KR101685440B1 - 프로브 장치 - Google Patents

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켄 타오카
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

파워 디바이스의 정특성 및 동특성의 쌍방을 웨이퍼 레벨에서 측정할 수 있고, 특히 정특성에 사용되는 측정 라인에 영향을 받지 않고, 파워 디바이스의 동특성을 웨이퍼 레벨에서 확실히 측정할 수 있는 프로브 장치를 제공한다. 본 발명의 프로브 장치(10)는, 복수의 파워 디바이스가 형성된 웨이퍼(W)를 재치하는 이동 가능한 재치대(12)와, 재치대(12)의 상방에 배치된 복수의 프로브(14A)를 가지는 프로브 카드(14)와, 재치대(12)의 재치면과 그 외주면에 형성된 도체막 전극(13)과, 도체막 전극(13)과 테스터(17)를 전기적으로 접속하는 측정 라인(16)을 구비하고, 재치대(12) 상의 파워 디바이스의 전기적 특성을 웨이퍼 레벨에서 측정하는 프로브 장치로서, 측정 라인(16)에는, 도체막 전극(13)과 테스터(17) 사이에서 측정 라인(16)의 전기선로를 개폐하는 스위치 기구(18)를 설치한 것이다.

Description

프로브 장치{PROBE APPARATUS}
본 발명은 파워 디바이스의 전기적 특성(정특성, 동특성)의 측정을 행하는 프로브 장치에 관한 것이다.
파워 디바이스는, 각종 전원 또는 자동차의 전장(電裝) 관련 부품으로서, 혹은 산업 기기의 전장 관련 부품으로서 이용되는 등 범용성이 높아지고 있다. 파워 디바이스는, 통상의 반도체 소자와 비교하여 고내압화, 대전류화되고, 또한 용도에 따라 고속, 고주파수화되고 있다. 파워 디바이스로서는 IGBT, 다이오드, 파워 트랜지스터, 파워 MOS-FET, 사이리스터 등이 있다. 이들 파워 디바이스는, 각각의 전기적 특성(정특성, 동특성)의 측정에 의해 양품이 선별된 후, 각각 용도에 따라 시장에 나온다.
프로브 장치는, 메모리 디바이스 등의 반도체 소자의 전기적 특성을 파워 디바이스가 웨이퍼로부터 분리되지 않은 상태에서 측정하는 검사 장치로서 범용되고 있다. 프로브 장치는, 일반적으로 로더실과 이에 인접하는 프로버실을 구비하고, 로더실에서 웨이퍼를 반송하는 동안 프리 얼라이먼트를 행하고, 프로버실에서 로더실로부터 반입된 웨이퍼의 전기적 특성을 측정한 후, 측정 후의 웨이퍼를 로더실로 되돌리도록 하고 있다. 현재, 이 종류의 프로브 장치를 파워 디바이스의 전기적 특성의 측정에 적용하는 기술이 다양하게 개발되고, 파워 디바이스의 저항값 등의 정특성의 측정에 이용되는 프로브 장치가 개발되어, 실용화되고 있다.
도 4는, 종래의 프로브 장치의 일례를 도시한 개념도이다. 도 4에서, 웨이퍼 레벨에서 파워 디바이스의 정특성을 측정하는 프로프 장치의 프로버실이 도시되어 있다.
프로버실은, 도 4에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 재치(載置)하는 이동 가능한 재치대(1)와, 재치대(1)의 상방에 배치된 프로브 카드(2)를 구비하고 있다. 재치대(1)의 표면에는 금 등의 도전성 금속으로 이루어지는 도체막 전극(도 4에서는 굵은 선으로 나타내고 있음)(3)이 형성되고, 이 도체막 전극(3)이 측정 라인(예를 들면, 케이블)(4)을 개재하여 테스터(5)에 전기적으로 접속되어 있다.
도 4에 도시한 프로브 장치를 이용하여 파워 디바이스의 정특성을 웨이퍼 레벨에서 측정할 경우에는, 재치대(1) 상에 웨이퍼(W)를 재치하면, 웨이퍼(W)의 하면의 파워 디바이스의 컬렉터 전극이 재치대(1)의 도체막 전극(3)과 전기적으로 접촉한다. 이 웨이퍼(W)에 프로브 카드(2)를 접촉시키면, 파워 디바이스의 게이트 전극 및 이미터 전극과 복수의 프로브(2A)가 전기적으로 접속된다. 이 상태에서, 프로브(2A)로부터 파워 디바이스의 게이트 전극에 전압을 인가하면, 테스터(5)로부터 측정 라인(4), 도체막 전극(3), 컬렉터 전극 및 이미터 전극에 대전류가 흐른다. 이 때, 다른 프로브(2A)를 개재하여 파워 디바이스의 저항값 등의 정특성이 측정된다. 또한 도 4에서, 프로브 카드(2)는 클램프 기구(도시하지 않음)를 개재하여 헤드 플레이트(6)에 고정되어 있다.
상술한 바와 같이, 파워 디바이스의 정특성의 측정에 이용되는 프로브 장치는 실용화되어 있지만, 파워 디바이스의 동특성을 측정하는 프로브 장치는 여전히 개발 도상에 있어 실용화의 레벨에 이르지 않았다. 이 때문에, 파워 디바이스의 동특성의 측정은 패키징 단계에서 행할 수 밖에 없고, 패키지품이 불량품으로서 평가되면, 그대로 폐기되기 때문에, 그 만큼 파워 디바이스의 제품으로서의 생산 효율이 악화되어, 불량품이 발생하기 쉽다고 하는 문제가 있다.
또한 본 출원인은, 도 4에 도시한 프로브 장치를 기본으로 하여 파워 디바이스의 동특성의 측정을 행할 수 있는 프로브 장치를 개발했다(특허 문헌 1 참조). 즉, 특허 문헌 1의 프로브 장치에서는 이 프로브 장치의 재치대에, 도 4에 도시한 측정 라인(4)과 동일한 측정 라인을 형성함으로써, 1 대의 프로브 장치로 파워 디바이스의 정특성과 동특성의 쌍방을 측정할 수 있게 된다.
일본특허공개공보 2012-058225호
그런데 도 4에 도시한 프로브 장치에서는, 측정 라인(4)에 의해 재치대(1)의 도체막 전극(3)과 테스터(5)가 상시 접속되어 있기 때문에, 이 측정 라인(4)과 동일한 측정 라인을 형성한 특허 문헌 1의 프로브 장치에서는, 파워 디바이스의 스위칭 특성 등의 동특성을 측정할 때, 측정 라인(4)의 인덕턴스 성분이 장애가 되어 동특성을 정밀도 좋게 측정할 수 없는 것을 알았다.
본 발명의 과제는, 파워 디바이스의 정특성 및 동특성의 쌍방을 웨이퍼 레벨에서 측정할 수 있고, 특히 정특성의 측정에 사용되는 측정 라인에 영향을 받지 않고, 파워 디바이스의 동특성을 웨이퍼 레벨에서 확실히 측정할 수 있는 프로브 장치를 제공하는 것에 있다.
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상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 제 1 태양에 따르면, 복수의 파워 디바이스가 형성된 피검사체를 재치하는 이동 가능한 재치대와, 상기 재치대의 상방에 배치된 복수의 프로브를 가지는 프로브 카드와, 적어도 상기 재치대의 재치면에 형성된 도체막 전극과, 상기 파워 디바이스의 동특성의 측정에 사용하기 위하여 상기 도체막 전극과 테스터를 상기 프로브 카드를 경유하여 전기적으로 접속하는 제 1 측정 라인과, 상기 파워 디바이스의 정특성의 측정에 사용하기 위하여 상기 도체막 전극과 테스터를 전기적으로 접속하는 제 2 측정 라인을 구비하고, 상기 재치대 상에 재치된 상기 피검사체의 각 파워 디바이스 각각의 복수의 전극과 상기 복수의 프로브를 전기적으로 접촉시켜 상기 파워 디바이스의 정특성 또는 동특성을 측정하는 프로브 장치로서, 상기 제 2 측정 라인에는, 상기 도체막 전극과 상기 테스터 사이에서 상기 제 2 측정 라인을 개폐하는 스위치 기구를 설치한 것을 특징으로 하는 프로브 장치가 제공된다.
본 발명의 제 1 태양에 있어서, 상기 스위치 기구는 릴레이 스위치 기구로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 1 태양에 있어서, 상기 스위치 기구는 솔레노이드 기구와, 상기 솔레노이드 기구를 개재하여 상기 도체막 전극과 전기적으로 떨어지거나 접속하는 접촉자를 가지는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 1 태양에 있어서, 상기 제 1 측정 라인은, 상기 도체막 전극과 상기 프로브 카드의 사이에 개재하는 도체를 가지는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 파워 디바이스의 정특성 및 동특성의 쌍방을 웨이퍼 레벨에서 측정할 수 있고, 특히 정특성의 측정에 사용되는 측정 라인에 영향을 받지 않고, 파워 디바이스의 동특성을 웨이퍼 레벨에서 확실히 측정할 수 있는 프로브 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 프로브 장치를 도시한 개념도이다.
도 2는 도 1에 도시한 프로브 장치의 주요부를 도시한 구성도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 장치의 주요부를 도시한 구성도이다.
도 4는 종래의 프로브 장치의 일례를 도시한 개념도이다.
이하에, 본 발명의 실시예에 따른 프로브 장치에 대하여, 도 1 ~ 도 3을 참조하여 설명한다.
도 1은, 본 발명의 실시예에 따른 프로브 장치를 도시한 개념도이다.
본 실시예에 따른 프로브 장치(10)는, 예를 들면 도 1에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 반송하는 로더실(도시하지 않음)로부터 프로버실(11) 내에서 웨이퍼(W)를 수취하고, 프로버실(11) 내에서 웨이퍼(W)에 형성된 복수의 파워 디바이스의 전기적 특성(정특성, 동특성)을 측정하도록 구성되어 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 프로버실(11)에는 웨이퍼(W)를 재치하는 재치대(12)가 X 방향, Y 방향, Z 방향 및 θ 방향으로 이동 가능하게 설치되고, 재치대(12)의 척 탑(12A)의 재치면 전면(全面) 및 둘레면 전면에는 금 등의 도전성 금속으로 이루어지는 도체막 전극(도 1에서는 굵은 선으로 나타내고 있음)(13)이 컬렉터 전극으로서 형성되어 있다. 척 탑(12A)에는 진공 흡착 수단이 형성되고, 웨이퍼(W)를 척 탑(12A)의 재치면에 진공 흡착하도록 구성되어 있다. 또한 재치대(12)는, 온도 조절 기구를 내장하고, 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하고, 혹은 냉각하여 파워 디바이스의 전기적 특성(정특성 및 동특성)을 측정하도록 되어 있다. 도체막 전극(13)은, 척 탑(12A)의 재치면 전면에 형성된 제 1 도체막 전극부(13A)와, 척 탑(12A)의 외주면 전면에 형성된 제 2 도체막 전극부(13B)로 이루어져 있다.
재치대(12)의 상방에는, 도 1에 도시한 바와 같이 카드 홀더가 부착된 프로브 카드(14)가 클램프 기구(도시하지 않음)를 개재하여 프로버실(11)의 상면을 형성하는 헤드 플레이트(11A)에 고정되어 있다. 프로브 카드(14)의 하면 중앙부에는 복수의 프로브(14A)가 장착되고, 이들 프로브(14A)가 웨이퍼(W)에 형성된 파워 디바이스의 게이트 전극 및 이미터 전극과 전기적으로 접속하여 파워 디바이스의 전기적 특성을 측정하도록 구성되어 있다.
그리고, 본 실시예의 프로브 장치(10)는 후술하는 바와 같이, 파워 디바이스의 동특성을 측정할 때 이용되는 제 1 측정 라인(15)과, 파워 디바이스의 정특성을 측정할 때 이용되는 제 2 측정 라인(16)을 구비하고 있다.
제 1 측정 라인(15)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 예를 들면 프로브 카드(14)의 하면의 외주 가장자리부에 둘레 방향으로 소정 간격을 두고 형성된 복수의 도통 핀(15A)과, 이 복수의 도통 핀(15A)에 도체부(도시하지 않음)를 개재하여 전기적으로 접속된 케이블(15B)을 가지고, 케이블(15B)의 타단이 테스터(17)에 대하여 전기적으로 접속되어 있다. 도통 핀(15A)과 케이블(15B)을 접속하는 도체부는 프로브 카드(14)의 하면에 장착되어 있다. 복수의 도통 핀(15A)은, 척 탑(12A)이 재치대(12)에 내장된 승강 구동 기구(도시하지 않음)를 개재하여 승강함으로써 제 1 도체막 전극부(13A)와 전기적으로 떨어지거나 접속하도록 구성되어 있다. 이들 도통 핀(15A)은, 예를 들면 포고 핀과 같이 탄력을 가지고, 제 1 도체막 전극부(13A)와 탄력적으로 접촉하도록 구성되어 있다. 이들 도통 핀(15A)은, 프로브 카드(14)의 외주 가장자리부에 소정의 간격을 두고 복수 개소에 형성되어 있는 것이 바람직하지만, 1 개소에만 설치된 것이어도 된다.
파워 디바이스의 동특성을 측정할 경우에는, 재치대(12)의 척 탑(12A)이 소정의 치수만큼 상승한다. 이에 의해, 척 탑(12A)의 제 1 도체막 전극부(13A)(컬렉터 전극)가 도통 핀(15A)과 전기적으로 접촉하고, 제 1 측정 라인(15)을 개재하여 테스터(17)와 척 탑(12A)의 도체막 전극(컬렉터 전극)(13)이 전기적으로 접속된다. 또한, 복수의 프로브(14A)가 척 탑(12A) 상의 웨이퍼(W)에 형성된 파워 디바이스의 게이트 전극 및 이미터 전극과 전기적으로 접촉한다. 이 상태에서, 테스터(17)로부터 파워 디바이스의 게이트 전극에 소정의 전압을 인가하면, 테스터(17)로부터 제 1 측정 라인(15)을 개재하여 척 탑(12A)의 제 1 도체막 전극부(13A)에 대전류가 흐르고, 이 전류는 파워 디바이스의 컬렉터 전극으로부터 이미터 전극을 거쳐 테스터(17)에 도달한다. 제 1 측정 라인(15)은 매우 짧기 때문에, 인덕턴스 성분이 매우 작아, 인덕턴스 성분에 영향을 받지 않고, 파워 디바이스의 동특성을 확실히 측정할 수 있다.
또한 제 2 측정 라인(케이블)(16)은, 테스터(17)와 제 2 도체막 전극부(13B) 사이를 전기적으로 접속하고, 파워 디바이스의 정특성을 측정할 때 사용되도록 구성되어 있다. 이 측정 라인(16)은, 주위로부터의 전자기 노이즈의 영향을 최대한 억제하기 위해서도 짧게 하는 것이 좋고, 본 실시예에서는 2000 mm 정도로 설정되어 있다. 이 측정 라인(16)에는 스위치 기구(18)가 설치되고, 스위치 기구(18)가 제 2 도체막 전극부(13B)와 테스터(17) 사이의 전기선로를 개폐한다. 이 스위치 기구(18)는, 상술한 바와 같이 파워 디바이스의 동특성의 측정을 할 때에는, 스위치를 열어 제 2 측정 라인(16)을 척 탑(12A)으로부터 분리하여 제 2 측정 라인(16)의 인덕턴스 성분에 의한 영향을 방지하도록 되어 있다.
스위치 기구(18)로서는, 예를 들면 릴레이 스위치 기구, 솔레노이드 스위치 기구 및 실린더 스위치 기구를 들 수 있다. 스위치 기구(18)의 종류에 따라 도 2, 도 3에 도시한 바와 같이 제 2 측정 라인(16)과 제 2 도체막 전극부(13B)의 접속 태양이 상이하다. 도 2는 릴레이 스위치 기구를 적용한 프로브 장치를 도시하고, 도 3은 솔레노이드 스위치 기구를 적용한 프로브 장치를 도시하고 있다. 따라서 이하에서는, 릴레이 스위치 기구 및 솔레노이드 스위치 기구를 예로 들어 설명한다.
도 2는, 도 1에 도시한 프로브 장치의 주요부를 도시한 구성도이다.
스위치 기구(18)로서의 릴레이 스위치 기구(181)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 제 2 측정 라인(16)에 설치된 스위치(181A)와, 스위치(181A)의 접점(181B)과, 접점(181B)을 자장 여기하는 코일(181C)과, 코일(181C)과 전원(도시하지 않음)을 연결하는 배선(181D)과, 코일(181C)을 제어하는 컨트롤러(181E)를 구비하고, 코일(181C)을 개재하여 접점(181B)을 자장 여기하면, 스위치(181A)가 일점 쇄선으로 나타낸 바와 같이 접점(181B)과 전기적으로 접촉하고, 제 2 측정 라인(16)을 개재하여 척 탑(12A) 상의 파워 디바이스의 컬렉터 전극과 테스터(17)를 전기적으로 접속하도록 구성되어 있다. 스위치(181A), 접점(181B) 및 코일(181C)은 모두 고절연성 블록(181F) 내에 수납되어 있다.
릴레이 스위치 기구(181)가 설치된 제 2 측정 라인(16)은, 도 2에 도시한 바와 같이, 일단이 척 탑(12A)의 둘레면 전면에 형성된 제 2 도체막 전극부(13B)에 전기적으로 접속되고, 타단이 테스터(17)에 전기적으로 접속되어 있다. 제 2 측정 라인(16)과 제 2 도체막 전극부(13B)의 전기적인 접속을 충분히 확보하기 위하여, 제 2 측정 라인(16)과 제 2 도체막 전극부(13B)의 접속부에는 도체 플레이트(12B)가 소정의 범위에서 부착되고, 이 도체 플레이트(12B)에 대하여 제 2 측정 라인(16)이 나사 등의 고정 수단에 의해 강고하게 고정되어 있다. 릴레이 스위치 기구(181)는, 도 2에 도시한 바와 같이 재치대(12)의 근방에 위치시켜 제 2 측정 라인(16)에 설치되어 있다. 릴레이 스위치 기구(181)는, 파워 디바이스의 동특성을 측정할 때 개방 상태가 되고, 파워 디바이스의 정특성을 측정할 때 폐쇄 상태가 된다.
스위치 기구(18)로서의 솔레노이드 스위치 기구(182)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 제 2 측정 라인(16)의 단부에 전기적으로 접속된 접촉자(182A)와, 접촉자(182A)를 직진시키는 솔레노이드(182B)와, 솔레노이드(182B)를 자장 여기하는 구동 제어부(182C)와, 솔레노이드(182B)의 자화가 제거되었을 때 접촉자(182A)를 원래의 위치로 되돌리는 코일 스프링(182D)을 구비하고, 구동 제어부(182C)의 제어하에서 솔레노이드(182B)와 코일 스프링(182D)이 협동하여 접촉자(182A)를 직선 방향으로 왕복 이동시켜 접촉자(182A)의 선단을 척 탑(12A)의 제 2 도체막 전극부(13B)에 대하여 떨어뜨리거나 접속시키도록 구성되어 있다. 파워 디바이스의 정특성을 측정할 경우에는, 접촉자(182A)가 제 2 도체막 전극부(13B)와 접촉하고, 테스터(17)와 제 2 도체막 전극부(13B)가 도통 상태가 된다. 한편, 파워 디바이스의 동특성을 측정할 경우에는, 접촉자(182A)가 제 2 도체막 전극부(13B)로부터 떨어져 제 2 측정 라인(16)을 도체막 전극(13)으로부터 분리하고, 제 2 도체막 전극부(13B)를 테스터(17)로부터 차단한다. 도시하고 있지 않지만, 솔레노이드(182B)는, 플런저와, 플런저를 받는 받이부와, 플런저를 왕복 이동시키는 코일을 구비하고 있다. 접촉자(182A)는 플런저의 축심을 따라 장착되고, 플런저를 개재하여 왕복 이동한다.
이어서, 본 실시예의 프로브 장치(10)의 동작에 대하여 설명한다. 파워 디바이스의 전기적 특성을 측정할 경우에는, 예를 들면 정특성을 측정한 후, 동특성을 측정한다. 그러기 위해서는 우선, 미리 스위치 기구(18)를 구동시켜 제 2 측정 라인(16)의 전기선로를 닫고, 척 탑(12A)의 제 2 도체막 전극부(13B)와 테스터(17)를 전기적으로 접속한다. 이 상태에서, 복수의 파워 디바이스가 형성된 웨이퍼(W)를 로더실로부터 프로버실(11) 내의 재치대(12)의 척 탑(12A) 상에 재치하고, 진공 흡착 기구를 개재하여 웨이퍼(W)를 척 탑(12A) 상에 고정한다. 이어서, 얼라이먼트 기구를 개재하여 재치대(12) 상의 웨이퍼(W)의 게이트 전극 및 이미터 전극과 프로브 카드(14)의 복수의 프로브(14A)를 얼라이먼트한다.
이어서, 재치대(12)를 이동시켜 최초로 측정해야 할 파워 디바이스의 바로 밑으로부터 재치대(12)를 상승시켜 파워 디바이스의 게이트 전극 및 이미터 전극과 복수의 프로브(14A)를 전기적으로 접촉시킨다. 이 상태에서 프로브(14A)를 개재하여 테스터(17)로부터 파워 디바이스의 게이트 전극에 전압을 인가하면, 테스터(17)로부터 제 2 측정 라인(16)을 개재하여 척 탑(12A)의 제 2 도체막 전극부(13B), 즉 도체막 전극(13)에 대전류가 흐른다. 이 전류는, 파워 디바이스의 컬렉터 전극으로부터 이미터 전극에 흐른다. 이 때, 다른 프로브(14A)를 개재하여 파워 디바이스의 저항값 등의 정특성을 측정하고, 그 측정 결과에 기초하여 테스터(17)가 저항값 등의 정특성을 구한다. 최초의 파워 디바이스에 대하여 정특성을 측정한 후, 재치대(12)가 이동하고, 후속의 파워 디바이스의 정특성을 순차적으로 측정한다.
파워 디바이스의 정특성을 측정한 후, 동특성을 측정한다. 즉, 스위치 기구(18)를 구동시켜 제 2 측정 라인(16)의 전기선로를 열고, 테스터(17)를 척 탑(12A)으로부터 차단한다. 이 상태에서, 최초로 측정해야 할 파워 디바이스를 프로브 카드(14)의 바로 밑으로 이동시킨 후, 척 탑(12A)을 상승시키면, 파워 디바이스의 게이트 전극 및 이미터 전극이 프로브 카드(14)의 복수의 프로브(14A)와 전기적으로 접촉하고, 또한 척 탑(12A)의 제 1 도체막 전극부(13A)가 프로브 카드(14)로부터 하방으로 돌출되는 복수의 도통 핀(15A)과 전기적으로 접촉한다. 이에 의해, 파워 디바이스의 게이트 전극 및 이미터 전극은 프로브(14A)를 개재하여 테스터(17)와 접속되고, 또한 파워 디바이스의 컬렉터 전극이 척 탑(12A)의 제 1 도체막 전극부(13A) 및 복수의 도통 핀(15A)(제 1 측정 라인(15))을 개재하여 테스터(17)와 전기적으로 접속된다.
이 후, 프로브(14A)를 개재하여 테스터(17)로부터 파워 디바이스의 게이트 전극에 전압을 인가함으로써, 제 1 측정 라인(15)(케이블(15B) 및 도통 핀(15A))을 거쳐 테스터(17)로부터 척 탑(12A)의 도체막 전극(13)으로 대전류가 유입된다. 이 대전류는 파워 디바이스의 컬렉터 전극으로 유입되고, 이미터 전극으로부터 테스터(17)로 유입되고, 테스터(17)에서 파워 디바이스의 동특성을 측정할 수 있다. 이 때, 제 2 측정 라인(16)이 척 탑(12A)으로부터 분리되어 있기 때문에, 제 2 측정 라인(16)에 근거하는 인덕턴스의 악영향을 방지할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 실시예에 따르면, 1 대의 프로브 장치(10)를 이용함으로써, 파워 디바이스의 정특성 및 동특성의 쌍방을 행할 수 있고, 또한 동특성을 측정할 때에는 정특성의 측정에 사용되는 제 2 측정 라인(16)에 영향을 받지 않고, 파워 디바이스의 동특성을 웨이퍼 레벨에서 확실히 측정할 수 있다
본 발명은, 상기 실시예에 조금도 제한되지 않고, 필요에 따라 각 구성 요소를 설계 변경할 수 있다. 제 2 측정 라인(16)에 설치되는 스위치 기구는, 본 실시예에서 설명한 것에 제한되지 않고, 스위칭 기구를 가지는 것은 본 발명에 적절히 적용할 수 있다.
10 : 프로브 장치
12 : 재치대
12A : 척 탑
14 : 프로브 카드
14A : 프로브
15 : 제 1 측정 라인
15A : 도통 핀(도체)
16 : 제 2 측정 라인
17 : 테스터
18 : 스위치 기구
181 : 릴레이 스위치 기구
182 : 솔레노이드 스위치 기구
W : 웨이퍼

Claims (7)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 복수의 파워 디바이스가 형성된 피검사체를 재치하는 이동 가능한 재치대와, 상기 재치대의 상방에 배치된 복수의 프로브를 가지는 프로브 카드와, 적어도 상기 재치대의 재치면에 형성된 도체막 전극과, 상기 파워 디바이스의 동특성의 측정에 사용하기 위하여 상기 도체막 전극과 테스터를 상기 프로브 카드를 경유하여 전기적으로 접속하는 제 1 측정 라인과, 상기 파워 디바이스의 정특성의 측정에 사용하기 위하여 상기 도체막 전극과 테스터를 전기적으로 접속하는 제 2 측정 라인을 구비하고, 상기 재치대 상에 재치된 상기 피검사체의 각 파워 디바이스 각각의 복수의 전극과 상기 복수의 프로브를 전기적으로 접촉시켜 상기 파워 디바이스의 정특성 또는 동특성을 측정하는 프로브 장치로서,
    상기 도체막 전극은 상기 재치대의 재치면에 형성된 제 1 도체막 전극부 및 상기 재치대의 측면에 형성된 제 2 도체막 전극부를 포함하고,
    상기 제 2 측정 라인은 상기 제 2 도체막 전극부와 상기 테스터를 전기적으로 접속하고,
    상기 제 2 측정 라인에는, 상기 제 2 도체막 전극부와 상기 테스터 사이에서 상기 제 2 측정 라인을 개폐하는 스위치 기구를 설치한 것을 특징으로 하는 프로브 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 스위치 기구는 릴레이 스위치 기구로 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로브 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 스위치 기구는 솔레노이드 기구와, 상기 솔레노이드 기구를 개재하여 상기 제 2 도체막 전극부와 전기적으로 떨어지거나 접속하는 접촉자를 가지는 것을 특징으로 하는 프로브 장치.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 측정 라인은, 상기 제 1 도체막 전극부와 상기 프로브 카드의 사이에 개재하는 도체를 가지는 것을 특징으로 하는 프로브 장치.
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