RU2654386C1 - Способ изготовления планарного лавинного фотодиода - Google Patents
Способ изготовления планарного лавинного фотодиода Download PDFInfo
- Publication number
- RU2654386C1 RU2654386C1 RU2016151959A RU2016151959A RU2654386C1 RU 2654386 C1 RU2654386 C1 RU 2654386C1 RU 2016151959 A RU2016151959 A RU 2016151959A RU 2016151959 A RU2016151959 A RU 2016151959A RU 2654386 C1 RU2654386 C1 RU 2654386C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- etching
- inp
- light
- diffusion
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 80
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 47
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 22
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims abstract description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 9
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 2
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910001258 titanium gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 2
- -1 MOS hydride Chemical class 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000000098 azimuthal photoelectron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000004297 night vision Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Использование: для изготовления фоточувствительных приборов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления планарного лавинного фотодиода включает последовательное эпитаксиальное наращивание на подложку InP n-типа InP буферного слоя n-типа, поглощающего слоя InGaAs n-типа, разделительного слоя InGaAsP, зарядового слоя InP n-типа и слоя умножения InP n-типа; формирование защитного слоя на слое умножения InP; 1-ю ФЛГ: селективное травление светопоглощающей области в защитном слое и слое умножения InP; включающее травление светопоглощающей области защитного слоя и слоя умножения InP на заданную глубину для обеспечения заданного профиля травления с положительным наклоном боковой стенки для уменьшения кривизны области пространственного заряда (создание эффекта охранного кольца) и предотвращение раннего краевого пробоя; 2-ю ФЛГ: селективное травление защитного слоя в области охранного кольца до слоя умножения; диффузию из твердого источника в слой умножения при заданной температуре; формирование светоотражающего слоя на диффузионном слое; 3-ю ФЛГ: локальное травление через маску фоторезиста светоотражающего слоя для формирования контактного окна на светопоглощающей области; 4-ю ФЛГ: формирование слоя верхнего электрода на диффузионной области, образованной на светопоглащающей области; образование нижнего электродного слой на обратной стороне подложки, при этом селективное травление углубления в светопоглощающей области умножающего слоя InP осуществляется методом жидкостного химического травления, которое за счет подбора травителя, время травления и ориентации фотошаблона относительно кристаллографического направления на пластине, обозначенного базовым срезом, обеспечивает воспроизводимую глубину и профиль травления в указанном слое InP; диффузия Zn3P2 осуществляется в откаченной и запаянной кварцевой ампуле при заданной температуре. 23 ил.
Description
Заявляемый способ изготовления планарного лавинного фотодиода (ЛФД) относится к области технологий полупроводниковых приборов на основе эпитаксиальных структур InP/InGaAs, чувствительных к излучению в диапазоне длин волн 0,9-1,7 мкм. Такие технологии предназначены для изготовления фоточувствительных приборов, как одноэлементных, так и матричных. Эти приборы используются в лазерных оптико-электронных системах обнаружения источника излучения, в волоконно-оптических системах передачи информации, в автоматических системах ориентации при взлете-посадке летательных аппаратов, в лазерных дальномерах и формирователях сигналов двух- и трехмерного изображения (в том числе безопасных для зрения - работающих на длинах волн 1,3 и 1,55 мкм), в космических системах оптической связи и приборах ночного видения. Применяются они и в оптической рефлектометрии, динамической спектрометрии, квантовой криптографии, в томографах, при анализе микроэлектронных СБИС (регистрация излучения от горячих точек в МОП-транзисторах) и в другой аппаратуре.
Наиболее близким к заявляемому способу и принятым за прототип является способ изготовления планарного лавинного фотодиода, описанный в [United States Patent, US 6,492,239 B2, Dec. 10, 2002 METHOD FOR FABRICATING AVALANCHE PHOTODIODE Авторы: Seung-Kee Yang, Dong-Soo Bang, Seoul (KR)].
Известный способ изготовления планарного лавинного фотодиода представлен на фиг. 1-12, включает
- последовательное эпитаксиальное наращивание на подложке InP n-типа (1) n- InP буферный слой (2), поглощающий слой InGaAs (3) n-типа, разделительный слой InGaAsP (4) n-типа, зарядовый слой InP (5) n-типа и слой умножения InP (6) n-типа;
- формирование защитного слоя на слое умножения InP (7);
- 1-я ФЛГ: селективное травление светопоглощающей области в защитном слое и слое умножения InP.
Эта стадия включает в себя 2 этапа, на которых происходит, во-первых, травление светопоглощающей области защитного слоя и слоя умножения InP на заданную глубину (d) путем сухого плазмохимического травления (фиг. 2); и, во вторую очередь, влажное химическое травление, чтобы обеспечить заданный профиль травления с положительным наклоном боковой стенки для уменьшения кривизны области пространственного заряда (создание эффекта охранного кольца) и предотвращение раннего краевого пробоя. Анизотропия плазмохимического травления обеспечивает независимость его глубины и рельефа от кристаллографической ориентации полупроводниковой пластины. Если вертикальная граница, образованная на первом этапе травления, остается неизмененной, то плотность тока на прямоугольных вершинах увеличивается во время работы, тем самым снижая напряжение пробоя устройства. Таким образом, кривизна границы формируется путем влажного химического травления;
- 2-я ФЛГ: селективное травление защитного слоя в области охранного кольца до слоя умножения;
- 3-я ФЛГ: формирование маски фоторезиста (8) для создания локального источника диффузии над протравленной светопоглощающей областью и областью формирования охранного кольца (фиг. 3);
- напыление источника диффузии Zn3P2 (9), (фиг. 4);
- удаление фоторезиста с напыленным слоем источника диффузии методом «взрыва» (фиг. 5);
- формирование слоя SiO2 (10) на исходном слое Zn3P2 (9), предотвращающего испарение источника диффузии (фиг. 6);
- диффузию из твердого источника в слой умножения при заданной температуре для одновременного формирования p-n-переходов в области охранного кольца (11) и в активной области (12) (фиг. 7);
- удаление слоя, предотвращающего испарение источника диффузии (фиг. 8);
- формирование светоотражающего слоя (13) на диффузионном слое (фиг. 10);
- 4-я ФЛГ: локальное травление через маску фоторезиста (14) светоотражающего слоя для формирования контактного окна на светопоглощающей области (фиг. 11);
- 5-я ФЛГ: формирование слоя верхнего электрода (15) на диффузионной области, образованной на светопоглащающей области (фиг. 12);
- образование нижнего электродного слоя (16) на обратной стороне подложки (фиг. 12).
Недостатками описанного способа-прототипа являются
- сложность (двухстадийность) процесса травления светопоглощающей области в умножающем слое InP, состоящего из сухого (плазмохимического) и влажного травления для обеспечения заданного рельефа. Плазмохимическое травление обеспечивает требуемую глубину и ее независимость от кристаллографической ориентации пластины. Но плазмохимическое травление InP требует использования сложного, дорогостоящего оборудования, взрывоопасных газов-травителей (смеси газов СН4 и Н2 или BCl3);
- необходимость многостадийного процесса создания локального тонкопленочного источника диффузии, необходимость использования для его защиты от испарения специального дополнительного слоя и последующего удаления защитного слоя после процесса диффузии. Создание тонкопленочного источника диффузии требует использования вакуумного напылительного оборудования, а нанесение защитного покрытия - оборудования для плазмохимического или пиролитического осаждения SiO2.
Перечисленные недостатки приводят к увеличению производственного цикла и трудоемкости изготовления ЛФД. Большое количество технологических операций уменьшает процент выхода годных изделий.
Заявляемый способ изготовления решает задачи сокращения производственного цикла, уменьшения трудоемкости, увеличения процента выхода годных изделий и, как следствие, сокращения себестоимости серийного производства коммерческих ЛФД на основе эпитаксиальных структур InP/InGaAs.
Способ изготовления поясняется фиг. 13-19, на которых в соответствии с заявляемым способом представлена последовательность технологических операций, формирующих ЛФД.
Способ изготовления включает
- последовательное эпитаксиальное наращивание на подложку InP n-типа InP буферного слоя n-типа, поглощающего слоя InGaAs n-типа, разделительного слоя InGaAsP, зарядового слоя InP n-типа и слоя умножения InP n-типа;
- формирование защитного слоя на слое умножения InP;
- 1-я ФЛГ: селективное травление светопоглощающей области в защитном слое и слое умножения InP; включающее травление светопоглощающей области защитного слоя и слоя умножения InP на заданную глубину для обеспечения заданного профиля травления с положительным наклоном боковой стенки для уменьшения кривизны области пространственного заряда (создание эффекта охранного кольца) и предотвращение раннего краевого пробоя (фиг. 13);
- 2-я ФЛГ: селективное травление защитного слоя в области охранного кольца до слоя умножения (фиг. 14);
- диффузию из газообразного источника в слой умножения при заданной температуре(фиг. 15);
- формирование светоотражающего слоя на диффузионном слое (фиг. 16);
3-я ФЛГ: локальное травление через маску фоторезиста светоотражающего слоя для формирования контактного окна на светопоглощающей области (фиг. 17);
- 4-я ФЛГ: формирование слоя верхнего электрода на диффузионной области, образованной на светопоглащающей области (фиг. 18);
- образование нижнего электродного слой на обратной стороне подложки (фиг. 18).
Селективное травление углубления в светопоглощающей области умножающего слоя InP осуществляется методом жидкостного химического травления, которое за счет подбора травителя, время травления и ориентации фотошаблона относительно кристаллографического направления на пластине, обозначенного базовым срезом, обеспечивает воспроизводимую глубину и профиль травления в указанном слое InP.
Диффузия Zn3P2 осуществляется в откаченной и запаянной кварцевой ампуле при заданной температуре.
Способ отличается следующим.
1. Для травления углубления в светопоглощающей области используется только жидкостное химическое травление, которое за счет подбора травителя, время травления и ориентации фотошаблона относительно кристаллографического направления на пластине обозначенного базовым срезом обеспечивает воспроизводимую глубину и профиль травления в эпитаксиальном слое InP.
Т.о., исключается операция плазмохимического травление InP, требующая специального дорогостоящего оборудования и взрывоопасных газов-травителей
2. Диффузия Zn3P2 осуществляется в откаченной и запаянной кварцевой ампуле.
Т.о., диффузия Zn из тонкопленочного твердого локального источника с защитой диэлектриком, препятствующим его испарению при заданной температуре, заменяется на диффузию из газообразного источника в кварцевой откаченной и запаянной ампуле. В сравнении с прототипом устраняется:
1) операция нанесения диффундирующего слоя Zn3P2 методом напыления в вакууме;
2) операция нанесения слоя, препятствующего испарению диффундирующего слоя при последующей термической обработке (диффузии) методом плазмохимического или пиролитического осаждения;
3) операция удаления слоя, препятствующего испарению диффундирующего слоя после формирования p-n-перехода (диффузии) методом плазмохимического или химического травления;
и сокращается число фотолитографий (4 ФЛГ вместо 5): операция формирования рисунка в диффундирующем слое («взрыв»).
Изобретение обеспечивает способ изготовления планарного лавинного фотодиода по более простой технологии.
Преимущества предложенного способа изготовления особенно важны при серийном производстве коммерческих лавинных фотодиодов. Осуществление предложенного способа изготовления лавинных фотодиодов приведет к сокращению технологического цикла, уменьшению трудоемкости и, как следствие, сокращению себестоимости ЛФД.
Пример реализации заявляемого способа. В соответствии с заявляемым способом авторы изготовили фотодиоды с фоточувствительной площадкой диаметром ∅ 0,25 мм. Исходным материалом является гетероэпитаксиальная структура, выращенная методом МОС-гидридной эпитаксии с параметрами, указанными в таблице 1.
Технология формирования фотодиодов на указанных пластинах включает в себя следующие процессы.
Химическая обработка поверхности в HF:H2O = 1:10, H2SO4:H2O2:H2O = 1:1:8.
Нанесение пассивирующего и одновременно маскирующего покрытия Si3N4 методом низкотемпературного плазмо-химического осаждения. Отжиг в водороде для формирования границы раздела.
1-я ФЛГ: вскрытие в маскирующем покрытии окна для светопоглощающей области.
Жидкостное химическое травление InP с контролируемой глубиной и профилем в смеси кислот HCl:HNO3:H3PO4=3:7:5.
2-я ФЛГ: вскрытие в маскирующем покрытии окон для охранных колец.
Ампульная диффузия цинка (Zn3P2) для создания p-n-перехода в InP в светопоглощающей области и области охранного кольца при температуре 500°С в течение 15-25 мин.
Нанесение просветляющего покрытия Si3N4 (13) методом низкотемпературного плазмохимического осаждения.
3-я ФЛГ: вскрытие контактных окон в просветляющем покрытии.
Напыление контактной металлизации TiAu со стороны эпитаксии для создания контакта к р+-области.
4-я ФЛГ: формирование рисунка в контактной металлизации к р+-области.
Удаление защитного покрытия со стороны подложки.
Напыление контактной металлизации TiAu со стороны подложки (16) для создания контакта к n+-области.
Вжигание металлизации (15, 16) в водороде для получения омического контакта к р+-n+-областям.
Исследование образцов, изготавливаемых по заявляемому способу.
Для исследования жидкостного травления и диффузии одновременно с рабочими фотодиодами на пластине изготавливались тестовые структуры.
Путем пересчета CV-характеристик тестовых образцов были определены глубины p-n-переходов и расстояния от p-n-переходов до умножающего n-InP/зарядного n+-InP в травленной и нетравленной областях. Глубина травления контролировалась профилометром Dektak. Поверхность исследовалась на оптическом и сканирующем электронном микроскопе.
Разработанный травитель обеспечивает необходимую глубину травления 0,2-0,5 мкм за время травления 15-25 сек, ориентация фотошаблона параллельно базовому срезу пластины обеспечивает воспроизводимость результатов как по глубине, так и по профилю травления.
Результаты расчета расстояния от p-n-переходов до умножающего n-InP/зарядного n+-InP в травленной и нетравленной областях совпадают с результатами прямых измерений глубины травления. Результаты исследований подтвердили возможность использования только жидкостного травления для обеспечения необходимых для формирования охранного кольца параметров углубления светопоглощающей области.
При глубине травления 0,5 мкм подтравка составила 1,1 мкм.
Анизотропия (подтравка/глубина травления) жидкостного травления для данного применения является положительным фактором. Авторами предлагается химический травитель, который обеспечивает и необходимую глубину, и необходимый профиль травления слоя InP для изготовления планарного лавинного фотодиода (фиг. 20). Пригодность предложенного способа изготовления подтверждается результатами измерения параметров ЛФД.
У изготовленного фотодиода были исследованы вольт-амперная (фиг. 21) и вольт-емкостная (CV) характеристики (фиг. 22). Кроме того, экспериментально определена зависимость коэффициента умножения М от напряжения, которая представлена на фиг. 23.
Начальный умножаемый ток не превышал 20 нА. Низкий уровень темнового тока сопоставим с соответствующими значениями для коммерческих ЛФД G8931-20 фирмы Hamamatsu [каталог фирмы Hamamatsu, Япония]. Максимальное усиление - 48. Напряжение пробоя - 66 В.
Claims (13)
- Способ изготовления планарного лавинного фотодиода, включающий
- - последовательное эпитаксиальное наращивание на подложку InP n-типа InP буферного слоя n-типа, поглощающего слоя InGaAs n-типа, разделительного слоя InGaAsP, зарядового слоя InP n-типа и слоя умножения InP n-типа;
- - формирование защитного слоя на слое умножения InP;
- - 1-ю ФЛГ: селективное травление светопоглощающей области в защитном слое и слое умножения InP; включающее травление светопоглощающей области защитного слоя и слоя умножения InP на заданную глубину для обеспечения заданного профиля травления с положительным наклоном боковой стенки для уменьшения кривизны области пространственного заряда (создание эффекта охранного кольца) и предотвращение раннего краевого пробоя;
- - 2-ю ФЛГ: селективное травление защитного слоя в области охранного кольца до слоя умножения;
- - диффузию из твердого источника в слой умножения при заданной температуре;
- - формирование светоотражающего слоя на диффузионном слое;
- 3-ю ФЛГ: локальное травление через маску фоторезиста светоотражающего слоя для формирования контактного окна на светопоглощающей области;
- - 4-ю ФЛГ: формирование слоя верхнего электрода на диффузионной области, образованной на светопоглащающей области;
- - образование нижнего электродного слой на обратной стороне подложки,
- отличающийся тем, что
- - селективное травление углубления в светопоглощающей области умножающего слоя InP осуществляется методом жидкостного химического травления, которое за счет подбора травителя, время травления и ориентации фотошаблона относительно кристаллографического направления на пластине, обозначенного базовым срезом, обеспечивает воспроизводимую глубину и профиль травления в указанном слое InP;
- - диффузия Zn3P2 осуществляется в откаченной и запаянной кварцевой ампуле при заданной температуре.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016151959A RU2654386C1 (ru) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | Способ изготовления планарного лавинного фотодиода |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016151959A RU2654386C1 (ru) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | Способ изготовления планарного лавинного фотодиода |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2654386C1 true RU2654386C1 (ru) | 2018-05-17 |
Family
ID=62153098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016151959A RU2654386C1 (ru) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | Способ изготовления планарного лавинного фотодиода |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2654386C1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2769749C1 (ru) * | 2021-04-16 | 2022-04-05 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Лавинный фотодиод и способ его изготовления |
| RU2778045C1 (ru) * | 2021-11-22 | 2022-08-12 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха" | Способ стабилизации лавинного режима фотодиода |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4383266A (en) * | 1979-09-26 | 1983-05-10 | Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha | Avalanche photo diode |
| US4481523A (en) * | 1980-12-02 | 1984-11-06 | Fujitsu Limited | Avalanche photodiodes |
| US4801990A (en) * | 1986-05-07 | 1989-01-31 | Societe Anonyme De Telecommunications | HgCdTe avalanche photodiode |
| US6492239B2 (en) * | 2000-06-29 | 2002-12-10 | Samsung Electronic Co, Ltd | Method for fabricating avalanche photodiode |
| WO2013058715A1 (en) * | 2011-10-20 | 2013-04-25 | Agency For Science, Technology And Research | Avalanche photodiode |
| US8592247B2 (en) * | 2010-12-20 | 2013-11-26 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method of fabricating avalanche photodiode |
| US8999744B2 (en) * | 2010-11-03 | 2015-04-07 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Avalanche photodiodes and methods of fabricating the same |
-
2016
- 2016-12-27 RU RU2016151959A patent/RU2654386C1/ru active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4383266A (en) * | 1979-09-26 | 1983-05-10 | Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha | Avalanche photo diode |
| US4481523A (en) * | 1980-12-02 | 1984-11-06 | Fujitsu Limited | Avalanche photodiodes |
| US4801990A (en) * | 1986-05-07 | 1989-01-31 | Societe Anonyme De Telecommunications | HgCdTe avalanche photodiode |
| US6492239B2 (en) * | 2000-06-29 | 2002-12-10 | Samsung Electronic Co, Ltd | Method for fabricating avalanche photodiode |
| US8999744B2 (en) * | 2010-11-03 | 2015-04-07 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Avalanche photodiodes and methods of fabricating the same |
| US8592247B2 (en) * | 2010-12-20 | 2013-11-26 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method of fabricating avalanche photodiode |
| WO2013058715A1 (en) * | 2011-10-20 | 2013-04-25 | Agency For Science, Technology And Research | Avalanche photodiode |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2769749C1 (ru) * | 2021-04-16 | 2022-04-05 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Лавинный фотодиод и способ его изготовления |
| RU2778045C1 (ru) * | 2021-11-22 | 2022-08-12 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха" | Способ стабилизации лавинного режима фотодиода |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7560784B2 (en) | Fin PIN diode | |
| US3886579A (en) | Avalanche photodiode | |
| US7528458B2 (en) | Photodiode having increased proportion of light-sensitive area to light-insensitive area | |
| Sciuto et al. | Visible Blind 4H-SiC P $^{+} $-N UV Photodiode Obtained by Al Implantation | |
| US4968634A (en) | Fabrication process for photodiodes responsive to blue light | |
| RU2654386C1 (ru) | Способ изготовления планарного лавинного фотодиода | |
| US3832246A (en) | Methods for making avalanche diodes | |
| US3972750A (en) | Electron emitter and method of fabrication | |
| CN103325880B (zh) | 一种增强型硅基光电二极管及其制作方法 | |
| US10461211B2 (en) | Process for producing an array of mesa-structured photodiodes | |
| Ando et al. | Low-temperature Zn-and Cd-diffusion profiles in InP and formation of guard ring in InP avalanche photodiodes | |
| JP6790004B2 (ja) | 半導体受光素子およびその製造方法 | |
| RU2340981C1 (ru) | Способ изготовления матричного фотоприемника | |
| JP2023098820A (ja) | 半導体基板内にゲルマニウム領域を配置した半導体装置 | |
| Shirai et al. | A planar InP/InGaAsP heterostructure avalanche photodiode | |
| Bartek et al. | An integrated silicon colour sensor using selective epitaxial growth | |
| CN111599888A (zh) | 一种单光子雪崩光电探测器焦平面阵列及制备方法 | |
| Dumas et al. | High-efficiency Ge-on-Si SPADs for short-wave infrared | |
| Lee et al. | A low noise planar-type avalanche photodiode using a single-diffusion process in geiger-mode operation | |
| CN111477715A (zh) | 正入射盖革模式雪崩探测器焦平面阵列及其制备方法 | |
| Kong et al. | Fabrication of silicon pyramid-nanocolumn structures with lowest reflectance by reactive ion etching method | |
| US3830665A (en) | Method for delineating semiconductor junctions | |
| CN111403546A (zh) | 一种预沉积扩散源制备铟镓砷光电探测器芯片的扩散方法 | |
| JPS61136225A (ja) | ＩｎＰへの不純物拡散方法 | |
| Xu | Fabrication and characterization of photodiodes for silicon nanowire applications and backside illumination |