KR101807322B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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준이치 가츠라가와
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Abstract

(과제) 기판을 수용하는 컵 주변에 있어서의 처리액의 산란에 의한 오염을 방지한다.
(해결 수단) 기판 처리 장치 (10) 는, 기판 (12) 의 상방에 위치하여, 기판 (12) 상을 흐르는 기체를 기판 (12) 의 외주 상방으로부터 배기하는 상부 배기구 (1) 와, 상부 배기구 (1) 로부터 기판 (12) 의 방향으로 연신되도록 형성되어, 기판 (12) 상을 흐르는 기체가 상부 배기구 (1) 로 흘러 들어가도록, 당해 기체가 흐르는 방향을 변경하는 제 1 차폐부 (2) 를 구비하고 있다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING DEVICE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.
특허문헌 1 에는, 컵의 측벽 부분에 있어서의 외주의 연직 상방에, 원통형의 비산 방지 부재가 형성된 기판 처리 장치가 기재되어 있다. 특허문헌 1 에 기재된 기판 처리 장치에 있어서는, 비산 방지 부재에 통기 구멍이 형성되어 있어, 비산 방지 부재 내에서 발생하는 오염된 기류가 이 통기 구멍을 통해 외부로 배기된다.
일본 공개특허공보 평9-148218호 (1997년 6월 6일 공개)
기판 처리 장치에 있어서, 기판에 처리액을 공급하는 방법으로서, 기판 상에 형성된 스프레이식 노즐로부터 처리액을 토출하는 방법이 있다. 스프레이식 노즐로부터 기판에 대해 처리액을 토출하는 경우, 특허문헌 1 에 기재된 기판 처리 장치와 같이, 기판을 컵상의 용기 내에 재치 (載置) 하여 처리를 실시하여, 기판의 주위에 처리액이 비산되는 것을 방지한다.
그러나, 스프레이식 노즐로부터 처리액을 토출하면, 미스트상의 처리액이 발생하여 컵의 외부로 비산되어, 컵 주변을 오염시킨다는 문제가 있다.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 스프레이식 노즐로부터 토출되는 처리액에 의해, 기판을 수용하는 컵 주변이 오염되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있다.
상기의 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 관련된 기판 처리 장치는, 노즐로부터 분무된 미스트상의 액체에 의해 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 상기 기판의 상방에 위치하여, 상기 기판 상을 흐르는 기체를 기판의 외주 상방으로부터 배기하는 상부 배기구와, 상기 상부 배기구로부터 상기 기판의 방향으로 연신되도록 형성되어, 상기 기판 상을 흐르는 기체가 상기 상부 배기구로 흘러 들어가도록, 당해 기체가 흐르는 방향을 변경하는 제 1 차폐부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 기판의 상방에 위치하여, 상기 기판 상을 흐르는 기체를 기판의 외주 상방으로부터 배기하는 상부 배기구와, 상기 상부 배기구로부터 상기 기판의 방향으로 연신되도록 형성되어, 상기 기판 상을 흐르는 기체가 상기 상부 배기구로 흘러 들어가도록, 당해 기체가 흐르는 방향을 변경하는 제 1 차폐부를 구비하고 있기 때문에, 기판을 수용하는 컵 주변이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 개략 단면도이다.
도 2 는 도 1 에 나타내는 기판 처리 장치의 각 배기구 주변을 확대하여 나타내는 개략 단면도이다.
도 3 의 (a) 및 3 의 (b) 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 장치를 사용한 미스트 비산 방지 효과를 나타내는 도면이다.
도 4 는 본 발명의 다른 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 개략 단면도이다.
도 5 는 도 4 에 나타내는 기판 처리 장치의 요부의 구성을 나타내는 5 의 (a) 는 저면도이고, 5 의 (b) 는 5 의 (a) 의 A-A 선 화살표 방향에서 본 단면도이다.
<실시형태 1>
이하, 본 발명의 실시의 일 형태에 대하여, 도 1 ∼ 3 을 참조하여 이하에 설명한다. 도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 개략 단면도이고, 도 2 는, 도 1 에 나타내는 기판 처리 장치의 각 배기구 주변을 확대하여 나타내는 개략 단면도이며, 도 3 의 (a) 및 3 의 (b) 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 장치를 사용한 미스트 비산 방지 효과를 나타내는 도면이다.
[기판 처리 장치 (10)]
도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (10) 는, 상부 배기구 (1) 와 제 1 차폐부 (2) 를 구비하고 있다. 또, 기판 처리 장치 (10) 는, 제 2 차폐부 (3), 하부 배기구 (4), 기류 변경부 (5), 스핀척 (6), 노즐 (11), 및 컵 (15) 을 구비하고 있어도 된다. 기판 처리 장치 (10) 에 있어서는, 컵 (15) 내에 수용된 스핀척 (6) 상에 기판 (12) 을 재치하고, 스핀척 (6) 을 회전시키는 것에 의해 기판 (12) 을 회전시키면서, 노즐 (11) 로부터 기판 (12) 에 대해 처리액 (액체) 을 토출한다. 따라서, 컵 (15) 내의 스핀척 (6) 상에 재치된 기판 (12) 의 상부는, 노즐 (11) 로부터의 처리액을 받아들이기 위해 개구되어 있다.
본 실시형태에 있어서, 기판 처리 장치 (10) 에서 처리되는 기판 (12) 은, 처리면의 반대측의 면에 다이싱 테이프 (13) 와 다이싱 프레임 (14) 이 첩합 (貼合) 되어 있다. 또, 기판 처리 장치 (10) 에 있어서, 노즐 (11) 은, 스프레이식 노즐로서, 복수 구비되어 있어도 된다. 또, 노즐 (11) 을 기판 (12) 의 직경 방향으로 스윙시키면서 처리액을 토출하는 것이어도 된다. 노즐 (11) 로부터 토출하는 처리액으로는, 종래 공지된 여러 가지 처리액을, 기판 (12) 에 대한 처리에 따라 선택할 수 있다.
(상부 배기구 (1))
기판 처리 장치 (10) 에 있어서, 상부 배기구 (1) 는, 컵 (15) 내에 수용된 스핀척 (6) 의 상방에 위치하고 있다. 즉, 상부 배기구 (1) 는, 스핀척 (6) 상에 재치되는 기판 (12) 의 상방에 위치하고 있다. 또, 상부 배기구 (1) 는, 컵 (15) 의 측면측에 형성되어 있다. 요컨대, 스핀척 (6) 상에 형성된 기판 (12) 의 외주보다 외측에 형성되어 있다. 이로써, 상부 배기구 (1) 는, 기판 (12) 상을 흐르는 기체를 기판 (12) 의 외주 상방으로부터 배기한다.
(제 1 차폐부 (2))
제 1 차폐부 (2) 는, 상부 배기구 (1) 로부터 스핀척 (6) 의 방향, 즉, 스핀척 (6) 에 재치되는 기판 (12) 방향으로 연신되도록 형성되어 있다. 제 1 차폐부 (2) 는, 상부 배기구 (1) 로 이어지는 상부벽에 접속되어 있다. 제 1 차폐부 (2) 는, 도 2 에 화살표로 나타내는 바와 같이, 기판 (12) 상을 흐르는 기체가 상부 배기구 (1) 로 흘러 들어가도록, 당해 기체가 흐르는 방향을 변경한다. 즉, 제 1 차폐부 (2) 는, 기판 (12) 상을 흐르는 기체로서, 기판 (12) 으로부터 상방을 향하는 기체의 진행 방향에 위치함으로써, 그 흐름을 차단하여, 상부 배기구 (1) 를 향하도록 변경한다.
일반적으로, 스프레이식 노즐로부터 기판에 처리액을 토출하는 장치에 있어서는, 토출된 미스트상의 처리액 (처리액 미스트) 이, 기판을 재치한 컵 상방의 개구로부터 비산되어, 컵 주위를 오염시킬 우려가 있다. 특히, 복수의 노즐을 사용하는 경우나, 노즐을 스윙시키면서 처리액을 토출하는 경우에는, 처리액 미스트가 보다 확산되어, 장치 주위의 오염이 현저해진다.
이에 대해, 기판 처리 장치 (10) 에 있어서는, 상부 배기구 (1) 와 제 1 차폐부 (2) 를 구비하고 있기 때문에, 기판 (12) 상을 흐르는 기체를 기판 (12) 의 외주 상방으로부터 효율적으로 배기하는 것이 가능하고, 이 기체의 배기에 수반하여, 처리액 미스트를 상부 배기구 (1) 로부터 컵 (15) 의 외부로 배출 (배액) 할 수 있다. 따라서, 컵 (15) 주위가 오염되는 것을 방지할 수 있다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 제 1 차폐부 (2) 는, 상부 배기구 (1) 로 이어지는 상부벽으로부터 계단상으로, 당해 상부벽보다 더욱 상측, 즉, 기판 (12) 으로부터의 거리가 보다 멀어지도록 형성되어 있어도 된다. 그리고, 제 1 차폐부 (2) 는, 기판 (12) 의 외주에 원주상으로 형성되어 있다. 이로써, 보다 확실하게, 기판 (12) 의 상방을 향하는 기체를 상부 배기구 (1) 로 유도할 수 있다.
기판 처리 장치 (10) 는, 상부 배기구 (1) 를 복수 구비하고 있어도 된다. 상부 배기구 (1) 를 2 개 구비하고 있는 경우에는, 이들이 기판 (12) 을 사이에 두고 대략 대각 위치에 배치되어 있는 것이 바람직하다. 또, 상부 배기구 (1)를 3 개 이상 구비하고 있는 경우에는, 이들이 기판 (12) 의 동심원 상에 등간격으로 배치되어 있는 것이 바람직하다. 이로써, 보다 확실하게, 기판 (12) 상을 흐르는 기체를 배기하는 것이 가능하여, 컵 (15) 주위가 오염되는 것을 방지할 수 있다.
여기에서, 기판 처리 장치 (10) 는, 상부 배기구 (1) 를 통해 기판 (12) 상의 기체를 흡인하는 흡인 수단 (도시 생략) 을 추가로 구비하고 있어도 된다. 흡인 수단에 의해 상부 배기구 (1) 로부터 기판 (12) 상의 기체를 흡인하는 것에 의해, 기판 (12) 상에 상부 배기구 (1) 를 향하여 흐르는 기류가 발생하여, 보다 효율적으로 기판 (12) 상의 기체를 상부 배기구 (1) 로부터 배기할 수 있다.
또, 흡인 수단 대신에, 기판 (12) 상에 기체를 분사함으로써, 기판 (12) 상에 상부 배기구 (1) 를 향하여 흐르는 기류를 발생시켜도 된다. 이 때, 예를 들어, 기판 (12) 을 사이에 두고 대략 대각 위치에 배치된 2 개의 상부 배기구 (1) 의 일방으로부터 타방을 향하여 기체를 분사해도 된다.
(제 2 차폐부 (3))
제 2 차폐부 (3) 는, 스핀척 (6) 의 상방, 즉 기판 (12) 의 상면과 상부 배기구 (1) 사이에 위치하고 있다. 제 2 차폐부 (3) 는, 제 1 차폐부 (2) 보다 기판 (12) 측에 위치하고 있어, 상부 배기구 (1) 로부터 스핀척 (6) 의 방향, 즉 스핀척 (6) 에 재치되는 기판 (12) 방향으로 연신되도록 형성되어 있다. 제 2 차폐부 (3) 는, 제 1 차폐부 (2) 가 접속된 상부벽보다 하측에 위치하여, 상부 배기구 (1) 로 이어지는 하부벽에 접속되어 있다. 제 2 차폐부 (3) 는, 도 2 에 화살표로 나타내는 바와 같이, 기판 (12) 의 상방을 향하여 흐르는 기체를 상기 기판 (12) 의 하방을 향하여 흐르도록, 당해 기체가 흐르는 방향을 변경한다. 즉, 제 2 차폐부 (3) 는 기판 (12) 상을 흐르는 기체로서, 기판 (12) 으로부터 상방을 향하는 기체의 진행 방향에 위치함으로써, 그 흐름을 차단하여, 기판 (12) 보다 하측을 향하도록 변경한다.
이와 같이, 제 2 차폐부 (3) 에 의해 기판 (12) 보다 하측을 향하도록 흐름이 변경된 기체는, 후술하는 하부 배기구 (4) 를 통해 배기된다. 따라서, 하부 배기구 (4) 로부터의 기체의 배기에 수반하여, 기판 (12) 상에 확산된 처리액 미스트를 컵 (15) 의 외부로 배출할 수 있다. 이로써, 컵 (15) 주위가 오염되는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
제 1 차폐부 (2) 및 제 2 차폐부 (3) 는, 모두 기판 (12) 방향으로 연신된 판상체로서, 기판 (12) 측에서 보았을 때 서로 중첩되는 위치에 형성되어 있어도 되고, 어느 일방이 타방보다 더 기판 (12) 방향으로 연신됨으로써, 기판 (12) 방향으로 보다 돌출되어 있어도 된다. 또, 제 1 차폐부 (2) 및 제 2 차폐부 (3) 는, 기판 (12) 에 대해 수평하게 형성되어 있어도 되고, 기판 (12) 의 상방을 향하는 기체의 흐름을 상부 배기구 (1) 또는 하부 배기구 (4) 를 향하도록 변경할 수 있으면, 기판 (12) 에 대해 수평하게 형성되어 있지 않아도 된다. 제 1 차폐부 (2) 및 제 2 차폐부 (3) 는, 처리액 미스트가 잘 부착되지 않도록, 예를 들어 불소 수지로 표면 처리 (코팅) 되어 있다.
기판 (12) 의 상방을 향하는 기체 중, 제 2 차폐부 (3) 에 그 유로가 막히는 기체는, 제 2 차폐부 (3) 에 의해 기판 (12) 보다 하측을 향하도록 그 흐름이 변경된다. 기판 (12) 의 상방을 향하는 기체 중, 제 2 차폐부 (3) 로부터 벗어난 위치를 흐르는 기체여도, 또한 제 1 차폐부 (2) 에 그 유로가 막히는 기체는, 제 1 차폐부 (2) 에 의해 상부 배기구 (1) 를 향하도록 그 흐름이 변경된다.
이와 같이, 기판 (12) 의 상방을 향하는 기체에 대해, 제 1 차폐부 (2) 및 제 2 차폐부 (3) 에 의한 2 단계의 기류 변경을 실시하므로, 기판 (12) 상을 흐르는 기체를 보다 확실하게 상부 배기구 (1) 및 하부 배기구 (4) 로 유도할 수 있다. 그 결과, 상부 배기구 (1) 및 하부 배기구 (4) 로 유도되는 기체에 수반하여, 처리액 미스트를 상부 배기구 (1) 및 하부 배기구 (4) 로부터 배출하는 것이 가능하다. 이와 같이, 기판 처리 장치 (10) 에 의하면, 처리액 미스트를 컵 (15) 외로 비산시키는 경우가 없기 때문에, 컵 (15) 주위가 오염되는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
상부 배기구 (1) 및 제 1 차폐부 (2) 와, 제 2 차폐부 (3) 가 접속되는 하부벽이 형성된 컵 (15) 은, 서로 독립적으로 형성되어 있다. 또한, 도 1 및 도 2 에 있어서, 상부 배기구 (1) 는 상부벽의 단부 (端部) 에 위치하고 있고, 그 개구 직경은, 상부벽에 의해 기판 (12) 상부로부터 상부 배기구 (1) 까지 형성되는 배기 유로의 내경보다 작게 되어 있지만, 상부 배기구 (1) 의 구성으로서는 이것에 한정되지 않는다.
또한, 제 2 차폐부 (3) 는, 제 1 차폐부 (2) 와 동일하게, 기판 (12) 의 외주에 원주상으로 형성되어 있다.
또, 도 1 에 나타내는 제 2 차폐부 (3) 와 기판 (12) 의 외주 사이의 거리 A 는, 3 ∼ 20 ㎜ 인 것이 바람직하고, 제 2 차폐부 (3) 와 기판 (12) 의 상면 사이의 거리 B 는, 10 ∼ 50 ㎜ 인 것이 바람직하다. 이로써, 기판 (12) 으로부터 제 2 차폐부 (3) 를 넘어 상방을 향하는 기체의 발생을 억제하여, 당해 기체에 의한 처리액 미스트의 비산을 방지할 수 있다. 또한, 거리 A 및 거리 B 는, 기판 (12) 의 크기, 기판 (12) 의 회전수, 노즐 (11) 의 수 등에 따라 적절히 변경 가능한 것이다. 예를 들어, 후술하는 실시예에 나타내는 바와 같이, 직경 300 ㎜ 의 기판 (12) 을 회전수 1200 rpm 으로 회전시키면서, 6 개의 노즐로부터 처리액을 분무시키는 경우에는, 거리 A 는 5 ㎜, 거리 B 는 20 ㎜ 인 것이 바람직하다.
여기서, 거리 A 는, 스핀척 (6) 상에 재치하는 기판 (12) 의 외주로부터 제 2 차폐부 (3) 까지의 거리를 의도하고 있는데, 본 실시형태에 있어서는, 다이싱 테이프 (13) 및 다이싱 프레임 (14) 이 첩합된 기판 (12) 을 피처리체로서 사용하고 있기 때문에, 거리 A 는, 최외주의 다이싱 프레임 (14) 으로부터 제 2 차폐부 (3) 까지의 거리일 수 있다. 거리 B 는, 기판 (12) 의 상면으로부터 제 2 차폐부 (3) 까지의 거리를 의도하고 있는데, 본 실시형태에 있어서는, 다이싱 테이프 (13) 및 다이싱 프레임 (14) 이 첩합된 기판 (12) 을 피처리체로서 사용하고 있기 때문에, 거리 B 는, 최외주의 다이싱 프레임으로부터 제 2 차폐부 (3) 까지의 거리일 수 있다.
(하부 배기구 (4))
하부 배기구 (4) 는, 스핀척 (6) 의 하방, 즉 기판 (12) 의 하방에 위치하고 있어, 기판 (12) 의 하방으로부터 기체를 배기한다. 기판 (12) 상을 흐르는 기체 중, 제 2 차폐부 (3) 에 의해 기판 (12) 의 하방을 향하여 흐르도록, 흐르는 방향이 변경된 기체는, 하부 배기구 (4) 로부터 배기된다. 이 기체의 흐름에 수반하여, 기판 (12) 상의 처리액 미스트가, 하부 배기구 (4) 로부터 배출된다. 이와 같이, 기판 (12) 의 하방에도 배기구를 형성한 것에 의해, 보다 확실하게 처리액 미스트의 확산을 방지할 수 있다. 또한, 기판 (12) 의 하방에 흐르는 기체를 하부 배기구 (4) 로 효율적으로 유도하기 위해, 하부 배기구 (4) 는, 기판 (12) 의 하방에 형성된 배기 덕트의 단부에 형성되어 있어도 된다. 또, 하부 배기구 (4) 는 복수 형성되어 있어도 되고, 이 경우, 기판 (12) 의 동심원 상에서 등간격으로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
(기류 변경부 (5))
기류 변경부 (5) 는, 스핀척 (6) 의 하방, 즉 기판 (12) 의 하방에 위치하고 있어, 기판 (12) 의 하방을 향하여 흐르는 기체가 하부 배기구 (4) 에 흘러 들어가도록, 기체가 흐르는 방향을 변경하도록 형성되어 있다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 기류 변경부 (5) 의 중심은 스핀척 (6) 의 중심과 동일할 수 있는데, 그 직경은 스핀척 (6) 의 직경보다 커, 스핀척 (6) 의 외주보다 외측으로 튀어나오도록 형성되어 있다. 기류 변경부 (5) 는 판상체이며, 중심으로부터 외주로 하방을 향하여 만곡되어 있다. 즉, 기류 변경부 (5) 는, 하부 배기구 (4) 에 연결되는 배기 덕트의 입구를 향하여 만곡되어 있다. 이로써, 도 2 에 화살표로 나타내는 바와 같이, 기판 (12) 의 하방을 향하여 흐르는 기체는, 기류 변경부 (5) 에 의해 그 흐름이 하부 배기구 (4) 에 연결되는 배기 덕트 방향으로 변경된다. 그 결과, 기체는 배기 덕트를 통해 하부 배기구 (4) 로부터 효율적으로 배기되고, 이것에 수반하여 처리액 미스트가 배출된다.
<실시형태 2>
다음으로, 본 발명에 관련된 실시의 다른 형태에 대하여, 도 4, 5 를 참조하여 이하에 설명한다. 도 4 는, 본 발명의 다른 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 개략 단면도이고, 도 5 는, 도 4 에 나타내는 기판 처리 장치의 요부의 구성을 나타내는 5 의 (a) 는 저면도이며, 5 의 (b) 는 5 의 (a) 의 A-A 선 화살표 방향에서 본 단면도이다. 또한, 실시형태 1 에 나타낸 부재와 동일한 기능을 갖는 부재에 대해서는, 동일한 부호를 부기하여 그 설명을 생략한다.
기판 처리 장치 (10) 에 있어서의 상기 제 1 차폐부 (2) 및 상기 제 2 차폐부 (3) 에 처리액 미스트가 부착되면, 부착된 처리액이 스핀척 (6) 등의 회전에 의해 발생하는 기류 (풍압) 에 의해 상부 배기구 (1) 와는 역방향, 즉 기판 (12) 의 방향으로 솟아오를 우려가 있다. 이 경우에, 제 1 차폐부 (2) 나 제 2 차폐부 (3) 의 기판 (12) 측의 단부로부터 상기 처리액이 비산되어 기판 (12) 상에 부착되어, 워터 마크가 발생하는 등의 악영향을 미칠 우려가 있다.
그래서, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (10) 는, 제 1 플랜지부 (22) 및 제 2 플랜지부 (23) 를 추가로 구비하고 있다. 제 1 플랜지부 (22) 및 제 2 플랜지부 (23) 는, 처리액 미스트가 잘 부착되지 않도록, 예를 들어 불소 수지로 표면 처리 (코팅) 되어 있다.
즉, 상기 제 1 차폐부 (2) 의 기판 (12) 측의 단부에는, 제 1 차폐부 (2) 에 부착된 처리액 미스트가, 스핀척 (6) 등의 회전에 의해 발생하는 기류 (풍압) 에 의해 상부 배기구 (1) 와는 역방향으로 솟아올라, 기판 (12) 의 방향으로 비산되는 것을 방지하는 제 1 플랜지부 (22) 가 늘어뜨려 설치되어 있다. 제 1 플랜지부 (22) 는, 제 1 차폐부 (2) 의 기판 (12) 측의 단부에 원주상으로 형성되어 있다. 이로써, 예를 들어 제 1 차폐부 (2) 에 처리액 미스트가 부착되었다 해도, 부착된 처리액은 제 1 플랜지부 (22) 의 하단부로 이동되어, 상부 배기구 (1) 를 향하는 기체의 흐름에 의해 상부 배기구 (1) 로부터 배출된다. 따라서, 기판 (12) 상에 처리액 미스트의 액적이 부착되는 것을 한층 더 방지할 수 있다. 또, 처리액 미스트가 기판 처리 장치 (10) 의 외부로 비산되는 것도 한층 더 방지할 수 있다. 제 1 플랜지부 (22) 의 연직 방향의 길이는, 상부 배기구 (1) 에 의한 배기를 방해하지 않는 길이이면 된다.
또, 상기 제 2 차폐부 (3) 에는, 제 2 차폐부 (3) 에 부착된 처리액 미스트가, 스핀척 (6) 등의 회전에 의해 발생하는 기류 (풍압) 에 의해 상부 배기구 (1) 와는 역방향으로 솟아올라, 기판 (12) 의 방향으로 비산되는 것을 방지하는 제 2 플랜지부 (23) 가 늘어뜨려 설치되어 있다. 제 2 플랜지부 (23) 는, 제 2 차폐부 (3) 의 상부 배기구 (1) 측의 단부에 대략 원주상으로 형성되어 있다. 이로써, 예를 들어 제 2 차폐부 (3) 에 처리액 미스트가 부착되었다 해도, 부착된 처리액은 제 2 플랜지부 (23) 의 하단부 (23a) 측으로 이동되어, 하부 배기구 (4) 를 향하는 기체의 흐름에 의해 하부 배기구 (4) 로부터 배출된다. 따라서, 기판 (12) 상에 처리액 미스트의 액적이 부착되는 것을 한층 더 방지할 수 있다. 제 2 플랜지부 (23) 의 연직 방향의 길이는, 하부 배기구 (4) 에 의한 배기를 방해하지 않는 길이이면 된다.
보다 구체적으로는, 도 5 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 제 2 플랜지부 (23) 는, 제 2 차폐부 (3) 의 상부 배기구 (1) 측의 단부에 대략 원주상으로 형성됨과 함께, 노치부 (24) 를 적어도 1 개 구비하고 있다. 요컨대, 제 2 플랜지부 (23) 에는, 제 2 차폐부 (3) 에 부착된 처리액 미스트를 배액하는 노치부 (24) 가 적어도 1 개 형성되어 있다 (도 5 의 (a) 는 노치부 (24) 가 4 개 형성되어 있는 경우를 나타낸다). 따라서, 제 2 플랜지부 (23) 는, 노치부 (24) 가 2 개 이상 형성되어 있는 경우에는, 복수로 분할되어 있다 (노치부 (24) 의 개수와 동 수로 분할되어 있다). 도 5 의 (a), 5 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 노치부 (24) 가 형성되어 있는 부분에서, 제 2 플랜지부 (23) 는, 그 전후의 분할 부분이 기판 (12) 의 직경 방향으로 중첩되도록 하여 나선상으로 형성되어 있고, 스핀척 (6) 등의 회전 방향 (도 5 의 (a) 에서는 반시계 방향) 측의 단부 (하단부 (23a) 가 형성되어 있는 측) 가 외측 (하부 배기구 (4) 측) 에 위치하고 있다. 이로써, 예를 들어 제 2 차페부 (3) 에 처리액 미스트가 부착되었다 해도, 부착된 처리액은 스핀척 (6) 등의 회전에 의해 발생하는 기류 (풍압) 에 의해 제 2 플랜지부 (23) 의 하단부 (23a) 측으로 이동되어, 하부 배기구 (4) 를 향하는 기체의 흐름에 의해 하부 배기구 (4) 로부터 배출된다. 따라서, 기판 (12) 상에 처리액 미스트의 액적이 부착되는 것을 한층 더 방지할 수 있다. 또한, 제 2 플랜지부 (23) 를 형성하는 위치는, 하부 배기구 (4) 에 의한 배기를 방해하지 않는 위치이면 되고, 제 2 차폐부 (3) 의 상부 배기구 (1) 측의 단부에 한정되는 것은 아니다. 또, 노치부 (24) 의 개수, 그리고 폭 (기판 (12) 의 직경 방향의 폭) 및 길이 (스핀척 (6) 등의 회전 방향의 길이) 는, 제 2 플랜지부 (23) 에 의한 처리액 미스트의 비산 방지 효과를 방해하지 않는 개수, 그리고 폭 및 길이이면 되고, 예를 들어 스핀척 (6) 등의 크기나 회전수, 처리액의 조성 등에 따라 적절히 설정할 수 있다.
제 2 플랜지부 (23) 의 연직 방향의 길이는, 하부 배기구 (4) 에 의한 배기를 방해하지 않는 길이이면 된다. 단, 상기 제 2 플랜지부 (23) 의 적어도 일부, 구체적으로는 하단부 (23a) 는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 상기 기판 (12) 의 하방에 위치하고 있는 것이 바람직하다. 이로써, 기판 (12) 상에 처리액 미스트의 액적이 부착되는 것을 한층 더 방지할 수 있다.
[실시예]
실시형태 1 에서 상세히 서술한 기판 처리 장치 (10) 를 사용하여, 미스트 산란 방지 효과를 조사하였다. 비교예로서, 기판의 하부에만 배기구를 구비하고, 기판을 수용하는 컵의 측벽으로부터 기판의 외주까지의 거리가 약 40 ㎜, 당해 측벽으로부터 기판의 상면까지의 거리가 약 15 ㎜ 인, 종래의 기판 처리 장치를 사용하였다. 평가 조건으로서, 각 기판 처리 장치에 있어서, 스프레이 노즐을 6 개 사용하여, 직경 300 ㎜ 의 기판에 대해, 기판의 회전수 1200 rpm 으로 처리를 실시하였다. 각 노즐의 시너 유량 15 ㎖/min, 공기 유량 10 ℓ/min 이었다.
컵 외부에 있어서의 미스트상의 액적의 유무는, 현미경 사진에 의해 확인하였다. 그 결과, 도 3 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 종래의 기판 처리 장치에 있어서는, 컵의 외부에 미스트상의 액적을 볼 수 있었지만, 도 3 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (10) 에 있어서는, 컵 외부에 미스트상의 액적을 볼 수 없었다.
본 발명은 상기 서술한 실시형태에 한정되지 않고, 청구항에 나타낸 범위에서 여러 가지 변경이 가능하다. 즉, 청구항에 나타낸 범위에서 적절히 변경한 기술적 수단을 조합하여 얻어지는 실시형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
본 발명에 관련된 기판 처리 장치는, 여러 가지 분야에서 사용되는 기판의 처리에 이용할 수 있다.
1 : 상부 배기구
2 : 제 1 차폐부
3 : 제 2 차폐부
4 : 하부 배기구
5 : 기류 변경부
6 : 스핀척
10 : 기판 처리 장치
11 : 노즐
12 : 기판
13 : 다이싱 테이프
14 : 다이싱 프레임
22 : 제 1 플랜지부
23 : 제 2 플랜지부
23a : 하단부
24 : 노치부

Claims (11)

  1. 노즐로부터 분무된 미스트상의 액체에 의해 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
    상기 기판의 상방에 위치하여, 상기 기판 상을 흐르는 기체를 기판의 외주 상방으로부터 배기하는 상부 배기구와,
    상기 상부 배기구로부터 상기 기판의 방향으로 연신되도록 형성되어, 상기 기판 상을 흐르는 기체가 상기 상부 배기구로 흘러 들어가도록, 당해 기체가 흐르는 방향을 변경하는 제 1 차폐부와,
    상기 기판의 상면과 상기 상부 배기구 사이에 위치하여, 상기 기판의 상방을 향하여 흐르는 기체를 상기 기판의 하방을 향하여 흐르도록, 당해 기체가 흐르는 방향을 변경하는 제 2 차폐부를 구비하고,
    상기 제 1 차폐부는, 그 적어도 일부가 상기 기판에 대해 수평하게 형성되어 있고,
    상기 제 2 차폐부에는, 제 2 차폐부에 부착된 상기 액체가 기판의 방향으로 비산되는 것을 방지하는 제 2 플랜지부가 늘어뜨려 설치되고,
    상기 제 2 플랜지부에는, 제 2 차폐부에 부착된 상기 액체를 배액하는 노치부가 적어도 1 개 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 노즐로부터 분무된 미스트상의 액체에 의해 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
    상기 기판의 상방에 위치하여, 상기 기판 상을 흐르는 기체를 기판의 외주 상방으로부터 배기하는 상부 배기구와,
    상기 상부 배기구로부터 상기 기판의 방향으로 연신되도록 형성되어, 상기 기판 상을 흐르는 기체가 상기 상부 배기구에 흘러 들어가도록, 당해 기체가 흐르는 방향을 변경하는 제 1 차폐부와,
    상기 기판의 상면과 상기 상부 배기구 사이에 위치하여, 상기 기판의 상방을 향하여 흐르는 기체를 상기 기판의 하방을 향하여 흐르도록, 당해 기체가 흐르는 방향을 변경하는 제 2 차폐부를 구비하고,
    상기 제 1 차폐부는, 상기 상부 배기구로 이어지는 상부벽으로부터 계단상으로, 당해 상부벽보다 더욱 기판으로부터의 거리가 멀어지도록 형성되어 있고,
    상기 제 2 차폐부에는, 제 2 차폐부에 부착된 상기 액체가 기판의 방향으로 비산되는 것을 방지하는 제 2 플랜지부가 늘어뜨려 설치되고,
    상기 제 2 플랜지부에는, 제 2 차폐부에 부착된 상기 액체를 배액하는 노치부가 적어도 1 개 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 차폐부와 상기 기판의 외주 사이의 거리는, 3 ∼ 20 ㎜ 이고,
    상기 제 2 차폐부와 상기 기판의 상면 사이의 거리는, 10 ∼ 50 ㎜ 인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 플랜지부의 적어도 일부는, 그 하단이 상기 기판의 하방에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 차폐부에는, 제 1 차폐부에 부착된 상기 액체가 기판의 방향으로 비산되는 것을 방지하는 제 1 플랜지부가 늘어뜨려 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판의 하방에 위치하는 하부 배기구와,
    상기 기판의 하방을 향하여 흐르는 기체가 상기 하부 배기구에 흘러 들어가도록, 당해 기체가 흐르는 방향을 변경하는 기류 변경부를 추가로 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 상부 배기구를 2 개 구비하고, 이들 상부 배기구가 상기 기판을 사이에 두고 대각 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 상부 배기구를 통해 상기 기판 상의 기체를 흡인하는 흡인 수단을 추가로 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 상부 배기구는, 상기 기체의 배기와 함께, 미스트상의 액체를 배액하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 삭제
  11. 삭제
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2001176831A (ja) 1999-12-20 2001-06-29 Super Silicon Kenkyusho:Kk 半導体ウエハ用洗浄装置
JP2002319563A (ja) 2001-04-20 2002-10-31 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2007044686A (ja) 2005-07-11 2007-02-22 Shibaura Mechatronics Corp 基板のスピン処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001156032A (ja) 1999-11-26 2001-06-08 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 洗浄装置および洗浄方法
JP2001176831A (ja) 1999-12-20 2001-06-29 Super Silicon Kenkyusho:Kk 半導体ウエハ用洗浄装置
JP2002319563A (ja) 2001-04-20 2002-10-31 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
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