KR101826979B1 - Light emitting device and light emitting device package - Google Patents
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Abstract
실시예에 따르면, 발광 소자는, 제1 전극; 제1 전극 상에 발광 구조물; 발광 구조물 상의 최외곽 영역에 형성되는 제1 전극 라인 및 발광 구조물 상의 중심 영역에 형성되어 제1 전극 라인과 연결되는 제2 전극 라인을 포함하는 제2 전극; 및 일측은 발광 구조물의 외측으로 연장되고 타측은 상기 제1 전극 라인과 수직으로 중첩되는 도전층을 포함한다.According to an embodiment, the light emitting element includes a first electrode; A light emitting structure on the first electrode; A second electrode including a first electrode line formed in an outermost region on the light emitting structure and a second electrode line formed in a central region on the light emitting structure and connected to the first electrode line; And a conductive layer extending on one side to the outside of the light emitting structure and vertically overlapping with the first electrode line on the other side.
Description
실시예는 발광 소자 및 발광 소자 패키지에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device and a light emitting device package.
발광 소자로써 LED(Light Emitting Diode)를 이용한 장치가 많이 연구되고 있다.A device using a light emitting diode (LED) as a light emitting device has been extensively studied.
발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 발광 소자이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.Light emitting diodes (LEDs) are semiconductor light emitting devices that convert electrical energy into light. The light emitting diode has advantages of low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared with conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. Accordingly, much research has been conducted to replace an existing light source with a light emitting diode, and a light emitting diode has been increasingly used as a light source for various lamps used in indoor / outdoor, a liquid crystal display, a display board, and a streetlight.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자 및 발광 소자 패키지를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device and a light emitting device package having a new structure.
실시예는 광 효율을 향상시킨 발광 소자 및 발광 소자 패키지를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device and a light emitting device package with improved light efficiency.
실시예는 구동 안정성을 확보한 발광 소자 및 발광 소자 패키지를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device and a light emitting device package that secure driving stability.
실시예는 소자를 보호하는 발광 소자 및 발광 소자 패키지를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device and a light emitting device package for protecting a device.
실시예에 따르면, 발광 소자는, 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 발광 구조물; 상기 발광 구조물 상의 최외곽 영역에 형성되는 제1 전극 라인 및 상기 발광 구조물 상의 중심 영역에 형성되어 상기 제1 전극 라인과 연결되는 제2 전극 라인을 포함하는 제2 전극; 및 일측은 상기 발광 구조물의 외측으로 연장되고 타측은 상기 제1 전극 라인과 수직으로 중첩되는 도전층을 포함한다.According to an embodiment, the light emitting element includes a first electrode; A light emitting structure on the first electrode; A second electrode including a first electrode line formed in an outermost region on the light emitting structure and a second electrode line formed in a central region on the light emitting structure and connected to the first electrode line; And a conductive layer extending on one side of the light emitting structure and vertically overlapping the first electrode line on the other side.
실시예에 따르면, 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조물; 및 상기 제2 도전형 반도체층의 하부와 접하며 일측이 상기 제2 도전형 반도체층의 측면과 인접한 도전층을 포함한다.According to an embodiment, a light emitting device includes: a light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer; And a conductive layer adjacent to the lower surface of the second conductive type semiconductor layer and having one side adjacent to a side surface of the second conductive type semiconductor layer.
실시예에 따르면, 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 활성층 및 상기 활성층 상에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 전극; 상기 발광 구조물의 둘레 영역에 상기 발광 구조물의 하면으로부터 상부 방향으로 형성된 그루브; 상기 그루브 내에 상기 전극과 수직 방향으로 중첩되고 상기 제2 도전형 반도체층의 Ga-face 영역에 접촉하는 도전층을 포함한다.According to an embodiment, a light emitting device includes: a light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer on the first conductivity type semiconductor layer, and a second conductivity type semiconductor layer on the active layer; An electrode on the second conductive type semiconductor layer; A groove formed in a peripheral region of the light emitting structure in an upward direction from a lower surface of the light emitting structure; And a conductive layer superimposed on the Ga-face region of the second conductive type semiconductor layer in the groove in a direction perpendicular to the electrode.
실시예에 따르면, 발광 소자 패키지는 몸체; 상기 몸체에 설치된 위 실시예들에 의한 발광 소자; 및 상기 발광 소자를 포위하는 몰딩 부재를 포함한다.According to an embodiment, a light emitting device package includes a body; A light emitting device according to the above embodiments installed on the body; And a molding member surrounding the light emitting element.
실시예는 제2 도전형 반도체층의 상면과 하면에 수직 방향으로 서로 중첩되는 전극과 도전층을 형성함으로써, 전극에 고 전계가 형성되는 경우 전극의 고 전계가 도전층에 의해 분산되도록 하여 발광 소자의 구동 안정성을 확보하고 발광 소자를 보호할 수 있다.In the embodiment, the electrode and the conductive layer overlapping each other in the vertical direction on the upper and lower surfaces of the second conductivity type semiconductor layer are formed. When a high electric field is formed on the electrode, the high electric field of the electrode is dispersed by the conductive layer, The driving stability of the light emitting element can be secured and the light emitting element can be protected.
실시예는 도전층이 제2 도전형 반도체층의 Ga-face 영역에 접촉 형성됨으로써, 도전층의 열정 안정성을 유지하고 동작 특성의 저하를 방지할 수 있다. In the embodiment, the conductive layer is formed in contact with the Ga-face region of the second conductivity type semiconductor layer, so that the passivation stability of the conductive layer can be maintained and deterioration of the operating characteristics can be prevented.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자의 평면도이다.
도 3은 N-face 영역과 Ga-face 영역을 보여주는 도면이다.
도 4는 N-face 영역과 Ga-face 영역에서의 동작 전압 특성을 보여주는 그래프이다.
도 5 내지 도 12는 실시예에 따른 발광 소자의 제조 공정을 도시한 도면이다.
도 13은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 14는 실시예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 도시하는 도면이다.
도 15는 실시예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 유닛의 사시도이다.1 is a side sectional view of a light emitting device according to an embodiment.
2 is a plan view of the light emitting device of FIG.
3 is a view showing an N-face region and a Ga-face region.
4 is a graph showing the operating voltage characteristics in the N-face region and the Ga-face region.
5 to 12 are views showing a manufacturing process of the light emitting device according to the embodiment.
13 is a cross-sectional view of a light emitting device package including the light emitting device according to the embodiment.
FIG. 14 is a view illustrating a backlight unit including the light emitting device or the light emitting device package according to the embodiment.
15 is a perspective view of a lighting unit including the light emitting device or the light emitting device package according to the embodiment.
발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)는 두개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되거나 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 배치되어 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)"으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In describing an embodiment according to the invention, in the case of being described as being formed "above" or "below" each element, the upper (upper) or lower (lower) Directly contacted or formed such that one or more other components are disposed between the two components. Also, in the case of "upper (upper) or lower (lower)", it may include not only an upward direction but also a downward direction based on one component.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.1 is a side sectional view of a light emitting device according to an embodiment.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자(1)는 제1 전극(11), 접착층(13), 배리어층(15), 반사층(17), 오믹 콘택층(19), 제1 보호층(23), 전류 차단층(Current Blocking Layer, CBL)(21), 도전층(35), 발광 구조물(30), 제2 보호층 및 제2 전극(40)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a
상기 제1 전극(11)은 그 위에 형성되는 복수의 층들을 지지할 뿐만 아니라 전극으로서의 기능을 가질 수 있다. 다시 말해, 상기 제1 전극(11)는 전도성을 갖는 지지부재를 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(11)는 상기 제2 전극(40)과 함께 상기 발광 구조물(30)에 전원을 공급할 수 있다. The
상기 제1 전극(11)은 예를 들어, 티탄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 및, 구리-텅스텐(Cu-W) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The
상기 제1 전극(11)은 상기 발광 구조물(30) 아래에 도금 또는/및 증착되거나, 시트(sheet) 형태로 부착될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 제1 전극(11) 상에는 상기 접착층(13)이 형성될 수 있다. 상기 접착층(13)은 본딩층으로서, 상기 배리어층(15)과 상기 제1 전극(11) 사이에 형성된다. 상기 접착층(13)은 배리어층(15)과 상기 제1 전극(11) 사이의 접착력을 강화시켜 주는 매개체 역할을 할 수 있다. The
상기 접착층(13)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함할 수 있다. 상기 접착층(13)은 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Nb, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 및 Ta로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The
상기 접착층(13) 상에는 상기 배리어층(15)이 형성될 수 있다. 상기 배리어층(15)은 적어도 상기 제1 보호층(23)의 하면의 전 영역을 커버하도록 형성될 수 있다. 상기 배리어층(15)은 하부에 형성된 상기 접착층(13)과 상기 제1 전극(11)에 포함된 성분이 상부에 형성된 반사층(17)이나 발광 구조물(30) 등으로 확산되어 발광 소자(1)의 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. The
상기 배리어층(15)은 상기 제1 보호층(23)의 하면 및 상기 반사층(17)의 하면과 접촉되도록 형성될 수 있다. The
만일 상기 배리어층(15)이 형성되지 않는 경우, 상기 접착층(13)은 상기 제1 보호층(23)의 하면 및 상기 반사층(17)의 하면과 접촉되도록 형성될 수 있다.If the
상기 배리어층(15)은 Ni, Pt, Ti, W, V, Fe 및 Mo로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나층 또는 이들의 두개 이상의 적층을 포함할 수 있다.The
상기 배리어층(15) 상에 상기 반사층(17)이 형성될 수 있다. 상기 반사층(17)은 상기 발광 구조물(30)로부터 입사되는 광을 반사시켜 주어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. The
상기 반사층(17)은 예를 들어, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 및 Hf로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나 또는 둘 이상의 합금을 포함하지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 또한 상기 반사층(17)은 상기 금속과 함께 IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga-ZnO), IGZO(In-Ga-ZnO), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide) 및 ATO(aluminum tin oxide)로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나를 포함하는 투명한 전도성 물질을 이용하여 다층(multi-layer)으로 형성할 수 있다. 즉 상기 반사층(17)은 예를 들어, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni 및 AZO/Ag/Ni 중 어느 하나를 포함하는 다층으로 구성될 수 있다. The
도시되지 않았지만, 상기 반사층(17)은 상기 오믹 콘택층(19)의 하면과 더불어 상기 제1 보호층(23)의 하면의 일부 영역에 중첩되도록 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(30)로부터의 광을 모두 반사시키기 위해 상기 반사층(17)은 적어도 상기 발광 구조물(30), 특히 활성층(27)보다 큰 면적을 가질 수 있다. Although not shown, the
상기 반사층(17) 상에는 상기 오믹 콘택층(19)이 형성될 수 있다. 상기 오믹 콘택층(19)은 상기 발광 구조물(30), 구체적으로 제1 도전형 반도체층(25)에 오믹 접촉되어 상기 발광 구조물(30)에 전원이 원활히 공급되도록 할 수 있다.The
상기 오믹 콘택층(19)은 투명한 전도성 물질과 금속 물질을 선택적으로 사용할 수 있으며, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au,및 Ni/IrOx/Au/ITO로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 단층 또는 다층으로 구현할 수 있다.The
상기 오믹 콘택층(19)은 상기 반사층(17)과 동일한 면적을 가질 수 있다. 상기 오믹 콘택층(19)은 상기 발광 구조물(30)의 제1 도전형 반도체층(25)과 동일 면적을 가지고 상기 제1 도전형 반도체층(25)의 전 영역에 접촉되도록 형성될 수 있다. 이와 같이, 상기 오믹콘택층(19)이 상기 제1 도전형 반도체층(25)과 가능한 한 넓은 면적으로 접촉되도록 형성됨으로써, 상기 오믹콘택층(19)에 접촉하는 상기 제1 도전형 반도체층(25)의 전 영역을 통해 전류가 골고루 상기 활성층(27)으로 공급됨으로써, 발광 효율을 향상시킬 수 있다. The
상기 오믹콘택층(19) 내에는 전류 차단층(21)이 형성될 수 있다. 전류 차단층(21)은 상기 제1 도전형 반도체층(25)과 접촉하도록 형성할 수도 있고 상기 제1 도전형 반도체층(25)과 접촉되지 않고 이격되어 형성될 수 있다. 상기 전류 차단층(21)은 상기 제2 전극(40)과 수직 방향으로 적어도 일부가 중첩되도록 형성될 수 있다. 상기 전류 차단층(21)은 상기 오믹 콘택층(19)을 통해 상기 제1 도전형 반도체층(25)으로 공급되는 전류를 차단하는 역할을 할 수 있다. 따라서, 상기 전류 차단층(21)과 그 주변에서는 상기 제1 도전형 반도체층(25)으로 전류 공급이 차단될 수 있다. A
즉, 상기 제1 전극(11)과 상기 제2 전극(40) 사이의 최단 경로를 따라 전류가 집중적으로 흐르게 된다. 이러한 전류 집중을 방지하기 위해, 상기 제2 전극(40)과 중첩되는 상기 전류 차단층(21)이 형성될 수 있다. 따라서, 전류가 상기 전류 차단층(21)을 통해서는 상기 제1 도전형 반도체층(25)으로 흐르지 못하고 상기 오믹콘택층(19)을 통해서만 상기 제1 도전형 반도체층(25)으로 흐르게 되어, 전류가 상기 제1 도전형 반도체층(25)의 전 영역으로 균일하게 흐르게 되어 발광 효율이 향상될 수 있다. That is, current flows intensively along the shortest path between the
상기 전류 차단층(21)은 상기 오믹 콘택층(19)보다 작은 전기 전도성을 갖거나, 상기 오믹 콘택층(19)보다 큰 전기 절연성을 갖거나, 상기 제1 도전형 반도체층(25)과 쇼트키 접촉을 형성하는 재질을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 전류 차단층(21)은 예를 들어, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO2,SiOx,SiOxNy,Si3N4,Al2O3,TiOx,Ti,Al 및 Cr로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3은 절연 물질일 수 있다.The
한편, 상기 전류 차단층(21)은 상기 오믹 콘택층(19)과 상기 제1 도전형 반도체층(25) 사이에 형성되거나, 상기 반사층(17)과 상기 오믹 콘택층(19) 사이에 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
또한, 상기 전류 차단층(21)은 상기 오믹 콘택층(19)에 형성된 홈 내부에 형성되거나, 상기 오믹 콘택층(19) 상에 돌출되어 형성되거나, 상기 오믹 콘택층(19)의 상면과 하면을 관통하는 홀 내부에 형성될 수 있지만, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 배리어층(15)의 상면의 둘레 영역에는 상기 제1 보호층(23)이 형성될 수 있다. 즉, 상기 제1 보호층(23)은 상기 발광 구조물(30)과 상기 배리어층(15) 사이의 둘레 영역에 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 보호층(23)은 상기 배리어층(15), 상기 반사층(17), 상기 오믹 콘택층(19) 및 상기 발광 구조물(30)에 둘러싸이도록 형성될 수 있다. The
상기 제1 보호층(23)은 상기 발광 구조물(30)의 제1 도전형 반도체층(25)의 측면, 활성층(27)의 측면 및 제2 도전형 반도체층(29)의 측면과 접촉되도록 형성되어, 상기 제1 도전형 반도체층(25), 상기 활성층(27) 및 상기 제2 도전형 반도체층(29)의 측면들의 전기적인 쇼트를 방지하여 줄 수 있다. The
상기 제1 보호층(23)의 하면은 상기 배리어층(15)의 상면의 일부 영역 그리고 상기 반사층(17)의 상면의 일부 영역과 접촉되도록 형성될 수 있다. The lower surface of the first
상기 제1 보호층(23)은 상기 발광 구조물(30), 구체적으로 제2 도전형 반도체층(29)과 적어도 일부 영역이 수직 방향으로 중첩되도록 형성될 수 있다. 상기 제1 보호층(23)이 상기 발광 구조물(30)과 접촉하는 면적을 확보하여 상기 발광 구조물(30)이 상기 배리어층(15)으로부터 박리되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. The
상기 제1 보호층(23)은 칩 분리 공정에서 복수개의 칩을 개별 칩 단위로 분리하는 레이저 스크라이빙(Laser Scribing) 공정과 기판을 제거하는 레이저 리프트 오프(LLO) 공정시 상기 제1 보호층(23)이 깨지거나 파편이 발생하지 않게 되므로, 상기 발광 소자(1)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. The
또한, 제1 보호층(23)은 절연 물질 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.In addition, the first
상기 제1 보호층(23)은 상기 전류 차단층(21)과 동일 물질로 형성될 수도 있고, 다른 물질로 형성될 수도 있다. 즉, 제1 보호층(23)과 상기 전류 차단층(21)은 상기 절연 물질로 형성될 수 있다. The
상기 제1 보호층(23) 상에 도전층(35)이 형성될 수 있다. 상기 도전층(35)은 상기 제2 전극(40), 특히 도전층(35)과 수직 방향으로 중첩하는 제2 전극(40)에 고 전계가 형성되는 경우, 이러한 고 전계를 분산시켜 주어 구동 안정성을 확보하고 발광 소자(1)를 보호하여 줄 수 있다. 따라서, 상기 도전층(35)은 전계 분산층으로 명명될 수도 있다. A
상기 도전층(35)은 전류가 흐를 수 있는 도전 물질, 예컨대 Cr, V, W, Ti 및 Al으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. The
상기 도전층(35)은 상기 발광 구조물(30)의 제2 도전형 반도체층(29)과 상기 제1 보호층(23) 사이에 형성될 수 있다. The
상기 도전층(35)은 제2 전극(40), 구체적으로 전극 패드(37) 또는 전극 라인(39)과 적어도 일부 영역이 수직 방향으로 중첩되도록 형성될 수 있다. 상기 도전층(35)과 중첩되는 전극 라인(39)은 상기 발광 구조물(30)의 최 외곽 영역에 형성된 최 외곽 전극 라인(39)일 수 있다. The
상기 도전층(35)은 제1 및 제2 전극(40)과 달리 플로팅 상태로 유지될 수 있다. Unlike the first and
만일 상기 제2 전극(40)에 전원이 인가되는 경우, 도전성을 갖는 제2 도전형 반도체층(29)을 매개로 하여 상기 도전층(35)에 전류가 흐르게 되고 이와 같이 도전층(35)에 흐르는 전류에 의해 전계가 발생하므로, 상기 제2 전극(40)에 형성되는 고 전계가 상기 도전층(35)에 형성된 전계에 의해 감소되게 된다. 즉, 상기 제2 전극(40)에 형성된 고 전계가 상기 도전층(35)으로 분산됨에 따라, 상기 제2 전극(40)의 고 전계가 감소되므로, 고 전계에 의한 발광 소자(1)의 특성이 저하(degradation)되는 것을 방지하여 구동 안정성을 확보할 수 있고 발광 소자를 보호할 수 있다.If power is applied to the
상기 도전층(35)은 상기 제2 도전형 반도체층(29)의 Ga-face 영역(47)에 접촉하도록 형성될 수 있다.The
Ga-face 영역과 N-face 영역에 대해 설명한다.The Ga-face region and the N-face region will be described.
도 3에 도시한 바와 같이, 적어도 Ga 물질과 N 물질이 혼합되어 상부 방향을 따라 성장되어 제2 도전형 반도체층(29)이 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(29)에 In 물질 또는 Al 물질이 더 추가될 수도 있다.As shown in FIG. 3, at least a Ga material and an N material are mixed and grown along the upper direction to form the second conductive
이와 같이 성장된 제2 도전형 반도체층(29)은 전기적 콘택을 위해 하면 또는 상면에서 식각될 수 있다. The second conductivity
즉, 제2 도전형 반도체층(29)의 하면으로부터 상부 방향으로 식각될 수 있다. 이러한 식각에 의해 노출된 제2 도전형 반도체층(29)의 영역은 N-face 영역(45)이 될 수 있다.That is, the second conductivity
또한, 제2 도전형 반도체층(29)의 상면으로부터 하부 방향으로 식각될 수 있다. 이러한 식각에 의해 노출된 제2 도전형 반도체층(29)의 영역은 Ga-face 영역(47)이 될 수 있다. Further, the second conductivity
N-face 영역(45)과 Ga-face 영역(47)은 열적 안정성과 동작 전압 특성이 상이하다.The N-
통상적으로 Ga-face 영역(47)이 N-face 영역(45)에 비해 결정성이 우수하고, 이에 기인하여 열적 안정성 또한 우수하다.Generally, the Ga-
아울러, Ga-face 영역(47)은 N-face 영역(45)에 비해 동작 전압 특성이 우수하다.The Ga-
한편, 상기 N-face 영역(45)은 설명을 위해 제시된 것으로서, 실시예의 상기 제2 도전형 반도체층(29)에는 N-face 영역(45)은 형성되지 않음에 주목해야 한다.It should be noted that the N-
도 4에 도시한 바와 같이, 장시간, 예컨대 10시간 동안 구동하는 경우, Ga-face 영역(47)은 동작 전압 특성이 변하지 않는데 반해, N-face 영역(45)은 동작 전압 특성이 저하된다. As shown in Fig. 4, in the case of driving for a long time, for example, for 10 hours, the operating voltage characteristic of the Ga-
따라서, Ga-face 영역(47)에 전기적인 콘택이 되는 경우, 동작 전압 특성이 우수한 발광 소자(1)를 얻을 수 있다.Therefore, in the case of electrical contact to the Ga-
실시예에 따르면, 상기 도전층(35)이 상기 제2 도전형 반도체층(29)의 Ga-face 영역(47)에 접촉하도록 형성됨으로써, 열적 안정성과 동작 전압 특성이 우수한 발광 소자(1)를 얻을 수 있다. The
상기 오믹 콘택층(19) 및 도전층(35) 상에는 상기 발광 구조물(30)이 형성될 수 있다. The
상기 발광 구조물(30)의 측면은 복수개의 칩을 개별 칩 단위로 구분하는 아이솔레이션(isolation) 에칭에 의해 수직하거나 경사지게 형성될 수 있다. The side surface of the
상기 발광 구조물(30)은 복수의 3족 내지 5족 원소의 화합물 반도체 재료들을 포함할 수 있다. The
상기 발광 구조물(30)은 제1 도전형 반도체층(25), 상기 제1 도전형 반도체층(25) 상에 활성층(27) 그리고 상기 활성층(27) 상에 제2 도전형 반도체층(29)을 포함할 수 있다. The
상기 제1 도전형 반도체층(25)은 상기 오믹 콘택층(19) 상에 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(25)은 p형 도펀트를 포함하는 p형 반도체층일 수 있다. 상기 p형 반도체층은 3족 내지 5족 원소의 화합물 반도체 재료 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP 및 AlGaInP로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나를 포함할 수 있다. 상기 P형 도펀트는 Mg, Zn, Ga, Sr, Ba 등일 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(25)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The first
상기 제1 도전형 반도체층(25)은 복수의 캐리어들, 예컨대 정공들을 상기 활성층(27)으로 공급하여 주는 역할을 한다.The first
상기 활성층(27)은 상기 제1 도전형 반도체층(25) 상에 형성되며, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The
상기 활성층(27)은 상기 제1 도전형 반도체층(25) 및 상기 오믹 콘택층(19)과 동일한 면적을 가질 수 있다. The
상기 활성층(27)은 3족 내지 5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층의 주기로 형성될 수 있다. 상기 활성층(27)으로 사용하기 위한 화합물 반도체 재료로는 GaN, InGaN, AlGaN일 수 있다. 따라서, 상기 활성층(27)은 예를 들면 InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기, InGaN 우물층/AlGaN 장벽층의 주기, InGaN 우물층/InGaN 장벽층의 주기 등을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The
상기 활성층(27)은 상기 제1 도전형 반도체층(25)으로부터 공급된 정공들과 상기 제2 도전형 반도체층(29)으로부터 공급된 전자들을 재결합(recombination)시켜, 상기 활성층(27)의 반도체 재질에 의해 결정된 밴드캡에 상응하는 파장의 빛을 생성할 수 있다.The
도시되지 않았지만, 상기 활성층(27)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층이 형성될 수도 있으며, 상기 도전형 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 도전형 반도체층(25)과 상기 활성 사이에는 p형 도펀트를 포함하는 p형 클래드층이 형성되고, 상기 활성층(27)과 상기 제2 도전형 반도체층(29) 사이에는 n형 도펀트를 포함하는 n형 클래드층이 형성될 수 있다. Although not shown, a conductive cladding layer may be formed on and / or below the
상기 도전형 클래드층은 상기 활성층(27)으로 공급된 복수의 홀과 복수의 전자가 제1 도전형 반도체층(25)과 제2 도전형 반도체층(29)으로 이동되지 않도록 하는 가이드의 역할을 한다. 따라서, 상기 도전형 클래드층에 의해 상기 활성층(27)으로 공급된 홀과 전자가 보다 많이 재결합하여, 발광 소자(1)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.The conductive cladding layer serves as a guide for preventing a plurality of holes and a plurality of electrons supplied to the
상기 제2 도전형 반도체층(29)은 상기 활성층(27)과 상기 도전층(35) 상에 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(29)은 n형 도펀트를 포함하는 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(29)은 3족내지 5족 원소의 화합물 반도체 재료 예를 들어, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP 및 AlGaInP로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나를 포함할 수 있다. 상기 n형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(29)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The second
상기 도전층(35)은 상기 제2 도전형 반도체층(29)의 Ga-face 영역(47)에 접촉하도록 형성되고, 상기 활성층(27)은 상기 제2 도전형 반도체층(29)의 하면에 접촉하도록 형성될 수 있다. Ga-face 영역(47)이 노출되도록 하기 위해, 상기 제2 도전형 반도체층(29)의 하면으로부터 상부 방향으로 식각될 수 있다.The
상기 제2 도전형 반도체층(29)의 상면에는 광 추출 효율을 위해 러프니스나 요철(32)이 형성될 수 있다. 상기 러프니스나 요철(32)은 습식 식각에 의해 형성된 랜덤한 패턴으로 형성되거나, 패터닝 공정에 의해 형성된 광 결정(photonic crystal) 구조와 같이 주기적인 패턴으로 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.On the upper surface of the second conductivity
상기 러프니스나 요철(32)은 오목한 형상과 볼록한 형상을 주기적으로 가질 수 있다. 상기 오목한 형상과 상기 볼록한 형상 모두는 라운드 면을 갖거나 꼭지점에서 만나는 양측 경사면을 가질 수 있다. The roughness or concavity and
한편, 상기 제1 도전형 반도체층(25) 아래에 상기 제1 도전형 반도체층(25)의 극성과 반대인 제3 도전형 반도체층이 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(25)이 p형 반도체층이고, 상기 제2 도전형 반도체층(29)과 제3 도전형 반도체층이 n형 반도체층일 수 있으며, 그 역도 가능하다. 따라서, 상기 발광 구조물(30)은 n-p 접합, p-n 접합, n-p-n 접합 및 p-n-p 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. Meanwhile, a third conductive type semiconductor layer which is opposite to the polarity of the first conductive
상기 발광 구조물(30) 상면에는 제2 전극(40)이 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(40)은 상기 발광 구조물(30)의 전체 면적을 커버하지 않고, 국부적으로 형성된 패턴 형상을 가질 수 있다. A
도 2에 도시한 바와 같이, 상기 제2 전극(40)은 와이어가 본딩되는 적어도 하나 이상의 전극 패드(37)와, 상기 전극 패드(37)로부터 적어도 일측 이상으로 분기되어 상기 발광 구조물(30)의 전 영역으로 균등하게 전류를 공급하기 위한 다수의 전극 라인(38, 39)을 포함할 수 있다. 2, the
상기 전극 패드(37)는 위에서 볼 때, 사각형, 원형, 타원형, 다각형을 가질 수 있지만, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 제1 전극 라인(38)은 상기 발광 구조물(30), 특히 상기 제2 도전형 반도체층(29) 상의 최외곽 영역에 형성될 수 있다. The
상기 제2 전극 라인(39)은 상기 제2 도전형 반도체층(29) 상의 중심 영역에 형성될 수 있다. 상기 제2 전극 라인(39)은 서로 간에 교차하도록 형성되고, 일측 및 타측이 상기 제1 전극 라인(38)과 전기적으로 연결되며 상기 제1 전극 라인(38)과 일체로 형성될 수 있다. The
상기 제1 전극 라인(38)은 상기 도전층(35)과 수직 방향으로 중첩되도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 전극 패드(37)는 상기 도전층(35)과 수직 방향으로 중첩되도록 형성될 수 있다.The
상기 도전층(35)은 상기 발광 구조물(30)의 둘레 영역을 따라 상기 제1 보호층(23)과 상기 제2 도전형 반도체층(29)의 Ga-face 영역을 사이에 형성될 수 있다. The
상기 제2 전극(40)은 V, W, Au, Ti, Ni, Pd, Ru, Cu, Al, Cr, Ag 및 Pt로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. The
상기 제2 전극(40)은 예컨대 제1 층 내지 제6 층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. The
최하층인 제1층은 상기 제2 도전형 반도체층(29)과 오믹 접촉을 형성하기 위한 Cr, V, W 및 Ti로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 금속 물질을 포함하는 오믹층일 수 있다. The first layer as the lowermost layer may be an ohmic layer including at least one metal material selected from the group consisting of Cr, V, W and Ti for forming an ohmic contact with the second
상기 제1층 상의 제2층은 높은 반사 특성을 갖는 Al, Ag과 같은 금속 물질을 포함하는 반사층일 수 있다. The second layer on the first layer may be a reflective layer comprising a metallic material, such as Al, Ag, which has high reflective properties.
상기 제2층 상의 제3층은 층간 확산(interlayer diffusion)을 방지하기 위해 Ni, Pt, Pd, Ru, V, Ti, Al, Cu 및 W로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 금속 물질을 포함하는 제1 확산방지층일 수 있다. Wherein the third layer on the second layer comprises at least one metal material selected from the group consisting of Ni, Pt, Pd, Ru, V, Ti, Al, Cu and W to prevent interlayer diffusion. 1 diffusion preventing layer.
상기 제3층 상의 제4층은 높은 전기 전도성(conductivity)을 갖는 Ni, Pt, Pd, Ru, V, Ti, Al, Cu 및 W로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 금속 물질을 포함하는 전도층일 수 있다.Wherein the fourth layer on the third layer is a conductive layer comprising at least one metallic material selected from the group consisting of Ni, Pt, Pd, Ru, V, Ti, Al, Cu and W having high electrical conductivity have.
상기 제4층 상의 제5층은 Ni, Pt, Pd, Ru, V, Ti, Al, Cu 및 W로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 금속 물질을 포함하는 제2 확산방지층일 수 있다. The fifth layer on the fourth layer may be a second diffusion barrier layer comprising at least one metal material selected from the group consisting of Ni, Pt, Pd, Ru, V, Ti, Al, Cu and W.
상기 제5층 상의 제6층은 Au, Ti와 같이 와이어가 용이하게 본딩될 수 있도록 높은 접착력을 갖는 금속 물질을 포함하는 접착층(adhesive layer)일 수 있다. The sixth layer on the fifth layer may be an adhesive layer including a metal material having a high adhesive force such as Au and Ti so that the wire can be easily bonded.
상기 제1층 내지 제6층은 모두 사용되지 않아도 되며, 필요에 따라 선택적으로 사용될 수 있다. The first layer to the sixth layer may not be used at all, and may be optionally used as needed.
상기 전극 패드(37)는 상기 전극 라인(39)은 서로 동일한 적층 구조를 갖거나, 상이한 적층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 전극 라인(39)은 와이어 본딩을 위한 접착층이 불필요하므로, 상기 접착층이 형성되지 않을 수 있다. 또한, 상기 전극 라인(39)은 투광성 및 전기 전도성을 갖는 재질인 예를 들어, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO 중 적어도 하나로 형성될 수도 있다.The
상기 발광 구조물(30)의 적어도 측면에는 제2 보호층(43)이 형성될 수 있다. 구체적으로는, 상기 제2 보호층(43)은 일단이 상기 제2 도전형 반도체층(29)의 상면의 둘레 영역에 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(29)의 측면, 상기 도전층(35)의 측면 및 상기 제1 보호층(23)의 측면을 경유하거나 가로질러 타단이 상기 배리어층(15)의 상면의 둘레 영역에 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. A
상기 제2 보호층(43)은 상기 발광 구조물(30)과 외부의 전도성 부재 사이의 전기적 쇼트를 방지하는 역할을 할 수 있다. 상기 제2 보호층(43)은 예를 들어, SiO2,SiOx,SiOxNy,Si3N4,TiO2및 Al2O3로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나를 포함하는 절연성 재질을 포함할 수 있지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. The
상기 제2 보호층(43)은 상기 제1 보호층(23)과 상기 전류 차단층(21)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.The
이하, 실시예에 따른 발광 소자(1)의 제조 공정에 대해 상세히 설명한다. 다만, 앞에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.Hereinafter, the manufacturing process of the
도 5 내지 도 12는 실시예에 따른 발광 소자의 제조 공정을 도시한 도면이다.5 to 12 are views showing a manufacturing process of the light emitting device according to the embodiment.
도 5을 참조하면, 성장 기판(50) 상에 제2 도전형 반도체층(29), 활성층(27) 및 제1 도전형 반도체층(25)이 순차적으로 성장되어 발광 구조물(30)이 형성될 수 있다.5, a second conductivity
즉, 상기 성장 기판(50) 상에 상기 제2 도전형 반도체층(29)이 성장되고, 상기 제2 도전형 반도체층(29) 상에 활성층(27)이 성장되고, 상기 활성층(27) 상에 상기 제1 도전형 반도체층(25)이 성장될 수 있다.That is, the second conductivity
상기 성장 기판(50)은 상기 발광 구조물(30)을 성장시키기 위한 기판으로서, 상기 발광 구조물(30)과 격자 상수가 유사하고 열적 안정성을 갖는 재질로 형성될 수 있다.The
상기 성장 기판(50)은 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 발광 구조층은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting structure layer may be formed using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, a chemical vapor deposition (CVD) method, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method, A molecular beam epitaxy (MBE), a hydride vapor phase epitaxy (HVPE), or the like. However, the present invention is not limited thereto.
상기 발광 구조층 및 상기 성장 기판(50) 사이에는 둘 사이의 격자 상수 차이를 완화하기 위해 버퍼층(미도시)이 형성될 수도 있다.A buffer layer (not shown) may be formed between the light emitting structure layer and the
상기 제2 도전형 반도체층(29)은 상기 성장 기판(50) 상에 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(29)은 n형 도펀트를 포함하는 n형 반도체층일 수 있다. The second
상기 활성층(27)은 상기 제2 도전형 반도체층(29) 상에 형성되며, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The
상기 활성층(27)은 상기 제1 도전형 반도체층(25)으로부터 공급된 정공들과 상기 제2 도전형 반도체층(29)으로부터 공급된 전자들을 재결합(recombination)시켜, 상기 활성층(27)의 반도체 재질에 의해 결정된 밴드캡에 상응하는 파장의 빛을 생성할 수 있다.The
상기 제1 도전형 반도체층(25)은 상기 활성층(27) 상에 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(25)은 p형 도펀트를 포함하는 p형 반도체층일 수 있다. The first
도 6을 참조하면, 상기 발광 구조물(30), 즉 상기 제1 도전형 반도체층(25) 상에 전류 차단층(21)과 오믹 콘택층(19)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 6, a
상기 전류 차단층(21)은 후에 형성될 제2 전극(40)과 수직 방향으로 중첩되도록 형성될 수 있다. The
상기 전류 차단층(21)은 상기 오믹 콘택층(19)을 통해 상기 제1 도전형 반도체층(25)으로 공급되는 전류를 차단하는 역할을 할 수 있다. 따라서, 상기 전류 차단층(21)과 그 주변에서는 상기 제1 도전형 반도체층(25)으로 전류 공급이 차단될 수 있다. The
상기 전류 차단층(21)은 예를 들어, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO2,SiOx,SiOxNy,Si3N4,Al2O3,TiOx,Ti,Al 및 Cr로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3은 절연 물질일 수 있다.The
만일 상기 제2 전극(40)이 다수개로 형성되는 경우, 상기 전류 차단층(21) 또한 상기 제2 전극(40) 각각에 대응하도록 다수개로 형성될 수 있다.If the
도 7을 참조하면, 상기 제2 도전형 반도체층(29)의 Ga-face 영역(47)이 노출되도록 상기 오믹 콘택층(19), 상기 제1 도전형 반도체층(25), 상기 활성층(27) 및 상기 제2 도전형 반도체층(29)이 식각될 수 있다. 7, the
이러한 식각에 의해 상기 발광 구조물(30)의 둘레 영역을 따라 그루브가 형성될 수 있다. Grooves may be formed along the peripheral region of the
상기 그루브에서 상기 오믹 콘택층(19), 상기 제1 도전형 반도체층(25) 및 상기 활성층(27)은 완전하게 제거되고, 상기 제2 도전형 반도체층(29)은 그 상면으로부터 소정 깊이로 제거될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(29)이 제거되어 노출된 상기 제2 도전형 반도체층(29)의 면은 Ga-face 영역(47)일 수 있다. The
상기 그루브의 제1 측면은 제2 도전형 반도체층(29)의 상면에 대해 수직인 면을 가지고, 상기 그루브의 제2 측면은 상기 제2 도전형 반도체층(29)의 상면에 대해 경사진 면을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 그루브의 직경은 하부 영역에서 상부 영역을 갈수록 점진적으로 증가될 수 있다. 이는 나중에 수행될 메사 에칭을 고려한 것이다. The first side surface of the groove has a surface perpendicular to the upper surface of the second conductive
도 8을 참조하면, 상기 그루브 내에 도전층(35)이 형성될 수 있다. 상기 도전층(35)은 적어도 상기 제2 도전형 반도체층(29)의 Ga-face 영역(47)에 접촉되도록 형성될 수 있다. 아울러, 상기 도전층(35)의 측면은 상기 제2 도전형 반도체층(29)의 내측면의 일부 영역에 접촉되도록 형성될 수 있다. Referring to FIG. 8, a
상기 도전층(35)은 전류가 흐를 수 있는 도전 물질, 예컨대 Cr, V, W, Ti 및 Al으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. The
이어서, 상기 그루브에 형성된 상기 도전층(35) 상에 제1 보호층(23)이 형성될 수 있다. 상기 제1 보호층(23)의 상면은 상기 오믹 콘택층(19)의 상면과 일치되도록 형성되지만, 이에 한정하지 않는다.Then, a
상기 제1 보호층(23)은 상기 제2 도전형 반도체층(29)의 측면의 일부 영역, 상기 활성층(27)의 측면, 상기 제1 도전형 반도체층(25)의 측면 및 상기 오믹 콘택층(19)의 측면과 접촉하도록 형성될 수 있다. The
상기 제1 보호층(23)이 적어도 상기 제2 도전형 반도체층(29)의 측면의 일부 영역, 상기 활성층(27)의 측면 및 상기 제1 도전형 반도체층(25)의 측면에 접촉하도록 형성됨으로써, 상기 제1 도전형 반도체층(25)과 상기 제2 도전형 반도체층(29)의 측면들 사이의 전기적인 쇼트를 방지할 수 있다.The first
상기 제1 보호층(23)은 절연 물질 예컨대, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, 및 Al2O3으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. The
도 9를 참조하면, 상기 오믹 콘택층(19) 상에 반사층(17)이 형성될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 반사층(17)은 상기 오믹 콘택층(19) 뿐만 아니라 상기 제1 보호층(23)의 상면의 일부 영역 상에 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 9, a
상기 반사층(17)은 상기 발광 소자로부터 입사되는 광을 반사시키는 역할을 하므로, 반사 특성이 우수한 재질로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 반사층(17)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 및 Hf로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나 또는 둘 이상의 합금을 포함하지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 또한 상기 반사층(17)은 상기 금속과 함께 IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga-ZnO), IGZO(In-Ga-ZnO), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide) 및 ATO(aluminum tin oxide)로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나를 포함하는 투명한 전도성 물질을 이용하여 다층(multi-layer)으로 형성할 수 있다. Since the
이어서, 상기 반사층(17)과 상기 제1 보호층(23) 상에 배리어층(15), 접착층(13) 및 제1 전극(11)이 형성될 수 있다.A
상기 배리어층(15)은 상기 반사층(17)과 상기 제1 보호층(23) 상에 형성될 수 있다. 상기 배리어층(15)은 상기 제1 보호층(23)의 물질이 상기 접착층(13) 또는 상기 제1 전극(11)으로 확산되는 것을 방지하는 역할을 한다.The
상기 배리어층(15)은 Ni, Pt, Ti, W, V, Fe 및 Mo로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The
상기 접착층(13)은 상기 제1 전극(11)과 상기 배리어층(15) 사이의 접착력을 강화하기 위해 형성될 수 있다. The
상기 접착층(13)은 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Nb, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 및 Ta로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The
상기 제1 전극(11)은 그 위에 형성되는 복수의 층들을 지지할 뿐만 아니라 전극으로서의 기능을 가질 수 있다. 다시 말해, 상기 제1 전극(11)는 전도성을 갖는 지지부재를 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(11)는 상기 제2 전극(40)과 함께 상기 발광 구조물(30)에 전원을 공급할 수 있다. The
상기 제1 전극(11)은 예를 들어, 티탄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W) 및 캐리어 웨이퍼 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 캐리어 웨이퍼는 예를 들어 Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 및 SiGe으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The
상기 제1 전극(11)은 상기 발광 구조물(30) 아래에 도금 또는/및 증착되거나, 시트(sheet) 형태로 부착될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
도 10을 참조하면, 상기 성장 기판(50)을 180°뒤집은 다음, 상기 성장 기판(50)이 제거될 수 있다. Referring to FIG. 10, after the
상기 성장기판은 레이저 리프트 오프(LLO, Laser Lift Off), 화학적 에칭(CLO, Chemical Lift Off), 또는 물리적인 연마 방법 중 적어도 하나의 방법에 의해 제거될 수 있다.The growth substrate may be removed by at least one of the following methods: laser lift off (LLO), chemical lift off (CLO), or physical polishing.
상기 레이저 리프트 오프(LLO)는 상기 성장 기판(50)과 상기 제2 도전형 반도체층(29) 사이의 계면에 레이저를 집중적으로 조사하여 상기 성장 기판(50)이 상기 제2 도전형 반도체층(29)으로부터 분리되도록 한다.The laser lift off (LLO) intensively irradiates a laser to the interface between the
상기 화학적 에칭은 습식 에칭을 이용하여 상기 제2 도전형 반도체층(29)이 노출되도록 상기 기판을 제거한다. The chemical etching removes the substrate to expose the second conductive
상기 물리적인 연마기를 이용하여 물리적으로 기판을 직접 연마하여 상기 제2 도전형 반도체층(29)이 노출되도록 상기 성장 기판(50)의 상면부터 순차적으로 제거한다.The substrate is physically polished by using the physical polishing machine so as to sequentially remove the second
도 11을 참조하면, 경사진 형태의 상기 제2 도전형 반도체층(29)의 측면, 상기 도전층(35)의 측면 및 상기 제1 보호층(23)의 측면이 노출되도록 메사 에칭이 수행될 수 있다. 이러한 메사 에칭에 의해 상기 그루부의 외곽 영역에 형성되어 있는 상기 오믹 콘택층(19), 상기 제1 도전형 반도체층(25), 상기 활성층(27) 및 상기 제2 도전형 반도체층(29)이 제거될 수 있다. 11, mesa etching is performed so that the side surfaces of the inclined second conductive
상기 그루부의 외곽 영역에 형성되어 있는 상기 오믹 콘택층(19), 상기 제1 도전형 반도체층(25), 상기 활성층(27) 및 상기 제2 도전형 반도체층(29)을 제거하기 위해 상기 도전층(35)과 상기 제1 보호층(23)은 스토퍼(stopper)로서 사용될 수 있다. The first conductivity
이어서, 상기 제2 도전형 반도체층(29) 상에 다수의 전극 패드(37)와 다수의 전극 라인(39)을 포함하는 제2 전극(40)이 형성될 수 있다. A
상기 다수의 전극 라인(39)은 서로 간에 교차하도록 형성될 수 있다. 이러한 다수의 전극 라인(39) 중 최외곽 전극 라인(39)은 상기 도전층(35)과 수직 방향으로 중첩되도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 전극 패드(37)는 상기 도전층(35)과 수직 방향으로 중첩되도록 형성될 수 있다.The plurality of
상기 제2 전극(40)은 Au, Ti, Ni, Cu, Al, Cr, Ag 및 Pt로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. The
도 12을 참조하면, 적어도 상기 발광 구조물(30)의 측면, 상기 도전층(35)의 측면 및 상기 제1 보호층(23)의 측면 상에 제2 보호층이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 12, a second passivation layer may be formed on at least a side surface of the
즉, 상기 제2 보호층은 상기 발광 구조물(30), 구체적으로 상기 제2 도전형 반도체층(29)의 상면의 둘레 영역으로부터, 상기 제2 도전형 반도체층(29)의 측면, 상기 도전층(35)의 측면 및 상기 제1 보호층(23)의 측면을 경유하여 상기 배리어층(15)의 상면의 둘레 영역까지 형성될 수 있다. That is, the second passivation layer is formed on the side surface of the second conductive
상기 제2 보호층은 상기 발광 구조물(30)과 외부의 전도성 부재 사이의 전기적 쇼트를 방지하는 역할을 할 수 있다. 상기 제2 보호층은 예를 들어, SiO2,SiOx,SiOxNy,Si3N4,TiO2및 Al2O3로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나를 포함하는 절연성 재질을 포함할 수 있지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. The second passivation layer may prevent electrical short-circuiting between the
상기 제2 보호층은 상기 제1 보호층(23)과 상기 전류 차단층(21)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.The second passivation layer may include the same material as the
상기 제2 보호층과 상기 제2 전극(40)을 마스크로 하여 식각 공정을 수행하여, 상기 제2 전극(40)에 의해 노출된 상기 제2 도전형 반도체층(29)의 상면에 러프니스나 요철(32)이 형성될 수 있다. An etching process is performed using the second protective layer and the
상기 요철(32)은 상기 제2 도전형 반도체층(29)의 상면을 통과하는 광을 산란시켜, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. The projections and
도 13은 실시예들에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도이다. 13 is a cross-sectional view of a light emitting device package including the light emitting device according to the embodiments.
도 13을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 몸체(330)와, 상기 몸체(330)에 설치된 제1 리드 프레임(310) 및 제2 리드 프레임(320)과, 상기 몸체(330)에 설치되어 상기 제1 리드 프레임(310) 및 제2 리드 프레임(320)으로부터 전원을 공급받는 제1 실시예 내지 제3 실시예들에 따른 발광 소자(1)와, 상기 발광 소자(1)를 포위하는 몰딩부재(340)를 포함한다.Referring to FIG. 13, a light emitting
상기 몸체(330)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(1)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The
상기 제1 리드 프레임(310) 및 제2 리드 프레임(320)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(1)에 전원을 제공한다.The
또한, 상기 제1,2 리드 프레임(310,320)은 상기 발광 소자(1)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(1)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The first and second lead frames 310 and 320 may increase light efficiency by reflecting the light generated from the
상기 발광 소자(1)는 상기 제1 리드 프레임(310), 제2 리드 프레임(320) 및 상기 몸체(330) 중 어느 하나 위에 설치될 수 있으며, 와이어 방식, 다이 본딩 방식 등에 의해 상기 제1,2 리드 프레임(310,320)에 전기적으로 연결될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
실시예에서는 실시예에 따른 발광 소자(1)가 예시되어 있으며, 두개의 와이어(350)를 통해 상기 제1,2 리드 프레임(310,320)과 전기적으로 연결된 것이 예시되어 있으나, 제2 실시예에 따른 발광 소자(1)의 경우 상기 와이어(350)없이 상기 제1,2 리드 프레임(310,320)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 제3 실시예에 따른 발광 소자(1)의 경우 하나의 와이어(350)를 이용하여 상기 제1,2 리드 프레임(310,320)과 전기적으로 연결될 수 있다.In the embodiment, the
상기 몰딩부재(340)는 상기 발광 소자(1)를 포위하여 상기 발광 소자(1)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(340)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(1)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The
또한, 상기 발광 소자 패키지(200)는 COB(Chip On Board) 타입을 포함하며, 상기 몸체(330)의 상면은 평평하고, 상기 몸체(330)에는 복수의 발광 소자(1)가 설치될 수도 있다.In addition, the light emitting
실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광 소자 패키지(200)에서 방출되는 광의 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트, 형광 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지(200), 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시예는 상술한 실시예들에 기재된 발광 소자(1) 또는 발광 소자 패키지(200)를 포함하는 조명 유닛으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 유닛은 표시 장치, 지시 장치, 램프, 가로등을 포함할 수 있다. A light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, a fluorescent sheet, and the like, which are optical members, are disposed on a path of light emitted from the light emitting
도 14는 실시예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 도시하는 도면이다. 다만, 도 14의 백라이트 유닛은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.FIG. 14 is a view illustrating a backlight unit including the light emitting device or the light emitting device package according to the embodiment. However, the backlight unit of Fig. 14 is an example of the illumination system and is not limited thereto.
도 14를 참조하면, 상기 백라이트 유닛(1100)은 바텀 커버(1140)와, 상기 바텀 커버(1140) 내에 배치된 광가이드 부재(1120)과, 상기 광가이드 부재(1120)의 적어도 일 측면 또는 하면에 배치된 발광 모듈(1110)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 광가이드 부재(1120) 아래에는 반사시트(1130)가 배치될 수 있다.14, the
상기 바텀 커버(1140)는 상기 광가이드 부재(1120), 상기 발광 모듈(1110) 및 상기 반사시트(1130)가 수납될 수 있도록 상면이 개구된 박스(box) 형성으로 형성될 수 있으며, 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 발광 모듈(1110)은 기판(300)과, 상기 기판(300)에 탑재된 복수개의 실시예에 따른 발광 소자(100) 또는 발광 소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 상기 복수개의 실시예에 따른 발광 소자(100) 또는 발광 소자 패키지(200)는 상기 광가이드 부재(1120)에 빛을 제공할 수 있다. 다만, 도면에서는 상기 기판(300) 상에 상기 발광 소자 패키지(200)가 설치된 것이 예시되어 있다.The
도시된 것처럼, 상기 발광 모듈(1110)은 상기 바텀 커버(1140)의 내측면 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있으며, 이에 따라 상기 광가이드 부재(1120)의 적어도 일 측면을 향해 빛을 제공할 수 있다.As shown, the
다만, 상기 발광 모듈(1110)은 상기 바텀 커버(1140) 아래에 배치되어, 상기 광가이드 부재(1120)의 밑면을 향해 빛을 제공할 수도 있으며, 이는 상기 백라이트 유닛(1100)의 설계에 따라 다양하게 변형 가능하므로 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 광가이드 부재(1120)는 상기 바텀 커버(1140) 내에 배치될 수 있다. 상기 광가이드 부재(1120)는 상기 발광 모듈(1110)로부터 제공받은 빛을 면광원화 하여, 표시 패널(미도시)로 가이드할 수 있다. The
상기 광가이드 부재(1120)는 예를 들어, 도광판(LGP, Light Guide Panel) 일 수 있다. 상기 도광판은 예를 들어 PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC, 또는 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나로 형성될 수 있다. The
상기 광가이드 부재(1120)의 상측에는 광학 시트(1150)가 배치될 수도 있다.An
상기 광학 시트(1150)는 예를 들어 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트, 또는 형광 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광학 시트(1150)는 상기 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트가 적층되어 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 확산 시트(1150)는 상기 발광 모듈(1110)에서 출사된 광을 고르게 확산시켜주고, 상기 확산된 광은 상기 집광 시트에 의해 표시 패널(미도시)로 집광될 수 있다. 이때 상기 집광 시트로부터 출사되는 광은 랜덤하게 편광된 광인데, 상기 휘도상승 시트는 상기 집광 시트로부터 출사된 광의 편광도를 증가시킬 수 있다. 상기 집광 시트는 예를 들어, 수평 또는/및 수직 프리즘 시트일 수 있다. 또한, 상기 휘도상승 시트는 예를 들어, 조도 강화 필름(Dual Brightness Enhancement film) 일 수 있다. 또한, 상기 형광 시트는 형광체가 포함된 투광성 플레이트 또는 필름이 될 수도 있다.The
상기 광가이드 부재(1120)의 아래에는 상기 반사시트(1130)가 배치될 수 있다. 상기 반사시트(1130)는 상기 광가이드 부재(1120)의 하면을 통해 방출되는 빛을 상기 광가이드 부재(1120)의 출사면을 향해 반사할 수 있다. The
상기 반사시트(1130)는 반사율이 좋은 수지 재질, 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
도 15는 실시예에 따른 발광 소자(100) 또는 발광 소자 패키지(200)를 포함하는 조명 유닛(1200)의 사시도이다. 다만, 도 15의 조명 유닛(1200)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.15 is a perspective view of a
도 15를 참조하면, 상기 조명 유닛(1200)은 케이스 몸체(1210)와, 상기 케이스 몸체(1210)에 설치된 발광모듈부(1230)와, 상기 케이스 몸체(1210)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1220)를 포함할 수 있다.15, the
상기 케이스 몸체(1210)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The
상기 발광모듈부(1230)는 기판(300)과, 상기 기판(300)에 탑재되는 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자(100) 또는 발광 소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 다만, 실시예에서는 상기 발광 소자 패키지(200)가 상기 기판(300) 상에 설치된 것이 예시되어 있다.The light emitting
상기 기판(300)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. The
또한, 상기 기판(300)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.In addition, the
상기 기판(300) 상에는 상기 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(200)는 각각 적어도 하나의 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)를 포함할 수 있다. 상기 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 발광모듈부(1230)는 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 소자의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다. 또한, 상기 발광모듈부(1230)에서 방출되는 광의 진행 경로 상에는 형광 시트가 더 배치될 수 있으며, 상기 형광 시트는 상기 발광모듈부(1230)에서 방출되는 광의 파장을 변화시킨다. 예를 들어, 상기 발광모듈부(1230)에서 방출되는 광이 청색 파장대를 갖는 경우 상기 형광 시트에는 황색 형광체가 포함될 수 있으며, 상기 발광모듈부(1230)에서 방출된 광은 상기 형광 시트를 지나 최종적으로 백색광으로 보여지게 된다.The light emitting
상기 연결 단자(1220)는 상기 발광모듈부(1230)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 도 15에 도시된 것에 따르면, 상기 연결 단자(1220)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1220)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The
1: 발광 소자 11: 제1 전극
13: 접착층 15: 배리어층
17: 반사층 19: 오믹 콘택층
21: 전류 차단층 23: 제1 보호층
25: 제1 도전형 반도체층 27: 활성층
29: 제2 도전형 반도체층 30: 발광 구조물
32: 요철 35: 도전층
37: 전극 패드 39: 전극 라인
40: 제2 전극 45: N-face 영역
47: Ga-face 영역 50: 성장 기판1: light emitting element 11: first electrode
13: adhesive layer 15: barrier layer
17: reflective layer 19: ohmic contact layer
21: current blocking layer 23: first protection layer
25: first conductivity type semiconductor layer 27: active layer
29: second conductivity type semiconductor layer 30: light emitting structure
32: concave and convex 35: conductive layer
37: electrode pad 39: electrode line
40: second electrode 45: N-face region
47: Ga-face region 50: growth substrate
Claims (19)
상기 제1 전극 상에 발광 구조물;
상기 발광 구조물 상의 최외곽 영역에 형성되는 제1 전극 라인 및 상기 발광 구조물 상의 중심 영역에 형성되어 상기 제1 전극 라인과 연결되는 제2 전극 라인을 포함하는 제2 전극; 및
일측은 상기 발광 구조물의 외측으로 연장되고 타측은 상기 제1 전극 라인과 수직으로 중첩되는 도전층을 포함하는 발광소자.A first electrode;
A light emitting structure on the first electrode;
A second electrode including a first electrode line formed in an outermost region on the light emitting structure and a second electrode line formed in a central region on the light emitting structure and connected to the first electrode line; And
And a conductive layer extending on one side of the light emitting structure and vertically overlapping the first electrode line on the other side.
상기 발광 구조물은,
상기 제1 전극 상에 제1 도전형 반도체층;
상기 제1 도전형 반도체층 상에 활성층; 및
상기 활성층 상에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 소자.The method according to claim 1,
The light-
A first conductive semiconductor layer on the first electrode;
An active layer on the first conductive semiconductor layer; And
And a second conductive semiconductor layer on the active layer.
상기 제1 전극과 상기 제1 도전형 반도체층 사이의 둘레 영역에 제1 보호층; 및
상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 도전층의 측면에 제2 보호층을 더 포함하는 발광 소자.3. The method of claim 2,
A first passivation layer in a peripheral region between the first electrode and the first conductive semiconductor layer; And
And a second passivation layer on a side surface of the second conductive semiconductor layer and the conductive layer.
상기 제2 도전형 반도체층의 하부와 접하며 일측이 상기 제2 도전형 반도체층의 측면과 인접한 도전층을 포함하는 발광소자.A light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer; And
And a conductive layer which is in contact with a lower portion of the second conductive type semiconductor layer and has one side adjacent to a side surface of the second conductive type semiconductor layer.
상기 도전층은 상기 제2 도전형 반도체층의 Ga-face 영역에 접촉되는 발광 소자.The method according to claim 2 or 4,
And the conductive layer is in contact with the Ga-face region of the second conductivity type semiconductor layer.
상기 도전층의 일측은 상기 제2 도전형 반도체층의 측면과 접하는 발광소자.The method according to claim 2 or 4,
And one side of the conductive layer contacts a side surface of the second conductive type semiconductor layer.
상기 제1 도전형 반도체층 아래에 제1 전극;
상기 도전층의 타측과 수직으로 중첩되는 제2 전극;
상기 제1 전극과 상기 제1 도전형 반도체층 사이의 둘레 영역에 제1 보호층; 및
상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 도전층의 측면에 제2 보호층을 더 포함하는 발광 소자.5. The method of claim 4,
A first electrode under the first conductive semiconductor layer;
A second electrode vertically overlapped with the other side of the conductive layer;
A first passivation layer in a peripheral region between the first electrode and the first conductive semiconductor layer; And
And a second passivation layer on a side surface of the second conductive semiconductor layer and the conductive layer.
상기 제1 전극과 상기 제1 도전형 반도체층 사이에 전류 차단층, 오믹 콘택층 및 반사층 중 적어도 하나 이상의 층을 더 포함하는 발광 소자.8. The method according to claim 3 or 7,
Further comprising at least one layer of a current blocking layer, an ohmic contact layer, and a reflective layer between the first electrode and the first conductive type semiconductor layer.
상기 제1 전극과 상기 제1 보호층 사이에 배리어층을 더 포함하는 발광 소자.9. The method of claim 8,
And a barrier layer between the first electrode and the first passivation layer.
상기 제1 및 제2 보호층은 절연 물질을 포함하는 발광 소자.8. The method according to claim 3 or 7,
Wherein the first and second protective layers comprise an insulating material.
상기 제2 전극은,
상기 제2 도전형 반도체층 상의 최외곽 영역에 형성된 제1 전극 라인; 및
상기 제2 도전형 반도체층 상의 중심 영역에 형성되고 상기 제1 전극 라인에 연결되는 제2 전극 라인을 포함하며,
상기 도전층은 상기 제1 전극 라인과 수직으로 중첩되는 발광 소자.8. The method of claim 7,
Wherein the second electrode comprises:
A first electrode line formed in an outermost region on the second conductive type semiconductor layer; And
And a second electrode line formed in a central region on the second conductive type semiconductor layer and connected to the first electrode line,
And the conductive layer is vertically overlapped with the first electrode line.
상기 도전층은 Cr, V, W, Ti 및 Al으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.The method according to claim 1 or 4,
Wherein the conductive layer comprises at least one selected from the group consisting of Cr, V, W, Ti and Al.
상기 도전층은 상기 제2 전극에 형성된 고 전계를 분산시키는 발광 소자.8. The method of claim 1 or 7,
And the conductive layer disperses a high electric field formed on the second electrode.
상기 제1 전극은 전도성을 갖는 지지 부재를 포함하는 발광 소자.8. The method of claim 1 or 7,
Wherein the first electrode comprises a supporting member having conductivity.
상기 제2 전극은 상기 도전층과 동일한 물질을 포함하는 발광 소자.8. The method of claim 1 or 7,
Wherein the second electrode comprises the same material as the conductive layer.
상기 제2 전극은 상기 도전층과 상이한 물질을 포함하는 발광 소자.8. The method of claim 1 or 7,
Wherein the second electrode comprises a material different from the conductive layer.
상기 제2 도전형 반도체층 상에 전극;
상기 발광 구조물의 둘레 영역에 상기 발광 구조물의 하면으로부터 상부 방향으로 형성된 그루브;
상기 그루브 내에 상기 전극과 수직 방향으로 중첩되고 상기 제2 도전형 반도체층의 Ga-face 영역에 접촉하는 도전층을 포함하는 발광 소자.A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer on the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer on the active layer;
An electrode on the second conductive type semiconductor layer;
A groove formed in a peripheral region of the light emitting structure in an upward direction from a lower surface of the light emitting structure;
And a conductive layer superimposed on the Ga-face region of the second conductive type semiconductor layer in the groove in a direction perpendicular to the electrode.
상기 도전층과 상기 전극 사이에 상기 제2 도전형 반도체층이 형성되는 발광 소자.18. The method of claim 17,
And the second conductivity type semiconductor layer is formed between the conductive layer and the electrode.
상기 몸체에 설치된 제1항 내지 제4항, 제17항, 제18항의 어느 한 항에 의한 발광 소자; 및
상기 발광 소자를 포위하는 몰딩 부재를 포함하는 발광 소자 패키지.Body;
A light emitting device according to any one of claims 1 to 4, 17, 18 provided on the body; And
And a molding member surrounding the light emitting element.
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