KR101452543B1 - Substrate processing system - Google Patents

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KR101452543B1
KR101452543B1 KR1020100010040A KR20100010040A KR101452543B1 KR 101452543 B1 KR101452543 B1 KR 101452543B1 KR 1020100010040 A KR1020100010040 A KR 1020100010040A KR 20100010040 A KR20100010040 A KR 20100010040A KR 101452543 B1 KR101452543 B1 KR 101452543B1
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processing
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도모히로 가네코
고키 아사카와
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 기판의 반송을 효율적으로 행하여 기판 처리의 스루풋을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
도포 현상 처리 시스템(1)에는, 제1 버퍼 장치(40)와 제2 버퍼 장치(41)가 설치되어 있다. 제1 버퍼 장치(40)와 제2 버퍼 장치(41)는, 복수의 웨이퍼를 수직 방향으로 다단으로 유지하여 일시적으로 보관하는 버퍼부와, 버퍼부를 수직 방향으로 이동시키고, 또한 회전시키는 버퍼부 이동 기구를 갖고 있다. 제1 버퍼 장치(40)의 주위에는, 제1 처리 장치군(G1) 및 제3 처리 장치군(G3)이 배치되고, 제2 버퍼 장치(41)의 주위에는, 제2 처리 장치군(G2), 제4 처리 장치군(G4) 및 제5 처리 장치군(G5)이 배치되어 있다. 제1∼제5 처리 장치군(G1∼G5)의 각 처리 장치에는, 이 처리 장치와 제1 버퍼 장치(40) 또는 제2 버퍼 장치(41) 사이에서 웨이퍼를 반송하는 웨이퍼 반송 기구가 설치되어 있다.An object of the present invention is to improve the throughput of the substrate processing by efficiently carrying the substrate.
In the coating and developing system 1, a first buffer device 40 and a second buffer device 41 are provided. The first buffer device 40 and the second buffer device 41 include a buffer part for holding a plurality of wafers in a plurality of stages in a vertical direction and temporarily storing the wafers, a buffer part for moving the buffer part in the vertical direction, It has a mechanism. A first processing apparatus group G1 and a third processing apparatus group G3 are arranged around the first buffer apparatus 40 and a second processing apparatus group G2 ), A fourth processing unit group G4, and a fifth processing unit group G5 are disposed. Each of the processing apparatuses of the first to fifth processing apparatus groups G1 to G5 is provided with a wafer transfer mechanism for transferring the wafer between the processing apparatus and the first buffer apparatus 40 or the second buffer apparatus 41 have.

Figure R1020100010040
Figure R1020100010040

Description

기판 처리 시스템{SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}[0001] SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM [0002]

본 발명은, 예컨대 반도체 웨이퍼 등의 기판의 처리 시스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing system for a substrate such as a semiconductor wafer.

예컨대 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피 처리에서는, 예컨대 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함) 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 레지스트막에 미리 정해진 패턴을 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리 등의 각종 처리가 행해지고 있다.For example, in the photolithography process in the semiconductor device fabrication process, for example, a resist coating process for forming a resist film by applying a resist solution onto a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a " wafer "), Exposure processing, development processing for developing the exposed resist film, and the like.

이들 일련의 처리는, 통상, 도포 현상 처리 시스템을 이용하여 행해진다. 도포 현상 처리 시스템은, 예컨대 카세트 단위로 웨이퍼를 반입/반출하기 위한 카세트 스테이션과, 각종 처리를 행하는 복수의 처리 장치가 배치된 처리 스테이션과, 인접한 노광 장치와 처리 스테이션 사이에서 웨이퍼의 전달을 행하기 위한 인터페이스 스테이션 등을 갖고 있다.These series of treatments are usually performed using a coating and developing treatment system. The coating and developing processing system includes, for example, a cassette station for loading / unloading wafers on a cassette basis, a processing station in which a plurality of processing apparatuses for performing various processes are disposed, and a transfer station for transferring wafers between adjacent exposure apparatuses and processing stations And the like.

처리 스테이션에는, 기판을 반송하는 반송 장치와, 반송 장치의 주위에 설치되고, 복수의 처리 장치가 수직 방향으로 다단으로 배치된 처리 장치군이 설치되어 있다. 반송 장치에는, 웨이퍼를 유지하여 반송하는 1기(基)의 웨이퍼 반송체가 설치되며, 웨이퍼 반송체는, 수직 방향 및 수평 방향으로 이동할 수 있고, 회전할 수 있도록 구성되어 있다. 그리고, 웨이퍼 반송체는, 웨이퍼를 각 처리 장치로 반송할 수 있다(특허 문헌 1).The processing station is provided with a transfer device for transferring the substrate and a processing device group provided around the transfer device and having a plurality of processing devices arranged in multiple stages in the vertical direction. The transfer apparatus is provided with a first wafer carrier for holding and transporting the wafer, and the wafer carrier can move in the vertical direction and the horizontal direction and rotate. Then, the wafer carrier can transport the wafer to each processing apparatus (Patent Document 1).

[특허문헌1]일본특허공개제2001-189368호공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-189368

그런데, 이 도포 현상 처리 시스템을 이용하여 웨이퍼에 일련의 처리를 행하는 경우, 웨이퍼 처리의 스루풋을 향상시키기 위해서, 각 처리 장치로의 웨이퍼의 반송을 효율적으로 행하는 것이 요구되고 있다.[0004] However, when a series of processing is performed on a wafer by using the coating and developing processing system, it is required to efficiently carry the wafers to each processing apparatus in order to improve the throughput of the wafer processing.

그러나, 종래와 같이 1기의 웨이퍼 반송체만을 갖는 반송 장치를 이용한 경우, 각 처리 장치로의 웨이퍼의 반송 효율이 나쁜 경우가 있다. 예컨대 복수의 처리 장치에서 웨이퍼의 처리가 동시에 종료되면, 처리 장치에서는 반송 장치에 의한 웨이퍼의 반출을 기다려야만 한다. 또한, 예컨대 반송 장치가 하나의 처리 장치로 웨이퍼를 반송하는 동안에는, 다른 처리 장치가 웨이퍼를 처리할 수 있는 상태가 되어도, 그 다른 처리 장치에서는 웨이퍼의 반입을 기다려야만 한다. 또한, 웨이퍼 반송체의 동작을 고속화하는 데에도 기술적인 한계가 있다. 따라서, 웨이퍼 처리의 스루풋을 향상시키는 데에는 이르지 못하였다.However, in the case of using a transfer apparatus having only one wafer transfer body as in the prior art, the transfer efficiency of wafers to each processing apparatus may be poor. For example, when the processing of wafers is concurrently terminated in a plurality of processing apparatuses, the processing apparatus must wait for the wafers to be carried out by the carrying apparatus. Further, for example, even if the transfer apparatus is in a state in which another processing apparatus can process the wafer while the wafer is being transferred to one processing apparatus, the other processing apparatus must wait for the wafer to be carried. There is also a technical limitation in speeding up the operation of the wafer carrier. Therefore, it has not been possible to improve the throughput of the wafer processing.

본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 기판의 반송을 효율적으로 행하여 기판 처리의 스루풋을 향상시키는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to improve the throughput of the substrate processing by efficiently carrying the substrate.

상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 기판을 수용하는 카세트와의 사이에서 기판의 전달을 행하는 카세트 스테이션과, 상기 카세트 스테이션에 인접하여 배치되고, 기판에 정해진 처리를 행하는 처리 장치를 수직 방향으로 다단으로 배치한 복수의 처리 장치군을 구비하는 처리 스테이션과, 상기 처리 스테이션에서 처리된 기판을 노광 장치에 전달하고, 노광 처리 후의 기판을 상기 처리 스테이션에 전달하는 인터페이스 스테이션을 구비하고, 기판에 레지스트막을 형성하고 노광 처리된 기판을 현상 처리하여 패턴을 형성하는 기판의 처리 시스템으로서, 상기 처리 스테이션의 복수의 처리 장치군은, 기판에 정해진 액체를 공급하여 처리를 행하는 액처리 장치가 수직 방향으로 다단으로 배치된 액처리 장치군과, 기판에 정해진 온도로 열처리를 행하는 열처리 장치가 수직 방향으로 다단으로 배치된 열처리 장치군을 가지며, 상기 처리 스테이션은, 상기 액처리 장치군과 상기 열처리 장치군 사이에 배치되고, 복수의 기판을 수직 방향으로 다단으로 유치(留置)하는 2기(基)의 버퍼부와, 상기 각 버퍼부를 수직 방향으로 이동시키는 버퍼부 이동 기구와, 상기 2기의 버퍼부 사이에서 기판을 반송하는 반송 장치를 가지고, 각 처리 장치는, 상기 처리 장치와 상기 버퍼부 사이에서 기판을 반송하는 반송 기구를 가지고, 상기 반송 장치는, 상기 2기의 버퍼부 사이에서 한번에 복수의 기판을 반송하기 위해, 기판을 유지하는 아암체를 복수 갖는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a cassette station comprising: a cassette station for transferring a substrate to and from a cassette accommodating a substrate; and a processing device disposed adjacent to the cassette station, And an interface station for transferring the substrate processed by the processing station to the exposure apparatus and for transferring the substrate after the exposure processing to the processing station, the substrate processing apparatus comprising: There is provided a processing system for a substrate on which a resist film is formed and a substrate subjected to exposure processing is subjected to development processing to form a pattern, wherein a plurality of processing apparatus groups of the processing station are arranged such that a liquid processing apparatus for supplying a predetermined liquid to a substrate, A plurality of groups of liquid processing apparatuses arranged in multiple stages, And a plurality of heat treatment apparatuses arranged in a plurality of stages in a vertical direction, wherein the processing station is disposed between the liquid treatment apparatus group and the heat treatment apparatus group, And a transfer device for transferring the substrate between the two buffer units, wherein each of the processing devices performs the process of the above-mentioned process And a transfer mechanism for transferring the substrate between the apparatus and the buffer unit. The transfer apparatus has a plurality of arm bodies for holding the substrate for transferring the plurality of substrates at a time between the two buffer units do.

본 발명에 따르면, 각 처리 장치가 기판을 반송하는 반송 기구를 갖고 있기 때문에, 각 처리 장치에 있어서 요구되는 타이밍에, 이 처리 장치로 기판을 반입/반출할 수 있다. 즉, 처리 장치에서 기판을 처리할 수 있는 상태가 되면, 이 처리 장치의 반송 기구에 의해 장치 내로 기판을 신속하게 반입할 수 있다. 또한, 처리 장치에서 기판의 처리가 종료되면, 이 처리 장치의 반송 기구에 의해 장치로부터 기판을 신속하게 반출할 수 있다. 이 결과, 종래와 같이 처리 장치에서의 기판의 반송 대기가 발생하지 않아, 기판의 반송 효율을 각별히 향상시킬 수 있다. 따라서, 기판 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, since each processing apparatus has a transport mechanism for transporting the substrate, the substrate can be carried into / out of the processing apparatus at a timing required by each processing apparatus. That is, when the processing apparatus is ready to process the substrate, the substrate can be quickly brought into the apparatus by the transport mechanism of the processing apparatus. In addition, when the processing of the substrate is completed in the processing apparatus, the substrate can be quickly taken out of the apparatus by the transport mechanism of the processing apparatus. As a result, as in the conventional case, the substrates are not waiting to be transported in the processing apparatus, and the transport efficiency of the substrates can be remarkably improved. Therefore, the throughput of the substrate processing can be improved.

또한, 버퍼부는 버퍼부 이동 기구에 의해 수직 방향으로 이동할 수 있기 때문에, 각 처리 장치의 반송 기구는 버퍼부의 미리 정해진 위치의 기판에 액세스할 수 있다. 이것에 의해, 기판이 버퍼부 내의 어느 위치에 유치되어 있어도, 반송 기구는 미리 정해진 기판을 처리 장치로 반송할 수 있다.Further, since the buffer portion can move in the vertical direction by the buffer portion moving mechanism, the transport mechanism of each processing device can access the substrate at the predetermined position of the buffer portion. Thus, even if the substrate is held at any position in the buffer portion, the transport mechanism can transport the predetermined substrate to the processing apparatus.

상기 버퍼부 이동 기구는, 상기 버퍼부의 수직 방향의 중심축 둘레로 그 버퍼부를 회전시켜도 좋다.The buffer unit moving mechanism may rotate the buffer unit around the center axis of the buffer unit in the vertical direction.

상기 기판 처리 시스템은, 상기 카세트를 기판 처리 시스템의 외부와의 사이에서 반입/반출할 때에 배치하는 카세트 배치부와, 상기 카세트 배치부와 상기 버퍼부 사이에서 기판을 반송하는 다른 반송 장치를 갖고 있어도 좋다.The substrate processing system may further include a cassette arranging unit for arranging the cassette when carrying the cassette into / from the outside of the substrate processing system and another conveying device for conveying the substrate between the cassette arranging unit and the buffer unit good.

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상기 다른 반송 장치는, 복수의 기판을 유지할 수 있도록 구성되어 있어도 좋다.The other transport apparatus may be configured to hold a plurality of substrates.

참고예로서, 상기 복수의 처리 장치군은, 기판에 미리 정해진 액체를 공급하여 처리를 행하는 액처리 장치와, 기판에 미리 정해진 온도로 열처리를 행하는 열처리 장치가 수직 방향으로 다단으로 배치된 처리 장치군을 갖고 있어도 좋다.As a reference example, the plurality of processing apparatus groups includes a liquid processing apparatus for supplying a predetermined liquid to a substrate to perform processing, a processing apparatus group in which a heat treatment apparatus for performing heat treatment at a predetermined temperature on the substrate is arranged in multiple stages in the vertical direction .

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참고예로서, 하나의 상기 처리 장치군에는, 상기 액처리 장치와 상기 열처리 장치를 구비한 처리 장치층이 수직 방향으로 다단으로 배치되어 있어도 좋다.As a reference example, in one processing apparatus group, the processing apparatus layers including the liquid processing apparatus and the heat processing apparatus may be arranged in multiple stages in the vertical direction.

상기 버퍼부는, 내부에 기판을 보관하는 프레임과, 상기 프레임에 있어서 수직 방향으로 미리 정해진 간격으로 복수 설치되어 기판을 유지하는 유지 부재를 갖고 있어도 좋다.The buffer section may have a frame for storing a substrate therein and a holding member for holding a substrate in plural in a plurality of predetermined intervals in the vertical direction in the frame.

상기 버퍼부는, 내부에 기판을 보관하는 프레임과, 상기 프레임에 있어서 수직 방향으로 미리 정해진 간격으로 복수 설치되어 이 프레임의 내부를 복수로 구획하는 평판 형상 부재와, 상기 평판 형상 부재의 상면에 설치되어 기판을 유지하는 유지 부재를 갖고 있어도 좋다.The buffer unit includes: a frame for storing a substrate therein; a plurality of plate members each of which is provided at a predetermined interval in the vertical direction in the frame to divide the frame into a plurality of parts; And a holding member for holding the substrate.

상기 프레임은, 측면이 개구된 원통 형상을 갖고 있어도 좋고, 또한 측면이 개구된 직방체 형상을 갖고 있어도 좋다.The frame may have a cylindrical shape whose side face is opened, or may have a rectangular parallelepiped shape with its side face opened.

상기 버퍼부는, 수직 방향으로 연장하는 지지 부재와, 상기 지지 부재에 있어서 수직 방향으로 미리 정해진 간격으로 설치되어 기판을 유지하는 유지 부재를 갖고 있어도 좋다.The buffer section may have a supporting member extending in the vertical direction and a holding member provided at a predetermined interval in the vertical direction in the supporting member to hold the substrate.

상기 반송 기구는, 한 쌍의 아암부와, 상기 아암부에 설치되어 기판을 유지하는 유지부를 구비한 반송 아암과, 상기 한 쌍의 아암부의 간격을 조정하여 상기 반송 아암을 수평 방향으로 이동시키는 아암 이동 기구를 갖고 있어도 좋다The transfer mechanism includes a transfer arm provided with a pair of arm portions and a holding portion provided on the arm portion and holding the substrate, and an arm which moves the transfer arm in the horizontal direction by adjusting the interval between the pair of arms, It may have a moving mechanism

상기 반송 기구는, 기판의 외주에 적합한 형상을 갖는 아암부와, 상기 아암부에 설치되어 기판을 유지하는 유지부를 구비한 반송 아암과, 상기 반송 아암을 수평 방향으로 이동시키는 아암 이동 기구를 갖고 있어도 좋다.The transport mechanism includes an arm arm having a shape suitable for the periphery of the substrate, a transport arm provided on the arm and having a holding portion for holding the substrate, and an arm moving mechanism for moving the transport arm in the horizontal direction good.

상기 아암 이동 기구는, 상기 반송 아암을 수직 방향으로 이동시켜도 좋다.The arm moving mechanism may move the carrying arm in a vertical direction.

참고예로서, 상기 반송 기구는, 기판을 유지하여 반송하는 반송 아암을 가지며, 상기 반송 아암은, 자유자재로 굴곡시킬 수 있도록 연결된 복수의 아암부와, 선단의 상기 아암부에 설치되어 기판을 유지하는 유지부를 갖고 있어도 좋다.For example, the transport mechanism may have a transport arm for holding and transporting a substrate, the transport arm may include a plurality of arm portions connected to freely bend the substrate, Or the like.

참고예로서, 상기 반송 기구는, 상기 반송 아암을 수직 방향으로 이동시키는 아암 이동 기구를 갖고 있어도 좋다.As a reference example, the transport mechanism may have an arm moving mechanism for moving the transport arm in the vertical direction.

상기 반송 기구는, 상기 반송 아암을 복수 갖고 있어도 좋다.The transport mechanism may have a plurality of the transport arms.

본 발명에 따르면, 기판의 반송을 효율적으로 행하여 기판 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, it is possible to improve the throughput of the substrate processing by efficiently carrying the substrate.

도 1은 본 실시형태에 따른 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 나타낸 평면도이다.
도 2는 본 실시형태에 따른 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 나타낸 측면도이다.
도 3은 본 실시형태에 따른 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 나타낸 측면도이다.
도 4는 웨이퍼 반송 장치의 구성의 개략을 나타낸 측면도이다.
도 5는 웨이퍼 반송 장치의 구성의 개략을 나타낸 평면도이다.
도 6은 제1 버퍼 장치의 구성의 개략을 나타낸 측면도이다.
도 7은 제1 버퍼 장치의 구성의 개략을 나타낸 횡단면도이다.
도 8은 제1 버퍼 장치와 제1 처리 장치군 및 제3 처리 장치군의 배치를 나타낸 설명도이다.
도 9는 레지스트 도포 장치의 구성의 개략을 나타낸 횡단면도이다.
도 10은 레지스트 도포 장치의 구성의 개략을 나타낸 종단면도이다.
도 11은 레지스트 도포 장치의 웨이퍼 반송 기구가 웨이퍼를 반송하는 모습을 나타낸 설명도이다.
도 12는 열처리 장치의 구성의 개략을 나타낸 횡단면도이다.
도 13은 열처리 장치의 구성의 개략을 나타낸 종단면도이다.
도 14는 제5 처리 장치군의 열처리 장치의 배치를 나타낸 설명도이다.
도 15는 제5 처리 장치군의 열처리 장치의 배치를 나타낸 설명도이다.
도 16은 웨이퍼 처리의 각 공정을 나타낸 흐름도이다.
도 17은 다른 실시형태에 따른 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 나타낸 측면도이다.
도 18은 다른 실시형태에 따른 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 나타낸 측면도이다.
도 19는 다른 실시형태에 따른 제1 처리 장치군의 처리 장치의 배치를 나타낸 설명도이다.
도 20은 다른 실시형태에 따른 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 나타낸 평면도이다.
도 21은 다른 실시형태에 따른 제1 버퍼 장치의 구성의 개략을 나타낸 측면도이다.
도 22는 다른 실시형태에 따른 제1 버퍼 장치의 구성의 개략을 나타낸 횡단면도이다.
도 23은 다른 실시형태에 따른 제1 버퍼 장치의 구성의 개략을 나타낸 횡단면도이다.
도 24는 다른 실시형태에 따른 제1 버퍼 장치의 구성의 개략을 나타낸 측면도이다.
도 25는 다른 실시형태에 따른 제1 버퍼 장치의 구성의 개략을 나타낸 횡단면도이다.
도 26은 다른 실시형태에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 나타낸 종단면도이다.
도 27은 다른 실시형태에 따른 레지스트 도포 장치의 구성의 개략을 나타낸 횡단면도이다.
도 28은 다른 실시형태에 따른 레지스트 도포 장치의 구성의 개략을 나타낸 종단면도이다.1 is a plan view schematically showing an internal configuration of a coating and developing processing system according to the present embodiment.
2 is a side view schematically showing an internal configuration of a coating and developing processing system according to the present embodiment.
3 is a side view schematically showing the internal configuration of the coating and developing processing system according to the present embodiment.
4 is a side view schematically showing a configuration of a wafer transfer apparatus.
5 is a plan view schematically showing a configuration of a wafer transfer apparatus.
6 is a side view schematically showing the configuration of the first buffer device.
7 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the first buffer device.
8 is an explanatory view showing the arrangement of the first buffer device, the first processing apparatus group, and the third processing apparatus group.
9 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the resist coating apparatus.
10 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of the resist coating apparatus.
11 is an explanatory view showing a state in which the wafer transport mechanism of the resist coating apparatus transports the wafer.
12 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a heat treatment apparatus.
13 is a longitudinal sectional view schematically showing a configuration of a heat treatment apparatus.
14 is an explanatory view showing the arrangement of the heat treatment apparatus of the fifth processing apparatus group.
15 is an explanatory view showing the arrangement of the heat treatment apparatus of the fifth treatment apparatus group.
16 is a flowchart showing each step of the wafer processing.
17 is a side view schematically showing an internal configuration of a coating and developing processing system according to another embodiment.
18 is a side view schematically showing an internal configuration of a coating and developing processing system according to another embodiment.
19 is an explanatory view showing the arrangement of the processing apparatus of the first processing apparatus group according to another embodiment.
20 is a plan view schematically showing an internal configuration of a coating and developing processing system according to another embodiment.
21 is a side view schematically showing a configuration of a first buffer device according to another embodiment;
22 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a first buffer device according to another embodiment;
23 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a first buffer device according to another embodiment;
24 is a side view schematically showing a configuration of a first buffer device according to another embodiment;
25 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a first buffer device according to another embodiment;
26 is a longitudinal sectional view schematically showing a configuration of a heat treatment apparatus according to another embodiment.
27 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a resist coating apparatus according to another embodiment.
28 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of a resist coating apparatus according to another embodiment.

이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템으로서의 도포 현상 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 나타낸 평면도이다. 또한, 도 2 및 도 3은 도포 현상 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 나타낸 측면도이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described. 1 is a plan view schematically showing an internal configuration of a coating and developing processing system 1 as a substrate processing system according to the present embodiment. 2 and 3 are side views schematically showing the internal configuration of the coating and developing processing system 1. As shown in Fig.

도포 현상 처리 시스템(1)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 예컨대 외부와의 사이에서 카세트(C)가 반입/반출되는 카세트 스테이션(10)과, 포토리소그래피 처리 중에서 매엽식(枚葉式)으로 미리 정해진 처리를 행하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(11)과, 처리 스테이션(11)에 인접한 노광 장치(12)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(13)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.1, the coating and developing processing system 1 includes, for example, a cassette station 10 in which a cassette C is carried in / out with the outside, and a cassette station 10 in which a single- And an interface station 13 for transferring the wafer W between the processing station 11 and the exposure apparatus 12 adjacent to the processing station 11. The processing station 11 includes a plurality of processing apparatuses, And are integrally connected.

카세트 스테이션(10)에는, 카세트 배치부로서의 카세트 배치대(20)가 설치되어 있다. 카세트 배치대(20)에는, 복수, 예컨대 5개의 카세트 배치판(21)이 설치되어 있다. 카세트 배치판(21)은, 수직 방향인 X 방향(도 1 중의 상하 방향)으로 일렬로 배열되어 설치되어 있다. 이들 카세트 배치판(21)에는, 도포 현상 처리 시스템(1)의 외부에 대하여 카세트를 반입/반출할 때에, 카세트(C)를 배치할 수 있다.The cassette station 10 is provided with a cassette placement table 20 as a cassette placement section. In the cassette placement table 20, a plurality of, for example, five cassette placement plates 21 are provided. The cassette arrangement plates 21 are arranged in a row in the X direction (vertical direction in Fig. 1) which is the vertical direction. The cassette C can be disposed on the cassette arrangement plate 21 when loading / unloading the cassette to / from the outside of the coating and developing processing system 1. [

카세트 스테이션(10)에는, X 방향으로 연장되는 반송로(30) 상에서 자유자재로 이동할 수 있는 다른 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(31)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(31)는 수직 방향, 수평 방향 및 수직축 둘레로도 자유 자재로 이동할 수 있으며, 각 카세트 배치판(21) 상의 카세트(C)와, 후술하는 처리 스테이션(11)의 제1 버퍼 장치(40) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The cassette station 10 is provided with a wafer transfer device 31 as another transfer device capable of freely moving on a transfer path 30 extending in the X direction. The wafer transfer device 31 can freely move around the vertical direction, the horizontal direction and the vertical axis and the cassette C on each of the cassette placement plates 21 and the first buffer device The wafer W can be transported between the wafer W and the wafer W.

처리 스테이션(11)에는, 예컨대 웨이퍼(W)를 일시적으로 보관하는 2개의 버퍼 장치(40, 41)가 설치되어 있다. 제1 버퍼 장치(40)와 제2 버퍼 장치(41)는 카세트 스테이션(10)측에서 수평 방향인 Y 방향(도 1 중의 좌우 방향)으로 차례로 배열되어 설치되어 있다.In the processing station 11, for example, two buffer units 40 and 41 for temporarily holding the wafer W are provided. The first buffer device 40 and the second buffer device 41 are arranged in order in the horizontal direction Y direction (left and right direction in FIG. 1) on the cassette station 10 side.

제1 버퍼 장치(40)와 제2 버퍼 장치(41) 사이에는 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(42)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(42)는 수직 방향, 수평 방향 및 수직축 둘레로 자유자재로 이동할 수 있으며, 제1 버퍼 장치(40)와 제2 버퍼 장치(41) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.Between the first buffer device 40 and the second buffer device 41, a wafer transfer device 42 as a transfer device is provided. The wafer transfer device 42 can freely move around the vertical direction, the horizontal direction and the vertical axis and can transfer the wafer W between the first buffer device 40 and the second buffer device 41. [

처리 스테이션(11)에는, 각종 처리 장치를 구비한 복수, 예컨대 5개의 처리 장치군(G1∼G5)이 더 설치되어 있다. 처리 스테이션(11)의 정면측(도 1의 X 방향 부방향측)에는, 카세트 스테이션(10)측에서부터 제1 처리 장치군(G1), 제2 처리 장치군(G2)이 차례로 배치되어 있다. 처리 스테이션(11)의 배면측(도 1의 X 방향 정방향측)에는, 카세트 스테이션(10)측에서부터 제3 처리 장치군(G3), 제4 처리 장치군(G4)이 설치되어 있다. 또한, 처리 스테이션(11)의 인터페이스 스테이션(13)측(도 1의 Y 방향 정방향측)에는, 제5 처리 장치군(G5)이 설치되어 있다.The processing station 11 is further provided with a plurality of, for example, five processing apparatus groups G1 to G5 having various processing apparatuses. A first processing apparatus group G1 and a second processing apparatus group G2 are disposed in order from the cassette station 10 side on the front side (the X direction side direction side of FIG. 1) of the processing station 11. A third processing unit group G3 and a fourth processing unit group G4 are provided from the cassette station 10 side on the back side (the X direction positive side in FIG. 1) of the processing station 11. A fifth processing unit group G5 is provided on the side of the processing station 11 on the interface station 13 side (the Y direction positive side in Fig. 1).

제1 처리 장치군(G1)과 제3 처리 장치군(G3)은 제1 버퍼 장치(40)를 사이에 두고 대향하여 배치되어 있다. 제1 처리 장치군(G1)과 제3 처리 장치군(G3)은, 후술하는 바와 같이, 각 처리 장치의 웨이퍼 반송 기구(150, 190)가 제1 버퍼 장치(40) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록 배치되어 있다. 또한, 제2 처리 장치군(G2)과 제4 처리 장치군(G4)은 제2 버퍼 장치(41)를 사이에 두고 대향하여 배치되고, 제5 처리 장치군(G5)은, 제2 버퍼 장치(41)의 인터페이스 스테이션(13)측에 배치되어 있다. 제2 처리 장치군(G2), 제4 처리 장치군(G4) 및 제5 처리 장치군(G5)은, 후술하는 바와 같이, 각 처리 장치의 웨이퍼 반송 기구(150, 190)가 제2 버퍼 장치(41) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록 배치되어 있다.The first processing apparatus group G1 and the third processing apparatus group G3 are arranged so as to face each other with the first buffer device 40 interposed therebetween. The first processing apparatus group G1 and the third processing apparatus group G3 are arranged such that the wafer transfer mechanisms 150 and 190 of the respective processing apparatuses transfer the wafers W between the first buffer units 40, As shown in Fig. The second processing unit group G2 and the fourth processing unit group G4 are arranged opposite to each other with the second buffer unit 41 interposed therebetween, And is disposed on the side of the interface station 13 of the base station 41. The wafer transfer mechanisms 150 and 190 of the respective processing apparatuses are connected to the second buffer unit G1, the second processing unit group G2, the fourth processing unit group G4, and the fifth processing unit group G5, So that the wafer W can be transferred between the wafer W and the wafer W.

제1 처리 장치군(G1)에는, 도 2에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)에 미리 정해진 액체를 공급하여 처리를 행하는 액처리 장치, 예컨대 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 장치(50∼54), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하, 「하부 반사 방지막」이라 함)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 장치(55∼58)가 아래에서부터 차례로 9단으로 겹쳐 배치되어 있다. 제1 처리 장치군(G1)의 최하단에는, 전술한 액처리 장치(50∼58)에 각종 처리액을 공급하기 위한 케미컬실(59)이 설치되어 있다.As shown in Fig. 2, the first processing apparatus group G1 is provided with a liquid processing apparatus for supplying a predetermined liquid to the wafer W to perform processing, for example, a method of forming a resist film by applying a resist solution onto a wafer W Antireflection film forming units 55 to 58 for forming an antireflection film (hereinafter referred to as a " bottom antireflection film ") under the resist coating units 50 to 54 and the resist film of the wafer W, As shown in Fig. At the lowermost end of the first processing apparatus group G1, a chemical chamber 59 for supplying various processing solutions to the above-described liquid processing apparatuses 50 to 58 is provided.

제2 처리 장치군(G2)에는, 액처리 장치, 예컨대 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하여 현상 처리하는 현상 처리 장치(60∼64), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하, 「상부 반사 방지막」이라 함)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 장치(65∼68)가 아래에서부터 차례로 9단으로 겹쳐 배치되어 있다. 제2 처리 장치군(G2)의 최하단에는, 전술한 액처리 장치(60∼68)에 각종 처리액을 공급하기 위한 케미컬실(69)이 설치되어 있다.The second processing apparatus group G2 includes development processing apparatuses 60 to 64 for supplying a developing solution to a liquid processing apparatus such as a wafer W to perform development processing, an antireflection film Antireflection film forming apparatuses 65 to 68 for forming the upper antireflection film (hereinafter referred to as the " upper antireflection film ") are arranged in nine stages in order from the bottom. At the lowermost end of the second processing apparatus group G2, a chemical chamber 69 for supplying various processing solutions to the above-mentioned liquid processing apparatuses 60 to 68 is provided.

제3 처리 장치군(G3)에는, 도 3에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)를 소수화 처리하는 접착(adhesion) 장치(70∼72), 웨이퍼(W)의 열처리를 행하는 열처리 장치(73∼78)가 아래에서부터 차례로 9단으로 겹쳐 배치되어 있다.As shown in FIG. 3, the third processing apparatus group G3 is provided with adhesion devices 70 to 72 for hydrophobicizing the wafer W, heat treatment devices 73 to 78 for heat treatment of the wafer W, ) Are arranged in nine stages in order from the bottom.

제4 처리 장치군(G4)에는, 웨이퍼(W)의 열처리를 행하는 열처리 장치(80∼88)가 아래에서부터 차례로 9단으로 겹쳐 배치되어 있다.In the fourth processing apparatus group G4, heat treatment apparatuses 80 to 88 for heat-treating the wafers W are arranged in nine stages in order from the bottom.

제5 처리 장치군(G5)에는, 웨이퍼(W)의 열처리를 행하는 열처리 장치(90∼98)가 아래에서부터 차례로 9단으로 겹쳐 배치되어 있다.In the fifth processing unit group G5, heat treatment devices 90 to 98 for heat-treating the wafers W are arranged in nine stages in order from the bottom.

인터페이스 스테이션(13)에는, 웨이퍼 반송 장치(100), 전달 장치(101) 및 웨이퍼(W)의 외주부를 노광하는 주변 노광 장치(102)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는 수직 방향, 수평 방향 및 수직축 둘레로 자유자재로 이동할 수 있는 반송 아암을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예컨대 반송 아암에 웨이퍼(W)를 지지하여 인터페이스 스테이션(13)에 인접한 노광 장치(12)와, 전달 장치(101), 주변 노광 장치(102) 및 제5 처리 장치군(G5) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The interface station 13 is provided with a wafer transfer apparatus 100, a transfer apparatus 101 and an edge exposure apparatus 102 for exposing an outer peripheral portion of the wafer W. The wafer transfer apparatus 100 has a transfer arm capable of freely moving around the vertical direction, the horizontal direction and the vertical axis. The wafer transfer apparatus 100 is provided with an exposure apparatus 12 that supports a wafer W on a transfer arm and is adjacent to the interface station 13 and an exposure apparatus 12 which is disposed adjacent to the transfer station 101 and the peripheral exposure apparatus 102, The wafer W can be transported between the groups G5.

다음에, 전술한 카세트 스테이션(10)의 웨이퍼 반송 장치(31)와 처리 스테이션(11)의 웨이퍼 반송 장치(42)의 구성에 대해서 설명한다. 도 4는 웨이퍼 반송 장치(31)의 구성의 개략을 나타낸 측면도이고, 도 5는 웨이퍼 반송 장치(31)의 구성의 개략을 나타낸 평면도이다.Next, the configuration of the wafer transfer device 31 of the cassette station 10 and the wafer transfer device 42 of the process station 11 will be described. Fig. 4 is a side view showing the outline of the configuration of the wafer transfer device 31, and Fig. 5 is a plan view schematically showing the configuration of the wafer transfer device 31. Fig.

웨이퍼 반송 장치(31)는, 도 4에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)를 유지하여 반송하는 복수, 예컨대 6개의 아암체(110)를 갖고 있다. 아암체(110)는, 도 5에 도시된 바와 같이 그 선단이 2개의 선단부(110a, 110a)로 분기되어 있다. 각 선단부(110a)에는, 웨이퍼(W)의 이면을 흡착하여 수평으로 유지하는 흡착 패드(111)가 설치되어 있다. 이러한 구성에 의해, 웨이퍼 반송 장치(31)는, 한번에 복수의 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 또한, 아암체(110)의 수는, 본 실시형태의 수에 한정되지 않고, 임의로 선택할 수 있다.The wafer transfer apparatus 31 has a plurality of, for example, six arm bodies 110 for holding and transferring the wafers W as shown in Fig. As shown in Fig. 5, the arm body 110 is branched at its tip to two tip ends 110a and 110a. Each of the distal end portions 110a is provided with a suction pad 111 for holding the back surface of the wafer W horizontally by suction. With this configuration, the wafer transfer device 31 can transfer a plurality of wafers W at a time. In addition, the number of arm members 110 is not limited to the number of the present embodiment, and can be arbitrarily selected.

아암체(110)는, 도 4에 도시된 바와 같이 지지 부재(112)에 지지되어 있다. 지지 부재(112)의 하면에는, 샤프트(113)를 통해, 예컨대 모터(도시하지 않음) 등을 내장한 구동 기구(114)가 설치되어 있다. 이 구동 기구(114)에 의해, 아암체(110)는, 수직 방향 및 수평 방향으로 이동할 수 있고, 또한 회전할 수 있다. 구동 기구(114)는, 도 1에 도시된 반송로(30)에 부착되어, 웨이퍼 반송 장치(31)는, 반송로(30) 상에서 이동할 수 있도록 되어 있다.The arm body 110 is supported on the support member 112 as shown in Fig. On the lower surface of the support member 112, a drive mechanism 114 incorporating a motor (not shown), for example, is provided through a shaft 113. By this driving mechanism 114, the arm body 110 can move in the vertical direction and the horizontal direction, and can rotate also. The drive mechanism 114 is attached to the conveying path 30 shown in Fig. 1 so that the wafer conveying device 31 can move on the conveying path 30. Fig.

또한, 처리 스테이션(11)의 웨이퍼 반송 장치(42)의 구성은, 전술한 웨이퍼 반송 장치(31)의 구성과 동일하므로 설명을 생략한다. 이러한 웨이퍼 반송 장치(42)에 있어서도, 아암체(110)의 수를 임의로 선택할 수 있어, 임의의 장수의 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The configuration of the wafer transfer device 42 of the processing station 11 is the same as that of the above-described wafer transfer device 31, and a description thereof will be omitted. Also in this wafer transfer device 42, the number of the arm bodies 110 can be arbitrarily selected, and an arbitrary number of wafers W can be carried.

다음에, 전술한 제1 버퍼 장치(40)와 제2 버퍼 장치(41)의 구성에 대해서 설명한다. 도 6은 제1 버퍼 장치(40)의 구성의 개략을 나타낸 측면도이고, 도 7은 제1 버퍼 장치(40)의 구성의 개략을 나타낸 횡단면도이다.Next, the configuration of the first buffer device 40 and the second buffer device 41 will be described. Fig. 6 is a side view showing the outline of the configuration of the first buffer device 40, and Fig. 7 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the first buffer device 40. Fig.

제1 버퍼 장치(40)는, 도 6에 도시된 바와 같이 복수의 웨이퍼(W)를 수직 방향으로 다단으로 유지하여 보관하는 버퍼부(120)를 갖고 있다. 버퍼부(120)는, 측면이 개구된 원통 형상의 프레임(121)을 갖고 있다. 프레임(121)은, 원판 형상의 상부판(121a)과, 원판 형상의 바닥판(121b)과, 상부판(121a)과 바닥판(121b) 사이에 설치되어 수직 방향으로 연장하는 프레임 부재(121c)를 갖고 있다. 프레임 부재(121c)는, 예컨대 도 7에 도시된 바와 같이 상부판(121a) 및 바닥판(121b)과 동심원상에 등간격으로 3개 설치되어 있다. 각 프레임 부재(121c)에는, 웨이퍼(W)를 유지하기 위한 유지 부재(122)가 수직 방향으로 미리 정해진 간격으로 복수 설치되어 있다. 이러한 구성에 의해, 버퍼부(120)는 프레임(121) 측면의 개구 부분으로부터 웨이퍼(W)를 반입/반출하여 보관할 수 있다.The first buffer device 40 has a buffer part 120 for holding and storing a plurality of wafers W in multiple stages in the vertical direction as shown in Fig. The buffer unit 120 has a cylindrical frame 121 whose side is opened. The frame 121 includes a disk-shaped top plate 121a, a disk-shaped bottom plate 121b and a frame member 121c provided between the top plate 121a and the bottom plate 121b and extending in the vertical direction ). As shown in Fig. 7, for example, three frame members 121c are provided concentrically with the top plate 121a and the bottom plate 121b at regular intervals. In each frame member 121c, a plurality of holding members 122 for holding the wafers W are provided at predetermined intervals in the vertical direction. With such a configuration, the buffer unit 120 can carry the wafer W from the opening portion on the side surface of the frame 121, and store the wafer W therein.

버퍼부(120)의 아래쪽에는, 도 6에 도시된 바와 같이 버퍼부 이동 기구(123)가 설치되어 있다. 버퍼부 이동 기구(123)에는, 바닥판(121b)의 하면에 설치된 샤프트(124)를 통해, 예컨대 모터(도시하지 않음) 등을 내장한 구동 기구(125)가 설치되어 있다. 이 버퍼부 이동 기구(123)에 의해, 버퍼부(120)는, 수직 방향으로 이동할 수 있고, 수직 방향의 중심축 둘레로 회전할 수 있다. 그리고, 이와 같이 버퍼부(120)가 이동 가능하게 구성됨으로써, 도 8에 도시된 바와 같이 제1 처리 장치군(G1)과 제3 처리 장치군(G3) 내의 후술하는 각 처리 장치의 웨이퍼 반송 기구(150, 190)가, 버퍼부(120) 내의 모든 웨이퍼(W)에 대하여 액세스 가능하게 되어 있다.Below the buffer unit 120, a buffer unit moving mechanism 123 is provided as shown in FIG. The buffer mechanism moving mechanism 123 is provided with a drive mechanism 125 having a motor (not shown) incorporated therein, for example, through a shaft 124 provided on the bottom surface of the bottom plate 121b. By this buffer portion moving mechanism 123, the buffer portion 120 can move in the vertical direction and rotate around the vertical axis in the vertical direction. As shown in FIG. 8, the buffer unit 120 can be moved in this manner, so that the wafer transfer mechanism of each of the processing apparatuses described later in the first processing apparatus group G1 and the third processing apparatus group G3, (150, 190) can access all the wafers (W) in the buffer unit (120).

또한, 각 처리 장치의 웨이퍼 반송 기구(150, 190)가 버퍼부(120) 내의 미리 정해진 웨이퍼(W)에 대하여 액세스 가능하게 하기 위해서, 웨이퍼 반송 장치(42)에 의해 버퍼부(120) 내의 웨이퍼(W)를 미리 정해진 위치로 이동시켜도 좋다.The wafer transfer device 42 of the wafer transfer apparatuses 150 and 190 of each processing apparatus can access the predetermined wafer W in the buffer unit 120, (W) may be moved to a predetermined position.

또한, 제2 버퍼 장치(41)의 구성은, 전술한 제1 버퍼 장치(40)의 구성과 동일하므로 설명을 생략한다.Since the configuration of the second buffer device 41 is the same as that of the first buffer device 40 described above, the description is omitted.

다음에, 전술한 레지스트 도포 장치(50∼54)의 구성에 대해서 설명한다. 도 9는 레지스트 도포 장치(50)의 구성의 개략을 나타낸 횡단면도이고, 도 10은 레지스트 도포 장치(50)의 구성의 개략을 나타낸 종단면도이다.Next, the constitution of the above-described resist application devices 50 to 54 will be described. Fig. 9 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the resist coating device 50, and Fig. 10 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of the resist coating device 50. As shown in Fig.

레지스트 도포 장치(50)는 도 9에 도시된 바와 같이 내부를 폐쇄할 수 있는 처리 용기(130)를 갖고 있다. 처리 용기(130)의 제1 버퍼 장치(40)에 대향하는 측면에는, 웨이퍼(W)의 반입/반출구(131)가 형성되어 있다.The resist coating apparatus 50 has a processing vessel 130 capable of closing the inside thereof as shown in Fig. A loading / unloading port 131 of the wafer W is formed on the side of the processing container 130 opposite to the first buffer device 40. [

처리 용기(130) 내의 중앙부에는, 도 10에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 스핀척(132)이 설치되어 있다. 스핀척(132)은 수평인 상면을 가지며, 이 상면에는, 예컨대 웨이퍼(W)를 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해 웨이퍼(W)를 스핀척(132) 상에 흡착 유지할 수 있다.A spin chuck 132 for holding and rotating the wafer W as shown in Fig. 10 is provided at the center of the processing vessel 130. As shown in Fig. The spin chuck 132 has a horizontal upper surface, and on this upper surface, a suction port (not shown) for suctioning the wafer W, for example, is provided. The wafer W can be held on the spin chuck 132 by suction from the suction port.

스핀척(132)은, 예컨대 모터(도시하지 않음) 등을 내장한 구동 기구(133)를 가지며, 이 구동 기구(133)에 의해 미리 정해진 속도로 회전할 수 있다. 또한, 구동 기구(133)에는, 실린더 등의 승강 구동원이 설치되어 있어, 스핀척(132)은 상하로 움직일 수 있다.The spin chuck 132 has a drive mechanism 133 incorporating, for example, a motor (not shown) or the like, and can be rotated at a predetermined speed by the drive mechanism 133. Further, the driving mechanism 133 is provided with a lifting drive source such as a cylinder, and the spin chuck 132 can move up and down.

스핀척(132)의 주위에는, 웨이퍼(W)로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아내어 회수하는 컵(134)이 설치되어 있다. 컵(134)의 하면에는, 회수한 액체를 배출하는 배출관(135)과, 컵(132) 내의 분위기를 배기하는 배기관(136)이 접속되어 있다.A cup 134 is provided around the spin chuck 132 for picking up and recovering liquid that is scattered or dropped from the wafer W. A discharge pipe 135 for discharging the recovered liquid and an exhaust pipe 136 for exhausting the atmosphere in the cup 132 are connected to the lower surface of the cup 134.

도 9에 도시된 바와 같이 컵(134)의 X 방향 부방향(도 9의 아래 방향)측에는, Y 방향(도 9의 좌우 방향)을 따라 연장하는 레일(140)이 형성되어 있다. 레일(140)은, 예컨대 컵(134)의 Y 방향 부방향(도 9의 좌측 방향)측의 외측으로부터 Y 방향 정방향(도 9의 우측 방향)측의 외측까지 형성되어 있다. 레일(140)에는 아암(141)이 부착되어 있다.As shown in Fig. 9, on the side of the cup 134 in the X direction (the downward direction in Fig. 9), there is formed a rail 140 extending along the Y direction (left and right direction in Fig. The rail 140 is formed from, for example, the outside of the cup 134 in the Y direction (the left direction in FIG. 9) to the outside in the Y direction (in the right direction in FIG. An arm 141 is attached to the rail 140.

아암(141)에는, 레지스트액을 토출하는 도포 노즐(142)이 지지되어 있다. 아암(141)은 노즐 구동부(143)에 의해 레일(140) 상에서 자유자재로 이동할 수 있다. 또한, 아암(141)은 노즐 구동부(143)에 의해 자유자재로 승강할 수 있어, 도포 노즐(142)의 높이를 조절할 수 있다.The arm 141 is supported with a coating nozzle 142 for discharging a resist solution. The arm 141 can freely move on the rail 140 by the nozzle driving unit 143. [ In addition, the arm 141 can freely move up and down by the nozzle driving unit 143, and the height of the application nozzle 142 can be adjusted.

처리 용기(130) 내의 스핀척(132)의 위쪽에는, 도 10에 도시된 바와 같이 웨이퍼 반송 기구(150)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(150)는, 웨이퍼(W)를 유지하여 반송하는 반송 아암(151)을 갖고 있다. 반송 아암(151)은, 도 9에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 반송 방향(D)(도 9 중의 X 방향)으로 연장하는 한 쌍의 아암부(152, 152)와, 각 아암부(152)를 지지하고, 웨이퍼(W)의 반송 방향(D)과 직각 방향(도 9 중의 Y 방향)으로 연장하는 지지부(153)를 갖고 있다. 각 아암부(152)의 상면에는, 웨이퍼(W)의 이면을 흡착하여 수평으로 유지하는 유지부로서의 흡착 패드(154)가 설치되어 있다.On the upper side of the spin chuck 132 in the processing vessel 130, a wafer transfer mechanism 150 is provided as shown in Fig. The wafer transfer mechanism 150 has a transfer arm 151 for holding and transferring the wafer W. 9, the transfer arm 151 has a pair of arm portions 152 and 152 extending in the carrying direction D (X direction in FIG. 9) of the wafer W, 152 and extends in the direction perpendicular to the carrying direction D of the wafer W (Y direction in FIG. 9). On the upper surface of each arm portion 152, there is provided a suction pad 154 as a holding portion for holding the back surface of the wafer W horizontally by suction.

반송 아암(151)에는, 도 10에 도시된 바와 같이 예컨대 모터(도시하지 않음) 등을 내장한 아암 이동 기구(155)가 설치되어 있다. 아암 이동 기구(155)는 지지부(153)를 웨이퍼(W)의 반송 방향(D)과 직각 방향으로 이동시켜 한 쌍의 아암부(152, 152)의 간격을 조정할 수 있다. 또한, 아암 이동 기구(155)는 반송 아암(151)을 수직 방향으로 이동시킬 수도 있다. 이와 같이 반송 아암(151)이 상하로 움직임으로써, 반송 아암(151)은, 스핀척(132)에 웨이퍼(W)를 전달하고, 스핀척(132)으로부터 웨이퍼(W)를 수취할 수 있다.As shown in Fig. 10, an arm moving mechanism 155 incorporating a motor (not shown), for example, is provided in the carrying arm 151. As shown in Fig. The arm moving mechanism 155 can adjust the distance between the pair of arm portions 152 and 152 by moving the supporting portion 153 in the direction perpendicular to the carrying direction D of the wafer W. [ Further, the arm moving mechanism 155 may move the transfer arm 151 in the vertical direction. The transfer arm 151 can move the wafer W to the spin chuck 132 and receive the wafer W from the spin chuck 132. In this way,

처리 용기(130)의 내측면에는, 도 9에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 반송 방향(D)으로 연장하는 한 쌍의 레일(156, 156)이 설치되어 있다. 아암 이동 기구(155)는, 도 10에 도시된 바와 같이 레일(156)에 부착되어, 레일(156)을 따라 이동할 수 있도록 되어 있다. 그리고, 이 아암 이동 기구(155)에 의해, 반송 아암(151)은, 도 11에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)를 유지한 상태로 제1 버퍼 장치(40)와 레지스트 도포 장치(50) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.A pair of rails 156 and 156 extending in the carrying direction D of the wafer W are provided on the inner surface of the processing container 130 as shown in Fig. The arm moving mechanism 155 is attached to the rail 156 as shown in FIG. 10, and is movable along the rail 156. The transfer arm 151 is moved by the arm moving mechanism 155 between the first buffer device 40 and the resist coating device 50 while holding the wafer W as shown in Fig. The wafer W can be transported.

또한, 레지스트 도포 장치(51∼54)의 구성에 대해서는 전술한 레지스트 도포 장치(50)와 동일하므로 설명을 생략한다.The configuration of the resist coating devices 51 to 54 is the same as that of the above-described resist coating device 50, and thus description thereof is omitted.

또한, 하부 반사 방지막 형성 장치(55∼58), 현상 처리 장치(60∼64), 상부 반사 방지막 형성 장치(65∼68)도, 전술한 레지스트 도포 장치(50∼54)와 동일한 구성을 가지며, 웨이퍼 반송 기구(150)를 구비하고 있다. 접착 장치(70∼72)도 마찬가지로, 웨이퍼 반송 기구(150)를 더 구비하고 있다.The lower antireflection film forming units 55 to 58, the development processing units 60 to 64 and the upper antireflection film forming units 65 to 68 also have the same configuration as the above-described resist coating units 50 to 54, And a wafer transport mechanism 150. The bonding apparatuses 70 to 72 further include a wafer transfer mechanism 150 as well.

다음에, 전술한 열처리 장치(73∼78, 80∼88, 90∼98)의 구성에 대해서 설명한다. 도 12는 열처리 장치(73)의 구성의 개략을 나타낸 횡단면도이고, 도 13은 열처리 장치(73)의 구성의 개략을 나타낸 종단면도이다.Next, the configuration of the aforementioned heat treatment apparatuses 73 to 78, 80 to 88, and 90 to 98 will be described. 12 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the heat treatment apparatus 73, and Fig. 13 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of the heat treatment apparatus 73. Fig.

열처리 장치(73)는, 도 12에 도시된 바와 같이 내부를 폐쇄할 수 있는 처리 용기(160)를 갖고 있다. 처리 용기(130)의 제1 버퍼 장치(40)에 대향하는 측면에는 웨이퍼(W)의 반입/반출구(161)가 형성되어 있다. 또한, 열처리 장치(73)는, 도 13에 도시된 바와 같이 처리 용기(160) 내에 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 가열부(162)와, 웨이퍼(W)를 냉각 처리하는 냉각부(163)를 구비하고 있다.The heat treatment apparatus 73 has a processing vessel 160 capable of closing the inside thereof as shown in Fig. A loading / unloading port 161 of the wafer W is formed on a side surface of the processing container 130 which is opposed to the first buffer device 40. 13, the heat treatment apparatus 73 includes a heating section 162 for heating the wafer W in the processing container 160, a cooling section 163 for cooling the wafer W, .

가열부(162)에는, 웨이퍼(W)를 배치하여 가열하는 열판(170)이 설치되어 있다. 열판(170)은 두께가 있는 대략 원반 형상을 갖고 있다. 열판(170)은, 수평인 상면을 가지며, 이 상면에는, 예컨대 웨이퍼(W)를 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해 웨이퍼(W)를 열판(170) 상에 흡착 유지할 수 있다.The heating section 162 is provided with a heating plate 170 for heating and placing the wafer W thereon. The heat plate 170 has a substantially disc shape with a thickness. The heat plate 170 has a horizontal upper surface on which a suction port (not shown) for suctioning the wafer W is provided. The wafer W can be attracted and held on the heat plate 170 by suction from the suction port.

열판(170)의 내부에는, 급전에 의해 발열하는 히터(171)가 부착되어 있다. 이 히터(171)의 발열에 의해 열판(170)을 미리 정해진 설정 온도로 조절할 수 있다.A heater 171, which generates heat by power feeding, is attached to the inside of the heat plate 170. [ The heat plate 170 can be adjusted to a predetermined set temperature by the heat generated by the heater 171.

열판(170)에는, 상하 방향으로 관통하는 복수의 관통 구멍(172)이 형성되어 있다. 관통 구멍(172)에는, 승강핀(173)이 설치되어 있다. 승강핀(173)은, 실린더 등의 승강 구동 기구(174)에 의해 상하로 움직일 수 있다. 승강핀(173)은, 관통 구멍(172) 내를 삽입 관통하여 열판(170)의 상면으로 돌출되어, 웨이퍼(W)를 지지하여 승강시킬 수 있다.In the heat plate 170, a plurality of through holes 172 penetrating in the vertical direction are formed. The through hole 172 is provided with a lift pin 173. The lifting pin 173 can be moved up and down by a lifting drive mechanism 174 such as a cylinder. The lift pin 173 penetrates through the through hole 172 and protrudes from the upper surface of the heat plate 170 to support the wafer W so that the lift pin 173 can move up and down.

열판(170)에는, 이 열판(170)의 외주부를 유지하는 환상의 유지 부재(175)가 설치되어 있다. 유지 부재(175)에는, 이 유지 부재(175)의 외주를 둘러싸고, 승강핀(173)을 수용하는 통 형상의 서포트링(176)이 설치되어 있다.The heat plate 170 is provided with an annular holding member 175 for holding the outer peripheral portion of the heat plate 170. [ The retaining member 175 is provided with a cylindrical support ring 176 surrounding the outer periphery of the retaining member 175 and accommodating the lift pins 173.

가열부(162)에 인접한 냉각부(163)에는, 웨이퍼(W)를 배치하여 냉각하는 냉각판(180)이 설치되어 있다. 냉각판(180)은, 두께가 있는 대략 원반 형상을 갖고 있다. 냉각판(180)은, 수평인 상면을 가지며, 이 상면에는, 예컨대 웨이퍼(W)를 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해 웨이퍼(W)를 냉각판(180) 상에 흡착 유지할 수 있다.A cooling plate 180 for cooling the wafer W by disposing the wafer W is provided in the cooling section 163 adjacent to the heating section 162. The cooling plate 180 has a substantially disc shape with a thickness. The cooling plate 180 has a horizontal upper surface on which a suction port (not shown) for suctioning the wafer W is provided. The wafer W can be sucked and held on the cooling plate 180 by suction from the suction port.

냉각판(180)의 내부에는, 예컨대 펠티에 소자 등의 냉각 부재(도시하지 않음)가 내장되어 있어, 냉각판(180)을 미리 정해진 설정 온도로 조정할 수 있다.A cooling member (not shown) such as a Peltier element is built in the cooling plate 180, so that the cooling plate 180 can be adjusted to a predetermined set temperature.

냉각부(163)의 기타 구성은 가열부(162)와 동일한 구성을 갖고 있다. 즉, 냉각판(180)에는, 상하 방향으로 관통하는 복수의 관통 구멍(181)이 형성되어 있다. 관통 구멍(181)에는, 승강핀(182)이 설치되어 있다. 승강핀(182)은, 실린더 등의 승강 구동 기구(183)에 의해 상하로 움직일 수 있다. 승강핀(182)은, 관통 구멍(181) 내를 삽입 관통하여 냉각판(180)의 상면으로 돌출되어, 웨이퍼(W)를 지지하여 승강할 수 있다.The other configuration of the cooling section 163 has the same configuration as that of the heating section 162. That is, in the cooling plate 180, a plurality of through holes 181 penetrating in the vertical direction are formed. The through hole 181 is provided with a lift pin 182. The lifting pin 182 can be moved up and down by a lifting drive mechanism 183 such as a cylinder. The lift pins 182 penetrate through the through holes 181 and protrude from the upper surface of the cooling plate 180 so that the lift pins 182 can support the wafer W and move up and down.

냉각판(180)에는, 이 냉각판(180)의 외주부를 유지하는 환상의 유지 부재(184)가 설치되어 있다. 유지 부재(184)에는, 이 유지 부재(184)의 외주를 둘러싸고, 승강핀(182)을 수용하는 통 형상의 서포트링(185)이 설치되어 있다.The cooling plate 180 is provided with an annular holding member 184 for holding the outer periphery of the cooling plate 180. The retaining member 184 is provided with a cylindrical support ring 185 surrounding the outer periphery of the retaining member 184 and accommodating the lift pins 182.

열판(170)과 냉각판(180)의 위쪽에는, 웨이퍼 반송 기구(190)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(190)는 도 12에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 외주부를 유지하여 반송하는 반송 아암(191)을 갖고 있다. 반송 아암(191)은 웨이퍼(W)의 외주에 적합한 형상, 예컨대 대략 3/4 원환 형상으로 구성된 아암부(192)와, 이 아암부(192)와 일체로 형성되고, 또한 아암부(192)를 지지하기 위한 지지부(193)를 갖고 있다. 아암부(192)에는, 웨이퍼(W)의 외주부를 직접 지지하는 유지부(194)가, 예컨대 3지점에 설치되어 있다. 유지부(194)는 아암부(192)의 내측 원주에 등간격으로 설치되어 아암부(192)의 내측으로 돌출되어 있다.A wafer transfer mechanism 190 is provided above the heat plate 170 and the cooling plate 180. The wafer transfer mechanism 190 has a transfer arm 191 for holding and conveying the outer peripheral portion of the wafer W as shown in Fig. The transfer arm 191 has an arm portion 192 formed in a shape suitable for the outer periphery of the wafer W such as a substantially 3/4 circular ring shape and an arm portion 192 integrally formed with the arm portion 192, As shown in Fig. In the arm portion 192, a holding portion 194 for directly supporting the outer peripheral portion of the wafer W is provided at three points, for example. The holding portion 194 is provided at equal intervals on the inner circumference of the arm portion 192 and protrudes inward of the arm portion 192.

반송 아암(191)에는, 도 13에 도시된 바와 같이, 예컨대 모터(도시하지 않음) 등을 내장한 아암 이동 기구(195)가 설치되어 있다. 아암 이동 기구(195)는, 반송 아암(191)을 지지하고, 수직 방향으로 연장하는 수직 이동부(196)와, 수직 이동부(196)를 지지하며, 웨이퍼(W)의 반송 방향(D)과 직각 방향(도 12 중의 Y 방향)으로 연장하는 수평 이동부(197)를 갖고 있다. 이 수직 이동부(196)에 의해 반송 아암(191)은 수직 방향으로 이동할 수 있다. 이와 같이 반송 아암(191)이 상하로 움직임으로써, 반송 아암(191)은 승강핀(173, 182)에 웨이퍼(W)를 전달하고, 승강핀(173, 182)으로부터 웨이퍼(W)를 수취할 수 있다.As shown in FIG. 13, an arm moving mechanism 195 incorporating a motor (not shown), for example, is provided in the carrying arm 191. The arm moving mechanism 195 has a vertical moving part 196 supporting the carrying arm 191 and extending in the vertical direction and a vertical moving part 196 supporting the vertical moving part 196 and supporting the wafer W in the carrying direction D, And a horizontal shifting portion 197 extending in a direction perpendicular to (Y direction in Fig. 12). The transfer arm 191 can be moved in the vertical direction by the vertical movement unit 196. As the carrier arm 191 moves vertically as described above, the carrier arm 191 transfers the wafer W to the lift pins 173 and 182 and receives the wafer W from the lift pins 173 and 182 .

처리 용기(160)의 내측면에는, 도 12에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 반송방향(D)(도 12 중의 X 방향)으로 연장하는 한 쌍의 레일(198, 198)이 설치되어 있다. 아암 이동 기구(195)의 수평 이동부(197)는, 레일(198)에 부착되어, 레일(198)을 따라 이동할 수 있도록 되어 있다. 이 아암 이동 기구(195)에 의해 반송 아암(191)은, 웨이퍼(W)를 가열부(162)와 냉각부(163) 사이에서 반송할 수 있다. 또한, 반송 아암(191)은, 웨이퍼(W)를 유지한 상태로 제1 버퍼 장치(40)와 열처리 장치(73) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.12, a pair of rails 198 and 198 extending in the carrying direction D (X direction in FIG. 12) of the wafer W are provided on the inner surface of the processing container 160 . The horizontal moving part 197 of the arm moving mechanism 195 is attached to the rail 198 and is movable along the rail 198. The transfer arm 191 can transfer the wafer W between the heating unit 162 and the cooling unit 163 by the arm moving mechanism 195. [ The transfer arm 191 can transfer the wafer W between the first buffer device 40 and the heat treatment device 73 while holding the wafer W. [

또한, 열처리 장치(74∼78, 80∼88)의 구성에 대해서는, 전술한 열처리 장치(73)와 동일하므로 설명을 생략한다.The configuration of the heat treatment apparatuses 74 to 78 and 80 to 88 is the same as that of the above-described heat treatment apparatus 73, and thus description thereof is omitted.

또한, 열처리 장치(90∼98)는 전술한 열처리 장치(73)의 구성에 부가하여 도 14 및 도 15에 도시된 바와 같이 처리 용기(160)의 반입/반출구(161)에 대향하는 측면에 웨이퍼(W)의 반입/반출구(199)가 형성되어 있다.14 and 15, in addition to the structure of the heat treatment apparatus 73 described above, the heat treatment apparatuses 90 to 98 are provided on the side surface opposite to the carry-in / discharge port 161 of the process container 160 And a wafer transfer port 199 is formed.

예컨대 열처리 장치(90)는, 도 14에 도시된 바와 같이 제2 버퍼 장치(41)측에서 웨이퍼 반송 장치(100)측으로 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 열처리를 행한다. 이러한 경우, 열처리 장치(90)의 가열부(162)는 웨이퍼 반송 장치(100)측에 배치되고, 냉각부(163)는 제2 버퍼 장치(41)측에 배치되어 있다. 또한, 열처리 장치(91∼94)도 열처리 장치(90)와 마찬가지로 배치되어 있다.For example, the heat treatment apparatus 90 performs a heat treatment on the wafer W transferred from the second buffer device 41 side to the wafer transfer apparatus 100 side as shown in Fig. In this case, the heating section 162 of the heat treatment apparatus 90 is disposed on the wafer transfer apparatus 100 side, and the cooling section 163 is disposed on the second buffer apparatus 41 side. Further, the heat treatment apparatuses 91 to 94 are arranged similarly to the heat treatment apparatus 90.

또한, 예컨대 열처리 장치(95)는, 도 15에 도시된 바와 같이 웨이퍼 반송 장치(100)측에서 제2 버퍼 장치(41)측으로 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 열처리를 행한다. 이러한 경우, 열처리 장치(95)의 가열부(162)는 제2 버퍼 장치(41)측에 배치되고, 냉각부(163)는 웨이퍼 반송 장치(100)측에 배치되어 있다. 또한, 열처리 장치(96∼98)도 열처리 장치(95)와 마찬가지로 배치되어 있다.15, the heat treatment apparatus 95 performs a heat treatment on the wafer W transferred from the wafer transfer apparatus 100 side to the second buffer apparatus 41 side. In this case, the heating unit 162 of the heat treatment apparatus 95 is disposed on the second buffer unit 41 side, and the cooling unit 163 is disposed on the wafer transfer apparatus 100 side. Further, the heat treatment apparatuses 96 to 98 are arranged similarly to the heat treatment apparatus 95.

따라서, 열처리 장치(90∼98)에 있어서는, 처리 용기(160) 내로 반송된 웨이퍼(W)가, 우선 냉각부(163)에서 온도 조절되고, 그 후, 가열부(162)에서 가열되도록 되어 있다.Therefore, in the heat treatment apparatuses 90 to 98, the temperature of the wafer W transferred into the processing container 160 is first adjusted by the cooling unit 163, and then heated by the heating unit 162 .

본 실시형태에 따른 도포 현상 처리 시스템(1)은 이상과 같이 구성되어 있다. 다음에, 이 도포 처리 시스템(1)에서 행해지는 웨이퍼(W)의 처리에 대해서 설명한다. 도 16은, 이러한 웨이퍼 처리의 주된 공정을 나타낸 흐름도이다.The coating and developing processing system 1 according to the present embodiment is configured as described above. Next, the processing of the wafer W performed in the coating processing system 1 will be described. Fig. 16 is a flowchart showing a main process of such wafer processing.

우선, 1로트의 복수장의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가, 카세트 스테이션(10)의 미리 정해진 카세트 배치판(21)에 배치된다. 그 후, 웨이퍼 반송 장치(31)에 의해 카세트(C) 내의 웨이퍼(W)가 꺼내어져 처리 스테이션(11)의 제1 버퍼 장치(40)로 반송된다. 그리고, 복수의 웨이퍼(W)가 제1 버퍼 장치(40)에 일시적으로 보관된다.First, a cassette C accommodating a plurality of wafers W of one lot is arranged in a predetermined cassette arrangement plate 21 of the cassette station 10. [ Thereafter, the wafer W in the cassette C is taken out by the wafer transfer device 31 and transferred to the first buffer device 40 of the processing station 11. Then, a plurality of wafers W are temporarily stored in the first buffer device 40.

다음에, 제1 버퍼 장치(40)에 보관된 웨이퍼(W)는, 열처리 장치(78)의 웨이퍼 반송 기구(190)에 의해 이 열처리 장치(78)로 반송되어 온도 조절된다(도 16의 공정 S1). 온도 조절 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(190)에 의해 제1 버퍼 장치(40)로 복귀된다.Next, the wafer W stored in the first buffer device 40 is transported to the heat treatment apparatus 78 by the wafer transport mechanism 190 of the heat treatment apparatus 78, and the temperature is adjusted S1). After the temperature adjustment, the wafer W is returned to the first buffer device 40 by the wafer transfer mechanism 190.

그 후, 웨이퍼(W)는, 하부 반사 방지막 형성 장치(58)의 웨이퍼 반송 기구(150)에 의해 이 하부 반사 방지막 형성 장치(58)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 하부 반사 방지막이 형성된다(도 16의 공정 S2). 하부 반사 방지막 형성 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 기구(150)에 의해 제1 버퍼 장치(40)로 복귀된다.Thereafter, the wafer W is transferred to the lower anti-reflection film forming device 58 by the wafer transport mechanism 150 of the lower anti-reflection film forming device 58, and a lower anti-reflection film is formed on the wafer W (Step S2 in Fig. 16). After the formation of the lower antireflection film, the wafer W is returned to the first buffer device 40 by the wafer transfer mechanism 150.

그 후, 웨이퍼(W)는, 열처리 장치(77)의 웨이퍼 반송 기구(190)에 의해 이 열처리 장치(77)로 반송되어 온도 조절된다. 온도 조절 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(190)에 의해 제1 버퍼 장치(40)로 복귀된다.Thereafter, the wafer W is transported to the heat treatment apparatus 77 by the wafer transport mechanism 190 of the heat treatment apparatus 77, and the temperature thereof is adjusted. After the temperature adjustment, the wafer W is returned to the first buffer device 40 by the wafer transfer mechanism 190.

그 후, 웨이퍼(W)는, 접착 장치(72)의 웨이퍼 반송 기구(150)에 의해 이 접착 장치(72)로 반송되어 소수화 처리된다(도 16의 공정 S3). 소수화 처리 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 기구(150)에 의해 제1 버퍼 장치(40)로 복귀된다.Thereafter, the wafer W is transferred to the bonding apparatus 72 by the wafer transport mechanism 150 of the bonding apparatus 72 and subjected to hydrophobic processing (step S3 in Fig. 16). After the hydrophobic treatment, the wafer W is returned to the first buffer device 40 by the wafer transfer mechanism 150.

그 후, 웨이퍼(W)는, 레지스트 도포 장치(54)의 웨이퍼 반송 기구(150)에 의해 이 레지스트 도포 장치(54)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다(도 16의 공정 S4). 레지스트막 형성 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 기구(150)에 의해 제1 버퍼 장치(40)로 복귀된다.Thereafter, the wafer W is transferred to the resist coating device 54 by the wafer transfer mechanism 150 of the resist coating device 54, and a resist film is formed on the wafer W S4). After the resist film is formed, the wafer W is returned to the first buffer device 40 by the wafer transfer mechanism 150.

그 후, 웨이퍼(W)는, 열처리 장치(76)의 반송 기구(190)에 의해 이 열처리 장치(76)로 반송되어 프리베이킹 처리된다(도 16의 공정 S5). 프리베이킹 처리한 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(190)에 의해 제1 버퍼 장치(40)로 복귀된다.Thereafter, the wafer W is transported to the heat treatment apparatus 76 by the transport mechanism 190 of the heat treatment apparatus 76 and pre-baked (step S5 in FIG. 16). After the pre-baking process, the wafer W is returned to the first buffer device 40 by the wafer transport mechanism 190.

다음에, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(42)에 의해 제1 버퍼 장치(40)로부터 제2 버퍼 장치(41)로 반송되어, 제2 버퍼 장치(41)에 일시적으로 보관된다.The wafer W is then transferred from the first buffer device 40 to the second buffer device 41 by the wafer transfer device 42 and temporarily stored in the second buffer device 41. [

그 후, 제2 버퍼 장치(41)에 보관된 웨이퍼(W)는, 상부 반사 방지막 형성 장치(68)의 웨이퍼 반송 기구(150)에 의해 이 상부 반사 방지막 형성 장치(68)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 상부 반사 방지막이 형성된다(도 16의 공정 S6). 상부 반사 방지막 형성 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(150)에 의해 제2 버퍼 장치(41)로 복귀된다.Thereafter, the wafer W stored in the second buffer device 41 is transferred to the upper anti-reflection film forming device 68 by the wafer transfer mechanism 150 of the upper anti-reflection film forming device 68, An upper antireflection film is formed on the wafer W (step S6 in Fig. 16). After forming the upper antireflection film, the wafer W is returned to the second buffer device 41 by the wafer transfer mechanism 150.

그 후, 웨이퍼(W)는, 열처리 장치(90)의 웨이퍼 반송 기구(190)에 의해 이 열처리 장치(90)로 반송되어 온도 조절된다. 온도 조정 후, 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 열처리 장치(90)로부터 주변 노광 장치(102)로 반송되어, 주변 노광 처리된다(도 16의 공정 S7).Thereafter, the wafer W is transported to the heat treatment apparatus 90 by the wafer transport mechanism 190 of the heat treatment apparatus 90, and the temperature thereof is adjusted. After the temperature is adjusted, the wafer is transferred from the thermal processing apparatus 90 to the peripheral exposure apparatus 102 by the wafer transfer apparatus 100, and subjected to peripheral exposure processing (step S7 in Fig. 16).

그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 노광 장치(12)로 반송되어, 노광 처리된다(도 16의 공정 S8).Thereafter, the wafer W is transferred to the exposure apparatus 12 by the wafer transfer apparatus 100 and subjected to exposure processing (step S8 in Fig. 16).

그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 노광 장치(12)로부터 열처리 장치(95)로 반송되어, 노광 후 베이킹 처리된다(도 16의 공정 S9). 노광 후 베이킹 처리후, 웨이퍼(W)는, 열처리 장치(95)의 웨이퍼 반송 기구(190)에 의해 제2 버퍼 장치(41)로 반송된다.Thereafter, the wafer W is transferred from the exposure apparatus 12 to the heat treatment apparatus 95 by the wafer transfer apparatus 100, and is post-exposure baked (step S9 in Fig. 16). After the post-exposure bake process, the wafer W is transferred to the second buffer device 41 by the wafer transfer mechanism 190 of the heat treatment apparatus 95. [

그 후, 웨이퍼(W)는, 현상 처리 장치(64)의 웨이퍼 반송 기구(150)에 의해 현상 처리 장치(64)로 반송되어, 현상된다(도 16의 공정 S10). 현상 처리 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(150)에 의해 제2 버퍼 장치(41)로 복귀된다.Thereafter, the wafer W is transferred to the development processing apparatus 64 by the wafer transfer mechanism 150 of the development processing apparatus 64 and is developed (step S10 in Fig. 16). After the development processing, the wafer W is returned to the second buffer device 41 by the wafer transfer mechanism 150.

그 후, 웨이퍼(W)는, 열처리 장치(84)의 반송 기구(190)에 의해 이 열처리 장치(84)로 반송되어, 포스트 베이킹 처리된다(도 16의 공정 S11). 포스트 베이킹 처리 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 기구(190)에 의해 제2 버퍼 장치(41)로 복귀된다.Thereafter, the wafer W is conveyed to the heat treatment apparatus 84 by the conveying mechanism 190 of the heat treatment apparatus 84, and post-baked (step S11 in Fig. 16). After the post-baking process, the wafer W is returned to the second buffer device 41 by the wafer transport mechanism 190.

다음에, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(42)에 의해 제2 버퍼 장치(41)로부터 제1 버퍼 장치(40)로 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(31)에 의해 미리 정해진 카세트 배치판(21)의 카세트(C)로 반송된다. 이렇게 해서, 일련의 포토리소그래피 공정이 종료된다.Next, the wafer W is transferred from the second buffer device 41 to the first buffer device 40 by the wafer transfer device 42. Thereafter, the wafer W is carried by the wafer transfer device 31 to the cassette C of the cassette placement plate 21 that is predetermined. In this way, a series of photolithography processes is completed.

이상의 실시형태에 따르면, 제1∼제5 처리 장치군(G1∼G5)의 각 처리 장치가 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 기구(150, 190)를 갖고 있기 때문에, 각 처리 장치에 있어서 요구되는 타이밍으로, 이 처리 장치에 웨이퍼(W)를 반입/반출할 수 있다. 즉, 처리 장치에서 웨이퍼(W)를 처리할 수 있는 상태가 되면, 이 처리 장치의 반송 기구(150, 190)에 의해 장치 내로 웨이퍼(W)를 신속하게 반입할 수 있다. 또한, 처리 장치에서 웨이퍼(W)의 처리가 종료되면, 이 처리 장치의 반송 기구(150, 190)에 의해 장치로부터 웨이퍼(W)를 신속하게 반출할 수 있다. 이 결과, 종래와 같이 처리 장치에서의 웨이퍼의 반송 대기가 발생하지 않아, 웨이퍼(W)의 반송 효율을 각별히 향상시킬 수 있다. 따라서, 웨이퍼 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment described above, the respective processing apparatuses of the first to fifth processing apparatus groups G1 to G5 have the transport mechanisms 150 and 190 for transporting the wafers W, The wafer W can be carried into / out of the processing apparatus at the timing. That is, when the processing apparatus is ready to process the wafer W, the transfer mechanism 150, 190 of the processing apparatus can quickly bring the wafer W into the apparatus. In addition, when the processing apparatus finishes the processing of the wafer W, the transfer mechanism (150, 190) of the processing apparatus can quickly take out the wafer W from the apparatus. As a result, as in the prior art, there is no wait for the transfer of wafers in the processing apparatus, and the transfer efficiency of the wafers W can be remarkably improved. Therefore, it is possible to improve the throughput of the wafer processing.

또한, 제1 버퍼 장치(40)와 제2 버퍼 장치(41)의 버퍼부(120)는 버퍼부 이동 기구(123)에 의해 수직 방향으로 이동할 수 있기 때문에, 각 처리 장치의 반송 기구(150, 190)는 버퍼부(120)의 미리 정해진 위치의 웨이퍼(W)에 액세스할 수 있다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)가 버퍼부(120) 내의 어느 위치에 보관되어 있어도, 반송 기구(150, 190)는 미리 정해진 웨이퍼(W)를 처리 장치로 반송할 수 있다.Since the buffer unit 120 of the first buffer unit 40 and the buffer unit 120 of the second buffer unit 41 can move in the vertical direction by the buffer unit moving mechanism 123, 190 can access the wafer W at a predetermined position of the buffer unit 120. [ Thus, regardless of where the wafer W is stored in the buffer unit 120, the transport mechanisms 150 and 190 can transport the predetermined wafer W to the processing apparatus.

또한, 버퍼부(120)는 버퍼부 이동 기구(123)에 의해 회전할 수 있으므로, 각 처리 장치의 반송 기구(150, 190)나 웨이퍼 반송 장치(31, 42)가 버퍼부(120)에 액세스할 때, 버퍼부(120)의 프레임 부재(121c)와의 간섭을 피하여 원활히 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The buffer unit 120 can be rotated by the buffer unit moving mechanism 123 so that the transfer mechanisms 150 and 190 and the wafer transfer units 31 and 42 of the respective processing units can access the buffer unit 120 The wafer W can be smoothly conveyed while avoiding interference with the frame member 121c of the buffer unit 120. [

또한, 웨이퍼 반송 장치(31, 42)는 복수의 웨이퍼(W)를 유지할 수 있어, 한번에 복수의 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 반송 효율을 한층 더 향상시킬 수 있어, 웨이퍼 처리의 스루풋을 더욱 향상시킬 수 있다.Further, the wafer transfer devices 31 and 42 can hold a plurality of wafers W, and can transfer a plurality of wafers W at a time. As a result, the transport efficiency of the wafer W can be further improved, and the throughput of the wafer processing can be further improved.

이상의 실시형태에서는, 제1 처리 장치군(G1)과 제2 처리 장치군(G2)에는 액처리 장치가 설치되고, 제3 처리 장치군(G3) 내지 제5 처리 장치군(G5)에는 열처리 장치가 설치되어 있었지만, 처리 장치의 배치는 임의로 선택할 수 있다.In the above embodiment, the liquid processing apparatuses are provided in the first processing apparatus group G1 and the second processing apparatus group G2, and the third processing apparatus group G3 to the fifth processing apparatus group G5 are provided with the heat treatment apparatus The arrangement of the processing apparatus can be arbitrarily selected.

예컨대 도 17 및 도 18에 도시된 바와 같이, 하나의 처리 장치군에 액처리 장치와 열처리 장치를 혼재하여 배치하여도 좋다. 이러한 경우, 예컨대 제1 처리 장치군(G1)에는, 레지스트 도포 장치(50∼53), 하부 반사 방지막 형성 장치(55∼57), 열처리 장치(73, 74)가 아래에서부터 차례로 9단으로 겹쳐 배치되어 있다. 제2 처리 장치군(G2)에는, 현상 처리 장치(60∼62), 상부 반사 방지막 형성 장치(65, 66), 열처리 장치(80∼83)가 아래에서부터 차례로 9단으로 겹쳐 배치되어 있다. 제3 처리 장치군(G3)에는, 접착 장치(70∼72), 레지스트 도포 장치(54), 하부 반사 방지막 형성 장치(58), 열처리 장치(75∼78)가 아래에서부터 차례로 9단으로 겹쳐 배치되어 있다. 제4 처리 장치군(G4)에는, 현상 처리 장치(63, 64), 상부 반사 방지막 형성 장치(67, 68), 열처리 장치(84∼88)가 아래에서부터 차례로 9단으로 겹쳐 배치되어 있다. 또한, 제3 처리 장치군(G3)과 제4 처리 장치군(G4)의 최하단에는, 각 액처리 장치에 각종 처리액을 공급하기 위한 케미컬실(79, 89)이 각각 설치되어 있다.For example, as shown in Figs. 17 and 18, the liquid processing apparatus and the heat treatment apparatus may be arranged in a single processing apparatus group. In this case, for example, the resist coating devices 50 to 53, the lower anti-reflection film forming devices 55 to 57, and the heat treatment devices 73 and 74 are sequentially stacked in nine stages from the bottom in the first processing apparatus group G1 . In the second processing apparatus group G2, development processing apparatuses 60 to 62, upper anti-reflection film forming apparatuses 65 and 66, and heat treatment apparatuses 80 to 83 are arranged in nine stages in order from the bottom. The bonding apparatuses 70 to 72, the resist coating apparatus 54, the lower anti-reflection film forming apparatus 58, and the heat treatment apparatuses 75 to 78 are sequentially stacked in nine stages from the bottom in the third processing apparatus group G3, . In the fourth processing unit group G4, development processing units 63 and 64, upper anti-reflection film forming units 67 and 68, and heat treatment units 84 to 88 are arranged in nine stages in order from the bottom. Chemical chambers 79 and 89 for supplying various treatment liquids to the respective liquid processing apparatuses are provided at the lowermost ends of the third processing unit group G3 and the fourth processing unit group G4, respectively.

또한, 하나의 처리 장치군에는, 액처리 장치와 열처리 장치를 구비한 처리 장치층이 수직 방향으로 다단으로 배치되어 있어도 좋다. 예컨대 도 19에 도시된 바와 같이 제1 처리 장치군(G1)에는, 처리 장치층(L1∼L3)이 위에서부터 차례로 3단으로 배치되어 있다. 처리 장치층(L1)에는, 열처리 장치(73), 하부 반사 방지막 형성 장치(55), 레지스트 도포 장치(50)가 위에서부터 차례로 배치되어 있다. 처리 장치층(L2)에는, 열처리 장치(74), 하부 반사 방지막 형성 장치(56), 레지스트 도포 장치(51)가 위에서부터 차례로 배치되어 있다. 처리 장치층(L3)에는, 열처리 장치(75), 하부 반사 방지막 형성 장치(57), 레지스트 도포 장치(52)가 위에서부터 차례로 배치되어 있다. 이러한 경우, 제1 버퍼 장치(40)의 버퍼부(120)를 각 처리 장치층(L1∼L3)의 높이 분만큼 수직 방향으로 이동시킴으로써, 웨이퍼(W) 상에 하부 반사 방지막과 레지스트막을 형성하는 처리를 행할 수 있다. 이것에 의해, 버퍼부(120)의 수직 방향의 이동 거리를 짧게 할 수 있으므로, 웨이퍼(W)의 반송 효율을 한층 더 향상시킬 수 있어, 웨이퍼 처리의 스루풋을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 다른 처리 장치군(G2∼G5)에 대해서도 마찬가지로, 액처리 장치와 열처리 장치를 구비한 처리 장치층을 수직 방향으로 다단으로 배치하여도 좋다.In one processing apparatus group, the processing apparatus layers including the liquid processing apparatus and the heat processing apparatus may be arranged in multiple stages in the vertical direction. For example, as shown in Fig. 19, in the first processing apparatus group G1, the processing apparatus layers L1 to L3 are arranged in three stages in order from the top. A heat treatment device 73, a lower anti-reflection film forming device 55, and a resist coating device 50 are arranged in this order from the top in the treatment device layer L1. A heat treatment apparatus 74, a lower antireflection film forming apparatus 56 and a resist coating apparatus 51 are arranged in this order from the top in the processing apparatus layer L2. A heat treatment apparatus 75, a lower antireflection film forming apparatus 57 and a resist coating apparatus 52 are arranged in this order from the top in the treatment apparatus layer L3. In this case, the lower anti-reflection film and the resist film are formed on the wafer W by moving the buffer unit 120 of the first buffer device 40 in the vertical direction by the height of each processing device layer L1 to L3 Processing can be performed. As a result, the moving distance of the buffer unit 120 in the vertical direction can be shortened, so that the transport efficiency of the wafer W can be further improved, and the throughput of the wafer processing can be further improved. Similarly, with respect to the other processing apparatus groups G2 to G5, the processing apparatus layers including the liquid processing apparatus and the heat processing apparatus may be arranged in multiple stages in the vertical direction.

이상의 실시형태에서는, 처리 스테이션(11)에 2개의 버퍼 장치(40, 41)를 배치하였지만, 처리 장치의 수는 임의로 선택할 수 있다.In the above embodiment, two buffer units 40 and 41 are disposed in the processing station 11, but the number of processing units can be arbitrarily selected.

예컨대 도 20에 도시된 바와 같이 처리 스테이션(11)에, 하나의 버퍼 장치(200)를 배치하여도 좋다. 버퍼 장치(200)의 주위에는, 제1∼제5 처리 장치군(G1∼G5) 및 웨이퍼 반송 장치(31)가 버퍼 장치(200)를 중심으로 하는 원주 상에 등간격으로 배치되어 있다. 또한, 제1∼제5 처리 장치군(G1∼G5) 사이에는, 각 액처리 장치에 각종 처리액을 공급하는 케미컬실(201∼204)을 각각 배치하여도 좋다. 또한, 버퍼 장치(200)의 구성은, 전술한 제1 버퍼 장치(40)의 구성과 동일하므로, 설명을 생략한다. 이러한 경우, 웨이퍼(W)의 반송 시간을 단축시킬 수 있어, 웨이퍼 처리의 스루풋을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 도포 현상 처리 시스템(1) 전체의 점유 면적을 작게 할 수도 있다.For example, one buffer device 200 may be disposed in the processing station 11 as shown in Fig. The first to fifth processing apparatus groups G1 to G5 and the wafer transfer apparatus 31 are arranged on the circumference of the buffer apparatus 200 at regular intervals around the buffer apparatus 200. [ Between the first to fifth processing apparatus groups G1 to G5, chemical chambers 201 to 204 for supplying various processing liquids to the respective liquid processing apparatuses may be disposed, respectively. Since the configuration of the buffer device 200 is the same as that of the first buffer device 40 described above, the description is omitted. In this case, the conveyance time of the wafer W can be shortened, and the throughput of the wafer processing can be further improved. Also, the occupation area of the entire coating and developing processing system 1 can be reduced.

또한, 예컨대 처리 스테이션(11)에 3개 이상의 버퍼 장치를 배치하여도 좋다. 이것에 의해, 도포 현상 처리 시스템(1) 내에서 보다 다수의 웨이퍼(W)를 처리할 수 있다.Further, for example, three or more buffer devices may be arranged in the processing station 11. [ As a result, a greater number of wafers W can be processed in the coating and developing processing system 1.

이상의 실시형태의 제1 버퍼 장치(40)는, 도 21 및 도 22에 나타낸 바와 같이 별도의 구성의 버퍼부(210)를 갖고 있어도 좋다. 버퍼부(210)는, 측면이 개구된 원통 형상을 갖는 프레임(211)을 갖고 있다. 프레임(211)은, 원판 형상의 상부판(211a)과, 원판 형상의 바닥판(211b)과, 상부판(211a)과 바닥판(211b) 사이에 설치되어 수직 방향으로 연장하는 프레임 부재(211c)를 갖고 있다. 프레임 부재(211c는, 예컨대 상부판(211a) 및 바닥판(211b)과 동심원상에 등간격으로 3개 설치되어 있다. 프레임 부재(211c)에는, 프레임(211)의 내부를 복수로 구획하는 평판 형상 부재(212)가 수직 방향으로 미리 정해진 간격으로 복수 설치되어 있다. 평판형 부재(212)의 상면 중앙부에는, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지 부재로서의 유지핀(213)이, 예컨대 3개 설치되어 있다. 이러한 구성에 의해, 버퍼부(210)는 프레임(211)의 측면의 개구 부분으로부터 웨이퍼(W)를 반입/반출하여 보관할 수 있다. 또한, 버퍼부(210)의 아래쪽에는, 전술한 버퍼부 이동 기구(123)가 설치되어 있다.The first buffer device 40 of the above embodiment may have the buffer portion 210 of a different configuration as shown in Figs. 21 and 22. Fig. The buffer unit 210 has a frame 211 having a cylindrical shape whose side is opened. The frame 211 includes a disk-shaped top plate 211a, a disk-shaped bottom plate 211b and a frame member 211c provided between the top plate 211a and the bottom plate 211b and extending in the vertical direction ). The frame member 211c is provided with three equally spaced concentric circles with respect to the upper plate 211a and the bottom plate 211b. A plurality of holding pins 213 as holding members for holding the wafers W are provided at the center of the upper surface of the flat plate member 212 at three predetermined positions The buffer section 210 can carry the wafer W from the opening portion of the side surface of the frame 211 and store the wafer W. The buffer section 210 is provided at the bottom of the buffer section 210 with the above- A buffer portion moving mechanism 123 is provided.

이러한 경우, 버퍼부(210)는 복수의 웨이퍼(W)를 수직 방향으로 다단으로 유지하여 보관할 수 있다. 또한, 버퍼부(210)는, 수직 방향으로 이동할 수 있고, 수직 방향의 중심축 둘레로 회전할 수 있다.In this case, the buffer unit 210 can hold a plurality of wafers W in multiple stages in the vertical direction. Further, the buffer unit 210 can move in the vertical direction and rotate around the vertical axis in the vertical direction.

또한, 제2 버퍼 장치(41)나 버퍼 장치(200)에 대해서도, 전술한 버퍼부(210)를 갖고 있어도 좋다.The buffer unit 210 described above may also be provided for the second buffer unit 41 and the buffer unit 200. [

이상의 실시형태의 버퍼부(120)의 프레임(121)은, 도 23에 도시된 바와 같이 측면이 개구된 직방체 형상을 갖고 있어도 좋다. 이러한 경우, 상부판(121a) 및 바닥판(121b)은 사각 형상으로 형성되고, 프레임 부재(121c)는, 예컨대 상부판(121a) 및 바닥판(121b)의 네 구석에 설치된다. 각 프레임 부재(121c)에는, 웨이퍼(W)를 유지하기 위한 유지 부재(122)가 미리 정해진 간격으로 복수 설치된다. 이러한 구성에 의해, 버퍼부(120)는, 프레임(121)의 측면의 개구 부분으로부터 웨이퍼(W)를 반입/반출하여 보관할 수 있다. 또한, 버퍼부(210)에 대해서도 마찬가지로, 직방체 형상의 프레임(211)을 갖고 있어도 좋다.The frame 121 of the buffer unit 120 of the above embodiment may have a rectangular parallelepiped shape whose side faces are opened as shown in Fig. In this case, the top plate 121a and the bottom plate 121b are formed in a rectangular shape, and the frame member 121c is installed at four corners of the top plate 121a and the bottom plate 121b, for example. In each frame member 121c, a plurality of holding members 122 for holding the wafers W are provided at predetermined intervals. With such a configuration, the buffer unit 120 can carry the wafer W from the opening portion of the side surface of the frame 121 and carry it out / store it. The buffer unit 210 may also have a frame 211 in the form of a rectangular parallelepiped.

또한, 이상의 실시형태의 제1 버퍼 장치(40)는, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이 별도의 구성의 버퍼부(220)를 갖고 있어도 좋다. 버퍼부(220)는 수직 방향으로 연장하는 지지 부재(221)를 갖고 있다. 지지 부재(221)는, 예컨대 원판 형상의 바닥판(222)에 지지되어 있다. 지지 부재(221)에는 부재(223)를 개재시켜 지지판(224)이 수직 방향으로 미리 정해진 간격으로 복수 설치되어 있다. 각 지지판(224)의 상면 중앙부에는, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지 부재로서의 유지핀(225)이, 예컨대 3개 설치되어 있다. 또한, 버퍼부(220)의 아래쪽에는, 전술한 버퍼부 이동 기구(123)가 설치되어 있다.In addition, the first buffer device 40 of the above-described embodiment may have the buffer portion 220 of a different configuration as shown in Figs. 24 and 25. Fig. The buffer unit 220 has a support member 221 extending in the vertical direction. The support member 221 is supported by, for example, a disk-shaped bottom plate 222. A plurality of support plates 224 are provided in the support member 221 at predetermined intervals in the vertical direction with a member 223 interposed therebetween. At the center of the upper surface of each support plate 224, for example, three holding pins 225 as holding members for holding the wafers W are provided. Below the buffer unit 220, the above-described buffer unit moving mechanism 123 is provided.

이러한 경우, 버퍼부(220)는 복수의 웨이퍼(W)를 수직 방향으로 다단으로 유지하여 보관할 수 있다. 또한, 버퍼부(220)는 수직 방향으로 이동할 수 있고, 수직 방향의 중심축 둘레로 회전할 수 있다.In this case, the buffer unit 220 can hold a plurality of wafers W in multiple stages in the vertical direction. Also, the buffer unit 220 can move in the vertical direction and rotate around the vertical axis in the vertical direction.

또한, 제2 버퍼 장치(41)나 버퍼 장치(200)에 대해서도, 전술한 버퍼부(220)를 갖고 있어도 좋다.The buffer unit 220 may be provided for the second buffer unit 41 and the buffer unit 200 as well.

이상의 실시형태의 열처리 장치(73)는, 하나의 웨이퍼 반송 기구(190)를 갖고 있었지만, 복수의 웨이퍼 반송 기구(190)를 갖고 있어도 좋다. 예컨대 도 26에 도시된 바와 같이, 2개의 웨이퍼 반송 기구(190, 190)가 수직 방향으로 배열되어 설치된다. 이러한 경우, 예컨대 하나의 반송 기구(190)에 의해 반송된 웨이퍼(W)에 열처리가 행해진 후, 곧 다른 반송 기구(190)에 의해 반송된 웨이퍼(W)에 열처리를 행할 수 있다. 따라서, 웨이퍼 처리의 스루풋을 더욱 향상시킬 수 있다.The heat treatment apparatus 73 of the above embodiment has one wafer transport mechanism 190, but may have a plurality of wafer transport mechanisms 190. [ For example, as shown in Fig. 26, two wafer transport mechanisms 190 and 190 are arranged in the vertical direction. In this case, for example, after the wafer W transported by one transport mechanism 190 is subjected to the heat treatment, the wafer W transported by the other transport mechanism 190 can be heat-treated. Therefore, it is possible to further improve the throughput of the wafer processing.

또한, 레지스트 도포 장치(50)에 대해서도, 마찬가지로 복수의 웨이퍼 반송 기구(150)를 갖고 있어도 좋다.The resist coating apparatus 50 may also have a plurality of wafer transport mechanisms 150 similarly.

이상의 실시형태의 레지스트 도포 장치(50)는, 도 27 및 도 28에 도시된 바와 같이 별도의 구성의 웨이퍼 반송 기구(230)를 갖고 있어도 좋다. 웨이퍼 반송 기구(230)는, 웨이퍼(W)를 유지하여 반송하는 다관절 형상의 반송 아암(231)을, 예컨대 2개 갖고 있다. 각 반송 아암(231)은, 복수, 예컨대 4개의 아암부(232)를 갖고 있다. 하나의 아암부(232)는, 그 단부(端部)에 있어서 다른 아암부(232)에 자유자재로 굴곡시킬 수 있도록 연결되어 있다. 각 아암부(232) 사이에는 동력이 전달되고, 반송 아암(231)은 굽혀 연장되고 선회 가능하게 되어 있다. 선단의 아암부(232a)에는, 웨이퍼(W)의 이면을 흡착하여 수평으로 유지하는 유지부로서의 흡착 패드(233)가 설치되어 있다.The resist coating apparatus 50 of the above embodiment may have the wafer transport mechanism 230 of a different structure as shown in Figs. 27 and 28. Fig. The wafer transfer mechanism 230 has, for example, two multi-joint transfer arms 231 for holding and transferring the wafers W. Each of the transport arms 231 has a plurality of, for example, four arm portions 232. One arm portion 232 is connected to the other arm portion 232 so as to freely bend at the end portion thereof. Power is transmitted between the arm portions 232, and the carrier arm 231 is bent and elongated and is pivotable. The arm portion 232a at the tip end is provided with a suction pad 233 as a holding portion for holding the back surface of the wafer W horizontally by suction.

기단의 아암부(232b)의 하면에는, 아암 이동 기구(234)가 설치되어 있다. 아암 이동 기구(234)는, 아암부(232b)를 지지하는 샤프트(235)와, 샤프트(235)의 아래쪽에 설치되며, 예컨대 모터(도시하지 않음) 등을 내장한 구동 기구(236)를 갖고 있다. 이 아암 이동 기구(234)에 의해 반송 아암(231)은 수직 방향으로 이동할 수 있다. 그리고, 반송 아암(231)은, 웨이퍼(W)를 유지한 상태로 제1 버퍼 장치(40)와 레지스트 도포 장치(50) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.An arm moving mechanism 234 is provided on the lower surface of the base arm portion 232b. The arm moving mechanism 234 includes a shaft 235 for supporting the arm portion 232b and a driving mechanism 236 provided below the shaft 235 and incorporating a motor have. By this arm moving mechanism 234, the carrying arm 231 can move in the vertical direction. The transfer arm 231 can transfer the wafer W between the first buffer device 40 and the resist coating device 50 while holding the wafer W. [

또한, 반송 아암(231)의 수는 본 실시형태에 한정되지 않고 임의로 선택할 수 있다.The number of the transfer arms 231 is not limited to the present embodiment, and can be arbitrarily selected.

이상의 실시형태에서는, 레지스트 도포 장치(50) 등의 액처리 장치에 웨이퍼 반송 기구(150, 230)를 설치하고, 열처리 장치(73) 등의 열처리 장치에 웨이퍼 반송 기구(190)를 설치하고 있었지만, 액처리 장치에 웨이퍼 반송 기구(190)를 설치하고, 열처리 장치에 웨이퍼 반송 기구(150, 230)를 설치하여도 좋다.Although the wafer transport mechanisms 150 and 230 are provided in the liquid processing apparatus such as the resist coating apparatus 50 and the wafer transport mechanism 190 is provided in the thermal processing apparatus such as the thermal processing apparatus 73, The wafer transfer mechanism 190 may be provided in the liquid processing apparatus and the wafer transfer mechanisms 150 and 230 may be provided in the thermal processing apparatus.

이상의 실시형태에서는, 제5 처리 장치군(G5)에는 웨이퍼(W)의 열처리를 행하는 열처리 장치(90∼98)만이 배치되어 있지만, 제2 버퍼 장치(41)와 웨이퍼 반송 장치(100) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 전달 장치를 설치하여도 좋다. 이러한 경우, 예컨대 열처리 장치(90)가 인터페이스 스테이션(13)에 설치된다. 그리고, 웨이퍼(W) 상에 상부 반사 방지막을 형성한 후, 웨이퍼(W)가 전달 장치를 통해 인터페이스 스테이션(13)의 열처리 장치(90)로 반송되어, 주변 노광 처리 전의 웨이퍼(W)의 온도 조절이 행해진다.In the above embodiment, only the heat treatment apparatuses 90 to 98 for performing the heat treatment of the wafer W are disposed in the fifth processing apparatus group G5, but only the heat treatment apparatuses 90 to 98 are provided between the second buffer apparatus 41 and the wafer transfer apparatus 100 A transfer device for transferring the wafer W may be provided. In this case, for example, a heat treatment apparatus 90 is installed in the interface station 13. After the upper antireflection film is formed on the wafer W, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 90 of the interface station 13 through the transfer device, and the temperature of the wafer W before the peripheral exposure processing Adjustments are made.

또한, 인터페이스 스테이션(13)에 설치되어 있던 주변 노광 장치(102)를 제5 처리 장치군(G5)에 설치하여도 좋다.The peripheral exposure apparatus 102 provided in the interface station 13 may be provided in the fifth processing unit group G5.

이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시형태에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허청구범위에 기재된 사상의 범주 내에서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 분명하고, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다. 본 발명은 이 예에 한정되지 않고 여러 가지 양태를 채용할 수 있는 것이다. 본 발명은, 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용 마스크 레티클 등의 다른 기판인 경우에도 적용할 수 있다.While the preferred embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to these examples. It will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. The present invention is not limited to this example and various aspects can be employed. The present invention can also be applied to the case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer, a mask reticle for a photomask, or the like.

본 발명은, 예컨대 반도체 웨이퍼 등의 기판의 처리 시스템에 유용하다.The present invention is useful for a processing system of a substrate such as a semiconductor wafer.

1 : 도포 현상 처리 시스템 10 : 카세트 스테이션
11 : 처리 스테이션 13 : 인터페이스 스테이션
20 : 카세트 배치대 31 : 웨이퍼 반송 장치
40 : 제1 버퍼 장치 41 : 제2 버퍼 장치
42 : 웨이퍼 반송 장치 50∼54 : 레지스트 도포 장치
55∼58 : 하부 반사 방지막 형성 장치 60∼64 : 현상 처리 장치
65∼68 : 상부 반사 방지막 형성 장치 70∼72 : 접착 장치
73∼78, 80∼88, 90∼98 : 열처리 장치 120 : 버퍼부
121 : 프레임 122 : 유지 부재
123 : 버퍼부 이동 기구 150 : 웨이퍼 반송 기구
151 : 반송 아암 152 : 아암부
154 : 흡착 패드 155 : 아암 이동 기구
190 : 웨이퍼 반송 기구 191 : 반송 아암
192 : 아암부 194 : 유지부
195 : 아암 이동 기구 C : 카세트
G1∼G5 : 제1∼제5 처리 장치군 W : 웨이퍼1: coating development processing system 10: cassette station
11: processing station 13: interface station
20: cassette arrangement 31: wafer transfer device
40: first buffer device 41: second buffer device
42: Wafer transferring devices 50 to 54: Resist coating device
55 to 58: Lower anti-reflection film forming apparatus 60 to 64:
65 to 68: upper antireflection film forming apparatus 70 to 72: bonding apparatus
73 to 78, 80 to 88, 90 to 98: heat treatment apparatus 120:
121: frame 122: retaining member
123: buffer unit transfer mechanism 150: wafer transfer mechanism
151: transfer arm 152: arm arm
154: absorption pad 155: arm moving mechanism
190: wafer carrier mechanism 191: carrier arm
192: arm portion 194: retaining portion
195: arm moving mechanism C: cassette
G1 to G5: First to fifth processing unit groups W:

Claims (20)

기판을 수용하는 카세트와의 사이에서 기판의 전달을 행하는 카세트 스테이션과,
상기 카세트 스테이션에 인접하여 배치되고, 기판에 정해진 처리를 행하는 처리 장치를 수직 방향으로 다단으로 배치한 복수의 처리 장치군을 구비하는 처리 스테이션과,
상기 처리 스테이션에서 처리된 기판을 노광 장치에 전달하고, 노광 처리 후의 기판을 상기 처리 스테이션에 전달하는 인터페이스 스테이션
을 구비하고,
기판에 레지스트막을 형성하고 노광 처리된 기판을 현상 처리하여 패턴을 형성하는 기판의 처리 시스템으로서,
상기 처리 스테이션의 복수의 처리 장치군은, 기판에 정해진 액체를 공급하여 처리를 행하는 액처리 장치가 수직 방향으로 다단으로 배치된 액처리 장치군과, 기판에 정해진 온도로 열처리를 행하는 열처리 장치가 수직 방향으로 다단으로 배치된 열처리 장치군을 가지며,
상기 처리 스테이션은, 상기 액처리 장치군과 상기 열처리 장치군 사이에 배치되고, 복수의 기판을 수직 방향으로 다단으로 유치(留置)하는 2기(基)의 버퍼부와, 상기 각 버퍼부를 수직 방향으로 이동시키는 버퍼부 이동 기구와, 상기 2기의 버퍼부 사이에서 기판을 반송하는 반송 장치를 가지고,
각 처리 장치는, 상기 처리 장치와 상기 버퍼부 사이에서 기판을 반송하는 반송 기구를 가지고,
상기 반송 장치는, 상기 2기의 버퍼부 사이에서 한번에 복수의 기판을 반송하기 위해, 기판을 유지하는 아암체를 복수 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. A cassette station for transferring the substrate between the cassette and the cassette accommodating the substrate,
A processing station disposed adjacent to the cassette station and including a plurality of processing apparatuses arranged in a plurality of stages in a vertical direction,
An interface station for transferring the substrate processed at the processing station to the exposure apparatus, and for transferring the substrate after the exposure processing to the processing station
And,
There is provided a processing system for a substrate on which a resist film is formed on a substrate and a substrate subjected to exposure processing is subjected to development processing to form a pattern,
Wherein the plurality of processing apparatus groups of the processing station includes a liquid processing apparatus group in which liquid processing apparatuses for supplying a predetermined liquid to a substrate and performing processing are arranged in multiple stages in a vertical direction and a heat processing apparatus for performing heat processing at a predetermined temperature, And a plurality of groups of heat treatment apparatuses arranged in a plurality of stages in a direction
Wherein the processing station comprises a second buffer unit disposed between the group of the liquid processing apparatuses and the group of heat treatment apparatuses and configured to hold a plurality of substrates in multiple stages in a vertical direction, And a transfer device for transferring the substrate between the two buffer units,
Each processing apparatus has a transport mechanism for transporting the substrate between the processing apparatus and the buffer section,
Wherein the transfer device has a plurality of arm members for holding a substrate for transferring a plurality of substrates at a time between the two buffer units. 제1항에 있어서, 상기 버퍼부 이동 기구는, 상기 버퍼부의 수직 방향의 중심축 둘레로 상기 버퍼부를 회전시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. 2. The substrate processing system according to claim 1, wherein the buffer unit moving mechanism rotates the buffer unit about the vertical center axis of the buffer unit. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 카세트를 기판 처리 시스템의 외부와의 사이에서 반입 반출할 때에 배치하는 카세트 배치부와,
상기 카세트 배치부와 상기 버퍼부 사이에서 기판을 반송하는 다른 반송 장치
를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. The cassette dispensing apparatus according to claim 1 or 2, further comprising: a cassette arranging unit for arranging the cassette when carrying the cassette to and from the outside of the substrate processing system;
And a transfer unit for transferring the substrate between the cassette arrangement unit and the buffer unit
And the substrate processing system. 제3항에 있어서, 상기 다른 반송 장치는, 복수의 기판을 유지할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. The substrate processing system according to claim 3, wherein the other transport apparatus is capable of holding a plurality of substrates. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 버퍼부는 내부에 기판을 보관하는 프레임과, 상기 프레임에서 수직 방향으로 정해진 간격으로 복수 설치되고, 기판을 유지하는 유지 부재를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. The substrate processing system according to claim 1 or 2, wherein the buffer unit has a frame for storing a substrate therein, and a plurality of holding members for holding the substrate, the holding units being provided at a plurality of spaced intervals in the vertical direction in the frame . 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 버퍼부는, 내부에 기판을 보관하는 프레임과, 상기 프레임에서 수직 방향으로 정해진 간격으로 복수 설치되고, 상기 프레임의 내부를 복수로 구획하는 평판 형상 부재와, 상기 평판 형상 부재의 상면에 설치되고, 기판을 유지하는 유지 부재를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. The image forming apparatus according to claim 1 or 2, wherein the buffer unit comprises: a frame for storing a substrate therein; a plurality of flat plate members arranged at a predetermined interval in a vertical direction in the frame, And a holding member provided on an upper surface of the flat plate member for holding the substrate. 제5항에 있어서, 상기 프레임은, 측면이 개구된 원통 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. 6. The substrate processing system according to claim 5, wherein the frame has a cylindrical shape whose side is opened. 제5항에 있어서, 상기 프레임은 측면이 개구된 직방체 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. 6. The substrate processing system according to claim 5, wherein the frame has a rectangular parallelepiped shape with its side surface opened. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 버퍼부는, 수직 방향으로 연장하는 지지 부재와, 상기 지지 부재에서 수직 방향으로 정해진 간격으로 설치되고, 기판을 유지하는 유지 부재를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. 3. The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the buffer section comprises: a support member extending in the vertical direction; and a holding member provided at a predetermined interval in the vertical direction in the support member, system. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반송 기구는, 한 쌍의 아암부와, 상기 아암부에 설치되고, 기판을 유지하는 유지부를 구비한 반송 아암과, 상기 한 쌍의 아암부의 간격을 조정하고, 상기 반송 아암을 수평 방향으로 이동시키는 아암 이동 기구를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. The apparatus according to claim 1 or 2, wherein the transport mechanism comprises: a pair of arm portions; a transport arm provided on the arm portions and having a holding portion for holding the substrate; And an arm moving mechanism for moving the transfer arm in a horizontal direction. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반송 기구는 기판의 외주에 적합한 형상을 갖는 아암부와, 상기 아암부에 설치되고 기판을 유지하는 유지부를 구비한 반송 아암과, 상기 반송 아암을 수평 방향으로 이동시키는 아암 이동 기구를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. The apparatus according to claim 1 or 2, wherein the transport mechanism comprises: a transport arm having an arm portion having a shape suitable for the outer periphery of the substrate; and a holding portion provided on the arm portion and holding the substrate; The substrate processing apparatus comprising: 제10항에 있어서, 상기 아암 이동 기구는, 상기 반송 아암을 수직 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. 11. The substrate processing system according to claim 10, wherein the arm moving mechanism moves the transfer arm in a vertical direction. 제10항에 있어서, 상기 반송 기구는, 상기 반송 아암을 복수 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.The substrate processing system according to claim 10, wherein the transport mechanism has a plurality of the transport arms. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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