KR101705006B1

KR101705006B1 - 렌즈 제조용 지그 재사용 방법

Info

Publication number: KR101705006B1
Application number: KR1020160097780A
Authority: KR
Inventors: 진영식
Original assignee: 진영식
Priority date: 2016-08-01
Filing date: 2016-08-01
Publication date: 2017-02-09

Abstract

본 발명은 렌즈 제조용 지그 재사용 방법에 관한 것으로, 그 목적은, 렌즈 표면처리에 사용되는 지그에 증착되어진 증착물질을 제거하고, 이를 재사용하도록 하여 원가를 절감하도록 하는 렌즈 제조용 지그 재사용 방법을 제공함에 있다. 이는 렌즈 표면처리에 사용되어진 지그 표면에 증착된 증착물질을 에칭시키도록 에칭조에 투입하는 에칭공정과, 상기 에칭조에서 에칭 처리된 지그를 세척조로 이동시켜 중화시키도록 하는 중화공정과, 상기 중화처리된 지그를 이동시켜 탈수기로 물기를 제거하도록 하는 탈수공정과, 상기 탈수기로 탈수 처리된 지그를 건조로에 투입하여 건조시키도록 하는 건조공정을 포함하는 것이다.

Description

렌즈 제조용 지그 재사용 방법{Reusing method of jig for manufacturing the Lens}

본 발명은 렌즈 제조용 지그 재사용 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 렌즈 표면처리에 사용되는 지그에 증착되어진 증착물질을 제거하고, 이를 재사용하도록 하여 원가를 절감하도록 하는 렌즈 제조용 지그 재사용 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 카메라에 사용되는 렌즈는 유리 또는 합성수지 등의 재질로 사출성형되면서도 극히 소형으로 구성되고, 빛의 굴절을 방지하며, 성능의 향상을 위하여 그 표면을 코팅처리하는 것이 필연적으로 요구되고 있다.

이러한 카메라 렌즈의 표면처리방법의 종래의 일예로서는, 대한민국 등록특허 10-0276129호 "CCD카메라용 렌즈의 표면처리방법" 에서 찾아 볼수 있다.

상기 종래의 기술 내용은, CCD 카메라에 적용되는 렌즈의 표면을 코팅처리하는 제조방법에 있어서, 전처리 공정에서 사출성형된 다수개의 렌즈를 지그판의 재치공에 재치하도록 하는 렌즈 재치공정과, 상기 지그판을 원판형으로 구비되는 받침대의 각 장착공에 안착시키도록 하는 지그판 장착공정과, 상기 받침대를 코팅처리기에 설치하여 지그판의 각 재치공에 재치된 렌즈의 표면을 코팅처리토록 하는 코팅처리공정과, 상기 처리공정이 완료된 지그판을 받침대로 부터 분리하여 그대로 포장상자에 적층수납하여 포장토록 하는 포장공정으로 이루어진 것이다.

그러나, 종래의 렌즈의 표면처리방법으로 사용하는 지그는 코팅처리공정에서 증착물질을 사용하게 되고, 이 증착물질이 지그 표면에서 흡착되어 있어 이를 재사용시에는 흡착된 증착물질이 박리되면서 불량을 야기하게 됨으로, 지그를 재활용하지 못하고, 폐기처리하게 됨으로 제조원가의 상승 등의 문제점이 있다.

국내 등록특허 10-0276129호{등록일자 2000년09월27일}

본 발명은 상기 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은, 렌즈 표면처리에 사용되는 지그에 증착되어진 증착물질을 제거하고, 이를 재사용하도록 하여 원가를 절감하도록 하는 렌즈 제조용 지그 재사용 방법을 제공함에 있다.

본 발명을 달성하기 위한 기술적 사상으로 렌즈 제조용 지그 재사용 방법은, 렌즈 표면처리에 사용되어진 지그 표면에 증착된 증착물질을 에칭시키도록 에칭조에 투입하는 에칭공정과, 상기 에칭조에서 에칭 처리된 지그를 세척조로 이동시켜 중화시키도록 하는 중화공정과, 상기 중화처리된 지그를 이동시켜 탈수기로 물기를 제거하도록 하는 탈수공정과, 상기 탈수기로 탈수 처리된 지그를 건조로에 투입하여 건조시키도록 하는 건조공정을 포함하는 것이다.

또한, 상기 에칭공정은 지그를 1분 ~ 5분 동안 20 ~ 30℃로 에칭제에 침전시키도록 하는 것이다.

또한, 상기 에칭제는, 아미도술폰산 1 ~ 15 중량%, 플루오린화 암모늄 2 ~ 25 중량%, 물 60 ~ 90 중량%를 포함하는 것이다.

또한, 상기 에칭제는, 구연산 0.1 ~ 10 중량%, 인산 0.1 ~ 5 중량%, 소디움 크실렌 설포네이트 0.1 ~ 5 중량%, 불화 암모늄 0.01 ~ 1 중량%, 하이드록시-포스포노에틸(포스폰산) 0.1 ~ 10 중량%, 물 70 ~ 99 중량%를 포함하는 것이다.

또한, 상기 에칭제는, 디하이드로젠 옥사이드 40 ~ 70 중량%, 이소프로필알콜 1 ~ 5 중량%, 인산 1 ~ 5 중량%, 물 28 ~ 58 중량%를 포함하는 것이다.

또한, 상기 중화공정은 초음파 세척 또는 버블 세척 중 하나로 이루어진 것이다.

또한, 상기 중화공정은 다수의 세척조에서 30℃ ~ 60℃ 의 온도로 각각 1분 ~ 3분 내로 이루어지도록 하는 것이다.

또한, 상기 탈수공정은 탈수기에서 2 ~ 5분 동안 탈수하도록 하는 것이다.

또한, 상기 건조공정은 건조기에서 50℃ ~ 60℃의 온도로 20 ~ 40분 건조하도록 하는 것이다.

본 발명을 달성하기 위한 기술적 사상으로 본 발명에 따른 렌즈 제조용 지그 재사용 방법은, 렌즈 표면처리에 사용되어진 지그 표면에 증착된 증착물질을 에칭조에 투입하여 에칭시키고, 이를 세척조에서 중화한 후 탈수 및 건조공정을 거치도록 함으로서, 지그에 증착되어진 증착물질을 제거하고, 이를 재사용하도록 하여 원가를 절감하도록 할 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 렌즈 제조용 지그의 사시도.
도 2는 본 발명에 따른 렌즈 제조용 지그의 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 렌즈제조용 지그에 증착물질이 1회 코팅된 경우와 3회 코팅된 경우와 5회 이상 코팅된 상태를 촬영한 사진.
도 4는 본 발명에 따른 렌즈 제조용 지그 재사용 방법의 공정도.
도 5는 본 발명에 따른 렌즈제조용 지그의 증착물질을 제거한 상태를 촬영한 사진.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.

이하 본 발명의 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참고로 그 구성 및 작용을 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명에 따른 렌즈 제조용 지그의 사시도이고, 도 2는 본 발명에 따른 렌즈 제조용 지그의 단면도이다.

도 1 및 도 2를 참고하면, 본 발명에 적용된 렌즈 제조용 지그는 상하판으로 이루어지고, 상기 상하판에는 복수의 관통공이 형성되어 있으며, 상기 상하판 사이에 렌즈를 결합하여 증착공정이 이루어진다.

이때 렌즈 뿐만 아니라 지그에도 증착물질이 증착되어진다.

상기 지그의 재질은 합성수지 또는 금속재로 이루어질 수 있고, 더욱 상세하게는 폴리 카보네이트로 이루어지거나 황동 재질로 이루어질 수 있다.

도 3은 본 발명에 따른 렌즈제조용 지그에 증착물질이 1회 코팅된 경우와 3회 코팅된 경우와 5회 이상 코팅된 상태를 촬영한 사진이다.

도 3을 참고하면, 레즈 제조용 지그는 포리 카보네이트 소재로 이루어졌고, 1회 코팅시, 3회 코팅시 및 5회 코팅시의 사진을 촬영하였으며, 회수가 증가할 수로 표면에 증착물질이 증착된 상태가 증가되는 것을 확인할 수 있다.

또한, 아래 표 1과 같이 코팅횟수에 5회 이상일 때 불량률이 19%으로 증가 되는 것을 확인할 수 있으며, 이무 불량과 은하수 불량이 대부분을 차지하고 있다.

불량발생 검토 내역(박리 전)

코팅 횟수		1회	2회	3회	4회	5회이상	비고
투입 수량		1500	1500	1500	1500	1500
불량 수량		43	83	117	151	280
불량 율		3%	5%	8%	10%	19%
불 량 내 역	기즈	5	7	7	7	9
	이물	23	45	73	102	205
	은하수	1	10	16	23	50
	흑점	4	6	7	4	6
	얼룩	10	12	14	15	10
비고

도 4는 본 발명에 따른 렌즈 제조용 지그 재사용 방법의 공정도이다.

도 4를 참고하면, 본 발명에 따른 렌즈 제조용 지그 재사용 방법은, 에칭공정, 중화공정, 탈수공정 및 건조공정을 포함한다.

상기 에칭공정은, 렌즈 표면처리에 사용되어진 지그 표면에 증착된 증착물질을 에칭시키도록 에칭조에 투입하는 공정이다.

상기 렌즈의 표면에 증착되는 증착물질은 SiO², TiO². Ti³O5, AL²O³등의 물질이며, 이 물질이 지그 표면에도 증착되어 계속 반복적으로 지그를 재사용하게 되면 렌즈 제조과정에서 이물이나 은하수 현상 등의 불량이 발생하게 됨으로, 재사용되는 지그의 표면을 에칭처리하게 되는 것이다.

또한, 상기 에칭공정은 지그를 1분 ~ 5분 시간동안 20 ~ 30℃ 에칭제에 침전시키도록 하는 것이다.

상기 에칭제의 제1실시예는, 아미도술폰산(amidosulfonic acid) 1 ~ 15 중량%, 플루오린화 암모늄(ammonium fluoride) 2 ~ 25 중량%, 물 60 ~ 90 중량%를 포함하는 것이다.

또한, 상기 에칭제의 제2실시예는, 구연산 0.1 ~ 10 중량%, 인산 0.1 ~ 5 중량%, 소디움 크실렌 설포네이트(sodium xylene sulfonate) 0.1 ~ 5 중량%, 불화 암모늄 0.01 ~ 1 중량%, 하이드록시-포스포노에틸(포스폰산)[hydroxy-phosphonoethyl(phosphonic acid)] 0.1 ~ 10 중량%, 물 70 ~ 99 중량%를 포함하는 것이다.

또한, 상기 에칭제의 제3실시예는, 디하이드로젠 옥사이드(dihydrogen oxide) 40 ~ 70 중량%, 이소프로필알콜 1 ~ 5 중량%, 인산 1 ~ 5 중량%, 물 28 ~ 58 중량%를 포함하는 것이다.

상기 중화공정은, 상기 에칭조에서 에칭처리된 지그를 세척조로 이동시켜 중화시키도록 하는 것이다.

또한, 상기 중화공정은 초음파 세척 또는 버블 세척 중 하나로 이루어지도록 하며, 순수 또는 중수를 사용하도록 하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 중화공정은 다수의 세척조에서 30℃ ~ 60℃ 의 온도로 각각 1분 ~ 3분 내로 이루어지도록 하는 것이 바람직하다.

상기 탈수공정은, 상기 중화처리된 지그를 이동시켜 탈수기로 물기를 제거하도록 하는 것이다.

상기 건조공정은, 상기 탈수기로 탈수 처리된 지그를 건조로에 투입하여 건조시키도록 하는 것이다.

또한, 상기 건조공정은 건조기에서 50℃ ~ 60℃의 온도로 20 ~ 40분으로 건조하도록 하는 것이다.

도 5는 본 발명에 따른 렌즈제조용 지그의 증착물질을 제거한 상태를 촬영한 사진이다.

도 5의 사진을 참고하면, 신품과 동일하게 표면에 증착물질이 제거된 상태를 확인할 수 있다.

또한, 아래 표 2과 같이 코팅횟수에 5회 이상일 때 불량률이 3%으로 감소된 상태를 확인할 수 있다.

불량발생 검토 내역(박리 후)

코팅 횟수		1회	2회	3회	4회	5회이상	비고
투입 수량		1500	1500	1500	1500	1500
불량 수량		36	38	38	45	42
불량 율		2%	3%	3%	3%	3%
불 량 내 역	기즈	3	4	3	5	4
	이물	21	19	23	23	18
	은하수	2	3	2	4	6
	흑점	3	4	4	3	6
	얼룩	7	8	6	10	8
비고

또한, 아래의 표 3은 제1실시예의 에칭제를 사용했을 때의 세척효율을 표로 나타낸 것이다.

제1실시예의 에칭제의 세척효율

코팅횟수	1회	2회	3회	4회	5회
세척효율	26.2%	35.4%	55.1%	63.6%	77.4%

또한, 아래의 표 4은 제2실시예의 에칭제를 사용했을 때의 세척효율을 표로 나타낸 것이다.

제2실시예의 에칭제의 세척효율

코팅횟수	1회	2회	3회	4회	5회
세척효율	29.6%	37.8%	58.9%	66.3%	80.5%

또한, 아래의 표 5는 제3실시예의 에칭제를 사용했을 때의 세척효율을 표로 나타낸 것이다.

제3실시예의 에칭제의 세척효율

코팅횟수	1회	2회	3회	4회	5회
세척효율	33.3%	40%	62.5%	70%	84.2%

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명한 것이나, 당해 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자들에게는 다양한 변형 및 다른 실시예가 가능하다는 점이 이해될 것이다.

10: 지그
20: 렌즈

Claims

렌즈 표면처리에 사용되어진 지그 표면에 증착된 증착물질을 에칭시키도록 에칭조에 투입하는 에칭공정과,
상기 에칭조에서 에칭 처리된 지그를 세척조로 이동시켜 중화시키도록 하는 중화공정과,
상기 중화처리된 지그를 이동시켜 탈수기로 물기를 제거하도록 하는 탈수공정과,
상기 탈수기로 탈수 처리된 지그를 건조로에 투입하여 건조시키도록 하는 건조공정을 포함하고,
상기 에칭공정은 지그를 1분 ~ 5분 동안 20 ~ 30℃로 에칭제에 침전시키도록 하며,
상기 에칭제는, 아미도술폰산 1 ~ 15 중량%, 플루오린화 암모늄 2 ~ 25 중량%, 물 60 ~ 90 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 제조용 지그 재사용 방법.
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렌즈 표면처리에 사용되어진 지그 표면에 증착된 증착물질을 에칭시키도록 에칭조에 투입하는 에칭공정과,
상기 에칭조에서 에칭 처리된 지그를 세척조로 이동시켜 중화시키도록 하는 중화공정과,
상기 중화처리된 지그를 이동시켜 탈수기로 물기를 제거하도록 하는 탈수공정과,
상기 탈수기로 탈수 처리된 지그를 건조로에 투입하여 건조시키도록 하는 건조공정을 포함하고,
상기 에칭공정은 지그를 1분 ~ 5분 동안 20 ~ 30℃로 에칭제에 침전시키도록 하며,
상기 에칭제는, 구연산 0.1 ~ 10 중량%, 인산 0.1 ~ 5 중량%, 소디움 크실렌 설포네이트 0.1 ~ 5 중량%, 불화 암모늄 0.01 ~ 1 중량%, 하이드록시-포스포노에틸(포스폰산) 0.1 ~ 10 중량%, 물 70 ~ 99 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 제조용 지그 재사용 방법.
렌즈 표면처리에 사용되어진 지그 표면에 증착된 증착물질을 에칭시키도록 에칭조에 투입하는 에칭공정과,
상기 에칭조에서 에칭 처리된 지그를 세척조로 이동시켜 중화시키도록 하는 중화공정과,
상기 중화처리된 지그를 이동시켜 탈수기로 물기를 제거하도록 하는 탈수공정과,
상기 탈수기로 탈수 처리된 지그를 건조로에 투입하여 건조시키도록 하는 건조공정을 포함하고,
상기 에칭공정은 지그를 1분 ~ 5분 동안 20 ~ 30℃로 에칭제에 침전시키도록 하며,
상기 에칭제는, 디하이드로젠 옥사이드 40 ~ 70 중량%, 이소프로필알콜 1 ~ 5 중량%, 인산 1 ~ 5 중량%, 물 28 ~ 58 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 제조용 지그 재사용 방법.
제1항, 제4항, 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중화공정은 초음파 세척 또는 버블 세척 중 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 렌즈 제조용 지그 재사용 방법.
제1항, 제4항, 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중화공정은 다수의 세척조에서 30℃ ~ 60℃ 의 온도로 각각 1분 ~ 3분 내로 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 렌즈 제조용 지그 재사용 방법.
제1항, 제4항, 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 탈수공정은 탈수기에서 2 ~ 5분 동안 탈수하도록 하는 것을 특징으로 하는 렌즈 제조용 지그 재사용 방법.
제1항, 제4항, 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 건조공정은 건조기에서 50℃ ~ 60℃의 온도로 20 ~ 40분 건조하도록 하는 것을 특징으로 하는 렌즈 제조용 지그 재사용 방법.