KR101757819B1 - Apparatus for treating substrate and method for treating substrate - Google Patents

Apparatus for treating substrate and method for treating substrate Download PDF

Info

Publication number
KR101757819B1
KR101757819B1 KR1020160065576A KR20160065576A KR101757819B1 KR 101757819 B1 KR101757819 B1 KR 101757819B1 KR 1020160065576 A KR1020160065576 A KR 1020160065576A KR 20160065576 A KR20160065576 A KR 20160065576A KR 101757819 B1 KR101757819 B1 KR 101757819B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
hand
unit
processing
cooling
Prior art date
Application number
KR1020160065576A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
강호신
강동연
오두영
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020160065576A priority Critical patent/KR101757819B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101757819B1 publication Critical patent/KR101757819B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판을 처리하는 처리 유닛과; 상기 처리 유닛들 간에 기판을 반송하는 반송 유닛을 포함하되, 상기 반송 유닛은, 기판을 진공 방식으로 유지하여 반송하는 제 1 핸드와; 기판을 진공 이외의 방식으로 유지하여 반송하는 제 2 핸드를 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a processing unit for processing a substrate; And a transfer unit for transferring the substrate between the processing units, wherein the transfer unit comprises: a first hand for holding and conveying the substrate in a vacuum system; And a second hand for holding and conveying the substrate in a manner other than vacuum.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus,

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진, 식각, 증착, 이온주입, 그리고 세정 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이 중 사진공정은 패턴을 형성하기 위해 공정으로 반도체 소자의 고집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다.Various processes such as photolithography, etching, deposition, ion implantation, and cleaning are performed to manufacture a semiconductor device. Among these processes, photolithography plays an important role in achieving high integration of semiconductor devices in a process for forming a pattern.

사진 공정은 크게 도포공정, 노광공정 그리고 현상공정으로 이루어지며, 도포공정 후 노광공정이 진행되기 전 및 노광공정이 진행된 후 단계에는 베이크 공정을 수행한다. 베이크 공정은 기판을 열 처리하는 과정으로, 가열 플레이트에 놓인 기판을 히터로부터 제공된 열로 인해 그 기판을 열 처리한다. 따라서, 베이크 공정이 수행되는 가열 챔버는 그 외의 챔버들에 비해 높은 온도에서 공정이 수행된다.The photolithography process consists of a coating process, an exposure process, and a developing process. The baking process is performed before the exposure process after the application process and after the exposure process. The baking process is a process of heat-treating the substrate, in which the substrate placed on the heating plate is heat-treated by the heat supplied from the heater. Thus, the heating chamber in which the baking process is performed is performed at a higher temperature than the other chambers.

도 1은 기판을 반송하는 일반적인 반송 유닛(1)을 보여주는 사시도이다. 1 is a perspective view showing a general transport unit 1 for transporting a substrate.

도 1을 참고하면, 일반적으로, 사진 공정이 수행되는 기판 처리 설비 내의 공정 챔버들 간의 기판의 반송은 기판을 진공 방식으로 유지하여 반송하는 타입의 반송 유닛(1)에 의해 수행된다. 반송 유닛은 기판을 픽업(언로딩) 및 플레이스 다운(로딩)하기 위한 2개의 핸드(2,3)을 포함한다. Referring to Fig. 1, generally, the transport of the substrate between the process chambers in the substrate processing facility in which the photolithography process is performed is performed by the transport unit 1 of the type in which the substrate is held and transported in a vacuum. The transfer unit includes two hands (2, 3) for picking up (unloading) and placing down (loading) the substrate.

도 2는 종래 사진 공정에서 반송 유닛의 반송 사이클을 보여주는 표이다.2 is a table showing a conveying cycle of the conveying unit in the conventional photographing process.

도 2에서와 같이, 반송 유닛은 제1스탭부터 제4스탭으로 이루어지는 반송 사이클을 수행하게 된다. 반송 유닛은 제1스탭에서 기판 픽업을 수행하는 핸드가 제2핸드로 고정되어 있기 때문에 제2핸드는 제1스탭에서 기판을 픽업하여 제2스탭에서 기판을 플레이스 다운하게 되며, 제1핸드는 제2스탭에서 기판 픽업을 수행하게 된다. 이와 같은 방식으로 각 스탭별 픽업을 수행하는 핸드와 플레이스 다운을 수행하는 핸드가 번갈아가면서 진행하게 되는 것을 알 수 있다.As shown in Fig. 2, the carrying unit carries out a carrying cycle consisting of the first step to the fourth step. The transfer unit picks up the substrate at the first step and places down the substrate at the second step because the hand performing the substrate pickup at the first step is fixed with the second hand, The substrate is picked up at two steps. In this way, it can be seen that the hand performing the pick-up for each step and the hand performing the place-down proceed alternately.

한편, 제3스탭에서 베이크 공정을 마친 고온의 기판은 제2핸드가 픽업하게 되는데, 고온의 기판과 접촉하게 되는 제2핸드는 기판의 영향으로 온도 상승 스트레스를 받게 된다. 그리고, 제3스탭에서 고온의 기판을 픽업하게 되는 제2핸드는 이전 스탭(제2스탭)에서는 기판을 플레이스 다운을 수행하게 된다. On the other hand, the second hand, which has been baked in the third step, is picked up by the second hand, and the second hand brought into contact with the high-temperature substrate is subjected to a temperature-rising stress due to the influence of the substrate. The second hand picking up the high temperature substrate in the third step performs the place down of the substrate in the previous step (second step).

이렇게, 반송 유닛은 1회 사이클을 수행하고 나서 다시 제1스탭과 제2스탭을 진행할 때 뜨거워진 제2핸드가 제1스탭에서 쿨링된 차가운 기판을 제2스탭의 코터 유닛으로 플레이스 다운하게 되는 과정에서 접촉면의 온도차이에 의하여 기판의 코팅 불량 원인이 된다. In this way, when the conveying unit performs the one cycle, the second hand heated at the first step and the second step again moves down the cold substrate cooled at the first step to the coater unit at the second step The temperature difference of the contact surface causes the coating failure of the substrate.

본 발명의 일 과제는, 온도 영향에 의한 기판 코팅 두께 편차를 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는데 있다. An object of the present invention is to provide an apparatus and a method that can prevent a substrate coating thickness variation due to a temperature effect.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other matters not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 측면에 따르면, 코터 유닛에서 기판을 액처리하는 단계; 및 상기 코터 유닛에서 액처리된 기판을 베이크 유닛에서 베이크 하는 단계를 포함하되; 상기 액처리 단계와 상기 베이트 단계 사이에는 상기 코터 유닛에서 상기 베이크 유닛으로 기판을 반송하는 기판 반송 유닛의 핸드를 또 다른 핸드로 체인지하는 핸드 체인지 단계를 포함하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: liquid treating a substrate in a coater unit; And baking the liquid-processed substrate in the coater unit in a baking unit; And a hand changing step of changing the hand of the substrate transfer unit for transferring the substrate from the coater unit to the bake unit to another hand between the liquid processing step and the bait step.

또한, 상기 핸드 체인지 단계는 상기 액처리 유닛으로부터 기판을 픽업하는 상기 기판 반송 유닛의 제1핸드가 상기 베이크 유닛에서도 기판을 픽업할 수 있도록 상기 제1핸드가 픽업한 기판을 상기 기판 반송 유닛의 제2핸드로 체인지할 수 있다.The hand change step may include a step of picking up the substrate picked up by the first hand so that the first hand of the substrate transfer unit picking up the substrate from the liquid processing unit picks up the substrate even in the bake unit, You can change with 2 hands.

또한, 상기 핸드 체인지 단계는 상기 기판 반송 유닛이 접근 가능한 이동 통로상에 배치된 버퍼 모듈에서 상기 제1핸드가 픽업한 기판을 플레이스 다운하고, 상기 제2핸드가 상기 버퍼 모듈로부터 기판을 픽업할 수 있다.In addition, the hand-change step further comprises the step of placing down the substrate picked up by the first hand in the buffer module disposed on the moving path accessible by the substrate transferring unit, and the second hand picking up the substrate from the buffer module have.

또한, 상기 액처리 단계에서 기판 플레이스 다운을 수행하는 핸드와 상기 베이크 단계에서 기판 플레이스 다운을 수행하는 핸드는 동일한 핸드일 수 있다.Further, the hand performing the substrate place down in the liquid processing step and the hand performing the substrate place down in the baking step may be the same hand.

또한, 상기 액처리 단계 전에 기판을 쿨링하는 쿨링 단계를 더 포함하되; 상기 쿨링 단계에서 기판 픽업은 상기 기판 반송 유닛의 제1핸드에 의해 이루어질 수 있다. Further, the method may further include a cooling step of cooling the substrate before the liquid processing step; In the cooling step, the substrate pick-up may be performed by the first hand of the substrate transfer unit.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판이 담겨진 용기가 놓여지는 포트 및 인덱스 로봇을 가지는 인덱스부; 쿨링 유닛, 코터 유닛, 베이크 유닛 그리고 버퍼 모듈이 배치되는 공정 처리부; 상기 쿨링 유닛, 상기 코터 유닛, 상기 베이크 유닛 그리고 상기 버퍼 모듈에 접근 가능한 이동 통로상에 배치되고, 제1핸드와 제2핸드를 갖는 기판 반송 유닛; 및 상기 기판 반송 유닛의 반송 동작을 제어하는 반송 제어부를 포함하되; 상기 반송 제어부는 상기 버퍼 모듈에서 핸드 체인지가 이루어지게 상기 기판 반송 유닛을 제어하는 기판 처리 설비가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided an apparatus including: an index unit having a port and an index robot on which a container containing a substrate is placed; A processing unit in which a cooling unit, a cotter unit, a bake unit, and a buffer module are disposed; A substrate transporting unit disposed on a moving passage accessible to the cooling unit, the cotter unit, the baking unit and the buffer module, the substrate transporting unit having a first hand and a second hand; And a transport control unit for controlling a transport operation of the substrate transport unit; The transfer control unit may be provided with a substrate processing apparatus for controlling the substrate transfer unit to perform hand change in the buffer module.

또한, 상기 반송 제어부는 상기 코터 유닛으로부터 기판 픽업과 상기 베이크 유닛으로부터 기판 픽업은 상기 제1핸드에 의해 수행되도록 그리고 상기 코터 유닛에서의 기판 플레이스 다운과 상기 베이크 유닛에서의 기판 플레이스 다운은 상기 제2핸드에 의해 수행되도록 상기 기판 반송 유닛을 제어할 수 있다.In addition, the transfer control unit may be configured such that the substrate pick-up from the coater unit and the substrate pick-up from the bake unit are performed by the first hand, and the substrate place-down in the coater unit and the substrate place- The substrate transfer unit can be controlled to be performed by the hand.

또한, 상기 제 1 핸드 및 상기 제 2 핸드 각각은, 진공 홀이 형성된 핸드 베이스와; 상기 핸드 베이스로부터 돌출되도록 상기 핸드 베이스 상에 설치되며 상기 진공홀과 정렬된 통공이 형성된 수지 재질의 흡착 패드를 포함할 수 있다.Each of the first hand and the second hand includes a hand base having a vacuum hole formed therein; And a suction pad made of a resin material provided on the hand base to protrude from the hand base and having a through hole aligned with the vacuum hole.

또한, 상기 제 1 핸드 및 상기 제 2 핸드는 서로 상하 방향으로 배열되되, 상기 제 1 핸드는 상기 제 2 핸드보다 높게 제공될 수 있다. In addition, the first hand and the second hand may be arranged vertically to each other, and the first hand may be provided higher than the second hand.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 코팅 공정에서 베이크 공정 사이에 고온의 기판을 반송하는 핸드를 다른 핸드로 체인지함으로써 코팅 공정에서는 기판을 플레이스 다운하는 핸드에 의해 기판의 열불균일성을 방지할 수 있는 각별한 효과를 갖는다. According to the embodiment of the present invention, by changing the hand which conveys the high-temperature substrate between the baking steps in the coating process with another hand, it is possible to prevent the thermal nonuniformity of the substrate by the hand which places down the substrate in the coating process Effect.

도 1은 기판을 반송하는 일반적인 반송 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 2는 종래 사진 공정에서 반송 유닛의 반송 사이클을 보여주는 표이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3의 기판 처리 장치를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 3의 기판 처리 장치를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 6은 도 3의 반송 유닛을 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 순서도이다.
도 8은 기판 처리 방법에 의한 반송 유닛의 반송 사이클을 보여주는 표이다.1 is a perspective view showing a general transport unit for transporting a substrate.
2 is a table showing a conveying cycle of the conveying unit in the conventional photographing process.
3 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a view of the substrate processing apparatus of FIG. 3 viewed from the direction AA.
Fig. 5 is a view of the substrate processing apparatus of Fig. 3 viewed from the BB direction.
Fig. 6 is a perspective view schematically showing the transport unit of Fig. 3;
7 is a flowchart showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
8 is a table showing a conveying cycle of the conveying unit by the substrate processing method.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시 예의 장치는 기판을 처리하는 장치로서, 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시 예의 장치는 기판에 대해 도포 공정, 현상 공정을 수행하는 데 사용된다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The apparatus of this embodiment is an apparatus for processing a substrate, and is used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. Particularly, the apparatus of the present embodiment is used to perform a coating process and a developing process on a substrate. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example.

도 3 내지 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3은 기판 처리 장치(10)를 상부에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 3의 기판 처리 장치(10)를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 3의 기판 처리 장치(10)를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.3 to 5 are views schematically showing a substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention. 3 is a view of the substrate processing apparatus 10 of FIG. 3 viewed from the direction AA, FIG. 5 is a view of the substrate processing apparatus 10 of FIG. Fig.

도 3 내지 도 5를 참고하면, 기판 처리 장치(10)는 인덱스부(100), 패스부(300), 공정 처리부(400) 그리고 인터페이스부(700)를 포함한다.3 to 5, the substrate processing apparatus 10 includes an index unit 100, a pass unit 300, a process unit 400, and an interface unit 700.

인덱스부(100), 패스부(300), 공정 처리부(400) 그리고 인터페이스부(700)는 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.  The index unit 100, the path unit 300, the processing unit 400, and the interface unit 700 are sequentially arranged in one direction in one direction.

인덱스부(100), 패스부(300), 공정 처리부(400) 그리고 인터페이스부(700)가 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 한다. 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 한다. The direction in which the index unit 100, the path unit 300, the processing unit 400, and the interface unit 700 are disposed is referred to as a first direction 12. A direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16, Quot;

웨이퍼(W)는 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 일 예로 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.The wafer W is moved in a state accommodated in the cassette 20. The cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door at the front can be used.

이하에서는 인덱스부(100), 패스부(300), 공정 처리부(400) 그리고 인터페이스부(700)에 대해 설명한다.Hereinafter, the index unit 100, the path unit 300, the processing unit 400, and the interface unit 700 will be described.

(인덱스부)(Index portion)

인덱스부(100)는 웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 포함한다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(120)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 3에서는 4개의 재치대(120)가 제공된다. The index unit 100 includes a table 120 on which a cassette 20 accommodating wafers W is placed. A plurality of mounts 120 are provided, and the mounts 120 are arranged in a line along the second direction 14. In Fig. 3, four placement tables 120 are provided.

인덱스부(100)은 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼부(300) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인덱스부(100)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 포함한다. The index unit 100 transfers the wafer W between the cassette 20 placed on the table 120 and the buffer unit 300. The index unit 100 includes a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230.

프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 재치대(120)와 버퍼부(300) 사이에 배치된다. 인덱스부(100)의 프레임(210)은 후술하는 버퍼부(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 웨이퍼(W)를 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조이다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 포함한다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정 결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다. The frame 210 is provided generally in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the table 120 and the buffer unit 300. The frame 210 of the index unit 100 may be provided at a lower height than the frame 310 of the buffer unit 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210. The index robot 220 is a four-axis drive system in which the hand 221 directly handling the wafer W is movable in the first direction 12, the second direction 14 and the third direction 16, This is a possible structure. The index robot 220 includes a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. The arm 222 is provided with a stretchable structure and a rotatable structure. The support base 223 is disposed along the third direction 16 in the longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rails 230 are provided so that their longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230. Further, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

(버퍼부)(Buffer section)

버퍼부(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 버퍼 로봇(360)을 포함한다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스부(100)과 공정 처리부(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 공정 처리부(400)의 도포 처리부(401)와 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 공정 처리부(400)의 현상 처리부(402)과 대응되는 높이에 제공될 수 있다. 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.The buffer unit 300 includes a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an inner rectangular parallelepiped and disposed between the index portion 100 and the process processing portion 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the buffer robot 360 are located within the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed in the third direction 16 from below. The second buffer 330 and the cooling chamber 350 are located at a height corresponding to the coating processing unit 401 of the process processing unit 400 to be described later, May be provided at a height corresponding to that of the processing unit 402. The buffer robot 360 is positioned at a distance from the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer 320 in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 웨이퍼들(W)을 일시적으로 보관할 수 있다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. The first buffer 320 and the second buffer 330 may temporarily store a plurality of wafers W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One wafer W is placed on each support 332.

제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 웨이퍼(W)를 이송시킨다. 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 포함한다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 상부 또는 하부 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 버퍼 로봇(360)은 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The buffer robot 360 transfers the wafer W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The buffer robot 360 includes a hand 361, an arm 362, and a support base 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable configuration so that the hand 361 is movable along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable along the support 363 in the third direction 16. The support base 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support 363 may be provided longer in the upper or lower direction. The buffer robot 360 may be provided such that the hand 361 is driven only in two directions along the second direction 14 and the third direction 16. [

(인터페이스부)(Interface)

인터페이스부(700)는 웨이퍼(W)를 이송한다. 인터페이스부(700)는 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 포함한다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. The interface unit 700 transfers the wafer W. The interface unit 700 includes a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located within the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730.

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. The interface robot 740 is spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 carries the wafer W between the first buffer 720, the second buffer 730 and the exposure apparatus 900.

제 1 버퍼(720)는 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)들이 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 유사한 구조를 가진다. 인터페이스부에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the processed wafers W before they are transferred to the exposure apparatus 900. The second buffer 730 temporarily stores the processed wafers W in the exposure apparatus 900 before they are moved. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One wafer W is placed on each support 722. The housing 721 has an opening in the direction in which the interface robot 740 is provided so that the interface robot 740 can bring the wafer W into or out of the support 722 into the housing 721. The second buffer 730 has a structure similar to that of the first buffer 720. Only the buffers and robots can be provided as described above without providing a chamber for performing a predetermined process on the wafer.

(공정처리부)(Process processing section)

공정 처리부(400)는 노광 공정 전에 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정과 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정이 진행될 수 있다. The process processing unit 400 may proceed with a process of applying a photoresist on the wafer W and an process of developing the substrate W after the exposure process before the exposure process.

공정 처리부(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 공정 처리부(400)은 도포 처리부(401)와 현상 처리부(402)를 가진다. 도포 처리부(401)와 현상 처리부(402)는 서로 간에 층으로 구획되도록 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 도포 처리부(401)는 현상 처리부(402)의 상부에 위치된다.The processing unit 400 has a substantially rectangular parallelepiped shape. The process processing unit 400 has a coating processing unit 401 and a development processing unit 402. The application processor 401 and the development processor 402 may be arranged so as to be partitioned into layers with each other. According to one example, the coating processing unit 401 is positioned above the development processing unit 402.

도포 처리부(401)는 웨이퍼(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. The coating processing unit 401 includes a step of applying a photosensitive liquid such as a photoresist to the wafer W and a heat treatment step such as heating and cooling of the wafer W before and after the resist coating step.

일 예로, 도포 처리부(401)는 중앙 통로(490), 반송 유닛(5000) 그리고 해당 처리부의 공정 수행을 위한 처리 유닛들을 포함할 수 있다. 여기서, 처리 유닛들은 열처리 유닛(420,430)들과 스핀 처리 유닛(410)들 그리고 핸드 체인지를 위한 체인지 버퍼 모듈(450)을 포함할 수 있다. As an example, the application processing unit 401 may include a central passage 490, a transfer unit 5000, and processing units for performing the process of the corresponding processing unit. Here, the processing units may include thermal processing units 420 and 430, spin processing units 410, and a change buffer module 450 for hand change.

열처리 유닛은 쿨링 유닛(420), 베이크 유닛(430)을 포함할 수 있고, 스핀 처리 유닛들에는 도포 공정을 위한 도포 유닛(410)들을 포함할 수 있다. 이처럼, 도포 처리부(401)와, 현상 처리부(402) 각각에는 각 공정 특성에 맞는 유닛들이 배치될 수 있다. The thermal processing unit may include a cooling unit 420, a bake unit 430, and the spin processing units may include application units 410 for the application process. As described above, the coating processing unit 401 and the development processing unit 402 can be provided with units corresponding to respective process characteristics.

다시 도 3 내지 도 5를 참고하면, 도포 유닛들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 도포 유닛(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 도포 유닛(410)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 도포 유닛(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 도포 유닛(410)에는 포토 레지스트가 도포된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다.3 to 5, the application units 410 all have the same structure. However, the kinds of the photoresist used in the respective application units 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The application unit 410 applies a photoresist on the wafer W. [ The application unit 410 has a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is located in the housing 411 and supports the wafer W. [ The support plate 412 is rotatably provided. The nozzle 413 supplies the photoresist onto the wafer W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tube shape and can supply photoresist to the center of the wafer W. [ Alternatively, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the wafer W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, the application unit 410 may further be provided with a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the wafer W coated with the photoresist.

베이크 유닛(430)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 유닛들(430)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하여 웨이퍼(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 웨이퍼(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. The bake unit 430 heat-treats the wafer W. For example, the bake units 430 may include a prebake step of heating the wafer W to a predetermined temperature to remove organic matter and moisture on the surface of the wafer W before the photoresist is applied, A soft bake process is performed after coating the wafer W on the wafer W, and a cooling process for cooling the wafer W after each heating process is performed.

베이크 유닛(430)는 가열 플레이트(421) 및 냉각 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(422)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(424)이 제공된다. The bake unit 430 has a heating plate 421 and a cooling plate 422. Cooling plate 422 is provided with cooling means 424, such as cooling water or a thermoelectric element.

쿨링 유닛(420)는 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판을 냉각하는 쿨링 공정을 수행한다. 쿨링 유닛(420)은 하우징과 냉각 플레이트를 포함할 수 있다. 냉각 플레이트는 웨이퍼(W)가 놓이는 상면 및 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 수단을 포함할 수 있다. 냉각 수단으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. The cooling unit 420 performs a cooling process for cooling the substrate before applying the photoresist. The cooling unit 420 may include a housing and a cooling plate. The cooling plate may include an upper surface on which the wafer W is placed and a cooling means for cooling the wafer W. [ As the cooling means, various methods such as cooling with cooling water and cooling using a thermoelectric element can be used.

체인지 버퍼 모듈(450)은 반송 유닛(5000)의 핸드 체인지를 위해 제공된다. 체인지 버퍼 모듈(450)은 기판이 놓여지는 슬롯들을 포함할 수 있다. 체인지 버퍼 모듈(450)에서는 도포 유닛(410)으로부터 기판을 픽업하는 반송 유닛(5000)의 제1핸드(5500)가 베이크 유닛(530)에서도 기판을 픽업할 수 있도록 제1핸드(5500)가 픽업한 기판을 반송 유닛(5000)의 제2핸드(5600)로 체인지하기 위해 기판이 일시적으로 놓여지게 된다. The change buffer module 450 is provided for the hand change of the transfer unit 5000. The change buffer module 450 may include slots in which the substrate is placed. In the change buffer module 450, the first hand 5500 picks up the substrate so that the first hand 5500 of the transfer unit 5000 picking up the substrate from the application unit 410 can also pick up the substrate from the bake unit 530. [ The substrate is temporarily placed to change one substrate to the second hand 5600 of the transfer unit 5000. [

본 실시예에서는 반송 유닛(5000)의 핸드 체인지를 위해 별도의 체인지 버퍼 모듈(450)을 구비하였으나, 체인지 버퍼 모듈 대신에 버퍼부(300)에 위치한 제 1 버퍼(320)를 활용하여 반송 유닛(5000)의 핸드 체인지를 수행할 수도 있다. A separate buffer buffer module 450 is provided for the hand unit of the transfer unit 5000. However, instead of the change buffer module 450, the first buffer 320 located in the buffer unit 300 may be used to transfer the transfer buffer unit 5000) may be performed.

중앙 통로(490)에는 반송 로봇(5000)이 위치된다. 반송 유닛(5000)은 기판을 처리하는 처리 유닛 간에 기판을 반송한다. The conveying robot 5000 is located in the central passage 490. The transfer unit 5000 transfers the substrate between processing units for processing the substrate.

일 실시 예에 따르면, 도포 처리부(401)에서 반송 유닛(5000)이 기판을 반송하는 처리 유닛은 쿨링 유닛(420), 도포 유닛(410), 베이크 유닛(430) 그리고 체인지 버퍼 모듈(450)을 포함할 수 있다. The processing unit in which the transfer unit 5000 transfers the substrate in the application processing unit 401 includes the cooling unit 420, the application unit 410, the bake unit 430, and the change buffer module 450 .

도 6은 도 3의 반송 유닛(5000)을 개략적으로 나타낸 측면도이다. 6 is a side view schematically showing the transport unit 5000 of FIG.

도 6을 참고하면, 반송 유닛(5000)은 가이드 레일(5100), 받침대(5200), 지지 축(5300), 베이스(5400), 제 1 핸드(5500), 제 2 핸드(5600) 및 반송 제어부(5700)를 포함한다.6, the transport unit 5000 includes a guide rail 5100, a pedestal 5200, a support shaft 5300, a base 5400, a first hand 5500, a second hand 5600, (5700).

가이드 레일(5100)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(5100)은 반송 유닛(5000)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 받침대(5200)는 가이드 레일(5100)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(5100)에 결합된다. 지지 축(5300)은 받침대(5200)에 고정 결합된다. 베이스(5400)는 지지 축(5300)의 상면에 위치된다. 베이스(5400)는 축 회전이 가능하도록 지지 축(5300)에 결합된다. 베이스(5400)는 지지 축(5300)에 대해 제3방향(16)을 중심으로 축 회전될 수 있다. 베이스(5400)는 대체로 직육면체 형상을 가지도록 제공된다. 베이스(5400)는 그 길이방향이 수평방향을 향하도록 제공된다. 베이스(5400)에는 가이드(5410)가 제공된다. 가이드(5410)는 핸드(5500, 5600)가 베이스(5400)의 길이 방향을 따라 직선 운동 할 수 있도록 핸드(5500, 5600)의 이동방향을 안내한다. 가이드(5410)는 복수 개로 제공된다. 일 예에 의하면, 가이드(5410)는 핸드(5500, 5600)와 동일한 개수로 제공될 수 있다. 각각의 가이드는 그 길이 방향이 베이스(5410)와 평행하도록 제공된다. The guide rails 5100 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The guide rail 5100 guides the transport unit 5000 to move linearly in the first direction 12. The pedestal 5200 is coupled to the guide rail 5100 so as to be movable along the guide rail 5100. The support shaft 5300 is fixedly coupled to the pedestal 5200. The base 5400 is positioned on the upper surface of the support shaft 5300. The base 5400 is coupled to the support shaft 5300 so that the shaft can rotate. The base 5400 can be pivoted about a third axis 16 relative to the support axis 5300. The base 5400 is provided to have a generally rectangular parallelepiped shape. The base 5400 is provided such that its longitudinal direction is directed in the horizontal direction. The base 5400 is provided with a guide 5410. The guide 5410 guides the moving direction of the hand 5500 and 5600 so that the hand 5500 and 5600 can linearly move along the longitudinal direction of the base 5400. [ A plurality of guides 5410 are provided. According to one example, the guide 5410 may be provided in the same number as the hands 5500 and 5600. Each guide is provided so that its longitudinal direction is parallel to the base 5410.

제 1 핸드(5500) 및 제 2핸드(5600)는 기판을 진공 방식으로 유지하여 반송한다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 핸드(5500) 및 제2핸드(5600)는 핸드 베이스(5510) 및 흡착 패드(5520)를 포함한다. 흡착 패드(5520)는 기판과의 사이를 밀폐시키기 위해 표면 마찰 계수가 높고, 탄성을 가지는 수지 재질로 제공된다. 예를 들면, 흡착 패드(5520)는 폴리 에테르 에테르 케톤(PEEK: Poly Ether Ether Ketone) 재질로 제공될 수 있다. The first hand 5500 and the second hand 5600 hold and transport the substrate in a vacuum manner. According to one embodiment, the first hand 5500 and the second hand 5600 include a hand base 5510 and a suction pad 5520. The adsorption pad 5520 is provided with a resilient resin material having a high coefficient of surface friction to seal it from the substrate. For example, the adsorption pad 5520 may be provided with a polyether ether ketone (PEEK) material.

제 1 핸드(5500) 및 제 2 핸드(5600)는 베이스(5400) 상에 설치되어 전진 또는 후진 방향으로 이동 가능하도록 제공된다. 제 1 핸드(5500)는 제 2 핸드(5600) 보다 위에 위치될 수 있다. 구동부재(미도시)는 제 1 핸드(5500) 및 제 2 핸드(5600)를 전진 또는 후진 이동시킨다. The first hand 5500 and the second hand 5600 are provided on the base 5400 and are provided to be movable in the forward or backward direction. The first hand 5500 may be positioned above the second hand 5600. [ The driving member (not shown) moves the first hand 5500 and the second hand 5600 forward or backward.

도 2 내지 도 5를 참고하면, 반송 제어부(5700)는 반송 유닛(5000)의 동작을 제어한다. 일 실시 예에 따르면, 반송 제어부(5700)는 구동부재(미도시됨)를 제어한다. 반송 제어부(5700)는 제 1 핸드(5500) 및 제 2 핸드(5600)가 기판을 픽업 또는 플레이스 다운할 때, 홈 위치에 있는 제 1 핸드(5500) 및 제 2 핸드(5600)를 설정 위치로 이동시키고, 이를 다시 후진시켜 홈 위치로 이동시킨다. Referring to Figs. 2 to 5, the transport control unit 5700 controls the operation of the transport unit 5000. Fig. According to one embodiment, the transport control unit 5700 controls a driving member (not shown). The transport control unit 5700 moves the first hand 5500 and the second hand 5600 in the home position to the set position when the first hand 5500 and the second hand 5600 pick up or down the substrate And then moved back to the home position.

또한, 반송 제어부(5700)는 체인지 버퍼 모듈(450)에서 핸드 체인지가 이루어지게 반송 유닛(5000)을 제어할 수 있다. 반송 제어부(5700)에 의해 반송 유닛(5000)은 코터 유닛(410)으로부터 기판 픽업과 베이크 유닛(430)으로부터 기판 픽업이 제1핸드(5500)에 의해 수행되도록 그리고 코터 유닛(410)에서의 기판 플레이스 다운과 베이크 유닛(430)에서의 기판 플레이스 다운이 제2핸드(5600)에 의해 수행되도록 체인지 버퍼 모듈(450)에서 핸드 체인지를 수행하게 된다. In addition, the transport control unit 5700 can control the transport unit 5000 so that the change buffer module 450 performs hand change. The conveyance control unit 5700 controls the conveyance unit 5000 such that the substrate pick-up from the bake unit 430 is carried out by the first hand 5500 from the coater unit 410, Hand change is performed in the change buffer module 450 so that the place down and the substrate place down in the bake unit 430 are performed by the second hand 5600. [

이하, 상술한 반송 유닛(5000)이 제공된 기판 처리 장치(10)를 이용하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 설명한다. Hereinafter, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described using the substrate processing apparatus 10 provided with the transfer unit 5000 described above.

도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 순서도이다. 도 9은 도 7의 기판 처리 방법에 의해 반송 유닛의 반송 사이클을 보여주는 표이다.7 is a flowchart showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention. Fig. 9 is a table showing the conveying cycle of the conveying unit by the substrate processing method of Fig. 7; Fig.

도 7 및 도 8을 참고하면, 본 발명의 기판 처리 방법은 도포 처리부에서 기판을 처리하는 처리 유닛들 간에 기판 처리 방법이다. Referring to Figs. 7 and 8, the substrate processing method of the present invention is a substrate processing method between processing units for processing substrates in an application processing unit.

기판 처리 방법은 쿨링 단계(S100), 도포 단계(S200), 핸드 체인지 단계(S300), 베이크 단계(S400) 그리고 쿨링 단계(S500)를 포함할 수 있으며, 반송 유닛(5000)은 각 단계에 맞는 기판 픽업 및 기판 플레이스 다운을 통해 각 단계별 기판을 반송하며, 이 과정을 반복적으로 수행하게 된다. The substrate processing method may include a cooling step (S100), a coating step (S200), a hand change step (S300), a baking step (S400) and a cooling step (S500), and the transfer unit (5000) The substrate is picked up and the substrate is moved down through the substrate place-down, and this process is repeatedly performed.

일 실시 예에 따르면, 쿨링 단계(S100)에서는 쿨링 유닛(420)에서 쿨링 처리된 기판이 제2핸드(5600)에 의해 픽업된다. 반송 제어부(5700)에 의해 쿨링 단계에서의 기판 픽업은 반송 유닛(5000)의 제2핸드(5600)가 항상 수행하도록 지정한다. According to one embodiment, in the cooling step (S100), the substrate cooled by the cooling unit (420) is picked up by the second hand (5600). The substrate pick-up in the cooling step is designated by the transport control unit 5700 so that the second hand 5600 of the transport unit 5000 always performs it.

도포 단계(S200)는 앞서 도포 유닛(410)에서 레지스트 도포 공정을 마친 기판은 제1핸드(5500)에 의해 픽업되고, 제2핸드(5600)에 의해 반송된 기판은 도포 유닛(410)에 플레이스 다운 된다. In the applying step S200, the substrate having been subjected to the resist coating process in the coating unit 410 is picked up by the first hand 5500, and the substrate conveyed by the second hand 5600 is picked up in the coating unit 410 Down.

핸드 체인지 단계(S300)는 도포 유닛(410)으로부터 기판을 픽업하는 기판 반송 유닛의 제1핸드(5500)가 베이크 유닛(430)에서도 기판을 픽업할 수 있도록 제1핸드(5500)가 픽업한 기판을 반송 유닛의 제2핸드(5600)로 체인지하는 단계이다. 핸드 체인지 단계는 체인지 버퍼 모듈(450)에서 제1핸드(5500)가 픽업한 기판을 플레이스 다운하고, 제2핸드(5600)가 버퍼 모듈(450)로부터 기판을 픽업하는 것으로 핸드 체인지가 이루어진다.In the hand change step S300, the first hand 5500 of the substrate transfer unit for picking up the substrate from the application unit 410 picks up the substrate from the substrate picked up by the first hand 5500, To the second hand 5600 of the transfer unit. The hand change step is performed by the place change of the substrate picked up by the first hand 5500 in the change buffer module 450 and the picking up of the substrate from the buffer module 450 by the second hand 5600.

베이크 단계(S400)는 앞서 베이크 유닛(430)에서 열처리 공정을 마친 기판은 제1핸드(5500)에 의해 픽업되고, 제2핸드(5600)에 의해 반송된 기판은 베이크 유닛(430)에 플레이스 다운된다. In the bake step S400, the substrate having been subjected to the heat treatment process in the bake unit 430 is picked up by the first hand 5500, and the substrate conveyed by the second hand 5600 is picked up in the bake unit 430 do.

쿨링 단계(S500)는 제1핸드(5500)에 의해 반송된 기판은 쿨링 유닛(420)에 플레이스 다운된다. In the cooling step (S500), the substrate carried by the first hand (5500) is placed down in the cooling unit (420).

이러한 일련의 기판 반송 과정을 마친 반송 유닛(5000)은 다시 제1스탭인 쿨링 단계(S100) 부터 순차적으로 기판 반송을 수행하게 된다. After the series of substrate transport processes, the transport unit 5000 sequentially performs substrate transport from the first step (S100).

상기와 같이, 도포 단계에서 기판 플레이스 다운을 수행하는 핸드와 베이크 단계에서 기판 플레이스 다운을 수행하는 핸드는 동일한 제2핸드(5600)임을 알 수 있다.As described above, it can be seen that the hand performing the substrate place down in the applying step and the hand performing the substrate place down in the baking step are the same second hand 5600.

본 실시예에 따르면, 반송 유닛의 반송 사이클을 살펴보면, 반송 유닛(5000)의 제1핸드(5500)는 베이크 유닛(430)으로부터 고온의 기판을 픽업하기 때문에 기판과 접촉하는 흡착 패드 역시 높은 온도를 가지게 된다. 기존에는 고온의 기판에 의해 뜨거워진 핸드가 쿨링 유닛에서 도포 유닛으로 기판을 반송하여 도포 유닛에 플레이스 다운하는 과정에서 기판의 온도 불균형이 발생되었다,According to the present embodiment, since the first hand 5500 of the transfer unit 5000 picks up a high-temperature substrate from the bake unit 430, the adsorption pad in contact with the substrate also has a high temperature I have. Conventionally, when a hand heated by a high-temperature substrate transports a substrate from a cooling unit to a coating unit and places it down in the coating unit, a temperature imbalance occurs in the substrate,

그러나, 본 발명에서는 핸드 체인지 과정을 통해 고온의 기판에 의해 뜨거워진 제1핸드(5500)는 도포 유닛(410)에서 도포 공정을 마친 기판을 픽업하는 동작을 수행하고, 도포 유닛(410)으로 기판을 반입하는 플레이스 다운 동작은 제2핸드(5600)가 수행하게 함으로써 도포 공정 전에 기판의 온도 불균형 현상을 방지할 수 있다.However, in the present invention, the first hand (5500) heated by the high temperature substrate through the hand change process performs an operation of picking up the substrate after the coating process in the coating unit (410) The second hand 5600 can perform a place-down operation for bringing the first hand 5600 into contact with the second hand 5600, thereby preventing temperature unbalance of the substrate before the application process.

이상의 상세한 설명은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 기판에 대해 레지스트 도포 및 베이크 공정을 수행하는 장치 또는 증착액 도포 및 베이크 공정을 수행하는 장치를 예를 들어 설명하였다. 그러나, 본 발명은 상술한 예에 한정되지 않으며, 기판이 처리되는 온도가 진공 방식으로 기판을 유지하기 위한 흡착 패드의 열변형이 발생되는 온도 이상의 처리 유닛 및 흡착 패드의 열변형이 발생되는 온도 이하의 처리 유닛이 함께 제공된 모든 장치에 적용 가능하다.In the foregoing detailed description, the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention is described as an apparatus for performing a resist coating and baking process on a substrate, or an apparatus for performing a coating process and a baking process. However, the present invention is not limited to the above-described example, and may be applied to a case where the temperature at which the substrate is processed is not more than the temperature at which thermal deformation of the processing unit and the adsorption pad occurs, Is applicable to all the apparatuses provided with the processing unit of Fig.

10: 기판 처리 장치 100 : 인덱스부
300 : 패스부 400 : 공정 처리부
700 : 인터페이스부 5000: 반송 유닛
5100: 가이드 레일 5200: 받침대
5300: 지지 축 5400: 베이스
5500: 제 1 핸드 5520: 흡착 패드
5600: 제 2 핸드 5700: 반송 제어부10: Substrate processing apparatus 100:
300: pass unit 400: process processing unit
700: interface unit 5000: transfer unit
5100: guide rail 5200: pedestal
5300: support shaft 5400: base
5500: first hand 5520: adsorption pad
5600: second hand 5700: conveying control section

Claims (9)

기판을 처리하는 방법에 있어서:
코터 유닛에서 기판을 액처리하는 액처리 단계; 및
상기 코터 유닛에서 액처리된 기판을 베이크 유닛에서 베이크 하는 베이크 단계를 포함하되;
상기 액처리 단계와 상기 베이크 단계 사이에는
상기 코터 유닛에서 상기 베이크 유닛으로 기판을 반송하는 기판 반송 유닛의 핸드를 또 다른 핸드로 체인지하는 핸드 체인지 단계를 포함하고,
상기 핸드 체인지 단계는
상기 코터 유닛으로부터 기판을 픽업하는 상기 기판 반송 유닛의 제1핸드가 상기 베이크 유닛에서도 기판을 픽업할 수 있도록 상기 제1핸드가 픽업한 기판을 상기 기판 반송 유닛의 제2핸드로 체인지하는 기판 처리 방법. A method of processing a substrate comprising:
A liquid processing step of liquid-processing the substrate in the coater unit; And
And a baking step of baking the liquid-processed substrate in the bake unit in the coater unit;
Between the liquid processing step and the baking step
And a hand change step of changing the hand of the substrate transfer unit for transferring the substrate from the coater unit to the bake unit to another hand,
The hand change step
A substrate processing method for changing a substrate picked up by the first hand to a second hand of the substrate transfer unit so that a first hand of the substrate transfer unit picking up a substrate from the coater unit can pick up a substrate from the bake unit . 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 핸드 체인지 단계는
상기 기판 반송 유닛이 접근 가능한 이동 통로상에 배치된 버퍼 모듈에서 상기 제1핸드가 픽업한 기판을 플레이스 다운하고, 상기 제2핸드가 상기 버퍼 모듈로부터 기판을 픽업하는 기판 처리 방법. The method according to claim 1,
The hand change step
Wherein the first hand picks up the substrate picked up and the second hand picks up the substrate from the buffer module in a buffer module disposed on a moving path accessible by the substrate transferring unit. 제 1 항에 있어서,
상기 액처리 단계에서 기판 플레이스 다운을 수행하는 핸드와 상기 베이크 단계에서 기판 플레이스 다운을 수행하는 핸드는 동일한 핸드인 기판 처리 방법. The method according to claim 1,
Wherein the hand performing the substrate place down in the liquid processing step and the hand performing the substrate place down in the baking step are the same hand. 제 1 항에 있어서,
상기 액처리 단계 전에 기판을 쿨링하는 쿨링 단계를 더 포함하되;
상기 쿨링 단계에서 기판 픽업은 상기 기판 반송 유닛의 제1핸드에 의해 이루어지는 기판 처리 방법. The method according to claim 1,
Further comprising: a cooling step of cooling the substrate before the liquid processing step;
Wherein the substrate pick-up is performed by the first hand of the substrate transfer unit in the cooling step. 기판 처리 설비에 있어서:
기판이 담겨진 용기가 놓여지는 포트 및 인덱스 로봇을 가지는 인덱스부;
쿨링 유닛, 코터 유닛, 베이크 유닛 그리고 버퍼 모듈이 배치되는 공정 처리부;
상기 쿨링 유닛, 상기 코터 유닛, 상기 베이크 유닛 그리고 상기 버퍼 모듈에 접근 가능한 이동 통로상에 배치되고, 제1핸드와 제2핸드를 갖는 기판 반송 유닛; 및
상기 기판 반송 유닛의 반송 동작을 제어하는 반송 제어부를 포함하되;
상기 반송 제어부는
상기 버퍼 모듈에서 핸드 체인지가 이루어지게 상기 기판 반송 유닛을 제어하고,
상기 반송 제어부는
상기 코터 유닛으로부터 기판 픽업과 상기 베이크 유닛으로부터 기판 픽업은 상기 제1핸드에 의해 수행되도록 그리고 상기 코터 유닛에서의 기판 플레이스 다운과 상기 베이크 유닛에서의 기판 플레이스 다운은 상기 제2핸드에 의해 수행되도록 상기 기판 반송 유닛을 제어하는 기판 처리 설비.A substrate processing facility comprising:
An index portion having a port and an index robot on which a container containing a substrate is placed;
A processing unit in which a cooling unit, a cotter unit, a bake unit, and a buffer module are disposed;
A substrate transporting unit disposed on a moving passage accessible to the cooling unit, the cotter unit, the baking unit and the buffer module, the substrate transporting unit having a first hand and a second hand; And
And a transport control unit for controlling the transport operation of the substrate transport unit;
The transport control unit
Controls the substrate transferring unit to perform a hand change in the buffer module,
The transport control unit
Wherein the substrate pick-up from the coater unit and the substrate pick-up from the bake unit are performed by the first hand and the substrate place-down in the coater unit and the substrate place-down in the bake unit are performed by the second hand. A substrate processing apparatus for controlling a substrate transfer unit. 삭제delete 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 핸드 및 상기 제 2 핸드 각각은,
진공 홀이 형성된 핸드 베이스와;
상기 핸드 베이스로부터 돌출되도록 상기 핸드 베이스 상에 설치되며 상기 진공홀과 정렬된 통공이 형성된 수지 재질의 흡착 패드를 포함하는 기판 처리 설비.The method according to claim 6,
Wherein each of the first hand and the second hand comprises:
A hand base having a vacuum hole formed therein;
And a suction pad made of resin and formed on the hand base so as to protrude from the hand base and having a through hole aligned with the vacuum hole. 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 핸드 및 상기 제 2 핸드는 서로 상하 방향으로 배열되되,
상기 제 1 핸드는 상기 제 2 핸드보다 높게 제공되는 기판 처리 설비.
The method according to claim 6,
Wherein the first hand and the second hand are arranged in a vertical direction,
Wherein the first hand is provided higher than the second hand.
KR1020160065576A 2016-05-27 2016-05-27 Apparatus for treating substrate and method for treating substrate KR101757819B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160065576A KR101757819B1 (en) 2016-05-27 2016-05-27 Apparatus for treating substrate and method for treating substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160065576A KR101757819B1 (en) 2016-05-27 2016-05-27 Apparatus for treating substrate and method for treating substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101757819B1 true KR101757819B1 (en) 2017-07-14

Family

ID=59358442

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160065576A KR101757819B1 (en) 2016-05-27 2016-05-27 Apparatus for treating substrate and method for treating substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101757819B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200026563A (en) * 2018-09-03 2020-03-11 세메스 주식회사 Transfer robot and Apparatus for treating substrate with the robot
KR20200035693A (en) * 2018-09-27 2020-04-06 세메스 주식회사 Transfer robot and Apparatus for treating substrate with the robot

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200026563A (en) * 2018-09-03 2020-03-11 세메스 주식회사 Transfer robot and Apparatus for treating substrate with the robot
KR102175077B1 (en) * 2018-09-03 2020-11-05 세메스 주식회사 Transfer robot and Apparatus for treating substrate with the robot
KR20200035693A (en) * 2018-09-27 2020-04-06 세메스 주식회사 Transfer robot and Apparatus for treating substrate with the robot
KR102204884B1 (en) * 2018-09-27 2021-01-19 세메스 주식회사 Transfer robot and Apparatus for treating substrate with the robot
US10923384B2 (en) 2018-09-27 2021-02-16 Semes Co., Ltd. Transfer robot and apparatus for treating substrate with the robot

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3571471B2 (en) Processing method, coating and developing processing system and processing system
KR101736854B1 (en) Substrate treating apparatus
KR20160017699A (en) Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method
JP5025231B2 (en) Substrate transfer processing equipment
KR101932777B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6309116B1 (en) Substrate processing system
JPH10150089A (en) Processing system
KR101757819B1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
KR101452543B1 (en) Substrate processing system
KR101478856B1 (en) Substrate processing system
KR102444876B1 (en) Substrate treating apparatus
KR101706735B1 (en) Transfer unit, apparatus for treating substrate including the same and method for treating substrate
KR20180006710A (en) Apparatus for treating susbstrate
KR101927698B1 (en) Transfer robot, Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP4170943B2 (en) Substrate processing equipment
KR102066044B1 (en) Substrate treating apparatus, index robot and substrate transferring method
KR102046869B1 (en) Member for suppliyng a substrate, Buffer unit, and Apparatus for treating a substrate
KR101817216B1 (en) Apparatus and method for treating a substrate
JP2002164410A (en) Apparatus for processing substrate and method for processing substrate
KR101681185B1 (en) Interface module, apparatus and method for treating substrate comprising the same
KR20190042839A (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR20160081010A (en) Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method
KR102582058B1 (en) Substrate processing equipment and substrate transfer method
KR20210043185A (en) Apparatus for transporting substrate and apparatus for treating substrate
KR101776018B1 (en) Method for heating a substrate and Apparatus for treating a substrate

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant