JP2006091667A - Photomask, and method and device for cleaning the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置の製造に用いられる電子回路パターンが描かれたフォトマスク及びその洗浄方法並びに洗浄装置に関するものである。 The present invention relates to a photomask on which an electronic circuit pattern used for manufacturing a semiconductor device is drawn, a cleaning method thereof, and a cleaning apparatus.
半導体装置の製造を行う場合、半導体基板等の下地層に対してエッチングやイオン注入などにより選択的な加工が施される。この際、下地層の被加工部分を選択的に保護する目的で、紫外線、X線、電子線等の活性光線に感光する組成物、いわゆる感光性フォトレジスト被膜(以後フォトレジストと称する)のパターンが下地層上に形成される。このようなレジストパターンを形成するために、フォトマスクを用いた縮小投影露光が行われる。 When manufacturing a semiconductor device, selective processing is performed on an underlayer such as a semiconductor substrate by etching or ion implantation. At this time, for the purpose of selectively protecting the part to be processed of the underlayer, a pattern of a composition that is sensitive to actinic rays such as ultraviolet rays, X-rays, and electron beams, a so-called photosensitive photoresist film (hereinafter referred to as photoresist). Is formed on the underlayer. In order to form such a resist pattern, reduction projection exposure using a photomask is performed.
フォトマスクは、ガラスのマスク基板上にクロム(Cr)やモリブデンシリサイド(MoSi)などの遮光膜で電子回路パターンが形成されたもので、レティクルとも呼ばれる。ここで、フォトマスクの電子回路パターンが描かれている面に異物が付着すると、フォトレジストにパターン欠陥として転写される。そこで、電子回路パターンを保護するためペリクルが設けられる。ペリクルは、電子回路パターン面を囲うように設けられたペリクルフレームと、ペリクルフレームに取り付けられた高い透明性を持つペリクル膜とからなる。 A photomask is a glass mask substrate in which an electronic circuit pattern is formed of a light-shielding film such as chromium (Cr) or molybdenum silicide (MoSi), and is also called a reticle. Here, when a foreign substance adheres to the surface of the photomask on which the electronic circuit pattern is drawn, it is transferred to the photoresist as a pattern defect. Therefore, a pellicle is provided to protect the electronic circuit pattern. The pellicle includes a pellicle frame provided so as to surround the electronic circuit pattern surface, and a highly transparent pellicle film attached to the pellicle frame.
また、露光の光源としては、水銀ランプのg線(波長436nm)、i線(波長365nm)又はKrFエキシマレーザー(波長248nm)が用いられている。さらに、近年の回路パターンの微細化の要求から、90nmノード以降のデバイスの製造ではArFエキシマレーザー(波長193nm)が用いられるようになってきた。 As a light source for exposure, a g-line (wavelength 436 nm), i-line (wavelength 365 nm), or KrF excimer laser (wavelength 248 nm) of a mercury lamp is used. Furthermore, due to the recent demand for circuit pattern miniaturization, an ArF excimer laser (wavelength: 193 nm) has come to be used in the manufacture of devices after the 90 nm node.
ここで、パターン形成方法の一例について説明する。まず、被加工基板上に市販の有機反射防止膜85nmを塗布し、200℃で90秒間ベークを行い、市販のArFレジスト300nmを塗布し、130℃で60秒間ベークを行う。次に、配線パターンが描かれたフォトマスクを介してArFエキシマレーザー光を光源とするスキャナ一式露光装置を用いて露光を行う。照明条件はNA0.70で、2/3輪帯照明アパーチャを用いたオフアクシス法を用いる。続いて、130℃で60秒間のベーク(PEB: Post Exposure Bake)を行った後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH: Tetramethylammonium hydroxide)の2.38重量%水溶液を用いて60秒間の現像を行うことによって、レティクルのパターンに対応したレジストパターンを得る。 Here, an example of the pattern forming method will be described. First, a commercially available organic antireflection film of 85 nm is applied on the substrate to be processed, and baking is performed at 200 ° C. for 90 seconds, a commercially available ArF resist is applied at 300 nm, and baking is performed at 130 ° C. for 60 seconds. Next, exposure is performed using a scanner set exposure apparatus using ArF excimer laser light as a light source through a photomask on which a wiring pattern is drawn. The illumination condition is NA 0.70, and an off-axis method using a 2/3 annular illumination aperture is used. Subsequently, after performing a 60-second bake (PEB: Post Exposure Bake) at 130 ° C., development is performed for 60 seconds using a 2.38 wt% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH). Thus, a resist pattern corresponding to the reticle pattern is obtained.
そして、40mJ/cm2のエネルギーで8インチウェハ約3、000枚を露光した後、フォトマスクの表面を観察したところ、ArF光が照射された部分に曇りが観察された。光学顕微鏡及び電子顕微鏡を用いて観察したところ、大きいものでは約10μmにも及ぶ結晶性異物が観察された。このマスクを用いて露光したウェハの検査を行ったところ、マスク上の異物が転写されたパターン欠陥が多数確認された。 Then, after exposing about 3,000 8-inch wafers with an energy of 40 mJ / cm 2 , the surface of the photomask was observed. As a result, clouding was observed in the portion irradiated with ArF light. When observed using an optical microscope and an electron microscope, crystalline foreign substances as large as about 10 μm were observed. When the exposed wafer was inspected using this mask, a large number of pattern defects to which foreign matter on the mask was transferred were confirmed.
この結晶性異物をラマン分光およびマイクロオージェを用いて成分分析すると、硫酸アンモニウム及びリン酸アンモニウムと同定された。これらの物質は純水で洗浄することにより除去できることが分かっている。ただし、フォトマスクを純水で洗浄する場合、ペリクル膜が破れないようにペリクルを取り外す必要がある。 Components of this crystalline foreign material were analyzed using Raman spectroscopy and micro-Auger, and were identified as ammonium sulfate and ammonium phosphate. It has been found that these substances can be removed by washing with pure water. However, when the photomask is washed with pure water, it is necessary to remove the pellicle so that the pellicle film is not broken.
しかし、従来のフォトマスクではペリクルフレームをマスク基板に接着剤で固定していたため、ペリクルを取り外した際に接着剤の残渣がフォトマスク上に残り、異物の原因となっていた。そして、接着剤の残渣を除去するには強酸や強アルカリなどの薬品を用いた洗浄が必要であり、遮光膜にダメージを与える。特に、MoSi膜により形成されるハーフトーン位相シフトマスクの場合、洗浄によって透過率や位相差の変動が生じ、パターンの解像特性にも影響していた。 However, in the conventional photomask, since the pellicle frame is fixed to the mask substrate with an adhesive, the residue of the adhesive remains on the photomask when the pellicle is removed, causing foreign matter. In order to remove the adhesive residue, cleaning with a chemical such as strong acid or strong alkali is required, which damages the light shielding film. In particular, in the case of a halftone phase shift mask formed of a MoSi film, a change in transmittance and phase difference occurs due to cleaning, which affects the pattern resolution characteristics.
そこで、洗浄時にペリクル膜を取り外せるように、ペリクルフレームを二分割し、磁性体を用いて脱着可能に構成したフォトマスクが提案されている(例えば、特許文献1参照)。 In view of this, a photomask has been proposed in which the pellicle frame is divided into two parts and removable using a magnetic material so that the pellicle film can be removed during cleaning (see, for example, Patent Document 1).
しかし、ペリクルフレームに磁性体を用いた場合、スキャン式露光装置においてレティクルステージを駆動させるリニアモーターに影響を与えるという問題があった。そして、強力な固定力を持たせるために鉄系材料などの永久磁性体を用いると、その重みによりフォトマスク表面に歪みを生じるという問題もあった。 However, when a magnetic material is used for the pellicle frame, there is a problem in that it affects the linear motor that drives the reticle stage in the scanning exposure apparatus. In addition, when a permanent magnetic material such as an iron-based material is used in order to give a strong fixing force, there is a problem that distortion occurs on the photomask surface due to the weight.
また、従来のフォトマスクは四角い枠状のペリクルフレームを有し、洗浄する際にはペリクルフレームの上側から洗浄液を導入及び排出していたため、汚染物質がペリクルフレームの内側の隅に残ってしまうという問題があった。 Also, the conventional photomask has a square frame-shaped pellicle frame, and when cleaning, the cleaning liquid is introduced and discharged from the upper side of the pellicle frame, so that contaminants remain in the inner corner of the pellicle frame. There was a problem.
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その第1の目的は、二分割したペリクルフレームを磁性体を用いずに着脱可能に構成することができるフォトマスク及びその洗浄方法並びに洗浄装置を得ることである。そして、第2の目的は、ペリクルフレームの内側に汚染物質を残すことなく洗浄することができるフォトマスク及びその洗浄方法並びに洗浄装置を得ることである。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and a first object of the present invention is to provide a photomask capable of detachably configuring a pellicle frame divided into two without using a magnetic material, and the photomask. It is to obtain a cleaning method and a cleaning apparatus. A second object is to provide a photomask that can be cleaned without leaving contaminants inside the pellicle frame, a cleaning method thereof, and a cleaning apparatus.
本発明に係るフォトマスクは、半導体装置の製造に用いられる電子回路パターンが描かれたマスク基板と、マスク基板上に電子回路パターンを囲うように接着された下部フレームと、下部フレームと着脱可能に設けられた上部フレームと、上部フレームに取り付けられたペリクル膜とを有し、下部フレームと上部フレームは、力学的応力により互いを密着した状態に保持する手段を有する。 A photomask according to the present invention includes a mask substrate on which an electronic circuit pattern used for manufacturing a semiconductor device is drawn, a lower frame bonded so as to surround the electronic circuit pattern on the mask substrate, and a detachable from the lower frame. It has an upper frame provided and a pellicle film attached to the upper frame, and the lower frame and the upper frame have means for holding them in close contact with each other by mechanical stress.
本発明に係る他のフォトマスクは、半導体装置の製造に用いられる電子回路パターンが描かれたマスク基板と、マスク基板上に電子回路パターンを囲うように接着されたペリクルフレームと、ペリクルフレームに取り付けられたペリクル膜とを有し、ペリクルフレームは、内側に洗浄液を給水するための給水口と、内側から洗浄液を排水するための排水口を有する。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。 Another photomask according to the present invention is a mask substrate on which an electronic circuit pattern used for manufacturing a semiconductor device is drawn, a pellicle frame bonded to surround the electronic circuit pattern on the mask substrate, and attached to the pellicle frame The pellicle frame has a water supply port for supplying the cleaning liquid inside and a drain port for discharging the cleaning liquid from the inside. Other features of the present invention will become apparent below.
本発明に係るフォトマスクは、二分割したペリクルフレームを磁性体を用いずに着脱可能に構成することができる。また、本発明に係る他のフォトマスクは、ペリクルフレームの内側に汚染物質を残すことなく洗浄することができる The photomask according to the present invention can be configured so that the divided pellicle frame can be attached and detached without using a magnetic material. In addition, another photomask according to the present invention can be cleaned without leaving contaminants inside the pellicle frame.
実施の形態1.
本発明の実施の形態1に係るフォトマスクを図1に示す。図示のように、半導体装置の製造に用いられる電子回路パターン11がマスク基板12上に描かれている。そして、電子回路パターン11を囲うように、四角い枠状の下部フレーム13がマスク基板12上に接着剤により接着されている。さらに、下部フレーム13と着脱可能に上部フレーム14が設けられている。この下部フレーム13及び上部フレーム14は、2分割したペリクルフレームであり、重みによりフォトマスクに歪みが生じるのを防ぐため、アルミ又はプラスチックにより形成されている。
Embodiment 1 FIG.
A photomask according to Embodiment 1 of the present invention is shown in FIG. As shown in the figure, an
また、上部フレーム14には、ペリクル膜15が取り付けられている。このペリクル膜15は極薄の有機膜又はガラスで形成されている。ペリクル膜として、セルロース系ポリマーやフッ素系ポリマー等の有機膜を用いたものはソフトペリクルと呼ばれ、合成石英ガラス等のガラスを用いたものはハードペリクルと呼ばれる。
A
下部フレーム13と上部フレーム14は、互いに対応する位置に設けられたネジ穴16,17をそれぞれ有する。そして、このネジ穴16,17にネジ18を挿入することで、下部フレーム13と上部フレーム14は、互いに密着した状態に保持される。このように、下部フレーム13と上部フレーム14は力学的応力により互いに密着した状態に保持されるため、二分割したペリクルフレームを磁性体を用いずに着脱可能に構成することができる。
The
また、上記のフォトマスクを洗浄するには、まず、下部フレーム13から上部フレーム14を外す。そして、この状態で電子回路パターン11を純水等の洗浄液で洗浄する。
In order to clean the photomask, first, the
実施の形態2.
本発明の実施の形態2に係るフォトマスクを図2に示す。図1と同様の構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。図示のように、下部フレーム13には、対向する二辺に添って上部フレーム14と接触する部分に突起部22が設けられている。そして、上部フレーム14には、対向する二辺に添って下部フレーム13と接触する部分に溝部21が設けられている。
Embodiment 2. FIG.
A photomask according to Embodiment 2 of the present invention is shown in FIG. Constituent elements similar to those in FIG. As shown in the figure, the
そして、この突起部22を溝部21に嵌合することで、下部フレーム13と上部フレーム14は互いに密着した状態に保持される。下部フレーム13と上部フレーム14の側面図を図3〜5に示す。図3は溝部21及び突起部22の断面形状がT字型の場合であり、図4は断面形状が逆三角形の場合であり、図5はL字型の場合である。何れの場合も、上部フレーム14を横方向にスライドさせることにより、下部フレーム13と上部フレーム14を脱着可能な構造となっている。
Then, by fitting the
このように、下部フレーム13と上部フレーム14は力学的応力により互いに密着した状態に保持されるため、二分割したペリクルフレームを磁性体を用いずに着脱可能に構成することができる。
Thus, since the
なお、上記の例とは逆に、下部フレーム13に溝部21が設けられ、上部フレーム14に突起部22が設けられている場合も同様の効果を奏する。即ち、下部フレーム13と上部フレーム14の一方に溝部が設けられ、他方に突起部が設けられていればよい。
Contrary to the above example, the same effect can be obtained when the
また、上記のフォトマスクを洗浄するには、実施の形態1と同様に、下部フレーム13から上部フレーム14を外した状態で電子回路パターン11を純水等の洗浄液で洗浄する。
In order to clean the photomask, as in the first embodiment, the
実施の形態3.
本発明の実施の形態3に係るフォトマスクを図6に示す。図1と同様の構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。図示のように、電子回路パターン11を囲うように、四角い枠状のペリクルフレーム31がマスク基板12上に接着剤により接着されている。このペリクルフレーム31は、重みによりフォトマスクに歪みが生じるのを防ぐため、アルミ又はプラスチックにより形成されている。また、ペリクルフレーム31には、ペリクル膜15が取り付けられている。
Embodiment 3 FIG.
A photomask according to Embodiment 3 of the present invention is shown in FIG. Constituent elements similar to those in FIG. As shown in the figure, a square frame-
そして、ペリクルフレーム31は、内側に洗浄液を給水するための給水口32と、内側から洗浄液を排水するための排水口33を有する。この給水口32及び排水口33は、電子回路パターン11よりも横幅が広く、互いに電子回路パターン11を挟んで対向する位置に設けられている。そして、フォトマスクを露光に用いる際には、ペリクル内部への異物の侵入を防ぐために、給水口32及び排水口33に蓋34,35がそれぞれ取り付けられる。
The
また、上記のフォトマスクの内側を洗浄するには、蓋34,35を取り外し、給水口32から純水等の洗浄液を適当な流量で給水し、電子回路パターン11を洗浄液により洗浄し、排水口33から洗浄液を排水する。また、フォトマスクの外側の部分について洗浄液により同時に洗浄を行ってもよい。
Further, in order to clean the inside of the photomask, the
上記のように、ペリクルフレームに給水口と排水口を設けたことにより、ペリクルを取り外さなくても電子回路パターンを洗浄することができ、かつ、ペリクルフレームの内側に汚染物質を残すことなく洗浄することができる。また、給水口及び排水口は、電子回路パターンよりも横幅が広く、互いに電子回路パターンを挟んで対向する位置に設けられているため、給水口から排水口へ向けて洗浄液を流すことにより、電子回路パターン全体を均一に洗浄することができる。 As described above, the water supply port and the drain port are provided in the pellicle frame, so that the electronic circuit pattern can be cleaned without removing the pellicle, and cleaning is performed without leaving contaminants inside the pellicle frame. be able to. In addition, the water supply port and the drain port are wider than the electronic circuit pattern and are provided at positions facing each other across the electronic circuit pattern. The entire circuit pattern can be cleaned uniformly.
図7は、上記のフォトマスクを洗浄するための洗浄装置を示す側面図である。図示のように、内部でフォトマスクの洗浄を行うためにチャンバー41が設けられている。そして、チャンバー41内に、フォトマスクを載置するための台42が設けられている。この台42には、図8に示すように、マスク基板12を載せるための切り欠き42aが設けられている。また、台42をテフロン(登録商標)等で構成して、図9に示すように、マスク基板12を両側から挟み込むようにしてもよい。
FIG. 7 is a side view showing a cleaning apparatus for cleaning the photomask. As shown in the figure, a
この台42の上にフォトマスクを載置する場合、電子回路パターン11が描かれた面を表にし、給水口32の設けられた側が排水口33の設けられた側よりも高くなるように斜めに載置する。ただし、台42の上にフォトマスクを垂直に載置してもよい。これにより、給水口32に供給した洗浄液は、電子回路パターン11を洗浄した後、重力によって自動的に排水口33から排水する。
When the photomask is placed on the table 42, the surface on which the
フォトマスクの給水口32に洗浄液を供給するために供給手段43が設けられ、排水口33から排出された洗浄液をチャンバー41外に排出するために排出手段44が設けられている。そして、排出手段44には、排水口33から排水された洗浄液に含まれる汚染物質の量を測定する測定部45が設けられている。この測定部45により測定された汚染物質の量が所定値よりも少なくなると、制御部46は、供給手段43からの洗浄液の供給を止めるように制御する。これにより、フォトマスクが十分に洗浄されたのを検知して、自動的に洗浄を中止することができる。
Supply means 43 is provided to supply the cleaning liquid to the
また、ペリクル膜15に向けて洗浄液を噴出するノズル47と、マスク基板12に向けて下方向から洗浄液を噴出するノズル48を設ければ、フォトマスクの内側だけでなく外側も同時に洗浄することができる。
Further, if the
実施の形態4.
本発明の実施の形態4に係るフォトマスクを図10に示す。図1と同様の構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。図示のように、ペリクルフレームは、マスク基板12に接着された下部フレーム51と、この下部フレーム51と着脱可能に設けられ、ペリクル膜15が取り付けられた上部フレーム52からなる。この下部フレーム51及び上部フレーム52は、重みによりフォトマスクに歪みが生じるのを防ぐため、アルミ又はプラスチックにより形成されている。
Embodiment 4 FIG.
A photomask according to Embodiment 4 of the present invention is shown in FIG. Constituent elements similar to those in FIG. As shown in the figure, the pellicle frame includes a
下部フレーム51は、電子回路パターン11を挟んで対向する位置に互いに平行になるようにマスク基板12上に接着された2つの直線状フレームである。そして、2つの直線状フレームの右端同士及び左端同士の間の空間がそれぞれ給水口53及び排水口54となる。即ち、下部フレーム51側に給水口53と排水口54が設けられている。
The
そして、上部フレーム52は、下部フレーム51に装着した状態で給水口53及び排水口54を閉塞する凸部55を有する。これにより、フォトマスクを露光に用いるために上部フレーム52を下部フレーム51に装着すると、同時に凸部55により給水口53及び排水口54が閉塞されるため、ペリクル内部への異物の進入を防ぐことができる。そして、フォトマスクを洗浄するために上部フレーム52を下部フレーム51から取り外すと、同時に給水口53及び排水口54が開放されるため、ペリクルフレームの内側に汚染物質を残すことなく洗浄することができる。
The
また、上記のフォトマスクを洗浄するには、実施の形態1と同様に、下部フレーム51から上部フレーム52を外した状態で、フォトマスクの給水口53から純水等の洗浄液を給水し、電子回路パターン11を洗浄液により洗浄し、排水口54から洗浄液を排水する。この際に、実施の形態3の洗浄装置を用いることができる。
In order to clean the photomask, as in the first embodiment, a cleaning liquid such as pure water is supplied from the
実施の形態5.
図11は、本発明の実施の形態5に係る洗浄装置を示す側面図である。図7と同様の構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
Embodiment 5 FIG.
FIG. 11 is a side view showing a cleaning apparatus according to Embodiment 5 of the present invention. Constituent elements similar to those in FIG.
この洗浄装置には、チャンバー41内に水蒸気を適当な流量で供給する供給手段61が設けられている。この供給手段としては、例えば、超音波振動により水蒸気を発生させる装置等を用いることができる。ただし、ペリクル膜15としてセルロース等を用いた場合は、ペリクル膜15の破損を防止するために、水蒸気の温度を60℃以下、好ましくは50℃以下にする。そこで、減圧手段62を設けている。この減圧手段62でチャンバー42内を減圧することで、低温で水蒸気を発生させることができる。
The cleaning device is provided with a supply means 61 for supplying water vapor into the
給水口32からペリクルフレーム31内に進入した水蒸気はフォトマスク上で結露し、この結露により発生した水は、電子回路パターン11を洗浄した後、重力によって自動的に排水口33から排水する。
Water vapor that has entered the
このように水蒸気を用いてフォトマスクを洗浄することにより、純水を用いた場合に比べて、電子回路パターン11及びペリクル膜15に対するダメージを軽減することができる。
By washing the photomask with water vapor in this way, damage to the
また、台42には、載置したフォトマスクの温度を水蒸気よりも低くする冷却手段が設けられている。これにより、フォトマスク上に水蒸気が結露しやすくなり、洗浄効率が上昇する。 In addition, the table 42 is provided with cooling means for lowering the temperature of the mounted photomask below that of water vapor. As a result, water vapor tends to condense on the photomask, and the cleaning efficiency increases.
冷却手段としては、台42中に冷水を循環させて台42自体を冷却させることで、載置したフォトマスクも冷却させる構造を用いることができる。また、台42に載置したフォトマスクの下面に、水蒸気よりも温度が低い洗浄液を噴出するノズル63を用いることができる。これにより、フォトマスクを冷却するだけでなく、フォトマスクの下面を同時に洗浄することができる。
As the cooling means, it is possible to use a structure that cools the mounted photomask by circulating cold water through the table 42 to cool the table 42 itself. Further, a
11 電子回路パターン
12 マスク基板
13,51 下部フレーム(ペリクルフレーム)
52,14 上部フレーム(ペリクルフレーム)
15 ペリクル膜
16,17 ネジ穴
18 ネジ
21 溝部
22 突起部
31 ペリクルフレーム
32,53 給水口
33,54 排水口
34,35 蓋
41 チャンバー
42 台
42a 切り欠き
43,61 供給手段
44 排出手段
45 測定部
46 制御部
47,48,63 ノズル
55 凸部
62 吸引手段
11
52,14 Upper frame (pellicle frame)
15
Claims (15)
前記マスク基板上に前記電子回路パターンを囲うように接着された下部フレームと、
前記下部フレームと着脱可能に設けられた上部フレームと、
前記上部フレームに取り付けられたペリクル膜とを有し、
前記下部フレームと前記上部フレームは、力学的応力により互いを密着した状態に保持する手段を有することを特徴としたフォトマスク。 A mask substrate on which an electronic circuit pattern used for manufacturing a semiconductor device is drawn; and
A lower frame bonded to surround the electronic circuit pattern on the mask substrate;
An upper frame detachably provided with the lower frame;
A pellicle membrane attached to the upper frame;
The photomask according to claim 1, wherein the lower frame and the upper frame have means for holding them in close contact with each other by mechanical stress.
前記マスク基板上に前記電子回路パターンを囲うように接着されたペリクルフレームと、
前記ペリクルフレームに取り付けられたペリクル膜とを有し、
前記ペリクルフレームは、内側に洗浄液を給水するための給水口と、内側から前記洗浄液を排水するための排水口を有することを特徴としたフォトマスク。 A mask substrate on which an electronic circuit pattern used for manufacturing a semiconductor device is drawn; and
A pellicle frame adhered on the mask substrate so as to surround the electronic circuit pattern;
A pellicle membrane attached to the pellicle frame;
The photomask characterized in that the pellicle frame has a water supply port for supplying the cleaning liquid to the inside and a water discharge port for draining the cleaning liquid from the inside.
前記給水口と前記排水口は前記下部フレームに設けられ、
前記上部フレームは、前記下部フレームに装着した状態で前記給水口及び前記排水口を閉塞する凸部を有することを特徴とする請求項4に記載のフォトマスク。 The pellicle frame has a lower frame bonded to the mask substrate, and an upper frame that is detachably attached to the lower frame and has the pellicle film attached thereto.
The water supply port and the drain port are provided in the lower frame,
5. The photomask according to claim 4, wherein the upper frame has a convex portion that closes the water supply port and the drain port when the upper frame is attached to the lower frame.
前記下部フレームから前記上部フレームを外した状態で、前記電子回路パターンを洗浄液で洗浄することを特徴とするフォトマスク洗浄方法。 A method for cleaning the photomask according to any one of claims 1 to 3, 6, and 7,
A photomask cleaning method, wherein the electronic circuit pattern is cleaned with a cleaning liquid in a state where the upper frame is removed from the lower frame.
前記給水口から洗浄液を給水し、前記電子回路パターンを前記洗浄液により洗浄し、前記排水口から前記洗浄液を排水することを特徴とするフォトマスク洗浄方法。 A method for cleaning the photomask according to any one of claims 4 to 7,
A photomask cleaning method comprising: supplying a cleaning liquid from the water supply port; cleaning the electronic circuit pattern with the cleaning liquid; and draining the cleaning liquid from the drain port.
前記給水口から水蒸気を導入し、前記電子回路パターンを前記水蒸気により洗浄し、前記排水口から前記水蒸気を排出することを特徴とするフォトマスク洗浄方法。 A method for cleaning the photomask according to any one of claims 4 to 7,
A photomask cleaning method, wherein water vapor is introduced from the water supply port, the electronic circuit pattern is washed with the water vapor, and the water vapor is discharged from the drain port.
前記フォトマスクを、前記電子回路パターンが描かれた面を表にし、前記給水口の設けられた側が前記排水口の設けられた側よりも高くなるように載置する台と、
前記フォトマスクの給水口に洗浄液を供給する供給手段とを有することを特徴とするフォトマスク洗浄装置。 An apparatus for cleaning the photomask according to any one of claims 4 to 7,
A table on which the surface on which the electronic circuit pattern is drawn is placed on the photomask, and the side where the water supply port is provided is higher than the side where the drainage port is provided,
A photomask cleaning apparatus comprising: supply means for supplying a cleaning liquid to a water supply port of the photomask.
前記測定部により測定された汚染物質の量が所定値よりも少なくなると前記供給手段からの洗浄液の供給を止めるように制御する制御部とを更に有することを特徴とする請求項11記載のフォトマスク洗浄装置。 A measurement unit for measuring the amount of contaminants contained in the cleaning liquid drained from the drain port;
12. The photomask according to claim 11, further comprising a control unit configured to control the supply of the cleaning liquid from the supply unit when the amount of the contaminant measured by the measurement unit is less than a predetermined value. Cleaning device.
内部で前記フォトマスクの洗浄を行うチャンバーと、
前記フォトマスクを、前記電子回路パターンが描かれた面を表にし、前記給水口の設けられた側が前記排水口の設けられた側よりも高くなるように載置する台と、
前記チャンバー内に水蒸気を供給する供給手段と、
前記チャンバー内を減圧する減圧手段とを有することを特徴とするフォトマスク洗浄装置。 An apparatus for cleaning the photomask according to any one of claims 4 to 7,
A chamber for cleaning the photomask inside;
A table on which the surface on which the electronic circuit pattern is drawn is placed on the photomask, and the side where the water supply port is provided is higher than the side where the drainage port is provided,
Supply means for supplying water vapor into the chamber;
A photomask cleaning apparatus, comprising: a decompression unit that decompresses the inside of the chamber.
The photomask cleaning apparatus according to claim 13, further comprising a nozzle that ejects a cleaning liquid having a temperature lower than that of the water vapor on a lower surface of the photomask placed on the table.
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009251243A (en) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Method of removing pellicle adhesive residue |
US7673637B2 (en) * | 2006-08-15 | 2010-03-09 | Yung-Shun Pan | Photomask cleaner |
US7718008B2 (en) | 2006-08-24 | 2010-05-18 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for cleaning photo mask |
JP2012511179A (en) * | 2008-12-05 | 2012-05-17 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | Method and system for detecting defects on a reticle |
JP2014081454A (en) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Pellicle |
TWI452423B (en) * | 2012-11-19 | 2014-09-11 | Gudeng Prec Industral Co Ltd | Method and system for cleaning photomask |
US9395620B2 (en) | 2014-01-28 | 2016-07-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pellicle |
JP2019504342A (en) * | 2015-12-14 | 2019-02-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Membrane assembly |
US10642151B2 (en) * | 2014-11-04 | 2020-05-05 | Nippon Light Metal Company, Ltd. | Pellicle support frame and production method |
US10670959B2 (en) * | 2017-05-10 | 2020-06-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle and method of using the same |
WO2022030499A1 (en) * | 2020-08-06 | 2022-02-10 | 三井化学株式会社 | Pellicle, original plate for light exposure, light exposure device, method for producing pellicle, and method for producing semiconductor device |
US11786942B2 (en) | 2020-05-21 | 2023-10-17 | SK Hynix Inc. | Mask glue removing apparatus, system and method |
-
2004
- 2004-09-27 JP JP2004279436A patent/JP2006091667A/en active Pending
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7673637B2 (en) * | 2006-08-15 | 2010-03-09 | Yung-Shun Pan | Photomask cleaner |
US7718008B2 (en) | 2006-08-24 | 2010-05-18 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for cleaning photo mask |
JP2009251243A (en) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Method of removing pellicle adhesive residue |
JP2012511179A (en) * | 2008-12-05 | 2012-05-17 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | Method and system for detecting defects on a reticle |
JP2014081454A (en) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Pellicle |
TWI452423B (en) * | 2012-11-19 | 2014-09-11 | Gudeng Prec Industral Co Ltd | Method and system for cleaning photomask |
US9395620B2 (en) | 2014-01-28 | 2016-07-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pellicle |
US10642151B2 (en) * | 2014-11-04 | 2020-05-05 | Nippon Light Metal Company, Ltd. | Pellicle support frame and production method |
JP2019504342A (en) * | 2015-12-14 | 2019-02-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Membrane assembly |
US10670959B2 (en) * | 2017-05-10 | 2020-06-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle and method of using the same |
US11506971B2 (en) | 2017-05-10 | 2022-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle and method of using the same |
US11868041B2 (en) | 2017-05-10 | 2024-01-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle and method of using the same |
US11786942B2 (en) | 2020-05-21 | 2023-10-17 | SK Hynix Inc. | Mask glue removing apparatus, system and method |
WO2022030499A1 (en) * | 2020-08-06 | 2022-02-10 | 三井化学株式会社 | Pellicle, original plate for light exposure, light exposure device, method for producing pellicle, and method for producing semiconductor device |
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