KR100711908B1 - Reticle and the fabrication method, the exposure equipment and the operating method by using it - Google Patents

Reticle and the fabrication method, the exposure equipment and the operating method by using it Download PDF

Info

Publication number
KR100711908B1
KR100711908B1 KR1020050132506A KR20050132506A KR100711908B1 KR 100711908 B1 KR100711908 B1 KR 100711908B1 KR 1020050132506 A KR1020050132506 A KR 1020050132506A KR 20050132506 A KR20050132506 A KR 20050132506A KR 100711908 B1 KR100711908 B1 KR 100711908B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reticle
thin film
conductive thin
transparent conductive
particles
Prior art date
Application number
KR1020050132506A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김진엽
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020050132506A priority Critical patent/KR100711908B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100711908B1 publication Critical patent/KR100711908B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조 장비에 관한 것으로, 특히 레티클(Bare reticle)의 파티클(Particle)의 부착을 방지하는 레티클 및 그 제조 방법, 그리고, 노광 장비 및 그 구동 방법을 제공하는 데 목적이 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor device manufacturing equipment, and more particularly, to provide a reticle for preventing adhesion of particles of a bare reticle, a manufacturing method thereof, and an exposure apparatus and a driving method thereof.

본 발명에 따르면, 반도체 소자 제조 장비에서 웨이퍼의 패턴을 형성하기 위한 노광 장비에서 레티클 상에 파티클이 부착되는 것을 미연에 방지하고, 노광 공정 중에도 파티클이 레티클에 붙어 발생하는 파티클 에러를 근본적으로 방지할 수 있어 레티클의 수명을 연장하고 노광 공정의 정확도를 향상시킬 수 있다.According to the present invention, it is possible to prevent particles from adhering on a reticle in an exposure apparatus for forming a pattern of a wafer in a semiconductor device manufacturing equipment, and to fundamentally prevent particle errors caused by particles adhering to the reticle during the exposure process. This can extend the life of the reticle and improve the accuracy of the exposure process.

또한, 본 발명은 노광 장비에 레티클에 교류 전류를 공급할 수 있는 전류 공급원만 별도로 추가하여 구성할 수 있으므로 장비의 교체가 불필요하며, 노광 공정의 정확도를 향상시킬 수 있어 공정의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.In addition, the present invention can be configured by adding only a current supply source that can supply an alternating current to the reticle to the exposure equipment, it is not necessary to replace the equipment, improve the accuracy of the exposure process can improve the reliability of the process .

교류, 투명한 도전성 박막, 레티클, 파티클 Alternating current, transparent conductive thin film, reticle, particles

Description

레티클 및 그 제조 방법, 그리고 노광 장비 및 그 구동 방법{reticle and the fabrication method, the exposure equipment and the operating method by using it}Reticle and its manufacturing method, and exposure equipment and its driving method {reticle and the fabrication method, the exposure equipment and the operating method by using it}

도 1은 종래 레티클의 파티클을 제거하는 공정을 보여주는 개략적인 단면도.1 is a schematic cross-sectional view showing a process for removing particles of a conventional reticle.

도 2는 본 발명에 따른 노광 장비의 일부를 도시한 도면.2 shows a part of the exposure equipment according to the invention;

도 3은 본 발명에 따른 레티클에 공급하는 교류 전류를 보여주는 그래프.3 is a graph showing an alternating current supplied to a reticle according to the present invention.

도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 따른 레티클을 제조하는 공정을 보여주는 순서도.4a to 4d are flow charts showing the process of manufacturing the reticle according to the invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호 설명><Description of Signs of Major Parts of Drawings>

200 : 레티클 210 : 투명 기판200: reticle 210: transparent substrate

211 : 금속 패턴 211a : 금속막211 metal pattern 211a metal film

212 : 투명한 도전성 박막 214 : 프레임212: transparent conductive thin film 214: frame

216 : 접착 부재 221 : 펠리클216: adhesive member 221: pellicle

240 : 전류 공급원 250 : 투영 렌즈240: current source 250: projection lens

260 : 웨이퍼 261 : 포토 레지스트260 wafer 261 photoresist

본 발명은 반도체 소자 제조 장비에 관한 것으로, 특히 레티클(Bare reticle)의 파티클(Particle)의 부착을 방지하는 레티클 및 그 제조 방법, 그리고, 노광 장비 및 그 구동 방법을 제공하는 데 목적이 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor device manufacturing equipment, and more particularly, to provide a reticle for preventing adhesion of particles of a bare reticle, a manufacturing method thereof, and an exposure apparatus and a driving method thereof.

일반적으로 반도체 제조 공정 중 포토마스크(photo mask)공정은 웨이퍼 상에 실제로 필요로 하는 회로를 구현하기 위하여 설계하고자 하는 회로 패턴이 그려진 레티클(reticle) 또는 마스크(mask)에 빛을 조사하여 웨이퍼 상에 도포된 감광제(photo resist)를 감광시킴으로써 원하는 패턴을 웨이퍼 상에 형성할 수 있게 된다.In general, a photo mask process in a semiconductor manufacturing process is performed by irradiating light onto a reticle or mask on which a circuit pattern is drawn to realize a circuit actually needed on the wafer. By photosensitive applied photoresist, a desired pattern can be formed on the wafer.

통상적으로, '노광공정' 또는 '사진식각공정' 이라 불리는 이 공정은 웨이퍼 표면에 일정한 패턴을 형성하는 과정과 관련된 것이다.This process, commonly referred to as 'exposure process' or 'photolithography', involves the process of forming a pattern on the wafer surface.

즉, 포토마스크공정은 사진 기술과 화학적 부식법을 병용한 것으로, 웨이퍼 상에 감광제를 도포한 후, 상기 웨이퍼를 원하는 방향의 빛만 통과시키도록 패턴 정보가 담겨져 있는 레티클(reticle)을 투과한 빛에 노출시키면, 상기 감광제는 레티클에 담겨진 패턴에 따라 원하는 영역에서만 감광되므로, 감광된 영역의 감광제를 제거함으로써, 웨이퍼 표면에 원하는 패턴이 형성될 수 있는 것이다.In other words, the photomask process is a combination of a photographic technique and a chemical corrosion method, and after applying a photosensitive agent on the wafer, the photomask process is applied to light transmitted through a reticle containing pattern information so that only the light in a desired direction passes through the wafer. When exposed, since the photosensitive agent is only exposed to the desired area according to the pattern contained in the reticle, by removing the photosensitive agent of the photosensitive area, the desired pattern can be formed on the wafer surface.

상기 레티클을 오염원으로부터 보호하는 수단으로 제시된 것이 대기 중 먼지가 레티클에 떨어져 빛을 가리는 것을 방지하는 펠리클(pellicle)이며, 이 펠리클은 감광제(photo resist)의 결함을 줄이고 레티클의 수명을 늘릴 수 있다.Suggested as a means of protecting the reticle from contaminants is a pellicle that prevents dust from falling on the reticle to block light, which can reduce photoresist defects and extend the life of the reticle.

상기와 같이 레티클은 웨이퍼에 패터닝(patterning)을 하는 중요한 요소로 수선 기술(repair technique)등의 기법을 사용하여 레티클을 결함없이 제조할 수 있다고 해도 조작(handling)과 대기 중 오염물질에 의한 레티클의 오염의 가능성을 완전히 배제할 수 없다.As mentioned above, the reticle is an important factor for patterning the wafer, and even if the reticle can be manufactured without defects using a repair technique or the like, the reticle can be handled by handling and atmospheric contaminants. The possibility of contamination cannot be completely ruled out.

도 1은 종래 레티클의 파티클을 제거하는 공정을 보여주는 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a process for removing particles of a conventional reticle.

도 1에 도시된 바와 같이, 상기 레티클(110)에 부착되어 있는 파티클(111)을 제거함에 있어서, 종래에는 파티클(111) 제거기 내에서 질소(N2) 가스를 공급하는 노즐(nozzle)(120)을 통하여 분사함으로써 특정 포인터 위의 해당 파티클(111)을 제거할 수 있었다.As shown in FIG. 1, in removing particles 111 attached to the reticle 110, a nozzle 120 for supplying nitrogen (N 2 ) gas in a particle 111 remover is conventionally used. By spraying through) it was possible to remove the particle 111 on the specific pointer.

그런데, 이와 같은 종래의 레티클 파티클 제거 장치(100)는 글래스면에 손상을 입히거나 사용상 부주의로 인하여 레티클을 보호하기 위한 펠리클을 찢는 등의 문제점이 있었다.However, such a conventional reticle particle removal device 100 has a problem such as damaging the glass surface or tearing the pellicle for protecting the reticle due to careless use.

본 발명은 반도체 소자의 패턴을 형성하기 위하여 노광 공정에서 사용하는 레티클 전면에 투명 전극을 형성하고 교류 전류를 흘려줌으로써 파티클이 부착되지 않는 레티클 및 그 제조 방법을 제공하는 데 제 1 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has a first object to provide a reticle free of particles and a method of manufacturing the same, by forming a transparent electrode on the entire surface of the reticle used in an exposure process to form a pattern of a semiconductor device and flowing an alternating current.

또한, 본 발명은 반도체 소자를 제조하는 노광 공정에서, 레티클에 파티클이 부착되지 않도록 하는 노광 장비 및 그 구동 방법을 제공하는 데 제 2 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide an exposure apparatus and a driving method thereof in which an particle is not attached to a reticle in an exposure process for manufacturing a semiconductor device.

상기한 제 1 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 레티클은, 투명 기판 상에 형성된 금속 패턴과; 상기 투명 기판 상의 일면에 형성된 투명한 도전성 박막과; 상기 투명 기판 상의 금속 패턴 상부에 형성된 펠리클;을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the first object described above, the reticle includes: a metal pattern formed on a transparent substrate; A transparent conductive thin film formed on one surface of the transparent substrate; And a pellicle formed over the metal pattern on the transparent substrate.

상기 투명한 도전성 박막은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(indium Zinc Oxide), ITZO(indium Tin Zinc Oxide) 중에서 선택된 어느 한 물질로 형성되는 것을 특징으로 한다.The transparent conductive thin film is formed of any one material selected from indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and indium tin zinc oxide (ITZO).

상기 투명한 도전성 박막은 양극과 음극이 교번되어 극성을 띄는 것을 특징으로 한다.The transparent conductive thin film is characterized in that the anode and the cathode alternate polarity.

또한, 상기한 제 1 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 레티클의 제조 방법은, 투명 기판 상에 금속 패턴이 형성되는 단계와; 상기 투명 기판 상의 일면에 투명한 도전성 박막을 형성하는 단계와; 상기 금속 패턴을 보호하는 펠리클을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, the method of manufacturing a reticle according to the present invention in order to achieve the above first object, the step of forming a metal pattern on a transparent substrate; Forming a transparent conductive thin film on one surface of the transparent substrate; Forming a pellicle to protect the metal pattern is characterized in that it comprises.

상기 투명한 도전성 박막에는 양극과 음극이 교번되는 교류 전류가 인가되는 것을 특징으로 한다.The transparent conductive thin film is characterized in that the alternating current is applied to the anode and cathode.

상기 투명한 도전성 박막은 상기 금속 패턴 하부에 형성되는 것을 특징으로 한다.The transparent conductive thin film is formed under the metal pattern.

또한, 상기한 제 2 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 노광 장비는, 광원과; 상기 광원의 빛을 투과시키고 파티클의 부착을 방지하는 투명한 도전성 박막 이 형성된 레티클과; 상기 레티클에 교류 전류를 제공하는 전류 공급원과; 상기 레티클을 투과한 빛을 축소 투영하여 웨이퍼에 조사하는 렌즈부와; 상기 웨이퍼를 지지하는 스테이지를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the exposure apparatus according to the present invention in order to achieve the above second object, the light source; A reticle formed with a transparent conductive thin film for transmitting light from the light source and preventing adhesion of particles; A current source for providing an alternating current to said reticle; A lens unit configured to irradiate the wafer by reducing and projecting the light transmitted through the reticle; And a stage for supporting the wafer.

상기 레티클은 질소 가스가 분사되어 파티클을 제거하는 파티클 제거기를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The reticle is characterized in that it further comprises a particle remover to remove the particles by injection of nitrogen gas.

상기 전류 공급원은 상기 레티클이 양극과 음극이 교번되는 극성을 가지도록 교류 전류을 제공하는 것을 특징으로 한다.The current source is characterized by providing an alternating current so that the reticle has an alternating polarity between the anode and cathode.

또한, 상기한 제 2 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 노광 장비의 구동 방법은, 광원에서 발생된 빛이 레티클을 투과하고 축소 투영되어 웨이퍼에 노광을 하는 노광 장치를 구동하는 방법에 있어서, 상기 레티클에 교류 전류가 인가되어 레티클 전면에서 양극과 음극의 극성이 교번되어 발생하여 파티클의 부착을 방지하는 것을 특징으로 한다.In addition, in order to achieve the above-mentioned second object, a method of driving an exposure apparatus according to the present invention includes a method of driving an exposure apparatus in which light generated from a light source passes through a reticle and is reduced and projected to expose the wafer. An alternating current is applied to the reticle to generate polarity between the anode and the cathode in front of the reticle, thereby preventing particle adhesion.

이하, 첨부한 도면을 참조로 하여 본 발명에 따른 노광 장비와 레티클에 대해서 구체적으로 설명한다.Hereinafter, an exposure apparatus and a reticle according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 노광 장비의 일부를 도시한 도면이고, 도 3은 상기 레티클에 공급하는 교류 전류를 보여주는 그래프이다.2 is a view showing a part of the exposure equipment according to the present invention, Figure 3 is a graph showing an alternating current supplied to the reticle.

상기 레티클(200)을 이용하여 노광 공정을 수행하는 스텝퍼 장비는 미세 패턴을 형성하는 장비로, 패턴이 그려진 레티클(200)의 모양을 투영방식으로 웨이퍼 위에 패터닝을 수행하는 장비를 말한다.Stepper equipment for performing the exposure process using the reticle 200 is a device for forming a fine pattern, it refers to equipment for patterning the shape of the reticle 200, the pattern is drawn on the wafer in a projection method.

도 2에 도시된 바와 같이, 레티클(200)은 그 상측으로 위치하는 광원(도면에 표현되지 않음)으로 부터 노광되며, 그 하측으로는 레티클(200)상에 형성된 이미지패턴을 포토 레지스트(261)가 도포된 웨이퍼(260)에 축소투영하는 투영렌즈(250)가 설치된다.As shown in FIG. 2, the reticle 200 is exposed from a light source (not shown) located above and below the photoresist 261, an image pattern formed on the reticle 200. The projection lens 250 for projecting down is installed on the wafer 260 to which the is applied.

그리고, 상기 레티클(200)의 일면 또는 양면에 프레임(214)을 매개로 형성된 펠리클(221)은 빛이 통과하는 얇은 박막으로서 레티클(200)과 간격을 두고 배치된다.The pellicle 221 formed on one or both surfaces of the reticle 200 via the frame 214 is a thin film through which light passes and is disposed at intervals from the reticle 200.

상기 레티클(200) 상에는 크롬(Cr) 등의 불투명 금속이 패터닝되어 금속 패턴(211)을 형성하고 있으며, 상기 레티클(200)의 전면에는 투명한 도전성 박막(212)이 형성되어 있다.An opaque metal such as chromium (Cr) is patterned on the reticle 200 to form a metal pattern 211, and a transparent conductive thin film 212 is formed on the entire surface of the reticle 200.

그리고, 상기 투명한 도전성 박막(212)은 전류 공급원(240)과 연결되어 있다.In addition, the transparent conductive thin film 212 is connected to the current source 240.

도 3을 참조하면, 상기 전류 공급원(240)은 상기 투명한 도전성 박막(212)에 소정의 교류 전류를 공급하며, 상기 투명한 도전성 박막(212)은 공급된 교류 전류에 의해 +, - 극성을 번갈아 띄우게 되어 동일한 극성을 가지는 파티클들이 달라붙지 않도록 한다.Referring to FIG. 3, the current source 240 supplies a predetermined alternating current to the transparent conductive thin film 212, and the transparent conductive thin film 212 alternates + and − polarities alternately by the supplied alternating current. So that particles with the same polarity do not stick together.

상기와 같이 구성되는 스텝퍼 장비는 레티클(200)의 패턴을 광학 렌즈를 이용하여 웨이퍼(260) 상에 축소 투영하여 전사하며, 사용되는 광원은 불화크립톤(KrF) 등이 주로 사용되고 있으며, 광원에서 조사된 빛은 레티클(200)로 입사된다. The stepper device configured as described above is reduced and projected onto the wafer 260 by using the optical lens to transfer the pattern of the reticle 200, and the fluoride krypton (KrF) is mainly used. The light is incident on the reticle 200.

상기 레티클(200)에 입사된 빛은 레티클(200)의 회절 격자를 통과하면서 0차광, 1차광, 2차광, 3차광 등으로 회절되어 레티클(200)에 담겨진 패턴에 따른 빛 이미지를 형성하고, 이러한 빛 이미지는 투영 렌즈(250)에서 축소된 후 웨이퍼(260)상에 형성된 포토 레지스트(261)에 입사된다.Light incident on the reticle 200 passes through a diffraction grating of the reticle 200 and is diffracted into 0th order light, 1st order light, 2nd light, 3rd light, etc. to form a light image according to the pattern contained in the reticle 200. This light image is reduced in the projection lens 250 and then incident on the photoresist 261 formed on the wafer 260.

이때, 상기 웨이퍼(260)가 고정될 수 있도록 웨이퍼척이 설치되는 웨이퍼 스테이지는, 웨이퍼를 가로, 세로 방향으로 일정한 간격으로 이송시켜 웨이퍼(260) 상에 형성된 포토 레지스트(261)에 전체적으로 레티클(200)의 패턴이 형성될 수 있도록 한다.In this case, the wafer stage in which the wafer chuck is installed to fix the wafer 260 is transferred to the photoresist 261 formed on the wafer 260 by transferring the wafer at regular intervals in the horizontal and vertical directions. ) Pattern can be formed.

또한, 상기 광원 및 웨이퍼 스테이지의 구동은 제어기에서 컨트롤되며, 이를 위한 정보는 컴퓨터에 입력되어 있다.In addition, the driving of the light source and the wafer stage is controlled by a controller, and information for this is input to a computer.

이와 동시에, 상기 컴퓨터에 의해 상기 레티클(200)의 투명한 도전성 박막(212)과 연결된 전류 공급원(240)에서는 지속적으로 교류 전원이 공급되며, 이에 따라 상기 레티클(200)의 표면에는 파티클이 부착되지 않는다.At the same time, AC power is continuously supplied from the current source 240 connected to the transparent conductive thin film 212 of the reticle 200 by the computer, and thus, particles are not attached to the surface of the reticle 200. .

이와 같이, 하나의 웨이퍼에는 여러 개의 레티클에서의 미세한 패턴들이 선택적으로 노광됨으로써 필요한 전체 회로의 패턴이 형성되며, 본 발명에 따른 레티클에는 파티클이 부착되어 있지 않으므로 패턴 불량이 발생하지 않고 양호한 품위로 웨이퍼 상에 미세한 패턴들을 형성할 수 있다.As such, the pattern of the entire circuit is formed by selectively exposing the fine patterns of several reticles on one wafer, and since the particles are not attached to the reticle according to the present invention, the pattern defect does not occur and the wafer is in good quality. Fine patterns may be formed on the substrate.

도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 따른 레티클을 제조하는 공정을 보여주는 순서도이다.4a to 4d are flow charts showing a process for manufacturing a reticle according to the present invention.

도 4a에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 레티클(200)은 투명한 기판(210) 상에 크롬 등의 금속막(211a)을 스퍼터링(sputtering) 등의 방법으로 소정 두께로 증착한다.As shown in FIG. 4A, the reticle 200 according to the present invention deposits a metal film 211a, such as chromium, on a transparent substrate 210 to a predetermined thickness by a method such as sputtering.

도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 금속막(211a)을 포토리소그래피(photolithography) 등의 방법으로 패터닝하여 금속 패턴(211)을 형성한다.As shown in FIG. 4B, the metal layer 211a is patterned by photolithography or the like to form a metal pattern 211.

여기서, 상기 투명한 기판(210)으로는 석영(Quartz) 기판 등이 사용될 수 있고, 상기 금속막(211a)은 크롬(Cr) 등의 불투명한 금속이 사용될 수 있다.Here, a quartz substrate may be used as the transparent substrate 210, and an opaque metal such as chromium (Cr) may be used as the metal layer 211a.

이때, 상기 레티클(200)의 금속 패턴(211)은 웨이퍼 상에 실제로 필요로 하는 회로를 구현하기 위하여 설계하고자 하는 회로 패턴이 그려진 것으로 추후 축소되어 웨이퍼 상에 노광되므로 3~4배 확대된 크기로 형성된다.At this time, the metal pattern 211 of the reticle 200 is drawn to the circuit pattern to be designed in order to implement the circuit actually needed on the wafer is reduced later to be exposed on the wafer 3 to 4 times the size Is formed.

이후, 도 4c에 도시된 바와 같이, 상기 금속 패턴(211)이 형성된 레티클(200) 상에 투명한 도전성 박막(212)을 형성한다.Thereafter, as illustrated in FIG. 4C, a transparent conductive thin film 212 is formed on the reticle 200 on which the metal pattern 211 is formed.

이때, 상기 투명한 도전성 박막(212)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(indium Zinc Oxide), ITZO(indium Tin Zinc Oxide) 등의 투명한 도전성 물질로 증착되어 형성될 수 있다.In this case, the transparent conductive thin film 212 may be formed of a transparent conductive material, such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO).

도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 레티클(200) 상에 이러한 레티클(200)의 금속 패턴(211)에 불순물이 흡착되는 것을 방지하기 위하여 금속 패턴(211)이 형성된 면에 펠리클프레임(214)과 그 위에 얇은 막의 펠리클(221)을 접착 부재(216)로 부착하고 있다.As shown in FIG. 4D, the pellicle frame 214 is formed on the surface on which the metal pattern 211 is formed to prevent impurities from adsorbing onto the metal pattern 211 of the reticle 200 on the reticle 200. A thin film pellicle 221 is attached thereon with an adhesive member 216.

또한, 상기 펠리클프레임(214)과 상기 펠리클(221)도 접착 부재(216)로 부착된다.In addition, the pellicle frame 214 and the pellicle 221 are also attached to the adhesive member 216.

상기 펠리클프레임(214)은 외부의 불순물인 파티클(particle)이 펠리클(221) 내부로 들어오는 것을 차단한다.The pellicle frame 214 blocks particles that are external impurities from entering the pellicle 221.

한편, 상기 투명한 도전성 박막(212)은 금속 패턴(211)이 형성된 레티클(200) 상에 형성될 수도 있고, 상기 레티클(200) 상에 투명한 도전성 박막(212)이 전면에 형성된 후 금속 패턴(211)이 형성될 수도 있다.Meanwhile, the transparent conductive thin film 212 may be formed on the reticle 200 on which the metal pattern 211 is formed, or the metal pattern 211 is formed on the front surface of the transparent conductive thin film 212 on the reticle 200. ) May be formed.

또한, 상기 투명한 도전성 박막(212)은 금속 패턴(211)이 형성되지 않는 레티클(200)의 후면에 형성될 수도 있다.In addition, the transparent conductive thin film 212 may be formed on the rear surface of the reticle 200 in which the metal pattern 211 is not formed.

그리고, 상기 레티클(200)에 부착되어 있는 파티클을 제거함에 있어서, 상기 레티클(200) 상에 투명한 도전성 박막(212)에 교류전류를 흘려줌으로써 +,- 극성에 따라 파티클의 부착을 방지함과 동시에 질소(N2) 가스를 노즐을 이용하여 불어 제거할 수 있다.And, in removing the particles attached to the reticle 200, by flowing an alternating current to the transparent conductive thin film 212 on the reticle 200 to prevent the adhesion of the particles according to the +,-polarity Nitrogen (N 2 ) gas may be blown off using a nozzle.

따라서, 상기 노광 장비는 상기 레티클(200)에 질소 가스가 분사되어 파티클을 제거하는 파티클 제거기를 더 포함할 수도 있다.Therefore, the exposure equipment may further include a particle remover for removing particles by injecting nitrogen gas into the reticle 200.

본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 레티클 및 그 제조 방법과, 노광 장비 및 그 구동 방법은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.Although the present invention has been described in detail through specific embodiments, this is for explaining the present invention in detail, and the reticle according to the present invention, a manufacturing method thereof, an exposure apparatus, and a driving method thereof are not limited thereto. It is apparent that modifications and improvements are possible by those skilled in the art within the scope of the idea.

본 발명은 웨이퍼의 패턴을 형성하기 위한 노광 장비에서 레티클 상에 파티클이 부착되는 것을 미연에 방지하고, 노광 공정 중에도 파티클이 레티클에 붙어 발생하는 파티클 에러를 근본적으로 방지할 수 있어 레티클의 수명을 연장하고 노 광 공정의 정확도를 향상시킬 수 있으며 생산 수율을 향상시킬 수 있는 제 1의 효과가 있다.The present invention prevents particles from adhering onto a reticle in an exposure apparatus for forming a wafer pattern, and can fundamentally prevent particle errors caused by particles adhering to the reticle even during the exposure process, thereby extending the life of the reticle. There is a first effect that can improve the accuracy of the exposure process and improve the production yield.

또한, 본 발명은 노광 장비에 레티클에 교류 전류를 공급할 수 있는 전류 공급원만 별도로 추가하여 구성할 수 있으므로 장비의 교체가 불필요하며, 노광 공정의 정확도를 향상시킬 수 있어 공정의 신뢰도를 향상시킬 수 있는 제 2의 효과가 있다.In addition, the present invention can be configured by adding only a current supply source that can supply an alternating current to the reticle to the exposure equipment, it is unnecessary to replace the equipment, can improve the accuracy of the exposure process can improve the reliability of the process There is a second effect.

Claims (11)

투명 기판 상에 형성된 금속 패턴과;A metal pattern formed on the transparent substrate; 상기 투명 기판 상의 일면에 형성된 투명한 도전성 박막과;A transparent conductive thin film formed on one surface of the transparent substrate; 상기 투명한 도전성 박막에 교류전류를 인가하는 전류 공급원과;A current supply source for applying an alternating current to the transparent conductive thin film; 상기 투명 기판 상의 금속 패턴 상부에 형성된 펠리클;을 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클.And a pellicle formed over the metal pattern on the transparent substrate. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 투명한 도전성 박막은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(indium Zinc Oxide), ITZO(indium Tin Zinc Oxide) 중에서 선택된 어느 한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 레티클.The transparent conductive thin film is a reticle which is formed of any one material selected from indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and indium tin zinc oxide (ITZO). 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 투명한 도전성 박막은 양극과 음극이 교번되어 극성을 띄는 것을 특징으로 하는 레티클.The transparent conductive thin film is a reticle, characterized in that the anode and the cathode alternate polarity. 투명 기판 상에 금속 패턴이 형성되는 단계와;Forming a metal pattern on the transparent substrate; 상기 투명 기판 상의 일면에 투명한 도전성 박막을 형성하는 단계와;Forming a transparent conductive thin film on one surface of the transparent substrate; 상기 금속 패턴을 보호하는 펠리클을 형성하는 단계와;Forming a pellicle to protect the metal pattern; 상기 투명한 도전성 박막에 양극과 음극이 교번되는 교류 전류를 인가하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 레티클의 제조 방법.And applying an alternating current in which an anode and a cathode are alternately applied to the transparent conductive thin film. 삭제delete 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 투명한 도전성 박막은 상기 금속 패턴 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 레티클의 제조 방법.The transparent conductive thin film is a method of manufacturing a reticle, characterized in that formed under the metal pattern. 광원과;A light source; 상기 광원의 빛을 투과시키고 파티클의 부착을 방지하는 투명한 도전성 박막이 형성된 레티클과;A reticle on which a transparent conductive thin film is formed, which transmits light of the light source and prevents adhesion of particles; 상기 레티클에 교류 전류를 제공하는 전류 공급원과;A current source for providing an alternating current to said reticle; 상기 레티클을 투과한 빛을 축소 투영하여 웨이퍼에 조사하는 렌즈부와;A lens unit configured to irradiate the wafer by reducing and projecting the light transmitted through the reticle; 상기 웨이퍼를 지지하는 스테이지를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장비.And a stage for supporting the wafer. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 레티클은 질소 가스가 분사되어 파티클을 제거하는 파티클 제거기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장비.The reticle further includes a particle remover to remove particles by injection of nitrogen gas. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 전류 공급원은 상기 레티클이 양극과 음극이 교번되는 극성을 가지도록 교류 전류을 제공하는 것을 특징으로 하는 노광 장비.And the current source provides an alternating current such that the reticle has an alternating polarity of anode and cathode. 광원에서 발생된 빛이 레티클을 투과하고 축소 투영되어 웨이퍼에 노광을 하는 노광 장치를 구동하는 방법에 있어서,In the method for driving an exposure apparatus in which the light generated from the light source is transmitted through the reticle and reduced projection to expose the wafer, 상기 레티클에 교류 전류가 인가되어 레티클 전면에서 양극과 음극의 극성이 교번되어 발생하여 파티클의 부착을 방지하는 것을 특징으로 하는 노광 장비의 구동 방법.An alternating current is applied to the reticle and is generated by alternating polarities of the anode and the cathode in front of the reticle, thereby preventing the adhesion of particles. 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 레티클은 질소 가스가 분사되어 파티클이 제거되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장비.The reticle is exposure equipment, characterized in that the nitrogen gas is injected to remove the particles.
KR1020050132506A 2005-12-28 2005-12-28 Reticle and the fabrication method, the exposure equipment and the operating method by using it KR100711908B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050132506A KR100711908B1 (en) 2005-12-28 2005-12-28 Reticle and the fabrication method, the exposure equipment and the operating method by using it

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050132506A KR100711908B1 (en) 2005-12-28 2005-12-28 Reticle and the fabrication method, the exposure equipment and the operating method by using it

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100711908B1 true KR100711908B1 (en) 2007-04-27

Family

ID=38182449

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050132506A KR100711908B1 (en) 2005-12-28 2005-12-28 Reticle and the fabrication method, the exposure equipment and the operating method by using it

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100711908B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4537813A (en) * 1982-09-27 1985-08-27 At&T Technologies, Inc. Photomask encapsulation
US20030096173A1 (en) 2001-11-19 2003-05-22 Jiang-Fu Kao Mask structure and fabricating process thereof

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4537813A (en) * 1982-09-27 1985-08-27 At&T Technologies, Inc. Photomask encapsulation
US20030096173A1 (en) 2001-11-19 2003-05-22 Jiang-Fu Kao Mask structure and fabricating process thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6734443B2 (en) Apparatus and method for removing photomask contamination and controlling electrostatic discharge
JP4642726B2 (en) Immersion lithography method and system
US9658526B2 (en) Mask pellicle indicator for haze prevention
KR20130024878A (en) Photomask unit and method of manufacturing same
KR100935763B1 (en) Method of removing particle of pellicle
KR100849714B1 (en) Structure and method for manufacturing pellicle of photo-mask
US6656646B2 (en) Fabrication method of semiconductor integrated circuit device
JP2006091667A (en) Photomask, and method and device for cleaning the same
KR100711908B1 (en) Reticle and the fabrication method, the exposure equipment and the operating method by using it
JP2006040915A (en) Method and apparatus of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing electro-optical device
JPS6344824Y2 (en)
JP2003156836A (en) Photomask structure, exposure method and exposure system
KR101002318B1 (en) Mask for Manufacturing Liquid Crystal Display Panel
KR100950468B1 (en) Mask structure of semiconductor device
US20060194142A1 (en) Immersion lithography without using a topcoat
TWI771111B (en) Mask for a semiconductor lithography process, method of mask fabrication, and semiconductor lithography process
CN112835266B (en) Photomask carrying platform and exposure device
JP2012009668A (en) Method for manufacturing titanium-containing member, titanium-containing member, exposure device, and method for manufacturing device
KR100643422B1 (en) Lithography apparatus and patterning method using the same
JPH02269343A (en) Production of semiconductor integrated circuit device
KR0147426B1 (en) Photomask apparatus
KR20070051965A (en) A reticle for use in exposure process for substrate
KR200208744Y1 (en) Reticle without Pellicle
KR20040098753A (en) Reticle
US8368869B2 (en) Lithography apparatus with an optical fiber module

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100323

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee