JP2010066619A - Pellicle and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、フォトマスク用防塵カバーであるペリクルおよびその製造方法に関する。 The present invention relates to a pellicle that is a dust-proof cover for a photomask and a method for manufacturing the pellicle.
ウエハー等を用いた半導体を製造する場合には、フォトマスクに形成されたパターンをフォトレジスト等の感光剤を塗布した基板上に投影光学系にて露光する投影露光方式が使用されている。近年、パターン形状の微細化に伴い、使用される露光光は短波長化される傾向にあり、KrF(波長248nm)やArF(波長193nm)を用いた露光装置が実用化され、1つの半導体回路に対して数十枚に及ぶフォトマスクが使用されている。 When manufacturing a semiconductor using a wafer or the like, a projection exposure method is used in which a pattern formed on a photomask is exposed by a projection optical system onto a substrate coated with a photosensitive agent such as a photoresist. In recent years, with the miniaturization of the pattern shape, the exposure light used tends to be shortened, and an exposure apparatus using KrF (wavelength 248 nm) or ArF (wavelength 193 nm) has been put into practical use. On the other hand, several tens of photomasks are used.
これらのフォトマスクは露光時、または保管時、または搬送時に周囲を浮遊する浮遊埃が付着して異物となる。フォトマスク上の異物は、露光時、その部分の結像を妨げるため、製品に欠陥が現れる。このようなフォトマスク表面に付着する異物による解像不良を防ぐため、フォトマスクは表面に透光性を有する防塵カバーとしてペリクルを装着している(例えば特許文献1参照)。 These photomasks become foreign matter by adhering floating dust floating around during exposure, storage, or transportation. The foreign matter on the photomask hinders image formation at the time of exposure, so that a defect appears in the product. In order to prevent such poor resolution due to foreign matters adhering to the photomask surface, the photomask is equipped with a pellicle as a dust-proof cover having translucency on the surface (see, for example, Patent Document 1).
ペリクルを装着したフォトマスクにおいても、近年では、使用環境によっては欠陥が発生している。これは、周囲を浮遊する異物以外にも、露光、保管を繰り返す事で、ペリクルを構成する部材内部の曇り原因物質が変質して異物となり、フォトマスク上に該異物が徐々に堆積する影響によるものである。 Even in a photomask with a pellicle mounted, defects have recently occurred depending on the usage environment. This is because, in addition to the foreign matter floating around, the exposure and storage are repeated, so that the cause of fogging inside the member constituting the pellicle changes and becomes foreign matter, and the foreign matter gradually accumulates on the photomask. Is.
フォトマスク上に異物が一定以上堆積すると、フォトマスクに曇りが発生し、製品に欠陥が現れる。このため、曇りを除去するためにフォトマスクを洗浄する必要があるが、洗浄により、製品製造のためのコストが増大したり、フォトマスクのパターンが磨耗したりする。 If foreign matter accumulates over a certain amount on the photomask, the photomask becomes cloudy and defects appear in the product. For this reason, it is necessary to clean the photomask in order to remove fogging. However, the cleaning increases the cost for manufacturing the product and wears the pattern of the photomask.
さらに近年においてはフォトマスクの洗浄残渣由来のHAZEのみならず、ペリクル部材であるペリクルフレームのアルマイト処理や染色時に使用される硫酸に由来するHAZEの発生も懸念されており、その挙動に注目が集まっており、フォトマスクの基板上に硫酸を付着させない技術並びに部材が求められている。
本発明は、上記問題点に鑑み考案されたもので、フォトマスク上に硫酸を付着させる可能性のあるペリクルフレーム由来の硫酸などの硫黄酸化物もしくは有機硫黄成分のような硫黄化合物を製造段階で適宜取り除くことにより、フォトマスク上に硫酸を付着させず、結果的に硫酸を基板上に付着させないペリクルおよびその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been devised in view of the above problems, and in the production stage, a sulfur compound such as a sulfur oxide or an organic sulfur component derived from a pellicle frame that can cause sulfuric acid to adhere to a photomask. It is an object of the present invention to provide a pellicle that does not cause sulfuric acid to adhere to the photomask and, as a result, does not cause sulfuric acid to adhere to the substrate, and a method for manufacturing the pellicle by removing it as appropriate.
請求項1に記載の発明は、 ペリクル膜とペリクルフレームとからなるペリクルにおいて、前記ペリクルフレームが、硫黄化合物を使用したアルマイト処理を行った後、60℃以上100℃以下の温水で30分以上洗浄処理したものであることを特徴とするペリクルである。
請求項2に記載の発明は、ペリクル膜とペリクルフレームとからなるペリクルにおいて、前記ペリクルフレームが、硫黄化合物を使用した染色処理を行った後、60℃以上100℃以下の温水で30分以上洗浄処理したものであることを特徴とするペリクルである。
請求項3に記載の発明は、前記洗浄処理後のペリクルフレームに存在する硫酸の残渣量が、ペリクルフレーム1個当り1.0μg以下であることを特徴とする請求項1に記載のペリクルである。
請求項4に記載の発明は、前記洗浄処理後のペリクルフレームに存在する硫酸の残渣量が、ペリクルフレーム1個当り1.0μg以下であることを特徴とする請求項2に記載のペリクルである。
請求項5に記載の発明は、ペリクル膜とペリクルフレームとからなるペリクルの製造方法において、前記ペリクルフレームに対し硫黄化合物を使用したアルマイト処理を行う工程と、前記アルマイト処理後、60℃以上100℃以下の温水で30分以上洗浄処理する工程とを有することを特徴とするペリクルの製造方法である。
請求項6に記載の発明は、ペリクル膜とペリクルフレームとからなるペリクルの製造方法において、前記ペリクルフレームに対し硫黄化合物を使用した染色処理を行う工程と、前記染色処理後、60℃以上100℃以下の温水で30分以上洗浄処理する工程とを有することを特徴とするペリクルの製造方法である。
The invention according to claim 1 is a pellicle composed of a pellicle film and a pellicle frame. After the pellicle frame has been subjected to alumite treatment using a sulfur compound, the pellicle frame is washed with warm water of 60 ° C. or higher and 100 ° C. or lower for 30 minutes or longer. A pellicle characterized by being processed.
According to a second aspect of the present invention, in a pellicle comprising a pellicle film and a pellicle frame, the pellicle frame is washed with warm water of 60 ° C. or more and 100 ° C. or less for 30 minutes or more after performing a staining treatment using a sulfur compound. A pellicle characterized by being processed.
The invention according to
The invention according to claim 4 is the pellicle according to
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a pellicle comprising a pellicle film and a pellicle frame, a step of performing an alumite treatment using a sulfur compound on the pellicle frame, and a temperature of 60 ° C. or higher and 100 ° C. after the alumite treatment. A method for producing a pellicle, comprising the following step of washing with warm water for 30 minutes or more.
The invention according to claim 6 is a method of manufacturing a pellicle comprising a pellicle film and a pellicle frame, a step of performing a staining process using a sulfur compound on the pellicle frame, and a temperature of 60 ° C. to 100 ° C. after the staining process. A method for producing a pellicle, comprising the following step of washing with warm water for 30 minutes or more.
本発明のペリクルは、硫酸系HAZEを発生させないため、ペリクルを構成するペリクル部材、特にペリクルフレームに含有される硫黄化合物をペリクル製造段階で除去することで、該化合物をフォトマスク基板の露光部に付着させない事が出来る。さらに上記ペリクルを使用することで、上記由来のHAZEの発生を抑え、安定的なフォトマスクの使用が可能になる。 Since the pellicle of the present invention does not generate sulfuric acid-based HAZE, the sulfur compound contained in the pellicle member constituting the pellicle, particularly the pellicle frame, is removed at the pellicle manufacturing stage, so that the compound is exposed to the exposed portion of the photomask substrate. Can not be attached. Furthermore, by using the pellicle, the generation of the HAZE derived from the above can be suppressed and a stable photomask can be used.
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図1(a)は、本発明のペリクルの一実施例を示す模式上面図を、図1(b)は、図1(a)をA−A’線で切断した模式構成断面図を示す。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
FIG. 1A is a schematic top view showing an embodiment of a pellicle according to the present invention, and FIG. 1B is a schematic cross-sectional view of FIG. 1A taken along the line AA ′.
図1(a)及び(b)に示すペリクルは、フォトマスク10に載せるペリクル膜11と、ペリクルフレーム12と、マスク接着剤13と、ペリクル接着剤14と、ペリクル内壁部材15と、フィルター16とからなる。
The pellicle shown in FIGS. 1A and 1B includes a
ペリクルフレーム12はアルミニウム材料からなる。
The
本発明の一つの見地によれば、ペリクル膜とペリクルフレームとからなるペリクルにおいて、前記ペリクルフレームが、硫黄化合物を使用したアルマイト処理を行った後、60℃以上100℃以下の温水で30分以上洗浄処理したものであることを特徴とするペリクルを提供する。この構成によれば、フォトマスク上に硫酸を付着させる可能性のあるペリクルフレーム由来の硫酸などの硫黄酸化物もしくは有機硫黄成分のような硫黄化合物を製造段階で適宜取り除くことができ、フォトマスク上に硫酸を付着させず、結果的に硫酸を基板上に付着させないペリクルを提供することができる。
適切な硫酸のような硫黄化合物の溶出とペリクルフレームの熱膨張を鑑みて適切な温度と時間を選定する事が出来、これを満たす条件としては80℃の温水を120分浸漬させるのがより好適である。
According to one aspect of the present invention, in a pellicle composed of a pellicle film and a pellicle frame, the pellicle frame is subjected to alumite treatment using a sulfur compound, and then is heated in hot water at 60 ° C. or higher and 100 ° C. or lower for 30 minutes or longer. Provided is a pellicle characterized by being washed. According to this configuration, sulfur compounds such as sulfuric acid or organic sulfur components derived from the pellicle frame that may cause sulfuric acid to adhere to the photomask can be appropriately removed at the manufacturing stage. Thus, it is possible to provide a pellicle that does not cause sulfuric acid to adhere to the substrate and consequently does not cause sulfuric acid to adhere to the substrate.
Appropriate temperature and time can be selected in view of elution of appropriate sulfur compounds such as sulfuric acid and thermal expansion of the pellicle frame, and it is more preferable to immerse warm water at 80 ° C for 120 minutes. It is.
洗浄処理されたペリクルフレームは、ペリクル接着剤を用いペリクル膜が貼り合わされ、ペリクルとなる。
アルミニウム材料は、その強度等からペリクルフレームの材料として好適に用いることができる。しかしながら、アルミニウムからなるペリクルフレームにあっては、フォトマスクを用いて基板に露光する際に露光光の反射を防ぐことを目的としてアルミニウムに対してアルマイト処理をおこなう必要がある。
アルマイト処理は、硫酸、クロム酸、シュウ酸が用いられ、中でも染色性が良好等の理由から硫酸が好適に用いられる。
通常、硫酸によるアルマイト処理の後には常温の純水を用いた洗浄工程が設けられるが、本発明者らは、常温の純水を用いてアルマイト処理したペリクルフレームを洗浄した場合にはペリクルフレーム上に硫酸が残存してしまい、ペリクルをフォトマスクに装着して露光する際にペリクルフレーム上の硫酸によって硫酸系HAZEが発生することを見出した。
本発明にあっては、60℃以上100℃以下に加熱された温水、好適には超純水を用いることにより、アルマイト処理によってペリクルフレーム上に付着した硫酸のような硫黄化合物を十分に取り除くことができ、露光時にHAZEの発生しないペリクルとすることができた。
本発明の温水によるペリクルの洗浄は、例えば超純水の温水中にペリクルフレームを浸漬することによりおこなわれるが、これに準じた方法であれば、洗浄方法はこれに限られるものではない。
The pellicle frame that has been cleaned is bonded to the pellicle film using a pellicle adhesive to form a pellicle.
An aluminum material can be suitably used as a pellicle frame material because of its strength and the like. However, in the case of a pellicle frame made of aluminum, it is necessary to anodize aluminum for the purpose of preventing reflection of exposure light when the substrate is exposed using a photomask.
For the alumite treatment, sulfuric acid, chromic acid, and oxalic acid are used, and sulfuric acid is preferably used for reasons such as good dyeability.
Usually, after the alumite treatment with sulfuric acid, a washing step using pure water at room temperature is provided, but when the present inventors cleaned a pellicle frame treated with alumite using normal temperature pure water, It was found that sulfuric acid remains on the surface, and sulfuric acid-based HAZE is generated by the sulfuric acid on the pellicle frame when the pellicle is mounted on a photomask for exposure.
In the present invention, by using warm water heated to 60 ° C. or more and 100 ° C. or less, preferably ultrapure water, sulfur compounds such as sulfuric acid adhering to the pellicle frame are sufficiently removed by alumite treatment. Thus, a pellicle that does not generate HAZE during exposure could be obtained.
The cleaning of the pellicle with warm water of the present invention is performed, for example, by immersing the pellicle frame in warm water of ultrapure water, but the cleaning method is not limited thereto as long as it is a method according to this.
ペリクルフレームはアルミニウムの押し出し型材を鋸により断裁され成形される。これを砥石研磨による高さ調整を行う。さらに機械加工、目視による外観検査、レーザーによる寸法測定を経た後に、フレームの角の面取りを行う。さらに洗浄、仕上げ研磨、ショートピーニング(またはショットブラスト)を経てアルマイト処理を実施する。
ペリクルフレームのアルマイト処理は、上記のような硫酸による電解処理の前に、脱脂、硝酸浸漬、エッチング、超音波洗浄等が行なわれ、アルマイト処理後は、染色処理、封孔処理もおこなわれる。
The pellicle frame is formed by cutting an aluminum extruded mold with a saw. The height is adjusted by grinding the wheel. In addition, the corners of the frame are chamfered after machining, visual appearance inspection, and laser dimension measurement. Furthermore, alumite treatment is performed through cleaning, finish polishing, and short peening (or shot blasting).
In the alumite treatment of the pellicle frame, degreasing, nitric acid immersion, etching, ultrasonic cleaning and the like are performed before the electrolytic treatment with sulfuric acid as described above, and after the alumite treatment, dyeing treatment and sealing treatment are also performed.
また本発明の他の見地によれば、ペリクル膜とペリクルフレームとからなるペリクルにおいて、前記ペリクルフレームが、硫黄化合物を使用した染色処理を行った後、60℃以上100℃以下の温水で30分以上洗浄処理したものであることを特徴とするペリクルを提供する。この構成によれば、フォトマスク上に硫酸を付着させる可能性のあるペリクルフレーム由来の硫酸などの硫黄酸化物もしくは有機硫黄成分のような硫黄化合物を製造段階で適宜取り除くことができ、フォトマスク上に硫酸を付着させず、結果的に硫酸を基板上に付着させないペリクルを提供することができる。 According to another aspect of the present invention, in a pellicle composed of a pellicle film and a pellicle frame, the pellicle frame is dyed using a sulfur compound and then heated in hot water of 60 ° C. or higher and 100 ° C. or lower for 30 minutes. A pellicle characterized by being washed as described above is provided. According to this configuration, sulfur compounds such as sulfuric acid or organic sulfur components derived from the pellicle frame that may cause sulfuric acid to adhere to the photomask can be appropriately removed at the manufacturing stage. Thus, it is possible to provide a pellicle that does not cause sulfuric acid to adhere to the substrate and consequently does not cause sulfuric acid to adhere to the substrate.
さらに本発明によれば、前記アルマイト処理または染色処理を行った後の洗浄処理後のペリクルフレームに存在する硫酸の残渣量が、ペリクルフレーム1個当り1.0μg以下であるペリクルを提供する。このようなペリクルであれば、硫酸をフォトマスク基板上に付着させないことができる。 Furthermore, according to the present invention, there is provided a pellicle in which the residual amount of sulfuric acid present in the pellicle frame after the washing treatment after the alumite treatment or staining treatment is 1.0 μg or less per pellicle frame. With such a pellicle, sulfuric acid can be prevented from adhering to the photomask substrate.
さらにまた本発明は、前記ペリクルフレームに対し硫黄化合物を使用したアルマイト処理を行う工程と、前記アルマイト処理または染色処理後、60℃以上100℃以下の温水で30分以上洗浄処理する工程とを有することを特徴とするペリクルの製造方法を提供する。これらの工程を経ることにより、硫酸のような硫黄化合物を除去したペリクルを製造する事が出来る。 Furthermore, the present invention includes a step of subjecting the pellicle frame to an alumite treatment using a sulfur compound, and a step of washing with hot water of 60 ° C. or more and 100 ° C. or less for 30 minutes or more after the alumite treatment or dyeing treatment. A pellicle manufacturing method is provided. Through these steps, a pellicle from which a sulfur compound such as sulfuric acid has been removed can be produced.
また本発明によれば、ペリクル膜とペリクルフレームとからなるペリクルにおいて、製品使用時に存在する硫酸の残渣量がペリクル1個当り1.0μg以下であることを特徴とするペリクルを提供することができる。 According to the present invention, it is also possible to provide a pellicle characterized in that, in a pellicle composed of a pellicle film and a pellicle frame, the residual amount of sulfuric acid present when the product is used is 1.0 μg or less per pellicle. .
また、上記ペリクルの形状については、長方形状のみ1例について説明したが、ウエハーの露光に支障がない範囲であれば、いかなる形状であってもよい。 In addition, as for the shape of the pellicle, only one rectangular shape has been described, but any shape may be used as long as it does not interfere with wafer exposure.
本発明のペリクルフレームを装着するペリクルについて説明する。ペリクルは、フォトマスク10上に設置する透光性を有する防塵カバーであり、ペリクル膜11を保持し、展開するためのペリクルフレーム12と、透光性を有し、異物をトラップするためのペリクル膜11と、ペリクルフレーム12とペリクル膜11とを接着するためのペリクル接着剤14と、ペリクルフレーム12とフォトマスク10とを接着するためのマスク接着剤13と、ペリクルフレーム12の内側のペリクルフレーム内壁部材15と、ペリクルフレーム12とペリクルフレーム12の外側のペリクル膜内側空間内の気圧を調整するベントホールからのコンタミの流入を防ぐフィルター16を具備してなる。
A pellicle to which the pellicle frame of the present invention is attached will be described. The pellicle is a light-transmitting dust-proof cover installed on the
ペリクル膜11は、ペリクルフレーム12により保持され、フォトマスク10の露光エリアを覆うように設けられる。このため、ペリクル膜11は露光によるエネルギーを遮断させない様、透光性を有する。また、シワなどによりフォトマスク表面に影を作らせ無いよう、ペリクルフレーム12と均一の力がかかるよう貼られている。
The
ペリクル膜11としては、フッ素系樹脂や酢酸セルロース等の透明性膜や、石英ガラスなどが用いられている。特にArFレーザー露光用のペリクル膜においては主にCYTOP(旭硝子社製)が使用されている。
As the
ペリクルフレーム12はアルマイト処理されたアルミフレームが用いられ、ペリクル膜を設ける前に上記温水による洗浄処理工程が設けられる。
The
ペリクル接着剤14は、ペリクルフレーム12とペリクル膜11を接着するために用いられる。ペリクル接着剤14としては、シリコン樹脂系、ポリ酢酸ビニル樹脂系、アクリル樹脂系の接着剤が使用される。発ガスの少ない接着剤が好適である。
The
マスク接着剤13は、ペリクルフレーム12とフォトマスク10を接着するために用いられる。マスク接着剤としては、シリコン樹脂系やアクリル樹脂系の接着剤が使用される。さらに発ガスの少ない接着剤が好適である。
The
ペリクル膜11はフォトマスクに付着する異物に焦点が合わさることを防ぎ、ウェハーへの解像不良を防ぐため、フォトマスク上に装着される。このとき、ペリクルはフォトマスクの露光エリアを覆うように装着される。
The
ペリクル内壁粘着剤15は、ペリクル空間内に存在する異物をトラップする為に用いられる。さらに、ペリクルフレームから発生する異物をペリクル空間内に出さないようにする為に用いられる。 The pellicle inner wall adhesive 15 is used to trap foreign matter existing in the pellicle space. Further, it is used to prevent foreign matter generated from the pellicle frame from entering the pellicle space.
以下、本発明を実施例によりさらに説明するが、本発明は下記例に制限されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further, this invention is not restrict | limited to the following example.
アルミニウム材料から成るペリクルフレームを硫酸によるアルマイト処理後、80℃120分の純水に浸漬させて作成したペリクルフレームと、80℃120分の純水処理をおこなわず常温の純水を用いて洗浄をおこなったペリクルフレームの2つのペリクルフレームを用意し、この2つのペリクルフレームにペリクル接着剤を用いてペリクル膜を貼りあわせ、2種類のペリクルを得た。それぞれを本発明のペリクル、従来のペリクルとする。
得られた2種類のペリクルをそれぞれフォトマスクに装着した。装着されるフォトマスクは硫酸を使用しない洗浄を施し、本条件で作成されたフォトマスクが持つ硫酸の含有量は100℃30分の条件でIC分析(DX−320 DIONEX社製)を実施したところ、硫酸の含有は0.1μg/plate以下であった。
Pellicle frame made of aluminum material is alumite treated with sulfuric acid and then immersed in pure water at 80 ° C for 120 minutes and washed with pure water at room temperature without performing pure water treatment at 80 ° C for 120 minutes Two pellicle frames of the pellicle frame thus prepared were prepared, and a pellicle film was bonded to the two pellicle frames using a pellicle adhesive to obtain two types of pellicles. Each is a pellicle of the present invention and a conventional pellicle.
The two types of pellicle obtained were each mounted on a photomask. The photomask to be mounted was cleaned without using sulfuric acid, and the IC content (manufactured by DX-320 DIONEX) was used for the sulfuric acid content of the photomask created under these conditions at 100 ° C for 30 minutes. The sulfuric acid content was 0.1 μg / plate or less.
ペリクルが装着されたフォトマスクを外部からの硫酸または硫黄系有機物の汚染が除去される空間(硫酸0.1μg/m3以下、有機硫黄成分はトルエン換算にて0.1ng/m3以下)にて、金属ケース内に21日間保管した後に、ArFレーザー(ximer−300 MPB社製)をフォトマスク上において、50mW/cm2、200Hzの波長で10kJ照射した。この時、エネルギーの劣化などの変動はなかった。露光雰囲気はN2:O2=4:1の比率とし、雰囲気は対酸、アルカリ、有機のケミカルフィルターを通した、環境由来の汚染が含有されない条件とした。 The photomask with the pellicle attached is placed in a space where the contamination of sulfuric acid or sulfur-based organic matter from the outside is removed (sulfuric acid 0.1 μg / m 3 or less, organic sulfur component is 0.1 ng / m 3 or less in terms of toluene) After storing in a metal case for 21 days, an ArF laser (manufactured by ximer-300 MPB) was irradiated on a photomask at 10 mJ at a wavelength of 50 mW / cm 2 and 200 Hz. At this time, there was no change such as energy degradation. The exposure atmosphere was set to a ratio of N 2 : O 2 = 4: 1, and the atmosphere was passed through an acid, alkali, and organic chemical filter and contained no environmental contamination.
フォトマスクに存在する硫酸量をToF−SIMS(TRIFT−II アルバック・ファイ社製)にて評価した。フォトマスク表面に吸着する硫酸イオン(HSO4 m/z97)の強度について、トータルイオンで規格化し、10000倍した結果を比較した結果、
本発明のペリクルを用いたフォトマスク表面に吸着した硫酸イオン量は0.99を示した。一方、従来のペリクルを用いたフォトマスク表面に吸着した硫酸イオン量は30.06を示した。
The amount of sulfuric acid present in the photomask was evaluated by ToF-SIMS (manufactured by TRIFT-II ULVAC-PHI). As a result of comparing the intensity of sulfate ion (HSO4 m / z97) adsorbed on the photomask surface with the total ion normalized and multiplied by 10,000,
The amount of sulfate ions adsorbed on the photomask surface using the pellicle of the present invention was 0.99. On the other hand, the amount of sulfate ions adsorbed on the photomask surface using a conventional pellicle was 30.06.
また、ペリクル膜を設ける前の本発明のペリクルフレームについて100℃30分で100mlの純水に浸漬することでイオン抽出し、得られた抽出液についてイオンクロマト(IC)分析(DX−320 DIONEX社製)を実施したところ、フレームの持つ硫酸量は本発明のペリクルは1フレームあたり1.0μgであった。
一方、本発明のIC分析と同様の分析を実施したところ、フレームの持つ硫酸量は従来のペリクルは1フレームあたり13.1μgであった。
Further, the pellicle frame of the present invention before the pellicle membrane was ion-extracted by immersing it in 100 ml of pure water at 100 ° C. for 30 minutes, and the resulting extract was subjected to ion chromatography (IC) analysis (DX-320 DIONEX) The amount of sulfuric acid possessed by the frame was 1.0 μg per frame for the pellicle of the present invention.
On the other hand, when an analysis similar to the IC analysis of the present invention was performed, the amount of sulfuric acid possessed by the frame was 13.1 μg per frame for the conventional pellicle.
図2に、本発明ペリクルと従来ペリクルの比較図を示した。左軸はToF−SIMSで得られた硫酸イオン(HSO4 m/z97)を検出された全イオンで規格化し10000倍した結果を示した量であり、ペリクルを装着したフォトマスク表面の硫酸イオン量を示したものである。一方、右軸はフレームを100℃30分純水で抽出し、ICで得られた硫酸の量であり、フォトマスクフレーム表面に存在する硫酸イオン量を示したものである。 FIG. 2 shows a comparison between the pellicle of the present invention and the conventional pellicle. The left axis shows the amount of sulfate ion (HSO 4 m / z97) obtained by ToF-SIMS, normalized by the total detected ion and multiplied by 10000, and the amount of sulfate ion on the photomask surface with the pellicle attached Is shown. On the other hand, the right axis is the amount of sulfuric acid obtained by extracting the frame with pure water at 100 ° C. for 30 minutes and obtained by IC, and indicates the amount of sulfate ions present on the photomask frame surface.
最後に、これらの2種類のペリクルを装着したフォトマスクを同一条件でそれぞれ製作、保管、露光後に検査した結果、従来のペリクルを装着したフォトマスクからは1μgレベルの生成物が検出され、HAZEが発生したのに対して、本発明のペリクルを装着したフォトマスクからは硫酸系HAZEが検出されなかった。 Finally, as a result of manufacturing, storing, and inspecting the photomasks with these two types of pellicles under the same conditions, a 1 μg level product was detected from the photomask with the conventional pellicles. Although it occurred, sulfuric acid type HAZE was not detected from the photomask equipped with the pellicle of the present invention.
10……フォトマスク
11……ペリクル膜
12……ペリクルフレーム
13……マスク接着剤
14……ペリクル接着剤
15……内壁粘着材
16……フィルター
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011209344A (en) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | Pellicle, mounting method therefor, pellicle-equipped mask, and mask |
CN111919170A (en) * | 2018-03-30 | 2020-11-10 | 三井化学株式会社 | Mask adhesive and pellicle assembly provided with same |
-
2008
- 2008-09-12 JP JP2008234183A patent/JP2010066619A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011209344A (en) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | Pellicle, mounting method therefor, pellicle-equipped mask, and mask |
CN111919170A (en) * | 2018-03-30 | 2020-11-10 | 三井化学株式会社 | Mask adhesive and pellicle assembly provided with same |
CN111919170B (en) * | 2018-03-30 | 2023-12-26 | 三井化学株式会社 | Mask adhesive and protective film assembly provided with same |
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