KR101695700B1 - 아발란치 포토다이오드의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 아발란치 포토다이오드의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 제조방법은, 기판의 전면에 광흡수층, 그래이딩층, 전기장완충층 및 증폭층을 순차적으로 성장시켜 에피탁시 웨이퍼(Epitaxy wafer)를 형성하는 단계; 상기 증폭층 상에 확산조절층을 형성하는 단계; 상기 확산조절층 상에 확산조절층을 보호하는 보호층을 형성하는 단계; 상기 보호층에서부터 상기 증폭층의 소정 깊이까지 에칭하여 에칭부를 형성하는 단계; 상기 보호층을 패터닝하여 제1패터닝부를 형성하는 단계; 상기 에칭부 및 상기 제1패터닝부에 확산물질을 확산시켜 상기 증폭층에 접합영역과 가드링영역을 형성하는 단계; 상기 확산조절층 및 상기 보호층을 제거하고, 상기 증폭층 상에 상기 접합영역과 연결되는 제1전극을 형성하는 단계; 및 상기 기판의 후면에 제2전극을 형성하는 단계를 포함한다. 이와 같은 본 발명은 재현성이 확보되고 신뢰성이 우수한 아발란치 포토다이오드를 제공할 수 있다.
Description
본 발명은 광검출기에 적합한 아발란치 포토다이오드(APD)의 제조방법에 관한 것이다.
증가하고 있는 정보 통신량을 만족시키기 위해 대용량, 초고속의 정보통신 체계가 요구되고 있다. 기간망에서는 수 십 기가 대역을 기본 전송량으로 하여 총 전송용량이 수 백 또는 수 테라에 이를 것으로 예상되고 있다.
한편, 의료용이나 3차원영상 레이저 레이다의 수신부에서도 고감도의 광검출기를 필요로 하는데, 이 경우 수신감도가 높은 광검출기를 이용하면 광증폭기를 사용하지 않고 좋은 전송 품질과 우수한 영상데이터를 얻을 수 있다. 여기서, 수신감도가 높은 광검출기의 광수신 소자로 사용되는 것이 아발란치 포토다이오드(AVALANCHE PHOTODIODE)이다.
아발란치 포토다이오드는 핀 포토다이오드(PIN PHOTODIODE)에 비하여 구조가 복잡하고 제작방법이 까다로우며 신뢰성 때문에 평면형 구조(planar type)를 가지도록 제작된다. 그런데, 평면형 구조를 가지는 아발란치 포토다이오드는 패턴 된 부분에만 p형 불순물(p-type impurity)을 주입하는 확산공정을 이용함으로써 원하지 않는 접합곡률(junction curvature)에 의한 프리 브레이크다운(pre breakdown)이 발생한다. 이러한 점을 해결하기 위해 접합영역의 가운데에만 높은 전기장을 유지하기 위한 방법으로 가드링(guard ring)구조가 제안된 바 있다. 가드링 구조는 접합영역의 가장자리 영역에서 쉽게 접합항복이 일어나는 것을 막기 위해 확산 깊이가 작은 영역을 접합영역 주위로 형성시키는 구조를 말한다.
이와 같은 가드링 구조에서는 불순물(예를 들어, Zn)의 확산 깊이가 흡수층과 달라지므로, 2번의 불순물 확산공정을 수행해야 한다. 그런데, 이러한 불순물 확산공정은 재현성이 떨어지므로 2번의 연속 확산공정으로는 원하는 가드링 구조를 형성하기 어렵다는 문제점이 있다. 또한, 확산공정을 2번 수행해야 하기 때문에 제조공정이 복잡하여 제조공정 효율이 떨어지는 문제점도 있다.
한편, 아발란치 포토다이오드를 제조함에 있어 재현성 및 신뢰성을 향상시키기 위해 접합영역 형성 시 접합영역의 확산 깊이를 조절하는 기술인 공개특허공보 10-2010-0065706호(이하, '선행기술'이라 함)가 제안된 바 있다. 이러한 선행기술은 제1증폭층(202) 및 제2증폭층(204) 사이에 식각중지층(210)을 삽입하여 리세스 식각의 재현성을 향상시키고, 식각 깊이를 조절하여 제조공정의 신뢰성을 향상시킨 것이다(도4 참조). 그러나, 선행기술은 InGaAs로 이루어진 식각중지층(210)이 제거되지 않고 남아있기 때문에 암전류(dark current: 빛을 쬐지 않았을 때에도 흐르는 전류) 특성이 떨어져 아발란치 포토다이오드의 전기적 특성이 저하되는 문제점이 있다. 또한, 증폭층을 이중으로 형성시켜야 하기 때문에 제조효율이 떨어지는 문제점도 있다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 재현성 및 신뢰성을 확보할 수 있고, 확산공정을 간편하게 하여 제조공정 효율을 향상시킬 수 있는 아발란치 포토다이오드의 제조방법을 제공하고자 한다.
상기한 목적을 달성하게 위해 본 발명은, 기판의 전면에 광흡수층, 그래이딩층, 전기장완충층 및 증폭층을 순차적으로 성장시켜 에피탁시 웨이퍼(Epitaxy wafer)를 형성하는 단계; 상기 증폭층 상에 확산조절층을 형성하는 단계; 상기 확산조절층 상에 확산조절층을 보호하는 보호층을 형성하는 단계; 상기 보호층에서부터 상기 증폭층의 소정 깊이까지 에칭하여 에칭부를 형성하는 단계; 상기 보호층을 패터닝하여 제1패터닝부를 형성하는 단계; 상기 에칭부 및 상기 제1패터닝부에 확산물질을 확산시켜 상기 증폭층에 접합영역과 가드링영역을 형성하는 단계; 상기 확산조절층 및 상기 보호층을 제거하고, 상기 증폭층 상에 상기 접합영역과 연결되는 제1전극을 형성하는 단계; 및 상기 기판의 후면에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 아발란치 포토다이오드의 제조방법을 제공한다.
여기서, 상기 확산조절층은 인듐인(InP), 인듐비소(InAs), 인듐갈륨인(InGaP), 인듐갈륨비소(InGaAs) 및 인듐갈륨비소인(InGaAsP)으로 이루어진 군에서 선택된 물질로 형성될 수 있다.
또한, 상기 확산조절층은 0.01~0.3㎛ 두께로 형성될 수 있다.
한편, 상기 증폭층에 상기 접합영역과 상기 가드링영역을 형성하는 단계는, 상기 에칭부 및 상기 제1패터닝부에 확산원료물질을 증착하는 단계; 상기 증폭층 안으로 상기 확산물질이 확산될 수 있도록 유도하는 확산유도층을 상기 보호층 및 상기 확산원료물질 상에 형성한 후 열처리하는 단계; 및 상기 확산물질을 안정화시키는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1전극을 형성하는 단계는, 상기 확산조절층 및 상기 보호층을 제거하고, 상기 증폭층, 가드링영역 및 접합영역 상에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층을 패터닝하여 제2패터닝부를 형성하는 단계; 및 상기 제2패터닝부에 제1전극물질을 증착하는 단계를 포함할 수 있다.
상기와 같이 제조된 본 발명의 아발란치 포토다이오드는 1회의 확산공정으로 가드링영역과 접합영역이 형성되기 때문에 제조공정이 간편하여 공정효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 확산조절층에 의해 가드링영역과 접합영역의 확산 깊이를 조절할 수 있기 때문에 접합곡률(junction curvature)에 의한 프리 브레이크다운(pre breakdown)을 효율적으로 억제할 수 있어 재현성이 확보되고 신뢰성이 우수한 아발란치 포토다이오드를 제공할 수 있다.
도1a 및 도1b는 본 발명에 따른 아발란치 포토다이오드의 제조방법을 설명하기 위한 것이다.
도2 및 도3은 본 발명에 따른 아발란치 포토다이오드의 제조방법 일부를 설명하기 위한 것이다.
도4는 종래의 아발란치 포토다이오드를 설명하기 위한 것이다.
도2 및 도3은 본 발명에 따른 아발란치 포토다이오드의 제조방법 일부를 설명하기 위한 것이다.
도4는 종래의 아발란치 포토다이오드를 설명하기 위한 것이다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
도1는 본 발명에 따른 아발란치 포토다이드의 제조방법을 도시한 공정도로, 본 발명에 따른 아발란치 포토다이오드를 제조하기 위해 먼저, InP 버퍼층(미도시)이 구비된 기판(101)의 전면에 광흡수층(102), 그래이딩층(103), 전기장완충층(104) 및 증폭층(105)을 순차적으로 성장시켜 에피탁시 웨이퍼(Epitaxy wafer)를 형성한다(도1의 (a) 참조)
이때, 기판(101)과 각층의 구성물질 및 각층을 성장시키는 방법은 당업계 공지된 기술이라면 특별히 한정되지 않으나, 구체적으로는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 장치나 MBE(Molecular Beam Epitaxy) 등과 같은 결정 박막 성장 장비를 이용하여 InP 기판(101)에 n-InGaAs 광흡수층(102), 여러층으로 적층되어 있으며, 도핑되지 않은 n-InGaAsP 그레이딩층(103), 3~4.5x1017으로 도핑된 n-InP 전기장완충층(104), 3~4.5㎛의 두께로 적층된 n-InP 증폭층(105)을 순차적으로 성장시킬 수 있다.
다음으로, 형성된 증폭층(105) 상에 확산조절층(106)을 형성한다(도1의 (b) 참조). 여기서, 확산조절층(106)을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으나, 비제한적인 예로 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 장치 등과 같은 결정 박막 성장 장비를 이용하여 형성시킬 수 있다. 이때, 확산조절층(106)을 형성하기 위해 사용되는 물질은 증폭층(105)과 격자정합이 좋은 Ⅲ-Ⅴ족(3-5족) 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 Ⅲ-Ⅴ족 화합물의 비제한적인 예로는 인듐인(InP), 인듐비소(InAs), 인듐갈륨인(InGaP), 인듐갈륨비소(InGaAs) 및 인듐갈륨비소인(InGaAsP)을 들 수 있는데, 이중에서도 증폭층(105)과 격자정합이 가장 좋은 인듐갈륨비소(InGaAs)을 사용하는 것이 더욱더 바람직하다. 한편, 형성되는 확산조절층(106)의 두께는 특별히 한정되지 않으나. 증폭층(105)으로 확산물질이 확산되는 시간 및 깊이를 고려할 때, 0.01 ~ 0.3㎛ 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
이와 같은 확산조절층(106)은 확산물질이 증폭층(105)으로 확산되어 가드링영역(111)과 접합영역(112)을 형성할 때, 형성되는 가드링영역(111)과 접합영역(112)의 확산 깊이를 조절하게 되는데, 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
확산조절층(106)이 형성되면, 확산조절층(106)을 보호하기 위한 보호층(107)을 확산조절층(106) 상에 형성한다(도1의 (c) 참조). 일반적으로 확산물질을 증폭층(105)으로 확산시키는 과정은 500℃ 이상의 고온에서 이루어지는데, 이때, 확산조절층(106)이 노출되어 있다면 고온에 견디지 못하고 파괴될 수가 있다. 이에 따라, 확산조절층(106)을 고온에서 보호하기 위한 보호층(107)을 형성하게 되는데, 이러한 보호층(107)으로 사용 가능한 물질은 특별히 한정되지 않으나. 산화실리콘(예를 들어, SiO2) 또는 질화실리콘(예를 들어, Si3N4)을 사용할 수 있다. 또한, 보호층(107)을 형성하는 방법도 특별히 한정되지 않으나, 플라즈마 증착 방법 등을 이용할 수 있다.
다음으로, 보호층(107)에서부터 증폭층(105)의 소정 깊이까지 에칭하여 에칭부(108)를 형성한다(도1의 (d) 참조). 여기서, 에칭부(108)에는 확산원료물질(110)이 증착되어 확산과정이 이루어짐에 따라 접합영역(112)이 형성되기 때문에 에칭부(108)의 깊이(h1)에 따라 접합영역(112)의 깊이(h2)가 결정된다. 즉, 접합영역(112)의 깊이(h2)는 에칭부(108)의 깊이(h1)에 대응되는 것으로, 에칭부(108)의 깊이(h1)를 조절함에 따라 접합영역(112)의 깊이(h2) 또한 조절할 수 있는 것이다. 한편, 에칭부(108)를 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으나 건식 식각 방법을 이용하여 리세스 에칭(recess etching)할 수 있으며, 에칭부(108)의 깊이(h1)는 접합영역(112)의 깊이(h2)를 고려할 때, 0.1~0.4㎛ 깊이로 형성될 수 있다.
이후, 보호층(107)을 패터닝하여 제1패터닝부(109)를 형성한다. 이러한 제1패터닝부(109)에는 확산원료물질(110)이 증착된 후 확산과정이 이루어짐에 따라 가드링영역(111)이 형성된다. 한편, 보호층(107)에 제1패터닝부(109)를 형성시키는 방법은 특별히 한정되지 않으나. 비제한적인 예로 포토레지스트(Photoresist)를 이용하여 노광(UV 조사) 및 현상 공정을 실시한 후 패터닝하고자 하는 부분의 보호층(107)을 건식 또는 습식 식각으로 제거하여 제1패터닝부(109)를 형성시킬 수 있다.
그 다음, 에칭부(108) 및 제1패터닝부(109)에 확산원료물질(110)을 확산시켜 증폭층(105)에 접합영역(112)과 가드링영역(111)을 형성하게 되는데(도1의 (f) 참조), 이에 대해 도2를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 에칭부(108) 및 제1패터닝부(109)에 확산원료물질(110)을 증착한다(도2의 (f-1) 참조). 구체적으로는, 열증착(thermal evaporator) 장비를 이용하여 확산원료물질(110)인 ZnP를 에칭부(108) 및 제1패터닝부(109)에 증착시키는 것이다.
다음으로, 증폭층(105) 안으로 확산물질이 확산될 수 있도록 유도하는 확산유도층(116)을 보호층(107) 및 확산원료물질(110) 상에 형성한 후 열처리한다(도2의 (f-2) 참조). 확산원료물질(110)을 노출시킨 상태로 확산공정을 진행하면 확산물질인 아연(Zn)이 증폭층(105) 안으로 원활히 확산되지 않을 수 있기 때문에 이를 방지하기 위해 확산유도층(116)을 형성하는 것이다. 이외에도 확산유도층(116)을 형성시킴으로써 확산물질이 고온(500℃ 이상)에 노출되더라도 변형되지 않도록 보호할 수 있다. 여기서, 확산유도층(116)으로 사용 가능한 물질 및 형성방법은 특별히 한정되지 않으나, 비제한적인 예로 산화실리콘(예를 들어, SiO2)을 PECVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition) 장비에 도입하여 증착시키는 방법을 이용할 수 있다.
이후, 확산유도층(116)이 형성되면, 400~600℃에서 10~30분간 열처리함에 따라 확산물질인 아연(Zn)이 증폭층(105)안으로 확산되어 증폭층(105)에는 가드링영역(111)과 접합영역(112)이 형성된다. 이때, 에칭부(108)에서의 확산은 확산물질이 확산조절층(106)을 통과하지 않기 때문에 에칭부(108)의 깊이(h1)만큼 확산이 이루어지며 에칭부(108) 테두리(e)에서의 확산은 확산물질이 확산조절층(106)을 통과하여 확산이 이루어져 증폭층(105)에는 곡률부(r)를 가지는 접합영역(112)이 형성된다. 또한, 제1패터닝부(109)에서의 확산은 확산물질이 확산조절층(106)을 통과하여 확산이 이루어져 증폭층(105)에는 가드링영역(111)이 형성된다.
이와 같이 본 발명은 1회의 확산공정으로 접합영역(112)과 가드링영역(111)을 용이하게 형성할 수 있다. 또한, 확산조절층(106) 및 에칭부(108)를 형성시킴에 따라 접합영역(112)과 가드링영역(111)의 확산 깊이를 조절할 수 있어 신뢰성이 우수한 아발란치 포토다이오드를 제공할 수 있다. 즉, 확산조절층(106)을 통과하여 확산이 이루어지는 부분인 가드링영역(111)은 확산조절층(106)을 통과하지 않고 확산이 이루어지는 부분인 접합영역(112)보다 얕은 깊이를 가지게 되는데, 이렇게 가드링영역(111)의 깊이(h3)가 접합영역(112)의 깊이(h2)보다 얕도록(h2〉h3) 아발란치 포토다이오드를 제조할 경우 접합곡률(junction curvature)부분의 프리 브레이크다운(pre breakdown)이 완화되어 신뢰성이 우수한 아발란치 포토다이오드를 제공할 수 있는 것이다.
확산원료물질(110)을 확산시키기 위해 열처리를 하고 나면, 활성화(activation) 공정을 통해 확산물질인 아연(Zn)을 안정화시킨다(도2의 (f-3) 참조). 이때, 안정화시키는 구체적인 방법은 확산유도층(116) 및 확산원료물질(110)을 제거하고, 확산물질을 보호하기 위한 확산물질보호층(117), 구체적으로는 산화실리콘(예를 들어, SiO2)을 증착한 후 400~550℃에서 10~30분간 활성화시킨다. 여기서, 확산유도층(116)과 확산원료물질(110)을 제거하는 방법은 특별히 한정되지 않으나. 습식 식각 방법을 이용하여 제거할 수 있다. 구체적으로는 불소계(HF) 화합물을 묽게 희석시킨 용액(예를 들어, BOE6:1 또는 BOE30:1)을 이용하여 확산유도층(116)을 제거한 후 HNO3:H2O를 일정한 비율로 섞은 용액을 이용하여 확산원료물질(110)을 제거할 수 있다.
한편, 증폭층(105)에 가드링영역(111)과 접합영역(112)이 형성되면, 확산조절층(106) 및 보호층(107)을 제거하고, 증폭층(105) 상에 접합영역(112)과 연결되는 제1전극(113)을 형성하게 되는데(도1의 (g) 참조),
먼저, 습식 식각으로 보호층(107)과 확산조절층(106)을 차례대로 제거하고, 증폭층(105), 가드링영역(111) 및 접합영역(112) 상에 절연층(115)을 형성한다(도3의 (g-1)참조). 이때, 확산조절층(106)을 습식 식각하는 방법은 특별히 한정되지 않으나. 비제한적인 예로 인산계 화합물을 희석시킨 용액(예를 들어, H3PO4:H2O2:H2O을 일정한 비율로 혼합한 용액)으로 습식 식각하는 방법을 이용할 수 있다. 한편, 절연층(115)으로 사용 가능한 물질을 특별히 한정되지 않으나. 비제한적인 예로 질화실리콘(예를 들어, Si3N4) 또는 산화실리콘(예를 들어, SiO2)을 사용할 수 있다. 또한, 절연층(115)을 형성하는 방법은 당업계에 공지된 기술이라면 특별히 한정되지 않으나, 플라즈마 화학 증착(PECVD; Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 또는 스퍼터(Sputter)등을 이용할 수 있다.
이후, 형성된 절연층(115)을 패터닝하여 제2패터닝부(118)를 형성한다(도3의 (g-2)참조). 여기서, 절연층(115)을 패터닝하여 제2패터닝부(118)를 형성하는 방법은 당업계에 공지된 기술이라면 특별히 한정되지 않으나, 포토리소그라피(Photolithography)공정을 이용하여 부분적으로 패터닝한 후 C2F6에 02가스를 첨가한 반응 가스로 절연층(115)을 에칭하여 제2패터닝부(118)를 형성시킬 수 있다.
제2패터닝부(118)가 형성되면, 형성된 제2패터닝부(118)에 제1전극물질을 증착하여 제1전극(113)을 형성한다(도3의 (g-3) 참조). 구체적으로는 제1전극물질로 p-metal을 증착하여 제1전극(113)인 p형 전극을 형성하는 것이다. 여기서, p-metal을 증착하여 p형 전극을 형성시키는 방법은 당업계에 공지된 기술이라면 특별히 한정되지 않는다.
한편, 제1전극(113)이 형성되면 기판(101)의 후면에 제2전극(114)을 형성한다(도1의 (h) 참조). 즉, 기판(101)의 후면을 100~200㎛ 두께로 래핑 및 폴리싱한 후 제2전극물질인 n-metal을 증착하여 제2전극(114)인 n형 전극을 형성하는 것이다. 여기서, n-metal을 증착하여 n형 전극을 형성시키는 구체적인 방법은 당업계에 공지된 기술이라면 특별히 한정되지 않는다.
이후, 당업계에서 공지된 기술로 기판(101)의 후면에 입광부(I)를 형성하여 본 발명의 제조방법에 따른 아발란치 포토다이오드를 제조한다.
101 : 기판
102 : 광흡수층
103 : 그래이딩층
104 : 전기장완충층
105 : 증폭층
106 : 확산조절층
108 : 에칭부
102 : 광흡수층
103 : 그래이딩층
104 : 전기장완충층
105 : 증폭층
106 : 확산조절층
108 : 에칭부
Claims (9)
- 기판의 전면에 광흡수층, 그래이딩층, 전기장완충층 및 증폭층을 순차적으로 성장시켜 에피탁시 웨이퍼(Epitaxy wafer)를 형성하는 단계;
상기 증폭층 상에 확산조절층을 형성하는 단계;
상기 확산조절층 상에 확산조절층을 보호하는 보호층을 형성하는 단계;
상기 보호층, 확산조절층 및 증폭층의 일부를 상기 보호층에서부터 상기 증폭층의 소정 깊이까지 에칭하여 에칭부를 형성하는 단계;
상기 보호층의 일부를 패터닝하여 제1패터닝부를 형성하는 단계;
상기 에칭부 및 상기 제1패터닝부에 확산원료물질을 증착시키고, 상기 증착된 확산원료물질을 상기 증폭층으로 확산시켜 상기 증폭층에 곡률부를 갖는 접합영역과 가드링영역을 형성하는 단계;
상기 확산조절층 및 상기 보호층을 제거하고, 상기 증폭층 상에 상기 접합영역과 연결되는 제1전극을 형성하는 단계; 및
상기 기판의 후면에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 확산조절층은 인듐인(InP), 인듐비소(InAs), 인듐갈륨인(InGaP), 인듐갈륨비소(InGaAs) 및 인듐갈륨비소인(InGaAsP)으로 이루어진 군에서 선택된 물질로 형성되어, 상기 확산원료물질의 확산시 형성되는 접합영역과 가드링영역의 확산 깊이를 조절하는 것이 특징인 아발란치 포토다이오드의 제조방법. - 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 확산조절층은 0.01~0.3㎛ 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 아발란치 포토다이오드의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 보호층은 산화실리콘 또는 질화실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 아발란치 포토다이오드의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 에칭부는 0.1~0.4㎛ 깊이로 형성되는 것을 특징으로 하는 아발란치 포토다이오드의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 접합영역의 깊이는 상기 에칭부의 깊이에 대응되는 것을 특징으로 하는 아발란치 포토다이오드의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 증폭층에 상기 접합영역과 상기 가드링영역을 형성하는 단계는,
상기 에칭부 및 상기 제1패터닝부에 확산원료물질을 증착하는 단계;
상기 증폭층 안으로 상기 확산원료물질이 확산될 수 있도록 유도하는 확산유도층을 상기 보호층 및 상기 확산원료물질 상에 형성한 후 열처리하는 단계; 및
상기 확산원료물질을 안정화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 아발란치 포토다이오드의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 제1전극을 형성하는 단계는,
상기 확산조절층 및 상기 보호층을 제거하고, 상기 증폭층, 가드링영역 및 접합영역 상에 절연층을 형성하는 단계;
상기 절연층을 패터닝하여 제2패터닝부를 형성하는 단계; 및
상기 제2패터닝부에 제1전극물질을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 아발란치 포토다이오드의 제조방법.
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