KR101814362B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101814362B1
KR101814362B1 KR1020160104091A KR20160104091A KR101814362B1 KR 101814362 B1 KR101814362 B1 KR 101814362B1 KR 1020160104091 A KR1020160104091 A KR 1020160104091A KR 20160104091 A KR20160104091 A KR 20160104091A KR 101814362 B1 KR101814362 B1 KR 101814362B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
groove
suction pressure
chemical solution
vibration plate
Prior art date
Application number
KR1020160104091A
Other languages
English (en)
Inventor
박형신
이기우
김미지
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020160104091A priority Critical patent/KR101814362B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101814362B1 publication Critical patent/KR101814362B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C13/00—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles
    • B05C13/02—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles for particular articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67715—Changing the direction of the conveying path
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67793—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations with orientating and positioning by means of a vibratory bowl or track

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 피처리 기판에 대한 약액 도포 공정을 처리하는 기판 처리 장치는, 초음파에 의한 진동 에너지를 이용하여 기판을 부상시키는 진동플레이트와, 기판의 표면에 약액을 도포하는 약액 도포 유닛과, 약액 도포 유닛의 하부에 배치되며 진동플레이트의 상면에 함몰 형성되는 그루브와, 그루브에 흡입압을 인가하는 흡입압 형성부를 포함하는 것에 의하여, 약액이 도포되는 영역에서 진동에 의한 영향을 억제하면서, 기판의 하부에 존재하는 이물질을 제거하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 기판에 약액을 균일하게 도포할 수 있으며, 얼룩의 발생을 억제할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
LCD 등 플랫 패널 디스플레이를 제조하는 공정에서는 유리 등으로 제작된 피처리 기판의 표면에 레지스트액 등의 약액을 도포하는 코팅 공정이 수반된다. LCD의 크기가 작았던 종래에는 피처리 기판의 중앙부에 약액을 도포하면서 피처리 기판을 회전시키는 것에 의하여 피처리 기판의 표면에 약액을 도포하는 스핀 코팅 방법이 사용되었다.
그러나, LCD 화면의 크기가 대형화됨에 따라 스핀 코팅 방식은 거의 사용되지 않으며, 피처리 기판의 폭에 대응하는 길이를 갖는 슬릿 형태의 슬릿 노즐과 피처리 기판을 상대 이동시키면서 슬릿 노즐로부터 약액을 피처리 기판의 표면에 도포하는 방식의 코팅 방법이 사용되고 있다.
최근에는 정해진 시간에 보다 많은 수의 피처리 기판의 표면에 약액을 코팅하는 방법의 일환으로서, 일본 공개특허공보 제2005-243670호에는 기판이 반입되고 도포되며 반출되는 방향을 따라 에어를 분출하여 기판을 부상시키는 부상 스테이지가 설치되고, 그 양측에 흡착 패드 등으로 형성된 기판 배출 기구가 구비되어, 정지된 상태의 슬릿 노즐에 의해 연속적으로 공급되는 피처리 기판의 표면에 약액을 공급하여 코팅하는 기술이 개시되어 있다.
그런데, 종래 부상식 기판 코터 장치에서는, 기판에 부상력이 작용하는 영역과 무관하게 기판의 표면에 약액이 도포됨에 따라, 기판에 부상력이 작용하는 영역에서 약액이 도포되면, 기판에 부상력이 작용하는 영역에서 발생하는 진동에 의한 영향에 의하여 약액이 균일하게 도포되지 못하는 현상이 발생되고, 이와 같은 약액의 불균일 도포에 의해 얼룩이 발생하는 문제점이 있다.
다시 말해서, 기판에 부상력이 작용하는 영역(에어가 분출되는 영역)에서는 부상력에 의한 진동이 가장 크게 발생하게 되는데, 종래에는 기판에 부상력이 작용하는 영역에서 약액의 도포가 이루어짐에 따라, 약액이 균일하게 도포될 수 없고 얼룩이 발생하는 문제점이 있다.
또한, 기판이 부상된 상태로 이송되는 동안, 기판의 하부에 이물질이 존재하면, 기판의 표면에 약액이 균일하게 도포되기 어렵고, 이물질에 의해 기판에 스크레치가 발생하거나, 기판에 인접한 장비가 손상될 수 있기 때문에, 기판의 하부의 이물질이 제거될 수 있어야 한다.
다시 말해서, 기판이 부상된 높이(진동플레이트와 기판 사이의 거리)보다 큰 크기의 비고착성(이동 가능한) 이물질이 기판의 하부에 존재하는 상황에서 기판이 이송되면, 이물질이 위치한 부위에서는 이물질에 의해 기판의 부상 높이가 국부적으로 달라(높아)지기 때문에 약액이 균일한 조건으로 도포되기 어려운 문제점이 있다.
더욱이, 기판의 부상 높이보다 큰 크기의 비고착성 이물질은 기판이 이송됨에 따라 기판에 의해 쓸려지며 이동하게 되는데, 주변 간섭에 의해 이물질의 이동이 정지된 상태에서 기판만이 이송되면, 기판과 이물질 간의 간섭에 의해 기판에 스크레치 및 데미지가 발생하는 문제점이 있다. 뿐만 아니라, 슬릿 노즐의 하부에서 이물질이 정지되면, 이물질에 의해 기판의 배치 높이가 비정상적으로 높아져 기판이 슬릿 노즐에 접촉하는 문제점이 있고, 기판과 슬릿 노즐의 비정상적인 접촉에 의해 슬릿 노즐이 손상되거나 기판이 손상되는 문제점이 있다.
이에 따라, 최근에는 약액의 도포 균일성을 향상시키고 얼룩의 발생을 방지할 수 있으며, 기판 주변의 이물질을 제거하기 위한 다양한 검토가 이루어지고 있으나, 아직 미흡하여 이에 대한 개발이 요구되고 있다.
본 발명은 약액이 도포되는 영역에서 진동에 의한 영향을 억제하면서, 기판의 하부에 존재하는 이물질을 제거할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
특히, 본 발명은 기판에 작용하는 부상력에 따른 진동의 영향을 억제하여 약액을 균일하게 도포할 수 있도록 하면서, 기판의 하부에 존재하는 이물질을 제거하여 이물질에 의한 기판 및 장비의 손상을 방지할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 고품질의 약액 도포층을 형성할 수 있으며, 수율을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 피처리 기판에 대한 약액 도포 공정을 처리하는 기판 처리 장치는, 초음파에 의한 진동 에너지를 이용하여 기판을 부상시키는 진동플레이트와, 기판의 표면에 약액을 도포하는 약액 도포 유닛과, 약액 도포 유닛의 하부에 배치되며 진동플레이트의 상면에 함몰 형성되는 그루브와, 그루브에 흡입압을 인가하는 흡입압 형성부를 포함한다.
이는, 기판의 표면에 약액을 도포함에 있어서, 기판에 작용하는 부상력에 따른 진동의 영향을 억제하면서, 기판의 하부에 존재하는 이물질을 제거하는 것에 의하여, 약액의 도포 균일성을 보장하면서, 이물질에 의한 기판 및 기판에 인접한 주변 장비의 손상을 방지하기 위함이다.
무엇보다도, 흡입압 형성부는, 기판이 상기 그루브를 전체적으로 덮도록 이송된 상태에서 그루브에 상기 흡입압을 인가하되, 그루브에 상기 흡입압이 인가되면, 흡입압에 의해 상기 진동플레이트에 대해 기판이 지지되고, 기판의 하부에 존재하는 이물질이 그루브로 배출되도록 하는 것에 의하여, 부상력에 따른 진동에 의한 영향을 최대한 억제한 상태에서 약액을 도포할 수 있고, 기판 하부에 이물질이 존재함에 따른 기판 및 주변 장비의 손상을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.
다시 말해서, 기판에 부상력이 작용하는 영역에서 약액의 도포가 이루어지면, 부상력에 따른 진동에 의한 영향에 의해 약액을 균일하게 도포할 수 없고, 얼룩이 발생하는 문제점이 있다. 하지만, 본 발명에서는 약액이 도포되는 기판의 저면에 흡입압을 인가하여 기판이 지지되게 한 상태에서 약액이 도포되도록 하는 것에 의하여, 기판의 표면에 약액을 균일하게 도포할 수 있고, 불균일 도포에 의한 얼룩을 미연에 방지하는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 기판의 하부에 배치된 이물질이 약액 도포 유닛에 도달하기 전에 먼저 그루브를 통해 의해 제거되도록 하는 것에 의하여, 약액이 도포되는 약액 도포 유닛의 하부에서 기판의 부상 높이를 일정하게 유지시킴으로써, 약액을 균일하게 도포하는 효과를 얻을 수 있다.
더욱이, 기판의 부상 높이보다 큰 크기의 비고착성 이물질은 기판이 이송됨에 따라 기판에 의해 쓸려지며 이동하게 되는데, 약액 도포 유닛의 하부에서 이물질이 주변 간섭(이물질의 크기만큼 비정상적으로 높게 부상된 기판이 약액 도포 유닛의 노즐 립에 접촉됨에 따른 간섭)에 의해 정지되면, 고정된 이물질에 대해 기판이 접촉된 상태로 이동함에 따라 기판에 스크레치 및 데미지가 발생할 뿐만 아니라, 기판과 약액 도포 유닛의 비정상적인 접촉에 의해 약액 도포 유닛의 노즐 립이 손상되는 문제점이 있다. 하지만, 본 발명에서는 기판 하부의 이물질이 약액 도포 유닛에 도달하기 전에 먼저 기판 하부의 이물질이 제거되도록 하는 것에 의하여, 이물질에 의한 기판 및 장비(약액 도포 유닛)의 손상을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.
바람직하게 그루브를 약액 도포 유닛의 노즐 립과 동일 선상에 배치하는 것에 의하여, 실질적으로 약액이 도포되는 지점(노즐 립의 하부)에 대응하는 기판 부위에 흡입압을 인가하는 효과를 얻을 수 있다.
그루브는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 구조로 형성될 수 있다. 일 예로, 그루브는 기판이 이송되는 방향에 수직한 방향을 따라 긴 슬릿 형태를 이루도록 연속적으로 형성되거나, 기판이 이송되는 방향에 수직한 방향을 따라 이격되게 복수개로 형성될 수 있다.
흡입압 형성부는 그루브에 흡입압을 인가 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있다. 일 예로, 흡입압 형성부는 그루브에 연통되게 형성되며 흡입압이 인가되는 흡입홀을 포함한다. 이때, 흡입홀은 그루브를 따라 이격되게 복수개가 형성되거나, 그루브를 따라 연속적인 슬릿 형태로 형성되는 것이 가능하다.
바람직하게, 약액 도포 유닛의 노즐 립(lip)을 그루브 상에서 흡입홀로부터 이격되게 배치하는 것에 의하여, 흡입홀에 형성된 흡입압이 약액 도포 유닛의 노즐 립(310) 부위(실제로 약액이 도포되는 지점)에 직접적으로 영향을 주지 않고, 그루브를 통해 간접적으로 작용할 수 있게 함으로써, 실제 약액이 도포되는 노즐 립(310)의 하부에 안정적이고 균일한 흡입압이 인가하는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 그루브의 상단 모서리에 라운드부를 형성하는 것에 의하여, 기판이 그루브를 통과하는 동안 기판의 선단에 부분적으로 처짐이 발생하더라도, 라운드부가 형성된 높이만큼 기판의 처짐이 허용될 수 있기 때문에, 기판과 그루브 간의 충돌을 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
아울러, 기판이 이송되는 방향에 수직한 진동플레이트의 제1폭(수직 방향 폭)은 기판이 이송되는 방향에 수직한 기판의 제2폭(수직 방향 폭)보다 크거나 같게 형성된다.
이와 같이, 진동플레이트(진동플레이트)의 제1폭을 기판의 제2폭보다 크거나 같게 형성하는 것에 의하여, 진동플레이트(진동플레이트)에 의해 기판에 작용하는 진동 에너지를 보다 균일하게 조절하고, 기판의 부상력을 보다 정교하게 조절하는 효과를 얻을 수 있다.
다시 말해서, 진동플레이트가 일정 이상 큰 크기(예를 들어, 기판보다 큰 면적)로 형성되면, 진동플레이트의 전면에 걸쳐 진동 에너지를 균일하게 유지하기 어렵기 때문에 기판의 부상력을 정교하게 조절하기 어렵다. 반면, 진동플레이트가 작은 크기로 형성되면, 진동플레이트의 전면에 걸쳐 진동 에너지를 균일하게 유지시키는데 유리하지만, 각 진동플레이트의 진동 조건을 서로 완벽하게 일치시키기 어렵기 때문에, 기판이 각 진동플레이트의 사이 간극을 통과하는 동안 각 진동플레이트의 진동 편차에 의해 미세한 떨림(terminal effect)이 발생하는 문제가 있다.
이에 본 발명은, 기판이 이송되는 방향에 수직한 진동플레이트의 제1폭(수직 방향 폭)을 기판이 이송되는 방향에 수직한 기판의 제2폭(수직 방향 폭)보다 크거나 같게 형성하고, 진동플레이트를 기판이 이송되는 방향을 따라 횡대로 이격되게 배치하는 것에 의하여, 기판이 이송되는 동안 기판의 제2폭 방향을 따라서 기판에는 단 하나의 진동플레이트에 의한 진동에너지만이 작용되게 함으로써, 기판에 작용하는 진동 에너지를 균일하게 조절할 수 있고, 기판의 부상 높이를 정교하게 제어하는 효과를 얻을 수 있다.
진동플레이트는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 조건으로 배치될 수 있다.
일 예로, 진동플레이트는 수평면에 수평하게 배치되고, 기판은 진동플레이트에 평행하게 부상될 수 있다. 이와 같이, 기판이 수평하게 이송되는 상태에서 약액이 도포되도록 하는 것에 의하여, 높은 점도(고점도 1000 cP 이상)의 약액을 사용할 수 있음은 물론이며, 낮은 점도(중점도, 100 cP)의 약액을 사용하더라도 흘러내림 없이 약액을 균일하게 도포할 수 있다.
다른 일 예로, 진동플레이트는 기판의 진행 방향을 따른 일측변을 중심으로 수평면에 경사지게 배치되고, 기판은 진동플레이트에 평행하게 부상된다. 바람직하게 수평면에 대해 경사지게 틸팅된 기판의 일측변을 지지하며 기판을 이송시키는 이송부재를 포함하고, 이송부재에는 기판의 하중이 작용되고, 기판의 하중에 의한 마찰력에 의해 기판은 이송부재에 의해 이송된다.
이와 같이, 틸팅된 기판의 하중이 이송부재에 작용하고, 기판의 하중에 의한 마찰력에 의해 기판이 이송부재에 의해 이송되게 하는 것에 의하여, 진공흡착수단과 같은 복잡한 장비없이 기판의 자중을 이용하여 기판을 이송시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
더욱이, 본 발명에서는 기판의 하중을 이용하여 기판을 이송부재에 구속(마찰력을 이용하여 상대 이동 구속)하기 때문에, 다시 말해서, 복잡한 제어 공정(예를 들어, 진공 압력 조절 공정)을 거치지 않고 기판의 일측변을 이송부재에 지지시키는 것에 의하여 이송부재와 기판을 구속할 수 있기 때문에, 구조 및 처리 공정을 간소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 기판에 작용하는 부상력에 따른 진동의 영향을 억제하면서, 기판 하부에 존재하는 이물질을 제거하는 것에 의하여, 약액의 도포 균일성을 보장하면서, 이물질에 의한 기판 및 기판에 인접한 주변 장비의 손상을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.
즉, 기판이 상기 그루브를 전체적으로 덮도록 이송된 상태에서 그루브에 상기 흡입압을 인가하되, 그루브에 상기 흡입압이 인가되면, 흡입압에 의해 상기 진동플레이트에 대해 기판이 지지되고, 기판의 하부에 존재하는 이물질이 그루브로 배출되도록 하는 것에 의하여, 부상력에 따른 진동에 의한 영향을 최대한 억제한 상태에서 약액을 도포할 수 있고, 기판 하부에 이물질이 존재함에 따른 기판 및 주변 장비의 손상을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.
다시 말해서, 기판에 부상력이 작용하는 영역에서 약액의 도포가 이루어지면, 부상력에 따른 진동에 의한 영향에 의해 약액을 균일하게 도포할 수 없고, 얼룩이 발생하는 문제점이 있다. 하지만, 본 발명에서는 약액이 도포되는 기판의 저면에 흡입압을 인가하여 기판이 지지되게 한 상태에서 약액이 도포되도록 하는 것에 의하여, 기판에서 약액의 도포가 이루어지는 영역의 떨림 및 요동을 억제함으로써, 약액을 보다 균일하게 도포하고, 불균일 도포에 의한 얼룩을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 기판의 하부에 배치된 이물질이 약액 도포 유닛에 도달하기 전에 먼저 그루브를 통해 의해 제거되도록 하는 것에 의하여, 약액이 도포되는 약액 도포 유닛의 하부에서 기판의 부상 높이를 일정하게 유지시킴으로써, 약액을 균일하게 도포하는 효과를 얻을 수 있다.
더욱이, 기판의 부상 높이보다 큰 크기의 비고착성 이물질은 기판이 이송됨에 따라 기판에 의해 쓸려지며 이동하게 되는데, 약액 도포 유닛의 하부에서 이물질이 주변 간섭(이물질의 크기만큼 비정상적으로 높게 부상된 기판이 약액 도포 유닛의 노즐 립에 접촉됨에 따른 간섭)에 의해 정지되면, 고정된 이물질에 대해 기판이 접촉된 상태로 이동함에 따라 기판에 스크레치 및 데미지가 발생할 뿐만 아니라, 기판과 약액 도포 유닛의 비정상적인 접촉에 의해 약액 도포 유닛의 노즐 립이 손상되는 문제점이 있다. 하지만, 본 발명에서는 기판 하부의 이물질이 약액 도포 유닛에 도달하기 전에 먼저 기판 하부의 이물질이 제거되도록 하는 것에 의하여, 이물질에 의한 기판 및 장비(약액 도포 유닛)의 손상을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 진동 에너지에 의해 기판이 부상되도록 하는 것에 의하여, 기판의 부상력을 정밀하게 제어하되, 부상유닛을 구성하는 진동플레이트를 기판이 이송되는 방향을 따라 횡대로 이격되게 배치하는 것에 의하여, 기판에 작용하는 진동 에너지를 균일하게 조절할 수 있고, 기판의 부상 높이를 정교하게 제어하는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 기판이 수평하게 부상된 상태에서 약액이 도포되도록 하는 것에 의하여, 높은 점도(고점도 1000 cP 이상)의 약액을 사용할 수 있음은 물론이며, 낮은 점도(중점도, 100 cP)의 약액을 사용하더라도 흘러내림 없이 약액을 균일하게 도포하는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 틸팅된 기판의 하중이 이송부재에 작용하고, 기판의 하중에 의한 마찰력에 의해 기판이 이송부재에 의해 이송되게 하는 것에 의하여, 진공흡착수단과 같은 복잡한 장비없이 기판의 자중을 이용하여 기판을 이송시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 고품질의 약액 도포층을 형성할 수 있으며, 수율을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면,
도 2 및 도 3은 도 1의 그루브 및 흡입압 형성부를 설명하기 위한 도면,
도 4 및 도 5는 도 1의 기판 처리 장치에 기판 처리 과정을 설명하기 위한 도면,
도 6 및 도 7은 도 1의 그루브 및 흡입압 형성부의 변형예를 설명하기 위한 도면,
도 8 및 도 9는 진동플레이트에 의한 기판의 부상 과정을 설명하기 위한 도면이다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 이러한 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 2 및 도 3은 도 1의 그루브 및 흡입압 형성부를 설명하기 위한 도면이다. 또한, 도 4 및 도 5는 도 1의 기판 처리 장치에 기판 처리 과정을 설명하기 위한 도면이고, 도 6 및 도 7은 도 1의 그루브 및 흡입압 형성부의 변형예를 설명하기 위한 도면이며, 도 8 및 도 9는 진동플레이트에 의한 기판의 부상 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 1 내지 도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 피처리 기판(10)에 대한 약액 도포 공정을 처리하는기판 처리 장치(1)는, 초음파에 의한 진동 에너지를 이용하여 기판(10)을 부상시키는 진동플레이트(110)와, 기판(10)의 표면에 약액을 도포하는 약액 도포 유닛(300)과, 약액 도포 유닛(300)의 하부에 배치되며 진동플레이트(110)의 상면에 함몰 형성되는 그루브(112)와, 그루브(112)에 흡입압을 인가하는 흡입압 형성부(114)를 포함한다.
진동플레이트(110)는 기판(10)의 이송 경로를 따라 배치되며, 초음파에 의한 진동 에너지를 이용하여 기판(10)을 부상시키기 위해 마련된다.
여기서, 기판(10)이 부상된다 함은, 기판(10)이 소정 간격을 두고 공중에 띄워진 상태를 의미하며, 진동플레이트(110)의 상부에 부상된 기판(10)은 이송 레일(122)을 따라 직선 이동하는 이송부재(120)에 의해 이송된다.
진동플레이트(110)는 사각 플레이트 형상으로 형성되며, 진동플레이트(110)의 저면에는 초음파를 발진하여 진동플레이트(110)를 가진시키는 가진기가 장착된다. 경우에 따라서는 진동플레이트를 여타 다른 형성하는 것도 가능하며, 진동플레이트의 형상 및 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
이송부재(120)는 이송 레일(122)을 따라 직선 이동하도록 구성될 수 있다. 가령, 이송 레일(122)은 N극과 S극의 영구 자석이 교대로 배열되고, 이송부재(120)의 코일에 인가되는 전류 제어에 의하여 정교한 위치 제어가 가능한 리니어 모터의 원리로 구동될 수 있다.
기판(10)의 이송 경로를 따라 배치되는 복수개의 진동플레이트(110)는 기판(10)이 로딩되는 로딩존과, 기판(10)의 표면에 약액이 도포되는 프로세싱 존과, 약액이 도포된 기판(10)이 언로딩 및 가열되는 언로딩존을 구성한다. 참고로, 본 발명의 실시예에서는 단 하나의 진동플레이트(110)가 약액이 도포되는 프로세싱 존(processing zone)을 형성하는 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 분할(독립적으로 이격)된 복수개의 진동플레이트가 상호 협조적으로 프로세싱 존을 형성하는 것도 가능하다.
약액 도포 유닛(300)은, 기판(10)이 진동플레이트(110)의 상부에 부상된 상태로 이동하는 동안, 기판(10)의 표면에 약액(PR)을 도포하도록 마련된다.
여기서, 약액 도포 유닛(300)에 의해 약액이 도포되는 영역은 피처리 기판(10)의 전체 표면일 수도 있고, 다수의 셀 영역으로 분할된 부분일 수도 있다.
구체적으로, 약액 도포 유닛(300)은 기판(10)의 이송 경로 양측에 설치되는 겐트리에 결합되어 기판(10)의 표면에 약액을 도포한다.
약액 도포 유닛(300)의 저단부에는 기판(10)의 너비와 대응하는 길이의 슬릿 노즐이 형성되며, 슬릿 노즐의 노즐 립(lip)(310)은 프로세싱 존을 형성하는 진동플레이트(110) 상에 배치되어, 프로세싱 존 상에서 기판(10)의 표면에 약액을 도포한다.
아울러, 약액 도포 유닛(300)에는 예비토출장치(미도시)가 구비되며, 예비토출장치는 슬릿 노즐을 통해 기판(10)상에 약액을 도포하기 직전에 슬릿 노즐 토출구 측에 잔류되어 있는 도포액을 탈락시킴과 아울러 차후 양호한 도포를 위해 토출구를 따라 약액 비드층을 미리 형성할 수 있다.
그루브(112)는 약액 도포 유닛(300)의 하부에 배치되며, 진동플레이트(110)의 상면에 함몰 형성되고, 흡입압 형성부(114)는 그루브(112)에 흡입압을 인가하도록 마련된다.
바람직하게, 흡입압 형성부(114)는, 기판(10)이 상기 그루브(112)를 전체적으로 덮도록 이송된 상태에서 그루브(112)에 상기 흡입압을 인가하되, 그루브(112)에 흡입압이 인가되면, 흡입압에 의해 진동플레이트(110)에 대해 기판(10)이 지지되고, 기판(10)의 하부에 존재하는 이물질이 그루브(112)로 배출된다.
참고로, 본 발명에서 이물질(G)이라 함은, 기판(10)의 하부에 존재하는 비고착성을 이물질(G), 다시 말해서 기판(10)의 하부에 고착(고정)되지 않고 이동할 수 있는 이물질(G)을 의미한다. 도 5를 참조하면, 그루브(112)를 통해서는, 기판(10)의 부상 높이(H1)보다 큰 크기(H2)를 가지며 기판(10)이 이송됨에 따라 기판(10)에 의해 쓸려 이동 가능한 이물질(G)뿐만 아니라, 기판(10)의 부상 높이보다 작은 크기의 이물질이 제거될 수 있다. 일 예로, 기판(10)은 초음파 진동 에너지에 의해 진동플레이트(110)의 상부에 30~50㎛의 부상 높이(H1)로 부상될 수 있는 바, 기판(10)의 부상 높이(H1)가 30㎛인 경우에는, 그루브(112)를 통해 30㎛보다 큰 크기의 이물질(G) 또는 작은 크기의 이물질이 제거될 수 있다.
그루브(112)는 약액 도포 유닛(300)의 노즐 립(310)보다 넓은 폭을 갖는 함몰된 홈 형태로 형성되며, 약액 도포 유닛(300)의 하부에 배치된다.
더욱 바람직하게 그루브(112)는 약액 도포 유닛(300)의 노즐 립(310)과 동일 선상(동일 수직 선상에 겹쳐지게)에 배치된다. 이와 같이, 그루브(112)를 약액 도포 유닛(300)의 노즐 립(310)과 동일 선상에 배치하는 것에 의하여, 실질적으로 약액이 도포되는 지점(노즐 립의 하부)에 대응하는 기판(10) 부위에 흡입압을 인가하는 효과를 얻을 수 있다.
그루브(112)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 구조로 형성될 수 있다. 일 예로, 도 3을 참조하면, 그루브(112)는 기판(10)이 이송되는 방향에 수직한 방향을 따라 긴 슬릿 형태를 이루도록 연속적으로 형성된다. 이와 같이, 약액 도포 유닛(300)의 슬릿 노즐에 대응되게 그루브(112)를 연속적인 슬릿 형태로 형성하는 것에 의하여, 약액이 도포되는 전체 지점에 대응하는 기판(10) 부위에 흡입압을 인가하는 효과를 얻을 수 있다.
다른 일 예로, 도 7을 참조하면, 그루브(112')는 기판(10)이 이송되는 방향에 수직한 방향을 따라 이격되게 복수개로 형성될 수 있다. 이하에서는 기판(10)이 이송되는 방향에 수직한 방향을 따라 이격되게 복수개의 그루브(112')가 1열 구조를 이루도록 형성된 예를 들어 설명하기로 한다. 경우에 따라서는 기판이 이송되는 방향에 수직한 방향을 따라 이격되는 복수개의 그루브가 2열 이상의 구조(기판이 이송되는 방향을 따라 이격된 2열 이상의 구조)를 이루도록 형성하는 것도 가능하다.
흡입압 형성부(114)는 그루브(112)에 흡입압을 인가하도록 구비된다.
흡입압 형성부(114)를 이용하여 그루브(112)에 흡입압을 인가하는 것에 의하여, 기판(10)이 이송되는 동안에는, 기판(10)의 하부에 존재하는 이물질이 그루브(112)를 통해 흡입 배출됨과 동시에, 기판(10)의 저면에는 흡입압이 인가됨으로써 기판(10)이 지지되며 기판(10)의 떨림 및 요동이 억제될 수 있다.
여기서, 기판(10)에 흡입압이 인가된다 함은, 도 4와 같이, 기판(10)의 표면을 빨아들이는 흡입압(부압)에 의해 기판(10)이 지지(유동이 억제)되는 상태를 의미하고, 기판(10)에 흡입압이 인가된 상태에서는 흡입압에 의한 지지력에 의해 기판(10)의 떨림 및 요동이 최대한 억제될 수 있다.
흡입압 형성부(114)는 그루브(112)에 흡입압을 인가 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있다.
일 예로, 도 3 및 도 4를 참조하면, 흡입압 형성부(114)는 그루브(112)에 연통되게 형성되며 흡입압이 인가되는 흡입홀(114a)을 포함할 수 있다. 바람직하게, 그루브(112)를 따라 이격되게 복수개 흡입홀(114a)을 형성하는 것에 의하여, 그루브(112)에 전체적으로 균일한 흡입압을 인가하는 효과를 얻을 수 있다. 경우에 따라서는 도 6과 같이, 그루브(112)를 따라 연속적인 슬릿 형태로 흡입홀(114a')을 형성하는 것도 가능하다.
바람직하게, 약액 도포 유닛(300)의 노즐 립(310)은 그루브(112) 상에서 흡입홀(114a)로부터 이격(도 4의 L1 참조)되게 배치된다. 다시 말해서, 평면 투영시 약액 도포 유닛(300)의 노즐 립(310)과 흡입홀(114a)이 서로 겹쳐지지 않도록 이격되게 배치하는 것에 의하여, 흡입홀(114a)에 형성된 흡입압이 약액 도포 유닛(300)의 노즐 립(310) 부위(실제로 약액이 도포되는 지점)에 직접적으로 영향을 주지 않고, 그루브(112)를 통해 간접적으로 작용할 수 있게 함으로써, 실제 약액이 도포되는 노즐 립(310)의 하부에 안정적이고 균일한 흡입압이 인가하는 효과를 얻을 수 있다. 즉, 흡입홀(114a)을 노즐 립(310)과 동일 선상에 형성하는 것도 가능하지만, 이 경우에는 흡입홀(114a)에 흡입 맥동이 발생하면, 노즐 립의 하부에 작용하는 흡입압에도 맥동에 의한 영향이 미칠 수 있다. 하지만, 본 발명에서는 그루브(112) 영역상에서 흡입홀(114a)과 노즐 립(310)을 이격되게 배치하는 것에 의하여, 흡입 맥동에 의한 영향(진동 또는 충격)이 노즐 립(310)의 하부에 작용하는 것을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 그루브(112)의 상단 모서리에는 라운드부(112a)가 형성하는 것에 의하여, 그루브(112)와 기판(10)의 충돌을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.
즉, 기판(10)은 매우 작은 높이(예를 들어, 30㎛)로 부상되고, 기판(10)이 그루브(112)를 통과하는 동안, 기판(10)의 선단(그루브에 가장 먼저 도달하는 단부)에는 일시적으로 처짐이 발생할 수 있기 때문에, 기판(10)의 선단이 그루브(112)의 상단 모서리에 인접한 내벽면에 충돌하는 문제점이 있다. 이에 본 발명은, 그루브(112)의 상단 모서리에 라운드부(112a)를 형성하는 것에 의하여, 기판(10)이 그루브(112)를 통과하는 동안 기판(10)의 선단에 부분적으로 처짐이 발생하더라도, 라운드부(112a)가 형성된 높이만큼 기판(10)의 처짐이 허용될 수 있기 때문에, 기판(10)과 그루브(112) 간의 충돌을 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
참고로, 본 발명에서는 그루브(112)의 상단 모서리에 라운드부(112a)를 형성한 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 라운드부 대신 챔퍼부를 형성하는 것도 가능하다.
이와 같이, 본 발명은 약액 도포 유닛(300)의 하부에 그루브(112)를 형성하고, 그루브(112)를 통해 기판(10)의 저면에 흡입압이 인가되도록 하는 것에 의하여, 기판(10)에서 실질적으로 약액이 도포되는 지점의 떨림 및 유동을 효과적으로 억제할 수 있고, 약액의 도포 균일성을 높이는 효과를 얻을 수 있다.
다시 말해서, 기판(10)에 부상력이 작용하는 영역에서 약액의 도포가 이루어지면, 부상력에 따른 진동에 의한 영향에 의해 약액을 균일하게 도포할 수 없고, 얼룩이 발생하는 문제점이 있다. 하지만, 본 발명에서는 약액이 도포되는 기판(10)의 저면에 흡입압을 인가하여 기판(10)이 지지되게 한 상태에서 약액이 도포되도록 하는 것에 의하여, 기판(10)의 표면에 약액을 균일하게 도포할 수 있고, 불균일 도포에 의한 얼룩을 미연에 방지하는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 기판(10)의 하부에 배치된 이물질(G)이 약액 도포 유닛(300)에 도달하기 전에 먼저 그루브(112) 및 배출홀을 통해 의해 제거되도록 하는 것에 의하여, 약액이 도포되는 약액 도포 유닛(300)의 하부에서 기판(10)의 부상 높이를 일정하게 유지시킴으로써, 약액을 균일하게 도포하는 효과를 얻을 수 있다.
더욱이, 기판(10)의 부상 높이보다 큰 크기의 비고착성 이물질(G)은 기판(10)이 이송됨에 따라 기판(10)에 의해 쓸려지며 이동하게 되는데, 약액 도포 유닛(300)의 하부에서 이물질(G)이 주변 간섭(이물질의 크기만큼 비정상적으로 높게 부상된 기판이 약액 도포 유닛의 노즐 립에 접촉됨에 따른 간섭)에 의해 정지되면, 고정된 이물질(G)에 대해 기판(10)이 접촉된 상태로 이동함에 따라 기판(10)에 스크레치 및 데미지가 발생할 뿐만 아니라, 기판(10)과 약액 도포 유닛(300)의 비정상적인 접촉에 의해 약액 도포 유닛(300)의 노즐 립이 손상되는 문제점이 있다. 하지만, 본 발명에서는 기판(10) 하부의 이물질(G)이 약액 도포 유닛(300)에 도달하기 전에 먼저 기판(10) 하부의 이물질이 제거되도록 하는 것에 의하여, 이물질(G)에 의한 기판(10) 및 장비(약액 도포 유닛)의 손상을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.
한편, 기판(10)이 이송되는 방향에 수직한 진동플레이트(110)의 제1폭(수직 방향 폭)(W1)은 기판(10)이 이송되는 방향에 수직한 기판(10)의 제2폭(수직 방향 폭)(W2)보다 크거나 같게 형성되며, 기판(10)의 제2폭(W2)은 진동플레이트(110)의 제1폭(W1)의 영역 내에 위치한다.
이와 같이, 진동플레이트(110)의 제1폭(W1)을 기판(10)의 제2폭(W2)보다 크거나 같게 형성하는 것에 의하여, 진동플레이트(110)에 의해 기판(10)에 작용하는 진동 에너지를 보다 균일하게 조절하고, 기판(10)의 부상력을 보다 정교하게 조절하는 효과를 얻을 수 있다.
다시 설명하면, 진동플레이트(110)가 일정 이상 큰 크기(예를 들어, 기판보다 큰 면적)로 형성되면, 진동플레이트(110)의 전면에 걸쳐 진동 에너지를 균일하게 유지하기 어렵기 때문에 기판(10)의 부상력을 정교하게 조절하기 어렵다. 반면, 진동플레이트(110)가 작은 크기로 형성되면, 진동플레이트(110)의 전면에 걸쳐 진동 에너지를 균일하게 유지시키는데 유리하지만, 각 진동플레이트(110)의 진동 조건을 서로 완벽하게 일치시키기 어렵기 때문에, 기판(10)이 각 진동플레이트(110)의 사이 간극을 통과하는 동안 각 진동플레이트(110)의 진동 편차에 의해 미세한 떨림(terminal effect)이 발생하는 문제가 있다.
이에 본 발명은, 기판(10)이 이송되는 방향에 수직한 진동플레이트(110)의 제1폭(수직 방향 폭)(W1)을 기판(10)이 이송되는 방향에 수직한 기판(10)의 제2폭(수직 방향 폭)(W2)보다 크거나 같게 형성하고, 진동플레이트(110)를 기판(10)이 이송되는 방향을 따라 횡대로 이격되게 배치하는 것에 의하여, 기판(10)이 이송되는 동안 기판(10)의 제2폭(W2) 방향을 따라서 기판(10)에는 단 하나의 진동플레이트(110)에 의한 진동에너지만이 작용되게 함으로써, 기판(10)에 작용하는 진동 에너지를 균일하게 조절할 수 있고, 기판(10)의 부상 높이를 정교하게 제어하는 효과를 얻을 수 있다.
물론, 진동플레이트(110)의 제1폭(수직 방향 폭)을 기판(10)의 제2폭(수직 방향 폭)보다 작게 형성하고 복수개의 진동플레이트(110)를 기판(10)이 이송되는 방향에 수직한 종대로 이격되게 배치하는 것도 가능하지만, 이 경우에는 기판(10)의 제2폭(수직 방향 폭)(W2) 방향을 따른 진동 편차에 의한 떨림(terminal effect)과, 기판(10)의 제1폭(수평 방향 폭)(W2') 방향을 따른 진동 편차에 의한 떨림이 모두 기판(10)에 작용하기 때문에, 기판(10)에 가해하는 진동 에너지를 균일하게 조절하기 어려울 수 있다. 하지만, 본 발명에서는 기판(10)의 제2폭 방향(W2)을 따라서 기판(10)에는 단 하나의 진동플레이트(110)에 의한 진동에너지만이 작용되도록 하는 것에 의하여, 기판(10)의 제2폭(수직 방향 폭) 방향을 따른 진동 편차에 의한 떨림을 방지하고, 기판(10)에 가해하는 진동 에너지를 균일하게 조절하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 기판(10)의 제1폭(W2') 방향을 따라서는 각 진동플레이트(110)의 사이 간극에 의해 터미널 이펙트(terminal effect)가 발생할 수 있으나, 기판(10)의 제1폭(W2') 방향(이송 방향)을 따른 터미널 이펙트는 기판(10)의 제1폭(W2') 방향을 따라 규칙적으로 발생되기 때문에 기판(10) 표면 전체에 평균화된 터미널 이펙트로 적용하는 것이 가능하다.
한편, 진동플레이트(110)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 조건으로 배치될 수 있다.
일 예로, 도 8을 참조하면, 진동플레이트(110)는 수평면에 수평하게 배치되고, 기판(10)은 진동플레이트(110)에 평행하게 부상될 수 있다.
여기서, 수평면(horizontal plane)이라 함은, 중력 방향에 대해 수직인 평면(또는 지평면)을 의미한다.
진동플레이트(110)는 약액 도포 공정중에 약액의 흘러 내림을 방지하고, 약액이 균일하게 도포될 수 있도록 기판(10)을 수평하게 부상시킨다. 이와 같이, 기판(10)은 수평하게 부상되기 때문에, 기판(10)의 표면에 중점도 또는 저점도 약액을 도포하는 것이 가능하다. 일 예로, 기판(10)에는 100 cP(centi-poise)의 중점도 특성을 갖는 약액이 도포될 수 있다.
다시 말해서, 기판(10)이 수평면에 대해 경사지게 부상된 상태에서 기판(10)의 표면에 중점도(100 cP) 약액을 도포하면 약액이 흘러내려 기판(10)의 표면에 약액이 균일하게 도포되기 어려운 문제점이 있다. 하지만, 본 발명에서는 기판(10)이 수평하게 부상되기 때문에, 중점도 약액을 사용하더라도 약액이 흘러내림 없이 균일하게 도포될 수 있다.
참고로, 본 발명의 실시예에서는 중점도(100 cP) 약액이 사용되는 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 100 cP보다 낮은 점도의 저점도 약액을 사용하거나, 1000 cP 이상의 고점도 특성을 갖는 약액을 사용하는 것이 가능하며, 고점도 약액을 사용하는 조건에서는 기판을 수평면에 대해 경사지게 부상시킨 상태에서 약액을 균일하게 도포할 수 있다.
다른 일 예로, 도 9를 참조하면, 진동플레이트(110')는 기판(10)의 진행 방향을 따른 일측변(진행 방향을 따른 좌측변 또는 우측변)을 중심으로 수평면에 경사지게 배치되고, 기판(10)은 진동플레이트(110)에 평행하게 부상된다.
수평면에 대한 진동플레이트(110')의 틸팅(tilting) 각도(경사지게 부상된 기판의 틸팅 각도)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 적절히 변경될 수 있으며, 진동플레이트(110')의 틸팅 각도에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
아울러, 기판(10)의 틸팅 각도는 약액(예를 들어, 1000 cP 이상의 고점도 약액)의 흘러 내림을 방지할 수 있는 범위 내에서 자유롭게 설정될 수 있다. 일 예로, 진동플레이트(110')에 의한 기판(10)의 틸팅 각도(θ)는 2°로 설정될 수 있다.
또한,기판 처리 장치(1)는, 수평면에 대해 경사지게 틸팅된 기판(10)의 일측변을 지지하며 기판(10)을 이송시키는 이송부재(120')를 포함할 수 있으며, 진동플레이트(110')로부터 부상된 기판(10)은 일측변이 이송부재(120')에 의해 지지(접촉)된 상태로 이송부재(120)가 이동함에 따라 이송될 수 있다.
여기서, 틸팅된 상태의 기판(10)의 일측변이 이송부재(120')에 지지(접촉)된다 함은, 기판(10)의 하중(W)이 기판(10)의 일측변을 통해 이송부재(120')에 작용하는 것으로 정의된다.
이송부재(120')는 틸팅된 기판(10)의 일측변을 지지 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있다. 참고로, 본 발명의 실시예에서는 이송부재(120')가 틸팅된 기판(10)의 일측변에 면접촉하는 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 이송부재가 기판의 일측변에 선접촉하거나 국부적으로 접촉하도록 구성되는 것도 가능하다.
일 예로, 이송부재(120')는 이송 레일(122)을 따라 직선 이동하도록 구성될 수 있다. 가령, 이송 레일(122')은 N극과 S극의 영구 자석이 교대로 배열되고, 이송부재(120')의 코일에 인가되는 전류 제어에 의하여 정교한 위치 제어가 가능한 리니어 모터의 원리로 구동될 수 있다.
이와 같이, 본 발명은 틸팅된 기판(10)의 하중(W)이 이송부재(120')에 작용하고, 기판(10)의 하중(W)에 의한 마찰력에 의해 기판(10)이 이송부재(120')에 의해 이송되게 하는 것에 의하여, 진공흡착수단과 같은 복잡한 장비없이 기판(10)의 자중(W)을 이용하여 기판(10)을 이송시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
더욱이, 본 발명에서는 기판(10)의 하중(W)을 이용하여 기판(10)을 이송부재(120')에 구속(마찰력을 이용하여 상대 이동 구속)하기 때문에, 다시 말해서, 복잡한 제어 공정(예를 들어, 진공 압력 조절 공정)을 거치지 않고 기판(10)의 일측변을 이송부재(120')에 지지시키는 것에 의하여 이송부재(120')와 기판(10)을 구속할 수 있기 때문에, 구조 및 처리 공정을 간소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
1 : 기판 처리 장치 10 : 기판
110 : 진동플레이트 112 : 그루브
114 : 흡입압 형성부 114a : 흡입홀
120 : 이송부재 300 : 약액 도포 유닛
310 : 노즐 립

Claims (15)

  1. 피처리 기판에 대한 약액 도포 공정을 처리하는 기판 처리 장치에 있어서,
    초음파에 의한 진동 에너지를 이용하여 기판을 부상시키는 진동플레이트와;
    상기 기판의 표면에 약액을 도포하는 약액 도포 유닛과;
    상기 약액 도포 유닛의 하부에서 상기 약액 도포 유닛의 노즐 립(lip)과 동일 선상에 배치되며, 상기 진동플레이트의 상면에 함몰 형성되는 그루브와;
    상기 그루브에 흡입압을 인가하는 흡입압 형성부를;
    포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 흡입압 형성부는, 상기 기판이 상기 그루브를 전체적으로 덮도록 이송된 상태에서 상기 그루브에 상기 흡입압을 인가하되,
    상기 그루브에 상기 흡입압이 인가되면, 상기 흡입압에 의해 상기 진동플레이트에 대해 상기 기판이 지지되고, 상기 기판의 하부에 존재하는 이물질이 상기 그루브로 배출되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 흡입압 형성부는, 상기 그루브에 연통되게 형성되며 상기 흡입압이 인가되는 흡입홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 흡입홀은 상기 그루브를 따라 이격되게 복수개가 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 흡입홀은 상기 그루브를 따라 연속적인 슬릿 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 약액 도포 유닛의 노즐 립(lip)은 상기 그루브 상에서 상기 흡입홀로부터 이격되게 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 그루브의 상단 모서리에는 라운드부가 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 그루브는 상기 기판이 이송되는 방향에 수직한 방향을 따라 연속적으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 그루브는 상기 기판이 이송되는 방향에 수직한 방향을 따라 이격되게 복수개가 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제2항에 있어서,
    상기 이물질은 비고착성인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 기판이 이송되는 방향에 수직한 상기 진동플레이트의 제1폭은 상기 기판이 이송되는 방향에 수직한 상기 기판의 제2폭보다 크거나 같게 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 진동플레이트는 수평면에 수평하게 배치되고,
    상기 기판은 상기 진동플레이트에 평행하게 부상되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 진동플레이트는 상기 기판의 진행 방향을 따른 일측변을 중심으로 수평면에 경사지게 배치되고,
    상기 기판은 상기 진동플레이트에 평행하게 부상되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    수평면에 대해 경사지게 틸팅된 상기 기판의 일측변을 지지하며, 상기 기판을 이송시키는 이송부재를 포함하되,
    상기 이송부재에는 상기 기판의 하중이 작용되고, 상기 기판의 하중에 의한 마찰력에 의해 상기 기판은 상기 이송부재에 의해 이송되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  15. 삭제
KR1020160104091A 2016-08-17 2016-08-17 기판 처리 장치 KR101814362B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160104091A KR101814362B1 (ko) 2016-08-17 2016-08-17 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160104091A KR101814362B1 (ko) 2016-08-17 2016-08-17 기판 처리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101814362B1 true KR101814362B1 (ko) 2018-01-04

Family

ID=60997896

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160104091A KR101814362B1 (ko) 2016-08-17 2016-08-17 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101814362B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004331265A (ja) * 2003-05-01 2004-11-25 Olympus Corp 浮上ユニット及び基板検査装置
KR100738897B1 (ko) 2006-02-06 2007-07-12 주식회사 탑 엔지니어링 파티클 제거 기능을 갖는 평판 디스플레이용 도포장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004331265A (ja) * 2003-05-01 2004-11-25 Olympus Corp 浮上ユニット及び基板検査装置
KR100738897B1 (ko) 2006-02-06 2007-07-12 주식회사 탑 엔지니어링 파티클 제거 기능을 갖는 평판 디스플레이용 도포장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101975278B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101965571B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템
CN105702604A (zh) 涂敷处理方法和涂敷处理装置
JP2012187453A (ja) 浮上塗布装置及び浮上塗布方法
KR101814362B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101836797B1 (ko) 기판 이송 장치 및 이를 구비한 기판 처리 시스템
KR20020075295A (ko) 기판 도포장치 및 기판 도포방법
KR101938554B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101947992B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102583012B1 (ko) 기판 이송 장치 및 이를 구비한 기판 처리 시스템
JP2018114475A (ja) 塗布装置および塗布方法
KR101865534B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102096956B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP7258913B2 (ja) プリント回路基板の液体均一化処理装置
KR101463909B1 (ko) 기판 부상패드 및 이를 이용한 대면적 기판 부상장치
KR101965297B1 (ko) 노즐 및 이를 가지는 기판처리장치
KR20180011693A (ko) 기판 이송 장치 및 이를 구비한 기판 처리 시스템
KR20180014886A (ko) 기판 이송 장치 및 이를 구비한 기판 처리 시스템
KR20180029120A (ko) 기판 처리 장치
KR102415297B1 (ko) 기판 코팅 장치
KR102572118B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20160023999A (ko) 반송 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법
KR102500583B1 (ko) 기판 처리 시스템에 사용되는 진동 플레이트의 레벨 조절 장치 및 이를 구비한 기판 처리 시스템
KR102278073B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102379013B1 (ko) 액처리 모듈, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
GRNT Written decision to grant