JP2016218018A - Inspection device and substrate processing device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inspection device that can implement appearance inspection of substrates with high accuracy, and to provide a substrate processing device that includes the inspection device.SOLUTION: Front surface image data on a non-defect sample substrate and a substrate to be inspected is acquired. For pixels deemed to mutually correspond to the front surface image data on the substrates, a difference in a gradation value is calculated. A determination is made whether a value based on the calculated difference falls within a tolerable range. To set up the tolerable range, a difference in the gradation value between an i-th object pixel of the sample substrate and a plurality of pixels in a fixed area including the object pixel is calculated (step S101). An average value of the differences in the gradation value is determined as a representative value corresponding to the object pixel (step S101). The representative values for all of the object pixels are determined (steps S103 and S104), and a minimum value and maximum value of all of the representative value are set up as a lower limit value and upper limit value of the tolerable range, respectively (steps S105 and S106).SELECTED DRAWING: Figure 15

Description

本発明は、検査装置およびそれを備えた基板処理装置に関する。   The present invention relates to an inspection apparatus and a substrate processing apparatus including the inspection apparatus.

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等の各種基板に対する種々の処理工程において、基板の外観検査が行われる。   Substrate visual inspection is performed in various processing steps for semiconductor substrates, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, and photomask substrates. Is called.

特許文献1に記載される基板処理装置では、基板上にレジスト膜が形成された後であって基板に露光処理が行われる前に、基板の外観検査が行われる。基板の外観検査では、基板が撮像装置によって撮像されることにより、基板の表面画像データが生成される。表面画像データの全てが予め定められた許容範囲内の明るさである場合に、基板が正常であると判定される。一方、表面画像データの少なくとも一部が許容範囲内の明るさでない場合に、基板が異常であると判定される。このようにして、基板の外観上の欠陥が検出される。   In the substrate processing apparatus described in Patent Document 1, an appearance inspection of a substrate is performed after a resist film is formed on the substrate and before the exposure processing is performed on the substrate. In the appearance inspection of a substrate, surface image data of the substrate is generated by imaging the substrate with an imaging device. When all of the surface image data has brightness within a predetermined allowable range, it is determined that the substrate is normal. On the other hand, if at least part of the surface image data does not have brightness within an allowable range, it is determined that the substrate is abnormal. In this way, defects on the appearance of the substrate are detected.

特開2011−66049号公報JP 2011-66049 A

しかしながら、特許文献1に記載された欠陥の検出方法によれば、基板表面に欠陥がある場合であっても、その欠陥からの反射光の明るさが許容範囲内にある場合に、基板が正常であると判定される。そのため、欠陥を検出することができない場合がある。   However, according to the defect detection method described in Patent Document 1, even when the substrate surface has a defect, the substrate is normal when the brightness of reflected light from the defect is within an allowable range. It is determined that Therefore, there are cases where a defect cannot be detected.

本発明の目的は、高い精度で基板の外観検査を行うことが可能な検査装置およびそれを備えた基板処理装置を提供することである。   The objective of this invention is providing the inspection apparatus which can perform the external appearance inspection of a board | substrate with high precision, and a substrate processing apparatus provided with the same.

(1)第1の発明に係る検査装置は、基板の外観検査を行う検査装置であって、外観上の欠陥がない基板の画像データを第1の画像データとして取得するとともに、検査すべき基板を撮像することにより検査すべき基板の画像データを第2の画像データとして取得する画像データ取得部と、基板に外観上の欠陥があるか否かを判定するための許容範囲を設定する範囲設定部と、画像データ取得部により取得された第1および第2の画像データの互いに対応するとみなされる画素について階調値の差分に関する値を差分情報として算出し、算出された各差分情報が範囲設定部により設定された許容範囲内にあるか否かに基づいて検査すべき基板に外観上の欠陥があるか否かを判定する判定部とを備え、範囲設定部は、第1の画像データの予め定められた複数の対象画素の各々について、当該対象画素とその対象画素を含む一定領域内の複数の画素との間の階調値の差分を算出するとともに算出された複数の差分に基づいて予め定められた方法で複数の差分の最小値から最大値までの範囲内にある代表値を決定し、複数の対象画素についてそれぞれ決定された複数の代表値の最小値および最大値に関する値をそれぞれ許容範囲の下限値および上限値として設定する。   (1) An inspection apparatus according to a first invention is an inspection apparatus for inspecting the appearance of a substrate, acquires image data of a substrate having no appearance defect as first image data, and a substrate to be inspected. An image data acquisition unit that acquires image data of a substrate to be inspected as a second image data by imaging the image, and a range setting for setting an allowable range for determining whether or not the substrate has an appearance defect A value related to the difference between the gradation values for the pixels regarded as corresponding to each other in the first and second image data acquired by the image data acquisition unit and the image data acquisition unit, and each calculated difference information is set as a range. A determination unit that determines whether or not the substrate to be inspected has a defect in appearance based on whether or not it is within an allowable range set by the unit, and the range setting unit includes the first image data Predetermined For each of the plurality of target pixels, a difference in gradation value between the target pixel and a plurality of pixels in a certain region including the target pixel is calculated and determined in advance based on the calculated plurality of differences. The representative value in the range from the minimum value to the maximum value of the plurality of differences is determined by the determined method, and the values regarding the minimum value and the maximum value of the plurality of representative values respectively determined for the plurality of target pixels are allowed. Set as the lower and upper limit values.

その検査装置においては、外観上の欠陥がない基板の画像データが第1の画像データとして取得され、検査すべき基板の画像データが第2の画像データとして取得される。検査すべき基板の正常な部分については、第1および第2の画像データの互いに対応する画素の階調値の差分は小さい。一方、検査すべき基板の欠陥の部分については、第1および第2の画像データの互いに対応する画素の階調値の差分は大きい。そのため、欠陥の部分に対応する画素の階調値が正常な部分に対応する画素の階調値に近い場合でも、欠陥の部分に対応する上記の差分は正常な部分に対応する上記の差分に比べて大きくなる。   In the inspection apparatus, image data of a substrate having no defect in appearance is acquired as first image data, and image data of a substrate to be inspected is acquired as second image data. For a normal part of the substrate to be inspected, the difference between the gradation values of the corresponding pixels of the first and second image data is small. On the other hand, for the defective portion of the substrate to be inspected, the difference between the gradation values of the corresponding pixels of the first and second image data is large. Therefore, even when the gradation value of the pixel corresponding to the defective portion is close to the gradation value of the pixel corresponding to the normal portion, the above difference corresponding to the defective portion is the above difference corresponding to the normal portion. Compared to larger.

そこで、第1および第2の画像データの互いに対応するとみなされる画素について階調値の差分に関する値が差分情報として算出される。それにより、欠陥の部分に対応する画素についての差分情報と正常な部分に対応する差分情報とを区別することができる。したがって、許容範囲が正常な部分に対応する差分情報を含みかつ欠陥の部分に対応する差分情報を含まないように予め許容範囲を定めることにより、欠陥があるか否かを判定することが可能となる。   Therefore, a value related to a difference in gradation value is calculated as difference information for pixels considered to correspond to each other in the first and second image data. Thereby, the difference information about the pixel corresponding to the defective portion can be distinguished from the difference information corresponding to the normal portion. Therefore, it is possible to determine whether or not there is a defect by predetermining the tolerance range so that the tolerance range includes difference information corresponding to a normal part and does not include difference information corresponding to a defective part. Become.

しかしながら、第1の画像データのある画素に対応するとみなされる第2の画像データの画素が、真に対応する画素からずれる場合がある。この場合、第1および第2の画像データの対応関係が正確であるという前提に許容範囲が設定されると、正常な部分に対応する差分情報が許容範囲から外れることがある。そのため、ずれに起因する誤判定を防止するために許容範囲を大きく設定する必要が生じる。一方、許容範囲が過剰に大きく設定されると、欠陥の検出精度が低下する。   However, the pixel of the second image data that is considered to correspond to a certain pixel of the first image data may deviate from the true corresponding pixel. In this case, if the allowable range is set on the assumption that the correspondence relationship between the first and second image data is accurate, the difference information corresponding to the normal part may be out of the allowable range. For this reason, it is necessary to set a large allowable range in order to prevent erroneous determination due to deviation. On the other hand, if the allowable range is set excessively large, the defect detection accuracy decreases.

本発明においては、第1の画像データの複数の対象画素の各々について、当該対象画素とその対象画素を含む一定領域内の複数の画素との間の階調値の差分が算出される。この場合、各対象画素について算出される複数の差分は、検査すべき基板に欠陥がないときに、第1および第2の画像データの対応関係のずれに起因して判定部により算出される階調値の差分にほぼ相当すると考えられる。   In the present invention, for each of a plurality of target pixels of the first image data, a difference in gradation value between the target pixel and a plurality of pixels in a certain region including the target pixel is calculated. In this case, the plurality of differences calculated for each target pixel are levels calculated by the determination unit due to a shift in the correspondence between the first and second image data when the substrate to be inspected has no defect. It is considered that it is almost equivalent to the difference between the key values.

そこで、各対象画素について算出された複数の差分に基づいて予め定められた方法で複数の差分の最小値から最大値までの範囲内にある代表値が決定される。この場合、各対象画素についての代表値は、第1および第2の画像データの対応関係にずれがあるときに、各対象画素に対応する部分が正常である場合に算出されることになる階調値の差分を代表している。   Therefore, a representative value within the range from the minimum value to the maximum value of the plurality of differences is determined by a predetermined method based on the plurality of differences calculated for each target pixel. In this case, the representative value for each target pixel is calculated when the portion corresponding to each target pixel is normal when there is a difference in the correspondence between the first and second image data. It represents the difference between key values.

そのため、第1の画像データの複数の対象画素について決定された複数の代表値の最小値および最大値に関する値がそれぞれ許容範囲の下限値および上限値として設定される。それにより、正常な部分について、対応関係のずれに起因して算出される差分情報が許容範囲から外れる可能性が低くなる。したがって、正常な部分が欠陥であると誤判定される可能性が低くなる。   Therefore, values relating to the minimum value and the maximum value of the plurality of representative values determined for the plurality of target pixels of the first image data are set as the lower limit value and the upper limit value of the allowable range, respectively. Thereby, the possibility that the difference information calculated due to the deviation in the correspondence relationship is out of the allowable range for the normal part is reduced. Therefore, the possibility that a normal part is erroneously determined as a defect is reduced.

また、許容範囲の下限値および上限値が代表値の最小値および最大値に関する値に制限される。それにより、欠陥の部分について、対応関係のずれに起因して算出される差分情報が許容範囲内に含まれる可能性が低くなる。したがって、欠陥の部分が正常であると誤判定される可能性が低くなる。その結果、第1および第2の画像データの互いに対応する画素にずれがある場合でも、基板の外観上の欠陥を高い精度で検出することが可能になる。   Further, the lower limit value and the upper limit value of the allowable range are limited to values relating to the minimum value and the maximum value of the representative value. Thereby, the possibility that the difference information calculated due to the shift in the correspondence relationship is included in the allowable range for the defective portion is reduced. Therefore, the possibility of erroneous determination that the defective portion is normal is reduced. As a result, it is possible to detect a defect in the appearance of the substrate with high accuracy even when the corresponding pixels of the first and second image data are misaligned.

(2)予め定められた方法は、第1の画像データの予め定められた複数の対象画素の各々について、当該対象画素とその対象画素を含む一定領域内の複数の画素との間の階調値の差分の平均値を代表値として決定する方法であってもよい。   (2) For a predetermined method, for each of a plurality of predetermined target pixels of the first image data, a gradation between the target pixel and a plurality of pixels in a fixed region including the target pixel A method may be used in which an average value difference is determined as a representative value.

それにより、欠陥の判定条件等に応じて所望の許容範囲を適切に設定することができる。   Thereby, a desired allowable range can be appropriately set according to a defect determination condition or the like.

(3)予め定められた方法は、第1の画像データの予め定められた複数の対象画素の各々について、当該対象画素とその対象画素を含む一定領域内の複数の画素との間の階調値の差分の最大値を代表値として決定する方法であってもよい。   (3) For a predetermined method, for each of a plurality of predetermined target pixels of the first image data, a gradation between the target pixel and a plurality of pixels in a fixed region including the target pixel A method of determining the maximum value difference as a representative value may be used.

それにより、欠陥の判定条件等に応じて所望の許容範囲を適切に設定することができる。   Thereby, a desired allowable range can be appropriately set according to a defect determination condition or the like.

(4)差分情報は、第1および第2の画像データの互いに対応するとみなされる画素についての階調値の差分に一定値を加算することにより得られる値を含み、複数の代表値の最小値および最大値に関する値は、複数の代表値の最小値および最大値にそれぞれ一定値を加算することにより得られる値を含んでもよい。   (4) The difference information includes a value obtained by adding a constant value to a difference between gradation values of pixels that are considered to correspond to each other in the first and second image data, and includes a minimum value of a plurality of representative values. The value related to the maximum value may include a value obtained by adding a certain value to the minimum value and the maximum value of the plurality of representative values.

この場合、全ての画素に対応する差分情報に基づく画像の階調値を全体的に高くすることができる。それにより、使用者は、差分情報に基づく画像を違和感なく視認することができる。また、階調値の差分に加算される一定値が複数の代表値の最小値および最大値に加算されることにより、許容範囲が適切に設定される。   In this case, the gradation value of the image based on the difference information corresponding to all the pixels can be increased as a whole. Thereby, the user can visually recognize the image based on the difference information without a sense of incongruity. Moreover, the allowable range is appropriately set by adding the constant value added to the difference between the gradation values to the minimum value and the maximum value of the plurality of representative values.

(5)範囲設定部は、複数の代表値の最小値に関する値に代えて複数の代表値の最小値よりも予め定められた値分小さい第1の値を許容範囲の下限値として設定し、複数の代表値の最大値に関する値に代えて複数の代表値の最大値よりも予め定められた値分大きい第2の値を許容範囲の上限値として設定してもよい。   (5) The range setting unit sets, as a lower limit value of the allowable range, a first value that is smaller than a minimum value of the plurality of representative values by a predetermined value instead of a value related to the minimum value of the plurality of representative values, Instead of the value relating to the maximum value of the plurality of representative values, a second value larger than the maximum value of the plurality of representative values by a predetermined value may be set as the upper limit value of the allowable range.

ノイズまたは外乱等の影響により欠陥に対応しない一部の差分情報が複数の代表値の最小値に関する値よりも小さくなる可能性がある。また、欠陥に対応しない一部の差分情報が複数の代表値の最大値に関する値よりも大きくなる可能性がある。上記の構成によれば、差分情報が複数の代表値の最小値に関する値よりも小さい場合でも、差分情報が第1の値以上であれば欠陥があると判定されない。また、差分情報が複数の代表値の最大値に関する値よりも大きい場合でも、差分情報が第2の値以下であれば欠陥があると判定されない。したがって、ノイズまたは外乱等の影響による誤判定を防止することができる。   There is a possibility that part of the difference information that does not correspond to the defect due to the influence of noise or disturbance becomes smaller than the value related to the minimum value of the plurality of representative values. In addition, some difference information that does not correspond to a defect may be larger than a value related to the maximum value of a plurality of representative values. According to said structure, even if difference information is smaller than the value regarding the minimum value of a some representative value, if difference information is more than 1st value, it will not determine with a defect. Even if the difference information is larger than a value related to the maximum value of the plurality of representative values, it is not determined that there is a defect if the difference information is equal to or smaller than the second value. Therefore, erroneous determination due to the influence of noise or disturbance can be prevented.

(6)判定部は、差分情報が許容範囲外にある画素に基づいて基板の外観上の欠陥を検出してもよい。   (6) The determination unit may detect a defect on the appearance of the substrate based on a pixel whose difference information is outside the allowable range.

この場合、検査すべき基板に外観上の欠陥がある場合に、その欠陥の位置および形状を識別することが可能になる。   In this case, when the substrate to be inspected has an appearance defect, the position and shape of the defect can be identified.

(7)判定部は、許容範囲外にある差分情報の個数が予め定められた数以上である場合に検査すべき基板に外観上の欠陥があると判定してもよい。   (7) The determination unit may determine that the substrate to be inspected has an appearance defect when the number of pieces of difference information outside the allowable range is equal to or greater than a predetermined number.

ノイズまたは外乱等の影響により欠陥に対応しない一部の差分情報が許容範囲外にある可能性がある。上記の構成によれば、許容範囲外にある差分情報の個数が予め定められた数以上でない場合には、欠陥があると判定されない。したがって、ノイズまたは外乱等の影響による誤判定を防止することができる。   There is a possibility that some difference information that does not correspond to the defect is outside the allowable range due to the influence of noise or disturbance. According to the above configuration, if the number of difference information outside the allowable range is not equal to or greater than a predetermined number, it is not determined that there is a defect. Therefore, erroneous determination due to the influence of noise or disturbance can be prevented.

(8)判定部は、画像データ取得部により取得された第1の画像データの平滑化を行い、平滑化前の第1の画像データの各画素の階調値から平滑化後の第1の画像データの各画素の階調値を減算することにより第1の修正画像データを生成するとともに、画像データ取得部により取得された第2の画像データの平滑化を行い、平滑化前の第2の画像データの各画素の階調値から平滑化後の第2の画像データの各画素の階調値を減算することにより第2の修正画像データを生成し、生成された第1および第2の修正画像データの対応するとみなされる画素についての階調値の差分を第1および第2の画像データの互いに対応する画素についての差分情報として算出し、範囲設定部は、第1の画像データに代えて判定部により生成された第1の修正画像データの複数の対象画素の各々について、当該対象画素とその対象画素を含む一定領域内の複数の画素との間の階調値の差分を算出するとともに、算出された複数の差分に基づいて予め定められた方法で複数の差分の最小値から最大値までの範囲内にある代表値を決定してもよい。   (8) The determination unit performs smoothing of the first image data acquired by the image data acquisition unit, and performs first smoothing from the gradation value of each pixel of the first image data before smoothing. The first corrected image data is generated by subtracting the gradation value of each pixel of the image data, and the second image data acquired by the image data acquisition unit is smoothed to obtain the second before smoothing. The second corrected image data is generated by subtracting the gradation value of each pixel of the second image data after smoothing from the gradation value of each pixel of the image data, and the generated first and second The difference between the gradation values for the pixels considered to correspond to the corrected image data is calculated as difference information for the pixels corresponding to each other in the first and second image data, and the range setting unit adds the first image data to the first image data. Instead, the first modification generated by the determination unit For each of a plurality of target pixels of image data, a difference in gradation value between the target pixel and a plurality of pixels in a certain region including the target pixel is calculated, and based on the calculated plurality of differences A representative value within a range from a minimum value to a maximum value of a plurality of differences may be determined by a predetermined method.

通常、欠陥および基板上の正常な表面構造に起因する階調変化は、モアレに起因する階調変化よりも局所的または分散的に生じる。そのため、平滑化後の第1および第2の画像データは、モアレに起因する階調変化を含み、かつ外観上の欠陥に起因する階調変化および表面構造に起因する階調変化を含まない。そこで、平滑化前の第1の画像データの各画素の階調値から平滑化後の第1の画像データの各画素の階調値がそれぞれ減算されることにより、モアレが除去された第1の修正画像データが生成される。また、平滑化前の第2の画像データの各画素の階調値から平滑化後の第2の画像データの各画素の階調値がそれぞれ減算されることにより、モアレが除去された第2の修正画像データが生成される。   Normally, gradation changes due to defects and normal surface structures on the substrate occur more locally or more dispersively than gradation changes due to moire. Therefore, the first and second image data after smoothing includes a gradation change due to moire, and does not include a gradation change due to an appearance defect and a gradation change due to a surface structure. Therefore, the first moire is removed by subtracting the tone value of each pixel of the first image data after smoothing from the tone value of each pixel of the first image data before smoothing. Modified image data is generated. Further, the second moire is removed by subtracting the tone value of each pixel of the second image data after smoothing from the tone value of each pixel of the second image data before smoothing. Modified image data is generated.

第1および第2の修正画像データに基づいて差分情報が算出される。算出された差分情報に基づいて検査すべき基板に外観上の欠陥があるか否かが判定される。したがって、モアレによって欠陥の検出精度が低下することが防止され、高い精度で基板の外観検査を行うことができる。   Difference information is calculated based on the first and second corrected image data. Based on the calculated difference information, it is determined whether or not the substrate to be inspected has an appearance defect. Therefore, it is possible to prevent the defect detection accuracy from being lowered due to moire, and to perform a visual inspection of the substrate with high accuracy.

また、第1の修正画像データの複数の対象画素の各々について、当該対象画素とその対象画素を含む一定領域内の複数の画素との間の階調値の差分が算出されるとともに、算出された複数の差分に基づいて上記の代表値が決定される。したがって、第2の修正画像データに対応する許容範囲が適切に設定される。   Further, for each of the plurality of target pixels of the first corrected image data, a difference in gradation value between the target pixel and a plurality of pixels in a certain area including the target pixel is calculated and calculated. The representative value is determined based on the plurality of differences. Therefore, the allowable range corresponding to the second corrected image data is appropriately set.

(9)判定部は、移動平均フィルタ処理により第1および第2の画像データの平滑化を行ってもよい。   (9) The determination unit may smooth the first and second image data by moving average filter processing.

この場合、短時間で容易に第1および第2の画像データの平滑化を行うことができる。   In this case, the first and second image data can be smoothed easily in a short time.

(10)判定部は、平滑化後の第1および第2の画像データがモアレに起因する階調変化を含みかつ外観上の欠陥および正常な表面構造に起因する階調変化を含まないように、第1および第2の画像データの平滑化を行ってもよい。   (10) The determination unit is configured so that the first and second image data after smoothing includes a gradation change due to moire and does not include a gradation change due to an appearance defect and a normal surface structure. The first and second image data may be smoothed.

この場合、モアレによる階調変化を含まず、かつ外観上の欠陥および正常な表面構造に起因する階調変化を含む第1および第2の修正画像データを適切に生成することができる。   In this case, it is possible to appropriately generate the first and second corrected image data that does not include the gradation change due to moire and includes the gradation change caused by the appearance defect and the normal surface structure.

(11)検査装置は、基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置をさらに備え、画像データ取得部は、基板保持回転装置により回転される基板の半径方向に沿った半径領域に光を照射する照明部と、基板の半径領域で反射される光を受光するラインセンサとを含んでもよい。   (11) The inspection apparatus further includes a substrate holding and rotating device that rotates while holding the substrate, and the image data acquisition unit irradiates light to a radial region along the radial direction of the substrate rotated by the substrate holding and rotating device. You may include an illumination part and the line sensor which receives the light reflected in the radial area | region of a board | substrate.

この場合、簡単な構成で第1および第2の画像データを取得することができる。   In this case, the first and second image data can be acquired with a simple configuration.

(12)第2の発明に係る基板処理装置は、基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、露光装置による露光処理前に、基板上に感光性膜を形成する膜形成ユニットと、露光装置による露光処理後に、基板上の感光性膜に現像処理を行う現像処理ユニットと、膜形成ユニットによる感光性膜の形成後の基板の外観検査を行う上記の検査装置とを備える。   (12) A substrate processing apparatus according to a second aspect of the present invention is a substrate processing apparatus disposed adjacent to an exposure apparatus that performs exposure processing on a substrate, and is photosensitive on the substrate before the exposure processing by the exposure apparatus. A film forming unit that forms a film, a development processing unit that performs development processing on a photosensitive film on a substrate after exposure processing by an exposure apparatus, and an inspection of the appearance of the substrate after the formation of the photosensitive film by the film forming unit And an inspection device.

その基板処理装置においては、露光処理前の基板上に感光性膜が形成され、露光処理後の基板に現像処理が行われる。感光性膜の形成後の基板の外観検査が上記の検査装置により行われる。それにより、第1および第2の画像データの互いに対応する画素にずれがある場合でも、基板の外観上の欠陥を高い精度で検出することが可能になる。したがって、高い精度で基板上の感光性膜の外観検査を行うことができる。   In the substrate processing apparatus, a photosensitive film is formed on a substrate before exposure processing, and development processing is performed on the substrate after exposure processing. The appearance inspection of the substrate after the formation of the photosensitive film is performed by the above-described inspection apparatus. Thereby, even when the pixels corresponding to each other in the first and second image data are misaligned, a defect on the appearance of the substrate can be detected with high accuracy. Therefore, the appearance inspection of the photosensitive film on the substrate can be performed with high accuracy.

(13)検査装置は、膜形成ユニットによる感光性膜の形成後でかつ現像処理ユニットによる現像処理後の基板の外観検査を行ってもよい。   (13) The inspection apparatus may inspect the appearance of the substrate after the formation of the photosensitive film by the film forming unit and after the development processing by the development processing unit.

この場合、現像処理によってパターン化された感光性膜の外観検査を高い精度で行うことができる。   In this case, the appearance inspection of the photosensitive film patterned by the development process can be performed with high accuracy.

本発明によれば、高い精度で基板の外観検査を行うことができる。   According to the present invention, the appearance inspection of a substrate can be performed with high accuracy.

第1の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的平面図である。1 is a schematic plan view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment. 主として図1の塗布処理部、塗布現像処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。FIG. 2 is a schematic side view of a substrate processing apparatus mainly showing a coating processing section, a coating development processing section, and a cleaning / drying processing section of FIG. 1. 主として図1の熱処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。FIG. 2 is a schematic side view of a substrate processing apparatus mainly showing a heat treatment section and a cleaning / drying processing section in FIG. 1. 主として図1の搬送部を示す模式的側面図である。It is a typical side view mainly showing the conveyance part of FIG. 検査ユニットの構成について説明するための模式的側面図である。It is a typical side view for demonstrating the structure of a test | inspection unit. 検査ユニットの構成について説明するための模式的斜視図である。It is a typical perspective view for demonstrating the structure of a test | inspection unit. 表面画像データの生成について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the production | generation of surface image data. 欠陥のないサンプル基板の表面画像を示す図である。It is a figure which shows the surface image of the sample board | substrate without a defect. 欠陥のないサンプル基板の表面画像データにおける階調値の出現頻度を示す図である。It is a figure which shows the appearance frequency of the gradation value in the surface image data of the sample board | substrate without a defect. 第1の実施の形態に係る欠陥判定処理のフローチャートである。It is a flowchart of the defect determination process which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係る欠陥判定処理のフローチャートである。It is a flowchart of the defect determination process which concerns on 1st Embodiment. 欠陥判定処理において生成される複数の表面画像を示す図である。It is a figure which shows the some surface image produced | generated in a defect determination process. 検査基板およびサンプル基板の表面画像データの間で画素の対応関係にずれが生じた状態で生成される差分画像データを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the difference image data produced | generated in the state in which the shift | offset | difference had arisen in the correspondence of a pixel between the surface image data of a test | inspection board | substrate and a sample board | substrate. 検査基板ごとに得られる判定画像データのばらつきを示す図である。It is a figure which shows the dispersion | variation in the determination image data obtained for every test | inspection board | substrate. 許容範囲設定処理のフローチャートである。It is a flowchart of an allowable range setting process. 表面画像に生じるモアレを模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the moire which arises in a surface image. モアレ除去処理のフローチャートである。It is a flowchart of a moiré removal process. 検査基板についてモアレ除去処理を行う場合の表面画像の変化について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the change of the surface image at the time of performing a moire removal process about an inspection board | substrate. 検査基板についてモアレ除去処理を行う場合の表面画像の変化について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the change of the surface image at the time of performing a moire removal process about an inspection board | substrate. 第2の実施の形態に係る欠陥判定処理の一部を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows a part of defect determination process which concerns on 2nd Embodiment. 他の実施の形態に係る欠陥判定処理の一部を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows a part of defect determination process which concerns on other embodiment.

以下、本発明の一実施の形態に係る検査装置および基板処理装置について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。   Hereinafter, an inspection apparatus and a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the substrate means a semiconductor substrate, a liquid crystal display substrate, a plasma display substrate, a photomask glass substrate, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, or a photomask substrate. Etc.

[1]第1の実施の形態
(1)基板処理装置の全体構成
図1は、第1の実施の形態に係る基板処理装置100の構成を示す模式的平面図である。図1および図2以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印を付している。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は鉛直方向に相当する。
[1] First Embodiment (1) Overall Configuration of Substrate Processing Apparatus FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of a substrate processing apparatus 100 according to a first embodiment. 1 and 2 and subsequent drawings are provided with arrows indicating X, Y, and Z directions orthogonal to each other in order to clarify the positional relationship. The X direction and the Y direction are orthogonal to each other in the horizontal plane, and the Z direction corresponds to the vertical direction.

図1に示すように、基板処理装置100は、インデクサブロック11、第1の処理ブロック12、第2の処理ブロック13、洗浄乾燥処理ブロック14Aおよび搬入搬出ブロック14Bを備える。洗浄乾燥処理ブロック14Aおよび搬入搬出ブロック14Bにより、インターフェイスブロック14が構成される。搬入搬出ブロック14Bに隣接するように露光装置15が配置される。露光装置15においては、液浸法により基板Wに露光処理が行われる。   As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 includes an indexer block 11, a first processing block 12, a second processing block 13, a cleaning / drying processing block 14A, and a loading / unloading block 14B. The cleaning / drying processing block 14A and the carry-in / carry-out block 14B constitute an interface block 14. The exposure device 15 is disposed adjacent to the carry-in / carry-out block 14B. In the exposure device 15, the substrate W is subjected to exposure processing by a liquid immersion method.

インデクサブロック11は、複数のキャリア載置部111および搬送部112を含む。各キャリア載置部111には、複数の基板Wを多段に収納するキャリア113が載置される。   The indexer block 11 includes a plurality of carrier placement units 111 and a conveyance unit 112. On each carrier placement section 111, a carrier 113 that houses a plurality of substrates W in multiple stages is placed.

搬送部112には、制御部114および搬送機構115が設けられる。制御部114は、例えばCPU(中央演算処理装置)およびメモリ、またはマイクロコンピュータを含み、基板処理装置100の種々の構成要素を制御する。搬送機構115は、基板Wを保持するためのハンド116を有する。搬送機構115は、ハンド116により基板Wを保持しつつその基板Wを搬送する。   The transport unit 112 is provided with a control unit 114 and a transport mechanism 115. The control unit 114 includes, for example, a CPU (Central Processing Unit) and a memory, or a microcomputer, and controls various components of the substrate processing apparatus 100. The transport mechanism 115 has a hand 116 for holding the substrate W. The transport mechanism 115 transports the substrate W while holding the substrate W by the hand 116.

搬送部112の側面には、メインパネルPNが設けられる。メインパネルPNは、制御部114に接続されている。使用者は、基板処理装置100における基板Wの処理状況等をメインパネルPNで確認することができる。   A main panel PN is provided on the side surface of the transport unit 112. The main panel PN is connected to the control unit 114. The user can check the processing status of the substrate W in the substrate processing apparatus 100 on the main panel PN.

第1の処理ブロック12は、塗布処理部121、搬送部122および熱処理部123を含む。塗布処理部121および熱処理部123は、搬送部122を挟んで対向するように設けられる。搬送部122と搬送部112との間には、基板Wが載置される基板載置部PASS1および後述する基板載置部PASS2〜PASS4(図4参照)が設けられる。搬送部122には、基板Wを搬送する搬送機構127および後述する搬送機構128(図4参照)が設けられる。   The first processing block 12 includes a coating processing unit 121, a transport unit 122, and a heat treatment unit 123. The coating processing unit 121 and the heat treatment unit 123 are provided so as to face each other with the conveyance unit 122 interposed therebetween. Between the transport unit 122 and the transport unit 112, a substrate platform PASS1 on which the substrate W is placed and substrate platforms PASS2 to PASS4 (see FIG. 4) described later are provided. The transport unit 122 is provided with a transport mechanism 127 for transporting the substrate W and a transport mechanism 128 (see FIG. 4) described later.

第2の処理ブロック13は、塗布現像処理部131、搬送部132および熱処理部133を含む。塗布現像処理部131および熱処理部133は、搬送部132を挟んで対向するように設けられる。搬送部132と搬送部122との間には、基板Wが載置される基板載置部PASS5および後述する基板載置部PASS6〜PASS8(図4参照)が設けられる。搬送部132には、基板Wを搬送する搬送機構137および後述する搬送機構138(図4参照)が設けられる。   The second processing block 13 includes a coating and developing processing unit 131, a conveying unit 132, and a heat treatment unit 133. The coating / development processing unit 131 and the heat treatment unit 133 are provided so as to face each other with the conveyance unit 132 interposed therebetween. Between the transport unit 132 and the transport unit 122, a substrate platform PASS5 on which the substrate W is placed and substrate platforms PASS6 to PASS8 (see FIG. 4) described later are provided. The transport unit 132 is provided with a transport mechanism 137 for transporting the substrate W and a transport mechanism 138 (see FIG. 4) described later.

洗浄乾燥処理ブロック14Aは、洗浄乾燥処理部161,162および搬送部163を含む。洗浄乾燥処理部161,162は、搬送部163を挟んで対向するように設けられる。搬送部163には、搬送機構141,142が設けられる。搬送部163と搬送部132との間には、載置兼バッファ部P−BF1および後述の載置兼バッファ部P−BF2(図4参照)が設けられる。   The cleaning / drying processing block 14 </ b> A includes cleaning / drying processing units 161, 162 and a transport unit 163. The cleaning / drying processing units 161 and 162 are provided to face each other with the conveyance unit 163 interposed therebetween. The transport unit 163 is provided with transport mechanisms 141 and 142. Between the transport unit 163 and the transport unit 132, a placement / buffer unit P-BF1 and a later-described placement / buffer unit P-BF2 (see FIG. 4) are provided.

また、搬送機構141,142の間において、搬入搬出ブロック14Bに隣接するように、基板載置部PASS9および後述の載置兼冷却部P−CP(図4参照)が設けられる。載置兼冷却部P−CPにおいて、基板Wが露光処理に適した温度に冷却される。   A substrate platform PASS9 and a later-described placement / cooling unit P-CP (see FIG. 4) are provided between the transport mechanisms 141 and 142 so as to be adjacent to the carry-in / carry-out block 14B. In the placement / cooling section P-CP, the substrate W is cooled to a temperature suitable for the exposure process.

搬入搬出ブロック14Bには、搬送機構146が設けられる。搬送機構146は、露光装置15に対する基板Wの搬入および搬出を行う。露光装置15には、基板Wを搬入するための基板搬入部15aおよび基板Wを搬出するための基板搬出部15bが設けられる。   A transport mechanism 146 is provided in the carry-in / carry-out block 14B. The transport mechanism 146 carries the substrate W into and out of the exposure apparatus 15. The exposure apparatus 15 is provided with a substrate carry-in portion 15a for carrying in the substrate W and a substrate carry-out portion 15b for carrying out the substrate W.

図2は、主として図1の塗布処理部121、塗布現像処理部131および洗浄乾燥処理部161を示す基板処理装置100の模式的側面図である。   FIG. 2 is a schematic side view of the substrate processing apparatus 100 mainly showing the coating processing unit 121, the coating and developing processing unit 131, and the cleaning / drying processing unit 161 of FIG.

図2に示すように、塗布処理部121には、塗布処理室21,22,23,24が階層的に設けられる。塗布現像処理部131には、現像処理室31,33および塗布処理室32,34が階層的に設けられる。塗布処理室21〜24,32,34の各々には、塗布処理ユニット129が設けられる。現像処理室31,33の各々には、現像処理ユニット139が設けられる。   As shown in FIG. 2, the coating processing section 121 is provided with coating processing chambers 21, 22, 23, and 24 in a hierarchical manner. The coating development processing unit 131 is provided with development processing chambers 31 and 33 and coating processing chambers 32 and 34 in a hierarchical manner. Each of the coating processing chambers 21 to 24, 32, and 34 is provided with a coating processing unit 129. A development processing unit 139 is provided in each of the development processing chambers 31 and 33.

各塗布処理ユニット129は、基板Wを保持するスピンチャック25およびスピンチャック25の周囲を覆うように設けられるカップ27を備える。本実施の形態では、各塗布処理ユニット129に2つのスピンチャック25および2つのカップ27が設けられる。スピンチャック25は、図示しない駆動装置(例えば、電動モータ)により回転駆動される。また、図1に示すように、各塗布処理ユニット129は、処理液を吐出する複数の塗布ノズル28およびその塗布ノズル28を搬送するノズル搬送機構29を備える。   Each coating processing unit 129 includes a spin chuck 25 that holds the substrate W and a cup 27 that is provided so as to cover the periphery of the spin chuck 25. In the present embodiment, each coating processing unit 129 is provided with two spin chucks 25 and two cups 27. The spin chuck 25 is rotationally driven by a driving device (not shown) (for example, an electric motor). As shown in FIG. 1, each coating processing unit 129 includes a plurality of coating nozzles 28 that discharge a processing liquid and a nozzle transport mechanism 29 that transports the coating nozzles 28.

各塗布処理ユニット129においては、複数の塗布ノズル28のうちのいずれかの塗布ノズル28がノズル搬送機構29により基板Wの上方に移動される。図示しない駆動装置によりスピンチャック25が回転される状態で、その塗布ノズル28から処理液が吐出される。それにより、基板W上に処理液が塗布される。また、図示しないエッジリンスノズルから、基板Wの周縁部にリンス液が吐出される。それにより、基板Wの周縁部に付着する処理液が除去される。   In each coating processing unit 129, one of the plurality of coating nozzles 28 is moved above the substrate W by the nozzle transport mechanism 29. In a state where the spin chuck 25 is rotated by a driving device (not shown), the processing liquid is discharged from the coating nozzle 28. Thereby, the processing liquid is applied onto the substrate W. A rinse liquid is discharged from the edge rinse nozzle (not shown) to the peripheral edge of the substrate W. Thereby, the processing liquid adhering to the peripheral edge of the substrate W is removed.

本実施の形態においては、塗布処理室22,24の塗布処理ユニット129において、反射防止膜用の処理液が塗布ノズル28から基板Wに供給される。塗布処理室21,23の塗布処理ユニット129において、レジスト膜用の処理液が塗布ノズル28から基板Wに供給される。塗布処理室32,34の塗布処理ユニット129において、レジストカバー膜用の処理液が塗布ノズル28から基板Wに供給される。   In the present embodiment, the treatment liquid for the antireflection film is supplied from the coating nozzle 28 to the substrate W in the coating processing unit 129 of the coating processing chambers 22 and 24. In the coating processing units 129 of the coating processing chambers 21 and 23, a resist film processing liquid is supplied from the coating nozzle 28 to the substrate W. In the coating processing unit 129 of the coating processing chambers 32 and 34, a processing liquid for resist cover film is supplied from the coating nozzle 28 to the substrate W.

図2に示すように、各現像処理ユニット139は、塗布処理ユニット129と同様に、スピンチャック35およびカップ37を備える。本実施の形態では、各現像処理ユニット139に3組のスピンチャック35およびカップ37が設けられる。スピンチャック35は、図示しない駆動装置(例えば、電動モータ)により回転駆動される。また、図1に示すように、現像処理ユニット139は、現像液を吐出する2つの現像ノズル38およびその現像ノズル38をX方向に移動させる移動機構39を備える。現像処理ユニット139においては、一方の現像ノズル38がX方向に移動しつつ各基板Wに現像液を供給し、続いて、他方の現像ノズル38が移動しつつ各基板Wに現像液を供給する。この場合、基板Wに現像液が供給されることにより、基板W上のレジストカバー膜が除去されるとともに、基板Wの現像処理が行われる。   As shown in FIG. 2, each development processing unit 139 includes a spin chuck 35 and a cup 37, similar to the coating processing unit 129. In the present embodiment, each development processing unit 139 is provided with three sets of spin chucks 35 and cups 37. The spin chuck 35 is rotationally driven by a driving device (not shown) (for example, an electric motor). Further, as shown in FIG. 1, the development processing unit 139 includes two development nozzles 38 that discharge the developer and a moving mechanism 39 that moves the development nozzles 38 in the X direction. In the development processing unit 139, one developing nozzle 38 moves in the X direction and supplies the developing solution to each substrate W. Subsequently, the other developing nozzle 38 moves and supplies the developing solution to each substrate W. . In this case, by supplying the developer to the substrate W, the resist cover film on the substrate W is removed, and the substrate W is developed.

洗浄乾燥処理部161には、複数(本例では4つ)の洗浄乾燥処理ユニットCD1が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットCD1においては、露光処理前の基板Wの洗浄および乾燥処理が行われる。   The cleaning / drying processing unit 161 is provided with a plurality (four in this example) of cleaning / drying processing units CD1. In the cleaning / drying processing unit CD1, the substrate W before the exposure processing is cleaned and dried.

図3は、主として図1の熱処理部123,133および洗浄乾燥処理部162を示す基板処理装置100の模式的側面図である。   FIG. 3 is a schematic side view of the substrate processing apparatus 100 mainly showing the heat treatment units 123 and 133 and the cleaning / drying processing unit 162 of FIG.

図3に示すように、熱処理部123は、上方に設けられる上段熱処理部301および下方に設けられる下段熱処理部302を有する。上段熱処理部301および下段熱処理部302の各々には、複数の熱処理ユニットPHP、複数の密着強化処理ユニットPAHPおよび複数の冷却ユニットCPが設けられる。   As shown in FIG. 3, the heat treatment part 123 has an upper heat treatment part 301 provided above and a lower heat treatment part 302 provided below. Each of the upper heat treatment part 301 and the lower heat treatment part 302 is provided with a plurality of heat treatment units PHP, a plurality of adhesion strengthening treatment units PAHP, and a plurality of cooling units CP.

熱処理ユニットPHPにおいては、基板Wの加熱処理および冷却処理が行われる。以下、熱処理ユニットPHPにおける加熱処理および冷却処理を単に熱処理と呼ぶ。密着強化処理ユニットPAHPにおいては、基板Wと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットPAHPにおいて、基板WにHMDS(ヘキサメチルジシラサン)等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Wに加熱処理が行われる。冷却ユニットCPにおいては、基板Wの冷却処理が行われる。   In the heat treatment unit PHP, the substrate W is heated and cooled. Hereinafter, the heat treatment and the cooling treatment in the heat treatment unit PHP are simply referred to as heat treatment. In the adhesion reinforcement processing unit PAHP, adhesion reinforcement processing for improving the adhesion between the substrate W and the antireflection film is performed. Specifically, in the adhesion reinforcement processing unit PAHP, an adhesion enhancing agent such as HMDS (hexamethyldisilazane) is applied to the substrate W, and the substrate W is subjected to heat treatment. In the cooling unit CP, the substrate W is cooled.

熱処理部133は、上方に設けられる上段熱処理部303および下方に設けられる下段熱処理部304を有する。上段熱処理部303および下段熱処理部304の各々には、冷却ユニットCP、エッジ露光部EEW、検査ユニットIPおよび複数の熱処理ユニットPHPが設けられる。エッジ露光部EEWにおいては、基板Wの周縁部の露光処理(エッジ露光処理)が行われる。検査ユニットIPにおいては、現像処理後の基板Wの外観検査が行われる。検査ユニットIPおよび図1の制御部114により、検査装置が構成される。検査ユニットIPの詳細については後述する。上段熱処理部303および下段熱処理部304において、洗浄乾燥処理ブロック14Aに隣り合うように設けられる熱処理ユニットPHPは、洗浄乾燥処理ブロック14Aからの基板Wの搬入が可能に構成される。   The heat treatment part 133 includes an upper heat treatment part 303 provided above and a lower heat treatment part 304 provided below. Each of the upper thermal processing section 303 and the lower thermal processing section 304 is provided with a cooling unit CP, an edge exposure unit EEW, an inspection unit IP, and a plurality of thermal processing units PHP. In the edge exposure unit EEW, exposure processing (edge exposure processing) of the peripheral edge of the substrate W is performed. In the inspection unit IP, an appearance inspection of the substrate W after the development processing is performed. The inspection unit is configured by the inspection unit IP and the control unit 114 of FIG. Details of the inspection unit IP will be described later. In the upper thermal processing section 303 and the lower thermal processing section 304, the thermal processing unit PHP provided adjacent to the cleaning / drying processing block 14A is configured to be able to carry the substrate W from the cleaning / drying processing block 14A.

洗浄乾燥処理部162には、複数(本例では4つ)の洗浄乾燥処理ユニットCD2が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットCD2においては、露光処理後の基板Wの洗浄および乾燥処理が行われる。   The cleaning / drying processing unit 162 is provided with a plurality (four in this example) of cleaning / drying processing units CD2. In the cleaning / drying processing unit CD2, the substrate W after the exposure processing is cleaned and dried.

図4は、主として図1の搬送部122,132,163を示す模式的側面図である。図4に示すように、搬送部122は、上段搬送室125および下段搬送室126を有する。搬送部132は、上段搬送室135および下段搬送室136を有する。上段搬送室125には搬送機構127が設けられ、下段搬送室126には搬送機構128が設けられる。また、上段搬送室135には搬送機構137が設けられ、下段搬送室136には搬送機構138が設けられる。   FIG. 4 is a schematic side view mainly showing the conveyance units 122, 132, and 163 of FIG. As shown in FIG. 4, the transfer unit 122 includes an upper transfer chamber 125 and a lower transfer chamber 126. The transfer unit 132 includes an upper transfer chamber 135 and a lower transfer chamber 136. The upper transfer chamber 125 is provided with a transfer mechanism 127, and the lower transfer chamber 126 is provided with a transfer mechanism 128. The upper transfer chamber 135 is provided with a transfer mechanism 137, and the lower transfer chamber 136 is provided with a transfer mechanism 138.

搬送機構127,128,137,138の各々は、ハンドH1,H2を有する。搬送機構127,128,137,138の各々は、ハンドH1,H2を用いて基板Wを保持し、X方向およびZ方向に自在に移動して基板Wを搬送することができる。   Each of the transport mechanisms 127, 128, 137, and 138 has hands H1 and H2. Each of the transport mechanisms 127, 128, 137, and 138 can hold the substrate W using the hands H 1 and H 2, and can freely move in the X direction and the Z direction to transport the substrate W.

搬送部112と上段搬送室125との間には、基板載置部PASS1,PASS2が設けられ、搬送部112と下段搬送室126との間には、基板載置部PASS3,PASS4が設けられる。上段搬送室125と上段搬送室135との間には、基板載置部PASS5,PASS6が設けられ、下段搬送室126と下段搬送室136との間には、基板載置部PASS7,PASS8が設けられる。   Substrate platforms PASS1 and PASS2 are provided between the transport unit 112 and the upper transport chamber 125, and substrate platforms PASS3 and PASS4 are provided between the transport unit 112 and the lower transport chamber 126. Substrate platforms PASS5 and PASS6 are provided between the upper transport chamber 125 and the upper transport chamber 135, and substrate platforms PASS7 and PASS8 are provided between the lower transport chamber 126 and the lower transport chamber 136. It is done.

上段搬送室135と搬送部163との間には、載置兼バッファ部P−BF1が設けられ、下段搬送室136と搬送部163との間には載置兼バッファ部P−BF2が設けられる。搬送部163においてインターフェイスブロック15と隣接するように、基板載置部PASS9および複数の載置兼冷却部P−CPが設けられる。   A placement / buffer unit P-BF1 is provided between the upper transfer chamber 135 and the transfer unit 163, and a placement / buffer unit P-BF2 is provided between the lower transfer chamber 136 and the transfer unit 163. . A substrate platform PASS9 and a plurality of placement / cooling units P-CP are provided so as to be adjacent to the interface block 15 in the transport unit 163.

搬送機構127は、基板載置部PASS1,PASS2,PASS5,PASS6、塗布処理室21,22(図2)および上段熱処理部301(図3)の間で基板Wを搬送可能に構成される。搬送機構128は、基板載置部PASS3,PASS4,PASS7,PASS8、塗布処理室23,24(図2)および下段熱処理部302(図3)の間で基板Wを搬送可能に構成される。   The transport mechanism 127 is configured to be able to transport the substrate W between the substrate platforms PASS1, PASS2, PASS5, PASS6, the coating processing chambers 21, 22 (FIG. 2), and the upper thermal processing section 301 (FIG. 3). The transport mechanism 128 is configured to be able to transport the substrate W between the substrate platforms PASS3, PASS4, PASS7, PASS8, the coating processing chambers 23, 24 (FIG. 2), and the lower thermal processing section 302 (FIG. 3).

搬送機構137は、基板載置部PASS5,PASS6、載置兼バッファ部P−BF1、現像処理室31(図2)、塗布処理室32および上段熱処理部303(図3)の間で基板Wを搬送可能に構成される。搬送機構138は、基板載置部PASS7,PASS8、載置兼バッファ部P−BF2、現像処理室33(図2)、塗布処理室34および下段熱処理部304(図3)の間で基板Wを搬送可能に構成される。   The transport mechanism 137 moves the substrate W between the substrate platforms PASS5 and PASS6, the placement / buffer unit P-BF1, the development processing chamber 31 (FIG. 2), the coating processing chamber 32, and the upper thermal processing unit 303 (FIG. 3). It is configured to be transportable. The transport mechanism 138 transfers the substrate W between the substrate platforms PASS7 and PASS8, the placement / buffer unit P-BF2, the development processing chamber 33 (FIG. 2), the coating processing chamber 34, and the lower thermal processing unit 304 (FIG. 3). It is configured to be transportable.

(2)検査ユニットの構成
図5および図6は、検査ユニットIPの構成について説明するための模式的側面図および模式的斜視図である。図5に示すように、検査ユニットIPは、保持回転部51、照明部52、反射ミラー53およびCCDラインセンサ54を含む。
(2) Configuration of Inspection Unit FIGS. 5 and 6 are a schematic side view and a schematic perspective view for explaining the configuration of the inspection unit IP. As shown in FIG. 5, the inspection unit IP includes a holding rotation unit 51, an illumination unit 52, a reflection mirror 53, and a CCD line sensor 54.

保持回転部51は、スピンチャック511、回転軸512およびモータ513を含む。スピンチャック511は、基板Wの下面の略中心部を真空吸着することにより、基板Wを水平姿勢で保持する。モータ513によって回転軸512およびスピンチャック511が一体的に回転される。それにより、スピンチャック511により保持された基板Wが鉛直方向(Z方向)に沿った軸の周りで回転する。本例では、基板Wの表面が上方に向けられる。基板Wの表面とは、回路パターンが形成される基板Wの面である。   The holding rotation unit 51 includes a spin chuck 511, a rotation shaft 512, and a motor 513. The spin chuck 511 holds the substrate W in a horizontal posture by vacuum-sucking the substantially central portion of the lower surface of the substrate W. The rotating shaft 512 and the spin chuck 511 are integrally rotated by the motor 513. Thereby, the substrate W held by the spin chuck 511 rotates around the axis along the vertical direction (Z direction). In this example, the surface of the substrate W is directed upward. The surface of the substrate W is the surface of the substrate W on which a circuit pattern is formed.

図6に示すように、照明部52は、帯状の検査光を出射する。検査光は、スピンチャック511により保持された基板Wの表面の半径方向に沿った線状の領域(以下、半径領域と呼ぶ)RRに照射される。半径領域RRで反射された検査光は、反射ミラー53によってさらに反射され、CCDラインセンサ54に導かれる。CCDラインセンサ54の受光量分布は、半径領域RRでの反射光の明るさの分布に相当する。CCDラインセンサ54の受光量分布に基づいて、基板Wの表面画像データが生成される。表面画像データは、基板Wの表面の画像(以下、表面画像と呼ぶ)を表す。本例では、CCDラインセンサ54の受光量分布が図1の制御部114に与えられ、制御部114により表面画像データが生成される。   As shown in FIG. 6, the illumination unit 52 emits strip-shaped inspection light. The inspection light is applied to a linear region (hereinafter referred to as a radial region) RR along the radial direction of the surface of the substrate W held by the spin chuck 511. The inspection light reflected by the radius region RR is further reflected by the reflection mirror 53 and guided to the CCD line sensor 54. The received light amount distribution of the CCD line sensor 54 corresponds to the brightness distribution of the reflected light in the radius region RR. Based on the received light amount distribution of the CCD line sensor 54, surface image data of the substrate W is generated. The surface image data represents an image of the surface of the substrate W (hereinafter referred to as a surface image). In this example, the received light amount distribution of the CCD line sensor 54 is given to the control unit 114 of FIG. 1, and the control unit 114 generates surface image data.

図7は、表面画像データの生成について説明するための図である。図7(a),(b),(c)には、基板W上における検査光の照射状態が順に示され、図7(d),(e),(f)には、図7(a),(b),(c)の状態で生成される表面画像データに対応する表面画像が示される。なお、図7(a)〜(c)において、検査光が照射された基板W上の領域にドットパターンが付される。   FIG. 7 is a diagram for explaining generation of surface image data. FIGS. 7A, 7B, and 7C sequentially show the irradiation state of the inspection light on the substrate W. FIGS. 7D, 7E, and 7F show FIGS. ), (B), and (c), surface images corresponding to the surface image data generated are shown. 7A to 7C, a dot pattern is attached to a region on the substrate W irradiated with the inspection light.

図7(a)〜(c)に示すように、基板W上の半径領域RRに継続的に検査光が照射されつつ基板Wが回転される。それにより、基板Wの周方向に連続的に検査光が照射される。基板Wが1回転すると、基板Wの表面の全体に検査光が照射される。   As shown in FIGS. 7A to 7C, the substrate W is rotated while the inspection region is continuously irradiated with the inspection light on the radial region RR on the substrate W. Accordingly, the inspection light is continuously irradiated in the circumferential direction of the substrate W. When the substrate W rotates once, the entire surface of the substrate W is irradiated with inspection light.

基板Wが1回転する期間に得られるCCDラインセンサ54の受光量分布に基づいて、図7(d)〜(f)に示すように、矩形の表面画像SD1を表す表面画像データが生成される。図7(d)〜(f)において、表面画像SD1の横軸は、CCDラインセンサ54の各画素の位置に対応し、表面画像SD1の縦軸は、基板Wの回転角度に対応する。この場合、基板Wの半径方向における基板Wの表面での反射光の明るさの分布が表面画像SD1の横軸の方向に表される。また、基板Wの周方向における基板Wの表面での反射光の明るさの分布が表面画像SD1の縦軸の方向に表される。基板Wが1回転した時点で、基板Wの表面全体での反射光の明るさの分布が1つの矩形の表面画像SD1を表す表面画像データとして得られる。   Based on the received light amount distribution of the CCD line sensor 54 obtained during one rotation of the substrate W, surface image data representing a rectangular surface image SD1 is generated as shown in FIGS. . 7D to 7F, the horizontal axis of the surface image SD1 corresponds to the position of each pixel of the CCD line sensor 54, and the vertical axis of the surface image SD1 corresponds to the rotation angle of the substrate W. In this case, the brightness distribution of the reflected light on the surface of the substrate W in the radial direction of the substrate W is expressed in the direction of the horizontal axis of the surface image SD1. Further, the brightness distribution of the reflected light on the surface of the substrate W in the circumferential direction of the substrate W is represented in the direction of the vertical axis of the surface image SD1. When the substrate W rotates once, the brightness distribution of the reflected light over the entire surface of the substrate W is obtained as surface image data representing one rectangular surface image SD1.

得られた表面画像SD1の表面画像データが、基板Wの形状(円形)の表面画像を表すように補正される。補正後の表面画像データに基づいて、基板Wの外観検査が行われる。本実施の形態においては、現像処理によってパターン化されたレジスト膜(以下、レジストパターンと呼ぶ)の外観検査が行われる。   The surface image data of the obtained surface image SD1 is corrected so as to represent the surface image of the shape (circular shape) of the substrate W. Based on the corrected surface image data, an appearance inspection of the substrate W is performed. In this embodiment, an appearance inspection of a resist film (hereinafter referred to as a resist pattern) patterned by a development process is performed.

(3)外観検査の方法
基板Wの表面画像のうち正常な部分の明るさは、例えば欠陥のないサンプル基板の表面画像データに基づいて知ることができる。図8は、欠陥のないサンプル基板の表面画像を示す図である。図8の表面画像SD2では、網目状のレジストパターンRPを含む基板Wの表面構造が表される。ここで、基板Wの表面構造は、欠陥ではなく、回路パターンおよびレジストパターン等の正常に形成された構造を意味する。本例において、表面画像SD2の明るさは、各画素の階調値によって表される。階調値が大きいほど画素が明るい。
(3) Appearance Inspection Method The brightness of a normal portion of the surface image of the substrate W can be known based on, for example, surface image data of a sample substrate having no defect. FIG. 8 is a view showing a surface image of a sample substrate having no defect. In the surface image SD2 of FIG. 8, the surface structure of the substrate W including the mesh-like resist pattern RP is represented. Here, the surface structure of the substrate W means not a defect but a normally formed structure such as a circuit pattern and a resist pattern. In this example, the brightness of the surface image SD2 is represented by the gradation value of each pixel. The larger the gradation value, the brighter the pixel.

図9は、欠陥のないサンプル基板の表面画像データにおける階調値の出現頻度を示す図である。図9において、横軸は階調値を示し、縦軸は各階調値の出現頻度を示す。図9に示すように、本例では、表面画像データにおける階調値の下限値がTH1であり、上限値がTH2である。下限値TH1と上限値TH2との間に2つのピークが示される。2つのピークのうち階調値が小さいピークは主として図8のレジストパターンRPの階調値に基づくものであり、階調値が大きいピークは主としてレジストパターンRPを除く基板Wの表面構造の階調値に基づくものである。   FIG. 9 is a diagram illustrating the appearance frequency of the gradation value in the surface image data of the sample substrate having no defect. In FIG. 9, the horizontal axis indicates the gradation value, and the vertical axis indicates the appearance frequency of each gradation value. As shown in FIG. 9, in this example, the lower limit value of the gradation value in the surface image data is TH1, and the upper limit value is TH2. Two peaks are shown between the lower limit value TH1 and the upper limit value TH2. Of the two peaks, the peak with the small gradation value is mainly based on the gradation value of the resist pattern RP in FIG. 8, and the peak with the large gradation value is mainly the gradation of the surface structure of the substrate W excluding the resist pattern RP. Based on value.

通常、欠陥の階調値は、正常な部分の階調値とは異なる。したがって、図9に白抜きの矢印a1および点線で示すように、上記の下限値TH1と上限値TH2との間から外れる階調値が検出された基板Wは外観上の欠陥があると判定することができる。また、下限値TH1と上限値TH2との間から外れる階調値が検出されない基板Wは外観上の欠陥がないと判定することができる。   Usually, the gradation value of the defect is different from the gradation value of the normal part. Accordingly, as indicated by the white arrow a1 and the dotted line in FIG. 9, it is determined that the substrate W from which the gradation value that deviates from between the lower limit value TH1 and the upper limit value TH2 is detected has an appearance defect. be able to. In addition, it is possible to determine that the substrate W from which no gradation value deviating between the lower limit value TH1 and the upper limit value TH2 is detected has no appearance defect.

しかしながら、基板W上に形成される欠陥によっては、図9に白抜きの矢印a2および一点差線で示すように、その欠陥に対応する画素の階調値が上記の下限値TH1と上限値TH2との間に位置する可能性がある。この場合、上記の判定方法では、外観上の欠陥がないと判定される。   However, depending on the defect formed on the substrate W, as indicated by the white arrow a2 and the one-dotted line in FIG. 9, the gradation value of the pixel corresponding to the defect is the lower limit value TH1 and the upper limit value TH2. There is a possibility of being located between. In this case, in the above determination method, it is determined that there is no appearance defect.

そこで、本実施の形態では、図1の制御部114により以下の欠陥判定処理が行われる。図10および図11は、第1の実施の形態に係る欠陥判定処理のフローチャートである。図12は、欠陥判定処理において生成される複数の表面画像を示す図である。以下の説明では、検査すべき基板Wを検査基板Wと呼ぶ。   Therefore, in the present embodiment, the following defect determination process is performed by the control unit 114 of FIG. 10 and 11 are flowcharts of the defect determination process according to the first embodiment. FIG. 12 is a diagram illustrating a plurality of surface images generated in the defect determination process. In the following description, the substrate W to be inspected is called an inspection substrate W.

欠陥判定処理の開始前には、予め高い精度で検査が行われ、その検査で欠陥がないと判定された基板がサンプル基板として用意される。図10に示すように、制御部114は、まず欠陥のないサンプル基板の表面画像データを取得し(ステップS11)、取得された表面画像データを補正して基板Wの形状の表面画像を生成する(ステップS12)。本実施の形態では、表面画像データは上記の検査ユニットIPにより取得される。なお、表面画像データは検査ユニットIPに代えて他の装置により取得されてもよい。図12(a)に、ステップS12の処理により生成されるサンプル基板の表面画像SD2が示される。図12(a)の表面画像SD2には、レジストパターンRPを含むサンプル基板の表面構造が表される。   Before the start of the defect determination process, an inspection is performed with high accuracy in advance, and a substrate that is determined to be free of defects by the inspection is prepared as a sample substrate. As shown in FIG. 10, the control unit 114 first acquires surface image data of a sample substrate having no defect (step S11), and corrects the acquired surface image data to generate a surface image of the shape of the substrate W. (Step S12). In the present embodiment, the surface image data is acquired by the inspection unit IP. The surface image data may be acquired by another apparatus instead of the inspection unit IP. FIG. 12A shows a surface image SD2 of the sample substrate generated by the process of step S12. In the surface image SD2 of FIG. 12A, the surface structure of the sample substrate including the resist pattern RP is represented.

続いて、制御部114は、補正後のサンプル基板の表面画像データに基づいて許容範囲設定処理を行う(ステップS13)。許容範囲設定処理では、後述するステップS17の処理で用いられる許容範囲が設定される。許容範囲設定処理の詳細は後述する。   Subsequently, the control unit 114 performs an allowable range setting process based on the corrected surface image data of the sample substrate (step S13). In the allowable range setting process, the allowable range used in the process of step S17 described later is set. Details of the allowable range setting process will be described later.

次に、制御部114は、ステップS11,S12の処理と同様に、検査基板Wの表面画像データを取得し(ステップS14)、取得された表面画像データを補正して基板Wの形状の表面画像を生成する(ステップS15)。図12(b)に、ステップS14の処理により生成される検査基板Wの表面画像SD3が示される。図12(b)の表面画像SD3には、検査基板Wの表面構造に加えて外観上の欠陥DPが表される。図12(b)および後述する図12(c),(d),(e)では、欠陥DPの形状を理解しやすいように、欠陥DPの外縁が点線で示される。   Next, the control unit 114 acquires the surface image data of the inspection substrate W (step S14), corrects the acquired surface image data, and performs the surface image of the shape of the substrate W in the same manner as the processes of steps S11 and S12. Is generated (step S15). FIG. 12B shows a surface image SD3 of the inspection substrate W generated by the process of step S14. In the surface image SD3 of FIG. 12B, in addition to the surface structure of the inspection substrate W, a defect DP in appearance is represented. In FIG. 12B and FIGS. 12C, 12D, and 12E described later, the outer edge of the defect DP is indicated by a dotted line so that the shape of the defect DP can be easily understood.

続いて、図11に示すように、制御部114は、検査基板Wおよびサンプル基板の表面画像データの互いに対応するとみなされる画素の階調値の差分を算出する(ステップS16)。より具体的には、制御部114は、表面画像SD3の各画素の階調値からその画素に対応するとみなされる表面画像SD2の各画素の階調値を減算する。   Subsequently, as shown in FIG. 11, the control unit 114 calculates a difference between gradation values of pixels regarded as corresponding to each other in the surface image data of the inspection substrate W and the sample substrate (step S <b> 16). More specifically, the control unit 114 subtracts the gradation value of each pixel of the surface image SD2 regarded as corresponding to the pixel from the gradation value of each pixel of the surface image SD3.

この場合、表面画像SD2と表面画像SD3との間で互いに対応するとみなされる画素は、例えば表面画像SD2に含まれるサンプル基板の表面構造と表面画像SD3に含まれる検査基板Wの表面構造とのパターンマッチングにより求められる。または、表面画像SD2と表面画像SD3との間で互いに対応するとみなされる画素は、例えばサンプル基板および検査基板Wの位置決め用の切り欠きと図6のCCDラインセンサ54の各画素との位置関係に基づいて求められる。切り欠きは、例えばオリエンテーションフラットまたはノッチである。   In this case, the pixels considered to correspond to each other between the surface image SD2 and the surface image SD3 are, for example, patterns of the surface structure of the sample substrate included in the surface image SD2 and the surface structure of the inspection substrate W included in the surface image SD3. Required by matching. Alternatively, the pixels considered to correspond to each other between the surface image SD2 and the surface image SD3 are, for example, in a positional relationship between the notch for positioning the sample substrate and the inspection substrate W and each pixel of the CCD line sensor 54 in FIG. Based on. The notch is, for example, an orientation flat or a notch.

検査基板Wの表面画像SD3には、欠陥DPの画像とともに表面画像SD2に含まれるサンプル基板の表面構造と同様の画像が含まれる。したがって、検査基板Wの正常な部分に対応する画素については、ステップS16の処理により得られる差分は小さい。一方、検査基板Wに外観上の欠陥が存在する場合、その欠陥の部分に対応する画素については、上記の差分は大きい。それにより、欠陥の部分に対応する画素についての階調値の差分と正常な部分に対応する画素についての階調値の差分とを区別することができる。   The surface image SD3 of the inspection substrate W includes an image similar to the surface structure of the sample substrate included in the surface image SD2 together with the image of the defect DP. Therefore, for the pixel corresponding to the normal part of the inspection substrate W, the difference obtained by the process of step S16 is small. On the other hand, when a defect in appearance exists on the inspection substrate W, the above difference is large for the pixel corresponding to the defective portion. Thereby, it is possible to distinguish the difference in gradation value for the pixel corresponding to the defective portion from the difference in gradation value for the pixel corresponding to the normal portion.

以下の説明では、ステップS16の処理により得られる差分からなる表面画像データを差分画像データと呼ぶ。図12(c)には、差分画像データにより表される表面画像SD4が示される。図12(c)の表面画像SD4においては、欠陥DPの部分の明るさが検査基板Wの正常な部分の明るさに比べて十分に暗い。   In the following description, the surface image data including the difference obtained by the process of step S16 is referred to as difference image data. FIG. 12C shows a surface image SD4 represented by the difference image data. In the surface image SD4 in FIG. 12C, the brightness of the defective DP portion is sufficiently darker than the normal portion of the inspection substrate W.

次に、制御部114は、差分画像データの各画素の階調値に一定の値を加算する(ステップS17)。以下、ステップS17の処理後の表面画像データを判定画像データと呼ぶ。例えば、階調値の範囲の中心値が各画素の階調値に加算される。具体的には、階調値が0以上255以下の数値で表される場合に、各画素の階調値に128が加算される。図12(d)には、判定画像データにより表される表面画像SD5が示される。図12(d)の表面画像SD5は、適度な明るさを有する。   Next, the control unit 114 adds a certain value to the gradation value of each pixel of the difference image data (step S17). Hereinafter, the surface image data after the processing in step S17 is referred to as determination image data. For example, the center value of the gradation value range is added to the gradation value of each pixel. Specifically, when the gradation value is represented by a numerical value of 0 or more and 255 or less, 128 is added to the gradation value of each pixel. FIG. 12D shows a surface image SD5 represented by the determination image data. The surface image SD5 in FIG. 12D has appropriate brightness.

制御部114は、例えば生成された表面画像SD5を図1のメインパネルPNに表示する。この場合、使用者は、図12(d)の表面画像SD5を違和感なく視認することができる。なお、使用者が表面画像SD5を視認しない場合、上記のステップS17の処理は行われなくてもよい。   For example, the control unit 114 displays the generated surface image SD5 on the main panel PN of FIG. In this case, the user can visually recognize the surface image SD5 of FIG. Note that if the user does not visually recognize the surface image SD5, the processing in step S17 may not be performed.

その後、制御部114は、判定画像データの各画素の階調値がステップS13の許容範囲設定処理で設定された許容範囲内にあるか否かを判定する(ステップS18)。許容範囲は、基本的に、正常な部分に対応する判定画像データの画素の階調値を含み、欠陥の部分に対応する判定画像データの画素の階調値を含まないように設定される。   Thereafter, the control unit 114 determines whether or not the gradation value of each pixel of the determination image data is within the allowable range set in the allowable range setting process of Step S13 (Step S18). The allowable range is basically set so as to include the gradation value of the pixel of the determination image data corresponding to the normal portion and not include the gradation value of the pixel of the determination image data corresponding to the defective portion.

判定画像データの各画素の階調値が許容範囲内にある場合、制御部114は、検査基板Wに外観上の欠陥がないと判定し(ステップS19)、欠陥判定処理を終了する。一方、いずれかの画素の階調値が許容範囲外にある場合、制御部114は、検査基板Wに外観上の欠陥があると判定する(ステップS20)。また、制御部114は、階調値が許容範囲外にある1または複数の画素を抽出することによりその欠陥を検出し(ステップS21)、欠陥判定処理を終了する。   When the gradation value of each pixel of the determination image data is within the allowable range, the control unit 114 determines that there is no appearance defect on the inspection substrate W (step S19), and ends the defect determination process. On the other hand, when the gradation value of any pixel is outside the allowable range, the control unit 114 determines that the inspection substrate W has a defect in appearance (step S20). Further, the control unit 114 detects the defect by extracting one or a plurality of pixels whose gradation values are outside the allowable range (step S21), and ends the defect determination process.

上記のステップS21において、制御部114は、図12(e)に示すように、抽出された欠陥DPを示す表面画像SD6を生成してもよい。また、制御部114は生成された表面画像SD6を図1のメインパネルPNに表示してもよい。上記のように、検査基板Wの外観上の欠陥が検出されることにより、その欠陥の位置および形状を識別することが可能になる。   In step S21 described above, the control unit 114 may generate a surface image SD6 indicating the extracted defect DP as shown in FIG. Further, the control unit 114 may display the generated surface image SD6 on the main panel PN of FIG. As described above, when a defect on the appearance of the inspection substrate W is detected, the position and shape of the defect can be identified.

欠陥判定処理で欠陥があると判定された検査基板Wは、基板処理装置100から搬出された後、欠陥がないと判定された基板Wとは異なる処理が行われる。例えば、欠陥があると判定された検査基板Wには、精密検査または再生処理等が行われる。   The inspection substrate W determined to have a defect in the defect determination process is subjected to a process different from that of the substrate W determined to have no defect after being unloaded from the substrate processing apparatus 100. For example, the inspection substrate W determined to have a defect is subjected to a precision inspection or a reproduction process.

(4)許容範囲設定処理
上記のように、欠陥判定処理のステップS16の処理では、検査基板Wおよびサンプル基板の表面画像データの互いに対応するとみなされる画素の階調値の差分が算出される。このとき、サンプル基板の表面画像データの画素に対応するとみなされる検査基板Wの表面画像データの画素が、真に対応する画素からずれる場合がある。このような画素の対応関係のずれは、例えば表面画像データの生成時における検査基板Wの配置状態または検査基板Wの表面構造等に起因して発生する。
(4) Allowable Range Setting Process As described above, in the process of step S16 of the defect determination process, the difference between the gradation values of pixels that are regarded as corresponding to each other in the surface image data of the inspection substrate W and the sample substrate is calculated. At this time, the pixel of the surface image data of the inspection substrate W that is considered to correspond to the pixel of the surface image data of the sample substrate may deviate from the true corresponding pixel. Such a shift in the correspondence between pixels occurs due to, for example, the arrangement state of the inspection substrate W or the surface structure of the inspection substrate W at the time of generating the surface image data.

図13は、検査基板Wおよびサンプル基板の表面画像データの間で画素の対応関係にずれが生じた状態で生成される差分画像データを説明するための図である。図13(a)にサンプル基板の表面画像SD2の一部拡大図が示される。図13(b)に図13(a)の表面画像SD2に対応するとみなされる検査基板Wの表面画像SD3の一部拡大図が示される。図13(c)に図13(a),(b)の表面画像SD2,SD3の差分を表す表面画像SD4が示される。図13(a)〜(c)では、表面画像上の画素が点線で表される。また、図13(c)の表面画像SD4では、差分(階調値)が0である画素が白色で示され、差分(階調値)が0以外の画素がドットパターンで示される。   FIG. 13 is a diagram for explaining the difference image data generated in a state where the correspondence between the pixels is shifted between the surface image data of the inspection substrate W and the sample substrate. FIG. 13A shows a partially enlarged view of the surface image SD2 of the sample substrate. FIG. 13B shows a partially enlarged view of the surface image SD3 of the inspection substrate W that is considered to correspond to the surface image SD2 of FIG. FIG. 13C shows a surface image SD4 representing the difference between the surface images SD2 and SD3 of FIGS. 13A and 13B. 13A to 13C, pixels on the surface image are represented by dotted lines. In the surface image SD4 in FIG. 13C, pixels having a difference (gradation value) of 0 are shown in white, and pixels having a difference (gradation value) other than 0 are shown in a dot pattern.

検査基板Wおよびサンプル基板の表面画像データの各画素の対応関係が正確であるとすると、正常な部分について検査基板Wおよびサンプル基板の表面画像データの互いに対応する画素の階調値の差分は理想的には0になると考えられる。しかしながら、図13(a),(b)の例では、表面画像SD2の各画素に対応するとみなされる表面画像SD3の各画素が、実際に対応する画素から縦方向および横方向に1つずつずれている。この場合、図13(c)に示すように、表面画像SD4においては一部の画素について差分(階調値)が0にならない。   Assuming that the correspondence between the pixels of the surface image data of the inspection substrate W and the sample substrate is accurate, the difference between the gradation values of the pixels corresponding to the surface image data of the inspection substrate W and the sample substrate is normal for a normal portion. It is considered to be zero. However, in the examples of FIGS. 13A and 13B, each pixel of the surface image SD3 considered to correspond to each pixel of the surface image SD2 is shifted one by one in the vertical and horizontal directions from the actually corresponding pixel. ing. In this case, as shown in FIG. 13C, the difference (gradation value) does not become zero for some pixels in the surface image SD4.

そのため、複数の検査基板Wについて同様の欠陥判定処理を行う場合には、正常な部分について検査基板Wごとに得られる判定画像データに差が生じる可能性がある。図14は、検査基板Wごとに得られる判定画像データのばらつきを示す図である。図14(a)に、画素の対応関係にずれが生じていない状態で生成される判定画像データの表面画像SD5の一例が示される。図14(b)に、画素の対応関係にずれが生じた状態で生成される判定画像データの表面画像SD5の一例が示される。   Therefore, when the same defect determination process is performed for a plurality of inspection substrates W, there is a possibility that a difference may occur in determination image data obtained for each inspection substrate W for a normal portion. FIG. 14 is a diagram illustrating variation in determination image data obtained for each inspection substrate W. FIG. 14A shows an example of the surface image SD5 of the determination image data generated in a state where there is no deviation in the pixel correspondence. FIG. 14B shows an example of the surface image SD5 of the determination image data generated in a state where the correspondence between the pixels is shifted.

図14(a)に示すように、画素の対応関係にずれが生じていない状態で生成される表面画像SD5にはレジストパターンRPが表れない。一方、図14(b)に示すように、画素の対応関係にずれが生じた状態で生成される表面画像SD5には、レジストパターンRPの一部が表れる。この場合、画素の対応関係にずれが生じた状態であっても、正常な表面構造に対応する判定画像データの階調値が許容範囲内となるように、許容範囲を大きく設定する必要が生じる。それにより、画素の対応関係のずれに起因する誤判定を防止することができる。一方、許容範囲が過剰に大きく設定されると、欠陥の検出精度が低下する。   As shown in FIG. 14A, the resist pattern RP does not appear in the surface image SD5 that is generated in a state where there is no deviation in the pixel correspondence. On the other hand, as shown in FIG. 14B, a part of the resist pattern RP appears in the surface image SD5 generated in a state in which the correspondence between the pixels is shifted. In this case, it is necessary to set the allowable range large so that the gradation value of the determination image data corresponding to the normal surface structure is within the allowable range even in a state where the correspondence relationship of the pixels is shifted. . As a result, it is possible to prevent erroneous determination due to a shift in the correspondence between pixels. On the other hand, if the allowable range is set excessively large, the defect detection accuracy decreases.

そこで、本実施の形態では、検査基板Wおよびサンプル基板の表面画像データの対応関係のずれを考慮しつつ許容範囲を適切に設定するために、以下の許容範囲設定処理が行われる。   Therefore, in the present embodiment, the following allowable range setting process is performed in order to appropriately set the allowable range in consideration of the shift in the correspondence between the surface image data of the inspection substrate W and the sample substrate.

図15は、許容範囲設定処理のフローチャートである。本例では、図10のステップS12で生成されるサンプル基板の表面画像SD2(図12(a))のうちN個の画素が予め対象画素として定められている。Nは2以上でかつサンプル基板の表面画像データの全画素数以下の数を表す。本実施の形態では、Nは表面画像データの全画素数である。   FIG. 15 is a flowchart of the allowable range setting process. In this example, N pixels of the surface image SD2 (FIG. 12A) of the sample substrate generated in step S12 in FIG. 10 are determined in advance as target pixels. N represents a number that is 2 or more and less than or equal to the total number of pixels of the surface image data of the sample substrate. In the present embodiment, N is the total number of pixels of the surface image data.

図15に示すように、制御部114は、サンプル基板の表面画像データのうちi番目(iは自然数)の対象画素とその対象画素を含む一定領域内の複数の画素との階調値の差分を算出する(ステップS101)。変数iの初期値は1である。一定領域は、例えば対象画素を中心としてその対象画素から一定数の画素を含むように設定される。   As illustrated in FIG. 15, the control unit 114 determines the difference in gradation value between the i-th (i is a natural number) target pixel in the surface image data of the sample substrate and a plurality of pixels in a certain region including the target pixel. Is calculated (step S101). The initial value of the variable i is 1. The fixed region is set so as to include a fixed number of pixels from the target pixel, for example, with the target pixel as the center.

ステップS101で算出される複数の差分は、検査基板Wに欠陥がないときに、そのi番目の対象画素についてサンプル基板と検査基板Wとの対応関係のずれに起因して算出される階調値の差分にほぼ相当すると考えられる。そこで、制御部114は、算出された階調値の差分の平均値をi番目の対象画素に対応する代表値として決定する(ステップS102)。決定された代表値は、画素の対応関係にずれがありかつi番目の対象画素に対応するとみなされる検査基板Wの部分が正常である場合に差分画像データとして算出されることになる階調値の差分を代表している。   The plurality of differences calculated in step S101 are gradation values calculated due to a shift in the correspondence between the sample substrate and the inspection substrate W for the i-th target pixel when the inspection substrate W is not defective. It is considered that the difference is almost equivalent to Therefore, the control unit 114 determines an average value of the calculated gradation value differences as a representative value corresponding to the i-th target pixel (step S102). The determined representative value is a gradation value to be calculated as difference image data when there is a deviation in the correspondence of pixels and the portion of the inspection substrate W that is considered to correspond to the i-th target pixel is normal. Represents the difference.

ここで、サンプル基板の表面画像データの各画素をx軸およびy軸からなる平面座標系で表す場合に、一定領域が、例えば対象画素の座標(a,b)を中心として、座標(a−1,b−1)、(a−1,b)、(a−1,b+1)、(a,b−1)、(a,b)、(a,b+1)、(a+1,b−1)、(a+1,b)および(a+1,b+1)に位置する9つの画素を含むように設定されるものとする。   Here, when each pixel of the surface image data of the sample substrate is represented by a plane coordinate system composed of the x-axis and the y-axis, the fixed area is, for example, the coordinates (a− 1, b-1), (a-1, b), (a-1, b + 1), (a, b-1), (a, b), (a, b + 1), (a + 1, b-1) , (A + 1, b) and (a + 1, b + 1) are set to include nine pixels.

この場合、座標(u,v)の対象画素の階調値をP(u,v)で表すと、ステップS101,S102の処理により決定される代表値P’(a,b)は、例えば下記式(1)で表すことができる。   In this case, if the gradation value of the target pixel at the coordinates (u, v) is represented by P (u, v), the representative value P ′ (a, b) determined by the processing in steps S101 and S102 is, for example, It can be represented by Formula (1).

P’(a,b)=[{P(a−1,b−1)+P(a−1,b)+P(a−1,b+1)+P(a,b−1)+P(a,b)+P(a,b+1)+P(a+1,b−1)+P(a+1,b)+P(a+1,b+1)}−P(a,b)×9]/9 …(1)
上記の代表値P’(a,b)は、検査基板Wにおける座標(a,b)の画素について、対応関係に1画素分のずれが生じた状態で算出される可能性がある差分画像データの階調値を代表する。
P ′ (a, b) = [{P (a−1, b−1) + P (a−1, b) + P (a−1, b + 1) + P (a, b−1) + P (a, b)] + P (a, b + 1) + P (a + 1, b-1) + P (a + 1, b) + P (a + 1, b + 1)} − P (a, b) × 9] / 9 (1)
The representative value P ′ (a, b) is differential image data that may be calculated in a state where a shift of one pixel occurs in the correspondence relationship with respect to the pixel at the coordinates (a, b) on the inspection substrate W. Represents the gradation value.

上記のようにi番目の対象画素に対応する代表値を決定した後、制御部114は、変数iの値がNであるか否かを判定する(ステップS103)。変数iがNでない場合、制御部114は、変数iに1を加算し(ステップS104)、ステップS101の処理に進む。それにより、制御部114は、次の対象画素に対応する代表値を決定する。一方、変数iがNである場合、制御部114は、算出された全ての代表値に一定の値を加算する(ステップS105)。   After determining the representative value corresponding to the i-th target pixel as described above, the control unit 114 determines whether or not the value of the variable i is N (step S103). When the variable i is not N, the control unit 114 adds 1 to the variable i (step S104), and proceeds to the process of step S101. Thereby, the control unit 114 determines a representative value corresponding to the next target pixel. On the other hand, when the variable i is N, the control unit 114 adds a constant value to all the calculated representative values (step S105).

以下、ステップS105において一定の値が加算された代表値を加算代表値と呼ぶ。ここで、ステップS105で代表値に加算される値は、図11のステップS17で差分画像データの各画素の階調値に加算される値と等しい。なお、ステップS17の処理が行われない場合には、本ステップS105の処理も行われない。   Hereinafter, the representative value obtained by adding a constant value in step S105 is referred to as an added representative value. Here, the value added to the representative value in step S105 is equal to the value added to the gradation value of each pixel of the difference image data in step S17 of FIG. In addition, when the process of step S17 is not performed, the process of this step S105 is not performed.

その後、制御部114は、算出された加算代表値の最小値および最大値をそれぞれ許容範囲の下限値および上限値として設定する(ステップS106)。なお、上記のステップS17,S105の処理が行われない場合には、ステップS101〜S104の処理で算出されたN個の代表値の最小値および最大値をそれぞれ許容範囲の下限値および上限値として設定する。このようにして、許容範囲設定処理が終了する。許容範囲設定処理の終了時には、変数iが初期値1にリセットされる。   Thereafter, the control unit 114 sets the calculated minimum value and maximum value of the added representative value as the lower limit value and the upper limit value of the allowable range, respectively (step S106). If the processes in steps S17 and S105 are not performed, the minimum value and the maximum value of the N representative values calculated in the processes in steps S101 to S104 are set as the lower limit value and the upper limit value of the allowable range, respectively. Set. In this way, the allowable range setting process ends. At the end of the allowable range setting process, the variable i is reset to the initial value 1.

このようにして許容範囲が設定されることにより、正常な部分について、画素の対応関係のずれに起因して算出される判定画像データの階調値が許容範囲から外れる可能性が低くなる。したがって、正常な部分が欠陥であると誤判定される可能性が低くなる。   By setting the permissible range in this way, the possibility that the gradation value of the determination image data calculated due to the deviation in the correspondence relationship of the pixels is out of the permissible range with respect to the normal part is reduced. Therefore, the possibility that a normal part is erroneously determined as a defect is reduced.

また、許容範囲の下限値および上限値が加算代表値の最小値および最大値に制限される。それにより、欠陥の部分について、画素の対応関係のずれに起因して算出される判定画像データの階調値が許容範囲内に含まれる可能性が低くなる。したがって、欠陥の部分が正常であると誤判定される可能性が低くなる。その結果、検査基板Wおよびサンプル基板の表面画像データの対応関係にずれがある場合でも、検査基板Wの外観上の欠陥を高い精度で検出することが可能になる。   Further, the lower limit value and the upper limit value of the allowable range are limited to the minimum value and the maximum value of the addition representative value. As a result, the possibility that the gradation value of the determination image data calculated due to the shift in the correspondence between the pixels is included in the allowable range for the defective portion is reduced. Therefore, the possibility of erroneous determination that the defective portion is normal is reduced. As a result, even when there is a deviation in the correspondence between the surface image data of the inspection substrate W and the sample substrate, it is possible to detect defects on the appearance of the inspection substrate W with high accuracy.

上記のステップS102においては、算出された階調値の差分の平均値に代えて、算出された階調値の差分の最小値、中央値または最大値のいずれかがi番目の対象画素に対応する代表値として決定されてもよい。このように、ステップS102で決定される代表値は、複数の階調値の最小値から最大値までの範囲内の値であれば、平均値、最小値、中央値または最大値等のいずれの値に設定されてもよい。この場合、欠陥の判定条件等に応じて所望の許容範囲を適切に設定することができる。   In the above step S102, instead of the average value of the calculated gradation value differences, the minimum value, the median value, or the maximum value of the calculated gradation value differences corresponds to the i-th target pixel. The representative value may be determined. As described above, the representative value determined in step S102 is any value such as an average value, a minimum value, a median value, or a maximum value as long as it is a value within the range from the minimum value to the maximum value of the plurality of gradation values. It may be set to a value. In this case, a desired allowable range can be appropriately set according to the defect determination conditions and the like.

ノイズまたは外乱等の影響により、正常な部分に対応する画素について判定画像データの階調値が加算代表値の最小値よりも小さくなる可能性がある。また、正常な部分に対応する画素について判定画像データの階調値が加算代表値の最大値よりも大きくなる可能性がある。そこで、制御部114は、ステップS106の処理において、加算代表値の最小値および最大値をそれぞれ許容範囲の下限値および上限値として設定する代わりに、以下の処理を行ってもよい。   Due to the influence of noise, disturbance, or the like, the gradation value of the determination image data may be smaller than the minimum value of the addition representative value for the pixel corresponding to the normal part. Further, there is a possibility that the gradation value of the determination image data is larger than the maximum value of the added representative value for the pixel corresponding to the normal part. Therefore, in step S106, the control unit 114 may perform the following process instead of setting the minimum value and the maximum value of the addition representative value as the lower limit value and the upper limit value of the allowable range, respectively.

例えば、制御部114は、加算代表値の最小値よりも予め定められた値分小さい第1の値を許容範囲の下限値として設定し、加算代表値の最大値よりも予め定められた値分大きい第2の値を許容範囲の上限値として設定する。それにより、正常な部分に対応する画素について判定画像データの階調値が加算代表値の最小値よりも小さくなる場合でも、その階調値が第1の値以上であるときには誤判定が生じない。また、正常な部分に対応する画素について判定画像データの階調値が加算代表値の最大値よりも大きくなる場合でも、その階調値が第2の値以下であるときには誤判定が生じない。その結果、ノイズまたは外乱等に起因する誤判定を防止することができる。   For example, the control unit 114 sets a first value that is smaller than a minimum value of the addition representative value by a predetermined value as a lower limit value of the allowable range, and is a value that is predetermined by a predetermined value than the maximum value of the addition representative value A large second value is set as the upper limit value of the allowable range. Thereby, even when the gradation value of the determination image data is smaller than the minimum value of the addition representative value for the pixel corresponding to the normal portion, no erroneous determination occurs when the gradation value is equal to or greater than the first value. . Further, even when the gradation value of the determination image data is larger than the maximum value of the addition representative value for the pixel corresponding to the normal portion, no erroneous determination occurs when the gradation value is equal to or smaller than the second value. As a result, misjudgment caused by noise or disturbance can be prevented.

(5)基板処理装置の全体の動作
図1〜図4を参照しながら基板処理装置100の動作を説明する。インデクサブロック11のキャリア載置部111(図1)には、未処理の基板Wが収容されたキャリア113が載置される。搬送機構115は、キャリア113から基板載置部PASS1,PASS3(図4)に未処理の基板Wを搬送する。また、搬送機構115は、基板載置部PASS2,PASS4(図4)に載置された処理済みの基板Wをキャリア113に搬送する。
(5) Overall Operation of Substrate Processing Apparatus The operation of the substrate processing apparatus 100 will be described with reference to FIGS. A carrier 113 in which an unprocessed substrate W is accommodated is placed on the carrier placement portion 111 (FIG. 1) of the indexer block 11. The transport mechanism 115 transports the unprocessed substrate W from the carrier 113 to the substrate platforms PASS1 and PASS3 (FIG. 4). In addition, the transport mechanism 115 transports the processed substrate W placed on the substrate platforms PASS <b> 2 and PASS <b> 4 (FIG. 4) to the carrier 113.

第1の処理ブロック12において、搬送機構127(図4)は、基板載置部PASS1(図4)に載置された基板Wを密着強化処理ユニットPAHP(図3)、冷却ユニットCP(図3)、塗布処理室22(図2)、熱処理ユニットPHP(図3)、冷却ユニットCP(図3)、塗布処理室21(図2)、熱処理ユニットPHP(図3)および基板載置部PASS5(図4)に順に搬送する。   In the first processing block 12, the transport mechanism 127 (FIG. 4) causes the substrate W placed on the substrate platform PASS1 (FIG. 4) to adhere to the adhesion reinforcement processing unit PAHP (FIG. 3) and the cooling unit CP (FIG. 3). ), Coating treatment chamber 22 (FIG. 2), heat treatment unit PHP (FIG. 3), cooling unit CP (FIG. 3), coating treatment chamber 21 (FIG. 2), heat treatment unit PHP (FIG. 3), and substrate platform PASS5 ( It conveys in order to FIG.

この場合、密着強化処理ユニットPAHPにおいて、基板Wに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットCPにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Wが冷却される。次に、塗布処理室22において、塗布処理ユニット129(図2)により基板W上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理ユニットPHPにおいて、基板Wの熱処理が行われた後、冷却ユニットCPにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Wが冷却される。次に、塗布処理室21において、塗布処理ユニット129(図2)により、基板W上にレジスト膜が形成される。その後、熱処理ユニットPHPにおいて、基板Wの熱処理が行われ、その基板Wが基板載置部PASS5に載置される。   In this case, after the adhesion reinforcement processing is performed on the substrate W in the adhesion reinforcement processing unit PAHP, the substrate W is cooled to a temperature suitable for forming the antireflection film in the cooling unit CP. Next, in the coating processing chamber 22, an antireflection film is formed on the substrate W by the coating processing unit 129 (FIG. 2). Subsequently, after the heat treatment of the substrate W is performed in the heat treatment unit PHP, the substrate W is cooled to a temperature suitable for formation of the resist film in the cooling unit CP. Next, in the coating processing chamber 21, a resist film is formed on the substrate W by the coating processing unit 129 (FIG. 2). Thereafter, the substrate W is heat-treated in the heat treatment unit PHP, and the substrate W is placed on the substrate platform PASS5.

また、搬送機構127は、基板載置部PASS6(図4)に載置された現像処理後の基板Wを基板載置部PASS2(図4)に搬送する。   In addition, the transport mechanism 127 transports the substrate W after the development processing placed on the substrate platform PASS6 (FIG. 4) to the substrate platform PASS2 (FIG. 4).

搬送機構128(図4)は、基板載置部PASS3(図4)に載置された基板Wを密着強化処理ユニットPAHP(図3)、冷却ユニットCP(図3)、塗布処理室24(図2)、熱処理ユニットPHP(図3)、冷却ユニットCP(図3)、塗布処理室23(図2)、熱処理ユニットPHP(図3)および基板載置部PASS7(図4)に順に搬送する。また、搬送機構128(図4)は、基板載置部PASS8(図4)に載置された現像処理後の基板Wを基板載置部PASS4(図4)に搬送する。塗布処理室23,24(図2)および下段熱処理部302(図3)における基板Wの処理内容は、上記の塗布処理室21,22(図2)および上段熱処理部301(図3)における基板Wの処理内容と同様である。   The transport mechanism 128 (FIG. 4) is configured to adhere the substrate W placed on the substrate platform PASS3 (FIG. 4) to the adhesion reinforcement processing unit PAHP (FIG. 3), the cooling unit CP (FIG. 3), and the coating processing chamber 24 (FIG. 4). 2), sequentially transferred to the heat treatment unit PHP (FIG. 3), the cooling unit CP (FIG. 3), the coating treatment chamber 23 (FIG. 2), the heat treatment unit PHP (FIG. 3), and the substrate platform PASS7 (FIG. 4). Further, the transport mechanism 128 (FIG. 4) transports the substrate W after the development processing placed on the substrate platform PASS8 (FIG. 4) to the substrate platform PASS4 (FIG. 4). The processing contents of the substrate W in the coating processing chambers 23 and 24 (FIG. 2) and the lower thermal processing section 302 (FIG. 3) are the same as those in the coating processing chambers 21 and 22 (FIG. 2) and the upper thermal processing section 301 (FIG. 3). This is the same as the processing content of W.

第2の処理ブロック13において、搬送機構137(図4)は、基板載置部PASS5(図4)に載置されたレジスト膜形成後の基板Wを塗布処理室32(図2)、熱処理ユニットPHP(図3)、エッジ露光部EEW(図3)および載置兼バッファ部P−BF1(図4)に順に搬送する。   In the second processing block 13, the transport mechanism 137 (FIG. 4) is configured to apply the resist film-formed substrate W placed on the substrate platform PASS 5 (FIG. 4) to the coating processing chamber 32 (FIG. 2), and a heat treatment unit. It conveys to PHP (FIG. 3), edge exposure part EEW (FIG. 3), and mounting and buffer part P-BF1 (FIG. 4) in order.

この場合、塗布処理室32において、塗布処理ユニット129により基板W上にレジストカバー膜が形成される。続いて、熱処理ユニットPHPにおいて、基板Wに熱処理が行われた後、エッジ露光部EEWにおいて、基板Wのエッジ露光処理が行われ、その基板Wが載置兼バッファ部P−BF1に載置される。   In this case, a resist cover film is formed on the substrate W by the coating processing unit 129 in the coating processing chamber 32. Subsequently, after the substrate W is heat-treated in the heat treatment unit PHP, the edge exposure processing of the substrate W is performed in the edge exposure unit EEW, and the substrate W is placed on the placement / buffer unit P-BF1. The

また、搬送機構137(図4)は、洗浄乾燥処理ブロック14Aに隣接する熱処理ユニットPHP(図3)から露光処理後でかつ熱処理後の基板Wを取り出し、その基板Wを冷却ユニットCP(図3)、現像処理室31(図2)、熱処理ユニットPHP(図3)、検査ユニットIP(図3)および基板載置部PASS6(図4)に順に搬送する。   Further, the transport mechanism 137 (FIG. 4) takes out the substrate W after the exposure processing and after the heat treatment from the heat treatment unit PHP (FIG. 3) adjacent to the cleaning / drying processing block 14A, and removes the substrate W from the cooling unit CP (FIG. 3). ), The developing chamber 31 (FIG. 2), the heat treatment unit PHP (FIG. 3), the inspection unit IP (FIG. 3), and the substrate platform PASS6 (FIG. 4) in this order.

この場合、冷却ユニットCPにおいて、現像処理に適した温度に基板Wが冷却された後、現像処理室31において、現像処理ユニット139により基板Wの現像処理が行われる。続いて、熱処理ユニットPHPにおいて、基板Wの熱処理が行われた後、検査ユニットIPにおいて、基板Wの外観検査が行われる。外観検査後の基板Wは、基板載置部PASS6に載置される。   In this case, after the substrate W is cooled to a temperature suitable for the development processing in the cooling unit CP, the development processing of the substrate W is performed by the development processing unit 139 in the development processing chamber 31. Subsequently, after heat treatment of the substrate W is performed in the heat treatment unit PHP, an appearance inspection of the substrate W is performed in the inspection unit IP. The substrate W after the appearance inspection is placed on the substrate platform PASS6.

搬送機構138(図4)は、基板載置部PASS7(図4)に載置されたレジスト膜形成後の基板Wを塗布処理室34(図2)、熱処理ユニットPHP(図3)、エッジ露光部EEW(図3)および載置兼バッファ部P−BF2(図4)に順に搬送する。また、搬送機構138(図4)は、洗浄乾燥処理ブロック14Aに隣接する熱処理ユニットPHP(図3)から露光処理後でかつ熱処理後の基板Wを取り出し、その基板Wを冷却ユニットCP(図3)、現像処理室33(図2)、熱処理ユニットPHP(図3)、検査ユニットIP(図3)および基板載置部PASS8(図4)に順に搬送する。塗布処理室34、現像処理室33および下段熱処理部304における基板Wの処理内容は、上記の塗布処理室32、現像処理室31および上段熱処理部303における基板Wの処理内容と同様である。   The transport mechanism 138 (FIG. 4) is configured to apply the resist film-formed substrate W placed on the substrate platform PASS7 (FIG. 4) to the coating processing chamber 34 (FIG. 2), the heat treatment unit PHP (FIG. 3), and edge exposure. It is sequentially conveyed to the section EEW (FIG. 3) and the placement / buffer section P-BF2 (FIG. 4). Further, the transport mechanism 138 (FIG. 4) takes out the substrate W after the exposure process and after the heat treatment from the heat treatment unit PHP (FIG. 3) adjacent to the cleaning / drying processing block 14A, and removes the substrate W from the cooling unit CP (FIG. 3). ), The developing chamber 33 (FIG. 2), the heat treatment unit PHP (FIG. 3), the inspection unit IP (FIG. 3), and the substrate platform PASS8 (FIG. 4) in this order. The processing content of the substrate W in the coating processing chamber 34, the development processing chamber 33, and the lower thermal processing section 304 is the same as the processing content of the substrate W in the coating processing chamber 32, the developing processing chamber 31, and the upper thermal processing section 303.

洗浄乾燥処理ブロック14Aにおいて、搬送機構141(図1)は、載置兼バッファ部P−BF1,P−BF2(図4)に載置された基板Wを洗浄乾燥処理部161の洗浄乾燥処理ユニットCD1(図2)および載置兼冷却部P−CP(図4)に順に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットCD1において、基板Wの洗浄および乾燥処理が行われた後、載置兼冷却部P−CPにおいて、露光装置15(図1〜図3)における露光処理に適した温度に基板Wが冷却される。   In the cleaning / drying processing block 14 </ b> A, the transport mechanism 141 (FIG. 1) performs the cleaning / drying processing unit of the cleaning / drying processing unit 161 on the substrate W placed on the placement / buffer units P-BF 1, P-BF 2 (FIG. 4). It conveys to CD1 (FIG. 2) and mounting and cooling part P-CP (FIG. 4) in order. In this case, after the cleaning and drying processing of the substrate W is performed in the cleaning / drying processing unit CD1, the temperature suitable for the exposure processing in the exposure apparatus 15 (FIGS. 1 to 3) in the placement / cooling unit P-CP. Then, the substrate W is cooled.

搬送機構142(図1)は、基板載置部PASS9(図4)に載置された露光処理後の基板Wを洗浄乾燥処理部162の洗浄乾燥処理ユニットCD2(図3)に搬送し、洗浄および乾燥処理後の基板Wを洗浄乾燥処理ユニットCD2から上段熱処理部303の熱処理ユニットPHP(図3)または下段熱処理部304の熱処理ユニットPHP(図3)に搬送する。この熱処理ユニットPHPにおいては、露光後ベーク(PEB)処理が行われる。   The transport mechanism 142 (FIG. 1) transports the substrate W after the exposure processing placed on the substrate platform PASS9 (FIG. 4) to the cleaning / drying processing unit CD2 (FIG. 3) of the cleaning / drying processing unit 162 for cleaning. The substrate W after the drying treatment is transferred from the cleaning / drying treatment unit CD2 to the heat treatment unit PHP (FIG. 3) of the upper heat treatment section 303 or the heat treatment unit PHP (FIG. 3) of the lower heat treatment section 304. In this heat treatment unit PHP, a post-exposure bake (PEB) process is performed.

インターフェイスブロック15において、搬送機構146(図1)は、載置兼冷却部P−CP(図4)に載置された露光処理前の基板Wを露光装置15の基板搬入部15a(図1)に搬送する。また、搬送機構146(図1)は、露光装置15の基板搬出部15b(図1)から露光処理後の基板Wを取り出し、その基板Wを基板載置部PASS9(図4)に搬送する。   In the interface block 15, the transport mechanism 146 (FIG. 1) transfers the substrate W before exposure processing placed on the placement / cooling unit P-CP (FIG. 4) to the substrate carry-in unit 15 a (FIG. 1) of the exposure apparatus 15. Transport to. The transport mechanism 146 (FIG. 1) takes out the substrate W after the exposure processing from the substrate carry-out portion 15b (FIG. 1) of the exposure apparatus 15, and transports the substrate W to the substrate platform PASS9 (FIG. 4).

なお、露光装置15が基板Wの受け入れをできない場合、露光処理前の基板Wが載置兼バッファ部P−BF1,P−BF2に一時的に収容される。また、第2の処理ブロック13の現像処理ユニット139(図2)が露光処理後の基板Wの受け入れをできない場合、露光処理後の基板Wが載置兼バッファ部P−BF1,P−BF2に一時的に収容される。   If the exposure apparatus 15 cannot accept the substrate W, the substrate W before the exposure process is temporarily accommodated in the placement / buffer units P-BF1, P-BF2. When the development processing unit 139 (FIG. 2) of the second processing block 13 cannot accept the substrate W after the exposure processing, the substrate W after the exposure processing is placed on the placement / buffer units P-BF1 and P-BF2. Temporarily accommodated.

(6)効果
上記の欠陥判定処理においては、外観上の欠陥がないサンプル基板の表面画像データが取得され、検査基板Wの表面画像データが取得される。検査基板Wの正常な部分については、検査基板Wおよびサンプル基板の表面画像データの互いに対応する画素の階調値の差分は小さい。一方、欠陥の部分に対応する画素については、上記の差分は大きい。そのため、欠陥の部分に対応する画素の階調値が正常な部分に対応する画素の階調値に近い場合でも、欠陥の部分に対応する上記の差分は正常な部分に対応する上記の差分に比べて大きくなる。
(6) Effect In the defect determination process described above, the surface image data of the sample substrate having no appearance defect is acquired, and the surface image data of the inspection substrate W is acquired. For the normal portion of the inspection substrate W, the difference between the gradation values of the corresponding pixels of the surface image data of the inspection substrate W and the sample substrate is small. On the other hand, for the pixel corresponding to the defective portion, the above difference is large. Therefore, even when the gradation value of the pixel corresponding to the defective portion is close to the gradation value of the pixel corresponding to the normal portion, the above difference corresponding to the defective portion is the above difference corresponding to the normal portion. Compared to larger.

そこで、検査基板Wおよびサンプル基板の表面画像データの互いに対応するとみなされる画素の階調値の差分が算出され、差分画像データが生成される。それにより、欠陥の部分に対応するとみなされる画素についての差分と正常な部分に対応する画素についての差分とを区別することができる。したがって、許容範囲が正常な部分に対応する差分を含みかつ欠陥の部分に対応する差分を含まないように予め許容範囲を定めることにより、欠陥があるか否かを判定することが可能となる。   Therefore, the difference between the gradation values of the pixels considered to correspond to each other between the surface image data of the inspection substrate W and the sample substrate is calculated, and difference image data is generated. As a result, it is possible to distinguish between a difference for a pixel considered to correspond to a defective portion and a difference for a pixel corresponding to a normal portion. Therefore, it is possible to determine whether or not there is a defect by predetermining the allowable range so that the allowable range includes a difference corresponding to a normal portion and does not include a difference corresponding to a defective portion.

サンプル基板のある画素に対応するとみなされる検査基板Wの画素が、真に対応する画素からずれる場合がある。この場合、サンプル基板および検査基板Wの表面画像データの対応関係が正確であるという前提に許容範囲が設定されると、正常な部分に対応する判定画像データが許容範囲から外れることがある。そのため、ずれに起因する誤判定を防止するために許容範囲を大きく設定する必要が生じる。一方、許容範囲が過剰に大きく設定されると、欠陥の検出精度が低下する。   A pixel on the inspection substrate W that is considered to correspond to a certain pixel on the sample substrate may deviate from a true corresponding pixel. In this case, if the allowable range is set on the premise that the correspondence between the surface image data of the sample substrate and the inspection substrate W is accurate, the determination image data corresponding to the normal part may be out of the allowable range. For this reason, it is necessary to set a large allowable range in order to prevent erroneous determination due to deviation. On the other hand, if the allowable range is set excessively large, the defect detection accuracy decreases.

本実施の形態においては、サンプル基板の複数の対象画素の各々について、当該対象画素とその対象画素を含む一定領域内の複数の画素との間の階調値の差分が算出される。この場合、各対象画素について算出される複数の差分は、検査基板Wに欠陥がないときに、サンプル基板および検査基板Wの表面画像データの対応関係のずれに起因して算出される階調値の差分にほぼ相当すると考えられる。   In the present embodiment, for each of a plurality of target pixels on the sample substrate, a difference in gradation value between the target pixel and a plurality of pixels in a certain region including the target pixel is calculated. In this case, the plurality of differences calculated for each target pixel are gradation values calculated due to a shift in the correspondence between the surface image data of the sample substrate and the inspection substrate W when the inspection substrate W has no defect. It is considered that the difference is almost equivalent to

そこで、各対象画素について算出された複数の差分に基づいて複数の差分の平均値が代表値として決定される。この場合、各対象画素についての代表値は、画素の対応関係にずれがあるときに、各対象画素に対応する部分が正常である場合に算出されることになる階調値の差分を代表している。   Therefore, an average value of the plurality of differences is determined as a representative value based on the plurality of differences calculated for each target pixel. In this case, the representative value for each target pixel represents the difference in gradation value that is calculated when the portion corresponding to each target pixel is normal when there is a deviation in the correspondence relationship of the pixels. ing.

そのため、サンプル基板の表面画像データの複数の対象画素について決定された複数の加算代表値の最小値および最大値がそれぞれ許容範囲の下限値および上限値として設定される。それにより、正常な部分について、画素の対応関係のずれに起因して算出される判定画像データが許容範囲から外れる可能性が低くなる。したがって、正常な部分が欠陥であると誤判定される可能性が低くなる。   Therefore, the minimum value and the maximum value of the plurality of addition representative values determined for the plurality of target pixels of the surface image data of the sample substrate are set as the lower limit value and the upper limit value of the allowable range, respectively. As a result, the possibility that the determination image data calculated due to the difference in the correspondence between the pixels is out of the allowable range with respect to the normal portion is reduced. Therefore, the possibility that a normal part is erroneously determined as a defect is reduced.

また、許容範囲の下限値および上限値が加算代表値の最小値および最大値に制限される。それにより、欠陥の部分について、画素の対応関係のずれに起因して算出される判定画像データが許容範囲内に含まれる可能性が低くなる。したがって、欠陥の部分が正常であると誤判定される可能性が低くなる。その結果、サンプル基板および検査基板Wの表面画像データの互いに対応する画素にずれがある場合でも、検査基板Wの外観上の欠陥を高い精度で検出することが可能になる。   Further, the lower limit value and the upper limit value of the allowable range are limited to the minimum value and the maximum value of the addition representative value. As a result, the possibility that the determination image data calculated due to the shift in the correspondence between the pixels is included in the allowable range for the defective portion is reduced. Therefore, the possibility of erroneous determination that the defective portion is normal is reduced. As a result, even when there is a shift in the corresponding pixels of the surface image data of the sample substrate and the inspection substrate W, it is possible to detect defects on the appearance of the inspection substrate W with high accuracy.

[2]第2の実施の形態
第2の実施の形態に係る基板処理装置は、以下の点を除いて第1の実施の形態に係る基板処理装置100と同じ構成および動作を有する。本実施の形態に係る基板処理装置においては、制御部114(図1)が、上記の欠陥判定処理においてモアレ除去処理を実行する。以下、モアレ除去処理について説明する。
[2] Second Embodiment A substrate processing apparatus according to a second embodiment has the same configuration and operation as the substrate processing apparatus 100 according to the first embodiment except for the following points. In the substrate processing apparatus according to the present embodiment, control unit 114 (FIG. 1) executes moire removal processing in the above-described defect determination processing. Hereinafter, the moire removal process will be described.

(1)モアレ
欠陥判定処理において、ステップS12,S15により生成される表面画像SD2,SD3には、モアレ(干渉縞)が生じることがある。図16は、表面画像SD2に生じるモアレを模式的に示す図である。図16では、サンプル基板の表面画像SD2上に複数(本例では2つ)のモアレが生じている例が示される。図16の各モアレは、扇形状を有し、明るさが周方向に連続的に変化する。
(1) Moire In the defect determination process, moire (interference fringes) may occur in the surface images SD2 and SD3 generated in steps S12 and S15. FIG. 16 is a diagram schematically showing moire generated in the surface image SD2. FIG. 16 shows an example in which a plurality (two in this example) of moire occurs on the surface image SD2 of the sample substrate. Each moire in FIG. 16 has a fan shape, and the brightness continuously changes in the circumferential direction.

モアレは、表面画像に周期的な模様がある場合に生じやすい。基板処理装置100において処理される基板Wには、複数の素子にそれぞれ対応する複数の回路パターンが形成される。これらの回路パターンは、互いに同じ構成を有する。そのため、基板W上において、複数の回路パターンが周期的な模様となる。   Moire tends to occur when the surface image has a periodic pattern. A plurality of circuit patterns respectively corresponding to a plurality of elements are formed on the substrate W to be processed in the substrate processing apparatus 100. These circuit patterns have the same configuration. Therefore, a plurality of circuit patterns become a periodic pattern on the substrate W.

例えば、レジストパターンRPは、複数の回路パターンに対応しており、基板Wにおいて周期的な模様となる。そのため、レジストパターンRPを含む図12(a),(b)の表面画像SD2,SD3には、図16に示すようなモアレが生じやすい。   For example, the resist pattern RP corresponds to a plurality of circuit patterns and has a periodic pattern on the substrate W. Therefore, moire as shown in FIG. 16 is likely to occur in the surface images SD2 and SD3 in FIGS. 12A and 12B including the resist pattern RP.

また、基板Wの製造工程においては、上記のレジスト膜形成処理、露光処理および現像処理を含むフォトリソグラフィー工程が、1つの基板Wに複数回にわたって行われる。そのため、初期の工程を除いて、基板Wには、回路パターンの少なくとも一部が形成されている。回路パターン上にレジスト膜等の他の膜が形成されていても、検査ユニットIPにおいて、検査光がこれらの膜を透過する。それにより、既に形成された回路パターンに起因して、表面画像にモアレが生じることもある。   In the manufacturing process of the substrate W, the photolithography process including the resist film forming process, the exposure process, and the developing process is performed on the single substrate W a plurality of times. Therefore, at least a part of the circuit pattern is formed on the substrate W except for the initial process. Even if other films such as a resist film are formed on the circuit pattern, the inspection light passes through these films in the inspection unit IP. As a result, moire may occur in the surface image due to the already formed circuit pattern.

また、基板Wの回路パターンは、基板Wの周方向においても周期性を有する。上記のように、表面画像は、基板Wが回転されつつ一定の半径領域RR(図7(a)〜(c))に検査光が照射され、その反射光がCCDラインセンサ54によって受光されることにより生成される。したがって、このような基板Wの回転を伴う表面画像の生成方法も表面画像にモアレが生じる要因になる可能性がある。   The circuit pattern on the substrate W also has periodicity in the circumferential direction of the substrate W. As described above, the surface image is irradiated with the inspection light to the constant radius region RR (FIGS. 7A to 7C) while the substrate W is rotated, and the reflected light is received by the CCD line sensor 54. Is generated. Therefore, a method for generating a surface image that involves such rotation of the substrate W may also cause moiré in the surface image.

図12(b)の表面画像SD3にモアレが生じると、表面画像SD3において基板Wの外観上の欠陥とモアレとの区別ができない可能性がある。また、図12(a)の表面画像SD2に生じるモアレと図12(b)の表面画像SD3に生じるモアレとが異なる場合がある。この場合、欠陥判定処理のステップS18(図11)において欠陥ではなくモアレに起因する階調値が許容範囲内となるように、許容範囲を予め広く設定する必要が生じる。   If moire occurs in the surface image SD3 in FIG. 12B, there is a possibility that the appearance defect of the substrate W and the moire cannot be distinguished in the surface image SD3. Further, the moire generated in the surface image SD2 in FIG. 12A may be different from the moire generated in the surface image SD3 in FIG. In this case, it is necessary to set a wide allowable range in advance so that the gradation value caused by moire rather than a defect is within the allowable range in step S18 (FIG. 11) of the defect determination process.

(2)モアレ除去処理
本実施の形態では、欠陥判定処理時に、サンプル基板の表面画像SD2からモアレを除去するためのモアレ除去処理が行われるとともに、検査基板Wの表面画像SD3からモアレを除去するためのモアレ除去処理が行われる。本例においては、図1の制御部114がモアレ除去処理を行う。
(2) Moire removal processing In the present embodiment, moire removal processing for removing moire from the surface image SD2 of the sample substrate is performed and defect is removed from the surface image SD3 of the inspection substrate W in the defect determination processing. Moire removal processing is performed. In this example, the control unit 114 in FIG. 1 performs a moire removal process.

図17は、モアレ除去処理のフローチャートである。図18および図19は、検査基板Wについてモアレ除去処理を行う場合の表面画像SD3の変化について説明するための図である。図17〜図19の例では、外観上の欠陥DPを有する検査基板Wの表面画像SD3からモアレが除去される。   FIG. 17 is a flowchart of moire removal processing. 18 and 19 are diagrams for explaining changes in the surface image SD3 when the moire removal process is performed on the inspection substrate W. FIG. In the example of FIGS. 17 to 19, moire is removed from the surface image SD3 of the inspection substrate W having the appearance defect DP.

図18(a)には、モアレ除去処理前の表面画像SD3が示される。図18(a)の表面画像SD3には、モアレおよび検査基板Wの欠陥DPが表される。図18(a)および後述する図19(a),(b)では、欠陥DPの形状を理解しやすいように、欠陥DPの外縁が点線で示される。また、図18(a)に示すように、この表面画像SD3には、網目状のレジストパターンRPを含む検査基板Wの表面構造が表される。   FIG. 18A shows a surface image SD3 before moire removal processing. In the surface image SD3 in FIG. 18A, moire and the defect DP of the inspection substrate W are represented. In FIG. 18A and FIGS. 19A and 19B described later, the outer edge of the defect DP is indicated by a dotted line so that the shape of the defect DP can be easily understood. Further, as shown in FIG. 18A, the surface image SD3 shows the surface structure of the inspection substrate W including the mesh-like resist pattern RP.

図17に示すように、まず、制御部114は、表面画像データの平滑化を行う(ステップS1)。表面画像データの平滑化とは、表面画像SD3の濃淡変動を小さくすることである。例えば、移動平均フィルタ処理により表面画像データが平滑化される。移動平均フィルタ処理では、注目画素を中心とする規定数の周辺画素に関して階調値の平均が算出され、その平均値が注目画素の階調値とされる。本例では、表面画像SD3の全画素が注目画素とされ、各画素の階調値がその周辺画素の平均値に変更される。移動平均フィルタ処理における周辺画素の数は、例えば100(横)×100(縦)である。移動平均フィルタ処理における周辺画素の数は、想定される欠陥の大きさおよびモアレの大きさ等によって適宜設定されてもよい。   As shown in FIG. 17, the control unit 114 first smoothes the surface image data (step S1). The smoothing of the surface image data is to reduce the density fluctuation of the surface image SD3. For example, the surface image data is smoothed by moving average filter processing. In the moving average filter processing, an average of gradation values is calculated for a prescribed number of peripheral pixels centered on the pixel of interest, and the average value is used as the gradation value of the pixel of interest. In this example, all the pixels of the surface image SD3 are set as the target pixel, and the gradation value of each pixel is changed to the average value of the surrounding pixels. The number of peripheral pixels in the moving average filter process is, for example, 100 (horizontal) × 100 (vertical). The number of peripheral pixels in the moving average filter process may be appropriately set depending on the assumed defect size, moire size, and the like.

移動平均フィルタ処理により、短時間で容易に表面画像データを平滑化することができる。なお、移動平均フィルタ処理の代わりに、ガウシアンフィルタ処理またはメディアンフィルタ処理等の他の平滑化処理により、表面画像データの平滑化が行われてもよい。   By the moving average filter processing, the surface image data can be easily smoothed in a short time. Note that the surface image data may be smoothed by another smoothing process such as a Gaussian filter process or a median filter process instead of the moving average filter process.

図18(b)には、図17のステップS1における平滑化後の表面画像SD3が示される。欠陥による階調値のばらつきおよび検査基板Wの表面構造による階調値のばらつきは、モアレによる階調値のばらつきに比べて局所的にまたは分散的に生じる。そのため、欠陥による階調値のばらつきおよび検査基板Wの表面構造による階調値のばらつきは、ステップS1の処理でなくなる。一方、モアレによる階調値のばらつきは広範囲において連続的に生じるので、ステップS1の処理ではなくならない。したがって、図18(b)の表面画像SD3には、モアレのみが表され、欠陥DPおよび検査基板Wの表面構造が表されない。   FIG. 18B shows a surface image SD3 after smoothing in step S1 of FIG. The variation of the gradation value due to the defect and the variation of the gradation value due to the surface structure of the inspection substrate W are locally or dispersedly generated as compared with the variation of the gradation value due to the moire. Therefore, the variation in the gradation value due to the defect and the variation in the gradation value due to the surface structure of the inspection substrate W are not the process of step S1. On the other hand, the gradation value variation due to moire continuously occurs in a wide range, and therefore, it is not the process of step S1. Therefore, in the surface image SD3 of FIG. 18B, only moire is represented, and the surface structure of the defect DP and the inspection substrate W is not represented.

次に、制御部114は、図17に示すように、平滑化前の表面画像データの各画素の階調値から平滑化後の表面画像データの各画素の階調値を減算する(ステップS2)。これにより、表面画像SD3からモアレが除去される。以下、ステップS2の処理後の表面画像データを修正画像データと呼ぶ。図19(a)には、修正画像データに対応する表面画像SD3が示される。図19(a)の表面画像SD3には、欠陥DPおよび検査基板Wの表面構造のみが表され、モアレが表されない。また、表面画像SD3は全体的に暗い。   Next, as shown in FIG. 17, the control unit 114 subtracts the gradation value of each pixel of the surface image data after smoothing from the gradation value of each pixel of the surface image data before smoothing (step S2). ). Thereby, moire is removed from the surface image SD3. Hereinafter, the surface image data after the processing in step S2 is referred to as corrected image data. FIG. 19A shows a surface image SD3 corresponding to the corrected image data. In the surface image SD3 in FIG. 19A, only the surface structure of the defect DP and the inspection substrate W is represented, and no moire is represented. Further, the surface image SD3 is entirely dark.

次に、制御部114は、図17に示すように、修正画像データの各画素の階調値に一定の値を加算する(ステップS3)。以下、ステップS3の処理後の表面画像データを加算画像データと呼ぶ。例えば、図11のステップS17の処理と同様に、階調値の範囲の中心値が各画素の階調値に加算される。図19(b)には、加算画像データに対応する表面画像SD3が示される。図19(b)の表面画像SD3は、適度な明るさを有する。   Next, as shown in FIG. 17, the control unit 114 adds a constant value to the gradation value of each pixel of the corrected image data (step S3). Hereinafter, the surface image data after the processing in step S3 is referred to as addition image data. For example, as in the process of step S17 in FIG. 11, the center value of the range of gradation values is added to the gradation value of each pixel. FIG. 19B shows a surface image SD3 corresponding to the added image data. The surface image SD3 in FIG. 19B has moderate brightness.

これにより、制御部114は、モアレ除去処理を終了する。モアレ除去処理の終了後、制御部114は、例えば生成された表面画像SD4を図1のメインパネルPNに表示する。それにより、使用者は、図19(b)の表面画像SD3を違和感なく視認することができる。なお、使用者が表面画像SD3を視認することがない場合、上記のステップS3の処理は行われなくてもよい。   Thereby, the control part 114 complete | finishes a moire removal process. After the moire removal process is completed, the control unit 114 displays the generated surface image SD4 on the main panel PN in FIG. 1, for example. Thereby, the user can visually recognize the surface image SD3 of FIG. Note that if the user does not visually recognize the surface image SD3, the process of step S3 may not be performed.

図17〜図19の例では、検査基板Wの表面画像SD3からモアレを除去する場合のモアレ除去処理について説明したが、サンプル基板の表面画像SD2からモアレを除去する場合についても上記の例と同様の処理が行われる。   In the example of FIGS. 17 to 19, the moire removal process in the case of removing the moire from the surface image SD3 of the inspection substrate W has been described, but the case of removing the moire from the surface image SD2 of the sample substrate is similar to the above example. Is performed.

(3)外観検査の方法
図20は、第2の実施の形態に係る欠陥判定処理の一部を示すフローチャートである。図20に示すように、制御部114は、第1の実施の形態と同様にステップS11〜S15の処理を行った後、サンプル基板の表面画像SD2のモアレ除去処理を行う(ステップS31)。続いて、制御部114は、検査基板Wの表面画像SD3のモアレ除去処理を行う(ステップS32)。その後、制御部114は、モアレ除去処理が行われた表面画像SD2,SD3に基づいて、図11のステップS16以降の処理を行う。
(3) Visual Inspection Method FIG. 20 is a flowchart showing a part of the defect determination processing according to the second embodiment. As shown in FIG. 20, the control unit 114 performs the moire removal process on the surface image SD2 of the sample substrate after performing the processes of steps S11 to S15 as in the first embodiment (step S31). Subsequently, the control unit 114 performs moire removal processing on the surface image SD3 of the inspection substrate W (step S32). Thereafter, the control unit 114 performs the processing after step S16 in FIG. 11 based on the surface images SD2 and SD3 on which the moire removal processing has been performed.

(4)効果
本実施の形態では、サンプル基板の表面画像SD2および検査基板Wの表面画像SD3についてモアレ除去処理が行われる。モアレ除去処理では、取得された表面画像データが平滑化され、平滑化前の表面画像データの各画素の階調値から平滑化後の表面画像データの各画素の階調値が減算される。それにより、モアレが除去された修正画像データが生成される。その修正画像データに基づいて、モアレが除去された表面画像SD2,SD3が得られる。
(4) Effect In the present embodiment, moire removal processing is performed on the surface image SD2 of the sample substrate and the surface image SD3 of the inspection substrate W. In the moire removal process, the acquired surface image data is smoothed, and the gradation value of each pixel of the surface image data after smoothing is subtracted from the gradation value of each pixel of the surface image data before smoothing. Thereby, corrected image data from which moire has been removed is generated. Based on the corrected image data, surface images SD2 and SD3 from which moire has been removed are obtained.

この場合、欠陥DPを含む検査基板Wにおいては、欠陥DPとモアレとの区別が容易になる。また、欠陥判定処理のステップS16,S17において、差分画像データおよび判定画像データにモアレに起因する階調値のばらつきが生じることが防止される。それにより、モアレに起因する階調値のばらつきを含むように許容範囲を広く設定する必要がない。したがって、検査基板Wの外観上の欠陥をより高い精度で検出することが可能になる。   In this case, in the inspection substrate W including the defect DP, it becomes easy to distinguish the defect DP from the moire. In addition, in steps S16 and S17 of the defect determination process, it is possible to prevent variation in gradation values caused by moire in the difference image data and the determination image data. Accordingly, it is not necessary to set a wide allowable range so as to include variations in gradation values caused by moire. Therefore, it is possible to detect defects on the appearance of the inspection substrate W with higher accuracy.

[3]他の実施の形態
(1)上記実施の形態では、欠陥判定処理のステップS18において、判定画像データの各画素の階調値が許容範囲外にある場合に検査基板Wに外観上の欠陥があると判定されるが、本発明はこれに限らない。
[3] Other Embodiments (1) In the above embodiment, in step S18 of the defect determination process, when the gradation value of each pixel of the determination image data is outside the allowable range, the appearance on the inspection substrate W is improved. Although it is determined that there is a defect, the present invention is not limited to this.

判定画像データにおいては、ノイズまたは外乱等の影響により欠陥に対応しない一部の画素の階調値が許容範囲外にある可能性がある。そこで、欠陥判定処理においては、図11のステップS18の処理に代えて以下の処理が行われてもよい。   In the determination image data, there is a possibility that the gradation values of some pixels that do not correspond to the defect are outside the allowable range due to the influence of noise or disturbance. Therefore, in the defect determination process, the following process may be performed instead of the process of step S18 of FIG.

図21は、他の実施の形態に係る欠陥判定処理の一部を示すフローチャートである。本例では、制御部114は、欠陥判定処理において図10および図11のステップS11〜S17の処理を行った後、ステップS18の処理に代えて、許容範囲外の階調値を示す画素の個数を計数する(ステップS41)。また、制御部114は、計数された個数が予め定められた個数以上であるか否かを判定する(ステップS42)。さらに、制御部114は、ステップS42において、計数された個数が予め定められた個数よりも小さい場合に検査基板Wに外観上の欠陥がないと判定する(ステップS19)。一方、制御部114は、計数された個数が予め定められた個数以上である場合に検査基板Wに外観上の欠陥があると判定し(ステップS20)、欠陥を検出する(ステップS21)。   FIG. 21 is a flowchart showing a part of defect determination processing according to another embodiment. In this example, the control unit 114 performs the processes of steps S11 to S17 of FIGS. 10 and 11 in the defect determination process, and then replaces the process of step S18 with the number of pixels indicating gradation values outside the allowable range. Are counted (step S41). Moreover, the control part 114 determines whether the counted number is more than a predetermined number (step S42). Further, in step S42, the control unit 114 determines that there is no appearance defect in the inspection substrate W when the counted number is smaller than the predetermined number (step S19). On the other hand, when the counted number is equal to or greater than the predetermined number, the control unit 114 determines that there is an appearance defect on the inspection substrate W (step S20), and detects the defect (step S21).

この場合、許容範囲外の階調値を示す画素の個数が予め定められた数以上でない場合には、欠陥があると判定されない。したがって、ノイズまたは外乱等の影響による誤判定を防止することができる。   In this case, it is not determined that there is a defect when the number of pixels indicating gradation values outside the allowable range is not equal to or greater than a predetermined number. Therefore, erroneous determination due to the influence of noise or disturbance can be prevented.

(2)上記実施の形態では、一の検査基板Wについて欠陥判定処理が行われるごとにサンプル基板の表面画像データが取得され、図12(a)の表面画像SD2が生成されるが、本発明はこれに限らない。共通の表面構造を有する複数の検査基板Wについて欠陥判定処理を行う場合には、複数の検査基板Wの欠陥判定処理前にサンプル基板の表面画像データを取得するとともにその表面画像SD2を予め制御部114のメモリに記憶してもよい。この場合、各検査基板Wの欠陥判定処理を行う際には、ステップS11,S12の処理を省略することができる。したがって、欠陥判定処理の効率が向上する。   (2) In the above embodiment, each time the defect determination process is performed on one inspection substrate W, the surface image data of the sample substrate is acquired and the surface image SD2 of FIG. 12A is generated. Is not limited to this. When performing defect determination processing for a plurality of inspection substrates W having a common surface structure, surface image data of the sample substrate is acquired before the defect determination processing for the plurality of inspection substrates W, and the surface image SD2 is previously controlled by the control unit You may memorize | store in 114 memory. In this case, when performing the defect determination process of each inspection substrate W, the processes of steps S11 and S12 can be omitted. Therefore, the efficiency of the defect determination process is improved.

また、複数の検査基板Wの欠陥判定処理前にサンプル基板の表面画像データを取得するとともに上記の許容範囲設定処理を行ってもよい。さらに、許容範囲設定処理により設定される許容範囲を表面画像SD2とともに、予め制御部114のメモリに記憶してもよい。この場合、各検査基板Wの欠陥判定処理を行う際には、ステップS11,S12,S13の処理を省略することができる。したがって、欠陥判定処理の効率がさらに向上する。   Further, the surface image data of the sample substrate may be acquired before the defect determination processing for the plurality of inspection substrates W and the above-described allowable range setting processing may be performed. Furthermore, the allowable range set by the allowable range setting process may be stored in advance in the memory of the control unit 114 together with the surface image SD2. In this case, when performing the defect determination process of each inspection substrate W, the processes of steps S11, S12, and S13 can be omitted. Therefore, the efficiency of the defect determination process is further improved.

(3)上記実施の形態では、サンプル基板の表面画像データが、サンプル基板の撮像により取得されるが、本発明はこれに限らない。サンプル基板の表面画像データとして予め定められた設計データが用いられてもよい。この場合、サンプル基板を撮像する必要がないので、ステップS11,S12の処理を省略することができる。   (3) In the above embodiment, the surface image data of the sample substrate is acquired by imaging the sample substrate, but the present invention is not limited to this. Predetermined design data may be used as the surface image data of the sample substrate. In this case, since it is not necessary to image the sample substrate, the processing in steps S11 and S12 can be omitted.

(4)上記実施の形態では、欠陥判定処理のステップS12,S15においてサンプル基板および検査基板Wの表面画像データが補正されることにより基板Wの形状の表面画像SD2,SD3が生成されるが本発明はこれに限らない。サンプル基板および検査基板Wの表面画像データは基板Wの形状に補正されなくてもよい。このような場合でも、図7(f)の矩形の表面画像SD1を表す表面画像データに基づいて、上記の例と同様の欠陥判定処理を行うことができる。   (4) In the above embodiment, the surface images SD2 and SD3 of the shape of the substrate W are generated by correcting the surface image data of the sample substrate and the inspection substrate W in steps S12 and S15 of the defect determination process. The invention is not limited to this. The surface image data of the sample substrate and the inspection substrate W may not be corrected to the shape of the substrate W. Even in such a case, the defect determination process similar to the above example can be performed based on the surface image data representing the rectangular surface image SD1 of FIG.

(5)上記実施の形態では、検査ユニットIPにおいて、基板Wが回転されつつ基板Wの半径領域RRに検査光が照射され、その反射光がCCDラインセンサ54に導かれることによって表面画像データが生成されるが、他の方法で表面画像データが生成されてもよい。例えば、基板Wが回転されることなく、エリアセンサによって基板Wの表面の全体が撮像されることにより表面画像データが生成されてもよい。   (5) In the above embodiment, in the inspection unit IP, the inspection light is applied to the radius region RR of the substrate W while the substrate W is rotated, and the reflected light is guided to the CCD line sensor 54, whereby the surface image data is obtained. Although generated, surface image data may be generated by other methods. For example, the surface image data may be generated by imaging the entire surface of the substrate W by the area sensor without rotating the substrate W.

(6)上記実施の形態では、制御部114によって欠陥判定処理が行われるが、本発明はこれに限らない。例えば、検査ユニットIPに対応するように外観検査用の制御部が設けられ、その制御部により外観検査における種々の処理が行われてもよい。あるいは、インデクサブロック11、第1および第2の処理ブロック12,13およびインターフェイスブロック14にそれぞれ対応するように複数のローカルコントローラが設けられ、そのうちの一のローカルコントローラ(例えば、第2の処理ブロック13に対応するローカルコントローラ)により外観検査における種々の処理が行われてもよい。   (6) In the above embodiment, the defect determination processing is performed by the control unit 114, but the present invention is not limited to this. For example, a control unit for appearance inspection may be provided so as to correspond to the inspection unit IP, and various processes in the appearance inspection may be performed by the control unit. Alternatively, a plurality of local controllers are provided to correspond to the indexer block 11, the first and second processing blocks 12, 13 and the interface block 14, respectively, and one of the local controllers (for example, the second processing block 13) is provided. Various processes in the appearance inspection may be performed by a local controller corresponding to the above.

(7)上記実施の形態では、検査ユニットIPにおいて現像処理後の基板Wの外観検査が行われるが、本発明はこれに限らない。例えば、レジスト膜が形成された後であって露光処理前の基板Wの外観検査が検査ユニットIPにより行われてもよい。また、レジスト膜の形成前の基板Wの外観検査が検査ユニットIPにより行われてもよい。   (7) In the above embodiment, the appearance inspection of the substrate W after the development processing is performed in the inspection unit IP, but the present invention is not limited to this. For example, the appearance inspection of the substrate W after the resist film is formed and before the exposure process may be performed by the inspection unit IP. Further, the appearance inspection of the substrate W before the formation of the resist film may be performed by the inspection unit IP.

(8)上記実施の形態では、第2の処理ブロック13に検査ユニットIPが設けられるが、検査ユニットIPの配置および数は、適宜変更されてもよい。例えば、第1の処理ブロック12に検査ユニットIPが設けられてもよく、またはインターフェイスブロック14に検査ユニットIPが設けられてもよい。   (8) In the above embodiment, the inspection unit IP is provided in the second processing block 13, but the arrangement and number of the inspection units IP may be changed as appropriate. For example, the first processing block 12 may be provided with an inspection unit IP, or the interface block 14 may be provided with an inspection unit IP.

(9)上記実施の形態では、液浸法により基板Wの露光処理を行う露光装置15に隣接する基板処理装置100に検査ユニットIPが設けられるが、本発明はこれに限らず、液体を用いずに基板Wの露光処置を行う露光装置に隣接する基板処理装置に検査ユニットIPが設けられてもよい。   (9) In the above embodiment, the inspection unit IP is provided in the substrate processing apparatus 100 adjacent to the exposure apparatus 15 that performs the exposure processing of the substrate W by the immersion method. However, the present invention is not limited to this, and liquid is used. Alternatively, the inspection unit IP may be provided in a substrate processing apparatus adjacent to an exposure apparatus that performs the exposure treatment of the substrate W.

(10)上記実施の形態では、露光処理の前後に基板Wの処理を行う基板処理装置100に検査ユニットIPが設けられるが、他の基板処理装置に検査ユニットIPが設けられてもよい。例えば、基板Wに洗浄処理を行う基板処理装置に検査ユニットIPが設けられてもよく、または基板Wのエッチング処理を行う基板処理装置に検査ユニットIPが設けられてもよい。あるいは、基板処理装置に検査ユニットIPが設けられるのではなく、検査ユニットIPが単独で用いられてもよい。   (10) In the above embodiment, the inspection unit IP is provided in the substrate processing apparatus 100 that processes the substrate W before and after the exposure process, but the inspection unit IP may be provided in another substrate processing apparatus. For example, the inspection unit IP may be provided in a substrate processing apparatus that performs a cleaning process on the substrate W, or the inspection unit IP may be provided in a substrate processing apparatus that performs an etching process on the substrate W. Alternatively, the inspection unit IP may be used alone instead of the inspection unit IP being provided in the substrate processing apparatus.

[4]請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
[4] Correspondence between each constituent element of claim and each element of the embodiment Hereinafter, an example of correspondence between each constituent element of the claim and each element of the embodiment will be described. It is not limited to.

上記の実施の形態では、サンプル基板が外観上の欠陥がない基板の例であり、検査基板Wが検査すべき基板の例であり、検査ユニットIPおよび制御部114が検査装置の例であり、制御部114が範囲設定部および判定部の例であり、照明部52、CCDラインセンサ54および制御部114が画像データ取得部の例である。   In the above embodiment, the sample substrate is an example of a substrate having no defect in appearance, the inspection substrate W is an example of a substrate to be inspected, the inspection unit IP and the control unit 114 are examples of an inspection device, The control unit 114 is an example of a range setting unit and a determination unit, and the illumination unit 52, the CCD line sensor 54, and the control unit 114 are examples of an image data acquisition unit.

また、サンプル基板の表面画像データが第1の画像データの例であり、検査基板Wの表面画像データが第2の画像データの例であり、差分画像データおよび判定画像データが差分情報の例であり、サンプル基板の修正画像データが第1の修正画像データの例であり、検査基板Wの修正画像データが第2の修正画像データの例であり、保持回転部51が基板保持回転装置の例であり、照明部52が照明部の例であり、CCDラインセンサ54がラインセンサの例である。   Further, the surface image data of the sample substrate is an example of the first image data, the surface image data of the inspection substrate W is an example of the second image data, and the difference image data and the determination image data are examples of the difference information. Yes, the corrected image data of the sample substrate is an example of the first corrected image data, the corrected image data of the inspection substrate W is an example of the second corrected image data, and the holding rotating unit 51 is an example of the substrate holding and rotating device. The illumination unit 52 is an example of an illumination unit, and the CCD line sensor 54 is an example of a line sensor.

また、判定画像データの複数の画素の階調値が第1および第2の画像データの互いに対応するとみなされる画素についての階調値の差分に一定値を加算することにより得られる値の例である。また、加算代表値の最小値および最大値が複数の代表値の最小値および最大値にそれぞれ一定値を加算することにより得られる値の例である。   In addition, an example of a value obtained by adding a constant value to the difference between the gradation values of pixels in which the gradation values of the plurality of pixels of the determination image data are considered to correspond to each other in the first and second image data. is there. Further, the minimum value and the maximum value of the addition representative value are examples of values obtained by adding a fixed value to the minimum value and the maximum value of a plurality of representative values, respectively.

また、基板処理装置100が基板処理装置の例であり、露光装置15が露光装置の例であり、塗布処理ユニット129が膜形成ユニットの例であり、現像処理ユニット139が現像処理ユニットの例である。   Further, the substrate processing apparatus 100 is an example of a substrate processing apparatus, the exposure apparatus 15 is an example of an exposure apparatus, the coating processing unit 129 is an example of a film forming unit, and the development processing unit 139 is an example of a development processing unit. is there.

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。   As each constituent element in the claims, various other elements having configurations or functions described in the claims can be used.

本発明は、種々の基板の外観検査に有効に利用することができる。   The present invention can be effectively used for visual inspection of various substrates.

11 インデクサブロック
12 第1の処理ブロック
13 第2の処理ブロック
14 インターフェイスブロック
14A 洗浄乾燥処理ブロック
14B 搬入搬出ブロック
15 露光装置
51 保持回転部
52 照明部
53 反射ミラー
54 CCDラインセンサ
100 基板処理装置
112,122,132,163 搬送部
114 制御部
121 塗布処理部
123,133 熱処理部
127,128,137,138 搬送機構
129 塗布処理ユニット
131 塗布現像処理部
132 搬送部
139 現像処理ユニット
161,162 洗浄乾燥処理部
163 搬送部
511 スピンチャック
512 回転軸
513 モータ
IP 検査ユニット
DP 欠陥
RP レジストパターン
RR 半径領域
SD1〜SD6 表面画像
W 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Indexer block 12 1st process block 13 2nd process block 14 Interface block 14A Cleaning / drying process block 14B Loading / unloading block 15 Exposure apparatus 51 Holding | maintenance rotation part 52 Illumination part 53 Reflection mirror 54 CCD line sensor 100 Substrate processing apparatus 112, 122, 132, 163 Conveying unit 114 Control unit 121 Coating processing unit 123, 133 Heat treatment unit 127, 128, 137, 138 Conveying mechanism 129 Coating processing unit 131 Coating development processing unit 132 Conveying unit 139 Development processing unit 161, 162 Cleaning and drying processing Section 163 Conveying section 511 Spin chuck 512 Rotating shaft 513 Motor IP inspection unit DP Defect RP Resist pattern RR Radial area SD1 to SD6 Surface image W Substrate

上段搬送室135と搬送部163との間には、載置兼バッファ部P−BF1が設けられ、下段搬送室136と搬送部163との間には載置兼バッファ部P−BF2が設けられる。搬送部163においてインターフェイスブロック14と隣接するように、基板載置部PASS9および複数の載置兼冷却部P−CPが設けられる。 A placement / buffer unit P-BF1 is provided between the upper transfer chamber 135 and the transfer unit 163, and a placement / buffer unit P-BF2 is provided between the lower transfer chamber 136 and the transfer unit 163. . A substrate platform PASS9 and a plurality of placement / cooling units P-CP are provided so as to be adjacent to the interface block 14 in the transport unit 163.

続いて、制御部114は、補正後のサンプル基板の表面画像データに基づいて許容範囲設定処理を行う(ステップS13)。許容範囲設定処理では、後述するステップS18の処理で用いられる許容範囲が設定される。許容範囲設定処理の詳細は後述する。 Subsequently, the control unit 114 performs an allowable range setting process based on the corrected surface image data of the sample substrate (step S13). In the allowable range setting process, the allowable range used in the process of step S18 described later is set. Details of the allowable range setting process will be described later.

インターフェイスブロック14において、搬送機構146(図1)は、載置兼冷却部P−CP(図4)に載置された露光処理前の基板Wを露光装置15の基板搬入部15a(図1)に搬送する。また、搬送機構146(図1)は、露光装置15の基板搬出部15b(図1)から露光処理後の基板Wを取り出し、その基板Wを基板載置部PASS9(図4)に搬送する。 In the interface block 14 , the transport mechanism 146 (FIG. 1) transfers the substrate W before exposure processing placed on the placement / cooling unit P-CP (FIG. 4) to the substrate carry-in unit 15 a (FIG. 1) of the exposure apparatus 15. Transport to. The transport mechanism 146 (FIG. 1) takes out the substrate W after the exposure processing from the substrate carry-out portion 15b (FIG. 1) of the exposure apparatus 15, and transports the substrate W to the substrate platform PASS9 (FIG. 4).

(9)上記実施の形態では、液浸法により基板Wの露光処理を行う露光装置15に隣接する基板処理装置100に検査ユニットIPが設けられるが、本発明はこれに限らず、液体を用いずに基板Wの露光処理を行う露光装置に隣接する基板処理装置に検査ユニットIPが設けられてもよい。 (9) In the above embodiment, the inspection unit IP is provided in the substrate processing apparatus 100 adjacent to the exposure apparatus 15 that performs the exposure processing of the substrate W by the immersion method. However, the present invention is not limited to this, and liquid is used. Alternatively, the inspection unit IP may be provided in a substrate processing apparatus adjacent to an exposure apparatus that performs exposure processing of the substrate W.

Claims (13)

基板の外観検査を行う検査装置であって、
外観上の欠陥がない基板の画像データを第1の画像データとして取得するとともに、検査すべき基板を撮像することにより前記検査すべき基板の画像データを第2の画像データとして取得する画像データ取得部と、
基板に外観上の欠陥があるか否かを判定するための許容範囲を設定する範囲設定部と、
前記画像データ取得部により取得された第1および第2の画像データの互いに対応するとみなされる画素について階調値の差分に関する値を差分情報として算出し、算出された各差分情報が前記範囲設定部により設定された許容範囲内にあるか否かに基づいて前記検査すべき基板に外観上の欠陥があるか否かを判定する判定部とを備え、
前記範囲設定部は、前記第1の画像データの予め定められた複数の対象画素の各々について、当該対象画素とその対象画素を含む一定領域内の複数の画素との間の階調値の差分を算出するとともに算出された複数の差分に基づいて予め定められた方法で前記複数の差分の最小値から最大値までの範囲内にある代表値を決定し、前記複数の対象画素についてそれぞれ決定された複数の代表値の最小値および最大値に関する値をそれぞれ前記許容範囲の下限値および上限値として設定する、検査装置。
An inspection device for inspecting the appearance of a substrate,
Image data acquisition for acquiring image data of a substrate having no appearance defect as first image data and acquiring image data of the substrate to be inspected as second image data by imaging the substrate to be inspected And
A range setting unit for setting an allowable range for determining whether or not the substrate has an appearance defect;
A value related to a difference in gradation value is calculated as difference information for the pixels considered to correspond to each other in the first and second image data acquired by the image data acquisition unit, and each calculated difference information is the range setting unit. A determination unit that determines whether or not the substrate to be inspected has an appearance defect based on whether or not it is within an allowable range set by
The range setting unit, for each of a plurality of predetermined target pixels of the first image data, a difference in gradation value between the target pixel and a plurality of pixels in a fixed region including the target pixel And a representative value within a range from a minimum value to a maximum value of the plurality of differences is determined by a predetermined method based on the plurality of differences calculated, and each of the plurality of target pixels is determined. An inspection apparatus that sets values relating to a minimum value and a maximum value of a plurality of representative values as a lower limit value and an upper limit value of the allowable range, respectively.
前記予め定められた方法は、前記第1の画像データの予め定められた複数の対象画素の各々について、当該対象画素とその対象画素を含む一定領域内の複数の画素との間の階調値の差分の平均値を前記代表値として決定する方法である、請求項1記載の検査装置。 In the predetermined method, for each of a plurality of predetermined target pixels of the first image data, a gradation value between the target pixel and a plurality of pixels in a fixed region including the target pixel The inspection apparatus according to claim 1, wherein the average value of the differences is determined as the representative value. 前記予め定められた方法は、前記第1の画像データの予め定められた複数の対象画素の各々について、当該対象画素とその対象画素を含む一定領域内の複数の画素との間の階調値の差分の最大値を前記代表値として決定する方法である、請求項1記載の検査装置。 In the predetermined method, for each of a plurality of predetermined target pixels of the first image data, a gradation value between the target pixel and a plurality of pixels in a fixed region including the target pixel The inspection apparatus according to claim 1, wherein the maximum value of the difference is determined as the representative value. 前記差分情報は、前記第1および第2の画像データの互いに対応するとみなされる画素についての階調値の差分に一定値を加算することにより得られる値を含み、
前記複数の代表値の最小値および最大値に関する値は、前記複数の代表値の最小値および最大値にそれぞれ前記一定値を加算することにより得られる値を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の検査装置。
The difference information includes a value obtained by adding a constant value to a difference between gradation values for pixels considered to correspond to each other in the first and second image data,
The value relating to the minimum value and the maximum value of the plurality of representative values includes a value obtained by adding the constant value to the minimum value and the maximum value of the plurality of representative values, respectively. The inspection apparatus according to one item.
前記範囲設定部は、前記複数の代表値の最小値に関する値に代えて前記複数の代表値の最小値よりも予め定められた値分小さい第1の値を前記許容範囲の下限値として設定し、前記複数の代表値の最大値に関する値に代えて前記複数の代表値の最大値よりも予め定められた値分大きい第2の値を前記許容範囲の上限値として設定する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の検査装置。 The range setting unit sets, as a lower limit value of the allowable range, a first value that is smaller than a minimum value of the plurality of representative values by a predetermined value instead of a value related to the minimum value of the plurality of representative values. The second value that is larger than the maximum value of the plurality of representative values by a predetermined value instead of the value related to the maximum value of the plurality of representative values is set as the upper limit value of the allowable range. 5. The inspection apparatus according to any one of 4. 前記判定部は、前記差分情報が前記許容範囲外にある画素に基づいて基板の外観上の欠陥を検出する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の検査装置。 The inspection apparatus according to claim 1, wherein the determination unit detects a defect on the appearance of the substrate based on a pixel whose difference information is outside the allowable range. 前記判定部は、前記許容範囲外にある差分情報の個数が予め定められた数以上である場合に前記検査すべき基板に外観上の欠陥があると判定する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の検査装置。 The determination unit according to any one of claims 1 to 6, wherein the determination unit determines that the substrate to be inspected has a defect in appearance when the number of difference information outside the allowable range is equal to or greater than a predetermined number. The inspection apparatus according to one item. 前記判定部は、前記画像データ取得部により取得された第1の画像データの平滑化を行い、平滑化前の第1の画像データの各画素の階調値から平滑化後の第1の画像データの各画素の階調値を減算することにより第1の修正画像データを生成するとともに、前記画像データ取得部により取得された第2の画像データの平滑化を行い、平滑化前の第2の画像データの各画素の階調値から平滑化後の第2の画像データの各画素の階調値を減算することにより第2の修正画像データを生成し、生成された第1および第2の修正画像データの対応するとみなされる画素についての階調値の差分を前記第1および第2の画像データの互いに対応する画素についての前記差分情報として算出し、
前記範囲設定部は、前記第1の画像データに代えて前記判定部により生成された第1の修正画像データの複数の対象画素の各々について、当該対象画素とその対象画素を含む一定領域内の複数の画素との間の階調値の差分を算出するとともに、算出された複数の差分に基づいて前記予め定められた方法で前記複数の差分の最小値から最大値までの範囲内にある代表値を決定する、請求項1〜7のいずれか一項に記載の検査装置。
The determination unit smoothes the first image data acquired by the image data acquisition unit, and the first image after smoothing from the gradation value of each pixel of the first image data before smoothing The first corrected image data is generated by subtracting the gradation value of each pixel of the data, and the second image data acquired by the image data acquisition unit is smoothed to obtain the second before smoothing. The second corrected image data is generated by subtracting the gradation value of each pixel of the second image data after smoothing from the gradation value of each pixel of the image data, and the generated first and second A difference of gradation values for pixels considered to correspond to the corrected image data of the first and second image data is calculated as the difference information for the corresponding pixels of the first and second image data;
The range setting unit, for each of a plurality of target pixels of the first corrected image data generated by the determination unit instead of the first image data, in the fixed region including the target pixel and the target pixel A representative that calculates a difference in gradation value between a plurality of pixels and is within a range from a minimum value to a maximum value of the plurality of differences by the predetermined method based on the calculated plurality of differences. The inspection apparatus according to claim 1, wherein a value is determined.
前記判定部は、移動平均フィルタ処理により前記第1および第2の画像データの平滑化を行う、請求項8記載の検査装置。 The inspection apparatus according to claim 8, wherein the determination unit smoothes the first and second image data by moving average filter processing. 前記判定部は、平滑化後の第1および第2の画像データがモアレに起因する階調変化を含みかつ外観上の欠陥および正常な表面構造に起因する階調変化を含まないように、前記第1および第2の画像データの平滑化を行う、請求項8または9記載の検査装置。 The determination unit is configured so that the first and second image data after smoothing includes a gradation change due to moire and does not include a gradation change due to an appearance defect and a normal surface structure. The inspection apparatus according to claim 8 or 9, wherein the first and second image data are smoothed. 基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置をさらに備え、
前記画像データ取得部は、
前記基板保持回転装置により回転される基板の半径方向に沿った半径領域に光を照射する照明部と、
基板の前記半径領域で反射される光を受光するラインセンサとを含む、請求項1〜10のいずれか一項に記載の検査装置。
It further includes a substrate holding and rotating device that rotates while holding the substrate,
The image data acquisition unit
An illumination unit that irradiates light to a radial region along the radial direction of the substrate rotated by the substrate holding and rotating device;
The inspection apparatus according to claim 1, further comprising: a line sensor that receives light reflected by the radial region of the substrate.
基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
前記露光装置による露光処理前に、基板上に感光性膜を形成する膜形成ユニットと、
前記露光装置による露光処理後に、基板上の感光性膜に現像処理を行う現像処理ユニットと、
前記膜形成ユニットによる感光性膜の形成後の基板の外観検査を行う請求項1〜11のいずれか一項に記載の検査装置とを備えた、基板処理装置。
A substrate processing apparatus disposed adjacent to an exposure apparatus that performs exposure processing on a substrate,
A film forming unit for forming a photosensitive film on a substrate before the exposure processing by the exposure apparatus;
A development processing unit for performing development processing on the photosensitive film on the substrate after the exposure processing by the exposure apparatus;
The substrate processing apparatus provided with the inspection apparatus as described in any one of Claims 1-11 which performs the external appearance inspection of the board | substrate after formation of the photosensitive film | membrane by the said film formation unit.
前記検査装置は、前記膜形成ユニットによる感光性膜の形成後でかつ前記現像処理ユニットによる現像処理後の基板の外観検査を行う、請求項12記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 12, wherein the inspection apparatus performs an appearance inspection of the substrate after the photosensitive film is formed by the film forming unit and after the development processing by the development processing unit.
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