JP2010182913A - Substrate processing system - Google Patents

Substrate processing system Download PDF

Info

Publication number
JP2010182913A
JP2010182913A JP2009025719A JP2009025719A JP2010182913A JP 2010182913 A JP2010182913 A JP 2010182913A JP 2009025719 A JP2009025719 A JP 2009025719A JP 2009025719 A JP2009025719 A JP 2009025719A JP 2010182913 A JP2010182913 A JP 2010182913A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
wafer
arm
processing system
transfer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009025719A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4880004B2 (en
Inventor
Tomohiro Kaneko
知広 金子
Yoshitaka Asakawa
孔貴 浅川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2009025719A priority Critical patent/JP4880004B2/en
Priority to KR1020100010040A priority patent/KR101452543B1/en
Publication of JP2010182913A publication Critical patent/JP2010182913A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4880004B2 publication Critical patent/JP4880004B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706Mechanical details, e.g. roller, belt
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70758Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/6773Conveying cassettes, containers or carriers

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To increase throughput of substrate processing by efficiently carrying substrates. <P>SOLUTION: An application development processing system 1 includes a first buffer device 40 and a second buffer device 41. Each of the first and second buffer devices 40, 41 has a buffer part for vertically holding a plurality of wafers in multiple stages to temporarily store the wafers, and a buffer portion moving mechanism for vertically moving and rotating the buffer portion. A first processor group G1 and a third processor group G3 are disposed around the first buffer device 40 and a second processor group G2, a fourth processor group G4 and a fifth processor group G5 are disposed around the second buffer device 41. Each processor in the first to fifth processor groups G1-G5 includes a wafer carrying mechanism for carrying the wafer between the processor and the first buffer device 40 or the second buffer device 41. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板の処理システムに関する。   The present invention relates to a processing system for a substrate such as a semiconductor wafer.

例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー処理では、例えば半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という。)上にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理等の各種処理が行われている。   For example, in a photolithography process in a semiconductor device manufacturing process, for example, a resist coating process for applying a resist solution on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) to form a resist film, and exposure for exposing a predetermined pattern on the resist film Various kinds of processing such as processing and development processing for developing the exposed resist film are performed.

これらの一連の処理は、通常、塗布現像処理システムを用いて行われる。塗布現像処理システムは、例えばカセット単位でウェハを搬入出するためのカセットステーションと、各種処理を行う複数の処理装置が配置された処理ステーションと、隣接する露光装置と処理ステーションとの間でウェハの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション等を有している。   A series of these processes is usually performed using a coating and developing processing system. For example, the coating and developing processing system includes a cassette station for loading and unloading wafers in units of cassettes, a processing station in which a plurality of processing apparatuses for performing various processes are arranged, and a wafer between an adjacent exposure apparatus and processing station. It has an interface station for delivery.

処理ステーションには、基板を搬送する搬送装置と、搬送装置の周囲に設けられ、複数の処理装置が鉛直方向に多段に配置された処理装置群と、が設けられている。搬送装置には、ウェハを保持して搬送する1基のウェハ搬送体が設けられ、ウェハ搬送体は、鉛直方向及び水平方向に移動可能であると共に、回転できるように構成されている。そして、ウェハ搬送体は、ウェハを各処理装置に搬送することができる(特許文献1)。   The processing station includes a transport device that transports the substrate and a processing device group that is provided around the transport device and in which a plurality of processing devices are arranged in multiple stages in the vertical direction. The transfer apparatus is provided with one wafer transfer body that holds and transfers the wafer, and the wafer transfer body is configured to be movable in the vertical direction and the horizontal direction and to be rotatable. And the wafer conveyance body can convey a wafer to each processing apparatus (patent document 1).

特開2001−189368号公報JP 2001-189368 A

ところで、この塗布現像処理システムを用いてウェハに一連の処理を行う場合、ウェハ処理のスループットを向上させるために、各処理装置へのウェハの搬送を効率よく行うことが要求されている。   Incidentally, when a series of processing is performed on a wafer using this coating and developing processing system, it is required to efficiently transport the wafer to each processing apparatus in order to improve the throughput of the wafer processing.

しかしながら、従来のように1基のウェハ搬送体のみを有する搬送装置を用いた場合、各処理装置へのウェハの搬送効率が悪い場合がある。例えば複数の処理装置でウェハの処理が同時に終了すると、処理装置では搬送装置によるウェハの搬出を待たなければならい。また、例えば搬送装置が一の処理装置にウェハを搬送中には、他の処理装置がウェハを処理できる状態になっていても、当該他の処理装置ではウェハの搬入を待たなければならない。しかも、ウェハ搬送体の動作を高速化するにも技術的な限界がある。したがって、ウェハ処理のスループットを向上させるには至らなかった。   However, when a transfer apparatus having only one wafer transfer body is used as in the prior art, the transfer efficiency of wafers to each processing apparatus may be poor. For example, when processing of a wafer is simultaneously completed by a plurality of processing apparatuses, the processing apparatus must wait for the wafer to be carried out by the transfer apparatus. Further, for example, while the transfer device is transferring a wafer to one processing device, the other processing device must wait for the wafer to be loaded even if the other processing device is ready to process the wafer. In addition, there is a technical limit to speeding up the operation of the wafer carrier. Therefore, the throughput of wafer processing has not been improved.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板の搬送を効率よく行い、基板処理のスループットを向上させることを目的とする。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is that it efficiently transports a substrate and improves the throughput of substrate processing.

前記の目的を達成するため、本発明は、基板の処理システムであって、複数の基板を鉛直方向に多段に留置するバッファ部と、前記バッファ部を鉛直方向に移動させるバッファ部移動機構と、基板に所定の処理を行う処理装置が鉛直方向に多段に配置された処理装置群と、を有し、前記処理装置群は、前記バッファ部の近傍に複数配置され、前記処理装置は、当該処理装置と前記バッファ部との間で基板を搬送する搬送機構を有することを特徴としている。   In order to achieve the above object, the present invention is a substrate processing system, a buffer unit for placing a plurality of substrates in multiple stages in the vertical direction, a buffer unit moving mechanism for moving the buffer unit in the vertical direction, And a plurality of processing devices arranged in multiple stages in the vertical direction. The processing devices are arranged in the vicinity of the buffer unit, and the processing devices It has a conveyance mechanism which conveys a board | substrate between an apparatus and the said buffer part.

本発明によれば、各処理装置が基板を搬送する搬送機構を有しているので、各処理装置において要求されるタイミングで、当該処理装置に基板を搬入出することができる。すなわち、処理装置で基板を処理ができる状態になれば、当該処理装置の搬送機構によって、装置内に基板を迅速に搬入することができる。また、処理装置で基板の処理が終了すれば、当該処理装置の搬送機構によって、装置から基板を迅速に搬出することができる。この結果、従来のように処理装置での基板の搬送待ちが発生せず、基板の搬送効率を格段に向上させることができる。したがって、基板処理のスループットを向上させることができる。   According to the present invention, since each processing apparatus has a transport mechanism for transporting a substrate, the substrate can be carried into and out of the processing apparatus at a timing required in each processing apparatus. That is, when the substrate can be processed by the processing apparatus, the substrate can be quickly carried into the apparatus by the transport mechanism of the processing apparatus. Further, when the processing of the substrate is completed in the processing apparatus, the substrate can be quickly unloaded from the apparatus by the transport mechanism of the processing apparatus. As a result, the substrate transfer waiting in the processing apparatus does not occur as in the conventional case, and the substrate transfer efficiency can be significantly improved. Therefore, the throughput of substrate processing can be improved.

また、バッファ部はバッファ部移動機構によって鉛直方向に移動できるので、各処理装置の搬送機構はバッファ部の所定の位置の基板にアクセスすることができる。これによって、基板がバッファ部内のどの位置に留置されていても、搬送機構は所定の基板を処理装置に搬送することができる。   Further, since the buffer unit can be moved in the vertical direction by the buffer unit moving mechanism, the transfer mechanism of each processing apparatus can access the substrate at a predetermined position of the buffer unit. As a result, the transport mechanism can transport the predetermined substrate to the processing apparatus regardless of the position of the substrate in the buffer unit.

前記バッファ部移動機構は、前記バッファ部の鉛直方向の中心軸周りに当該バッファ部を回転させてもよい。   The buffer unit moving mechanism may rotate the buffer unit around a central axis in the vertical direction of the buffer unit.

前記バッファ部は、複数個所に設けられ、前記バッファ部間には、当該バッファ部間で基板を搬送する搬送装置が配置されていてもよい。   The buffer unit may be provided at a plurality of locations, and a transfer device for transferring the substrate between the buffer units may be disposed between the buffer units.

前記搬送装置は、複数の基板を保持可能に構成されていてもよい。   The transport device may be configured to hold a plurality of substrates.

前記基板処理システムは、複数の基板を収容するカセットを基板処理システムの外部との間で搬入出する際に載置するカセット載置部と、前記カセット載置部と前記バッファ部との間で基板を搬送する他の搬送装置と、を有していてもよい。   The substrate processing system includes: a cassette mounting unit that mounts a cassette containing a plurality of substrates when the cassette is carried in and out of the substrate processing system; and the cassette mounting unit between the cassette mounting unit and the buffer unit. You may have the other conveying apparatus which conveys a board | substrate.

前記他の搬送装置は、複数の基板を保持可能に構成されていてもよい。   The other transfer device may be configured to hold a plurality of substrates.

前記複数の処理装置群は、基板に所定の液体を供給して処理を行う液処理装置が鉛直方向に多段に配置された液処理装置群と、基板に所定の温度で熱処理を行う熱処理装置が鉛直方向に多段に配置された熱処理装置群と、を有していてもよい。   The plurality of processing apparatus groups include a liquid processing apparatus group in which liquid processing apparatuses that perform processing by supplying a predetermined liquid to a substrate are arranged in multiple stages, and a heat processing apparatus that performs heat processing on the substrate at a predetermined temperature. A heat treatment apparatus group arranged in multiple stages in the vertical direction.

前記複数の処理装置群は、基板に所定の液体を供給して処理を行う液処理装置と、基板に所定の温度で熱処理を行う熱処理装置とが鉛直方向に多段に配置された処理装置群を有していてもよい。   The plurality of processing apparatus groups include a processing apparatus group in which a liquid processing apparatus that supplies a predetermined liquid to a substrate and performs processing and a heat processing apparatus that performs heat processing on the substrate at a predetermined temperature are arranged in multiple stages in the vertical direction. You may have.

一の前記処理装置群には、前記液処理装置と前記熱処理装置とを備えた処理装置層が鉛直方向に多段に配置されていてもよい。   In one processing apparatus group, processing apparatus layers including the liquid processing apparatus and the heat treatment apparatus may be arranged in multiple stages in the vertical direction.

前記バッファ部は、内部に基板を保管するフレームと、前記フレームにおいて鉛直方向に所定の間隔で複数設けられ、基板を保持する保持部材と、を有していてもよい。   The buffer unit may include a frame for storing the substrate therein, and a plurality of holding members that are provided at predetermined intervals in the vertical direction in the frame and hold the substrate.

前記バッファ部は、内部に基板を保管するフレームと、前記フレームにおいて鉛直方向に所定の間隔で複数設けられ、当該フレームの内部を複数に区画する平板状部材と、前記平板状部材の上面に設けられ、基板を保持する保持部材と、を有していてもよい。   The buffer unit includes a frame for storing a substrate therein, a plurality of flat members provided at predetermined intervals in the vertical direction in the frame, and a plurality of flat members that divide the inside of the frame into a plurality of members, and an upper surface of the flat member. And a holding member that holds the substrate.

前記フレームは、側面が開口した円筒形状を有していてもよく、また側面が開口した直方体形状を有していてもよい。   The frame may have a cylindrical shape with open side surfaces, or may have a rectangular parallelepiped shape with open side surfaces.

前記バッファ部は、鉛直方向に延伸する支持部材と、前記支持部材において鉛直方向に所定の間隔で設けられ、基板を保持する保持部材と、を有していてもよい。   The buffer unit may include a support member extending in a vertical direction and a holding member that is provided at a predetermined interval in the vertical direction in the support member and holds a substrate.

前記搬送機構は、一対のアーム部と、前記アーム部に設けられ、基板を保持する保持部とを備えた搬送アームと、前記一対のアーム部の間隔を調整すると共に、前記搬送アームを水平方向に移動させるアーム移動機構と、を有していてもよい。   The transfer mechanism adjusts the distance between the pair of arm portions, a transfer arm provided on the arm portions and a holding portion that holds the substrate, and the pair of arm portions, and moves the transfer arms in the horizontal direction. And an arm moving mechanism for moving the arm.

前記搬送機構は、基板の外周に適合する形状を有するアーム部と、前記アーム部に設けられ、基板を保持する保持部と、を備えた搬送アームと、前記搬送アームを水平方向に移動させるアーム移動機構と、を有していてもよい。   The transfer mechanism includes a transfer arm including an arm portion having a shape that fits an outer periphery of the substrate, a holding portion that is provided in the arm portion and holds the substrate, and an arm that moves the transfer arm in a horizontal direction. And a moving mechanism.

前記アーム移動機構は、前記搬送アームを鉛直方向に移動させてもよい。   The arm moving mechanism may move the transfer arm in a vertical direction.

前記搬送機構は、基板を保持して搬送する搬送アームを有し、前記搬送アームは、屈曲自在に連結された複数のアーム部と、先端の前記アーム部に設けられ、基板を保持する保持部と、を有していてもよい。   The transport mechanism includes a transport arm that holds and transports the substrate, and the transport arm is provided in a plurality of arm portions that are flexibly connected to each other, and a holding portion that is provided in the arm portion at the tip and holds the substrate. And may have.

前記搬送機構は、前記搬送アームを鉛直方向に移動させるアーム移動機構を有していてもよい。   The transport mechanism may include an arm moving mechanism that moves the transport arm in a vertical direction.

前記搬送機構は、前記搬送アームを複数有していてもよい。   The transport mechanism may include a plurality of the transport arms.

本発明によれば、基板の搬送を効率よく行い、基板処理のスループットを向上させることができる。   According to the present invention, it is possible to efficiently transport a substrate and improve the throughput of substrate processing.

本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of the internal structure of the coating and developing treatment system concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of the internal structure of the coating and developing treatment system concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of the internal structure of the coating and developing treatment system concerning this Embodiment. ウェハ搬送装置の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of a wafer conveyance apparatus. ウェハ搬送装置の構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of a wafer conveyance apparatus. 第1のバッファ装置の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of a 1st buffer apparatus. 第1のバッファ装置の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of a 1st buffer apparatus. 第1のバッファ装置と第1の処理装置群及び第3の処理装置群の配置を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows arrangement | positioning of a 1st buffer apparatus, a 1st processing apparatus group, and a 3rd processing apparatus group. レジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of a resist coating apparatus. レジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a resist coating device. レジスト塗布装置のウェハ搬送機構がウェハを搬送する様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the wafer conveyance mechanism of a resist coating apparatus conveys a wafer. 熱処理装置の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of the heat processing apparatus. 熱処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the heat processing apparatus. 第5の処理装置群の熱処理装置の配置を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows arrangement | positioning of the heat processing apparatus of a 5th processing apparatus group. 第5の処理装置群の熱処理装置の配置を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows arrangement | positioning of the heat processing apparatus of a 5th processing apparatus group. ウェハ処理の各工程を示したフローチャートである。It is the flowchart which showed each process of wafer processing. 他の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of the internal structure of the coating and developing treatment system concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of the internal structure of the coating and developing treatment system concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる第1の処理装置群の処理装置の配置を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows arrangement | positioning of the processing apparatus of the 1st processing apparatus group concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of the internal structure of the coating and developing treatment system concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる第1のバッファ装置の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of the 1st buffer apparatus concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる第1のバッファ装置の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of the 1st buffer apparatus concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる第1のバッファ装置の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of the 1st buffer apparatus concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる第1のバッファ装置の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of the 1st buffer apparatus concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる第1のバッファ装置の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of the 1st buffer apparatus concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる熱処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the heat processing apparatus concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかるレジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of the resist coating apparatus concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかるレジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the resist coating apparatus concerning other embodiment.

以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は本実施の形態にかかる基板処理システムとしての塗布現像処理システム1の内部構成の概略を示す平面図である。また、図2及び図3は、塗布現像処理システム1の内部構成の概略を示す側面図である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. FIG. 1 is a plan view showing an outline of the internal configuration of a coating and developing treatment system 1 as a substrate processing system according to the present embodiment. 2 and 3 are side views showing an outline of the internal configuration of the coating and developing treatment system 1. FIG.

塗布現像処理システム1は、図1に示すように例えば外部との間でカセットCが搬入出されるカセットステーション10と、フォトリソグラフィー処理の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション11と、処理ステーション11に隣接する露光装置12との間でウェハWの受け渡しを行うインターフェイスステーション13とを一体に接続した構成を有している。   As shown in FIG. 1, the coating and developing treatment system 1 includes, for example, a cassette station 10 in which a cassette C is carried into and out of the outside, and a plurality of various processing apparatuses that perform predetermined processing in a single wafer type during photolithography processing. And an interface station 13 for transferring the wafer W between the exposure station 12 adjacent to the processing station 11 and the processing station 11 are integrally connected.

カセットステーション10には、カセット載置部としてのカセット載置台20が設けられている。カセット載置台20には、複数、例えば5つのカセット載置板21が設けられている。カセット載置板21は、水平方向のX方向(図1中の上下方向)に一列に並べて設けられている。これらのカセット載置板21には、塗布現像処理システム1の外部に対してカセットを搬入出する際に、カセットCを載置することができる。   The cassette station 10 is provided with a cassette mounting table 20 as a cassette mounting unit. A plurality of, for example, five cassette mounting plates 21 are provided on the cassette mounting table 20. The cassette mounting plates 21 are arranged in a line in the horizontal X direction (vertical direction in FIG. 1). The cassette C can be placed on these cassette placement plates 21 when the cassette is carried in and out of the coating and developing treatment system 1.

カセットステーション10には、X方向に延びる搬送路30上を移動自在な他の搬送装置としてのウェハ搬送装置31が設けられている。ウェハ搬送装置31は、鉛直方向、水平方向及び鉛直軸周りにも移動自在であり、各カセット載置板21上のカセットCと、後述する処理ステーション11の第1のバッファ装置40との間でウェハWを搬送できる。   The cassette station 10 is provided with a wafer transfer device 31 as another transfer device that can move on a transfer path 30 extending in the X direction. The wafer transfer device 31 is also movable in the vertical direction, the horizontal direction, and the vertical axis, and between the cassette C on each cassette mounting plate 21 and a first buffer device 40 of the processing station 11 described later. The wafer W can be transferred.

処理ステーション11には、例えばウェハWを一時的に保管する2つのバッファ装置40、41が設けられている。第1のバッファ装置40と第2のバッファ装置41は、カセットステーション10側から水平方向のY方向(図1中の左右方向)に順に並べて設けられている。   In the processing station 11, for example, two buffer devices 40 and 41 for temporarily storing the wafer W are provided. The first buffer device 40 and the second buffer device 41 are arranged in order from the cassette station 10 side in the horizontal Y direction (left-right direction in FIG. 1).

第1のバッファ装置40と第2のバッファ装置41の間には、搬送装置としてのウェハ搬送装置42が設けられている。ウェハ搬送装置42は、鉛直方向、水平方向及び鉛直軸周りに移動自在であり、第1のバッファ装置40と第2のバッファ装置41との間でウェハWを搬送できる。   A wafer transfer device 42 as a transfer device is provided between the first buffer device 40 and the second buffer device 41. The wafer transfer device 42 is movable in the vertical direction, the horizontal direction, and the vertical axis, and can transfer the wafer W between the first buffer device 40 and the second buffer device 41.

処理ステーション11には、各種処理装置を備えた複数、例えば5つの処理装置群G1〜G5がさらに設けられている。処理ステーション11の正面側(図1のX方向負方向側)には、カセットステーション10側から第1の処理装置群G1、第2の処理装置群G2が順に配置されている。処理ステーション11の背面側(図1のX方向正方向側)には、カセットステーション10側から第3の処理装置群G3、第4の処理装置群G4が設けられている。また、処理ステーションの11のインターフェイスステーション13側(図1のY方向正方向側)には、第5の処理装置群G5が設けられている。   The processing station 11 is further provided with a plurality of, for example, five processing device groups G1 to G5 provided with various processing devices. On the front side of the processing station 11 (X direction negative direction side in FIG. 1), the first processing device group G1 and the second processing device group G2 are sequentially arranged from the cassette station 10 side. A third processing unit group G3 and a fourth processing unit group G4 are provided from the cassette station 10 side on the back side of the processing station 11 (X direction positive direction side in FIG. 1). Further, a fifth processing unit group G5 is provided on the interface station 13 side of the processing station 11 (the Y direction positive direction side in FIG. 1).

第1の処理装置群G1と第3の処理装置群G3は、第1のバッファ装置40を挟んで対向して配置されている。第1の処理装置群G1と第3の処理装置群G3は、後述するように、各処理装置のウェハ搬送機構150、190が第1のバッファ装置40との間でウェハWを搬送できるように配置されている。また、第2の処理装置群G2と第4の処理装置群G4は、第2のバッファ装置41を挟んで対向して配置され、第5の処理装置群G5は、第2のバッファ装置41のインターフェイスステーション13側に配置されている。第2の処理装置群G2、第4の処理装置群G4及び第5の処理装置群G5は、後述するように、各処理装置のウェハ搬送機構150、190が第2のバッファ装置41との間でウェハWを搬送できるように配置されている。   The first processing device group G1 and the third processing device group G3 are arranged to face each other with the first buffer device 40 interposed therebetween. As will be described later, the first processing device group G1 and the third processing device group G3 allow the wafer transfer mechanisms 150 and 190 of each processing device to transfer the wafer W to and from the first buffer device 40. Has been placed. In addition, the second processing device group G2 and the fourth processing device group G4 are arranged to face each other with the second buffer device 41 interposed therebetween, and the fifth processing device group G5 is the second buffer device 41. It is arranged on the interface station 13 side. As will be described later, the second processing device group G2, the fourth processing device group G4, and the fifth processing device group G5 are configured so that the wafer transfer mechanisms 150 and 190 of each processing device are connected to the second buffer device 41. The wafers W are arranged so as to be transported.

第1の処理装置群G1には、図2に示すようにウェハWに所定の液体を供給して処理を行う液処理装置、例えばウェハWにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置50〜54、ウェハWのレジスト膜の下層に反射防止膜(以下、「下部反射防止膜」という)を形成する下部反射防止膜形成装置55〜58が下から順に9段に重ねて配置されている。第1の処理装置群G1の最下段には、上述した液処理装置50〜58に各種処理液を供給するためのケミカル室59が設けられている。   In the first processing unit group G1, as shown in FIG. 2, a liquid processing apparatus for supplying a predetermined liquid to the wafer W to perform processing, for example, a resist coating for applying a resist solution to the wafer W to form a resist film Lower antireflection film forming apparatuses 55 to 58 for forming an antireflection film (hereinafter referred to as “lower antireflection film”) below the resist films of the wafers 50 to 54 and the resist film of the wafer W are arranged in nine layers in order from the bottom. ing. A chemical chamber 59 for supplying various processing liquids to the liquid processing apparatuses 50 to 58 described above is provided at the lowermost stage of the first processing apparatus group G1.

第2の処理装置群G2には、液処理装置、例えばウェハWに現像液を供給して現像処理する現像処理装置60〜64、ウェハWのレジスト膜の上層に反射防止膜(以下、「上部反射防止膜」という)を形成する上部反射防止膜形成装置65〜68が下から順に9段に重ねて配置されている。第2の処理装置群G2の最下段には、上述した液処理装置60〜68に各種処理液を供給するためのケミカル室69が設けられている。   The second processing unit group G2 includes a liquid processing unit, for example, development processing units 60 to 64 for supplying a developing solution to the wafer W for development processing, an antireflection film (hereinafter referred to as “upper part” on the resist film of the wafer W) Upper anti-reflection film forming apparatuses 65 to 68 for forming an “anti-reflection film” are arranged in nine stages in order from the bottom. A chemical chamber 69 for supplying various processing liquids to the liquid processing apparatuses 60 to 68 described above is provided at the lowermost stage of the second processing apparatus group G2.

第3の処理装置群G3には、図3に示すようにウェハWを疎水化処理するアドヒージョン装置70〜72、ウェハWの熱処理を行う熱処理装置73〜78が下から順に9段に重ねて配置されている。   In the third processing unit group G3, as shown in FIG. 3, adhesion devices 70 to 72 for hydrophobizing the wafer W, and heat processing units 73 to 78 for performing heat treatment of the wafer W are arranged in nine stages in order from the bottom. Has been.

第4の処理装置群G4には、ウェハWの熱処理を行う熱処理装置80〜88が下から順に9段に重ねて配置されている。   In the fourth processing apparatus group G4, heat treatment apparatuses 80 to 88 for performing heat treatment of the wafer W are arranged in nine stages in order from the bottom.

第5の処理装置群G5には、ウェハWの熱処理を行う熱処理装置90〜98が下から順に9段に重ねて配置されている。   In the fifth processing unit group G5, thermal processing apparatuses 90 to 98 for performing thermal processing of the wafer W are arranged in nine stages in order from the bottom.

インターフェイスステーション13には、ウェハ搬送装置100、受け渡し装置101及びウェハWの外周部を露光する周辺露光装置102が設けられている。ウェハ搬送装置100は、鉛直方向、水平方向及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置100は、例えば搬送アームにウェハWを支持して、インターフェイスステーション13に隣接した露光装置12と、受け渡し装置101、周辺露光装置102及び第5の処理装置群G5との間でウェハWを搬送できる。   The interface station 13 is provided with a wafer transfer apparatus 100, a delivery apparatus 101, and a peripheral exposure apparatus 102 that exposes the outer periphery of the wafer W. The wafer transfer apparatus 100 has a transfer arm that can move around the vertical direction, the horizontal direction, and the vertical axis. The wafer transfer apparatus 100 supports, for example, the wafer W on the transfer arm, and the wafer W between the exposure apparatus 12 adjacent to the interface station 13, the transfer apparatus 101, the peripheral exposure apparatus 102, and the fifth processing apparatus group G5. Can be transported.

次に、上述したカセットステーション10のウェハ搬送装置31と処理ステーション10のウェハ搬送装置42の構成について説明する。図4は、ウェハ搬送装置31の構成の概略を示す側面図であり、図5は、ウェハ搬送装置31の構成の概略を示す平面図である。   Next, the configuration of the wafer transfer device 31 of the cassette station 10 and the wafer transfer device 42 of the processing station 10 will be described. FIG. 4 is a side view showing the outline of the configuration of the wafer transfer apparatus 31, and FIG. 5 is a plan view showing the outline of the configuration of the wafer transfer apparatus 31.

ウェハ搬送装置31は、図4に示すようにウェハWを保持して搬送する複数、例えば6本のアーム体110を有している。アーム体110は、図5に示すようにその先端が2本の先端部110a、110aに分岐している。各先端部110aには、ウェハWの裏面を吸着して水平に保持する吸着パッド111が設けられている。このような構成により、ウェハ搬送装置31は、一度に複数のウェハWを搬送することができる。なお、アーム体110の数は、本実施の形態の数に限定されず、任意に選択することができる。   As shown in FIG. 4, the wafer transfer device 31 has a plurality of, for example, six arm bodies 110 that hold and transfer the wafer W. As shown in FIG. 5, the arm body 110 has its distal end branched into two distal end portions 110 a and 110 a. Each tip 110a is provided with a suction pad 111 for sucking and holding the back surface of the wafer W horizontally. With such a configuration, the wafer transfer device 31 can transfer a plurality of wafers W at a time. The number of arm bodies 110 is not limited to the number of the present embodiment, and can be arbitrarily selected.

アーム体110は、図4に示すように支持部材112に支持されている。支持部材112の下面には、シャフト113を介して、例えばモータ(図示せず)などを内蔵した駆動機構114が設けられている。この駆動機構114によって、アーム体110は、鉛直方向及び水平方向に移動可能であり、かつ回転することができる。駆動機構114は、図1に示した搬送路30に取り付けられ、ウェハ搬送装置31は、搬送路30上を移動可能になっている。   The arm body 110 is supported by a support member 112 as shown in FIG. On the lower surface of the support member 112, for example, a drive mechanism 114 incorporating a motor (not shown) or the like is provided via a shaft 113. By this drive mechanism 114, the arm body 110 can move in the vertical direction and the horizontal direction, and can rotate. The drive mechanism 114 is attached to the transfer path 30 shown in FIG. 1, and the wafer transfer apparatus 31 is movable on the transfer path 30.

なお、処理ステーション10のウェハ搬送装置42の構成は、上述したウェハ搬送装置31の構成と同様であるので説明を省略する。かかるウェハ搬送装置42においても、アーム体110の数を任意に選択することができ、任意の枚数のウェハWを搬送することができる。   Note that the configuration of the wafer transfer device 42 of the processing station 10 is the same as the configuration of the wafer transfer device 31 described above, and thus the description thereof is omitted. Also in such a wafer transfer device 42, the number of arm bodies 110 can be arbitrarily selected, and an arbitrary number of wafers W can be transferred.

次に、上述した第1のバッファ装置40と第2のバッファ装置41の構成について説明する。図6は、第1のバッファ装置40の構成の概略を示す側面図であり、図7は、第1のバッファ装置40の構成の概略を示す横断面図である。   Next, the configuration of the first buffer device 40 and the second buffer device 41 described above will be described. FIG. 6 is a side view showing an outline of the configuration of the first buffer device 40, and FIG. 7 is a cross-sectional view showing an outline of the configuration of the first buffer device 40.

第1のバッファ装置40は、図6に示すように複数のウェハWを鉛直方向に多段に保持して保管するバッファ部120を有している。バッファ部120は、側面が開口した円筒形状のフレーム121を有している。フレーム121は、円板形状の天板121aと、円板形状の底板121bと、天板121aと底板121bとの間に設けられ、鉛直方向に延伸する枠部材121cとを有している。枠部材121cは、例えば図7に示すように天板121a及び底板121bと同心円上に等間隔に3本設けられている。各枠部材121cには、ウェハWを保持するための保持部材122が鉛直方向に所定の間隔で複数設けられている。このような構成により、バッファ部120は、フレーム121の側面の開口部分からウェハWを搬入出して保管することができる。   As shown in FIG. 6, the first buffer device 40 includes a buffer unit 120 that holds and stores a plurality of wafers W in multiple stages in the vertical direction. The buffer unit 120 has a cylindrical frame 121 whose side surface is open. The frame 121 includes a disk-shaped top plate 121a, a disk-shaped bottom plate 121b, and a frame member 121c provided between the top plate 121a and the bottom plate 121b and extending in the vertical direction. For example, as shown in FIG. 7, three frame members 121c are provided at equal intervals on a concentric circle with the top plate 121a and the bottom plate 121b. Each frame member 121c is provided with a plurality of holding members 122 for holding the wafer W at predetermined intervals in the vertical direction. With such a configuration, the buffer unit 120 can carry the wafer W in and out of the opening portion on the side surface of the frame 121 and store it.

バッファ部120の下方には、図6に示すようにバッファ部移動機構123が設けられている。バッファ部移動機構123には、底板121bの下面に設けられたシャフト124を介して、例えばモータ(図示せず)などを内蔵した駆動機構125が設けられている。このバッファ部移動機構123によって、バッファ部120は、鉛直方向に移動可能であり、鉛直方向の中心軸周りに回転することができる。そして、このようにバッファ部120が移動可能に構成されることによって、図8に示すように第1の処理装置群G1と第3の処理装置群G3内の後述する各処理装置のウェハ搬送機構150、190が、バッファ部120内の全てのウェハWに対してアクセス可能になっている。   A buffer unit moving mechanism 123 is provided below the buffer unit 120 as shown in FIG. The buffer unit moving mechanism 123 is provided with a drive mechanism 125 incorporating a motor (not shown), for example, via a shaft 124 provided on the lower surface of the bottom plate 121b. The buffer unit moving mechanism 123 allows the buffer unit 120 to move in the vertical direction and to rotate about the central axis in the vertical direction. And since the buffer unit 120 is configured to be movable in this way, as shown in FIG. 8, the wafer transfer mechanism of each processing apparatus described later in the first processing apparatus group G1 and the third processing apparatus group G3. 150 and 190 are accessible to all the wafers W in the buffer unit 120.

なお、各処理装置のウェハ搬送機構150、190がバッファ部120内の所定のウェハWに対してアクセス可能とするために、ウェハ搬送装置42によってバッファ部120内のウェハWを所定の位置に移動させてもよい。   Note that the wafer transfer mechanism 150, 190 of each processing apparatus moves the wafer W in the buffer unit 120 to a predetermined position by the wafer transfer unit 42 so that the wafer W in the buffer unit 120 can access the predetermined wafer W. You may let them.

また、第2のバッファ装置41の構成は、上述した第1のバッファ装置40の構成と同様であるので説明を省略する。   The configuration of the second buffer device 41 is the same as the configuration of the first buffer device 40 described above, and a description thereof will be omitted.

次に、上述したレジスト塗布装置50〜54の構成について説明する。図9は、レジスト塗布装置50の構成の概略を示す横断面図であり、図10は、レジスト塗布装置50の構成の概略を示す縦断面図である。   Next, the structure of the resist coating apparatuses 50 to 54 described above will be described. FIG. 9 is a cross-sectional view showing an outline of the configuration of the resist coating apparatus 50, and FIG. 10 is a vertical cross-sectional view showing an outline of the configuration of the resist coating apparatus 50.

レジスト塗布装置50は、図9に示すように内部を閉鎖可能な処理容器130を有している。処理容器130の第1のバッファ装置40に対向する側面には、ウェハWの搬入出口131が形成されている。   As shown in FIG. 9, the resist coating apparatus 50 has a processing container 130 that can be closed. A loading / unloading port 131 for the wafer W is formed on the side surface of the processing container 130 facing the first buffer device 40.

処理容器130内の中央部には、図10に示すようにウェハWを保持して回転させるスピンチャック132が設けられている。スピンチャック132は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハWを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハWをスピンチャック132上に吸着保持できる。   A spin chuck 132 for holding and rotating the wafer W is provided at the center of the processing container 130 as shown in FIG. The spin chuck 132 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking, for example, the wafer W is provided on the upper surface. By suction from the suction port, the wafer W can be sucked and held on the spin chuck 132.

スピンチャック132は、例えばモータ(図示せず)などを内蔵した駆動機構133を有し、この駆動機構133によって所定の速度に回転できる。また、駆動機構133には、シリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック132は上下動可能である。   The spin chuck 132 has a drive mechanism 133 with a built-in motor (not shown), for example, and can be rotated at a predetermined speed by the drive mechanism 133. Further, the drive mechanism 133 is provided with an elevating drive source such as a cylinder, and the spin chuck 132 can move up and down.

スピンチャック132の周囲には、ウェハWから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ134が設けられている。カップ132の下面には、回収した液体を排出する排出管135と、カップ132内の雰囲気を排気する排気管136が接続されている。   Around the spin chuck 132, there is provided a cup 134 that receives and collects the liquid scattered or dropped from the wafer W. A lower surface of the cup 132 is connected to a discharge pipe 135 that discharges the collected liquid and an exhaust pipe 136 that exhausts the atmosphere in the cup 132.

図9に示すようにカップ134のX方向負方向(図9の下方向)側には、Y方向(図9の左右方向)に沿って延伸するレール140が形成されている。レール140は、例えばカップ134のY方向負方向(図9の左方向)側の外方からY方向正方向(図9の右方向)側の外方まで形成されている。レール140には、アーム141が取り付けられている。   As shown in FIG. 9, a rail 140 extending along the Y direction (left and right direction in FIG. 9) is formed on the X direction negative direction (downward direction in FIG. 9) side of the cup 134. The rail 140 is formed, for example, from the outside of the cup 134 in the Y direction negative direction (left direction in FIG. 9) to the outside in the Y direction positive direction (right direction in FIG. 9). An arm 141 is attached to the rail 140.

アーム141には、レジスト液を吐出する塗布ノズル142が支持されている。アーム141は、ノズル駆動部143により、レール140上を移動自在である。また、アーム141は、ノズル駆動部143によって昇降自在であり、塗布ノズル142の高さを調節できる。   A coating nozzle 142 that discharges a resist solution is supported on the arm 141. The arm 141 is movable on the rail 140 by the nozzle driving unit 143. The arm 141 can be moved up and down by a nozzle driving unit 143, and the height of the application nozzle 142 can be adjusted.

処理容器130内のスピンチャック132の上方には、図10に示すようにウェハ搬送機構150が設けられている。ウェハ搬送機構150は、ウェハWを保持して搬送する搬送アーム151を有している。搬送アーム151は、図9に示すようにウェハWの搬送方向D(図9中のX方向)に延伸する一対のアーム部152、152と、各アーム部152を支持し、ウェハWの搬送方向Dと直角方向(図9中のY方向)に延伸する支持部153とを有している。各アーム部152の上面には、ウェハWの裏面を吸着して水平に保持する保持部としての吸着パッド154が設けられている。   A wafer transfer mechanism 150 is provided above the spin chuck 132 in the processing container 130 as shown in FIG. The wafer transfer mechanism 150 has a transfer arm 151 that holds and transfers the wafer W. As shown in FIG. 9, the transfer arm 151 supports a pair of arm portions 152, 152 extending in the transfer direction D (X direction in FIG. 9) of the wafer W and each arm portion 152. And a support portion 153 extending in the direction perpendicular to D (the Y direction in FIG. 9). On the upper surface of each arm portion 152, a suction pad 154 is provided as a holding portion that sucks and horizontally holds the back surface of the wafer W.

搬送アーム151には、図10に示すように例えばモータ(図示せず)などを内蔵したアーム移動機構155が設けられている。アーム移動機構155は、支持部153をウェハWの搬送方向Dと直角方向に移動させて、一対のアーム部152、152の間隔を調整することができる。また、アーム移動機構155は、搬送アーム151を鉛直方向に移動させることもできる。このように搬送アーム151が上下動することによって、搬送アーム151は、スピンチャック132にウェハWを受け渡すと共に、スピンチャック132からウェハWを受け取ることができる。   As shown in FIG. 10, the transfer arm 151 is provided with an arm moving mechanism 155 incorporating a motor (not shown), for example. The arm moving mechanism 155 can adjust the distance between the pair of arm portions 152 and 152 by moving the support portion 153 in a direction perpendicular to the transfer direction D of the wafer W. The arm moving mechanism 155 can also move the transfer arm 151 in the vertical direction. As the transfer arm 151 moves up and down in this way, the transfer arm 151 can deliver the wafer W to the spin chuck 132 and receive the wafer W from the spin chuck 132.

処理容器130の内側面には、図9に示すようにウェハWの搬送方向Dに延伸する一対のレール156、156が設けられている。アーム移動機構155は、図10に示すようにレール156に取り付けられ、レール156に沿って移動可能になっている。そしてこのアーム移動機構155によって、搬送アーム151は、図11に示すようにウェハWを保持した状態で、第1のバッファ装置40とレジスト塗布装置50との間でウェハWを搬送することができる。   A pair of rails 156 and 156 extending in the transfer direction D of the wafer W are provided on the inner surface of the processing container 130 as shown in FIG. As shown in FIG. 10, the arm moving mechanism 155 is attached to the rail 156 and can move along the rail 156. The arm moving mechanism 155 allows the transfer arm 151 to transfer the wafer W between the first buffer device 40 and the resist coating device 50 while holding the wafer W as shown in FIG. .

なお、レジスト塗布装置51〜54の構成については、上述したレジスト塗布装置50と同様であるので説明を省略する。   In addition, about the structure of the resist coating apparatuses 51-54, since it is the same as that of the resist coating apparatus 50 mentioned above, description is abbreviate | omitted.

また、下部反射防止膜形成装置55〜58、現像処理装置60〜64、上部反射防止膜形成装置65〜68も、上述したレジスト塗布装置50〜54と同様の構成を有し、ウェハ搬送機構150を備えている。さらに、アドヒージョン装置70〜72も同様に、ウェハ搬送機構150を備えている。   Also, the lower antireflection film forming apparatuses 55 to 58, the developing processing apparatuses 60 to 64, and the upper antireflection film forming apparatuses 65 to 68 have the same configuration as the resist coating apparatuses 50 to 54 described above, and the wafer transfer mechanism 150. It has. Further, the adhesion devices 70 to 72 are also provided with a wafer transfer mechanism 150.

次に、上述した熱処理装置73〜78、80〜88、90〜98の構成について説明する。図12は、熱処理装置73の構成の概略を示す横断面図であり、図13は、熱処理装置73の構成の概略を示す縦断面図である。   Next, the structure of the heat processing apparatus 73-78, 80-88, 90-98 mentioned above is demonstrated. FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the heat treatment apparatus 73, and FIG. 13 is a vertical cross-sectional view showing the outline of the configuration of the heat treatment apparatus 73.

熱処理装置73は、図12に示すように内部を閉鎖可能な処理容器160を有している。処理容器130の第1のバッファ装置40に対向する側面には、ウェハWの搬入出口161が形成されている。また、熱処理装置73は、図13に示すように処理容器160内に、ウェハWを加熱処理する加熱部162と、ウェハWを冷却処理する冷却部163を備えている。   As shown in FIG. 12, the heat treatment apparatus 73 has a processing container 160 whose inside can be closed. A loading / unloading port 161 for the wafer W is formed on the side surface of the processing container 130 facing the first buffer device 40. As shown in FIG. 13, the heat treatment apparatus 73 includes a heating unit 162 that heat-processes the wafer W and a cooling unit 163 that cools the wafer W in the processing container 160.

加熱部162には、ウェハWを載置して加熱する熱板170が設けられている。熱板170は、厚みのある略円盤形状を有している。熱板170は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハWを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハWを熱板170上に吸着保持できる。   The heating unit 162 is provided with a hot plate 170 for placing and heating the wafer W. The hot plate 170 has a substantially disk shape with a large thickness. The heat plate 170 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking the wafer W, for example, is provided on the upper surface. By suction from the suction port, the wafer W can be sucked and held on the hot plate 170.

熱板170の内部には、給電により発熱するヒータ171が取り付けられている。このヒータ171の発熱により熱板170を所定の設定温度に調節できる。   Inside the hot plate 170, a heater 171 that generates heat by power feeding is attached. The heat plate 170 can be adjusted to a predetermined set temperature by the heat generated by the heater 171.

熱板170には、上下方向に貫通する複数の貫通孔172が形成されている。貫通孔172には、昇降ピン173が設けられている。昇降ピン173は、シリンダなどの昇降駆動機構174によって上下動できる。昇降ピン173は、貫通孔172内を挿通して熱板170の上面に突出し、ウェハWを支持して昇降できる。   A plurality of through holes 172 penetrating in the vertical direction are formed in the hot plate 170. A lift pin 173 is provided in the through hole 172. The lift pins 173 can be moved up and down by a lift drive mechanism 174 such as a cylinder. The elevating pins 173 are inserted through the through holes 172 and protrude from the upper surface of the hot plate 170 so that the elevating pins 173 can move up and down while supporting the wafer W.

熱板170には、当該熱板170の外周部を保持する環状の保持部材175が設けられている。保持部材175には、当該保持部材175の外周を囲み、昇降ピン173を収容する筒状のサポートリング176が設けられている。   The heating plate 170 is provided with an annular holding member 175 that holds the outer peripheral portion of the heating plate 170. The holding member 175 is provided with a cylindrical support ring 176 that surrounds the outer periphery of the holding member 175 and accommodates the lifting pins 173.

加熱部162に隣接する冷却部163には、ウェハWを載置して冷却する冷却板180が設けられている。冷却板180は、厚みのある略円盤形状を有している。冷却板180は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハWを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハWを冷却板180上に吸着保持できる。   The cooling unit 163 adjacent to the heating unit 162 is provided with a cooling plate 180 for mounting and cooling the wafer W. The cooling plate 180 has a thick substantially disk shape. The cooling plate 180 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking the wafer W, for example, is provided on the upper surface. The wafer W can be sucked and held on the cooling plate 180 by suction from the suction port.

冷却板180の内部には、例えばペルチェ素子などの冷却部材(図示せず)が内蔵されており、冷却板180を所定の設定温度に調整できる。   A cooling member (not shown) such as a Peltier element is built in the cooling plate 180, and the cooling plate 180 can be adjusted to a predetermined set temperature.

冷却部163のその他の構成は、加熱部162と同様の構成を有している。すなわち、冷却板180には、上下方向に貫通する複数の貫通孔181が形成されている。貫通孔181には、昇降ピン182が設けられている。昇降ピン182は、シリンダなどの昇降駆動機構183によって上下動できる。昇降ピン182は、貫通孔181内を挿通して冷却板180の上面に突出し、ウェハWを支持して昇降できる。   Other configurations of the cooling unit 163 have the same configuration as the heating unit 162. That is, the cooling plate 180 is formed with a plurality of through holes 181 penetrating in the vertical direction. A lift pin 182 is provided in the through hole 181. The lift pins 182 can be moved up and down by a lift drive mechanism 183 such as a cylinder. The elevating pins 182 are inserted through the through holes 181 and protrude from the upper surface of the cooling plate 180, and can move up and down while supporting the wafer W.

冷却板180には、当該冷却板180の外周部を保持する環状の保持部材184が設けられている。保持部材184には、当該保持部材184の外周を囲み、昇降ピン182を収容する筒状のサポートリング185が設けられている。   The cooling plate 180 is provided with an annular holding member 184 that holds the outer periphery of the cooling plate 180. The holding member 184 is provided with a cylindrical support ring 185 that surrounds the outer periphery of the holding member 184 and accommodates the lifting pins 182.

熱板170と冷却板180の上方には、ウェハ搬送機構190が設けられている。ウェハ搬送機構190は、図12に示すようにウェハWの外周部を保持して搬送する搬送アーム191を有している。搬送アーム191は、ウェハWの外周に適合する形状、例えば略3/4円環状に構成されたアーム部192と、このアーム部192と一体に形成され、かつアーム部192を支持するための支持部193とを有している。アーム部192には、ウェハWの外周部を直接支持する保持部194が例えば3箇所設けられている。保持部194はアーム部192の内円周に等間隔に設けられ、アーム部192の内側に突出している。   A wafer transfer mechanism 190 is provided above the hot plate 170 and the cooling plate 180. The wafer transfer mechanism 190 has a transfer arm 191 that holds and transfers the outer periphery of the wafer W as shown in FIG. The transfer arm 191 has a shape that fits the outer periphery of the wafer W, for example, an arm portion 192 that is formed in an approximately 3/4 annular shape, and a support that is formed integrally with the arm portion 192 and supports the arm portion 192. Part 193. In the arm part 192, for example, three holding parts 194 that directly support the outer peripheral part of the wafer W are provided. The holding portions 194 are provided at equal intervals on the inner circumference of the arm portion 192, and project inside the arm portion 192.

搬送アーム191には、図13に示すように例えばモータ(図示せず)などを内蔵したアーム移動機構195が設けられている。アーム移動機構195は、搬送アーム191を支持し、鉛直方向に延伸する鉛直移動部196と、鉛直移動部196を支持し、ウェハWの搬送方向Dと直角方向(図12中のY方向)に延伸する水平移動部197とを有している。この鉛直移動部196によって、搬送アーム191は鉛直方向に移動することができる。このように搬送アーム191が上下動することによって、搬送アーム191は、昇降ピン173、182にウェハWを受け渡すと共に、昇降ピン173、182からウェハWを受け取ることができる。   As shown in FIG. 13, the transfer arm 191 is provided with an arm moving mechanism 195 containing a motor (not shown), for example. The arm moving mechanism 195 supports the transfer arm 191 and supports the vertical moving unit 196 extending in the vertical direction and the vertical moving unit 196 in the direction perpendicular to the transfer direction D of the wafer W (Y direction in FIG. 12). And a horizontally moving portion 197 that extends. The vertical movement unit 196 allows the transfer arm 191 to move in the vertical direction. As the transfer arm 191 moves up and down in this way, the transfer arm 191 can deliver the wafer W to the lift pins 173 and 182 and receive the wafer W from the lift pins 173 and 182.

処理容器160の内側面には、図12に示すようにウェハWの搬送方向D(図12中のX方向)に延伸する一対のレール198、198が設けられている。アーム移動機構195の水平移動部197は、レール198に取り付けられ、レール198に沿って移動可能になっている。このアーム移動機構195によって、搬送アーム191は、ウェハWを加熱部162と冷却部163との間を搬送することができる。また、搬送アーム191は、ウェハWを保持した状態で、第1のバッファ装置40と熱処理装置73との間でウェハWを搬送することができる。   As shown in FIG. 12, a pair of rails 198 and 198 extending in the transfer direction D (X direction in FIG. 12) of the wafer W are provided on the inner surface of the processing container 160. The horizontal moving unit 197 of the arm moving mechanism 195 is attached to the rail 198 and can move along the rail 198. By this arm moving mechanism 195, the transfer arm 191 can transfer the wafer W between the heating unit 162 and the cooling unit 163. In addition, the transfer arm 191 can transfer the wafer W between the first buffer device 40 and the heat treatment device 73 while holding the wafer W.

なお、熱処理装置74〜78、80〜88の構成については、上述した熱処理装置73と同様であるので説明を省略する。   In addition, about the structure of the heat processing apparatuses 74-78 and 80-88, since it is the same as that of the heat processing apparatus 73 mentioned above, description is abbreviate | omitted.

また、熱処理装置90〜98は、上述した熱処理装置73の構成に加えて、図14及び図15に示すように処理容器160の搬入出口161に対向する側面に、ウェハWの搬入出口199が形成されている。   In addition to the configuration of the heat treatment apparatus 73 described above, the heat treatment apparatuses 90 to 98 have a wafer W loading / unloading port 199 formed on the side surface facing the loading / unloading hole 161 of the processing container 160 as shown in FIGS. 14 and 15. Has been.

例えば熱処理装置90は、図14に示すように第2のバッファ装置41側からウェハ搬送装置100側に搬送されるウェハWに対して熱処理を行う。かかる場合、熱処理装置90の加熱部162はウェハ搬送装置100側に配置され、冷却部163は第2のバッファ装置41側に配置されている。なお、熱処理装置91〜94も熱処理装置90と同様に配置されている。   For example, the heat treatment apparatus 90 performs a heat treatment on the wafer W transferred from the second buffer apparatus 41 side to the wafer transfer apparatus 100 side as shown in FIG. In such a case, the heating unit 162 of the heat treatment apparatus 90 is disposed on the wafer transfer apparatus 100 side, and the cooling unit 163 is disposed on the second buffer apparatus 41 side. The heat treatment apparatuses 91 to 94 are also arranged in the same manner as the heat treatment apparatus 90.

また、例えば熱処理装置95は、図15に示すようにウェハ搬送装置100側から第2のバッファ装置41側に搬送されるウェハWに対して熱処理を行う。かかる場合、熱処理装置95の加熱部162は第2のバッファ装置41側に配置され、冷却部163はウェハ搬送装置100側に配置されている。なお、熱処理装置96〜98も熱処理装置95と同様に配置されている。   Further, for example, the heat treatment apparatus 95 performs a heat treatment on the wafer W transferred from the wafer transfer apparatus 100 side to the second buffer apparatus 41 side as shown in FIG. In such a case, the heating unit 162 of the heat treatment apparatus 95 is disposed on the second buffer apparatus 41 side, and the cooling unit 163 is disposed on the wafer transfer apparatus 100 side. The heat treatment apparatuses 96 to 98 are also arranged in the same manner as the heat treatment apparatus 95.

したがって、熱処理装置90〜98においては、処理容器160内に搬送されたウェハWが、先ず冷却部163において温度調節され、その後加熱部162において加熱されるようになっている。   Therefore, in the heat treatment apparatuses 90 to 98, the temperature of the wafer W transferred into the processing container 160 is first adjusted in the cooling unit 163 and then heated in the heating unit 162.

本実施の形態にかかる塗布現像処理システム1は以上のように構成されている。次に、この塗布処理システム1で行われるウェハWの処理について説明する。図16は、かかるウェハ処理の主な工程を示すフローチャートである。   The coating and developing treatment system 1 according to the present embodiment is configured as described above. Next, processing of the wafer W performed in the coating processing system 1 will be described. FIG. 16 is a flowchart showing the main steps of such wafer processing.

先ず、1ロットの複数枚のウェハWを収容したカセットCが、カセットステーション10の所定のカセット載置板21に載置される。その後、ウェハ搬送装置31によってカセットC内のウェハWが取り出され、処理ステーション11の第1のバッファ装置40に搬送される。そして、複数のウェハWが第1のバッファ装置40に一時的に保管される。   First, a cassette C containing a plurality of wafers W in one lot is placed on a predetermined cassette placement plate 21 of the cassette station 10. Thereafter, the wafer W in the cassette C is taken out by the wafer transfer device 31 and transferred to the first buffer device 40 of the processing station 11. Then, the plurality of wafers W are temporarily stored in the first buffer device 40.

次に、第1のバッファ装置40に保管されたウェハWは、熱処理装置78のウェハ搬送機構190によって当該熱処理装置78に搬送され、温度調節される(図16の工程S1)。温度調節後、ウェハWは、ウェハ搬送機構190によって第1のバッファ装置40に戻される。   Next, the wafer W stored in the first buffer device 40 is transferred to the heat treatment device 78 by the wafer transfer mechanism 190 of the heat treatment device 78, and the temperature is adjusted (step S1 in FIG. 16). After the temperature adjustment, the wafer W is returned to the first buffer device 40 by the wafer transfer mechanism 190.

その後、ウェハWは、下部反射防止膜形成装置58のウェハ搬送機構150によって当該下部反射防止膜形成装置58に搬送され、ウェハW上に下部反射防止膜が形成される(図16の工程S2)。下部反射防止膜形成後、ウェハWは、ウェハ搬送機構150によって第1のバッファ装置40に戻される。   Thereafter, the wafer W is transferred to the lower antireflection film forming apparatus 58 by the wafer transfer mechanism 150 of the lower antireflection film forming apparatus 58, and a lower antireflection film is formed on the wafer W (step S2 in FIG. 16). . After forming the lower antireflection film, the wafer W is returned to the first buffer device 40 by the wafer transfer mechanism 150.

その後、ウェハWは、熱処理装置77のウェハ搬送機構190によって当該熱処理装置77に搬送され、温度調節される。温度調節後、ウェハWは、ウェハ搬送機構190によって第1のバッファ装置40に戻される。   Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 77 by the wafer transfer mechanism 190 of the heat treatment apparatus 77, and the temperature is adjusted. After the temperature adjustment, the wafer W is returned to the first buffer device 40 by the wafer transfer mechanism 190.

その後、ウェハWは、アドヒージョン装置72のウェハ搬送機構150によって当該アドヒージョン装置72に搬送され、疎水化処理される(図16の工程S3)。疎水化処理後、ウェハWは、ウェハ搬送機構150によって第1のバッファ装置40に戻される。   Thereafter, the wafer W is transferred to the adhesion device 72 by the wafer transfer mechanism 150 of the adhesion device 72 and subjected to a hydrophobic treatment (step S3 in FIG. 16). After the hydrophobic treatment, the wafer W is returned to the first buffer device 40 by the wafer transfer mechanism 150.

その後、ウェハWは、レジスト塗布装置54のウェハ搬送機構150によって当該レジスト塗布装置54に搬送され、ウェハW上にレジスト膜が形成される(図16の工程S4)。レジスト膜形成後、ウェハWは、ウェハ搬送機構150によって第1のバッファ装置40に戻される。   Thereafter, the wafer W is transported to the resist coating apparatus 54 by the wafer transport mechanism 150 of the resist coating apparatus 54, and a resist film is formed on the wafer W (step S4 in FIG. 16). After forming the resist film, the wafer W is returned to the first buffer device 40 by the wafer transfer mechanism 150.

その後、ウェハWは、熱処理装置76の搬送機構190によって当該熱処理装置76に搬送されて、プリベーク処理される(図16の工程S5)。プリベーク処理後、ウェハWは、ウェハ搬送機構190によって第1のバッファ装置40に戻される。   Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 76 by the transfer mechanism 190 of the heat treatment apparatus 76, and is pre-baked (step S5 in FIG. 16). After the pre-baking process, the wafer W is returned to the first buffer device 40 by the wafer transfer mechanism 190.

次に、ウェハWは、ウェハ搬送装置42によって第1のバッファ装置40から第2のバッファ装置41に搬送され、第2のバッファ装置41に一時的に保管される。   Next, the wafer W is transferred from the first buffer device 40 to the second buffer device 41 by the wafer transfer device 42 and temporarily stored in the second buffer device 41.

その後、第2のバッファ装置41に保管されたウェハWは、上部反射防止膜形成装置68のウェハ搬送機構150によって当該上部反射防止膜形成装置68に搬送され、ウェハW上に上部反射防止膜が形成される(図16の工程S6)。上部反射防止膜後、ウェハWは、ウェハ搬送機構150によって第2のバッファ装置41に戻される。   Thereafter, the wafer W stored in the second buffer device 41 is transferred to the upper antireflection film forming device 68 by the wafer transfer mechanism 150 of the upper antireflection film forming device 68, and the upper antireflection film is formed on the wafer W. It is formed (step S6 in FIG. 16). After the upper antireflection film, the wafer W is returned to the second buffer device 41 by the wafer transfer mechanism 150.

その後、ウェハWは、熱処理装置90のウェハ搬送機構190によって当該熱処理装置90に搬送され、温度調節される。温度調整後、ウェハ搬送装置100によって熱処理装置90から周辺露光装置102に搬送され、周辺露光処理される(図16の工程S7)。   Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 90 by the wafer transfer mechanism 190 of the heat treatment apparatus 90, and the temperature is adjusted. After the temperature adjustment, the wafer is transferred from the heat treatment apparatus 90 to the peripheral exposure apparatus 102 by the wafer transfer apparatus 100 and subjected to peripheral exposure processing (step S7 in FIG. 16).

その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置100によって露光装置12に搬送され、露光処理される(図16の工程S8)。   Thereafter, the wafer W is transferred to the exposure apparatus 12 by the wafer transfer apparatus 100 and subjected to an exposure process (step S8 in FIG. 16).

その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置100によって露光装置12から熱処理装置95に搬送され、露光後ベーク処理される(図16の工程S9)。露光後ベーク処理、ウェハWは、熱処理装置95のウェハ搬送機構190によって第2のバッファ装置41に搬送される。   Thereafter, the wafer W is transferred from the exposure apparatus 12 to the heat treatment apparatus 95 by the wafer transfer apparatus 100 and subjected to post-exposure baking (step S9 in FIG. 16). The post-exposure bake process and the wafer W are transferred to the second buffer device 41 by the wafer transfer mechanism 190 of the heat treatment apparatus 95.

その後、ウェハWは、現像処理装置64のウェハ搬送機構150によって現像処理装置64に搬送され、現像される(図16の工程S10)。現像処理後、ウェハWは、ウェハ搬送機構150によって第2のバッファ装置41に戻される。   Thereafter, the wafer W is transferred to the development processing device 64 by the wafer transfer mechanism 150 of the development processing device 64 and developed (step S10 in FIG. 16). After the development processing, the wafer W is returned to the second buffer device 41 by the wafer transfer mechanism 150.

その後、ウェハWは、熱処理装置84の搬送機構190によって当該熱処理装置84に搬送されて、ポストベーク処理される(図16の工程S11)。ポストベーク処理後、ウェハWは、ウェハ搬送機構190によって第2のバッファ装置41に戻される。   Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 84 by the transfer mechanism 190 of the heat treatment apparatus 84 and subjected to post-bake processing (step S11 in FIG. 16). After the post-baking process, the wafer W is returned to the second buffer device 41 by the wafer transfer mechanism 190.

次に、ウェハWは、ウェハ搬送装置42によって第2のバッファ装置41から第1のバッファ装置40に搬送される。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置31によって所定のカセット載置板21のカセットCに搬送される。こうして、一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。   Next, the wafer W is transferred from the second buffer device 41 to the first buffer device 40 by the wafer transfer device 42. Thereafter, the wafer W is transferred to the cassette C of the predetermined cassette mounting plate 21 by the wafer transfer device 31. Thus, a series of photolithography steps is completed.

以上の実施の形態によれば、第1〜第5の処理装置群G1〜G5の各処理装置がウェハWを搬送する搬送機構150、190を有しているので、各処理装置において要求されるタイミングで、当該処理装置にウェハWを搬入出することができる。すなわち、処理装置でウェハWを処理ができる状態になれば、当該処理装置の搬送機構150、190によって、装置内にウェハWを迅速に搬入することができる。また、処理装置でウェハWの処理が終了すれば、当該処理装置の搬送機構150、190によって、装置からウェハWを迅速に搬出することができる。この結果、従来のように処理装置でのウェハの搬送待ちが発生せず、ウェハWの搬送効率を格段に向上させることができる。したがって、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。   According to the above embodiment, since each processing apparatus of the first to fifth processing apparatus groups G1 to G5 has the transport mechanisms 150 and 190 for transporting the wafer W, it is required in each processing apparatus. At the timing, the wafer W can be carried in and out of the processing apparatus. That is, when the wafer W can be processed by the processing apparatus, the wafer W can be quickly loaded into the apparatus by the transfer mechanisms 150 and 190 of the processing apparatus. Further, when the processing of the wafer W is completed in the processing apparatus, the wafer W can be quickly unloaded from the apparatus by the transfer mechanisms 150 and 190 of the processing apparatus. As a result, the wafer transfer waiting in the processing apparatus does not occur as in the conventional case, and the transfer efficiency of the wafer W can be remarkably improved. Therefore, the throughput of wafer processing can be improved.

また、第1のバッファ装置40と第2のバッファ装置41のバッファ部120はバッファ部移動機構123によって鉛直方向に移動できるので、各処理装置の搬送機構150、190はバッファ部120の所定の位置のウェハWにアクセスすることができる。これによって、ウェハWがバッファ部120内のどの位置に保管されていても、搬送機構150、190は所定のウェハWを処理装置に搬送することができる。   Further, since the buffer units 120 of the first buffer device 40 and the second buffer device 41 can be moved in the vertical direction by the buffer unit moving mechanism 123, the transport mechanisms 150 and 190 of each processing device are arranged at predetermined positions of the buffer unit 120. The wafer W can be accessed. Accordingly, the transfer mechanisms 150 and 190 can transfer a predetermined wafer W to the processing apparatus regardless of the position in the buffer unit 120 where the wafer W is stored.

また、バッファ部120はバッファ部移動機構123によって回転することができるので、各処理装置の搬送機構150、190やウェハ搬送装置31、42がバッファ部120にアクセスする際、バッファ部120の枠部材121cとの干渉を避けて円滑にウェハWを搬送することができる。   Further, since the buffer unit 120 can be rotated by the buffer unit moving mechanism 123, when the transfer mechanisms 150 and 190 and the wafer transfer devices 31 and 42 of each processing apparatus access the buffer unit 120, the frame member of the buffer unit 120 is used. The wafer W can be smoothly transferred while avoiding interference with the 121c.

また、ウェハ搬送装置31、42は、複数のウェハWを保持することができ、一度に複数のウェハWを搬送することができる。これによって、ウェハWの搬送効率をより一層向上させることができ、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。   The wafer transfer devices 31 and 42 can hold a plurality of wafers W and can transfer a plurality of wafers W at a time. Thereby, the transfer efficiency of the wafer W can be further improved, and the throughput of the wafer processing can be further improved.

以上の実施の形態では、第1の処理装置群G1と第2の処理装置群G2には液処理装置が設けられ、第3の処理装置群G3〜第5の処理装置群G5には熱処理装置が設けられていたが、処理装置の配置は任意に選択することができる。   In the above embodiment, the first processing device group G1 and the second processing device group G2 are provided with liquid processing devices, and the third processing device group G3 to the fifth processing device group G5 have heat treatment devices. However, the arrangement of the processing devices can be arbitrarily selected.

例えば図17及び図18に示すように、一の処理装置群に液処理装置と熱処理装置を混在して配置してもよい。かかる場合、例えば第1の処理装置群G1には、レジスト塗布装置50〜53、下部反射防止膜形成装置55〜57、熱処理装置73、74が下から順に9段に重ねて配置されている。第2の処理装置群G2には、現像処理装置60〜62、上部反射防止膜形成装置65、66、熱処理装置80〜83が下から順に9段に重ねて配置されている。第3の処理装置群G3には、アドヒージョン装置70〜72、レジスト塗布装置54、下部反射防止膜形成装置58、熱処理装置75〜78が下から順に9段に重ねて配置されている。第4の処理装置群G4には、現像処理装置63、64、上部反射防止膜形成装置67、68、熱処理装置84〜88が下から順に9段に重ねて配置されている。また、第3の処理装置群G3と第4の処理装置群G4の最下段には、各液処理装置に各種処理液を供給するためのケミカル室79、89がそれぞれ設けられている。   For example, as shown in FIGS. 17 and 18, a liquid processing apparatus and a heat treatment apparatus may be mixed and disposed in one processing apparatus group. In this case, for example, in the first processing apparatus group G1, resist coating apparatuses 50 to 53, lower antireflection film forming apparatuses 55 to 57, and heat treatment apparatuses 73 and 74 are arranged in nine stages in order from the bottom. In the second processing device group G2, development processing devices 60 to 62, upper antireflection film forming devices 65 and 66, and heat treatment devices 80 to 83 are arranged in nine layers in order from the bottom. In the third processing device group G3, adhesion devices 70 to 72, a resist coating device 54, a lower antireflection film forming device 58, and heat treatment devices 75 to 78 are arranged in nine stages in order from the bottom. In the fourth processing unit group G4, development processing units 63 and 64, upper antireflection film forming units 67 and 68, and heat treatment units 84 to 88 are arranged in nine stages in order from the bottom. In addition, chemical chambers 79 and 89 for supplying various processing liquids to the respective liquid processing apparatuses are provided at the lowermost stage of the third processing apparatus group G3 and the fourth processing apparatus group G4.

また、一の処理装置群には、液処理装置と熱処理装置とを備えた処理装置層が鉛直方向に多段に配置されていてもよい。例えば図19に示すように第1の処理装置群G1には、処理装置層L1〜L3が上から順に3段に配置されている。処理装置層L1には、熱処理装置73、下部反射防止膜形成装置55、レジスト塗布装置50が上から順に配置されている。処理装置層L2には、熱処理装置74、下部反射防止膜形成装置56、レジスト塗布装置51が上から順に配置されている。処理装置層L3には、熱処理装置75、下部反射防止膜形成装置57、レジスト塗布装置52が上から順に配置されている。かかる場合、第1のバッファ装置40のバッファ部120を各処理装置層L1〜L3の高さ分だけ鉛直方向に移動させることによって、ウェハW上に下部反射防止膜とレジスト膜を形成する処理を行うことができる。これによって、バッファ部120の鉛直方向の移動距離を短くできるので、ウェハWの搬送効率をより一層向上させることができ、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。なお、他の処理装置群G2〜G5についても同様に、液処理装置と熱処理装置とを備えた処理装置層を鉛直方向に多段に配置してもよい。   Moreover, the processing apparatus layer provided with the liquid processing apparatus and the heat processing apparatus may be arrange | positioned at one stage at multiple stages in one processing apparatus group. For example, as shown in FIG. 19, in the first processing unit group G1, processing unit layers L1 to L3 are arranged in three stages in order from the top. In the processing apparatus layer L1, a heat treatment apparatus 73, a lower antireflection film forming apparatus 55, and a resist coating apparatus 50 are sequentially arranged from the top. In the processing apparatus layer L2, a heat treatment apparatus 74, a lower antireflection film forming apparatus 56, and a resist coating apparatus 51 are sequentially arranged from the top. In the processing apparatus layer L3, a heat treatment apparatus 75, a lower antireflection film forming apparatus 57, and a resist coating apparatus 52 are sequentially arranged from the top. In such a case, the process of forming the lower antireflection film and the resist film on the wafer W is performed by moving the buffer unit 120 of the first buffer device 40 in the vertical direction by the height of the processing device layers L1 to L3. It can be carried out. Thereby, since the vertical movement distance of the buffer unit 120 can be shortened, the transfer efficiency of the wafer W can be further improved, and the throughput of the wafer processing can be further improved. Similarly, for the other processing apparatus groups G2 to G5, processing apparatus layers including liquid processing apparatuses and heat treatment apparatuses may be arranged in multiple stages in the vertical direction.

以上の実施の形態では、処理ステーション11に2つのバッファ装置40、41を配置していたが、処理装置の数は任意に選択することができる。   In the above embodiment, the two buffer devices 40 and 41 are arranged in the processing station 11, but the number of processing devices can be arbitrarily selected.

例えば図20に示すように処理ステーション11に、1つのバッファ装置200を配置してもよい。バッファ装置200の周囲には、第1〜第5の処理装置群G1〜G5、及びウェハ搬送装置31がバッファ装置200を中心とする円周上に等間隔に配置されている。また、第1〜第5の処理装置群G1〜G5の間には、各液処理装置に各種処理液を供給するケミカル室201〜204をそれぞれ配置してもよい。なお、バッファ装置200の構成は、上述した第1のバッファ装置40の構成と同様であるので、説明を省略する。かかる場合、ウェハWの搬送時間が短縮でき、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。また、塗布現像処理システム1全体の占有面積を小さくすることもできる。   For example, one buffer device 200 may be arranged in the processing station 11 as shown in FIG. Around the buffer device 200, the first to fifth processing device groups G <b> 1 to G <b> 5 and the wafer transfer device 31 are arranged at equal intervals on the circumference centering on the buffer device 200. Further, between the first to fifth processing apparatus groups G1 to G5, chemical chambers 201 to 204 for supplying various processing liquids to the respective liquid processing apparatuses may be arranged, respectively. The configuration of the buffer device 200 is the same as the configuration of the first buffer device 40 described above, and a description thereof will be omitted. In such a case, the transfer time of the wafer W can be shortened, and the wafer processing throughput can be further improved. In addition, the area occupied by the entire coating and developing treatment system 1 can be reduced.

また、例えば処理ステーション11に3つ以上のバッファ装置を配置してもよい。これによって、塗布現像処理システム1内でより多数のウェハWを処理することができる。   Further, for example, three or more buffer devices may be arranged in the processing station 11. Thus, a larger number of wafers W can be processed in the coating and developing processing system 1.

以上の実施の形態の第1のバッファ装置40は、図21及び図22に示すように別の構成のバッファ部210を有していてもよい。バッファ部210は、側面が開口した円筒形状を有するフレーム211を有している。フレーム211は、フレーム211は、円板形状の天板211aと、円板形状の底板211bと、天板211aと底板211bとの間に設けられ、鉛直方向に延伸する枠部材211cとを有している。枠部材211cは、例えば天板211a及び底板211bと同心円上に等間隔に3本設けられている。枠部材211cには、フレーム211の内部を複数に区画する平板状部材212が鉛直方向に所定の間隔で複数設けられている。平板状部材212の上面中央部には、ウェハWを保持する保持部材としての保持ピン213が例えば3本設けられている。このような構成により、バッファ部210は、フレーム211の側面の開口部分からウェハWを搬入出して保管することができる。なお、バッファ部210の下方には、上述したバッファ部移動機構123が設けられている。   The first buffer device 40 of the above embodiment may include a buffer unit 210 having another configuration as shown in FIGS. 21 and 22. The buffer unit 210 includes a frame 211 having a cylindrical shape with an open side surface. The frame 211 includes a disk-shaped top plate 211a, a disk-shaped bottom plate 211b, and a frame member 211c provided between the top plate 211a and the bottom plate 211b and extending in the vertical direction. ing. For example, three frame members 211c are provided at equal intervals on a concentric circle with the top plate 211a and the bottom plate 211b. The frame member 211c is provided with a plurality of flat plate-like members 212 that divide the inside of the frame 211 into a plurality at predetermined intervals in the vertical direction. For example, three holding pins 213 as holding members for holding the wafer W are provided at the center of the upper surface of the flat plate member 212. With such a configuration, the buffer unit 210 can carry the wafer W in and out of the opening portion on the side surface of the frame 211 and store it. Note that the buffer unit moving mechanism 123 described above is provided below the buffer unit 210.

かかる場合、バッファ部210は、複数のウェハWを鉛直方向に多段に保持して保管することができる。また、バッファ部220は、鉛直方向に移動可能であり、鉛直方向の中心軸周りに回転することができる。   In such a case, the buffer unit 210 can hold and store a plurality of wafers W in multiple stages in the vertical direction. Further, the buffer unit 220 is movable in the vertical direction and can rotate around the central axis in the vertical direction.

なお、第2のバッファ装置41やバッファ装置200についても、上述したバッファ部210を有していてもよい。   Note that the second buffer device 41 and the buffer device 200 may also include the buffer unit 210 described above.

以上の実施の形態のバッファ部120のフレーム121は、図23に示すように側面が開口した直方体形状を有していてもよい。かかる場合、天板121a及び底板121bは、四角形状に形成され、枠部材121cは、例えば天板121a及び底板121bの四隅に設けられる。各枠部材121cには、ウェハWを保持するための保持部材122が所定の間隔で複数設けられる。このような構成により、バッファ部120は、フレーム121の側面の開口部分からウェハWを搬入出して保管することができる。なお、バッファ部210についても同様に、直方体形状のフレーム211を有していてもよい。   The frame 121 of the buffer unit 120 of the above embodiment may have a rectangular parallelepiped shape whose side surface is open as shown in FIG. In such a case, the top plate 121a and the bottom plate 121b are formed in a square shape, and the frame member 121c is provided at, for example, the four corners of the top plate 121a and the bottom plate 121b. Each frame member 121c is provided with a plurality of holding members 122 for holding the wafer W at predetermined intervals. With such a configuration, the buffer unit 120 can carry the wafer W in and out of the opening portion on the side surface of the frame 121 and store it. Similarly, the buffer unit 210 may have a rectangular parallelepiped frame 211.

また、以上の実施の形態の第1のバッファ装置40は、図24及び図25に示すように別の構成のバッファ部220を有していてもよい。バッファ部220は、鉛直方向に延伸する支持部材221を有している。支持部材221は、例えば円板形状の底板222に支持されている。支持部材221には、部材223を介して支持板224が鉛直方向に所定の間隔で複数設けられている。各支持板224の上面中央部には、ウェハWを保持する保持部材としての保持ピン225が例えば3本設けられている。なお、バッファ部220の下方には、上述したバッファ部移動機構123が設けられている。   In addition, the first buffer device 40 of the above embodiment may include a buffer unit 220 having another configuration as shown in FIGS. The buffer unit 220 includes a support member 221 that extends in the vertical direction. The support member 221 is supported by a disk-shaped bottom plate 222, for example. The support member 221 is provided with a plurality of support plates 224 at predetermined intervals in the vertical direction via the member 223. At the center of the upper surface of each support plate 224, for example, three holding pins 225 as holding members for holding the wafer W are provided. Note that the buffer unit moving mechanism 123 described above is provided below the buffer unit 220.

かかる場合、バッファ部220は、複数のウェハWを鉛直方向に多段に保持して保管することができる。また、バッファ部220は、鉛直方向に移動可能であり、鉛直方向の中心軸周りに回転することができる。   In such a case, the buffer unit 220 can hold and store a plurality of wafers W in multiple stages in the vertical direction. Further, the buffer unit 220 is movable in the vertical direction and can rotate around the central axis in the vertical direction.

なお、第2のバッファ装置41やバッファ装置200についても、上述したバッファ部220を有していてもよい。   Note that the second buffer device 41 and the buffer device 200 may also include the buffer unit 220 described above.

以上の実施の形態の熱処理装置73は、1つのウェハ搬送機構190を有していたが、複数のウェハ搬送機構190を有していてもよい。例えば図26に示すように、2つのウェハ搬送機構190、190が鉛直方向に並べて設けられる。かかる場合、例えば一の搬送機構190によって搬送されたウェハWに熱処理が行われた後、すぐに他の搬送機構190によって搬送されたウェハWに熱処理を行うことができる。したがって、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。   The heat treatment apparatus 73 of the above embodiment has one wafer transfer mechanism 190, but may have a plurality of wafer transfer mechanisms 190. For example, as shown in FIG. 26, two wafer transfer mechanisms 190, 190 are provided side by side in the vertical direction. In this case, for example, after the heat treatment is performed on the wafer W transferred by one transfer mechanism 190, the heat treatment can be performed on the wafer W transferred by another transfer mechanism 190 immediately. Therefore, the throughput of wafer processing can be further improved.

また、レジスト塗布装置50についても、同様に複数のウェハ搬送機構150を有していてもよい。   Similarly, the resist coating apparatus 50 may have a plurality of wafer conveyance mechanisms 150.

以上の実施の形態のレジスト塗布装置50は、図27及び図28に示すように別の構成のウェハ搬送機構230を有していてもよい。ウェハ搬送機構230は、ウェハWを保持して搬送する多関節状の搬送アーム231を例えば2つ有している。各搬送アーム231は、複数、例えば4つのアーム部232を有している。4つのアーム部232は、一のアーム部232は、その端部において他のアーム部232に屈曲自在に連結されている。各アーム部232の間には動力が伝達され、搬送アーム231は屈伸及び旋回可能になっている。先端のアーム部232aには、ウェハWの裏面を吸着して水平に保持する保持部としての吸着パッド233が設けられている。   The resist coating apparatus 50 of the above embodiment may have a wafer conveyance mechanism 230 having another configuration as shown in FIGS. The wafer transfer mechanism 230 has, for example, two articulated transfer arms 231 that hold and transfer the wafer W. Each transfer arm 231 has a plurality of, for example, four arm portions 232. The four arm portions 232 are connected to the other arm portion 232 so that the one arm portion 232 can be bent. Power is transmitted between the arm portions 232, and the transfer arm 231 can bend and stretch and turn. The front arm portion 232a is provided with a suction pad 233 as a holding portion for sucking and holding the back surface of the wafer W horizontally.

基端のアーム部232bの下面には、アーム移動機構234が設けられている。アーム移動機構234は、アーム部232bを支持するシャフト235と、シャフト235の下方に設けられ、例えばモータ(図示せず)などを内蔵した駆動機構236とを有している。このアーム移動機構234によって、搬送アーム231は、鉛直方向に移動することができる。そして、搬送アーム231は、ウェハWを保持した状態で、第1のバッファ装置40とレジスト塗布装置50との間でウェハWを搬送することができる。   An arm moving mechanism 234 is provided on the lower surface of the base arm portion 232b. The arm moving mechanism 234 includes a shaft 235 that supports the arm portion 232b, and a drive mechanism 236 that is provided below the shaft 235 and incorporates, for example, a motor (not shown). By this arm moving mechanism 234, the transfer arm 231 can move in the vertical direction. The transfer arm 231 can transfer the wafer W between the first buffer device 40 and the resist coating device 50 while holding the wafer W.

なお、搬送アーム231の数は、本実施の形態に限定されず任意に選択することができる。   The number of transfer arms 231 is not limited to the present embodiment, and can be arbitrarily selected.

以上の実施の形態では、レジスト塗布装置50などの液処理装置にウェハ搬送機構150、230を設け、熱処理装置73などの熱処理装置にウェハ搬送機構190を設けていたが、液処理装置にウェハ搬送機構190を設け、熱処理装置にウェハ搬送機構150、230を設けてもよい。   In the above embodiment, the wafer transfer mechanisms 150 and 230 are provided in the liquid processing apparatus such as the resist coating apparatus 50, and the wafer transfer mechanism 190 is provided in the heat treatment apparatus such as the heat treatment apparatus 73. The mechanism 190 may be provided, and the wafer transfer mechanisms 150 and 230 may be provided in the heat treatment apparatus.

以上の実施の形態では、第5の処理装置群G5にはウェハWの熱処理を行う熱処理装置90〜98のみが配置されていたが、第2のバッファ装置41とウェハ搬送装置100との間でウェハWの受け渡しを行うための受け渡し装置を設けてもよい。かかる場合、例えば熱処理装置90がインターフェイスステーション13に設けられる。そして、ウェハW上に上部反射防止膜を形成後、ウェハWが受け渡し装置を介してインターフェイスステーション13の熱処理装置90に搬送され、周辺露光処理前のウェハWの温度調節が行われる。   In the above embodiment, only the heat treatment apparatuses 90 to 98 for performing the heat treatment of the wafer W are arranged in the fifth processing apparatus group G5. However, between the second buffer apparatus 41 and the wafer transfer apparatus 100, A delivery device for delivering the wafer W may be provided. In such a case, for example, the heat treatment apparatus 90 is provided in the interface station 13. Then, after the upper antireflection film is formed on the wafer W, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 90 of the interface station 13 via the delivery apparatus, and the temperature of the wafer W before the peripheral exposure process is adjusted.

また、インターフェイスステーション13に設けていた周辺露光装置102を第5の処理装置群G5に設けてもよい。   Further, the peripheral exposure apparatus 102 provided in the interface station 13 may be provided in the fifth processing apparatus group G5.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。   The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood. The present invention is not limited to this example and can take various forms. The present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.

本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板の処理システムに有用である。   The present invention is useful for a processing system for a substrate such as a semiconductor wafer.

1 塗布現像処理システム
10 カセットステーション
11 処理ステーション
13 インターフェイスステーション
20 カセット載置台
31 ウェハ搬送装置
40 第1のバッファ装置
41 第2のバッファ装置
42 ウェハ搬送装置
50〜54 レジスト塗布装置
55〜58 下部反射防止膜形成装置
60〜64 現像処理装置
65〜68 上部反射防止膜形成装置
70〜72 アドヒージョン装置
73〜78、80〜88、90〜98 熱処理装置
120 バッファ部
121 フレーム
122 保持部材
123 バッファ部移動機構
150 ウェハ搬送機構
151 搬送アーム
152 アーム部
154 吸着パッド
155 アーム移動機構
190 ウェハ搬送機構
191 搬送アーム
192 アーム部
194 保持部
195 アーム移動機構
C カセット
G1〜G5 第1〜第5の処理装置群
W ウェハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Coating / development processing system 10 Cassette station 11 Processing station 13 Interface station 20 Cassette mounting table 31 Wafer transfer apparatus 40 1st buffer apparatus 41 2nd buffer apparatus 42 Wafer transfer apparatus 50-54 Resist coating apparatus 55-58 Lower reflection prevention Film forming device 60 to 64 Development processing device 65 to 68 Upper antireflection film forming device 70 to 72 Adhesion device 73 to 78, 80 to 88, 90 to 98 Heat treatment device 120 Buffer unit 121 Frame 122 Holding member 123 Buffer unit moving mechanism 150 Wafer transfer mechanism 151 Transfer arm 152 Arm unit 154 Suction pad 155 Arm moving mechanism 190 Wafer transfer mechanism 191 Transfer arm 192 Arm unit 194 Holding unit 195 Arm moving mechanism C Cassette 1~G5 first to fifth processing unit group W wafer

Claims (20)

基板の処理システムであって、
複数の基板を鉛直方向に多段に留置するバッファ部と、
前記バッファ部を鉛直方向に移動させるバッファ部移動機構と、
基板に所定の処理を行う処理装置が鉛直方向に多段に配置された処理装置群と、を有し、
前記処理装置群は、前記バッファ部の近傍に複数配置され、
前記処理装置は、当該処理装置と前記バッファ部との間で基板を搬送する搬送機構を有することを特徴とする、基板処理システム。
A substrate processing system,
A buffer unit for placing a plurality of substrates in multiple stages in the vertical direction;
A buffer unit moving mechanism for moving the buffer unit in the vertical direction;
A processing apparatus group in which processing apparatuses for performing predetermined processing on the substrate are arranged in multiple stages in the vertical direction;
A plurality of the processing device groups are arranged in the vicinity of the buffer unit,
The said processing apparatus has a conveyance mechanism which conveys a board | substrate between the said processing apparatus and the said buffer part, The substrate processing system characterized by the above-mentioned.
前記バッファ部移動機構は、前記バッファ部の鉛直方向の中心軸周りに当該バッファ部を回転させることを特徴とする、請求項1に記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 1, wherein the buffer unit moving mechanism rotates the buffer unit around a central axis in a vertical direction of the buffer unit. 前記バッファ部は、複数個所に設けられ、
前記バッファ部間には、当該バッファ部間で基板を搬送する搬送装置が配置されていることを特徴とする、請求項1又は2に記載の基板処理システム。
The buffer unit is provided at a plurality of locations,
The substrate processing system according to claim 1, wherein a transfer device that transfers a substrate between the buffer units is disposed between the buffer units.
前記搬送装置は、複数の基板を保持可能であることを特徴とする、請求項3に記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 3, wherein the transfer device is capable of holding a plurality of substrates. 複数の基板を収容するカセットを基板処理システムの外部との間で搬入出する際に載置するカセット載置部と、
前記カセット載置部と前記バッファ部との間で基板を搬送する他の搬送装置と、を有することを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理システム。
A cassette placement unit for placing a cassette containing a plurality of substrates when carrying it in and out of the substrate processing system;
The substrate processing system according to claim 1, further comprising: another transport device that transports the substrate between the cassette placing unit and the buffer unit.
前記他の搬送装置は、複数の基板を保持可能であることを特徴とする、請求項5に記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 5, wherein the other transfer device is capable of holding a plurality of substrates. 前記複数の処理装置群は、基板に所定の液体を供給して処理を行う液処理装置が鉛直方向に多段に配置された液処理装置群と、基板に所定の温度で熱処理を行う熱処理装置が鉛直方向に多段に配置された熱処理装置群と、を有することを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の基板処理システム。 The plurality of processing apparatus groups include a liquid processing apparatus group in which liquid processing apparatuses that perform processing by supplying a predetermined liquid to a substrate are arranged in multiple stages, and a heat processing apparatus that performs heat processing on the substrate at a predetermined temperature. The substrate processing system according to claim 1, comprising a group of heat treatment apparatuses arranged in multiple stages in the vertical direction. 前記複数の処理装置群は、基板に所定の液体を供給して処理を行う液処理装置と、基板に所定の温度で熱処理を行う熱処理装置とが鉛直方向に多段に配置された処理装置群を有することを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の基板処理システム。 The plurality of processing apparatus groups include a processing apparatus group in which a liquid processing apparatus that supplies a predetermined liquid to a substrate and performs processing and a heat processing apparatus that performs heat processing on the substrate at a predetermined temperature are arranged in multiple stages in the vertical direction. The substrate processing system according to claim 1, wherein the substrate processing system is provided. 一の前記処理装置群には、前記液処理装置と前記熱処理装置とを備えた処理装置層が鉛直方向に多段に配置されていることを特徴とする、請求項8に記載の基板処理システム。 9. The substrate processing system according to claim 8, wherein a processing apparatus layer including the liquid processing apparatus and the heat treatment apparatus is arranged in a plurality of stages in the vertical direction in one of the processing apparatus groups. 前記バッファ部は、内部に基板を保管するフレームと、前記フレームにおいて鉛直方向に所定の間隔で複数設けられ、基板を保持する保持部材と、を有することを特徴とする、請求項1〜9のいずれかに記載の基板処理システム。 The said buffer part has a frame which stores a board | substrate inside, and the holding member which is provided with two or more by the predetermined | prescribed space | interval in the perpendicular direction in the said frame, and hold | maintains a board | substrate. The substrate processing system according to any one of the above. 前記バッファ部は、内部に基板を保管するフレームと、前記フレームにおいて鉛直方向に所定の間隔で複数設けられ、当該フレームの内部を複数に区画する平板状部材と、前記平板状部材の上面に設けられ、基板を保持する保持部材と、を有することを特徴とする、請求項1〜9のいずれかに記載の基板処理システム。 The buffer unit includes a frame for storing a substrate therein, a plurality of flat members provided at predetermined intervals in the vertical direction in the frame, and a plurality of flat members that divide the inside of the frame into a plurality of members, and an upper surface of the flat member. The substrate processing system according to claim 1, further comprising a holding member that holds the substrate. 前記フレームは、側面が開口した円筒形状を有することを特徴とする、請求項10又は11に記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 10, wherein the frame has a cylindrical shape with an open side surface. 前記フレームは、側面が開口した直方体形状を有することを特徴とする、請求項10又は11に記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 10, wherein the frame has a rectangular parallelepiped shape with open side surfaces. 前記バッファ部は、鉛直方向に延伸する支持部材と、前記支持部材において鉛直方向に所定の間隔で設けられ、基板を保持する保持部材と、を有することを特徴とする、請求項1〜9のいずれかに記載の基板処理システム。 The said buffer part has the supporting member extended in a perpendicular direction, and the holding member which is provided in the said supporting member at the predetermined | prescribed space | interval in the perpendicular direction, and hold | maintains a board | substrate. The substrate processing system according to any one of the above. 前記搬送機構は、一対のアーム部と、前記アーム部に設けられ、基板を保持する保持部とを備えた搬送アームと、前記一対のアーム部の間隔を調整すると共に、前記搬送アームを水平方向に移動させるアーム移動機構と、を有することを特徴とする、請求項1〜14のいずれかに記載の基板処理システム。 The transfer mechanism adjusts the distance between the pair of arm portions, a transfer arm provided on the arm portions and a holding portion that holds the substrate, and the pair of arm portions, and moves the transfer arms in the horizontal direction. The substrate processing system according to claim 1, further comprising: an arm moving mechanism that moves the arm to the substrate. 前記搬送機構は、基板の外周に適合する形状を有するアーム部と、前記アーム部に設けられ、基板を保持する保持部と、を備えた搬送アームと、前記搬送アームを水平方向に移動させるアーム移動機構と、を有することを特徴とする、請求項1〜14のいずれかに記載の基板処理システム。 The transfer mechanism includes a transfer arm including an arm portion having a shape that fits an outer periphery of the substrate, a holding portion that is provided in the arm portion and holds the substrate, and an arm that moves the transfer arm in a horizontal direction. The substrate processing system according to claim 1, further comprising a moving mechanism. 前記アーム移動機構は、前記搬送アームを鉛直方向に移動させることを特徴とする、請求項15又は16に記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 15, wherein the arm moving mechanism moves the transfer arm in a vertical direction. 前記搬送機構は、基板を保持して搬送する搬送アームを有し、前記搬送アームは、屈曲自在に連結された複数のアーム部と、先端の前記アーム部に設けられ、基板を保持する保持部と、を有することを特徴とする、請求項1〜14のいずれかに記載の基板処理システム。 The transport mechanism includes a transport arm that holds and transports the substrate, and the transport arm is provided in a plurality of arm portions that are flexibly connected to each other, and a holding portion that is provided in the arm portion at the tip and holds the substrate. The substrate processing system according to claim 1, comprising: 前記搬送機構は、前記搬送アームを鉛直方向に移動させるアーム移動機構を有することを特徴とする、請求項18に記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 18, wherein the transport mechanism includes an arm moving mechanism that moves the transport arm in a vertical direction. 前記搬送機構は、前記搬送アームを複数有することを特徴とする、請求項15〜19のいずれかに記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 15, wherein the transport mechanism includes a plurality of the transport arms.
JP2009025719A 2009-02-06 2009-02-06 Substrate processing system Active JP4880004B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009025719A JP4880004B2 (en) 2009-02-06 2009-02-06 Substrate processing system
KR1020100010040A KR101452543B1 (en) 2009-02-06 2010-02-03 Substrate processing system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009025719A JP4880004B2 (en) 2009-02-06 2009-02-06 Substrate processing system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010182913A true JP2010182913A (en) 2010-08-19
JP4880004B2 JP4880004B2 (en) 2012-02-22

Family

ID=42756169

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009025719A Active JP4880004B2 (en) 2009-02-06 2009-02-06 Substrate processing system

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4880004B2 (en)
KR (1) KR101452543B1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013058735A (en) * 2011-08-12 2013-03-28 Shibaura Mechatronics Corp Processing system and processing method
JP2013247197A (en) * 2012-05-24 2013-12-09 Sokudo Co Ltd Substrate processing device
JP2014049463A (en) * 2012-08-29 2014-03-17 Sokudo Co Ltd Wafer processing apparatus and wafer processing method

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003045931A (en) * 2001-07-31 2003-02-14 Sendai Nikon:Kk Aligner
JP2003295190A (en) * 2002-03-25 2003-10-15 Lg Phillips Lcd Co Ltd Rubbing apparatus having turning buffer station for fabricating liquid crystal display device
JP2007208233A (en) * 2006-02-03 2007-08-16 Samsung Electronics Co Ltd Device and method for processing substrate

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1074818A (en) * 1996-09-02 1998-03-17 Tokyo Electron Ltd Treating device
KR100515740B1 (en) * 1998-08-14 2005-09-20 동경 엘렉트론 주식회사 Substrate processing apparatus
US6464789B1 (en) 1999-06-11 2002-10-15 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
KR101413243B1 (en) * 2006-11-01 2014-06-27 주식회사 원익아이피에스 Wafer transfer module and thin-film evaporation apparatus comprising the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003045931A (en) * 2001-07-31 2003-02-14 Sendai Nikon:Kk Aligner
JP2003295190A (en) * 2002-03-25 2003-10-15 Lg Phillips Lcd Co Ltd Rubbing apparatus having turning buffer station for fabricating liquid crystal display device
JP2007208233A (en) * 2006-02-03 2007-08-16 Samsung Electronics Co Ltd Device and method for processing substrate

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013058735A (en) * 2011-08-12 2013-03-28 Shibaura Mechatronics Corp Processing system and processing method
JP2013247197A (en) * 2012-05-24 2013-12-09 Sokudo Co Ltd Substrate processing device
JP2014049463A (en) * 2012-08-29 2014-03-17 Sokudo Co Ltd Wafer processing apparatus and wafer processing method
US9465293B2 (en) 2012-08-29 2016-10-11 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101908143B1 (en) * 2012-08-29 2018-10-15 가부시키가이샤 스크린 세미컨덕터 솔루션즈 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Also Published As

Publication number Publication date
KR101452543B1 (en) 2014-10-22
KR20100090643A (en) 2010-08-16
JP4880004B2 (en) 2012-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4439464B2 (en) Substrate transport method and substrate transport apparatus
JP4124400B2 (en) Substrate processing equipment
JP4464993B2 (en) Substrate processing system
TWI447837B (en) Substrate processing apparatus
TWI523134B (en) Substrate treatment system, substrate transfer method and computer-readable storage medium
JP5025231B2 (en) Substrate transfer processing equipment
KR101207046B1 (en) Substrate processing method, computer readable storage medium, and substrate processing system
JP3774283B2 (en) Processing system
JP4665037B2 (en) Substrate processing system
US6309116B1 (en) Substrate processing system
JP4133208B2 (en) Substrate processing equipment
JP4880004B2 (en) Substrate processing system
JP4515331B2 (en) Substrate processing system
JP2013069874A (en) Substrate processing system, substrate transfer method, program and computer storage medium
JP3878441B2 (en) Substrate processing equipment
KR20200026563A (en) Transfer robot and Apparatus for treating substrate with the robot
JP2010192559A (en) Substrate processing system
JP2001168167A (en) Treating system and method
JP5661584B2 (en) Substrate processing system, substrate transfer method, program, and computer storage medium
JP2001118782A (en) Substrate treater
JP5216713B2 (en) Coating processing apparatus, coating processing method, program, and computer storage medium
JP2010192685A (en) Substrate conveying device and substrate processing system
JP2010192688A (en) Substrate processing system, substrate processing method, program and computer storage medium
JP3901967B2 (en) Substrate processing unit and substrate processing apparatus
JP2002208554A (en) System for treating substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100917

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110405

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110531

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111122

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111130

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4880004

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141209

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250