KR101737643B1 - 표면 클리닝 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 표면 클리닝을 위한 개선된 방법 및 개선된 접촉 클리닝 표면에 대해 개시한다. 보다 상세하게는, 오염된 표면으로부터 미세 크기 오염 물질을 모으고 그리고/또는 제거하도록 채용된 마이크로-구조 표면을 포함하는 접촉 클리닝 표면을 개시한다.
Description
본 발명은 개선된 접촉 클리닝 표면 및 클리닝 표면을 위한 개선된 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 오염된 표면으로부터 미세 크기 오염 물질을 모으고 그리고/또는 제거하도록 채용된 마이크로-구조 표면을 포함하는 접촉 클리닝 표면에 관한 것이다.
기능성, 특히 광학적 특징을 강화하기 위해서, 편물(web)에 적용되는 나노입자(nanoparticle)를 포함하는 코팅에 관하여 증가하는 경향이 존재한다. 이런 코팅은 매우 얇고, 이를테면 편물의 표면에 미세 입자의 오염에 의해서 초래된 결함에 매우 민감하다. 민감한 편물의 표면으로부터 그러한 작은 입자를 제거하는 유일한 효과적인 방법은 접촉 클리닝 기술의 사용을 통해서이다. 그러나, 이는 클리닝 롤러를 가지고 편물의 표면을 접촉하는 것을 포함하기 때문에, 극단적으로 얇은 코팅층의 품질에 불리한 효과를 가질 수 있는 롤러와 표면 사이에 계면 반응(interfacial reaction)이 존재한다. 따라서, 초미세한 수준 아래로 입자 제거를 제공하는 동안 계면 반응을 완화하기 위해서 접촉 클리닝 기술에 대한 요구가 증가하고 있다.
특히, 플라스틱 전자제품(plastic electronics), 광전 변환 기구(photovoltaics) 및 평판 패널 디스플레이를 위해 성장하는 시장은 더 얇고, 더 견고하며, 결함 없는 코팅을 요구함으로써 현재 코팅 기술의 한계를 향하도록 편물 코팅 산업을 조종하고 있다. 이런 품질의 수준은 공정 수율(process yields)에 영향을 줄 수 있고 따라서 코팅 회사에 비용을 증가시킨다.
접착성 롤(roll)과 결합한 접촉 클리닝(cleaning)은 흔히 전자 부품의 생산에서 기판 표면을 클리닝하기 위해서 사용된다. 예컨대, 본 문서에 참조에 의해서 WO99/24178, WO2007/034244 및 WO2008/041000를 참조한다. 그러나 현재 시스템은 약 10 nm에서부터 약 10 마이크론(10,000 nm)까지의 범위처럼 작은 입자를 효과적으로 제거할 수 없다.
예컨대 공중의 먼지 입자를 끌어모으기 위해 공기 정화를 이용해서 표면 오염을 최소화하기 위해 사전 조치가 취해질 수 있는 동안에, 클리닝된 기판 표면의 분해(dissolution) 또는 데미지(damage)를 피하는 방식으로 표면을 클리닝하는 것이 바람직하고, 바람직하게는 수행하기 용이하다.
본 발명의 적어도 하나의 측면의 목적은 상기 언급한 문제의 적어도 하나 이상을 방지하거나 완화하기 위한 것이다.
본 발명의 적어도 하나의 측면의 추가적인 목적은 오염된 표면에 개선된 클리닝을 제공할 수 있는 접촉 클리닝 표면을 제공하는 것이다.
본 발명의 적어도 하나의 측면의 추가적인 목적은 오염된 표면으로부터 미세 크기의 오염 물질을 수집하고 그리고/또는 제거할 수 있는 접촉 클리닝 표면을 제공하는 것이다.
본 발명의 적어도 하나의 측면의 추가적인 목적은 오염된 표면에 개선된 클리닝을 제공할 수 있는 개선된 접촉 클리닝 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 적어도 하나의 측면의 추가적인 목적은 오염된 표면으로부터 미세 크기의 오염 물질을 수집하고 그리고/또는 제거할 수 있는 개선된 접촉 클리닝 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 클리닝 표면;을 포함하는 접촉 클리닝 표면으로, 클리닝 표면의 적어도 일부는 미세하게 거칠고, 미세하게 거친 표면은 오염된 표면으로부터 작은 오염 입자의 수집 및/또는 제거를 강화할 수 있는 것을 특징으로 하는 접촉 클리닝 표면이 제공된다.
상기 접촉 클리닝 표면은 미세 크기 입자로 오염된 표면을 클리닝하기 위해서 사용될 수 있다. 특히, 본 발명에서 정의된 것처럼, 접촉 클리닝은 플라스틱 전자제품, 광전 변환 기구, 및 평판 패널 디스플레이와 같은 전자 구성요소를 형성하기 위해서 의도된 표면을 클리닝하는데 매우 유용함이 발견된다.
따라서, 본 발명은 그들의 기능성 특히 그것의 광학적 특징을 강화하기 위해서 편물에 적용되는 나노 입자를 포함하는 코팅을 향한 증가하는 경향에서 유익하다.
전형적으로, 클리닝 표면의 전부 또는 실질적으로 전부는 오염 입자의 수집 및/또는 제거의 효율을 증가하기 위해서 미세하게 거칠어 질 수 있다.
미세하게 거친 클리닝 표면은 오염을 초래하는 작은 입자 및 클리닝 표면 사이에서 접촉하는 표면 영역을 증가시키고 그리고/또는 최대화하는데 사용될 수 있다. 이는 오염 입자의 수집 및/또는 제거를 굉장히 증가시키는 것임이 발견되었다. 비록, 이론에 의해 한계가 되길 바라지 않지만, 이런 개선은 증가된 표면 영역 접촉으로 초래된 오염 입자와 접촉 클리닝 표면 사이에 반 데르 발스 힘(van der Waals force)의 증가가 초래한다고 생각된다. 종래기술에서 현재 사용된 것처럼 완전히 부드러운 표면의 것과 비교해서 반 데르 발스 힘의 증가는 대략 적어도 약 50% 증가를 확인할 수 있다.
표면 영역 접촉을 증가시키기 위해서, 클리닝 표면은 예컨대 작은 오염 입자를 붙잡고 그리고/또는 제거하는데 사용될 수 있는 표면에 작은 인덴테이션(indentation)을 제공하기 위한 목적으로 거칠어 질 수 있다. 따라서, 클리닝 표면은 예컨대 무작위 또는 일정한 모양인 다수의 그러한 인덴테이션을 포함한다. 인덴테이션은 공동(hollow), 노치(notch), 리세스(recess), 컷(cut), 함몰(depression), 움푹 들어가는 곳(dimple), 움푹한 곳(dip), 홈(nick) 및/또는 구멍(pit)으로 된 임의의 형태를 의미한다.
인덴테이션의 형태 및/또는 크기는 실질적으로 균일하거나 실질적으로 균일하지 않을 수도 있다. 일 실시예에서, 인덴테이션의 형태 및/또는 크기는 실질적으로 균일하지 않고, 그러므로 인덴테이션의 형태 및/또는 크기는 다양한 형태 및/또는 크기로 확장되어 다양한 상이한 크기의 오염 입자에 대해서 오염 입자의 수집을 최대화하는 능력을 갖는 클리닝 표면을 제공할 수 있다.
따라서, 미세하게 거친 클리닝 표면은 작은 오염 입자의 수집 및/또는 제거를 향상하고 그리고/또는 최대화하기 위해서 채택된 다수의 작은 인덴테이션을 포함한다.
클리닝 표면은 임의의 적절한 기계적 및/또는 화학적 기술을 사용하여 미세하게 거칠게 된다. 예컨대, 임의의 적절한 기계적 수단, 몰딩 수단 및/또는 레이저 구조화 수단이 클리닝 표면을 미세하게 거칠도록 하기 위해서 사용된다.
따라서, 미세하게 거친 표면은 미세한 크기의 단면 직경 및 깊이를 갖는 일련의 또는 복수의 인덴테이션을 포함한다. 인덴테이션의 형태는 오염 입자의 형태와 부합(match)하도록 구체적으로 설계되는 것이 매우 바람직하다. 이는 오염 입자가 클리닝 과정 동안에 인덴테이션 내에 박히고 그리고/또는 붙어서 오염입자가 오염된 표면으로부터 제거되도록 허용하는 것을 의미한다. 그러므로 본 발명은 오염 입자와 클리닝 표면 사이에 접착력을 증가하는 방법으로 볼 수 있고 따라서 그 힘은 오염 입자들과 그들이 원래 부착된 오염된 표면 사이의 힘보다 더 크다.
예컨대, 미세하게 거친 표면은 약 10 미크론(10,000 nm) 미만; 약 5 미크론(5,000 nm) 미만; 약 1 미크론(1,000 nm) 미만; 약 0.1 미크론(100 nm) 미만; 약 0.01 미크론(10 nm) 미만; 또는 약 0.005 미크론(5 nm) 미만 중 어느 하나 또는 조합의 범위인 단면 직경 및/또는 깊이를 갖는 인덴테이션을 포함한다. 택일적으로, 미세하게 거친 표면은 약 1 nm에서부터 약 10 미크론 (10,000 nm)까지; 약 10 nm에서부터 약 10 미크론(10,000 nm); 약 10 nm에서부터 약 1 미크론(1,000 nm); 약 10 nm에서부터 약 0.1 미크론(100 nm)까지; 또는 약 1 nm에서부터 약 0.01 미크론(10 nm)까지 중 어느 하나 또는 조합의 범위인 단면 직경 및/또는 깊이를 갖는 인덴테이션을 포함한다. 상술한 것처럼, 미세하게 거친 표면은 수집되고 그리고/또는 제거되는 다른 크기의 오염 물질의 범위에 따르는 다른 단면 직경 및/또는 깊이의 조합을 갖는 인덴테이션을 포함한다. 단면 직경은 인덴테이션에 의해서 형성된 최대 직경을 의미한다. 깊이는 클리닝 표면의 최고 높은 부분과 인덴테이션의 가장 낮은 부분 사이의 수직 거리를 의미한다.
특정 실시예에서, ㎠ 당 약 10에서부터 약 100,000까지, ㎠ 당 약 100에서부터 약 10,000까지 또는 ㎠ 당 약 100에서부터 약 5,000까지의 인덴테이션이 존재한다.
수집된 작은 오염 입자가 실질적으로 인덴테이션의 형태 및/또는 치수(dimention)와 실질적으로 부합하고 약 10 미크론(10,000 nm) 미만; 약 5 미크론(5,000 nm) 미만; 약 1 미크론(1,000 nm) 미만; 약 0.1 미크론(100 nm) 미만; 약 0.01 미크론(10 nm) 미만; 또는 약 0.005 미크론(5 nm) 미만 어느 하나 또는 조합의 범위인 단면의 직경을 갖는다. 택일적으로, 수집된 작은 입자는 약 1 nm에서부터 약 10 미크론 (10,000 nm)까지; 약 10 nm에서부터 약 10 미크론(10,000 nm)까지; 약 10 nm에서부터 약 1 미크론(1,000 nm)까지; 약 10 nm에서부터 약 0.1 미크론(100 nm)까지; 또는 약 1 nm에서부터 약 0.01 미크론(10 nm)까지 중 어느 하나 또는 조합의 범위인 단면 직경을 갖는다.
바람직하게는, 인덴테이션은 오염 입자의 부피의 약 20%, 30%, 40%, 50%, 60%, 70% 또는 80%가 인덴테이션에 의해서 형성된 리세스와 꼭 맞는 크기 및 형태이다. 이는 오염입자가 오염 표면으로부터 수집되고 그리고/또는 제거되는 동안 오염 입자의 전체 표면 영역의 약 20%, 30%, 40%, 50%, 60%, 70% 또는 80%가 클리닝 표면과 접촉할 수 있다는 것을 의미한다.
클리닝 표면은 또한 오염 입자의 수집 및/또는 제거를 돕기 위해서 정전기적으로 충전(charged)될 수 있다.
클리닝 표면은 어떤 적절한 재료로 만들어질 수 있다. 예컨대, 클리닝 표면은 엘라스토머 재료로 만들어지거나 이를 포함할 수 있다.
특정 실시예에서, 클리닝 표면은 이는 클리닝되는 표면에 대항하여 회전하고 그리고/또는 가압되는 실질적으로 원통형 롤러와 같은 롤러의 형태일 수 있다.
그러므로, 클리닝 표면은 접촉에 배치되고 그리고/또는 어떤 적절한 수단을 사용하여 클리닝되는 표면에 대항하여 가압될 수 있다.
본 발명의 제 2 측면에 따르면, 작은 미세 입자로 오염된 표면 클리닝 방법으로, 상기 방법은, 오염된 표면으로부터 작은 미세 오염 입자의 수집 및/또는 제거를 강화하기 위해서 클리닝 표면이 미세하게 거칠도록 제공하는 단계; 및
오염된 표면에 대항하여 클리닝 표면을 접촉하고 그리고/또는 가압하는 단계;를 포함하고
오염된 표면에 대항하여 클리닝 표면을 접촉하고 그리고/또는 가압하는 단계에서, 오염된 표면의 작은 미세 오염 입자의 적어도 일부 또는 실질적으로 전부가 수집되고 그리고/또는 제거되는 것을 특징으로 한다.
전형적으로, 클리닝 표면의 전부 또는 실질적인 전부는 오염 입자의 제거의 효율을 향상하기 위해서 미세하게 거칠어진다.
예컨대, 미세하게 거친 표면은, 약 10 미크론(10,000 nm) 미만; 약 5 미크론(5,000 nm) 미만; 약 1 미크론(1,000 nm) 미만; 약 0.1 미크론(100 nm) 미만; 약 0.01 미크론(10 nm) 미만; 또는 약 0.005 미크론(5 nm) 중 어느 하나 또는 조합의 범위에서 단면 직경 및/또는 깊이를 갖는 인덴테이션을 포함한다. 택일적으로, 미세하게 거친 표면은, 약 1 nm에서부터 약 10 미크론 (10,000 nm)까지; 약 10 nm에서부터 약 10 미크론(10,000 nm)까지; 약 10 nm에서부터 약 1 미크론(1,000 nm)까지; 약 10 nm에서부터 약 0.1 미크론(100 nm)까지; 또는 약 1 nm에서부터 약 0.01 미크론(10 nm)까지 중 어느 하나 또는 조합의 범위인 단면 직경 및/또는 깊이를 갖는 인덴테이션을 포함한다. 상술한 것처럼, 미세하게 거친 표면은 수집되고 제거된 다른 크기의 오염 물질의 크기를 허용하는 단면 직경 및/또는 깊이의 조합을 갖는 인덴테이션을 포함한다.
수집된 작은 오염 입자는 실질적으로 인덴테이션의 형태 및/또는 치수와 대응하고 약 10 미크론(10,000 nm) 미만; 약 5 미크론(5,000 nm) 미만; 약 1 미크론(1,000 nm) 미만; 약 0.1 미크론(100 nm) 미만; 약 0.01 미크론(10 nm) 미만; 또는 약 0.005 미크론(5 nm) 중 어느 하나 또는 조합의 범위인 단면 직경을 갖는다. 택일적으로, 수집된 작은 입자는 약 1 nm에서부터 약 10 미크론 (10,000 nm)까지; 약 10 nm에서부터 약 10 미크론(10,000 nm)까지; 약 10 nm에서부터 약 1 미크론(1,000 nm)까지; 약 10 nm에서부터 약 0.1 미크론(100 nm)까지; 또는 약 1 nm에서부터 약 0.01 미크론(10 nm)까지 중 어느 하나 또는 조합의 범위인 단면 직경을 갖는다.
전형적으로, 클리닝 표면은 약 0.1 cm/s에서부터 약 5cm/s의 속도로 작은 입자로 오염된 표면에 대항하여 회전한다.
따라서 클리닝 표면은 제 1 측면에서 정의된 것과 같다.
본 발명의 제 3 측면에 따르면 오염된 표면을 클리닝하기 위한 표면 클리닝 장치가 제공되고, 상기 표면 클리닝 장치는 :
오염된 표면으로부터 작은 오염 입자를 제거할 수 있는 회전 가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러;
회전 가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러에서 수집된 작은 오염 입자를 제거할 수 있는 회전 가능하게 설치된 접착성 롤러; 및
회전 가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러에 대항하여 작은 입자로 오염된 표면을 가압할(urging) 수 있는 수단;를 포함하고,
회전 가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러의 표면의 적어도 일부는 미세하게 거칠고, 미세하게 거친 표면은 오염된 표면으로부터 작은 미세 오염 물질의 수집 및/또는 제거를 강화할 수 있는 것을 특징으로 한다.
전형적으로, 회전 가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러와 대항하여 작은 미세 입자로 오염된 표면을 가압할 수 있는 수단은 회전 가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러와 실질적으로 반대 방향으로 설치된다.
전동 수단이 또한 회전 가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러 및 회전 가능하게 설치된 접착성 롤러를 구동하기 위해서 제공된다.
회전가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러 및 회전가능하게 설치된 접착성 롤러가 서로 반대 방향으로 회전한다.
특정 실시예의 장치는 클리닝된 기판의 양쪽면에 한 쌍의 회전 가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러와 회전 가능하게 설치된 접착성 롤러를 포함한다.
회전가능하게 설치된 접착성 롤러는 오염된 물질로 포화되거나 접착성 시트의 효율이 줄어들 때 제거되거나 벗겨질 수 있는 적어도 하나 또는 다수의 접착성 시트(sheet)를 포함한다. 그로 인하여 회전가능하게 설치된 접착성 롤러는 미리 시트화된(pre-sheeted) 접착성 롤(roll)의 형태일 수 있다.
이런 장치는 플라스틱 전자제품, 광전 변환 기구 및 평판 패널 디스플레이와 같은 전자 구성요소의 생산에 사용될 수 있다.
본 발명의 제 4 측면에 따르면, 오염된 표면을 클리닝하기 위한 방법을 제공한다.
상기 방법은, 오염된 표면으로부터 작은 오염 입자를 제거할 수 있는 회전 가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러를 제공하는 단계;
회전 가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러에서 수집된 작은 오염 입자를 제거할 수 있는 회전 가능하게 설치된 접착성 롤러를 제공하는 단계; 및
회전 가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러에 대항하여 작은 입자로 오염된 표면을 가압할 수 있는 수단을 제공하는 단계; 를 포함하되
여기서 회전 가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러의 표면의 적어도 일부는 미세하게 거칠고, 미세하게 거친 표면은 오염된 표면으로부터 작은 미세 오염 입자의 수집 및/또는 제거를 강화할 수 있는 것을 특징으로 한다.
그러므로 회전가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러는 제 1 측면에서 정의된 것과 같은 클리닝 표면을 포함한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 클리닝 표면의 오염 입자의 대표도이고,
도 2는 종래 기술에 따른 클리닝 표면의 오염 입자의 대표도이며,
도 3은 오염 물질이 너무 커서 클리닝 표면의 인덴테이션에 꼭 맞지 않는 추가적인 클리닝 표면의 오염 입자의 대표도이고,
도 4는 본 발명의 추가적인 실시예에 따른 표면 클리닝 장치의 대표도이다.
도 2는 종래 기술에 따른 클리닝 표면의 오염 입자의 대표도이며,
도 3은 오염 물질이 너무 커서 클리닝 표면의 인덴테이션에 꼭 맞지 않는 추가적인 클리닝 표면의 오염 입자의 대표도이고,
도 4는 본 발명의 추가적인 실시예에 따른 표면 클리닝 장치의 대표도이다.
본 발명의 실시예는 첨부된 도면과 관련하여 오직 예시적인 방법으로 설명된다.
도 1은 본 발명에 따른 접촉 클리닝 표면(10)의 대표도이다. 도 1 에 도시된 것처럼, 오염 입자(12)는 편안하게 꼭 맞고 접촉 클리닝 표면(10)의 인덴테이션(14)에 박혀 있다. 인덴테이션(14)은 오염 입자(12)와 실질적으로 비슷한 크기와 형태를 갖는(즉, 그들은 실질적으로 부합한다) 것으로 보인다. 그러므로 인덴테이션(14)과 오염 입자(12) 사이에는 큰 접촉 면적이 존재한다. 인덴테이션(14)은 약 5 미크론(5,000 nm) 미만의 단면 직경 및 깊이를 갖는다. 이는 오염 표면으로부터 오염 입자(12)의 수집 및/또는 제거를 증가하는 것이 놀랍게 발견된다. 비록 이론상의 한계를 바라지 않지만 이는 접촉 클리닝 표면(10)과 오염 입자(12) 사이에 반 데르 발스 힘이 증가하기 때문이라고 생각된다.
도 2는 종래 기술을 나타내는 도면이다. 도 2의 접촉 클리닝 표면(20)은 실질적으로 부드러운 볼록한 구조이다. 이는 오염 입자(22) 및 접촉 클리닝 표면(20) 사이의 접촉 영역을 감소시키는 효과를 갖는다. 그러므로 접촉 클리닝 표면(20)은 아주 작은 접촉 영역이 있기 때문에 오염 입자(22)를 향해서 상대적으로 작은 반 데르 발스 힘을 갖는다. 그로 인하여 접촉 클리닝 표면(20)은 오염된 표면으로부터 오염 입자(22)를 제거하는 데 효과적이지 않다.
도 3은 오염 입자(32)가 너무 커서 인덴테이션(34)에 딱 맞지 않는 대표도이다. 이는 또다시 접촉 클리닝 표면(30)과 오염 입자(32) 사이의 표면 접촉을 감소시킨다. 그러므로 접촉 클리닝 표면(30)과 오염 입자(32) 사이에서 반 데르 발스 힘이 감소하는 것은 접촉 클리닝 표면(30)이 오염된 표면으로부터 오염 입자(32)를 효과적으로 제거하지 못한다는 것을 의미한다.
도 4는 100에 의해서 지시된 일반적으로 본 발명에 따른 표면 클리닝 장치의 대표도이다. 도 4에서 도시된 것처럼, 표면 클리닝 장치(100)는 접촉 클리닝 롤러(112) 및 접착성 롤러(114)를 포함한다. 접촉 클리닝 롤러(112)는 기판(11)으로부터 오염된 재료를 수집하고 제거한다. 가압하는 수단(미도시)은 접촉 클리닝 롤러(112)에 대항하여 기판(110)에 힘을 가한다. 접촉 클리닝 롤러(112)는 본 발명에서 정의된 것과 같은 거친 표면을 포함한다. 접촉 클리닝 롤러(112)의 표면은 기판(110)으로부터 작은 오염 파편(debris)을 제거하기에 적합한 다수의 인덴테이션을 포함한다. 인덴테이션은 오염된 표면으로부터 미세 크기인 오염 물질을 수집하고 그리고/또는 제거하기 위해서 채택된 마이크로-구조 표면의 형태이다. 도 4에서 도시된 것처럼, 접촉 클리닝 롤러(112)는 접촉 클리닝 롤러(112)에 형성된 오염된 입자를 제거하는 접착성 롤러(114)에 대항하여 반대 방향으로 회전한다.
그러므로 기판(11)의 참조 (A) 에 의해서 식별되는 영역은 클리닝되지 않았고, 참조 (B) 에 의해서 식별된 영역은 클리닝된 것으로서 그 다음 플라스틱 전자제품, 광전 변환 기구 및 평판 패널 디스플레이와 같은 전자 구성요소의 개선된 제조에서 사용될 수 있다.
접촉 클리닝 롤러(112)의 인덴테이션은 약 5 미크론(5,000 nm) 미만의 범위인 단면 직경 및/또는 깊이를 갖는다. 인덴테이션은 또한 수집 및/또는 제거를 강화하기 위해서 오염 입자와 실질적으로 유사한 형태 및 크기이다.
본 발명의 특정 실시예가 상기에서 설명되었다 할지라도, 설명된 실시예로 부터 출발한 것들은 여전히 본 발명의 범위 내라고 이해될 것이다. 예컨대, 미세하게 거친 구조의 임의의 적절한 형태는 오염된 표면으로부터 오염 물질을 수집하고 그리고/또는 제거하기 위해서 사용될 수 있다.
Claims (28)
- 접촉 클리닝 표면은:
클리닝 표면(10)과;
클리닝 표면(10)의 적어도 일부는 클리닝 표면(10) 상의 인덴테이션에 의해 미세하게 거칠게 형성되고, 인덴테이션의 형상 및 사이즈는 실질적으로 균일하지 않으며, 따라서 사이즈의 범위가 확장되면 그것에 의해 다른 사이즈 범위의 오염 입자를 통해 오염된 입자의 수집 및 제거를 강화하는 성능이 클리닝 표면에 제공되며, 5 미크론 보다 작은 단면 지름과 깊이를 가진 인덴테이션과 미세하게 거칠어진 표면은 오염된 표면으로부터 작은 오염 입자의 수집 및 제거를 강화시킬 수 있고, 상기 인덴테이션의 형상 및 치수는 제거되어야할 오염 입자의 형상 및 사이즈와 실질적으로 일치되도록 설계되고, 및 상기 인덴테이션은 랜덤 패턴으로 구성된 접촉 클리닝 표면. - 제 1 항에 있어서,
클리닝 표면(10)의 전부 또는 실질적으로 전부는 오염 입자의 수집 및 제거 효율을 향상시키기 위해서 미세하게 거칠게 형성되고; 및
미세하게 거친 클리닝 표면(10)은 클리닝 표면(10)과 작은 오염 입자 사이의 접촉 표면적을 증가시키도록 형성된 접촉 클리닝 표면. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
클리닝 표면은 임의의 기계적인 수단, 몰딩 수단 또는 레이저 구조화 수단을 사용하여 미세하게 거칠게 형성된 접촉 클리닝 표면. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
미세하게 거친 표면은 다음 중에서: 5 미크론 미만; 1 미크론 미만; 0.1 미크론 미만; 0.01 미크론 미만; 또는 0.005 미크론 미만 중 어느 하나 또는 이들의 조합의 범위에서 단면 직경 및 깊이를 가지는 인덴테이션을 포함하며;
또는 미세하게 거친 표면은 다음 중에서: 0.001 미크론 내지 5 미크론 미만; 0.01 미크론 내지 5 미크론 미만; 0.01 미크론 내지 1 미크론 ; 0.01 미크론 내지 0.1 미크론 ; 또는 0.001 미크론 내지 0.01 미크론 중 어느 하나 또는 이들의 조합의 범위에서 단면 직경 및 깊이 범위를 가진 인덴테이션을 포함하는 접촉 클리닝 표면. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
미세하게 거친 표면은 오염입자 볼륨의 20%, 30%, 40%, 50%, 60%, 70% 또는 80% 가 인덴테이션 속으로 피팅될 수 있는 크기와 형상인 인덴테이션을 포함하고; 또는 미세하게 거친 표면은 인덴테이션을 포함하고 오염입자의 표면적의 20%, 30%, 40%, 50%, 60%, 70% 또는 80%는 클리닝 표면(10) 상의 인덴테이션의 표면적과 접촉할 수 있는 접촉 클리닝 표면. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
클리닝 표면(10)은 엘라스토머 물질로 만들어지거나 또는 구성되며, 상기 클리닝 표면(10)은 클린될 표면에 대해 회전 및 가압될 수 있는 롤러(112) 형태 또는 실질적으로 원통형 롤러인 접촉 클리닝 표면. - 삭제
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- 작은 미세 입자로 오염된 표면 클리닝 방법으로,
상기 방법은,
오염된 표면(110)으로부터 작은 미세 오염 입자의 수집 및 제거를 강화하기 위하여 미세하게 거칠게 형성된 클리닝 표면(10)을 제공하는 단계를 포함하며, 상기 클리닝 표면(10)은 클리닝 표면(10) 상의 인덴테이션에 의해 거칠게 형성되고, 인덴테이션의 형상 및 사이즈는 실질적으로 균일하지 않고, 따라서 사이즈의 범위가 확장되면 그것에 의해 다른 사이즈 범위의 오염 입자를 통해 오염된 입자의 수집 및 제거를 강화하는 성능이 클리닝 표면에 제공되고, 인덴테이션은 5 미크론 보다 작은 단면 직경 및 깊이를 가지며. 상기 인덴테이션의 형상 및 치수는 제거될 오염 입자의 형상 및 사이즈와 실질적으로 일치하도록 구체적으로 설계되며, 상기 인덴테이션은 랜덤 패턴이며;
오염된 표면에 대해 클리닝 표면(10)을 접촉시키거나 또는 가압하는 단계를 포함하며; 오염된 표면에 대해 클리닝 표면을 접촉시키거나 또는 가압하는 즉시 오염된 표면상의 작은 미세한 오염 입자들의 적어도 일부 또는 실질적으로 모두는 수집 및 제거될 수 있으며, 및 상기 클리닝 표면(10)의 모두 또는 실질적으로 모두는 오염 입자 제거의 효율을 증가시키기 위하여 미세하게 거칠게 형성된 작은 미세 입자로 오염된 표면 클리닝 방법. - 제 16 항에 있어서,
미세하게 거칠게 형성된 표면은 다음 중에서: 5 미크론 미만; 1 미크론 미만; 0.1 미크론 미만; 0.01 미크론 미만; 또는 0.005 미크론 미만 중 어느 하나 또는 이들의 조합의 범위에서 단면 직경 및 깊이를 가지는 인덴테이션을 포함하며;
또는 미세하게 거친 표면은 다음 중에서: 0.001 미크론 내지 5 미크론 미만; 0.01 미크론 내지 5 미크론 미만; 0.01 미크론 내지 1 미크론 ; 0.01 미크론 내지 0.1 미크론 ; 또는 0.001 미크론 내지 0.01 미크론 중 어느 하나 또는 이들의 조합의 범위에서 단면 직경 및 깊이 범위를 가진 인덴테이션을 포함하는 작은 미세 입자로 오염된 표면 클리닝 방법. - 제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,
미세하게 거친 표면은 수집 및 제거될 다른 사이즈의 오염 입자의 범위를 허용하는 단면 직경 및 깊이의 조합을 갖는 인덴테이션을 포함하는 작은 미세 입자로 오염된 표면 클리닝 방법. - 삭제
- 삭제
- 오염된 표면을 클리닝하기 위한 표면 클리닝 장치에서,
상기 표면 클리닝 장치는:
청구항 1에 따른 클리닝 표면을 포함하는 오염된 표면(110)으로부터 작은 오염 입자를 제거할 수 있는 회전 가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러;
회전 가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러(112)에서 수집된 작은 오염 입자를 제거할 수 있는 회전 가능하게 설치된 접착성 롤러(114); 및
회전 가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러(112)에 대하여 작은 입자로 오염된 표면(110)을 가압할 수 있는 수단을 포함하는 오염된 표면을 클리닝하기 위한 표면 클리닝 장치. - 제 21 항에 있어서,
회전 가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러(112)와 대하여 작은 미세 입자로 오염된 표면을 가압할 수 있는 수단은 회전 가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러(112)와 실질적으로 반대 방향으로 설치되고; 모터라이즈드 수단은 회전 가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러(112) 및 회전 가능하게 설치된 접착성 롤러(114)를 구동하기 위해 제공되는 오염된 표면을 클리닝하기 위한 표면 클리닝 장치. - 제 21 항 또는 제 22 항에 있어서,
표면 클리닝 장치는 클린될 기판 양 측면에 회전 가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러(112) 및 회전 가능하게 설치된 접착성 롤러(114) 한 쌍을 포함하고; 및 상기 장치는 플라스틱 전자제품, 광전 변환 기구 및 평판 패널 디스플레이의 전자 구성요소를 포함하는 전자 구성요소의 제조에서 사용되는 오염된 표면을 클리닝하기 위한 표면 클리닝 장치. - 삭제
- 삭제
- 오염된 표면을 클리닝하기 위한 방법으로, 상기 방법은,
오염된 표면(110)으로부터 작은 오염 입자를 제거할 수 있는 회전 가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러(112), 클리닝 표면(10)을 포함하는 상기 회전 가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러(112)를 제공하는 단계;
회전 가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러(112) 상에서 수집된 작은 오염 입자를 제거할 수 있는 회전 가능하게 설치된 접착성 롤(114)를 제공하는 단계;
회전 가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러(112)에 대하여 작은 입자로 오염된 표면을 가압할 수 있는 수단을 제공하는 단계를 포함하되,
상기 회전 가능하게 설치된 표면 클리닝 롤러(112) 표면의 적어도 일부는 청구항 1에 따른 클리닝 표면을 포함하는 오염된 표면을 클리닝하기 위한 방법. - 삭제
- 삭제
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