KR101813365B1 - 적층형 커패시터 및 그 실장 기판 - Google Patents
적층형 커패시터 및 그 실장 기판 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101813365B1 KR101813365B1 KR1020160033807A KR20160033807A KR101813365B1 KR 101813365 B1 KR101813365 B1 KR 101813365B1 KR 1020160033807 A KR1020160033807 A KR 1020160033807A KR 20160033807 A KR20160033807 A KR 20160033807A KR 101813365 B1 KR101813365 B1 KR 101813365B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- conductive
- layer
- layers
- lead portions
- resin layers
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 42
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 claims description 10
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229910004247 CaCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/248—Terminals the terminals embracing or surrounding the capacitive element, e.g. caps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/02—Mountings
- H01G2/06—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
- H01G2/065—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support for surface mounting, e.g. chip capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
- H01G4/0085—Fried electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
- H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10015—Non-printed capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3442—Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers
Abstract
본 발명은, 내부 전극이 바디의 폭 방향으로 노출되는 복수의 리드부를 가지며, 상기 리드부와 접속되는 외부 전극은 도전층, 도전성 수지층 및 도금층을 포함하여, 저 ESL 특성을 가지면서 MLCC 제조 공정에서 발생되는 구조 결함 발생률을 낮추고 제품의 소형화에도 높은 신뢰성을 가지는 적층형 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판을 제공한다.
Description
본 발명은 적층형 커패시터 및 그 실장 기판에 관한 것이다.
고집적화된 마이크로 프로세서의 전원 회로에는 저 ESL 특성을 가지는 적층형 커패시터가 사용된다. 적층형 커패시터는 마이크로 프로세스에 고주파 전력을 공급하고 전원 전압 변동을 억제함으로써 안정된 동작이 이루어지도록 한다.
최근 들어 전자 제품이 고용량화됨에 따라 이러한 전자 제품에 사용되는 적층형 커패시터도 고용량화가 요구되고 있다.
커패시터의 용량을 증가시키기 위해서는 내부 전극의 적층 수를 늘려야 하는데, 전자 제품의 소형화에 따라 내부 전극의 적층 수를 늘리기 위해서는 유전체층이 박층 및 다층화된다. 이에 커패시터 바디의 구조 결합 발생률이 높아져 제품의 신뢰성이 저하될 수 있으며, 이는 적층형 커패시터의 용량을 높이는데 한계가 되는 것이다.
본 발명의 목적은, 저 ESL 특성을 가지면서 MLCC의 구조적 결함의 발생률을 낮추고 높은 신뢰성을 가질 수 있도록 한 적층형 커패시터 및 그 실장 기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면은, 내부 전극이 바디의 폭 방향으로 노출되는 복수의 리드부를 가지며, 상기 리드부와 접속되는 외부 전극은 도전층, 도전성 수지층 및 도금층을 포함하는 적층형 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판을 제공한다.
본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 저 ESL 특성을 가지면서 MLCC의 구조적 결함의 발생률을 낮추고 높은 신뢰성을 제공할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 적층형 커패시터를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1에서 내부 전극의 적층 구조를 나타낸 분리사시도이다.
도 3은 도 1에서 바디를 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 3의 바디에 도전층이 더 형성된 것을 나타낸 사시도이다.
도 5는 도 4에 도전성 수지층이 더 형성된 것을 나타낸 사시도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 적층형 커패시터에서 도금층을 제외하고 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 적층형 커패시터를 나타낸 사시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 적층형 커패시터의 실장 기판을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1에서 내부 전극의 적층 구조를 나타낸 분리사시도이다.
도 3은 도 1에서 바디를 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 3의 바디에 도전층이 더 형성된 것을 나타낸 사시도이다.
도 5는 도 4에 도전성 수지층이 더 형성된 것을 나타낸 사시도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 적층형 커패시터에서 도금층을 제외하고 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 적층형 커패시터를 나타낸 사시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 적층형 커패시터의 실장 기판을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태를 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
또한, 각 실시 예의 도면에 나타난 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성 요소는 동일한 참조 부호를 사용하여 설명한다.
본 발명의 실시 예들을 명확하게 설명하기 위해 육면체의 방향을 정의하면, 도 1에 표시된 L, W 및 T는 각각 길이 방향, 폭 방향 및 두께 방향을 나타낸다. 여기서, 두께 방향은 유전체층이 적층된 적층 방향과 동일한 개념으로 사용될 수 있다.
적층형
커패시터
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 적층형 커패시터를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 적층형 커패시터(100)는 바디(110)와 제1 및 제2 외부 전극을 포함한다.
바디(110)는 서로 마주보는 두께 방향의 제1 및 제2 면과, 제1 및 제2 면을 연결하며 서로 마주보는 길이 방향의 제3 및 제4 면과, 서로 마주보는 폭 방향의 제5 및 제6 면을 가질 수 있다.
이하, 본 실시 형태에서, 적층형 커패시터(100)의 실장 면은 바디(110)의 제1 면(도 1에서의 하면)으로 정의하여 설명하기로 한다.
바디(110)는 복수의 유전체층(111)과 유전체층(111)을 사이에 두고 번갈아 배치되는 복수의 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)을 두께 방향으로 적층한 후 소성하여 제조된다.
복수의 유전체층(111)은 두께 방향으로 적층되며 소결된 상태로서, 인접하는 유전체층(111) 사이의 경계는 주사전자현미경(SEM: Scanning Electron Microscope)을 이용하지 않고 확인하기 곤란할 정도로 일체화될 수 있다.
또한, 유전체층(111)은 강유전체층으로서 고유전률을 갖는 세라믹 분말, 예를 들어 티탄산바륨(BaTiO3)계, 티탄산스트론튬(SrTiO3)계 분말 또는 CaCu3Ti4O12 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으며, 충분한 정전 용량을 얻을 수 있는 한 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 유전체층(111)에는 상기 세라믹 분말과 함께, 필요시 세라믹 첨가제, 유기용제, 가소제, 결합제 및 분산제 등이 더 첨가될 수 있다.
제1 및 제2 내부 전극(121, 122)은 서로 다른 극성을 인가 받는 전극으로서, 유전체층(111)을 사이에 두고 바디(110)의 폭 방향의 제5 및 제6 면을 통해 번갈아 노출되도록 배치된다.
이때, 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)은 중간에 배치된 유전체층(111)에 의해 서로 전기적으로 절연될 수 있다.
또한, 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)을 형성하는 재료는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 주석(Sn), 산화인듐(ITO), 팔라듐(Pd) 및 은-팔라듐(Ag-Pd)합금 중 적어도 하나 이상의 물질로 이루어진 도전성 페이스트를 사용하여 형성될 수 있다.
상기 도전성 페이스트의 인쇄 방법은 스크린 인쇄법 또는 그라비아 인쇄법 등을 사용할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 내부 전극(121)은 제1 바디부(121a)와, 제1 바디부(121a)에서 바디(110)의 제5 면을 통해 노출되며 바디(110)의 길이 방향을 따라 서로 이격되게 배치되는 복수의 제1 리드부(121b, 121c, 121d)를 포함한다.
제2 내부 전극(122)은 상하로 제1 바디부(121a)와 오버랩되며 용량을 구현하는 제2 바디부(122a)와, 제2 바디부(122a)에서 바디(110)의 제6 면을 통해 노출되며 바디(110)의 길이 방향을 따라 서로 이격되게 배치되는 복수의 제2 리드부(122b, 122c, 122d)를 포함한다.
종래에는 외부 전극의 밀착성이나 치밀도가 불충분하면 도금 공정시 도금액이나 수분이 리드부를 통해 바디 내부로 침투하여 절연 저항을 초래하였다.
그러나, 본 실시 형태에서는 제1 리드부(121b, 121c, 121d)와 제2 리드부(122b, 122c, 122d) 사이에 마진이 형성되어 도금액과 수분이 바디(110)로 침투되어 발생하는 신뢰성 저하를 방지할 수 있다.
또한, 이렇게 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)이 바디(110)의 폭 방향으로 노출되면 적층형 커패시터(100)의 전류 패스(current path)가 단축 되어 ESL을 감소시킬 수 있다.
상기 제1 외부 전극은 제1 도전층(141), 복수의 제1 도전성수지층(151-153) 및 제1 도금층(131)을 포함한다.
제1 도전층(141)은 바디(110)의 제5 면에 복수의 제1 리드부(121b, 121c, 121d)를 모두 커버하도록 형성된다.
이때, 제1 도전층(141)은 바디(110)의 두께 방향의 제1 및 제2 면의 일부까지 각각 연장되게 형성될 수 있다.
제1 도전성 수지층(151-153)은 제1 도전층(141) 상에 각각의 제1 리드부(121b, 121c, 121) 별로 대응되게 형성된다.
이때, 제1 도전성 수지층(151-153)은 제1 도전층(141)의 두께 방향의 양면으로 연장된 부분까지 더 연장되게 형성될 수 있다.
또한, 제1 도전성 수지층(151-153)의 폭은 제1 리드부(121b, 121c, 121d)의 폭 보다 클 수 있다.
또한. 제1 도전성 수지층(151-153)은 열경화성 수지와 금속을 포함하며, 이때 상기 열경화성 수지는 예컨대 에폭시 수지나 페놀 수지일 수 있고, 상기 금속은 구리(Cu)나 은(Ag)일 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 도금층(131)은 제1 도전층(141) 상에 복수의 제1 도전성 수지층(151-153)을 모두 커버하도록 형성된다.
이때, 제1 도금층(131)은 제1 도전층(141)의 두께 방향의 양면으로 연장된 부분까지 복수의 제1 도전성 수지층(151-153)을 모두 커버하도록 더 연장되게 형성될 수 있다.
또한, 제1 도금층(131)은 제1 도전층(141) 상에 형성된 제1 니켈(Ni) 도금층과, 상기 제1 니켈 도금층 상에 형성된 제1 주석(Sn) 도금층을 포함할 수 있다.
상기 제2 외부 전극은 제1 외부 전극과는 다른 극성의 전기를 인가 받는 전극으로서, 제2 도전층(142), 복수의 제2 도전성수지층(154-156) 및 제2 도금층(132)을 포함한다.
제2 도전층(142)은 바디(110)의 제6 면에 복수의 제2 리드부(122b, 122c, 122d)를 모두 커버하도록 형성된다.
이때, 제2 도전층(142)은 바디(110)의 두께 방향의 제1 및 제2 면의 일부까지 각각 연장되게 형성될 수 있다.
제2 도전성 수지층(154-156)은 제2 도전층(142) 상에 각각의 제2 리드부(122b, 121c, 121) 별로 대응되게 형성된다.
이때, 제2 도전성 수지층(154-156)은 제2 도전층(142)의 두께 방향의 양면으로 연장된 부분까지 더 연장되게 형성될 수 있다.
또한, 제2 도전성 수지층(154-156)의 폭은 제2 리드부(122b, 122c, 122d)의 폭 보다 클 수 있다.
또한, 제2 도전성 수지층(154-156)은 열경화성 수지와 금속을 포함하며, 이때 상기 열경화성 수지는 예컨대 에폭시 수지나 페놀 수지일 수 있고, 상기 금속은 구리(Cu)나 은(Ag)일 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 도금층(132)은 제2 도전층(142) 상에 복수의 제2 도전성 수지층(154-156)을 모두 커버하도록 형성된다.
이때, 제2 도금층(132)은 제2 도전층(142)의 두께 방향의 양면으로 연장된 부분까지 복수의 제2 도전성 수지층(154-156)을 모두 커버하도록 더 연장되게 형성될 수 있다.
또한, 제2 도금층(132)은 제2 도전층(142) 상에 형성된 제2 니켈(Ni) 도금층과, 상기 제2 니켈 도금층 상에 형성된 제2 주석(Sn) 도금층을 포함할 수 있다.
본 실시 예에서는 제1 및 제2 도전층(141, 142)과 제1 및 제2 도전성 수지층(151-156)에 제1 및 제2 도금층(131, 132)이 형성되어 제1 및 제2 도전층(141, 142)과 제1 및 제2 도전성 수지층(151-156)이 제1 및 제2 도금층(131, 132)으로 접합될 수 있다.
이에 제1 및 제2 도전층(141, 142)과 제1 및 제2 도전성 수지층(151-156) 간의 접촉 저항의 영향이 저하되어 ESR의 증가를 억제할 수 있다.
또한, 상기 구조에 의해, 노이즈를 제거하고 열화나 리플(ripple) 전류에 기인하는 열이 신뢰성에 영향을 주는 것을 방지할 수 있다.
또한, 기계적 스트레스가 제1 및 제2 도전성 수지층(151-156)의 탄성에 의해 흡수되어 크랙 등의 결함 발생을 방지할 수 있다.
본 실시 예에 따르면, 내부 전극이 바디의 폭 방향으로 노출되는 복수의 리드부를 가지며, 상기 리드부와 접속되는 외부 전극은 도전층, 도전성 수지층 및 도금층의 3중층 구조로 이루어진다.
따라서, 외부 전극 간의 거리가 단축되고 이에 전류 루프(current loop)도 단축되므로 적층형 커패시터의 ESL 특성을 더 낮출 수 있다.
또한, 외부 전극이 복수의 층으로 도포되어 두꺼워져 버퍼의 역할을 하므로, MLCC 제조 공정에서 발생되는 구조 결함 발생률을 낮추고 제품을 소형화시키더라도 높은 신뢰성을 제공할 수 있다.
변형 예
도 6는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 적층형 커패시터를 개략적으로 나타낸 사시도이고, 도 7은 도 6에서 도금층을 제외하고 나타낸 사시도이다.
여기서, 제1 및 제2 내부 전극, 바디, 제1 및 제2 도전층, 제1 및 제2 도전성 수지층의 구조는 앞서 설명한 실시 형태와 유사하므로 중복을 피하기 위하여 이에 대한 구체적인 설명을 생략하며, 앞서 설명한 실시 형태와 상이한 구조를 갖는 제1 및 제2 도금층과 제1 및 제2 고분자 수지층을 도시하여 이를 토대로 구체적으로 설명하기로 한다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 적층형 커패시터(100')는, 제1 및 제2 도금층을 형성하기 이전에, 제1 도전층(141)에는 복수의 제1 도전성 수지층(151-153) 사이에 배치되도록 제1 고분자 수지층(161, 162)이 형성되고, 제2 도전층(142)에는 복수의 제2 도전성 수지층(154-156) 사이에 배치되도록 제2 고분자 수지층(163, 164)이 형성될 수 있다.
이 경우, 제1 및 제2 도전층(141, 142)을 도금 처리하면, 제1 도금층(1311-1313)은 제1 고분자 수지층(161, 162)을 사이에 두고 각각의 제1 도전성 수지층(151-153) 위에만 형성되고, 제2 도금층(1314-1316)은 제2 고분자 수지층(163, 164)을 사이에 두고 각각의 제2 도전성 수지층(154-156) 위에만 형성된다.
본 실시 형태에 따르면, 기판에 실장시 솔더가 제1 및 제2 도전층(141, 142)과 직접 접합되지 않으므로 솔더에서 전달되는 기계적 스트레스가 제1 및 제2 도전성 수지층(151-156)의 탄성력에 의해 흡수되어 적층형 커패시터(100)의 기계적 강도를 향상시킬 수 있다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다.
따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
100, 100' ; 적층형 커패시터
110 ; 바디
111 ; 유전체층
121, 122 ; 제1 및 제2 내부 전극
121a, 122a ; 제1 및 제2 바디부
121b, 121c, 121d ; 제1 리드부
122b, 122c, 122d ; 제2 리드부
131, 132 ; 제1 및 제2 도금층
141, 142 ; 제1 및 제2 도전층
151-153 ; 제1 도전성 수지층
154-156 ;; 제2 도전성 수지층
161-162 ; 제1 고분자 수지층
163-164 ; 제2 고분자 수지층
210 ; 기판
221, 222 ; 제1 및 제2 전극 패드
231, 232 ; 솔더
110 ; 바디
111 ; 유전체층
121, 122 ; 제1 및 제2 내부 전극
121a, 122a ; 제1 및 제2 바디부
121b, 121c, 121d ; 제1 리드부
122b, 122c, 122d ; 제2 리드부
131, 132 ; 제1 및 제2 도금층
141, 142 ; 제1 및 제2 도전층
151-153 ; 제1 도전성 수지층
154-156 ;; 제2 도전성 수지층
161-162 ; 제1 고분자 수지층
163-164 ; 제2 고분자 수지층
210 ; 기판
221, 222 ; 제1 및 제2 전극 패드
231, 232 ; 솔더
Claims (8)
- 유전체층을 사이에 두고 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극을 포함하며, 상기 제1 및 제2 내부 전극이 바디의 마주보는 양면을 통해 각각 노출되며 서로 이격되게 배치되는 복수의 제1 및 제2 리드부를 각각 가지는 바디; 및
상기 제1 및 제2 리드부가 노출되는 상기 바디의 양면에 각각 배치되는 제1 및 제2 외부 전극; 을 포함하며,
상기 제1 외부 전극은, 상기 바디의 일면에 상기 복수의 제1 리드부를 커버하도록 형성되는 제1 도전층; 상기 제1 도전층 상에 상기 각각의 제1 리드부 별로 대응되게 형성되는 복수의 제1 도전성 수지층; 및 상기 제1 도전층 상에 상기 복수의 제1 도전성 수지층을 커버하도록 형성되는 제1 도금층; 을 포함하고,
상기 제2 외부 전극은, 상기 바디의 타면에 상기 복수의 제2 리드부를 커버하도록 형성되는 제2 도전층; 상기 제2 도전층 상에 상기 각각의 제2 리드부 별로 대응되게 형성되는 복수의 제2 도전성 수지층; 및 상기 제2 도전층 상에 상기 복수의 제2 도전성 수지층을 커버하도록 형성되는 제2 도금층; 을 포함하며,
상기 제1 도전층 상에서 상기 복수의 제1 리드부 사이에 배치되는 제1 고분자 수지층; 및 상기 제2 도전층 상에서 상기 복수의 제2 리드부 사이에 배치되는 제2 고분자 수지층을 더 포함하고,
상기 제1 도금층이 상기 제1 고분자 수지층을 사이에 두고 상기 각각의 제1 도전성 수지층 상에 형성되고, 상기 제2 도금층이 상기 제2 고분자 수지층을 사이에 두고 상기 각각의 제2 도전성수지층 상에 형성되는 적층형 커패시터.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 리드부가 상기 바디의 폭 방향의 양면을 통해 각각 노출되는 적층형 커패시터.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 리드부가 상기 바디의 길이 방향의 양면을 통해 각각 노출되는 적층형 커패시터.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 도전층이 상기 바디의 두께 방향의 일면 또는 양면의 일부까지 각각 연장되게 형성되는 적층형 커패시터.
- 제5항에 있어서,
상기 제1 및 제2 도전성 수지층이 상기 제1 및 제2 도전층의 연장된 부분까지 각각 연장되게 형성되는 적층형 커패시터.
- 제6항에 있어서,
상기 제1 및 제2 도금층이 상기 제1 및 제2 도전층의 연장된 부분과 상기 제1 및 제2 도전성 수지층의 연장된 부분을 커버하도록 각각 연장되게 형성되는 적층형 커패시터.
- 상면에 제1 및 제2 전극 패드가 배치되는 기판; 및
상기 제1 및 제2 전극 패드 상에 제1 및 제2 도금층이 실장되는 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 적층형 커패시터; 를 포함하는 적층형 커패시터의 실장 기판.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160033807A KR101813365B1 (ko) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | 적층형 커패시터 및 그 실장 기판 |
| US15/285,115 US9706641B1 (en) | 2016-03-22 | 2016-10-04 | Multilayer capacitor and board having the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160033807A KR101813365B1 (ko) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | 적층형 커패시터 및 그 실장 기판 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170109784A KR20170109784A (ko) | 2017-10-10 |
| KR101813365B1 true KR101813365B1 (ko) | 2017-12-28 |
Family
ID=59257160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160033807A KR101813365B1 (ko) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | 적층형 커패시터 및 그 실장 기판 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9706641B1 (ko) |
| KR (1) | KR101813365B1 (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018041761A (ja) * | 2016-09-05 | 2018-03-15 | 株式会社村田製作所 | チップ状電子部品 |
| KR20180072974A (ko) * | 2016-12-22 | 2018-07-02 | 삼성전기주식회사 | 적층형 커패시터 및 그 실장 기판 |
| KR20190121210A (ko) * | 2018-10-17 | 2019-10-25 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 |
| CN113438796B (zh) * | 2021-04-29 | 2022-03-01 | 武汉芯宝科技有限公司 | 可吸收瞬间高压脉冲能量的电路板及制作方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009027101A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08162357A (ja) | 1994-11-30 | 1996-06-21 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品 |
| US7177137B2 (en) * | 2002-04-15 | 2007-02-13 | Avx Corporation | Plated terminations |
| US6819543B2 (en) * | 2002-12-31 | 2004-11-16 | Intel Corporation | Multilayer capacitor with multiple plates per layer |
| KR100691145B1 (ko) | 2004-12-16 | 2007-03-09 | 삼성전기주식회사 | 적층형 칩 커패시터 |
| CN1993783B (zh) * | 2004-12-24 | 2010-09-01 | 株式会社村田制作所 | 多层电容器及其安装结构 |
| US7408763B2 (en) * | 2005-07-19 | 2008-08-05 | Apurba Roy | Low inductance multilayer capacitor |
| JP4626605B2 (ja) * | 2006-11-07 | 2011-02-09 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ |
| JP2008181956A (ja) | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Tdk Corp | セラミック電子部品 |
| JP4650475B2 (ja) * | 2007-10-18 | 2011-03-16 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサアレイ |
| US20100188799A1 (en) * | 2009-01-28 | 2010-07-29 | Avx Corporation | Controlled esr low inductance capacitor |
| KR101053329B1 (ko) | 2009-07-09 | 2011-08-01 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 전자부품 |
| JP2012009679A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Tdk Corp | セラミック電子部品及びその製造方法 |
| KR101228688B1 (ko) | 2010-11-25 | 2013-02-01 | 삼성전기주식회사 | 적층형 세라믹 캐패시터 |
| KR20140038871A (ko) * | 2013-07-11 | 2014-03-31 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 |
| KR20140038872A (ko) | 2013-07-17 | 2014-03-31 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 |
| KR101659208B1 (ko) * | 2015-02-06 | 2016-09-30 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자 제품 및 그 제조 방법 |
-
2016
- 2016-03-22 KR KR1020160033807A patent/KR101813365B1/ko active IP Right Grant
- 2016-10-04 US US15/285,115 patent/US9706641B1/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009027101A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9706641B1 (en) | 2017-07-11 |
| KR20170109784A (ko) | 2017-10-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109461578B (zh) | 电容器组件及制造该电容器组件的方法 | |
| KR101462754B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법. | |
| KR102076145B1 (ko) | 적층 세라믹 전자 부품 및 그 실장 기판과 제조 방법 | |
| KR101792282B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 적층 세라믹 커패시터가 실장된 회로기판 | |
| US10515765B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
| CN108417391B (zh) | 电容器组件 | |
| US11094467B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor and board having the same | |
| KR101813365B1 (ko) | 적층형 커패시터 및 그 실장 기판 | |
| KR20170110467A (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 | |
| KR20190121196A (ko) | 적층 세라믹 전자부품 | |
| KR20180058021A (ko) | 적층형 커패시터 및 그 실장 기판 | |
| US11776746B2 (en) | Multilayer capacitor | |
| CN109935467B (zh) | 电容器组件 | |
| US10366839B1 (en) | Electronic component | |
| JP4953989B2 (ja) | 積層コンデンサおよびコンデンサ実装基板 | |
| KR102048155B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품 | |
| US10593484B2 (en) | Electronic components | |
| KR20190116138A (ko) | 적층형 커패시터 및 그 실장 기판 | |
| US11302483B2 (en) | Electronic component | |
| US11657968B2 (en) | Multilayer capacitor and board having the same | |
| US20220208466A1 (en) | Multilayer electronic component | |
| KR20190116172A (ko) | 적층형 커패시터 | |
| JP2023143583A (ja) | 積層型キャパシタ及びその内蔵基板 | |
| KR20230093579A (ko) | 세라믹 커패시터 및 이의 제조방법 | |
| KR20170136159A (ko) | 적층형 커패시터 및 그 실장 기판 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |