기판 상에 광학 농도를 높이는 순 크롬을 스퍼터 성막하고 계속해서 표면의 반사를 억제하기 위한 산화크롬을 성막한 2층 구조 크롬막(2)의 포토마스크용 블랭크를 제작한다.(P1) On a synthetic quartz substrate, a photomask blank of a two-layer
(P2) 상기 포토마스크 블랭크 상에 감광성 수지를 도포하고 베이크한 후, (P3) 패턴 데이터에 대응하여 EB 묘화나 레이저 묘화를 행하고, 현상 처리하고, 감광성 수지를 패턴화한 후, (P4) 크롬막 및 산화크롬막에 에칭 처리를 행하고, (P5) 레지스트로 덮여져 있지 않은 부분을 용해 제거한 후 레지스트를 박리액으로 제거하여 포토마스크를 제작한다.(P2) A photosensitive resin is applied and baked on the photomask blank, and then EB imaging or laser imaging is performed in accordance with (P3) pattern data, and the photosensitive resin is patterned, The film and the chromium oxide film are subjected to an etching treatment. (P5) A portion not covered with the resist is dissolved and removed, and the resist is removed with a peeling liquid to form a photomask.
상기 포토마스크는, 세정 후에 검사, 수정 공정 후, 필요에 따라 막면에 펠리클을 장착한다.The photomask is, after cleaning, subjected to inspection and correction, and then, if necessary, a pellicle is mounted on the film surface.
상술한 공정에서 제작된 포토마스크는, 각종 플랫 디스플레이의 패널 생산에 각종 노광 장치에 장착되어 사용된다.The photomask produced in the above-described process is used by being mounted on various exposure apparatuses for producing panels of various flat displays.
다음으로 본 발명에 있어서의 본 실시 형태에 있어서의 포토마스크 기판의 재생 처리 방법에 대하여 도 1의 (S1) 내지 (S4)를 참조하여 설명한다.Next, a method of regenerating the photomask substrate according to the present embodiment in the present invention will be described with reference to Fig. 1 (S1) to (S4).
(S1) 먼저 크롬막으로 패턴이 형성되어 있는 포토마스크 기판을 질산 제2 세륨 암모늄, 과염소산, 질산 등의 수용액인 크롬 에칭액에 침지하고 크롬막을 용해한 후에 순수 세정하여 크롬막의 패턴을 제거한다.(S1) First, the photomask substrate on which a pattern is formed with a chromium film is immersed in a chromium etching solution as an aqueous solution of ammonium cerium nitrate, perchloric acid, nitric acid, etc., dissolving the chromium film, and then purely washed to remove the pattern of the chromium film.
(S2) 이어서 크롬막을 에칭 제거한 유리 표면의 습윤성을 균일화하는 습윤성 균일화 처리액에 침지한다.(S2) Then, the chromium film is immersed in a wettability homogenizing treatment liquid which homogenizes the wettability of the glass surface from which the etching is removed.
(S3) 기판을 세정, 건조를 행한다.(S3) The substrate is cleaned and dried.
습식 습윤성 균일화 처리액은 알칼리를 주성분으로 하는 수용액이며, 계속되는 세정, 건조 공정과 일련의 연속된 장치 구성이 효율적이다.The wet-wettability homogenizing treatment liquid is an aqueous solution containing alkali as a main component, and subsequent cleaning and drying processes and a series of continuous apparatus configurations are effective.
장치 구성은, 재생하는 유리 기판을 보유 지지하는 케이스에 세로 방향으로 넣고, 습윤성 균일화 처리액을 순환하는 조, 순수로 린스를 하는 조 등을 순서대로 배치하여 침지하고 건조 처리를 행하는 종형 반송 방식이나 1매마다 낱장식으로 수평으로 반송하여 위에서부터 습윤성 균일화 처리액을 노즐로 공급하고, 계속해서 순수로 린스를 행하고 마지막으로 에어로 건조 처리를 행하는 수평 반송에서의 장치 구성 등도 가능하다.The apparatus constitution includes a longitudinal conveying system in which a glass substrate to be regenerated is placed in a longitudinal direction in a case holding it, a tank for circulating the wettability homogenizing treatment liquid, a tank for rinsing with pure water, The apparatus configuration in the horizontal transportation in which the wettability equalization treatment liquid is transported horizontally from the top to the nozzle, the rinsing is continued with pure water, and finally the air drying treatment is performed.
(S4) 제작한 재생 처리 기판은 포토마스크용 유리의 검사와 마찬가지인 검사를 행하는데, 재생 상태를 확인하는 검사로서 호기상법의 검사를 첨가하고, 패턴 흔적이 나타나지 않은 것을 확인한다.(S4) The reproduced substrate thus produced is inspected in the same manner as the inspection of the glass for photomask, and the inspection of the aerosol method is added as an inspection for confirming the regeneration state, and it is confirmed that no pattern trace is observed.
(S4) 호기상 검사에서 크롬막으로 형성되어 있던 패턴 흔적이 나타나 있으면, 패턴 흔적이 호기상 검사에서 나타나지 않게 될 때까지, (S2) 습식 습윤성 균일화 처리 및 (S3) 세정, 건조 처리를 반복해서 행한다.(S2) wet-wettability homogenization treatment and (S3) washing and drying treatment are repeatedly carried out until the pattern marks formed in the chromium film in the arcuate examination (S4) I do.
여기서 본 발명의 청구범위 및 명세서에 기재된 호기상법에 대하여 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the appended claims and the specification.
포토마스크용 유리 기판의 표면에 순수의 수증기를 결로시키고, 유리 표면의 표면 상태의 차이를 결로 상태의 상이에 의해 검출하는 검사 방법이다.In which water vapor of pure water is condensed on the surface of a glass substrate for a photomask and the difference in surface state of the glass surface is detected by the difference of the condensation state.
유리 기판의 표면 상태에 차이가 있으면, 수증기가 결로되어 생긴 물방울의 크기가 상이하고, 전체적으로 광의 산란 상태가 바뀌는 것에 의해, 아주 작은 부분적인 표면 상태의 차를 육안으로 검출할 수 있다.If there is a difference in the surface state of the glass substrate, the difference in the size of the water droplets generated by the condensation of the water vapor changes the scattering state of the light as a whole.
호기상이 육안으로 확인된다는 것은, 유리 표면에 수증기가 결로된 상태에서 크롬막에 의해 형성된 원래의 패턴 흔적의 외형이 보이는 것이다. 도 5의 a는 크롬막으로 패턴이 형성된 포토마스크이며, 포토마스크 기판의 외주부에 프레임 형상으로 크롬막부(2a)가 있고, 포토마스크 기판의 내부에는, 크롬막이 미세하게 패턴화된 화상부(3a)가 다면 형성으로 배치되어 있다. 도 5의 b는 크롬막을 에칭 제거한 유리 기판이 호기상법으로 확인된 상이다. 이렇게 패턴(2b 및 3b)의 외형을 육안으로 확인할 수 있는 것이다.The fact that the air phase is visually confirmed means that the appearance of the original pattern trace formed by the chromium film is visible when the water vapor is condensed on the glass surface. 5 (a) is a photomask in which a pattern is formed with a chromium film. In the outer periphery of the photomask substrate, there is a
호기상이 육안으로 확인되지 않는다는 것은, 유리 표면에 수증기가 결로된 상태에서 크롬막에 의해 형성된 원래의 패턴 흔적의 외형이 보이지 않는 것이다. 도 5의 c에 도시하는 바와 같이 원래의 크롬막으로 형성된 패턴(2b 및 3b)이 보이지 않는 것이다.The fact that the air phase is not visually confirmed means that the appearance of the original pattern trace formed by the chromium film is not visible in the state where water vapor is condensed on the glass surface. The
구체적인 호기상 검사 방법의 조건 등에 대해서는, 후술하는 「B. 포토마스크용 재생 유리 기판의 제조 방법」의 항에서 설명한다.The conditions of the specific aerobic test method are described in detail in "B. &Quot; Manufacturing Method of Recycled Glass Substrate for Photomask ".
다음으로 패턴을 형성하고 있는 크롬막을 에칭액으로 용해 제거하는 것만으로 습윤성 균일화 처리 없이 재생한 유리 기판을 사용한 포토마스크 블랭크 및 포토마스크의 문제에 대하여 상세하게 설명한다.Next, the problem of the photomask blank and the photomask using the glass substrate reproduced without the wettability homogenization treatment by simply dissolving and removing the chromium film forming the pattern with the etching solution will be described in detail.
상기 포토마스크 블랭크는, 반사 육안 검사에서, 원래의 패턴 흔적이 확인되고, 또한 이 포토마스크 블랭크를 사용하여 다시 패터닝하면 패턴의 화소 에지부에 도 6의 e에 도시하는 바와 같은 백색 결함이 발생하기 쉽다.In the photomask blank, original pattern marks are confirmed in the reflection visual inspection, and further patterning using the photomask blank causes white defects as shown in FIG. 6E in the pixel edge portion of the pattern easy.
다음으로 종래의 물리적인 연마 방법을 대신하는 습식 습윤성 균일화 처리에 대하여 예비 실험 1 내지 3의 실험 결과를 해설하여 더욱 상세하게 설명한다.Next, the experimental results of the
예비 실험 1
크롬막을 제거한 재생 유리 기판을 용액1로서 불화수소산 수용액, 용액2로서 수산화칼륨 수용액, 용액3으로서 수산화칼륨에 유기 인산염, 카르복실산염, 아민산과 계면 활성제를 첨가한 수용액에 의한 침지 평가를 실시하였다.The immersing evaluation was carried out by immersing the reclaimed glass substrate from which the chromium film had been removed with aqueous solution of hydrofluoric acid as
평가 내용은, 소정 시간 침지한 후에 수세하고 건조시킨 재생 유리 기판의 표면 호기상법에 의한 패턴 흔적의 검사와 유리 에칭량에 대하여 평가를 행하였다.The content of the evaluation was evaluated by examining a pattern trace by a surface exhalation method of a regenerated glass substrate which was washed with water after being soaked for a predetermined time, and a glass etching amount.
침지한 액온도는 25도이고 침지 시간은, 2시간, 5시간, 10시간으로 처리를 행하였다.The temperature of the immersed liquid was 25 ° C. and the immersion time was 2 hours, 5 hours, and 10 hours.
예비 실험 1의 10시간 침지한 결과를 표 1에 나타내고, 이하에 설명한다.The results of immersing for 10 hours in the
불화수소산의 5％ 수용액과 10％ 수용액(용액1)은 모두 유리 에칭량이 크고, 호기상법으로 패턴 흔적이 확인되었다.Both the 5% aqueous solution of hydrofluoric acid and the 10% aqueous solution (solution 1) had a large amount of glass etching, and pattern traces were confirmed by the aerobic method.
유리 기판을 10시간까지 침지한 에칭량은, 5％ 농도에서 약 15㎛, 10％ 농도에서 약 40㎛이었다.The etching amount immersed in the glass substrate for 10 hours was about 15 占 퐉 at 5% concentration and about 40 占 퐉 at 10% concentration.
수산화칼륨의 5％ 내지 30％ 수용액(용액2)은 모두 호기상법으로 패턴 흔적이 확인되지 않고, 유리 에칭량은, 불화수소산 처리보다 적지만, 수산화칼륨의 농도가 짙어짐과 함께 에칭량도 증가하였다.A pattern trace of 5% to 30% aqueous solution of potassium hydroxide (solution 2) was not confirmed by the aerobic method, and the amount of glass etching was smaller than that of hydrofluoric acid treatment, but the concentration of potassium hydroxide was increased and the etching amount was also increased Respectively.
유리 기판을 10시간 침지한 에칭량은, 5％ 농도에서 약 1㎛, 10％ 농도에서 약 3㎛, 15％ 농도에서 약 4㎛, 30％ 농도에서 약 12㎛이었다.The etching amount immersed in the glass substrate for 10 hours was about 1 탆 at a concentration of 5%, about 3 탆 at a concentration of 10%, about 4 탆 at a concentration of 15%, and about 12 탆 at a concentration of 30%.
수산화칼륨에 유기 인산염, 카르복실산염, 아민산과 계면 활성제를 첨가한 수용액(용액3)은, 모두 호기상법으로 패턴 흔적이 확인되지 않고, 10시간 침지한 유리 에칭량은 1㎛ 이하이었다.All of the aqueous solution (solution 3) containing the organic phosphate, the carboxylate, and the amine acid and the surfactant added to potassium hydroxide had no pattern trace by the aerobic method, and the glass etching amount immersed for 10 hours was 1 占 퐉 or less.
유리 에칭량이 커지면 유리에의 함몰 결함 등의 대미지가 생각되기 때문에, 에칭량은 적을수록 바람직하다.When the amount of glass etching is increased, damage such as denting defects to the glass can be considered. Therefore, the etching amount is preferably as small as possible.
예비 실험 2
크롬막을 에칭액으로 용해 제거하여 호기상법으로 원래의 패턴 흔적이 확인된 기판과 상기 용액2와 용액3의 각각에 침지 처리하고 호기상법으로 패턴 흔적이 확인되지 않은 기판의 3종류의 재생 유리 기판의 주면에 다시 크롬을 스퍼터 성막하여 표면에 광을 조사하고 반사 육안 검사로 패턴 흔적의 유무를 검사하였다.The chrome film was dissolved and removed with an etching solution to immerse the substrate in which the original pattern marks were confirmed by the aerobic method and the
예비 실험 2의 결과Results of
용액2와 용액3의 각각에 침지 처리하고 호기상법으로 원래의 패턴을 확인할 수 없었던 재생 유리 기판은, 크롬 성막 후에도 원래의 패턴 흔적은 확인되지 않았지만, 용액2 또는 용액3에 침지 처리하지 않고 호기상법으로 원래의 패턴이 확인된 기판에서는, 크롬 성막 후에도 마찬가지로 패턴 흔적이 확인되었다.In the reproduced glass substrate which was immersed in each of the
예비 실험 3
예비 실험 3에 대하여 도 6을 참조하여 설명한다.
다음으로 크롬막을 에칭액으로 용해 제거하여 호기상법으로 원래의 패턴 흔적이 확인된 기판을 도 6의 a에 도시하는 바와 같이 기판의 편측 반면(W)을 용액2와 용액3에 각각 침지 처리하고, 동일 기판 내에서의 효과를 확인하였다.Next, the chromium film was dissolved and removed by an etching solution, and the substrate on which the original pattern marks were confirmed by the aerobic method was immersed in the
예비 실험 3의 결과Results of
도 6의 b에 도시하는 바와 같이 용액2 또는 용액3에 침지 처리한 편측 반면에는, 수세 및 건조 후의 호기상법으로, 원래의 패턴 흔적은 확인되지 않고, 도 6의 c에 도시하는 바와 같이 크롬을 성막 후에도 침지 처리한 편측 반면에는, 패턴 흔적은 확인할 수 없었다. 그러나 용액2 또는 용액3으로 처리하지 않은 편측 반면은, 크롬 성막 후에 패턴 흔적이 확인되었다.As shown in Fig. 6 (b), the
표 2에 크롬막의 에칭 제거 후 및 용액2와 용액3에 침지 처리를 한 후에서의 접촉각을 측정한 결과를 나타낸다.Table 2 shows the results of measurement of the contact angle after the removal of the chromium film by etching and the immersion treatment of the
접촉각의 측정은, 크롬막이 형성되어 있던 부분과 크롬막이 형성되어 있지 않았던 부분의 유리 표면에 대해서, 크롬막을 에칭 제거 후 및 동일한 부분에 대하여 용액2와 용액3에 각각 침지 처리를 한 후에 측정하였다.The contact angle was measured after immersing the chromium film in the
표 2는, 상술한 접촉각 측정의 결과를 나타낸다.Table 2 shows the results of the contact angle measurement described above.
접촉각은, 교와 가이멘 가가쿠제의 플랫 패널 접촉각계 FPD-MH20으로 측정하였다.The contact angle was measured with a FPD-MH20 flat panel contact angle meter manufactured by Kyowa Gaimengagaku Co., Ltd.
크롬막을 에칭 제거한 후에는 원래의 크롬부의 접촉각은 19.2도 내지 19.9도인데 반해, 원래의 유리부는, 16.3도 내지 16.5도이었다.After etching away the chromium film, the original chromium portion had a contact angle of 19.2 to 19.9 degrees, whereas the original glass portion had a contact angle of 16.3 to 16.5 degrees.
원래의 크롬부와 원래의 유리부와의 접촉각의 차는 약 3도이며, 이 차에 의해, 호기상법으로 원래의 패턴 흔적을 확인할 수 있었다고 생각된다.The difference in contact angle between the original chromium part and the original glass part is about 3 degrees, and it is considered that the original pattern trace can be confirmed by the breath method.
계속해서, 용액2와 용액3에 각각 침지한 후에서의 접촉각은, 원래의 크롬부 및 원래의 유리부의 접촉각은 표 2에 나타내는 바와 같이 17.2도 내지 17.8도로 되고, 양자의 접촉각의 차가 1도 이하로 되었다.Subsequently, the contact angles of the original chromium portion and the original glass portion after immersing in the
보다 구체적으로는, 용액2에 있어서의 각 농도의 수산화칼륨 수용액에 각각 침지한 후의 상기 기판에 있어서는 원래의 크롬부의 접촉각과 원래의 유리부의 접촉각과의 차가 1도 이하로 되었다. 또한, 용액3에 침지한 후의 상기 기판에 있어서도 원래의 크롬부의 접촉각과 원래의 유리부의 접촉각과의 차가 1도 이하로 되었다.More specifically, the difference between the contact angle of the original chromium portion and the contact angle of the original glass portion in the substrate after each immersion in the potassium hydroxide aqueous solution of each concentration in
이에 의해 호기상법에 의해 원래의 패턴을 확인할 수 없게 되었다고 생각된다.As a result, the original pattern can not be confirmed by the aerial image method.
다음으로 상기 크롬 성막 기판에 감광 재료를 도포하고 포토리소법으로 다시 패턴 형성을 행하였다.Next, a photosensitive material was applied to the chromium film-forming substrate and the pattern was formed again by photolithography.
도 6의 d에 패턴 형성을 행한 포토마스크의 검사 결과를 나타낸다. 검사 장치는, 레이저텍제의 외관 검사 장치(51) MD를 사용하였다. 호기상법으로 원래의 패턴이 확인된 반면에는, 패턴의 화소 에지에 백색 결함이 다수 발생한 것에 반해, 호기상법으로 원래의 패턴이 확인되지 않은 반면의 백색 결함은, 거의 발생하지 않았다.Fig. 6D shows the inspection result of the photomask on which the pattern formation is performed. As the inspection apparatus, an external appearance inspection apparatus (51) MD of Laser Tex was used. While the original pattern was confirmed by the aerial image method, a lot of white defects were generated at the pixel edge of the pattern, whereas the original pattern was not confirmed by the aerial image method, while white defects hardly occurred.
백색 결함의 발생 개소를 상세하게 해석하면 원래의 패턴 흔적과 교차하는 개소에서, 백색 결함의 형상도 도 6의 e에 모식적으로 도시하겠지만, 화소의 에지부가 이지러진 형상으로 발생한 것을 확인할 수 있었다.When the occurrence of the white defect is analyzed in detail, it is confirmed that the shape of the white defect at the portion intersecting the original pattern trace is schematically shown in Fig. 6E, but the edge of the pixel is formed in an eroded shape.
이상의 예비 실험에 의해, 호기상법으로 확인되는 원래의 패턴 흔적의 유리 기판을 물리적인 연마에 따르지 않고, 습식 처리만으로, 호기상법으로도 확인할 수 없는 상태로 소실시키는 것이 가능하다는 것을 확인할 수 있고, 또한 호기상법으로 원래의 패턴 흔적을 소실시킴으로써, 패턴 결함을 개선할 수 있다는 것을 확인할 수 있었다.It can be confirmed from the preliminary experiments described above that it is possible to eliminate the glass substrate of the original pattern mark confirmed by the breath method with a state that can not be confirmed by the breath method alone, It was confirmed that the pattern defect can be improved by eliminating the original pattern trace by the aerial image method.
또한, 상기 설명에 있어서는, 크롬계 재료를 사용한 금속 박막을 갖는 포토마스크의 재생 처리 방법을 예로 들어 설명했지만, 다른 금속 재료를 사용한 금속 박막을 갖는 포토마스크에 대해서도, 마찬가지의 재생 처리 방법을 적용할 수 있다. 금속 박막의 상세에 대해서는, 후술하는 「B. 포토마스크용 재생 유리 기판의 제조 방법」의 항에서 설명한다.In the above description, the method of regenerating a photomask having a metal thin film using a chromium-based material has been described as an example. However, the same regeneration processing method may be applied to a photomask having a metal thin film using another metal material . For details of the metal thin film, refer to "B. &Quot; Manufacturing Method of Recycled Glass Substrate for Photomask ".
B. 포토마스크용 재생 유리 기판의 제조 방법B. Manufacturing Method of Recycled Glass Substrate for Photomask
본 발명의 포토마스크용 재생 유리 기판(이하, 간단히 재생 유리 기판이라고 칭하여 설명하는 경우가 있음)의 제조 방법은, 유리 기판 및 상기 유리 기판의 한쪽 표면 상에 패턴 형상으로 형성된 금속 박막을 갖는 포토마스크로부터, 에칭액을 사용하여 상기 금속 박막을 용해 제거하는 용해 제거 공정과, 상기 용해 제거 공정 후의 상기 유리 기판의 표면에 알칼리성 수용액을 접촉시켜서 습식 습윤성 균일화 처리를 하는 습식 습윤성 균일화 처리 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 제조 방법이다.A method of manufacturing a regenerated glass substrate for a photomask (hereinafter, simply referred to as a regenerated glass substrate) of the present invention comprises a glass substrate and a photomask having a metal thin film formed in a pattern on one surface of the glass substrate And a wet-wettability homogenization treatment step of wet-wetting-homogenizing the surface of the glass substrate after the dissolution-removing step by bringing an alkaline aqueous solution into contact with the surface of the glass substrate. .
본 발명에 따르면, 상기 습식 습윤성 균일화 처리 공정을 가짐으로써, 재생 유리 기판의 표면 습윤성을 균일화할 수 있기 때문에, 상기 재생 유리 기판을 사용하여 포토마스크를 제조하는 경우에, 재생 유리 기판의 표면 상에 양호하게 금속 박막을 패턴 형상으로 형성할 수 있어, 금속 박막의 박리 등을 방지할 수 있다.According to the present invention, since the surface wettability of the reclaimed glass substrate can be made uniform by having the wet-wettability homogenization process, when the photomask is produced using the reclaimed glass substrate, It is possible to form the metal thin film in a pattern shape in a favorable manner, and peeling of the metal thin film can be prevented.
여기서, 상술한 바와 같이, 상기 용해 제거 공정 후의 상기 유리 기판(이하, 미처리 유리 기판이라고 칭하여 설명하는 경우가 있음)을 사용하여, 다시 포토마스크를 제조하는 경우, 미처리 유리 기판 상에 형성된 금속 박막에 박리가 발생하기 쉬워, 패턴 결함이 발생하기 쉽다는 문제가 있다. 이에 비해, 종래부터 재생 유리 기판의 제조 방법에 있어서는, 미처리 유리 기판 표면을 연마함으로써 그 표면 상태를 균일화하는 방법이 사용되고 있지만, 제조 비용이 든다는 등의 문제가 있다.Here, as described above, when the photomask is again manufactured by using the glass substrate after the dissolution removing process (hereinafter, may be referred to as an untreated glass substrate), the metal thin film formed on the untreated glass substrate There is a problem that peeling easily occurs and pattern defects are likely to occur. On the other hand, in the conventional method of manufacturing a reclaimed glass substrate, a method of uniformizing the surface state of the untreated glass substrate by polishing the surface of the untreated glass substrate has been used.
본 발명자들은, 미처리 유리 기판의 표면 처리 방법으로서 연마를 대신하는 방법에 대하여 예의 연구를 행한 결과, 미처리 유리 기판에 있어서는, 포토마스크로서 사용되었을 때 유리 기판이 노출된 부분과, 금속 박막이 형성된 부분과의 습윤성에 차이가 발생한 것, 상기 습윤성의 차이가 금속 박막의 박리 원인이 된 것, 상기 미처리 유리 기판에 알칼리성 수용액을 접촉시키는 습식 습윤성 균일화 처리를 행함으로써, 그 표면의 습윤성을 균일화할 수 있다는 것을 발견하였다.The inventors of the present invention have conducted intensive studies on a method of surface treatment of an untreated glass substrate in place of polishing. As a result, in the untreated glass substrate, a portion where the glass substrate is exposed when used as a photomask, And the wettability of the surface of the untreated glass substrate is brought into contact with the wettability of the wettability of the wettability-wettable glass substrate, whereby the wettability of the surface can be made uniform .
본 발명은 상기한 점을 발견한 것에 큰 특징을 갖는 것이다.The present invention has a great feature in that it has found the above point.
이하, 본 발명의 포토마스크용 재생 유리 기판의 제조 방법 상세에 대하여 설명한다.Hereinafter, the method of manufacturing the reclaimed glass substrate for a photomask of the present invention will be described in detail.
1. 용해 제거 공정1. Dissolution removal process
본 발명에 있어서의 용해 제거 공정은, 유리 기판 및 상기 유리 기판의 한쪽 표면 상에 패턴 형상으로 형성된 금속 박막을 갖는 포토마스크로부터, 에칭액을 사용하여 상기 금속 박막을 용해 제거하는 공정이다. 본 공정은, 미처리 유리 기판을 얻는 공정이다.The dissolution removing step in the present invention is a step of dissolving and removing the metal thin film from a photomask having a glass substrate and a metal thin film formed in a pattern on one surface of the glass substrate using an etching solution. This step is a step of obtaining an untreated glass substrate.
먼저, 본 공정에 사용되는 포토마스크에 대하여 설명한다.First, the photomask used in this step will be described.
상기 포토마스크는, 유리 기판과, 유리 기판 상에 패턴 형상으로 형성된 금속 박막을 갖는 것이다. 또한, 상기 포토마스크는, 포토리소그래피 공정을 사용한 제품의 제조 후에 사용 완료로 된 것이나 포토마스크 자체의 제조 시에 있어서 불량으로 된 것이 사용된다.The photomask has a glass substrate and a metal thin film formed in a pattern on the glass substrate. In addition, the photomask has been used after the manufacture of a product using the photolithography process, but is defective in manufacturing the photomask itself.
유리 기판으로서는, 일반적인 포토마스크에 사용되는 것과 마찬가지로 할 수 있고, 예를 들어 합성 석영 유리, 파이렉스(등록 상표) 유리 등을 들 수 있다. 또한, 유리 기판의 두께에 대해서는, 포토마스크의 용도에 따라서 적절히 선택되고, 특별히 한정되지 않는다.The glass substrate can be the same as that used for a general photomask, and examples thereof include synthetic quartz glass, Pyrex (registered trademark) glass, and the like. The thickness of the glass substrate is appropriately selected depending on the use of the photomask, and is not particularly limited.
포토마스크에 사용되는 금속 박막으로서는, 일반적인 포토마스크에 사용되는 것과 마찬가지로 할 수 있고, 예를 들어 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr) 등으로부터 선택된 금속 원소 중 어느 1종을 주성분으로 하는 박막, 또는 상기 금속 원소의 질화물, 산화물 또는 산화질화물 중 어느 하나를 주성분으로 하는 박막, 또는 몰리브덴 실리사이드(MoSi) 박막 등을 들 수 있다. 본 발명에 있어서는 그 중에서도 금속 박막이, 크롬, 질화크롬, 산화크롬, 산화질화 크롬 등의 크롬계 재료로 구성되는 것이 바람직하다.The metal thin film to be used for the photomask can be the same as that used for a general photomask. For example, the thin metal film may be formed of chromium (Cr), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), titanium (Ti), zirconium A thin film containing any one of the selected metal elements as a main component, a thin film containing as a main component any one of nitride, oxide and oxynitride of the metal element, or a molybdenum silicide (MoSi) thin film. In the present invention, it is preferable that the metal thin film is made of a chromium-based material such as chromium, chromium nitride, chromium oxide, and chromium oxynitride.
금속 박막의 두께에 대해서는, 포토마스크의 용도 등에 따라서 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 30㎚ 내지 150㎚ 정도이다.The thickness of the metal thin film can be appropriately selected depending on the use of the photomask and the like, and is, for example, about 30 nm to 150 nm.
포토마스크에 있어서의 금속 박막은, 통상 소정의 패턴 형상으로 유리 기판의 표면 상에 형성되는 것이다. 금속 박막의 패턴에 대해서는, 포토마스크의 용도 등에 따라서 적절히 선택할 수 있다.The metal thin film in the photomask is usually formed on the surface of the glass substrate in a predetermined pattern shape. The pattern of the metal thin film can be appropriately selected in accordance with the use of the photomask and the like.
본 공정에 사용되는 에칭액으로서는, 금속 박막의 종류에 따라 적절히 선택할 수 있다. 이러한 에칭액으로서는, 일반적인 것을 사용할 수 있고, 예를 들어 금속 박막이 크롬계 재료로 구성되는 것인 경우에는, 상술한 「A. 포토마스크용 유리 기판의 재생 처리 방법」의 항에서 설명한 에칭액을 사용할 수 있다. 또한, 에칭 방법으로서는, 예를 들어, 포토마스크의 금속 박막측 표면을 에칭액에 침지시키는 방법 등을 들 수 있다.The etching solution used in this step can be appropriately selected depending on the kind of the metal thin film. As such an etching solution, a general one can be used. For example, when the metal thin film is made of a chromium-based material, the above-mentioned "A. A method of regenerating a glass substrate for a photomask ", can be used. Examples of the etching method include a method of immersing the side surface of the metal thin film of the photomask in an etching solution, and the like.
본 공정에 있어서, 포토마스크로부터 금속 박막을 용해 제거한 후, 통상 세정 처리가 실시된다.In this step, the metal thin film is dissolved and removed from the photomask, followed by a usual cleaning treatment.
2. 습식 습윤성 균일화 처리 공정2. Wet wettability homogenization treatment process
본 발명에 있어서의 습식 습윤성 균일화 처리 공정은, 상기 용해 제거 공정 후의 상기 유리 기판의 표면에 알칼리성 수용액을 접촉시켜서 습식 습윤성 균일화 처리를 하는 공정이다.The wet-wettability homogenization process in the present invention is a process in which an alkaline aqueous solution is brought into contact with the surface of the glass substrate after the dissolution removal process to perform a wet-wettability homogenization process.
또한, 이하의 설명에 있어서, 습식 습윤성 균일화 처리가 실시된 유리 기판을 「처리 완료 유리 기판」이라고 칭하고, 유리 기판 표면의 습윤성이 균일화된 유리 기판을 「재생 유리 기판」이라고 칭하여 설명하는 경우가 있다.In the following description, the glass substrate on which the wet-wettability-uniforming treatment is performed is referred to as a "treated glass substrate", and the glass substrate on which the wettability of the glass substrate surface is made uniform is referred to as a "reclaimed glass substrate" .
본 공정에 사용되는 알칼리성 수용액으로서는, 예를 들어 수산화칼륨(KOH)을 알칼리 성분으로서 함유하는 것을 적절하게 사용할 수 있다. 알칼리성 수용액이 수산화칼륨을 함유하는 경우, 알칼리 수용액 내의 수산화칼륨의 농도(함유량)로서는, 재생 유리 기판의 표면 습윤성을 균일화할 수 있으면 특별히 한정되지 않지만, 5％ 내지 30％의 범위 내, 그 중에서도 5％ 내지 15％의 범위 내인 것이 바람직하다. 수산화칼륨의 농도가 상술한 범위 내인 경우, 유리 기판의 표면 습윤성을 적절하게 균일화할 수 있다.As the alkaline aqueous solution to be used in the present step, for example, potassium hydroxide (KOH) containing an alkaline component can be suitably used. In the case where the alkaline aqueous solution contains potassium hydroxide, the concentration (content) of potassium hydroxide in the aqueous alkaline solution is not particularly limited as long as the surface wettability of the regenerated glass substrate can be made uniform, but is preferably in the range of 5% to 30% % To 15%. When the concentration of potassium hydroxide is within the above-mentioned range, the surface wettability of the glass substrate can be appropriately made uniform.
본 공정에 사용되는 알칼리 수용액에는, 예를 들어 유기 인산염, 카르복실산염, 아민산, 계면 활성제 등이 첨가되어 있어도 된다.The alkali aqueous solution used in the present step may contain, for example, an organic phosphate, a carboxylate, an amine acid, a surfactant, and the like.
미처리 유리 기판의 표면에 알칼리성 수용액을 접촉시키는 방법으로서는, 예를 들어, 미처리 유리 기판을 알칼리성 수용액 중에 침지하는 방법이나, 미처리 유리 기판의 금속 박막 제거측 표면에 노즐, 스프레이 등을 사용하여 알칼리성 수용액을 분사하는 방법 등을 사용할 수 있다.Examples of the method of bringing the alkaline aqueous solution into contact with the surface of the untreated glass substrate include a method of immersing the untreated glass substrate in an alkaline aqueous solution or a method of applying an alkaline aqueous solution by using a nozzle, Spraying method or the like can be used.
처리 완료 유리 기판의 표면 습윤성이 균일화된 것, 즉 재생 유리 기판이 형성된 것은, 호기상 검사를 행함으로써 확인할 수 있다.It is possible to confirm that the surface wettability of the treated glass substrate is made uniform, that is, the regenerated glass substrate is formed by carrying out an aerobic inspection.
본 발명에 사용되는 호기상 검사 방법의 상세에 대하여 설명한다.Details of the aerobic test method used in the present invention will be described.
도 7의 (a), (b)는 본 발명에 사용되는 호기상 검사 방법의 일례에 대하여 설명하는 설명도이다. 본 발명에 있어서의 호기상 검사 방법에 있어서는, 먼저 도 7의 (a)에 도시하는 바와 같이, 상온 상습(23℃, 습도 50％)의 환경 하에서 처리 완료 유리 기판(1')을 수평으로 배치할 수 있는 용기(10)를 준비하고, 처리 완료 유리 기판(1')을 습식 습윤성 균일화 처리가 실시된 면(이하, 처리면X라고 칭하여 설명하는 경우가 있음)과 용기(10)의 저면이 대향하도록 수평 배치한다. 이때, 용기(10)의 저면으로부터 15㎝ 정도의 높이의 위치에 처리 완료 유리 기판(1')의 처리면X가 위치하도록 배치한다.7 (a) and 7 (b) are explanatory diagrams for explaining an example of an aerobic inspection method used in the present invention. 7A, the treated glass substrate 1 'is placed horizontally under an environment of normal temperature and normal humidity (23 DEG C,
이어서, 도 7의 (b)에 도시하는 바와 같이, 약 80℃ 정도의 순수(20)를 용기(10)의 저면으로부터 1㎝ 내지 2㎝ 정도의 높이까지 붓고, 1분간 정치하여, 수증기(21)를 처리 완료 유리 기판(1')의 처리면X에 부착시킨다. 처리 완료 유리 기판(1')의 처리면X에 부착된 수증기(21)를 형광 등불 아래에서, 용기(10)의 상측으로부터 처리 완료 유리 기판(1')의 처리면X와는 반대측의 면Y를 통해서 관찰한다.7 (b),
호기상이 육안으로 확인되지 않는 경우에는, 처리 완료 유리 기판의 표면 습윤성이 균일화된 것을 판단할 수 있고, 호기상이 육안으로 확인되는 경우에는 처리 완료 유리 기판의 표면 습윤성이 균일화되어 있지 않은 것이라고 판단할 수 있다.It can be determined that the surface wettability of the treated glass substrate is uniformized when the aerobic phase can not be visually recognized and it is judged that the surface wettability of the treated glass substrate is not uniform when the aerial image is visually confirmed can do.
호기상이 육안으로 확인되지 않는 것, 호기상이 육안으로 확인되는 것의 판단에 대해서는, 상술한 「A. 포토마스크용 유리 기판의 재생 처리 방법」의 항에서 설명했기 때문에, 여기서의 설명은 생략한다.As for the judgment that the aerial image is not visually confirmed, and the aerial image is visually confirmed, the above-mentioned "A. Method for regenerating a glass substrate for a photomask ", the description thereof is omitted here.
본 공정에 있어서는, 습식 습윤성 균일화 처리 전에 미처리 유리 기판에 대하여 상술한 호기상 검사를 행해도 된다.In this step, the above-described aerobic inspection may be performed on the untreated glass substrate before the wettability-wettability equalization treatment.
처리 완료 유리 기판의 습윤성이 균일화되어 있지 않은 경우에는, 통상, 습식 습윤성 균일화 처리와 호기상 검사가, 처리 완료 유리 기판의 표면 습윤성이 균일화될 때까지 교대로 행하여진다.In the case where the wettability of the treated glass substrate is not uniform, the wet wettability homogenization treatment and the air phase inspection are usually carried out alternately until the surface wettability of the treated glass substrate becomes uniform.
또한, 본 발명의 포토마스크용 재생 유리 기판의 제조 방법을 제조 라인에서 행하는 경우, 본 공정은, 예를 들어 이하와 같이 행할 수 있다.In the case where the production method of the reclaimed glass substrate for a photomask of the present invention is performed in a production line, this step can be carried out, for example, as follows.
먼저, 미처리 유리 기판의 표면에 다양한 조건으로 알칼리성 수용액을 접촉시켜서, 습식 습윤성 균일화 처리에 있어서의 최적 조건을 설정한다. 최적 조건의 검토 시에, 처리 완료 유리 기판의 표면 습윤성에 대해서는, 통상 상술한 호기상 검사 방법으로 판단한다.First, the alkaline aqueous solution is brought into contact with the surface of the untreated glass substrate under various conditions to set the optimum conditions in the wettability-wettability equalization treatment. When examining the optimum condition, the surface wettability of the treated glass substrate is usually judged by the above-described aerobic method.
이어서, 제조 라인에 있어서, 상술한 최적 조건으로 습식 습윤성 균일화 처리를 복수의 미처리 유리 기판에 실시한다. 이때, 제조 라인에 있어서 처리 완료 유리 기판의 습윤성이 균일화되어 있는 것에 대해서는, 상술한 호기상 검사 방법에 의해 확인하는 것도 가능하지만, 보다 간편한 확인 방법으로서 이하의 호기상 검사 방법(제조 라인용 호기상 검사법)을 사용할 수도 있다.Subsequently, in the production line, wet-wettability homogenization treatment is carried out on a plurality of untreated glass substrates under the optimum conditions described above. At this time, the fact that the wettability of the treated glass substrate in the production line is uniform can be confirmed by the above-mentioned escape gas inspection method, but as an easier confirmation method, the following aerobic inspection method Test method) may be used.
도 8은 본 발명에 사용되는 호기상 검사 방법의 다른 예에 대하여 설명하는 설명도이다.Fig. 8 is an explanatory view for explaining another example of the aerobic phase inspecting method used in the present invention. Fig.
상온 상습(23℃, 습도 50％)의 환경 하에서, 처리 완료 유리 기판(1')을 고정 장치(50) 등에 의해 고정하고, 처리 완료 유리 기판(1')의 처리면X에 스티머(30) 등을 사용해서 80℃의 순수의 수증기(21)를 부착시킨다. 수증기(21)의 부착 후에, 처리 완료 유리 기판(1')의 처리면X를 투광기(40)를 사용하여 광(41)을 조사하여 관찰한다.The treated glass substrate 1 'is fixed by the fixing
투광기에 대해서는, 일반적인 것을 사용할 수 있다. 또한, 스티머에 대해서도, 처리 완료 유리의 처리면에 수증기를 부착시킬 수 있으면 그 형태 등에 대해서는 특별히 한정되지 않고, 일반적인 것을 사용할 수 있다. 스티머로서는, 예를 들어 (주) 이시까와 덴끼 세이사꾸쇼제의 핸드 스티머 SSH-601 등을 들 수 있다.As for the light projector, a general one can be used. Also, with respect to the steamer, as long as steam can be attached to the treated surface of the treated glass, the shape and the like are not particularly limited, and general ones can be used. As the steamer, for example, Hand Steamer SSH-601 manufactured by Ishikawa Denkim Seisakusho Co., Ltd. and the like can be mentioned.
본 공정에 있어서, 습식 습윤성 균일화 처리 후에는, 통상 재생 유리 기판에 대하여 세정, 건조 처리가 실시된다.In this step, after the wet-wettability homogenization treatment, cleaning and drying treatment are usually performed on the regenerated glass substrate.
또한, 본 공정에 있어서는, 상술한 「A. 포토마스크용 유리 기판의 재생 처리 방법」의 항에서 설명한 장치 구성(장치)을 적절하게 사용할 수 있다.Further, in this step, the above-mentioned " A. (Apparatus for regenerating and processing a glass substrate for a photomask) " can be suitably used.
3. 기타3. Other
본 발명의 포토마스크용 재생 유리 기판의 제조 방법은, 상기 용해 제거 공정과, 상기 습식 습윤성 균일화 처리 공정을 갖고 있으면 특별히 한정되지 않고, 필요에 따라 다른 공정을 행할 수 있다.The method for producing a regenerated glass substrate for a photomask of the present invention is not particularly limited as long as it has the dissolution removing step and the wet wettability homogenizing treatment step, and other steps can be carried out if necessary.
본 발명의 포토마스크용 재생 유리 기판은, 포토마스크의 유리 기판으로서 사용된다.The reclaimed glass substrate for a photomask of the present invention is used as a glass substrate for a photomask.
C. 포토마스크의 제조 방법C. Manufacturing Method of Photomask
본 발명의 포토마스크 제조 방법은, 2가지 형태를 갖는다. 이하, 각각에 대하여 설명한다.The photomask manufacturing method of the present invention has two types. Each will be described below.
1. 제1 형태1.
본 발명의 포토마스크 제조 방법의 제1 형태는, 적어도 한쪽 면에 금속 박막으로 패턴이 형성된 포토마스크용 유리 기판의 상기 금속 박막을 에칭액에 의해 용해 제거한 후에, 호기상 검사에서 상기 패턴이 나타나지 않게 될 때까지 습식 습윤성 균일화 처리를 행하는 재생 처리 방법에 의해, 포토마스크용 재생 유리 기판을 형성하는 재생 처리 공정과, 상기 포토마스크용 재생 유리 기판 중 적어도 한쪽 면에 금속 박막을 형성하여 마스크 블랭크를 형성하는 마스크 블랭크 형성 공정과, 상기 금속 박막 상에 레지스트를 패턴 형상으로 형성하는 레지스트 형성 공정과, 상기 레지스트가 형성된 상기 금속 박막의 노출 부분을 에칭하는 에칭 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 제조 방법이다.A first mode of the present invention is a method for manufacturing a photomask, comprising the steps of: dissolving and removing the metal thin film of a glass substrate for a photomask having a pattern of a metal thin film on at least one side thereof with an etching solution; A regeneration processing step of forming a regenerated glass substrate for a photomask by a regeneration processing method for performing a wet-wettability homogenization process until the wet-wettability homogenization process is performed; and a step of forming a metal thin film on at least one surface of the regenerated glass substrate for photomask to form a mask blank A mask blank forming step, a resist forming step of forming a resist pattern on the metal thin film, and an etching step of etching the exposed portion of the metal thin film on which the resist is formed.
본 형태에 의하면, 상술한 재생 처리 공정을 가짐으로써, 재생 유리 기판을 사용한 경우도, 금속 박막의 박리 등을 방지할 수 있어, 양호한 패턴 형상의 금속 박막을 갖는 포토마스크로 할 수 있다.According to this embodiment, by using the above-described regeneration processing step, peeling of the metal thin film can be prevented even when a regenerated glass substrate is used, and a photomask having a metal thin film of good pattern shape can be obtained.
(1) 재생 처리 공정(1) Regeneration treatment process
본 형태에 사용되는 재생 처리 공정은, 적어도 한쪽 면에 금속 박막으로 패턴이 형성된 포토마스크용 유리 기판의 상기 금속 박막을 에칭액에 의해 용해 제거한 후에, 호기상 검사에서 상기 패턴이 나타나지 않게 될 때까지 습식 습윤성 균일화 처리를 행하는 재생 처리 방법에 의해, 포토마스크용 재생 유리 기판을 형성하는 공정이다.In the regeneration treatment step used in this embodiment, after the metal thin film of the glass substrate for photomask having a pattern of a metal thin film formed on at least one surface thereof is dissolved and removed by an etching solution, Is a step of forming a regenerated glass substrate for a photomask by a regeneration processing method that performs a wettability homogenization process.
본 형태에 사용되는 재생 처리 방법에 대해서는, 상술한 「A. 포토마스크용 유리 기판의 재생 방법」의 항에서 설명한 내용과 마찬가지로 할 수 있기 때문에, 여기서의 설명은 생략한다.Regarding the regeneration processing method used in this embodiment, the above-described "A. Quot; method of reproducing a glass substrate for photomask ", the description thereof is omitted here.
(2) 마스크 블랭크 형성 공정(2) Mask blank forming process
본 형태에 사용되는 마스크 블랭크 형성 공정은, 상기 포토마스크용 재생 유리 기판 중 적어도 한쪽 면에 금속 박막을 형성하여 마스크 블랭크를 형성하는 공정이다.The mask blank forming step used in this embodiment is a step of forming a mask blank by forming a metal thin film on at least one surface of the reclaimed glass substrate for photomask.
금속 박막에 사용되는 재료 및 금속 박막의 두께 등에 대해서는, 상술한 「B. 포토마스크용 재생 유리 기판의 제조 방법」의 항에서 설명한 것과 마찬가지로 할 수 있기 때문에, 여기서의 설명은 생략한다.The material used for the metal thin film, the thickness of the metal thin film, and the like are described in detail in "B. Method for manufacturing a reclaimed glass substrate for a photomask ", and therefore, the description thereof is omitted here.
금속 박막의 형성 방법으로서는, 일반적인 포토마스크에 사용되는 금속 박막의 형성 방법과 마찬가지로 할 수 있고, 예를 들어 증착법, 스퍼터(스패터)법을 들 수 있다.The method of forming the metal thin film can be the same as the method of forming the metal thin film used in a general photomask, and examples thereof include a vapor deposition method and a sputter (sputtering) method.
(3) 레지스트 형성 공정(3) Resist Formation Process
본 형태에 사용되는 레지스트 형성 공정은, 상기 금속 박막 상에 레지스트를 패턴 형상으로 형성하는 공정이다.The resist forming step used in this embodiment is a step of forming a resist pattern on the metal thin film.
본 공정에 있어서는, 통상, 금속 박막 상에 레지스트막을 형성하고, 레지스트막을 노광한 후, 현상하여, 소정의 패턴 형상을 갖는 레지스트를 형성한다.In this step, a resist film is usually formed on a metal thin film, the resist film is exposed, and then developed to form a resist having a predetermined pattern shape.
레지스트막은, 감광성 수지를 사용하여 형성된다. 레지스트막에 사용되는 감광성 수지로서는, 일반적인 감광성 수지와 마찬가지로 할 수 있고, 포지티브형 감광성 수지이어도 되고, 네가티브형 감광성 수지이어도 된다. 상기 포지티브형 감광성 수지로서는, 예를 들어 페놀에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드, 시클로올레핀 등을 들 수 있다. 구체적으로는, IP3500(TOK사제), PFI27(스미토모 가가쿠사제), ZEP7000(제온사제) 등을 들 수 있다. 한편, 네가티브형 감광성 수지로서는, 예를 들어 아크릴 수지 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 폴리글리시딜 메타크릴레이트(PGMA), 화학 증폭형 SAL601(시프레사제) 등을 들 수 있다.The resist film is formed using a photosensitive resin. The photosensitive resin used for the resist film may be the same as a general photosensitive resin, and may be a positive photosensitive resin or a negative photosensitive resin. Examples of the positive photosensitive resin include a phenol epoxy resin, an acrylic resin, a polyimide, and a cycloolefin. Specific examples thereof include IP3500 (manufactured by TOK Corporation), PFI27 (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.), ZEP7000 (manufactured by XEON Corporation) and the like. On the other hand, examples of the negative photosensitive resin include an acrylic resin and the like. Specific examples thereof include polyglycidyl methacrylate (PGMA) and chemically amplified SAL601 (manufactured by Shipley).
레지스트막의 두께로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 10㎚ 내지 10㎛의 범위 내이다.The thickness of the resist film is not particularly limited, but is, for example, in the range of 10 nm to 10 탆.
레지스트막의 형성 방법에 대해서는, 공지의 방법으로 할 수 있다.The method of forming the resist film may be a known method.
본 공정에 사용되는 노광법으로서는, 레지스트막에 원하는 패턴 형상을 묘화할 수 있으면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 레이저 묘화법, EB 묘화법 등을 사용할 수 있다. 또한, 노광 조건 등에 대해서는, 일반적인 포토마스크의 제조 시에 사용되는 조건과 마찬가지로 할 수 있기 때문에, 여기서의 설명은 생략한다.The exposure method used in this step is not particularly limited as long as a desired pattern shape can be drawn on the resist film. For example, a laser imaging method, an EB imaging method, or the like can be used. The exposure conditions and the like can be the same as those used in the production of a general photomask, and a description thereof will be omitted.
레지스트막을 현상하는 방법으로서는, 예를 들어 현상액을 사용하는 방법 등을 들 수 있다. 현상액의 종류 등에 대해서는, 일반적인 현상액을 사용할 수 있지만, 상기 감광성 수지의 종류 등에 따라서 적절히 선택하는 것이 바람직하다. 상기 현상액으로서는, 구체적으로는 테트라메틸암모늄 수용액, 수산화칼륨 수용액, 수산화나트륨 수용액, 탄산나트륨 수용액 등의 알칼리 현상액 및 염산 수용액, 아세트산 수용액, 황산 수용액, 인산 수용액 등의 산 현상액 등을 들 수 있다.As a method for developing the resist film, for example, a method using a developer can be given. With respect to the type of the developing solution, a general developing solution can be used, but it is preferable to suitably select it according to the type of the photosensitive resin and the like. Specific examples of the developing solution include an alkaline developing solution such as a tetramethylammonium aqueous solution, an aqueous potassium hydroxide solution, an aqueous sodium hydroxide solution and an aqueous sodium carbonate solution, and an acid developing solution such as an aqueous hydrochloric acid solution, an aqueous acetic acid solution, an aqueous sulfuric acid solution and an aqueous phosphoric acid solution.
(4) 에칭 공정(4) Etching process
본 형태에 사용되는 에칭 공정이란, 상기 레지스트가 형성된 상기 금속 박막의 노출 부분을 에칭하는 공정이다.The etching step used in this embodiment is a step of etching an exposed portion of the metal thin film on which the resist is formed.
금속 박막의 에칭 방법으로서는, 웨트 에칭법 또는 드라이 에칭법을 적용할 수 있다. 본 공정에 있어서는, 그 중에서도 웨트 에칭법을 사용하는 것이 바람직하다. 비용적으로 유리하기 때문이다.As the etching method of the metal thin film, wet etching or dry etching can be applied. In this step, it is preferable to use a wet etching method. This is advantageous in terms of cost.
또한, 금속 박막이 크롬계의 재료로 구성된 막일 경우, 질산 제2 세륨 암모늄에 과염소산을 첨가한 웨트에천트를 적절하게 사용할 수 있다.Further, when the metal thin film is a film made of a chromium-based material, a wet etchant to which perchloric acid is added to ceric ammonium nitrate can be suitably used.
에칭 종료 후, 통상, 레지스트의 박리 및 포토마스크의 세정 처리 등이 행하여진다.After the etching is completed, usually, the resist is peeled off and the photomask is cleaned.
(5) 기타(5) Others
본 형태의 포토마스크 제조 방법은, 상술한 재생 처리 공정, 레지스트 형성 공정 및 에칭 공정을 갖고 있으면 특별히 한정되지 않고, 필요한 공정을 적절히 선택하여 추가할 수 있다.The photomask manufacturing method of this embodiment is not particularly limited as long as it has the regeneration processing step, the resist forming step and the etching step, and the necessary steps can be appropriately selected and added.
본 형태의 포토마스크 제조 방법에 의해 제조되는 포토마스크는, 다양한 플랫 패널, 회로 기판 등의 제조 시의 포토리소그래피 공정에 사용할 수 있다.The photomask manufactured by the photomask manufacturing method of this embodiment can be used in a photolithography process at the time of manufacturing various flat panels, circuit boards and the like.
2. 제2 형태2. The second type
본 발명의 포토마스크 제조 방법 제2 형태는, 유리 기판 및 상기 유리 기판의 한쪽 표면 상에 패턴 형상으로 형성된 금속 박막을 갖는 포토마스크로부터, 에칭액을 사용하여 상기 금속 박막을 용해 제거하는 용해 제거 공정, 및 상기 용해 제거 공정 후의 상기 유리 기판의 표면에 알칼리성 수용액을 접촉시켜서 습식 습윤성 균일화 처리를 하는 습식 습윤성 균일화 처리 공정을 행함으로써, 포토마스크용 재생 유리 기판을 형성하는 재생 처리 공정과, 상기 포토마스크용 재생 유리 기판 중 적어도 한쪽 면에 금속 박막을 형성하여 마스크 블랭크를 형성하는 마스크 블랭크 형성 공정과, 상기 금속 박막 상에 레지스트를 패턴 형상으로 형성하는 레지스트 형성 공정과, 상기 레지스트가 형성된 상기 금속 박막의 노출 부분을 에칭하는 에칭 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 제조 방법이다.A second mode of the present invention is a process for producing a photomask comprising a dissolution removing step of dissolving and removing the metal thin film from a photomask having a glass substrate and a metal thin film formed in a pattern on one surface of the glass substrate, And a wet-wettability homogenization treatment step in which an alkaline aqueous solution is brought into contact with the surface of the glass substrate after the dissolution removal step to perform a wet-wettability homogenization treatment, thereby forming a regenerated glass substrate for a photomask, A mask blank forming step of forming a mask blank by forming a metal thin film on at least one surface of the reclaimed glass substrate; a resist forming step of forming a resist pattern on the metal thin film; Having an etching process for etching a portion .
본 형태에 의하면, 상술한 재생 처리 공정을 가짐으로써, 재생 유리 기판을 사용한 경우도, 금속 박막의 박리 등을 방지할 수 있어, 양호한 패턴 형상의 금속 박막을 갖는 포토마스크로 할 수 있다.According to this embodiment, by using the above-described regeneration processing step, peeling of the metal thin film can be prevented even when a regenerated glass substrate is used, and a photomask having a metal thin film of good pattern shape can be obtained.
본 형태에 있어서, 재생 처리 공정 이외의 공정, 기타 사항에 대해서는, 상술한 「1. 제1 형태」의 항에서 설명한 내용과 마찬가지로 할 수 있기 때문에, 여기서의 설명은 생략한다.In this embodiment, the steps other than the regeneration treatment step and other matters are the same as the above-mentioned " 1. First Embodiment ", the description thereof is omitted here.
또한, 본 형태에 있어서의 재생 처리 공정에 대해서는, 상술한 「B. 포토마스크용 재생 유리 기판의 제조 방법」의 항에서 설명한 내용과 마찬가지로 할 수 있기 때문에, 여기서의 설명은 생략한다.Regarding the regeneration processing step in this embodiment, the "B. Method for manufacturing a reclaimed glass substrate for a photomask ", the description thereof will be omitted.
본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태는, 예시이며, 본 발명의 청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 마찬가지의 작용 효과를 발휘하는 것은, 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiments are illustrative, and any of those having substantially the same constitution as the technical idea described in the claims of the present invention and exhibiting similar operational effects are included in the technical scope of the present invention.
[실시예][Example]
[실시예 1][Example 1]
이하 본 발명의 실시예를 액정 패널용으로, 사용 완료된 유리 기판 사이즈 450㎜×550㎜이고 두께가 5㎜인 합성 석영 유리의 포토마스크 재생 처리를 행하였다.A photomask regeneration treatment of a synthetic quartz glass having a glass substrate size of 450 mm x 550 mm and a thickness of 5 mm, which has been used for a liquid crystal panel, was carried out in the embodiments of the present invention.
상기 사용 완료 포토마스크는, 크롬 에칭액으로 크롬막을 모두 제거하고, 순수 세정을 행하여 맨 유리 상태로 하였다. 이 상태에서 호기상 검사를 행한 결과, 제거한 원래의 패턴 흔적이 확인되었다.In the used photomask, all of the chromium film was removed with a chromium etching solution, and pure cleaning was performed to obtain a glassy state. As a result of performing the aerobic inspection in this state, the original pattern trace removed was confirmed.
다음으로 상기 크롬막을 제거한 재생 기판을 액온이 25도인 KOH 5％ 수용액에 4시간 침지하고 순수 세정을 행하였다. 유리 에칭량은 0.6㎛이며, 세정한 기판의 호기상 검사를 행한 결과, 원래의 패턴은 사라지고, 육안 검사에서는 확인할 수 없는 포토마스크용 유리 기판이 생겼다.Next, the recycled substrate from which the chromium film had been removed was immersed in a 5% aqueous solution of KOH having a liquid temperature of 25 DEG C for 4 hours, and then purely washed. The amount of glass etching was 0.6 占 퐉. As a result of performing an aerobic inspection of the cleaned substrate, the original pattern disappeared, and a glass substrate for a photomask was formed which could not be confirmed by visual inspection.
다음으로 상기 재생 유리 기판의 주면에 진공 스퍼터 성막 장치를 사용하여 순 크롬막을 성막한 후에 산화크롬막을 성막한 포토마스크용 크롬 블랭크 기판을 사용하였다.Next, a chromium oxide film for a photomask was formed on the main surface of the reclaimed glass substrate by depositing a pure chrome film using a vacuum sputtering apparatus and forming a chromium oxide film thereon.
상기 크롬 블랭크 기판의 표면 육안 검사를 행한 결과, 원래의 패턴은 확인할 수 없었다.As a result of visual inspection of the surface of the chromium blank substrate, the original pattern could not be confirmed.
또한 상술한 포토마스크 제조 공정과 마찬가지로 포토마스크를 제작한 결과, 치수의 이상이나 재생 기판에 특유한 백색 결함 등도 없는 포토마스크가 얻어졌다.In addition, a photomask was produced in the same manner as in the above-described photomask fabrication process, and as a result, a photomask having no dimensional defect or white defect peculiar to the reproduced substrate was obtained.
[실시예 2][Example 2]
실시예 1과 마찬가지의 방법으로 제작된 포토마스크의 재생 처리를 행하였다.A photomask manufactured by the same method as in Example 1 was subjected to a regeneration process.
상기 포토마스크가 사용 완료되고, 포토마스크 기판의 재이용을 위해서, 재생 처리를 행하였다.The photomask was used, and a regeneration treatment was performed for reuse of the photomask substrate.
상기 사용 완료 포토마스크는, 크롬 에칭액으로 크롬막을 모두 제거하고, 순수 세정을 행하여 맨 유리 상태로 하였다. 이 상태에서 호기상 검사를 행한 결과, 제거한 원래의 패턴 흔적이 확인되었다.In the used photomask, all of the chromium film was removed with a chromium etching solution, and pure cleaning was performed to obtain a glassy state. As a result of performing the aerobic inspection in this state, the original pattern trace removed was confirmed.
다음으로 상기 크롬막을 제거한 재생 기판을 액온이 25도인 KOH10％ 수용액에 4시간 침지하고 순수 세정을 행하였다. 유리 에칭량은 1.5㎛이며, 세정한 기판의 호기상 검사를 행한 결과, 원래의 패턴은 사라지고, 육안 검사에서 확인할 수 없는 포토마스크용 유리 기판이 생겼다.Next, the recycled substrate from which the chromium film was removed was immersed in a 10% KOH aqueous solution having a liquid temperature of 25 DEG C for 4 hours, and purely washed. The amount of glass etching was 1.5 占 퐉. As a result of performing an air-phase inspection of the cleaned substrate, the original pattern disappeared, and a glass substrate for photomask was formed which could not be confirmed by visual inspection.
다음으로 상기 재생 유리 기판의 주면에 진공 스퍼터 성막 장치를 사용하여 순 크롬막을 성막한 후에 산화크롬막을 성막한 포토마스크용 크롬 블랭크 기판을 사용하였다. 상기 크롬 블랭크 기판의 표면 육안 검사를 행한 결과, 원래의 패턴은 확인할 수 없었다.Next, a chromium oxide film for a photomask was formed on the main surface of the reclaimed glass substrate by depositing a pure chrome film using a vacuum sputtering apparatus and forming a chromium oxide film thereon. As a result of visual inspection of the surface of the chromium blank substrate, the original pattern could not be confirmed.
또한 상술한 포토마스크 제조 공정과 마찬가지로 포토마스크를 제작한 결과, 치수의 이상이나 재생 기판에 특유한 백색 결함 등도 없는 포토마스크가 얻어졌다.In addition, a photomask was produced in the same manner as in the above-described photomask fabrication process, and as a result, a photomask having no dimensional defect or white defect peculiar to the reproduced substrate was obtained.
[실시예 3][Example 3]
실시예 1과 마찬가지의 방법으로 제작된 포토마스크의 재생 처리를 행하였다.A photomask manufactured by the same method as in Example 1 was subjected to a regeneration process.
상기 포토마스크가 사용 완료되고, 포토마스크 기판의 재이용을 위해, 재생 처리를 행하였다.The photomask was used, and a regeneration treatment was performed for reuse of the photomask substrate.
상기 사용 완료 포토마스크는, 크롬 에칭액으로 크롬막을 모두 제거하고, 순수 세정을 행하여 맨 유리 상태로 하였다. 이 상태에서 호기상 검사를 행한 결과, 제거한 원래의 패턴 흔적이 확인되었다.In the used photomask, all of the chromium film was removed with a chromium etching solution, and pure cleaning was performed to obtain a glassy state. As a result of performing the aerobic inspection in this state, the original pattern trace removed was confirmed.
다음으로 상기 크롬막을 제거한 재생 기판을 액온이 25도인 용액3에 4시간 침지하고 순수 세정을 행하였다. 유리 에칭량은 1㎛ 이하이고, 세정한 기판의 호기상 검사를 행한 결과, 원래의 패턴은 사라지고, 육안 검사에서 확인할 수 없는 포토마스크용 유리 기판이 생겼다.Next, the recycled substrate from which the chromium film was removed was immersed in
다음으로 상기 재생 유리 기판의 주면에 진공 스퍼터 성막 장치를 사용하여 순 크롬막을 성막한 후에 산화크롬막을 성막한 포토마스크용 크롬 블랭크 기판을 사용하였다.Next, a chromium oxide film for a photomask was formed on the main surface of the reclaimed glass substrate by depositing a pure chrome film using a vacuum sputtering apparatus and forming a chromium oxide film thereon.
상기 크롬 블랭크 기판의 표면 육안 검사를 행한 결과, 원래의 패턴은 확인할 수 없었다.As a result of visual inspection of the surface of the chromium blank substrate, the original pattern could not be confirmed.
또한 상술한 포토마스크 제조 공정과 마찬가지로 포토마스크를 제작한 결과, 치수의 이상이나 재생 기판에 특유한 백색 결함 등도 없는 포토마스크가 얻어졌다.In addition, a photomask was produced in the same manner as in the above-described photomask fabrication process, and as a result, a photomask having no dimensional defect or white defect peculiar to the reproduced substrate was obtained.
[비교예][Comparative Example]
실시예 1과 마찬가지의 방법으로 제작된 포토마스크의 재생 처리를 행하였다.A photomask manufactured by the same method as in Example 1 was subjected to a regeneration process.
실시예 1과 동일하도록, 크롬 에칭액으로 크롬막을 모두 제거하고, 순수 세정을 행하여 맨 유리 상태로 하였다. 이 상태에서 재생 유리 기판의 호기상 검사를 행한 결과, 제거한 원래의 패턴 흔적이 확인되었다.In the same manner as in Example 1, the chrome film was completely removed with a chromium etching solution, and pure cleaning was performed to obtain a glassy state. In this state, an aerobic inspection of the regenerated glass substrate was carried out, and the original pattern marks removed were confirmed.
상기 재생 유리 기판의 주면에 진공 스퍼터 성막 장치를 사용하여 순 크롬막을 성막한 후에 산화크롬막을 성막한 포토마스크용 크롬 블랭크 기판을 사용하였다. 상기 크롬 블랭크 기판의 표면에 대해 육안 검사를 행한 결과, 원래의 패턴을 확인할 수 있었다.A chromium blank substrate for a photomask in which a chromium oxide film was formed on the main surface of the reclaimed glass substrate after forming a pure chromium film by using a vacuum sputtering apparatus was used. As a result of visual inspection on the surface of the chromium blank substrate, the original pattern could be confirmed.
또한 상술한 포토마스크 제조 공정과 마찬가지로 포토마스크를 제작한 결과, 재생 기판에 특유한 백색 결함이 다수 발생하였다.In addition, a photomask was produced in the same manner as in the above-described photomask manufacturing process. As a result, many white defects peculiar to the reproduction substrate were generated.
1 포토마스크용 유리 기판
2 크롬막부
2a 포토마스크 상태에서의 크롬부
2b 크롬막 에칭 처리 후의 (2a)부
3, 크롬막 화상부
3a 포토마스크 상태에서의 화상부
3b 크롬막 에칭 처리 후의 (3a)부
W 습윤성 균일화 처리액에 침지 부분
D 백색 결함1 Glass substrate for photomask
2 chrome shroud
2a The chromium part in the photomask state
(2a) after chromium film etching treatment
3, a chromium film image portion
3a Image portion in the photomask state
(3a) after chromium film etching treatment
W wettability The immersion part
D white defect
Claims (17)
포토마스크와는 상이한 제품을 제조하는 포토리소그래피에 사용된 상기 포토마스크, 또는 포토마스크와는 상이한 제품을 제조하는 포토리소그래피에 사용되기 전에 불량품으로 판단된 상기 포토마스크를 준비하는 공정을 갖고,
상기 포토마스크에서 상기 유리 기판에 형성된 금속 박막을 에칭액에 의해 용해 제거한 후에, 상기 유리 기판에 남은 상기 패턴의 흔적이 호기상(呼氣像) 검사에서 나타나지 않게 될 때까지, 상기 유리 기판의 표면 습윤성이 상기 패턴의 흔적과, 다른 영역에서 균일하게 되도록, 습식 습윤성 균일화 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 포토마스크용 유리 기판의 재생 처리 방법.A method of regenerating a glass substrate for a photomask in which a pattern is formed on at least one surface of the substrate with a metal thin film,
The photomask used for photolithography to produce a product different from the photomask, or the photomask judged to be defective before being used in photolithography to produce a product different from the photomask,
Wherein the surface of the glass substrate is coated with a metal thin film formed on the glass substrate by dissolving and removing the metal thin film formed on the glass substrate by an etching solution until the trace of the pattern remaining on the glass substrate does not appear in the examination of a breath image, Wherein the wet-wettability homogenizing treatment is performed such that the wettability-uniformity of the pattern is equal to that of the pattern.
상기 습식 습윤성 균일화 처리와 상기 호기상 검사를 반복해서 행하는 것을 특징으로 하는 포토마스크용 유리 기판의 재생 처리 방법.The method according to claim 1,
Wherein the wet-wettability equalization treatment and the arc-phase inspection are repeatedly performed.
상기 습식 습윤성 균일화 처리는, 알칼리성 수용액에 의한 처리인 것을 특징으로 하는 포토마스크용 유리 기판의 재생 처리 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the wet-wettability homogenizing treatment is treatment with an alkaline aqueous solution.
상기 알칼리성 수용액의 알칼리 성분이 수산화칼륨인 것을 특징으로 하는 포토마스크용 유리 기판의 재생 처리 방법.5. The method of claim 4,
Wherein the alkaline component of the alkaline aqueous solution is potassium hydroxide.
상기 용해 제거 공정 후의 상기 유리 기판의 표면에 알칼리성 수용액을 접촉시켜서 습식 습윤성 균일화 처리를 하는 습식 습윤성 균일화 처리 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 포토마스크용 재생 유리 기판의 제조 방법.After a photomask having a glass substrate and a metal thin film formed in a pattern on one surface of the glass substrate is used for photolithography to produce a product different from the photomask, or after the photomask is different from the photomask A dissolution removing step of dissolving and removing the metal thin film from the photomask using an etching solution after it is judged to be a defective product before being used in photolithography for manufacturing a product,
And a wet-wettability homogenizing treatment step of bringing the alkaline aqueous solution into contact with the surface of the glass substrate after the dissolution removing step to perform the wet-wettability homogenization treatment.
상기 알칼리성 수용액의 알칼리 성분이 수산화칼륨인 것을 특징으로 하는 포토마스크용 재생 유리 기판의 제조 방법.15. The method of claim 14,
Wherein the alkaline component of the alkaline aqueous solution is potassium hydroxide.
상기 포토마스크용 재생 유리 기판 중 적어도 한쪽 면에 금속 박막을 형성하여 마스크 블랭크를 형성하는 마스크 블랭크 형성 공정과,
상기 금속 박막 상에 레지스트를 패턴 형상으로 형성하는 레지스트 형성 공정과,
상기 레지스트가 형성된 상기 금속 박막의 노출 부분을 에칭하는 에칭 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조 방법.After a photomask having a glass substrate having a pattern of a metal thin film formed on at least one side thereof is used for photolithography to produce a product different from the photomask, or after the photomask is photolithographically manufactured to produce a product different from the photomask After the metal thin film formed on the glass substrate is dissolved and removed by an etchant after it is determined to be a defective product before being used in the glass substrate, A regeneration treatment step of forming a regenerated glass substrate for a photomask by a regeneration treatment method which performs wet-wettability homogenization treatment so that wettability becomes uniform in other areas than that of the pattern,
A mask blank forming step of forming a mask blank by forming a metal thin film on at least one surface of the reclaimed glass substrate for photomask,
A resist forming step of forming a resist pattern on the metal thin film;
And an etching step of etching the exposed portion of the metal thin film on which the resist is formed.
상기 포토마스크용 재생 유리 기판 중 적어도 한쪽 면에 금속 박막을 형성하여 마스크 블랭크를 형성하는 마스크 블랭크 형성 공정과,
상기 금속 박막 상에 레지스트를 패턴 형상으로 형성하는 레지스트 형성 공정과,
상기 레지스트가 형성된 상기 금속 박막의 노출 부분을 에칭하는 에칭 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조 방법.After a photomask having a glass substrate and a metal thin film formed in a pattern on one surface of the glass substrate is used for photolithography to produce a product different from the photomask, or after the photomask is different from the photomask A dissolution removing step of dissolving and removing the metal thin film from the photomask using an etching solution after it is judged to be a defective product before being used in photolithography for manufacturing a product; and a step of dissolving and removing an alkaline aqueous solution A wet-wettability homogenizing treatment step in which the wet-wettability homogenizing treatment is carried out by bringing the wet-
A mask blank forming step of forming a mask blank by forming a metal thin film on at least one surface of the reclaimed glass substrate for photomask,
A resist forming step of forming a resist pattern on the metal thin film;
And an etching step of etching the exposed portion of the metal thin film on which the resist is formed.
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