KR101822147B1 - 나노입자-유래 박막에서의 탄소를 제거하기 위한 h2s 반응성 어닐링 - Google Patents

나노입자-유래 박막에서의 탄소를 제거하기 위한 h2s 반응성 어닐링 Download PDF

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Abstract

CIGS 나노입자를 사용하여 기판상에 CIGS 흡수체 층을 제공하는 방법은, 막을 건조시키고, CIGS 결정을 형성하기 위해 CIGS 나노입자를 함께 융합(fuse)하는 것이 가능하도록 CIGS 나노입자 막(들)을 가열하는 단계를 포함하는 하나 이상의 어닐링 단계를 포함한다. 일반적으로, 적어도 최종 어닐링 단계는 CIGS 결정을 형성하기 위한 융합된 파티클을 유발할 것이다. CIGS 흡수체 층 결과물에 있어서 더 큰 입자의 성장을 용이하게 하고 이러한 층들의 개선된 광전지 성능을 야기하기 위해, 반응성 가스 어닐링이 발견되었다. CIGS 나노입자 막에서 탄소의 존재가 어닐링 후 CIGS 막에서 획득될 수 있는 결정의 크기를 제한하고 입자 성장을 저해하는 것으로 추측되었다. 황을 함유하는 반응성 분위기로 CIGS 나노입자 막을 노출하는 것이 막의 탄소 함량을 감소시키고, 결과적으로 어닐링 후 더 큰 CIGS 결정의 성장을 초래함이 발견되었다.

Description

나노입자-유래 박막에서의 탄소를 제거하기 위한 H2S 반응성 어닐링{H2S Reactive Anneal to Reduce Carbon in Nanoparticle-Derived Thin Films}
본 출원은 2014.1.31. 출원된 미국 임시 출원(61/934,495)에 대하여 우선권을 주장한다.
본 발명은 박막 광전지 소자(photovoltaic device)에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 발명은 구리 인듐 갈륨 디셀레나이드(diselenide)/디설파이드(disulfide)(CIGS)-기반 박막 광전지 소자에 관한 것이다.
광전지 셀(photovoltaic cell)은 화석 연료 에너지에 대한 가장 촉망되는 대안 중 하나로 제안된다. 상업적 실행가능성을 위해서, 광전지 셀은 낮은 단가의 물질을 사용하여 제조단가가 낮아야 하며 고효율로 태양광을 전기로 변환해야 한다. 또한, 상업적으로 성공하기 위한 소자 제조 방법에 있어서, 재료의 합성에 사용되는 방법은 확장성이 있어야 한다.
최근 광전지 소자에 가장 일반적으로 사용되는 재료는 실리콘이다. 그러나, 실리콘은 신축성이 없으며, 비싸고, 상대적으로 좋지 못한 광 흡수체이다. 따라서, 다수의 박막 벌크(bulk) 반도체 재료들은, 예를 들면 카드뮴 텔루라이드(Cadmium Telluride), 구리 인듐 갈륨 설파이드(셀레나이드), 및 비정질 실리콘(Amorphous Silicon)이 잠정적 대체재로 제안된다. 이들 중, 일반적으로 CIGS로도 알려진 구리 인듐 갈륨 설파이드(셀레나이드)(CuXInYGaZSASeB)은 광전지 소자에 있어서 광활성 흡수체로서의 실리콘의 촉망받는 대체제로 널리 알려져 있다.
현재, CIGS 제조 기술 대부분은 증착(evaporation) 또는 스퍼터링과 같은 고진공(high vacuum) 기술을 포함한다. 이러한 기술들은 그것들이 고-처리량 방식을 구현하기 어려우며 크기에 제한이 있는 고-진공 챔버를 포함하기 때문에, 고-처리량 동작에는 적합하지 않다. 결과적으로, 이러한 기술들을 이용하여 대형(large) 및/또는 특이한(oddly) 모양의 기판상에 CIGS 막을 제조하기는 어렵다.
박막 CIGS 층을 생성하는 촉망받는 한 대체 방법은 나노입자 소결(sintering)에 의한 것이다. 이러한 기술은, 다양한 막-형성 기술 중 하나를 사용하여 기판상에 잉크 층을 증착하고, CIGS 전구체 물질의 나노입자로부터 용액 또는 잉크를 만드는 것을 포함한다. 증착된 층은 후에 막으로부터 용매 및 다른 잉크 성분을 제거하고, CIGS 반도체 층을 생성하도록 나노입자들을 용융시키기 위해 어닐링된다.
CIGS 잉크의 나노입자 성분들은 CIGS 전구체의 나노입자 - 구리, 인듐 및/또는 갈륨, 및 황(sulfur) 및/또는 셀레늄을 포함한다. 나노입자는 단일의 나노입자 성분들 중 하나 이상을 포함한다. 예를 들면, 나노입자는 CuInSe2 층을 제공하기 위해 Cu, In, 및 Se을 포함한다. 대안적으로, 결합되어 잉크는 원하는 성분을 제공하는 몇몇 다른 종류의 나노입자를 포함할 수 있다. 예를 들면, 잉크는 Cu 및 In의 나노입자 및 Cu 및 Se의 다른 나노입자를 포함할 수 있으며, 결합되어 CuInSe2를 제공한다.
광전지 박막의 시재료(starting material)로서 CIGS 나노입자를 유용하게 하기 위하여, 그것들은 다수의 특성을 보유하여야 한다. 먼저, 나노입자는 이상적으로는 직경이 수 나노미터에서 수백 나노미터 정도로 작아야 한다. 이러한 작은 입자들은 빽빽하게 채워질 수 있어, 그것들이 용융될 때 더 쉽게 서로 뭉쳐질 수 있도록 한다. 둘째로, 좁은 크기 분포는 거의 동일한 온도에서 나노입자 거의 모두가 용융되도록 하기 위해 선호되며, 이에 따라 얻어지는 박막이 균일하고 고품질일 것을 보장한다. 셋째로, 나노입자는 휘발성 유기 캡핑제(volatile organic capping agent)로 캡핑되는 것이 바람직하다. 이러한 캡핑제는 일반적으로 기판상에 나노입자를 증착하는 데 사용되도록 유기 용액에 나노입자를 용해하는 것에 도움을 주기 위해 필요하다. 캡핑 리간드(capping ligand)는 막이 어닐링될 때 그것들이 효율적으로 제거될 수 있도록 고 휘발성인 것이 바람직하다. 마지막으로, 나노입자의 용융 온도는, 낮은 공정 온도의 사용을 위해 상응하는 벌크 재료보다 낮아야 한다.
현재 CIGS 나노입자를 제조하는 데 다수의 기술이 사용된다. 나노입자는 벌크 구리 셀레나이드의 볼 밀링(ball milling), 초음파 화학적 방법(sonochemical method), 용매열 방법(solvothermal method), 및 콜로이드 방법(colloidal method)을 사용하여 생산될 수 있다.
본 명세서에 개시된 방법은 임의의 방법을 사용하여 제조된 CIGS 나노입자로 실시될 수 있다. 그러나, 콜로이드 방법이 특히 유망하다. 콜로이드 방법은 일반적으로 트리옥틸포스파인 옥사이드(trioctylphosphine oxide, TOPO)로 캡핑된 나노입자를 형성하기 위한 고온(> 250℃) 합성, 예를 들어 "고온-주입(hot-injection)" 기술을 포함한다. 고온-주입은 상승된 온도에서 대량의 용매에 소량의 전구체의 주입에 의존한다. 높은 온도는 나노입자의 핵형성(nucleation)을 시작시키는 전구체의 분해를 야기한다. 후에 반응 혼합물의 온도는, 적합한 유기 용매로 담금질(quenching)되기 전에 특정 기간 동안의 나노입자 성장을 지원하도록 낮아진다. 콜로이드 나노입자 합성의 다른 방법들은 미국 공개 특허 번호 2009/0139574 A1, 및 미국 특허 번호 8,563,348에 개시되어 있다.
나노입자가 준비되고 분리되어지면, 그것들은 막을 형성하기 위해 기판에 도포될 수 있는 잉크로 제제화될 수 있다. 이러한 잉크는 일반적으로 톨루엔(toluene), 이소포론(isophorone), 프로판올(propanol) 등의 유기 용매의 나노입자 용액 또는 현탁액(suspension)이다. 나노입자에 표면-결합된 리간드는 잉크로의 나노입자의 분산/현탁(dispersion/suspension)을 용이하게 하며, 나노입자의 응집(agglomerating)을 방지한다. 또한 잉크는 방부제(preservative), 유동(flow) 또는 점도 강화제 등의 추가 성분을 함유할 수 있다.
CIGS 잉크의 막은, 프린팅 또는 스프레이 공정, 스핀 코팅, 닥터 블레이딩(doctor blading) 등과 같은 다양한 막-형성 기술을 사용하여 기판상에 형성될 수 있다. 막의 유기 성분들을 제거하고, CIGS 반도체 층을 제공하는 나노입자를 소결시키기 위해서, 막이 형성된 후 일반적으로 가열된다.
고성능 CIGS 반도체 층을 획득하기 위해 막의 유기 성분을 제거하는 것이 중요한 것으로 관찰되었다. 소결 공정 동안 막의 유기성분의 존재는 반도체 입자의 성장을 제한하는 것으로 여겨진다. 작은 입자들은 반도체 층 결과물에서의 결정입계(grain boundary)의 수를 증가시키고, 막의 성능에 악영향을 미친다. 따라서, 본 기술 분야에서, 소결하는 동안 CIGS 막의 유기 성분을 제거하는 개선된 방법 및 시스템에 대한 필요성이 존재한다.
본 발명은 CIGS 나노입자 전구체 막을 도포하고 어닐링함으로써 광전지 소자의 CIGS 흡수체 층을 제공하는 시스템 및 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 방법의 이점은, 막의 탄소 성분 제거를 개선하고 더 양호한 소자 성능을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 방법은 반응성 H2S 분위기 및/또는 H2S 및 H2Se의 혼합물을 함유하는 분위기에서 도포된 CIGS 나노입자 막을 어닐링하는 단계를 포함한다.
본 발명의 CIGS 나노입자 전구체 막을 도포하고 어닐링함으로써 광전지 소자의 CIGS 흡수체 층을 제공하는 시스템 및 방법에 따르면, 막의 탄소 성분 제거를 개선하고 더 양호한 소자 성능을 제공할 수 있다.
도 1은 CIGS 반도체 층을 제공하기 위해 CIGS 나노입자의 막을 도포 및 어닐링하는 방법의 개략도이다.
도 2는 H2S 분위기에서 CIGS 나노입자를 도포하고 막을 어닐링함으로써 제공되는 광전지 소자의 I-V 곡선이다.
도 3은 H2S 및 H2Se 분위기에서 CIGS 나노입자를 도포하고 막을 어닐링함으로써 제공되는 광전지 소자의 I-V 곡선이다.
도 4는 도 2 및 3의 I-V 곡선을 생성하기 위해 사용되는 소자의 CIGS 층의 XRD 스펙트럼을 나타낸다.
도 5는 도 3의 I-V 곡선을 생성하기 위해 사용되는 소자의 CIGS 층의 SEM 이미지이다.
본 명세서에서, 용어 CIGS는 11족, 13족, 및 16족 원소를 함유하는 재료를 나타낸다. 일반적으로, CIGS 재료는 화학식 Cu(In,Ga)(S,Se)2을 갖는다. 화학양론은 달라질 수 있음을 유의한다. 또한 "CIGS"는 Ga이 존재하지 않는 경우, 예를 들면 CuInS2도 나타낼 수 있음을 유의한다. 본 명세서에 있어서, 용어 CIGS 나노입자 잉크는 CIGS 재료의 성분을 제공하는 나노입자를 함유하는 잉크를 나타낸다.
도 1은 기판(101)상에 CIGS 나노입자를 이용하여 CIGS 흡수체 층을 제공하는 일반적인 방법(100)을 나타낸다. 광전지 셀을 만드는 데 사용될 수 있는 많은 유형의 기판들이 통상의 기술자에게 자명할 것이다. 본 기술 분야에 알려진 바와 같이, 기판의 일 예로 몰리브덴-코팅된(molybdenum-coated) 유리가 있다.
제1 CIGS 나노입자 잉크(102)가 기판(101)상에 프린터(103)를 이용하여 프린팅된다. CIGS 나노입자 잉크(102)는 일반적으로 나노입자 CIGS 전구체를 함유하는, 즉 적어도 하나의 13족 재료(일반적으로 인듐 및/또는 갈륨), 11족 재료(일반적으로 구리), 및 16족 재료(일반적으로 황 및/또는 셀레늄)을 함유하는 유기 용매 현탁액이다. 모든 CIGS 전구체는 단일 종의 나노입자, 즉 일반 화학식 Cu(In,Ga)(S,Se)2을 갖는 나노입자로 제공될 수 있다. 대안적으로, CIGS 전구체는 하나 이상의 CISG 성분을 각각 제공하는 두 종류 이상의 나노입자 성분으로 제공될 수 있다. 일 예로 CuInSe2 CIGS 층의 성분을 제공하는 CuSe2 및 InSe2 나노입자를 함유하는 잉크가 있다.
본 명세서에 기술된 방법은 임의의 수의 방법으로 제공되는 CIGS 나노입자 막을 형성하기 위해 사용될 수 있다. 균일한 크기 및 설정된 화학양론의 CIGS 나노입자를 생성하는 방법은 미국 공개 특허 번호 2009/0139574 A1 및 미국 특허 번호 8,563,348에 개시되어 있으며, 이는 모두 본 명세서에 그 전체가 참조로서 포함된다.
정확하고, 맞춤형이며, 효과적으로 재료의 얇은 층을 프린팅하도록 나노입자는 잉크에 분산되어 있다. 잉크는 일반적으로 하나 이상의 유기 화합물, 예를 들면 방향족 화합물, 지방족 화합물, 및/또는 셀렌올(selenol) 또는 티올(thiol) 화합물을 포함한다. 때로는, 잉크는 톨루엔(toluene) 및 도데칸(dodecane)을 포함한다. 특정 실시 예에 따르면, 잉크 제제 결과물은 약 50% w/v까지의 나노입자를 포함할 수 있으며, w/v 백분율은 조절될 수 있다. 또한, 재료의 코팅 특성에 영향을 주기 위해 탄성체(elastomer) 또는 결합제(binder)가 잉크에 추가될 수 있다.
프린터(103)는 통상의 기술자에게 알려진, CIGS 나노입자 잉크를 분산하도록 구성될 수 있는 임의의 프린터일 수 있다. 예시로 도트 매트릭스(dot matrix) 프린터, 잉크젯 프린터 등을 포함한다. 또한, 프린트 단계 1은 도 1의 프린터를 이용하는 것으로 도시되었지만, 막을 도포하는 다른 기술들이 사용될 수 있다. 이러한 기술들의 예시로 스핀 코팅, 증발 코팅(evaporative coating), 닥터 블레이딩, 드롭 코팅(drop coating), 및 유기 박막을 도포하는 본 기술 분야에 알려진 임의의 다른 기술이 포함된다.
막 도포 후, 도포된 CIGS 나노입자 막은 CIGS 층(105) 생성을 위해 어닐링 단계(104)에서 어닐링된다. 어닐링 단계(104)는 일반적으로 막을 건조하기에 충분한 시간 및 온도로 CIGS 나노입자 막을 가열하는 단계를 포함한다. 또한 어닐링 단계(104)는 결과적으로 CIGS 결정을 형성하기 위한 나노입자 융합(fusing)을 야기할 수 있다. 어닐링 단계는 이하에서 더 구체적으로 기술될 것이다. 그러나 공정은 일반적으로 결정을 형성하기 위해 나노입자를 융합(fuse)하는 단계를 적어도 하나 포함함을 유의하여야 한다.
다음으로, 프린트 단계 2에서 CIGS 나노입자 잉크(106)가 프린터(107)를 사용하여 도포된다. 프린터(107)는 프린터(103)와 같은 것일 수 있으며, 프린트 단계 2에서 단순히 재사용될 수도 있고, 또는 프린터(107)는 장비의 별개의 부분일 수도 있다. 마찬가지로, CIGS 나노입자 잉크(106)는 102와 동일한 잉크 제제일 수도 있고 또는 다른 제제일 수도 있다. 더 두꺼운 막을 제공하기 위해 동일한 제제가 다수의 층으로 도포될 수 있다. 대안적으로, 잉크 제제들(102 및 106)은 흡수체 층 내의 위치에 따라 변화하는 조성물을 흡수체 층에 제공하기 위해 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 미국 특허 번호 8,563,348은 흡수체 층을 제공하기 위해 다수의 CIGS 층을 사용하는 방법을 제공하며, 여기서 In 대 Ga의 비율은 흡수체 층 내의 깊이에 따라 변한다.
계속해서 프린트 단계 2에서, 막은 제2 어닐링 단계(107)에서 이중 층 막(108)을 형성하기 위해 어닐링된다. 단지 명확성을 위해 막(108)이 두 구분되는 층을 갖는 것으로 묘사되었음을 유의하며; 실제로는 층 경계가 존재하지 않을 수(때로는 존재하지 않는 것이 선호됨) 있다.
방법(100)은 CIGS 나노입자 잉크(107)의 부가적인 층을 도포하기 위한 부가적인 프린트 단계(100), 및 부가적인 어닐링 단계(111)를 포함할 수 있다. 도 1은 3개의 각 단계를 나타내며, 단계의 수는 최종적인 원하는 제품의 두께 및 조성에 따라서 하나에서 실질적인 임의의 수까지도 될 수 있다. 방법(100)의 최종 제품은 흡수체 층(112)이다.
본 방법은 도 1에 도시된 하나 이상의 어닐링 단계(104, 107, 및 111)에 관한 것이다. 공정에 따라 실행될 하나 이상의 어닐링 단계가 이제 설명될 것이다. 상기 언급한 바와 같이, 어닐링은 막을 건조시키고, CIGS 결정을 형성되도록 CIGS 나노입자들이 가능한 서로 융합시키기 위해 CIGS 나노입자 막(들)을 가열하는 것을 포함한다. 일반적으로, 적어도 최종 어닐링 단계는 CIGS 결정 형성을 위해 융합된 파티클을 유발할 것이다.
막은 임의의 적합한 열원, 예를 들면 오븐, 진공 오븐, 로(furnace), IR 램프, 레이저, 또는 고온 플레이트로 가열될 수 있다. 어닐링 시간 및 온도는 잉크 조성물 뿐만 아니라 나노입자 크기 및 조성에 의존할 수 있다. 이러한 파라미터들은 과도한 실험 없이도 획득될 수 있다. 어닐링 온도는 일반적으로 200℃ 이상이다. 어닐링 온도는 온도 상승에 따라 제어될 수 있으며, 온도는 제1 온도에서 제2 온도로 주어진 변경 속도로 변경되고, 일정 시간동안 제2 온도로 유지된 후 제3 온도, 등으로 변경된다. 예시적인 온도 상승은 미국 공개 특허 번호 2009/0139574에 개시되어 있다.
어닐링은 정적 또는 동적 분위기에서 수행될 수 있다. 일 예에 따르면, 어닐링은 선택된 가스 흐름 분위기에서 관상로(tube furnace)를 사용하여 수행된다.
미국 공개 특허 번호 2009/0139574는 질소와 같은 정적 및 동적 비활성 분위기 모두에서의 어닐링을 제공한다. 그러나, 반응성 분위기 또한 사용될 수 있다. 예를 들면, Se는 어닐링 동안 막으로부터 제거되려는 경향이 있다. 따라서, 막의 Se 농도를 유지하거나 조절하기 위해서 Se-함유 막은 H2Se와 같이 Se-함유 분위기에서 어닐링되어야 한다. 또한, S-함유 막을 Se-함유 분위기에서 어닐링함으로써 S는 어닐링동안 Se로 대체될 수 있다. 막의 큰 입자의 형성 목적으로 S-함유 막을 어닐링하는 데 Se-함유 분위기를 사용하는 방법이 밝혀졌으며, 이는 S가 Se 원자로 대체되면 막의 부피가 팽창하기 때문이다. 부피 팽창의 정도는 약 14%이다.
CIGS 흡수체 층의 결과물에서 더 큰 입자 성장을 용이하게 하고 이러한 층들의 개선된 광전지 성능을 초래하기 위해 반응성 가스 어닐링이 밝혀졌다. CIGS 나노입자 막에서의 탄소의 존재는 입자 성장을 저해하고 어닐링할 때 CIGS 막에서 획득될 수 있는 결정의 크기를 제한한다. 이러한 탄소의 잠재적인 소스는 CIGS 나노입자 잉크, 잉크 내 다른 성분들, 예를 들면 탄성체, 결합체, 점도 조정제, 등 뿐만 아니라 나노입자 표면에 결합된 리간드를 형성하는 데 사용되는 용매(들)이다.
본 발명자는 황을 함유하는 반응성 분위기로 CIGS 나노입자 막을 노출하는 것은 막의 탄소 양을 감소시킬 수 있으며, 결과적으로 어닐링 시 더 큰 CIGS 결정의 성장을 초래함을 발견하였다. 일 실시 예에 따르면, 도 1에 도시된 하나 이상의 어닐링 단계는 H2S와 같은 반응성 황-함유 분위기에서 수행된다. CIGS 나노입자 막은 일반적으로 전체 조성물 Cu(In 및/또는 Ga)(S 및/또는 Se)2를 제공하는 하나 이상 종류의 나노입자를 함유한다. S-함유 분위기에서 S-함유 또는 Se-함유 막을 어닐링하는 것은 반직관적인 것임을 유의하여야 할 것이다. Se 분위기에서 이러한 종류의 막들을 어닐링하는 것이 더 일반적이다. 반응성 Se-함유 분위기에서 어닐링되고 뒤이어 막들은 S-함유 분위기에서 어닐링된다.
반응적으로 CIGS 나노입자 막으로부터 탄소를 제거하는 것은 더 큰 CIGS 결정과, 탄소-함유 막에서의 결정 형성에 요구되는 것보다 낮은 어닐링 온도를 제공한다. 어닐링 온도는 500℃ 이하, 480℃ 이하, 또는 460℃ 이하일 수 있다. 더 낮은 온도의 공정은 몇몇 이점을 제공한다. 예를 들면, 더 낮은 온도에서, CIGS 흡수체 층은, 더 높은 온도의 공정에서는 견뎌낼 수 없는, 폴리머와 같은 더 유연한 기판상에서 성장할 수 있다. 또한, 더 낮은 온도의 공정은 고장 모드(failure mode)로 작동하는 MoSe와 같은 종(specie)의 형성을 방지한다.
반응성 황 어닐링이 도 1에 도시된 어닐링 단계의 임의의 부분으로서 실행될 수 있음은 이해될 것이다. 다시 말해, 하나 이상의 층 및/또는 완성된 CIGS 흡수체 층은 반응성 황의 존재하에서 어닐링될 수 있다.
또 다른 실시 예에 따르면, 하나 이상의 어닐링 단계는 S-함유 가스 및 Se-함유 가스의 혼합물하에서 실행될 수 있다. H2S가 뒤따르는 H2Se을 이용한 반응성 어닐링은 증가된 개방 회로 전압(Voc), 및 그와 일치하는 단락 회로 전류(Jsc)의 감소를 초래한다. 막 내에서의 H2S 및 H2Se의 혼합물하에서의 반응성 어닐링은 막의 전력 변환 효율(power conversion efficiency, PCE) 및 필 팩터(fill factor)를 증가시킨다.
도 2는 CIGS 나노입자 잉크를 이용하여 막을 도포하고, H2Se 분위기에서 막을 어닐링하여 형성된 흡수체 층을 사용한 소자의 전류-전압 그래프를 나타낸다. 소자는 0.4 V의 Voc, 32.4 mA/cm2의 Jsc, 53의 필 팩터, 그리고 8.1%의 PCE를 나타낸다.
도 3은 H2S 및 H2Se 혼합물로 어닐링된 필름을 제외한 유사한 방식으로 제조된 소자에 대한 그래프를 나타낸다. 도 3의 소자는 0.48 V의 Voc, 35.7 mA/cm2의 Jsc, 61.1의 필 팩터, 그리고 10.6%의 PCE를 나타낸다. 기준 소자와 비교할 때, Jsc는 32.4 mA/cm2 에서 35.7mA/cm2 로 증가하였고, FF는 53 에서 61.1 로 크게 증가하여, 결과적으로 10.6%의 소자 PCE를 초래하였다.
표 1은 도 3에 도시된 그래프를 생성하는 데 사용되는 소자에 대한 소자 단일화(singularization)를 위한 데이터를 나타낸다. 표는 소자의 표면적 감소에 따라 증가하는 필 팩터(FF)를 나타낸다. 소자가 단일화됨에 따라(입사 표면적(incident surface area)이 감소함으로써) FF는 68.3까지, 효율은 11.0%로 증가한다. 이 값들은 진공 공정을 사용하여 제조된 소자에 관한 문헌에서 인용된 값들과 비교된다.
표 1.
소자 면적 (cm2) Voc (V) Jsc (mA/cm2) FF PCE (%)
0.2 0.49 34.2 61.4 10.6
0.1 0.47 34.4 66.8 11.0
0.05 0.46 34.3 68.3 11.0
도 4는 H2Se (A)에서, 그리고 H2S/H2Se (B)에서 어닐링된 막의 XRD 스펙트럼을 나타낸다. 막의 조성물들은 주로 CuInSe2에 상응하며, 매우 유사하다. 막들의 유사도는 FF에 있어서의 이득이 막의 화학 조성물에 의한 결과는 아님을 나타내며, 그러나 대신에 막의 품질과 관련이 있음을 나타낸다. H2S/H2Se-어닐링된 막의 SEM 이미지는 상당한 입자 성장을 나타낸다. 막의 SEM 이미지의 일 예시는 도 5에 나타나있다.
바람직한 실시 예 및 다른 실시 예들에 관한 전술된 설명은 본 출원인에 의해 구상된 발명의 개념의 범주 또는 응용을 제한하거나 제약하는 것으로 의도되지 않는다. 본 발명의 임의의 실시 예 또는 양태에 따른 상술된 특징 구성들이, 단독으로 또는 기술된 임의의 다른 특징 구성들, 본 발명의 임의의 다른 실시 예, 또는 양태와의 조합으로 사용될 수 있음이 본 발명의 이점과 함께 이해될 것이다. 본 발명의 특정 실시 예들이 도시되고 설명되었지만, 이들이 본 특허의 권리범위를 제한하는 것으로 의도되지는 않는다. 다양한 변형 및 수정이 다음의 청구 범위에 의해 문언적으로 그리고 균등적으로 포함되는 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 이루어질 수 있음은 통상의 기술자에게 이해될 것이다.

Claims (22)

  1. 구리 인듐 갈륨 설파이드(셀레나이드) [CIGS] 나노입자를 함유하는 막을 제공하는 방법으로:
    기판상에 막을 형성하기 위해 CIGS 전구체 용액 또는 현탁액을 도포하는 단계;
    반응성 셀레늄-함유 분위기에서 상기 막을 어닐링하는 단계; 그리고
    상기 반응성 셀레늄-함유 분위기에서 상기 막을 어닐링하는 단계 이후에, 반응성 황-함유 분위기에서 상기 막을 어닐링하는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 반응성 황-함유 분위기는 황화 수소 가스(H2S)를 포함하는 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 반응성 황-함유 분위기는 셀레늄을 더 포함하는 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 반응성-셀레늄 함유 분위기는 셀렌화 수소 가스(H2Se)를 포함하는 방법.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 CIGS 전구체는 구리, 인듐 및/또는 갈륨, 및 황 및/또는 셀레늄을 포함하는 방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 기판은 유리를 포함하는 방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 유리는 몰리브덴-코팅된 유리인 방법.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 셀레늄-함유 분위기에서 어닐링하는 단계 및 상기 황-함유 분위기에서의 어닐링하는 단계 중 적어도 하나의 어닐링하는 단계는 200℃ 이상의 온도에서 수행되는 방법.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 셀레늄-함유 분위기에서 어닐링하는 단계 및 상기 황-함유 분위기에서의 어닐링하는 단계 중 적어도 하나의 어닐링하는 단계의 온도는 상기 어닐링 공정 동안 변동되는 방법.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 어닐링하는 단계의 온도는 제1 온도에서 제2 온도로 선택된 변동 속도로 변동되는 방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    선택된 시간 동안 상기 제2 온도로 상기 적어도 하나의 어닐링하는 단계의 온도를 유지하고, 그 후 상기 적어도 하나의 어닐링하는 단계의 온도를 제3 온도로 변동시키는 단계를 더 포함하는 방법.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 황-함유 분위기는 정적인 방법.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 황-함유 분위기는 동적인 방법.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 어닐링하는 단계의 시간 및 온도는 CIGS 결정을 형성하는 파티클 융합(fuse)을 유발하기에 충분한 방법.
  15. 삭제
  16. 제1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 어닐링하는 단계는 관상로(tube furnace) 내에서 수행되는 방법.
  17. 제1 항에 있어서,
    상기 기판은 폴리머이며,
    상기 적어도 하나의 어닐링하는 단계의 온도는 500℃ 이하인 방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 기판은 폴리머이며,
    상기 적어도 하나의 어닐링하는 단계의 온도는 460℃ 이하인 방법.
  19. 제1 항에 있어서,
    다중-층 막 형성을 위해 부가적인 도포 및 어닐링 단계를 더 포함하는 방법.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 다중-층 막에서의 인듐 대 갈륨의 비율은 상기 막 내에서의 깊이의 함수에 따라 변동되는 방법.
  21. 제1 항에 있어서,
    상기 반응성 황-함유 분위기에서 상기 막을 어닐링하면서 상기 막으로부터 탄소를 반응적으로 제거하는 단계를 더 포함하는 방법.
  22. 삭제
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