KR101841994B1 - 도전성 필름의 제조 방법 및 발광 디바이스 - Google Patents
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Abstract
변형 후에 도전성이 방지되는 것이 도전성 필름을 제공하는 것이다.
도전성 필름의 제조 방법은 도전성 필름의 기재가 되는 지지체를 준비하는 준비 단계와, 도전성 필름이 미리 정해진 형상으로 변형될 경우에 지지체의 연신면이 연신되는 연신량을 취득하는 변형 정보 취득 단계와, 변형 정보 취득 단계에 있어서 취득된 연신량에 의거하여 도전성 필름이 미리 정해진 형상으로 변형될 경우에 연신면이 보다 연신되는 영역에, 보다 조밀하게 배선된 금속 배선을 형성하는 배선 형성 단계를 구비한다.
도전성 필름의 제조 방법은 도전성 필름의 기재가 되는 지지체를 준비하는 준비 단계와, 도전성 필름이 미리 정해진 형상으로 변형될 경우에 지지체의 연신면이 연신되는 연신량을 취득하는 변형 정보 취득 단계와, 변형 정보 취득 단계에 있어서 취득된 연신량에 의거하여 도전성 필름이 미리 정해진 형상으로 변형될 경우에 연신면이 보다 연신되는 영역에, 보다 조밀하게 배선된 금속 배선을 형성하는 배선 형성 단계를 구비한다.
Description
본 발명은 도전성 필름의 제조 방법 및 발광 디바이스에 관한 것이다.
도전성 잉크를 스크린 인쇄로 회로 패턴을 인쇄하는 기술이 알려져 있다(예컨대, 인용문헌 1 참조.). 또한, 기재에 형성되는 도전층 패턴의 라인 피치를 기재 상의 특정 영역과 주변 영역에서 다르게 하는 기술이 알려져 있다(예컨대, 특허 문헌 2 참조).
회로 패턴 등의 도전 패턴이 형성된 기판을 변형하면 변형 부분의 도전성이 변화되어 버릴 경우가 있다. 예컨대, 변형함으로써 저항값이 균일하지 않게 되면 통전시에 국소적인 발열이 생길 경우가 있다. 또한, 도전 패턴이 발광 디바이스용의 전극일 경우 저항값이 균일하지 않게 되면 발광 불균일이 생겨버릴 경우가 있다.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서는 도전성 필름의 제조 방법으로서, 도전성 필름의 기재가 되는 지지체를 준비하는 준비 단계와, 도전성 필름이 미리 정해진 형상으로 변형될 경우에 지지체의 연신면이 연신되는 연신량을 취득하는 변형 정보 취득 단계와, 변형 정보 취득 단계에 있어서 취득된 연신량에 의거하여 도전성 필름이 미리 정해진 형상으로 변형될 경우에 연신면이 보다 연신되는 영역에 보다 조밀하게 배선된 금속 배선을 형성하는 배선 형성 단계를 구비한다.
준비 단계는 곡면 변형되는 도전성 필름의 기재가 되는 지지체를 준비하고, 변형 정보 취득 단계는 도전성 필름이 미리 정해진 곡면 형상으로 변형될 경우에 연신면이 연신되는 연신량을 취득하고, 배선 형성 단계는 도전성 필름이 미리 정해진 곡면 형상으로 변형될 경우에 연신면이 보다 연신되는 영역에 보다 조밀하게 배선된 금속 배선을 형성해도 좋다.
변형 정보 취득 단계는 미리 정해진 곡면 형상의 곡률을 나타내는 정보를 취득하고, 배선 형성 단계는 연신면에 있어서 곡률이 보다 큰 영역에 보다 조밀하게 배선된 금속 배선을 형성해도 좋다.
배선 형성 단계는 연신면이 보다 연신되는 영역에 보다 큰 폭을 갖는 복수의 금속 배선을 형성해도 좋다. 연신면이 보다 연신되는 영역에 연신 방향에 직교하는 방향의 폭이 보다 큰 복수의 금속 배선을 형성해도 좋다.
배선 형성 단계는 연신면이 보다 연신되는 영역에 복수의 금속 배선을 보다 높은 수밀도(數密度)로 형성해도 좋다. 배선 형성 단계는 연신면이 보다 연신되는 영역에 복수의 금속 배선을 연신 방향으로 보다 높은 수밀도로 형성해도 좋다.
배선 형성 단계는 은염 감광재를 함유하는 은염 감광층을 지지체의 표면에 형성하는 단계와, 은염 감광층의 금속 배선이 되는 영역을 선택적으로 노광하는 단계와, 노광 후의 은염 감광층을 현상 처리함으로써 금속 배선으로서의 은배선을 형성하는 단계를 가져도 좋다.
준비 단계는 수광성을 갖는 지지체를 준비해도 좋다. 준비 단계는 착색된 지지체를 준비해도 좋다. 준비 단계는 연신면이 보다 연신되는 영역에 보다 짙게 착색된 지지체를 준비해도 좋다. 준비 단계는 연신면이 보다 연신되는 영역에 착색재를 보다 짙게 인쇄하는 단계를 가져도 좋다.
금속 배선이 배선된 도전성 필름을 미리 정해진 형상으로 변형하는 단계를 더 구비해도 좋다.
본 발명의 제 2 실시형태에 있어서는 발광 디바이스로서, 복수의 금속 배선을 포함하는 금속 전극 및 복수의 금속 배선 사이의 수광부를 가지며 미리 정해진 형상으로 변형된 도전성 필름과, 도전성 필름의 금속 전극이 형성된 면에 대향하여 배면 전극이 형성된 배면 기판과, 배면 전극과 도전성 필름 사이에 설치되어 복수의 금속 배선과 배면 전극 사이에 전압이 인가됨으로써 발광하는 발광층을 구비하고, 도전성 필름은 미리 정해진 형상으로 변형될 경우에 보다 연신되는 연신면 상의 영역에 보다 조밀하게 배선되어 변형에 의해 연신된 복수의 금속 배선을 갖는다.
복수의 금속 배선은 곡면 변형에 의해 보다 큰 곡률로 변형되는 연신면 상의 영역에 보다 조밀하게 배선되어도 좋다. 복수의 금속 배선은 연신면이 보다 연신되는 영역에 보다 큰 폭의 금속 배선이 배선되어도 좋다. 복수의 금속 배선은 연신면이 보다 연신되는 영역에 보다 높은 밀도로 배선된다.
도전성 필름은 수광성을 갖는 지지체를 더 갖고, 복수의 금속 배선은 지지체의 표면에 형성된 은염 감광재를 함유하는 은염 감광층을 노광하여 현상 처리함으로써 형성된 은배선이어도 좋다.
도전성 필름은 연신면이 보다 연신되는 영역에 보다 짙게 착색되어 변형에 의해 연신된 착색층을 가져도 좋다. 발광층은 일렉트로루미네선스 소자(electroluminescence element)를 포함해도 좋다. 일렉트로루미네선스 소자는 유기 일렉트로루미네선스 소자이어도 좋다.
또한, 상기의 발명의 개요는 본 발명의 필요한 특징 모두를 열거한 것이 아니다. 또한, 이들의 특징군의 서브콤비네이션도 또한 발명이 될 수 있다.
도 1은 일실시형태에 의한 도전성 필름의 일예를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 도전성 필름(10)에 형성된 금속 배선의 일예를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 도전성 필름(12)의 일예를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 도전성 필름(10)에 형성된 금속 배선의 다른 일예를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 도전성 필름(12)의 일예를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 6은 지지체(100)의 색 농도 분포의 일예를 나타낸 도면이다.
도 7은 지지체(100) 상에 금속 배선을 형성하는 방법의 일예를 나타낸 도면이다.
도 8은 도전성 필름(12)의 제조 공정의 일예를 나타낸 도면이다.
도 9는 도전성 필름(10)에 의해 제조된 조명 장치(1)의 구성을 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 도전성 필름(10)에 형성된 금속 배선의 일예를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 도전성 필름(12)의 일예를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 도전성 필름(10)에 형성된 금속 배선의 다른 일예를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 도전성 필름(12)의 일예를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 6은 지지체(100)의 색 농도 분포의 일예를 나타낸 도면이다.
도 7은 지지체(100) 상에 금속 배선을 형성하는 방법의 일예를 나타낸 도면이다.
도 8은 도전성 필름(12)의 제조 공정의 일예를 나타낸 도면이다.
도 9는 도전성 필름(10)에 의해 제조된 조명 장치(1)의 구성을 모식적으로 나타낸 도면이다.
이하, 발명의 실시형태를 통해서 본 발명을 설명하지만 이하의 실시형태는 특허 청구의 범위에 의한 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한, 실시형태 중에서 설명되어 있는 특징의 조합 모두가 발명의 해결 수단에 필수적이다라고는 할 수 없다.
도 1은 일실시형태에 의한 도전성 필름의 일예를 모식적으로 나타낸다. 본 실시형태에 있어서 복수의 금속 배선에 의해 도전성이 주어진 도전성 필름이 제시된다.
도전성 필름(10)은 지지체(100), 도전부(110), 및 도전부(120)를 구비한다. 도전성 필름(10)은 지지체(100)에 도전부(110) 및 도전부(120)를 형성함으로써 제조된다. 예컨대, 지지체(100)의 적어도 한쪽 면상에 도전부(110) 및 도전부(120)를 형성함으로써 도전성 필름(10)이 제조된다.
지지체(100)는 도전성 필름(10)의 기재가 된다. 지지체(100)는 변형가능한 재료로 형성되어 있다. 예컨대, 지지체(100)는 곡면에 변형가능한 플렉시블한 기재로 한다.
도전성 필름(10)이 제조된 후, 도전성 필름(10)을 미리 정해진 형상으로 변형함으로써 지지체(102), 도전부(112), 및 도전부(122)를 구비하는 도전성 필름(12)이 제조된다. 지지체(102)는 도전성 필름(10)을 변형함으로써 지지체(100)가 변형된 것에 대응한다.
여기서, 도전부(110)는 지지체(100) 상의 영역 중 도전성 필름(10)을 변형했을 경우에 지지체(100)가 변형되는 영역 상에 형성되어 있다. 한편, 도전부(120)는 지지체(100) 상의 영역 중 도전성 필름(10)을 변형했을 경우에 지지체(100)가 변형되지 않는 영역 상에 형성된다. 예컨대, 도전부(110) 및 도전부(120)는 지지체(100) 상에 복수의 금속 배선이 메쉬상으로 배치되어 형성된다.
따라서, 도전부(112)는 도전성 필름(10)을 변형함으로써 도전부(110)가 변형된 것에 대응한다. 예컨대, 변형에 의해 지지체(100)가 연신되는 면에 도전부(110)가 형성되어 있을 경우, 도전부(110)는 상기 변형에 의해 지지체(100)와 함께 연신된다. 따라서, 도전부(112)는 도전부(110)가 지지체(100)의 연신 방향으로 연장된 것에 대응한다. 따라서, 도전부(112)에는 지지체(100)의 연신 방향으로는 선폭이 확대되면서 도전부(110)보다도 저피치로 배치된 금속 배선이 포함된다.
한편, 도전부(120)는 도전성 필름(10)을 변형해도 지지체(100)의 변형이 생기지 않는 면에 형성되어 있다. 이 때문에, 도전부(112)를 형성하는 금속 배선의 선폭 및 피치는 도전부(120)와 실질적으로 거의 동등하다.
도시된 바와 같이, 도전부(110)는 도전부(112)보다도 금속 배선을 보다 조밀하게 배치함으로써 형성된다. 금속 배선의 밀도를 선폭 방향의 단위 길이당 금속 배선이 점유하는 길이로 정의하면 금속 배선을 굵게 함으로써 금속 배선은 고밀도로 배치되게 된다. 이 때문에, 보다 굵은 금속 배선을 배치하는 것은 금속 배선을 보다 조밀하게 배치하는 것으로 간주할 수 있다. 따라서, 금속 배선을 보다 조밀하게 배치하는 것은 금속 배선을 보다 높은 수밀도로 배치하는 것, 및 보다 굵은 금속 배선을 배치하는 것 중 적어도 한쪽의 개념을 포함한다.
만약, 도전성 필름(10)과는 달리 변형하는 부분의 도전부의 금속 배선을 균일한 밀도로 배치해서 도전성 필름을 제조했을 경우를 고려한다. 이 경우, 도전성 필름의 변형 전후에서 전기 특성이 변화된다. 예컨대, 변형되는 영역에 형성된 금속 배선의 단체(單體)의 전기 저항은 변형 전보다도 증가한다. 이 때문에, 변형하지 않는 영역보다도 도전부의 전기 저항이 높게 되어 버린다. 즉, 도전성 필름의 변형 후의 전기 저항이 면 내에서 불균일하게 되어 버린다. 이 때문에, 예컨대, 변형된 도전성 필름을 히터의 발열체로서 사용했을 경우에는 발열 불균일이 커져 버린다. 또한, 후술하는 바와 같이 발광 디바이스의 전극 기판으로서 사용했을 경우에는 발광 불균일이 커져 버린다. 또한, 변형된 도전성 필름을 전자 실드로서 사용했을 경우에 전자 차폐 효과가 얻어지지 않는 영역이 생겨 버릴 가능성이 있다.
이에 대해, 도전성 필름(10)과 같이 도전부(110)의 금속 배선을 미리 보다 조밀하게 배치함으로써 도전부(112)의 전기 저항이 도전부(122)보다도 현저하게 증가하는 것을 미연에 방지할 수 있다. 즉, 도전성 필름(12)의 전기 저항을 면 내에서 비교적으로 균일하게 할 수 있다. 이 때문에, 도전성 필름(12)의 도전부를 히터의 발열체로서 사용했을 경우에는 발열 불균일을 억제할 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같이 발광 디바이스의 전극 기판으로서 도전성 필름(12)을 사용했을 경우에는 발광 불균일을 억제할 수 있다. 또한, 도전성 필름을 전자 실드로서 도전성 필름(12)을 사용했을 경우에 전체에 걸쳐서 균일한 전자 차폐 효과를 얻을 수 있다.
또한, 보다 굵은 금속 배선으로 도전부(110)를 형성함으로써 변형 후에 배선이 현저하게 가늘게 되어 버리는 것을 미연에 방지할 수 있다. 이 때문에, 변형시에 단선되는 위험성을 현저하게 저감할 수 있다. 예컨대, 도전성 필름(12)을 히터의 발열체로서 사용할 경우라면, 상술한 바와 같이 전기 저항이 비교적으로 균일하게 되는데다가 금속 배선도 현저하게 가늘게는 되지 않으므로, 도전성 필름(12)의 실사용 중에 국소적으로 발열이 생겨서 금속 배선이 단선되어버릴 가능성을 현저하게 저감할 수 있다.
도 2는 도전성 필름(10)에 형성된 금속 배선의 일예를 모식적으로 나타낸다. 여기서는, 도전성 필름(10)의 금속 배선을 이해하기 쉽게 나타내는 것을 목적으로 하여 도 1에 모식적으로 나타낸 도전성 필름(10)보다도 금속 배선이 저밀도로 배치된 상태가 도시되어 있다. 또한, 발명을 이해하기 쉽게 설명하는 것을 목적으로 하여 본 실시형태의 설명에서 이용되는 도면에 걸쳐 도전성 필름의 변형 후의 형상, 금속 배선의 배치예 등이 강조해서 나타내어져 있는 것에 주의해야 한다.
도전성 필름(10)의 일면 상에는 복수의 금속 배선(200a~j) 및 복수의 금속 배선(210a~d)이 형성되어 있다. 도전성 필름(12)이 제조될 경우에 도전성 필름(10)이 변형되는 영역이 영역(250)으로서 나타내어져 있다. 복수의 금속 배선(200) 및 복수의 금속 배선(210)은 영역(250) 상에서는 선폭이 보다 굵게 형성된다. 이렇게, 지지체(100) 상에는 지지체(100)의 연신면이 보다 연신되는 영역(250)에 보다 큰 폭을 갖는 복수의 금속 배선(200) 및 금속 배선(210)이 형성된다. 일예로서, 금속 배선(200) 및 금속 배선(210)은 영역(250)에서 동일한 선폭으로 형성되어도 좋지만, 다른 선폭으로 형성되어도 좋다는 것은 말할 필요도 없다.
또한, 금속 배선(200) 및 금속 배선(210)은 영역(250) 이외의 영역에서는 영역(250)의 근방 영역을 제외하고 동일한 선폭으로 형성되어도 좋다. 금속 배선(200) 및 금속 배선(210)은 영역(250) 이외의 전 영역에 있어서 동일한 선폭으로 형성되어도 좋다.
도 3은 도전성 필름(12)의 일예를 모식적으로 나타낸다. 본 도면에는 도전성 필름(12)의 일단면으로서, 도 2의 A-A단면에 대응하는 단면이 나타내어져 있다. 도전성 필름(12)에는 금속 배선(200a~j)에 각각 대응하는 금속 배선(202a~j)이 형성되어 있다.
금속 배선(200a~c) 및 금속 배선(200h~j)은 지지체(100) 상의 영역(250) 이외의 영역에 형성되므로, 도전성 필름(10)을 변형했을 경우에 실질적으로 연신되지 않는다. 따라서, 금속 배선(200a~c) 및 금속 배선(200h~j)은 도전성 필름(12)에 있어서 금속 배선(202a~c) 및 금속 배선(202h~j)이 되고, 선폭은 변형 전후에서 실질적으로 변화되지 않는다.
한편, 금속 배선(200d~g)은 지지체(100) 상의 영역(250)에 형성되어 도전성 필름(10)을 변형했을 경우에 실질적으로 연신된다. 따라서, 금속 배선(200d~g)은 도전성 필름(12)에 있어서 금속 배선(202d~g)이 되고, 선폭은 변형에 의해 실질적으로 증대된다.
금속 배선(202d~g)은 금속 배선(200d~g)이 연신한 것이기 때문에 전기 저항은 변형에 의해 증가한다. 그러나, 이미 설명한 바와 같이 변형 전의 도전성 필름(10)에서는 금속 배선(200d~g)은 금속 배선(200a~c) 및 금속 배선(200h~j)보다도 굵은 선폭으로 형성된다. 즉, 금속 배선(200d~g)은 금속 배선(200a~c) 및 금속 배선(200h~j)보다도 전기 저항이 작아지도록 미리 형성된다. 따라서, 도전성 필름(10)의 변형은 도전성 필름(12) 상의 금속 배선(202)의 전기 저항을 균일화하는 방향으로 작용한다.
또한, 영역(250)에 있어서의 금속 배선(210a~d)의 전기 저항에 대해서도 같다. 즉, 도전성 필름(10)을 변형했을 경우 금속 배선(210a~d)은 영역(250)에서는 실질적으로 연신되지만 영역(250) 이외의 영역에서는 실질적으로는 연신되지 않는다. 따라서, 금속 배선(210a~d)의 전기 저항은 영역(250)에서는 변형에 의해 실질적으로 증대되지만 영역(250) 이외의 영역에서는 변형에 의해 실질적으로 변화되지 않는다.
그러나, 변형 전의 도전성 필름(10)의 금속 배선(210a~d)은 영역(250)에서는 영역(250) 이외의 영역보다도 굵은 선폭으로 형성되어 있다. 즉, 영역(250)에 있어서의 금속 배선(210a~d)은 영역(250) 이외의 영역에 있어서의 금속 배선(210a~d)보다도 전기 저항이 작아지도록 미리 형성된다. 따라서, 도전성 필름(10)의 변형은 도전성 필름(12) 상의 A-A방향을 따른 금속 배선(210)의 전기 저항을 균일화하는 방향으로 작용한다.
이 때문에, 변형 전과 비교하면 도전성 필름(12)에 있어서의 도전부의 전기 저항은 도전성 필름(10)의 변형에 의해 균일화된다. 금속 배선(200) 및 금속 배선(210)을 형성하는 금속 선재가 연신함에 의한 전기 저항의 증가율, 및 도전성 필름(10)의 변형에 의한 영역(250)의 연신량에 의거하여 영역(250)에 형성하는 금속 배선(200) 및 금속 배선(200d~g)의 선폭을 설정해 둠으로써 도전성 필름(12)에 있어서의 도전부의 전기 저항을 실질적으로 같게 할 수도 있다.
도 4는 도전성 필름(10)에 형성된 금속 배선의 다른 일예를 모식적으로 나타낸다. 본 예에서는 영역(250)에서의 금속 배선의 수밀도가 영역(250) 이외에서의 금속 배선의 수밀도보다 높게 되어 있다. 한편으로, 영역(250)에서의 금속 배선의 선폭은 영역(250) 이외에서의 금속 배선의 선폭과 동일하게 한다. 도전성 필름(10)의 일면 상에는 복수의 금속 배선(200a~l)이 지지체(100)의 연신 방향에 직교하는 방향을 따라 나열되어 형성되어 있다. 또한, 지지체(100)의 연신 방향에 따른 방향에는 영역(250) 이외의 영역에서는 복수의 금속 배선(210a~d)이, 영역(250)에서는 금속 배선(220a~d)이 형성되어 있다.
영역(250) 상에는 복수의 금속 배선(200d~i) 및 복수의 금속 배선(220)이 영역(250) 이외의 영역보다도 높은 수밀도로 형성된다. 이렇게, 지지체(100) 상에는 지지체(100)의 연신면이 보다 연신되는 영역(250)에 복수의 금속 배선(200) 및 복수의 금속 배선(220)이 보다 높은 밀도로 형성된다. 일예로서, 영역(250)에서는 금속 배선(200) 및 금속 배선(220)이 동일한 수밀도로 형성되어도 좋지만 다른 수밀도로 형성되어도 좋은 것은 말할 필요도 없다.
또한, 영역(250) 이외의 영역에서는 금속 배선(200) 및 금속 배선(210)은 동일한 수밀도로 형성되어도 좋다. 금속 배선(200) 및 금속 배선(210)은 영역(250) 이외의 전영역에 있어서 동일한 수밀도로 형성되어도 좋다.
도 5는 도전성 필름(12)의 일예를 모식적으로 나타낸다. 본 도면에는 도전성 필름(12)의 일단면으로서 도 4의 A-A단면에 대응하는 단면이 나타내어져 있다. 도전성 필름(12)에는 금속 배선(200a~l)에 대응하는 금속 배선(202a~l)이 형성되어 있다.
금속 배선(200a~c) 및 금속 배선(200j~l)은 지지체(100) 상의 영역(250) 이외의 영역에 형성되므로, 도전성 필름(10)을 변형했을 경우에 실질적으로 연신되지 않는다. 또한, 영역(250) 이외의 영역의 지지체(100)도 실질적으로는 연신되지 않는다. 따라서, 금속 배선(200a~c) 및 금속 배선(200j~l)은 도전성 필름(12)에 있어서 금속 배선(202a~c) 및 금속 배선(202j~l)이 되고, 금속 배선의 수밀도는 변형 전후에서 실질적으로 변화되지 않는다. 또한, 금속 배선(200a~c) 및 금속 배선(200j~l)은 변형 전후에서 선폭도 실질적으로 변화되지 않는다.
한편, 금속 배선(200d~i)은 지지체(100) 상의 영역(250)에 형성되어 도전성 필름(10)을 변형했을 경우에 실질적으로 연신된다. 따라서, 금속 배선(200d~i)은 도전성 필름(12)에 있어서 금속 배선(202d~i)이 되고, 변형에 의해 배선 피치가 실질적으로 증대된다. 또한, 금속 배선(200d~i)은 도전성 필름(12)에 있어서 금속 배선(202d~i)이 되고, 선폭도 변형에 의해 실질적으로 증대된다.
금속 배선(202d~i)은 금속 배선(200d~i)이 연신한 것이기 때문에 전기 저항은 변형에 의해 증가된다. 그러나, 이미 설명한 바와 같이 변형 전의 도전성 필름(10)에서는 금속 배선(200d~i)은 금속 배선(200a~c) 및 금속 배선(200j~l)보다도 높은 수밀도로 형성된다. 즉, 금속 배선(200d~i)은 금속 배선(200a~c) 및 금속 배선(200h~j)보다도 전체적인 전기 저항이 작아지도록 미리 형성된다. 예컨대, 금속 배선(200d~i)이 형성된 영역(250) 내에서의 단위 길이당 전기 저항은 영역(250) 이외의 영역 내의 단위 길이당 전기 저항보다도 작다. 따라서, 도전성 필름(10)의 변형은 도전성 필름(12) 상의 금속 배선(202)의 전기 저항을 균일화하는 방향으로 작용한다.
또한, 영역(250)에 있어서의 금속 배선(210a~d), 금속 배선(220a~d)의 전기 저항에 대해서도 같다. 즉, 도전성 필름(10)을 변형했을 경우 영역(250)에 형성된 금속 배선(220a~d)은 실질적으로 연신되지만 영역(250) 이외의 영역에 형성된 금속 배선(210a~d)은 실질적으로는 연신되지 않는다. 따라서, 금속 배선(220a~d)의 전기 저항은 변형에 의해 실질적으로 증대되지만 금속 배선(210a~d)은 도전성 필름(10)의 변형에 의해 실질적으로 변화되지 않는다.
그러나, 변형 전의 도전성 필름(10)의 금속 배선(220a~d)은 금속 배선(210a~d)보다도 높은 수밀도로 형성된다. 즉, 금속 배선(220a~d)은 금속 배선(210a~d)보다도 전체적인 전기 저항이 작아지도록 미리 형성된다. 따라서, 도전성 필름(10)의 변형은 도전성 필름(12) 상의 A-A방향을 따른 방향의 금속 배선의 전기 저항을 균일화하는 방향으로 작용한다.
이 때문에, 변형 전과 비교하면 도전성 필름(12)에 있어서의 도전부의 전기 저항은 도전성 필름(10)의 변형에 의해 균일화된다. 금속 배선(200) 및 금속 배선(220)을 형성하는 금속 선재가 연신함에 의한 전기 저항의 증가율, 및 도전성 필름(10)의 변형에 의한 영역(250)의 연신량에 의거하여 영역(250)에 형성되는 금속 배선(220a~d) 및 금속 배선(200d~j)의 수밀도를 설정해 둠으로써 도전성 필름(12)에 있어서의 도전부의 전기 저항을 실질적으로 같게 할 수도 있다.
여기서, 도 2의 예에서는 금속 배선(200) 및 금속 배선(210)의 선폭을 영역(250) 이외의 영역보다도 영역(250)에 있어서 굵게 하는 것으로 하였다. 다른 예에서는 금속 배선(200) 및 금속 배선(210)의 한쪽의 선폭을 영역(250) 이외의 영역보다도 영역(250)에 있어서 굵게 해도 좋다.
또한, 도 4의 예에서는 영역(250)에 형성되는 금속 배선(220) 및 금속 배선(200)의 수밀도를 영역(250) 이외의 영역에 형성되는 금속 배선(200) 및 금속 배선(210)보다도 높게 했다. 다른 예에서는 영역(250)에 형성되는 금속 배선(220) 및 금속 배선(200)의 한쪽의 수밀도를 영역(250) 이외의 영역에 형성되는 금속 배선(200) 및 금속 배선(210)보다도 높게 해도 좋다.
이들 실시형태의 이외에도 영역(250)에 형성되는 금속 배선의 선폭 및 수밀도를 영역(250) 이외의 영역보다도 높게 해도 좋다. 예컨대, 도 2의 예에 있어서 금속 배선(200) 및 금속 배선(210)의 적어도 한쪽의 선폭 및 수밀도를 영역(250) 이외의 영역보다도 영역(250)에 있어서 높일 수 있다.
이외에도, 영역(250)에 있어서 금속 배선의 선폭을 굵게 할지 수밀도를 높게 할지를 금속 배선이 배치된 방향, 및 지지체(100)의 연신 방향에 의거하여 정해도 좋다. 예컨대, 도 2에서 나타낸 금속 배선(210)과 같이 지지체(100)의 연신 방향을 따르는 방향으로 형성된 금속 배선에 대해서는 영역(250) 이외의 영역보다 영역(250)에 있어서 선폭을 굵게 해도 좋다. 한편, 연신 방향에 직교하는 방향을 따라 형성된 금속 배선(200)에 대해서는 도 4의 금속 배선(200d~i)에서 나타낸 바와 같이 금속 배선의 수밀도를 높여도 좋다.
이와 같이, 영역(250)에서는 연신 방향에 직교하는 방향의 폭이 보다 큰 금속 배선을 형성하는 것이 바람직하다. 특히, 금속 배선이 그리드 상으로 배선되었을 경우, 연장 방향에 평행한 방향으로 배치된 금속 배선은 연신 방향에 직교하는 방향의 선폭을 굵게 해도 좋다. 그리고, 연신 방향에 직교하는 방향으로 배선된 금속 배선은 높은 수밀도로 형성해도 좋다.
예컨대, 도전성 필름(12)을 플라즈마 디스플레이 장치 등의 표시 디바이스의 전자 실드, 발광 디바이스, 차량의 헤드라이트의 히터 등에 사용할 경우 도전성 필름(12)은 광투과성을 가질 필요가 있다. 이 경우, 연신 방향에 직교하는 방향에 따른 금속 배선의 선폭을 굵게 하면 변형함으로써 선폭이 더욱 굵어져 광을 투과하지 않는 금속 배선이 눈에 띄게 되버릴 경우가 있다.
따라서, 연신 방향을 따라 배치된 금속 배선은 선폭을 굵게 하면서 다른 쪽을 따라 배치된 금속 배선의 수밀도를 높게 함으로써 금속 배선이 눈에 띄게 되버리는 것을 미연에 방지할 수 있을 경우가 있다. 게다가는, 변형 후에 금속 배선의 선폭이 전영역에 걸쳐 거의 일정하게 되도록 연신 방향에 직교하는 방향으로 배선된 금속 배선의 선폭을 영역(250) 이외의 영역의 금속 배선의 선폭보다 작게 해도 좋다. 영역(250)에 있어서 변형에 의해 단선되지 않을 정도의 선폭이 적어도 확보되어 있는 것을 조건으로 하여 도전성 필름(12)의 광투과 특성의 점에서는 효과적이 되는 경우가 있다.
도 6은 지지체(100)의 색 농도 분포의 일예를 모식적으로 나타낸다. 본 도면에는 도전부(110) 및 도전부(120)가 형성되는 면 상의 색 농도 분포의 일예를 나타내고 있다. 지지체(100)는 연신면이 보다 연신되는 영역(250)에 보다 짙게 착색되어 있다. 도전성 필름(12)을 제조하기 위해 도전성 필름(10)을 변형함으로써 영역(250)이 연신되었을 경우 영역(250)의 색 농도는 저하된다. 한편, 영역(250) 이외의 영역은 도전성 필름(10)을 변형해도 실질적으로는 연신되지 않으므로 색 농도는 저하되지 않는다.
따라서, 도전성 필름(10)의 변형은 도전성 필름(12) 상의 색 농도가 균일화하는 방향으로 작용한다. 그리고, 지지체(100)의 연신량에 따른 색 농도의 저하율, 및 도전성 필름(10)의 변형에 의한 영역(250)의 연신량에 의거하여 영역(250)의 색 농도를 설정해 둠으로써 변형 후의 도전성 필름(12)에 있어서의 지지체(102)의 색 농도를 실질적으로 균일하게 할 수도 있다.
색 농도가 균일화됨으로써 예컨대 도전성 필름(12)을 발광 디바이스의 전극 기판으로서 사용했을 경우 색 불균일을 억제할 수 있다. 또한, 차량의 헤드라이트 등의 수광성을 갖는 히터로서 도전성 필름(12)을 이용했을 경우 투과 광량의 불균일을 억제할 수 있다.
도 7은 지지체(100) 상에 금속 배선을 형성하는 방법의 일예를 나타낸다. 본 제조 방법에 의하면, 금속 배선은 지지체(100)의 표면에 형성된 은염 감광재를 함유하는 은염 감광층을 노광하여 현상 처리함으로써 형성된 은재로 형성된다. 본 도면 및 도 8에 관련하여, 금속 배선(200)을 형성하는 것으로서 일실시형태에 의한 금속 배선의 형성 방법을 설명하지만, 금속 배선(210) 및 금속 배선(220)의 형성 방법도 같은 것으로 한다.
구체적으로는, 할로겐화은(710)을 젤라틴(730)에 혼합하여 이루어지는 은염 감광층(740)을 지지체(100) 상에 도포한다. 할로겐화은(710)으로서는 취화은 입자, 염취화은 입자, 옥취화은 입자를 예시할 수 있다. 또한, 본 도면에서는 할로겐화은(710)을 포함하는 것을 점으로 표기하고 있지만, 어디까지나 제조 방법의 이해를 돕기 위해서 과장해서 나타낸 것으로서 크기, 농도, 입자 위치 등을 나타낸 것이 아니다.
그리고, 지지체(100)를 평면 상태로 유지하고, 은염 감광층(740)에 대하여 금속 배선(200)의 배선 패턴에 대응하는 미리 정해진 패턴으로 노광한다. 예컨대, 은염 감광층(740)에 대하여 금속 배선(200)이 형성되어야 할 위치를 노광한다. 보다 구체적으로는 은염 감광층(740)에 대하여 금속 배선(200)의 배선 패턴에 대응한 마스크 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 노광해도 좋다. 할로겐화은(710)은 광 에너지를 받으면 감광하여 「잠상」으로 호칭되는 육안으로는 관찰할 수 없는 미소한 은핵을 생성한다.
그리고, 잠상을 육안으로 관찰할 수 있는 패턴화된 화상으로 증폭하기 위하여 현상 처리를 시행한다. 구체적으로는, 잠상이 형성된 은염 감광층(740)을 현상액에 의해 현상 처리한다. 현상액으로서는 알카리성 용액을 이용할 수 있지만 현상액으로서 산성 용액을 이용해도 좋다. 이 현상 처리는 할로겐화은 입자 내지 현상액으로부터 공급된 은 이온이 현상액 중의 현상 주약으로 불리는 환원제에 의해 잠상 은핵을 촉매핵으로 하여 금속은으로 환원되어서 그 결과로서 잠상 은핵이 증폭되어서 패턴화된 현상 은(750)을 형성한다.
현상 처리 후, 은염 감광층(740) 중에는 광에 감광할 수 있는 할로겐화은(710)이 잔존하므로 이것을 제거한다. 구체적으로는 정착 처리액에 의해 정착 처리를 시행한다. 정착 처리액으로서는 산성 용액을 이용할 수 있지만 정착 처리액으로서 알카리성 용액을 이용할 수도 있다.
정착 처리를 시행함으로써 노광된 부위에는 금속은부(760)가 형성된다. 그리고, 정착 처리를 시행함으로써 노광되어 있지 않은 부위로부터 할로겐화은(710)이 실질적으로 제거되어 노광되어 있지 않은 부위에는 젤라틴(730)이 잔존하여 광투과성부(780)가 된다. 즉, 지지체(100) 상에 금속은부(760)와 광투과성부(780)의 조합이 형성되게 된다. 금속은부(760)는 도전성 필름(10)에 있어서의 금속 배선(200)이 된다.
할로겐화은(710)으로서 취화은을 이용하여 티오황산염으로 정착 처리했을 경우의 정착 처리의 반응식은 AgBr(고체)+2개의 S2O3이온 → Ag(S2O3)2(역수용성착체)로 표현된다.
즉, 2개의 티오황산이온(S2O3)과 AgBr로부터의 젤라틴(730) 중 은 이온이 티오황산은착체를 생성한다. 티오황산은착체는 수용성이 비교적으로 높으므로 젤라틴(730) 중으로부터 용출되게 된다. 그 결과, 현상 은(750)이 금속은부(760)로서 정착되어서 남게 된다.
따라서, 현상 공정은 잠상에 대하여 환원제를 반응시켜서 현상 은(750)을 석출시키는 공정이며, 정착 공정은 현상 은(750)이 안된 할로겐화은(710)을 물에 용출시키는 공정으로 간주할 수 있다. 상세는 T. H. James, The Theory of the Photographic Process, 4th ed., Macmillian Publishing Co., Inc, NY, Chapter15, pp. 438-442.1977 을 참조하고 싶다.
또한, 현상 처리는 많은 경우에 알카리성 용액으로 행하여지기 때문에 현상 처리 공정으로부터 정착 처리 공정으로 들어갈 경우에 현상 처리에 의해 부착된 알칼리 용액이 많은 경우에 산성 용액인 정착 처리 용액에 갖고 들어가지므로 정착 처리액의 활성이 변한다는 문제가 있다. 또한, 현상 처리 탱크를 나온 후 막에 잔류된 현상액에 의해 의도하지 않은 현상 반응이 더욱 진행될 염려도 있다. 따라서, 현상 처리 후에 정착 처리 공정에 들어가기 전에 초산 용액 등의 정지액으로 은염 감광층(740)을 중화 혹은 산성화하는 것이 바람직하다.
또한, 도금 처리를 시행하여 금속은부(760)에 도전성 금속을 담지시켜도 좋다. 이 경우, 금속 배선(200)은 지지체(100) 상에 금속은부(760)와, 상기 금속은부(760)에 담지된 도전성 금속에 의해 형성된다. 도금 처리로서는 무전해 도금, 전기 도금, 또는 무전해 도금 및 전기 도금의 조합을 예시할 수 있다.
본 도면에 관련하여, 할로겐화은 사진 감광 재료를 이용한 금속 배선(200)의 형성 방법을 설명했지만, 금속 배선(200)을 형성하는 다른 방법으로서는 지지체(100) 상에 형성된 동박 상의 포토레지스트막을 노광, 현상 처리하여 레지스트 패턴을 형성하고, 레지스트 패턴으로부터 노출되는 동박을 에칭함으로써 금속 배선(200)의 배선 패턴을 형성해도 좋다. 그 외에도, 금속 배선(200) 상에 금속 미립자를 포함하는 페이스트를 인쇄하고, 페이스트에 금속 도금을 행함으로써 금속 배선(200)의 배선 패턴을 형성해도 좋다. 그 외에도, 지지체(100)에 금속 배선(200)의 배선 패턴을 스크린 인쇄판 또는 그라비어 인쇄판에 의해 인쇄 형성해도 좋다.
또한, 지지체(100)가 수광성 필름일 경우 도전성 필름(10)은 광투과성부(780)가 형성된 부분에서 수광성을 가질 수 있다. 따라서, 도전성 필름(10)은 투명 도전 필름으로서 기능할 수 있다.
도 8은 도전성 필름(12)의 제조 공정의 일예를 나타낸다. S802에 있어서 지지체(100)를 준비한다. 수광성을 갖는 도전성 필름(10)을 제조할 경우 수광성을 갖는 지지체(100)가 준비된다.
S804에 있어서 지지체(100)가 연신되는 연신량을 취득한다. 후 공정에서 미리 정해진 형상으로 도전성 필름(10)이 변형되지만 여기서는 도전성 필름(10)이 변형될 경우에 지지체(100)의 연신면이 연신되는 연신량이 취득된다. 예컨대, 도전성 필름(12)의 형상을 나타내는 형상 데이터를 취득하고, 취득된 형상 데이터에 의거하여 연신량을 산출 또는 추출함으로써 연신량을 취득할 수 있다. 도전성 필름(10)의 영역마다 연신량이 다른 경우 도전성 필름(10)의 영역마다의 연신량이 취득되어도 좋다. 일예로서, 도전성 필름(10)이 미리 정해진 곡면 형상으로 변형될 경우 연신량으로서는 곡면 형상의 곡률을 나타내는 정보를 예시할 수 있다.
S806에 있어서 도전성 필름(10)의 변형에 의해 연신되는 영역(250)에 대하여 착색재를 짙게 인쇄한다. 본 공정은 지지체(100)가 착색될 필요가 없을 경우, 또는 S802에 있어서 영역(250)이 짙게 착색된 지지체(100)가 준비되어 있을 경우에는 생략할 수 있다.
본 공정에 의해 영역(250)이 보다 짙게 착색된 지지체(100)가 준비된다. 구체적으로는 연신면이 보다 연신되는 영역(250)에 착색재가 보다 짙게 인쇄된 지지체(100)가 준비된다. 여기서 말하는 착색은 특정의 파장 대역을 선택적으로 투과하는 광투과 특성을 지지체(100)에 부여하는 것, 및 투과광을 감쇠하는 광투과 특성을 지지체(100)에 부여하는 것을 포함하는 개념으로 한다. 또한, 인쇄는 지지체(100)를 착색하는 방법의 일예로서, 증착 등의 다른 방법으로 착색되어서 좋다.
S808에 있어서 지지체(100) 상에 금속 배선을 형성하는 배선 형성 장치에 지지체(100)를 설치한다. 배선 형성 장치는 도 7에서 설명한 방법으로 금속 배선(200)을 지지체(100) 상에 형성한다. 배선 형성 장치에는 S804에서 취득된 연신량이 입력된다.
S810에 있어서 배선 형성 장치에 의해 지지체(100) 상의 연신되는 영역(250)에 금속 배선(200)을 조밀하게 형성한다. 본 공정에서는 도 7에서 설명한 공정에 따라 금속 배선(200)을 지지체(100) 상에 형성한다. 즉, 은염 감광재를 함유하는 은염 감광층(740)을 지지체(100)의 표면에 형성하여 은염 감광층(740)의 금속 배선(200)이 되는 영역을 선택적으로 노광한다. 이 때, S804에서 취득된 연신량에 의거하여 영역(250)에서 보다 조밀한 금속 배선(200)이 형성되도록 노광 패턴이 제어된다. 그리고, 노광 후의 은염 감광층(740)을 현상 처리함으로써 금속 배선(200)으로서의 은배선이 형성된다.
본 공정에 의해 S804에서 취득된 연신량에 의거하여 도전성 필름(10)이 미리 정해진 형상으로 변형될 경우에 연신면이 보다 연신되는 영역(250)에 보다 조밀하게 배선된 금속 배선(200)이 형성된다. 구체적으로는 도전성 필름(10)이 미리 정해진 곡면 형상으로 변형될 경우 곡면 형상으로의 변형에 의해 연신면이 보다 연신되는 영역(250)에 보다 조밀하게 배선된 금속 배선(210)이 형성된다. 예컨대, 연신면에 있어서 곡률이 보다 큰 영역(250)에 보다 조밀하게 배선된 금속 배선(210)이 형성된다.
보다 구체적으로는, 도 2에 관련하여 설명한 바와 같이, 연신면이 보다 연신되는 영역(250)에 보다 큰 폭을 갖는 복수의 금속 배선(200)이 형성되어도 좋다. 또한, 도 4에 관련하여 설명한 바와 같이, 연신면이 보다 연신되는 영역(250)에 복수의 금속 배선(210)이 보다 높은 밀도로 형성되어도 좋다. 도 5에 관련하여 설명한 바와 같이, 연신면이 보다 연신되는 영역(250)에서는 복수의 금속 배선(210)이 연신 방향으로 보다 높은 수밀도로 형성되어도 좋다.
S820에 있어서 도전성 필름(10)을 변형하여 도전성 필름(12)이 제조된다. 구체적으로는 금속 배선(210)이 배선된 도전성 필름(10)을 미리 정해진 형상으로 변형함으로써 도전성 필름(12)이 제조된다. 이에 따라, 도전성 필름(12)은 미리 정해진 형상으로 변형될 경우에 도전성 필름(10)이 보다 연신되는 연신면 상의 영역(250)에 의해 조밀하게 배선되어 상기 미리 정해진 형상으로의 변형에 의해 연신된 복수의 금속 배선을 갖는다. 또한, 착색된 지지체(100)가 이용된 경우 도전성 필름(12)은 연신면이 보다 연신되는 영역(250)에 보다 짙게 착색되어 상기 미리 정해진 형상으로의 변형에 의해 연신된 착색층을 갖는다.
또한, 도전성 필름(10)을 변형하는 가공 방법으로는 벤딩 가공, 스트레칭 가공, 인라인 성형 등을 예시할 수 있다. 변형가능한 플렉시블한 도전성 필름(10)으로서 제공할 경우는 본 공정을 생략할 수도 있다.
도 9는 도전성 필름(10)에 의해 제조된 조명 장치(1)의 구성을 모식적으로 나타낸다. 조명 장치(1)는 발광 디바이스(900) 및 전원(912)을 갖는다. 본 실시형태에 있어서 발광 디바이스(900)는 유기 일렉트로루미네선스 장치이며, 전원(912)은 직류 전원으로 한다.
발광 디바이스(90O)는 지지체(100), 복수의 금속 배선(910), 유기 EL 소자층(930), 및 배면 전극 기판(950)을 구비한다. 배면 전극 기판(950)은 배면 전극(940) 및 배면 기판(942)을 갖는다.
발광 디바이스(900)가 갖는 금속 배선(910)은 도전부(110) 및 도전부(120)를 형성하는 금속 배선으로 한다. 즉, 금속 배선(910)은 금속 배선(200) 및 금속 배선(210) 또는 금속 배선(220)에 대응한다. 금속 배선(910)은 도 7에 관련하여 설명한 방법에 의해 지지체(100) 상에 형성된 은배선이어도 좋다. 이 경우, 금속 배선(910) 사이의 수광 영역(920)은 도 7에서 설명한 광투과성부(780)에 대응한다.
지지체(100)는 발광 디바이스(900)의 사광(射光)측에 설치된다. 여기서의 지지체(100)는 수광성의 기재인 것으로 한다. 지지체(100)는 절연성 재료에 의해 형성되어도 좋다. 지지체(100)로서는 플라스틱 필름, 플라스틱판, 유리판 등을 예시할 수 있다.
금속 배선(910)은 지지체(100)에 있어서의 유기 EL 소자층(930)측의 면에 복수 형성된다. 금속 배선(910)은 광을 실질적으로 투과하지 않는다. 복수의 금속 배선(910)의 배선 사이의 영역은 광투과성을 갖는 수광 영역(920)이 된다.
그리고, 복수의 금속 배선(910)은 배면 전극(940)과의 사이에서 유기 EL 소자층(930)으로 전압을 인가하는 금속 전극부로서 기능할 수 있다. 발광 디바이스(900)에서는 복수의 금속 배선(910)이 음극으로서 기능할 수 있고, 배면 전극(940)이 양극으로서 기능할 수 있다.
전원(912)은 배면 전극(940)과 복수의 금속 배선(910) 사이에 전압을 인가한다. 즉, 전원(912)은 배면 전극(940)과 복수의 금속 배선(910) 사이에 설치된 발광층에 인가되는 전압을 공급한다. 전원(912)은 배면 전극(940)을 통하여 유기 EL 소자층(930)에 정공을 옮긴다. 또한, 전원(912)은 복수의 금속 배선(910)을 통하여 유기 EL 소자층(930)에 전자를 옮긴다.
유기 EL 소자층(930)은, 일예로서, 배면 전극(940)측으로부터 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 및 전자 주입층이 적층되어 형성된다. 또한, 유기 EL 소자층(930)은 정공 수송층 및 전자 수송층을 갖지 않아도 좋다. 즉, 유기 EL 소자층(930)은 배면 전극(940)측으로부터 정공 주입층, 발광층, 전자 주입층, 및 전자 수송층이 적층되어 형성되어도 좋다.
발광층은 일렉트로루미네선스 소자의 일예로서의 유기 일렉트로루미네선스 분자를 포함한다. 복수의 금속 배선(910)으로 형성되는 금속 전극부와 배면 전극(940) 사이에 전압을 인가하면 각각의 전극으로부터 정공과 전자가 주입층 및 수송층으로 옮겨져 발광층 내에서 결합한다. 이 재결합에 의해 생기는 에너지에 의해 발광층 내의 유기 일렉트로루미네선스 분자가 여기된다. 여기된 유기 일렉트로루미네선스 분자가 여기 상태로부터 기저 상태로 리턴됨으로써 발광층으로부터 광이 방출된다.
이와 같이, 배면 전극 기판(950)은 복수의 금속 배선(910)에 의해 형성되는 금속 전극부에 대향하여 설치되고, 금속 배선(910)과의 사이에서 발광층으로 전압을 인가한다. 일예로서, 배면 전극 기판(950)이 갖는 배면 전극(940)이 금속 배선(910)과의 사이에서 발광층을 포함하는 유기 EL 소자층(930)으로 전압을 인가한다. 그리고, 발광층은 상기 전압이 인가됨으로써 발광한다.
배면 전극(940)은 배면 기판(942) 상에 형성된다. 배면 기판(942)은 절연성 기판이어도 좋다. 배면 전극(940)은 광투과성을 갖지 않아도 좋지만 광투과성을 갖고 있어도 좋다. 배면 전극(940)은 유기 EL 소자층(930)이 설치된 면에 걸쳐 형성된다.
배면 전극(940)은 금속으로 형성되어 발광층이 발광하는 광을 반사한다. 배면 전극(940)은 발광층이 발광하여 배면 전극(940)을 향하는 광을 배면 전극(940)에서 한번 이상 반사한다. 배면 전극(940)에서 반사된 광 또는 배면 전극(940)과 금속 배선(910) 사이에서 다중 반사된 광의 적어도 일부는 지지체(100) 상의 복수의 금속 배선(910)이 형성되어 있지 않은 수광 영역(920)을 통하여 외부로 출사된다.
또한, 여기서는 조명 장치(1)가 구비하는 발광 디바이스(900)가 도전성 필름(10)을 갖는 것으로 하였다. 발광 디바이스(900)가 제조된 후에 상기 변형을 함으로써 변형된 도전성 필름(12)을 갖는 발광 디바이스, 및 상기 발광 디바이스를 구비하는 조명 장치(1)를 제조할 수도 있다.
또한, 도 7에 관련하여 설명한 제조 방법으로 제조된 금속 배선은 표시 디바이스에서 많이 이용되는 ITO 막과 비교하여 표면 저항을 낮게 할 수 있다. 이 때문에, 도전성 필름(10)으로 큰 사이즈의 발광 디바이스를 형성해도 휘도의 저하를 방지할 수 있다. 또한, 조명 장치(1)를 비교적 저전압으로 동작할 수 있고, 저소비 전력화를 실현할 수 있다.
지지체(100)는 발광층에서 발생하는 광의 파장에 대하여 수광성을 갖고 있으면 특별히 제한되지 않지만 고수광성을 갖는 것이 바람직하다. 지지체(100)로서는 광투과성의 플라스틱 필름을 이용할 수 있다.
상기 플라스틱 필름의 원료로서는 예컨대, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 및 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르류; 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌, EVA 등의 폴리올레핀류; 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴 등의 비닐계 수지; 그 외, 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리설폰(PSF), 폴리에테르설폰(PES), 폴리카보네이트(PC), 폴리아미드, 폴리이미드, 아크릴 수지, 트리아세틸셀룰로오스(TAC) 등을 이용할 수 있다. 투명성, 내열성, 취급 용이 및 가격의 점에서 상기 플라스틱 필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 또는 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN)인 것이 바람직하다.
또한, 지지체(100)는 5㎛ 이상의 두께를 가져도 좋다. 지지체(100)의 두께는 유기 EI 소자층(930)이 발생하는 광에 대한 투과율에 따라 정해져도 좋다.
또한, 금속 배선(910)의 높이 두께는 0.1㎛ 이상 1㎛ 이하이어도 좋다. 금속 배선(910)의 폭은 0.1㎛ 이상 20㎛ 이하이어도 좋다. 금속 배선(910)은 0.1㎛ 이상 300㎛ 이하의 피치로 배치되어도 좋다. 금속 배선(910)을 배치함으로써 적어도 국소적으로 광투과율이 감소한다. 광투과율의 감소는 가능한 한 작게 하는 것이 중요하다. 따라서, 금속 배선(910)의 피치를 지나치게 크게 하거나 금속 배선(910)의 폭, 높이를 지나치게 크게 채용하거나 하지 않고, 금속 배선(910)의 피치, 폭 및 높이가 조명 장치(1)로서의 목적에 따른 휘도 및/또는 휘도 불균일, 및 소비 전력과 관련하여 설정되는 것이 바람직하다.
지지체(100)에 금속 배선(910)이 형성된 투명 도전 필름을 이용하여 발광 디바이스(900)를 제조할 경우 투명 도전 필름에 0.1㎛ 이상 0.2㎛ 이하 두께의 유기 EL 소자층(930)을 형성해도 좋다. 그리고, 금속 배선(910)보다 일 함수가 높은 금속 재료로 배면 전극(940)을 형성한다.
또한, 상기의 설명에 있어서 발광 디바이스(900)로서 유기 일렉트로루미네선스 장치를 예시했지만 발광 디바이스(900)는 유기 일렉트로루미네선스 장치에 한정되지 않는다. 예컨대, 발광 디바이스(900)를 발광층으로서 무기 일렉트로루미네선스 소자 등의 일렉트로루미네선스 소자를 포함하는 일렉트로루미네선스 장치로 할 수 있다. 무기 일렉트로루미네선스 장치인 발광 디바이스를 구비하는 조명 장치(1)에는 전원(912)으로서 교류 전원을 적용할 수 있다.
이상, 본 발명을 실시형태를 이용하여 설명했지만 본 발명의 기술적 범위는 상기 실시형태에 기재된 범위에는 한정되지 않는다. 상기 실시형태에 다양한 변경 또는 개량을 가하는 것이 가능한 것이 당업자에게 명확하다. 그와 같은 변경 또는 개량을 가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있는 것이 특허 청구의 범위의 기재로부터 명확하다.
특허 청구의 범위, 명세서, 및 도면 중에 있어서 나타낸 장치, 시스템, 프로그램 및 방법에 있어서의 동작, 순서, 스텝 및 단계 등의 각 처리의 실행 순서는 특별히 「보다 전에」, 「앞서서」등으로 명시하고 있지 않고, 또한 전처리의 출력을 후처리에서 이용하지 않는 한 임의의 순서로 실현할 수 있는 것에 유의해야 한다. 특허 청구의 범위, 명세서 및 도면 중의 동작 플로우에 관하여 편의상 「우선,」, 「이어서,」등을 이용하여 설명했더라도 이 순서로 실시하는 것이 필수적인 것을 의미하는 것은 아니다.
1: 조명 장치 10: 도전성 필름
12: 도전성 필름 100: 지지체
102: 지지체 110, 112, 120, 122: 도전부
100: 지지체 200: 금속 배선
210: 금속 배선 202: 금속 배선
220: 금속 배선 250: 영역
710: 할로겐화은 730: 젤라틴
740: 은염 감광층 750: 현상 은
760: 금속은부 780: 광투과성부
900: 발광 디바이스 912: 전원
910: 금속 배선 920: 수광 영역
930: 유기 EL 소자층 940: 배면 전극
942: 배면 기판 950:배면 전극 기판
12: 도전성 필름 100: 지지체
102: 지지체 110, 112, 120, 122: 도전부
100: 지지체 200: 금속 배선
210: 금속 배선 202: 금속 배선
220: 금속 배선 250: 영역
710: 할로겐화은 730: 젤라틴
740: 은염 감광층 750: 현상 은
760: 금속은부 780: 광투과성부
900: 발광 디바이스 912: 전원
910: 금속 배선 920: 수광 영역
930: 유기 EL 소자층 940: 배면 전극
942: 배면 기판 950:배면 전극 기판
Claims (21)
- 도전성 필름의 제조 방법으로서:
상기 도전성 필름의 기재가 되는 지지체를 준비하는 준비 단계와;
상기 도전성 필름이 미리 정해진 형상으로 변형될 경우에 상기 지지체의 연신면이 연신되는 연신량을 취득하는 변형 정보 취득 단계와;
상기 변형 정보 취득 단계에 있어서 취득된 연신량에 의거하여 상기 도전성 필름이 미리 정해진 형상으로 변형될 경우에 상기 도전성 필름의 변형에 의해 지지체가 연신되는 영역에 보다 조밀하게 배선된 금속 배선을 형성하는 배선 형성 단계를 구비하고,
상기 배선 형성 단계는, 도전성 필름의 변형에 의해 지지체가 연신되는 영역에 연신 방향을 따르는 방향으로 존재하는 금속 배선의 폭이 도전성 필름을 변형해도 지지체의 변형이 생기지 않는 영역에 존재하는 금속 배선의 폭보다 크고,
상기 도전성 필름의 변형에 의해 지지체가 연신되는 영역에 연신 방향에 직교하는 방향으로 존재하는 금속 배선의 수밀도가 도전성 필름을 변형해도 지지체의 변형이 생기지 않는 영역에 존재하는 금속 배선의 수밀도보다 높도록 금속 배선을 형성하는 것을 특징으로 하는 도전성 필름의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 준비 단계는 미리 정해진 곡면 형상으로 변형되는 상기 도전성 필름의 기재가 되는 상기 지지체를 준비하고,
상기 변형 정보 취득 단계는 상기 도전성 필름이 상기 미리 정해진 곡면 형상으로 변형될 경우에 상기 연신면이 연신되는 연신량을 취득하고,
상기 배선 형성 단계는 상기 도전성 필름이 상기 미리 정해진 곡면 형상으로 변형될 경우에 상기 도전성 필름의 변형에 의해 지지체가 연신되는 영역에 보다 조밀하게 배선된 상기 금속 배선을 형성하는 것을 특징으로 하는 도전성 필름의 제조 방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 변형 정보 취득 단계는 상기 미리 정해진 곡면 형상의 곡률을 나타내는 정보를 취득하고,
상기 배선 형성 단계는 상기 연신면에 있어서 상기 곡률이 보다 큰 영역에 보다 조밀하게 배선된 상기 금속 배선을 형성하는 것을 특징으로 하는 도전성 필름의 제조 방법. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 도전성 필름의 변형에 의해 지지체가 연신되는 영역에 연신 방향에 직교하는 방향의 폭이 도전성 필름을 변형해도 지지체의 변형이 생기지 않는 영역에 연신 방향에 직교하는 방향의 폭보다 큰 복수의 상기 금속 배선을 형성하는 것을 특징으로 하는 도전성 필름의 제조 방법. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 배선 형성 단계는, 상기 도전성 필름의 변형에 의해 지지체가 연신되는 영역에 연신 방향으로 존재하는 금속 배선의 수밀도가 도전성 필름을 변형해도 지지체의 변형이 생기지 않는 영역에 연신 방향으로 존재하는 금속 배선의 수밀도보다 높도록 형성되는 것을 특징으로 하는 도전성 필름의 제조 방법. - 제 1 항 내지 제 3 항에 중 어느 한 항에 있어서,
상기 배선 형성 단계는,
은염 감광재를 함유하는 은염 감광층을 상기 지지체의 표면에 형성하는 단계와,
상기 은염 감광층의 상기 금속 배선이 되는 영역을 선택적으로 노광하는 단계와,
노광 후의 상기 은염 감광층을 현상 처리함으로써 상기 금속 배선으로서의 은배선을 형성하는 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 도전성 필름의 제조 방법. - 제 1 항 내지 제 3 항에 중 어느 한 항에 있어서,
상기 준비 단계는 수광성을 갖는 상기 지지체를 준비하는 것을 특징으로 하는 도전성 필름의 제조 방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 준비 단계는 착색된 상기 지지체를 준비하는 것을 특징으로 하는 도전성 필름의 제조 방법. - 제 10 항에 있어서,
상기 준비 단계는 상기 도전성 필름의 변형에 의해 지지체가 연신되는 영역에 보다 짙게 착색된 상기 지지체를 준비하는 것을 특징으로 하는 도전성 필름의 제조 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 준비 단계는 상기 도전성 필름의 변형에 의해 지지체가 연신되는 영역에 착색재를 보다 짙게 인쇄하는 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 도전성 필름의 제조 방법. - 제 1 항 내지 제 3 항에 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 배선이 배선된 상기 도전성 필름을 상기 미리 정해진 형상으로 변형하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 도전성 필름의 제조 방법. - 복수의 금속 배선을 포함하는 금속 전극 및 상기 복수의 금속 배선 사이의 수광부를 가지며 미리 정해진 형상으로 변형된 도전성 필름과,
상기 도전성 필름의 상기 금속 전극이 형성된 면에 대향하여 배면 전극이 형성된 배면 기판과,
상기 배면 전극과 상기 도전성 필름 사이에 설치되어 상기 복수의 금속 배선과 상기 배면 전극 사이에 전압이 인가됨으로써 발광하는 발광층을 구비하고;
상기 도전성 필름은 상기 미리 정해진 형상으로 변형될 경우에 도전성 필름의 변형에 의해 지지체가 연신되는 영역에 보다 조밀하게 배선되어 상기 변형에 의해 연신된 상기 복수의 금속 배선을 갖고,
상기 복수의 금속 배선은, 상기 도전성 필름의 변형에 의해 지지체가 연신되는 영역에 연신 방향을 따르는 방향으로 존재하는 금속 배선의 폭이 도전성 필름을 변형해도 지지체의 변형이 생기지 않는 영역에 존재하는 금속 배선의 폭보다 크고,
상기 도전성 필름의 변형에 의해 지지체가 연신되는 영역에 연신 방향에 직교하는 방향으로 존재하는 금속 배선의 수밀도가 도전성 필름을 변형해도 지지체의 변형이 생기지 않는 영역에 존재하는 금속 배선의 수밀도보다 높도록 배선되는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스. - 제 14 항에 있어서,
상기 복수의 금속 배선은 곡면 변형에 의해 보다 큰 곡률로 변형되는 상기 도전성 필름의 변형에 의해 지지체가 연신되는 영역에 보다 조밀하게 배선되는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스. - 삭제
- 삭제
- 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,
상기 도전성 필름은 수광성을 갖는 지지체를 더 갖고,
상기 복수의 금속 배선은 상기 지지체의 표면에 형성된 은염 감광재를 함유하는 은염 감광층을 노광하여 현상 처리함으로써 형성된 은배선인 것을 특징으로 하는 발광 디바이스. - 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,
상기 도전성 필름은 상기 도전성 필름의 변형에 의해 지지체가 연신되는 영역에 보다 짙게 착색되어 상기 변형에 의해 연신된 착색층을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스. - 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,
상기 발광층은 일렉트로루미네선스 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스. - 제 20 항에 있어서,
상기 일렉트로루미네선스 소자는 유기 일렉트로루미네선스 소자인 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
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